TWI681872B - 具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法、積層體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種具有導電性圖案區域之構造體，其可極度簡化製造步驟，並且導電性圖案區域間的電絕緣性優異，而且可靠度高。具有導電性圖案區域之構造體(10)係具備：支撐體(11)；以及在以支撐體所構成之面上由含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域(12)與含有銅之導電性圖案區域(13)相互鄰接地配置而成之層(14)。此外，積層體係具備：支撐體；配置在以支撐體所構成之面上之含有氧化銅及磷之塗佈層；以及以被覆塗佈層之方式配置之樹脂層。

Description

具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法、積層體及其製造方法

本發明係關於具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法、積層體及其製造方法以及銅配線。

電路基板係具有於基板上形成有導電性配線之構造。電路基板的製造方法，一般而言如下所述。首先，將光阻塗佈於貼合有金屬箔之基板上。其次，使光阻曝光及顯影而得到期望的電路圖案之負型形狀。然後，藉由化學蝕刻來去除未經光阻所被覆之部分的金屬箔而形成圖案。藉此，可製造高性能的導電性基板。

然而，先前的方法中，存在著步驟數多且繁瑣而且須使用光阻材料等缺點。

相對於此，直接配線印刷技術係受到矚目，該技術係使用分散有「選自由金屬微粒及金屬氧化物微粒所組成之群組中的微粒」之分散體(以下亦稱為「膏材料」)，將期望的配線圖案直接印刷在基板上。此技術係步驟少且不需使用光阻材料等，生產性極高。

就直接配線印刷技術的一例而言，已知藉由網版印刷或噴墨印刷將膏材料印刷於支撐體上，然後將膏材料進行熱燒成而得到低電阻的配線圖案(例如參考專利文獻1)。

此外，已知將膏材料塗佈於基板全面，將雷射光以圖案狀照射於膏材料並選擇性地進行熱燒成而得到期望的配線圖案之方法(例如參考專利文獻1、2)。

此外，已知將含有氧化亞銅的凝聚體粒子之分散液以厚度10至20μm塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET：Polyethylene Terephthalate)支撐體上，並將其以雷射進行燒成而製造銅配線之方法(例如參考專利文獻3)。根據此方法，由於雷射照射部以外未經加熱，所以可使用如PET支撐體般之低耐熱樹脂材料。

此外，為了提升支撐體與由燒成銅膏所得之金屬質含銅膜的密著性，已知使用屬於氧化矽粒子的膠體二氧化矽作為基底層(例如參考專利文獻4)。

另外，已知一種多層配線基板的製造方法，係於基板上形成第1塗佈層，並將光照射至第1塗佈層的一部分以形成第1導電部，然後將第2塗佈層形成於第1塗佈層上，從第2塗佈層往第1導電部照射光線以形成第2導電部(例如參考專利文獻5)。

此外，已知於基板上形成使用銅或銅氧化物分散體之圖案狀塗佈膜並進行燒成處理而得到導電膜之方法(例如參考專利文獻6)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：國際公開第2010/024385號手冊

專利文獻2：日本特開平5-37126號公報

專利文獻3：日本專利5449154號公報

專利文獻4：國際公開第2016/031860號手冊

專利文獻5：日本特開2015-26681號公報

專利文獻6：國際公開第2015/012264號手冊

於專利文獻1至3所記載之藉由對膏材料照射雷射而形成配線圖案之直接配線印刷技術中，未經雷射照射之區域上會殘留有未燒成的膏材料。未燒成的膏材料具有導電性，若殘留則無法確保配線圖案間的電絕緣性。因此，係去除未燒成的膏材料，並將防焊劑等絕緣性材料填充於配線圖案間。

因此，於先前的直接配線印刷技術中，需進行用以去除未燒成膏材料及填充絕緣材料之步驟，於步驟數削減方面的優點少。此外，需準備用以去除未燒成膏材料之溶劑、沖淋劑等，導致增加製造成本。

將先前的直接配線印刷技術適用在將配線圖案形成於可撓性基材上之時，若對所得到之電路基板實施往返低溫環境及高溫環境之熱循環試驗，則存在有於防焊劑與配線之間產生龜裂之問題。

再者，專利文獻4所揭示之使用在基底層之膠體二氧化矽，雖然對於金屬之密著性優異，但與樹脂之密著性差。因此，當基材的材質為樹脂時，基底層與基材之間有會產生剝離之情形，可靠度較低。

專利文獻5所記載之方法中，於未經雷射照射之區域會殘留有由氧化亞銅粒子與樹脂黏合劑所構成之未燒成的膏材料，惟氧化亞銅粒子大，樹脂黏合劑與粒子會局部存在化，於該狀態下，配線圖案間的電絕緣性不足。

專利文獻6所記載之構造中，於配線圖案間並無填充物，於該狀態下，無法確保配線圖案間的電絕緣性。此外，於濕度高之環境中，由於含有水分之空氣進入配線圖案間，而容易造成絕緣破壞。

本發明係鑑於該特點而創作，其目的之一係提供一種具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法，其可極度簡化製造步驟，並且導電性圖案區域間的電絕緣性優異，而且長期可靠度優異。

此外，本發明係鑑於該特點而創作，其目的之一係提供一種積層體及其製造方法，其係於氧化銅的光燒成處理中，不須準備用於真空環境或惰性氣體環境之 設備，可削減具有導電性圖案區域之構造體的製造成本。

再者，本發明的目的之一係提供一種銅配線，其可提高配線的導電性。

本發明者們係為了解決上述課題而進行精心研究，因而完成本發明。

亦即，本發明之構造體之一態樣係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層。於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與含有氧化銅及磷之絕緣區域係相互鄰接。

此外，本發明之構造體之其他一態樣係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層。於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與含有氧化銅及肼(hydrazine)或肼水合物之絕緣區域係相互鄰接。

此外，本發明之構造體之其他一態樣係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層。於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與含有氧化銅及磷及肼或肼水合物之絕緣區域係相互鄰接。

此外，本發明之構造體之其他一態樣係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層。於前述層中，含有銅及磷之導電性圖案區域與含有氧化銅及磷之絕緣區域係相互鄰接。

此外，本發明之積層體之一態樣係具備：支撐體；配置在以前述支撐體所構成之面上之含有氧化銅 及磷之塗佈層；以及以被覆前述塗佈層之方式配置之樹脂層。

此外，本發明之積層體之一態樣係具備：支撐體；配置在以前述支撐體所構成之面上之含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層；以及以被覆前述塗佈層之方式配置之樹脂層。

此外，本發明之積層體之一態樣係具備：支撐體；配置在以前述支撐體所構成之面上之含有氧化銅及磷及肼或肼水合物之塗佈層；以及以被覆前述塗佈層之方式配置之樹脂層。

此外，本發明之銅配線之一態樣係含有將氧化銅還原後之還原銅、磷、以及碳，其中，磷/銅的元素濃度比為0.02以上0.30以下，碳/銅的元素濃度比為1.0以上6.0以下。

此外，本發明之構造體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟；以及將光線選擇性地照射在前述塗佈層以將前述氧化銅還原成銅，而得到前述支撐體、以及在以前述支撐體所構成之面上由含有前述氧化銅及磷之絕緣區域與含有前述銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層之步驟。

此外，本發明之構造體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層之步驟；以及將光線選擇性地照射在 前述塗佈層以將前述氧化銅還原成銅，而得到前述支撐體、以及在以前述支撐體所構成之面上由含有前述氧化銅及前述肼或肼水合物之絕緣區域與含有前述銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層之步驟。

此外，本發明之構造體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物之塗佈層之步驟；以及將光線選擇性地照射在前述塗佈層以將前述氧化銅還原成銅，而得到前述支撐體、以及在以前述支撐體所構成之面上由含有前述氧化銅及磷及前述肼或肼水合物之絕緣區域與含有前述銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層之步驟。

此外，本發明之積層體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟；以及以被覆前述塗佈層之方式配置樹脂層之步驟。

此外，本發明之積層體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層之步驟；以及以被覆前述塗佈層之方式配置樹脂層之步驟。

此外，本發明之積層體的製造方法之一態樣係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物之塗佈層之步驟；以及以被覆前述塗佈層之方式配置樹脂層之步驟。

根據本發明，可提供一種具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法，其可極度簡化製造步驟，並且導電性圖案區域間的電絕緣性優異，而且長期可靠度優異。

此外，根據本發明，可提供一種積層體及其製造方法，其係於氧化銅的光燒成處理中，不須準備用於真空環境或惰性氣體環境之設備，可削減具有導電性圖案區域之構造體的製造成本。

此外，根據本發明，可提供一種銅配線，其可提高配線的導電性。

1、12、22、52‧‧‧絕緣區域

2‧‧‧氧化銅微粒

3‧‧‧磷酸酯鹽

3a‧‧‧磷

3b‧‧‧酯鹽

10、20、30、50‧‧‧構造體

11、21、41、51‧‧‧支撐體

13、23、53‧‧‧導電性圖案區域

14、24、54‧‧‧層

25、45、55‧‧‧氧阻隔層

31‧‧‧密封材層

40‧‧‧積層體

44‧‧‧塗佈層

46、56‧‧‧黏著層

第1圖為顯示本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體中的絕緣區域所含有之氧化亞銅微粒與磷酸酯鹽之關係之示意圖。

第2圖為顯示第1實施形態之具有導電性圖案區域之構造體之剖面示意圖。

第3圖為顯示第2實施形態之具有導電性圖案區域之構造體之剖面示意圖。

第4圖為顯示一部分與第3圖不同之具有導電性圖案區域之構造體之剖面示意圖。

第5圖為顯示本實施形態之積層體的一例之剖面示意圖。

第6圖為顯示使用本實施形態之積層體所製造之具有 導電性圖案區域之構造體的一例之剖面示意圖。

第7圖為顯示第1實施形態之具有導電性圖案區域之構造體的製造方法之各步驟的說明圖(一例)。

第8圖為顯示第2實施形態之具有導電性圖案區域之構造體的製造方法之各步驟的說明圖(一例)。

第9圖為用以說明實施例中之塗佈層中的龜裂狀態之電子顯微鏡照片。

第10圖為用以說明實施例中之塗佈層中的龜裂狀態之電子顯微鏡照片。

第11圖為顯示實施例中之形成於支撐體上之層的剖面之電子顯微鏡照片。

第12圖A為顯示形成於玻璃表面之導電性圖案區域之照片。

第12圖B為第12圖A之示意圖。

第12圖C為從第12圖A去除絕緣區域後之照片。

以下詳細說明本發明之一實施形態(以下略稱為「實施形態」)。

〈本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體(附有導電性圖案區域之構造體)的概要〉

本發明者們係發現到在將含有氧化銅之塗佈層配置在支撐體的表面並選擇性地將光照射在該塗佈層以使氧化銅還原成銅而形成導電性圖案區域時，若提高含有未還原的氧化銅之區域的電絕緣性，則在不將該區域去除而直接 殘留之情形下，可確保導電性圖案區域間的絕緣，並且不需進行去除該區域之步驟，因而完成本發明。

亦即，本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體中，係於配置在支撐體表面之含有氧化銅之塗佈層中含有磷。然後，選擇性地將光照射在塗佈層以形成導電性圖案區域，同時於導電性圖案區域間設置含有氧化銅及磷之絕緣區域。

第1圖為顯示本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體中的絕緣區域所含有之氧化銅微粒與磷酸酯鹽之關係之示意圖。如第1圖中所示，絕緣區域1中，作為含磷有機物的一例之磷酸酯鹽3，係以使磷3a朝向內側且使酯鹽3b朝向外側之方式來包圍作為氧化銅的一例之氧化銅微粒2的周圍。由於磷酸酯鹽3顯示電絕緣性，所以，其與相鄰接之氧化銅微粒2之間的電導通會被阻礙。

因此，雖然氧化銅微粒2為半導體且具導電性，但被顯示電絕緣性之磷酸酯鹽3所被覆。所以，絕緣區域1顯示電絕緣性，藉由剖面觀看(沿著第2圖中所示之上下方向之剖面)，可確保鄰接於絕緣區域1的兩側之導電性圖案區域(後述)之間的絕緣。

另一方面，導電性圖案區域中，將光照射在含有氧化銅及磷之塗佈層之一部分的區域，於該一部分的區域中使氧化銅還原成銅。如此之將氧化銅還原後之銅係稱為還原銅。此外，於該一部分的區域中，含磷有機物 經改性為磷氧化物。磷氧化物中，上述酯鹽3b(參考第1圖)般之有機物係藉由雷射等的熱而分解，不顯示電絕緣性。

此外，如第1圖所示，使用氧化銅微粒2時，藉由雷射等的熱使氧化銅變化成還原銅且同時燒結，使相鄰接之氧化銅微粒2彼此一體化。藉此，可形成具有優異的電導性之區域(以下稱為「導電性圖案區域」)。

導電性圖案區域中，於還原銅中殘存有磷元素。磷元素係以磷元素本身、磷氧化物及含磷有機物中之至少1種形式而存在。如此殘存之磷元素係偏析殘存於導電性圖案區域，不會有使導電性圖案區域的電阻增大之疑慮。

〈具有導電性圖案區域之構造體的構成：第1實施形態〉

第2圖為顯示第1實施形態之具有導電性圖案區域之構造體之剖面示意圖。如第2圖所示，構造體10之構成係具有：支撐體11；以及配置在以支撐體11所構成之面上之層14。於層14中，含有氧化銅及磷之絕緣區域12與含有銅之導電性圖案區域13係相互鄰接。在此，所謂銅，係以上述還原銅為較佳。此外，絕緣區域12所含有之磷，較佳係作為含磷有機物而含有。

依據此構成，由於可藉由含有氧化銅及磷之絕緣區域來將含有銅之導電性圖案區域之間予以絕緣，所以不需為了製造而去除層14的未燒成部分。因此，可削 減製造步驟，且不需使用溶劑等，而能夠削減製造成本。此外，為了導電性圖案區域的絕緣而利用絕緣區域，該絕緣區域不易產生龜裂，可提高可靠度。

以下說明第1實施形態之具有導電性圖案區域之構造體的各構成要素。

〈支撐體〉

支撐體11係構成用以配置層14之面者。形狀並無特別限定。

為了確保被絕緣區域12所隔開之導電性圖案區域13之間的電絕緣性，支撐體11的材質較佳為絕緣材料。惟支撐體11並不一定需要整體皆為絕緣材料。只要構成「配置有層14之面」之部分為絕緣材料即可。

更具體而言，支撐體11可為平板狀體、膜或薄片。就平板狀體而言，例如為在印刷基板等電路基板中所使用之支撐體(亦稱為基材)。就膜或薄片而言，例如為在可撓性印刷基板中所用之作為薄膜狀絕緣體之基膜(base film)。

支撐體11可為立體物。可在包含立體物所具有之曲面或階差等之面(亦即立體面)配置具有導電性圖案區域之層。

立體物的一例可列舉出行動電話終端、智慧型手機、智慧型眼鏡、電視、個人電腦等電氣機器的框體。此外，立體物的其他例子，於汽車領域中可列舉出儀表盤(dashboard)、儀表板(instrument panel)、方向盤、底 盤(chassis)等。

此外，立體物的材質並無限定，較佳例如為選自由聚丙烯樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、改性聚苯醚樹脂及聚苯硫醚樹脂所組成之群組的至少1種。

〈配置在支撐體的面上之層(具有導電性圖案區域之層)〉

本實施形態中，層14可謂由絕緣區域12與導電性圖案區域13混合存在而成者。以下有時表現為「層」，或是換稱為「具有導電性圖案區域之層」、「配置在支撐體上之層」。

層14可謂一體化層。此外，層14亦可謂非多層構造之單一層。所謂「一體化」或「單一」，意指於剖面觀看時絕緣區域12與導電性圖案區域13係沿著面上呈連續。所謂「鄰接」，意指於絕緣區域12與導電性圖案區域13之間不包含其他層。所謂「呈連續」，意指不包含例如在印刷基板中可見之「將經圖案化之配線層之間以焊膏埋填而成為一層之狀態」。

本實施形態中，於絕緣區域12的表面與導電性圖案區域13的表面之間可產生階差。亦即，在從氧化銅還原成銅之過程中，由於膜厚變薄，故即使是呈連續之層，導電區域與絕緣區域的膜厚有時會不同。

此外，所謂「絕緣區域12與導電性圖案區 域13係相互鄰接」，意指在層內，電導性及粒子狀態(燒成與未燒成)等可沿著支撐體的面上逐漸地變化，而且於絕緣區域12與導電性圖案區域13之間可存在交界(界面)。

此外，絕緣區域12與導電性圖案區域13係由來自相同組成的塗佈層所形成者。亦即，由於導電性圖案區域13係藉由對於塗佈層的一部分進行雷射照射而形成者，所以，於絕緣區域12與導電性圖案區域13中係含有銅元素或磷元素等相同元素。

〈絕緣區域〉

絕緣區域12含有氧化銅及磷，並顯示電絕緣性。絕緣區域12可謂未受到光照射之未照射區域。此外，絕緣區域12亦可謂未藉由光照射而使氧化銅還原之未還原區域。再者，絕緣區域12亦可謂未藉由光照射而燒成之未燒成區域。

〈導電性圖案區域〉

導電性圖案區域13含有銅，並顯示電導性。導電性圖案區域13可謂受到光照射之被照射區域或雷射照射區域。此外，導電性圖案區域13亦可謂包含「藉由光照射而使氧化銅還原成之還原銅」之還原區域。再者，導電性圖案區域13亦可謂包含「藉由光照射而將絕緣區域12燒成之燒成體」之燒成區域。

導電性圖案區域13之在剖視時的形狀(亦即圖案)可為直線狀、曲線狀、圓狀、四角狀、彎曲形狀等之任一種，並無特別限定。由於圖案是經由光罩之光照射 或是由雷射描繪所形成，所以形狀不易受限。

絕緣區域12與導電性圖案區域13之交界，較佳為在剖視時沿著層14的厚度方向(第2圖所示之上下方向)呈直線，但亦可形成有錐角，並無特別限定。惟該交界並不一定須為明確。例如在交界附近測定銅的組成比時，可為從導電性圖案區域13側朝向絕緣區域12逐漸改變之組成調變區域。

導電性圖案區域13於剖視時不需完全還原。較佳係例如於接近支撐體11之部分具有未還原部分。藉此，可提高導電性圖案區域13及支撐體11之間的密著性。

如第2圖所示，本實施形態中，關於導電性圖案區域13的膜厚與絕緣區域12的膜厚，例如可為相異且使絕緣區域12的膜厚較厚。亦即，在藉由雷射照射而使氧化銅還原成銅之過程中，導電性圖案區域13的膜厚容易變得較絕緣區域12更薄。若設為膜厚相異，則可使導電性圖案區域13與隔著絕緣區域12而相對向之導電性圖案區域13的沿面距離增長，所以可提高絕緣性。絕緣區域12的膜厚較佳為0.1μm以上30μm以下，尤佳為0.1μm以上15μm以下，更佳為0.1μm以上10μm以下。尤其若在1μm以上10μm以下之範圍內，可維持作為絕緣區域12的絕緣性，能夠藉由後述光線照射而製造基材密著性及導電性更優異之導電性圖案區域13，故較佳。相對於絕緣區域12的膜厚，導電性圖案區域13的膜厚較佳為10%以上90%以下，尤佳為20%以上80%以下，更佳為30%以上70%以 下。尤其藉由設為30%以上70%以下，可維持基材密著性，而得到足以作為電配線用途之電導性，故較佳。

〈密著層〉

支撐體11，較佳係在與具有導電性圖案區域之層14之間具備密著層(圖中未顯示)。藉由密著層，可提高層14對於支撐體11之密著性，防止絕緣區域12及導電性圖案區域13的剝離，而提高構造體10的長期穩定性。

密著層，例如包含：(i)將以支撐體11所構成之面予以粗面化者、以及(ii)在以支撐體11所構成之面上配置塗覆層者。(i)的例中，其為支撐體11本身的一部分。此時，可將其他層(例如底漆(primer)(基底)層)組合於密著層。

(ii)的例中，密著層可為塗覆層獨自本身或積層有其他層者。此外，塗覆層可含有底漆材料。

〈具有導電性圖案區域之構造體的詳細內容〉

以下更具體地說明本實施形態之構造體10的各構成。然而，各構成並不限定於以下所列舉之具體例。

(支撐體)

支撐體的具體例，例如可列舉出由無機材料所構成之支撐體(以下稱為「無機支撐體」)、或是由樹脂所構成之支撐體(以下稱為「樹脂支撐體」)。

無機支撐體例如為由玻璃、矽、雲母、藍寶石、水晶、黏土膜及陶瓷材料等所構成。陶瓷材料例如 為氧化鋁、氮化矽、碳化矽、氧化鋯、三氧化二釔及氮化鋁以及此等之至少2種之混合物。就無機支撐體而言，尤其可使用由光穿透性高之玻璃、藍寶石、水晶等所構成之支撐體。

就樹脂支撐體而言，例如可使用由聚丙烯(PP)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯縮丁醛(PVB)、聚縮醛(POM)、聚芳酯(PAR)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、改性聚苯醚(m-PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳二亞胺、聚矽氧烷、聚甲基丙烯醯胺、腈橡膠、丙烯酸系橡膠、聚四氟化乙烯、環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡膠、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚-酚醛(phenol novolac)、苯并環丁烯、聚乙烯酚、聚氯芘(polychloroprene)、聚甲醛、聚碸(PSF)、聚苯基碸樹脂(PPSU)、環烯烴聚合物(COP)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)、丙烯腈-苯乙烯樹脂(AS)、尼龍樹脂(PA6、PA66)、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂(PBT)、聚醚碸樹脂(PESU)、聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、聚 氯三氟乙烯(PCTFE)以及聚矽氧(silicone)樹脂等所構成之支撐體。

此外，雖未與上述區分，但亦可使用含有纖維素奈米纖維之樹脂作為支撐體。

尤其是選自由PI、PET及PEN所組成之群組的至少一種，係與具有導電性圖案區域之層及密著層之密著性優異，且市場流通性佳而能夠以低成本來取得，從事業的觀點來看為有意義而較佳。

再者，選自由PP、PA、ABS、PE、PC、POM、PBT、m-PPE及PPS所組成之群組的至少一種，尤其是在使用於框體時，係與具有導電性圖案區域之層及密著層之密著性優異，並且成型性及成型後的機械強度優異。再者，由於此等亦具有可充分承受「形成導電性圖案區域時的雷射照射等」之耐熱性，故較佳。

樹脂支撐體的荷重變形溫度較佳為400℃以下，尤佳為280℃以下，更佳為250℃以下。荷重變形溫度為400℃以下之支撐體，能夠以低成本來取得，從事業的觀點來看為有意義而較佳。荷重變形溫度係例如為依據JIS K7191者。

支撐體的厚度例如可設為1μm至100mm，較佳為25μm至10mm，尤佳為25μm至250μm，若支撐體的厚度為250μm以下，則可使所製作之電子裝置達到輕量化、省空間化及可撓化，故較佳。

此外，支撐體為框體時，其厚度例如可設 為1μm至1000mm，較佳為200μm至100mm，進而為200μm至5mm。經本發明者們的研究，可知藉由選擇此範圍，可顯現成型後的機械強度及耐熱性。

支撐體(或當支撐體具備密著層時則為包含密著層之支撐體)於波長445nm時的光線穿透率較佳為30%以上，尤佳為40%以上，更佳為50%以上。光線穿透率的上限可為98%以下。波長除了445nm之外，例如亦可選擇355nm、405nm、450nm、532nm、1064nm等從近紫外至近紅外的波長。藉由提高如此之波長時的光線穿透率，可從支撐體側照射光線將塗佈層燒成而形成具有導電性圖案區域之層。

(配置在支撐體的面上之層(具有導電性圖案區域之層))

該層中，含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域與含有銅之導電性圖案區域係相互鄰接。

(氧化銅)

本實施形態中，氧化銅係例如包含氧化亞銅及氧化銅。氧化亞銅有容易低溫燒結之傾向，故為特佳。氧化亞銅及氧化銅可單獨使用或混合使用。

此外，氧化銅微粒具有核/殼構造，核或殼中的任一方可為氧化亞銅，另一方可包含氧化銅。

絕緣區域所含有之氧化銅係例如形成為微粒形狀。含有氧化銅之微粒的平均粒徑為1nm以上100nm以下，尤佳為1nm以上50nm以下，更佳為1nm以上20nm 以下。粒徑愈小，絕緣區域的電絕緣性愈優異，故較佳。

絕緣區域中可含有銅粒子。亦即，可將銅添加於後述分散體。於銅粒子的表面亦可吸附含磷有機物而顯示電絕緣性。

(含磷有機物)

絕緣區域所含有之磷，較佳為含磷有機物。含磷有機物係於絕緣區域中顯示電絕緣性之材料。含磷有機物係以可將氧化銅固定在支撐體或密著層為佳。含磷有機物可為單一分子，亦可為複數種分子的混合物。此外，含磷有機物可吸附於氧化銅的微粒。

含磷有機物的數量平均分子量並無特別限制，較佳為300至300,000。若為300以上，則電絕緣性優異。

含磷有機物係以可藉由光或熱而容易分解或蒸發為佳。藉由使用藉由光或熱而容易分解或蒸發之有機物，於燒成後不易殘留有機物的殘渣，可得到電阻率低之導電性圖案區域。

含磷有機物的分解溫度並無限定，較佳為600℃以下，尤佳為400℃以下，更佳為200℃以下。含磷有機物的沸點並無限定，較佳為300℃以下，尤佳為200℃以下，更佳為150℃以下。

含磷有機物的吸收特性並無限定，較佳係可吸收燒成所使用之光。例如當使用雷射光作為用於燒成之光源時，較佳係使用可吸收其發光波長(中心波長)之例 如355nm、405nm、445nm、450nm、532nm、1064nm等之光的含磷有機物。當支撐體為樹脂時，特佳為355nm、405nm、445nm、450nm的波長。

此外，就結構而言，可為具有對氧化銅具親和性之基的高分子共聚物的磷酸酯鹽。例如化學式(1)的結構，係因會與氧化銅吸附且對於支撐體之密著性亦優異，故較佳。

化學式(1)中，R為酯鹽。

酯鹽的一例，可列舉出化學式(2)的結構。

此外，含磷有機物的一例，可列舉出化學式(3)的結構。

化學式(3)

化學式(3)中，l為1至20的整數，較佳為1至15的整數，尤佳為1至10的整數；m為1至20的整數，較佳為1至15的整數，尤佳為1至10的整數；n為1至20的整數，較佳為1至15的整數，尤佳為1至10的整數。

含磷有機物所具有之有機結構，可使用聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯縮丁醛(PVB)、聚縮醛、聚芳酯(PAR)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳二亞胺、聚矽氧烷、聚甲基丙烯醯胺、腈橡膠、丙烯酸系橡膠、聚四氟化乙烯、環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡膠、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚-酚醛、苯并環丁烯、聚乙烯酚、聚氯芘、聚甲醛、聚碸(PSF)、多硫化物、聚矽氧樹 脂、醛醣(Aldose)、纖維素、直鏈澱粉(Amylose)、聚三葡萄糖(Pullulan)、糊精(Dextrin)、葡聚糖(Glucan)、聚果糖(Fructan)、幾丁質(Chitin)等結構。亦可使用將此等結構的官能基予以改性後之結構，或使用將此等結構予以修飾後之結構，或是此等結構的共聚物。具有選自聚乙二醇結構、聚丙二醇結構、聚縮醛結構、聚丁烯結構及多硫化物結構中之骨架的含磷有機物，係由於容易分解且於燒成後所得到之導電性圖案區域中不易殘留殘渣，故較佳。

含磷有機物的具體例可使用市售的材料，具體可列舉出BYK Chemie公司製的DISPERBYK(註冊商標)-102、DISPERBYK-103、DISPERBYK-106、DISPERBYK-109、DISPERBYK-110、DISPERBYK-111、DISPERBYK-118、DISPERBYK-140、DISPERBYK-145、DISPERBYK-168、DISPERBYK-180、DISPERBYK-182、DISPERBYK-187、DISPERBYK-190、DISPERBYK-191、DISPERBYK-193、DISPERBYK-194N、DISPERBYK-199、DISPERBYK-2000、DISPERBYK-2001、DISPERBYK-2008、DISPERBYK-2009、DISPERBYK-2010、DISPERBYK-2012、DISPERBYK-2013、DISPERBYK-2015、DISPERBYK-2022、DISPERBYK-2025、DISPERBYK-2050、DISPERBYK-2152、DISPERBYK-2055、DISPERBYK-2060、DISPERBYK-2061、DISPERBYK-2164、DISPERBYK-2096、DISPERBYK-2200、BYK(註冊商標)-405、BYK-607、BYK-9076、BYK-9077、BYK-P105、第一工業製藥公司製的PLYSURF(註冊商 標)M208F、PLYSURF DBS等。此等可單獨使用或混合複數種使用。

絕緣區域中，含有氧化銅之微粒(以下記載為「氧化銅微粒」)與含磷有機物係混合存在，含磷有機物的含量在以氧化銅微粒的全體積為100體積份時可為5體積份以上900體積份以下。下限值較佳為10體積份以上，尤佳為30體積份以上，更佳為60體積份以上。上限值較佳為480體積份以下，尤佳為240體積份以下。

換算為重量份時，相對於氧化銅微粒100重量份，含磷有機物的含量較佳為1重量份以上150重量份以下。下限值較佳為2重量份以上，尤佳為5重量份以上，更佳為10重量份以上。上限值較佳為80重量份以下，尤佳為40重量份以下。

相對於氧化銅微粒，若含磷有機物之含量為5體積份以上或1重量份以上，則可形成厚度為次微米(submicron)之薄膜。此外，若含磷有機物的含量為10體積份以上或5重量份以上，則可形成厚度為數十μm之厚膜作為層。若含磷有機物的含量為30體積份以上或10重量份以上，則可得到即使彎曲亦難以產生龜裂之可撓性高之層。

相對於氧化銅微粒，若含磷有機物之含量為900體積份以下或150重量份以下，則可藉由燒成而得到良好的導電性圖案區域。

(肼或肼水合物)

肼或肼水合物可含於塗佈層中，且亦殘存於屬於未燒成區域的絕緣區域中。藉由含有肼或肼水合物，可更加提升氧化銅的分散穩定性，並且於燒成中有益於氧化銅的還原，使導電膜的電阻更為降低。肼含量較佳如下所述。

0.0001≦(肼質量/氧化銅質量)≦0.10 (1)

關於還原劑的含量，當肼的質量比率為0.0001以上時，會使銅膜的電阻降低。此外，當其為0.1以下時，可提升氧化銅的長期穩定性，故較佳。

(絕緣區域中的銅粒子/氧化銅微粒之質量比率)

絕緣區域中，除了氧化銅微粒之外，可含有銅粒子。此時，銅粒子相對於氧化銅微粒之質量比率(以下記載為「銅粒子/氧化銅微粒」)較佳為1.0以上7.0以下。

藉由使銅粒子/氧化銅微粒成為1.0以上7.0以下，從導電性及防龜裂之觀點來看為佳。

(氧化銅微粒中的平均粒徑)

氧化銅微粒的平均二次粒徑並無特別限制，較佳為500nm以下，尤佳為200nm以下，更佳為80nm以下。該微粒的平均二次粒徑較佳為5nm以上，尤佳為10nm以上，更佳為15nm以上。

所謂平均二次粒徑，係指由聚集複數個一次粒子所形成之凝聚體(二次粒子)的平均粒徑。此平均二 次粒徑為500nm以下時，於支撐體上有容易形成細微的導電性圖案區域之傾向，故較佳。若平均二次粒徑為5nm以上，則可提升分散體的長期保管穩定性，故較佳。該微粒的平均二次粒徑例如可藉由穿透型電子顯微鏡或掃描型電子顯微鏡來測定。

構成二次粒子之一次粒子的平均一次粒徑較佳為100nm以下，尤佳為50nm以下，更佳為20nm以下。平均一次粒徑較佳為1nm以上，尤佳為2nm以上，更佳為5nm以上。

平均一次粒徑為100nm以下時，有可降低後述燒成溫度之傾向，故較佳。關於可實現如此之低溫燒成之理由，可推測是因粒子的粒徑愈小，其表面能量愈大，而使熔點降低之故。

此外，若平均一次粒徑為1nm以上，則可得到良好的分散性，故較佳。將配線圖案形成於支撐體時，從其與基底層之密著性或低電阻化之觀點來看，較佳為2nm以上100nm以下，尤佳為5nm以上50nm以下。該傾向在基底層為樹脂時更顯著。該微粒的平均一次粒徑可藉由穿透型電子顯微鏡或掃描型電子顯微鏡來測定。

配置在支撐體上之層中之氧化銅微粒的含有率，相對於含有氧化銅及含磷有機物之區域的單位質量，較佳為40質量%以上，尤佳為55質量%以上，更佳為70質量%以上。此外，該含有率較佳為98質量%以下，尤佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下。

此外，配置在支撐體上之層中之氧化銅微粒的含有率，相對於單位體積，較佳為10體積%以上，尤佳為15體積%以上，更佳為25體積%以上。此外，該含有率較佳為90體積%以下，尤佳為76體積%以下，更佳為60體積%以下。

若絕緣區域中之氧化銅微粒的含有率為40質量%以上或10體積%以上，則可藉由燒成使微粒彼此熔接而顯現導電性，濃度愈高愈可得到高導電性，故較佳。此外，若該含有率為98質量%以下或90體積%以下，則配置在支撐體上之層可作為膜而附著於支撐體或密著層，故較佳。此外，若該含有率為95質量%以下或76體積%以下，則可更強力地附著於支撐體或密著層，故較佳。此外，若該含有率為90質量%以下或60體積%以下，則層的可撓性變高，彎曲時不易產生龜裂，可靠度提高。此外，若絕緣區域中之氧化銅微粒的含有率為90體積%以上，則絕緣區域的絕緣電阻值變低，電絕緣性優異，故較佳。氧化銅係有氧化亞銅及氧化銅，從低電阻化與吸光度之觀點來看，較佳為氧化亞銅。

本實施形態中之絕緣區域所含有之氧化銅，可使用市售品，亦可使用合成物。就市售品而言，例如可列舉出EM Japan公司所販售之平均一次粒徑18nm的氧化亞銅微粒。

含有氧化亞銅之微粒的合成法，例如可列舉出下列方法。

(1)於多元醇溶劑中加入水及乙醯丙酮銅錯合物，先將有機銅化合物加熱溶解，再添加反應所需之量的水，並加熱至有機銅的還原溫度以進行還原之方法。

(2)於十六基胺(hexadecylamine)等保護劑的存在下，於惰性氣體環境中，以約300℃的高溫加熱有機銅化合物(銅-N-亞硝基苯基羥基胺錯合物)之方法。

(3)將溶解於水溶液中之銅鹽以肼進行還原之方法。

上述(1)的方法例如可在Angewandte Chemie International Edition,40號，2卷，p.359,2001年所記載之條件下進行。

上述(2)的方法例如可在Journal of American Chemical Society‧1999年，121卷，p.11595所記載之條件下進行。

上述(3)的方法，可適宜地使用二價的銅鹽作為銅鹽，其例子可列舉出乙酸銅(II)、硝酸銅(II)、碳酸銅(II)、氯化銅(II)、硫酸銅(II)等。相對於銅鹽1莫耳，肼的用量較佳係設為0.2莫耳至2莫耳，尤佳設為0.25莫耳至1.5莫耳。

於溶解有銅鹽之水溶液中，可添加水溶性有機物。藉由將水溶性有機物添加於該水溶液，可降低該水溶液的熔點，故可實現更低溫下之還原。水溶性有機物例如可使用醇、水溶性高分子等。

就醇而言，例如可使用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、辛醇、癸醇、乙二醇、丙二醇、甘油等。水 溶性高分子係例如可使用聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇聚丙二醇共聚物。

上述(3)的方法中之還原時的溫度例如可設為-20至60℃，較佳設為-10至30℃。此還原溫度，可於反應中維持一定，亦可於中途升溫或降溫。於肼的活性高之反應初期，較佳在10℃以下進行還原，尤佳係在0℃以下進行還原。還原時間較佳設為30分鐘至300分鐘，尤佳係設為90分鐘至200分鐘。還原時的環境氣體較佳為氮氣、氬氣等惰性氣體。

上述(1)至(3)的方法中，由於(3)的方法操作簡便且可得到粒徑小之粒子，故較佳。

上述所列舉之實施形態中，於絕緣區域中含有氧化銅及磷。相對於此，就其他實施形態而言，亦可提示如於絕緣區域中含有氧化銅及肼或肼水合物者、或是於絕緣區域中含有氧化銅及肼或肼水合物及磷者。亦即，層是由含有銅之導電性圖案區域與含有氧化銅及肼或肼水合物之絕緣區域相互鄰接而成之構成。或者是，層是由含有銅之導電性圖案區域與含有氧化銅及肼或肼水合物及磷之絕緣區域相互鄰接而成之構成，或亦可為由含有銅及磷之導電性圖案區域與含有氧化銅及肼或肼水合物及磷之絕緣區域相互鄰接而成之構成。

如此，本實施形態中，可於絕緣區域中含有肼或肼水合物。藉由在塗佈層中含有肼或肼水合物，於照射光時容易將氧化銅還原成銅。藉由含有肼或肼水合物， 使還原後的銅可達到低電阻。在未照射光之絕緣區域中，殘存有肼或肼水合物。

(導電性圖案區域)

導電性圖案區域中的銅，可顯示由含有銅之微粒彼此相互熔接之構造。此外，亦可為無微粒的形狀而全部熔接之狀態。再者，亦可為一部分呈微粒的形狀但大部分熔接之狀態。如記載般，此銅較佳為還原銅。此外，導電性圖案區域較佳係含有將絕緣區域燒成後之燒成體。藉此，可提高導電性圖案區域的導電性。此外，藉由將絕緣區域燒成而可形成導電性圖案區域，所以可容易形成導電性圖案區域，並且可精度佳地形成導電性圖案區域與絕緣區域混合存在之本實施形態中的「層」。

此外，導電性圖案區域中，除了銅之外，可含有氧化銅(氧化亞銅、氧化銅、一氧化二銅)或是磷元素、磷氧化物及含磷有機物中之至少任一種。例如，導電性圖案區域之表面側的部分可為由含有銅之微粒彼此相互熔接之構造，支撐體側的部分可為含有氧化銅或含磷有機物之構造。藉此，氧化銅或含磷有機物可產生銅粒子彼此的堅固鍵結，再者，氧化銅或含磷有機物可提高與支撐體或密著層之密著性，故較佳。

導電性圖案區域中之磷元素的含有率，磷/銅的元素濃度比較佳為0.02以上0.30以下，尤佳為0.05以上0.28以下，更佳為0.1以上0.25以下。藉由將磷/銅 的元素濃度比設為0.02以上，可抑制銅的氧化，可提升作為銅配線電路的可靠度，故較佳。此外，藉由將磷/銅的元素濃度比設為0.30以下，可降低導電性圖案區域的電阻值，故較佳。

根據上述，本實施形態中的層可形成為由含有銅及磷之導電性圖案區域與含有氧化銅及磷之絕緣區域相互鄰接而成之構成。藉此，可同時提升導電性圖案區域中的導電性與絕緣區域中的絕緣性。可推測在導電性圖案區域中，在製造步驟中，於銅被氧化前磷會先被氧化，故可將導電性圖案區域的電阻變化抑制成較低。

導電性圖案區域中之銅的含有率，相對於單位體積，較佳為50體積%以上，尤佳為60體積%以上，更佳為70體積%以上，亦可為100體積%。藉由使銅的含有率成為50體積%以上，可提高導電率，故較佳。

導電性圖案區域中之與後述樹脂層接觸之面，其表面可具有既定以上的粗糙度。具體而言，表面粗糙度Ra較佳為20nm以上500nm以下，尤佳為50nm以上300nm以下，更佳為50nm以上200nm以下。藉由設為此範圍內，可使樹脂層的一部分進入導電性圖案區域表面的凹凸部而提升密著性，故較佳。

(密著層)

本實施形態之附配線圖案區域之構造體中，支撐體較佳係在與具有導電性圖案區域之層之間具備密著層。亦即， 較佳係在以支撐體所構成之面上具有密著層，並於構成密著層之面上配置具有導電性圖案區域之層。

以支撐體所構成之面，較佳係藉由密著層而粗面化。

藉由將以支撐體所構成之面予以粗面化，而可將配置在支撐體的面之層中的氧化銅及含磷有機物以及銅堅固地密著在以支撐體所構成之面。

密著層係可藉由將支撐體的表面進行粗研磨處理、噴砂處理、化學蝕刻處理、反應性離子蝕刻處理、電漿處理、濺鍍處理、UV臭氧處理等而粗化加工以形成之。此外，密著層亦可藉由對於以支撐體所構成之面塗佈塗覆材料而將表面予以粗化以形成之。關於要選擇何者，係可依據支撐體的材質來適當選擇。

(塗覆材料)

就塗覆材料而言，例如可列舉出有機材料、無機材料及有機無機複合材料。

塗覆材料較佳係具有鍵結性結構。鍵結性結構例如可列舉出羥基(-OH基)、胺基、硫醇基、磷酸基、膦酸基、膦酸酯基、具有琥珀醯亞胺骨架之官能基、具有吡咯啶酮骨架之官能基、硒醇基、多硫化物基、多硒化物基、羧基、具有酸酐骨架之官能基、磺酸基、硝基、氰基、異氰酸基、疊氮基、矽醇基、矽醚基及氫矽基等。鍵結性結構較佳係選自由羥基(-OH基)、胺基、膦酸基及羧酸基 所組成之群組之至少一種以上的基。-OH基尤佳為Ar-OH基(Ar意指芳香族)及/或Si-OH基。

從密著性觀點來看，塗覆材料亦以具有Ar-O結構(Ar意指芳香族)及/或Si-O結構者為佳。

塗覆材料可為以下述化學式群所示之有機材料。

上述化學式群中，n為1以上的整數，X為有機材料的主骨架，R為官能基。上述化學式群中，以R所表示之官能基係例如可列舉出氫、鹵素、烷基(例如甲基、異丙基、三級丁基等)、芳基(例如苯基、萘基、噻吩基等)、鹵芳基(例如五氟苯基、3-氟苯基、3,4,5-三氟苯基等)、烯基、炔基、醯胺基、醯基、烷氧基(例如甲氧基等)、芳氧基(例如苯氧基、萘基等)、鹵烷基(例如全氟烷基等)、硫氰基、羥基、胺基、硫醇基、膦酸基、膦酸酯基、具有琥珀 醯亞胺骨架之官能基、具有吡咯啶酮骨架之官能基、硒醇基、多硫化物基、多硒化物基、羧酸基、具有酸酐骨架之官能基、磺酸基、硝基、氰基、及組合此等而成之結構。當密著層包含具有此等鍵結性結構之有機材料時，支撐體及具有導電性圖案區域之層的密著性有變得良好之傾向。

就有機材料而言，較佳係可使用具有芳香族結構(Ar)之有機材料。具有芳香族結構之有機材料，係由於軟化溫度及分解溫度高，所以可抑制燒成時之支撐體的變形，且亦不易因支撐體的分解氣體而造成配置在支撐體上之具有導電性圖案區域之層的破裂。因此，可藉由燒成而得到低電阻的導電性膜。芳香族結構係例如可使用：苯、萘、蒽、稠四苯(Tetracene)、稠五苯(Pentacene)、菲(Phenanthrene)、芘(Pyrene)、苝(Perylene)及三伸苯等芳香族烴；以及噻吩(Thiophene)、噻唑(Thiazole)、吡咯(Pyrrole)、呋喃(Furan)、吡啶(Pyridine)、吡唑(Pyrazole)、咪唑(Imidazole)、噠嗪(Pyridazine)、嘧啶(Pyrimidine)及吡嗪(Pyrazine)等雜芳香族。芳香族結構的π電子系所含有之電子數較佳為22以下，尤佳為14以下，更佳為10以下。π電子系所含有之電子數為22以下時，結晶性不會變得過高，可得到柔軟且平滑性高之密著層。此等芳香族結構中，鍵結於芳香環之氫的一部分亦可經取代為官能基。官能基係例如可列舉出鹵素、烷基(例如甲基、異丙基、三級丁基等)、芳基(例如苯基、萘基、噻吩基等)、鹵芳基(例如五氟苯基、3-氟苯基、3,4,5-三氟苯基等)、烯基、炔基、醯胺基、醯 基、烷氧基(例如甲氧基等)、芳氧基(例如苯氧基、萘基等)、鹵烷基(例如全氟烷基等)、硫氰基及羥基等。有機材料較佳係具有芳香族性羥基(Ar-OH基)，特佳為酚基(Ph-OH基)。此外，具有由芳香族性羥基之氧與其他結構鍵結而成之Ar-O結構的有機材料，係於燒成時有不易分解之傾向，故較佳。

就有機材料而言，例如可列舉出聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯縮丁醛(PVB)、聚縮醛、聚芳酯(PAR)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳二亞胺、聚矽氧烷、聚甲基丙烯醯胺、腈橡膠、丙烯酸系橡膠、聚四氟化乙烯、環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚氯丁二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、腈橡膠、氯碸化聚乙烯、丙烯酸系橡膠、表氯醇橡膠、胺甲酸乙酯(urethane)橡膠、丁基橡膠、氟橡膠、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚-酚醛、苯并環丁烯、聚乙烯酚、聚氯芘、聚甲醛、聚碸(PSF)及聚矽氧樹脂等。有機材料較佳係選自由酚樹脂、酚-酚醛、聚乙烯酚及 亞胺所組成之群組的至少一種。

就無機材料而言，例如可列舉出金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬碳酸化物及金屬氟化物等。無機材料具體上可列舉出氧化矽、氧化銀、氧化銅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化錫、氧化鈣、氧化鈰、氧化鉻、氧化鈷、氧化鈥、氧化鑭、氧化鎂、氧化錳、氧化鉬、氧化鎳、氧化銻、氧化釤、氧化鋱、氧化鎢、氧化釔、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氟化銀、氟化矽、氟化鋁、氟化鋯、氟化鈦、氟化鉿、氟化鉭、氟化錫、氟化鈣、氟化鈰、氟化鈷、氟化鈥、氟化鑭、氟化鎂、氟化錳、氟化鉬、氟化鎳、氟化銻、氟化釤、氟化鋱、氟化鎢、氟化釔、氟化鋅、氟化鋰、鈦酸鋯酸鉛(PZT)、鈦酸鋇、鈦酸鍶、氮化銅、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氮化錫、氮化鈣、氮化鈰、氮化鈷、氮化鈥、氮化鑭、氮化鎂、氮化錳、氮化鉬、氮化鎳、氮化銻、氮化釤、氮化鋱、氮化鎢、氮化釔、氮化鋅、氮化鋰、氮化鎵、SiC、SiCN及類鑽碳(DLC)等。具有羥基之無機材料，係由於與支撐體及具有導電性圖案區域之層的密著性優異，故較佳。尤其是由於羥基存在於金屬氧化物表面，故較佳為金屬氧化物。金屬氧化物中，尤佳為具有Si-O結構之無機材料。

無機材料，更具體而言較佳係選自由氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及氧化銦錫、氧化鋁所組成之群組的至少1種。特佳為氧化矽或氧化鋁。

此外，密著層較佳含有粒徑為10nm至500nm的微粒。具體而言，密著層較佳含有粒徑為10nm至500nm之氧化矽或氧化鋁的微粒。藉此，可使形成具有導電性圖案區域之層時的比表面積增大，並可提升與具有導電性圖案區域之層的密著性。微粒可為多孔質粒子。

無機材料亦可使用無機半導體。無機半導體材料例如可列舉出單位元素半導體、氧化物半導體、化合物半導體及硫化物半導體等。單位元素半導體例如可例示矽及鍺。氧化物半導體例如可例示IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、氧化鋅、氧化銦、氧化鈦、氧化錫、氧化鎢、氧化鈮及氧化亞銅等。化合物半導體例如可例示砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鎵(GaP)、硒化鎘(CdSe)、碳化矽(SiC)、銻化銦(InSb)及氮化鎵等。硫化物半導體可例示硫化鉬及硫化鎘等。

有機無機複合材料例如可使用分散有無機微粒之有機材料，以及有機金屬化合物。無機微粒可使用上述無機材料的微粒。有機金屬化合物例如可列舉出矽酸酯、鈦酸酯及鋁酸酯。矽酸酯可使用矽酸甲酯及矽酸乙酯等。

此外，密著層的厚度較佳為20μm以下。藉此可防止支撐體的翹曲。此外，密著層的膜厚尤佳為10μm以下，更佳為1μm以下。從密著性之觀點來看，較佳為0.01μm以上，尤佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上。

(底漆材料)

密著層可由單獨的材料所形成，亦可由混合或積層複數種材料而形成。例如，密著層可含有底漆材料。此外，例如在支撐體與由塗覆材料所構成之層之間、或是在由塗覆材料所構成之層與具有導電性圖案區域之層之間，可配置由底漆材料所構成之層。

當密著層含有由底漆材料所構成之層時，密著性有更為提升之傾向。由底漆材料所構成之層，係例如可藉由在表面上形成薄的底漆材料層之底漆處理而形成之。

底漆材料較佳係具有鍵結性結構。鍵結性結構可列舉出上述「(塗覆材料)」的項目中所說明之鍵結性結構。藉由使底漆材料具有鍵結性結構，可將鍵結性結構導入密著層中，而有得到高密著性之傾向。

亦可在支撐體上進行底漆處理後，配置由塗覆材料所構成之層而形成密著層。或是在支撐體上配置由塗覆材料所構成之層後，於該層上進行底漆處理而形成密著層。或者是預先混合塗覆材料與底漆材料後，配置在支撐體上而形成密著層，亦可在支撐體上配置由底漆材料所構成之層而形成密著層。在由塗覆材料所構成之層上施以底漆處理時，可增加表面之鍵結結構的密度，所以可得到更高的密著性。

底漆材料係例如可列舉出矽烷偶合劑、膦酸系低分子材料及硫醇系材料等。

矽烷偶合劑係例如可列舉出在末端具有乙烯基、胺基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、異三聚氰酸基、脲基、硫醇基、異氰酸基、膦酸基等官能基之化合物。矽烷偶合劑在具體上可列舉出乙烯基甲氧基矽烷、乙烯基乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、三-(三甲氧基矽基丙基)異三聚氰酸酯、3-脲丙基三烷氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷以及3-異氰酸丙基三乙氧基矽烷。

膦酸系材料例如可列舉出在末端具有乙烯基、胺基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、異三聚氰酸基、脲基、硫醇基、異氰酸基、矽基、矽醇基、矽醚基等官能基之化合物。膦酸系材料在具體可列舉出胺 基甲基膦酸、2-胺基乙基膦酸、O-磷醯基乙醇胺、12-胺基十二基膦酸、12-胺基十一基膦酸鹽酸鹽、6-胺基己基膦酸、6-胺基己基膦酸鹽酸鹽、12-疊氮基十二基膦酸、溴化(12-十二基膦酸)N,N-二甲基-N-十八基銨、氯化(12-十二基膦酸)N,N-二甲基-N-十八基銨、溴化(12-十二基膦酸)吡啶鎓鹽、溴化(12-十二基膦酸)三乙基銨、氯化(12-十二基膦酸)三乙基銨、11-羥基十一基膦酸、12-巰基十二基膦酸、11-巰基十一基膦酸、11-甲基丙烯醯氧基十一基膦酸、4-硝基苄基膦酸、12-膦醯基-1-十二烷磺酸、(6-膦醯基己基)膦酸、11-膦醯基十一酸、丙烯酸11-膦醯基十一酯、丙烯二膦酸、4-胺基苄基膦酸、1,8-辛烷二膦酸、1,10-癸基二膦酸、6-膦醯基己酸、(1-胺基-2-甲基丙基)膦酸、(1-胺基丙基)膦酸、(3-硝基苯基)膦酸、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、3-胺基丙基膦酸、4-胺基丁基膦酸、氮基三亞甲基三膦酸及亞甲基二膦酸等。

硫醇系材料係例如可適宜使用在末端具有乙烯基、胺基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、異三聚氰酸基、脲基、異氰酸基、矽基、矽醇基、矽醚基、膦酸基等官能基之化合物。硫醇系材料具體可列舉出4-氰基-1-丁烷硫醇、1,11-十一烷二硫醇、1,16-十六烷二硫醇、1,2-乙烷二硫醇、1,3-丙烷二硫醇、1,4-丁烷二硫醇、1,5-戊烷二硫醇、1,6-己烷二硫醇、1,8-辛烷二硫醇、1,9-壬烷二硫醇、2,2'-(乙烯二氧基)二乙烷硫醇、2,3-丁烷二硫醇、5,5'-雙(巰基甲基)-2,2'-聯吡啶、六(乙二醇)二硫 醇、四(乙二醇)二硫醇、苯-1,4-二硫醇、(11-巰基十一基)六(乙二醇)、(11-巰基十一基)四(乙二醇)、1-巰基-2-丙醇、11-胺基-1-十一烷硫醇、11-胺基-1-十一烷硫醇鹽酸鹽、11-疊氮基-1-十一烷硫醇、11-巰基-1-十一醇、11-巰基十一烷醯胺、11-巰基十一酸、11-巰基十一基氫醌、11-巰基十一基膦酸、12-巰基十二酸、16-胺基-1-十六烷硫醇、16-胺基-1-十六烷硫醇鹽酸鹽、16-巰基十六烷醯胺、16-巰基十六酸、3-胺基-1-丙烷硫醇、3-胺基-1-丙烷硫醇鹽酸鹽、3-巰基-1-丙醇、3-巰基丙酸、4-巰基-1-丁醇、6-胺基-1-己烷硫醇、6-胺基-1-己烷硫醇鹽酸鹽、6-巰基-1-己醇、6-巰基己酸、8-胺基-1-辛烷硫醇、8-胺基-1-辛烷硫醇鹽酸鹽、8-巰基-1-辛醇、8-巰基辛酸、9-巰基-1-壬醇、1,4-苯二甲烷硫醇、4,4'-雙(巰基甲基)聯苯、4,4'-二巰基二苯乙烯、4-巰基苯甲酸、聯苯-4,4-二硫醇等。

由塗覆材料所構成之層的形成方法可列舉出塗佈、蒸鍍、溶膠凝膠法等。由塗覆材料所構成之層的厚度，從支撐體的防翹曲之觀點來看，較佳為20μm以下，尤佳為10μm以下，更佳為1μm以下；從密著性之觀點來看，較佳為0.01μm以上，尤佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上。

本實施形態中，當支撐體具備密著層時，含磷有機物可具有1種以上的鍵結性結構。鍵結性結構可列舉出上述「(塗覆材料)」的項目中所說明之鍵結性結構。鍵結性結構特佳係具有選自由羥基、胺基、膦酸基、膦酸 酯基及異氰酸基所組成之群組之至少一種。當具有導電性圖案區域之層包含具有此等鍵結性結構之含磷有機物時，與密著層之密著性有變得良好之傾向。

〈具有導電性圖案區域之構造體的構成：第2實施形態〉

第3圖為顯示第2實施形態之具有導電性圖案區域之構造體之剖面示意圖。如第3圖所示，構造體20具有支撐體21與配置在以支撐體21所構成之面上之層24。而且，於層24中，含有氧化銅及磷之絕緣區域22與含有還原銅之導電性圖案區域23係相互鄰接而配置。再者，氧阻隔層25係以被覆層24之方式設置。氧阻隔層25為光線穿透性。

另外，絕緣區域22可為含有氧化銅及肼或肼水合物之構成，或是亦可為含有氧化銅、磷及肼或肼水合物之構成。此外，導電性圖案區域23可為含有銅及磷之構成。本實施形態中的層24，可為由含有銅之導電性圖案區域23與含有氧化銅及磷之絕緣區域22相互鄰接之構成、或是由含有銅之導電性圖案區域23與含有氧化銅及肼或肼水合物之絕緣區域22相互鄰接之構成、或是由含有銅及磷之導電性圖案區域23與含有氧化銅及磷之絕緣區域22相互鄰接之構成。或者是，層24亦可形成為由含有銅之導電性圖案區域23與含有氧化銅及肼或肼水合物及磷之絕緣區域22相互鄰接之構成、或是由含有銅及磷之導電性圖案區域23與含有氧化銅及肼或肼水合物及磷之絕緣區域 22相互鄰接之構成。

相對於第1實施形態中的構造體10，第2實施形態中的構造體20係在具有樹脂層(氧阻隔層25)之特點上為不同。

根據第2實施形態的構成，可使用含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域將含有銅之導電性圖案區域之間予以絕緣，所以不需為了製造而去除層24的未燒成部分。因此，可削減製造步驟，且不需使用溶劑等，而能夠削減製造成本。此外，為了導電性圖案區域的絕緣而利用絕緣區域，該絕緣區域不易產生龜裂，可提高可靠度。

再者，由於以樹脂層(氧阻隔層25)來被覆層24，所以可保護導電性圖案區域及絕緣區域免受外部應力影響，提升具有導電性圖案區域之構造體的長期可靠度。

關於構成構造體20之支撐體21、絕緣區域22、導電性圖案區域23及層24的各構成，可適用上述所說明之支撐體11、絕緣區域12、導電性圖案區域13及層14的各構成。此外，構造體20亦可含有上述密著層。

其次，詳細說明樹脂層。

〈樹脂層〉

如第3圖所示，以被覆層24的表面之方式來配置樹脂層。

(氧阻隔層)

樹脂層的一例為氧阻隔層25。於後述構造體20的製 造方法中，氧阻隔層25係於光照射時可防止塗佈層(後述)接觸氧，並可促進氧化銅的還原。藉此，不需準備用於在光照射時使塗佈層的周圍成為無氧或低氧環境(例如真空環境或惰性氣體環境)之設備，所以可削減製造成本。

此外，氧阻隔層25可防止因光照射的熱等而使導電性圖案區域23剝離或飛散之情形。藉此，可以良好之收率來製造構造體20。

(密封材層)

樹脂層的其他例子為密封材層。第4圖為顯示一部分與第3圖不同之具有導電性圖案區域之構造體的其他例之剖面示意圖。第4圖所示之具有導電性圖案區域之構造體30，除了使密封材層31替代氧阻隔層25(參考第3圖)來被覆層24的表面之外，其他與第3圖所示之構造體20為相同之構成。

密封材層31係例如在將氧阻隔層25剝離後重新配置。

氧阻隔層25(參考第3圖)主要係於製造時發揮重要功用。相對於此，密封材層31係於製造後的完成品(具有導電性圖案區域之構造體30本身及包含該構造體之製品)中，保護導電性圖案區域23免受外部應力影響，可提升具有導電性圖案區域之構造體30的長期穩定性。

此時，作為樹脂層的一例之密封材層31，其透濕度較佳為1.0g/m²/day以下。此係為了確保長期穩定 性而充分地降低透濕度，以防止水分從密封材層31的外部混入，並抑制導電性圖案區域23的氧化之故。

密封材層31係在將氧阻隔層25剝離後將機能賦予至具有導電性圖案區域之構造體30的機能層的一例，除此之外，亦可使具有導電性圖案區域之構造體30具備在經處理時之耐損傷性，或是使其具備免受來自外界的污染之防汙性，或是藉由使用強韌的樹脂而使構造體20具備剛性。

此外，本說明書中，亦將氧阻隔層以外的密封材層等機能層僅稱為「其他樹脂層」。

本實施形態中，於具有導電性圖案區域之構造體的製造方法(後述)中，係列舉「以被覆塗佈層之方式配置氧阻隔層25(參考第3圖)，於光燒成處理後去除氧阻隔層25，然後以被覆層24之方式配置作為其他樹脂層的一例之密封材層31(參考第4圖)的情形」為例來做說明。亦即，構造體20(參考第3圖)可謂用以得到作為完成品之具有導電性圖案區域之構造體30(參考第4圖)的前驅構造體。然而，亦可直接使用仍殘存有氧阻隔層25之構造體20(參考第2圖)作為完成品。

構成上述樹脂層之樹脂，其熔點較佳為150℃以上300℃以下。藉由使用如此之樹脂，可確保實際使用溫度區域(最大75℃)之2倍以上的安全率，並且於形成樹脂層時可熱熔而積層塗覆，故較佳。

於樹脂層中較佳係形成開口部。此係用以 從外部對導電性圖案區域進行電性連接者，開口部可藉由金屬鍍覆或焊接等方法來裝設電接觸部。

以下更詳細說明樹脂層。首先說明氧阻隔層。氧阻隔層係於照射光線時防止氧從外界混入塗佈層中。例如可使用以下所列舉之材料作為氧阻隔層的材料。可使用由聚丙烯(PP)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯縮丁醛(PVB)、聚縮醛(POM)、聚芳酯(PAR)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、改性聚苯醚(m-PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳二亞胺、聚矽氧烷、聚甲基丙烯醯胺、腈橡膠、丙烯酸系橡膠、聚四氟化乙烯、環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚異戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡膠、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚-酚醛、苯并環丁烯、聚乙烯酚、聚氯芘、聚甲醛、聚碸(PSF)、聚苯基碸樹脂(PPSU)、環烯烴聚合物(COP)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)、丙烯腈-苯乙烯樹脂(AS)、尼龍樹脂(PA6、PA66)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚醚碸樹脂(PESU)、聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)以及聚矽氧樹脂 等所構成之樹脂材料。

此外，於氧阻隔層與塗佈層之間，可設置黏著層以將氧阻隔層貼合於塗佈層。

繼而說明其他樹脂層。作為其他樹脂層的一例之密封材層係確保長期穩定性。密封材層較佳係充分地降低透濕度。此係為了防止水分從密封材層的外部混入、並抑制導電性圖案區域的氧化之故。密封材層的透濕度較佳為1.0g/m²/day以下，尤佳為0.5g/m²/day以下，更佳為0.1g/m²/day以下。藉由使用此範圍的密封材層，例如在85℃、85%環境中的長期穩定性試驗中，可抑制因導電性圖案區域的氧化所造成之電阻變化。

密封材層所可使用之材料，例如可從與前述氧阻隔層相同之材料中選擇，且進一步在該等材料中混合由氧化矽或氧化鋁所構成之微粒、或者是在該等材料的表面設置由氧化矽或氧化鋁所構成之層作為水分阻隔層，藉此而降低透濕度。

此外，密封材層並非必須由單一材料所構成，亦可使用複數種前述材料。

上述所說明之具有導電性圖案區域之構造體，可使用下列所說明之作為中間體的積層體來製造。亦即，為了得到所期望之具有導電性圖案區域之構造體，必須使作為中間體之積層體的構成達到適當化。因此，以下說明本實施形態之積層體的構成。

〈本實施形態之積層體的概要〉

本發明者們係將含有氧化銅之塗佈層配置在支撐體的表面，並選擇性地將光照射在該塗佈層以使氧化銅還原成銅而形成導電性圖案區域。此時，發現若提高含有未還原的氧化銅之區域的電絕緣性，則藉由在不去除該區域而直接殘留之，可確保導電性圖案區域間的絕緣，並且不需進行去除該區域之步驟。

此外，發現在藉由將樹脂層配置在塗佈層上並照射光線而燒成氧化銅之處理(以下稱為「光燒成處理」)時，不須準備用於真空環境或惰性氣體環境之設備，可削減前述具有導電性圖案區域之構造體的製造成本，因而完成本發明。

亦即，本實施形態中之積層體40，如第5圖所示，其特徵為具備：支撐體41；配置在以支撐體41所構成之面上之含有氧化銅及磷之塗佈層44；以及以被覆塗佈層44之方式配置之作為樹脂層的一例之氧阻隔層45。氧阻隔層45為光線穿透性。

如第5圖所示，於塗佈層44及氧阻隔層45之間，可視需要配置黏著層46。

如第5圖所示，由於以樹脂層(氧阻隔層45)來被覆塗佈層44，所以於光燒成時可防止塗佈層44接觸氧，而能夠促進氧化銅的還原。藉此，不需準備用於在光照射時使塗佈層44的周圍成為無氧或低氧環境之設備，所以可削減製造成本。因此，藉由使用本實施形態之積層體，可精度佳且以低成本製造所期望的附有導電性圖案區域之 積層體。

關於構成積層體40之支撐體41以及樹脂層(第5圖中為作為一例的氧阻隔層45)，可適用上述所說明之支撐體11以及樹脂層(氧阻隔層25)的各構成。此外，積層體40中，亦可於支撐體41與塗佈層44之間含有上述密著層。

以下說明塗佈層44及黏著層46。

〈塗佈層〉

塗佈層44係藉由將分散體塗佈在以支撐體41所構成之面上而形成之，該分散體係使用亦具有作為分散劑之作用之磷(其中尤其是含磷有機物)來將氧化銅分散於分散介質中而成者。

含磷有機物、分散介質及分散體之調製方法的詳細說明係如後述。

塗佈層44係具有實質上與第3圖的絕緣區域22相同之組成而構成。

此外，與第1圖或第3圖所示的絕緣區域12、22同樣地，於塗佈層44中，含有氧化銅之微粒與含磷有機物係混合存在，以氧化銅微粒的全體積為100體積份時，含磷有機物的含量較佳為5體積份以上900體積份以下。藉此，使可撓性提高，即使彎曲亦不易產生龜裂，並且可得到能夠藉由燒成來形成良好的導電性圖案區域之塗佈層44。

此外，塗佈層44更含有銅粒子，塗佈層中 之銅粒子/氧化銅微粒的質量比率較佳為1.0以上7.0以下。藉此，可抑制龜裂的產生，並可藉由燒成來形成良好的導電性圖案區域。

此外，相對於塗佈層44，氧化銅微粒之含有率較佳為10體積%以上90體積%以下。藉此，於燒成塗佈層44時，可使微粒彼此熔接而容易顯現導電性。此外，可將塗佈層44有效地附著於支撐體或密著層。

塗佈層44中所含有之氧化銅微粒的平均粒徑(平均一次粒徑)較佳為1nm以上50nm以下，藉此可降低對於塗佈層44之燒成溫度，並提升氧化銅微粒於塗佈層44中之分散性。

此外，塗佈層44可為含有氧化銅及肼或肼水合物之構成、或是含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物之構成。藉由含有肼或肼水合物，於光照射時容易將氧化銅還原成銅。

〈黏著層〉

黏著層46可視需要配置在塗佈層44與氧阻隔層45之間，以將氧阻隔層45貼合於塗佈層44的表面。

黏著層46的黏著力較佳為5mN/10mm以上10N/10mm以下。藉由設為5mN/10mm以上且未達1N/10mm，即可經由黏著層46而將氧阻隔層45固定在塗佈層44，並且於後續步驟中可簡單地剝離氧阻隔層45。此外，藉由設為1N/10mm以上10N/10mm以下，可經由黏著層46而將氧阻隔層45堅固地固定在塗佈層44。

黏著層為黏著薄片、黏著膜或黏著材料。黏著層46所含有之黏著劑並無特別限定，可例示如丙烯酸酯樹脂或環氧樹脂、聚矽氧樹脂等。

當氧阻隔層45為具備黏著層46之樹脂膜時，藉由將樹脂膜貼合於塗佈層44的表面，而可簡便地形成氧阻隔層45，故較佳。此外，藉由如前述般選擇黏著力，可視需要將氧阻隔層45剝離。如此，藉由剝離氧阻隔層45，可得到如第2圖所示之構造的構造體10。

另外，當氧阻隔層45為「由樹脂硬化物所形成之層」或「藉由將熱固性樹脂加熱並進行按壓積層而形成之層」時，可省略黏著層。

此外，本實施形態中，較佳係於塗佈層44與樹脂層之間具備含有氧化矽或氧化鋁之層。可使含有氧化矽或氧化鋁之層發揮作為水分阻隔層的機能，而能夠降低透濕度。

第6圖為顯示使用第5圖所示之積層體而形成之具有導電性圖案區域之構造體50之剖面圖。如第6圖所示，具有導電性圖案區域之構造體50係具備：支撐體51；在以支撐體51所構成之面上由含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域52與含有還原銅之導電性圖案區域53相互鄰接地配置而成之層54；以被覆層54之方式設置之作為樹脂層的一例之氧阻隔層55；以及介在於層54與氧阻隔層55之間之黏著層56。

第6圖所示之具有導電性圖案區域之構造 體50係與第3圖所示之構造體20基本上為相同構造，但第6圖中是於層54與氧阻隔層55之間介在有黏著層56之特點而有所不同。第6圖中，藉由具有黏著層56，可提升氧阻隔層55與層54之間的密著性，而可實現耐久性優異之具有導電性圖案區域之構造體50。此外，藉由在氧阻隔層55與層54之間介在著含有氧化矽或氧化鋁之層，亦可提升水分阻隔性。

此外，第6圖中，亦可視需要將氧阻隔層55更換為其他樹脂層。此時，藉由預先使用黏著力弱的黏著劑作為黏著層56，可簡單地將氧阻隔層55從層54剝離。於其他樹脂層與層54之間，可介在有黏著層56或含有氧化矽或氧化鋁之層。當未介在黏著層56或含有氧化矽或氧化鋁之層而將其他層直接貼合於層54的表面時，即成為依據第3圖所示之構造之具有導電性圖案區域之構造體50。

〈本實施形態之銅配線的概要〉

本發明者們係於上述構造體中開發出由導電性圖案區域所構成之銅配線。亦即，本實施形態中，由導電性圖案區域與絕緣區域相鄰接而成之層的導電性圖案區域，為以下所說明之銅配線。此外，本實施形態中，亦可去除絕緣區域而得到銅配線。

本實施形態中的銅配線，係含有：將氧化銅還原後之還原銅、磷、以及碳。此外，其特徵為磷/銅的元素濃度比為0.02以上0.30以下，碳/銅的元素濃度比為1.0以上6.0以下。銅配線之表面的算術平均粗糙度Ra較 佳為20nm以上500nm以下。

如上述般，磷元素的含有率相對於銅元素較佳為0.02以上0.30以下之範圍。尤佳為0.05以上0.28以下之範圍，更佳為0.1以上0.25以下之範圍。藉由將磷/銅的元素濃度設為0.02以上，可抑制銅的氧化，並可提升作為銅配線電路的可靠度，故較佳。此外，藉由將磷/銅的元素濃度設為0.30以下，可降低配線的電阻值，故較佳。

如上述般，碳元素的含有率相對於銅元素較佳為1.0以上6.0以下之範圍。尤佳為1.5以上5.5以下之範圍，更佳為2.0以上5.0以下之範圍。藉由將碳/銅的元素濃度設為1.0以上，可載持銅配線的彎曲性。此外，藉由將碳/銅的元素濃度設為6.0以下，可降低配線的電阻值，故較佳。

碳係來自於當塗佈層中的含磷有機物或二醇類等有機成分將氧化銅還原成銅時所產生之殘渣。

如上述般，Ra較佳為20nm以上500nm以下。尤佳為50nm以上300nm以下，更佳為50nm以上200nm以下。Ra為銅配線表面的算術平均粗糙度，當以樹脂層來被覆銅配線時，意指與樹脂層接觸之面的表面粗糙度。藉由將Ra設為20nm以上500nm以下，可提升與樹脂層之密著性，故較佳。

再者，銅配線亦可含有氮。氮/銅的元素濃度比較佳為0.04以上0.6以下，尤佳為0.1以上0.55以下， 更佳為0.2以上0.5以下。藉由將氮/銅的元素濃度設為0.04以上，可提升銅配線的耐蝕性，藉由將氮/銅的元素濃度設為0.6以下，可降低配線的電阻值，故較佳。氮係來自於當塗佈層中的肼或肼水合物將氧化銅還原時所產生之殘渣。

銅配線係含有將氧化銅還原後之還原銅、磷、以及碳，各元素濃度比率較佳係磷：碳：銅為0.02：1：1至0.3：6：1之範圍內。尤佳為0.05：1.5：1至0.28：5.5：1之範圍內，更佳為0.1：2：1至0.25：5：1之範圍內。另外，前述範圍是將銅的元素濃度規定為1時之比率。藉由以此範圍含有還原銅、磷、以及碳，可降低配線的電阻值，並且可以最大限度來同時載持銅的氧化抑制情形與銅的彎曲性。

銅配線係含有將氧化銅還原後之還原銅、磷、碳、以及氮，各元素濃度比較佳係磷：碳：氮：銅為0.02：1：0.04：1至0.3：6：0.6：1之範圍內。尤佳為0.05：1.5：0.1：1至0.28：5.5：0.55：1之範圍內，更佳為0.1：2：0.2：1至0.25：5：0.5：1之範圍內。另外，前述範圍是將銅的元素濃度規定為1時之比率。藉由以此範圍含有還原銅、磷、碳、以及氮，可降低配線的電阻值，並且可以最大限度來同時載持銅的氧化抑制情形與銅的彎曲性與耐腐蝕性。

繼而說明第2圖所示之第1構造體10的製造方法。第1構造體10的製造方法主要具備下列步驟： (A)在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟；以及(B)將光線選擇性地照射在塗佈層以將氧化銅還原成銅，而得到具有導電性圖案區域之構造體之步驟，該構造體係具備：支撐體；以及在以支撐體所構成之面上由含有氧化銅及前述含磷有機物之絕緣區域與含有銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層。

上述(A)中，在以支撐體所構成之面上，可配置含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層。或者是，在以支撐體所構成之面上，可配置含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物之塗佈層。藉由含有肼或肼水合物，可更進一步施行由光所進行之還原，而能夠得到電阻低之銅膜。

如上述(A)所示，首先，在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及磷之塗佈層。此方法可列舉出：(a)塗佈含有氧化銅及含磷有機物之分散體之方法；(b)散佈氧化銅微粒，然後塗佈含磷有機物之方法；以及(c)塗佈含磷有機物，然後散佈氧化銅微粒之方法等。以下以(a)的方法為例來說明，但並不限定於此。

(分散體的調製方法)

繼而說明分散體的調製方法。首先調製使氧化銅微粒與含磷有機物一起分散於分散介質中之氧化銅分散體。

例如，以上述(3)的方法所合成之氧化銅微粒為軟凝聚體，但在此狀態下不適合於塗佈，所以需分散於分散介質。

以上述(3)的方法結束合成後，藉由例如離心分離等一般所知的方法來將合成溶液與氧化銅微粒分離。對於所得到之氧化銅微粒添加分散介質及含磷有機物，藉由例如均質機等一般所知的方法來攪拌，使氧化銅微粒分散於分散介質。

本實施形態之含磷有機物具有作為分散劑之機能。然而，若在不影響絕緣區域(第2圖所示之絕緣區域12)的電絕緣性之範圍內，亦可追加其他分散劑。

此外，因分散介質的不同，氧化銅微粒有時會不易分散或分散不充分。此時，例如可使用容易分散之醇類(例如丁醇等)使氧化銅分散後，再取代成所期望的分散介質並濃縮至所期望的濃度。就一例而言，可列舉出重複施行由UF膜所進行之濃縮以及由期望的分散介質所進行之稀釋及濃縮之方法。

(塗佈)

於上述支撐體的表面上，形成由本實施形態之分散體所構成之薄膜。更具體而言，例如將分散體塗佈於支撐體上，視需要藉由乾燥來去除分散介質，而形成塗佈層。該塗佈層的形成方法並無特別限定，可使用模具塗佈(die coat)、旋轉塗佈、狹縫塗佈、棒塗佈(bar coat)、刮刀塗佈、噴霧塗佈、浸泡塗佈等塗佈法。較佳係使用此等方法並以均一的厚度將分散體塗佈於支撐體上。

較佳係以被覆「配置在支撐體上之塗佈層」之方式來配置氧阻隔層。惟於第2圖所示之構造體10的製 造方法中，氧阻隔層的配置並非必要。

(燒成處理)

如上述(B)所示，本實施形態中，係將塗佈層中的氧化銅還原以生成銅粒子，同時在會發產生使所生成之銅粒子彼此熔接而呈一體化之條件下施以加熱處理，而形成導電性圖案區域。將此處理稱為燒成處理。

本實施形態中，燒成處理的方法係使用選擇性光照射法。本實施形態中，光燒成法係例如可適用將氙等之放電管用於作為光源之閃光方式或雷射光方式。此等方法可使強度大的光在短時間內曝光，使形成於支撐體上之塗佈層於短時間內上升至高溫而燒成。由於燒成時間為短時間，所以對支撐體之損傷少，可適用在耐熱性低之樹脂膜基板。

所謂閃光方式，係指例如使用氙燈(放電管)將累積於電容器之電荷瞬間放電之方式。根據此方式，可產生大光量的脈衝光(氙燈光)，並照射在形成於支撐體上之塗佈層，藉此而將塗佈層瞬間加熱至高溫。曝光量可藉由光強度、發光時間、光照射間隔及次數來調整。

為了形成導電性圖案區域，可經由光罩從光源中選擇性地將光照射在塗佈層。

發光光源雖不同，但使用雷射光源亦可得到同樣效果。使用雷射光源時，除了閃光方式的調整項目之外，亦有波長選擇的自由度，可考量塗佈層的光吸收波長或支撐體的吸收波長來選擇。

此外，根據雷射光方式，即可實現由光束掃描所進行之曝光，容易調整曝光範圍，可在不使用光罩之情形下選擇性地將光照射(描繪)在塗佈層。

雷射光源的種類可使用YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)、YVO(Yttrium Vanadate，釩酸釔)、Yb(Ytterbium，鐿)、半導體雷射(GaAs、GaAlAs、GaInAs)、二氧化碳氣體等。就雷射而言，不僅是基諧波，亦可視需要而擷取高諧波來使用。

本實施形態中，光線較佳為中心波長355nm以上532nm以下之雷射光。藉由設為本波長，由於是含有氧化亞銅之塗佈層所吸收之波長，所以可均一地引起氧化亞銅的還原，而得到電阻低之區域(導電性圖案區域)。

本實施形態中，藉由將支撐體設為光線穿透性，由於光線會穿透支撐體，所以可適當地燒成塗佈層的一部分。

另外，若為在塗佈層的表面具有氧阻隔層之構成，則藉由將支撐體或塗佈層的一方設為光線穿透性，並經由支撐體或氧阻隔層使光線穿透塗佈層，而可適當地燒成塗佈層的一部分。

此外，在將氧阻隔層配置在塗佈層的表面之構成中，於形成導電性圖案區域後，去除氧阻隔層，藉此可得到第2圖所示之構造體10。

參考第7圖來更具體說明第1實施形態之具有導電性圖案區域之支撐體的製造方法。第7圖為顯示 第1實施形態之附導電性圖案區域之支撐體的製造方法之各步驟的說明圖。第7圖(a)中，係將乙酸銅溶解於水與丙二醇(PG)的混合溶劑中，然後加入肼或肼水合物並攪拌。

其次，於第7圖(b)、(c)中，藉由離心分離而分離為上清液與沉澱物。然後於第7圖(d)中，對於所得到之沉澱物添加分散劑及醇，進行分散。

繼而，於第7圖(e)、(f)中，重複施行由UF膜模組所進行之濃縮及稀釋，以取代溶劑，而得到含有氧化銅微粒之分散體I。

於第7圖(g)、(h)中，藉由旋轉塗佈法將分散體I塗佈於PET製的支撐體(第7圖(h)中記載為「PET」)上，而形成含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層(第7圖(h)中記載為「Cu₂O」)。

於第7圖(i)中，對塗佈層進行雷射照射，選擇性地燒成塗佈層的一部分，將氧化銅還原成銅(第7圖(i)中記載為「Cu」)。該結果，於第7圖(j)中，得到具有導電性圖案區域之構造體，其中，在支撐體上形成有「由含有氧化銅及磷之絕緣區域(第7圖(j)中記載為「A」)與含有銅之導電性圖案區域(第7圖(j)中記載為「B」)相互鄰接地配置而成之層」。

本實施形態中，絕緣區域更可藉由洗淨來予以去除。可得到銅配線(第7圖(K)中記載為「C」)以圖案形成於支撐體上之形態。另外，銅配線C與導電性圖案區域B為相同層。此外，從銅配線C上至銅配線C間的支 撐體上，可藉由樹脂層(第7圖(l)中記載為「D」)來密封。可以至少被覆「作為導電性圖案區域B的銅配線C上」之方式來形成第二樹脂層D。第二樹脂層相當於上述所列舉之「其他樹脂層」。

去除絕緣區域時，可使用水或乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、甲醇、乙二醇、甘油等醇類，或是酮類、酯類、醚類等有機溶劑。尤其從絕緣區域的洗淨性能之觀點來看，較佳為水、乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇。此外，可將磷系分散劑添加於上述溶劑。藉由添加，可更為提升洗淨性能。

於製造第2圖所示之構造體10時，不使用如第5圖所示之積層體40，例如若在真空環境中，即使不具有作為樹脂層的一例之氧阻隔層(第7圖(h))，亦可構成構造體10。惟當然可藉由使用含有氧阻隔層之積層體，而不須準備用於真空環境或惰性氣體環境之設備，以得到可削減具有導電性圖案區域之構造體的製造成本之優點。

再者，於所說明之第3圖、第4圖或第6圖所示之第2構造體20、30、50的製造方法中，較佳係使用第5圖所示之積層體40。

亦即，第2之具有導電性圖案區域之構造體的製造方法具有下列步驟：(C)在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟；(D)以被覆塗佈層之方式配置樹脂層(第一樹脂層)之 步驟；以及(E)經由樹脂層或支撐體中任一者，選擇性地將光線照射在前述塗佈層以將氧化銅還原成銅，而得到具有導電性圖案區域之構造體之步驟，該構造體係具備：支撐體；在以支撐體所構成之面上由含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域與含有銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層；以及以被覆該層之方式所形成之樹脂層。

上述(C)中，在以支撐體所構成之面上，可配置含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層。或者是，在以支撐體所構成之面上，可配置含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物之塗佈層。藉由含有肼或肼水合物，可更進一步施行由光所進行之還原，而能夠得到電阻低之銅膜。

在此，(C)的步驟係與所記載之上述(A)的步驟相同。於(D)的步驟中，將樹脂層形成於塗佈層的表面。藉由進行(C)及(D)的步驟，可製造第5圖所示之作為中間體的積層體40。

亦即，積層體40的製造方法係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟；以及以被覆塗佈層之方式配置樹脂層(氧阻隔層45)之步驟。或者是，積層體40的製造方法係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及肼或肼水合物之塗佈層之步驟；以及以被覆塗佈層之方式配置樹脂層(氧阻隔層45)之步驟。或者是，積層體40的製造方法係具備：在以支撐體所構成之面上配置含有氧化銅及含磷有機物及肼 或肼水合物之塗佈層之步驟；以及以被覆塗佈層之方式配置樹脂層(氧阻隔層45)之步驟。

第5圖所示之積層體40中，係經由黏著層46而將氧阻隔層45貼附於塗佈層44。惟黏著層46並非必要。例如當氧阻隔層45為由樹脂硬化物所形成時，或是在將熱固性樹脂加熱並進行按壓積層時，黏著層46並非必要。例如可將構成氧阻隔層之材料加熱使其軟化，施加壓力並同時壓抵於塗佈層以進行積層加工而形成。

上述中，係例示氧阻隔層45作為樹脂層的一例，惟較佳形態係樹脂層為氧阻隔層，且為具備黏著層之樹脂膜。藉此，可藉由將樹脂膜貼附於塗佈層44的表面，而簡單且適當地製造第5圖所示之積層體40。

另外，黏著劑並無特別限定，可例示如丙烯酸酯樹脂或環氧樹脂、聚矽氧樹脂等。

此外，黏著層的黏著力較佳為5mN/10mm以上10N/10mm以下。藉此可經由黏著層將氧阻隔層適當地固定在塗佈層，並且於後續步驟中可簡單地剝離氧阻隔層。此外，藉由設為1N/10mm以上10N/10mm以下，可經由黏著層將氧阻隔層堅固地固定在塗佈層。

對歷經上述(C)及(D)的步驟所形成之積層體施行上述燒成處理，而形成導電性圖案區域。

本實施形態中，係將氧阻隔層或支撐體中之任一者設為光線穿透性。藉此，於施行光照射法時，光線會穿透氧阻隔層或支撐體，而可燒成塗佈層的一部分。

藉由以上方法，可得到第3圖所示之構造體20或第6圖所示之具有導電性圖案區域之構造體50。

(其他樹脂層的配置)

其次，可視需要將氧阻隔層置換為其他樹脂層。首先，藉由溶劑將氧阻隔層溶解去除。此時，當使用上述黏著層來形成時，可藉由溶劑僅將黏著層溶解去除。此外，藉由預先使用黏著力弱的黏著劑，可將氧阻隔層從具有導電性圖案區域之層中剝離，藉此，即使不使用溶劑，亦可剝離氧阻隔層。

然後，以被覆所暴露出之具有導電性圖案區域之層之方式，配置作為其他樹脂層的一例之密封材層。就密封材層而言，可藉由另外準備之黏著劑，將由構成上述密封材層之材料所構成之樹脂薄片貼合於塗佈層而形成之。

此外，就密封材層而言，亦可藉由將上述構成密封材層之材料加熱使其軟化，施加壓力並同時壓抵於塗佈層以進行積層加工而形成之。再者，亦可選擇光硬化或熱硬化之硬化性材料，於所暴露出之具有導電性圖案區域之層上形成由硬化性材料所構成之塗佈層，然後以光或熱而硬化形成之。

參考第8圖來更具體說明第2實施形態之附導電性圖案區域之支撐體的製造方法。第8圖為顯示本實施形態之附導電性圖案區域之支撐體的製造方法之各步驟的說明圖。第8圖(a)中，係將乙酸銅溶解於水與丙二醇 (PG)的混合溶劑中，然後加入肼或肼水合物並攪拌。

其次，於第8圖(b)、(c)中，藉由離心分離而分離為上清液與沉澱物。然後於第8圖(d)中，對於所得到之沉澱物添加分散劑及醇，進行分散。

繼而，於第8圖(e)、(f)中，重複施行由UF膜模組所進行之濃縮及稀釋，以取代溶劑，而得到含有氧化銅微粒之分散體I。

於第8圖(g)、(h)中，藉由旋轉塗佈法將分散體I塗佈於PET製的支撐體(第8圖(h)中記載為「PET」)上，而形成含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層(第8圖(h)中記載為「Cu₂O」)。

於第8圖(i)中，將氧阻隔層(第8圖(i)中記載為「阻隔」)配置在塗佈層上。

然後，於第8圖(j)中，經由氧阻隔層對塗佈層進行雷射照射，選擇性地燒成塗佈層的一部分，而將氧化銅還原成銅(第8圖(j)中記載為「Cu」)。該結果，於第8圖(k)中，得到「在支撐體上由含有氧化銅及含磷有機物之絕緣區域(第8圖(k)中記載為「A」)與含有銅之導電性圖案區域(第8圖(k)中記載為「B」)相互鄰接地配置而成之層」。

繼而，於第8圖(l)、(m)中，以溶劑來去除氧阻隔層，而使由導電性圖案區域與絕緣區域鄰接而成之層暴露出來。然後，於第8圖(n)中，藉由使用密封材層(第8圖(n)中記載為「密封」)來被覆由導電性圖案區域與絕緣 區域鄰接而成之層的表面，可得到第4圖所示之具有導電性圖案區域之構造體。

本實施形態中，絕緣區域更可藉由洗淨來予以去除。可得到銅配線(第8圖(o)中記載為「C」)以圖案形成於支撐體上之形態。另外，銅配線C與導電性圖案區域B為相同層。此外，從銅配線C上至銅配線C間的支撐體上，可藉由第二樹脂層(第8圖(p)中記載為「D」)來密封。可以至少被覆「作為導電性圖案區域B的銅配線C上」之方式來形成第二樹脂層D。第二樹脂層相當於上述所列舉之「其他樹脂層」。

去除絕緣區域時，可使用水或乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、甲醇、乙二醇、甘油等醇類，或是酮類、酯類、醚類等有機溶劑。尤其從絕緣區域的洗淨性能之觀點來看，較佳為水、乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇。此外，可將磷系分散劑添加於上述溶劑。藉由添加，可更為提升洗淨性能。

亦可不去除氧阻隔層而發揮作為密封材層的機能。此時，可製造第3圖及第6圖所示之具有導電性圖案區域之構造體。因此，氧阻隔層去除後的步驟，於本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體的製造方法中並非必要。

本實施形態之構造體的製造方法，在照射光線而得到具有導電性圖案區域與絕緣區域之層後，如第7圖(k)或第8圖(o)所示，亦可從導電性圖案區域與絕緣區 域密接之層中去除絕緣區域。例如可使用不會溶解導電性圖案區域但會溶解絕緣區域之蝕刻液等，選擇性地將絕緣區域洗淨而去除。本實施形態中，可明確地區分導電性圖案區域與絕緣區域之交界，並可適當地僅將上述絕緣區域予以選擇性去除。

此外，本實施形態中，如上述般在從層中去除絕緣區域後，如第7圖(l)或第8圖(p)所示，亦可以被覆導電性圖案區域之表面之方式配置第二樹脂層。藉此，可確保導電性圖案區域上及導電性圖案區域間的絕緣性。此外，就阻隔層而言，對於銅配線的耐久性亦具有效果。另外，第二樹脂層可適用上述所列舉之「其他樹脂層」。

本實施形態中，例如可如上述般去除絕緣區域而在支撐體上殘留銅配線。可將「殘留於支撐體上之含有將氧化銅還原後之還原銅及磷及碳之導電性圖案區域」作為本實施形態之銅配線來製造。或者是即使不去除絕緣區域，亦可在導電性圖案區域與絕緣區域中，將導電性圖案區域視為銅配線。此時，於本實施形態中，於銅配線中，可將磷/銅的元素濃度比設為0.02以上0.30以下，將碳/銅的元素濃度比設為1.0以上6.0以下，且較佳係將Ra設為20nm以上500nm以下。若欲將磷/銅的元素濃度比設為0.02以上0.30以下，就一例而言，可配置含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層，並照射光線以從氧化銅得到還原銅而製造之。藉由調整氧化銅及含磷有機物之比率，可調整磷/銅的元素濃度比。若欲將碳/銅的比設為1.0以上6.0以下， 就一例而言，可配置含有氧化銅及有機物之塗佈層，並照射光線以從氧化銅得到還原銅而製造之。藉由調整氧化銅及有機物之比率，可調整碳/銅的元素濃度比。此外，若欲將銅配線表面的Ra設為20nm以上500nm以下，就一例而言，可藉由調節照射光線時之光線照射強度與照射速度、照射間隔而得到期望的Ra。

此外，於本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體或是積層體的製造方法中，樹脂層或支撐體於波長445nm時的光線穿透率較佳為30%以上，尤佳為40%以上，更佳為50%以上。光線穿透率的上限可為98%以下。波長除了445nm之外，例如亦可選擇355nm、405nm、450nm、532nm、1064nm等從近紫外至近紅外的波長。藉由提高如此之波長時的光線穿透率，可從支撐體側照射光線以將塗佈層燒成，而形成具有導電性圖案區域之層。

此外，於本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體或是積層體的製造方法中，塗佈層中所含有之氧化銅較佳為氧化亞銅，藉此，可藉由燒成處理而得到還原銅，並能夠精度佳地形成由導電性圖案區域與絕緣區域混合存在而成之層。

此外，於本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體或是積層體的製造方法中，塗佈層中所含有之含磷有機物較佳係具有以下述化學式(1)(化學式(1)中，R為酯鹽)所示之骨架。

化學式(1)

化學式(1)中，R為酯鹽。

上述化學式(1)的結構，可與氧化銅吸附且與支撐體之密著性亦優異。藉此，可確保絕緣性，並可有效地防止支撐體與塗佈層之間的剝離。

此外，於本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體或是積層體的製造方法中，支撐體可例示立體物。亦即，本實施形態中，不僅以平坦的支撐體為對象，亦可為曲面或階差等，例如可將框體或車體等的表面作為支撐體表面，而形成本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體。

〈適用例〉

本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體，例如可較佳地適用在電子電路基板等之配線材料(印刷基板、RFID、汽車中之線束(wire harness)的替代品等)、形成於可攜式資訊機器(智慧型手機等)的框體之天線、網目電極(靜電電容式觸控面板用電極膜)、電磁波遮蔽材料及散熱材料。

如以上所說明，根據本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體，可藉由含有氧化銅及磷之絕緣區域來將含有銅之導電性圖案區域之間予以絕緣。因此，不需為了製造而去除配置在支撐體上之層的未燒成部分，所 以可削減製造步驟，且不需使用溶劑等，而能夠削減製造成本。此外，為了導電性圖案區域的絕緣而利用絕緣區域，該絕緣區域不易產生龜裂，可提高可靠度。

此外，根據本實施形態之具有導電性圖案區域之構造體的製造方法，係藉由雷射來燒成含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層的一部分而製成導電性圖案區域，同時可將未燒成部分使用在導電性圖案區域的絕緣。所以不需去除塗佈層的未燒成部分。因此，可削減製造步驟，且不需使用溶劑等，而能夠削減製造成本。此外，不須為了導電性圖案區域的絕緣而設置防焊劑等，所以亦可削減該部分的製造步驟。

此外，根據本實施形態之積層體，由於以樹脂層來被覆塗佈層，所以於光燒成時可防止塗佈層接觸氧，而能夠促進氧化銅的還原。藉此，不需準備用於在光照射時使塗佈層的周圍成為無氧或低氧環境之設備，所以可削減製造成本。此外，由於以樹脂層來被覆塗佈層，所以可保護塗佈層免受外部應力影響，可提升處理性。

此外，根據本實施形態之積層體的製造方法，藉由使用「在支撐體的面上形成含有氧化銅及含磷有機物之塗佈層之步驟」以及「於塗佈層的表面形成樹脂層之步驟」，而可簡單且適當地製造積層體。

[實施例]

以下藉由具體的實施例來更詳細說明本發明。

〈分散體的製造〉

將乙酸銅(II)一水合物(和光純藥公司製)80g溶解於由水800g及1,2-丙二醇(和光純藥公司製)400g所構成之混合溶劑中，加入肼或肼水合物(和光純藥公司製)20g並攪拌後，使用離心分離而分離為上清液與沉澱物。

對於所得到之沉澱物2.8g，添加作為含磷有機物的DISPERBYK-145(商品名稱、BYK Chemie公司製)(第1表中為BYK-145)0.05g及作為分散介質的乙醇(和光純藥公司製)6.6g，使用均質機進行分散。然後，重複施行由乙醇所進行之稀釋與濃縮，藉此而得到含有包含氧化亞銅(氧化銅(I))之氧化亞銅微粒的分散體(a)。將沉澱物真空乾燥，測定沉澱物中之氧化亞銅微粒的重量，可得知於沉澱物2.8g中含有氧化亞銅微粒2.0g。

以穿透型電子顯微鏡觀察由真空乾燥所得到之氧化亞銅微粒，藉由能量分散型X射線分光法進行解析，可得知氧化亞銅微粒中之氧化亞銅的含有率(體積%)為100體積%(參考第1表)。

除了將對於沉澱物2.8g所添加之含磷有機物的量分別變更如第1表所記載者之外，其餘係與上述同樣操作，而得到含有氧化亞銅微粒之分散體(b)至(g)。測定分散體(b)至(g)所含有之全微粒中之氧化銅的含有率(體積%)，結果為100體積%(參考第1表)。

此外，以第1表所記載之量將銅粉(平均粒徑1μm、球狀粒子)添加於分散體(c)，藉此得到分散體(h)、(i)。測定分散體(h)、(i)所含有之全微粒(氧化銅微粒及銅粉)中之氧化銅的含有率(體積%)，結果分別為59.7體積%及42.6體積%(參考第1表)。

〈試樣的製造〉

[試樣1至19]

對支撐體的表面施以UV臭氧處理後，以成為既定厚度之方式將分散體進行棒塗佈，於室溫下乾燥10分鐘，而得到於支撐體上形成有塗佈層之試樣。

將支撐體的種類、分散體的種類及塗佈層的厚度分別變更如第2表所示者，而得到試樣1至19。

支撐體PET係使用厚度100μm的PET膜(東洋紡公司製、Cosmoshine A4100)。

[試樣20]

對作為支撐體之厚度100μm的PET膜(東洋紡公司製、Cosmoshine A4100)的表面施以UV臭氧處理後，以由氧氣所進行之反應性離子蝕刻(RIE)處理使表面粗化，而形成密著層。

其次，以成為既定厚度0.5μm之方式將分散體(c)棒塗佈於密著層上，於室溫下乾燥10分鐘而得到試樣20。

[試樣21至23]

除了將支撐體的種類變更如第2表所示者之外，其餘係進行與上述試樣20時同樣之操作，而得到試樣21至23。測定所得到之密著層的比表面積及表面粗糙度，並顯示於第2表。

就支撐體而言，PEN膜、與PI膜、m-PPE薄片係使用下述者。

PEN膜(Teijin Film Solution公司製、Teonex Q65H、厚度100μm)

PI膜(Toray DuPont公司製、Kapton 500H、厚度125μm)

m-PPE薄片(旭化成公司製、E1000、厚度125μm)

[試樣24]

對作為支撐體之厚度100μm的PET膜(東洋紡公司製、Cosmoshine A4100)的表面施以UV臭氧處理後，塗佈含有氧化矽微粒(平均粒徑25nm)之塗覆液。然後於室溫下乾燥30分鐘而形成厚度5μm的密著層。

然後，除了將分散體(a)變更為分散體(c)之 外，其餘係進行與上述試樣1至19時同樣之操作，而得到試樣24。

[試樣25]

對作為支撐體之厚度100μm的PET膜(東洋紡公司製、Cosmoshine A4100)的表面施以UV臭氧處理後，藉由刮刀塗佈機來塗佈含有氧化鋁微粒(平均粒徑110nm)之塗覆液。繼而於室溫下乾燥30分鐘而形成厚度10μm的密著層。

然後，除了將分散體(a)變更為分散體(c)之外，其餘係進行與上述試樣1至19時同樣之操作，而得到試樣25。

〈評估及測定方法〉

(分散體的成膜性評估)

藉由形狀測定雷射顯微鏡(Keyence公司製、VK-9510)來觀察所得到之試樣之塗佈層的成膜性。此時係使用10倍的物鏡。評估基準係如下所述。第9圖及第10圖為用以說明實施例之塗佈層中的龜裂狀態之電子顯微鏡照片。第9圖顯示無龜裂之塗佈層的例子，第10圖顯示有龜裂之塗佈層的例子。

(由雷射所進行之燒成及導電性評估)

使用電磁掃描器(galvanoscanner)，以最大速度300m/分鐘移動焦點位置並同時將雷射光(波長445nm、輸出1.2W、連續波振盪(Continuous Wave：CW))照射在氬氣環境下之試樣的基板，藉此而得到包含所期望之25mm×1mm尺寸的銅之導電性圖案區域。

導電性的評估方法係如下所述。將測試器接觸於導電性圖案區域的兩端並評估導電性。評估基準如下所述。

○：電阻值未達1kΩ

△：電阻值為1kΩ以上且未達1MΩ

×：電阻值為1MΩ以上

(由氙閃光所進行之燒成及導電性評估)

將30mm見方的試樣設置在已設為氬氣環境之承載台上。於其上方載置以25mm×1mm的尺寸設置有開口部之遮罩，然後從其上方照射氙閃光(照射能量3J/cm²、照射時間4m秒)。藉此而得到包含25mm×1mm尺寸的銅之導電性圖案區域。遮罩的並非開口部之部分係與照射氙閃光前為相同狀態。

將測試器接觸於導電性圖案區域的兩端並評估導電性。評估基準如下所述。

○：電阻值未達1kΩ

△：電阻值為1kΩ以上且未達1MΩ

×：電阻值為1MΩ以上

於由雷射所進行之燒成及由氙閃光所進行之燒成的任一者中，若可於導電性圖案區域顯現導電性，則可使用作為附導電性圖案區域之支撐體。

(絕緣電阻的測定)

於燒成後之各試樣的作為未燒成部分之含有氧化亞銅及含磷有機物之絕緣區域上，隔著5mm的間隔設置2 根針式探針。使用菊水電子工業股份有限公司製的絕緣電阻試驗機TOS7200，於2根針式探針之間施加直流500V的電壓1分鐘，並評估此時的電阻值。評估基準如下所述。

○：5000MΩ以上

△：1MΩ以上且未達5000MΩ

×：未達1MΩ

(平均粒徑)

氧化亞銅微粒的平均一次粒徑可藉由穿透型電子顯微鏡或掃描型電子顯微鏡來測定。在此說明具體的操作。將試樣切割為適當的尺寸，使用Hitachi Hi-Technologies公司製的離子研磨裝置E-3500來進行寬離子束(BIB，Broad Ion Beam)加工。此時，可視需要而冷卻試樣並同時進行BIB加工。對加工後之試樣施以導電處理，藉由日立製作所公司製的掃描型電子顯微鏡S-4800來觀察導電性黏著劑部的剖面。對於在1視野內存在有10點以上的一次粒子之影像內測定所有的一次粒徑，將其平均值設為平均一次粒徑。

氧化亞銅微粒的平均二次粒徑可藉由穿透型電子顯微鏡或掃描型電子顯微鏡來測定。在此說明具體的操作。將試樣切割為適當的尺寸，使用Hitachi Hi-Technologies公司製離子研磨裝置E-3500來進行BIB加工。此時可視需要而冷卻試樣並同時進行BIB加工。對加工後之試樣施以導電處理，藉由日立製作所公司製的掃描型電子顯微鏡S-4800來觀察導電性黏著劑部的剖面。對 於在1視野內存在有10點以上的二次粒子之影像內測定所有的二次粒徑，將其平均值設為平均二次粒徑。

(荷重變形溫度)

支撐體的荷重變形溫度可藉由依據JIS K7191之方法來測定。

(氧化亞銅微粒、銅粉以及含磷有機物之含有率(體積%)的測定)

藉由以掃描型電子顯微鏡(SEM)來觀察配置在支撐體上之層的剖面，來測定層中的絕緣區域中之氧化亞銅微粒、以及若含有時之銅粉及含磷有機物的含有率(體積%)。

第11圖為顯示實施例中之配置在支撐體上之層的剖面之電子顯微鏡照片。如第11圖所示，電子顯微鏡照片中，由於電子密度愈大之材料愈可明亮地觀察到，所以，無機物係較有機物更明亮地觀察到，導電性金屬係較氧化物更明亮地觀察到。因此，於電子顯微鏡照片之層中的某觀察區域中，可藉由形狀、尺寸及對比來區分無機物之氧化亞銅微粒及銅粉(以下記載為「全粒子」)以及含磷有機物。求出「於該觀察區域所包含之層的剖面影像(以下記載為「剖面影像」)中之全粒子所佔有的面積」與「剖面影像中之層的總面積」之商數並乘以100，藉此而可求取全粒子的含有率(體積%)。

此外，氧化亞銅微粒及銅粉亦同樣地可藉由形狀、尺寸及對比來區分。因此，求出「剖面影像中之氧化亞銅微粒所佔有的面積」與「剖面影像中之全粒子所 佔有的面積」之商數並乘以100，藉此而可求取全粒子中之氧化銅的含有率(體積%)。此外，求出「剖面影像中之銅粉所佔有的面積」與「剖面影像中之全粒子所佔有的面積」之商數並乘以100，藉此而可求取全粒子中之銅粉的含有率(體積%)。

此外，含磷有機物的含有率(體積%)，係可藉由求出「剖面影像中之磷酸有機物所佔有的面積」與「剖面影像中之層的總面積」之商數並乘以100而求取之。

影像的解析可使用影像解析軟體，例如可列舉出ImageJ(美國國立衛生研究所製)。實施例中，將剖面影像讀取至Image.J並轉換為黑白8位元影像，進行預設的臨限值設定，並進行粒子解析，而求取氧化亞銅微粒及銅粉的含有率。

(氧化亞銅微粒、銅粉以及含磷有機物之含有率(重量%)的測定)

可從由剖面影像所求取之含有率(體積%)與各自之氧化銅、銅及含磷有機物的比重來計算含有率(重量%)。氧化銅、銅及含磷有機物的比重分別可使用以下值。

氧化銅：6.0g/cm³

銅：8.9g/cm³

含磷有機物：1.0g/cm³

關於此等以外之材料，可使用化學便覽、理化年表等所記載之數值。

根據如此求取之層中的絕緣區域中之氧化 亞銅微粒、銅粉以及含磷有機物的含有率(體積%)，來計算以層的絕緣區域中之氧化亞銅微粒(或者是當含有銅粉時則為氧化亞銅微粒及銅粉)的全體積為100體積份時之含磷有機物的體積份，表示於第2表。同樣地，計算以層的絕緣區域中之氧化亞銅微粒(或者是當含有銅粉時則為氧化亞銅微粒及銅粉)的全質量為100質量份時之含磷有機物的質量份，表示於第2表。

(支撐體密著性)

由燒成所得到之導電性圖案區域之與支撐體的密著性，係以目視並依據下述評估基準來進行評估。

○：導電性圖案區域係與支撐體密著之狀態

△：雖於一部分可見剝離，但就整體而言係與支撐體 密著之狀態

×：導電性圖案區域從支撐體剝離之狀態

第2表中的略稱分別意指以下化合物。

PET：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂

PEN：聚萘二甲酸乙二酯樹脂

PI：聚醯亞胺樹脂

PP：聚丙烯樹脂

PA：聚醯胺樹脂

ABS：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂樹脂

PE：聚乙烯樹脂

PC：聚碳酸酯樹脂

POM：聚縮醛樹脂

PBT：聚對苯二甲酸丁二酯樹脂

m-PPE：改性聚苯醚樹脂

PPS：聚苯硫醚樹脂

[試樣35至40]

使用上述所列舉之分散體(a)、(c)、(d)，與分散體(j)(沉澱物2.8g、銅粉0g、有機物BYK145 2.0g、溶劑乙醇6.6g)，與將肼水合物添加於分散體(c)中而成之分散體(k)(沉澱物2.8g、銅粉0g、有機物BYK145 2.0g、溶劑乙醇6.6g、肼水合物0.01g)，與將肼水合物添加於分散體(c)中而成之分散體(l)(沉澱物2.8g、銅粉0g、有機物BYK145 2.0g、溶劑乙醇6.6g、肼水合物0.1g)，藉由與試樣1相同之方法得到於支撐體PI膜上形成有厚度0.8μm的塗佈層之試樣35至40。此外，關於分散體(k)(l)中的肼質量/氧化銅質量，分散體(k)為0.003，分散體(l)為0.03。

測定各試樣之塗佈層表面的平滑性。測定方法係使用觸針式膜厚測定機(ULVAC股份有限公司DektakXT)來測定1000μm長度中之算術平均高度Ra。評估基準如下所述。

○：Ra未達30nm

△：Ra為30nm以上且未達100nm

×：Ra為100nm以下

使用電磁掃描器，以最大速度100mm/秒移動焦點位置並同時將雷射光(波長532nm、輸出0.45W、連續波振盪(Continuous Wave：CW))照射在氬氣環境下之試樣的基板，藉此而得到包含所期望之25mm×1mm尺寸的銅之導電性圖案區域。

測定各試樣之導電性圖案區域的膜厚。測定方法係將導電性圖案區域的一部分剝離以使支撐體暴露出，使用觸針式膜厚測定機(ULVAC股份有限公司DektakXT)來測定所殘留之導電性圖案區域離支撐體之階差。然後再算出與未燒成之絕緣區域之比率。

測定各試樣之導電性圖案區域的表面粗糙度。測定方法係使用觸針式膜厚測定機(ULVAC股份有限公司DektakXT)來測定1000μm長度中之算術平均高度Ra。評估基準如下所述。

○：Ra為50nm以上且未達200nm

△：Ra為20nm以上且未達50nm、或200nm以上且未達500nm

×：Ra未達20nm、或500nm以上

使用四端子測定法對導電性圖案區域的兩端進行電阻值的評估。評估基準如下所述。

○：電阻值未達30μΩcm

△：電阻值為30μΩcm以上且未達100μΩcm

×：電阻值為100μΩcm以上

(耐電壓的測定)

隔著1mm的間隔來配置2條前述25mm×1mm尺寸的導電性圖案區域，並針對位於其間之作為未燒成部分之含有氧化亞銅及含磷有機物及肼或肼水合物之絕緣區域進行耐電壓測定。

測定方法係將針式探針連接於2條導電性 圖案區域，並使用菊水電子工業股份有限公司製的耐電壓試驗機TOS5300，於2根針式探針之間施加交流電壓。緩慢地提高電壓，測定產生絕緣破壞之電壓值。評估基準如下所述。

○：耐電壓為1.7kV/mm以上

△：耐電壓為1kV/mm以上且未達1.7kV/mm

×：耐電壓未達1kV/mm

(評估結果)

[試樣1至25]

分散體(a)至(i)於目視評估中未產生凝聚沉澱物，全部為分散性良好之分散體。

試樣1：雖然於雷射燒成中，於導電性圖案區域的一部分可見剝離，但就整體而言係密著於支撐體，可進行導電性的確認。於氙閃光燒成中，於燒成中所塗佈之分散體飛散而無法得到導電性圖案區域。

試樣2至4、7、9至17：於雷射燒成中，導電性圖案區域與支撐體密著，可進行導電性的確認。於氙閃光燒成中，於燒成中所塗佈之分散體飛散而無法得到導電性圖案區域。

試樣5、6：層中之含磷有機物的含量多，導電性的評估結果為△。氧化亞銅燒成後之配置在支撐體上之層係與支撐體密著之狀態。

試樣8：於雷射燒成及氙閃光燒成兩者中皆可得到密著於支撐體且導電性優異之導電性圖案區域。

試樣18、19：雖可藉由雷射燒成來得到導電性圖案區域，但關於與支撐體之密著性則為於雷射燒成中一部分剝離之狀態。

試樣20至25：具有密著層，於雷射燒成及氙閃光燒成兩者中皆可得到密著於支撐體之導電性圖案區域。

[試樣26至34]

準備第2表所示之材質相異且無密著層之框體作為支撐體。框體的形狀為曲率半徑500mm之具有搗缽狀之曲面體。使用噴霧塗佈法並以成為乾燥膜厚5μm之方式將分散體(c)塗佈於所準備之框體，而得到試樣26至34。然後，使用電磁掃描器，以最大速度300m/分鐘且以對焦於框體之搗缽形狀的表面之方式移動焦點位置，並同時將雷射光(波長445nm、輸出1.5W、連續波振盪(Continuous Wave：CW))於氬氣環境下照射至試樣26至34，藉此，於框體的表面得到包含所期望之25mm×1mm尺寸的銅之導電性圖案區域。所得到之導電性圖案區域雖於一部分產生細微的龜裂，但與框體密著且導電性優異。

[試樣35至40]

分散體(j)(k)(l)於目視評估中未產生凝聚沉澱物，為分散性良好之分散體。

評估試樣35至40之塗佈層表面的平滑性。評估結果如第3表所示。因其為平滑，故於照射光線時可在不會於塗佈層的表面產生散射之情形下適宜地吸收光 線。

評估試樣35至40之導電性圖案區域的電阻值。評估結果如第3表所示。試樣38於照射雷射光時，塗佈層產生磨損而無法得到較佳的導電性圖案區域。

測定試樣35至37、39、40之導電性圖案區域的膜厚，算出其與未燒成部分的絕緣區域之膜厚比。評估結果如第3表所示。膜厚比為45至50%的範圍內。

評估試樣35至37、39、40之導電性圖案區域的表面粗糙度。評估結果如第3表所示。皆具有適宜的表面粗糙度。

進行試樣35至37、39、40之絕緣區域的耐電壓評估。評估結果如第3表所示。試樣36、37、39、40具有良好的耐電壓。

將具有作為密封層的機能之樹脂層(PET膜：東洋紡公司製、Cosmoshine A4100、厚度100μm)配置在試樣36。於樹脂層設置含有氧化矽之層作為水分阻隔層，為了與配置在支撐體上之具有導電性圖案區域之層接著，而設置接著層(Lintec股份有限公司光學黏著薄片MO系列)。此外，為了防止水分從樹脂層的邊緣混入，係以熱硬化型密封材(Ajinomoto Fine Techno股份有限公司AES-210)來密封。再者，將樹脂層的一部分予以開口而使導電性圖案區域暴露出，並使用低溫焊料(千住金屬工業股份有限公司Eco Solder LEO)將電極設置在此。於此狀態下放置在85℃ 85RH%的環境下，實施導電性圖案區域之導電性劣化的 加速試驗。經過1000小時後評估電阻值，結果係電阻變化率為+5%以下而為良好。推測此係因為藉由在加速試驗中於所密封的內部中微量混入之氧與水分，使銅在被氧化前先使磷被氧化，而使導電性圖案區域的電阻變化被抑制成較低之故。

試樣41係使用玻璃製的葡萄酒杯作為具有立體曲面之支撐體。葡萄酒杯的曲率半徑為35mm。將葡萄酒杯浸漬在經注滿分散體(c)之容器中，以一定速度拉起，藉此而於葡萄酒杯的外側表面得到乾燥膜厚2μm的塗佈層。然後，使用雷射標識器(Keyence股份有限公司雷射標識器MD-S9910A)於空氣中以速度20mm/秒的速度將雷射光(波長532nm、輸出0.22W、脈衝重複頻率260kHz)照射在塗佈層。藉此，於葡萄酒杯的表面得到含有還原銅之導電性圖案區域。第12圖A顯示其照片。第12圖B顯示其示意圖。所得到之導電性圖案區域係與葡萄酒杯密著，導電性圖案區域的電阻值評估為○，絕緣區域的耐電壓評估為○。

再者，為了得到銅配線，係使用作為洗淨溶劑的乙醇來去除位於「作為未照射雷射光之部分的絕緣區域」之塗佈層。去除後之照片如第12圖C所示。去除後之銅配線的電阻值評估為○而為良好。

此外，與上述實驗同樣地，試樣42係使用玻璃製的葡萄酒杯作為具有立體曲面之支撐體。葡萄酒杯的曲率半徑為35mm。將葡萄酒杯浸漬在經注滿分散體(c) 之容器中，以一定速度拉起，藉此而於葡萄酒杯的外側表面得到乾燥膜厚2μm的塗佈層。然後，使用與上述實驗不同之雷射標識器(Keyence股份有限公司雷射標識器MD-U1000C)於空氣中以速度20mm/秒的速度將雷射光(波長355nm、輸出0.25W、脈衝重複頻率300kHz)照射在塗佈層。藉此，於葡萄酒杯的表面得到含有還原銅之導電性圖案區域。所得到之導電性圖案區域係與葡萄酒杯密著，導電性優異。

就試樣43而言，係將微黏著PET膜(Lintec公司製SRL-0753)作為具有氧阻隔性之樹脂層而貼合於試樣36之塗佈層的表面，並使用雷射標識器(Keyence股份有限公司雷射標識器MD-S9910A)於空氣中以速度20mm/秒的速度將雷射光(波長532nm、輸出0.22W、脈衝重複頻率260kHz)穿透樹脂層而照射在塗佈層。然後卸除樹脂層。所得到之導電性圖案區域係與PI膜密著，導電性圖案區域的電阻值評估為○，絕緣區域的耐電壓評估為○。

再者，於卸除樹脂層後所暴露出之導電性圖案區域與絕緣區域上，配置樹脂層(PET膜：東洋紡公司製、Cosmoshine A4100、厚度100μm)作為其他樹脂層的一例之密封層。於樹脂層設置含有氧化矽之層作為水分阻隔層，為了與配置在支撐體上之具有導電性圖案區域之層接著，而設置接著層(Lintec股份有限公司光學黏著薄片MO系列)。此外，為了防止水分從樹脂層的邊緣混入，係以熱硬化型密封材(Ajinomoto Fine Techno股份有限公司AES-210) 來密封。再者，將樹脂層的一部分予以開口而使導電性圖案區域暴露出，並使用低溫焊料(千住金屬工業股份有限公司Eco Solder LEO)將電極設置在此。於此狀態下放置在85℃ 85RH%的環境下，實施導電性圖案區域之導電性劣化的加速試驗。經過1000小時後評估電阻值，結果係電阻變化率為+5%以下而為良好。推測此係因為藉由在加速試驗中於所密封的內部中微量混入之氧與水分，使銅在被氧化前先使磷被氧化，而使導電性圖案區域的電阻變化被抑制成較低之故。

[比較例1]

除了使用聚乙烯吡咯啶酮(以下稱為PVP)來取代含磷有機物之外，其餘係藉由與分散體(a)同樣之操作而得到含有氧化亞銅微粒之分散體(x)。分散體(x)的組成為沉澱物2.8g、聚乙烯吡咯啶酮0.2g、乙醇分散介質6.6g，氧化亞銅微粒中之氧化銅的含量為100體積%。

藉由與試樣1至19相同之操作，而得到於作為支撐體之厚度100μm的PET膜(東洋紡公司製、Cosmoshine A4100)上以厚度0.5μm形成有分散體(x)的塗佈層之比較例1。

比較例1中，使用電磁掃描器，以最大速度300m/分鐘移動焦點位置並同時將雷射光(波長445nm、輸出1.2W、連續波振盪(Continuous Wave：CW))照射在試樣的基板，藉此而得到包含所期望之25mm×1mm尺寸的銅之導電性圖案區域。

於燒成後之比較例1的作為未燒成部分之絕緣區域上，隔著5mm的間隔設置2根針式探針。使用菊水電子工業股份有限公司製的絕緣電阻試驗機TOS7200，於2根針式探針之間施加直流500V的電壓1分鐘，並評估此時的電阻值，結果係電阻值未達1MΩ，絕緣性不足。

然後，與前述操作相同地，對作為未燒成部分之含有氧化亞銅但不含有含磷有機物及肼或肼水合物之絕緣區域進行耐電壓測定。結果係耐電壓為0.9kV/mm，評估為×。

[比較例2]

使用Novacentrix公司Metalon ICI-021作為含有氧化銅微粒之分散體來取代含有氧化亞銅粒子及含磷有機物及肼或肼水合物之分散體，藉由與試樣1至19相同之操作，而得到於支撐體PI膜(Toray DuPont公司製、Kapton 500H、厚度125μm)上以厚度1.0μm形成有塗佈層之比較例2。

藉由與試樣35至38相同之操作，照射雷射光而得到導電性圖案區域。

與試樣35至38同樣地進行各項目的評估，結果如第3表所示。塗佈層的平滑性為×。可推測係因在形成塗佈層之步驟中，分散體與支撐體之潤濕性差，而且不含有肼或肼水合物及含磷有機物，所以在形成為塗佈層之狀態下之氧化銅粒子的分散性差而產生凝聚。

導電性圖案區域的電阻值為×。可推測係因塗佈層的平滑性差，而且不含有肼或肼水合物及含磷有機 物，所以無法適宜地施行由雷射光所進行之氧化銅粒子的還原與燒結。

測定導電性圖案區域的膜厚，算出與未燒成的絕緣區域之膜厚比。膜厚比為68%。

導電性圖案區域的表面粗糙度為×。可推測係因在比較例2中，塗佈層的平滑性差，而且不含有肼或肼水合物及含磷有機物，所以無法適宜地施行由雷射光所進行之氧化銅粒子的還原與燒結，使粒子與粒子之鍵結無法進行，而使表面變得粗糙。此外，亦可推測若不含有肼或肼水合物及含磷有機物之至少一方，則無法施行由雷射光所進行之氧化銅粒子的還原與燒結。

絕緣區域的耐電壓評估結果為△。可推測係因在比較例2中，不含有肼或肼水合物及含磷有機物，所以在形成為塗佈層之狀態下之氧化銅粒子的分散性差，無法充分地顯現絕緣性。此外，亦可推測若不含有肼或肼水合物及含磷有機物之至少一方，則在形成為塗佈層之狀態下之氧化銅粒子的分散性會惡化。

[比較例3]

於支撐體硼矽酸玻璃基板(SCHOTT公司TEMPAX)上，使用分散體(c)並藉由反轉轉印法且隔著1mm的間隔將25mm×1mm圖案予以平行地排列2條，而形成塗佈層(厚度0.8μm)。然後，藉由電漿燒成法使塗佈層還原，而得到含有還原銅及磷之2條25mm×1mm的導電性圖案區域。

對所得到之2條導電性圖案區域進行耐電 壓評估，結果為×。可推測係因在2條導電性圖案區域之間不含有絕緣區域且僅為空氣之狀態，所以無法顯現絕緣性。

[導電性圖案區域中之磷的測定]

對試樣8如上述般進行雷射燒成後，測定所形成之導電性圖案區域中的磷元素。

1)試樣調製、XPS測定

從雷射燒成後的試樣8切出約3mm見方的小片，被覆5mm

的遮罩並實施XPS測定。XPS測定係藉由Ar⁺離子濺鍍於深度方向進行分析。

〈XPS測定條件〉

使用機器：ULVAC-PHI Versa Probell

激發源：mono.AlKα 15kV×3.3mA

分析尺寸：約200μm

光電子取出角度：45°±20°

擷取區域：Cu 2p3/2、P 2p、C 1s、O 1s、N 1s

Pass Energy：93.9eV

〈Ar⁺離子濺鍍條件〉

加速電壓：3kV

試樣電流：1.6μA

光柵尺寸：2mm×2mm

試樣旋轉：有

XPS測定的結果，對於試樣8，可確認磷元 素相對於銅之含量係以原子組成百分率計為0.127atom/atom%，以質量百分率計為0.062w/w%。

對試樣35至37如上述般進行雷射燒成後，測定所形成之導電性圖案區域中的磷元素。評估結果如第3表所示。此係顯示出所有試樣之磷/銅的元素濃度比皆為0.02以上0.30以下。此外，同樣地進行導電性圖案區域中之碳元素的測定及氮元素的測定。評估結果如第3表所示。此係顯示出所有試樣之碳/銅的元素濃度比皆為1以上6以下。此外，所有試樣之氮/銅的元素濃度比皆為0.04以上0.6以下。

以下顯示第3表。

另外，本發明並不限定於上述實施形態或實施例。可根據本發明所屬技術領域中具有通常知識者的知識，對上述實施形態或實施例施加設計變更等。此外，可任意組合上述實施形態或實施例，且該施加變更後等之態樣亦包含於本發明之範圍。

[產業上之可應用性]

藉由本發明，可提供一種具有導電性圖案區域之構造體及其製造方法，其可極度簡化製造步驟，並且導電性圖案區域間的電絕緣性優異，而且可靠度高。

此外，藉由本發明，可提供一種積層體及其製造方法，其係於氧化銅的光燒成處理中，不須準備用於真空環境或惰性氣體環境之設備，可削減構造體的製造成本。

從以上內容來看，可將本發明之構造體或積層體適用在電子電路基板等之配線材料、網目電極、電磁波遮蔽材料及散熱材料。

本申請案係根據於2017年7月18日提出申請之日本特願2017-139133、日本特願2017-139134、於2017年7月21日提出申請之日本特願2017-141518、日本特願2017-141519、於2017年7月27日提出申請之日本特願2017-145188號、於2018年2月13日提出申請之日本特願2018-023239號。該內容全部包含於此。

10‧‧‧構造體

11‧‧‧支撐體

12‧‧‧絕緣區域

13‧‧‧導電性圖案區域

14‧‧‧層

Claims (20)

1. 一種構造體，係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層；於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與絕緣區域係相互鄰接，該絕緣區域係含有含氧化銅之微粒及含磷有機物；其中，以前述含氧化銅之微粒的全體積作為100體積份時，前述含磷有機物的含量為5體積份以上900體積份以下。
2. 一種構造體，係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層；於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與絕緣區域係相互鄰接，該絕緣區域係含有含氧化銅之微粒及磷；其中，前述導電性圖案區域的厚度為前述絕緣區域的厚度的10%以上90%以下。
3. 一種構造體，係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層；於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與絕緣區域係相互鄰接，該絕緣區域係含有含氧化銅之微粒及磷；其中，在前述支撐體與前述層之間具備密著層。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之構造體，其中，前述導電性圖案區域係於接近前述支撐體之部分具有未還原部分。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之構造體， 其中，具有從前述導電性圖案區域朝向前述絕緣區域逐漸改變之組成調變區域。
6. 一種構造體，係具有：支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層；於前述層中，含有銅及磷之導電性圖案區域與含有氧化銅及磷之絕緣區域係相互鄰接。
7. 一種構造體，係具有；支撐體；以及配置在以前述支撐體所構成之面上之層；於前述層中，含有銅之導電性圖案區域與絕緣區域係相互鄰接，該絕緣區域係含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物；其中，前述肼或肼水合物之質量與前述氧化銅之質量的比率係以肼或肼水合物之質量/氧化銅之質量來表示而為0.0001以上0.10以下；相對於前述氧化銅100重量份，前述含磷有機物的含量為1重量份以上150重量份以下。
8. 一種積層體，係具備：支撐體；配置在以前述支撐體所構成之面上之含有氧化銅及磷之塗佈層；以及以被覆前述塗佈層之方式配置之樹脂層。
9. 一種積層體，係具備：支撐體；配置在以前述支撐體所構成之面上之含有氧化銅 及磷及肼或肼水合物之塗佈層；以及以被覆前述塗佈層之方式配置之樹脂層。
10. 如申請專利範圍第8或9項所述之積層體，其中，前述氧化銅為含有前述氧化銅之微粒，前述磷為含磷有機物；以前述微粒的全體積作為100體積份時，前述含磷有機物的含量為5體積份以上900體積份以下。
11. 如申請專利範圍第8或9項所述之積層體，其中，前述塗佈層配置在具有立體面之前述支撐體。
12. 一種構造體的製造方法，係具備：在以支撐體所構成之面上配置塗佈層之步驟，該塗佈層係含有含氧化銅之微粒及含磷有機物；以及將光線選擇性地照射在前述塗佈層以將前述氧化銅還原成銅，而得到前述支撐體、以及在以前述支撐體所構成之面上由含有前述氧化銅及磷之絕緣區域與含有前述銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層之步驟；其中，以前述含氧化銅之微粒的全體積作為100體積份時，前述含磷有機物的含量為5體積份以上900體積份以下。
13. 一種構造體的製造方法，係具備：在以支撐體所構成之面上配置塗佈層之步驟，該塗佈層係含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物；以及將光線選擇性地照射在前述塗佈層以將前述氧化 銅還原成銅，而得到前述支撐體、以及在以前述支撐體所構成之面上由含有前述氧化銅及磷及前述肼或肼水合物之絕緣區域與含有前述銅之導電性圖案區域相互鄰接地配置而成之層之步驟。
14. 如申請專利範圍第12或13項所述之構造體的製造方法，更具備：以被覆前述塗佈層之方式配置第一樹脂層之步驟。
15. 如申請專利範圍第14項所述之構造體的製造方法，其中，前述光線係經由前述第一樹脂層或前述支撐體中之任一者而選擇性地照射在前述塗佈層。
16. 如申請專利範圍第12或13項所述之構造體的製造方法，更具備：從前述層中去除前述絕緣區域之步驟。
17. 如申請專利範圍第16項所述之構造體的製造方法，更具備：以至少被覆前述導電性圖案區域之方式配置第二樹脂層之步驟。
18. 如申請專利範圍第12或13項所述之構造體的製造方法，其中，前述光線為中心波長355nm以上532nm以下之雷射光。
19. 一種積層體的製造方法，係具備：在以支撐體所構成之面上配置塗佈層之步驟，該塗佈層係含有氧化銅及含磷有機物；以及以被覆前述塗佈層之方式配置樹脂層之步驟。
20. 一種積層體的製造方法，係具備：在以支撐體所構成之面上配置塗佈層之步驟，該塗 佈層係含有氧化銅及含磷有機物及肼或肼水合物；以及以被覆前述塗佈層之方式配置樹脂層之步驟。

Images