KR20230147611A - 표면 처리 방법, 표면 처리제, 결합체의 제조 방법,도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법, 도막이 형성된 물질의 제조 방법, 도체 피복 수지 기재의 제조 방법, 도파관의 제조 방법, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법 및 화합물 - Google Patents
표면 처리 방법, 표면 처리제, 결합체의 제조 방법,도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법, 도막이 형성된 물질의 제조 방법, 도체 피복 수지 기재의 제조 방법, 도파관의 제조 방법, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법 및 화합물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230147611A KR20230147611A KR1020237027226A KR20237027226A KR20230147611A KR 20230147611 A KR20230147611 A KR 20230147611A KR 1020237027226 A KR1020237027226 A KR 1020237027226A KR 20237027226 A KR20237027226 A KR 20237027226A KR 20230147611 A KR20230147611 A KR 20230147611A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- compound
- resin substrate
- treatment
- surface treatment
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 484
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 372
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 325
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 283
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 283
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 201
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 196
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 194
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 160
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 96
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 title claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 87
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims abstract description 72
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 26
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical group C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 301
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 212
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 94
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 81
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 74
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 69
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 55
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 52
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 48
- 238000006115 defluorination reaction Methods 0.000 claims description 42
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 36
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 35
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 22
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 16
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 13
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 5
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 86
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 62
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 47
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 46
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 41
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 34
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 32
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 32
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 30
- 239000002585 base Substances 0.000 description 25
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 21
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 20
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 20
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 16
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 13
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 12
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 6
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 6
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 6
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KCZIUKYAJJEIQG-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazin-2-amine Chemical compound NC1=NC=NC=N1 KCZIUKYAJJEIQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 5
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 5
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 5
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- RWLDCNACDPTRMY-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCC[Si](OCC)(OCC)OCC RWLDCNACDPTRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-3-pentanone Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)C HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNDRWEVUODOUDW-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy-3-methylbutan-2-one Chemical compound CC(=O)C(C)(C)O BNDRWEVUODOUDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IFNMGSQDRVLSIF-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OCC)(CCCN)OCC IFNMGSQDRVLSIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000122235 Junco hyemalis Species 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- WVJRCSCNOMJNLP-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-5-trimethoxysilylpentyl) 4-hydroxybenzoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCC(O)COC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 WVJRCSCNOMJNLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydrotriazine Chemical compound C1NNNC=C1 FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQCZPFJGIXHZMB-UHFFFAOYSA-N 1-tert-Butoxy-2-propanol Chemical compound CC(O)COC(C)(C)C GQCZPFJGIXHZMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHNLTPNNRFETEC-UHFFFAOYSA-N 2-(3-trimethoxysilylpropyl)butanedioic acid Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCC(C(O)=O)CC(O)=O AHNLTPNNRFETEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082584 3-(triethoxysilyl)propylamine Drugs 0.000 description 1
- FSRHFTKAMSLMBK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]propyl-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1(CC)COC1 FSRHFTKAMSLMBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRBPLFDXISTAAG-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(dimethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(CCCN)OC ZRBPLFDXISTAAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGVXRMIPDLFTHE-UHFFFAOYSA-N 3h-dithiole;triazine Chemical group C1SSC=C1.C1=CN=NN=C1 AGVXRMIPDLFTHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYFSNTFLFWUGGL-UHFFFAOYSA-N 4-(1-trimethoxysilylethyl)phenol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C1=CC=C(O)C=C1 UYFSNTFLFWUGGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXKJURMSOICRCK-UHFFFAOYSA-N 4-(2-trimethoxysilylethyl)phenol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=C(O)C=C1 XXKJURMSOICRCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLLSOEKIMZEGFV-UHFFFAOYSA-N 4-(dibutylsulfamoyl)benzoic acid Chemical compound CCCCN(CCCC)S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 HLLSOEKIMZEGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVSRECWZBBJOTG-UHFFFAOYSA-N 4-Hydroxy-3-methyl-2-butanone Chemical compound OCC(C)C(C)=O VVSRECWZBBJOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXVDVJQTXFTVMP-UHFFFAOYSA-N 4-methoxypentan-2-ol Chemical compound COC(C)CC(C)O GXVDVJQTXFTVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- HLRIPFBLDKQDJL-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylphenol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(O)C=C1 HLRIPFBLDKQDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSHPTIGHEWEXRW-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxypentan-2-one Chemical compound CC(=O)CCCO JSHPTIGHEWEXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGPOFYDINWKXHF-UHFFFAOYSA-N 6-(3-triethoxysilylpropylamino)-1h-1,3,5-triazine-2,4-dithione Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=NC(S)=NC(S)=N1 GGPOFYDINWKXHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000033962 Fontaine progeroid syndrome Diseases 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 241000490025 Schefflera digitata Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- VDHPVAHNQVXRMT-UHFFFAOYSA-N [N+](=[N-])=CC=1C(=CC=CC=1)C(=O)O Chemical compound [N+](=[N-])=CC=1C(=CC=CC=1)C(=O)O VDHPVAHNQVXRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- ODTWJXLEAFNUPT-UHFFFAOYSA-N aniline;azide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].NC1=CC=CC=C1 ODTWJXLEAFNUPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- KYUPSVGBEVZEGT-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;azide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].OC(=O)C1=CC=CC=C1 KYUPSVGBEVZEGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical group OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- HHBOIIOOTUCYQD-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)CCCOCC1CO1 HHBOIIOOTUCYQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015250 liver sausages Nutrition 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid group Chemical group C(\C=C/C(=O)O)(=O)O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 235000019988 mead Nutrition 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)C MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- URXNVXOMQQCBHS-UHFFFAOYSA-N naphthalene;sodium Chemical compound [Na].C1=CC=CC2=CC=CC=C21 URXNVXOMQQCBHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- UXGJIYZFPDSEBM-UHFFFAOYSA-N phenol;azide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].OC1=CC=CC=C1 UXGJIYZFPDSEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIHPVQDFBJMUAO-UHFFFAOYSA-N tributoxy(ethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CC)(OCCCC)OCCCC GIHPVQDFBJMUAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOVWGKNFLVZRDU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(trifluoromethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(F)(F)F BOVWGKNFLVZRDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMLUOSQYHLFCT-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1(CC)COC1 GAMLUOSQYHLFCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSOVVFMGSCDMIF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(naphthalen-1-yl)silane Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OC)(OC)OC)=CC=CC2=C1 ZSOVVFMGSCDMIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIYLRQVVOHZHNA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(naphthalen-2-yl)silane Chemical compound C1=CC=CC2=CC([Si](OC)(OC)OC)=CC=C21 DIYLRQVVOHZHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZESWBFKRPIRQCD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(4-methoxyphenyl)silane Chemical compound COC1=CC=C([Si](OC)(OC)OC)C=C1 ZESWBFKRPIRQCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/18—Materials not provided for elsewhere for application to surfaces to minimize adherence of ice, mist or water thereto; Thawing or antifreeze materials for application to surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Materials Applied To Surfaces To Minimize Adherence Of Mist Or Water (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
본 발명의 일 형태는, 2개의 물질의 결합체를 계면 분자 결합에 의해 형성하는 것을 목적으로 하여, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 구비하는 표면 처리 방법이며, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 벤젠환과, 알콕시실릴기와, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2이다.
Description
본 발명은 표면 처리 방법, 표면 처리제, 결합체의 제조 방법, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법, 도막이 형성된 물질의 제조 방법, 도체 피복 수지 기재의 제조 방법, 도파관의 제조 방법, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법 및 화합물에 관한 것이다.
2종 이상의 관능기를 갖는 화합물은, 각각의 관능기의 특성을 이용하여 화학 결합을 형성할 수 있는 것으로부터, 2개의 물질의 계면에 개재시켜서 화학 결합에 의해 양쪽 물질을 결합하는 계면 분자 결합(IMB; Interface molecular bonding)을 위한 계면 분자 결합제로서 유용하다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 폴리머를 포함하는 물질 A와 물질 B를 접합하는 방법이며, 물질 A의 표면에 특정한 계면 분자 결합제를 배치하는 공정과, 물질 A의 당해 표면에 자외선을 조사하는 공정과, 물질 A의 당해 표면에 대향하여 물질 B를 배치하는 공정과, 물질 A 및 물질 B에 힘을 가하여, 물질 A와 물질 B를 접합하는 공정을 갖는 접합 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 계면 분자 결합제는, 2,4-디아지드-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진(이하, 「IMB-P」라고 칭한다) 등, 1분자 내에 아지드기와, 알콕시실릴기와, 트리아진환을 갖는 화합물이다.
또한, 특허문헌 2에는, 금속막의 형성 방법이며, 폴리머를 포함하는 물질의 표면에 특정한 계면 분자 결합제가 마련되는 공정과, 당해 물질의 당해 표면에, 습식 도금의 방법에 의해, 금속막이 마련되는 공정을 구비하는 금속막의 형성 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 2에 개시된 계면 분자 결합제는, 상기 특허문헌 1에 개시된 것과 마찬가지이다.
또한, 특허문헌 3에는, 수지나 금속박과 접합하는 등의 목적으로, 물질의 표면에 특정한 계면 분자 결합제가 마련되는 표면 처리 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 3에 개시된 계면 분자 결합제는, 6-((3-트리에톡시실릴)프로필아미노)-2,4-비스((2-아미노)에틸아미노)-1,3,5-트리아진(이하, 「IMB-A」라고 칭한다) 등, 1분자 내에 아미노기와, 알콕시실릴기와, 트리아진환을 갖는 화합물이다.
특허문헌 4에는, 열가소성 수지층의 편면에 특정한 계면 분자 결합제를 배치한 접합용 적층체가 개시되어 있고, 당해 계면 분자 결합제는, 아지드기와, 가수 분해 반응에 의해 실라놀기를 생성시키는 기를 갖는 일반적인 화합물인 것이 기재되어 있다.
또한, 불소계 수지는, 저마찰, 고내열, 저유전율, 저유전 손실 등의 우수한 특성을 갖고 있어, 일렉트로닉스나 바이오·의료 등 여러 분야에서의 응용이 기대되고 있다. 불소계 수지는 다른 재료와 복합화하여 사용하는 경우도 많지만, 표면 에너지가 낮아, 화학적으로 안정적이기 때문에, 금속 등 기타의 재료와의 접착성이 낮다. 불소계 수지의 성능을 최대한으로 끌어내기 위해서는, 사용 목적에 적합한 계면 결합 기술의 개발이 불가결이 된다.
종래, 불소계 수지에 금속을 접착한 접착체의 형성 시에는, 수지 표면을, 방전 처리, 자외 레이저 조사, 플라스마 처리, 또는 금속 나트륨을 사용한 화학적 에칭 처리 등의 하드 에칭의 방법으로 조면화하고, 앵커 효과에 의해 접착 강도를 확보하는 방법이 채용되고 있다. 그러나, 해당 접착체를, 프린트 배선 기판이나 도파관 등의 전자 회로 부품에 사용하는 경우에는, 계면이 조면화되면 고주파 영역에 있어서의 전송 손실이 커지는 결점이 있고, 또한, 회로 배선의 폭을 계면의 요철 파장(공간적 주기)보다 좁게 할 수 없다고 하는 난점도 있다.
특허문헌 5에는, 불소계 수지의 일종인 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)제의 수지 기판을 금속 나트륨-나프탈렌 착체 함유 용액에 침지하는 탈불소화 처리를 행하고, 이어서, 탈불소화 처리된 해당 수지 기판의 표면에 산소 플라스마 처리를 행하고, 또한, 무전해 도금 등의 방법으로 해당 수지 기판의 표면이 금속막을 포함하는 배선을 형성하는 프린트 배선 기판의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 6에는, 도체를 피복하는 불소계 수지를 포함하는 절연 수지층의 외주에, 금속 도금층을 실드층으로서 배치한 실드 전선에 있어서, 알콕시기와 트리아진디티올기를 갖는 계면 분자 결합제를, 금속 도금층과 절연 수지층 사이에서 양자에 화학 결합한 접착층으로서 개재시키는 기술이 개시되어 있어, 해당 절연 수지층의 표면에 OH기를 생성시키기 위하여 탈불소화 처리의 일종인 테트라 에치 처리를 실시하고, 해당 생성한 OH기와 계면 분자 결합제의 알콕시기를 반응시키고, 해당 반응 후의 계면 분자 결합제의 티올기와 무전해 도금의 도금 촉매를 이온 결합시키는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1, 2에 기재된 IMB-P에는, 광화학 반응을 이용한 표면 처리 시에 수지 등의 물질을 열화시키는 단파장의 자외선을 조사할 필요가 있다. 또한, IMB-P는, 물에 난용이기 때문에 에탄올 등의 가연성 용제를 사용할 필요도 있다. 특허문헌 3에 기재된 IMB-A는, 물에 이용(易溶)이며, 일반적으로, 접합 용도에 적합하지만, 도금 용도에 부적합하다. 또한, 특허문헌 4에 있어서는, 실시예에 있어서 구체적으로 검토되고 있는 계면 분자 결합제는 IMB-P에 한정되어 있기 때문에, 특허문헌 4에 기재된 일반적인 계면 분자 결합제의 수용성이나, 수지·금속·유리·세라믹 등의 각종 물질과의 상성, 접합·도금·도포 등의 각 용도에서의 방향 부적합, 광반응 특성 등에 대해서는 완전히 불분명하다. 이러한 것으로부터, 2개의 물질의 결합체의 형성에 적합한 새로운 계면 분자 결합제, 이러한 계면 분자 결합제를 사용한 표면 처리 방법, 결합체의 제조 방법 등이 요구되고 있다.
또한, 특허문헌 5에 기재된 제조 방법은, 나트륨 용액을 사용한 화학적 에칭이라고 하는 소프트 에칭의 방법을 채용하고 있기 때문에, 수지 표면의 조면화의 정도는 적고, 따라서 전송 손실에 대한 악영향은 작지만, 충분한 접착 강도를 확보할 수 없다는 난점이 있다. 특허문헌 6에 기재된 기술에서는, 절연 수지층으로부터 금속 도금층을 박리할 때의 필 강도가 0.3N/㎝로 작아, 설치 시나 사용 시에 외력에 의한 부하가 상정되는 플렉시블한 전송관에 요구되는 충분한 접착 강도를 확보할 수 없다. 고주파 일렉트로닉스에의 응용에 있어서는, 수지 표면의 조면화의 정도(에칭의 정도)가 작더라도(이상적으로는 수지층과 금속층의 계면이 평탄면이더라도), 양자 간에 충분한 접착 강도를 확보할 수 있는 계면 결합의 기술이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 자외선의 조사에 의해, 또는 자외선 조사 없이 저온의 가열 처리만에 의해, 표면 처리 및 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응이 진행하는 새로운 화합물을 제공하는 것이다. 본 발명의 더한층의 목적은, 상술한 바와 같은 화합물의 용액인 표면 처리제, 및 이러한 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 더한층의 목적은, 결합체의 제조 방법, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법 및 도막이 형성된 물질의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재의 표면에 도체 피복을 형성함에 있어서, 수지 기재와 도체 피복 간의 접착 강도를 높일 수 있는, 표면 처리 방법, 그리고 이러한 표면 처리 방법을 사용한 도체 피복 수지 기재, 도파관 및 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태는, 2개의 물질의 결합체를 계면 분자 결합에 의해 형성하는 것을 목적으로 하여, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 구비하는 표면 처리 방법이며, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 벤젠환과, 알콕시실릴기와, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2인 표면 처리 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 표면 처리 방법에 사용되는 표면 처리제이며, 상기 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액인 표면 처리제이다.
본 발명의 다른 형태는, 물질 A와 물질 B를 결합시켜서 결합체를 제조하는 방법이며, 상기 표면 처리 방법에 의해, 물질 A의 표면, 또는 양쪽 물질의 표면에 처리를 행하는 공정과, 물질 A의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에 대향하여, 물질 B의 상기 처리가 행해진 표면 또는 물질 B의 표면을 배치하는 공정과, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정을 구비하는 결합체의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 표면 처리 방법에 의해, 물질의 표면에 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정과, 무전해 도금, 증착, 스퍼터링 또는 도포의 방법에 의해, 상기 물질의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에 도체 피복을 마련하는 공정을 구비하는, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 표면 처리 방법에 의해, 물질의 표면에 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정과, 상기 물질의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에, 도막을 형성하는 공정을 구비하는, 도막이 형성된 물질의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재를 알칼리 금속 용액에 침지하여 탈불소화 처리를 행하는 공정과, 상기 탈불소화 처리를 행하는 공정 후, 상기 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정을 구비하고, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와, 화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 탈불소화 처리가 실시된 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정을 구비하고, 상기 화합물 α는 1분자 내에, 화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와, 화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 어느 수지 기재의 표면 처리 방법에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 무전해 도금, 증착 또는 스퍼터링의 방법에 의해, 상기 표면에 상기 도체의 피복을 형성하는 공정을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 어느 수지 기재의 표면 처리 방법에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 상기 표면에 상기 도체를 포함하는 재료를 접촉시켜서 배치하고, 가압 및 가열함으로써 상기 표면에 상기 재료를 접합하여 도체 피복을 형성하는 공정을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 상기 어느 수지 기재의 표면 처리 방법에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 상기 표면에 상기 도체의 도전 페이스트를 도포하고, 가열함으로써 상기 표면에 도체 피복을 형성하는 공정을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 통 형상 또는 기둥상의 수지 기재의 표면에 도체 피복이 형성되어 이루어지는 도파관의 제조 방법이며, 상기 어느 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는 도파관의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 수지 기재의 표면에 도체 피복에 의해 회로 패턴이 형성되어 이루어지는, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법이며, 상기 어느 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 형태는, 하기 식 (1) 혹은 (2)로 표시되는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 가수 분해 축합물 α2인 화합물이다.
식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이다. 복수의 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X1은, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. Y1은, 단결합, 에스테르기, 에테르기, 티오에테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레아기, -NHR3-로 표시되는 기, 또는 하기 식 (3a) 혹은 (3b)로 표시되는 기이다. R3은, 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. Z1은, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다. m은, 1 내지 3의 정수이다. R1, X1, Y1 및 Z1이, 각각 복수인 경우, 이들은 각각 독립적으로 상기 정의를 충족한다. 단, 1개 또는 복수의 R1의 적어도 하나는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다.
식 (2) 중, 복수의 R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이며, 복수의 R4, R5 및 R6 중 적어도 1개는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다. 복수의 R7은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X2는, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. 복수의 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다.
식 (3a) 중, R8은, 수소 원자 또는 메틸기이다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 자외선의 조사에 의해, 또는 자외선 조사 없이 저온의 가열 처리만에 의해, 표면 처리 및 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응이 진행하는 새로운 화합물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 형태에 의하면, 상술한 바와 같은 화합물의 용액인 표면 처리제, 및 이러한 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 다른 형태에 의하면, 결합체의 제조 방법, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법 및 도막이 형성된 물질의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 일 형태에 의하면, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재의 표면에 도체 피복을 형성함에 있어서, 수지 기재와 도체 피복 간의 접착 강도를 높일 수 있는, 수지 기재의 표면 처리 방법, 그리고 이러한 수지 기재의 표면 처리 방법을 사용한 도체 피복 수지 기재, 도파관 및 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 무전해 도금 처리를 사용하는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 전체 흐름도이다.
도 2는, 도 1에 있어서의 전처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 3은, 도 1에 있어서의 후처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 4는, 도 1에 있어서의 무전해 도금 처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 5a는, 열압착 처리를 사용하는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 전체 흐름도이다.
도 5b는, 도막 형성 처리를 사용하는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 전체 흐름도이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 제조 방법에 의해 제조되는 여러 가지 결합체의 구조의 설명도이다.
도 7의 (A) 내지 도 7의 (C)는 각각 본 발명의 실시 형태에 의해 제조되는 도파관의 단면도이다.
도 8의 (A) 내지 도 8의 (E) 및 도 8의 (E')는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다.
도 9의 (A) 내지 도 9의 (D) 및 도 9의 (D')는 본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다.
도 2는, 도 1에 있어서의 전처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 3은, 도 1에 있어서의 후처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 4는, 도 1에 있어서의 무전해 도금 처리 공정의 상세 흐름도이다.
도 5a는, 열압착 처리를 사용하는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 전체 흐름도이다.
도 5b는, 도막 형성 처리를 사용하는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 전체 흐름도이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 제조 방법에 의해 제조되는 여러 가지 결합체의 구조의 설명도이다.
도 7의 (A) 내지 도 7의 (C)는 각각 본 발명의 실시 형태에 의해 제조되는 도파관의 단면도이다.
도 8의 (A) 내지 도 8의 (E) 및 도 8의 (E')는 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다.
도 9의 (A) 내지 도 9의 (D) 및 도 9의 (D')는 본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하에 기재된 실시 형태에만 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에 있어서 실시되는 각종 변형예도 포함하는 것으로서 이해되어야 한다.
<표면 처리 방법 (A)>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)는 2개의 물질의 결합체를 계면 분자 결합에 의해 형성하는 것을 목적으로 하여, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 구비하는 표면 처리 방법이며, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 벤젠환과, 알콕시실릴기와, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2인 표면 처리 방법이다. 상기 계면 분자 결합은, 2개의 물질의 계면에, 어떤 화합물을 개재시켜, 화학 반응에 의해 각 물질과 상기 화합물을 각각 화학 결합시켜서 상기 2개의 물질을 결합시키는 것, 또는 그 결과 발생하는 결합을 의미한다.
당해 표면 처리 방법 (A)에 의하면, 자외선의 조사에 의해, 또는 자외선 조사 없이 저온의 가열 처리만에 의해 계면 분자 결합이 가능한 표면 처리를 행할 수 있다.
(화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정)
본 공정에 있어서는, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련한다. 본 공정은, 적어도 한쪽의 물질의 표면에 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정(담지 처리 공정)이어도 된다. 물질에 화합물 α를 포함하는 용액을 「도포한다」란, 물질의 표면에 화합물 α를 포함하는 용액을 「부착시키는」 또는 「접촉 상태로 존재시키는」 것을 의미하고, 브러시 도포뿐만 아니라, 적하, 스프레이, 스핀 코팅, 롤, 잉크젯 등의 인쇄, 침지 등의 방법에 의해 「부착시키는」 또는 「접촉 상태로 존재시키는」 것을 포함한다. 또한, 「도포」 후에, 화합물 α가 존재하는 물질의 표면을 건조시키는 공정 등을 추가해도 된다.
(물질)
당해 표면 처리 방법 (A)에 제공되는 2개의 물질은, 동일한 재료를 포함하는 것이어도 되고, 다른 재료를 포함하는 것이어도 된다. 각 물질은, 복수의 재료로 구성되는 것이어도 된다. 각 물질은, 도막 등이 표면에 형성된 것이어도 된다. 각 물질은, 복수의 재료를 포함하는 물체의 일부여도 된다. 각 물질을 구성하는 재료로서는, 예를 들어, 도금 하지, 수지재, 금속 등의 도체, 엘라스토머, 유리, 세라믹 등을 들 수 있다.
도금 하지로서는, 예를 들어, Pd 촉매 등을 들 수 있다.
수지재로서는, 예를 들어, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로서는, 예를 들어, 범용 수지, 엔지니어링 수지, 슈퍼 엔지니어링 수지 등을 들 수 있다. 범용 수지로서는, 예를 들어, 폴리염화비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌(ABS), 아크릴로니트릴·스티렌(AS), 폴리메틸메타아크릴(PMMA), 폴리비닐알코홀(PVA), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 시클로올레핀 폴리머(COP) 등을 들 수 있다. 엔지니어링 수지로서는, 예를 들어, 폴리아미드(PA), 폴리아세탈(POM), 폴리카르보네이트(PC), 폴리페닐렌에테르(PPE(변성 PPO)), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 초고분자량 폴리에틸렌(U-PE), 폴리불화비닐리덴(PVDF) 등을 들 수 있다. 슈퍼 엔지니어링 수지로서는, 예를 들어, 폴리술폰(PSU), 폴리에테르술폰(PES), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 액정 폴리머(LCP), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 들 수 있다.
열경화성 수지로서는, 페놀 수지(PF), 에폭시 수지(EP), 멜라민 수지(MF), 요소 수지(우레아 수지, UF), 불포화 폴리에스테르 수지(UP), 알키드 수지, 폴리우레탄(PUR), 열경화성 폴리이미드(PI)를 들 수 있다. 또한, 열경화성 수지의 상품 형태로서는, 예를 들어, 폴리이미드(PI) 등의 C 스테이지(경화) 시트나, 빌드 업 시트, 프리프레그, 다이 본드 시트, ACF(이방성 도전 시트) 등의 B 스테이지(미경화) 시트나, 도전성 또는 절연성의, 컴파운드, 페이스트 또는 잉크 등의 A 스테이지 재료 등을 들 수 있다.
도체로서는, 예를 들어, 구리, 은, 금, 니켈, 알루미늄, 실리콘 등의 금속 이외에, 그래파이트, CNT(카본 나노튜브), CNF(카본 나노파이버) 등을 들 수 있다.
엘라스토머로서는, 예를 들어, 천연 고무, 합성 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 불소 고무 등을 들 수 있다.
유리로서는, 예를 들어, 일반 소다 유리(백판 유리 등), 붕규산유리, 납유리, 플린트계 유리, 광학 유리, 석영 유리 등을 들 수 있다.
세라믹으로서는, 예를 들어, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 질화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 포르스테라이트, 스테아타이트, 근청석, 사이알론, 티타늄산바륨, 티타늄산지르콘산납, 페라이트, 멀라이트, 마이카 등을 들 수 있다.
2개의 물질의 형상으로서는 특별히 한정되지 않지만, 화합물 α가 표면에 마련되는 물질(1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포하는 물질; 표면 처리를 행하는 물질)은 비입자상의 기재인 것이 바람직하다. 입자란, 예를 들어 체적이 1㎣ 미만의 고체이다. 즉, 화합물 α가 표면에 마련되는 물질의 체적은, 1㎣ 이상이 바람직하고, 1㎤ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 화합물 α가 표면에 마련되는 물질에 있어서는, 분리 가능한 하나의 물질의 표면적이 1㎟ 이상인 것이 바람직하고, 1㎠ 이상인 것이 보다 바람직하다. 화합물 α가 표면에 마련되는 물질의 구체적 형상으로서는, 예를 들어, 판상, 시트상, 막상, 관상, 기둥상, 사상(絲狀) , 부정형의 괴상, 기타 소정 형상으로 성형된 임의의 형상 등을 들 수 있다. 이 양과 비교적 큰 사이즈의 물질에 대하여 표면 처리를 행함으로써, 2개의 물질의 결합체를 효율적으로 얻는 것 등이 가능하다.
(화합물 α)
화합물 α는, 1분자 내에, 벤젠환과, 알콕시실릴기와, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2이다. 화합물 α는, 2종 이상을 사용할 수 있고, 화합물 α1과 화합물 α2를 조합하여 사용할 수도 있다.
알콕시실릴기란, 규소 원자에 알콕시기(옥시탄화수소기)가 결합한 기를 말한다. 알콕시기란, 산소 원자에 탄화수소기가 결합한 기를 말하며, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 비닐옥시기, 페녹시기, 벤질옥시기 등을 들 수 있다. 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기의 수는, 1, 2 또는 3이면 되고, 3이 바람직하다. 알콕시실릴기에 있어서는, 규소 원자에 알콕시기 이외의 기가 결합하고 있어도 되고, 이러한 기로서는, 알킬기, 페닐기, 히드록시기, 수소 원자 등을 들 수 있다. 알콕시기로서는, 탄소수 1 내지 3의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기 및 프로폭시기가 보다 바람직하다. 알콕시실릴기의 예로서는, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 트리벤질옥시실릴기 등을 들 수 있다.
화합물 α가 갖는 알콕시실릴기는, 화학 반응에 의해, 주로, 금속 등의 무기물 M과 「-Si-O-M-타입」의 화학 결합을 형성할 수 있다. 또한, 화합물 α가 갖는 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기는, 화학 반응에 의해, 주로, 수지 등의 유기물과 「-N-C-타입」 등의 화학 결합을 형성할 수 있다. 여기서 화학 결합이란, 공유 결합, 이온 결합, 분자간력에 의한 결합 등을 의미하고, 바람직하게는 공유 결합 또는 이온 결합을 의미한다. 따라서, 물질이 유기물이든 무기물이든, 도포에 의해 물질의 표면에 화합물 α가 마련되면, 가열 처리 또는 자외선 조사 처리에 의해 상기 화학 반응이 일어나면, 화합물 α는 당해 물질과 견고하게 화학 결합하여, 당해 물질의 표면에 담지되게 된다. 그리고, 화합물 α에는, 통상적으로, 당해 물질과 아직 화학 결합을 형성하고 있지 않은 알콕시실릴기, 또는 아지드기, 아지드술포닐기 혹은 디아조메틸기가 존재하기 때문에, 당해 물질의 표면은, 다른 물질과 견고한 화학 결합을 형성하기에 적합한 상태로 된다.
화합물 α는, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기가, 벤젠환에 직접 결합하고 있는 화합물인 것이 바람직하다. 아지드기 등이 벤젠환에 직접 결합하고 있는 경우, 그렇지 않은 경우에 비하여, 자외선 조사 처리 또는 가열 처리에 의해, 아지드기 등으로부터 질소 분자(N2)가 탈리하는 반응의 반응 속도가 커진다. 또한, 벤젠환에 직접 결합한 아지드기 등은, 예를 들어 화합물 IMB-P와 같이 트리아진환에 직접 결합한 아지드기 등과 비교하여, 장파장의 자외선으로도 광분해 반응의 반응 속도가 충분히 크다고 하는 특징을 갖는다. 즉, 트리아진환의 경우에는, 광분해 반응의 반응 속도는, 단파장 자외선의 특정한 파장을 중심으로 하는 어떤 파장 폭의 피크를 갖는 데 반해, 벤젠환의 경우에는, 광분해 반응의 반응 속도는, 보다 파장이 긴 자외선의 특정한 파장을 중심으로 하는 동일 정도의 파장 폭의 피크를 갖는다. 따라서, 벤젠환에 아지드기 등이 직접 결합한 화합물 α를 사용함으로써 표면 처리하는 물질(예를 들어 불소계 수지 등)을 그다지 열화시키지 않는 장파장의 자외선을 조사하더라도, 효율적으로 표면 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.
(화합물 α1)
화합물 α1은, 하기 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이다. 복수의 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X1은, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. Y1은, 단결합, 에스테르기, 에테르기, 티오에테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레아기, -NHR3-로 표시되는 기, 또는 하기 식 (3a) 혹은 (3b)로 표시되는 기이다. R3은, 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. Z1은, 단결합, 메틸렌기(메탄디일기; -CH2-), 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기(탄소수 2 내지 12의 알칸디일기), 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다. m은, 1 내지 3의 정수이다. R1, X1, Y1 및 Z1이, 각각 복수인 경우, 이들은 각각 독립적으로 상기 정의를 충족한다. 단, 1개 또는 복수의 R1의 적어도 하나는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다.
식 (2) 중, 복수의 R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이며, 복수의 R4, R5 및 R6 중 적어도 1개는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다. 복수의 R7은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X2는, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. 복수의 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 메틸렌기(메탄디일기; -CH2-), 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기(탄소수 2 내지 12의 알칸디일기), 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다.
식 (3a) 중, R8은, 수소 원자 또는 메틸기이다.
R1, R4, R5 및 R6으로 표시되는 탄소수 1 내지 12의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 옥틸기 등을 들 수 있다.
R1, R4, R5 및 R6으로 표시되는 탄소수 1 내지 12의 알콕시기로서는, 상기한 알콕시기 등을 들 수 있다.
R2 및 R7로 표시되는 할로겐으로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등을 들 수 있다.
R2 및 R7로 표시되는 1가의 유기기로서는, 1가의 탄화수소기, 알콕시기, -Y1-Z1-Si-R1 3(Y1, Z1 및 R1은, 식 (1) 중의 Y1, Z1 및 R1과 각각 동의이다.)으로 표시되는 기, -COO-N-(-Z2-SiR4R5R6)2(Z2, R4, R5 및 R6은, 식 (2) 중의 Z2, R4, R5 및 R6과 각각 동의이다.), 후술하는 식 (14)로 표시되는 기 등을 들 수 있다.
R3으로 표시되는 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다.
식 (1)로 표시되는 화합물의 적합한 형태는 이하와 같다.
R1로서는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 3의 알콕시기가 더욱 바람직하다.
R2로서는, 수소 원자가 바람직하다.
X1로서는, 아지드기 및 아지드술포닐기가 바람직하다. X1은, Y1 등을 포함하는 기에 대하여 파라 위치 또는 메타 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.
Y1로서는, 아미드기가 바람직하고, *-CONH-(*은, 벤젠환과의 결합 부위를 나타낸다.)로 표시되는 아미드기가 보다 바람직하다.
Z1로서는, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기가 보다 바람직하다.
m은, 3이 바람직하다.
식 (2)로 표시되는 화합물의 적합한 형태는 이하와 같다.
R4, R5 및 R6으로서는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 3의 알콕시기가 더욱 바람직하다.
R7로서는, 수소 원자가 바람직하다.
X2로서는, 아지드기 및 아지드술포닐기가 바람직하다. X2는, -COO-N-(-Z2-SiR4R5R6)2로 표시되는 기에 대하여 파라 위치 또는 메타 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.
Z2로서는, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기가 보다 바람직하다.
화합물 α1은, 하기 식 (11), (12) 또는 (13)으로 표시되는 화합물(이하, 일반적으로 「IMB-K」라고 칭한다.)인 것도 바람직하다.
식 (11) 내지 (14) 중, X10, X11 및 X12는, 각각 독립적으로, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기이다. E11 및 E12는, 각각 독립적으로, >C=O, 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기이다. Y11, Y12, Y13 및 Y14는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 또는 -J13-Si(OA10)3-k(R10)k로 표시되는 기이다. J11, J12 및 J13은, 각각 독립적으로, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기 탄소-탄소 결합 사이에 산소 원자(-O-)를 포함하는 기이다. Y15는, -R15 또는 -OA15로 표시되는 기이다. Y16은, -R16 또는 -OA16으로 표시되는 기이다. A10, A15 및 A16은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 벤질기 또는 수소 원자이다. R10, R15 및 R16은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 벤질기이다. k는, 0 이상 2 이하의 정수이다. Q10은, 수소 원자 또는 식 (4)로 표시되는 유기기이다. 식 (11) 및 (12)에 있어서, Y11과 Y12의 적어도 한쪽은, 산소 원자를 포함한다. 식 (13)에 있어서, Y15와 Y16의 적어도 한쪽은 산소 원자를 포함한다. 식 (13)에 있어서, 벤젠환에 결합하고 있는 기 X11 및 X12는, 각각 독립적으로, 파라 위치 또는 메타 위치에 결합하고 있다.
(화합물 α1의 합성 방법)
화합물 α1의 합성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알콕시실릴기와, 알콕시실릴기 이외의 반응성기 a를 갖는 실란 커플링제 A와, 상기 반응성기 a와 결합 반응 가능한 반응성기 b와, 벤젠환과, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 B를 공지된 방법에 의해 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 반응성기 a와 반응성기 b의 조합으로서는, 이소시아네이트기, 에폭시기, 아미노기 등과, 카르복시기의 조합 등을 들 수 있다.
실란 커플링제 A로서는, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)아민, 비스(3-아미노프로필)디에톡시실란, 비스(3-아미노프로필)디메톡시실란 등을 들 수 있다.
화합물 B로서는, 아지드벤조산, 아지드술포닐벤조산, 디아조메틸벤조산, 3-(4-아지드페닐)프로피온산, 이들 카르복실산의 염화물, 아지드아닐린, 아지드페놀 등을 들 수 있다.
(화합물 α2)
화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2는, 화합물 α1에서 유래되는 구조 단위 A를 갖는다. 화합물 α2는, 구조가 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물과 동일하면, 다른 합성 방법에 의해 얻어진 것이어도 된다. 화합물 α2는, 실세스퀴옥산 화합물인 것이 바람직하다. 화합물 α2는, 알콕시실릴기 및 히드록시실릴기의 적어도 한쪽을 갖는 것이 바람직하고, 히드록시실릴기를 갖는 것이 보다 바람직하다.
구조 단위 A로서는, 하기 식 (4)로 표시되는 구조 단위를 들 수 있다. 하기 식 (4)로 표시되는 구조 단위는, m이 3인 식 (1)로 표시되는 화합물 α1에서 유래되는 구조 단위이다.
식 (4) 중, R1, R2, X1, Y1 및 Z1은, 식 (1) 중의 R1, R2, X1, Y1 및 Z1과 각각 동의이다. a는, 0 내지 2의 정수이다.
식 (4) 중의 R1, R2, X1, Y1 및 Z1의 구체예는, 식 (1) 중의 R1, R2, X1, Y1 및 Z1의 구체예와 마찬가지이다. 식 (4) 중의 R1은, 반응성 등의 관점에서는 히드록시기 또는 알콕시기인 것이 바람직하고, 히드록시기인 것이 보다 바람직하다. a는, 1이 바람직하다.
화합물 α2에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 A의 함유량의 하한은, 10몰％가 바람직하고, 20몰％가 보다 바람직하고, 30몰％가 더욱 바람직하다. 한편, 이 함유량의 상한은, 90몰％가 바람직하고, 80몰％가 보다 바람직하고, 70몰％가 더욱 바람직하다.
화합물 α2는, 아미노기(-NH2)를 포함하는 구조 단위 B를 갖는 것이 바람직하다. 화합물 α2가 구조 단위 B를 갖는 경우, 화합물 α2의 수용성이 향상된다는 등의 이점이 있다. 구조 단위 B를 부여하는 가수 분해성 실란 화합물로서는, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
화합물 α2에 있어서의 전체 구조 단위에 대한 구조 단위 B의 함유량의 하한은, 10몰％가 바람직하고, 20몰％가 보다 바람직하고, 30몰％가 더욱 바람직하다. 한편, 이 함유량의 상한은, 90몰％가 바람직하고, 80몰％가 보다 바람직하고, 70몰％가 더욱 바람직하다.
화합물 α2는, 구조 단위 A 및 구조 단위 B 이외의 구조 단위 C를 갖고 있어도 된다. 구조 단위 C를 부여하는 가수 분해성 실란 화합물로서는, 하기 식 (C)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
식 (C) 중, Rd는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 6 내지 15의 아릴기, 또는 반응성기를 갖는 유기기이며, 복수의 Rd는 각각 동일해도 되고, 다르게 되어 있어도 된다. Re는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 아실기, 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기이며, 복수의 Re는 각각 동일해도 되고, 다르게 되어 있어도 된다. x는 0 내지 3의 정수를 나타낸다. 또한, 이들 알킬기, 알케닐기, 아릴기는 모두 비치환체 및 치환체의 어느 쪽이어도 되며, 특성에 따라서 선택할 수 있다.
Rd 및 Re로 표시되는 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-헥실기, n-데실기, 트리플루오로메틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 3-글리시독시프로필기, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸기, 〔(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시〕프로필기, 3-머캅토프로필기, 3-이소시아네이트프로필기 등을 들 수 있다. Rd로 표시되는 알케닐기의 구체예로서는, 비닐기, 3-아크릴옥시프로필기, 3-메타크릴옥시프로필기 등을 들 수 있다. Rd 및 Re로 표시되는 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 톨릴기, p-히드록시페닐기, p-메톡시페닐기, 1-(p-히드록시페닐)에틸기, 2-(p-히드록시페닐)에틸기, 4-히드록시-5-(p-히드록시페닐카르보닐옥시)펜틸기, 나프틸기 등을 들 수 있다. Re로 표시되는 아실기의 구체예로서는, 아세틸기를 들 수 있다.
식 (C)에 있어서, x=0의 경우에는 4 관능성 실란, x=1의 경우에는 3 관능성 실란, x=2의 경우에는 2 관능성 실란, x=3의 경우에는 1 관능성 실란이다.
식 (C)로 표시되는 가수 분해성 실란 화합물의 구체예로서는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라아세톡시실란, 테트라페녹시실란 등의 4 관능성 실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리n-부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리n-부톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헥실트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, p-히드록시페닐트리메톡시실란, p-메톡시페닐트리메톡시실란, 1-(p-히드록시페닐)에틸트리메톡시실란, 2-(p-히드록시페닐)에틸트리메톡시실란, 4-히드록시-5-(p-히드록시페닐카르보닐옥시)펜틸트리메톡시실란, 1-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 트리플루오로메틸트리메톡시실란, 트리플루오로메틸트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 〔(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시〕프로필트리메톡시실란, 〔(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시〕프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 등의 3 관능성 실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디아세톡시실란, 디n-부틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, (3-글리시독시프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시독시프로필)메틸디에톡시실란 등의 2 관능성 실란, 트리메틸메톡시실란, 트리n-부틸에톡시실란, (3-글리시독시프로필)디메틸메톡시실란, (3-글리시독시프로필)디메틸에톡시실란 등의 1 관능성 실란을 들 수 있다.
가수 분해성 실란 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
화합물 α2의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 GPC(겔 투과 크로마토그래피)로 측정되는 폴리스티렌 환산으로 1000 내지 100000, 더욱 바람직하게는 2000 내지 50000이다.
(화합물 α2의 합성 방법)
화합물 α2는, (i) 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻는 방법, (ii) 가수 분해성 실란 화합물의 가수 분해 축합물이며, 구조 단위 B를 갖는 화합물에 대하여 「아미노기와 결합 반응 가능한 반응성기와, 벤젠환과, 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기를 갖는 화합물 X」(아지드벤조산, 아지드술포닐벤조산, 디아조메틸벤조산 등)를 반응시켜서 얻는 방법 등을 들 수 있다. 상기 (ii)에 있어서는, 구조 단위 B 중의 아미노기가 화합물 X와 반응함으로써, 구조 단위 A가 형성된다.
화합물 α2를 얻기 위한 가수 분해 축합에는, 일반적인 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 가수 분해성 실란 화합물에 용매, 물, 필요에 따라 촉매를 첨가하고, 50 내지 150℃에서 0.5 내지 100시간 정도 가열 교반한다. 또한, 교반 중, 필요에 따라, 증류에 의해 가수 분해 부생물(메탄올 등의 알코올) 및 축합 부생물(물) 등의 증류 제거를 행해도 된다.
필요에 따라 첨가되는 촉매에 특별히 제한은 없지만, 산 촉매 및 염기 촉매가 바람직하게 사용된다. 산 촉매의 구체예로서는 염산, 질산, 황산, 불산, 인산, 아세트산, 트리플루오로아세트산, 포름산, 다가 카르복실산 혹은 그의 무수물, 이온 교환 수지 등을 들 수 있다. 염기 촉매의 구체예로서는, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 디에틸아민, 트리에탄올아민, 디에탄올아민, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아미노기를 갖는 알콕시실란, 이온 교환 수지 등을 들 수 있다. 촉매의 첨가량은, 가수 분해성 실란 화합물 100질량부에 대하여 0.01 내지 10질량부가 바람직하다.
화합물 α2를 포함하는 용액의 저장 안정성의 관점에서, 가수 분해 축합 후의 용액에는 촉매가 포함되지 않는 것이 바람직하고, 필요에 따라 촉매의 제거를 행할 수 있다. 제거 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 물 세정 및/또는 이온 교환 수지의 처리를 들 수 있다. 물 세정이란, 용액을 적당한 소수성 용제로 희석한 후, 물로 수회 세정하여 얻어진 유기층을 증발기로 농축하는 방법이다. 이온 교환 수지에 의한 처리란, 용액을 적당한 이온 교환 수지에 접촉시키는 방법이다.
가수 분해 축합의 반응에 사용하는 용매는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 알코올성 수산기를 갖는 화합물이 사용된다. 알코올성 수산기를 갖는 화합물은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 대기압 하의 비점이 110 내지 250℃인 화합물이다.
알코올성 수산기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아세톨, 3-히드록시-3-메틸-2-부타논, 4-히드록시-3-메틸-2-부타논, 5-히드록시-2-펜타논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논(디아세톤알코올), 락트산에틸, 락트산부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메틸-3-메톡시-1-부탄올 등을 들 수 있다. 또한, 이들 알코올성 수산기를 갖는 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 용매로서는, 알코올성 수산기를 갖는 화합물과 함께 기타의 용매를 사용해도 된다. 기타의 용매로서는, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-1-부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시-1-부틸아세테이트, 아세토아세트산에틸 등의 에스테르류, 메틸이소부틸케톤, 디이소프로필케톤, 디이소부틸케톤, 아세틸아세톤 등의 케톤류, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디n-부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 등의 에테르류, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, 탄산프로필렌, N-메틸피롤리돈, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논 등을 들 수 있다.
(화합물 α의 구체예)
화합물 α는, 보다 구체적으로는 하기 식 (15), (16), (17), (18a), (18b), (18c) 또는 (19)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 하기 식 (15), (16) 및 (17) 중의 Et는, 에틸기를 나타낸다.
식 (19)로 표시되는 화합물은, 식 (19) 중에 나타내진 3종류의 구조 단위가, 각각 l개, m개, n개 결합하여 구성되는 실세스퀴옥산 화합물이며, X는 아지드기이며, l은 0 이상의 임의의 정수, m은 1 이상의 임의의 정수, n은 0 이상의 임의의 정수이다. Ra, Rb 및 Rc는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 히드록시기, 알콕시기 또는 -O-이다. Rf는, 수소 원자, 히드록시기, 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 6 내지 15의 아릴기, 또는 반응성기를 갖는 유기기이며, 복수의 Rf는 각각 동일해도 되고, 다르게 되어 있어도 된다. 이들 알킬기, 알케닐기, 아릴기는 모두 비치환체 및 치환체의 어느 쪽이어도 되며, 특성에 따라서 선택할 수 있다. 식 (19)로 표시되는 화합물(「IMB-4KP」)은 예를 들어, l:m:n=1:1:0의 경우에는 수용성이다. 일반적으로, 이 화합물은, 비 l/(m+n)의 값이 0에 가까울 경우(예를 들어, 0.2 미만 또는 0.1 미만)를 제외하고 수용성이다. 즉, 비 l/(m+n)의 값의 하한은, 수용성의 관점에서, 0.2가 바람직하고, 0.5가 보다 바람직하고, 1이 더욱 바람직하다. 비 l/(m+n)의 값의 상한은, 5가 바람직하고, 2가 보다 바람직하다.
(용액: 표면 처리제)
1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액은, 소위 표면 처리제이다. 즉, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리제는, 당해 표면 처리 방법 (A)에 사용되는 표면 처리제이며, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액이다. 당해 표면 처리제(1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액)는 예를 들어, 비입자상의 기재에 대한 하지 처리를 하기 위한 하지 처리제여도 된다.
당해 용액(표면 처리제)은 용매를 포함한다. 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 셀로솔브, 카르비톨 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 헥산, 옥탄, 데칸, 도데칸, 옥타데칸 등의 지방족 탄화수소, 아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프탈산메틸 등의 에스테르, 테트라히드로푸란(THF), 에틸부틸에테르, 아니솔, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등의 에테르, 물 등을 사용할 수 있다. 또한, 가수 분해 축합에 사용되는 용매로서 예시한 용매도 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 알코올, 에테르 및 물이 바람직하다. 용매는, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
용액은, 화합물 α 및 용매 이외의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로서는, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 단, 당해 용액에 있어서의 전고형분(용매 이외의 전성분)에 대한 화합물 α의 함유량으로서는, 50질량％ 이상이 바람직하고, 70질량％ 이상이 보다 바람직하고, 90질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 당해 용액에 있어서의 전고형분에 대한 화합물 α의 함유량은 100질량％여도 된다.
당해 표면 처리제는, 도금 표면 처리제, 도금 전처리제, 난도장용 전처리제 등의 도장용 전처리제, 인서트 성형제 등에 사용할 수 있다. 또한, 당해 표면 처리제는, 반도체 패키지, 파워 모듈, 전자파 실드, 리튬 전지용 전극, 리튬 전지용 부재, 자동차 부재, 프린트 배선판, LED 모듈, 도파관, 각종 회로 기판(고속 전송 기판, 히트 싱크 회로 기판, 플렉시블 동장 적층판(FCCL), 세라믹 회로 기판, 빌드업 기판, 도전성 회로 등), 전자 기기, 금속-수지 접합재 또는 밀봉재(전자 기기, 도전성 회로, 식품, 화장품, 의약품 등의 금속-수지 접합재 또는 밀봉재) 등의 결합체를 제조하기 위한 표면 처리제로서 사용할 수 있다.
(다른 공정 등)
당해 표면 처리 방법 (A)는 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 전에, 세정 처리, 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 자외선 조사 처리, 이트로 처리 및 탈불소화 처리로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 전처리를 상기 적어도 한쪽의 물질에 대하여 행하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이러한 전처리에 의해, 결합체의 밀착성을 보다 높이는 것 등이 가능하다.
당해 표면 처리 방법 (A)는, 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 후에, 물질의 표면에 존재하는 화합물 α에 자외선을 조사하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 아지드기(-N3) 등은 자외선의 작용에 의해 분해되어 질소 분자(N2)가 이탈하고, 남겨진 N 원자 등은 활성화 상태로 되고, 물질의 표면 C 원자 등과 당해 N 원자 등은, 견고한 화학 결합을 형성한다. 따라서, 물질의 표면에 담지된 화합물 α와 당해 표면은, 자외선 조사 처리에 의해 광화학 반응을 일으켜서, 화학 결합을 형성한다. 그 때에, LED 광원 등으로부터 자외선을 조사함으로써, 당해 물질이 열화되기 어려운 자외선의 파장을 선택하여, 자외선 조사를 행할 수 있다. 화합물 α의 아지드기 등은, 자외선 조사에 대해서도 질소 분자(N2)가 이탈하는 화학 반응을 일으켜서, 물질과 견고한 화학 결합을 형성한다. 구체적으로는 230 내지 300㎚, 바람직하게는 240 내지 280㎚의 파장 영역을 포함하는 자외선 램프로 조사하는 것이 바람직하다.
당해 표면 처리 방법 (A)는 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 후에, 물질의 표면에 존재하는 화합물 α에 대한 가열 처리를 행하는 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 아지드기(-N3) 등은 가열에 의해 분해되어 질소 분자(N2)가 이탈하고, 남겨진 N 원자 등은 활성화 상태로 되고, 물질의 표면 C 원자 등과 당해 N 원자 등은, 견고한 화학 결합을 형성한다. 따라서, 물질의 표면에 담지된 화합물 α와 당해 표면은, 가열 처리에 의해 화학 반응을 일으켜서, 화학 결합을 형성한다. 가열 처리에 있어서의 열처리 온도로서는, 70℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하다. 일 실시 형태에 있어서는, 열처리 온도는 80℃ 이상 120℃ 이하, 나아가 90℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직한 경우가 있다. 또한, 자외선 조사 처리와 가열 처리를 병용해도 된다. 자외선 조사 처리와 가열 처리를 병용하는 경우, 어느 한쪽을 먼저 행해도 되고, 동시에 행해도 된다. 또한, 자외선 조사 처리와 가열 처리를, 세정 처리 등의 다른 처리와 조합하거나, 혹은, 조합하는 일 없이, 반복 적용해도 된다.
당해 표면 처리 방법 (A)는 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 전에, 화합물 β를 상기 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고, 화합물 β는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해 적어도 한쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기와, 화학 반응에 의해 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
화합물 β를 개재시킴으로써, 화합물 α가 담지된 물질의 표면에 드러나는 화합물 α의 관능기의 종류와 그의 비율을 제어하여, 표면 처리 후에 행해지는 다른 쪽의 물질의 접합, 도금 또는 성막 등에 의해 형성되는 결합체에 있어서의 밀착 강도를 높일 수 있다.
화합물 β로서는, 예를 들어, 3-(트리에톡시실릴)프로필아민 등의 아민계 지방족 실란 커플링제, IMB-A 등의 아민계 방향족 실란 커플링제, (3-아지드프로필)트리에톡시실란 등의 아지드계 지방족 실란 커플링제, IMB-P, IMB-K 등의 아지드계 방향족 실란 커플링제, 3-(트리에톡시실릴)프로판티올 등의 티올계 지방족 실란 커플링제, 6-(3-트리에톡시실릴프로필아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올모노나트륨염(이하, 「IMB-N」이라고 칭한다) 등의 티올계 방향족 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 또한, 화합물 β는, 화합물 α와 동일해도 된다.
당해 표면 처리 방법 (A)는 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정에 있어서, 화합물 α를 한쪽의 물질의 표면에 마련하고, 이 공정 후에, 화합물 β를 상기 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고, 화합물 β는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해 상기 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기와, 화학 반응에 의해 다른 쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이러한 방법에 의해서도, 화합물 β를 개재시킴으로써, 화합물 α가 담지된 물질의 표면에 드러나는 화합물 β의 관능기의 종류와 그의 비율을 제어하여, 표면 처리 후에 행해지는 다른 쪽의 물질의 접합, 도금 또는 성막에 의해 형성되는 결합체에 있어서의 밀착 강도를 높일 수 있다. 이 때 사용되는 화합물 β의 구체예로서는, 상기한 것과 마찬가지의 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 화합물 β는, 화합물 α와 동일해도 된다.
당해 표면 처리 방법 (A)는 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정에 있어서, 상기 화합물 α를 한쪽의 물질의 표면에 마련하고, 화합물 β를 다른 쪽의 물질 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고, 상기 화합물 β는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해 상기 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기와, 화학 반응에 의해 다른 쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 화합물 α를 한쪽의 물질의 표면에 마련하고, 화합물 β를 다른 쪽의 물질에 마련함으로써, 표면 처리 후에 형성되는 결합체에 있어서의 밀착 강도를 높일 수 있다. 이 때 사용되는 화합물 β의 구체예로서는, 상기한 것과 마찬가지의 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 화합물 β는, 화합물 α와 동일해도 된다.
본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법은, 도막이 형성된 물질의 도막의 표면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해, 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정을 구비한다. 이와 같이, 도막이 형성된 물질에 있어서의 도막의 표면에 대해서도, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)를 적용할 수 있다.
<결합체의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 결합체의 제조 방법은, 물질 A와 물질 B를 결합시켜서 결합체를 제조하는 방법이며, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해, 물질 A의 표면, 또는 양쪽 물질의 표면에 처리를 행하는 공정(표면 처리 공정)과, 물질 A의 화합물 α가 존재하는 표면에 대향하여, 물질 B의 상기 처리가 행해진 표면 또는 물질 B의 표면을 배치하는 공정(배치 공정)과, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정(결합 공정)을 구비한다.
당해 결합체의 제조 방법에 의하면, 양쪽 물질이 화합물 α를 통하여 견고한 화학 결합에 의해 결합된 결합체를 제조할 수 있다. 또한, 결합 공정에 있어서는, 물질 A와 물질 B의 대향 방향(물질 A와 물질 B가 밀착하는 방향)에 힘을 가한다. 다른 실시 형태에 있어서의 결합 공정에 있어서도 마찬가지이다.
당해 결합체의 제조 방법에 있어서는, 결합 공정을 40℃ 이상 350℃ 이하의 온도 하에서 행하는 것이 바람직하고, 90℃ 이상 250℃ 이하에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 온도 하에서 결합 공정을 행함으로써, 보다 견고하게 결합된 결합체를 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 결합체의 제조 방법은, 도막이 형성된 물질 A의 도막의 표면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해 처리를 행하는 공정(표면 처리 공정)과, 도막의 표면에 대향하여 물질 B의 표면을 배치하는 공정(배치 공정)과, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정(결합 공정)을 구비한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 결합체의 제조 방법은, 물질 B의 표면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해 처리를 행하는 공정(표면 처리 공정)과, 물질 B의 상기 표면에 대향하여, 도막이 형성된 물질 A의 도막의 표면을 배치하는 공정(배치 공정)과, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정(결합 공정)을 구비한다.
<도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해, 물질의 표면에 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정(표면 처리 공정)과, 무전해 도금, 증착, 스퍼터링 또는 도포의 방법에 의해, 물질의 화합물 α가 존재하는 표면에 도체 피복을 마련하는 공정(피복 형성 공정)을 구비한다.
당해 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법에 의하면, 물질과 도체 피복이, 화합물 α를 통하여 화학 결합에 의해 견고하게 결합된, 도체 피복을 갖는 물질을 제조할 수 있다. 여기서, 도포의 방법에 의해 도체 피복을 마련하는 방법의 일례로서는, 화합물 α가 존재하는 물질의 표면에, 도전 페이스트를 도포하고, 가열함으로써 도전 페이스트를 소결 및 경화시켜서, 표면에 도체 피복을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 도전 페이스트로서는, 저온 소결 타입의 은 페이스트, 은 나노 페이스트, 은 나노 잉크 등을 이용할 수 있다.
<도막이 형성된 물질의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도막이 형성된 물질의 제조 방법은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (A)에 의해, 물질의 표면에 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정(표면 처리 공정)과, 물질의 화합물 α가 존재하는 표면에, 도막을 형성하는 공정(도막 형성 공정)을 구비한다.
당해 도막이 형성된 물질의 제조 방법에 의하면, 물질과 도막이, 화합물 α를 통하여 화학 결합에 의해 견고하게 결합된, 도막이 형성된 물질을 제조할 수 있다. 여기서, 도막을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 액상 재료의 열경화에 의한 성막, 액상 재료의 자외선(UV) 경화에 의한 성막, 액상 재료의 습기 경화에 의한 성막, 액상 재료의 용매 건조에 의한 성막, 재료 혼합이 야기하는 상온 경화에 의한 성막, 액상 재료의 공기와의 접촉이 야기하는 상온 경화에 의한 성막 등을 들 수 있다.
<화합물>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 화합물은, 상기 식 (1) 혹은 (2)로 표시되는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 가수 분해 축합물 α2이다. 당해 화합물의 구체적 형태는, 상기한 바와 같다.
<표면 처리제>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리제는, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 화합물을 포함한다. 당해 표면 처리제의 구체적 형태는, 상기한 바와 같다.
<표면 처리 방법 (B)>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (B)는 불소계 수지를 포함하는 수지 기재를 알칼리 금속 용액에 침지하여 탈불소화 처리를 행하는 공정(탈불소화 처리 공정)과, 상기 탈불소화 처리 공정 후, 상기 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정(담지 처리 공정)을 구비하고, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와, 화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법이다.
당해 표면 처리 방법 (B)에 의하면, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재와 도체 피복 간의 접착 강도를 높일 수 있다. 또한, 동일 조건에서 수지 기재의 표면에 도체 피복을 형성한 경우에 있어서도, 수지 기재나 도체 피복의 재질 등에 의해, 이들 간의 접착 강도는 다르다. 따라서, 실질적으로 동일한 수지 기재 및 도체 피복에 대하여 이들 간의 접착 강도를 높이는 것을 본 발명의 과제의 하나로 한다.
당해 표면 처리 방법 (B)에 사용되는 수지 기재는, 불소계 수지를 포함한다. 불소계 수지는, 불소 원자를 포함하는 수지이다. 불소계 수지로서는, 불소 원자를 포함하는 올레핀을 중합하여 얻어지는 수지가 바람직하다. 불소계 수지의 예로서는, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), PFA(테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알콕시에틸렌 공중합체), FEP(테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, ETFE(테트라플루오로에틸렌·에틸렌 공중합체), PCTFE(폴리클로로트리플루오로에틸렌), ECTFE(클로로트리플루오로에틸렌·에틸렌 공중합체) 등을 들 수 있다. 수지 기재에 있어서의 불소계 수지의 함유량은, 50질량％ 이상이 바람직하고, 70질량％ 이상 또는 90질량％ 이상이어도 되고, 100질량％여도 된다.
또한, 수지 기재는, 불소계 수지에 추가로, 유리 클로스를 적층하거나 세라믹 필러를 함유시키거나 하여 얻어지는 복합 수지 기재여도 된다. 당해 복합 수지 기재는, 프린트 배선 기판 등에 적합하게 사용할 수 있다. 수지 기재의 형상은 특별히 한정되지 않고 판상, 통 형상, 기둥상 등이면 된다.
알칼리 금속 용액은, 알칼리 금속의 이온 또는 그의 착체를 함유하는 용액이다. 알칼리 금속 용액의 예로서는, Na-나프탈렌 착체 함유 용액, Na-액체 암모니아 용액, NaOH-물 알코올 혼합 용액 등을 들 수 있다. Na-나프탈렌 착체 함유 용액의 예로서는, 비점이 높으며 또한 금속 나트륨과 반응하지 않는 용매에 나프탈렌과 금속 나트륨을 용해시켜서 얻어지는 용액이나, 당해 용액에 THF(테트라히드로푸란)를 첨가한 용액, 쥰코샤제의 「테트라에치(상품명)」 등을 들 수 있다. 비점이 높으며 또한 금속 나트륨과 반응하지 않는 용매로서는, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸아세트아미드(DMA), 크실렌, 톨루엔 등을 들 수 있다.
탈불소화 처리는, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재를 알칼리 금속 용액에 침지시킴으로써, 통상적으로, 수지 기재의 표면 C 원자에 결합하고 있었던 F 원자가 이탈하여, 당해 C 원자가 일시적으로 전자 부족 상태로 되는 처리이다. 수지 기재를 침지욕으로부터 꺼내어, 공기에 접촉시키면, 당해 C 원자와 공기 중의 산소나 수증기가 반응하여, 수지 기재의 표면에 수산기(-OH), 카르보닐기(>C=O), 카르복실기(-COOH) 등이 형성된다. 이와 같이 하여 탈불소화 처리에 의해, 수지 기재의 표면은, 전자 부족 상태의 C 원자나 상기 관능기가 존재하는 활성화 상태로 되는 것으로 생각된다. 수지 기재의 알칼리 금속 용액에의 침지 시간으로서는, 예를 들어 1초 이상 10분 이하가 바람직하고, 5초 이상 5분 이하가 보다 바람직하다. 탈불소화 처리 공정과 담지 처리 공정 사이에는, 수지 기재의 세정을 행하는 공정(세정 공정), 수지 기재의 건조를 행하는 공정(건조 공정) 등을 마련해도 된다.
담지 처리 공정에 있어서, 화합물 α를 포함하는 용액이, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재에 도포되면, 화합물 α의 제1 관능기가 화학 반응에 의해 상기 수지 기재와 견고하게 화학 결합하여, 화합물 α가 상기 수지 기재의 표면에 화학 결합한 상태에서 배치된다.
화학 반응에 의해, 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재(통상적으로, 불소계 수지)와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기의 예로서는, 아미노기, 히드라지노기, 히드록시기, 티올기, 에폭시기, 말레산기, 카르복시기, 아지리디닐기, 아지드기, 아지드술포닐기, 디아조메틸기 및 디아지린기, 그리고, 가수 분해에 의해 상기 어느 관능기를 생성하는 관능기(예를 들어, -SNa 등)를 들 수 있다. 또한, 악취 등 환경에 대한 영향을 저감하는 관점에서는, 상기 관능기 중 티올기 이외의 기가 바람직하다.
화학 반응에 의해 금속 등의 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기의 예로서는, 아미노기, 티올기, 실라놀기, 카테콜기, 카르복시기 및 포스폰산기, 그리고, 가수 분해에 의해 상기 어느 관능기를 생성하는 관능기(예를 들어, -Si(OC2H5)3 등)를 들 수 있다. 또한, 도체에는, 구리, 은, 금, 니켈 등의 금속 이외에, 그래파이트, CNT(카본 나노튜브), CNF(카본 나노파이버) 등이 포함된다.
본 표면 처리 방법에 의해, 화합물 α가 상기 수지 기재의 표면에 견고하게 화학 결합한 상태에서 담지되고, 또한, 화합물 α는 화학 반응에 의해 금속 등의 도체와 화학 결합 가능한 제2 관능기를 갖기 때문에, 상기 수지 기재의 표면은, 금속 등의 도체와 견고한 화학 결합을 형성하기에 적합한 상태로 된다.
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법 (B)는 탈불소화 처리가 실시된 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정(담지 처리 공정)을 구비하고, 상기 화합물 α는, 1분자 내에, 화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와, 화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법이어도 된다.
상기 제1 관능기는, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기(이하, 「아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기」를 「아지드기 등」이라고도 칭한다.)이며, 또한 당해 표면 처리 방법 (B)는 상기 화합물 α가 담지된 상기 수지 기재의 표면에, 자외선을 조사하는 처리를 행하는 공정(자외선 조사 처리 공정)을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 상술한 바와 같이, 상기 수지 기재의 표면에 담지된 화합물 α와 당해 표면은, 자외선 조사 처리에 의해 광화학 반응을 일으켜서, 효과적으로 화학 결합을 형성한다. 이 자외선 조사는, 예를 들어 230㎚ 이상 350㎚ 이하의 파장 영역을 포함하는 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.
상기 제1 관능기는, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기이며, 또한 당해 표면 처리 방법 (B)는 상기 화합물 α가 담지된 상기 수지 기재의 표면을 가열하는 처리를 행하는 공정(가열 처리 공정)을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 상술한 바와 같이, 상기 수지 기재의 표면에 담지된 화합물 α와 당해 표면은, 가열 처리에 의해 화학 반응을 일으켜, 효과적으로 화학 결합을 형성한다. 가열 온도의 하한으로서는 예를 들어 80℃가 바람직하고, 90℃가 보다 바람직하다. 가열 온도의 상한으로서는 250℃가 바람직하고, 200℃가 보다 바람직하고, 150℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간의 하한으로서는 3분이 바람직하고, 5분이 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간의 상한으로서는 60분이 바람직하고, 30분이 보다 바람직하고, 20분 또는 10분이 더욱 바람직하다. 또한, 자외선 조사 처리와 가열 처리를 병용해도 된다. 또한, 자외선 조사 처리와 가열 처리를, 세정 처리 등의 다른 처리와 조합하거나, 혹은, 조합하는 일 없이, 반복 적용해도 된다.
상기 제2 관능기는, 실라놀기 또는 알콕시실릴기인 것이 바람직하다. 실라놀기는 금속 등의 도체 M과, 화학 반응에 의해 (-Si-O-M) 타입의 화학 결합을 형성할 수 있다. 알콕시실릴기는 가수 분해에 의해 실라놀기를 생성하고, 생성한 실라놀기는, 금속 등의 도체 M과, 화학 반응에 의해, 상기 타입의 화학 결합을 형성할 수 있다. 알콕시실릴기의 예로서는, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 트리벤질옥시실릴기 등을 들 수 있다.
당해 표면 처리 방법 (B)에 사용되는 화합물 α는, 1분자 내에, 또한 방향환을 갖고, 상기 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기는 당해 방향환에 직접 결합하고 있는 것이 바람직하다. 아지드기 등이 방향환에 직접 결합하고 있는 경우, 상술한 바와 같이, 자외선 조사 처리 또는 가열 처리에 의해, 아지드기 등으로부터 질소 분자가 탈리하는 반응의 반응 속도가 커진다. 방향환의 예로서는, 벤젠환, 트리아진환, 나프탈렌환이나, 이들 환의 H 원자가 할로겐 원자나 알킬기로 치환된 치환 방향환 등을 들 수 있다. 상기 방향환은, 벤젠환이 바람직하다. 벤젠환에 아지드기 등이 직접 결합한 화합물 α를 사용함으로써 불소계 수지를 그다지 열화시키지 않는 장파장의 자외선을 조사하더라도, 효율적으로 표면 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.
당해 표면 처리 방법 (B)에 사용되는 화합물 α는, 예를 들어, 하기 식 (0)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
X-J-Y …(0)
여기서, X는, 화학 반응에 의해, 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기이며, Y는, 화학 반응에 의해, 금속 등의 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기이며, J는, 임의의 2가의 유기기이다.
광화학 반응 또는 열화학 반응을 촉진 및 제어하는 관점에서, 제1 관능기 X는, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기인 것이 바람직하고, 2가의 유기기 J는, 방향환을 포함하는 화합물로부터 H 원자를 2개 제외한 유기기인 것이 바람직하다. 방향환을 포함하는 화합물로부터 제외한 2개의 H 원자 중 1개는 방향환 상의 H 원자인 것이 바람직하다. 또한, 금속 등의 도체와의 화학 결합 용이성의 관점에서, 제2 관능기 Y는, 알콕시실릴알킬기인 것이 바람직하고, 트리알콕시실릴알킬기인 것이 보다 바람직하다.
표면 처리 방법 (B)에 사용되는 화합물 α의 적합한 일 형태로서는, 표면 처리 방법 (A)의 실시 형태에 있어서 설명한 상기 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 화합물 α1 및 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2를 들 수 있다. 화합물 α가, 화합물 α1 및 화합물 α2 중 적어도 한쪽인 경우, 비교적 저온도 및 단시간의 가열 처리로 또한 자외선 조사를 행하지 않더라도, 양호한 밀착성이 발현된다. 이 때문에 이들 화합물을 사용함으로써 효율적인 처리가 가능하게 된다.
표면 처리 방법 (B)에 사용되는 화합물 α의 다른 형태로서는,
하기 식 (5)로 표시되는 화합물 α3 및
화합물 α3을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α4
를 들 수 있다.
(화합물 α3)
화합물 α3은, 하기 식 (5)로 표시되는 화합물이다.
식 (5) 중, X21은, 제1 관능기이다. X22는, 제1 관능기 또는 -N(R21)2로 표시되는 기이다. 복수의 R21은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 이상 24 이하의 탄화수소기, 또는 -R22-Si(OR23)3-p(R24)p로 표시되는 기이다. R22는, 메틸렌기 또는 탄소수 2 이상 12 이하의 알킬렌기이다. R23은, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기이다. R24는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기이다. p는, 0 이상 2 이하의 정수이다. 단, 식 (5)로 표시되는 화합물이 갖는 복수의 R21 중 적어도 1개는, -R22-Si(OR23)3-p(R24)p로 표시되는 기이다.
X21 또는 X22로 표시되는 제1 관능기로서는, 아미노기, 티올기, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기가 바람직하고, 아지드기, 아지드술포닐기 또는 디아조메틸기가 보다 바람직하고, 아지드기가 더욱 바람직하다.
X22는, 제1 관능기인 것이 바람직하다.
화합물 α3으로서는, 예를 들어 (주)이오우 가가쿠 겐큐죠제의 n-TES, P-TES, A-TES 등을 사용할 수 있다.
화합물 α3의 구체예로서는, 2,4-디아지드-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진(IMB-P), 2,4-디아지드-6-(4-트리에톡시실릴부틸)아미노-1,3,5-트리아진, 6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진-2,4-디티올, 2,4-디아미노-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다.
(화합물 α4)
화합물 α4는, 화합물 α3을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물이다. 화합물 α4는, 화합물 α1 대신에 화합물 α3이 사용되고 있는 것 이외에는 화합물 α2와 마찬가지의 가수 분해 축합물이다.
<도체 피복 수지 기재의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법은, 상기 수지 기재의 표면 처리 방법(표면 처리 방법 (B))에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 무전해 도금, 증착 또는 스퍼터링의 방법에 의해, 상기 표면에 상기 도체의 피복을 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법은, 상기 수지 기재의 표면 처리 방법(표면 처리 방법 (B))에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 상기 표면에 상기 도체를 포함하는 재료를 접촉시켜서 배치하고, 가압 및 가열함으로써 상기 표면에 상기 재료를 접합하여 도체 피복을 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 관계되는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법은, 상기 수지 기재의 표면 처리 방법(표면 처리 방법 (B))에 의해 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과, 상기 표면에 상기 도체의 도전 페이스트를 도포하고, 가열함으로써 상기 표면에 도체 피복을 형성하는 공정을 구비한다.
상기 각 형태의 도체 피복 수지 기재의 제조 방법에 의하면, 수지 기재와 도체 피복의 계면이 평탄면 또는 조도가 작은 면이더라도, 양쪽 재료가 화합물 α의 분자 또는 그것으로부터 유도되는 분자를 통하여 견고한 화학 결합에 의해 접합된, 도체 피복을 갖는 수지 기재를 제조할 수 있다.
<도파관의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도파관의 제조 방법은, 통 형상 또는 기둥상의 수지 기재의 표면에 도체 피복이 형성되어 이루어지는 도파관의 제조 방법이며, 상기 어느 것의 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는다. 통 형상 또는 주상의 수지 기재는, 그의 단면이 원, 타원, 삼각형, 사각형 또는 다각형의 형상을 갖는 통체 또는 기둥체를 구성하고 있는 것이 바람직하다. 본 형태에 의해, 박리 강도가 크고, 또한, 전송 손실이 적은 도파관을 제조할 수 있다.
<회로 기판 또는 안테나의 제조 방법>
본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법은, 수지 기재의 표면에 도체 피복에 의해 회로 패턴이 형성되어 이루어지는, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법이며, 상기 어느 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는다. 여기서, 회로 기판이란, 프린트 배선판이나 프린트 회로 기판, 표면에 전기 회로가 형성된 수지 성형품(MID; Molded Interconnect Device) 등을 말한다. 본 형태에 의해, 박리 강도가 크고, 또한, 전송 손실이 적은 회로 기판이나 안테나를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태로서, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법, 열압착 처리를 사용하는 결합체의 제조 방법, 도막이 형성된 물질의 제조 방법, 얻어지는 결합체, 도파관의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법 등에 대하여 구체적으로 설명한다.
<1. 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법>
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법의 전체 흐름도이다. 무전해 도금 처리를 사용하여, 물질에 도체 피복을 형성하는 본 실시 형태는, 당해 물질의 표면에 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정 Sst와, 표면 처리가 실시된 당해 물질의 표면에 도체 피복을 형성하는 피복 형성 공정 Sc로 구성된다. 무전해 도금 처리를 사용하여, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복을 형성하는 실시 형태도, 마찬가지의 공정으로 행할 수 있다. 이 경우, 도체 피복을 실시하는 물질에 불소계 수지를 포함하는 수지 기재가 사용된다.
<1-1. 표면 처리 공정 Sst(무전해 도금을 이용하는 경우)>
표면 처리 공정 Sst는, 탈지 세정 공정 S1과, 전처리 공정 S2와, IMB 담지 처리 공정(간단히 「담지 처리 공정」이라고도 한다) S3과, 후처리 공정 S4와, 공정 S3 및 S4를 다시 반복할 것인지 여부를 판단하는 공정 S5와, IMB 후열처리 공정 S6을 구비한다.
탈지 세정 공정 S1은, 용제 등을 사용하여, 당해 물질을 세정하는 공정이다. 예를 들어, 당해 물질을 아세톤, 에탄올 등의 용제에 침지하여 초음파 세정하고, 건조시킨다.
전처리 공정 S2는, 당해 물질에 전처리를 행하는 공정이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 전처리 공정 S2는, 전처리 본 공정 S21과, 전처리 본 공정이 실시된 당해 물질을 실리콘 클리너나 산 클리너 등의 세정 용제에 침지하여 초음파 세정하는 전처리 후세정 공정 S22를 구비한다.
전처리 본 공정 S21에서는, 당해 물질을 산소 플라스마, 대기 플라스마 등의 플라스마로 처리하는 플라스마 처리, 당해 물질의 표면에 코로나 방전 조사를 행하는 코로나 방전 처리, 산 처리, 알칼리 처리, 자외선 조사 처리, 당해 물질의 표면을 실란 커플링제 등의 커플링제를 혼입된 연소 가스의 연소염에 노출시키는 이트로 처리 및 당해 물질을 알칼리 금속 용액에 침지하여 탈불소화를 행하는 탈불소화 처리로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 처리가 행해진다.
IMB 담지 처리 공정 S3은, 계면 분자 결합(IMB; Interface Molecular Bonding)을 위한 처리를 행하는 공정이다. 계면 분자 결합이란, 일반적으로, 2개의 물질(물질 A 및 물질 B)의 계면에 화합물(화합물 α로 한다)을 개재시키고, 화학 반응에 의해, 물질 A와 화합물 α 및 물질 B와 화합물 α를 화학 결합시켜서, 물질 A와 B를 당해 화합물 α를 통하여 화학 결합에 의해 결합하는 기술이다. 여기서 화학 결합은, 공유 결합 또는 이온 결합인 것이 바람직하다. 화합물 α를 IMB제라고도 칭한다.
구체적으로는, IMB 담지 처리 공정 S3은, 전처리 공정 S2에 있어서 처리된 당해 물질에 화합물 α를 포함하는 용액(표면 처리제)을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정이다. 예를 들어, 당해 물질을, 화합물 α를 포함하는 용액에 침지하여 건조시킴으로써, 당해 물질의 표면에 화합물 α가 담지된다. 바꾸어 말하면, 당해 물질의 표면에 화합물 α가 마련되고, 당해 물질의 표면에 화합물 α가 존재하게 된다.
IMB 담지 처리 공정 S3을 행하는 물질이 수지 기재인 경우, 수지 기재의 표면은, 기계적 조화 처리, 습식 화학적 조화 처리 또는 플라스마 처리 등의 조면화 처리가 실시되어 있지 않은 것이 바람직하다. 조면화 처리가 실시되어 있지 않은 경우, 얻어지는 도체 피복 수지 기재는, 도파관, 회로판, 안테나 등에 적합하게 사용할 수 있다. 수지 기재의 표면 표면 조도(Ra)의 상한은 3㎛가 바람직하고, 1㎛가 보다 바람직하고, 0.5㎛가 더욱 바람직하고, 0.1㎛가 보다 더욱 바람직하고, 0.05㎛가 보다 더욱 바람직하다. 이 표면의 표면 조도(Ra)의 하한으로서는 예를 들어 0.001㎛이면 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「표면 조도(Ra)」란, JIS-B0601:2001에 준하여, 컷오프(λc) 2.5㎜, 평가 길이 (l) 12.5㎜로 측정되는 값을 의미한다.
후처리 공정 S4는, 당해 물질과 화합물 α를 화학 반응에 의해 화학 결합시키기 위해서, 당해 물질에 자외선 조사 처리 및 열처리 중 적어도 하나의 처리를 행하는 공정이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 후처리 공정 S4는, 자외선 조사 처리를 행할지의 여부를 판단하는 공정 S41과, 당해 처리를 행하는 경우에, 화합물 α를 담지한 당해 물질의 표면에 소정의 시간, 소정의 파장 분포와 강도를 갖는 자외선을 조사하는 자외선 조사 처리 공정 S42와, 열처리를 행할지의 여부를 판단하는 공정 S43과, 당해 처리를 행하는 경우에, 화합물 α를 담지한 당해 물질의 표면을 소정의 시간, 소정의 온도로 유지하는 열처리 공정 S44와, 세정을 행할지의 여부를 판단하는 공정 S45와, 당해 세정을 행하는 경우에, 미반응된 화합물 α나 부반응 생성물을 제거하기 위하여 당해 물질의 표면을 에탄올이나 아세톤 등의 용제로 세정하는 세정 공정 S46을 구비한다.
공정 S5는, 반복 처리가 필요한지의 여부를 판단하는 공정이다. 반복 처리가 필요한 경우에는, 상기 IMB 담지 처리 공정 S3과 후처리 공정 S4가 반복된다. 반복 처리가 불필요한 경우에는, IMB 후열처리 공정 S6이 행해진다.
IMB 후열처리 공정 S6은, 당해 물질과 화합물 α를 화학 반응에 의해 화학 결합시키기 위한 공정이며, 미리 정해진 열처리 온도 및 열처리 시간으로 열처리를 실시하는 공정이다. 열처리 온도는 80℃ 이상 250℃ 이하가 바람직하고, 열처리 시간은 3분 이상 60분 이하가 바람직하다. 또한, 바로 근처에 실행된 후처리 공정 S4가, 열처리 공정 S44를 포함하고, 또한, 세정 공정 S46을 포함하지 않은 경우에는, 당해 열처리 공정 S44는 IMB 후열처리 공정 S5라고 간주된다.
<1-2. 피복 형성 공정 Sc(무전해 도금을 이용하는 경우)>
무전해 도금을 이용하여 도체 피복을 형성하는 본 발명의 실시 형태에 있어서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 피복 형성 공정 Sc는, 무전해 도금 처리 공정 S7과, 옵션으로 전해 도금 처리 공정 S8을 구비한다. 예를 들어, 도금 피막의 막 두께가 필요한 경우에는, 무전해 도금 처리 공정 S7 후에, 전해 도금 처리 공정 S8을 행하여 후막화를 도모해도 된다. 전해 도금되는 금속은, 예를 들어, Cu, Ni, Ag, Pd, Au, Pt, Zn, Cr, Sn, Bi 등을 들 수 있다.
무전해 도금 처리 공정 S7은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 프리딥 공정 S71과, 촉매 부여 공정 S72와, 액셀러레이터 공정 S73과, 무전해 도금 공정 S74와, 어닐 공정 S75를 구비한다.
프리딥 공정 S71에서는, IMB 후열처리 공정 S6을 거친 당해 물질을 프리딥 액에 침지하는 처리가 행해진다. 계속해서, 촉매 부여 공정 S72에서는, 당해 물질을 캐털리스트액에 침지하여 Pd 등의 촉매를 부여한다. 캐털리스트액은, 예를 들어, 카타포지트 44(롬&하스 덴시 자이료 가부시키가이샤제)이다. 계속해서, 액셀러레이터 공정 S73에서는, 당해 물질을 액셀러레이터액에 침지하는 액셀러레이터 처리를 실시하여 촉매를 활성화한다. 액셀러레이터액은, 예를 들어 정해진 농도의 염산이며, 그 농도는 예를 들어 0.1 내지 10v/v％이다.
계속해서, 무전해 도금 공정 S74에서는, 당해 물질에 무전해 도금을 실시한다. 도금되는 금속은, 예를 들어, Cu, Ni 등이다. 형성되는 도금 피막은, 당해 물질의 표면에 담지된 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 의해, 당해 물질과 화학 결합에 의해 결합하고 있다. 계속해서, 어닐 공정 S75에서는, 소정의 온도에서 소정의 시간, 어닐 처리를 행한다. 소정의 온도 및 소정의 시간은, 예를 들어, 90 내지 130℃ 및 3 내지 60분이다. 어닐 처리에 의해, 도금 응력이 저감되어, 박리 강도가 향상된다.
또한, 도체 피복 형성 공정 Sc에 있어서는, 무전해 도금 대신에, 증착 또는 스퍼터링의 방법에 의해 도체 피복(금속 피막)을 형성할 수도 있다. 이때의 증착 또는 스퍼터링은 종래 공지된 방법에 의해 행할 수 있다.
<2. 열압착 처리를 사용하는 결합체의 제조 방법>
도 5a는, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 물질 A와 물질 B의 결합체의 제조 방법의 전체 흐름도이다. 열압착 처리를 사용하여, 2개의 물질의 결합체를 형성하는 본 실시 형태는, 적어도 하나의 물질 A의 표면에 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정 Sst와, 물질 A의 당해 표면에 대향하여, 물질 B의 표면이 배치되는 배치 공정 Sp와, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 열과 힘이 가해져, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 결합 공정 Su를 구비한다. 배치 공정 Sp와 결합 공정 Su를 합쳐서 열압착 처리 공정 Shp라고 칭한다. 열압착 처리를 사용하여, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복을 형성하는 실시 형태도, 마찬가지의 공정으로 행할 수 있다. 이 경우, 물질 A에 수지 기재가 사용되고, 물질 B에 도체를 포함하는 재료가 사용된다. 열압착 처리 공정 Shp가, 도체 피복을 형성하는 공정이다.
<2-1. 표면 처리 공정 Sst(열압착을 이용하는 경우)>
본 실시 형태에 있어서 적어도 하나의 물질에 대하여 행해지는 표면 처리 공정 Sst는, 도 1에 도시하는 실시 형태에 있어서의 것과 마찬가지이기 때문에, 그 기재를 생략한다. 또한, 양쪽의 물질 표면에 표면 처리를 실시해도 되고, 표면 처리에 의해 각각의 물질의 표면에 다른 종류의 화합물 α나 화합물 β를 마련해도 되고, 또한, 표면 처리에 의해 하나의 물질의 표면에 화합물 α를 마련한 후에 또한 화합물 β를 마련해도 되고, 또한, 표면 처리에 의해 하나의 물질의 표면에 화합물 β를 마련한 뒤에 또한 화합물 α를 마련해도 된다. 또한, 하나 이상의 물질이, 그 표면에 도막이 형성된 물질이어도 되고, 그 하나 이상의 도막의 표면에 각각, 표면 처리 공정 Sst를 실시해도 된다.
<2-2. 배치 공정 Sp>
배치 공정 Sp에 있어서는, 물질 A의 표면 처리가 실시된 표면에 대향하여, 물질 B의 표면이 배치된다.
<2-3. 결합 공정 Su>
결합 공정 Su에 있어서는, 물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에, 소정의 시간 동안, 소정의 온도를 기초로 소정의 압력을 가하여, 물질 A와 물질 B를 결합한다. 수지 기재에 도체 피복을 형성하는 경우에는, 예를 들어, 수지 기재에, 판상 또는 시트상의 도체편(도체를 포함하는 재료)을 접촉시켜서, 소정의 시간 동안, 소정의 온도를 기초로 소정의 압력을 가하여, 당해 수지 기재와 도체편을 접합한다. 가온에 의해 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응이 진행하여, 물질 A와 물질 B가 화학 결합에 의해 견고하게 결합된다. 소정의 시간, 소정의 온도 및 소정의 압력은, 예를 들어, 3 내지 60분, 90 내지 250℃ 및 0.1 내지 10MPa이다. 적어도 하나의 물질이 도체편이어도 된다. 도체편에는, 예를 들어, 각종 금속의 전해 박판이나 압연 박판, 흑연 시트 등을 들 수 있다.
<3. 도막이 형성된 물질의 제조 방법>
도 5b는, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 도막이 형성된 물질의 제조 방법의 전체 흐름도이다. 본 실시 형태는, 당해 물질의 표면에 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정 Sst와, 표면 처리가 실시된 당해 물질의 표면에 도막을 형성하는 도막 형성 공정 Sf를 구비한다. 페이스트 도포 처리를 사용하여, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복을 형성하는 형태도, 마찬가지의 공정으로 행할 수 있다. 이 경우, 표면 처리를 실시하는 물질에 수지 기재가 사용되고, 도막 형성 공정 Sf에서 페이스트 도포 처리를 행한다.
<3-1. 표면 처리 공정 Sst(도막을 형성하는 경우)>
본 실시 형태에 있어서 당해 물질에 대하여 행해지는 표면 처리 공정 Sst는, 도 1에 도시하는 실시 형태에 있어서의 것과 마찬가지이기 때문에, 그 기재를 생략한다.
<3-2. 도막 형성 공정 Sf>
본 실시 형태에 있어서는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 도막 형성 공정 Sf는, 표면 처리 공정 Sst에 있어서 표면 처리가 실시된 당해 물질의 표면에 액상 재료를 도포하는 도포 공정 S96과, 상기 액상 재료를 당해 표면 상에서 경화시켜서 성막하는 경화 공정 S97을 구비한다. 여기서, 액상 재료를 「도포한다」란, 물질의 표면에 액상 재료를 「부착시키는」 또는 「접촉 상태로 존재시키는」 것을 말하며, 압출뿐만 아니라, 브러시 도포, 적하, 스프레이, 스핀 코팅, 롤, 잉크젯 등의 인쇄, 침지 등의 방법에 의해 「부착시키는」 또는 「접촉 상태로 존재시키는」 것을 포함한다. 「도포」는, 회로 패턴이나 안테나를 형성할 목적으로, 패턴상으로 행해져도 된다. 또한, 「도포」 후에, 액상 재료(도전 페이스트 등)가 부착된 수지 기재의 표면을 건조시키는 공정을 추가해도 된다. 여기서, 성막의 방법으로서는, 예를 들어, 액상 재료의 열경화에 의한 성막, 액상 재료의 자외선(UV) 경화에 의한 성막, 액상 재료의 습기 경화에 의한 성막, 액상 재료의 용매 건조에 의한 성막, 재료 혼합이 야기하는 상온 경화에 의한 성막, 액상 재료의 공기와의 접촉이 야기하는 상온 경화에 의한 성막 등이 있다. 성막의 과정에서, 화합물 α를 통한 계면 분자 접합에 관계되는 화학 반응이 진행하여, 당해 물질과 형성되는 도막이 화학 결합에 의해 견고하게 접합된다. 액상 재료로서는, 예를 들어, 액상 폴리이미드 등의 액상 수지를 이용할 수 있다.
페이스트 도포 처리를 사용하여, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복을 형성하는 경우에는, 액상 재료로서 도전 페이스트가 사용된다. 도전 페이스트로서는, 저온 소결 타입의 은 페이스트나 은 나노 페이스트, 은 나노 잉크 등을 이용할 수 있다. 그리고, 경화 공정 S97에 있어서, 대기 분위기, 질소 가스 분위기 또는 희가스 분위기를 기초로, 도전 페이스트가 부착된 수지 기재를 소정의 시간 동안, 소정의 온도로 유지하여, 도전 페이스트를 소결 경화시킨다. 소정의 온도 및 소정의 온도는, 예를 들어, 120 내지 250℃ 및 3 내지 60분이다. 이에 의해, 수지 기재의 표면에 도체 피복이 형성된다.
<4. 결합체>
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 제조 방법에 의해 제작되는 여러 가지 결합체의 구조를 도시하는 도면이다.
도 6의 (A)는 물질 A의 표면에 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법에 의해 화합물 α가 마련되고, 그 후, 물질 B가, 물질 A의 상기 표면에 대향하여 배치되고, 양쪽 물질이 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 의해 결합된 결합체가 형성되는 것을 나타낸다. 물질 B는, 도금, 증착, 스퍼터링, 도막 형성, 접합 등, 본 발명의 제형태로 나타낸 다양한 방법으로, 물질 A의 상기 표면에 대향하여 배치된다.
도 6의 (B)는 물질 A의 표면에 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법에 의해 화합물 α가 마련되고, 그 후, 화합물 β가, 이트로 처리 등의 방법으로, 물질 A의 화합물 α가 존재하는 표면에 마련되고, 또한, 물질 B가, 물질 A의 상기 표면에 대향하여 배치되고, 양쪽 물질이 화합물 α 및 화합물 β를 통한 화학 결합인 계면 분자 결합에 의해 결합된 결합체가 형성되는 것을 나타낸다. 물질 B는, 도금, 증착, 스퍼터링, 도막 형성, 접합 등의 방법으로, 물질 A의 표면에 대향하여 배치된다.
도 6의 (C)는 물질 A의 표면에 이트로 처리 등의 방법으로 화합물 β가 마련되고, 그 후, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법에 의해 화합물 α가, 물질 A의 화합물 β가 존재하는 표면에 마련되고, 또한, 물질 B가, 물질 A의 표면에 대향하여 배치되고, 양쪽 물질이 화합물 β 및 화합물 α를 통한 화학 결합인 계면 분자 결합에 의해 결합된 결합체가 형성되는 것을 나타낸다. 물질 B는, 도금, 증착, 스퍼터링, 도막 형성, 접합 등의 방법으로, 물질 A의 표면에 대향하여 배치된다.
도 6의 (D)는 물질 A의 표면에 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 표면 처리 방법에 의해 화합물 α가 마련되고, 또, 물질 B의 표면에 이트로 처리 등의 방법으로 화합물 β가 마련되고, 또한, 물질 B의 표면이, 물질 A의 표면에 대향하여 배치되고, 양쪽 물질이 화합물 α 및 화합물 β를 통한 화학 결합인 계면 분자 결합에 의해 결합된 결합체가 형성되는 것을 나타낸다. 물질 B는, 접합 등의 방법으로, 물질 A에 대향하여 배치된다.
도 6의 (E) 및 6의 (F)는 도막 C가 형성된 물질 A'를 물질 A로 간주하고, 도막 C의 표면을, 물질 A의 물질 B와 대향하는 표면으로 하여, 도 6의 (A) 내지 6의 (D)의 각각에 나타낸 양태의 결합체를 형성할 수 있는 것을 도시하는 모식 설명도이다.
당해 결합체는, 반도체 패키지, 파워 모듈, 전자파 실드, 리튬 전지용 전극, 리튬 전지용 부재, 자동차 부재, 프린트 배선판, LED 모듈, 도파관, 각종 회로 기판(고속 전송 기판, 히트 싱크 회로 기판, 플렉시블 동장 적층판(FCCL), 세라믹 회로 기판, 빌드 업 기판, 도전성 회로 등), 전자 기기, 금속-수지 접합재 또는 밀봉재(전자 기기, 도전성 회로, 식품, 화장품, 의약품 등의 금속-수지 접합재 또는 밀봉재) 등으로서 사용할 수 있다.
<5. 도파관의 제조 방법>
도 7은, 본 발명의 다양한 실시 형태에 의해 제조되는 도파관의 단면도를 도시한다. 도 7에서는, 원 기둥상 또는 원통상의 형상을 갖는 도파관만을 기재하고 있지만, 사각 기둥상 또는 사각통 형상, 다각 기둥상 또는 다각통 형상의 형상, 혹은, 보다 일반적으로 기둥상 또는 통 형상의 형상을 갖는 도파관도, 본 발명의 실시 형태에 의해 마찬가지로 하여 제조할 수 있다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 본 발명의 다양한 실시 형태에 의해 제조된 도파관을, 그 외주면을 보호할 목적으로, PTFE 등의 수지 튜브의 중공부에 내삽하여 사용하거나, 당해 외주면에 수지 등을 포함하는 보호막을 성막하여 사용하거나 해도 된다.
도 7의 (A)에 도시하는 도파관은, 기둥상의, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재(11a)의 외주면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 방법에 의해, 도체 피복(16)을 형성하여 제조된다. 수지 기재(11a)와 도체 피복(16)은, 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응에 의해, 견고하게 화학 결합하고 있다. 도체 피복(16)은 무전해 도금, 증착, 스퍼터링, 열압착 또는 페이스트 도포에 의해 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 도체 피복을 시드층으로 하여, 또한 전해 도금에 의해 후막화를 행하여 도체 피복(16)을 형성해도 된다. 도파관의 경량화나 굴곡성 유지의 관점에서, 도체 피복(16)의 막 두께는 바람직하게는 100㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하이다. 또한, 전송 손실을 저감하는 관점에서, 도체 피복(16)의 막 두께는, 하기의 식 (*)으로 주어지는 표피 깊이를 δ라 했을 때, 바람직하게는 δ 이상이며, 보다 바람직하게는 2δ 이상이며, 더욱 바람직하게는 3δ 이상이다. 예를 들어, 도체 피복(16)이 전기 전도율 5.9×107S/m의 Cu로 구성되어 있는 경우, 반송되는 전자파의 진동수가 각각 100MHz, 10GHz, 1THz인 경우의 표피 깊이는 차례로 7㎛, 0.7㎛, 0.07㎛이다.
δ=(πfμσ)-1/2 (*)
여기서, 식 (*)에 있어서, f는 반송되는 전자파의 진동수, μ 및 σ는 각각 도체 피복(16)을 구성하는 물질의 투자율 및 전기 전도도이고, π는 원주율이다. 또한, 도체 피복(16)이 다른 금속(예를 들어 Cu와 Ag)으로 구성된 시드층이 전해 도금층을 포함하는 경우, 시드층의 막 두께를 d1, 전해 도금층의 막 두께를 d2, 식 (*)으로 계산되는 시드층의 표피 깊이를 δ1, 전해 도금층의 표피 깊이를 δ2라 했을 때, (d1/δ1+d2/δ2)의 값은, 바람직하게는 1 이상이며, 보다 바람직하게는 2 이상이며, 더욱 바람직하게는 3 이상이다.
도 7의 (B)에 나타내는 도파관은, 통 형상의, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재(11b)의 외주면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 방법에 의해, 도체 피복(16)을 형성하여 제조된다. 수지 기재(11b)와 도체 피복(16)은, 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응에 의해, 견고하게 화학 결합하고 있다. 도체 피복(16)은 무전해 도금, 증착, 스퍼터링, 열압착 또는 페이스트 도포에 의해 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 도체 피복을 또한 전해 도금에 의해 후막화하여 도체 피복(16)을 형성해도 되는 것 및 도체 피복(16)이 적합한 막 두께에 대해서는, 도 7의 (A)에 나타내는 도파관의 경우와 마찬가지이다.
도 7의 (C)에 나타내는 도파관은, 통 형상의, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재(11b)의 내주면에, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 방법에 의해, 도체 피복(17)을 형성하여 제조된다. 수지 기재(11b)와 도체 피복(17)은, 화합물 α를 통한 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응에 의해, 견고하게 화학 결합하고 있다. 도체 피복(17)은 무전해 도금, 증착, 스퍼터링, 열압착 또는 페이스트 도포에 의해 형성된다. 이와 같이 하여 형성된 도체 피복을 또한 전해 도금에 의해 후막화하여 도체 피복(17)을 형성해도 되는 것 및 도체 피복(17)이 적합한 막 두께에 대해서는, 도 7의 (A)에 나타내는 도파관의 경우와 마찬가지이다.
<6. 회로 기판의 제조 방법 (1)>
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다. 불소계 수지를 포함하는 수지 기재(1)는 도 8의 (A)에 나타내는 바와 같이, 평판 형상에 한하지 않고, 입체 형상을 갖고 있어도 된다.
(공정 S101)
본 제조 방법에 있어서는, 먼저, 수지 기재(1)에 대하여 상기 표면 처리 공정 Sst가 실시된다. 그 결과, 수지 기재(1)의 표면에 화합물 α가 담지된 상태로 된다.
(공정 S102)
계속해서, 도 8의 (C)에 나타내는 바와 같이, 화합물 α가 담지된 수지 기재(1)의 표면, 도체 피복에 의해 회로 패턴을 형성해야 할 면(2) 이외의 부분을, 양생 시트 등의 보호재(3)로 덮는다.
(공정 S103)
계속해서, 그 표면의 일부가 보호재(3)로 덮인 수지 기재(1)에 대하여 상기 무전해 도금 처리 공정 S7을 실시하고, 무전해 도금을 행하고, 보호재(3)를 제거한다. 그 결과, 도 8의 (D)에 나타내는 바와 같이, 수지 기재(1)의 표면, 도체 피복에 의해 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)에, 무전해 도금에 의해 금속막(4)이 형성된다. 금속막(4)의 두께는, 예를 들어 0.1 내지 0.2㎛이다.
(공정 S104)
계속해서, 예를 들어 세미애디티브법에 의해 회로 패턴을 형성한다. 먼저, 회로 패턴을 형성해야 할 면 상에 액상 레지스트를 도포한다. 도포되어서 경화한 레지스트 상에 포토마스크를 얹는다. 포토마스크의 위로부터 자외선을 조사하고, 소정의 처리를 행하면, 회로 패턴 이외의 부분에 레지스트가 남는다. 이어서, 전해 도금을 실시하여, 도 8의 (E)에 도시한 바와 같이, 패턴화된 금속막(4a) 상에 금속층(5)을 형성한다. 금속층(5)의 두께는, 예를 들어 8 내지 35㎛이다. 단, 금속층(5)을 35㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하여, 보다 큰 전류를 흘릴 수 있도록 하는 것도 가능하다. 마지막으로, 레지스트를 제거한 뒤, 금속막(4a)의, 회로 배선으로서 불필요한 부분을 에칭 등에 의해 제거한다. 그 결과, 금속막(4a)과 금속층(5)으로 구성된 회로 패턴(6)이 수지 기재(1) 상에 형성된다.
또한, 세미애디티브법 대신에, 서브트랙티브법에 의해 회로 패턴을 형성해도 된다.
또한, 무전해 도금 대신에, 열압착에 의해 수지 기재(1) 상에 회로 패턴을 형성할 수도 있다. 즉, 수지 기재(1)에 대하여 상기 표면 처리 공정 Sst를 실시하고, 그 결과, 수지 기재(1)의 표면에 화합물 α가 담지된 상태로 된 후, 회로 패턴의 형상으로 도려내어진 금속박을, 상기 열압착 처리 공정 Shp에 기재된 방법으로, 수지 기재(1)의 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)에 열 압착함으로써, 수지 기재(1) 상에 회로 패턴을 형성할 수 있다.
혹은, 수지 기재(1)에 대하여 상기 표면 처리 공정 Sst를 실시하고, 그 결과, 수지 기재(1)의 표면에 화합물 α가 담지된 상태로 된 후, 수지 기재(1)의 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)에 금속박을, 상기 열압착 처리 공정 Shp에 기재된 방법으로 열압착하고, 또한, 상기 금속박의 표면에 액상 레지스트를 도포하고, 포토마스크를 통하여 자외선을 조사하고 나서 회로 패턴 이외의 부분의 레지스트를 제거하고, 계속하여 에칭을 행함으로써, 수지 기재(1) 상에 회로 패턴을 형성할 수도 있다.
또한, 무전해 도금이나 열압착 대신에, 페이스트 도포에 의해 수지 기재(1) 상에 회로 패턴을 형성할 수도 있다. 즉, 수지 기재(1)에 대하여 상기 표면 처리 공정 Sst를 실시하고, 그 결과, 수지 기재(1)의 표면에 화합물 α가 담지된 상태로 된 후, 상기 도포 공정 S96에 의해, 도전성 페이스트를, 형성해야 할 회로 패턴의 형상으로 도포(인쇄)하고, 계속해서, 상기 경화 공정 S97에 의해, 수지 기재(1)의 표면에 도포된 도전 페이스트를 소결 경화시켜서, 당해 수지 기재의 표면에 도체 피복을 형성할 수 있다.
또한, 수지 기재(1)는 적어도 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)이 불소계 수지를 포함하는 수지 기재이면 되고, 다른 부분이 알루미늄이나 폴리이미드 등의 기타의 재료를 포함하는 기재여도 된다. 예를 들어, 도 8의 (E')에 나타내는 바와 같이, 알루미늄제의 기재(1b)가 불소계 수지(1a)로 피복되어 이루어지는 수지 기재(1')에 대하여, 상기의 어느 방법으로 회로 패턴(6)을 형성할 수 있다.
또한, 마찬가지의 방법으로, 수지 기재의 표면에 패턴상의 도체 피복을 형성함으로써, 안테나를 제조할 수 있다.
<7. 회로 기판의 제조 방법 (2)>
도 9는, 본 발명이 다른 실시 형태에 관계되는 회로 기판의 제조 방법의 설명도이다. 불소계 수지를 포함하는 수지 기재(1)는 도 9의 (A)에 나타내는 바와 같이, 평판 형상에 한하지 않고, 입체 형상을 갖고 있어도 된다.
(공정 S201)
본 제조 방법에 있어서는, 먼저, 수지 기재(1)에 대하여 상기 표면 처리 공정 Sst가 실시된다. 그 때에는, 도 9의 (B)에 나타내는 바와 같이, 수지 기재(1)의 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)에, 패턴상으로 화합물 α의 용액이 도포된다. 그 결과, 당해 면(2)에는, 화합물 α가 담지된 담지 영역(7)과, 화합물 α가 담지되어 있지 않은 비담지 영역(8)을 포함하는 패턴이 형성된다. 담지 영역(7)과 비담지 영역(8)을 포함하는 상기 패턴의 형성에는 다양한 방법이 있을 수 있다. 예를 들어, 잉크젯 인쇄 등의 다양한 인쇄법에 의해, 화합물 α의 용액(잉크)을 도포하여 상기 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 예를 들어, 포토리소그래피 등의 방법에 의해, 당해 면(2)에 패턴상의 보호층을 형성하고 나서, 수지 기재(1)를 화합물 α의 용액에 침지하고, 보호층으로 피복되어 있지 않은 부분에만 화합물 α를 담지시키고 나서, 보호층을 제거함으로써, 상기 패턴을 형성할 수 있다.
(공정 S202)
계속해서, 상기 면(2)에 담지 영역(7)과 비담지 영역(8)을 포함하는 패턴이 형성된 수지 기재(1)에 대하여 상기 무전해 도금 처리 공정 S7을 실시하여, 무전해 도금을 행한다. 그 결과, 도 9의 (C)에 나타내는 바와 같이, 상기 면(2)의 화합물 α가 담지된 담지 영역(7)에만 무전해 도금에 의해 금속막(4a)이 형성되고, 비담지 영역(8)에는 금속막이 형성되지 않기 때문에, 상기 면(2)에 금속막(4a)에 의해 회로 패턴(6)이 형성된다. 금속막(4a)의 두께는, 예를 들어 0.1 내지 2㎛이다.
(공정 S203)
더한층의 후막화가 필요한 경우에는, 계속하여 전해 도금을 실시하고, 도 9의 (D)에 나타내는 바와 같이, 패턴화된 금속막(4a) 상에 금속층(5)을 형성한다. 금속층(5)의 두께는, 예를 들어 8 내지 35㎛이다. 단, 금속층(5)을 35㎛ 이상의 두께가 되도록 형성하고, 보다 큰 전류를 흘릴 수 있도록 하는 것도 가능하다. 이와 같이 해서, 금속막(4a)과 금속층(5)으로 구성된 회로 패턴(6)이 수지 기재(1) 상에 형성된다.
또한, 수지 기재(1)는 적어도 회로 패턴을 형성해야 할 면(2)이 불소계 수지를 포함하는 수지 기재이면 되고, 다른 부분이 알루미늄이나 폴리이미드 등의 다른 재료를 포함하는 기재여도 된다. 예를 들어, 도 9의 (D')에 나타내는 바와 같이, 알루미늄제의 기재(1b)가 불소계 수지(1a)로 피복되어 이루어지는 수지 기재(1')에 대하여, 상기 방법으로 회로 패턴(6)을 형성할 수 있다.
또한, 마찬가지의 방법으로, 수지 기재의 표면에 패턴상의 도체 피복을 형성함으로써, 안테나를 제조할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예의 양태에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 「IMB-K」의 제조>
본 발명에 관계되는 여러 가지 화합물 IMB-K의 합성 방법에 대하여 설명한다.
합성물의 동정에는, (주)시마즈 세이사쿠쇼제의 푸리에 변환 적외 분광 광도계 IRTracer-100, 니혼덴시(주)제의 핵자기 공명 스펙트럼 장치 NMR spectrometer Z 및 (주)시마즈 세이사쿠쇼제의 가스 크로마토그래프 질량 분석계 GCMS-QP2020 NX를 사용하였다.
(1) 4-아지드벤조산클로라이드의 합성(원료 물질의 제조)
염화메틸렌(CH2Cl2) 30mL와 DMF(N,N-디메틸포름아미드C3H7NO) 0.3mL의 혼합 용매에, 4-아지드벤조산(N3C6H4COOH) 2.6g을 용해시켰다. 질소 가스의 분위기 하에서, 교반하면서, 염화메틸렌 20mL에 녹인 염화티오닐(SOCl2) 7.3g을, 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, 염화메틸렌을 포함하는 저비점물을 증류 제거하여, 4-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl)를 포함하는 황색 유상물을 얻었다. 이 유상물은, 또한 정제하지 않고, 직접 다음 반응에 제공하였다.
(2) N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드의 합성(IMB-4K)의 합성
4-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl) 1.8g을 THF(테트라히드로푸란) 15mL에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 3-트리에톡시실릴프로필아민 3.6g 및 TEA(트리에틸아민) 2.1g을 THF 20mL에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(용리액: 아세톤/헥산=85/15)에 의해 정제하여 수율 66％(2.4g)로 담황색 오일을 얻었다.
IR, NMR 및 QCMS의 각 분석으로부터, 생성물이, N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드임을 확인하였다.
(3) N-(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드(IMB-3K)의 합성
3-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl) 1.8g을 THF 15mL에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 3-트리에톡시실릴프로필아민(H2N(CH2)2Si(OC2H5)3) 3.6g 및 TEA 2.1g을 THF 20mL에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(용리액: 아세톤/헥산=85/15)에 의해 정제하여 수율 62％(2.2g)로 담황색 오일을 얻었다. 스펙트럼 등으로부터, 생성물은 N-(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드임을 확인하였다.
(4) N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드(IMB-4KB)의 합성
4-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl) 1.8g을 THF 15mL에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)아민(HN((CH2)3Si(OC2H5)3)2) 6g 및 TEA 2.1g을 THF 20mL에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(용리액: 아세톤/헥산=85/15)에 의해 정제하여 수율 61％로 담황색 오일을 얻었다. 스펙트럼 등으로부터, 생성물은, N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드임을 확인하였다.
(5) N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드(IMB-3KB)의 합성
3-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl) 1.8g을 THF 15mL에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)아민(HN((CH2)3Si(OC2H5)3)2) 6g 및 TEA 2.1g을 THF 20mL에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(용리액: 아세톤/헥산=85/15)에 의해 정제하여 수율 62％로 담황색 오일을 얻었다. 스펙트럼 등으로부터, 생성물은, N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드임을 확인하였다.
(6) N,N'-((디에톡시실란디일)비스(3-프로필-3,1-디일)비스(4-아지드벤즈아미드)의 합성
4-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl) 2.8g을 THF 30mL에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 비스(3-아미노프로필)디에톡시실란(2.3mL)과, TEA 2.1g을 THF 20mL에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 실온에서 하룻밤 교반하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 2hr 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 칼럼 크로마토그래피(용리액: 아세톤/헥산=85/15)에 의해 정제하여 수율 50％로 담황색 오일을 얻었다. 스펙트럼으로부터, 생성물은, N,N'-((디에톡시실란디일)비스(3-프로필-3,1-디일)비스(4-아지드벤즈아미드)임을 확인하였다.
(7) 상기 식 (19)로 표시되는 실세스퀴옥산 화합물(IMB-4KP)의 제조
3-아지드벤조산클로라이드(N3C6H4COCl)를 THF에 녹였다. 질소 가스의 분위기 하에서, 3-아미노프로필트리에톡시실란의 가수 분해 축합물인 원료 올리고머(미국 Gelest사제)와 TEA를 THF에 녹이고, 교반하면서 실온에서 적하하였다. 반응을 완결시키기 위하여 추가로 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, THF를 포함하는 용액을 증류 제거하여, 얻어진 조생성물을 정제하여 목적물을 얻었다. 이 목적물이, 식 (19)로 표시되는 실세스퀴옥산 화합물이었다. 스펙트럼으로부터, 생성물에 있어서는, 식 (19)에 있어서의 l과 m과 n이, l:m:n=1:1:0임을 확인하였다.
<1. 무전해 도금에 의해 물질에 도체 피복을 형성하는 실시예>
<1-1. 각종 수지 기재에 대한 무전해 도금에 있어서의 IMB-K의 효과>
표 1에 나타내는 각 수지 기재에 대해서, 도 1에 도시하는 흐름도에 따라서, 20㎛ 두께의 구리 피복을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 세정 용제로서 아세톤 또는 에탄올을 사용하였다. 전처리 공정 S2에 있어서는, 코로나 방전 처리 또는 산소 플라스마 처리(100mL/분, 5분, 200W)를 실시하였다. 전처리 후세정 공정 S22는 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 30초간 침지하였다. 후처리 공정 S4에 있어서는, 시료에 UV-LED 조사기로부터 피조사 에너지 200mJ/㎠로 자외선을 조사하였다. 열처리와 세정은 행하지 않았다. 공정 S3과 S4는 2회 반복하였다. IMB 후열처리 공정 S6에 있어서는, 수지 기재에 의해 80℃, 110℃ 또는 125℃에서 10분간, 유지하였다. 무전해 도금 처리 공정 S7 및 전해 도금 처리 공정 S8을 거쳐서, 20㎛ 두께의 구리 피복을 얻었다. 도금의 잔류 응력을 완화하기 위해서, 150℃에서 10분간 유지하는 어닐 처리를 행하였다. 무전해 도금 후, 전해 도금 후, 어닐 후의 각각에 대해서, 각 수지 기판에 형성된 구리 피복의 외관을 관찰하였다. 또한, 각 수지 기재에 대하여 구리 피복의 박리 강도를 측정하였다. 종형 전동 계측 스탠드 MX2-500N(가부시키가이샤 이마다제)에 포스 게이지 ZTA-50N을 설치하고, 90° 박리의 필 강도 시험기를 구성하였다. 박리 속도는 50㎜/분으로 하였다. 각 수지 기재에 대하여 3개의 샘플을 제작하여 표면과 이면 각각에 대하여 계측을 행하고, 필 강도의 최댓값과 평균값에 대해서, 각각 평균값을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 기재된 각 수지 기재는 어느 것이든, IMB 담지 처리 없이는 무전해 도금 구리 피복이 형성되지 않거나, 형성되더라도 구리 피복의 밀착 강도가 매우 약한 수지이지만, 무전해 도금 처리에 앞서 IMB 담지 처리를 행함으로써, 양호한 외관과 밀착성을 갖는 구리 피복이 형성되었다. 또한, 시료 #9의 불소계 복합 수지 기재에 대해서는, 우리들은 종래, IMB-P를 사용한 IMB 담지 처리와 무전해 도금 처리를 조합한 프로세스에 의해, 최대 필 강도 6.82N/㎝을 얻고 있었지만, IMB-4K를 사용한 IMB 담지 처리와 무전해 도금 처리에 의해, 그것을 크게 상회하는 필 강도를 달성할 수 있음을 알았다.
<1-2. COP 수지에 대한 무전해 도금에 있어서의 IMB-K의 효과>
COP 시트재(0.1㎜ 두께, 시료 #21)에 대해서, 도 1에 도시하는 흐름도에 따라서, 25㎛ 두께의 구리 피복을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 아세톤을 사용하였다. 전처리 공정 S2에 있어서는, 산소 플라스마 처리(100mL/분, 5분,200W)를 실시하였다. 전처리 후세정 공정 S22는 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 30초간 침지하였다. 후처리 공정 S4에 있어서는, 시료에 UV-LED 조사기로 피조사 에너지 200mJ/㎠로 자외선을 조사하였다. 열처리와 세정 처리는 행하지 않았다. 공정 S3과 S4는 반복하지 않고, 한번만 실시하였다. IMB 후열처리 공정에 있어서는, 시료를 135℃에 15분간 유지하였다. 무전해 도금 처리 공정 S7 및 전해 도금 처리 공정 S8을 거쳐서, 25㎛ 두께의 구리 피복을 얻었다. 도금의 잔류 응력을 완화하기 위해서, 150℃에서 10분간 유지하는 어닐 처리를 행하였다. 무전해 도금 후, 전해 도금 후, 어닐 후의 각각에 대해서, 시료에 각 수지 기판에 형성된 구리 피복의 외관을 관찰하였다. 또한, 각 수지 기재에 대하여 구리 피복의 박리 강도를 측정하였다. 각 시료에 대하여 3개의 샘플을 제작하여 각각에 대하여 계측을 행하고, 필 강도의 평균값에 대해서, 평균값을 구하였다. 구리 피복의 외관은, 무전해 도금 후, 전해 도금 후, 어닐 후의 모두 우량하였다. 또한, 필 강도는, 7.27N/㎝였다.
비교예로서, 동일한 재질과 두께의 COP 시트재(시료 #921)에 대해서, IMB 담지 처리 S3을 실시하지 않는 점을 제외하고, 상기 시료 #21과 마찬가지의 프로세스로, 구리 피복의 형성을 시도하였다. 그러나, 시료 #921에 대해서는, 무전해 구리 도금 피복이 형성되지 않아, 구리 피복의 형성에 실패하였다.
<1-3. PI 필름에 대한 무전해 도금에 있어서의 IMB-K의 효과>
PI 필름(50㎛ 두께, 상품명: 캡톤, 도레이·듀퐁사제, 시료 #31)에 대해서, 도 1에 도시하는 흐름도에 따라서, 20㎛ 두께의 구리 피복을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 에탄올을 사용하였다. 전처리 공정 S2는, 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 30초간 침지하였다. 후처리 공정 S4는 행하지 않았다. 공정 S3은 반복하지 않고, 한번만 실시하였다. IMB 후열처리 공정에 있어서는, 시료를 110℃에 15분간 유지하였다. 계속해서, 무전해 도금 처리 공정 S7 및 전해 도금 처리 공정 S8을 행하였다. 무전해 도금 처리 공정 S7에 있어서의 어닐 공정 S75에서는, 시료를 110℃에 60분간 유지하였다. 전해 도금에 의해, 20㎛ 두께의 구리 피복을 얻었다. 시료의 구리 피복의 박리 강도를 측정하였다. 3개의 샘플을 제작하여 각각에 대하여 계측을 행하고, 필 강도의 평균값에 대해서, 평균값을 구하였다. 필 강도는, 4.5N/㎝였다.
시료 #31과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #32)에 대해서, IMB 담지 처리 S3에 있어서 IMB-4KP의 이소프로판올 용액에 30초간 침지하는 점을 제외하고, 상기 시료 #31과 마찬가지의 프로세스로, 구리 피복의 형성을 시도하고, 20㎛ 두께의 구리 피복을 얻었다. 시료의 구리 피복의 박리 강도를 측정하였다. 3개의 샘플을 제작하여 각각에 대하여 계측을 행하고, 필 강도의 평균값에 대해서, 평균값을 구하였다. 필 강도는, 2.0N/㎝였다.
<1-4. COP의 무전해 도금에 있어서의 각종 IMB-K의 효과>
COP 시트재(0.1㎜ 두께, 시료 #41)에 대해서, 도 1에 도시하는 흐름도에 따라서, 20㎛ 두께의 구리 피복을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 아세톤을 사용하였다. 전처리 공정 S2에 있어서는, 산소 플라스마 처리(100mL/분, 2분, 200W)를 실시하였다. 전처리 후세정 공정 S22는 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 30초간 침지하였다. 후처리 공정 S4에 있어서는, 시료에 UV-LED 조사기로 피조사 에너지 200mJ/㎠로 자외선을 조사하였다. 이어서, 125℃에서 15분의 열처리를 행하였다. 세정 처리는 행하지 않았다. 공정 S3과 S4는 반복하여, 계 2회 실시하였다. IMB 후열처리 공정은 실시하지 않았다. 무전해 도금 처리 공정 S7 및 전해 도금 처리 공정 S8을 거쳐서, 20㎛ 두께의 구리 피복을 얻었다. 무전해 도금 처리 공정 S7에 있어서는, 110℃에서 60분의 어닐 공정 S75를 실시하였다. 전해 도금 후, 구리 피복의 박리 강도를 측정하였다. 각 시료에 대하여 3개의 샘플을 제작하여 각각에 대하여 계측을 행하고, 필 강도의 평균값에 대해서, 평균값을 구하였다. 필 강도는, 6.09N/㎝였다.
시료 #41과 동일한 재질과 두께의 COP 시트(시료 #42 내지 #45)에 대해서, IMB 담지 처리 S3에서 사용하는 IMB-K의 종류 및 후처리 공정 S4에서 열처리만을 행할지(「H」라고 나타냄), 혹은, 자외선 조사 처리와 열처리의 양쪽을 행할지(「UV+H」라고 나타냄)라고 하는 점을 제외하고, 시료 #41과 마찬가지의 프로세스로 20㎛ 두께의 구리 피복을 형성하여, 필 강도를 구하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. 또한, 후처리 공정 S4에 있어서의 자외선 조사의 조건은, 시료 #41과 동일하고, 후처리 공정 S4에 있어서의 열처리의 조건은, 125℃에서 15분이었다.
<2. 기재(물질)에 성막을 행하는 실시예>
<2-1. PI 필름에의 은 나노 페이스트의 도포와 IMB-K의 효과>
시료 #31과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #51)에 대해서, 도 5b에 도시하는 흐름도에 따라서, 은 나노 페이스트를 도포하여 열 경화시킴으로써 도체 피복을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. 은 나노 페이스트는, 다이셀사제·고점도 타입(제품 번호: DNS-009P, 점도: 90 내지 100Pa·s, 은 농도: 60 내지 70질량％, 기준 소성 조건: 120℃ 30분, 체적 저항률: 5 내지 10μΩ·㎝)을 이소프로판올(IPA)로 5배로 희석한 것을 사용하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 에탄올을 사용하여, 시료 #51에 대하여 5분간의 초음파 세정을 행하였다. 전처리 공정 S2는, 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4KP의 IPA 용액에 시료를 10분간 침지하였다. 후처리 공정 S4는 행하지 않았다. 공정 S3은 반복하지 않고, 한번만 실시하였다. IMB 후열처리 공정 S6에 있어서는, 시료를 100℃에 10분간 유지하였다. 계속해서, 도포 공정 S96에 있어서는, 시료에 상기의 희석 은 나노 페이스트를 스핀 코팅했다(1500rpm, 20초). 계속해서, 경화 공정 S97에 있어서는, 시료에 대하여 120℃에서 30분의 열처리를 행하였다. 그 후, 시료의 도체 피복에 17㎜폭으로 커트를 형성하고, 4N/㎝의 양면 테이프로 시료를 고정하여, 테이프 박리 시험을 행하였다. 시료 #51의 도체 피복은, 테이프 박리 시험에 견디는 밀착성을 갖고 있었다.
시료 #51과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #52)에 대해서, IMB 후열처리 공정 S6에 있어서 시료를 150℃에서 10분 유지하는 점을 제외하고는, 시료 #51과 동일한 프로세스에 따라서 도체 피복을 형성하여, 마찬가지의 테이프 박리 시험을 행하였다. 시료 #52의 도체 피복은, 밀착성이 시료 #51과 비교하여 떨어지는 결과가 되었다.
또한, 비교예로서, 시료 #52와 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #53)에 대해서, IMB 담지 처리 S3에 있어서, IMB-A의 수용액에 시료를 10분간 침지하는 점을 제외하고는, 시료 #52와 동일한 프로세스에 따라서 도체 피복을 형성하여, 마찬가지의 테이프 박리 시험을 행하였다. 시료 #53의 도체 피복은, 테이프 박리 시험에 견디는 밀착성을 갖지 않았다.
또한, 시료 #51과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #54, #55, #56)에 대해서, IMB 담지 처리 S3에 있어서 각각 차례로, IMB-4K의 에탄올 용액, IMB-4K의 수용액, IMB-4K의 PGMEA 용액의 수용액에 시료를 10분간 침지하는 점을 제외하고는, 시료 #51과 동일한 프로세스에 따라서 도체 피복을 형성하여, 마찬가지의 테이프 박리 시험을 행하였다. 시료 #54, #55, #56의 도체 피복은 어느 것이든, 밀착성이 시료 #51과 비교하여 떨어지는 결과가 되었다.
또한, 비교예로서, 시료 #51과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #57)에 대해서, IMB 담지 처리 S3을 행하지 않는 점을 제외하고는, 시료 #51과 동일한 프로세스에 따라서 도체 피복을 형성하여, 마찬가지의 테이프 박리 시험을 행하였다. 시료 #57의 도체 피복은, 거의 밀착성을 갖지 않았다.
이 결과로부터, 본 발명의 방법으로, 도전 페이스트의 도포와 경화에 의해 PI 필름 상에 도체 피복을 형성하는 경우에는, IMB 담지 처리 공정 S3이 필수적임을 알 수 있다. 또한, IMB 후열처리 공정 S6에 있어서의 열처리 온도는, 150℃보다는 조금 낮은 약 100℃ 정도, 예를 들어, 80 내지 120℃이거나, 보다 바람직하게는 90 내지 110℃의 온도에서, 3 내지 10분 정도의 단시간의 열처리를 행해야 하는 것을 알 수 있다. 또한, 이 경우에 사용하는 계면 분자 결합제(IMB제)로서는, IMB-4KP를 사용함으로써 밀착성이 높은 도체 피복을 형성할 수 있다.
<2-2. 실리콘 웨이퍼에 대한 PI 및 PAI의 도포와 각종 IMB-K의 효과>
실리콘 웨이퍼(시료 #61)에 대하여 도 5b에 도시하는 흐름도에 따라서, PI(유피아 AT, 우베 고산제, 고형분 농도 18±1％, 점도 5±1Pa·s, 용제 NMP, 열경화 조건 350℃ 20분)를 도포하여 열경화시킴으로써 성막하여, 밀착성을 시험하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 에탄올을 사용하여, 시료에 대하여 5분간의 초음파 세정을 행하였다. 전처리 공정 S2는 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 시료를 10분간 침지하였다. 후처리 공정 S4는 행하지 않았다. 공정 S3은 반복하지 않고, 한번만 실시하였다. IMB 후열처리 공정 S6에 있어서는, 시료를 100℃에 3분간 유지하였다. 계속해서, 도포 공정 S96에 있어서는, 시료에 상기 PI를 스핀 코팅했다(1500rpm, 20초). 계속해서, 경화 공정 S97에 있어서는, 시료에 대하여 PI의 권장 열경화 조건에서 열처리를 행하였다. 그 후, 시료의 도막에 1㎜ 폭, 5×5 눈금으로 커트를 형성하고, 크로스컷 시험을 행하고, 격자의 밀착수(=25-박리수)를 확인하였다. 밀착수는 25, 도막의 막 두께는 29㎛였다.
시료 #61과 동일한 실리콘 웨이퍼(시료 #62 내지 #67)에 대해서, IMB 담지 처리 S3에 있어서 사용하는 IMB 및 용매를 하기 표 3과 같이 한 것을 제외하고, 시료 #61과 완전히 동일한 프로세스로 PI를 도포하여 열경화시킴으로써 성막하여, 밀착성을 시험하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 시료 #67은 비교예이며, IMB 담지 처리 S3을 행하지 않는 시료이다.
또한, 시료 #61 내지 #63, #65 내지 #67과 각각 동일한 실리콘 웨이퍼(시료 #71 내지 #73, #75 내지 #77)에 대해서, PI 대신에 PAI(HCP-5012-32, 히다치 가세이제, 고형분 농도 30％, 점도 3Pa·s, 용제 NMP/MEK=80/20, 열경화 조건(270)℃20분)를 도포하는 점과 열경화 조건을 제외하고, 시료 #61 내지 #63, #65 내지 #67과 각각 완전히 동일한 프로세스로 PAI를 도포하여 열경화시킴으로써 성막하여, 15분간 방랭하고 나서, 밀착성을 시험하였다. 그 결과를 하기 표 4에 나타낸다. 또한, 시료 #77은 비교예이며, IMB 담지 처리 S3을 행하지 않는 시료이다.
<2-3. 실리콘 웨이퍼에의 PI 및 PAI의 도포에 있어서의 이트로 처리와 IMB 처리의 조합의 효과>
상기 <2-2>과 마찬가지로 하여, 실리콘 웨이퍼에 PI 및 PAI를 도포함에 있어서, 전처리 공정 S2로서, 이트로 처리를 실시한 경우의 밀착성에 대한 효과를 조사하였다. 이트로 처리에 있어서는, 실리콘 웨이퍼로부터 거리 5㎝ 부근에서 표면에 5회, 연소 가스의 조사를 행하였다. 그 결과를 하기 표 5에 정리한다. 또한, IMB-K와 IMB-A의 용매는 모두 에탄올을 사용하였다. 또한, #81 내지 84, 91 내지 94는 비교예이다.
이 결과로부터 알 수 있는 것은, 먼저, IMB 담지 처리 없이, 이트로 처리 단독으로는 밀착성을 확보할 수 없다는 것이다. 또한, 실리콘 웨이퍼에 이트로 처리를 실시하여 IMB 담지 처리와 조합함으로써, IMB 담지 처리 단독보다도, 밀착력이 향상되는 경향이 보인다. 또한, 이트로 처리와 조합하든, 그러지 않든, IMB-A보다 IMB-K쪽이 밀착성이 높은 경향이 보인다
<2-4. PI 필름에의 PAI 또는 PI의 도포와 IMB-K의 효과>
시료 #31과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(시료 #101)에 대해서, 도 5b에 도시하는 흐름도에 따라서, PAI를 도포하여 열 경화시킴으로써 도막을 형성하여, 밀착성을 시험하였다. PAI는 시료 #71과 동일한 것을 사용하였다. 탈지 세정 공정 S1에 있어서는, 에탄올을 사용하여, 시료에 대하여 5분간의 초음파 세정을 행하였다. 전처리 공정 S2는 실시하지 않았다. IMB 담지 처리 S3에 있어서는, IMB-4K의 에탄올 용액에 시료를 10분간 침지하였다. 후처리 공정 S4는 행하지 않았다. 공정 S3은 반복하지 않고, 한번만 실시하였다. IMB 후열처리 공정 S6에 있어서는, 시료를 150℃에 10분간 유지하였다. 계속해서, 도포 공정 S96에 있어서는, 시료에 상기 PAI를 스핀 코팅했다(1500rpm, 20초). 계속해서, 경화 공정 S97에 있어서는, 시료에 대하여 PAI의 권장 열경화 조건에서 열처리를 행하였다. 15분간의 방랭 후, 시료의 도막에 2㎜ 폭, 10×10 눈금의 커트를 형성하여, 5N/㎝의 양면 테이프로 시료를 고정하고, 테이프 박리 시험을 행하였다.
시료 #101과 동일한 재질과 두께의 PI 필름(#102 내지 #104)에 대해서, IMB 담지 처리 공정에서 사용하는 화합물과 도포하는 액상 수지를 하기 표 6에 나타내는 것과 같이 한 것을 제외하고, 시료 #101과 마찬가지의 프로세스로 도막을 형성하여, 밀착성을 조사하였다. 그 결과를 표 6에 나타낸다. 또한, IMB 담지 처리에 관계되는 화합물의 용매는 모두 에탄올을 사용하였다. 또한, PI는, 시료 #61에 도포한 것과 동일하다. 또한, #102, 104는 비교예이다.
이 결과로부터 알 수 있는 것은, PAI를 도포하는 경우에는, IMB 담지 처리없이도 밀착성을 확보할 수 있지만, PI를 도포하는 경우에는, IMB 담지 처리 없이는 밀착성을 충분히 확보할 수 없는 것이다.
<2-5. 시트상의 물질끼리를 열압착하여 이루어지는 결합체의 밀착성 시험과 IMB-K의 효과>
도 5a에 나타내지는 제조 방법에 의해, 금속박을 열압착한 PTFE 시트(시료 #110)를 제작하여, 필 강도를 조사하였다. PTFE 시트는, 닛토덴코제(탈불소화 처리 완료, 두께 0.18㎜)를 사용하였다. 금속박으로서는, 18㎛ 두께의 압연 구리박을 사용하였다. PTFE 시트에 대한 표면 처리 공정 Sst에 있어서는, 탈지 세정 공정 S1 및 전처리 공정 S2를 실시하지 않고, IMB 담지 처리 공정 S3에 있어서, 화합물 IMB-4K의 1질량％ 에탄올 용액을 wet 두께 20㎛로 도포하였다. 또한, 후처리 공정 S4에 있어서, 피조사 에너지 100mJ/㎠의 자외선 조사를 행하였다. 열처리 공정 S44, 세정 공정 S46 및 IMB 후열처리 공정 S6은 실시하지 않았다. 이어서, 열압착 처리 공정 Shp에 있어서는, 프레스 온도 180℃, 프레스 압 8MPa, 프레스 시간 10분으로, PTFE 시트의 표면에 압연 구리박을 열압착하였다. 자연 냉각 후, 박리 강도 시험을 행하여, 8.0N/㎝의 필 강도를 얻었다.
열압착되는 2개의 물질과 IBM 담지 처리 공정에서 사용되는 화합물을 제외하는 프로세스를 시료 #110과 마찬가지로 하여, 2개의 물질의 열압착에 의한 결합체를 형성하여, 박리 강도 시험을 행하였다. 그 결과를 하기 표 7에 나타낸다. 각 물질의 두께는 20㎛ 또는 18㎛이다. 또한, 화합물 IMB-4KP의 용매는 물이고, 다른 화합물의 용매는 에탄올이다. 또한, #118은 비교예이다.
열압착에 의한 결합체의 형성에 있어서는, 열압착에 앞서 IMB 담지 처리 공정을 실시함으로써, 수지와 수지, 수지와 금속의 어느 조합에 대해서든, 큰 박리 강도를 실현할 수 있음을 알았다.
<3. 시트상의 수지 기재에 도금 피막을 형성하는 실시예>
도체 피복(구리 도금 피막)이 형성된 시트상의 수지 기재를 제작하고, 밀착성을 조사하였다.
[3-1. 사용한 수지 기재]
수지 기재(시료 #2-1 내지 #2-10)에 대하여 도 1의 전체 흐름도에 따라서, 도체 피복을 형성하였다. 각 시료는, 다음 어느 것의 불소계 수지를 포함하는 수지 기재이다.
기재 Y: PTFE 필름(요도가와 휴테크 가부시키가이샤제, 두께 0.05㎜, 제품 번호: 4600)
기재 C: PTFE 시트(쥬코 가세이 고교 가부시키가이샤제, 두께: 1.0㎜, 제품 번호: MTF-100)
기재 N: 탈불소화 PTFE 필름(닛토덴코 가부시키가이샤제, 두께 0.18㎜, 제품 번호: 900UL)
기재 R: 불소계 복합 수지 필름(미국 로저스사제, 두께 0.168㎜, 제품 번호: RO4350B)
기재 N은, 탈불소화 처리가 실시된 PTFE 필름이다. 기재 R은, PTFE 수지에 유리 클로스를 적층시킨 복합 필름이며, 세라믹 필러를 함유하고 있다.
[3-2. 처리 공정]
밀착성 시험을 위해서, 각 시료에 대하여 도체 피복(구리 도금 피막)을 형성할 목적으로 행한 처리를, 도 1 내지 도 4의 흐름도를 참조하면서 설명한다.
(1) 탈지 세정 공정 S1
먼저, 시료를 용제에 침지하여 3분간, 초음파 세정하고, 건조시켰다. 용제에는 에탄올을 사용하였다.
(2) 전처리 본 공정 S21
계속해서, 시료 #2-7 및 #2-9에 대해서는 전처리 본 공정 S21로서, 탈불소화 처리를 행하였다. 또한, 시료 #2-8에 대해서는 전처리 본 공정 S21로서, 산소 플라스마에 의한 플라스마 처리를 실시하였다. 탈불소화 처리에 있어서는, 가부시키가이샤 쥰코샤의 「테트라에치 B(저점도 타입)」 중에, 시료를 3분간 침지하였다. 플라스마 처리에 있어서는, 산소 유량 100mL/분, 전력 200W에서 생성한 산소 플라스마 중에 시료를 2분간 유치하였다. 또한, 시료 #2-2 내지 #2-6은, 탈불소화 처리 완료된 수지 기재이기 때문에, 탈불소화 처리는 실시하지 않았다. 또한, 탈불소화 처리에 있어서, 가부시키가이샤 쥰코샤의 「테트라에치 B(저점도 타입)」 대신에 「테트라에치 A(고점도 타입)」을 사용하더라도, 후술하는 밀착성 시험의 결과에 큰 차이는 보이지 않았다.
(3) 전처리 후세정 공정 S22
계속해서, 시료를 실리콘 클리너에 침지하여 초음파 세정을 행하였다.
(4) IMB 담지 처리 공정 S3
계속해서, 시료 #2-3 내지 #2-9에 대해서는, 시료를, 상온의 화합물 α(IMB제)의 에탄올 용액에 30초간 침지한 후, 건조시키는 IMB 담지 처리 공정을 실시하였다. 시료 #2-1 및 #2-2에 대해서는, IMB 담지 처리 공정을 실시하지 않았다. 시료 #2-3, #2-5, #2-6 및 #2-9에 대해서는, 화합물 α(IMB제)로서 IMB-4K(N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드)를 사용하였다. 시료 #2-4, #2-7 및 #2-8에 대해서는, 화합물 α(IMB제)로서 IMB-P(2,4-디아지드-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진)를 사용하였다.
(5) 후처리 공정 S4
계속해서, 시료 #2-3 및 #2-9에 대해서는, 시료를 100℃의 온도로 3분간 유지하는 열처리 공정 S44를 실시하고, 자외선 조사 처리는 행하지 않았다. 시료 #2-4 및 #2-5에 대해서는, 시료를 100℃의 온도로 10분간 유지하는 열처리 공정 S44를 실시하고, 자외선 조사 처리는 행하지 않았다. 시료 #2-6 내지 #2-8에 대해서는, 시료에, UV-LED 조사기로 피조사 에너지 200mJ/㎠로 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정 S42를 실시하였다. 이 중, 시료 #2-7 내지 #2-8에 대해서는 상기 자외선 조사 후에, 또한, 시료를 125℃의 온도로 10분간 유지하는 열처리 공정 S44를 실시하였다.
시료 #2-1 및 #2-2에 대해서는, 열처리 공정 S44도 자외선 조사 처리 공정 S42도 실시하지 않았다. 기타의 시료에 대해서는, 자외선 조사 처리 공정 S42 및/또는 열처리 공정 S44의 실시 후에, 시료를 에탄올로 세정하는 세정 공정 S46을 실시하였다.
(6) 반복 처리의 판별 공정 S5
본 밀착성 시험에 있어서는, 어느 시료에 대해서든 반복 처리는 행하지 않았다.
(7) IMB 후열처리 공정 S6
시료 #2-3 내지 #2-5 및 #2-7 내지 #2-9에 대해서는, 상기 열처리 공정 S44가 IMB 후열처리 공정 S6으로 간주된다. 다른 시료에 대해서는, IMB 후열처리 공정 S6은 실시하지 않았다.
(8) 무전해 도금 처리 공정 S7
계속해서, 시료에 대하여 무전해 도금 처리 공정 S7을 실시하고, 시료의 표면에 약 0.1㎛ 두께의 구리 무전해 도금 피막을 형성하였다. 무전해 도금 처리 공정 S7에 있어서는, 시료를 프리딥액에 침지하는 프리딥 공정 S71과, 계속해서, 시료를 카타포지트 44(롬&하스 덴시 자이료 가부시키가이샤제)에 침지하는 촉매 부여 공정 S72와, 계속해서, 시료를 1v/v％ 농도의 염산에 침지하는 액셀러레이터 공정 S73과, 계속해서, 시료에 무전해 도금을 실시하는 무전해 도금 공정 S74와, 계속해서, 도금 응력을 저감하기 위해서, 시료를 60분간 110℃의 온도로 유지하는 어닐 공정 S75가 실시되었다.
(9) 전해 도금 처리 공정 S8
무전해 도금 처리 공정 S7을 거친 시료의 외관을 관찰한 후에, 시료에 전해 구리 도금을 실시하는 전해 도금 처리 공정 S8이 실시되었다. 도금 피막의 막 두께는 20㎛였다.
[3-3. 밀착성 시험의 결과]
전해 도금 처리 공정 S8을 거친 시료의 외관을 관찰한 후에, 구리 도금 피막의 박리 시험을 JIS Z 0237:2009에 기초하여 실시하였다. 종형 전동 계측 스탠드 MX2-500N(가부시키가이샤 이마다제)에 포스 게이지 ZTA-50N을 설치하고, 90° 박리의 필 강도 시험기를 구성하였다. 박리 속도는 50㎜/분으로 하였다. 각 시료에 대하여 3개의 샘플을 제작하여 각각 계측을 행하여, 필 강도의 최댓값 및 평균값을 구하였다. 결과를 하기 표 8에 나타낸다.
(1) 무전해 도금 피막의 외관
시료 #2-1 및 #2-2의 외관은, 구리 무전해 도금 피막의 박리나 팽창이 있어, 불량(C)이었다. 시료 #2-3 내지 #2-9의 외관은, 구리 무전해 도금 피막의 박리도 팽창도 없어, 양호(A)였다.
(2) 전해 도금의 양호·불량
시료 #2-1에 대해서는, 전해 도금 피막이 박리되거나, 또는 전해 도금 피막이 형성되지 않아, 불량(C)이었다. 시료 #2-2에 대해서는, 전해 도금 피막은 형성되기는 하지만, 부분적으로 전해 도금 피막이 박리되는 부분이 있어, 약간 불량(B)이었다. 시료 #2-3 내지 #2-9의 외관은, 전해 도금 피막의 박리도 팽창도 없어, 양호(A)였다.
(3) 필 강도의 시험 결과
시료 #2-1에 대해서는, 전해 도금 불량 때문에, 필 강도 시험을 할 수 없었다. 다른 시료에 대해서는, 표 8에 기재한 필 강도의 시험 결과가 얻어졌다.
(4) 고찰
#2-2에 비하여 #2-3 내지 #2-6은, 필 강도가 높아져 있다. 또한, #2-8에 비하여 #2-7은, 필 강도가 높아져 있다. 이와 같이, 탈불소화 처리가 된 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 대하여 소정의 IMB제(화합물 α)를 도포하는 본 발명의 표면 처리 방법에 의하면, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재와 도체 피복 간의 접착 강도를 높일 수 있음을 알 수 있다.
보다 구체적으로 이 밀착성 시험의 결과로부터, 다음과 같은 것을 알 수 있다.
첫번째, 전처리 공정도 IMB 담지 처리 공정도 실시하지 않는 경우, 시료 #2-1이 나타내는 바와 같이, 불소계 수지 기재에는 도금 피막이 형성되지 않는다. 두번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리를 행하고, 또한, IMB 담지 처리 공정 및 후처리 공정으로서의 열처리 공정 또는 자외선 조사 처리 공정을 실시하면, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막이 형성된다. 세번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리를 행하면, IMB 담지 처리 공정을 실시하지 않더라도 불소계 수지 기재에 도금 피막이 형성되지만, 도금 불량이 발생하고, 도금 외관도 나쁘다. 네번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리 대신에 산소 플라스마에 의한 플라스마 처리를 행하고, 또한, IMB 담지 처리 공정 및 후처리 공정으로서의 열처리 공정 또는 자외선 조사 처리 공정을 실시하더라도, 시료 #2-8이 나타내는 바와 같이, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막은 형성할 수 없다. 다섯번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리를 행하고, 또한, IMB 담지 처리 공정 및 후처리 공정으로서의 열처리 공정을 실시하면, 시료 #2-3이 나타내는 바와 같이, 당해 열처리 공정이 100℃ 3분간이라고 하는 저온 단시간의 열처리이더라도, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막이 형성된다. 우리들의 예비적 실험 결과에 의하면, 화합물 α가, 여러 가지 방향환에 직접 결합한 아지드기를 갖는 화합물인 경우에는, 당해 열처리 공정이 90 내지 110℃, 2 내지 15분이라고 하는 저온 단시간의 열처리를 행하는 공정이더라도, 밀착성을 확보하는 것이 가능하다.
본 밀착성 시험의 결과는, 예를 들어, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복에 의해 회로 패턴이 형성되어 이루어지는 회로 기판이나 안테나의 제조 방법에 응용할 수 있다.
<4. 튜브상의 수지 기재에 도금 피막을 형성하는 실시예>
도체 피복(구리 도금 피막)이 형성된 튜브상의 수지 기재를 제작하고, 밀착성을 조사하였다.
[4-1. 사용한 수지 기재]
수지 기재(시료 #2-21 내지 #2-25)에 대하여 도 1의 전체 흐름도에 따라서, 그 외주면에 도체 피복을 형성하였다. 각 시료는, 모두 PTFE 튜브(요도가와 휴테크 가부시키가이샤제, 외경 7.0㎜, 내경 6.0㎜, 두께 0.5㎜, 제품 번호: 4000)를 포함하는 수지 기재이다.
[4-2. 처리 공정]
밀착성 시험을 위해서, 각 시료에 대하여 도체 피복(구리 도금 피막)을 형성할 목적으로 행한 처리를, 도 1 내지 도 4의 흐름도를 참조하면서 설명한다.
(1) 탈지 세정 공정 S1
먼저, 시료를 용제에 침지하여 3분간, 초음파 세정하고, 건조시켰다. 용제에는 에탄올을 사용하였다.
(2) 전처리 본 공정 S21
계속해서, 시료 #2-22에 대해서는 전처리 본 공정 S21로서, 산소 플라스마에 의한 플라스마 처리를 행하였다. 다른 시료에 대해서는 전처리 본 공정 S21로서, 탈불소화 처리를 실시하였다. 그 방법은, [3-2. 처리 공정]에 기재한 것과 마찬가지이다. 또한, 탈불소화 처리에 있어서, 가부시키가이샤 쥰코샤제의 「테트라에치 B(저점도 타입)」 대신에 「테트라에치 A(고점도 타입)」를 사용하더라도, 후술하는 밀착 시험의 결과에 큰 차이는 보이지 않았다.
(3) 전처리 후세정 공정 S22
계속해서, 시료 #2-22에 대해서는, 시료를 실리콘 클리너에 침지하여 1분간의 초음파 세정을 행하는 전처리 후세정 공정 S22를 실시하였다. 다른 5개의 시료에 대해서는, 시료를 에탄올에 침지하여 5분간의 초음파 세정을 행하는 전처리 후세정 공정 S22를 실시하였다.
(4) IMB 담지 처리 공정 S3
계속해서, 시료를, 상온의 화합물 α(IMB제)의 에탄올 용액에 30초간 침지한 후, 건조시키는 IMB 담지 처리 공정을 실시하였다. 시료 #2-21에 대해서는, 화합물 α(IMB제)의 용액으로서, IMB-4K(N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드)의 용액을 사용하였다. 마찬가지로, 시료 #2-22에 대해서는, IMB-P(2,4-디아지드-6-(3-트리에톡시실릴프로필)아미노-1,3,5-트리아진)의 용액을 사용하였다. 시료 #2-23에 대해서는, IMB-3K(N-(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드)의 용액을 사용하였다. 시료 #2-24에 대해서는, IMB-4KB(N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드)의 용액을 사용하였다. 시료 #2-25에 대해서는, IMB-3KB(N,N-비스(3-트리에톡시실릴프로필)-3-아지드벤즈아미드)의 용액을 사용하였다.
(5) 후처리 공정 S4
계속해서, 시료에, UV-LED 조사기로 피조사 에너지 200mJ/㎠로 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정 S42를 실시하였다. 계속해서, 시료 #2-22에 대해서는, 후처리 공정 S4에 있어서의 열처리 공정 S44를 실시하지 않았다. 또한, 다른 5개의 시료에 대해서는, 시료를 100℃의 온도로 10분간 유지하는 열처리 공정 S44를 실시한 후에, 시료를 30초간 에탄올로 세정하는 세정 공정 S46을 실시하였다.
(6) 반복 처리의 판별 공정 S5
본 밀착성 시험에 있어서는, 어느 시료에 대해서든 2회의 반복 처리를 행하였다. 즉, IMB 담지 처리 공정 S3과 후처리 공정 S4는 계 2회, 반복되었다.
(7) IMB 후열처리 공정 S6
계속해서, 시료 #2-22에 대해서는, 시료를 150℃의 온도로 15분간 유지하는 IMB 후열처리 공정 S6을 실시하였다. 다른 5개의 시료에 대해서는, 2회째의 후처리 공정 S4에 있어서의 상기 열처리 공정 S44가 IMB 후열처리 공정 S6으로 간주된다.
(8) 무전해 도금 처리 공정 S7
계속해서, 시료에 대하여 무전해 도금 처리 공정 S7을 실시하여, 시료의 표면에 0.4 내지 0.5㎛ 두께의 구리 무전해 도금 피막을 형성하였다. 그 방법은, [3-2. 처리 공정]에 기재한 것과 마찬가지이다. 시료에 무전해 도금을 실시하는 무전해 도금 공정 S74는, 상기 막 두께를 실현하기 위해서, 30℃의 온도에서 15분간을 요하였다. 계속해서, 도금 응력을 저감하고, 또한, 계면 분자 결합에 관계되는 화학 반응을 진행시키기 위해서, 시료를 60분간 110℃의 온도로 유지하는 어닐 공정 S75가 실시되었다.
(9) 전해 도금 처리 공정 S8
본 밀착성 시험에 있어서는, 시료에 전해 구리 도금을 실시하는 전해 도금 처리 공정 S8은 실시하지 않았다.
[4-3. 밀착성 시험의 결과]
무전해 도금 처리 공정 S7을 거친 시료의 외관을 관찰한 후에, 구리 도금 피막의 크로스컷 시험을 JIS K5600-5, 6에 준하여 실시하였다. 시료의 튜브 외표면이 곡면이기 때문에, 1㎜ 폭, 3×5 눈금으로 시판하고 있는 접착 테이프를 사용하여 크로스컷 시험을 행하였다. 각 시료에 대하여 3개의 샘플을 제작하여 각각 계측을 행하고, 밀착성을 평가하였다. 결과를 하기 표 9에 나타낸다.
(1) 무전해 도금 피막의 외관
어느 시료의 외관도, 구리 무전해 도금 피막의 박리나 팽창이 없고, 특히 양호(A+) 또는 양호(A)였다. 단, 시료 #2-22에 대해서는, 약간 광택성이 떨어져 있었다.
(2) 크로스컷 시험의 결과
시료 #2-21 및 #2-23 내지 #2-25에 대해서는, 어느 격자의 눈에도 박리가 없고, 평가 분류 0의 높은 밀착성(A+)이 확인되었다. 시료 #2-22에 대해서는, 전면적으로 큰 박리가 발생해 있어, 평가 분류 4의 낮은 밀착성(C)이 확인되었다.
(3) 고찰
이 밀착성 시험의 결과로부터, 다음과 같은 것을 알 수 있다.
첫번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리를 행하고, 또한, IMB 담지 처리 공정 및 후처리 공정으로서의 열처리 공정 그리고 자외선 조사 처리 공정을 실시하면, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막이 형성된다. 두번째, 전처리 공정에 있어서 탈불소화 처리 대신에 산소 플라스마에 의한 플라스마 처리를 행하고, 또한, IMB 담지 처리 공정 및 후처리 공정으로서의 열처리 공정 그리고 자외선 조사 처리 공정을 실시하더라도, 시료 #2-22가 나타내는 바와 같이, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막은 형성할 수 없다. 세번째, 불소계 수지 기재에 밀착성이 높은 도금 피막을 형성하기 위해서, IMB 담지 처리 공정에 있어서 사용하는 화합물 α로서는, 본 밀착성 시험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, IMB-4K, IMB-3K, IMB-4KB, IMB-3KB 등, 각종 화합물 α를 이용하는 것이 가능하고, 또한, 시트상 기재에 관한 밀착성 시험의 결과를 합하면, IMB-P나 기타의 화합물 α를 이용하는 것도 가능하다.
본 밀착성 시험의 결과는, 예를 들어, 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 도체 피복이 형성되어 이루어지는 도파관의 제조 방법에 응용할 수 있다.
<5. 시트상의 수지 기재에 금속박을 열압착하는 실시예>
금속박을 열압착한 PTFE 시트를 제작하여, 필 강도를 조사하였다. PTFE 시트는, 상기 기재 N(탈불소화 처리 완료, 두께 0.18㎜)을 사용하였다. 금속박으로서는, 18㎛ 두께의 압연 구리박을 사용하였다. 열압착에 앞서 기재 N에 적용한 표면 처리 공정 Sst에 있어서는, 탈지 세정 및 전처리 후세정을 행하지 않고, 화합물 IMB-4K(N-(3-트리에톡시실릴프로필)-4-아지드벤즈아미드)의 1질량％ 에탄올 용액을 wet 두께 20㎛로 도포하고, 피조사 에너지 100mJ/㎠의 자외선 조사를 행하였다. 가열 처리는 행하지 않았다. 이어서, 도체 피복 형성 공정 Sc에 있어서는, 프레스 온도 180℃, 프레스압 8MPa, 프레스 시간 10분으로, 기재 N의 표면에 금속박을 열압착하였다. 자연 냉각 후, 상기 방법으로 박리 강도 시험을 행하여, 8.0N/㎝의 필 강도를 얻었다.
금속박으로서 20㎛ 두께의 전해 구리박 및 20㎛ 두께의 알루미늄박을 사용하여, 각각, 상기와 마찬가지의 방법으로, 금속박을 열압착한 PTFE 시트를 제작하여, 박리 강도 시험을 행하였다. 필 강도는 차례로, 8.2N/㎝ 및 6.5N/㎝였다.
본 발명은 상기 실시 형태나 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에 있어서의 여러 가지의 조합, 변형예, 설계 변경 등을 그 기술적 범위 내에 포함하는 것임은 말할 필요도 없다.
A: 물질 A
A': 물질 A'
B: 물질 B
C: 도막 C
α: 화합물 α
β: 화합물 β
Sst: 표면 처리 공정
Sc: 피복 형성 공정
Shp: 열압착 처리 공정
Sf: 도막 형성 공정
1: 수지 기재
1': 수지 기재
1a: 불소계 수지
1b: 기재
2: 회로 패턴을 형성해야 할 면
3: 보호재
4: 금속막(무전해 도금층)
4a: 금속막(무전해 도금층)
5: 금속층(전해 도금층)
6: 회로 패턴
7: 담지 영역
8: 비담지 영역
11a: 수지 기재
11b: 수지 기재
16: 도체 피복
17: 도체 피복
A': 물질 A'
B: 물질 B
C: 도막 C
α: 화합물 α
β: 화합물 β
Sst: 표면 처리 공정
Sc: 피복 형성 공정
Shp: 열압착 처리 공정
Sf: 도막 형성 공정
1: 수지 기재
1': 수지 기재
1a: 불소계 수지
1b: 기재
2: 회로 패턴을 형성해야 할 면
3: 보호재
4: 금속막(무전해 도금층)
4a: 금속막(무전해 도금층)
5: 금속층(전해 도금층)
6: 회로 패턴
7: 담지 영역
8: 비담지 영역
11a: 수지 기재
11b: 수지 기재
16: 도체 피복
17: 도체 피복
Claims (27)
- 2개의 물질의 결합체를 계면 분자 결합에 의해 형성하는 것을 목적으로 하여, 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 구비하는 표면 처리 방법이며,
상기 화합물 α는,
1분자 내에,
벤젠환과,
알콕시실릴기와,
아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기
를 갖는 화합물 α1, 또는
상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 화합물 α2
인 표면 처리 방법. - 제1항에 있어서, 상기 화합물 α는, 상기 아지드기, 아지드술포닐기 및 디아조메틸기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 기가, 상기 벤젠환에 직접 결합하고 있는 화합물인 표면 처리 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화합물 α1이, 하기 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 화합물인 표면 처리 방법.
식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이다. 복수의 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X1은, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. Y1은, 단결합, 에스테르기, 에테르기, 티오에테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레아기, -NHR3-로 표시되는 기, 또는 하기 식 (3a) 혹은 (3b)로 표시되는 기이다. R3은, 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. Z1은, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다. m은, 1 내지 3의 정수이다. R1, X1, Y1 및 Z1이, 각각 복수인 경우, 이들은 각각 독립적으로 상기 정의를 충족한다. 단, 1개 또는 복수의 R1의 적어도 하나는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다.
식 (2) 중, 복수의 R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이며, 복수의 R4, R5 및 R6 중 적어도 1개는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다. 복수의 R7은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X2는, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. 복수의 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다.
식 (3a) 중, R8은, 수소 원자 또는 메틸기이다. - 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 화합물 α가 표면에 마련되는 물질이, 비입자상의 기재인 표면 처리 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 전에,
세정 처리, 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 자외선 조사 처리, 이트로 처리 및 탈불소화 처리로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 전처리를 상기 적어도 한쪽의 물질에 대하여 행하는 공정을 더 구비하는 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 후에,
상기 물질의 표면에 존재하는 상기 화합물 α에 자외선을 조사하는 공정을 더 구비하는 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 후에,
상기 물질의 표면에 존재하는 상기 화합물 α에 대한 가열 처리를 행하는 공정을 더 구비하는 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정 전에,
화합물 β를 상기 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고,
상기 화합물 β는,
1분자 내에,
화학 반응에 의해 상기 적어도 한쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기와,
화학 반응에 의해 상기 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기
를 갖는 화합물인 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정에 있어서, 상기 화합물 α를 한쪽의 물질의 표면에 마련하고, 이 공정 후에,
화합물 β를 상기 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고,
상기 화합물 β는,
1분자 내에,
화학 반응에 의해 상기 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기와,
화학 반응에 의해 다른 쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기
를 갖는 화합물인 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 α를 적어도 한쪽의 물질의 표면에 마련하는 공정에 있어서, 상기 화합물 α를 한쪽의 물질의 표면에 마련하고,
화합물 β를 다른 쪽의 물질 표면에 마련하는 공정을 더 구비하고,
상기 화합물 β는,
1분자 내에,
화학 반응에 의해 상기 화합물 α와 화학 결합 가능한 관능기와,
화학 반응에 의해 다른 쪽의 물질과 화학 결합 가능한 관능기
를 갖는 화합물인 표면 처리 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 사용되는 표면 처리제이며, 제1항 또는 제2항에 기재된 1종 이상의 화합물 α를 포함하는 용액인 표면 처리제.
- 물질 A와 물질 B를 결합시켜서 결합체를 제조하는 방법이며,
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 의해, 물질 A의 표면, 또는 양쪽 물질의 표면에 처리를 행하는 공정과,
물질 A의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에 대향하여, 물질 B의 상기 처리가 행해진 표면 또는 물질 B의 표면을 배치하는 공정과,
물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정
을 구비하는 결합체의 제조 방법. - 제12항에 있어서, 상기 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정을 40℃ 이상 350℃ 이하의 온도 하에서 행하는 결합체의 제조 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 의해, 물질의 표면에 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정과,
무전해 도금, 증착, 스퍼터링 또는 도포의 방법에 의해, 상기 물질의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에 도체 피복을 마련하는 공정
을 구비하는, 도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 의해, 물질의 표면에 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정과,
상기 물질의 상기 화합물 α가 존재하는 표면에, 도막을 형성하는 공정
을 구비하는, 도막이 형성된 물질의 제조 방법. - 도막이 형성된 물질의 상기 도막의 표면에, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 의해, 상기 화합물 α를 포함하는 제를 마련하는 공정을 구비하는 표면 처리 방법.
- 도막이 형성된 물질 A의 상기 도막의 표면에, 제16항에 기재된 표면 처리 방법에 의해 처리를 행하는 공정과,
상기 도막의 표면에 대향하여 물질 B의 표면을 배치하는 공정과,
물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정
을 구비하는 결합체의 제조 방법. - 물질 B의 표면에, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리 방법에 의해 처리를 행하는 공정과,
물질 B의 상기 표면에 대향하여, 도막이 형성된 물질 A의 상기 도막의 표면을 배치하는 공정과,
물질 A 및 물질 B의 적어도 한쪽에 힘을 가하여, 양쪽 물질이 일체적으로 결합되는 공정
을 구비하는 결합체의 제조 방법. - 불소계 수지를 포함하는 수지 기재를 알칼리 금속 용액에 침지하여 탈불소화 처리를 행하는 공정과,
상기 탈불소화 처리를 행하는 공정 후, 상기 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정
을 구비하고,
상기 화합물 α는, 1분자 내에,
화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와,
화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기
를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법. - 탈불소화 처리가 실시된 불소계 수지를 포함하는 수지 기재에 화합물 α를 포함하는 용액을 도포함으로써, 그 표면에 당해 화합물 α를 담지시키는 처리를 행하는 공정을 구비하고,
상기 화합물 α는, 1분자 내에,
화학 반응에 의해, 상기 탈불소화 처리가 실시된 상기 수지 기재와 화학 결합하는 것이 가능한 제1 관능기와,
화학 반응에 의해 도체와 화학 결합하는 것이 가능한 제2 관능기
를 갖는 수지 기재의 표면 처리 방법. - 제19항 또는 제20항에 기재된 수지 기재의 표면 처리 방법으로 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과,
무전해 도금, 증착 또는 스퍼터링의 방법에 의해, 상기 표면에 상기 도체의 피복을 형성하는 공정
을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법. - 제19항 또는 제20항에 기재된 수지 기재의 표면 처리 방법으로 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과,
상기 표면에 상기 도체를 포함하는 재료를 접촉시켜서 배치하고, 가압 및 가열함으로써 상기 표면에 상기 재료를 접합하여 도체 피복을 형성하는 공정
을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법. - 제19항 또는 제20항에 기재된 수지 기재의 표면 처리 방법으로 상기 수지 기재의 표면에 표면 처리를 행하는 공정과,
상기 표면에 상기 도체의 도전 페이스트를 도포하고, 가열함으로써 상기 표면에 도체 피복을 형성하는 공정
을 구비하는 도체 피복 수지 기재의 제조 방법. - 통 형상 또는 기둥상의 수지 기재의 표면에 도체 피복이 형성되어 이루어지는 도파관의 제조 방법이며, 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는 도파관의 제조 방법.
- 수지 기재의 표면에 도체 피복에 의해 회로 패턴이 형성되어 이루어지는, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법이며, 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 도체 피복 수지 기재의 제조 방법을 갖는 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법.
- 하기 식 (1) 혹은 (2)로 표시되는 화합물 α1, 또는 상기 화합물 α1을 포함하는 가수 분해성 실란 화합물을 가수 분해 축합하여 얻어지는 가수 분해 축합물 α2인 화합물.
식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이다. 복수의 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X1은, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. Y1은, 단결합, 에스테르기, 에테르기, 티오에테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레아기, -NHR3-로 표시되는 기, 또는 하기 식 (3a) 혹은 (3b)로 표시되는 기이다. R3은, 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. Z1은, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다. m은, 1 내지 3의 정수이다. R1, X1, Y1 및 Z1이, 각각 복수인 경우, 이들은 각각 독립적으로 상기 정의를 충족한다. 단, 1개 또는 복수의 R1의 적어도 하나는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다.
식 (2) 중, 복수의 R4, R5 및 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 페닐기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 또는 히드록시기이며, 복수의 R4, R5 및 R6 중 적어도 1개는, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기이다. 복수의 R7은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 또는 1가의 유기기이다. X2는, 아지드기, 아지드술포닐기, 또는 디아조메틸기이다. 복수의 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기, 또는 탄소수 2 내지 12의 알킬렌기의 말단 혹은 탄소-탄소 결합 사이에 -NH-, -O-, -S- 및 -S(O)- 중 1개 이상의 기를 포함하는 기이다.
식 (3a) 중, R8은, 수소 원자 또는 메틸기이다. - 제26항에 기재된 화합물을 포함하는 표면 처리제.
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020153405 | 2020-09-13 | ||
| JPJP-P-2021-028010 | 2021-02-24 | ||
| JP2021028010A JP2022048068A (ja) | 2020-09-13 | 2021-02-24 | 表面処理方法、表面処理剤、結合体の製造方法、導体被覆を有する物質の製造方法、塗膜が形成された物質の製造方法、及び化合物 |
| JP2021140363A JP2022048105A (ja) | 2020-09-13 | 2021-08-30 | 樹脂基材の表面処理方法、導体被覆樹脂基材の製造方法、導波管の製造方法、及び回路基板又はアンテナの製造方法 |
| JPJP-P-2021-140363 | 2021-08-30 | ||
| PCT/JP2022/005762 WO2022181380A1 (ja) | 2020-09-13 | 2022-02-14 | 表面処理方法、表面処理剤、結合体の製造方法、導体被覆を有する物質の製造方法、塗膜が形成された物質の製造方法、導体被覆樹脂基材の製造方法、導波管の製造方法、回路基板又はアンテナの製造方法、及び化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230147611A true KR20230147611A (ko) | 2023-10-23 |
Family
ID=80781261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237027226A KR20230147611A (ko) | 2020-09-13 | 2022-02-14 | 표면 처리 방법, 표면 처리제, 결합체의 제조 방법,도체 피복을 갖는 물질의 제조 방법, 도막이 형성된 물질의 제조 방법, 도체 피복 수지 기재의 제조 방법, 도파관의 제조 방법, 회로 기판 또는 안테나의 제조 방법 및 화합물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022048068A (ko) |
| KR (1) | KR20230147611A (ko) |
| CN (1) | CN117203301A (ko) |
| TW (1) | TW202244301A (ko) |
| WO (1) | WO2022181380A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023282228A1 (ja) * | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Jsr株式会社 | 電池電極用導電性基板及びその製造方法 |
| WO2023080182A1 (ja) * | 2021-11-05 | 2023-05-11 | 日東電工株式会社 | 積層体、及び積層体の製造方法 |
| WO2024038701A1 (ja) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | 株式会社ダイセル | 積層体および積層体の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936344B1 (ko) | 1970-01-28 | 1974-09-30 | ||
| JPS5083926U (ko) | 1973-11-30 | 1975-07-18 | ||
| JPS5729852U (ko) | 1980-07-29 | 1982-02-17 | ||
| JP2003201571A (ja) | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Denso Corp | フッ素樹脂の表面処理方法およびフッ素樹脂を用いたプリント配線基板の製造方法 |
| JP2009170113A (ja) | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nissei Electric Co Ltd | シールド電線 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107849425B (zh) * | 2015-06-02 | 2021-09-21 | 日产化学工业株式会社 | 无溶剂型光固化性粘接剂用组合物 |
| JP6639817B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2020-02-05 | 株式会社朝日Ｆｒ研究所 | 弾性基材接着体 |
| JP6791036B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2020-11-25 | 株式会社デンソー | 樹脂製光学部品及びその製造方法 |
-
2021
- 2021-02-24 JP JP2021028010A patent/JP2022048068A/ja active Pending
-
2022
- 2022-02-14 CN CN202280014169.5A patent/CN117203301A/zh active Pending
- 2022-02-14 WO PCT/JP2022/005762 patent/WO2022181380A1/ja active Application Filing
- 2022-02-14 KR KR1020237027226A patent/KR20230147611A/ko unknown
- 2022-02-24 TW TW111106743A patent/TW202244301A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936344B1 (ko) | 1970-01-28 | 1974-09-30 | ||
| JPS5083926U (ko) | 1973-11-30 | 1975-07-18 | ||
| JPS5729852U (ko) | 1980-07-29 | 1982-02-17 | ||
| JP2003201571A (ja) | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Denso Corp | フッ素樹脂の表面処理方法およびフッ素樹脂を用いたプリント配線基板の製造方法 |
| JP2009170113A (ja) | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Nissei Electric Co Ltd | シールド電線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117203301A (zh) | 2023-12-08 |
| JP2022048068A (ja) | 2022-03-25 |
| WO2022181380A1 (ja) | 2022-09-01 |
| TW202244301A (zh) | 2022-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2022181380A1 (ja) | 表面処理方法、表面処理剤、結合体の製造方法、導体被覆を有する物質の製造方法、塗膜が形成された物質の製造方法、導体被覆樹脂基材の製造方法、導波管の製造方法、回路基板又はアンテナの製造方法、及び化合物 | |
| JP5382875B2 (ja) | 多層積層体の製造へのシラン組成物の使用 | |
| JP6561019B2 (ja) | 表面処理剤、樹脂組成物及びそれらの利用 | |
| JP2014177530A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP6461532B2 (ja) | フッ素樹脂基材の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| KR102128231B1 (ko) | 경화성 수지 조성물 | |
| CN105612055A (zh) | 氟树脂基材、印刷线路板和电路模块 | |
| JP2010185128A (ja) | めっき用感光性樹脂組成物、積層体、それを用いた表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料、及び配線基板 | |
| JP5481024B2 (ja) | 積層基板 | |
| JP2014240522A (ja) | 銅の表面処理液、表面処理方法及びその利用 | |
| TW202007240A (zh) | 印刷配線板之製造方法 | |
| TW202237709A (zh) | 電磁波屏蔽積層體及其製造方法、屏蔽印刷配線板及其製造方法、半導體封裝、及電子設備 | |
| TWI777939B (zh) | 覆銅層合板及其製造方法 | |
| JP5750009B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JP2022048105A (ja) | 樹脂基材の表面処理方法、導体被覆樹脂基材の製造方法、導波管の製造方法、及び回路基板又はアンテナの製造方法 | |
| WO2023282228A1 (ja) | 電池電極用導電性基板及びその製造方法 | |
| JP2022175248A (ja) | 配線基板、その製造方法、及び表面処理剤 | |
| JP2024053470A (ja) | 被覆プリント配線板の製造方法及び被覆プリント配線板 | |
| JP2014159512A (ja) | 硬化性樹脂組成物 | |
| JP2023046974A (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
| JP2023022781A (ja) | 実装構造体及びその製造方法 | |
| JP2004359867A (ja) | 絶縁樹脂組成物、これを用いたプリプレグ、樹脂付導体箔、導体張積層板及び多層配線板並びに多層配線板の製造方法 | |
| JP5092136B2 (ja) | 積層体の形成方法 | |
| JP2008010821A (ja) | ダイボンディング用樹脂フィルムの硬化方法及びダイボンディング方法 | |
| CN1724251A (zh) | 聚酰亚胺金属层积板及其制造方法 |