JP5382875B2 - 多層積層体の製造へのシラン組成物の使用 - Google Patents
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Description
さらに詳しくは、本発明は、その後に材料の導電性表面と誘電体材料層との間に接着接合を形成するために、導電性材料をシラン組成物で処理する方法に関する。処理された表面は、非常に良好な接合特性を示し、向上された耐湿性を発揮する。
シランカップリング剤によって形成された接合に対する湿気の影響を最小とするために、架橋剤がシランカップリング剤と組み合わされている。例えば米国特許第4,689,085号には、(I)シランカップリング剤;および(II)一般式
(RO)3SiR’Si(OR)3
ここで、ROは炭素原子数1〜8のアルコキシ基を示し、R’は2価の有機基である、
で表されるジシリル架橋性化合物を含有し、(I)および(II)の重量割合が1:99〜99:1であるシラン組成物が記載されている。
(RO)3SiR’Si(OR)3
ここで、Rは、それぞれ、炭素原子数1〜8のアルキル基であり、R’は炭素原子数1〜8のアルキレン基である、
で表されるジシリル架橋剤からなるシラン接合性混合物を利用して多層プリント基板を作製する方法が記載されている。
[(RO)3SiR1]3N
または
[(RO)3SiR1]3CR2
ここで、Rは、それぞれ独立に、炭素原子数20未満のアルキル、アルコキシアルキル、アリール、アラルキルまたはシクロアルキル基であり;R1は炭素原子数20未満の2価の炭化水素またはポリエーテル基であり;そしてR2は下記式
CnH2nX
ここで、nは0〜20であり、Xはアミノ、アミド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カルボキシ、アシル、ビニル、アリル、スチリル、エポキシ、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、ウレイド、チオウレイド、グリシドキシおよびアクリロキシ基からなる群から選択される、
で表される官能基である、
で表されるトリス(シリルオルガノ)アミンまたはアルカンを含有するシラン組成物が記載されている。このシラン組成物は、プリント基板の如き多層積層体を作製する際の接着剤として特に有用である。これらのシラン組成物は、架橋剤を含有していない。従って、その接着性は常に十分であるわけではない。
(i)下記で定義される化合物(A−1)、(A−2)、(A−3)および(A−4)よりなる群から選択される少なくとも1種のカップリング剤;ならびに
(ii)下記で定義されるコロイダルシリカ(B)
を含有し;
ただし、
(a)化合物(A−3)または(A−4)のうちの少なくとも1種が存在しているときには上記コロイダルシリカ(B)は任意成分であり;
(b)化合物(A−3)または(A−4)のいずれも存在していないときには上記コロイダルシリカ(B)は必須成分であり;そして
(c)上記シラン組成物は、化合物(A−1)および(A−2)のうちの少なくとも1種を含有する。
(A−1)下記式
A(4−x)SiBx (A−1)
ここで、
Aは、それぞれ独立に、加水分解可能な基、例えばシドロキシまたはアルコキシ基であり、
xは1〜3であり、そして
Bは、それぞれ独立に、C1〜C20のアルキルもしくはアリール基または下記式
CnH2nX
ここで、
nは0〜20、好ましくは0〜12、より好ましくは1〜12、さらに好ましくは1〜8、最も好ましくは1、2、3、4、5,6または7であり、そして
Xはアミノ、アミド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロ、メルカプト、カルボキシ、カルボキシエステル、カルボキシアミド、チオカルボキシアミド、アシル、ビニル、アリル、スチリル、エポキシ、グリシドキシ、イソシアナト、チオシアナト、チオイソシアナト、ウレイド、チオウレイド、グアニジノ、チオグリシドキシおよびアクリロキシ基よりなる群から選択されるか;あるいはXは炭水化物のカルボキシエステル、カルボキシアミドまたはチオカルボキシアミドの残基である、
で表される官能基である、
で表されるシランカップリング剤;
(A−2)下記式
X−{B−[R−Si(A)3]z}x (A−2)
ここで、
Xは炭素原子数5〜10の直鎖状または分岐状の炭化水素鎖であり、
Bは、それぞれ独立に、2価または3価のヘテロ原子、好ましくはNまたはOであり、
Aは、それぞれ独立に、加水分解可能な基、例えばヒドロキシまたはアルコキシ基、であり、
Rは、それぞれ独立に、式CnH2nで表される2価の基であり、ただしnは0〜20、好ましくは1〜8であり、
Bが2価のときzは1であり、Bが3価のときzは2であり、そして
xは1〜3である、
で表されるシランカップリング剤;
(A−3)下記式
Si(OR)4 (A−3)
ここで、
Rは水素原子、アルキル、アリール、アラルキル、アリルまたはアルケニルである、
で表されるテトラオルガノシランカップリング剤;および
(A−4)下記式
SiO2・xM2O (A−4)
ここで、
xは1〜4、好ましくは1〜3であり、そして
Mはアルカリ金属またはアンモニウムイオンである、
で表される水溶性シリケートカップリング剤
よりなる群から選択される少なくとも1種のカップリング剤を含有する。
(B)下記式
(SiO2)n (B)
で表されるコロイダルシリカを含有する。
ただし、
(a)化合物(A−3)または(A−4)のうちの少なくとも1種が存在しているときには上記コロイダルシリカ(B)は任意成分であり;
(b)化合物(A−3)または(A−4)のいずれも存在していないときには上記コロイダルシリカ(B)は必須成分であり;そして
(c)上記シラン組成物は、化合物(A−1)および(A−2)のうちの少なくとも1種を含有する。
このただし書きの理由は、化合物(A−3)または(A−4)が、カップリング剤および架橋剤の双方の機能を果たすことができることにある。すなわち、これらは、これら自身で架橋することができる。従って、これらの化合物のうちの少なくとも1種が存在しているときには、コロイダルシリカ(B)は架橋のためには必要ではないが、それでもなお追加的な架橋剤として使用することは許容されるのである。化合物(A−3)または(A−4)のいずれも存在していないときには、従って組成物はコロイダルシリカ(B)を含有していなければならない。さらに、上記シラン組成物は、化合物(A−1)および(A−2)のうちの少なくとも1種を含有していなければならない。
「コロイダルシリカ」という用語は、安定な分散体またはゾルを形成しうるアモルファスシリカの離散粒子の集合(discrete paticles)をいう。コロイダルシリカは、かかる分散体またはゾルの形態で使用することが好ましい。該用語は、ポリマー分子または粒子が極めて小さいために安定な溶液または分散体を形成しないポリケイ酸を包含しない。
コロイダルシリカ(B)は、その粒子サイズが、0.1〜100nmの範囲にあることが好ましく、1〜40nmの範囲にあることがより好ましく、4〜22nmの範囲にあることがさらに好ましい。
本発明の文脈において、好ましいアルコキシ基は1〜12個、好ましくは1〜8個、より好ましくは1〜6個の炭素原子を有する。好ましいアルコキシ基はメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシおよびブトキシである。
本発明の文脈において、好ましいアリール基は6〜10個の炭素原子を有する。好ましいアリール基はフェニルおよびナフチルである。
本発明の文脈において、好ましいアラルキル基は7〜12個の炭素原子を有する。好ましいアラルキル基はベンジルである。
本発明の文脈において、好ましいアルケニル基は2〜12個、好ましくは2〜6個の炭素原子を有する。好ましいアルケニル基はビニルおよびアリルである。
および下記式
で表される基から選択される。
で表される群から選択される炭水化物残基である。
式A−1およびA−2中のBは、好ましくはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシおよびヒドロキシからなる群から選択される。
式A−3中のRは、好ましくは水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチルよりなる群から選択される。
式(A−3)の好ましい化合物は、テトラエトキシシランおよびテトライソプロポキシシランである。
式(A−4)の好ましい化合物は、ケイ酸ナトリウムおよびNa6Si2O7である。
本発明で使用されるシラン組成物に含有されるほとんどのカップリング剤は、それ自体としては公知であり、市販されている。
米国特許第5,101,055号に記載されているように、トリス(シリルオルガノ)アミンは、ビスアミンを約50℃〜300℃の範囲内の温度で特定のパラジウム一酸化物に接触させることにより、対応するビスアミンから調製することができる。トリス(シリルオルガノ)アミン化合物を調製する他の方法は、ビス(トリアルコキシシリルアルキル)アミンと、等モル量のハロゲン化トリアルキルシリルプロピル、例えば塩化物、との反応を利用するものであり、米国特許第4,775,415号に記載されている。
式A−1の新規なカップリング剤を調製する方法は、実施例に記載する。
シラン組成物のpH値は、好ましくは3〜11の範囲であり、より好ましくは4〜9の範囲であり、さらに好ましくは5〜6の範囲である。
シラン組成物中の化合物(A)および(B)の含有量は、100重量%の純品の混合物から、非常に希釈された溶液またはエマルジョンである0.1重量%以下にまで及ぶことができる。好ましい組成物は、0.001〜2モル/Lのシランカップリング剤(A)および架橋剤(B)を含有し、より好ましくは0.03〜0.1モル/Lである。
化合物(A):化合物(B)のモル比は、一般に99:1〜1:99の範囲であり、好ましくは10:1〜1:4の範囲である。
本発明によると、上記シラン組成物は、広い範囲のコンポジット材料の接着剤として使用される。実際には、シラン組成物は接合すべき2つの表面のうちの1つの表面に液状溶液またはエマルジョンとして塗布することができ、あるいはシラン組成物は接合すべき表面の双方に塗布することができる。シラン組成物、特に溶液またはエマルジョン、は、ディップ法、スプレー法、ブラシ塗布、浸漬法などの任意の一般的手段によって表面に塗布することができる。
ある実施態様では、シラン組成物は、プリント基板(PCBs)を含む多層積層体を調製するために有用である。
(a)少なくとも1つの絶縁体層、
(b)絶縁性または導電性であることのできる少なくとも1つの別の層および
(c)上記の2層間に位置してこれらを接着する、上述のように定義されるシラン組成物からなる、接着性を発現する層
を含むものである。
(a)少なくとも1つの導電体層;
(b)少なくとも1つの誘電体層;および
(c)上記導電体層と上記誘電体層との間に位置してこれらを接着する、上述のように定義されるシラン組成物からなる、接着性を発現する層
を含むものである。
(a)少なくとも1つの表面上に導電性金属被覆または金属回路を有する少なくとも1つの誘電体層;
(b)少なくとも1つの絶縁体層;および
(c)上記誘電体層の金属被覆または金属回路を有する表面と絶縁体層との間のシラン層、ただし該シラン層は上述のように定義されるシラン組成物から形成される、
を含むものである。
上記シラン組成物の接着性を発現する層は、導電性材料(例えば銅)の層と誘電性材料の層との間の結合強度ないしピール強度を向上する。
多層積層体および回路基板の形成において、表面の少なくとも1つの上に導電性金属被覆または金属回路を有する複数の誘電体層および複数の絶縁体層を使用することができる。
多層積層体の一例において、誘電体層(プリプレグ)、該誘電体層の少なくとも1つの面上の銅箔または銅回路、上述のように定義される如きシラン組成物の層および熱硬化性樹脂の絶縁体層の順で積層することができる。導電性金属被覆または金属回路は、スズまたはスズの酸化物もしくは水酸化物に被覆された銅シートもしくは箔銅または回路であることができる。導電性金属シートまたは箔および金属回路は、当業者によく知られた技術によって誘電体層にアプライすることができる。上記で定義されたシラン組成物は、加工寸法50μm以下およびさらには25μm以下の高密度配線(HDI)を有するファインラインレジスト構造を伴う電気回路の構成部品に特に好適である。
誘電体層上の金属被覆または金属回路は、スズの如き金属の薄い外層によって被覆されていてもよい。この層の厚さは、一般に1.5μm以下であり、好ましくは0.05〜0.2μmの範囲であり、例えば市販のスズめっき溶液を用いる金属めっき浸漬によって形成することができる。スズをアプライしている最中およびアプライ後に、酸化物、水酸化物またはこれらの組み合わせからなる薄い被覆が形成される。
上述のようにして調製された多層積層体は、次いで積層用プレスのプレート間において、通常の積層温度および積層圧力を印加される。この方法において積層操作は一般に、約1.72MPa(250psi)〜約5.17MPa(750psi)の範囲の圧力、約130℃〜約350℃の範囲の温度および約30分〜約2時間の積層サイクルを伴う。得られる積層体は、その後、プリント基板などの種々の用途に使用することができる。
本発明で使用されるシラン組成物の利点は、向上された接着性、向上された耐酸化性および向上された耐湿性などである。
式A−1の新規なカップリング剤:1−メチル−3−(3−トリメトキシシリル−プロピル)チオウレアの調製
250mLの反応フラスコに、10g(54.1mmol)の(3−アミノ−プロピル)−トリメトキシシラン、4.04g(54.1mmol)のイソチオシアン酸メチルおよび100mLの乾燥ジオキサンを仕込んだ。反応混合物を加熱して20時間還流した後、室温まで冷却した。反応終了後、真空下で溶媒を除去した。得られた油状物が、均一なわずかに茶色の目的生成物である。
式A−1の新規なカップリング剤:1−(2−ジメチルアミノ−エチル)−3−(3−トリメトキシシリル−プロピル)−チオウレアの調製
250mLの反応フラスコに、12.5g(69.9mmol)の(3−アミノ−プロピル)−トリメトキシシラン、9.1g(69.9mmol)のイソチオシアン酸2−N,N−ジメチルアミノ−エチルおよび200mLの乾燥ジオキサンを仕込んだ。反応混合物を室温で20時間撹拌した。反応終了後、真空下で溶媒を除去した。得られた油状物(20.9g;収率:96.6%)が、均一なわずかに茶色の目的生成物である。
本発明で使用されるシラン組成物の向上された接着性を、IPC−TM−650 No 2.4.8に準拠した引張強度試験を行うことにより検証した。本試験では、Gould GTC(7.5×15cm)タイプ、銅厚35μmの銅箔を清浄にし、エッチし、無電解スズ溶液を用いて35℃の温度における30秒間の浸漬法により被覆した。無電解スズ溶液は市販品(Secure Enhancer process、Atotech Deutschland GmbH製)である。浸漬法のほか、スプレー法も適用することができる。
次いで銅箔は、室温にて0.03モル/Lメタノール溶液のシラン組成物中に浸漬した。シラン組成物は表1〜4に示した。いくつかの例においては、酢酸によってpHを3.8に調整した。浸漬時間は1分から2分の間である。次いで、処理後の表面に対してスポンジローラーを使用し、均一な厚さのシラン層を得た。
表に記載されたオーブン中における高温のポストベークは任意的なものであるが、良好な接着性のためには必須ではない。ポストベークは50〜200℃、好ましくは80〜120℃、の温度において、30〜120分の時間で行った。
こうしてシラン被覆された箔を、真空アシスト型プレス(HML 多層プレス)を用いて175℃加熱下に80分間2.07MPa(300psi)の圧力に調整して、FR4プリプレグ(Isola 104ML)に積層した。
プレス後、積層された箔は室温まで75分間空冷された。
IPC−TM−650 No 2.4.8に準拠して引張強度試験を行った。結果は、N/cm単位の平均接着性接合強度として得た。引張強度試験の結果は第1表〜第5表にまとめた。
この表に見られるように、1〜2分間浸漬した後のピール強度値は11.7N/cmから13.4N/cmまで変化している。一般に、10N/cmよりも大きな値は、多層プリント基板の製品として非常に良好であるものと考えることができる。
従来技術、例えば米国特許第5,639,555号または欧州特許出願第0 310 010号、に対する本発明の利点は、良好な接着強度値を実現するために、シラン組成物塗布後の熱処理が不要なことである。
第3表に、コロイダルシリカを含有するが、該コロイダルシリカの粒子サイズが3〜5nmと、第2表における二酸化珪素と比較して小さい場合のシラン組成物の接着強度値を示す。ここでも非常に良好な接着強度値が得られた。
上述したように、ケイ酸ナトリウムは、架橋剤のほかシランカップリング剤でもある。しかし、ケイ酸ナトリウム単独の場合の接着強度値は、2成分組成物の場合と比較して低く、従って、ほとんどの用途においてあまり好ましくない。
Claims (17)
- その後に導電性材料と誘電体材料層との間に接着接合を形成するために、導電性材料の表面を、下記(i)または(ii)のシラン組成物を含有する溶液と接触させる工程を含む、プリント基板を製造するための方法。
(i)下記式(A−1)で表されるシランカップリング剤および下記式(B)で表されるコロイダルシリカを含有するシラン組成物;
(ii)下記式(A−1)で表されるシランカップリング剤および下記式(A−4)で表される水溶性シリケートカップリング剤を含有し、任意的に下記式(B)で表されるコロイダルシリカをさらに含有するシラン組成物;
A(4−x)SiBx (A−1)
ここで、
Aは、それぞれ独立に、加水分解可能な基であり、
xは1〜3であり、そして
Bは、それぞれ独立に、C1〜C20のアルキルもしくはアリール基または下記式
CnH2nX
ここで、
nは0〜20であり、そして
Xはアミノ、アミド、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロゲノ、メルカプト、カルボキシ、カルボキシエステル、カルボキシアミド、チオカルボキシアミド、アシル、ビニル、アリル、スチリル、エポキシ、グリシドキシ、イソシアナト、チオイソシアナト、ウレイド、チオウレイド、グアニジノ、チオグリシドキシおよびアクリロキシ基よりなる群から選択されるか;あるいはXは炭水化物のカルボキシエステル、カルボキシアミドまたはチオカルボキシアミドの残基である、
で表される官能基である:
SiO2・xM2O (A−4)
ここで、xは1〜4であり、そして
Mはアルカリ金属またはアンモニウムイオンである:
(SiO2)n (B) - 上記式(A−1)中のAがヒドロキシまたはアルコキシ基である、請求項1に記載の方法。
- 上記式(A−1)中のBがC n H 2n Xであるとき、該C n H 2n X中のnが1〜12である、請求項1に記載の方法。
- 式A−1中のAが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシおよびヒドロキシからなる群から選択されるものである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 式A−4中のxが1〜3である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 式Bのコロイダルシリカが、0.1〜100nmの範囲の粒子サイズを有するものである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 式Bのコロイダルシリカが、1〜40nmの範囲の粒子サイズを有するものである、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- シランカップリング剤(A−1)および水溶性シリケートカップリング剤(A−4):コロイダルシリカ(B)のモル比が、99:1〜1:99の範囲である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- シランカップリング剤(A−1)および水溶性シリケートカップリング剤(A−4):コロイダルシリカ(B)のモル比が、10:1〜1:4の範囲である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- シラン組成物のpH値が3〜11の範囲である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- シラン組成物が有機溶媒を含有しない水溶液である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜13のいずれか一項によって定義されるシラン組成物の、プリント基板の製造への使用。
- (a)少なくとも1つの導電体層;
(b)少なくとも1つの誘電体層;および
(c)上記導電体層と上記誘電体層との間に位置してこれらを接着する、請求項1〜13のいずれか一項によって定義されるシラン組成物からなる、接着性を発現する層
を含む、プリント基板。 - (a)少なくとも1つの表面上に導電性金属被覆または金属回路を有する少なくとも1つの誘電体層;
(b)少なくとも1つの絶縁体層;および
(c)上記誘電体層の金属被覆または金属回路を有する表面と絶縁体層との間のシラン層、ただし該シラン層は請求項1〜13のいずれか一項によって定義されるシラン組成物から形成される、
を含む、プリント基板。 - 導電性金属被覆または金属回路が、スズまたはスズの酸化物もしくは水酸化物に被覆された銅被覆または銅回路からなるものである、請求項16に記載のプリント基板。
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