TWI489920B - 多層印刷電路板之製造 - Google Patents

多層印刷電路板之製造 Download PDF

Info

Publication number
TWI489920B
TWI489920B TW099128985A TW99128985A TWI489920B TW I489920 B TWI489920 B TW I489920B TW 099128985 A TW099128985 A TW 099128985A TW 99128985 A TW99128985 A TW 99128985A TW I489920 B TWI489920 B TW I489920B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
phosphate
tin
layer
formula
Prior art date
Application number
TW099128985A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201210426A (en
Inventor
Christian Sparing
Thomas Holsmann
Patrick Brooks
Arno Clicque
Original Assignee
Atotech Deutschland Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atotech Deutschland Gmbh filed Critical Atotech Deutschland Gmbh
Priority to TW099128985A priority Critical patent/TWI489920B/zh
Publication of TW201210426A publication Critical patent/TW201210426A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI489920B publication Critical patent/TWI489920B/zh

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

多層印刷電路板之製造
本發明係關於一種形成多層印刷電路板、IC基板、用於高頻應用之印刷電路板及可撓性基板之方法；因此獲得的多層印刷電路板及IC基板，有機矽烷結合混合物及使用包含至少一種無機矽酸鹽之組合物之處理。通常藉由將經成像導電層(諸如含有銅者)與介電層(諸如部分固化之B-階段樹脂(即，半固化膠片))插入多層夾層中，然後藉由施加熱及壓力將之結合在一起而構成PCB及IC基板。由於具有光滑銅表面之導電層不能與該半固化膠片良好地結合，因此已使用粗糙的銅表面以獲得與介電層之較佳結合。因此，部分多層PCB工業應用機械或化學粗糙化步驟以確保更佳地結合。但是，由於電路圖案更精細，在此表面製備期間物理損傷導體跡線之風險增加。業界改良導電層及介電層之間之結合之其他方法係各種廣泛實踐於電鍍工業中之酮表面氧化步驟以確保良好的界面黏合。
在另一方法中，使用有機矽烷增加銅表面及半固化膠片表面之間之黏合。該等有機矽烷係於銅表面上沉積成薄層中並在層壓期間該有機矽烷分子結合至環氧樹脂，即，半固化膠片表面。為了增加該有機矽烷及銅表面之間之黏合，利用與有機矽烷反應之金屬(諸如錫)預塗佈該銅表面。當適當應用時，該有機矽烷處理係非常安定且對化學侵蝕及層離具有抵抗力。該有機矽烷加工具有可在串聯加工系統中裝設運輸帶之優點。
文件EP 0 431 501 B1揭示使用施加於經氧化之錫表面之有機矽烷結合混合物製造多層印刷電路板之方法。該方法無法製造細線IC基板。
專利申請案EP 1 978 024 A1揭示各種用於製造多層印刷電路板之有機矽烷及膠狀矽石微粒之混合物及包含鹼性矽酸鹽及膠狀矽石之結合混合物。
日本專利申請案JP 2007-10780揭示用於製造多層印刷電路板之方法，其中有機矽烷黏合劑係施加於(例如)鈀層上。
先前技術中描述之方法之主要缺點係有機矽烷層在某些環境下及在具有20 μm之特徵尺寸且使用SAP技術(半添加法)製造之IC基板之製造中可能失效。
因此，本發明之目的係為了提供一種用於形成多層印刷電路板或IC基板之方法，尤其藉由具有非常精細電路結構之SAP技術製造者。該方法包含以下步驟
(a)　在介電層載體之表面上形成導電銅電路，且該電路之厚度為至少4 μm；
(b)　藉由將錫施加於該銅電路而在該銅電路上形成錫之氧化物、氫氧化物或其組合之層，藉此在施加期間或隨後所施加的錫在其表面上轉化為氧化物、氫氧化物或其組合。氧化物、氫氧化物或組合之層之厚度較佳不大於40 μm；
(c)　將包含至少一種無機矽酸鹽之混合物施加於步驟(b)中形成之氧化物、氫氧化物或其組合之表面或施加於待與銅電路結合之絕緣層，該絕緣層包含部分固化之熱固性聚合物組合物；
(d)　將有機矽烷結合混合物施加於步驟(c)中所形成之包含至少一種無機矽酸鹽的層；
(e)　重複步驟(a)、(b)、(c)及(d)；
(f)　將步驟(a)、(b)、(c)、(d)及(e)形成之材料結合成單一物件，藉此有機矽烷塗層係在至少一種無機矽酸鹽層及絕緣層之間，藉此結合期間固化部分固化之絕緣層；及視需要
(g)　形成大量通過步驟(f)中形成的結合物件之孔洞；
(h)　自通孔之相反開口金屬化通孔壁以形成導電通路以形成多層電路板；
該方法之特徵為該有機矽烷結合混合物包含：
(i)　至少一種具有式I結構之脲基矽烷
其中A係具有1至8個碳原子之伸烷基，B係羥基或具有1至8個碳原子之烷氧基及n係1、2或3之整數，但若n係1或2，則各個B不需相同；及
(ii)　至少一種交聯劑，其選自由具有式II及式III結構之化合物及具有式II及III之化合物的混合物組成之群，
其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 相互獨立係具有1至8個碳原子之烷基，且其中R表示具有1至8個碳原子之伸烷基，及
Si(OR7 )4 　式III
其中R7 係選自由甲基、乙基及丙基組成之群，及其中至少一種具有式I結構之脲基矽烷及至少一種交聯劑之總濃度係1 g/l及50 g/l之間，and to circuit boards and IC substrates obtainable to the above process。
本發明係關於一種如請求項1定義之用於形成多層印刷電路板或IC基板之方法。該電路板具有介電材料之交替層，其支撐經由中間層黏附至絕緣層之銅電路。該電路板具有形成透過該板全部厚度之電路通道之通孔。
根據本發明之方法特別適用於具有50 μm及甚至25 μm或更低之高密度互連特徵尺寸之細線抗蝕劑結構之電路。
IC基板通常係利用SAP技術製造並具有20 μm之線及線距特徵尺寸。IC基板係IC包裝件之基礎組件，其與裝配中之其他電子組件結合，控制電子設備之功能。IC包裝件可大體上分為單晶片模組(或SCM)及多晶片模組(或MCM)，前者含有單一IC晶片之，及後者含有多個晶片及其他電子裝置。
在多層電路板或IC基板之形成中，可使用數十個導電層及非導電層。同樣，對於形成多層電路板或IC基板而言，需要鑽孔並可能由於緊鄰圍繞在孔周圍之區域中之層之層離出現缺陷。若在其中一層中存在缺陷或若發生層離，通常需丟棄整塊板或IC基板。因此在形成印刷電路板或IC基板之各步驟中，高質量對於商業化生產係必不可少。利用該等技術可形成諸多物件。闡述性說明一種物件可依序包含介電層，具有錫及位於錫之下之氧化物、氫氧化物或其組合之層之銅電路，包含至少一種無機矽酸鹽之層，有機矽烷結合混合物之層，絕緣層，第二介電層，具有第二層錫、位於錫之下之氧化物、氫氧化物或其組合之層之第二銅電路，第二層包含至少一種無機矽酸鹽之層，第二層有機矽烷結合混合物之層及第二絕緣層。在以上物件中，(第一)絕緣層可直接或通過黏合層接觸至第二介電層。該黏合劑在此項技術中已為人詳知，例如，高溫環氧樹脂。在另一物件中，可不需要存在第二介電層且所有其他層具有相同次序。在本發明另一實施例中，可存在介電層，在其正反表面上具有銅電路。此後，在相反表面上施加各種層，包括視需要之錫與位於錫之下之氧化物、氫氧化物或其組合，無機矽酸鹽，有機矽烷結合混合物及絕緣層之層。
在本發明之方法中之起始材料係在一面或正反表面上包含銅覆層之介電層。此銅層之厚度為至少1 μm及更佳為15 μm，且其用於形成導電電路。可使用先前技術中熟知之技術以形成該電路(諸如藉由感光抗蝕薄膜之可光成像技術隨後蝕刻銅之未受保護區域形成)。合適技術之實例係揭示於美國專利3,469,982中。假如介電層之組合物具有電絕緣體功能，其不起關鍵作用。有用的載體材料係揭示於美國專利4,499,152中，諸如利用玻璃纖維增強之環氧樹脂。較佳使用部分固化之熱固性聚合物組合物，其在該技術中稱為半固化膠片或「B」階樹脂。
可藉由利用部分固化之樹脂(通常環氧樹脂(例如雙官能基、四官能基及多官能基環氧樹脂))浸漬玻璃織物增強材料製備有用的介電基板或層。環氧樹脂係特別適合。本發明之有機矽烷組合物之優點係其等在基板材料之玻璃及樹脂區域兩者上顯示極佳的黏合性，其通常係先前技術已知之組合物之問題。
有用之樹脂之實例包括由甲醛及脲，或甲醛及三聚氰胺反應製備之胺基型樹脂、聚酯、酚醛樹脂、聚矽氧、聚醯胺、聚醯亞胺、鄰苯二甲酸二烯丙酯、苯基矽烷、聚苯並咪唑、二苯醚、聚四氟乙烯、氰酸酯等。此等介電基板通常稱為半固化膠片。最新一代環氧樹脂基板係Ajinomoto GX-3及GX-13，其包含玻璃球纖維並亦可利用根據本發明之方法處理。可藉由利用如以上描述之部分固化之樹脂浸漬玻璃織物增強材料製備絕緣層及介電層。因此，絕緣層亦可係半固化膠片。
在多層印刷電路板或IC基板之形成中，可使用數層至少一表面上具有導電金屬塗層或金屬電路之介電層及數層絕緣層。
在形成導電電路後，通常需要形成氧化物、氫氧化物或其組合之薄外層。可藉由銅電路之氧化作用直接形成厚度不大於1.5 μm及更佳不大於1.0 μm之層。
在本發明一實施例中，導電層係由錫形成。將如下進行更充分描述，塗層施加之較佳技術係藉由浸漬金屬鍍層。該金屬層之厚度較不重要且可係(例如)0.06至0.25 μm。在施加錫期間及隨後，形成其氧化物、氫氧化物或其組合之薄塗層。由於此塗層可能非常薄，較佳不大於1.5 μm或在某些實例中僅單層厚度，可使用空氣氧化。在該情況中，可在室溫下形成氧化物/氫氧化物，其中銅表面與周圍氧氣及水蒸氣反應。其他用於形成氧化物/氫氧化物之技術包括浸漬於或暴露至氧化性水浴中。
較佳的浸漬錫塗層組合物包含硫脲化合物、錫鹽、還原劑、酸及脲化合物。該錫鹽較佳包含亞錫鹽。儘管可使用無機(礦物)酸或有機酸之亞錫鹽(例如，甲酸亞錫及乙酸亞錫)，該錫鹽可包含礦物酸(諸如含硫酸、亞磷酸及氫鹵酸，尤其是含硫酸(諸如硫酸或胺基磺酸))之亞錫鹽。亦可使用鹼金屬錫酸鹽(諸如錫酸鈉或錫酸鉀)及其該項技術中已知之等效物。在一實施例中，硫酸亞錫、胺基磺酸亞錫或乙酸亞錫係用作錫鹽。若沉積錫鉛塗層，乙酸鉛可用作鉛鹽。所使用之酸可係有機酸或基於硫、磷或鹵素之無機酸(礦物酸)，以基於硫之酸較佳，諸如硫酸、甲磺酸(MSA)或胺基磺酸。某些可使用之有機酸包含單羧酸或具有最多約六個碳原子之二羧酸(諸如甲酸、乙酸、蘋果酸及馬來酸)。由於使用氫鹵酸或鹵鹽將在所沉積之錫塗層中產生鹵化物殘留物，此等鹽干擾錫之電學性質並亦可作為塗層中之腐蝕材料，故若可能的話較佳係不使用氫鹵酸或鹵鹽。在本發明一實施例中，該浸漬錫塗層組合物進一步包含至少一種螯合劑。特別佳之螯合劑包含胺基羧酸及羥基羧酸。某些可用於此態樣之特定胺基羧酸包含乙二胺四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、氮基三乙酸、N-二羥基乙基甘胺酸及伸乙基雙(羥基苯基甘胺酸)。可使用之羥基羧酸包含酒石酸、檸檬酸、葡萄糖酸及5-磺基水楊酸。
可使用之各種還原劑係此項技術中已知且通常包含具有至多十個碳原子之飽和或不飽和、脂肪族或環狀之有機醛。在此態樣中可使用具有至多六個碳原子之低碳數烷基醛，諸如甲醛、乙醛、丙醛、丁醛及類似物。特別佳之醛包含羥基脂肪族醛，諸如甘油醛；赤藻糖；異赤藻糖；阿拉伯糖及其各種位置異構體及葡萄糖及其各種位置異構體。已發現葡萄糖用於防止金屬鹽氧化至更高的氧化態，例如，Sn(II)至Sn(IV)，並且作為螯合劑且尤其用於此等原因。可使用之界面活性劑包含任意非離子、陰離子、陽離子或兩性界面活性劑。該非離子界面活性劑係特別佳。
包含至少一種無機矽酸鹽之組合物係在步驟(c)中作為塗料施加於氧化錫、氫氧化錫或組合，或施加於部分固化之熱固性聚合物組合物(此項技術中亦稱為半固化膠片或「B」階樹脂)。與構造為介電層相同的材料可用於稱為絕緣層之層以更容易區別於其他層。至少一種無機矽酸鹽係選自藉由通式xM2 O‧SiO2 ‧nH2 O(其中x係1至4之間，較佳1至3之間，n為0至9之間及M係選自由Na+ 、K+ 及NH4 + 組成之群)描述其特徵之水溶性無機矽酸鹽。至少一種無機矽酸鹽之濃度為0.05 g/l至50 g/l之間，較佳0.5 g/l至10 g/l之間。該混合物另外視需要包含至少一種水溶性磷酸鹽，其係選自由磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸銨、磷酸二鈉、磷酸三鈉、磷酸二鉀、磷酸三鉀、磷酸二銨、磷酸三銨、三聚磷酸鈉、三聚磷酸鉀及三聚磷酸銨及類似物組成之群。該至少一種水溶性磷酸鹽之濃度為0.05 g/l至50 g/l之間，更佳0.5 g/l至10 g/l之間。
包含至少一種無機矽酸鹽之組合物係藉由任意慣用的方法(例如，藉由浸塗、噴塗、刷塗及浸漬)沉積於具有經氧化之錫表面之銅層上。該組合物係在15℃至60℃，更佳20℃至40℃之溫度下沉積於經氧化之錫表面上。
在本發明一實施例中，基板係在包含至少一種無機矽酸鹽之組合物中浸塗5秒至100秒，更佳10秒至30秒。
在另一實施例中，在有機矽烷結合混合物沉積前不乾燥包含至少一種無機矽酸鹽之層。
然後，根據本發明之有機矽烷結合混合物係在步驟(d)中作為塗料施加於包含至少一種無機矽酸鹽之層。對於可用於本發明中之有機矽烷結合混合物，需要該有機矽烷結合混合物形成結合至包含至少一種無機矽酸鹽及部分固化並轉化為完全固化之絕緣層之黏著中間層。需要該包含至少一種無機矽酸鹽之層及有機矽烷結合混合物發揮防止根據如本文定義之熱應力測試之層離的功能。在較佳的模式中，具有完全固化之絕緣層之多層電路板滿足MIL-P-55110D之所有規格。
一般認為脲基矽烷與有機矽烷之矽烷醇(SIGH)-基團形成氫橋鍵及/或形成縮合反應中之共價金屬-O-Si鍵。一般認為該有機矽烷通過經官能基取代之有機基團與鄰近層相互作用以提供凡得瓦力相互作用(其係強極性力氫橋相互作用)，或與介電樹脂形成共價鍵。一般認為交聯劑與脲基矽烷形成網路以降低所產生之黏著有機矽烷層之濕敏性。本發明之防潮黏著有機矽烷層係由具有以下作為其基本組分之有機矽烷結合混合物製備。
(I)　至少一種具有根據式I結構之脲基矽烷：
其中A係具有1至8個碳原子之伸烷基，B係羥基或具有1至8個碳原子之烷氧基，及n係1、2或3之整數，但若n係2或3，則B不需要相同；及(II)至少一種交聯劑，選自由具有根據式II結構之化合物，具有式III化合物及具有式II及III化合物之混合物組成之群
其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 相互獨立地係具有1至8個碳原子之烷基且R表示具有1至8個碳原子之伸烷基
Si(OR7 )4 　式III
其中R7 係選自由甲基、乙基及丙基組成之群。
若存在多於一個B基團，式I中各個B基團較佳係相同。同樣，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 較佳係相同。在脲基矽烷中，伸烷基A較佳係二價伸乙基或伸丙基及烷氧基B較佳係甲氧基或乙氧基。特別佳之脲基矽烷係γ-脲基丙基-三乙氧基-矽烷。在根據式II之交聯劑中，烷基較佳係甲基或乙基及伸烷基R較佳係二價伸乙基或伸丙基。根據式II之特別佳之交聯劑係六甲氧基二甲矽烷基乙烷。矽烷結合混合物之組分濃度可能廣泛變化以滿足特定應用之需要。因此脲基矽烷對交聯劑之重量比率可係99:1及1:99之間。脲基矽烷及交聯劑之重量比率較佳係10:1及1:1之間。通常使用單一脲基矽烷與單一交聯劑，但是，該矽烷結合混合物中使用如上定義之兩種或多種脲基矽烷及/或如上定義之兩種或多種交聯劑係在本發明之範圍內。在本發明之實踐中，該有機矽烷結合混合物可作為液體溶液施加於包含至少一種無機矽酸鹽之層或絕緣層表面。在此實例中，該有機矽烷結合混合物包含用於脲基矽烷及交聯劑之互溶劑。有機矽烷之總濃度為1 g/l及50 g/l之間，更佳2 g/l至10 g/l之間。藉由任意慣用的方法(例如，藉由浸塗、噴塗、刷塗及浸漬)施加該溶液。
可對如以上描述製備之多層印刷電路板或IC基板施以慣用的層壓溫度及層壓壓力板之間之壓力。在此方法中，層壓操作通常將涉及1.72 MPa至5.17 MPa之間之壓力，130℃至約350℃之間之溫度及層壓循環為30分鐘至2小時。或者，真空層壓方法係用於IC基板中之Biuld-up Film。層壓板係置於銅表面上，於100℃下層壓且以3 kg/cm2 壓製30秒。
根據本發明之優點包括增強之黏合性、增強之抗氧化性及增強之防潮性，對於高密度互連線及IC基板尤其明顯。
實例
用於實驗之測試樣品係：
(i)　由0.8 mm厚度之標準FR4材料層與厚度35 μm之銅層製備之全銅平板且尺寸為310×500 mm
(ii)　具有厚1.6 mm FR4單側經結構化之側面與厚度35 μm銅之結構化平板且尺寸200×150 mm
(iii)　具有厚度32 μm之ABF薄膜(Ajinomoto GX13)
在串聯式噴塗系統中測試樣品(i)及(ii)之銅表面係經化學清洗，利用浸漬錫組合物及有機矽烷結合混合物處理，及視需要在利用有機矽烷結合混合物處理前利用包含無機矽酸鹽之組合物處理，並對EP 043501 B1之實例中描述之樣品A(即在有機矽烷結合混合物沉積前不利用無機矽酸鹽處理)進行評估。
在所有實例中所使用之化學清洗及利用浸漬錫組合物之處理係在表1中概述：
應用於實例1至5中之加工步驟(c)至(d)係在表2中概述：
在所有實驗中，類型(i)或(ii)之平板係在施加無機矽酸鹽及有機矽烷結合混合物後與ABF薄膜層壓。層壓前，在65℃下預熱平板5分鐘。利用熱軋層壓機及在100℃輥輪溫度下以1 m/分鐘之層壓速度進行層壓。平板兩側面之層壓需要兩步層壓步驟。然後移除PET覆蓋箔片。
層壓後，在利用空氣循環之烘箱中於180℃固化層壓板30分鐘。
然後，利用去膠渣加工處理所有平板兩次，此後實施通過穿孔之鍍覆加工，其中銅係利用無電鍍銅加工沉積且利用10 μm電鍍銅增強。
在經銅電鍍後應用熱退火。應用三階段退火處理：第一階段在180℃下退火60分鐘，第二階段在200℃下退火60分鐘及第三階段在200℃下退火60分鐘。
然後藉由樣品之光學檢測對氣泡計數。觀察到兩種類型的氣泡：類型一係由ABF薄膜與錫層部分層離引起(即增黏劑層失效)，另一種係由鍍銅層與FR4基礎材料層離引起。實例1至5期間僅考慮類型1之氣泡。
實例1(對照物)
在此實例中，如EP 043 501 B1之實例1中之樣品A描述之包含1.0重量% 3-[三(乙氧基/甲氧基)甲矽烷基]丙基]脲及0.2重量% 2-雙(三乙氧基甲矽烷基)乙烷之相同之有機矽烷結合混合物係沉積在經氧化之錫表面上。不應用步驟(c)之處理類型。
觀察到氣泡。
實例2(對照物)
利用步驟(d)中之包含1.0重量%之3-[三(乙氧基/甲氧基)甲矽烷基]丙基]脲及1.0重量%之2-雙(三乙氧基甲矽烷基)乙烷之有機矽烷結合混合物處理平板。不應用根據步驟(c)之處理。
觀察到氣泡。
實例3
應用如實例1中使用之相同的有機矽烷結合混合物。在應用該有機矽烷結合混合物前，利用如2至3頁中描述之根據加工次序之步驟(c)之包含2 g/l偏矽酸鈉(x=1)之組合物處理平板。
未觀察到氣泡。
實例4
利用如2至3頁中描述之加工次序之步驟(c)中之包含2 g/l偏矽酸鈉(x=1)之組合物及步驟(d)中之包含1.0重量%之3-[三(乙氧基/甲氧基)甲矽烷基]丙基]脲及1.0重量%之2-雙(乙氧基甲矽烷基)乙烷之有機矽烷結合混合物處理平板。
未觀察到氣泡。
實例5
此實例顯示若在有機矽烷結合混合物沉積前於經氧化之矽表面上沉積無機矽酸鹽層，該經氧化錫表面對於有機矽烷結合混合物之可濕性增加原因。
根據表1中概述之方法處理具有銅表面之FR4基板。然後，包含2 g/l偏矽酸鈉(x=1)之組合物係沉積在經氧化之錫表面上(在T=35℃，t=30秒下沉積)、沖洗並乾燥。使用甘油作為測試液體藉由停滴測試方法比較經清洗之銅表面、經氧化之錫表面及經偏矽酸鈉塗佈之經氧化之錫表面之可濕性。
100秒後對甘油之接觸角分別係85°(經清洗之銅表面)、50°(經氧化之錫表面)及35°(利用包含偏矽酸鈉之組合物塗佈之經氧化之錫表面)。
對甘油所產生之接觸角越小，對於有機矽烷結合混合物之表面可濕性越佳。
實例6
在應用壓力鍋測試之前及之後，藉由測定具有銅表面之FR4基礎基板及ABF薄膜之間之界面之剝離強度證明根據本發明之方法製備之層壓物之防潮性增加。
根據表1及2製備對照組樣品，但不施加無機矽酸鹽塗料。根據表1及2中描述之方法製備根據本發明之方法之樣品。
然後兩種樣品進行根據Jedec Standard JESD22-A102-C之壓力鍋測試(121℃，100% RH，205 kPa為時24小時)。根據IPC-TM-650第2.4.8號測定其剝離強度。
層壓後兩種樣品之剝離強度係13.33 N/cm及壓力鍋測試後對照樣品為10.75 N/cm及根據本發明之方法製備之樣品為11.96 N/cm。

Claims (9)

  1. 一種用於製造含有使電連接器通過若干絕緣層至一系列導電層之導電通孔之多層印刷電路板之方法，其包含以下步驟：(a)在介電層載體之表面上形成導電銅電路，且該電路之厚度為至少4μm；(b)藉由將錫施加於該銅電路而在該銅電路上形成錫之氧化物、氫氧化物或其組合之層，藉此在施加期間或隨後，所施加之錫係在其表面上轉變為氧化錫、氫氧化錫或其組合，但氧化錫、氫氧化錫或組合之層之厚度係不大於40μm；(c)將包含至少一種無機矽酸鹽之混合物施加於步驟(b)中形成之該氧化物、氫氧化物或其組合之表面；(d)將有機矽烷結合混合物施加於步驟(c)形成之氧化物、氫氧化物或其組合之表面；(e)重複步驟(a)、(b)、(c)及(d)至少一次；(f)將藉由步驟(a)、(b)、(c)、(d)及(e)形成之材料結合成單一物件，藉此有機矽烷塗層係在該氧化物、氫氧化物或組合及絕緣層之間，藉此在結合期間，固化該部分固化之絕緣層；該方法之特徵為有機矽烷結合混合物基本上由以下組成：(I)至少一種具有式I結構之脲基矽烷： 其中A係具有1至8個碳原子之伸烷基，B係羥基或具有1至8個碳原子之烷氧基及n係1、2或3之整數，但若n係1或2，各個B不需要相同；及(II)至少一種交聯劑，其選自由具有式II結構之化合物、具有式III之化合物及具有式II及III化合物之混合物組成之群： 其中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 及R6 相互獨立地係具有1至8個碳原子之烷基，及其中R表示具有1至8個碳原子之伸烷基，Si(OR7 )4 式III其中R7 係選自由甲基、乙基及丙基組成之群。
  2. 如請求項1之方法，其中具有式I結構之脲基矽烷、具有式II及式III結構之交聯劑之總濃度在1及50g/l之間。
  3. 如請求項1之方法，其中該用於步驟(c)中之至少一種無機矽酸鹽係選自具有通式xM2 O．SiO2 ．nH2 O之群，其中x為1至4之間，n為0至9之間及M係選自由Na+ 、K+ 及NH4 + 組成之群。
  4. 如請求項1之方法，其中該用於步驟(c)中之組合物進一 步包含至少一種水溶性磷酸鹽化合物。
  5. 如請求項4之方法，其中該至少一種水溶性磷酸鹽化合物係選自由磷酸鈉、磷酸鉀、磷酸銨、磷酸二鈉、磷酸三鈉、磷酸二鉀、磷酸三鉀、磷酸二銨、磷酸三銨、三聚磷酸鈉、三聚磷酸鉀及三聚磷酸銨組成之群。
  6. 如請求項1之方法，其中該至少一種脲基矽烷與該至少一種交聯劑之重量比率為10：1及1：1之間。
  7. 如請求項5之方法，其中該脲基矽烷係3-[三(乙氧基/甲氧基)甲矽烷基]丙基]脲。
  8. 如請求項6之方法，其中該交聯劑係2-雙(乙氧基甲矽烷基)乙烷。
  9. 如請求項1之方法，其中該方法在步驟(f)後包含其他步驟：(g)形成諸多通過步驟(f)中形成之結合物件之孔洞；(h)自該等通孔之相反開口開始將通孔壁金屬化以形成導電通道，而形成多層電路板。
TW099128985A 2010-08-27 2010-08-27 多層印刷電路板之製造 TWI489920B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099128985A TWI489920B (zh) 2010-08-27 2010-08-27 多層印刷電路板之製造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099128985A TWI489920B (zh) 2010-08-27 2010-08-27 多層印刷電路板之製造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201210426A TW201210426A (en) 2012-03-01
TWI489920B true TWI489920B (zh) 2015-06-21

Family

ID=46763980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099128985A TWI489920B (zh) 2010-08-27 2010-08-27 多層印刷電路板之製造

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI489920B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2645830B1 (en) * 2012-03-29 2014-10-08 Atotech Deutschland GmbH Method for manufacture of fine line circuitry

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW203676B (zh) * 1989-12-05 1993-04-11 Du Pont
TW200902320A (en) * 2007-04-04 2009-01-16 Atotech Deutschland Gmbh Use of silane compositions for the production of multilayer laminates

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW203676B (zh) * 1989-12-05 1993-04-11 Du Pont
TW200902320A (en) * 2007-04-04 2009-01-16 Atotech Deutschland Gmbh Use of silane compositions for the production of multilayer laminates

Also Published As

Publication number Publication date
TW201210426A (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW203676B (zh)
US4868071A (en) Thermally stable dual metal coated laminate products made from textured polyimide film
TWI405805B (zh) 樹脂組成物，附有基材之絕緣片，預浸體，多層印刷佈線板及半導體裝置
WO2011149019A1 (ja) 金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法、金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板、インターポーザ及び半導体装置
TW200522824A (en) Formation method of metal layer on resin layer, printed wiring board, and production method thereof
EP2244542B1 (en) Multilayer printed circuit board manufacture
KR20080028819A (ko) 대 수지 접착층 및 이를 이용한 적층체의 제조 방법
KR101593560B1 (ko) 프린트 배선기판 및 그 제조방법, 그리고 금속 표면 처리액
US20110120760A1 (en) Electroless copper plating method, printed wiring board, method for producing the same, and semiconductor device
TW201823511A (zh) 印刷配線基板之製造方法
US4894124A (en) Thermally stable dual metal coated laminate products made from textured polyimide film
TWI489920B (zh) 多層印刷電路板之製造
JP6260097B2 (ja) 積層板、多層積層板、プリント配線板、多層プリント配線板、及び積層板の製造方法
KR102081078B1 (ko) 연성동박적층필름 및 이의 제조방법
US7297757B2 (en) Resin surface treating agent and resin surface treatment
JP2009067852A (ja) ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置
US20100000971A1 (en) Adhesive layer forming liquid
JP2012138484A (ja) プリント配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
KR101590081B1 (ko) 인쇄회로기판 내층의 표면처리 방법
KR20150018022A (ko) 인쇄회로기판용 적층재, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JPH0837359A (ja) 部分的アディティブ法によるプリント回路導体の改善された製造法
KR20230052472A (ko) 다층 구조의 동박 적층판의 제조방법
EP2603064A1 (en) Multilayer printed circuit board manufacture
JP2010034142A (ja) 多層配線板の製造方法、多層配線板および半導体装置
JP2005171318A (ja) プリント配線板とプリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees