JP2010034142A

JP2010034142A - 多層配線板の製造方法、多層配線板および半導体装置

Info

Publication number: JP2010034142A
Application number: JP2008192251A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Fujiwara; 大輔藤原
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2008-07-25
Filing date: 2008-07-25
Publication date: 2010-02-12

Abstract

【課題】本発明は、アディティブ法の多層配線板の製造方法における、部品実装のリフロー工程などの熱履歴による多層配線板の膨れの緩和およびレーザービア加工性向上による歩留まりの低下を抑制することである。
【解決手段】導体回路と絶縁性樹脂層を組合せてなる多層配線板の製造方法であって、少なくとも、（１）導体回路が形成された回路基板の導体回路面とキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂面とが対峙するように張り合わせて熱圧着する工程、（２）該キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムをつけたままで熱処理し、絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程、（３）絶縁性樹脂にレーザー照射することによりビアホールを形成する工程、（４）その後、さらに熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化する工程、を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線板の製造方法、多層配線板および半導体装置に関するものである。

ビルドアップ多層配線板は、絶縁層と導体とを積み重ねながら成形される。その中でも、半導体パッケージ用多層配線板においては、アディティブ法、サブトラクティブ法と呼ばれる工法がある。
サブトラクティブ法とは、銅張積層板を用い、銅箔の回路部分にエッチングレジストを形成し銅箔をエッチングで除去することにより回路形成を行う方法である。しかしながら、エッチングによる回路形成は、エッチングレジストに対して水平方向にも除去部分が広がってしまうため、エッチングレジストに忠実な回路形成は困難である。
アディティブ法とは、メッキレジストに沿ってメッキにより導体回路を成長させた後、メッキレジストを剥離し回路形成を行う方法である。このため、メッキレジストに忠実な回路形成を行うことができる。以上の点から、微細化が要求される半導体パッケージ用多層配線板においては、アディティブ法が一般的に使われている。
しかし、アディティブ法では微細な回路形成は可能であるが、絶縁層を積層、加工する場合の問題として、絶縁層のレーザーによるビアホール加工性が悪く、また、部品実装のリフロー工程などの熱履歴を繰り返すことにより発生する多層配線板の膨れが挙げられる。（例えば、特許文献１参照。）

特開Ｈ０９−２３２７５９号公報

本発明は、上述した課題を解決する為になされたものであり、その目的は、アディティブ法の多層配線板の製造方法における、部品実装のリフロー工程などの熱履歴による多層配線板の膨れの緩和およびレーザービア加工性向上による歩留まりの低下を抑制することである。

このような目的は、下記［１］〜［６］に記載している本発明の多層配線板の製造方法によって達成される。
［１］導体回路と絶縁性樹脂層を組合せてなる多層配線板の製造方法であって、少なくとも、
（１）導体回路が形成された回路基板の導体回路面とキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂面とが対峙するように張り合わせて熱圧着する工程、
（２）該キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムをつけたままで熱処理し、絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程、
（３）絶縁性樹脂にレーザー照射することによりビアホールを形成する工程、
（４）その後、さらに熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化する工程、
を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。
［２］前記キャリアフィルムが熱可塑性フィルムである前記［１］項に記載の多層配線板の製造方法。
［３］レーザー照射によるビアホール形成前に絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムを剥離する工程を含む前記［１］または［２］項に記載の多層配線板の製造方法。
［４］工程（１）〜（４）および導体回路を形成する工程を複数回行う前記［１］〜［３］項のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法。
［５］前記［１］〜［４］項のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線板。
［６］前記［５］項に記載の多層配線板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。

本発明の多層配線板の製造方法を行うことで、レーザーによるビアホール加工性に優れ、部品実装のリフロー工程などの熱履歴を繰り返すことによる多層配線板の膨れが抑制され、歩留まり低下を抑制できる。

本発明は、導体回路と絶縁性樹脂層を組合せてなる多層配線板の製造方法であって、少なくとも、
（１）導体回路が形成された回路基板の導体回路面とキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂面とが対峙するように張り合わせて熱圧着する工程、
（２）該キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムをつけたままで熱処理し、絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程、
（３）絶縁性樹脂にレーザー照射することによりビアホールを形成する工程、
（４）その後、さらに熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化する工程、
を含むものであり、この製造方法で作製した多層配線板は、レーザーによるビアホール加工性に優れ、部品実装のリフロー工程などの熱履歴を繰り返すことによる多層配線板の膨れが抑制され、歩留まり低下を抑制できるものである。
以下、図面を用いて本発明の製造方法について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。

図１、図２は、本発明の多層配線板の製造方法を説明するための端面図である。
まず、（１）導体回路が形成された回路基板の導体回路面とキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂面とが対峙するように張り合わせて熱圧着する工程（工程（１））を説明する。
工程（１）に係る導体回路が形成された回路基板は、例えば、コア基板となる絶縁層１の両面に銅箔層２が張られた両面銅張り積層板（図１（ａ））の銅箔層２上にエッチングレジスト（図示せず）を形成し、エッチングにより導体回路３を形成し、エッチングレジストを剥離して得られる導体回路３が形成された回路基板である（図１（ｂ））。
そして、工程（１）では、キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを導体回路３と対峙させるように張り合わせて熱圧着する（図１（ｃ））。キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを張り合わせて熱圧着する方法としては、真空ラミネート、真空プレスなどの方法で積層したりする方法が挙げられる。ここで、キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートは、キャリアフィルム５と絶縁性樹脂４から構成されており、絶縁性樹脂４は、熱処理により硬化する前の絶縁性樹脂である。

次いで、キャリアフィルム５が付いた状態で熱処理し、絶縁性樹脂４の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程（工程（２））を行う。（図１（ｄ））
なお、本発明でいう絶縁性樹脂の硬化度（工程（２）および工程（４）において同様）とは、まず、絶縁性樹脂４を熱処理した後の絶縁性樹脂６表面を適量削り取り、ＤＳＣ（示差走査熱分析）にて１０℃／分の条件で測定する。次に、得られた発熱量Ａ(Ｊ／ｇ)を熱圧着前のフィルム状態である絶縁性樹脂のＤＳＣにて得られる発熱量Ｂ(Ｊ／ｇ）を基
準として下記式にて計算して得られたものである。
硬化度（％）＝｛（発熱量Ｂ−発熱量Ａ）/（発熱量Ｂ）｝×１００
工程（２）で熱処理した後の絶縁性樹脂６の硬化度は、８０％以上９５％以下が好ましく、さらに好ましくは８５％以上９０％である。なお、工程（２）では、硬化前の絶縁性
樹脂の種類により、熱処理温度および熱処理時間を適宜選択して、硬化度を調節することができる。
ここで、硬化度を上記の範囲とする理由は、硬化度を下限値以上にすることでデスミア工程における耐薬品性を良好にするためである。さらに下限値未満とすると絶縁性樹脂の硬化度が低くなりビアホール形成時にクラックなどが発生しやすくなってしまう。また、硬化度を上限値以下とする理由としては、これ以上硬化が進むとスミア除去が困難になること、メッキとの密着が困難になることなどが挙げられる。
このように、工程（２）を行うことにより、硬化度が上記範囲の絶縁性樹脂６が形成された回路基板を得る。
次いで、キャリアフィルム５を剥離する工程を行った後、絶縁性樹脂６の所定の位置にレーザー照射によりビアホール７を形成する工程（工程（３））を行う（図１（ｅ））。レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザー、エキシマレーザなどを使用することができる。
なお、上記では、工程（３）を行う前に、キャリアフィルムを剥離する工程を行う旨を説明したが、キャリアフィルムを剥離する工程を行わずに、絶縁性樹脂６にキャリアフィルム５が付いたままで、レーザーを照射して、工程（３）を行うこともできる。

本発明の多層配線板の製造方法では、工程（３）を行った後の工程で、さらに熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化する工程（工程（４））を行う。工程（４）では、絶縁性樹脂の硬化度を、好ましくは９５％以上、特に好ましくは９８％以上とする。

次に、絶縁性樹脂６上に導体回路１１を形成する工程について述べる。本発明の多層配線板の製造方法では、導体回路１１を形成する工程を、工程（４）を行う前に行う。
つまり、本発明における多層配線板の製造方法の形態例としては、
（Ａ）工程（１）→工程（２）→工程（３）→導体回路１１を形成する工程→工程（４）、
（Ｂ）工程（１）→工程（２）→工程（３）→工程（４）→導体回路を形成する工程、が挙げられる。

導体回路１１を形成する工程において、導体回路１１を形成する方法として、セミアディティブ法による回路形成の工程を説明するが、以下の工程は、導体回路の形成方法の一例として、回路形成の工程を説明するものであり、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
先ず、レーザー照射によるビアホール底に発生する樹脂残渣除去のため、工程（３）を行った後、デスミア工程を行う（図示せず）。デスミア工程は、膨潤工程、樹脂エッチング工程、中和工程からなる。膨潤工程とは、水溶性有機溶剤と苛性ソーダなどの強アルカリを含む処理液を用いて樹脂表面を改質するために行う工程である。樹脂エッチング工程とは、過マンガン酸溶液の酸化作用を利用して樹脂表面を酸化除去（酸化エッチング）行うことにより、その表面に微細な凹凸を形成するために行う工程である。また、中和工程とは、硫酸を主成分とする酸溶液を用い、前記樹脂エッチング工程中で付着した過マンガン酸溶液を除去する工程である。これらの工程により、ビアホール底に発生する樹脂残渣除去と絶縁性樹脂表面の粗化が行われ、絶縁性樹脂層表面に形成される導体回路との密着性向上が可能となる。

次に、パラジウム触媒処理などの一般的なめっき前処理および後処理を行い、銅などの導体層を絶縁性樹脂上に無電解めっきして、無電解めっき層８を形成する（図２（ｆ））。
その後、レジスト膜９を形成した後（図２（ｇ））、電解めっきにより導体層１０を形成する（図２（ｈ））。

その後、レジスト膜９を薬液により剥離し、さらに無電解めっき層８をエッチングにより除去して、無電解めっき層８と電解めっき層よりなる導体層１０からなる導体回路１１が得られる（図２（ｉ））。
このようにして、絶縁性樹脂６上に、導体回路１１を形成させ多層配線板が得られる。
そして、更に、層数に応じて工程（１）〜工程（４）および導体回路１１を形成させる工程を繰り返すことにより４層数以上の多層配線板が得られる。
多層配線板の最外層には、絶縁性の保護膜を形成する。例えば、ソルダーレジストなどが挙げられる。

図３に従来のビアホールの形成方法を図示する。キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを導体回路２３と対峙させるように張り合わせて熱圧着（図３（ａ２））した後、キャリアフィルム２５を剥離する（図３（ｂ２））。
その後、絶縁性樹脂２４を硬化させ（図３（ｃ２））、所定の位置にレーザー照射することによりビアホール２７を形成する（図３（ｄ２））。
上記の方法でビアホール２７を形成させた場合、硬化前の絶縁性樹脂２４が露出した状態（図３（ｂ２））で、熱処理による硬化工程を行う。

一般的に、搬送中、または、硬化炉内でホコリやゴミなどの異物が付着する可能性がある。そのため、クリーン度の管理された施設または乾燥炉で処理する必要がある。

本発明の多層配線板の製造方法に用いる剥離可能なキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルム５としては、絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程後にキャリアフィルムと絶縁性樹脂が剥離可能であれば特に制限されない。絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程後の剥離し易さの観点から、キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルム５としては、熱可塑性樹脂よりなるフィルムが好ましい。熱可塑性樹脂としては、例えばポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェ二レンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどが挙げられる。前記熱可塑性のフィルムを用いると比較的容易に剥離することが可能である。またキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂が接するキャリアフィルム面は、離型処理されていることが好ましい。離型処理としては、硬化型シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、長鎖アルキル基含有樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂、ワックスなどが挙げられる。離型処理されていることで絶縁性樹脂層が硬化後も容易に剥離することができる。

次に、上記キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂について説明する。
上記キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂４は、硬化前の絶縁性樹脂であり、絶縁性を有すれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂などの熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。
このほか、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、無機充填材、有機充填材、カップリング剤などの添加剤を適宜配合することができる。
本発明で用いられる絶縁性樹脂は、上記成分を有機溶剤などにより溶解および／または分散させた絶縁性樹脂ワニスを、上記キャリアフィルムの離型処理が施さされた面側に形成される。キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの形成には、例えばコンマコーター、ナイフコーターなど各種塗工装置を用いて塗工する方法、噴霧ノズルなどの各種スプレー装置を用いて塗工する方法、などが挙げられる。これらの中でも、各種塗工装置を用いて、絶縁性樹脂ワニスをキャリアフィルムに塗工する方法が好ましい。これにより、簡易的な装置で厚み精度に優れた絶縁性樹脂４を形成することができる。その後、必要に応じて、常温または加温下で乾燥させることにより、絶縁性樹脂ワニスを調製する際に用いた有
機溶媒や分散媒体を除去して、絶縁性樹脂表面のタック性をなくし、取り扱い性に優れたキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートとすることができる。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はここで例示された形態に限定されるものではない。
（実施例１）
１．絶縁性樹脂ワニスの調整
絶縁性樹脂ワニスは、ビスフェノールＳエポキシ樹脂とビフェニルエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ＪＥＲ製ＹＸ８１００重量平均分子量１５，０００）１０重量部、ビスフェノールＦの重合体であり、ビスフェノールＡとビスフェノールＦの共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ＥＰ−４２７５重量平均分子量３５，０００）１０重量部、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）２０重量部、ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）２０重量部、硬化触媒としてイミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒子径０．５μｍ）３９．６重量部とエポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。

２．キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの製造
上述の絶縁性樹脂ワニスを用いて、キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ）上にコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ４０μｍのキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを作製した。

３．多層配線板の製造
１８μｍ厚の銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ樹脂銅張積層板（住友ベークライト製）を用い、両面に回路が形成された回路基板の両面に上記で作製したキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを真空加圧式ラミネーター（名機製作所製、ＭＶＬＰ-５００/６００ＩＩＡ）を用いてラミネートした。真空ラミネートは１００℃、１．０ＭＰａの条件で行い、加熱プレスは１００℃、１．０ＭＰａで行った。
その後、１７０℃で３０分間熱処理し、前記絶縁性樹脂を熱硬化させた。この時の硬化度は、９０％であった。硬化度の測定方法は、熱処理後の試料表面を適量削り取り、ＤＳＣにて１０℃／分の条件で測定した。このとき、得られる発熱量を発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）とした。次に、得られた発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）を、熱圧着前のフィルム状態である絶縁性樹脂のＤＳＣにて得られる発熱量Ｂ（Ｊ／ｇ）を基準として下記式にて算出した。
硬化度（％）＝（発熱量Ｂ−発熱量Ａ）/（発熱量Ｂ）×１００
次に、キャリアフィルムを物理的に剥離し、炭酸ガスレーザー加工機（三菱電機製、６０５ＧＴＸIII）を用いて、平均直径が８０μｍ径のビアホールを形成した。
次に、デスミア工程を行った。膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントＰ）に浸漬し、さらに過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトＣＰ））に浸漬後、中和して粗化処理を行った。
その後、５０℃のクリーナ液(アトテックジャパン社製、クリーナセキュリガント９０２)に５分間、２５℃のプレディップ液（アトテックジャパン社製、プレディップネオガントＢ）に９０秒、３５℃のアクチベータ液（アトテックジャパン社製、アクチベータネオガントＢ）に５分間、３０℃のリデューサ液（アトテックジャパン社製、リデューサネオガ
ントＷＡ）に５分間、３５℃の無電解メッキ液（アトテックジャパン社製、ＭＳＫ−ＤＫ）に２０分間、上記の順番で浸漬し無電解メッキを行った。次に、アニール１５０℃３０分加熱処理をした。その後、電解メッキ(奥野製薬社製、ＯＰＣ高純度硫酸銅メッキ)を行った。
次に、２００℃６０分間処理を行い、絶縁性樹脂を硬化させ、表面にソルダーレジスト層を形成して、４層の多層配線板を作製した。

４．半導体装置の製造
上記作製した多層配線板を用いて、半田ボールが搭載された半導体チップを多層配線板に接合し、多層配線板と半導体チップとの隙間を封止樹脂組成物にて封止して半導体装置を作製した。作製した半導体装置を用いて以下の評価方法により評価して、表１に示した。

《評価方法》
１．硬化度の測定
上記多層配線板作製時の工程（２）の熱処理後の絶縁性樹脂の硬化度を測定した。
硬化度の測定方法は、熱処理により絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程後の試料表面を適量削り取り、ＤＳＣにて１０℃／分の条件で測定した。熱処理条件は、表に記載した条件で実施した。
このとき、得られる発熱量を発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）とした。次に、得られた発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）を圧着工程前の絶縁性樹脂のＤＳＣにて得られる発熱量Ｂ（Ｊ／ｇ）を基準として下記式にて算出した。
硬化度（％）＝（発熱量Ｂ−発熱量Ａ）/（発熱量Ｂ）×１００
２．レーザー加工性（１）、（２）
上記多層配線板作製時の工程（３）のデスミア工程後のビア形状を観察した。評価項目は、樹脂残渣除去の可否、ビア壁面またはビアトップ周辺のクラックをＳＥＭ観察で確認した。樹脂残渣が観察されなかった場合を、樹脂残渣「○」と、樹脂残渣が観察された場合を、樹脂残渣「×」とした。また、ビア壁面およびビアトップ周辺のどこにもクラックの発生がなかった場合を、クラック「○」と、ビア壁面またはビアトップ周辺のどこかでもクラックの発生があった場合を、クラック「×」とした。
レーザー加工性（１）は、デスミア工程の条件を、６０℃の膨潤液に５分間、８０℃の過マンガン酸ナトリウム水溶液に１５分、４０℃の中和液に５分として評価を行った。
レーザー加工性（２）は、デスミア工程の条件を、８０℃の膨潤液に１０分、８０℃の過マンガン酸ナトリウム水溶液に２０分、４０℃の中和液に５分として評価を行った。

３．リフロー性評価
上記作製した多層配線板を用いて、最高温度２６０℃３秒のリフロー工程を３０回実施し、多層配線板の膨れを確認した。膨れた時点で試験終了とし、膨れるまでの回数、膨れの程度で評価した。膨れの程度は多層配線板面積に対する膨れ面積の割合で３０回・膨れなしを合格とし「○」、膨れ面積１０％未満を「△」、１０％以上を「×」とした。
同様の評価を半導体装置でも実施し、その結果は、多層配線板と同様の結果であった。

（実施例２）
実施例１の１７０℃で３０分間の熱処理を１７０℃で６０分間とし、硬化度９０％を９５％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に示した。
（実施例３）
実施例１の１７０℃で３０分間の熱処理を１７０℃で２０分間とし、硬化度９０％を８５％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に示した。

（比較例１）
比較例１は、実施例１とは、キャリアフィルムの剥離を熱処理前に行う点が異なる。
すなわち、上記実施例１の多層配線板の製造方法において、キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートを回路基板にラミネートする工程までは、実施例１と同様の方法で行った。次に、キャリアフィルムを物理的に剥離し、１７０℃で４５分間熱処理し、前記絶縁性樹脂層を熱硬化させた。この時の硬化度は、９０％であった。以降の工程は実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に示した。

（比較例２）
比較例１の１７０℃で４５分間の熱処理を、１７０℃で６０分間とし、硬化度９０％を硬化度９５％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に
示した。
（比較例３）
比較例１の１７０℃で４５分間の熱処理を、１７０℃で３０分間とし、硬化度９０％を硬化度８５％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に
示した。

（比較例４）
実施例１の１７０℃で３０分間の熱処理を、１９０℃で６０分間とし、硬化度９０％を硬化度９８％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に
示した。
（比較例５）
実施例１の１７０℃で３０分間の熱処理を、１７０℃で１５分間とし、硬化度９０％を硬化度７５％に変更した以外は、実施例１と同様に作製し、評価した。評価結果を表1に
示した。

レーザー加工性評価の結果、実施例１〜３では、デスミア条件の弱いレーザー加工性（１）でも、樹脂の残渣はなく且つクラックの発生もなかった。
一方、比較例１、３および５では、デスミア条件の強いレーザー加工性（２）でクラックが発生した。また、比較例２および４では、デスミアの弱いレーザー加工性（１）において、樹脂残渣除去が不十分であった。
以上の結果より、本発明の多層配線板の製造方法では、ビア形成時のクラック、樹脂残渣の特性について、優れるものである。
リフロー性評価の結果、実施例１〜３では、リフロー工程回数３０回実施後も、膨れはなく、耐熱性に優れるものであった。一方、比較例１〜２では３０回実施前に膨れが発生した。
これより、本発明の製造方法において、リフロー時の多層配線板膨れ不良発生がリフロー工程３０回実施後でも発生しないことから、多層配線板作製時の熱時膨れによる歩留まり低下を抑制することができるものである。また、より熱履歴の厳しい多層配線板の製造方法も期待できる。

本発明における多層配線板の製造方法の一例を示した端面図（ａ）〜（ｅ）である。本発明における多層配線板の製造方法の一例を示した端面図（ｆ）〜（ｉ）である。従来の多層配線板の製造方法の一例をビアホール形成まで示した端面図である。

符号の説明

１、２１コア基板となる絶縁層
２銅箔層
３、２３導体回路
４、２４絶縁性樹脂（熱処理前）
５、２５キャリアフィルム
６、２６絶縁性樹脂（硬化度８０％以上９５％以下）
７、２７ビアホール
８無電解めっき層
９レジスト膜
１０導体層
１１導体回路

Claims

導体回路と絶縁性樹脂層を組合せてなる多層配線板の製造方法であって、少なくとも、
（１）導体回路が形成された回路基板の導体回路面とキャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートの絶縁性樹脂面とが対峙するように張り合わせて熱圧着する工程、
（２）該キャリアフィルム付き絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムをつけたままで熱処理し、絶縁性樹脂の硬化度を８０％以上９５％以下とする工程、
（３）絶縁性樹脂にレーザー照射することによりビアホールを形成する工程、
（４）その後、さらに熱処理を行うことにより絶縁性樹脂を硬化する工程、
を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法。
前記キャリアフィルムが熱可塑性フィルムである請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
レーザー照射によるビアホール形成前に絶縁性樹脂シートのキャリアフィルムを剥離する工程を含む請求項１または２に記載の多層配線板の製造方法。
工程（１）〜（４）および導体回路を形成する工程を複数回行う請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線板の製造方法により製造されたことを特徴とする多層配線板。
請求項５記載の多層配線板に半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。