CN110870392B - 具有导电性图案区域的结构体及其制造方法、层积体及其制造方法、以及铜布线 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够大大简化制造工序、导电性图案区域之间的电绝缘性优异、并且可靠性高的具有导电性图案区域的结构体。具有导电性图案区域的结构体(10)具备支撑体(11)、以及配置在支撑体所构成的面上的层(14)，在层(14)中，包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域(12)与包含铜的导电性图案区域(13)相互邻接地配置。另外，层积体具备支撑体、配置在支撑体所构成的面上的包含氧化铜和磷的涂布层、以及按照覆盖涂布层的方式配置的树脂层。

Description

具有导电性图案区域的结构体及其制造方法、层积体及其制造方法、以及铜布线

技术领域

本发明涉及具有导电性图案区域的结构体及其制造方法、层积体及其制造方法、以及铜布线。

背景技术

电路基板具有在基板上施有导电性布线的结构。电路基板的制造方法通常如下所述。首先，在贴合有金属箔的基板上涂布光致抗蚀剂。其次，对光致抗蚀剂进行曝光和显影，得到所期望的电路图案的底板状的形状。接着，通过化学蚀刻除去未被光致抗蚀剂覆盖的部分的金属箔，形成图案。由此可制造出高性能的导电性基板。

但是，现有的方法具有工序数多、繁杂、并且需要光致抗蚀剂材料等缺点。

与之相对，利用将选自由金属微粒和金属氧化物微粒组成的组中的微粒分散而成的分散体(下文中也称为“糊状材料”)在基板上直接印刷所期望的布线图案的直接布线印刷技术受到了关注。该技术的工序数少，不需要使用光致抗蚀剂材料等，生产率极高。

作为直接印刷布线技术的一例，已知有将糊状材料通过丝网印刷或喷墨印刷而印刷在支撑体上，之后通过对糊状材料进行热烧制而得到低电阻的布线图案的技术(例如参见专利文献1)。

另外已知有将糊状材料涂布至基板的整个面，对糊状材料以图案状照射激光对将其选择性地热烧制，由此得到所期望的布线图案的方法(例如参见专利文献1、2)。

另外，已知有在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)支撑体上以厚度10～20μm涂布包含氧化亚铜的凝集体颗粒的分散液，将其利用激光烧制，由此制造出铜布线的方法(例如参见专利文献3)。利用该方法，激光照射部以外不会被加热，因此能够使用PET支撑体之类的低耐热树脂材料。

另外已知有为了提高支撑体与将铜糊料烧制而得到的金属质含铜膜的密合性而使用属于氧化硅颗粒的胶态氧化硅作为基底层的技术(例如参见专利文献4)。

另外已知有下述的多层布线基板的制造方法：在基板上形成第1涂布层，对第1涂布层的一部分照射光而形成第1导电部，接着在第1涂布层上形成第2涂布层，从第2涂布层到第1导电部照射光而形成第2导电部(例如参见专利文献5)。

另外已知有在基板上形成使用了铜或铜氧化物分散体的图案状的涂布膜，通过进行烧制处理而得到导电膜的方法(例如参见专利文献6)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/024385号小册子

专利文献2：日本特开平5-37126号公报

专利文献3：日本专利5449154号公报

专利文献4：国际公开第2016/031860号小册子

专利文献5：日本特开2015-26681号公报

专利文献6：国际公开第2015/012264号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1～3所记载的通过对糊状材料进行激光照射而形成布线图案的直接布线印刷技术中，在未被激光照射的区域会残留有未烧制的糊状材料。未烧制的糊状材料具有导电性，在该状态下无法确保布线图案间的电绝缘性。因此进行了除去未烧制的糊状材料并在布线图案间填充阻焊剂等绝缘性材料的操作。

因此，在现有的直接布线印刷技术中，必须进行用于未烧制糊状材料的除去和绝缘材料的填充的工序，削减工序数的优点减少。另外，需要准备用于除去未烧制糊状材料的溶剂、漂洗剂等，导致制造成本的增加。

在将现有的直接布线印刷技术应用于柔性基材上的布线图案形成的情况下，在对所得到的电路基板实施在低温环境和高温环境进出的热循环试验时具有在阻焊剂与布线之间产生裂纹的问题。

此外，专利文献4所公开的在基底层中使用的胶态氧化硅虽然对金属的密合性优异，但与树脂的密合性差。因此，在基材的材质为树脂的情况下，可能在基底层与基材之间发生剥离，可靠性低。

专利文献5所记载的方法中，在未被激光照射的区域残留有由氧化二价铜(CuO)颗粒和树脂粘结剂构成的未烧制的糊状材料，氧化二价铜颗粒大，树脂粘结剂与颗粒局部存在，在该状态下布线图案间的电绝缘性不充分。

专利文献6所记载的结构中，在布线图案间未进行填充，在该状态下无法确保布线图案间的电绝缘性。另外，在湿度高的环境下，包含水分的空气会进入到布线图案间，从而容易发生绝缘破坏。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的之一在于提供一种具有导电性图案区域的结构体及其制造方法，其能够大大简化制造工序，导电性图案区域之间的电绝缘性优异，且长期可靠性优异。

另外，本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的之一在于提供一种层积体及其制造方法，其在氧化铜的光烧制处理中不需要用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够削减具有导电性图案区域的结构体的制造成本。

进而，本发明的目的之一在于提供一种铜布线，其能够提高布线的导电性。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题反复进行了深入研究，结果完成了本发明。

即，本发明的结构体的一个方式的特征在于，其具有支撑体、以及配置在上述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与含有氧化铜和磷的绝缘区域相互邻接。

另外，本发明的结构体的另一方式的特征在于，其具有支撑体、以及配置在上述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与含有氧化铜以及肼或水合肼的绝缘区域相互邻接。

另外，本发明的结构体的另一方式的特征在于，其具有支撑体、以及配置在上述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与包含氧化铜、磷且包含肼或水合肼的绝缘区域相互邻接。

另外，本发明的结构体的另一方式的特征在于，其具有支撑体、以及配置在上述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜和磷的导电性图案区域与含有氧化铜和磷的绝缘区域相互邻接。

另外，本发明的层积体的一个方式的特征在于，其具备支撑体、配置在上述支撑体所构成的面上的包含氧化铜和磷的涂布层、以及按照覆盖上述涂布层的方式配置的树脂层。

另外，本发明的层积体的一个方式的特征在于，其具备支撑体、配置在上述支撑体所构成的面上的包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层、以及按照覆盖上述涂布层的方式配置的树脂层。

另外，本发明的层积体的一个方式的特征在于，其具备支撑体、配置在上述支撑体所构成的面上的包含氧化铜、磷且包含肼或水合肼的涂布层、以及按照覆盖上述涂布层的方式配置的树脂层。

另外，本发明的铜布线的一个方式是包含氧化铜被还原而成的还原铜、磷和碳的铜布线，其特征在于，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

另外，本发明的结构体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序；以及使光线选择性地照射至上述涂布层而将上述氧化铜还原为铜，得到上述支撑体、以及在上述支撑体所构成的面上包含上述氧化铜和磷的绝缘区域与包含上述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序。

另外，本发明的结构体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层的工序；以及使光线选择性地照射至上述涂布层而将上述氧化铜还原为铜，得到上述支撑体、以及在上述支撑体所构成的面上包含上述氧化铜以及上述肼或水合肼的绝缘区域与包含上述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序。

另外，本发明的结构体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层的工序；以及使光线选择性地照射至上述涂布层而将上述氧化铜还原为铜，得到上述支撑体、以及在上述支撑体所构成的面上包含上述氧化铜、磷且包含上述肼或水合肼的绝缘区域与包含上述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序。

另外，本发明的层积体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序；以及按照覆盖上述涂布层的方式配置树脂层的工序。

另外，本发明的层积体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层的工序；以及按照覆盖上述涂布层的方式配置树脂层的工序。

另外，本发明的层积体的制造方法的一个方式的特征在于，其具备下述工序：在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层的工序；以及按照覆盖上述涂布层的方式配置树脂层的工序。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种具有导电性图案区域的结构体及其制造方法，其能够大大简化制造工序，导电性图案区域之间的电绝缘性优异，且长期可靠性优异。

另外，根据本发明，能够提供一种层积体及其制造方法，其在氧化铜的光烧制处理中不需要用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够削减具有导电性图案区域的结构体的制造成本。

另外，根据本发明，能够提供一种铜布线，其能够提高布线的导电性。

附图说明

图1是示出本实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体中的绝缘区域中包含的氧化亚铜微粒与磷酸酯盐的关系的示意图。

图2是示出第1实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的截面示意图。

图3是示出第2实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的截面示意图。

图4是示出与图3有部分不同的具有导电性图案区域的结构体的截面示意图。

图5是示出本实施方式涉及的层积体的一例的截面示意图。

图6是示出使用本实施方式涉及的层积体制造的具有导电性图案区域的结构体的一例的截面示意图。

图7是示出第1实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的制造方法的各工序的说明图(一例)。

图8是示出第2实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的制造方法的各工序的说明图(一例)。

图9是用于说明实施例的涂布层中的裂纹的状态的电子显微镜照片。

图10是用于说明实施例的涂布层中的裂纹的状态的电子显微镜照片。

图11是示出实施例中的在支撑体上形成的层的截面的电子显微镜照片。

图12A是示出在玻璃表面形成的导电性图案区域的照片。

图12B是图12A的示意图。

图12C是从图12A中除去绝缘区域后的照片。

具体实施方式

下面对本发明的一个实施方式(下文中简称为“实施方式”)进行详细说明。

<本实施方式的具有导电性图案区域的结构体(带有导电性图案区域的结构体)的概要>

本发明人发现，在支撑体的表面配置包含氧化铜的涂布层，对该涂布层选择性地进行光照射，将氧化铜还原成铜来形成导电性图案区域时，若提高包含未还原的氧化铜的区域的电绝缘性，则可通过不除去该区域并使其原样残留而确保导电性图案区域之间的绝缘，并且不需要除去该区域的工序，从而完成了本发明。

即，本实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的特征在于，在配置于支撑体的表面的包含氧化铜的涂布层中含有磷。之后，对涂布层选择性地进行光照射，形成导电性图案区域，并且在导电性图案区域之间设置包含氧化铜和磷的绝缘区域。

图1是示出本实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体中的绝缘区域中包含的氧化铜微粒与磷酸酯盐的关系的示意图。如图1所示，绝缘区域1中，作为含磷有机物的一例的磷酸酯盐3按照磷3a朝向内侧、酯盐3b朝向外侧的方式包围在作为氧化铜的一例的氧化铜微粒2的周围。由于磷酸酯盐3显示出电绝缘性，因此会阻碍相邻的氧化铜微粒2之间的电气导通。

因此，尽管氧化铜微粒2为半导体、呈导电性，但其被显示出电绝缘性的磷酸酯盐3覆盖。由此，绝缘区域1显示出电绝缘性，在截面观察(图2中所示的沿上下方向的截面)中，能够确保在绝缘区域1的两侧相邻的导电性图案区域(后述)之间的绝缘。

另一方面，导电性图案区域中，对包含氧化铜和磷的涂布层的一部分区域进行光照射，在该一部分区域将氧化铜还原成铜。像这样将氧化铜还原而得到的铜被称为还原铜。另外，在该一部分区域中，含磷有机物被改性成磷氧化物。磷氧化物中，上述的酯盐3b(参照图1)之类的有机物受到激光等的热而发生分解，不会显示出电绝缘性。

另外，如图1所示，在使用氧化铜微粒2的情况下，在激光等的热的作用下，氧化铜变化成还原铜并同时进行烧结，相邻的氧化铜微粒2彼此一体化。由此，能够形成具有优异的电气导电性的区域(下文中称为“导电性图案区域”)。

在导电性图案区域中，还原铜中残留有磷元素。磷元素以磷元素单质、磷氧化物和含磷有机物中的至少1者的形式存在。像这样残留的磷元素偏析存在于导电性图案区域中，不存在增大导电性图案区域的电阻的担忧。

<具有导电性图案区域的结构体的构成：第1实施方式>

图2是示出第1实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的截面示意图。如图2所示，结构体10具有支撑体11、以及配置在支撑体11所构成的面上的层14来构成。层14中，包含氧化铜和磷的绝缘区域12与包含铜的导电性图案区域13相互邻接。此处所说的铜优选为上述的还原铜。另外，绝缘区域12中包含的磷优选以含磷有机物的形式包含。

通过该构成，能够利用包含氧化铜和磷的绝缘区域将包含铜的导电性图案区域之间绝缘，因而不必为了进行制造而除去层14的未烧制部分。因此，能够削减制造工序，并且由于不需要溶剂等因而能够降低制造成本。另外，利用绝缘区域以进行导电性图案区域的绝缘，该绝缘区域不容易产生裂纹，能够提高可靠性。

以下对第1实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的各构成要素进行说明。

<支撑体>

支撑体11构成用于配置层14的面。形状没有特别限定。

为了确保被绝缘区域12隔开的导电性图案区域13之间的电绝缘性，支撑体11的材质优选为绝缘材料。其中，支撑体11不必一定整体为绝缘材料。仅构成配置层14的面的部分为绝缘材料即可。

支撑体11更具体地说可以为平板状体、膜或片。平板状体例如为印刷基板等电路基板中使用的支撑体(也被称为基材)。膜或片例如为柔性印刷基板中使用的作为薄膜状的绝缘体的基础膜。

支撑体11可以为立体物。具有导电性图案区域的层也可以配置在立体物所具有的曲面或包含断坡等的面、即立体面。

作为立体物的一例，可以举出移动电话终端、智能手机、智能玻璃、电视机、个人电脑等电气设备的壳体。另外，作为立体物的其他示例，在汽车领域中可以举出前围板、仪表板、方向盘、底盘等。

另外，对立体物的材质没有限定，例如优选为选自由聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚缩醛树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、改性聚苯醚树脂和聚苯硫醚树脂组成的组中的至少一种。

<配置在支撑体的面上的层(具有导电性图案区域的层)>

本实施方式中，层14可以说是绝缘区域12和导电性图案区域13混合存在而成的。在下文中，在简单表示为“层”的情况下，有时改称为具有导电性图案区域的层、配置在支撑体上的层。

层14可以说为一体化层。另外，也可以说层14为不是多层结构的单一层。“一体化”、“单一”是指，在截面观察中相邻的绝缘区域12和导电性图案区域13沿着面上连续。“相邻”是指在绝缘区域12与导电性图案区域13之间不包含其他层。“连续”是指不包括例如在印刷基板中观察到的将图案化的布线层之间用焊膏填埋而作为一层的状态。

本实施方式中，在绝缘区域12的表面与导电性图案区域13的表面之间可以产生断坡。即，在从氧化铜到铜的还原过程中，厚度会变薄，因此即使为连续的层，导电区域与绝缘区域的膜厚也可能存在差异。

另外，绝缘区域12与导电性图案区域13相邻是指，电气导电性、颗粒状态(烧制和未烧制)等在层内可以沿着支撑体的面上逐渐地发生变化，也可以在绝缘区域12与导电性图案区域13之间存在边界(界面)。

另外，绝缘区域12与导电性图案区域13由源自相同组成的涂布层形成。即，导电性图案区域13是对涂布层的一部分进行激光照射而形成的，因此，在绝缘区域12和导电性图案区域13中包含铜元素、磷元素等相同元素。

<绝缘区域>

绝缘区域12包含氧化铜和磷，显示出电绝缘性。绝缘区域12可以说是未受到光照射的未照射区域。另外，绝缘区域12也可以说是氧化铜未通过光照射而被还原的未还原区域。另外，绝缘区域12也可以说是未通过光照射进行烧制的未烧制区域。

<导电性图案区域>

导电性图案区域13包含铜，显示出电气导电性。导电性图案区域13可以由说是受到了光照射的被照射区域或激光照射区域。另外，导电性图案区域13也可以说是包含氧化铜通过光照射而还原得到的还原铜的还原区域。另外，导电性图案区域13也可以说是包含将绝缘区域12通过光照射而烧制得到的烧制体的烧制区域。

导电性图案区域13在俯视观察下的形状、即图案可以为直线状、曲线状、圆状、四方状、弯曲形状等中的任一种，没有特别限定。图案是通过隔着掩模的光照射、或者通过利用激光的描绘而形成的，因而不容易受到形状的限制。

绝缘区域12与导电性图案区域13的边界优选在截面观察中为沿着层14的厚度方向(图2所示的上下方向)的直线，但也可以带有锥角，没有特别限定。其中，该边界并非必须明确。例如，在边界附近测定铜的组成比时，也可以存在从导电性图案区域13侧向着绝缘区域12侧逐渐变化的组成转换区域。

导电性图案区域13在截面观察中不必完全被还原。例如，优选靠近支撑体11的部分存在未还原部分。由此，导电性图案区域13和支撑体11之间的密合性提高。

如图2所示，本实施方式中，导电性图案区域13的膜厚与绝缘区域12的膜厚可以按照例如绝缘区域12的膜厚更厚的方式存在差异。即，在通过激光照射从氧化铜还原为铜的还原过程中，导电性图案区域13的膜厚容易比绝缘区域12更薄。由于膜厚不同，因此能够延长导电性图案区域13与夹着绝缘区域12对置的导电性图案区域13的沿面距离，由此能够提高绝缘性。绝缘区域12的膜厚优选为0.1μm以上30μm以下，更优选为0.1以上15μm以下，进一步优选为0.1μm以上10μm以下。特别是在该膜厚为1μm以上10μm以下的范围内时，能够维持作为绝缘区域12的绝缘性，通过后述的光线照射能够制造出基材密合性和导电性更为优异的导电性图案区域13，因而优选。导电性图案区域13的膜厚相对于绝缘区域12的膜厚优选为10％以上90％以下，更优选为20％以上80％以下，进一步优选为30％以上70％以下。特别是通过使其为30％以上70％以下，能够维持基材密合性，能够得到作为电气布线用途充分的电传导性，因而优选。

<密合层>

支撑体11与具有导电性图案区域的层14之间优选具备密合层(未图示)。通过密合层可提高层14相对于支撑体11的密合性，防止绝缘区域12和导电性图案区域13的剥离，提高结构体10的长期稳定性。

密合层包含例如(i)使支撑体11所构成的面粗糙化而得到的层、以及(ii)在支撑体11所构成的面配置涂布层而成的层。(i)的示例为支撑体11本身的一部分。这种情况下，可以将其他层(例如底涂(基底)层)与密合层组合。

在(ii)的例中，密合层可以是单独的涂布层或层积有其他层。另外，涂布层可以包含底涂材料。

<具有导电性图案区域的结构体的详细说明>

下面进一步对本实施方式涉及的结构体10的各构成进行具体说明。但是，各构成并不限于以下举出的具体例。

(支撑体)

作为支撑体的具体例，可以举出例如由无机材料构成的支撑体(下文中称为“无机支撑体”)、或者由树脂构成的支撑体(下文中称为“树脂支撑体”)。

无机支撑体由例如玻璃、硅树脂、云母、蓝宝石、水晶、粘土膜以及陶瓷材料等构成。陶瓷材料例如为氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化锆、三氧化二钇和氮化铝、以及这些之中至少2种的混合物。另外，作为无机支撑体，特别可以使用由透光性高的玻璃、蓝宝石、水晶等构成的支撑体。

作为树脂支撑体，可以使用由例如聚丙烯(PP)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚缩醛(POM)、聚芳酯(PAR)、聚酰胺(PA)、聚酰胺酰亚胺(PAI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、改性聚苯醚(m-PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡胶、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚醛清漆、苯并环丁烯、聚乙烯基苯酚、聚氯丁二烯、聚甲醛、聚砜(PSF)、聚苯砜树脂(PPSU)、环烯烃聚合物(COP)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS)、丙烯腈-苯乙烯树脂(AS)、尼龙树脂(PA6、PA66)、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂(PBT)、聚醚砜树脂(PESU)、聚四氟乙烯树脂(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)以及有机硅树脂等构成的支撑体。

另外，尽管在上文未区分，但也可以将含有纤维素纳米纤维的树脂片作为支撑体使用。

特别是选自由PI、PET和PEN组成的组中的至少一种与具有导电性图案区域的层和密合层的密合性优异，并且市场流通性良好、能够低成本地获得，从产业的观点来看是有意义并优选的。

此外，特别是在为壳体的情况下，选自由PP、PA、ABS、PE、PC、POM、PBT、m-PPE和PPS组成的组中的至少一种与具有导电性图案区域的层和密合层的密合性优异，并且成型性和成型后的机械强度优异。进而，它们还具有针对形成导电性图案区域时的激光照射等也可充分耐受的耐热性，因而优选。

树脂支撑体的负荷变形温度优选为400℃以下，更优选为280℃以下，进一步优选为250℃以下。负荷变形温度为400℃以下的支撑体能够低成本地获得，从产业的观点来看是有意义并优选的。负荷变形温度例如依据JIS K7191测定。

支撑体的厚度例如可以为1μm～100mm、优选为25μm～10mm、更优选为25μm～250μm。支撑体的厚度若为250μm以下，则能够使所制作的电子器件实现轻量化、省空间化和柔性化，因而优选。

需要说明的是，支撑体为壳体的情况下，其厚度可以为例如1μm～1000mm，优选为200μm～100mm、200μm～5mm。本发明人已经明确了，通过选择该范围的厚度，可表现出成型后的机械强度和耐热性。

关于支撑体或是支撑体具备密合层的情况下包含密合层的支撑体，其对波长445nm的光线透过率优选为30％以上，更优选为40％以上，进一步优选为50％以上。光线透过率的上限可以为98％以下。关于波长，除了445nm以外，还可以选择例如355nm、405nm、450nm、532nm、1064nm等的近紫外到近红外的波长。通过提高在这样的波长下的光线透过率，可以从支撑体侧进行光照射而对涂布层进行烧制，形成具有导电性图案区域的层。

(配置在支撑体的面上的层(具有导电性图案区域的层))

该层是包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域与包含铜的导电性图案区域相邻而成的。

(氧化铜)

本实施方式中，氧化铜例如包含氧化亚铜和氧化二价铜(CuO)。氧化亚铜具有容易低温烧结的倾向，因而特别优选。氧化亚铜和氧化二价铜可以单独使用，也可以将它们混合使用。

另外，氧化铜微粒具有核/壳结构，核或壳的任意一者可以为氧化亚铜，另外也可以包含氧化二价铜。

绝缘区域中包含的氧化铜例如形成微粒形状。包含氧化铜的微粒的平均粒径为1nm以上100nm以下，更优选为1nm以上50nm以下，进一步优选为1nm以上20nm以下。粒径越小则绝缘区域的电绝缘性越优异，因而优选。

在绝缘区域可以包含铜颗粒。即，在后述的分散体中可以添加铜。含磷有机物也吸附在铜颗粒的表面，可以显示出电绝缘性。

(含磷有机物)

绝缘区域中包含的磷优选为含磷有机物。含磷有机物是在绝缘区域显示出电绝缘性的材料。含磷有机物优选能够将氧化铜固定于支撑体或密合层。含磷有机物可以为单一分子，也可以为两种以上的分子的混合物。另外，含磷有机物可以吸附于氧化铜的微粒。

含磷有机物的数均分子量没有特别限制，优选为300～300,000。其分子量为300以上时，电绝缘性优异。

含磷有机物优选在光或热的作用下容易分解或蒸发。通过使用在光或热的作用下容易分解或蒸发的有机物，在烧制后不容易残留有机物的残渣，能够得到电阻率低的导电性图案区域。

含磷有机物的分解温度没有限定，优选为600℃以下，更优选为400℃以下，进一步优选为200℃以下。含磷有机物的沸点没有限定，优选为300℃以下，更优选为200℃以下，进一步优选为150℃以下。

含磷有机物的吸收特性没有限定，优选能够吸收烧制中使用的光。例如在使用激光作为烧制用的光源的情况下，优选使用可吸收其发射光波长(中心波长)的例如355nm、405nm、445nm、450nm、532nm、1064nm等的光的含磷有机物。支撑体为树脂的情况下，特别优选为355nm、405nm、445nm、450nm的波长。

另外，作为结构，可以为具有与氧化铜具有亲和性的基团的高分子量共聚物的磷酸酯盐。例如，化学式(1)的结构可吸附氧化铜，并且与支撑体的密合性也优异，因而优选。

[化1]

化学式(1)

化学式(1)中，R为酯盐。

作为酯盐的一例，可以举出化学式(2)的结构。

[化2]

化学式(2)

另外，作为含磷有机物的一例，可以举出化学式(3)的结构。

[化3]

化学式(3)

化学式(3)中，l为1～20的整数，优选为1～15的整数，更优选为1～10的整数，m为1～2的整数，优选为1～15的整数，更优选为1～10的整数，n为1～20的整数，优选为1～15的整数，更优选为1～10的整数。

作为含磷有机物所具有的有机结构，可以使用聚乙二醇(PEG)、聚丙二醇(PPG)、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚缩醛、聚芳酯(PAR)、聚酰胺(PA)、聚酰胺酰亚胺(PAI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡胶、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚醛清漆、苯并环丁烯、聚乙烯基苯酚、聚氯丁二烯、聚甲醛、聚砜(PSF)、多硫化物、有机硅树脂、醛式糖、纤维素、直链淀粉、普鲁兰多糖、糊精、葡聚糖、果糖、壳多糖等结构。可以使用将这些结构的官能团改性而成的结构，也可以使用对这些结构进行修饰而成的结构，还可使用这些结构的共聚物。具有选自聚乙二醇结构、聚丙二醇结构、聚缩醛结构、聚丁烯结构以及多硫化物结构的骨架的含磷有机物容易分解，烧制后得到的导电性图案区域中不容易残留残渣，因而优选。

作为含磷有机物的具体例，可以使用市售的材料，具体地说，可以举出毕克化学公司制造的DISPERBYK(注册商标)-102、DISPERBYK-103、DISPERBYK-106、DISPERBYK-109、DISPERBYK-110、DISPERBYK-111、DISPERBYK-118、DISPERBYK-140、DISPERBYK-145、DISPERBYK-168、DISPERBYK-180、DISPERBYK-182、DISPERBYK-187、DISPERBYK-190、DISPERBYK-191、DISPERBYK-193、DISPERBYK-194N、DISPERBYK-199、DISPERBYK-2000、DISPERBYK-2001、DISPERBYK-2008、DISPERBYK-2009、DISPERBYK-2010、DISPERBYK-2012、DISPERBYK-2013、DISPERBYK-2015、DISPERBYK-2022、DISPERBYK-2025、DISPERBYK-2050、DISPERBYK-2152、DISPERBYK-2055、DISPERBYK-2060、DISPERBYK-2061、DISPERBYK-2164、DISPERBYK-2096、DISPERBYK-2200、BYK(注册商标)-405、BYK-607、BYK-9076、BYK-9077、BYK-P105、第一工业制药公司制造的Plysurf(注册商标)M208F、Plysurf DBS等。它们可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。

在绝缘区域中，包含氧化铜的微粒(下文中记载为“氧化铜微粒”)与含磷有机物混合存在，设氧化铜微粒的总体积为100体积份时，含磷有机物的含量可以为5体积份以上900体积份以下。下限值优选为10体积份以上，更优选为30体积份以上，进一步优选为60体积份以上。上限值优选为480体积份以下，更优选为240体积份以下。

若换算成重量份，则相对于氧化铜微粒100重量份，含磷有机物的含量优选为1重量份以上150重量份以下。下限值优选为2重量份以上，更优选为5重量份以上，进一步优选为10重量份以上。上限值优选为80重量份以下，更优选为40重量份以下。

含磷有机物相对于氧化铜微粒的含量为5体积份以上或1重量份以上时，能够形成亚微米厚度的薄膜。另外，含磷有机物的含量为10体积份以上或5重量份以上时，作为层能够形成厚度为几十微米的厚膜。含磷有机物的含量为30体积份以上或10重量份以上时，能够得到即使弯曲也不容易产生裂纹的、挠性高的层。

含磷有机物相对于氧化铜微粒的含量为900体积份以下或150重量份以下时，能够通过烧制得到良好的导电性图案区域。

(肼或水合肼)

肼或水合肼可以包含在涂布层中，也可以残留在作为未烧制区域的绝缘区域。通过包含肼或水合肼，氧化铜的分散稳定性进一步提高并且有助于烧制中的氧化铜的还原，导电膜的电阻进一步降低。肼含量优选为下述含量。

0.0001≦(肼质量/氧化铜质量)≦0.10(1)

关于还原剂的含量，在肼的质量比例为0.0001以上时，铜膜的电阻降低。另外，该质量比例为0.1以下时，氧化铜油墨的长期稳定性提高，因而优选。

(绝缘区域中的铜颗粒/氧化铜微粒的质量比例)

绝缘区域中，除了氧化铜微粒以外，还可以包含铜颗粒。这种情况下，铜颗粒相对于氧化铜微粒的质量比例(下文中记载为“铜颗粒/氧化铜微粒”)优选为1.0以上7.0以下。

通过使铜颗粒/氧化铜微粒为1.0以上7.0以下，从导电性和防止裂纹的方面出发是优选的。

(氧化铜微粒中的平均粒径)

氧化铜微粒的平均二次粒径没有特别限制，优选为500nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为80nm以下。该微粒的平均二次粒径优选为5nm以上，更优选为10nm以上，进一步优选为15nm以上。

平均二次粒径是指复数个一次颗粒聚集而形成的凝集体(二次颗粒)的平均粒径。该平均二次粒径为500nm以下时，具有容易在支撑体上形成微细的导电性图案区域的倾向，因而优选。平均二次粒径为5nm以上时，分散体的长期保存稳定性提高，因而优选。该微粒的平均二次粒径可以通过例如透射型电子显微镜或扫描型电子显微镜进行测定。

构成二次颗粒的一次颗粒的平均一次粒径优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为20nm以下。平均一次粒径优选为1nm以上，更优选为2nm以上，进一步优选为5nm以上。

平均一次粒径为100nm以下的情况下，具有能够降低后述的烧制温度的倾向。能够进行这样的低温烧制的理由据认为是由于，颗粒的粒径越小，其表面能越大，熔点越会降低。

另外，平均一次粒径为1nm以上时，可得到良好的分散性，因而优选。在支撑体上形成布线图案的情况下，从与基底的密合性、低电阻化的方面出发，该平均一次粒径优选为2nm以上100nm以下，更优选为5nm以上50nm以下。该倾向在基底为树脂时明显。该微粒的平均一次粒径可以通过透射型电子显微镜或扫描型电子显微镜进行测定。

相对于包含氧化铜和含磷有机物的区域的单位质量，配置在支撑体上的层中的氧化铜微粒的含量优选为40质量％以上，更优选为55质量％以上，进一步优选为70质量％以上。另外，该含量优选为98质量％以下，更优选为95质量％以下，进一步优选为90质量％以下。

另外，配置在支撑体上的层中的氧化铜微粒的含量相对于单位体积优选为10体积％以上，更优选为15体积％以上，进一步优选为25体积％以上。另外，该含量优选为90体积％以下，更优选为76体积％以下，进一步优选为60体积％以下。

绝缘区域中的氧化铜微粒的含量为40质量％以上或10体积％以上时，通过烧制，微粒彼此熔接而表现出导电性，越为更高浓度，越可得到高导电性，是优选的。另外，该含量为98质量％以下或90体积％以下时，配置在支撑体上的层能够作为膜附着于支撑体或密合层，是优选的。另外，该含量为95质量％以下或76体积％以下时，能够更强地附着于支撑体或密合层，是优选的。另外，该含量为90质量％以下或60体积％以下时，层的挠性增高，在弯折时不容易产生裂纹，可靠性高。另外，绝缘区域中的氧化铜微粒的含量为90体积％以上时，绝缘区域的绝缘电阻值降低，电绝缘性优异，因而优选。作为氧化铜，有氧化亚铜(Cu₂O)和氧化二价铜(CuO)，从低电阻化和吸光度的方面出发优选氧化亚铜。

本实施方式中的绝缘区域中包含的氧化铜可以使用市售品，也可以使用合成物。作为市售品，可以举出例如，由EM Japan公司销售的平均一次粒径为18nm的氧化亚铜微粒。

作为包含氧化亚铜的微粒的合成法，可以举出例如下述方法。

(1)在多元醇溶剂中加入水和乙酰丙酮合铜络合物，将有机铜化合物暂时加热溶解，进一步添加反应所需要量的水，加热至有机铜的还原温度进行还原的方法。

(2)在十六烷基胺等保护剂的存在下，在惰性气氛中，将有机铜化合物(铜-N-亚硝基苯基羟基胺络合物)在300℃左右的高温进行加热的方法。

(3)用肼对溶解于水溶液中的铜盐进行还原的方法。

上述(1)的方法例如可以在Angewandte Chemi International Edition,40号,2卷,p.359,2001年中记载的条件下进行。

上述(2)的方法例如可以在Journal of American Chemical Society,1999年,121卷,p.11595中记载的条件下进行。

上述(3)的方法中，作为铜盐，可以适当地使用二元铜盐，作为其示例，可以举出例如乙酸铜(II)、硝酸铜(II)、碳酸铜(II)、氯化铜(II)、硫酸铜(II)等。相对于铜盐1摩尔，肼的用量优选为0.2摩尔～2摩尔、更优选为0.25摩尔～1.5摩尔。

在溶解有铜盐的水溶液中可以添加水溶性有机物。通过在该水溶液中添加水溶性有机物，该水溶液的融点降低，因此能够在更低温下进行还原。作为水溶性有机物，可以使用例如醇、水溶性高分子等。

作为醇，可以使用例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、辛醇、癸醇、乙二醇、丙二醇、甘油等。作为水溶性高分子，可以使用例如聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇共聚物等。

上述(3)的方法中，还原时的温度可以为例如-20～60℃、优选为-10～30℃。该还原温度在反应中可以恒定，也可以在中途升温或降温。在肼的活性高的反应初期优选在10℃以下进行还原，更优选在0℃以下进行还原。还原时间优选为30分钟～300分钟，更优选为90分钟～200分钟。还原时的气氛优选为氮、氩等惰性气氛。

上述(1)～(3)的方法中，(3)的方法操作简便且可得到粒径小的颗粒，因而优选。

上述举出的实施方式中，绝缘区域中包含氧化铜和磷。与之相对，作为其他实施方式，可示出在绝缘区域中包含氧化铜以及肼或水合肼的方式、或者在绝缘区域中包含氧化铜、肼或水合肼以及磷的方式。即，层由包含铜的导电性图案区域与包含氧化铜以及肼或水合肼的绝缘区域相互邻接地构成。或者，层也可以为包含铜的导电性图案区域与包含氧化铜、肼或水合肼以及磷的绝缘区域相互邻接地构成；或者包含铜和磷的导电性图案区域与包含氧化铜、肼或水合肼以及磷的绝缘区域相互邻接地构成。

这样，本实施方式中，在绝缘区域中可以包含肼或水合肼。通过使涂布层中包含肼或水合肼，在接触光后氧化铜容易还原成铜。通过包含肼或水合肼，能够实现还原后的铜的低电阻化。在未被光照射的绝缘区域残留有肼或水合肼。

(导电性图案区域)

导电性图案区域中的铜例如可以显示出包含铜的微粒彼此相互熔接而成的结构。另外，也可以为无微粒的形状、全部发生了熔接的状态。此外，还可以是一部分为微粒的形状、大部分发生了熔接的状态。如上文所述，该铜优选为还原铜。另外，导电性图案区域优选包含对绝缘区域进行烧制而成的烧制体。由此能够提高导电性图案区域的导电性。另外，由于可以通过对绝缘区域进行烧制而形成导电性图案区域，因此能够容易地形成导电性图案区域，并且能够精度良好地形成导电性图案区域与绝缘区域混合存在的本实施方式中的“层”。

另外，导电性图案区域除了包含铜以外，还可以包含氧化铜(氧化亚铜、氧化二价铜、氧化一价铜)、磷元素、磷氧化物以及含磷有机物中的至少任意一种。例如，可以是导电性图案区域的表面侧的部分为包含铜的微粒彼此相互熔接而成的结构，支撑体侧的部分为包含氧化铜或含磷有机物的结构。由此，氧化铜或含磷有机物可产生铜颗粒彼此间的牢固结合，进而氧化铜或含磷有机物可提高与支撑体或密合层的密合性，因而是优选的。

关于导电性图案区域中的磷元素的含量，磷/铜的元素浓度比优选为0.02以上0.30以下，更优选为0.05以上0.28以下，进一步优选为0.1以上0.25以下。通过使磷/铜的元素浓度比为0.02以上，可抑制铜的氧化，可提高作为铜布线电路的可靠性，是优选的。另外，通过使磷/铜的元素浓度比为0.30以下，可降低导电性图案区域的电阻值，是优选的。

如上所述，本实施方式中的层可以为含有铜和磷的导电性图案区域与含有氧化铜和磷的绝缘区域相互邻接而成的构成。由此，能够同时提高导电性图案区域中的导电性与绝缘区域中的绝缘性。据信，在导电性图案区域中，由于在制造工序中在铜被氧化之前发生磷的氧化，因此能够将导电性图案区域的电阻变化抑制得较低。

导电性图案区域中的铜的含量相对于单位体积优选为50体积％以上，更优选为60体积％以上，进一步优选为70体积％以上，可以为100体积％。通过使铜的含量为50体积％以上，电导率提高，因而优选。

关于导电性图案区域中的与后述的树脂层接触的面，其表面可以具有规定以上的粗糙度。具体地说，表面粗糙度Ra优选为20nm以上500nm以下，更优选为50nm以上300nm以下，进一步优选为50nm以上200nm以下。通过使粗糙度处于该范围内，树脂层的一部分侵入到导电性图案区域表面的凹凸部，能够提高密合性，是优选的。

(密合层)

本实施方式涉及的带有布线图案区域的结构体中，优选在支撑体与具有导电性图案区域的层之间具备密合层。即，优选在支撑体所构成的面上具有密合层，在构成密合层的面上配置具有导电性图案区域的层。

支撑体所构成的面优选通过密合层进行粗糙化。

通过使支撑体所构成的面粗糙化，能够使配置于支撑体的面的层中的氧化铜和含磷有机物以及铜与支撑体所构成的面牢固地密合。

密合层可以通过利用粗研磨处理、喷砂处理、化学蚀刻处理、反应性离子蚀刻处理、等离子体处理、溅射处理、UV臭氧处理等对支撑体的表面进行粗糙化加工而形成。另外，密合层也可以通过将涂布材料涂布至支撑体所构成的面使表面粗糙化而形成。采用哪种方式可以根据支撑体的材质适宜地选择。

(涂布材料)

作为涂布材料，可以举出例如有机材料、无机材料以及有机无机复合材料。

涂布材料优选具有结合性结构。作为结合性结构，可以举出例如羟基(-OH基)、氨基、巯基、磷酸基、膦酸基、膦酸酯基、具有琥珀酰亚胺骨架的官能团、具有吡咯烷酮骨架的官能团、硒醇基、多硫化物基、多硒化物基、羧基、具有酸酐骨架的官能团、磺酸基、硝基、氰基、异氰酸酯基、叠氮基、硅烷醇基、甲硅烷基醚基以及氢化甲硅烷基等。作为结合性结构，优选为选自由羟基(-OH基)、氨基、膦酸基以及羧酸基组成的组中的至少一种以上的基团。-OH基更优选为Ar-OH基(Ar是指芳香族)和/或Si-OH基。

涂布材料具有Ar-O结构(Ar是指芳香族)和/或Si-O结构时，从密合性的方面出发也是优选的。

涂布材料可以为下述化学式组所示的有机材料。

[化4]

化学式(4)

上述化学式组中，n为1以上的整数，X为有机材料的主骨架，R为官能团。作为上述化学式组中的R所表示的官能团，可以举出例如氢、卤素、烷基(例如甲基、异丙基、叔丁基等)、芳基(例如苯基、萘基、噻吩基等)、卤代芳基(例如五氟苯基、3-氟苯基、3,4,5-三氟苯基等)、烯基、炔基、酰胺基、酰基、烷氧基(例如甲氧基等)、芳氧基(例如苯氧基、萘基等)、卤代烷基(例如全氟烷基等)、硫氰基、羟基、氨基、巯基、膦酸基、膦酸酯基、具有琥珀酰亚胺骨架的官能团、具有吡咯烷酮骨架的官能团、硒醇基、多硫化物基、多硒化物基、羧酸基、具有酸酐骨架的官能团、磺酸基、硝基、氰基以及将它们组合而成的结构。密合层包含具有这些结合性结构的有机材料的情况下，具有与支撑体和具有导电性图案区域的层的密合性良好的倾向。

作为有机材料，可以适当地使用具有芳香族结构(Ar)的有机材料。具有芳香族结构的有机材料的软化温度和分解温度高，因此能够抑制烧制时的支撑体的变形，并且不容易由于支撑体的分解气体的作用而使配置在支撑体上的具有导电性图案区域的层发生破损。因此，能够通过烧制得到低电阻的导电性膜。作为芳香族结构，可以使用例如苯、萘、蒽、并四苯、并五苯、菲、芘、二萘嵌苯以及苯并[9,10]菲等芳香族烃；以及噻吩、噻唑、吡咯、呋喃、吡啶、吡唑、咪唑、哒嗪、嘧啶以及吡嗪等杂芳香族。芳香族结构的π电子系中包含的电子数优选为22以下，更优选为14以下，进一步优选为10以下。π电子系中包含的电子数为22以下时，结晶性不会变得过高，能够得到柔软且平滑性高的密合层。这些芳香族结构中，与芳香环键合的氢的一部分可以被官能团取代。作为官能团，可以举出例如卤素、烷基(例如甲基、异丙基、叔丁基等)、芳基(例如苯基、萘基、噻吩基等)、卤代芳基(例如五氟苯基、3-氟苯基、3,4,5-三氟苯基等)、烯基、炔基、酰胺基、酰基、烷氧基(例如甲氧基等)、芳氧基(例如苯氧基、萘基等)、卤代烷基(例如全氟烷基等)、硫氰基以及羟基等。有机材料优选具有芳香性羟基(Ar-OH基)，特别优选酚羟基(Ph-OH基)。另外，具有芳香性羟基的氧与其他结构键合而成的Ar-O结构的有机材料具有在烧制时不容易分解的倾向，因而优选。

作为有机材料，可以举出例如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚缩醛、聚芳酯(PAR)、聚酰胺(PA)、聚酰胺酰亚胺(PAI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、聚氯丁二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁腈橡胶、氯磺化聚乙烯、丙烯酸橡胶、表氯醇橡胶、氨基甲酸酯橡胶、丁基橡胶、氟橡胶、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚醛清漆、苯并环丁烯、聚乙烯基苯酚、聚氯丁二烯、聚甲醛、聚砜(PSF)和有机硅树脂等。作为有机材料，优选为选自由酚树脂、酚醛清漆、聚乙烯基苯酚以及聚酰亚胺组成的组中的至少一种。

作为无机材料，可以举出例如金属、合金、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属碳氧化物以及金属氟化物等。作为无机材料，具体地说，可以举出氧化硅、氧化银、氧化铜、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化锡、氧化钙、氧化铈、氧化铬、氧化钴、氧化钬、氧化镧、氧化镁、氧化锰、氧化钼、氧化镍、氧化锑、氧化钐、氧化铽、氧化钨、氧化钇、氧化锌、氧化铟、氧化锡铟(ITO)、氟化银、氟化硅、氟化铝、氟化锆、氟化钛、氟化铪、氟化钽、氟化锡、氟化钙、氟化铈、氟化钴、氟化钬、氟化镧、氟化镁、氟化锰、氟化钼、氟化镍、氟化锑、氟化钐、氟化铽、氟化钨、氟化钇、氟化锌、氟化锂、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡、钛酸锶、氮化铜、氮化硅、氮化铝、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氮化锡、氮化钙、氮化铈、氮化钴、氮化钬、氮化镧、氮化镁、氮化锰、氮化钼、氮化镍、氮化锑、氮化钐、氮化铽、氮化钨、氮化钇、氮化锌、氮化锂、氮化镓、SiC、SiCN以及类金刚石碳(DLC)等。具有羟基的无机材料与支撑体和具有导电性图案区域的层的密合性优异，因而优选。特别是在金属氧化物表面存在羟基，因而优选金属氧化物。金属氧化物中，特别是更优选具有Si-O结构的无机材料。

无机材料更具体地说优选为选自由氧化硅、氧化钛、氧化锆以及氧化锡铟、氧化铝组成的组中的至少1种。特别优选为氧化硅、氧化铝。

另外，密合层优选包含粒径为10nm～500nm的微粒。具体地说，密合层优选包含粒径为10nm～500nm的氧化硅或氧化铝的微粒。由此能够使形成具有导电性图案区域的层后的比表面积增大，能够提高与具有导电性图案区域的层的密合性。微粒也可以为多孔质颗粒。

作为无机材料，也可以使用无机半导体。作为无机半导体材料，可以举出例如单质元素半导体、氧化物半导体、化合物半导体以及硫化物半导体等。作为单质元素半导体，可例示出例如硅以及锗。作为氧化物半导体，可例示出例如IGZO(铟-镓-锌氧化物)、IZO(铟-锌氧化物)、氧化锌、氧化铟、氧化钛、氧化锡、氧化钨、氧化铌以及氧化亚铜等。作为化合物半导体，可例示出例如砷化镓(GaAs)、镓砷磷(GaAsP)、磷化镓(GaP)、硒化镉(CdSe)、碳化硅(SiC)、锑化铟(InSb)以及氮化镓等。作为硫化物半导体，可例示出硫化钼以及硫化镉等。

作为有机无机复合材料，可以使用例如分散有无机微粒的有机材料以及有机金属化合物。作为无机微粒，可以使用上述无机材料的颗粒。作为有机金属化合物，可以举出例如硅酸酯、钛酸酯以及铝酸酯等。作为硅酸酯，可以使用硅酸甲酯以及硅酸乙酯等。

另外，密合层的厚度优选为20μm以下。由此能够防止支撑体的翘曲。另外，密合层的膜厚更优选为10μm以下，进一步优选为1μm以下，从密合性的方面出发，优选为0.01μm以上，更优选为0.05μm以上，进一步优选为0.1μm以上。

(底涂材料)

密合层可以由单独的材料形成，也可以将两种以上的材料混合或层积来形成。例如，密合层可以包含底涂材料。另外，例如在支撑体和由涂布材料构成的层之间、或者在由涂布材料构成的层与具有导电性图案区域的层之间可以配置由底涂材料形成的层。

密合层包含由底涂材料构成的层时，具有密合性进一步提高的倾向。由底涂材料构成的层可以通过例如在表面形成底涂材料的薄层的底涂处理来形成。

底涂材料优选具有结合性结构。作为结合性结构，可以举出上述“(涂布材料)”的项目中说明的结合性结构。通过使底涂材料具有结合性结构，结合性结构被导入至密合层，具有可得到高密合性的倾向。

可以在支撑体上进行底涂处理后配置由涂布材料构成的层来形成密合层。或者可以在支撑体上配置由涂布材料构成的层后在该层上进行底涂处理来形成密合层。或者，也可以在将涂布材料与底涂材料预先混合后配置在支撑体上由此来形成密合层，还可以在支撑体上配置由底涂材料构成的层来形成密合层。在由涂布材料构成的层上实施底涂处理时，能够增加表面的结合结构的密度，因此可得到更高的密合性。

作为底涂材料，可以举出例如硅烷偶联剂、膦酸系低分子材料以及硫醇系材料等。

作为硅烷偶联剂，可以举出例如在末端具有乙烯基、氨基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、异氰酸酯基、膦酸基等官能团的化合物。作为硅烷偶联剂，具体地说，可以举出乙烯基甲氧基硅烷、乙烯基乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐、三-(三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯、3-脲基丙基三烷氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷以及3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷。

作为膦酸系材料，可以举出例如在末端具有乙烯基、氨基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、异氰脲酸酯基、脲基、巯基、异氰酸酯基、甲硅烷基、硅烷醇基、甲硅烷基醚基等官能团的化合物。作为膦酸系材料，具体地说，可以举出氨基甲基膦酸、2-氨基乙基膦酸、O-磷酰基乙醇胺、12-氨基十二烷基膦酸、12-氨基十一烷基膦酸盐酸盐、6-氨基己基膦酸、6-氨基己基膦酸盐酸盐、12-叠氮十二烷基膦酸、(12-十二烷基膦酸)N,N-二甲基-N-十八烷基溴化铵、(12-十二烷基膦酸)N,N-二甲基-N-十八烷基氯化铵、(12-十二烷基膦酸)溴化吡啶鎓、(12-十二烷基膦酸)三乙基溴化铵、(12-十二烷基膦酸)三乙基氯化铵、11-羟基十一烷基膦酸、12-巯基十二烷基膦酸、11-巯基十一烷基膦酸、11-甲基丙烯酰氧基十一烷基膦酸、4-硝基苄基膦酸、12-膦酰基-1-十二烷磺酸、(6-膦酰基己基)膦酸、11-膦酰基十一烷酸、11-膦酰基十一烷基丙烯酸酯、丙烯二膦酸、4-氨基苄基膦酸、1,8-辛烷二膦酸、1,10-癸基二膦酸、6-膦酰基己酸、(1-氨基-2-甲基丙基)膦酸、(1-氨基丙基)膦酸、(3-硝基苯基)膦酸、1-羟基乙烷-1,1,-二膦酸、3-氨基丙基膦酸、4-氨基丁基膦酸、次氮基三(亚甲基)三膦酸以及亚甲基二膦酸等。

作为硫醇系材料，可以适当地使用例如在末端具有乙烯基、氨基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、异氰脲酸酯基、脲基、异氰酸酯基、甲硅烷基、硅烷醇基、甲硅烷基醚基、膦酸基等官能团的化合物。作为硫醇系材料，具体地说，可以举出4-氰基-1-丁烷硫醇、1,11-十一烷二硫醇、1,16-十六烷二硫醇、1,2-乙二硫醇、1,3-丙烷二硫醇、1,4-丁烷二硫醇、1,5-戊烷二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛烷二硫醇、1,9-壬烷二硫醇、2,2’-(亚乙基二氧基)二乙硫醇、2,3-丁烷二硫醇、5,5’-双(巯基甲基)-2,2’-联吡啶、六(乙二醇)二硫醇、四(乙二醇)二硫醇、苯-1,4-二硫醇、(11-巯基十一烷基)六(乙二醇)、(11-巯基十一烷基)四(乙二醇)、1-巯基-2-丙醇、11-氨基-1-十一烷硫醇、11-氨基-1-十一烷硫醇盐酸盐、11-叠氮-1-十一烷硫醇、11-巯基-1-十一烷醇、11-巯基十一烷酰胺、11-巯基十一烷酸、11-巯基十一烷基对苯二酚、11-巯基十一烷基膦酸、12-巯基十二烷酸、16-氨基-1-十六硫醇、16-氨基-1-十六硫醇盐酸盐、16-巯基十六烷酰胺、16-巯基十六烷酸、3-氨基-1-丙硫醇、3-氨基-1-丙硫醇盐酸盐、3-巯基-1-丙醇、3-巯基丙酸、4-巯基-1-丁醇、6-氨基-1-己硫醇、6-氨基-1-己硫醇盐酸盐、6-巯基-1-己醇、6-巯基己酸、8-氨基-1-辛硫醇、8-氨基-1-辛硫醇盐酸盐、8-巯基-1-辛醇、8-巯基辛酸、9-巯基-1-壬醇、1,4-苯二甲烷硫醇、4,4’-双(巯基甲基)联苯、4,4’-二巯基均二苯代乙烯、4-巯基苯甲酸、联苯-4,4-二硫醇等。

作为由涂布材料构成的层的形成方法，可以举出涂布、蒸镀、溶胶凝胶法等。从防止支撑体的翘曲的方面出发，由涂布材料构成的层的厚度优选为20μm以下，更优选为10μm以下，进一步优选为1μm以下；从密合性的方面出发，该厚度优选为0.01μm以上，更优选为0.05μm以上，进一步优选为0.1μm以上。

本实施方式中的支撑体具备密合层的情况下，含磷有机物可以具有一种以上的结合性结构。作为结合性结构，可以举出上述“(涂布材料)”的项目中说明的结合性结构。作为结合性结构，特别优选具有选自由羟基、氨基、膦酸基、膦酸酯基以及异氰酸酯基组成的组中的至少一种结构。具有导电性图案区域的层包含具有这些结合性结构的含磷有机物时，与密合层的密合性倾向于良好。

<具有导电性图案区域的结构体的构成：第2实施方式>

图3是示出第2实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的截面示意图。如图3所示，具有导电性图案区域的结构体20具有支撑体21、以及配置在支撑体21所构成的面上的层24。并且，层24中，包含氧化铜和磷的绝缘区域22与包含还原铜的导电性图案区域23相互邻接地配置。此外，按照覆盖层24的方式设有氧阻隔层25。氧阻隔层25呈光线透过性。

需要说明的是，绝缘区域22可以为包含氧化铜以及肼或水合肼的构成，或者也可以为包含氧化铜、磷且包含肼或水合肼的构成。另外，导电性图案区域23可以为含有铜和磷的构成。本实施方式中的层24可以示出下述构成：含有铜的导电性图案区域23与含有氧化铜和磷的绝缘区域22相互邻接的构成；或者含有铜的导电性图案区域23与含有氧化铜以及肼或水合肼的绝缘区域22相互邻接的构成；或者含有铜和磷的导电性图案区域23与含有氧化铜和磷的绝缘区域22相互邻接的构成。或者层24也可以为下述构成：包含铜的导电性图案区域23与包含氧化铜、肼或水合肼以及磷的绝缘区域22相互邻接的构成；或者包含铜和磷的导电性图案区域23与包含氧化铜、肼或水合肼以及磷的绝缘区域22相互邻接的构成。

第2实施方式中的结构体20具有树脂层(氧阻隔层25)，这一点与第1实施方式中的结构体10不同。

通过第2实施方式的构成，能够利用包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域将包含铜的导电性图案区域之间绝缘，因而不必为了进行制造而除去层24的未烧制部分。因此，能够削减制造工序，并且由于不需要溶剂等而能够降低制造成本。另外，利用绝缘区域以进行导电性图案区域的绝缘，该绝缘区域不容易产生裂纹，能够提高可靠性。

此外，由于层24被树脂层(氧阻隔层25)覆盖，因此可保护导电性图案区域和绝缘区域免受外部的应力，能够提高具有导电性图案区域的结构体的长期可靠性。

关于构成结构体20的支撑体21、绝缘区域22、导电性图案区域23以及层24的各构成，可适用上述说明的支撑体11、绝缘区域12、导电性图案区域13以及层14的各构成。另外，结构体20中也可以包含上述的密合层。

对树脂层进行详细说明。

<树脂层>

如图3所示，树脂层按照覆盖层24的表面的方式配置。

(氧阻隔层)

树脂层的一例为氧阻隔层25。在后述的结构体20的制造方法中，氧阻隔层25可防止在光照射时涂布层(后述)与氧接触，可促进氧化铜的还原。由此，不需要在光照射时使涂布层的周围成为无氧或低氧气氛的例如用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够削减制造成本。

另外，氧阻隔层25能够防止由于光照射的热等而使导电性图案区域23发生的剥离或飞散。由此，能够高成品率地制造出结构体20。

(密封材料层)

树脂层的其他例为密封材料层。图4为示出与图3有一部分不同的具有导电性图案区域的结构体的其他示例的截面示意图。图4所示的具有导电性图案区域的结构体30中，密封材料层31代替氧阻隔层25(参照图3)来覆盖层24的表面，除此以外与图3所示的结构体20为同样的构成。

密封材料层31例如在剥离氧阻隔层25后重新配置。

氧阻隔层25(参照图3)主要在制造时起到重要作用。与之相对，密封材料层31在制造后的完成品(具有导电性图案区域的结构体30本身和包含其的产品)中能够保护导电性图案区域23免受来自外部的应力，能够提高具有导电性图案区域的结构体30的长期稳定性。

这种情况下，作为树脂层的一例的密封材料层31优选透湿度为1.0g/m²/day以下。这是为了确保长期稳定性，充分降低透湿度，由此防止水分从密封材料层31的外部混入，抑制导电性图案区域23的氧化。

密封材料层31是在剥离氧阻隔层25后对具有导电性图案区域的结构体30赋予功能的功能层的一例，除此以外，还可以使其具有处理具有导电性图案区域的结构体30时的耐损伤性、具有用于防止其免受来自外界的污染的防污性、或通过使用强韧的树脂而使结构体20具有刚性。

需要说明的是，本说明书中，将氧阻隔层以外的密封材料层等功能层简称为“其他树脂层”。

本实施方式中举出了下述情况为例进行说明：在具有导电性图案区域的结构体的制造方法(后述)中，按照覆盖涂布层的方式配置氧阻隔层25(参照图3)，在光烧制处理后除去氧阻隔层25，按照覆盖层24的方式配置作为其他树脂层的一例的密封材料层31(参照图4)。即，结构体20(参照图3)可以说是用于得到作为完成品的具有导电性图案区域的结构体30(参照图4)的前体结构体。但是，直接使用仍原样残留有氧阻隔层25的结构体20(参照图2)作为完成品也无妨。

构成上述树脂层的树脂优选熔点为150℃以上300℃以下。通过使用这样的树脂，可确保实际使用温度域(最大75℃)的2倍以上的安全率，并且在形成树脂层时可使其热熔而进行层压涂布，因而优选。

在树脂层优选设有开口部。该开口部的设置是为了从外部与导电性图案区域进行电连接，在开口部可以利用金属镀覆、焊接等方法安装电气接触部。

对树脂层更详细地进行说明。首先对氧阻隔层进行说明。氧阻隔层防止在光线的照射过程中氧从外界混入涂布层。例如可以使用以下举出的材料作为氧阻隔层的材料。可以使用由聚丙烯(PP)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚缩醛(POM)、聚芳酯(PAR)、聚酰胺(PA)、聚酰胺酰亚胺(PAI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯醚(PPE)、改性聚苯醚(m-PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚酮(PEK)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚醚腈(PENt)、聚苯并咪唑(PBI)、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、聚四氟乙烯、环氧树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚丁烯、聚戊烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-二烯共聚物、聚丁二烯、聚异戊二烯、乙烯-丙烯-二烯共聚物、丁基橡胶、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)、酚醛清漆、苯并环丁烯、聚乙烯基苯酚、聚氯丁二烯、聚甲醛、聚砜(PSF)、聚苯砜树脂(PPSU)、环烯烃聚合物(COP)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS)、丙烯腈-苯乙烯树脂(AS)、尼龙树脂(PA6、PA66)、聚丁基对苯二甲酸酯树脂(PBT)、聚醚砜树脂(PESU)、聚四氟乙烯树脂(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)以及有机硅树脂等构成的树脂材料。

另外，在氧阻隔层与涂布层之间可以设置粘合层将氧阻隔层与涂布层贴合。

接着对其他树脂层进行说明。作为其他树脂层的一例的密封材料层可确保长期稳定性。密封材料层优选透湿度足够低。这是为了防止水分从密封材料层的外部混入，抑制导电性图案区域的氧化。密封材料层的透湿度优选为1.0g/m²/day以下，更优选为0.5g/m²/day以下，进一步优选为0.1g/m²/day以下。通过使用透湿度为这样的范围的密封材料层，在例如85℃、85％环境下的长期稳定性试验中能够抑制因导电性图案区域的氧化所致的电阻变化。

可用于密封材料层的材料例如可以从与上述氧阻隔层相同的材料中选择也可以进一步在这些材料中混合由氧化硅或氧化铝构成的微粒，或者在这些材料的表面设置由氧化硅或氧化铝构成的层作为水分阻隔层，由此降低透湿度。

此外，密封材料层不必由单一的材料构成，也可以使用复数种的上述材料。

上述说明的具有导电性图案区域的结构体使用以下说明的作为中间体的层积体来制造。即，为了得到所期望的具有导电性图案区域的结构体，需要对作为中间体的层积体的构成进行优化。因此，下面对本实施方式中的层积体的构成进行说明。

<本实施方式的层积体的概要>

本发明人在支撑体的表面配置包含氧化铜的涂布层，对该涂布层选择性地进行光照射，将氧化铜还原成铜，来形成导电性图案区域。发现此时，若提高包含未还原的氧化铜的区域的电绝缘性，则能够通过不除去该区域使其原样残留而确保导电性图案区域之间的绝缘，并且不需要除去该区域的工序。

进一步发现，通过在涂布层上设置树脂层，在照射光线对氧化铜进行烧制处理(下文中称为“光烧制处理”)时，不需要用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够削减上述具有导电性图案区域的结构体的制造成本，从而完成了本发明。

即，如图5所示，本实施方式中的层积体40的特征在于，其具备支撑体41、配置在支撑体41所构成的面上的包含氧化铜和磷的涂布层44、以及按照覆盖涂布层44的方式配置的作为树脂层的一例的氧阻隔层45。氧阻隔层45呈光线透过性。

如图5所示，在涂布层44和氧阻隔层45之间根据需要配置有粘合层46。

如图5所示，由于涂布层44被树脂层(氧阻隔层45)覆盖，因而可防止在光烧制时涂布层44与氧接触，可促进氧化铜的还原。由此，在光照射时不需要用于使涂布层44的周围成为无氧或低氧气氛的设备，能够削减制造成本。因此，通过使用本实施方式的层积体，能够精度良好且低成本地制造出所期望的带有导电性图案区域的层积体。

关于构成层积体40的支撑体41以及树脂层(图5中作为一例的氧阻隔层45)，适用上述说明的支撑体11以及树脂层(氧阻隔层25)的各构成。另外，在层积体40中，在支撑体41与涂布层44之间也可以包含上述的密合层。

下面对涂布层44以及粘合层46进行详细说明。

<涂布层>

涂布层44是将分散体涂布至支撑体41所构成的面而形成的，该分散体是使用还起到作为分散剂的作用的磷、其中特别是含磷有机物将氧化铜分散在分散介质中而成的。

关于含磷有机物、分散介质和分散体的制备方法的详细内容如下文所述。

涂布层44与图3的绝缘区域22实质上具有相同组成来构成。

另外，与图1、图3所示的绝缘区域12、22同样地，涂布层44中，包含氧化铜的微粒与含磷有机物混合存在，在设氧化铜微粒的总体积为100体积份时，含磷有机物的含量优选为5体积份以上900体积份以下。由此可得到挠性高、即使弯曲也不容易产生裂纹、并且可通过烧制形成良好的导电性图案区域的涂布层44。

另外，涂布层44优选进一步包含铜颗粒，涂布层中的铜颗粒/氧化铜微粒的质量比例优选为1.0以上7.0以下。由此能够抑制裂纹的发生，并且能够通过烧制形成良好的导电性图案区域。

另外，氧化铜微粒相对于涂布层44的含量优选为10体积％以上90体积％以下。由此，在对涂布层44进行烧制时，容易使微粒彼此熔接而表现出导电性。另外，能够使涂布层44有效地附着于支撑体或密合层。

另外，涂布层44中包含的氧化铜微粒的平均粒径(平均一次粒径)优选为1nm以上50nm以下。由此能够降低针对涂布层44的烧制温度，并且能够提高涂布层44中的氧化铜微粒的分散性。

另外，涂布层44可以为包含氧化铜以及肼或水合肼的构成，或者为包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的构成。通过包含肼或水合肼，在接触光后容易将氧化铜还原成铜。

<粘合层>

粘合层46根据需要配置在涂布层44与氧阻隔层45之间，将氧阻隔层45贴合至涂布层44的表面。

粘合层46的粘合力优选为5mN/10mm以上10N/10mm以下。通过使该粘合力为5mN/10mm以上且小于1N/10mm，可以藉由粘合层46将氧阻隔层45固定于涂布层44，并且在之后的工序中能够将氧阻隔层45简单地剥离。此外，通过使该粘合力为1N/10mm以上10N/10mm以下，能够藉由粘合层46将氧阻隔层45牢固地固定于涂布层44。

粘合层46为粘合片、粘合膜或粘合材料。粘合层46中包含的粘合剂没有特别限定，可例示出丙烯酸酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂等。

氧阻隔层45为具备粘合层46的树脂膜的情况下，可以通过将树脂膜贴合至涂布层44的表面而简便地形成氧阻隔层45，因而优选。另外，通过如上所述选择粘合力，能够根据需要剥离氧阻隔层45。通过像这样剥离氧阻隔层45，能够得到图2所示结构的结构体10。

需要说明的是，氧阻隔层45为由树脂固化物形成的层、或者为通过对热塑性树脂进行加热并进行挤压层压而形成的层的情况下，可以省略粘合层。

另外，本实施方式中，优选在涂布层44与树脂层之间具有含有氧化硅或氧化铝的层。含有氧化硅或氧化铝的层可以起到作为水分阻隔层的功能，可以降低透湿度。

图6是使用图5所示的层积体形成的具有导电性图案区域的结构体50的截面图。如图6所示，具有导电性图案区域的结构体50具备：支撑体51；在支撑体51所构成的面上包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域52与包含还原铜的导电性图案区域53相互邻接地配置的层54；按照覆盖层54的方式设置的作为树脂层的一例的氧阻隔层55；以及夹设在层54与氧阻隔层55之间的粘合层56。

图6所示的具有导电性图案区域的结构体50为与图3所示的结构体20基本相同的结构，但图6中，在层54与氧阻隔层55之间夹设粘合层56，这一点与图3不同。图6中，通过具有粘合层56，可以提高氧阻隔层55与层54之间的密合性，可以实现耐久性优异的具有导电性图案区域的结构体50。另外，通过在氧阻隔层55与层54之间夹设含有氧化硅、氧化铝的层，也可以提高水分阻隔性。

另外，图6中，也可以根据需要将氧阻隔层55替换成其他树脂层。此时，通过在粘合层56中预先使用粘合力弱的粘合剂，能够简单地从层54剥离氧阻隔层55。在其他树脂层与层54之间也可以夹设粘合层56，或者夹设含有氧化硅、氧化铝的层。在不夹设粘合层56或含有氧化硅、氧化铝的层而将其他层直接贴合在层54的表面的情况下，获得依据图3所示的结构的具有导电性图案区域的结构体50。

<本实施方式的铜布线的概要>

在上述的结构体中，本发明人开发出了由导电性图案区域构成的铜布线。即，本实施方式中，导电性图案区域与绝缘区域相邻的层的导电性图案区域为以下说明的铜布线。另外，本实施方式中，也可以除去绝缘区域而得到铜布线。

本实施方式中的铜布线包含氧化铜被还原而成的还原铜、磷以及碳。并且其特征在于，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。铜布线的表面的算术平均粗糙度Ra优选为20nm以上500nm以下。

如上所述，磷元素的含量相对于铜的元素优选为0.02以上0.30以下的范围。更优选为0.05以上0.28以下的范围，进一步优选为0.1以上0.25以下的范围。通过使磷/铜的元素浓度为0.02以上，能够抑制铜的氧化，能够提高作为铜布线电路的可靠性，是优选的。另外，通过使磷/铜的元素浓度为0.30以下，能够降低布线的电阻值，是优选的。

如上所述，碳元素的含量相对于铜的元素优选为1.0以上6.0以下的范围。更优选为1.5以上5.5以下的范围，进一步优选为2.0以上5.0以下的范围。通过使碳/铜的元素浓度为1.0以上，能够负担铜布线的弯曲性。另外，通过使碳/铜的元素浓度为6.0以下，能够降低布线的电阻值，是优选的。

碳源自涂布层中的含磷有机物或二醇类等有机成分对氧化铜进行还原时所产生的残渣。

如上所述，Ra优选为20nm以上500nm以下。Ra更优选为50nm以上300nm以下，进一步优选为50nm以上200nm以下。Ra是铜布线表面的算术平均粗糙度，在铜布线被树脂层覆盖的情况下，是指与树脂层接触的面的表面粗糙度。通过使Ra为20nm以上500nm以下，能够提高与树脂层的密合性，是优选的。

铜布线也可以进一步包含氮。氮/铜的元素浓度比优选为0.04以上0.6以下，更优选为0.1以上0.55以下，进一步优选为0.2以上0.5以下。通过使氮/铜的元素浓度比为0.04以上，能够提高铜布线的耐腐蚀性，通过使氮/铜的元素浓度比为0.6以下，能够降低布线的电阻值，是优选的。氮源自涂布层中的肼或水合肼对氧化铜进行还原时所产生的残渣。

铜布线优选包含氧化铜被还原而成的还原铜、磷以及碳，各元素浓度比即磷：碳：铜优选为0.02：1：1至0.3：6：1的范围内。该浓度比更优选为0.05：1.5：1至0.28：5.5：1的范围内，进一步优选为0.1：2：1至0.25：5：1的范围内。需要说明的是，上述的范围是设铜的元素浓度为1所规定的比例。通过以该范围包含还原铜、磷以及碳，能够降低布线的电阻值，并且能够最大限度地共同负担铜的氧化抑制和铜的弯曲性。

铜布线优选包含氧化铜被还原而成的还原铜、磷、碳以及氮，各元素浓度比即磷：碳：氮：铜优选为0.02：1：0.04：1至0.3：6：0.6：1的范围内。该浓度比更优选为0.05：1.5：0.1：1至0.28：5.5：0.55：1的范围内，进一步优选为0.1：2：0.2：1至0.25：5：0.5：1的范围内。需要说明的是，上述的范围是设铜的元素浓度为1所规定的比例。通过以该范围包含还原铜、磷、碳以及氮，能够降低布线的电阻值，并且能够最大限度地共同负担铜的氧化抑制、铜的弯曲性和耐腐蚀性。

接着对图2所示的第1结构体10的制造方法进行说明。第1结构体10的制造方法主要具备以下工序。

(A)在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序，

(B)使光线选择性地照射至涂布层而将氧化铜还原为铜，得到支撑体、以及在支撑体所构成的面上包含氧化铜和上述含磷有机物的绝缘区域与包含铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序。

上述(A)中，可以在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层。或者可以在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层。通过包含肼或水合肼，能够进一步进行利用光的还原，能够得到电阻低的铜膜。

如上述(A)所示，首先在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和磷的涂布层。作为其方法，可以举出：(a)涂布含有氧化铜和含磷有机物的分散体的方法；(b)散布氧化铜微粒，接着涂布含磷有机物的方法；(c)涂布含磷有机物，接着散布氧化铜微粒的方法；等等。下面举出(a)的方法为例进行说明，但并不限于此。

(分散体的制备方法)

接着对分散体的制备方法进行说明。首先将氧化铜微粒与含磷有机物一起分散在分散介质中制备出氧化铜分散体。

例如，由上述(3)的方法合成的氧化铜微粒为软凝集体，不适于直接涂布，因而需要分散在分散介质中。

在上述(3)的方法中的合成终止后，通过例如离心分离之类的公知的方法进行合成溶液与氧化铜微粒的分离。在所得到的氧化铜微粒中加入分散介质以及含磷有机物，利用例如均化器之类的公知方法进行搅拌，将氧化铜微粒分散在分散介质中。

本实施方式涉及的含磷有机物起到作为分散剂的功能。但是也可以追加其他分散剂，只要为不会对绝缘区域(图2所示的绝缘区域12)的电绝缘性带来影响的范围即可。

需要说明的是，氧化铜微粒不容易利用分散介质进行分散，分散可能会不充分。这样的情况下，使用例如容易分散的醇类(例如丁醇等)将氧化铜分散后，置换成所期望的分散介质并浓缩至所期望的浓度。作为一例，可以举出利用UF膜的浓缩、以及反复利用所期望的分散介质反复稀释和浓缩的方法。

(涂布)

在上述的支撑体的表面形成由本实施方式涉及的分散体构成的薄膜。更具体地说，例如，将分散体涂布在支撑体上，根据需要通过干燥除去分散介质，形成涂布层。该涂布层的形成方法没有特别限定，可以使用模涂、旋涂、狭缝涂布、棒涂、刮刀涂布、喷涂、浸涂等涂布法。优选使用这些方法将分散体以均匀的厚度涂布至支撑体上。

优选按照覆盖配置于支撑体上的涂布层的方式配置氧阻隔层。其中，作为图2所示的结构体10的制造方法，氧阻隔层的配置并非是必须的。

(烧制处理)

如上述(B)所示，本实施方式中，在下述条件下实施加热处理，形成导电性图案区域，所述条件为将涂布层中的氧化铜还原生成铜颗粒、并且通过所生成的铜颗粒彼此的熔接而产生一体化的条件。

本实施方式中，在烧制处理的方法中使用选择性的光照射法。本实施方式中，作为光烧制法，例如可以适用使用氙等放电管作为光源的闪光方式或激光方式。这些方法可以将强度大的光在短时间内曝光，使形成在支撑体上的涂布层在短时间内上升到高温来进行烧制。由于烧制时间为短时间，因而对支撑体的损害少，能够适用于耐热性低的树脂膜基板。

闪光方式例如为使用氙灯(放电管)，使蓄积在电容器中的电荷瞬时放电的方式。根据该方式，可产生大光量的脉冲光(氙灯光)，对于形成在支撑体上的涂布层进行照射，由此将涂布层瞬时加热至高温。曝光量可通过光强度、发光时间、光照射间隔和次数进行调整。

为了形成导电性图案区域，可以由光源隔着掩模对于涂布层选择性地进行光照射。

尽管发光光源不同，但即使使用激光源也可得到同样的效果。在激光源的情况下，除了闪光方式的调整项目以外，还存在波长选择的自由度，也可以考虑涂布层的光吸收波长或支撑体的吸收波长来进行选择。

另外，根据激光方式，可以通过光束扫描进行曝光，容易调整曝光范围，能够在不使用掩模的情况下选择性地对涂布层进行光照射(描绘)。

作为激光源的种类，可以使用YAG(钇-铝-石榴石)、YVO(钒酸钇)、Yb(镱)、半导体激光(GaAs、GaAlAs、GaInAs)、二氧化碳等。作为激光，可以不止拾取基本波还根据需要拾取谐波来使用。

本实施方式中，光线优选中心波长为355nm以上532nm以下的激光。通过制成该波长而成为含有氧化亚铜的涂布层所吸收的波长，因此氧化亚铜的还原均匀地产生，能够得到电阻低的区域(导电性图案区域)。

本实施方式中，通过使支撑体呈光线透过性，光线可透过支撑体，因此能够恰当地对涂布层的一部分进行烧制。

需要说明的是，只要为在涂布层的表面具有氧阻隔层的构成，通过使支撑体或涂布层中的一者呈光线透过性，通过使光线透过支撑体、或隔着氧阻隔层透过涂布层，即能够恰当地对涂布层的一部分进行烧制。

另外，在氧阻隔层被配置于涂布层的表面的构成中，通过在形成导电性图案区域后除去该氧阻隔层，可以得到图2所示的结构体10。

参照图7对第1实施方式涉及的具有导电性图案区域的支撑体的制造方法更具体地进行说明。图7是示出第1实施方式涉及的带有导电性图案区域的支撑体的制造方法的各工序的说明图。图7中的(a)中，将乙酸铜溶解在水、丙二醇(PG)的混合溶剂中，加入肼或水合肼进行搅拌。

接着，图7中的(b)、(c)中，通过离心分离将其分离成上清和沉淀物。接着，图7中的(d)中，向所得到的沉淀物中加入分散剂和醇，进行分散。

接下来，图7中的(e)、(f)中，利用UF膜组件反复进行浓缩和稀释，置换溶剂，得到含有氧化铜微粒的分散体I。

图7中的(g)、(h)中，将分散体I利用喷涂法涂布在PET制的支撑体(图7(h)中记载为“PET”)上，形成包含氧化铜和含磷有机物的涂布层(图7(h)中记载为“Cu₂O”)。

接着，图7中的(i)中，对涂布层进行激光照射，选择性地烧制涂布层的一部分，将氧化铜还原成铜(图7(i)中记载为“Cu”)。其结果，图7中的(j)中，得到了在支撑体上形成有包含氧化铜和磷的绝缘区域(图7(j)中记载为“A”)与包含铜的导电性图案区域(图7(j)中记载为“B”)相互邻接地配置而成的层的具有导电性图案区域的结构体。

本实施方式中，可以进一步通过清洗除去绝缘区域。可以得到在支撑体上构图形成了铜布线(图7(k)中记载为“C”)的方式。需要说明的是，铜布线C为与导电性图案区域B相同的层。另外，从铜布线C上直到铜布线C之间的支撑体上可以利用第二树脂层(图7(l)中记载为“D”)密封。需要说明的是，可以按照至少覆盖作为导电性图案区域B的铜布线C上的方式形成第二树脂层D。第二树脂层相当于上述举出的“其他树脂层”。

除去绝缘区域的情况下，可以使用水或乙醇、丙醇、丁醇、异丙醇、甲醇、乙二醇、甘油等醇类或酮类、酯类、醚类等有机溶剂。从绝缘区域的清洗性能的方面出发，特别优选水、乙醇、丙醇、丁醇、异丙醇。另外，也可以在上述溶剂中添加磷系分散剂。通过添加磷系分散剂可进一步提高清洗性能。

在制造图2所示的结构体10时，不使用图5所示的层积体40，若为例如真空气氛中等气氛，则即使不存在作为树脂层的一例的氧阻隔层(图7(h))，也能够制造结构体10。不过当然来说，通过使用包含氧阻隔层的层积体，不需要用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够得到可削减具有导电性图案区域的结构体的制造成本的优点。

接着，在所说明的图3、图4、图6所示的第2结构体20、30、50的制造方法中，优选使用图5所示的层积体40。

即，具有导电性图案区域的结构体的第2制造方法具有以下工序。

(C)在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序，

(D)按照覆盖涂布层的方式配置树脂层(第一树脂层)的工序，

(E)隔着树脂层或支撑体中的任一者使光线选择性地照射至上述涂布层而将氧化铜还原成铜，得到具备支撑体、在支撑体所构成的面上包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域与包含铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层、以及按照覆盖该层的方式形成的树脂层的具有导电性图案区域的结构体的工序。

上述(C)中，可以将包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层配置在支撑体所构成的面上。或者可以将包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层配置在支撑体所构成的面上。通过包含肼或水合肼，能够进一步进行利用光的还原，能够得到电阻低的铜膜。

此处，(C)的工序与上文记载的上述(A)的工序相同。(D)的工序中，在涂布层的表面形成树脂层。通过得到(C)和(D)的工序，可以制造出作为图5所示的中间体的层积体40。

即，层积体40的制造方法具备下述工序：将包含氧化铜和含磷有机物的涂布层配置在支撑体所构成的面上的工序；以及按照覆盖涂布层的方式配置树脂层(氧阻隔层45)的工序。或者，层积体40的制造方法具备下述工序：将包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层配置在支撑体所构成的面上的工序；以及按照覆盖涂布层的方式配置树脂层(氧阻隔层45)的工序。或者，层积体40的制造方法具备下述工序：将包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层配置在支撑体所构成的面上的工序；以及按照覆盖涂布层的方式配置树脂层(氧阻隔层45)的工序。

图5所示的层积体40中，将氧阻隔层45藉由粘合层46粘贴至涂布层44。其中，粘合层46并非是必须的。例如，在氧阻隔层45是由树脂固化物形成的情况下、或者是对热塑性树脂进行加热并进行挤压层压而成的情况下，粘合层46未必是必须的。例如，可以将构成氧阻隔层的材料加热使其软化，在施加压力的同时按压至涂布层进行层压加工来形成层积体。

上文中作为树脂层的一例例示出了氧阻隔层45，作为优选方式，树脂层为氧阻隔层且为具备粘合层的树脂膜。由此，通过将树脂膜粘贴至涂布层44的表面，能够简单且恰当地制造出图5所示的层积体40。

需要说明的是，粘合剂没有特别限定，可例示出丙烯酸酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂等。

另外，粘合层的粘合力优选为5mN/10mm以上10N/10mm以下。由此，能够藉由粘合层将氧阻隔层恰当地固定于涂布层，并且在之后的工序中能够简单地剥离氧阻隔层。此外，通过使该粘合力为1N/10mm以上10N/10mm以下，能够藉由粘合层将氧阻隔层牢固地固定于涂布层。

对于经过上述(C)和(D)的工序形成的层积体实施上述的烧制处理，形成导电性图案区域。

本实施方式中，使氧阻隔层或支撑体中的任一者呈光线透过性。由此，在进行光照射法时，光线能够透过氧阻隔层或支撑体对涂布层的一部分进行烧制。

根据上述，可以制造出图3所示的结构体20、图6所示的具有导电性图案区域的结构体50。

(其他树脂层的配置)

其次，也可以根据需要将氧阻隔层置换成其他树脂层。首先利用溶剂溶解除去氧阻隔层。此时，在使用上述粘合层来形成的情况下，也可以仅将粘合层利用溶剂溶解除去。另外，通过预先使用粘合力弱的粘合剂而将氧阻隔层从具有导电性图案区域的层剥下，由此，即使不使用溶剂，也能够剥离氧阻隔层。

之后，按照将所露出的具有导电性图案区域的层覆盖的方式配置作为其他树脂层的一例的密封材料层。密封材料层可以将由上述构成密封材料层的材料形成的树脂片利用另行准备的粘合剂贴合至涂布层来形成。

另外，密封材料层可以通过将上述构成密封材料层的材料加热使其软化、在施加压力的同时按压至涂布层进行层压加工来形成。进而，也可以选择光固化或热固化的固化性材料，在所露出的具有导电性图案区域的层上形成由固化性材料构成的涂布层，之后利用光或热使其固化来形成。

参照图8，对第2实施方式涉及的带有导电性图案区域的支撑体的制造方法更具体地进行说明。图8是示出本实施方式涉及的带有导电性图案区域的支撑体的制造方法的各工序的说明图。图8中的(a)中，将乙酸铜溶解在水、丙二醇(PG)的混合溶剂中，加入肼或水合肼进行搅拌。

接着，图8中(b)、(c)中，通过离心分离将其分离成上清和沉淀物。接着，图8中的(d)中，向所得到的沉淀物中加入分散剂和醇，进行分散。

接下来，图8中的(e)、(f)中，反复进行利用UF膜组件的浓缩和稀释，置换溶剂，得到含有氧化铜微粒的分散体I。

图8中的(g)、(h)中，将分散体I利用喷涂法涂布在PET制的支撑体(图8(h)中记载为“PET”)上，形成包含氧化铜和含磷有机物的涂布层(图8(h)中记载为“Cu₂O”)。

接着，图8中的(i)中，在涂布层上配置氧阻隔层(图8(i)中记载为“阻隔”)。

接着，图8中的(j)中，隔着氧阻隔层对涂布层进行激光照射，选择性地烧制涂布层的一部分，将氧化铜还原成铜(图8(j)中记载为“Cu”)。其结果，图8中的(k)中，得到了在支撑体上包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域(图8(k)中记载为“A”)与包含铜的导电性图案区域(图8(k)中记载为“B”)相互邻接地配置的层。

接着，图8的(l)、(m)中，利用溶剂除去氧阻隔层，使导电性图案区域与绝缘区域相邻的层露出。之后，图8的(n)中，利用密封材料层(图8(n)中记载为“密封”)覆盖导电性图案区域与绝缘区域相邻的层的表面，由此可以得到图4所示的具有导电性图案区域的结构体。

本实施方式中，可以进一步通过清洗除去绝缘区域。可以得到在支撑体上构图形成了铜布线(图8(o)中记载为“C”)的方式。需要说明的是，铜布线C为与导电性图案区域B相同的层。另外，从铜布线C上直到铜布线C之间的支撑体上可以利用第二树脂层(图8(p)中记载为“D”)密封。需要说明的是，可以按照至少覆盖作为导电性图案区域B的铜布线C上的方式形成第二树脂层D。第二树脂层相当于上述举出的“其他树脂层”。

除去绝缘区域的情况下，可以使用水或乙醇、丙醇、丁醇、异丙醇、甲醇、乙二醇、甘油等醇类或酮类、酯类、醚类等有机溶剂。从绝缘区域的清洗性能的方面出发，特别优选水、乙醇、丙醇、丁醇、异丙醇。另外，也可以在上述溶剂中添加磷系分散剂。通过添加磷系分散剂可进一步提高清洗性能。

需要说明的是，也可以不除去氧阻隔层而使其起到作为密封材料层的功能。此时，可以制造出图3和图6所示的具有导电性图案区域的结构体。因此，在本实施方式的具有导电性图案区域的结构体的制造方法中，氧阻隔层的除去以后的工序不是必须的。

本实施方式的结构体的制造方法中，在进行光线照射得到具有导电性图案区域和绝缘区域的层之后，如图7(k)、图8(o)所示，也可以从导电性图案区域与绝缘区域紧密接触的层除去绝缘区域。例如，可以使用导电性图案区域不会溶解而使绝缘区域溶解的蚀刻液等，选择性地进行清洗并除去绝缘区域。本实施方式中，能够明确地区分导电性图案区域与绝缘区域的边界，能够恰当仅选择性地除去上述绝缘区域。

另外，本实施方式中，如上所述，在从层中除去绝缘区域后，如图7(l)、图8(p)所示，可以按照覆盖导电性图案区域的表面的方式配置第二树脂层。由此能够确保导电性图案区域上和导电性图案区域之间的绝缘性。另外，其作为阻隔膜在铜布线的耐久性方面也是有效的。需要说明的是，第二树脂层也可以适用上述举出的“其他树脂层”。

本实施方式中，例如可以如上所述除去绝缘区域，使铜布线残留在支撑体上。可以将残留在支撑体上的包含氧化铜被还原而成的还原铜、磷和碳的导电性图案区域作为本实施方式的铜布线来进行制造。或者，即使不除去绝缘区域，也可以将导电性图案区域和绝缘区域中的导电性图案区域视作铜布线。此时，本实施方式中的铜布线中，可以使磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，使碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下，优选使Ra为20nm以上500nm以下。为了使磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，作为一例，可以配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层，进行光线照射由氧化铜得到还原铜，由此进行制造。通过调整氧化铜与含磷有机物的比例，可以调整磷/铜的元素浓度比。为了使碳/铜的比为1.0以上6.0以下，作为一例，可以配置包含氧化铜和有机物的涂布层，进行光线照射由氧化铜得到还原铜，由此进行制造。通过调整氧化铜与有机物的比例，可以调整碳/铜的元素浓度比。另外，为了使铜布线的表面的Ra为20nm以上500nm以下，作为一例，可以通过调节进行光线照射时的光线照射强度和照射速度、照射间隔而得到所期望的Ra。

另外，本实施方式的具有导电性图案区域的结构体、或层积体的制造方法中，树脂层或支撑体在波长445nm的光线透过率优选为30％以上更优选为40％以上，进一步优选为50％以上。光线透过率的上限可以为98％以下。关于波长，除了445nm以外，还可以选择例如355nm、405nm、450nm、532nm、1064nm等近紫外到近红外的波长。通过提高在这样的波长下的光线透过率，可以从支撑体侧进行光照射而对涂布层进行烧制，形成导电性图案区域。

另外，本实施方式的具有导电性图案区域的结构体、或层积体的制造方法中，涂布层中包含的氧化铜优选为氧化亚铜。由此，可以通过烧制处理得到还原铜，可以精度良好地形成导电性图案区域与绝缘区域混合存在的层。

另外，本实施方式的具有导电性图案区域的结构体、或层积体的制造方法中，涂布层中包含的含磷有机物优选具有下述化学式(1)(化学式(1)中，R为酯盐)所表示的骨架。

[化5]

化学式(1)

化学式(1)中，R为酯盐。

上述化学式(1)的结构可吸附氧化铜，并且与支撑体的密合性也优异。由此能够确保绝缘性并且有效地防止支撑体与涂布层之间的剥离。

另外，本实施方式的具有导电性图案区域的结构体、或层积体的制造方法中，可例示出支撑体为立体物的情况。即，本实施方式中，并非仅以平坦的支撑体为对象，而可以为曲面或断坡等，例如，可以将壳体或底盘等的表面作为支撑体表面，形成本实施方式中的具有导电性图案区域的结构体。

<应用例>

本实施方式的具有导电性图案区域的结构体可适宜地应用于例如电子电路基板等的布线材(印刷基板、RFID、汽车中的线束的代替等)、形成于便携信息设备(智能手机等)的壳体的天线、网电极(静电电容式触控面板用电极膜)、电磁波屏蔽材以及散热材料中。

如以上说明的那样，根据本实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体，能够将包含铜的导电性图案区域之间利用包含氧化铜和磷的绝缘区域绝缘。因而不必为了进行制造而除去配置于支撑体上的层的未烧制部分，因此能够削减制造工序，并且由于不需要溶剂等因而能够降低制造成本。另外，利用绝缘区域以进行导电性图案区域的绝缘，该绝缘区域不容易产生裂纹，能够提高可靠性。

另外，根据本实施方式涉及的具有导电性图案区域的结构体的制造方法，能够将包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的一部分利用激光烧制而制成导电性图案区域，并且将未烧制部分用于导电性图案区域的绝缘。因而不必除去涂布层的未烧制部分。因此，能够削减制造工序，由于不需要溶剂等而能够降低制造成本。另外，由于不必为了导电性图案区域的绝缘而设置阻焊剂等，因此也能够相应地削减制造工序。

另外，根据本实施方式涉及的层积体，通过将涂布层利用树脂层覆盖，可防止在光烧制时涂布层与氧接触，可促进氧化铜的还原。由此，不需要在光照射时用于使涂布层的周围成为无氧或低氧气氛的设备，能够削减制造成本。另外，由于涂布层利用树脂层覆盖，因此能够保护涂布层免受外部的应力，能够提高处理性。

另外，根据本实施方式涉及的层积体的制造方法，通过使用在支撑体的面上形成包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序、以及在涂布层的表面形成树脂层的工序，能够简单且恰当地制造出层积体。

实施例

以下通过具体的实施例更详细地说明本发明。

<分散体的制造>

将乙酸铜(II)一水合物(和光纯药制)80g溶解在由水800g和1,2-丙二醇(和光纯药制)400g构成的混合溶剂中，加入肼或水合肼(和光纯药制)20g进行搅拌后，使用离心分离将其分离成上清和沉淀物。

向所得到的沉淀物2.8g中加入作为含磷有机物的DISPERBYK-145(商品名、毕克化学公司制造)(表1中为BYK-145)0.05g和作为分散介质的乙醇(和光纯药制)6.6g，使用均化器进行分散。进一步利用乙醇反复进行稀释和浓缩，由此得到含有包含氧化亚铜(氧化铜(I))的氧化亚铜微粒的分散体(a)。通过将沉淀物真空干燥来测定沉淀物中的氧化亚铜微粒的重量，结果在2.8g沉淀物中含有2.0g氧化亚铜微粒。

需要说明的是，对于通过真空干燥得到的氧化亚铜微粒进行透射型电子显微镜观察，通过能量分散型X射线分光法进行分析，结果氧化亚铜微粒中的氧化亚铜的含量(体积％)为100体积％(参见表1)。

将加入到2.8g沉淀物中的含磷有机物的量分别按表1中的记载进行变更，除此以外与上述进行同样的操作，由此得到含有氧化亚铜微粒的分散体(b)～(g)。对分散体(b)～(g)中包含的全部微粒中的氧化铜的含量(体积％)进行测定，结果为100体积％(参见表1)。

[表1]

另外，通过按表1中记载的量向分散体(c)中添加铜粉(平均粒径1μm、球状颗粒)，得到分散体(h)、(i)。对于分散体(h)、(i)中包含的全部微粒(氧化铜微粒和铜粉)中的氧化铜的含量(体积％)进行测定，结果分别为59.7体积％和42.6体积％(参见表1)。

<试样的制造>

[试样1～19]

对支撑体的表面实施UV臭氧处理后，将分散体进行棒涂使其达到规定的厚度，在室温下干燥10分钟，由此得到在支撑体上形成了涂布层的试样。

分别按表2所示变更支撑体的种类、分散体的种类和涂布层的厚度，得到试样1～19。

作为支撑体PET，使用厚度100μm的PET膜(东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100)。

[试样20]

作为支撑体，对于厚度100μm的PET膜(东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100)的表面实施UV臭氧处理后，通过利用氧气的反应性离子蚀刻(RIE)处理对表面进行粗糙化，形成密合层。

接下来，将分散体(c)按照达到规定厚度0.5μm的方式棒涂在密合层上，在室温下干燥10分钟，由此得到试样20。

[试样21～23]

除了如表2的记载变更支撑体的种类以外，通过与上述试样20的情况同样的操作得到试样21～23。对所得到的密合层的比表面积和表面粗糙度进行测定并示于表2中。

作为支撑体，使用下述的PEN膜和PI膜、mPPE片。

PEN膜(Teijin Film Solutions公司制造，Teonex Q65H、厚度100μm)

PI膜(东丽-杜邦公司制造，KAPTON500H、厚度125μm)

m-PPE片(旭化成公司制造，E1000、厚度125μm)

[试样24]

作为支撑体，对于厚度100μm的PET膜(东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100)的表面实施UV臭氧处理后，涂布含有氧化硅微粒(平均粒径25nm)的涂布液。之后在室温下干燥30分钟，形成厚度为5μm的密合层。

之后将分散体(a)变更为分散体(c)，除此以外通过与上述试样1～19的情况同样的操作得到试样24。

[试样25]

作为支撑体，对于厚度100μm的PET膜(东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100)的表面实施UV臭氧处理后，利用刮刀涂布机涂布含有氧化铝微粒(平均粒径110nm)的涂布液。之后在室温下干燥30分钟，形成厚度为10μm的密合层。

之后将分散体(a)变更为分散体(c)，除此以外通过与上述试样1～19的情况同样的操作得到试样25。

<评价和测定方法>

(分散体的成膜性评价)

利用形状测定激光显微镜(KEYENCE公司制造，VK-9510)对所得到的试样的涂布层的成膜性进行观察。此时使用10倍的物镜。评价基准如下。图9和图10是用于说明实施例的涂布层中的裂纹状态的电子显微镜照片。图9示出了无裂纹的涂布层的示例，图10示出了有裂纹的涂布层的实例。

(利用激光的烧制和导电性评价)

使用电扫描仪，一边以最大速度300mm/分钟移动焦点位置一边向氩气气氛的试样的基板照射激光(波长445nm、输出1.2W、连续波振荡(Continuous Wave：CW))，由此得到所期望的25mm×1mm尺寸的包含铜的导电性图案区域。

导电性的评价方法如下所述。以试验机接触导电性图案区域的两端，评价导电性。评价基准如下。

○：电阻值小于1kΩ

△：电阻值为1kΩ以上且小于1MΩ

×：电阻值为1MΩ以上

(利用氙气闪光的烧制和导电性评价)

将30mm见方的试样设置在氩气气氛中的样品台上。在其上载置以25mm×1mm的尺寸设有开口部的遮光掩模，进一步从其上照射氙气闪光(照射能量3J/cm²、照射时间4毫秒)。由此得到25mm×1mm尺寸的包含铜的导电性图案区域。遮光掩模的不是开口部的部分与照射氙气闪光前为相同状态。

以试验机接触导电性图案区域的两端，评价导电性。评价基准如下。

○：电阻值小于1kΩ

△：电阻值为1kΩ以上且小于1MΩ

×：电阻值为1MΩ以上

在利用激光的烧制和利用氙气闪光的烧制中，只要能够利用任意一者在导电性图案区域表现出导电性，即可以作为带有导电性图案区域的支撑体使用。

(绝缘电阻的测定)

在烧制后的各试样的作为未烧制部分的包含氧化亚铜和含磷有机物的绝缘区域隔着5mm的间隔设置2根针式探测器。使用菊水电子工业株式会社制造的绝缘电阻试验机TOS7200，在2根针式探测器之间施加1分钟直流500V的电压，对此时的电阻值进行评价。评价基准如下。

○：5000MΩ以上

△：1MΩ以上且小于5000MΩ

×：小于1MΩ

(平均粒径)

氧化亚铜微粒的平均一次粒径可以通过透射型电子显微镜或扫描型电子显微镜进行测定。对具体的操作进行说明。将试样分切成适当的尺寸，使用Hitachi High-Technologies公司制造的离子磨碎装置E-3500进行宽离子束(BIB)加工。此时，根据需要在冷却下对试样进行BIB加工。对加工后的试样实施导电处理，利用日立制作所社制造的扫描型电子显微镜S-4800对导电性粘合剂部的截面进行观察。对于在1个视野内存在10个以上一次颗粒的图像内的全部一次粒径进行测定，将其平均值作为平均一次粒径。

氧化亚铜微粒的平均二次粒径可以通过透射型电子显微镜或扫描型电子显微镜进行测定。对具体的操作进行说明。将试样分切成适当的尺寸，使用Hitachi High-Technologies公司制造的离子磨碎装置E-3500进行BIB加工。此时，根据需要在冷却下对试样进行BIB加工。对加工后的试样实施导电处理，利用日立制作所社制造的扫描型电子显微镜S-4800对导电性粘合剂部的截面进行观察。对于在1个视野内存在10个以上二次颗粒的图像内的全部二次粒径进行测定，将其平均值作为平均二次粒径。

(负荷变形温度)

支撑体的负荷变形温度可以利用依据JIS7191的方法进行测定。

(氧化亚铜微粒、铜粉和含磷有机物的含量(体积％)的测定)

通过利用扫描型电子显微镜(SEM)对于配置在支撑体上的层的截面进行观察，来测定层中的绝缘区域中的氧化亚铜微粒、(包含的情况下的)铜粉和含磷有机物的含量(体积％)。

图11为示出实施例中的配置在支撑体上的层的截面的电子显微镜照片。如图11所示，电子显微镜照片中，电子密度越大的材料观察到的越明亮，因此观察到无机物比有机物明亮，导电性的金属比氧化物明亮。因此，在电子显微镜照片的层中的某一观察区域中，可以利用形状、尺寸和对比度来区分无机物的氧化亚铜微粒和铜粉(下文中记载为“全部颗粒”)和含磷有机物。获得该观察区域中包含的层的截面的图像(下文中记载为“截面图像”)中的全部颗粒所占的面积与截面图像中的层的总面积的商并乘以100，由此可求出全部颗粒的含量(体积％)。

另外，氧化亚铜微粒和铜粉也同样地可利用形状、尺寸以及对比度进行区分。因此，通过获得截面图像中的氧化亚铜微粒所占的面积与截面图像中的全部颗粒所占的面积的商并乘以100，可求出全部颗粒中的氧化铜的含量(体积％)。另外，通过获得截面图像中的铜粉所占的面积与截面图像中的全部颗粒所占的面积的商并乘以100，可求出全部颗粒中的铜粉的含量(体积％)。

另外，含磷有机物的含量(体积％)可通过获得截面图像中的磷酸有机物所占的面积与截面图像中的层的总面积的商并乘以100而求出。

图像的分析可以使用图像分析软件，可以举出例如ImageJ(美国国立卫生研究所制)。实施例中，将截面图像读入ImageJ中，转换成黑白8位图像，进行缺省值的阈值设定，进行颗粒分析求出氧化亚铜微粒和铜粉的含量。

(氧化亚铜微粒、铜粉和含磷有机物的含量(重量％)的测定)

可以根据由截面图像求出的含量(体积％)、以及氧化铜、铜和含磷有机物的各自的比重计算出含量(重量％)。氧化铜、铜和含磷有机物的比重可以分别使用以下的值。

氧化铜：6.0g/cm³

铜：8.9g/cm³

含磷有机物：1.0g/cm³

关于这些以外的材料，可以使用化学便览、理化年表等中记载的数值。

基于像这样求出的层中的绝缘区域中的氧化亚铜微粒、铜粉和含磷有机物的含量(体积％)，计算出将层的绝缘区域中的氧化亚铜微粒、或者在包含铜粉的情况下的氧化亚铜微粒和铜粉的总体积设为100体积份时的含磷有机物的体积份，并示于表2中。同样地计算出将层的绝缘区域中的氧化亚铜微粒、或者在包含铜粉的情况下的氧化亚铜微粒和铜粉的总质量设为100质量份时的含磷有机物的质量份，并示于表2中。

(支撑体密合性)

通过目视按下述评价基准对于通过烧制得到的导电性图案区域与支撑体的密合性进行评价。

○：导电性图案区域与支撑体密合的状态

△：尽管在一部分观察到剥离，但整体为与支撑体密合的状态

×：导电性图案区域从支撑体剥离的状态

[表2]

表2中的简写符号分别指以下化合物。

PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂

PEN：聚萘二甲酸乙二醇酯树脂

PI：聚酰亚胺树脂

PP：聚丙烯树脂

PA：聚酰胺树脂

ABS：丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂

PE：聚乙烯树脂

PC：聚碳酸酯树脂

POM：聚缩醛树脂

PBT：聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂

m-PPE：改性聚苯醚树脂

PPS：聚苯硫醚树脂

[试样35～40]

使用上述举出的分散体(a)、(c)、(d)、分散体(j)(沉淀物2.8g、铜粉0g、有机物BYK145(2.0g)、溶剂乙醇6.6g)、在分散体(c)中添加水合肼而成的分散体(k)(沉淀物2.8g、铜粉0g、有机物BYK145(2.0g)、溶剂乙醇6.6g、水合肼0.01g)、在分散体(c)中添加水合肼而成的分散体(l)(沉淀物2.8g、铜粉0g、有机物BYK145(2.0g)、溶剂乙醇6.6g、水合肼0.1g)，利用与试样1相同的方法得到在支撑体PI膜上形成了厚度0.8μm的涂布层的试样35～40。需要说明的是，关于分散体(k)、(l)中的肼质量/氧化铜质量，分散体(k)为0.003，分散体(l)为0.03。

对各试样的涂布层表面的平滑性进行测定。关于测定方法，使用触针式膜厚测定仪(株式会社ULVAC DektakXT)测定1000μm的长度中的算术平均高度Ra。评价基准如下。

○：Ra小于30nm

△：Ra为30nm以上且小于100nm

×：Ra为100nm以下

使用电扫描仪，一边以最大速度100毫米/秒移动焦点位置一边向氩气气氛的试样的基板照射激光(波长532nm、输出0.45W、连续波振荡(Continuous Wave：CW))，由此得到所期望的25mm×1mm尺寸的包含铜的导电性图案区域。

对各试样的导电性图案区域的膜厚进行测定。关于测定方法，剥离导电性图案区域的一部分使支撑体露出，使用触针式膜厚测定仪(株式会社ULVAC DektakXT)测定由支撑体残留的导电性图案区域的断坡。进一步计算出与未烧制的绝缘区域之比。

对各试样的导电性图案区域的表面粗糙度进行测定。关于测定方法，使用触针式膜厚测定仪(株式会社ULVAC DektakXT)测定1000μm的长度中的算术平均高度Ra。评价基准如下。

○：Ra为50nm以上且小于200nm

△：Ra为20nm以上且小于50nm、为200nm以上且小于500nm

×：Ra小于20nm、为500nm以上

使用4端子测定法对导电性图案区域的两端进行电阻值评价。评价基准如下。

○：电阻值小于30μΩcm

△：电阻值为30μΩcm以上且小于100μΩcm

×：电阻值为100μΩcm以上

(耐电压的测定)

隔开1mm的间隔配置2个上述25mm×1mm尺寸的导电性图案区域，对于位于它们之间的作为未烧制部分的包含氧化亚铜和含磷有机物且包含肼或水合肼的绝缘区域进行耐电压测定。

关于测定的方法，将针式探测器与2个导电性图案区域连接，使用菊水电子工业株式会社制造的耐电压试验机TOS5300，在2根针式探测器之间施加交流电压。缓慢地升高电压，测定产生绝缘破坏的电压值。评价基准如下。

○：耐电压为1.7kV/mm以上

△：耐电压为1kV/mm以上且小于1.7kV/mm

×耐电压小于1kV/mm

(评价结果)

[试样1～25]

分散体(a)～(i)中，目视评价中未产生凝集沉淀物，全部为分散性良好的分散体。

试样1中，尽管在激光烧制中在导电性图案区域的一部分观察到了剥离，但作为整体与支撑体密合，确认到了导电性。在氙气闪光烧制中，在烧制中所涂布的分散体被吹飞，未能得到导电性图案区域。

试样2～4、7、9～17中，在激光烧制中导电性图案区域与支撑体密合，确认到了导电性。在氙气闪光烧制中，在烧制中所涂布的分散体被吹飞，未能得到导电性图案区域。

试样5、6中，层中的含磷有机物的含量多，导电性的评价结果为△。氧化亚铜烧制后的配置在支撑体上的层为与支撑体密合的状态。

试样8中，在激光烧制和氙气闪光烧制这两者中均得到了与支撑体密合的、导电性优异的导电性图案区域。

试样18、19中，通过激光烧制得到了导电性图案区域，但在与支撑体的密合性中，在激光烧制中为一部分发生了剥离的状态。

试样20～25具有密合层，在激光烧制和氙气闪光烧制这两者中均得到了与支撑体密合的导电性图案区域。

[试样26～34]

作为支撑体，准备表2所示的材质不同的、没有密合层的壳体。壳体的形状为具有曲率半径500mm的研钵形状的曲面体。使用喷涂法将分散体(c)按照干燥膜厚达到5μm的方式涂布至所准备的壳体，得到试样26～34。之后对于试样26～34使用电扫描仪一边以最大速度300mm/分钟按照焦点对焦到壳体的研钵形状的表面的方式移动焦点位置一边利用氩气气氛照射激光(波长445nm、输出1.5W、连续波振荡(Continuous Wave：CW))，在壳体的表面得到所期望的25mm×1mm尺寸的包含铜的导电性图案区域。所得到的导电性图案区域在一部分产生了细裂纹，但与壳体密合，导电性优异。

[试样35～40]

分散体(j)(k)(l)是在目视评价中未产生凝集沉淀物、分散性良好的分散体。

对试样35～40的涂布层的平滑性进行了评价。将评价结果示于表3。由于具有平滑性，因而在照射光线时不会在涂布层的表面发生乱反射，能够适当地吸收光。

对试样35～40的导电性图案区域的电阻值进行评价。将评价结果示于表3。关于试样38，在照射激光时涂布层发生烧蚀，无法得到合适的导电性图案区域。

对试样35～37、39、40的导电性图案区域的膜厚进行测定，计算出与作为未烧制的绝缘区域的膜厚比。将评价结果示于表3。膜厚比为45～50％的范围内。

对试样35～37、39、40的导电性图案区域的表面粗糙度进行评价。将评价结果列于表3。均具有合适的表面粗糙度。

进行试样35～37、39、40的绝缘区域的耐电压评价。将评价结果示于表3。试样36、37、39、40具有良好的耐电压。

在试样36中配置具有作为密封层的功能的树脂层(PET膜：东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100、厚度100um)。在树脂层中设置包含氧化硅的层作为水分阻隔层，为了与配置在支撑体上的具有导电性图案区域的层接合，设置了接合层(Lintec株式会社光学粘合片MO系列)。另外，为了防止水分从树脂层的边缘的混入，利用热固化型密封材料(AJINOMOTO FINE TECHNO株式会社AES-210)进行了密封。进而，将树脂层的一部分开口使导电性图案区域露出，在其中使用低温焊锡(千住金属工业株式会社ECO Solder LEO)设置电极。在该状态下置于85℃、85RH％的环境中，实施导电性图案区域的导电性劣化的加速试验。经过1000小时后评价电阻值，结果电阻变化率为+5％以下，为良好。这被认为是由于在加速试验中通过微量混入在经密封的内部的氧和水分的作用，在铜被氧化之前发生了磷的氧化，由此将导电性图案区域的电阻变化抑制得较低所致的。

作为试样41，准备玻璃制红酒杯作为具有立体曲面的支撑体。红酒杯的曲率半径为35mm。将红酒杯浸在用分散体(c)填满的容器中，以一定速度提起，由此在红酒杯的外侧表面得到了干燥膜厚为2μm的涂布层。之后使用激光标记器(KEYENCE株式会社激光标记器MD-S9910A)在空气中以20毫米/秒的速度对涂布层照射激光(波长532nm、输出0.22W、脉冲重复频率260kHz)。由此在红酒杯的表面得到了包含还原铜的导电性图案区域。图12A中示出了其照片。图12B中示出了其示意图。所得到的导电性图案区域与玻璃密合，导电性图案区域的电阻值评价为○，绝缘图案区域的耐电压评价为○。

进而，为了得到铜布线，使用作为清洗溶剂的乙醇除去位于作为未进行激光照射的部分的绝缘区域的涂布层。将除去后的照片示于图12C。除去后的铜布线的电阻值评价为○，为良好。

另外，与上述的实验同样地，作为试样42，准备玻璃制红酒杯作为具有立体曲面的支撑体。红酒杯的曲率半径为35mm。将红酒杯浸在用分散体(c)填满的容器中，以一定速度提起，由此在红酒杯的外侧表面得到了干燥膜厚为2μm的涂布层。之后使用与上述实验不同的激光标记器(KEYENCE株式会社激光标记器MD-U1000C)在空气中以20毫米/秒的速度对涂布层照射激光(波长355nm、输出0.25W、脉冲重复频率300kHz)。由此在红酒杯的表面得到了包含还原铜的导电性图案区域。所得到的导电性图案区域与玻璃密合，导电性优异。

作为试样43，在试样36的涂布层的表面粘贴作为具有氧阻隔性的树脂层的微粘合PET膜(Lintec公司制造SRL-0753)，使用激光标记器(KEYENCE株式会社激光标记器MD-S9910A)，使激光(波长532nm、输出0.22W、脉冲重复频率260kHz)在空气中以20毫米/秒的速度透过树脂层照射至涂布层。之后取下树脂层。所得到的导电性图案区域与PI膜密合，导电性图案区域的电阻值评价为○，绝缘区域的耐电压评价为○。

进一步在通过取下树脂层而露出的导电性图案区域和绝缘区域上配置树脂层(PET膜：东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100、厚度100um)作为属于其他树脂层的一例的密封材料层。在树脂层中设置包含氧化硅的层作为水分阻隔层，为了与配置在支撑体上的具有导电性图案区域的层接合，设置了接合层(Lintec株式会社光学粘合片MO系列)。另外，为了防止水分从树脂层的边缘混入，利用热固化型密封材料(AJINOMOTO FINE TECHNO株式会社AES-210)进行了密封。进一步地，将树脂层的一部分开口使导电性图案区域露出，在该处使用低温焊锡(千住金属工业株式会社ECO Solder LEO)设置电极。在该状态下置于85℃、85RH％的环境中，实施导电性图案区域的导电性劣化的加速试验。经过1000小时后评价电阻值，结果电阻变化率为+5％以下，为良好。这被认为是由于在加速试验中通过微量混入在经密封的内部的氧和水分的作用，在铜被氧化之前发生了磷的氧化，由此将导电性图案区域的电阻变化抑制得较低所致的。

[比较例1]

除了使用聚乙烯基吡咯烷酮(以下称为PVP)来代替含磷有机物以外，通过与分散体(a)同样的操作得到了含有氧化亚铜微粒的分散体(x)。需要说明的是，分散体(x)的组成为沉淀物2.8g、聚乙烯吡咯烷酮0.2g、乙醇分散介质6.6g，氧化亚铜微粒中的氧化铜的含量为100体积％。

通过与试样1～19同样的操作得到了在作为支撑体的厚度100μm的PET膜(东洋纺公司制造，Cosmoshine A4100)上以0.5um的厚度形成了分散体(x)的涂布层的比较例1。

比较例1中，使用电扫描仪，一边以最大速度300mm/分钟移动焦点位置一边向试样的基板照射激光(波长445nm、输出1.2W、连续波振荡(Continuous Wave：CW))，由此得到所期望的25mm×1mm尺寸的包含铜的导电性图案区域。

在烧制后的比较例1的作为未烧制部分的绝缘区域隔着5mm的间隔设置2根针式探测器。使用菊水电子工业株式会社制造的绝缘电阻试验机TOS7200，在2本针式探测器之间施加1分钟直流500V的电压，对此时的电阻值进行评价，结果电阻值小于1MΩ，绝缘性不充分。

进一步与上述操作同样地对于包含作为未烧制部分的氧化亚铜、不包含含磷有机物和肼或水合肼的绝缘区域进行耐电压测定。其结果，耐电压为0.9kV/mm，评价为×。

[比较例2]

使用作为包含氧化二价铜颗粒的分散体的Novacentrix公司的Metalon ICI-021来代替包含氧化亚铜颗粒、含磷有机物且包含肼或水合肼的分散体，通过与试样1～19同样的操作得到了在支撑体PI膜((东丽-杜邦公司制造，KAPTON500H厚度125μm)上以1.0μm的厚度形成了涂布层的比较例2。

通过与试样35～38同样的操作照射激光并得到了导电性图案区域。

将与试样35～38同样地进行了各项目的评价的结果记载于表3中。涂布层的平滑性为×。据信，在形成涂布层的工序中，由于分散体与支撑体的润湿性差，并且不包含肼或水合肼以及含磷有机物，因此制成涂布层的状态下的氧化铜颗粒的分散性差，发生了凝集。

导电性图案区域的电阻值为×。据信，由于涂布层的平滑性差，并且不包含肼或水合肼以及含磷有机物，因此利用激光未能适当地进行氧化铜颗粒的还原和烧结。

测定导电性图案区域的膜厚，计算出与作为未烧制的绝缘区域的膜厚比。膜厚比为68％。

导电性图案区域的表面粗糙度为×。据信，比较例2中，由于涂布层的平滑性差，并且不包含肼或水合肼以及含磷有机物，因此利用激光未能适当地进行氧化铜颗粒的还原和烧结，因而未进行颗粒与颗粒的结合，表面粗糙。需要说明的是，据信，在不包含肼或水合肼和含磷有机物中的至少一者时，也不能利用激光进行氧化铜颗粒的还原和烧结。

进行了绝缘区域的耐电压评价，结果为△。据信，比较例2中，由于不包含肼或水合肼以及含磷有机物，因此制成涂布层的状态下的氧化铜颗粒的分散性差，不能充分表现出绝缘性。需要说明的是，据信，在不包含肼或水合肼和含磷有机物中的至少一者时，制成涂布层的状态下的氧化铜颗粒的分散性也差。

[比较例3]

使用分散体(c)，在支撑体硼硅酸玻璃基板(SCHOTT公司Tempax)上通过反转转印法形成隔开1mm的间隔平行地排列有2个25mm×1mm图案的涂布层(厚度0.8μm)。进一步通过等离子体烧制法将涂布层还原，得到包含还原铜、磷的25mm×1mm的2个导电性图案区域。

对于所得到的2个导电性图案区域进行耐电压评价，结果为×。据信，这是由于2个导电性图案区域之间为不含绝缘区域而仅为空气的状态，因此无法表现出绝缘性。

[导电性图案区域中的磷的测定]

对于试样8，在如上述那样进行了激光烧制后，对所形成的导电性图案区域中的磷元素进行测定。

1)试样制造，XPS测定

从激光烧制后的试样8中切出约3mm见方的小片，覆盖5mmΦ的掩模实施XPS测定。XPS测定中，利用Ar⁺离子溅射进行深度方向分析。

<XPS测定条件>

使用设备：ULVAC-PHI Versa probeII

激发源：mono.AlKα15kV×3.3mA

分析尺寸：约200μmΦ

光电子取出角：45°±20°

取入区域：Cu 2p3/2、P 2p、C 1s、O 1s、N 1s

通能：93.9eV

<Ar⁺离子溅射条件>

加速电压：3kV

试样电流：1.6μA

试样尺寸：2mm×2mm

试样旋转：有

关于XPS测定的结果，在试样8中确认到，磷元素相对于铜的含量以原子组成百分数计为0.127atom/atom％，以质量百分数计为0.062w/w％。

对于试样35～37，如上述那样进行激光烧制后，进行所形成的导电性图案区域中的磷元素的测定。将评价结果示于表3。其中示出了任一试样的磷/铜的元素浓度比均为0.02以上0.30以下。另外同样地进行了导电性图案区域中的碳元素的测定以及氮元素的测定。将评价结果示于表3。其中示出了任一试样的碳/铜的元素浓度比均为1以上6以下。另外，任一试样的氮/铜的元素浓度比均为0.04以上0.6以下。

以下示出表3。

需要说明的是，本发明并不限于上述实施方式、实施例。可以基于本领域技术人员的知识对上述实施方式和实施例加以设计的变更等，并且可将上述实施方式和实施例任意地组合，这样的加以变更等的方式也包含在本发明的范围中。

工业实用性

根据本发明，能够大大简化制造工序，能够提供导电性图案区域之间的电绝缘性优异、并且可靠性高的具有导电性图案区域的结构体。

另外，根据本发明，在氧化铜的光烧制处理中不需要用于实现真空气氛或惰性气体气氛的设备，能够提供可削减结构体的制造成本的层积体及其制造方法。

根据以上内容，本发明的结构体和层积体能够适宜地用于电子电路基板等的布线材、网电极、电磁波屏蔽材以及散热材料。

本申请基于2017年7月18日提交的日本特愿2017-139133、日本特愿2017-139134、2017年7月21日提交的日本特愿2017-141518、日本特愿2017-141519、2017年7月27日提交的日本特愿2017-145188号、2018年2月13日提交的日本特愿2018-023239号。这些内容全部包含在本文中。

Claims (37)

1.一种结构体，其特征在于，该结构体具有支撑体、以及配置在所述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与包含氧化铜和磷的绝缘区域相互邻接，所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

2.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述绝缘区域中的所述氧化铜为含有所述氧化铜的微粒，所述磷为含磷有机物，设所述微粒的总体积为100体积份时，所述含磷有机物的含量为5体积份以上900体积份以下。

3.如权利要求1或2所述的结构体，其特征在于，所述层上配置有具有氧阻隔性的树脂层。

4.如权利要求3所述的结构体，其特征在于，在所述树脂层的一部分设有用于与所述导电性图案区域进行电连接的开口部。

5.如权利要求1～2、4中任一项所述的结构体，其特征在于，所述层配置于具有立体面的所述支撑体上。

6.一种结构体，其特征在于，该结构体具有支撑体、以及配置在所述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与包含氧化铜以及肼或水合肼的绝缘区域相互邻接，所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

7.如权利要求6所述的结构体，其特征在于，所述层上配置有具有氧阻隔性的树脂层。

8.如权利要求7所述的结构体，其特征在于，在所述树脂层的一部分设有用于与所述导电性图案区域进行电连接的开口部。

9.如权利要求6～8中任一项所述的结构体，其特征在于，所述层配置于具有立体面的所述支撑体上。

10.一种结构体，其特征在于，该结构体具有支撑体、以及配置在所述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜的导电性图案区域与包含氧化铜、磷且包含肼或水合肼的绝缘区域相互邻接，所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

11.如权利要求10所述的结构体，其特征在于，所述绝缘区域中的所述氧化铜为含有所述氧化铜的微粒，所述磷为含磷有机物，设所述微粒的总体积为100体积份时，所述含磷有机物的含量为5体积份以上900体积份以下。

12.如权利要求10或11所述的结构体，其特征在于，所述层上配置有具有氧阻隔性的树脂层。

13.如权利要求12所述的结构体，其特征在于，在所述树脂层的一部分设有用于与所述导电性图案区域进行电连接的开口部。

14.如权利要求10～11、13中任一项所述的结构体，其特征在于，所述层配置于具有立体面的所述支撑体上。

15.一种结构体，其特征在于，该结构体具有支撑体、以及配置在所述支撑体所构成的面上的层，所述层中，含有铜和磷的导电性图案区域与含有氧化铜和磷的绝缘区域相互邻接，所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

16.如权利要求15所述的结构体，其特征在于，所述绝缘区域中的所述氧化铜为含有所述氧化铜的微粒，所述磷为含磷有机物，设所述微粒的总体积为100体积份时，所述含磷有机物的含量为5体积份以上900体积份以下。

17.如权利要求15或16所述的结构体，其特征在于，所述层上配置有具有氧阻隔性的树脂层。

18.如权利要求17所述的结构体，其特征在于，在所述树脂层的一部分设有用于与所述导电性图案区域进行电连接的开口部。

19.如权利要求15～16、18中任一项所述的结构体，其特征在于，所述层配置于具有立体面的所述支撑体上。

20.一种结构体的制造方法，其特征在于，其具备下述工序：

在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜和含磷有机物的涂布层的工序；以及

使光线选择性地照射至所述涂布层而将所述氧化铜还原为铜，得到所述支撑体、以及在所述支撑体所构成的面上包含所述氧化铜和磷的绝缘区域与包含所述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序，

所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

21.如权利要求20所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具有按照覆盖所述涂布层的方式配置第一树脂层的工序。

22.如权利要求21所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线藉由所述第一树脂层或所述支撑体中的任一者选择性地照射至所述涂布层。

23.如权利要求20～22中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备从所述层除去所述绝缘区域的工序。

24.如权利要求23所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备按照至少覆盖所述导电性图案区域的方式配置第二树脂层的工序。

25.如权利要求20～22、24中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线是中心波长为355nm以上532nm以下的激光。

26.一种结构体的制造方法，其特征在于，其具备下述工序：

在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜以及肼或水合肼的涂布层的工序；以及

使光线选择性地照射至所述涂布层而将所述氧化铜还原为铜，得到所述支撑体、以及在所述支撑体所构成的面上包含所述氧化铜以及所述肼或水合肼的绝缘区域与包含所述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序，

所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

27.如权利要求26所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具有按照覆盖所述涂布层的方式配置第一树脂层的工序。

28.如权利要求27所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线藉由所述第一树脂层或所述支撑体中的任一者选择性地照射至所述涂布层。

29.如权利要求26～28中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备从所述层除去所述绝缘区域的工序。

30.如权利要求29所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备按照至少覆盖所述导电性图案区域的方式配置第二树脂层的工序。

31.如权利要求26～28、30中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线是中心波长为355nm以上532nm以下的激光。

32.一种结构体的制造方法，其特征在于，其具备下述工序：

在支撑体所构成的面上配置包含氧化铜、含磷有机物且包含肼或水合肼的涂布层的工序；以及

使光线选择性地照射至所述涂布层而将所述氧化铜还原为铜，得到所述支撑体、以及在所述支撑体所构成的面上包含所述氧化铜、磷且包含所述肼或水合肼的绝缘区域与包含所述铜的导电性图案区域相互邻接地配置的层的工序，

所述导电性图案区域包含：氧化铜还原而成的还原铜、磷和碳，磷/铜的元素浓度比为0.02以上0.30以下，碳/铜的元素浓度比为1.0以上6.0以下。

33.如权利要求32所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具有按照覆盖所述涂布层的方式配置第一树脂层的工序。

34.如权利要求33所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线藉由所述第一树脂层或所述支撑体中的任一者选择性地照射至所述涂布层。

35.如权利要求32～34中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备从所述层除去所述绝缘区域的工序。

36.如权利要求35所述的结构体的制造方法，其特征在于，其进一步具备按照至少覆盖所述导电性图案区域的方式配置第二树脂层的工序。

37.如权利要求32～34、36中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述光线是中心波长为355nm以上532nm以下的激光。

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