JPS6381997A - レ−ザ光による導体路形成方法 - Google Patents
レ−ザ光による導体路形成方法Info
- Publication number
- JPS6381997A JPS6381997A JP22726286A JP22726286A JPS6381997A JP S6381997 A JPS6381997 A JP S6381997A JP 22726286 A JP22726286 A JP 22726286A JP 22726286 A JP22726286 A JP 22726286A JP S6381997 A JPS6381997 A JP S6381997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- conductor path
- forming
- laser
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 101150003203 mec gene Proteins 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザ光による導体路形成方法に関し、特に
セラミックス基板表面に直接導体路を形成する方法に係
わる。
セラミックス基板表面に直接導体路を形成する方法に係
わる。
（従来の技術）
近年、電子機器の小形化に伴ってセラミックス回路基板
が積極的に使用されている。かかる回路基板の導体路形
成方法としては、従来、厚膜技術、１摸技術の２つの方
法が主に採用されている。
が積極的に使用されている。かかる回路基板の導体路形
成方法としては、従来、厚膜技術、１摸技術の２つの方
法が主に採用されている。
いずれの方法も樹脂製印刷配線板に比べて１／１０〜１
／３程度の小形化ができる。
／３程度の小形化ができる。
厚膜技術は、印刷技術を使用するもので、導体路をその
線路幅が１００μｍ程度まで細く形成することが可能で
ある。この厚膜技術は、回路基板を大】かつ低コストで
製造するのに適している。しかしながら、かかる厚膜技
術は１００μｍ以下の微細幅の導体路の形成に不向きで
ある。
線路幅が１００μｍ程度まで細く形成することが可能で
ある。この厚膜技術は、回路基板を大】かつ低コストで
製造するのに適している。しかしながら、かかる厚膜技
術は１００μｍ以下の微細幅の導体路の形成に不向きで
ある。
ＳＳ技術は、写真蝕刻法を使用するために線幅を１μｍ
程度まで細くして形成することが可能である。しかしな
がら、かかる薄膜技術は蒸着、スパッタリングによりａ
ｍを形成するため、厚膜技術のように大量かつ低コスト
で回路基板を製造することが難しい。
程度まで細くして形成することが可能である。しかしな
がら、かかる薄膜技術は蒸着、スパッタリングによりａ
ｍを形成するため、厚膜技術のように大量かつ低コスト
で回路基板を製造することが難しい。
更に厚膜、薄膜技術共に導体路の形成に長いプロセスを
必要とし、回路基板の迅速な供給にしばしば問題が起こ
る。しかも、ペーストや写真蝕刻法での現像液の使用等
、液体プロセスが必要で管理が繁雑となる。従って、１
００μｍ以下程度の線幅をもつ導体線路や抵抗体等の導
体を安価に、大量かつ迅速に実現できる技術の出現が切
望されていた。
必要とし、回路基板の迅速な供給にしばしば問題が起こ
る。しかも、ペーストや写真蝕刻法での現像液の使用等
、液体プロセスが必要で管理が繁雑となる。従って、１
００μｍ以下程度の線幅をもつ導体線路や抵抗体等の導
体を安価に、大量かつ迅速に実現できる技術の出現が切
望されていた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、微細線幅の導体路をセラミックス基板上に簡単
かつ迅速に形成し得るレーザ光による導体路形成方法を
提供しようとするものである。
もので、微細線幅の導体路をセラミックス基板上に簡単
かつ迅速に形成し得るレーザ光による導体路形成方法を
提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、セラミックス基板の表面に真空又は不活性ガ
ス雰囲気中でレーザ発振器から出力されたレーザ光を照
射して該セラミックスの構成金属を析出させ、導体路を
形成せしめることを特徴とするレーザ光による導体路形
成方法である。
ス雰囲気中でレーザ発振器から出力されたレーザ光を照
射して該セラミックスの構成金属を析出させ、導体路を
形成せしめることを特徴とするレーザ光による導体路形
成方法である。
上記セラミックスとしては、例えば／ｌＮ１５＋３ Ｎ
４．８Ｎ等を主成分とする窒化物系セラミックス、Ｓｉ
Ｃ等を主成分とする炭化物系セラミックス、ＡＱ２０３
、ＢｅＯ等を主成分とする酸化物系セラミックスを挙
げることができる。特に、レーザ光の照射により容易に
照射部が還元、昇華されて八βやＳｌの金属を生成する
ＡβＮ１５ｉｓＮ＋が好適である。
４．８Ｎ等を主成分とする窒化物系セラミックス、Ｓｉ
Ｃ等を主成分とする炭化物系セラミックス、ＡＱ２０３
、ＢｅＯ等を主成分とする酸化物系セラミックスを挙
げることができる。特に、レーザ光の照射により容易に
照射部が還元、昇華されて八βやＳｌの金属を生成する
ＡβＮ１５ｉｓＮ＋が好適である。
上記不活性ガスとしては、例えばＡｒ 、 Ｎｅ 。
Ｈｅ等を挙げることができる。
上記レーザ発振器は、ｋ Ｗオーダ以上のピーク出力を
もつレーザ光を出力するものが望ましい。
もつレーザ光を出力するものが望ましい。
具体的には、光音響素子からなるＱスイッチを組込んだ
ＹＡＧレーザ発振器、アレキサンドライトレーザ発振器
、ＴＥＡＣＯ２レーザ発撮器等を挙げることができる。
ＹＡＧレーザ発振器、アレキサンドライトレーザ発振器
、ＴＥＡＣＯ２レーザ発撮器等を挙げることができる。
（作用）
本発明方法によれば、セラミックス基板表面に真空又は
不活性ガス雰囲気中でレーザ発振器から出力されたレー
ザ光を照射することにより、セラミックスが窒化物の場
合は下記（１）式の反応が、セラミックスが炭化物の場
合は下記（２式の反応が、セラミックスが酸化物の場合
は下記（３式の反応が、夫々生起されセラミックスが還
元されて金属を析出する。但し、式中のＭｅは金属を示
す。
不活性ガス雰囲気中でレーザ発振器から出力されたレー
ザ光を照射することにより、セラミックスが窒化物の場
合は下記（１）式の反応が、セラミックスが炭化物の場
合は下記（２式の反応が、セラミックスが酸化物の場合
は下記（３式の反応が、夫々生起されセラミックスが還
元されて金属を析出する。但し、式中のＭｅは金属を示
す。
ＭｅＮ−４Ｍｅ＋１／２Ｎｚ↑ ・（１）ＭｅＣ−
＋Ｍｅ＋Ｃ−（２） ＭｅＣ）４Ｍｅ＋１／２０２ ↑ ・（３１次い
で、レーザ光を走査することによって析出した金属が連
続化される。こうした金属の析出、連続化においてセラ
ミックス基板表面は真空又は不活性ガス雰囲気に曝され
ているため、析出した金属の酸化等が起こらず、略金属
そのものからなる低抵抗の導体路がセラミックス基板に
形成される。更に、レーザ光はスポット径を１０〜５０
０μｍの範囲で制御できるため、１０〜５００μｍの微
細線幅の導体路をドライプロセスにより形成できる。
＋Ｍｅ＋Ｃ−（２） ＭｅＣ）４Ｍｅ＋１／２０２ ↑ ・（３１次い
で、レーザ光を走査することによって析出した金属が連
続化される。こうした金属の析出、連続化においてセラ
ミックス基板表面は真空又は不活性ガス雰囲気に曝され
ているため、析出した金属の酸化等が起こらず、略金属
そのものからなる低抵抗の導体路がセラミックス基板に
形成される。更に、レーザ光はスポット径を１０〜５０
０μｍの範囲で制御できるため、１０〜５００μｍの微
細線幅の導体路をドライプロセスにより形成できる。
°従って、本発明はレーザ発振器から出力されたレーザ
光をセラミックス基板表面に照射、走査するに際し、セ
ラミックス基板表面を真空又は不活性ガス雰囲気に曝す
ことによって、セラミックス基板表面に低抵抗で微細線
幅の導体路を簡単かつ再現性よ（形成できる。また、形
成された導体路はセラミックス基板表面に面一乃至埋没
した状態となるため、この導体路が形成されたセラミッ
クス基板を多層構造の回路基板の製造に適用した場合に
は、従来のように各層間に導体路の厚さに相当する空間
が生じることによる不都合さを考慮せずに各セラミック
ス基板を容易に積層でき、多層回路基板の生産性の向上
の点で極めて有利となる。
光をセラミックス基板表面に照射、走査するに際し、セ
ラミックス基板表面を真空又は不活性ガス雰囲気に曝す
ことによって、セラミックス基板表面に低抵抗で微細線
幅の導体路を簡単かつ再現性よ（形成できる。また、形
成された導体路はセラミックス基板表面に面一乃至埋没
した状態となるため、この導体路が形成されたセラミッ
クス基板を多層構造の回路基板の製造に適用した場合に
は、従来のように各層間に導体路の厚さに相当する空間
が生じることによる不都合さを考慮せずに各セラミック
ス基板を容易に積層でき、多層回路基板の生産性の向上
の点で極めて有利となる。
なお、上述したセラミックス基板へのレーザ光の照射、
走査の後にレーザ光照射部に生成した金属の融点以下の
温度で熱処理を行なってもよい。
走査の後にレーザ光照射部に生成した金属の融点以下の
温度で熱処理を行なってもよい。
かかる方法を採用することによって、析出した金属がよ
り確実に連続化して低抵抗の導体路を形成することが可
能となる。
り確実に連続化して低抵抗の導体路を形成することが可
能となる。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を第１図〜第３図を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本実施例の導体路形成に使用される装置の概略
図であり、図中の１はＮＧコントローラ２によりＸＹ方
向に動作するＸＹテーブルである。
図であり、図中の１はＮＧコントローラ２によりＸＹ方
向に動作するＸＹテーブルである。
このテーブル１上には、基台３が固定されており、該基
台３上にはセラミックス基板が載置される。
台３上にはセラミックス基板が載置される。
前記基台３は、チャンバ４により覆われている。
このチャンバ４の側壁には、配管５ａ〜５０が連結され
ている。前記配管５ａの他端には、真空ポンプ６が連結
されている。前記配管５ｂの他端は、図示しないアルゴ
ンガスボンペイに連結されている。前記配管５ｃの他端
は、大気と連通されている。なお、前記配管５ａ〜５ｃ
には夫々バルブ７８〜７Ｃが介装されている。前記チャ
ンバ４には、該チャンバ４内の真空度を測定するための
圧力計８が連結されている。
ている。前記配管５ａの他端には、真空ポンプ６が連結
されている。前記配管５ｂの他端は、図示しないアルゴ
ンガスボンペイに連結されている。前記配管５ｃの他端
は、大気と連通されている。なお、前記配管５ａ〜５ｃ
には夫々バルブ７８〜７Ｃが介装されている。前記チャ
ンバ４には、該チャンバ４内の真空度を測定するための
圧力計８が連結されている。
図中の９は、光音響素子からなるＱスイッチ（図示せず
）が組込まれ、ＩＱスイッチを通して連続波Ｑスイッチ
出力のレーザ光１０を発振するＹＡＧレーザ発振器であ
る。この発振器９からのレーザ光１０の出射方向には、
反射ミラー１１及び集光レンズ１２が配置されており、
レーザ光１０はこれら反射ミラー１１及び集光レンズ１
２を経由し、更に前記チャンバ４の土壁に配置されたガ
ラス窓１３を通して基台３上のセラミックス基板に照射
される。
）が組込まれ、ＩＱスイッチを通して連続波Ｑスイッチ
出力のレーザ光１０を発振するＹＡＧレーザ発振器であ
る。この発振器９からのレーザ光１０の出射方向には、
反射ミラー１１及び集光レンズ１２が配置されており、
レーザ光１０はこれら反射ミラー１１及び集光レンズ１
２を経由し、更に前記チャンバ４の土壁に配置されたガ
ラス窓１３を通して基台３上のセラミックス基板に照射
される。
前記レーザ発振器９は、電！Ｉｉ４の発振器電源部に接
続されている。この電源１４のテーブル作動電源部には
、前記ＮＧシコンローラ２が接続されている。
続されている。この電源１４のテーブル作動電源部には
、前記ＮＧシコンローラ２が接続されている。
次に、上述した装置を用いて本発明の導体路形成方法を
説明する。
説明する。
まず、高純度のＡＮＮ原料粉末をホットプレス焼結した
ＡλＮ基板１５を基台３上に設置した。つづいて、バル
ブ７ａを開放し、真空ポンプ６を作動してチャンバ４内
のガスを配管５ａを通して排気した後、バルブ７ａを閉
じ、ポンプ６の作動を停止した。ひきつづきバルブ７ｂ
を開放し、アルゴンガスを配管５ｂを通してチャンバ４
内に供給し、該チャンバ４内の圧力が圧力計８により大
気圧になった時点で配管５ｃのバルブ７ｃを所定の開度
で開放し、前記アルゴンガスを該配管５ｃを通してリー
クさせた。この後、電源１４をオンしてレーザ発振器９
を作動させ、例えばピーク出力４ＫＷ、パルス幅２００
ｎＳ 、繰返し数１に−のＱスイッチ出力をもつレーザ
光１０を該発振器９がら出力し、該レーザ光１０を反射
ミラー１１及び集光レンズ１２を経由し、更にガラス窓
１３を通して基台３上のＡｎＮ基板１５に照射した。こ
の時、ＡｆｉＮ基板１５表面の照射部では、下記（４）
式の反応が生起されてＡｊ２Ｎの還元がなされ、第２図
に示すようにＡａＮｍ板１５のレーザ光１ｏの照射部に
Ａ１６が析出した。また、Ａ４２Ｎ基板１４はアルゴン
ガス雰囲気に曝されているため、析出された八２１Ｇの
酸化が防止された。
ＡλＮ基板１５を基台３上に設置した。つづいて、バル
ブ７ａを開放し、真空ポンプ６を作動してチャンバ４内
のガスを配管５ａを通して排気した後、バルブ７ａを閉
じ、ポンプ６の作動を停止した。ひきつづきバルブ７ｂ
を開放し、アルゴンガスを配管５ｂを通してチャンバ４
内に供給し、該チャンバ４内の圧力が圧力計８により大
気圧になった時点で配管５ｃのバルブ７ｃを所定の開度
で開放し、前記アルゴンガスを該配管５ｃを通してリー
クさせた。この後、電源１４をオンしてレーザ発振器９
を作動させ、例えばピーク出力４ＫＷ、パルス幅２００
ｎＳ 、繰返し数１に−のＱスイッチ出力をもつレーザ
光１０を該発振器９がら出力し、該レーザ光１０を反射
ミラー１１及び集光レンズ１２を経由し、更にガラス窓
１３を通して基台３上のＡｎＮ基板１５に照射した。こ
の時、ＡｆｉＮ基板１５表面の照射部では、下記（４）
式の反応が生起されてＡｊ２Ｎの還元がなされ、第２図
に示すようにＡａＮｍ板１５のレーザ光１ｏの照射部に
Ａ１６が析出した。また、Ａ４２Ｎ基板１４はアルゴン
ガス雰囲気に曝されているため、析出された八２１Ｇの
酸化が防止された。
ＡｆｆｉＮ−＋Ａｊ２＋１／２Ｎｚ↑ ・・・（イ
）次いで、前記レーザ光１０の照射と同時にＮＯコント
ローラ２によりＸＹテーブル１を作動してテーブル１上
の基台３をＸＹ方向に移動させることにより、ＡβＮ基
板１５表面に析出した八２が連続化され、第３図に示す
ようにＡｆｉＮ！ｌ板１５表面に純Ａ２からなる微細線
幅の導体路１７が形成された。
）次いで、前記レーザ光１０の照射と同時にＮＯコント
ローラ２によりＸＹテーブル１を作動してテーブル１上
の基台３をＸＹ方向に移動させることにより、ＡβＮ基
板１５表面に析出した八２が連続化され、第３図に示す
ようにＡｆｉＮ！ｌ板１５表面に純Ａ２からなる微細線
幅の導体路１７が形成された。
なお、上記実施例において出力がより高いレーザ光をＡ
βＮｉｌ板１５に照射することにより、第４図に示すよ
うにＡ２Ｎ基板１５のレーザ光照射部に溝１８が形成さ
れると共に、該溝１８底部にＡ２の析出による低抵抗の
導体路１１′が形成された。
βＮｉｌ板１５に照射することにより、第４図に示すよ
うにＡ２Ｎ基板１５のレーザ光照射部に溝１８が形成さ
れると共に、該溝１８底部にＡ２の析出による低抵抗の
導体路１１′が形成された。
また、上記実施例において出力が更に高いレーザ光をＡ
ｆｉＮＷ板塁板１５に照射することにより、第５図に示
すようにＡｌ２Ｎ基板１５のレーザ光照射部に貫通孔が
形成されると共に、該孔内面にＡ２１６が析出してスル
ホール１９が形成された。
ｆｉＮＷ板塁板１５に照射することにより、第５図に示
すようにＡｌ２Ｎ基板１５のレーザ光照射部に貫通孔が
形成されると共に、該孔内面にＡ２１６が析出してスル
ホール１９が形成された。
［発明の効果］
以上詳述した如（、本発明によればセラミックス基板表
面に微細線幅の導体路を簡単かつ再現性よく形成でき、
ひいては小型で高密度のセラミックス回路基板に製造等
に有効に適用し得るレーザ光による導体路形成方法を提
供できるものである。
面に微細線幅の導体路を簡単かつ再現性よく形成でき、
ひいては小型で高密度のセラミックス回路基板に製造等
に有効に適用し得るレーザ光による導体路形成方法を提
供できるものである。
第１図は本発明の実施例で使用したレーザ光による導体
路形成装置の一形態を示す概略図、第２図は実施例にお
けるＡｆｆｉＮ基板表面へのＡｆｆｉの析出過程を示す
概略図、第３図は同実施例におけるｉＮ基板表面への導
体路の形成過程を示す概略斜視図、第４図及び第５図は
本発明の他の実施例を示す概略図である。 １・・・ＸＹテーブル、３・・・基台、６・・・真空ポ
ンプ、９・・・・・・レーザ発振器、１０・・・レーザ
光、１４・・・電源、１５・・・ＡβＮ基板、１Ｇ・・
・析出Ａ℃、１７．１７′・・・導体路、１９・・・ス
ルホール。
路形成装置の一形態を示す概略図、第２図は実施例にお
けるＡｆｆｉＮ基板表面へのＡｆｆｉの析出過程を示す
概略図、第３図は同実施例におけるｉＮ基板表面への導
体路の形成過程を示す概略斜視図、第４図及び第５図は
本発明の他の実施例を示す概略図である。 １・・・ＸＹテーブル、３・・・基台、６・・・真空ポ
ンプ、９・・・・・・レーザ発振器、１０・・・レーザ
光、１４・・・電源、１５・・・ＡβＮ基板、１Ｇ・・
・析出Ａ℃、１７．１７′・・・導体路、１９・・・ス
ルホール。
Claims (6)
- （１）、セラミックス基板の表面に真空又は不活性ガス
雰囲気中でレーザ発振器から出力されたレーザ光を照射
して該セラミックスの構成金属を析出させ、導体路を形
成せしめることを特徴とするレーザ光による導体路形成
方法。 - （２）、セラミックスが窒化アルミニウムであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ光による
導体路形成方法。 - （３）、不活性ガスがＡｒ、Ｎｅ、Ｈｅのいずれかであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ
光による導体路形成方法。 - （４）、レーザ発振器はＫＷオーダ以上のピーク出力を
もつレーザ光を出力するものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のレーザ光による導体路形成方
法。 - （５）、レーザ発振器は、光音響素子からなるＱスイッ
チが付設されたＹＡＧレーザ発振器であることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載のレーザ光による導体路
形成方法。 - （６）、導体路をセラミックス基板の表面から埋没して
形成せしめることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第５項いずれか記載のレーザ光による導体路形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726286A JPS6381997A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | レ−ザ光による導体路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726286A JPS6381997A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | レ−ザ光による導体路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381997A true JPS6381997A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16858064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22726286A Pending JPS6381997A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | レ−ザ光による導体路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381997A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008819A1 (ja) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Cluster Technology Co., Ltd. | 電気・光回路およびその作製方法 |
| JPWO2019017363A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2020-02-06 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン領域を有する構造体及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、銅配線 |
| US11270809B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-03-08 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern |
| US11328835B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-05-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern |
| US11760895B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-09-19 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Copper oxide ink and method for producing conductive substrate using same, product containing coating film and method for producing product using same, method for producing product with conductive pattern, and product with conductive pattern |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22726286A patent/JPS6381997A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008819A1 (ja) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Cluster Technology Co., Ltd. | 電気・光回路およびその作製方法 |
| US11270809B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-03-08 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern |
| US11328835B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-05-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersing element, method for manufacturing structure with conductive pattern using the same, and structure with conductive pattern |
| JPWO2019017363A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2020-02-06 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン領域を有する構造体及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、銅配線 |
| US11109492B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-08-31 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Structure including electroconductive pattern regions, method for producing same, stack, method for producing same, and copper wiring |
| US11760895B2 (en) | 2017-07-27 | 2023-09-19 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Copper oxide ink and method for producing conductive substrate using same, product containing coating film and method for producing product using same, method for producing product with conductive pattern, and product with conductive pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2948915B2 (ja) | 通路をメッキするレーザ法 | |
| US4880959A (en) | Process for interconnecting thin-film electrical circuits | |
| US4797530A (en) | Ceramic circuit substrates and methods of manufacturing same | |
| RU2494492C1 (ru) | Способ создания токопроводящих дорожек | |
| JP2011249357A (ja) | 回路基板および回路基板の製造方法 | |
| JP2002539630A (ja) | 両側に金属層を有する、電気的に絶縁したベース材料にコンタクトホールを設けるための方法 | |
| JPS6381997A (ja) | レ−ザ光による導体路形成方法 | |
| JPS6385078A (ja) | セラミツクス部材の選択めつき方法 | |
| JPH04505481A (ja) | 被覆方法 | |
| JPH02504291A (ja) | 導電性薄層構造上に層を被着するためのｃｖｄ法 | |
| JPH04263462A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| Kordás et al. | Laser-induced surface activation of LTCC materials for chemical metallization | |
| Samotaev et al. | Thin platinum films topology formation on ceramic membranes | |
| KR20020097279A (ko) | 레이저천공 가공방법 | |
| JPH02228050A (ja) | 回路基板とその製法および該基板を用いた電子回路装置 | |
| JPH107478A (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板 | |
| JPH04282203A (ja) | セラミックス基板およびその製造方法 | |
| JPS6390192A (ja) | レ−ザ光による導体路形成方法 | |
| JPS6381903A (ja) | レ−ザ光による抵抗体の形成装置 | |
| JP4014857B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP3176096B2 (ja) | セラミック表面への金属膜形成方法 | |
| JP2013211390A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPS61156897A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2002126886A (ja) | レーザ穴あけ加工装置 | |
| JPH10107395A (ja) | 回路基板とその製造方法 |