JPH107478A - 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板 - Google Patents
窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板Info
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- JPH107478A JPH107478A JP8180169A JP18016996A JPH107478A JP H107478 A JPH107478 A JP H107478A JP 8180169 A JP8180169 A JP 8180169A JP 18016996 A JP18016996 A JP 18016996A JP H107478 A JPH107478 A JP H107478A
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱伝導を良好に保ちながら金属との密着性を
高める。 【解決手段】 真空チャンバ内の試料台に窒化アルミニ
ウム基板１の表面を下向きに吊持し、真空チャンバ内を
１０-6torrの気圧とし、酸素ガスを基板表面に沿って横
から供給する。波長１９７ｎｍ、パルス発振形式のＡｒ
Ｆエキシマレーザを窒化アルミニウム基板１の表面に対
し斜め下から照射する。このとき、レーザビームを可動
ミラーに反射させて、スポット位置を可変とする。１ス
ポット当たり、１５０ショットだけ照射しながら可動ミ
ラーを可動させてスポット位置を変え、所望領域全体に
レーザを照射する。レーザビームの照射で、均質な酸化
層が形成される。この窒化アルミニウム基板に厚膜メタ
ライズ法等で電極金属をメタライズすると、酸化層の形
成された箇所には良好な密着性が得られる。
高める。 【解決手段】 真空チャンバ内の試料台に窒化アルミニ
ウム基板１の表面を下向きに吊持し、真空チャンバ内を
１０-6torrの気圧とし、酸素ガスを基板表面に沿って横
から供給する。波長１９７ｎｍ、パルス発振形式のＡｒ
Ｆエキシマレーザを窒化アルミニウム基板１の表面に対
し斜め下から照射する。このとき、レーザビームを可動
ミラーに反射させて、スポット位置を可変とする。１ス
ポット当たり、１５０ショットだけ照射しながら可動ミ
ラーを可動させてスポット位置を変え、所望領域全体に
レーザを照射する。レーザビームの照射で、均質な酸化
層が形成される。この窒化アルミニウム基板に厚膜メタ
ライズ法等で電極金属をメタライズすると、酸化層の形
成された箇所には良好な密着性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化アルミニウム基
板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板に係り、と
くに厚膜ペーストの印刷・焼成等による厚膜メタライズ
法、蒸着，スパッタリング等による薄膜メタライズ法な
どを用いた窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、メ
タライズ膜形成用またはメタライズ膜を形成した窒化ア
ルミニウム基板に関する。
板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板に係り、と
くに厚膜ペーストの印刷・焼成等による厚膜メタライズ
法、蒸着，スパッタリング等による薄膜メタライズ法な
どを用いた窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、メ
タライズ膜形成用またはメタライズ膜を形成した窒化ア
ルミニウム基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体素子の集積度の向上、半導
体素子の実装密度の向上、ＧａＡｓＦＥＴなどの大電力
化の傾向に伴い、部品の熱的ダメージを回避するための
発熱対策が重要となっており、プリント配線板（ＰＷ
Ｂ）、マルチチップモジュール、ＩＣパッケージ、ヒー
トシンクなどの基板に高熱伝導率の材料を用いることが
必須である。従来は主にアルミナ基板（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
用いていたが、このアルミナ基板より熱伝導率が１０倍
程度有り、一方、熱膨張率はＳｉと同じ程度で大型シリ
コンチップの搭載に有利な窒化アルミニウム基板（Ａｌ
Ｎ基板）が開発され、注目され始めている。アルミナ基
板や窒化アルミニウム基板は、回路形成のために表面に
導体膜（メタライズ膜）を被着（メタライズ）して使用
する。基板表面に形成するメタライズ膜の内、表面実装
部品をハンダ付するランド部分は基板との間に一定以上
の接着強度が要求される。一定以上の接着強度を得る方
法としてアルミナ基板に対しては、従来から、Ａｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの厚膜ペースト
の印刷・空気中焼成又は還元雰囲気焼成（６００〜９０
０°Ｃ）による厚膜メタライズ法、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ，
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕなどの蒸着，
スパッタリングによる薄膜メタライズ法、Ｍｏ−Ｍｎペ
ーストの印刷・水素中での焼成（１３００°Ｃ、９００
°Ｃまでは加湿），Ｍｏ−ＴｉＮペーストの印刷・窒素
中での焼成（１８００°Ｃ），Ｗペーストの窒素中での
焼成（１８００°Ｃ）などの高融点金属法、Ｃｕ−Ｏ共
晶反応（１０７０°Ｃ）を利用して銅板を接合するＤＢ
Ｃ（Direct Bonded Copper）、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉなどの
活性ろう材ペーストを印刷し、銅板を重ねて８５０°で
接合する活性金属法などが実用化されている。
体素子の実装密度の向上、ＧａＡｓＦＥＴなどの大電力
化の傾向に伴い、部品の熱的ダメージを回避するための
発熱対策が重要となっており、プリント配線板（ＰＷ
Ｂ）、マルチチップモジュール、ＩＣパッケージ、ヒー
トシンクなどの基板に高熱伝導率の材料を用いることが
必須である。従来は主にアルミナ基板（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
用いていたが、このアルミナ基板より熱伝導率が１０倍
程度有り、一方、熱膨張率はＳｉと同じ程度で大型シリ
コンチップの搭載に有利な窒化アルミニウム基板（Ａｌ
Ｎ基板）が開発され、注目され始めている。アルミナ基
板や窒化アルミニウム基板は、回路形成のために表面に
導体膜（メタライズ膜）を被着（メタライズ）して使用
する。基板表面に形成するメタライズ膜の内、表面実装
部品をハンダ付するランド部分は基板との間に一定以上
の接着強度が要求される。一定以上の接着強度を得る方
法としてアルミナ基板に対しては、従来から、Ａｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの厚膜ペースト
の印刷・空気中焼成又は還元雰囲気焼成（６００〜９０
０°Ｃ）による厚膜メタライズ法、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ，
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕなどの蒸着，
スパッタリングによる薄膜メタライズ法、Ｍｏ−Ｍｎペ
ーストの印刷・水素中での焼成（１３００°Ｃ、９００
°Ｃまでは加湿），Ｍｏ−ＴｉＮペーストの印刷・窒素
中での焼成（１８００°Ｃ），Ｗペーストの窒素中での
焼成（１８００°Ｃ）などの高融点金属法、Ｃｕ−Ｏ共
晶反応（１０７０°Ｃ）を利用して銅板を接合するＤＢ
Ｃ（Direct Bonded Copper）、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉなどの
活性ろう材ペーストを印刷し、銅板を重ねて８５０°で
接合する活性金属法などが実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、窒化アルミニウ
ム基板についても、上記した各種のメタライズ法が適用
可能であるが、窒化アルミニウム基板は導体膜（メタラ
イズ膜）との密着性が非常に悪く、単純には接着強度の
高いメタライズ膜を形成することができない。これは、
窒化アルミニウム基板がガラス質でないこと、すなわち
非酸化物であることによる。このため、窒化アルミニウ
ム基板を酸素雰囲気下で約１２００°Ｃの温度で１時間
以上焼成して表面に酸化物層を形成し、メタライズ膜と
の密着性を上げる工夫をしているが、この方法では熱伝
導を阻害する酸素の含有層が厚くなるために熱伝導率が
著しく悪化してしまう。また、表面の一部を選択的に処
理できない欠点もある。
ム基板についても、上記した各種のメタライズ法が適用
可能であるが、窒化アルミニウム基板は導体膜（メタラ
イズ膜）との密着性が非常に悪く、単純には接着強度の
高いメタライズ膜を形成することができない。これは、
窒化アルミニウム基板がガラス質でないこと、すなわち
非酸化物であることによる。このため、窒化アルミニウ
ム基板を酸素雰囲気下で約１２００°Ｃの温度で１時間
以上焼成して表面に酸化物層を形成し、メタライズ膜と
の密着性を上げる工夫をしているが、この方法では熱伝
導を阻害する酸素の含有層が厚くなるために熱伝導率が
著しく悪化してしまう。また、表面の一部を選択的に処
理できない欠点もある。
【０００４】本発明は上記した従来技術の問題に鑑み、
熱伝導を良好に保ちながら金属との密着性を高められる
窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、メタライズ膜
形成用の窒化アルミニウム基板を提供することを、その
目的とする。
熱伝導を良好に保ちながら金属との密着性を高められる
窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、メタライズ膜
形成用の窒化アルミニウム基板を提供することを、その
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の窒化アル
ミニウム基板のメタライズ方法の発明では、窒化アルミ
ニウム基板の表面に厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ
法などでメタライズ膜を形成する際、予め、窒化アルミ
ニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面。以下、
同様）に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有す
る光を照射するとともに酸素を与えることで厚さが１ｎ
ｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成しておくこ
とを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長
成分を持つ光を用いることで、基板表面のＡｌ−Ｎの結
合を確実に切ることができＡｌとＯの緻密な再結合を促
すことができる。熱伝導を阻害する酸素の含有層の厚さ
が１００ｎｍより小さく処理されるので、基板の熱伝導
は良好に保たれる。また、酸化層の厚さが薄く処理され
ても、厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ法などによる
メタライズ膜との十分な密着性が得られる。更に、Ａｌ
−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光をビーム状に
して基板表面に照射したり、当該ビーム状の光で基板表
面上の一部領域内を走査したり、或いは、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を持つ光を発生する光源と窒化
アルミニウム基板の表面との間に、窓の開いたマスクを
配置してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光
を照射することで、基板表面の一部領域だけに選択的に
酸化層を形成でき、密着性の高いメタライズ膜の形成領
域が限られている場合に、熱伝導の低下を最小限に抑え
ることが簡単にできる。請求項１９記載の窒化アルミニ
ウム基板の発明では、基板表面の全部または一部領域に
厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成
したことを特徴としている。酸化層の形成により、後で
該酸化層の上に厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ法な
どによりメタライズ膜を形成するときに十分な密着性を
得ることができる。そして、酸化層の厚みが１００ｎｍ
より小さいため基板の熱伝導が悪化することはない。請
求項２０記載の窒化アルミニウム基板の発明では、窒化
アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能
な波長成分を有する光を照射するとともに酸素を与える
ことで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層
を形成しておくことを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合
を解離可能な波長成分を持つ光を用いることで、基板表
面のＡｌ−Ｎの結合を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再
結合を促すことができ、基板表面の全部または一部領域
に厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を簡
単に形成することができる。
ミニウム基板のメタライズ方法の発明では、窒化アルミ
ニウム基板の表面に厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ
法などでメタライズ膜を形成する際、予め、窒化アルミ
ニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面。以下、
同様）に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有す
る光を照射するとともに酸素を与えることで厚さが１ｎ
ｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成しておくこ
とを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長
成分を持つ光を用いることで、基板表面のＡｌ−Ｎの結
合を確実に切ることができＡｌとＯの緻密な再結合を促
すことができる。熱伝導を阻害する酸素の含有層の厚さ
が１００ｎｍより小さく処理されるので、基板の熱伝導
は良好に保たれる。また、酸化層の厚さが薄く処理され
ても、厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ法などによる
メタライズ膜との十分な密着性が得られる。更に、Ａｌ
−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光をビーム状に
して基板表面に照射したり、当該ビーム状の光で基板表
面上の一部領域内を走査したり、或いは、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を持つ光を発生する光源と窒化
アルミニウム基板の表面との間に、窓の開いたマスクを
配置してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光
を照射することで、基板表面の一部領域だけに選択的に
酸化層を形成でき、密着性の高いメタライズ膜の形成領
域が限られている場合に、熱伝導の低下を最小限に抑え
ることが簡単にできる。請求項１９記載の窒化アルミニ
ウム基板の発明では、基板表面の全部または一部領域に
厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成
したことを特徴としている。酸化層の形成により、後で
該酸化層の上に厚膜メタライズ法、薄膜メタライズ法な
どによりメタライズ膜を形成するときに十分な密着性を
得ることができる。そして、酸化層の厚みが１００ｎｍ
より小さいため基板の熱伝導が悪化することはない。請
求項２０記載の窒化アルミニウム基板の発明では、窒化
アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能
な波長成分を有する光を照射するとともに酸素を与える
ことで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層
を形成しておくことを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合
を解離可能な波長成分を持つ光を用いることで、基板表
面のＡｌ−Ｎの結合を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再
結合を促すことができ、基板表面の全部または一部領域
に厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を簡
単に形成することができる。
【０００６】請求項２、請求項２１記載の発明では、請
求項１、請求項２０記載の発明において、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を有する光の照射後、前記窒化
アルミニウム基板を約７００〜１１００°Ｃに加熱し、
熱処理（post baking)を行う（加熱時間は約１時間以上
行えば良く、約１〜８時間程度が好ましい）。これによ
り、窒化アルミニウム基板の表面でレーザビームの照射
箇所内に局在的に形成されたアルミナ層や不安定な酸化
層を、より安定で連続的なアルミナ層に再構成すること
ができ、メタライズ膜との密着性が向上する。
求項１、請求項２０記載の発明において、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を有する光の照射後、前記窒化
アルミニウム基板を約７００〜１１００°Ｃに加熱し、
熱処理（post baking)を行う（加熱時間は約１時間以上
行えば良く、約１〜８時間程度が好ましい）。これによ
り、窒化アルミニウム基板の表面でレーザビームの照射
箇所内に局在的に形成されたアルミナ層や不安定な酸化
層を、より安定で連続的なアルミナ層に再構成すること
ができ、メタライズ膜との密着性が向上する。
【０００７】請求項３、請求項２２記載の発明では、請
求項１、請求項２０記載の発明において、予め、窒化ア
ルミニウム基板の温度を約２００〜１０００°Ｃにした
状態で、窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を有する光を照射するようにし
たこと、を特徴としている。窒化アルミニウム基板の温
度を約２００〜１０００°Ｃの範囲で変えることによ
り、表面に形成する酸化層の厚さを１００ｎｍより小さ
い範囲で、所望の厚さに制御でき、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，
Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの多種類の金属に対して密
着性を向上させることができる。
求項１、請求項２０記載の発明において、予め、窒化ア
ルミニウム基板の温度を約２００〜１０００°Ｃにした
状態で、窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を有する光を照射するようにし
たこと、を特徴としている。窒化アルミニウム基板の温
度を約２００〜１０００°Ｃの範囲で変えることによ
り、表面に形成する酸化層の厚さを１００ｎｍより小さ
い範囲で、所望の厚さに制御でき、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，
Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの多種類の金属に対して密
着性を向上させることができる。
【０００８】請求項１０、請求項２３記載の発明では、
窒化アルミニウム基板上に薄膜メタライズする場合にお
いて、真空チャンバ内に窒化アルミニウム基板を置き、
真空チャンバ内を約１０-4〜１０-10 torrの真空とし、
窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長を有する光を照射するとともに酸素を含むガ
スを供給することで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより
小さい酸化層を形成する。続いて、真空チャンバ内への
酸素を含むガスの供給を止め、蒸着またはスパッタリン
グにより窒化アルミニウム基板の表面に金属薄膜を形成
することを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能
な波長成分を有する光を用いたことで、基板表面のＡｌ
−Ｎの結合を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再結合を促
すことができる。よって、酸化層の厚さが薄く処理され
ても、薄膜との十分な密着性が得られ、熱伝導を阻害す
る酸素の含有層の厚さが１００ｎｍより小さく処理され
るので、基板の熱伝導は良好に保たれる。加えて、酸化
処理に続く薄膜形成処理を窒化アルミニウム基板をチャ
ンバから外に取り出さずに行えるので、窒化アルミニウ
ム基板の酸化処理表面と薄膜との間の界面に、有機物や
ガスが付着しないようにでき、薄膜との密着性が一層、
向上する。
窒化アルミニウム基板上に薄膜メタライズする場合にお
いて、真空チャンバ内に窒化アルミニウム基板を置き、
真空チャンバ内を約１０-4〜１０-10 torrの真空とし、
窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長を有する光を照射するとともに酸素を含むガ
スを供給することで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより
小さい酸化層を形成する。続いて、真空チャンバ内への
酸素を含むガスの供給を止め、蒸着またはスパッタリン
グにより窒化アルミニウム基板の表面に金属薄膜を形成
することを特徴としている。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能
な波長成分を有する光を用いたことで、基板表面のＡｌ
−Ｎの結合を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再結合を促
すことができる。よって、酸化層の厚さが薄く処理され
ても、薄膜との十分な密着性が得られ、熱伝導を阻害す
る酸素の含有層の厚さが１００ｎｍより小さく処理され
るので、基板の熱伝導は良好に保たれる。加えて、酸化
処理に続く薄膜形成処理を窒化アルミニウム基板をチャ
ンバから外に取り出さずに行えるので、窒化アルミニウ
ム基板の酸化処理表面と薄膜との間の界面に、有機物や
ガスが付着しないようにでき、薄膜との密着性が一層、
向上する。
【０００９】請求項１１、請求項２４記載の発明では、
請求項１０、請求項２３記載の発明において、Ａｌ−Ｎ
の結合を解離可能な波長成分を有する光を照射後、前記
窒化アルミニウム基板を約７００〜１１００°Ｃに加熱
する熱処理を行う（加熱時間は約１時間以上行えば良
く、１〜８時間程度が好ましい）。これにより、窒化ア
ルミニウム基板の表面でＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光の照射箇所内に局在的に形成されたア
ルミナ層や不安定な酸化層を、より安定で連続的なアル
ミナ層に再構成することができ、メタライズ膜との密着
性が向上する。
請求項１０、請求項２３記載の発明において、Ａｌ−Ｎ
の結合を解離可能な波長成分を有する光を照射後、前記
窒化アルミニウム基板を約７００〜１１００°Ｃに加熱
する熱処理を行う（加熱時間は約１時間以上行えば良
く、１〜８時間程度が好ましい）。これにより、窒化ア
ルミニウム基板の表面でＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光の照射箇所内に局在的に形成されたア
ルミナ層や不安定な酸化層を、より安定で連続的なアル
ミナ層に再構成することができ、メタライズ膜との密着
性が向上する。
【００１０】請求項１２、請求項２５記載の発明では、
請求項１０、請求項２３記載の発明において、予め、窒
化アルミニウム基板の温度を約２００〜１０００°Ｃに
した状態で窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの
結合を解離可能な波長成分を有する光を照射することを
特徴としている。窒化アルミニウム基板の温度を約２０
０〜１０００°Ｃの範囲で変えることにより、表面に形
成する酸化層の厚さを１ｎｍ以上、１００ｎｍより小さ
い範囲で、所望の厚さに制御でき、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ，
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕなどの多種類
の薄膜に対して密着性をより一層、向上させることがで
きる。
請求項１０、請求項２３記載の発明において、予め、窒
化アルミニウム基板の温度を約２００〜１０００°Ｃに
した状態で窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ−Ｎの
結合を解離可能な波長成分を有する光を照射することを
特徴としている。窒化アルミニウム基板の温度を約２０
０〜１０００°Ｃの範囲で変えることにより、表面に形
成する酸化層の厚さを１ｎｍ以上、１００ｎｍより小さ
い範囲で、所望の厚さに制御でき、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ，
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕなどの多種類
の薄膜に対して密着性をより一層、向上させることがで
きる。
【００１１】請求項４、請求項１３、請求項２３、請求
項３２記載の発明では、請求項１〜３、請求項１０〜１
２、請求項２０〜２３、請求項２９〜３１記載の発明に
おいて、窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を形成す
る面を下向きに設置して、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な
波長成分を有する光を下から照射する。これにより、Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する光の照射時
に基板表面からプルームとなって飛び散った材料が基板
表面に再付着し、表面を汚すのを防止できる。
項３２記載の発明では、請求項１〜３、請求項１０〜１
２、請求項２０〜２３、請求項２９〜３１記載の発明に
おいて、窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を形成す
る面を下向きに設置して、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な
波長成分を有する光を下から照射する。これにより、Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する光の照射時
に基板表面からプルームとなって飛び散った材料が基板
表面に再付着し、表面を汚すのを防止できる。
【００１２】請求項５、請求項１４、請求項２４、請求
項３３記載の発明では、請求項１〜４、請求項１０〜１
３、請求項２０〜２４、請求項２９〜３２記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光の照射時、または照射後、または照射時から照射後に
かけて、酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表面
に供給する。これにより、酸化層の確実な形成を助長す
ることができる。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光の照射中は、Ａｌ−Ｎの結合が切れたあとＡ
ｌとＯが結合しても該Ａｌ−Ｏの結合も切れてしまう恐
れがあるが、とくに、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長
成分を有する光の照射後（照射直後を含む）の適当なタ
イミングに、酸素を含むガスが窒化アルミニウム基板の
表面に供給されるようにすることで、Ａｌ−Ｏの結合が
切れてもＡｌとＯの再度の結合を促進でき、酸化層のよ
り確実な形成を図れる。酸素を含むガスには、Ａｉｒ、
または酸素加圧したＡｉｒ、または１００％酸素ガス、
または酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス等を用いるこ
とができる。
項３３記載の発明では、請求項１〜４、請求項１０〜１
３、請求項２０〜２４、請求項２９〜３２記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光の照射時、または照射後、または照射時から照射後に
かけて、酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表面
に供給する。これにより、酸化層の確実な形成を助長す
ることができる。Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光の照射中は、Ａｌ−Ｎの結合が切れたあとＡ
ｌとＯが結合しても該Ａｌ−Ｏの結合も切れてしまう恐
れがあるが、とくに、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長
成分を有する光の照射後（照射直後を含む）の適当なタ
イミングに、酸素を含むガスが窒化アルミニウム基板の
表面に供給されるようにすることで、Ａｌ−Ｏの結合が
切れてもＡｌとＯの再度の結合を促進でき、酸化層のよ
り確実な形成を図れる。酸素を含むガスには、Ａｉｒ、
または酸素加圧したＡｉｒ、または１００％酸素ガス、
または酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス等を用いるこ
とができる。
【００１３】請求項６、請求項１５、請求項２５、請求
項３４記載の発明では、請求項１〜５、請求項１０〜１
４、請求項２０〜２４、請求項２９〜３３記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光はビーム光であることを特徴としている。これによ
り、窒化アルミニウム基板の表面の所望ポイントを選択
的に酸化層を形成することができる。請求項７、請求項
１６、請求項２６、請求項３５記載の発明では、請求項
６、請求項１５、請求項２５、請求項３４記載の発明に
おいて、ビーム光はレーザビーム光であることを特徴と
している。これにより、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な所
望波長成分を有するビーム光を簡単かつ安定的に得るこ
とができる。
項３４記載の発明では、請求項１〜５、請求項１０〜１
４、請求項２０〜２４、請求項２９〜３３記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光はビーム光であることを特徴としている。これによ
り、窒化アルミニウム基板の表面の所望ポイントを選択
的に酸化層を形成することができる。請求項７、請求項
１６、請求項２６、請求項３５記載の発明では、請求項
６、請求項１５、請求項２５、請求項３４記載の発明に
おいて、ビーム光はレーザビーム光であることを特徴と
している。これにより、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な所
望波長成分を有するビーム光を簡単かつ安定的に得るこ
とができる。
【００１４】請求項８、請求項１７、請求項２７、請求
項３６記載の発明では、請求項５，６、請求項１５，１
６、請求項３４，３５記載の発明において、窒化アルミ
ニウム基板に対しビーム光を相対的に移動して、窒化ア
ルミニウム基板の一部領域に酸化層を形成する。これに
より、窒化アルミニウム基板の表面の内、接着強度の強
いメタライズ膜を形成したい任意の領域を選択的に酸化
層を形成することができ、残りの領域には酸化層を形成
しないことで熱伝導を悪化させずに済む。
項３６記載の発明では、請求項５，６、請求項１５，１
６、請求項３４，３５記載の発明において、窒化アルミ
ニウム基板に対しビーム光を相対的に移動して、窒化ア
ルミニウム基板の一部領域に酸化層を形成する。これに
より、窒化アルミニウム基板の表面の内、接着強度の強
いメタライズ膜を形成したい任意の領域を選択的に酸化
層を形成することができ、残りの領域には酸化層を形成
しないことで熱伝導を悪化させずに済む。
【００１５】請求項９、請求項１８、請求項２８、請求
項３７記載の発明では、請求項１〜７、請求項１０〜１
６、請求項２０〜２６、請求項２９〜３５記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光を発生する光源と窒化アルミニウム基板のメタライズ
膜を形成する面との間にマスクを配置し、マスクに開け
た窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有
する光（ビーム光、レーザビーム光を含む）を照射する
ことで、窒化アルミニウム基板の一定領域に酸化層を形
成する。これによっても、窒化アルミニウム基板の表面
の内、接着強度の強いメタライズ膜を形成したい任意の
領域を選択的に酸化層を形成することができ、残りの領
域には酸化層を形成しないことで熱伝導を悪化させずに
済む。
項３７記載の発明では、請求項１〜７、請求項１０〜１
６、請求項２０〜２６、請求項２９〜３５記載の発明に
おいて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する
光を発生する光源と窒化アルミニウム基板のメタライズ
膜を形成する面との間にマスクを配置し、マスクに開け
た窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有
する光（ビーム光、レーザビーム光を含む）を照射する
ことで、窒化アルミニウム基板の一定領域に酸化層を形
成する。これによっても、窒化アルミニウム基板の表面
の内、接着強度の強いメタライズ膜を形成したい任意の
領域を選択的に酸化層を形成することができ、残りの領
域には酸化層を形成しないことで熱伝導を悪化させずに
済む。
【００１６】請求項１、２０の各発明において、窒化ア
ルミニウム基板の表面（Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光の照射される面）への酸素の与え方と
して、簡単には窒化アルミニウム基板を大気中に置いた
状態でＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光を
照射しても良い。また、窒化アルミニウム基板をチャン
バ内に置くとともに大気圧〜１０-10 torrの真空に引
き、Ａｉｒ、または酸素加圧したＡｉｒ、または１００
％酸素ガス、または酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス
等の酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表面（Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の照射され
る面）に供給するようにすれば、酸化層の安定な形成を
助成することができる。これら酸素を含むガスの供給
は、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の照
射と同時に行っても良く、照射直後の適当なタイミング
で行ったり、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持
つ光の照射時から照射後に掛けて続けて行っても良い。
また、酸素を含むガスの供給量をシーケンサで適宜、制
御するようにしても良い。請求項１０、２９の各発明に
おいて、酸素を含むガスには、Ａｉｒ、または酸素加圧
したＡｉｒ、または１００％酸素ガス、または酸素ガス
と不活性ガスとの混合ガス等を用いることができる。そ
して、酸素を含むガスの供給は、Ａｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を持つ光の照射と同時に行っても良く、
照射直後の適当なタイミングで行ったり、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を持つ光の照射時から照射後に
掛けて続けて行っても良い。また、酸素を含むガスの供
給量をシーケンサで適宜、制御するようにしても良い。
ルミニウム基板の表面（Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光の照射される面）への酸素の与え方と
して、簡単には窒化アルミニウム基板を大気中に置いた
状態でＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光を
照射しても良い。また、窒化アルミニウム基板をチャン
バ内に置くとともに大気圧〜１０-10 torrの真空に引
き、Ａｉｒ、または酸素加圧したＡｉｒ、または１００
％酸素ガス、または酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス
等の酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表面（Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の照射され
る面）に供給するようにすれば、酸化層の安定な形成を
助成することができる。これら酸素を含むガスの供給
は、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の照
射と同時に行っても良く、照射直後の適当なタイミング
で行ったり、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持
つ光の照射時から照射後に掛けて続けて行っても良い。
また、酸素を含むガスの供給量をシーケンサで適宜、制
御するようにしても良い。請求項１０、２９の各発明に
おいて、酸素を含むガスには、Ａｉｒ、または酸素加圧
したＡｉｒ、または１００％酸素ガス、または酸素ガス
と不活性ガスとの混合ガス等を用いることができる。そ
して、酸素を含むガスの供給は、Ａｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を持つ光の照射と同時に行っても良く、
照射直後の適当なタイミングで行ったり、Ａｌ−Ｎの結
合を解離可能な波長成分を持つ光の照射時から照射後に
掛けて続けて行っても良い。また、酸素を含むガスの供
給量をシーケンサで適宜、制御するようにしても良い。
【００１７】請求項１、１０、２０、２９の各発明にお
いて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長は２００ｎｍ以
下の波長であり、この波長成分を持つ光は窒化アルミニ
ウム基板の表面に対し広がりを持って照射しても良く、
ビーム光に絞って照射しても良い。そして、Ａｌ−Ｎの
結合を解離可能な波長成分を有する光の照射による酸化
層の形成は窒化アルミニウム基板の表面全体としても良
く、また、表面実装部品を接着するランド部分だけのよ
うに、基板表面の内、一定以上の密着強度の要求される
一部の領域だけに限定し、熱伝導の悪化を招く酸化層の
形成を必要最小限に抑えるようにしても良い。また、Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の光源は、
レーザ光源、アーク灯、キセノン灯、水銀灯など種々の
ものを適用できる。レーザビームはエキシマレーザなど
の気体レーザのほか、色素レーザなどの液体レーザ、半
導体レーザ、固体レーザなどが適用できる。一次発振波
長がＡｌ−Ｎの結合を解離可能な２００ｎｍ以下のレー
ザを用いるか、高次光にＡｌ−Ｎの結合を解離可能な２
００ｎｍ以下の波長成分を有するレーザを用いる。レー
ザの発振形式はパルス発振、連続発振のいずれも適用で
きる。
いて、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長は２００ｎｍ以
下の波長であり、この波長成分を持つ光は窒化アルミニ
ウム基板の表面に対し広がりを持って照射しても良く、
ビーム光に絞って照射しても良い。そして、Ａｌ−Ｎの
結合を解離可能な波長成分を有する光の照射による酸化
層の形成は窒化アルミニウム基板の表面全体としても良
く、また、表面実装部品を接着するランド部分だけのよ
うに、基板表面の内、一定以上の密着強度の要求される
一部の領域だけに限定し、熱伝導の悪化を招く酸化層の
形成を必要最小限に抑えるようにしても良い。また、Ａ
ｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の光源は、
レーザ光源、アーク灯、キセノン灯、水銀灯など種々の
ものを適用できる。レーザビームはエキシマレーザなど
の気体レーザのほか、色素レーザなどの液体レーザ、半
導体レーザ、固体レーザなどが適用できる。一次発振波
長がＡｌ−Ｎの結合を解離可能な２００ｎｍ以下のレー
ザを用いるか、高次光にＡｌ−Ｎの結合を解離可能な２
００ｎｍ以下の波長成分を有するレーザを用いる。レー
ザの発振形式はパルス発振、連続発振のいずれも適用で
きる。
【００１８】請求項６、７、１５、１６、２５、２６、
３４、３５の各発明において、ビームのスポット径はと
くに制限はないが、集光レンズにより約０．１μｍ〜５
ｍｍ程度に絞ると良い。また、請求項８、１７、２７、
３６の各発明において、レーザビームの相対移動は、レ
ーザビームを反射させるミラーを可動したり、基板を支
持する試料台を可動したり、或いは反射ミラーと試料台
の両者を可動とすることで達成できる。また、請求項
９、１８、２８、３７の各発明において、窓の開いたマ
スクは窒化アルミニウム基板の表面に載せても良く、ま
た、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の伝
送経路中の任意箇所に配置しても良い。
３４、３５の各発明において、ビームのスポット径はと
くに制限はないが、集光レンズにより約０．１μｍ〜５
ｍｍ程度に絞ると良い。また、請求項８、１７、２７、
３６の各発明において、レーザビームの相対移動は、レ
ーザビームを反射させるミラーを可動したり、基板を支
持する試料台を可動したり、或いは反射ミラーと試料台
の両者を可動とすることで達成できる。また、請求項
９、１８、２８、３７の各発明において、窓の開いたマ
スクは窒化アルミニウム基板の表面に載せても良く、ま
た、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を持つ光の伝
送経路中の任意箇所に配置しても良い。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の特徴及び利点の理解を容易と
するため、非限定的な実施例を説明する。第１実施例 真空チャンバ内の試料台に、厚さ０．６３５ｍｍの窒化
アルミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）
を下向きに吊持しておき、真空チャンバ内を１０-6torr
の気圧とし、毎時２ｍ3 の１００％酸素ガスを基板表面
に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成可能とす
る。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパルス
発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズでスポッ
ト径１ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板の表面に対し
斜め下から照射する。レーザビームは可動ミラーに反射
させ、該可動ミラーを可動することでビームスポットを
移動可能としておく。図１に示す如く、窒化アルミニウ
ム基板１の表面に縦×横＝１．４ｍｍ×１ｍｍの大きさ
の電極ランド２を２ケ形成したい場合、可動ミラーを動
かしてまずレーザスポットの位置をＬＳ1 に合わせ１５
０ショット／スポットだけパルスビームを照射し、次
に、レーザスポットの位置をＬＳ2 に移動し、１５０シ
ョット／スポットだけパルスビームを照射する。する
と、約１．４ｍｍ×１ｍｍの面積に厚さ約６０ｎｍのほ
ぼ均質な酸化層が形成される（表面改質）。間隔を０．
８ｍｍ開け、同じ広さの面積に対して同様の処理を行
う。
するため、非限定的な実施例を説明する。第１実施例 真空チャンバ内の試料台に、厚さ０．６３５ｍｍの窒化
アルミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）
を下向きに吊持しておき、真空チャンバ内を１０-6torr
の気圧とし、毎時２ｍ3 の１００％酸素ガスを基板表面
に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成可能とす
る。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパルス
発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズでスポッ
ト径１ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板の表面に対し
斜め下から照射する。レーザビームは可動ミラーに反射
させ、該可動ミラーを可動することでビームスポットを
移動可能としておく。図１に示す如く、窒化アルミニウ
ム基板１の表面に縦×横＝１．４ｍｍ×１ｍｍの大きさ
の電極ランド２を２ケ形成したい場合、可動ミラーを動
かしてまずレーザスポットの位置をＬＳ1 に合わせ１５
０ショット／スポットだけパルスビームを照射し、次
に、レーザスポットの位置をＬＳ2 に移動し、１５０シ
ョット／スポットだけパルスビームを照射する。する
と、約１．４ｍｍ×１ｍｍの面積に厚さ約６０ｎｍのほ
ぼ均質な酸化層が形成される（表面改質）。間隔を０．
８ｍｍ開け、同じ広さの面積に対して同様の処理を行
う。
【００２０】このあと、銀電極用のメタライズ膜を厚膜
メタライズ法により形成するため、アルミナ基板用の銀
ペーストを今回、酸化層を形成した上に印刷し、７８７
°Ｃで焼成することで、メタライズ膜による電極ランド
が形成される（図１の符号２，２参照）。図２に示す如
く、電極ランド２，２の上に２１２５チップ素子３をは
んだ付けし、この２１２５チップ素子３に横から荷重Ｆ
を掛けたときの接着強さを試験したところ、酸化層を設
けない場合は約０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 であったが、上記
方法で酸化層を形成したときは約５ｋｇｆ／ｍｍ2 と１
０倍に改善した。
メタライズ法により形成するため、アルミナ基板用の銀
ペーストを今回、酸化層を形成した上に印刷し、７８７
°Ｃで焼成することで、メタライズ膜による電極ランド
が形成される（図１の符号２，２参照）。図２に示す如
く、電極ランド２，２の上に２１２５チップ素子３をは
んだ付けし、この２１２５チップ素子３に横から荷重Ｆ
を掛けたときの接着強さを試験したところ、酸化層を設
けない場合は約０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 であったが、上記
方法で酸化層を形成したときは約５ｋｇｆ／ｍｍ2 と１
０倍に改善した。
【００２１】第１実施例の変形例 なお、第１実施例において、図３の酸化層形成領域Ｄに
示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍと狭いが縦方向に或る長さを持つ一
部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビームのス
ポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動ミラ
ーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦方向
に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数千シ
ョットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラーを
可動させてＤの長手方向の一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていく
ようにする（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算
のエネルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とす
れば良い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代
わりに窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の
方を可動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレー
ザビームのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動して
いくようにしても良い。
示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍと狭いが縦方向に或る長さを持つ一
部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビームのス
ポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動ミラ
ーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦方向
に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数千シ
ョットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラーを
可動させてＤの長手方向の一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていく
ようにする（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算
のエネルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とす
れば良い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代
わりに窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の
方を可動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレー
ザビームのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動して
いくようにしても良い。
【００２２】第１実施例の他の変形例 また、図４の酸化層形成領域Ｅに示す如く、窒化アルミ
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
【００２３】第１実施例の更に他の変形例 また、図５の酸化層形成領域Ｆに示す如く、窒化アルミ
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、ＡｒＦエ
キシマレーザ光源４で発生したレーザビームをレンズ５
を含む光学系に通し、窒化アルミニウム基板１の表面上
でＦより大きな径のスポットを作るようにして窒化アル
ミニウム基板１のメタライズ膜を形成する面に対し斜め
下から照射する。レンズ５の前（または後）に窓６を開
けたマスク７を配置し、マスク７で制限されたビームス
ポットが窒化アルミニウム基板１の上で丁度、Ｆの大き
さとなるようにする。レーザビームと窒化アルミニウム
基板１を固定した状態で、１〜数万ショットだけレーザ
ビームを照射するようにする。この際、積算のショット
回数はエネルギー密度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度と
なるようにすれば良い。
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、ＡｒＦエ
キシマレーザ光源４で発生したレーザビームをレンズ５
を含む光学系に通し、窒化アルミニウム基板１の表面上
でＦより大きな径のスポットを作るようにして窒化アル
ミニウム基板１のメタライズ膜を形成する面に対し斜め
下から照射する。レンズ５の前（または後）に窓６を開
けたマスク７を配置し、マスク７で制限されたビームス
ポットが窒化アルミニウム基板１の上で丁度、Ｆの大き
さとなるようにする。レーザビームと窒化アルミニウム
基板１を固定した状態で、１〜数万ショットだけレーザ
ビームを照射するようにする。この際、積算のショット
回数はエネルギー密度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度と
なるようにすれば良い。
【００２４】第２実施例 第１実施例と同様の処理で酸化層を形成したあと、抵抗
ヒータにて約４時間、窒化アルミニウム基板表面の温度
を９００°Ｃに上げて熱処理をする。これにより、窒化
アルミニウム基板の表面でレーザビームの照射箇所内に
局在的に形成されたアルミナ層や不安定な酸化層を、よ
り安定で連続的なアルミナ層に再構成することができ、
メタライズ膜との密着性が向上する。
ヒータにて約４時間、窒化アルミニウム基板表面の温度
を９００°Ｃに上げて熱処理をする。これにより、窒化
アルミニウム基板の表面でレーザビームの照射箇所内に
局在的に形成されたアルミナ層や不安定な酸化層を、よ
り安定で連続的なアルミナ層に再構成することができ、
メタライズ膜との密着性が向上する。
【００２５】第３実施例 真空チャンバ内の試料台に、厚さ０．５ｍｍの窒化アル
ミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）を下
向きに吊持し、窒化アルミニウム基板の背面側に設置し
た抵抗ヒータにより、基板表面を２００〜１０００°Ｃ
の温度に上げておく。そして、真空チャンバ内を１０-6
torrの気圧とし、毎時０．５〜５ｍ3 の酸素ガスを基板
表面に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成可能と
する。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパル
ス発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズでスポ
ット径０．５ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板の表面
に対し斜め下から照射する。８０ショット／スポットだ
けパルスビームを照射すると（エネルギー密度１２０Ｊ
／ｍｍ2 ）、基板表面の温度に応じて１ｎｍ以上で１０
０ｎｍより少ない範囲で厚さの調節された酸化層が形成
される。これにより、Ａｇだけでなく、Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの各種の金属ペーストに対し
て、各々に適切な厚さの酸化層を形成することができ、
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなど多種の電極用
のメタライズ膜を密着性を保ちながら基板上にメタライ
ズすることができる。
ミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）を下
向きに吊持し、窒化アルミニウム基板の背面側に設置し
た抵抗ヒータにより、基板表面を２００〜１０００°Ｃ
の温度に上げておく。そして、真空チャンバ内を１０-6
torrの気圧とし、毎時０．５〜５ｍ3 の酸素ガスを基板
表面に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成可能と
する。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパル
ス発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズでスポ
ット径０．５ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板の表面
に対し斜め下から照射する。８０ショット／スポットだ
けパルスビームを照射すると（エネルギー密度１２０Ｊ
／ｍｍ2 ）、基板表面の温度に応じて１ｎｍ以上で１０
０ｎｍより少ない範囲で厚さの調節された酸化層が形成
される。これにより、Ａｇだけでなく、Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなどの各種の金属ペーストに対し
て、各々に適切な厚さの酸化層を形成することができ、
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕなど多種の電極用
のメタライズ膜を密着性を保ちながら基板上にメタライ
ズすることができる。
【００２６】第３実施例の変形例 なお、第３実施例においても、図３の酸化層形成領域Ｄ
に示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍ程度と狭いが縦方向に或る長さを持
つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビーム
のスポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動
ミラーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦
方向に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数
千ショットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラ
ーを可動させてＤの一端から他端までレーザビームのス
ポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていくように
する（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算のエネ
ルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とすれば良
い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代わりに
窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の方を可
動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動していくよ
うにしても良い。
に示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍ程度と狭いが縦方向に或る長さを持
つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビーム
のスポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動
ミラーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦
方向に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数
千ショットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラ
ーを可動させてＤの一端から他端までレーザビームのス
ポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていくように
する（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算のエネ
ルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とすれば良
い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代わりに
窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の方を可
動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動していくよ
うにしても良い。
【００２７】第３実施例の他の変形例 また、図４の酸化層形成領域Ｅに示す如く、窒化アルミ
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
【００２８】第４実施例 第１実施例と同様に、真空チャンバ内の試料台に厚さ
０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表面（メタラ
イズ膜を形成する面）を下向きに吊持しておき、真空チ
ャンバ内を１０-6torrの気圧とし、毎時０．５〜５ｍ3
の酸素を含む不活性ガスを基板表面に沿って横から供給
し、酸化層の形成を助成する。そして、波長１９３ｎ
ｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパルス発振形式のＡｒＦ
エキシマレーザを集光レンズでスポット径１ｍｍに絞
り、窒化アルミニウム基板の表面に対し斜め下から照射
する。レーザビームは可動ミラーに反射させ、該可動ミ
ラーを可動することでビームスポットを移動可能として
おく。図１に示す如く、可動ミラーを動かしてまずレー
ザスポットの位置をＬＳ1 に合わせ１５０ショット／ス
ポットだけパルスビームを照射し、次に、レーザスポッ
トの位置をＬＳ2 に移動し、１５０ショット／スポット
だけパルスビームを照射する。すると、約１．４ｍｍ×
１ｍｍの面積に厚さ約６０ｎｍのほぼ均質な酸化層が形
成される（表面改質）。
０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム基板の表面（メタラ
イズ膜を形成する面）を下向きに吊持しておき、真空チ
ャンバ内を１０-6torrの気圧とし、毎時０．５〜５ｍ3
の酸素を含む不活性ガスを基板表面に沿って横から供給
し、酸化層の形成を助成する。そして、波長１９３ｎ
ｍ、出力３００ｍＪ／パルスのパルス発振形式のＡｒＦ
エキシマレーザを集光レンズでスポット径１ｍｍに絞
り、窒化アルミニウム基板の表面に対し斜め下から照射
する。レーザビームは可動ミラーに反射させ、該可動ミ
ラーを可動することでビームスポットを移動可能として
おく。図１に示す如く、可動ミラーを動かしてまずレー
ザスポットの位置をＬＳ1 に合わせ１５０ショット／ス
ポットだけパルスビームを照射し、次に、レーザスポッ
トの位置をＬＳ2 に移動し、１５０ショット／スポット
だけパルスビームを照射する。すると、約１．４ｍｍ×
１ｍｍの面積に厚さ約６０ｎｍのほぼ均質な酸化層が形
成される（表面改質）。
【００２９】このあと、薄膜電極用のメタライズ膜を薄
膜メタライズ法により形成するため、不活性ガスの供給
を止め、窒化アルミニウム基板を真空チャンバ内に設置
したまま、蒸着またはスパッタリングにより窒化アルミ
ニウム基板の表面にＴｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層薄膜をメタ
ライズする。これにより、基板とメタライズ膜との間の
界面に有機物やガスが付着し、接着強度が落ちるのを回
避することができる。
膜メタライズ法により形成するため、不活性ガスの供給
を止め、窒化アルミニウム基板を真空チャンバ内に設置
したまま、蒸着またはスパッタリングにより窒化アルミ
ニウム基板の表面にＴｉ／Ｐｄ／Ａｕの多層薄膜をメタ
ライズする。これにより、基板とメタライズ膜との間の
界面に有機物やガスが付着し、接着強度が落ちるのを回
避することができる。
【００３０】第５実施例 第４実施例と同様の処理で酸化層を形成したあとで、薄
膜電極を形成する前に、酸素を含む不活性ガスの供給を
続けたまま抵抗ヒータにて窒化アルミニウム基板表面の
温度を約１時間の間、９００°Ｃに加熱して熱処理をす
る。これにより、窒化アルミニウム基板の表面でレーザ
ビームの照射箇所内に局在的に形成されたアルミナ層や
不安定な酸化層を、より安定で連続的なアルミナ層に再
構成することができる。この後、不活性ガスの供給を止
め、蒸着またはスパッタリングで薄膜電極を形成すれ
ば、安定で連続的なアルミナ層の存在で薄膜電極用のメ
タライズ膜との密着性が向上する。
膜電極を形成する前に、酸素を含む不活性ガスの供給を
続けたまま抵抗ヒータにて窒化アルミニウム基板表面の
温度を約１時間の間、９００°Ｃに加熱して熱処理をす
る。これにより、窒化アルミニウム基板の表面でレーザ
ビームの照射箇所内に局在的に形成されたアルミナ層や
不安定な酸化層を、より安定で連続的なアルミナ層に再
構成することができる。この後、不活性ガスの供給を止
め、蒸着またはスパッタリングで薄膜電極を形成すれ
ば、安定で連続的なアルミナ層の存在で薄膜電極用のメ
タライズ膜との密着性が向上する。
【００３１】第６実施例 真空チャンバ内の試料台に厚さ０．６３５ｍｍの窒化ア
ルミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）を
下向きに吊持し、窒化アルミニウム基板の背面側に設置
した抵抗ヒータにより、基板表面を２００〜１０００°
Ｃの温度に上げておく。そして、真空チャンバ内を１０
-6torrの気圧とし、毎時２ｍ3 の酸素を含む不活性ガス
を基板表面に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成
可能とする。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルス
のパルス発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズ
でスポット径０．３ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板
の表面に対し斜め下から照射する。１００ショット／ス
ポットだけパルスビームを照射すると（エネルギー密度
４２４Ｊ／ｍｍ2 ）、基板表面の温度に応じて１ｎｍ以
上で１００ｎｍより少ない範囲で厚さの調節された酸化
層が形成される。このあと、薄膜電極を薄膜メタライズ
法により形成するため、不活性ガスの供給を止め、窒化
アルミニウム基板を真空チャンバ内に設置したまま、蒸
着またはスパッタリングにより窒化アルミニウム基板の
表面に多層薄膜をメタライズする。これにより、Ｔｉ／
Ｐｄ／Ａｕだけでなく、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／
Ｐｄ／Ａｕなどの各種の多層薄膜に対して、各々に適切
な厚さの酸化層を形成することができ、これらＴｉ／Ｐ
ｄ／Ａｕ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕな
どの各種の多層薄膜電極を良好な密着性を保ちながら基
板上にメタライズすることができる。
ルミニウム基板の表面（メタライズ膜を形成する面）を
下向きに吊持し、窒化アルミニウム基板の背面側に設置
した抵抗ヒータにより、基板表面を２００〜１０００°
Ｃの温度に上げておく。そして、真空チャンバ内を１０
-6torrの気圧とし、毎時２ｍ3 の酸素を含む不活性ガス
を基板表面に沿って横から供給し、酸化層の形成を助成
可能とする。波長１９３ｎｍ、出力３００ｍＪ／パルス
のパルス発振形式のＡｒＦエキシマレーザを集光レンズ
でスポット径０．３ｍｍに絞り、窒化アルミニウム基板
の表面に対し斜め下から照射する。１００ショット／ス
ポットだけパルスビームを照射すると（エネルギー密度
４２４Ｊ／ｍｍ2 ）、基板表面の温度に応じて１ｎｍ以
上で１００ｎｍより少ない範囲で厚さの調節された酸化
層が形成される。このあと、薄膜電極を薄膜メタライズ
法により形成するため、不活性ガスの供給を止め、窒化
アルミニウム基板を真空チャンバ内に設置したまま、蒸
着またはスパッタリングにより窒化アルミニウム基板の
表面に多層薄膜をメタライズする。これにより、Ｔｉ／
Ｐｄ／Ａｕだけでなく、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／
Ｐｄ／Ａｕなどの各種の多層薄膜に対して、各々に適切
な厚さの酸化層を形成することができ、これらＴｉ／Ｐ
ｄ／Ａｕ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ，ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕな
どの各種の多層薄膜電極を良好な密着性を保ちながら基
板上にメタライズすることができる。
【００３２】第６実施例の変形例 なお、第６実施例においても、図３の酸化層形成領域Ｄ
に示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍ程度と狭いが縦方向に或る長さを持
つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビーム
のスポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動
ミラーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦
方向に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数
千ショットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラ
ーを可動させてＤの一端から他端までレーザビームのス
ポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていくように
する（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算のエネ
ルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とすれば良
い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代わりに
窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の方を可
動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動していくよ
うにしても良い。
に示す如く、窒化アルミニウム基板１の表面の内、幅は
０．１μｍ〜５ｍｍ程度と狭いが縦方向に或る長さを持
つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビーム
のスポット径ｄをＤの幅に合わせ、レーザビームを可動
ミラーに反射させて窒化アルミニウム基板１の表面の縦
方向に移動可能とし、１スポット当たり１ショット〜数
千ショットだけレーザビームを照射しながら、可動ミラ
ーを可動させてＤの一端から他端までレーザビームのス
ポット位置をｄ／２〜ｄ／４ずつ移動させていくように
する（図３のＳＰ1 、ＳＰ2 、・・参照）。積算のエネ
ルギー密度は約１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度とすれば良
い。レーザビームのスポット位置は固定とし、代わりに
窒化アルミニウム基板１を吊持している試料台の方を可
動とし、結果として、Ｄの一端から他端までレーザビー
ムのスポット位置がｄ／２〜ｄ／４ずつ移動していくよ
うにしても良い。
【００３３】第６実施例の他の変形例 また、図４の酸化層形成領域Ｅに示す如く、窒化アルミ
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
ニウム基板１の表面の内、幅と長さが或る程度の大きさ
を持つ一部の領域の表面改質を行いたい場合、レーザビ
ームのスポット径ｄを０．１μｍ〜５ｍｍ程度に絞り、
レーザビームを可動ミラーで反射させるようにし、１ス
ポット当たり１ショット〜数千ショットだけレーザビー
ムを照射しながら、該可動ミラーを可動してレーザビー
ムを基板表面の縦方向に往復させ（副走査）、かつ、試
料台をビームの往復動に対し直角な横方向に移動するこ
とで（主走査）、窒化アルミニウム基板１に対しビーム
を相対的に移動し、レーザビームのスポット位置をｄ／
２〜ｄ／４ずつ移動させてビームスポットの移動軌跡が
Ｅの中を走査するようする（図４のＳＰ11、ＳＰ12、・
・参照）。この際、積算のショット回数はエネルギー密
度が１０〜５００Ｊ／ｍｍ2 程度となるようにすれば良
い。
【００３４】
【発明の効果】本発明の窒化アルミニウム基板のメタラ
イズ法によれば、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を用いることで、基板表面のＡｌ−Ｎの結合
を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再結合を促すことがで
きる。熱伝導を阻害する酸素の含有層の厚さが１００ｎ
ｍより小さく処理されるので、基板の熱伝導は良好に保
たれる。また、酸化層の厚さが薄く処理されても、厚膜
メタライズ法、薄膜メタライズ法などによるメタライズ
膜との十分な密着性が得られる。また、本発明の窒化ア
ルミニウム基板によれば、基板表面の全部または一部領
域に厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を
形成したので、後で該酸化層の上に厚膜メタライズ法、
薄膜メタライズ法などによりメタライズ膜を形成すると
きに十分な密着性を得ることができる。そして、酸化層
の厚みが１００ｎｍより小さいため基板の熱伝導が悪化
することはない。
イズ法によれば、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を用いることで、基板表面のＡｌ−Ｎの結合
を確実に切り、ＡｌとＯの緻密な再結合を促すことがで
きる。熱伝導を阻害する酸素の含有層の厚さが１００ｎ
ｍより小さく処理されるので、基板の熱伝導は良好に保
たれる。また、酸化層の厚さが薄く処理されても、厚膜
メタライズ法、薄膜メタライズ法などによるメタライズ
膜との十分な密着性が得られる。また、本発明の窒化ア
ルミニウム基板によれば、基板表面の全部または一部領
域に厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を
形成したので、後で該酸化層の上に厚膜メタライズ法、
薄膜メタライズ法などによりメタライズ膜を形成すると
きに十分な密着性を得ることができる。そして、酸化層
の厚みが１００ｎｍより小さいため基板の熱伝導が悪化
することはない。
【図１】窒化アルミニウム基板に対するレーザビームの
照射方法の説明図である。
照射方法の説明図である。
【図２】接着強度試験の方法を示す説明図である。
【図３】窒化アルミニウム基板の表面に対するレーザビ
ームの走査方法の説明図である。
ームの走査方法の説明図である。
【図４】窒化アルミニウム基板の表面に対するレーザビ
ームの走査方法の説明図である。
ームの走査方法の説明図である。
【図５】窒化アルミニウム基板の表面に対するレーザビ
ームの照射方法の説明図である。
ームの照射方法の説明図である。
１ 窒化アルミニウム基板 ２ 電極ラン
ド ３ ２１２５チップ素子 ４ ＡｒＦレ
ーザ光源 ５ レンズ ６ 窓 ７ マスク Ｄ、Ｅ、Ｆ 酸化層形成領域
ド ３ ２１２５チップ素子 ４ ＡｒＦレ
ーザ光源 ５ レンズ ６ 窓 ７ マスク Ｄ、Ｅ、Ｆ 酸化層形成領域
Claims (37)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基板の表面にメタライ
ズ膜を形成する際、予め、窒化アルミニウム基板のメタ
ライズ膜を形成する面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な
波長成分を有する光を照射するとともに酸素を与えるこ
とで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を
形成しておくようにしたこと、 を特徴とする窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項２】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を
有する光を照射後、窒化アルミニウム基板を約７００〜
１１００°Ｃに加熱すること、 を特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム基板のメ
タライズ方法。 - 【請求項３】 窒化アルミニウム基板の温度を約２００
〜１０００°Ｃにした状態で、窒化アルミニウム基板の
メタライズ膜を形成する面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可
能な波長成分を有する光を照射するようにしたこと、 を特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム基板のメ
タライズ方法。 - 【請求項４】 窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を
形成する面を下向きに設置してＡｌ−Ｎの結合を解離可
能な波長成分を有する光を下から照射するようにしたこ
と、 を特徴とする請求項１または２または３記載の窒化アル
ミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項５】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を
有する光の照射時または照射後または照射時から照射後
にかけて酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表面
に供給すること、 を特徴とする請求項１または２または３または４記載の
窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項６】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を
有する光はビーム光であること、 を特徴とする請求項１または２または３または４または
５記載の窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項７】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を
有する光はレーザビーム光であること、 を特徴とする請求項６記載の窒化アルミニウム基板のメ
タライズ方法。 - 【請求項８】 窒化アルミニウム基板に対しビーム光を
相対的に移動しながら照射することで、窒化アルミニウ
ム基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項６または７記載の窒化アルミニウム
基板のメタライズ方法。 - 【請求項９】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を
有する光を発生する光源と、窒化アルミニウム基板のメ
タライズ膜を形成する面との間にマスクを配置し、マス
クに開けた窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波長
成分を有する光を照射することで、窒化アルミニウム基
板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項１または２または３または４または
５または６または７記載の窒化アルミニウム基板のメタ
ライズ方法。 - 【請求項１０】 真空チャンバ内に窒化アルミニウム基
板を置き、 真空チャンバ内を約１０-4〜１０-10 torrの真空とし、
窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を形成する面に、
Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する光を照射
するとともに酸素を含むガスを供給することで厚さが１
ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成し、 次に、真空チャンバ内への酸素を含むガスの供給を止
め、蒸着またはスパッタリングにより窒化アルミニウム
基板の酸化層の形成面に金属薄膜を形成するようにした
こと、 を特徴とする窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項１１】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を照射後、窒化アルミニウム基板を約７００
〜１１００°Ｃに加熱すること、 を特徴とする請求項１０記載の窒化アルミニウム基板の
メタライズ方法。 - 【請求項１２】 窒化アルミニウム基板の温度を約２０
０〜１０００°Ｃにした状態で窒化アルミニウム基板の
メタライズ膜を形成する面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可
能な波長成分を有する光を照射するようにしたこと、 を特徴とする請求項１０記載の窒化アルミニウム基板の
メタライズ方法。 - 【請求項１３】 窒化アルミニウム基板のメタライズ膜
を形成する面を下向きに設置してＡｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を有する光を下から照射するようにした
こと、 を特徴とする請求項１０または１１または１２記載の窒
化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項１４】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光の照射時または照射後または照射時から照射
後にかけて酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表
面に供給すること、 を特徴とする請求項１０または１１または１２または１
３記載の窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項１５】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はビーム光であること、 を特徴とする請求項１０または１１または１２または１
３または１４記載の窒化アルミニウム基板のメタライズ
方法。 - 【請求項１６】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はレーザビーム光であること、 を特徴とする請求項１５記載の窒化アルミニウム基板の
メタライズ方法。 - 【請求項１７】 窒化アルミニウム基板に対しビーム光
を相対的に移動しながら照射することで、窒化アルミニ
ウム基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項１５または１６記載の窒化アルミニ
ウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項１８】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を発生する光源と、窒化アルミニウム基板の
メタライズ膜を形成する面との間にマスクを配置し、マ
スクに開けた窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光を照射することで、窒化アルミニウム
基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項１０または１１または１２または１
３または１４または１５または１６記載の窒化アルミニ
ウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項１９】 基板表面の全部または一部領域に厚さ
が１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい酸化層を形成した
こと、 を特徴とする窒化アルミニウム基板。 - 【請求項２０】 窒化アルミニウム基板の表面に、Ａｌ
−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する光を照射する
とともに酸素を与えることで厚さが１ｎｍ以上で１００
ｎｍより小さい酸化層を形成したこと、 を特徴とする窒化アルミニウム基板。 - 【請求項２１】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を照射後、窒化アルミニウム基板を約７００
〜１１００°Ｃに加熱したこと、 を特徴とする請求項２０記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項２２】 窒化アルミニウム基板の温度を約２０
０〜１０００°Ｃにした状態で、窒化アルミニウム基板
の表面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有す
る光を照射するようにしたこと、 を特徴とする請求項２０記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項２３】 窒化アルミニウム基板のメタライズ膜
を形成する面を下向きに設置してＡｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を有する光を下から照射するようにした
こと、 を特徴とする請求項２０または２１または２２記載の窒
化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項２４】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光の照射時または照射後または照射時から照射
後にかけて酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表
面に供給すること、 を特徴とする請求項２０または２１または２２または２
３記載の窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項２５】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はビーム光であること、 を特徴とする請求項２０または２１または２２または２
３または２４記載の窒化アルミニウム基板のメタライズ
方法。 - 【請求項２６】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はレーザビーム光であること、 を特徴とする請求項２５記載の窒化アルミニウム基板の
メタライズ方法。 - 【請求項２７】 窒化アルミニウム基板に対しビーム光
を相対的に移動しながら照射することで、窒化アルミニ
ウム基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項２５または２６記載の窒化アルミニ
ウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項２８】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を発生する光源と、窒化アルミニウム基板の
メタライズ膜を形成する面との間にマスクを配置し、マ
スクに開けた窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光を照射することで、窒化アルミニウム
基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項２０または２１または２２または２
３または２４または２５または２６記載の窒化アルミニ
ウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項２９】 真空チャンバ内に窒化アルミニウム基
板を置き、 真空チャンバ内を約１０-4〜１０-10 torrの真空とし、
窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を形成する面に、
Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分を有する光を照射
するとともに酸素ガスまたは酸素を含む不活性ガスを供
給することで厚さが１ｎｍ以上で１００ｎｍより小さい
酸化層を形成し、 次に、真空チャンバ内への酸素ガスまたは酸素を含む不
活性ガスの供給を止め、蒸着またはスパッタリングによ
り窒化アルミニウム基板の酸化層の形成面に金属薄膜を
形成したこと、 を特徴とする窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３０】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を照射後、窒化アルミニウム基板を約７００
〜１１００°Ｃに加熱したこと、 を特徴とする請求項２９記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３１】 窒化アルミニウム基板の温度を約２０
０〜１０００°Ｃにした状態で、窒化アルミニウム基板
のメタライズ膜を形成する面に、Ａｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を有する光を照射するようにしたこと、 を特徴とする請求項２９記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３２】 窒化アルミニウム基板のメタライズ膜
を形成する面を下向きに設置してＡｌ−Ｎの結合を解離
可能な波長成分を有する光を下から照射するようにした
こと、 を特徴とする請求項２９または３０または３１記載の窒
化アルミニウム基板。 - 【請求項３３】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光の照射時または照射後または照射時から照射
後にかけて酸素を含むガスを窒化アルミニウム基板の表
面に供給すること、 を特徴とする請求項２９または３０または３１または３
２記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３４】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はビーム光であること、 を特徴とする請求項２９または３０または３１または３
２または３３記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３５】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光はレーザビーム光であること、 を特徴とする請求項３４記載の窒化アルミニウム基板。 - 【請求項３６】 窒化アルミニウム基板に対しビーム光
を相対的に移動しながら照射することで、窒化アルミニ
ウム基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項３４または３５記載の窒化アルミニ
ウム基板のメタライズ方法。 - 【請求項３７】 Ａｌ−Ｎの結合を解離可能な波長成分
を有する光を発生する光源と、窒化アルミニウム基板の
メタライズ膜を形成する面との間にマスクを配置し、マ
スクに開けた窓を通してＡｌ−Ｎの結合を解離可能な波
長成分を有する光を照射することで、窒化アルミニウム
基板の一部領域に酸化層を形成すること、 を特徴とする請求項２９または３０または３１または３
２または３３または３４または３５記載の窒化アルミニ
ウム基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180169A JPH107478A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8180169A JPH107478A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH107478A true JPH107478A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=16078609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8180169A Withdrawn JPH107478A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH107478A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086453A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Yamato Denki Kogyo Kk | 表面処理方法、および電子部品の製造方法 |
| KR100767355B1 (ko) * | 2001-01-17 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 제조용 알루미늄의 습식 식각방법 및 그장치 |
| JP2008034555A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | ３次元立体回路基板の製造方法、および３次元立体回路基板 |
| JP2008053465A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Works Ltd | ３次元立体回路基板の製造方法、および３次元立体回路基板 |
| JP2011504568A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-02-10 | マーレ インターナショナル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 鋼製ピストンのリング状溝の溝側面をレーザービームにより硬化させる方法 |
| EP3591099A1 (fr) * | 2018-07-05 | 2020-01-08 | Comadur S.A. | Procede de fabrication d'une piece en ceramique revetue au moins partiellement d'une couche electriquement conductrice |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP8180169A patent/JPH107478A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100767355B1 (ko) * | 2001-01-17 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 제조용 알루미늄의 습식 식각방법 및 그장치 |
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| JP4497135B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2010-07-07 | パナソニック電工株式会社 | ３次元立体回路基板の製造方法、および３次元立体回路基板 |
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