JP4577284B2 - 3次元立体回路基板の製造方法、および3次元立体回路基板 - Google Patents
3次元立体回路基板の製造方法、および3次元立体回路基板 Download PDFInfo
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Description
以下、本実施形態に係る3次元立体回路基板の製造方法及び該製造方法を用いて製造された3次元立体回路基板について、図面を参照して説明する。図1は3次元立体回路基板の製造方法の概要を示すフローである。3次元立体回路基板Aは、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結する窒化アルミニウム基板1の準備工程(S1)、窒化アルミニウム基板1を加熱してその表面を酸化処理して酸化層2(絶縁層)を形成する酸化層形成工程(S2)、酸化層2の上にスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法による導電性薄膜3の成膜を行うメタライズ処理工程(S3)、高エネルギービーム(本実施形態ではレーザビーム)による回路部/非回路部の分離を行うレーザ処理工程(S4)、回路部のめっきによる厚膜化を行ってめっき層4を形成するめっき処理工程(S5)、非回路部のエッチング処理工程(S6)の各工程を順次実施することで製造される。
本実施形態の3次元立体回路基板Aは、図4(a)〜(c)に示すように、複数の3次元立体回路基板Aを1枚の窒化アルミニウム基板1に形成するシート単位で製造される。まず、6個の3次元立体回路基板Aを形成可能な1枚の窒化アルミニウム基板1を準備する。窒化アルミニウム基板1は、枠部1a内に3次元立体回路基板Aを形成する6個の回路基板部1bを配置し、各回路基板部1bは連結部1cを介して枠部1aに接続している(図4(a))。
実施形態1,2において、酸化層2の形成は図6に示すように、窒化アルミニウム基板1の表面にノズル20から原料ガスを吹き付け、さらに分解するためのエネルギーを与えるレーザを照射することで酸化膜を形成するレーザCVD法、またはノズル20から窒化アルミニウム基板1の表面に酸化物の微粒子を高速で吹き付けて酸化膜を堆積させるエアロゾルデポジション法(AD法)を用いてもよい。この場合、スパッタリング法や熱酸化法に比べて成膜レートが早いという利点がある。なお、レーザCVD法は、レーザの照射位置のみに成膜されるため、マスクが不要となる。また、AD法は、細かいパターンで成膜する場合にマスクが必要となるが、例えばある領域の全面に亘って成膜する場合にはマスクが不要となる。
1 窒化アルミニウム基板
2 酸化層
3 導電性薄膜
3a 回路部
3b 非回路部
3c 除去部
4 めっき層
Claims (5)
- 窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜における回路部と非回路部の少なくとも境界を含む領域に高エネルギービームを照射し導電性薄膜を除去した除去部を形成することで回路パターンを形成し、回路部の導電性薄膜にめっき処理を施した後、非回路部の導電性薄膜を除去する3次元立体回路基板の製造方法において、
前記導電性薄膜を形成する工程の前に、前記回路パターンに沿って前記回路部に対向し、且つ前記回路部と除去部とを併せた幅より大きく前記高エネルギービームの照射箇所を含む領域を酸化処理して、窒化アルミニウム基板の表面の一部に酸化層を形成する工程を備えた
ことを特徴とする3次元立体回路基板の製造方法。 - 前記窒化アルミニウム基板の酸化層を形成しない領域では、マスクスパッタリング法によって回路を形成することを特徴とする請求項1記載の3次元立体回路基板の製造方法。
- 前記窒化アルミニウム基板の酸化層を形成しない領域では、コリメートスパッタリング法によって回路を形成することを特徴とする請求項1記載の3次元立体回路基板の製造方法。
- 前記酸化層は、原料ガスまたは微粒子をノズルから窒化アルミニウム基板の表面に吹き付けることで形成されることを特徴とする請求項1記載の3次元立体回路基板の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の3次元立体回路基板の製造方法を用いて形成されたことを特徴とする3次元立体回路基板。
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