JPS61156897A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61156897A JPS61156897A JP27749184A JP27749184A JPS61156897A JP S61156897 A JPS61156897 A JP S61156897A JP 27749184 A JP27749184 A JP 27749184A JP 27749184 A JP27749184 A JP 27749184A JP S61156897 A JPS61156897 A JP S61156897A
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- JP
- Japan
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- hole
- holes
- diameter
- aluminum nitride
- conductor
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集積回路用導体配線基板の製造方法、特にスル
ーホール形成方法に関する。
ーホール形成方法に関する。
（従来技術とその問題点）
集積回路用導体配線セラミック基板としてはアルミナ基
板が従来から広く使用されている。これらの基板上に導
体を配線し、表裏面間で導体の接続をする場合にはあら
かじめ機械的あるいは熱的に表裏両面を通るスルーホー
ルをセラミック板に形成し、このスルーホールの中に導
体を印刷又は蒸着又はスバフタなどの薄膜法によって形
成していた。
板が従来から広く使用されている。これらの基板上に導
体を配線し、表裏面間で導体の接続をする場合にはあら
かじめ機械的あるいは熱的に表裏両面を通るスルーホー
ルをセラミック板に形成し、このスルーホールの中に導
体を印刷又は蒸着又はスバフタなどの薄膜法によって形
成していた。
しかし、このような方法ではスルーホールの数が多くな
っ几シ、スルーホール径が小さくなると、マスクやスク
リーンの目合せが困難となり、精度が得られなくなる九
め実用になるスルーホールの数やスルーホール径に限界
があった。
っ几シ、スルーホール径が小さくなると、マスクやスク
リーンの目合せが困難となり、精度が得られなくなる九
め実用になるスルーホールの数やスルーホール径に限界
があった。
特にスルーホール径が細く、５０μ准以下になると、薄
膜法、厚膜法いずれの方法を用いてもスルーホール内に
導体を形成することが困難となり、％に基板が厚くなる
と接続ができない状態となってい友。
膜法、厚膜法いずれの方法を用いてもスルーホール内に
導体を形成することが困難となり、％に基板が厚くなる
と接続ができない状態となってい友。
また工程的にもスルーホールを形成する工程と、スルー
ホールに導体を形成する工程の二つの工程が必要であり
、製造期間、コストの点で問題が多かった。
ホールに導体を形成する工程の二つの工程が必要であり
、製造期間、コストの点で問題が多かった。
（発明の目的）
本発明では従来技術の問題点を解決し、スルーホール形
成と、スルーホール内の導体形成の工程を同時に行うこ
とによって、製造期間の短縮とコストの低減を計るとと
もに、スルーホール径ヲ５０μｍ以下の細いスルーホー
ルを実現することによって、集積回路基板の高密度化と
高精度化を計ることを目的としている。
成と、スルーホール内の導体形成の工程を同時に行うこ
とによって、製造期間の短縮とコストの低減を計るとと
もに、スルーホール径ヲ５０μｍ以下の細いスルーホー
ルを実現することによって、集積回路基板の高密度化と
高精度化を計ることを目的としている。
ま友、直接マスク、スクリーンなどと使用せず、直接ス
ルーホールを形成することで、コンビーータ、マイクロ
コンビーータによる制御により自動化可能となる製造方
法を提供することを目的としている。
ルーホールを形成することで、コンビーータ、マイクロ
コンビーータによる制御により自動化可能となる製造方
法を提供することを目的としている。
（発明の構成）
本発明は高エネルギー線を窒化アルミニウム基板上に照
射することによって、スルーホールの形成と該スルーホ
ール内への導体形成を同時に行なうこと１＆：特徴とす
る配線基板の製造方法である。
射することによって、スルーホールの形成と該スルーホ
ール内への導体形成を同時に行なうこと１＆：特徴とす
る配線基板の製造方法である。
（構成の詳細な説明）
本発明は窒化アルミニウムの熱的な特性を有効に利用す
ることによって、スルーホール形成と、スルーホール中
の導体層形成を同時に行うことを可能にし、しかも精度
の高い細い径のスルーホー常高圧下のみで存在する。）
よりもかなり低い温度で分解反応を起す。
ることによって、スルーホール形成と、スルーホール中
の導体層形成を同時に行うことを可能にし、しかも精度
の高い細い径のスルーホー常高圧下のみで存在する。）
よりもかなり低い温度で分解反応を起す。
ＡＸＮは常圧下では１９００℃程度の温度では次の反応
式に従って、金属アルミニウムと窒素ガこの場合ＡχＮ
が分解する温度ではアルミニウム窒素とも気体であるが
、近くに温度の低い部分があると、金属成分は凝縮して
、液体又は固体と力ってその部分に析出して導体となる
。
式に従って、金属アルミニウムと窒素ガこの場合ＡχＮ
が分解する温度ではアルミニウム窒素とも気体であるが
、近くに温度の低い部分があると、金属成分は凝縮して
、液体又は固体と力ってその部分に析出して導体となる
。
ここで例えば空気中で上記反応を起した場合、空気中の
酸素による金属の酸化が考えられるが、分解の際生じ九
窒素ガスが反応の起っている近傍に存在するため、酸化
反応と起すことなく一付着して導体Ｎを形成することが
可能となる。
酸素による金属の酸化が考えられるが、分解の際生じ九
窒素ガスが反応の起っている近傍に存在するため、酸化
反応と起すことなく一付着して導体Ｎを形成することが
可能となる。
このように本発明の方法によれば、レーザー光線、電子
線かどの高エネルギー線を９化アルミニウム板表面に照
射し、窒化アルミニウムの温度を分解温度以上にするこ
とによって、窒化アルミニウムを分解し、スルーホール
を形成すると同時に、分解で生じ次金属アルミニウムを
スルーホール内表面に析出せしめ、スルーホール内の表
面に導体層を形成するものである。
線かどの高エネルギー線を９化アルミニウム板表面に照
射し、窒化アルミニウムの温度を分解温度以上にするこ
とによって、窒化アルミニウムを分解し、スルーホール
を形成すると同時に、分解で生じ次金属アルミニウムを
スルーホール内表面に析出せしめ、スルーホール内の表
面に導体層を形成するものである。
このよう々方法によってスルーホールの形成と、スルー
ホール中の導体層形成を同時に一つの工程で行うことが
可能となり、レーザー光線、電子線などの高エネルギー
線を用いることＫよって、従来に々い直径の細いスルー
ホール形成が可能となった。
ホール中の導体層形成を同時に一つの工程で行うことが
可能となり、レーザー光線、電子線などの高エネルギー
線を用いることＫよって、従来に々い直径の細いスルー
ホール形成が可能となった。
以下実施例によって本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
厚さ０．６３５１１１１の窒化アルミニウム磁器基板上
に炭酸ガスレーザー光を次に示す条件で照射した。
に炭酸ガスレーザー光を次に示す条件で照射した。
照射モード パルスモード
ピーク出力 ＩＫＷ
パルス周波数 ＩＫＨｚ
ビーム径 ３０μｍ
照射時間 １０秒
その結果照射部分に円形のスルーホールが形成されスル
ーホールの直径は５０μｍであった。
ーホールの直径は５０μｍであった。
スルーホールの上下で導通チーツクをした結果７０ｍΩ
の抵抗値で導通が得られた。
の抵抗値で導通が得られた。
（実施例２）
０．６３５１１１１の厚さの窒化アルミニウム磁器基板
上にＹＡＧレーザー光を次の条件で空気中で照射した。
上にＹＡＧレーザー光を次の条件で空気中で照射した。
波長： １．６０μｍ出カニ、
６０Ｗ パ／Ｉ／ス周波数： １７Ｋｔ［ｚビーム径
： ３０３ｍ 照射時間＝ １秒 その結果、照射部分に円形のスルーホールが形成すれ、
スルーホールの径は４０μｍであり、スルーホールの上
下で導通チーツクをした結果４００ｍΩの抵抗値で導通
が得られた。
６０Ｗ パ／Ｉ／ス周波数： １７Ｋｔ［ｚビーム径
： ３０３ｍ 照射時間＝ １秒 その結果、照射部分に円形のスルーホールが形成すれ、
スルーホールの径は４０μｍであり、スルーホールの上
下で導通チーツクをした結果４００ｍΩの抵抗値で導通
が得られた。
（実施例３）
０．６３５μｍの厚さの窒化アルミニウム磁器基板上に
電子線ビームを次の条件で照射した。
電子線ビームを次の条件で照射した。
出力 ６０Ｗ
ビーム径 １０μｍ
照射時間 ２秒
その結果、照射部分に円形のスルーホールが形成し、そ
の直径は２０μ扉であった。スルーホールの上下での導
通をチーツクした結果６５０ｍΩの抵抗値で導通が得ら
れ念。
の直径は２０μ扉であった。スルーホールの上下での導
通をチーツクした結果６５０ｍΩの抵抗値で導通が得ら
れ念。
（実施例４）
０．６３５μｍの厚さの窒化アルミニウム磁器基板上に
実施例２と同様の条件で窒素ガス中で照射した。
実施例２と同様の条件で窒素ガス中で照射した。
その結果、照射部分に円形のスルーホールが形成され、
スルーホールの径は３５μ扉であり、スルーホールの上
下で導通チェックをした結果、２５０ｍΩの抵抗値で導
通が得られた。
スルーホールの径は３５μ扉であり、スルーホールの上
下で導通チェックをした結果、２５０ｍΩの抵抗値で導
通が得られた。
（発明の効果）
本発明の製造方法によって、熱伝導率の高い窒化アルミ
ニウム基板上に高エネルギー線を照射することにより、
スルーホールを形成すると同時にスルーホールの導体層
を形成し、しかも微細なスルーホールを精度良く形成す
ることが可能となった。
ニウム基板上に高エネルギー線を照射することにより、
スルーホールを形成すると同時にスルーホールの導体層
を形成し、しかも微細なスルーホールを精度良く形成す
ることが可能となった。
これにより、従来のようにスルーホールに導体層を形成
するためのマスク、スクリーンなどｔ用意することなく
、基板に直接スルーホールおよびスルーホール中の導体
層を形成することが可能となり、精度良く微細なスルー
ホールが形成できる几め、回路の高密度化が実現できる
。
するためのマスク、スクリーンなどｔ用意することなく
、基板に直接スルーホールおよびスルーホール中の導体
層を形成することが可能となり、精度良く微細なスルー
ホールが形成できる几め、回路の高密度化が実現できる
。
さらに上記の理由から製造工程が少なくなるため短納期
になり、コストダウンも可能とがる。
になり、コストダウンも可能とがる。
本発明では高エネルギー線として、炭酸ガスレーザー、
ＹＡＧレーザ−、電子線ビームを用いた実施例について
述べたが、本発明の原理は窒化アルミニウムの一部に高
エネルギーを加え、分解反応を起させることにあるため
、実施例以外のレーザー光線、高エネルギー線を用いて
も同様の効果が得られる。 ゛ また雰囲気についても空気中、窒素中、真空中などの他
にも中性、還元性雰囲気中でも同様の効果が得られる。
ＹＡＧレーザ−、電子線ビームを用いた実施例について
述べたが、本発明の原理は窒化アルミニウムの一部に高
エネルギーを加え、分解反応を起させることにあるため
、実施例以外のレーザー光線、高エネルギー線を用いて
も同様の効果が得られる。 ゛ また雰囲気についても空気中、窒素中、真空中などの他
にも中性、還元性雰囲気中でも同様の効果が得られる。
またスルーホールの直径については、高エネルギー線の
ビーム径出力、照射時間などに依存する友め、実施例に
はその一例を示したものであり、他の直径値も可能であ
る。
ビーム径出力、照射時間などに依存する友め、実施例に
はその一例を示したものであり、他の直径値も可能であ
る。
Claims (1)
- 窒化アルミニウム基板上に高エネルギー線を照射し、ス
ルーホール形成と該スルーホール内への導体層形成を同
時に行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27749184A JPS61156897A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27749184A JPS61156897A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156897A true JPS61156897A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17584335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27749184A Pending JPS61156897A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156897A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013211390A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Dowa Holdings Co Ltd | セラミックス回路基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136976A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | 株式会社日立製作所 | 非酸化物系セラミツクス基板への電気回路形成方法 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27749184A patent/JPS61156897A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136976A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | 株式会社日立製作所 | 非酸化物系セラミツクス基板への電気回路形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013211390A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Dowa Holdings Co Ltd | セラミックス回路基板の製造方法 |
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