TWI667359B - 漿液塗布之方法與系統 - Google Patents
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Abstract
本發明提供採用漿液形成毗鄰基板之層之系統及方法。該等層可包括(例如)鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、及鈮、其氧化物、其氮化物、其硫化物或其組合中之一或多者。在一些實例中,該等層係不銹鋼層。
Description
此申請案主張2015年2月10日提出申請之美國臨時專利申請案第62/114,560號及2015年9月24日提出申請之美國臨時專利申請案第62/232,161號之優先權,該等案件中之每一者均以全文引用方式併入本文中。
鋼可為鐵及其他元素(包括碳)之合金。當碳係主要合金元素時,其在鋼中之含量可介於0.002重量%與2.1重量%之間。並非加以限制,以下元素可存於鋼中:碳、錳、磷、硫、矽、及痕量氧、氮及鋁。經添加以改變鋼之特徵之合金元素可包括(但不限於):錳、鎳、鉻、鉬、硼、鈦、釩及鈮。
不銹鋼可為不易被水腐蝕、生銹(或氧化)或沾污之材料。不銹鋼可具有不同級別及表面光度以適應給定環境。可使用不銹鋼,其中鋼之性質及耐腐蝕性均有益。
本發明提供使用漿液形成材料層之系統及方法。該等材料層之實例包括(但不限於)不銹鋼、矽鋼及噪音振動聲振粗糙度阻尼鋼。
本發明提供採用漿液形成毗鄰基板之層之系統及方法。該等層可包括(例如)鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、及鈮、其氧化物、其氮化物、其硫化物或其組合中之一或多者。
在態樣中,本發明提供用於形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之漿液,其包含:(a)溶劑;(b)合金用劑,其中該合金用劑包含至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至基板或至基板中;(c)鹵化物活化劑,其促進該至少一種元素金屬擴散至基板;及(d)惰性物質,其有助於使合金用劑分散於溶劑中,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
在一些實施例中,合金用劑經組態以擴散至基板中。在一些實施例中,合金用劑之粒度大於惰性物質之粒度。在一些實施例中,合金用劑之粒度小於約140網目。在一些實施例中,合金用劑包含碳。在一些實施例中,合金用劑包含過渡金屬。在一些實施例中,合金用劑係選自由以下組成之群:鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。在一些實施例中,合金用劑係過渡金屬之鐵合金。在一些實施例中,合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。在一些實施例中,合金用劑係鹽或氧化物。在一些實施例中,至少一種元素金屬係過渡金屬。在一些實施例中,該至少一種元素金屬係選自由以下組成之群:鉻、鎳、鋁、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。
在一些實施例中,鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。在一些實施例中,鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化銨(NH4Cl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、硫化鉬(MoS)、硫化錳(MnS)、二硫化鐵(FeS2)、硫化鉻(CrS)、硫化鐵
(FeS)、硫化銅(CuS)、硫化鎳(NiS)及其組合。在一些實施例中,鹵化物活化劑係水合物。在一些實施例中,鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。在一些實施例中,鹵化物活化劑對基板無腐蝕性。在一些實施例中,鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,鹵化物活化劑在加熱時分解為氧化物。在一些實施例中,鹵化物活化劑有助於使合金用劑分散於溶劑中。
在一些實施例中,惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。在一些實施例中,黏土係膨潤土、蒙特利黏土(Monterey clay)、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。在一些實施例中,惰性物質與其自身及/或漿液中之金屬鹵化物活化劑形成氫鍵。在一些實施例中,惰性物質之粒度小於或等於約140網目。在一些實施例中,溶劑係水性溶劑。在一些實施例中,溶劑係有機溶劑。在一些實施例中,有機溶劑係選自由以下組成之群:醇、烴、酮及其組合。在一些實施例中,醇係C1至C8醇。在一些實施例中,溶劑包含無機黏合劑。在一些實施例中,無機黏合劑係矽酸鈉。在一些實施例中,溶劑包含有機黏合劑。在一些實施例中,有機黏合劑係甲基纖維素或聚氧化乙烯(PEO)。在一些實施例中,合金用劑經組態以經由化學氣相沈積(CVD)反應沈積至基板之表面上。在一些實施例中,在乾燥漿液時鹵化物活化劑充當黏合劑。在一些實施例中,溶劑具有小於或等於約200℃之沸騰溫度。在一些實施例中,漿液之黏度為約1厘泊(cP)至1,000,000cP。在一些實施例中,漿液之比重為約1至10。在一些實施例中,漿液之剪切稀化指數為約1至8。在一些實施例中,漿液之pH為約3至12。
在另一態樣中,本發明提供用於形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之漿液,該漿液包含:(a)溶劑;(b)合金用劑,其中該合金用劑包含至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至基板或至基板中;(c)鹵化物活化劑,其有助於該至少一種元素金屬擴散至基板,其中鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1;及(d)惰性物質,其有助於使合金用劑懸浮於漿液中。在一些實施例中,合金用劑經組態以擴散至基板中。
在另一態樣中,本發明提供產生漿液之方法,其包含:(a)將合金用劑、鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質提供至器皿中以提供混合物,其中惰性物質之粒度小於或等於約200網目;及(b)使具有合金用劑、鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質之混合物經受混合,藉此產生漿液。
在一些實施例中,該方法進一步包含在(a)中將合金用劑、鹵化物活化劑及惰性物質添加至溶劑中以產生混合物。在一些實施例中,該方法進一步包含在(b)中將酸添加至混合物中。在一些實施例中,酸促進控制漿液之黏度及/或穩定性。在一些實施例中,混合係以約1s-1至10000s-1之剪切速率進行。
在一些實施例中,合金用劑包含碳。在一些實施例中,合金用劑包含鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合中之一或多者。在一些實施例中,合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。
在一些實施例中,鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。在一些實施例中,鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、
三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化銨(NH4Cl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、硫化鉬(MoS)、硫化錳(MnS)、二硫化鐵(FeS2)、硫化鉻(CrS)、硫化鐵(FeS)、硫化銅(CuS)、硫化鎳(NiS)及其組合。在一些實施例中,鹵化物活化劑係水合物。在一些實施例中,鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。在一些實施例中,鹵化物活化劑之鹵離子對合金用劑之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。在一些實施例中,黏土係膨潤土、蒙特利黏土、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。
在一些實施例中,惰性物質之粒度小於或等於約600網目。在一些實施例中,溶劑係水性溶劑。在一些實施例中,溶劑係有機溶劑。在一些實施例中,溶劑包含無機黏合劑。在一些實施例中,無機黏合劑係矽酸鈉。在一些實施例中,溶劑包含有機黏合劑。在一些實施例中,有機黏合劑係甲基纖維素或聚氧化乙烯(PEO)。
在另一態樣中,本發明提供產生漿液之方法,該方法包含:(a)將合金用劑、金屬鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質提供至器皿中以提供混合物,其中鹵化物活化劑之鹵離子對合金用劑之莫耳比為最多約10:1;及(b)使具有合金用劑、金屬鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質之混合物經受混合,藉此產生漿液。
在另一態樣中,本發明提供毗鄰基板利用至少一個包含至少一種元素金屬之層塗布基板之方法,該方法包含:(a)利用漿液塗布基板之至少一部分以生成漿液塗布之基板,其中該漿液包含(i)溶劑,
(ii)合金用劑,其中該合金用劑包含至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至基板或至基板中,(iii)金屬鹵化物活化劑,其促進該至少一種元素金屬擴散至基板,及(iv)惰性物質,其有助於使合金用劑懸浮於溶劑中,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度;及(b)在足以將至少一種元素金屬擴散至基板或至基板中之條件下使漿液塗布之基板經受退火,以毗鄰基板生成包含至少一種元素金屬之層。
在一些實施例中,合金用劑經組態以擴散至基板中。在一些實施例中,該方法進一步包含,在(b)之前,在大於溶劑沸騰溫度之培育溫度下培育漿液塗布之基板,其中藉由蒸發自漿液大體去除溶劑以在漿液塗布之基板上生成乾膜。在一些實施例中,該方法進一步包含在培育溫度下在真空條件下培育漿液塗布之基板。在一些實施例中,乾膜(1)之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向)且以少量粉末化通過膠帶測試,及/或(2)能夠耐受高速輥塗製程。
在一些實施例中,該方法進一步包含將經漿液塗布之基板在培育溫度下培育約10秒至5分鐘。在一些實施例中,培育溫度為約50℃至約300℃。在一些實施例中,該方法進一步包含,在培育之後,在(b)之前在真空條件下維持具有乾膜之經漿液塗布之基板。在一些實施例中,在(a)之前,以線圈提供基板且在塗布之前鬆解該線圈。在一些實施例中,在(a)之後,將鬆解線圈繞成線圈。在一些實施例中,在(a)之前,以線、管道、管路、平板、盤繞網、浸漬成型部件、薄片、纜繩或桿提供基板。
在一些實施例中,退火條件包含退火溫度、退火時間及退火氛圍。在一些實施例中,退火溫度為約800℃至1300℃。在一些實施例中,總退火時間為約5小時至200小時,視情況包括冷卻,且視情況其中最高溫度下之時間介於1小時與100小時之間。在一些實施例中,退
火氛圍包含氫(H2)、氮(N2)、氬(Ar)或其組合。在一些實施例中,退火氛圍為真空。在一些實施例中,在(a)中,經由選自由以下組成之群之一或多者來塗布:輥塗、浸漬、塗漆、旋塗、印刷、噴霧、狹縫式塗布、簾塗、斜板式塗布及擠出式塗布。在一些實施例中,在(a)中,塗布係經由狹縫式塗布達成。在一些實施例中,該方法進一步包含,在(a)中,利用該漿液及另一漿液以至少兩個循環塗布基板之至少一部分。在一些實施例中,該漿液及該另一漿液係不同的。在一些實施例中,該方法進一步包含,在(a)中,利用該漿液以多個循環塗布基板之至少一部分。在一些實施例中,該方法進一步包含,在(a)中,利用該漿液以多個循環塗布基板之至少一部分,其中該基板係以圖案進行塗布。
在一些實施例中,在(b)中,在使經漿液塗布之基板經受退火條件之後,該基板包含包含惰性物質之殘餘物。在一些實施例中,在(b)之後,該方法進一步包含自基板去除殘餘物。在一些實施例中,在(b)中,在使經漿液塗布之基板經受退火條件之後,基板基本上不含柯肯德爾空洞(Kirkendall void)。在一些實施例中,基板包含一或多種晶粒釘紮粒子。
在一些實施例中,一或多種晶粒釘紮粒子包含選自由以下組成之群之材料:鈦、鋁、鈮、釩之金屬間化合物、氮化物、碳化物、碳氮化物及其組合。在一些實施例中,基板不包含游離碳。在一些實施例中,基板係含金屬基板。在一些實施例中,含金屬基板包含鐵、銅及鋁中之一或多者。在一些實施例中,含金屬基板係鋼。在一些實施例中,基板係陶瓷基板。在一些實施例中,層包含不銹鋼。在一些實施例中,層係外層且在外層中該至少一種元素金屬之濃度變化不超過約20wt.%。在一些實施例中,基板進一步包含毗鄰外層之結合層,其中在結合層中該至少一種元素金屬之濃度降低至小於約1.0wt.%。
在一些實施例中,基板進一步包含毗鄰結合層之核心區,該核心區包含與基板基本上相同之組成。在一些實施例中,合金用劑包含碳。在一些實施例中,合金用劑係選自由以下組成之群:鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。在一些實施例中,至少一種元素金屬係選自由以下組成之群:鉻、鎳、鋁、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。在一些實施例中,合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。在一些實施例中,金屬鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。在一些實施例中,金屬鹵化物活化劑選自以下群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化銨(NH4Cl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、硫化鉬(MoS)、硫化錳(MnS)、二硫化鐵(FeS2)、硫化鉻(CrS)、硫化鐵(FeS)、硫化銅(CuS)、硫化鎳(NiS)及其組合。
在一些實施例中,金屬鹵化物活化劑係水合物。在一些實施例中,金屬鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。在一些實施例中,金屬鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。在一些實施例中,黏土係膨潤土、蒙特利黏土、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。
在一些實施例中,惰性物質之粒度小於或等於約300網目、小於或等於約400網目、小於或等於約500網目或小於或等於約600網目。在一些實施例中,溶劑係水性溶劑。在一些實施例中,溶劑係有機溶劑。在一些實施例中,在銅乙酸噴霧(CASS)測試下,該層具有至少約1年之耐腐蝕性。在一些實施例中,在(b)期間,合金用劑中至少約95%之至少一種元素金屬擴散至基板或至基板中。在一些實施例中,在(b)期間,至少一種元素金屬經由氣相沈積反應沈積於基板之表面上並擴散至基板或至基板中。在一些實施例中,合金用劑經組態以擴散至基板中。
在另一態樣中,本發明提供用於形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之方法,該方法包含:(a)利用漿液塗布基板之至少一部分以生成經漿液塗布之基板,其中該漿液包含(i)溶劑,(ii)合金用劑,其中該合金用劑包含至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至基板或至基板中,(iii)鹵化物活化劑,其有助於該至少一種元素金屬擴散至基板,其中鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1,及(iv)惰性物質,其有助於使合金用劑懸浮於漿液中;及(b)使經漿液塗布之基板經受退火條件以使至少一種元素金屬擴散至基板或至基板中,以毗鄰基板生成至少一個包含至少一種元素金屬之層。
在一些實施例中,合金用劑經組態以擴散至基板中。在一些實施例中,該層具有不與基板連接之功能組份。
在另一態樣中,本發明提供形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,該方法包含:(a)利用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液塗布基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)在足以形成毗鄰基板之金屬層之條件下使經漿液塗布之基板經受退火,其中金屬層在介於金屬層與基板間之擴散層幫助下偶聯
至基板,其中擴散層中合金用劑之量隨深度以介於約-0.01%/微米與-5.0%/微米之間之速率變化,如藉由x射線光電子光譜法所量測。
在一些實施例中,漿液包含溶劑、鹵化物活化劑及有助於使合金用劑懸浮於漿液中之惰性物質。在一些實施例中,鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。在一些實施例中,基板係鋼基板。
在另一態樣中,本發明提供形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,該方法包含:(a)利用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液塗布基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)在足以形成毗鄰基板之金屬層之條件下使經漿液塗布之基板經受退火,其中(i)金屬層具有小於500微米之厚度,且(ii)在金屬層中,合金用劑之濃度在基板中最大且在金屬層中在約50微米或更小之深度範圍中降低不超過20wt.%,如利用x射線光電子光譜法所量測。
在一些實施例中,含金屬物體在含金屬物體之外層與基板之間全無材料不連續性。在一些實施例中,漿液包含溶劑、鹵化物活化劑及有助於使合金用劑懸浮於漿液中之惰性物質。在一些實施例中,鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
在另一態樣中,本發明提供形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,該方法包含:(a)利用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液塗布基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)在足以形成毗鄰基板之金屬層之條件下使經漿液塗布之基板經受退火,其中在金屬層中,(i)在距基板表面小於或等於30微米之深度處合金用劑具有至少10wt.%之濃度,且(ii)在距基板之表面
大於150微米之深度處合金用劑具有最多6wt.%之濃度。在一些實施例中,合金用劑包含鉻、鎳或鐵。
在一些實施例中,在距基板之表面小於或等於50微米之深度處合金用劑具有至少15wt.%之濃度。在一些實施例中,漿液包含溶劑、鹵化物活化劑及有助於使合金用劑懸浮於漿液中之惰性物質。在一些實施例中,鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。在一些實施例中,惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
本發明之另一態樣提供包含機器可執行代碼之電腦可讀媒體,該代碼在由一或多個電腦處理器執行後,實施上文或本文別處之方法中之任一者。
本發明之另一態樣提供包含一或多個電腦處理器及偶聯至該等處理器之電腦記憶體之電腦系統。電腦記憶體包含機器可執行代碼,該代碼在由一或多個電腦處理器執行後實施上文或本文別處之方法中之任一者。
自以下詳細闡述,熟悉此項技術者將易於明瞭本揭示內容之額外態樣及優點,以下闡述中僅顯示及闡述本揭示內容之闡釋性實施例。將瞭解,本揭示內容能夠具有其他及不同的實施例且其數個細節能夠在各個顯而易見方面進行修改,而所有此等皆不背離本揭示內容。因此,應將各圖式及闡釋視為實質上具有闡釋性而非限定性。
本說明書中所提及之所有出版物及專利申請案皆以引用方式併入本文中,其併入程度如同明確地且單獨地指出將每一個別出版物或專利申請案以引用方式併入一般。
2801‧‧‧電腦控制系統
2805‧‧‧中央處理單元
2810‧‧‧記憶體
2815‧‧‧電子儲存單元
2820‧‧‧通訊介面
2825‧‧‧周邊裝置
2830‧‧‧電腦網路
2835‧‧‧電子顯示器
2840‧‧‧用戶介面
本發明之新穎特徵具體闡述於隨附申請專利範圍中。藉由參考
闡述其中利用本發明原理之闡釋性實施例之下文詳細闡述及附圖(亦「圖(figure及FIG)」)將會更好地瞭解本發明之特徵及優點。
圖1闡釋形成毗鄰基板之層之方法;圖2顯示由漿液剪切速率隨水量變化而變化引起之黏度變化;圖3顯示由漿液剪切速率隨水量變化而變化引起之黏度變化;圖4顯示漿液由水量變化引起之黏度變化;圖5顯示漿液由水量變化引起之降伏應力變化;圖6係顯示由水量變化引起之黏度、剪切稀化指數及降伏應力變化之表;圖7顯示由漿液剪切速率隨鉻量變化而變化引起之黏度變化;圖8係顯示由鉻量變化引起之漿液之黏度、剪切稀化指數(10:1000及100:1000)及降伏應力變化之表:圖9顯示漿液由鉻量變化引起之黏度變化;圖10顯示漿液由鉻量變化引起之降伏應力變化;圖11顯示漿液之鉻負荷至黏度之經計算及實驗Krieger-Dougherty擬合;圖12係顯示由氧化鋁(III)量變化引起之漿液之黏度、剪切稀化指數(10:1000及100:1000)及降伏應力變化之表;圖13顯示由氧化鋁(III)量變化引起之漿液黏度變化;圖14顯示由氧化鋁(III)量變化引起之漿液降伏應力變化;圖15顯示漿液之氧化鋁(III)負荷至黏度之經計算及實驗Krieger-Dougherty擬合;圖16係顯示由氯化鎂量變化引起之漿液之黏度、剪切稀化指數(10:1000及100:1000)及降伏應力變化之表;圖17顯示漿液由氯化鎂量變化引起之黏度變化;圖18顯示漿液由氯化鎂量變化引起之降伏應力變化;
圖19顯示漿液隨氯化物來源不同隨氯化物量變化之流動性變化;圖20顯示漿液隨氯化物來源不同隨氯化物量變化之pH變化;圖21顯示漿液隨鎂鹽濃度變化之流動性變化;圖22顯示漿液隨鎂鹽各個濃度之pH變化;圖23顯示漿液隨乙酸鎂之各個濃度及剪切速率之降伏應力變化;圖24顯示漿液隨硫酸鎂之各個濃度及剪切速率之降伏應力變化;圖25顯示漿液隨各種鎂鹽在鹽之一系列濃度內之pH、黏度及降伏應力的變化;圖26顯示漿液隨各種鹽在鹽之一系列濃度內之pH、黏度及降伏應力的變化;圖27顯示漿液由各個離子濃度引起之降伏應力變化;且圖28顯示經程式化或以其他方式經組態以實施本文所提供之方法之電腦控制系統。
雖然已在本文中顯示及闡述了本發明之各種實施例,但熟習此項技術者將顯而易見,該等實施例僅作為實例提供。熟習此項技術者可作出多種變化形式、改變形式及替代形式而不背離本發明。應瞭解,可採用本文所述本發明實施例的各種替代形式。
如本文所使用,術語「漿液」通常係指包含液相及固相之溶液。固相可存於液相中。漿液可具有一或多種液相及一或多種固相。
如本文所使用,術語「毗鄰(adjacent或adjacent to)」通常係指「緊挨」、「鄰接」、「與……接觸」及「接近」。在一些情形下,毗鄰可為「在上方」或「在下方」。毗鄰第二層之第一層可與第二層
直接接觸,或可在第一層與第二層之間存在一或多個介入層。
本發明提供漿液組合物(或漿液)以及採用該等漿液形成毗鄰基板之層之系統及方法。該等層可包括(例如)鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、及鈮、其氧化物、其氮化物、其硫化物或其組合中之一或多者。
本發明提供用於形成毗鄰基板之層之漿液。漿液可包括各種組份。漿液之組份可包括合金用劑、活化劑(例如鹵化物活化劑)、溶劑及惰性物質。合金用劑可含有至少一種元素物質,該等元素物質經組態以擴散至基板或至基板中。活化劑可促進元素物質至基板或至基板中之擴散。可在惰性物質之幫助下使合金用劑分散於溶劑。惰性物質可具有小於或等於約200網目之粒度。
合金用劑中之元素物質可根據濃度梯度擴散至基板中或至基板上。例如,合金用劑中元素物質之濃度可能在基板之表面上最高且可沿基板之深度根據一梯度降低。濃度降低可為線性式、抛物線式、高斯式(Gaussian)或其任一組合。可基於欲形成於基板上之合金層之期望厚度選擇漿液中合金用劑之濃度。合金用劑之粒度可小於約140網目。
合金用劑中之元素物質可為過渡金屬。合金用劑中之元素物質可為鉻、鎳、鋁、矽、釩、鈦、硼、鎢、鉬、鈷、錳、鋯、鈮或其組合。
合金用劑可包含碳。對於一些應用,合金用劑含有低含量之碳。合金用劑可包含過渡金屬。合金用劑可包含鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮或其組合。合金用劑可為過渡金屬之鐵合金。合金用劑可為矽鐵(FeSi)、鐵鉻(FeCr)、鉻(Cr)或其組合。合金用劑可為鹽或氧化物。合金用劑可包含鉻、鎳、鐵或其組合。
活化劑可促進合金用劑中之元素物質至基板之擴散。活化劑可為鹵化物活化劑。鹵化物可將合金用劑中之元素物質輸送至基板之表面且由此促進元素物質至基板之擴散。例如,合金用劑可包含鉻且鹵化物活化劑可包含氯化物。氯化物前體可將鉻輸送至基板之表面。鹵化物活化劑之鹵離子對元素物質之莫耳比可為最多約0.0001:1、0.001:1、0.1:1、0.5:1、1:1、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1或10:1。鹵化物活化劑之鹵離子對元素物質之莫耳比可為約0.0001:1至10:1或0.001:1至5:1。鹵化物活化劑之鹵離子對元素物質之莫耳比可為最多約10:1。
活化劑可促進合金用劑中之元素物質至基板之擴散。活化劑可為金屬鹵化物活化劑。金屬鹵化物可將合金用劑中之元素物質輸送至基板之表面且由此促進元素物質至基板之擴散。例如,合金用劑可包含鉻且金屬鹵化物活化劑可包含氯化物。氯化物前體可將鉻輸送至基板之表面。金屬鹵化物活化劑之鹵離子對元素物質之莫耳比可為最多約0.0001:1、0.001:1、0.1:1、0.5:1、1:1、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、或10:1。金屬鹵化物活化劑之鹵離子對元素物質之莫耳比可為約0.0001:1至10:1或0.001:1至5:1。
活化劑亦可影響漿液與基板之黏著。另外,活化劑可影響漿液之黏度。此外,活化劑可影響經漿液塗布之基板之濕強度。濕強度通常係指在漿液完全固化之前經漿液塗布之基板經受處置或機械加工之能力。因此,可基於漿液與基板黏著之期望程度、漿液之期望黏度及活化劑增加經漿液塗布之基板之濕強度之能力來選擇活化劑。另外,可基於活化劑對基板之腐蝕性來選擇活化劑。例如,由於一些金屬鹵化物對金屬基板可具有腐蝕性且由於腐蝕可能不合意,故可能不選擇彼等金屬鹵化物作為活化劑。另外,一些金屬鹵化物可能對將漿液施加至基板之輥塗總成之組件具有腐蝕性。該腐蝕可能不合意。因此,
可能不選擇彼等金屬鹵化物作為活化劑。活化劑可防止在合金用劑及基板之邊界界面處形成柯肯德爾空洞。在加熱時,鹵化物活化劑可分解為氧化物。在退火後,活化劑可充當黏合劑。另外,在退火後,活化劑可變得惰性。活化劑之濃度可變化。在一些實施例中,活化劑之濃度可有極大變化。活化劑之濃度可取決於添加至漿液中之黏合劑之量。
活化劑可為金屬聚合物。活化劑可包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。活化劑可為二-金屬鹵化物。活化劑之實例包括氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化銨(NH4Cl)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)及其組合。
氯化鎂可為較氯化鐵更合意之活化劑。氯化鎂之成本可能較氯化鐵更廉價,然而其所提供之濕強度與由氯化鐵提供之濕強度類似。利用氯化鎂作為活化劑之漿液可展現黏度增加。漿液之黏度增加可能不會增加乾燥漿液塗層之厚度。
活化劑可為水合物。水合活化劑之非限制性實例包括氯化亞鐵四水合物(FeCl2‧4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2‧6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2‧6H2O)。氯化鎂六水合物可為較氯化亞鐵四水合物更合意之水合活化劑。氯化鎂六水合物之成本較氯化亞鐵四水合物可能更廉價。另外,氯化鎂六水合物較氯化亞鐵四水合物可能對基板之腐蝕性更小。
可使用鹽添加劑獲得漿液之期望物理性質。鹽可為單價鹽或二價鹽。鹽添加劑之非限制性實例包括硫化鉬(II)(MoS)、硫化錳(II)
(MnS)、硫化鐵(II)(FeS)、硫化鐵(II)(FeS2)、硫化鐵(III)(Fe2S3)、硫化鉻(III)(Cr2S3)、硫化銅(II)(CuS)、硫化鎳(II)(NiS)、硫化鎂(II)(MgS)、乙酸鎂(II)Mg(OAc)2及硫酸鎂MgSO4。氯化鎂(MgCl2)、氯化銨(NH4Cl)、氯化鐵(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鈉(NaCl)、乙酸鈉(NaOAc)、碳酸鈉(Na2CO3)、氯化鋰(LiCl)、乙酸鋰(LiOAc)、氯化鉀(KCl)、乙酸銨(NH4OAc)、乙酸鋁(Al(OAc)3)、鹼式乙酸鋁(Al(OH)(OAc)2)、二鹼式乙酸鋁(Al(OH)2(OAc))。
漿液可包含溶劑。可單獨或作為溶劑混合物使用之溶劑之實例包括質子溶劑、非質子溶劑、極性溶劑及非極性溶劑。溶劑之非限制性實例包括醇,例如水、甲醇、乙醇、1-丙醇及2-丙醇;脂肪族及芳香族烴,例如戊烷、己烷、環己烷、甲基環己烷、苯、甲苯及二甲苯;醚,例如二乙醚、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃及二噁烷;鹵化烴,例如二氯甲烷、氯仿、1,1,2,2-四氯乙烷及氯苯;酯及內酯,例如乙酸乙酯、丁內酯及戊內酯;醯胺及內醯胺,例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基吡咯啶酮,及酮,例如丙酮、二丁基酮、甲基異丁基酮及甲氧基丙酮。
漿液可包含惰性材料,該惰性材料有助於使合金用劑分散於溶劑中。可將惰性材料添加至漿液之其他組份中。惰性材料可有助於控制漿液之黏度。例如,惰性材料可因促進活化劑與溶劑之間之氫鍵結而增加黏度。另外,可在惰性材料與活化劑之間形成氫鍵。此外,惰性材料可防止合金用劑自懸浮液掉落。此外,惰性材料可防止在退火製程期間形成「黏著物(sticker)」。
惰性材料之實例包括(但不限於)氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、膨潤土、蒙特利黏土、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土、其他黏土及其組合。惰性材料可包括該材料之非化學計量變體。
溶劑之沸點(或沸騰溫度)可小於或等於約200℃、190℃、180℃、170℃、160℃、150℃、140℃、130℃、120℃、110℃或100℃。
鉻粒子之大小可大於漿液中之其他粒子,且可在不添加高聚合物下懸浮。
可將有機黏合劑(例如甲基纖維素及聚氧化乙烯(PEO))添加至漿液中。可將無機黏合劑(例如矽酸鈉)添加至漿液中。有機黏合劑及無機黏合劑可容許活化劑之量減少而不犧牲濕強度及流變性質。
惰性材料之粒度可小於約140網目。惰性材料之粒度可小於或等於約200網目、300網目、400網目、500網目或600網目。惰性材料之粒度可小於或等於約200網目。該粒度可有助於在退火後促進惰性材料之去除。
漿液之性質可隨用於形成漿液、維持漿液或施加漿液之一或多種參數變化。該等性質可包括黏度、剪切稀化指數及降伏應力。該性質可包括雷諾數(Reynolds number)、黏度、pH及漿液組份濃度。可影響漿液性質之參數可包括水含量,合金用劑一致性及含量、鹵化物活化劑一致性及含量及惰性物質一致性及含量、溫度、剪切速率及混合時間。
本發明亦提供形成漿液之方法。漿液可藉由在混合室(或器皿)中混合漿液之各種組份形成。在一些實例中,漿液係藉由在室中混合一或多種溶劑、一或多種合金用劑、一或多種鹵化物活化劑及一或多種惰性物質形成。該等組份可同時或依序混合。例如,在室中提供溶劑且隨後將合金用劑添加至室中。
圖1闡釋形成毗鄰基板之層之方法。在操作110中,自合金用劑、活化劑、溶劑及惰性物質之組合製備漿液,如本文別處所述。可將該等組份依序或同時添加至混合器皿中。接下來,在操作120中,可自混合器皿將漿液施加至基板。在操作130中,在施加後藉由在90
℃至175℃下熱乾燥或真空乾燥10秒至60秒去除漿液中之溶劑。在操作140中,輥軋網板或基板材料或以其他方式製備用於熱處理。混合順序為首先裝載水,接下來添加鹽,接下來氧化鋁,且最後添加鉻。
在漿液產生期間,可將合金用劑、活化劑、溶劑及惰性物質混合在一起。為防止結塊,可以受控量將乾成份添加至溶劑中。惰性材料及合金用劑可呈乾粉末形式。
用於混合漿液組份之刀片可呈掃帚、叉或槳形狀。可使用一個以上刀片來混合漿液組份。每一刀片可具有不同形狀或相同形狀。可以受控量將乾成份添加至溶劑中以防止結塊。可能需要高剪切速率幫助控制黏度。
漿液可展現觸變性質,其中漿液在經受剪切應變時展現降低之黏度。漿液之剪切稀化指數可在約1至約8之間。為達成目標黏度,混合可以高剪切速率進行。剪切速率可介於約1s-1(或Hz)至約10,000s-1之間。剪切速率可為約1s-1、約10s-1、約100s-1、約1,000s-1、約5,000s-1或約10,000s-1。
可在各種儀器上量測漿液之剪切速率。可在(例如)TA Instruments DHR-2流變計上量測剪切速率。漿液之剪切速率可端視用於實施量測之儀器而有所不同。
為達成目標或預定黏度,混合可進行介於1分鐘與2小時之間之時間段。較佳地,混合時間小於30分鐘。漿液混合的愈長,漿液之黏度可能愈低。混合時間可對應於為均質化漿液所需之時間長度。
適當混合狀態可為漿液在表面上不具有水之階段。適當混合狀態可為器皿底部無固體之狀態。漿液之色彩及質地可能似乎均勻。
漿液之期望黏度可為適於輥之黏度塗。漿液之黏度可在約1厘泊(cP)至5,000,000cP之間。漿液之黏度可為約1cP、約5cP、約10cP、約50cP、約100cP、約200cP、約500cP、約1,000cP、約10,000
cP、約100,000cP、約1,000,000cP或約5,000,000cP。漿液之黏度可為約1cP至1,000,000cP或100厘泊cP至100,000cP。漿液之黏度可取決於剪切速率。漿液之黏度可在約200cP至約10,000cP或約600cP至約800cP之間。在具有介於1000s-1與1000000s-1間之剪切速率之應用剪切窗口中漿液可在100cP與200cP之間。漿液之毛細管數值可在約0.01至10之間。漿液之降伏應力可在約0至1Pa之間。
漿液之沉降速率可穩定的分離或沉降大於1分鐘、大於15分鐘、大於1小時、大於1天、大於1個月或大於1年。漿液之沉降速率可指漿液在未混合下在沉降發生之前或在黏度增加至不適於輥塗之值之前能夠經受之時量。類似地,漿液之儲放壽命可指漿液在未混合下在漿液增稠至不適於輥塗之程度之前可經受之時間。即使漿液沉降並增稠,然而,可將漿液再混合至其初始黏度。漿液之觸變指數可係穩定的使得漿液不會在輥塗總成之盤之死點處增稠至不適宜位準。
可藉由在混合期間將酸添加至漿液中而控制氫鍵結之程度來控制漿液之黏度。另外,可在混合期間將酸或鹼可添加至漿液中以便控制漿液之pH值。漿液之pH值可在約3至約12之間。漿液之pH值可為約5至約8。漿液之pH值可為約3、約4、約5、約6、約7、約8、約9、約10、約11或約12。漿液之pH值可在漿液沉降時有所變化。在漿液沉降之後再混合漿液可使漿液之pH值返回至初始pH值。可將不同量之黏合劑(例如,金屬乙酸鹽)添加至漿液中以增加在漿液中之濕強度。
可藉由傾斜測試量測漿液之流動性。傾斜測試可指示降伏應力及黏度。作為替代,可使用流變計量測漿液之流動性。
添加成份之順序可為如下:首先,將活化劑添加至溶劑中,然後添加惰性材料;然後,將合金用劑添加至混合物中。然後可將酸添加至混合物中以便控制混合物之pH值。可無需添加之方法來達成可接受之漿液性質
漿液之乾燥時間可足夠的長使得漿液在輥塗製程期間保持濕潤且直至在將漿液之塗層施加至基板之後才會乾燥。漿液在室溫下可能不會乾燥。在使輥塗管線之乾燥區經受約十秒加熱之後,漿液可能變得摸上去乾燥。所施加熱之溫度可為約120℃。
漿液之比重可為約1g/cm3至10g/cm3。漿液之濕強度可使得漿液能夠經受輥塗而使得經漿液塗布之基板不會損壞。例如,在毗鄰塗漆室之乾燥烘箱中輥塗之後乾燥之乾漿液膜之濕強度可容許膜耐受使膜在交替負方向及正方向上彎曲至具有20英吋直徑之弧二十次之力。乾漿液膜之濕強度可進一步容許膜以少量粉末化通過膠帶測試。膠帶測試可涉及使一片膠帶與經塗布材料表面接觸。膠帶足夠透明以在自經塗布材料之表面去除之後可使人透視黏著至膠帶之任何粉末。
在製備漿液之後,可藉助(例如)輥塗製程將其施加至基板。基板可包含金屬,例如鐵、銅、鋁或其任一組合。基板可包含金屬之合金。合金可包括雜質。基板可包含鋼。基板可為鋼基板。基板可包含陶瓷。基板可全無游離碳。基板可自熔融相製得。基板可呈冷軋狀態、呈軋硬狀態(例如,在冷軋後未經受退火步驟)或呈熱輥軋酸洗狀態。
基板之表面可不含處理氧化物。此可藉由習用酸洗來達成。基板之表面可合理的不含有機材料。在利用市售清潔劑處理之後,基板之表面可合理的不含有機材料。
在基板之製備期間晶粒釘紮粒子可添加、去除或自基板保留以便控制基板之粒度。例如,可將晶粒釘紮物添加至基板中以便使粒度較小且形成釘紮點。作為另一實例,晶粒釘紮物可自基板保留以容許晶粒長大且容許電動機層壓。晶粒釘紮物在退火溫度下可能不溶。
晶粒釘紮粒子之實例包括鈦、鋁、鈮、釩之金屬間化合物、氮化物、碳化物、碳氮化物及其組合。晶粒釘紮粒子之非限制性實例包
括鈦氮化物(TiN)、鈦碳化物(TiC)及氮化鋁(AlN)。
可藉由輥塗、單層塗布(split coating)、旋塗、狹縫式塗布、簾塗、斜板式塗布、擠出式塗布、塗漆、噴霧塗漆、靜電機制、印刷(例如,2-D印刷、3-D印刷、網版印刷、圖案印刷)、化學氣相沈積、浸漬、噴霧、其組合或藉助任何其他適宜方法將漿液施加至基板。
在將漿液施加至基板之前可預處理基板。可藉由使用化學品預處理基板以修飾基板之表面以便改良漿液與基板表面之黏著。該等化學品之實例包括鉻酸鹽及磷酸鹽。
可藉由各種方式(例如輥塗)將漿液施加至基板。輥塗製程可始於提供基板,例如鋼基板。基板可以下列形式提供:線圈、盤繞網、線、管道、管路、層片、網絲、浸漬成型部件、箔、板、薄片(例如,薄片可具有自0.001英吋至0.100英吋之任一厚度)、纜繩或桿或螺紋桿(其中螺旋圖案已施加至桿之任一長度或厚度)。接下來,可鬆解盤繞基板。接下來,可將鬆解鋼基板提供至輥塗機,可利用漿液塗布該基板。接下來,可活化輥塗機使得輥塗機利用漿液塗布基板。可藉助輥塗機經由多個循環進給基板使得漿液多次施加至基板。端視漿液之性質,可合意地將多個漿液塗層施加至基板。可將多個漿液塗層施加至基板以便達成期望之漿液厚度。可在多個塗層中之每一者中使用不同的漿液調配物。可以某一方式施加漿液以(例如)在基板上形成圖案。該圖案可呈(例如)柵格、條紋、點、焊接標記或其任一組合之形式。同一基板上之多個塗層可在基板上形成單層塗層。
在將漿液施加至基板後,可藉由加熱、蒸發、抽真空或其任一組合去除漿液中之溶劑。在驅除溶劑之後,基板可回彈。接下來,可使盤繞的經經漿液塗布之基板退火。
可將漿液塗布之盤繞基板置於蒸餾器中並使其在加熱處理期間經受受控氛圍。可能必需去除水。可能必需抽真空以在捲繞之間迫入
氫。退火製程可經由繃緊線圈或鬆散線圈退火來達成。使經漿液塗布之基板退火可容許漿液中之元素物質擴散至基板中或擴散穿過基板。在退火後至多約100% wt之元素物質可擴散至基板中或擴散穿過基板。某些製程條件可使得僅1%至5%之元素物質自塗層擴散至基板中。元素物質至基板之擴散可由漿液中之活化劑來輔助。為防止在退火期間損失活化劑,可將鹽酸添加至退火氣體中。在高溫下最小化反應器中活化劑之分壓力可維持為最小化或停止柯肯德爾孔隙之形成所必需之低沈積速率。添加太多酸性活化劑亦可造成對塗布設備或基板之腐蝕。退火製程可為連續退火製程。
可在退火之前在真空或大氣條件下培育或儲存經漿液塗布之基板。此係在退火之前進行且可用於自塗層去除殘餘污染物,例如,自塗布製程殘留之溶劑或黏合劑。培育時段可持續在約10秒至約5分鐘之間或可超過約5分鐘。培育時段可為在塗布與退火之間之時間,且可為將經塗布物件輸送至加熱處理設施或設備所需要之時長。例如,培育時段可持續約10秒、約30秒、約1分鐘、約2分鐘、約3分鐘、約4分鐘或約5分鐘。培育溫度可在約50℃至約300℃之範圍內。例如,培育溫度可高於約50℃、約75℃、約100℃、約125℃、約150℃、約175℃、約200℃、約225℃、約250℃、約275℃或約300℃。在培育之後及在退火之前,基板上之乾漿液膜可在真空條件下維持。塗層可能在輥塗製程之後在乾燥步驟之後立即摸上去乾燥。經吸收水或其他污染物可能在輥塗與退火之間之任一時間均伴隨塗布存在。
退火溫度可為約800℃、900℃、1000℃、1100℃、1200℃或1300℃。退火期間之加熱溫度可為約800℃至約1300℃,例如約900℃至約1000℃。退火氛圍可包含氫、氮、氬。退火氛圍可為真空。
總退火時間(包括加熱)可在約5小時至約200小時範圍內。例如,總退火時間可超過約5小時、約20小時、約40小時、約60小時、約80
小時、約100小時、約120小時、約140小時、約160小時、約180小時或約200小時。可在約1小時至100小時內達到退火製程期間之最大溫度。例如,可在約1小時、10小時、20小時、30小時、40小時、50小時、60小時、70小時、80小時、90小時或100小時內達到退火製程期間之最大溫度。
在熱處理期間大物件可具有熱點或冷點,其中物件可經均勻塗布但加熱不均勻。熱點或冷點可經表示以控制合金元素儘可能均勻地擴散至物件中。
在退火製程後可在基板上留下殘餘物。漿液中之活化劑可經消耗或去除(例如,沈積於蒸餾器之壁上),且由於合金用劑擴散至基板上及/或擴散至基板中其濃度有所降低。然而,在退火之後,可在基板上留下呈(例如)粉末形式之其他殘餘物。殘餘物可包含來自漿液之惰性材料。可在進一步處理(例如,回火軋壓)之前去除此殘餘物。可利用HCl氣體吹掃反應物以停止反應。利用HCl氣體之吹掃可容許形成平坦輪廓。
在退火之後,可在基板上形成層。該層可具有至少一種元素物質。該層可為具有至少一種元素物質之外層,外層中該元素物質之濃度變化小於約20wt.%、約15wt.%、約10wt.%、約5wt.%、約4wt.%、約3wt.%、約2wt.%、約1wt.%或約0.5wt.%。基板可包含毗鄰外層之結合層。在結合層中元素物質可具有降低至小於約1.0wt%之濃度。該層可包含不銹鋼。基板在退火後可基本上不含柯肯德爾空洞。該層可賦予基板該基板先前不含之特徵。例如,該層可使得基板更硬、更耐磨、更美觀、電阻更大、電阻更小、導熱性更大或導熱性更小。另外,該層可使得基板之聲速更快或更慢。
本發明提供塗布有一或多個金屬層之物體(例如,薄片、管路或線)。金屬層可包括一或多種金屬。在一些情形下,基板可經金屬層
塗布。塗層可包含具有至少一種元素金屬之合金用劑。當利用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液塗布基板時,可形成經漿液塗布之基板。可使已經合金用劑塗布之基板經受退火條件。可在介於金屬層與基板間之擴散層之幫助下使金屬層偶聯至基板。
擴散層中合金用劑之量可隨深度變化。擴散層中之合金用劑量可隨深度以某一速率變化,該速率例如約-0.01%/微米、約-0.01%/微米、約-0.01%/微米、約-0.05%/微米、約-0.1%/微米、約-0.5%/微米、約-1.0%/微米、約-3.0%/微米、約-5.0%/微米、約-7.0%/微米或約-9.0%/微米。擴散層中合金用劑之量可隨深度具有約-0.01%/微米至-5.0%/微米或約-0.01%/微米至-3.0%/微米之變化。可使用X射線光電子光譜法來量測隨深度之該量(或濃度)之變化。
合金用劑可具有如下濃度:在距基板之表面小於或等於100微米之深度處至少約5wt%、在小於或等於30微米之深度處約10wt%、在小於或等於50微米之深度處約15wt%或在小於或等於10微米之深度處約15wt%。
金屬層中合金用劑之濃度可為在距基板之表面約大於100微米之深度範圍中最多約20wt.%、在約大於110微米之深度範圍中15wt.%、在約125微米之深度範圍中約10wt.%、在約大於140微米之深度範圍中8wt.%或在約150微米之深度範圍中約6wt.%。
由於基板上金屬層之退火,金屬層中合金用劑之濃度可在某一深度範圍中降低。金屬層中合金用劑之濃度可在約100微米之深度範圍中降低不超過約50wt.%、在約90微米之深度範圍中約40wt.%、在約70微米之深度範圍中約30wt.%、在約60微米之深度範圍中約25wt.%或在約50微米之深度範圍中約20wt.%。
在使金屬層退火至基板上後,塗布至基板上之金屬層可具有某一厚度。塗布至基板上之金屬層之厚度可小於約1毫米、約900微米、
約800微米、約700微米、約600微米、約500微米、400微米、約300微米、約200微米或約100微米。
塗布有金屬層之基板之其他性質可如以下專利中所闡述:例如,美國專利公開案第2013/0171471號;美國專利公開案第2013/0309410號;美國專利公開案第2013/0252022號;美國專利公開案第2015/0167131號;及美國專利公開案第2015/0345041號,該等案件各自以全文引用方式併入本文中。
本發明之另一態樣係形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法。含金屬物體可在含金屬物體之外層與基板之間全無材料不連續性。
本發明提供經程式化以實施本發明方法之電腦控制系統。圖28顯示電腦控制系統2801,其經程式化或以其他方式經組態以產生漿液及/或將漿液塗層施加至基板。電腦控制系統2801可調控本發明方法之各個態樣,例如,產生漿液之方法及將漿液塗層施加至基板之方法。可在位於電子裝置遠端之用戶系統或電腦系統之電子裝置上實施電腦控制系統2801。電子裝置可為移動電子裝置。
電腦系統2801包括中央處理單元(CPU,在本文中亦為「處理器」及「電腦處理器」)2805,其可為單核或多核處理器,或複數個用於平行處理之處理器。電腦控制系統2801亦包括記憶體或記憶體位置2810(例如,隨機存取記憶體、唯讀記憶體、快閃記憶體)、電子儲存單元2815(例如,硬碟)、與一或多種其他系統通訊之通訊介面2820(例如,網路配接器),及周邊裝置2825,例如快取記憶體、其他記憶體、數據儲存及/或電子顯示配接器。記憶體2810、儲存單元2815、介面2820及周邊裝置2825經由通訊匯流排(實線)(例如母版)與CPU 2805通訊。儲存單元2815可為用於儲存數據之數據儲存單元(或數據
複位器)。電腦控制系統2801可在通訊介面2820之輔助下以操作方式偶聯至電腦網路(「網路」)2830。網路2830可為網際網路、網際網路及/或商際網路或與網際網路通訊之企業網路及/或商際網路。網路2830在一些情形下係電信及/或數據網路。網路2830可包括一或多個電腦伺服器,此可使得能夠進行分散式計算,例如雲端計算。網路2830在一些情形下在電腦系統2801之輔助下可實施對等式網路,此可使得裝置能夠偶聯至電腦系統2801以充當用戶端或伺服器。
CPU 2805可執行機器可讀指令之序列,此可以程式或軟體體現。可將指令儲存在記憶體位置(例如記憶體2810)中。可將指令導向至CPU 2805,該CPU可隨後程式化CPU 2805或以其他方式將CPU 2805組態以實施本發明之方法。藉由CPU 2805實施之操作之實例可包括擷取、解碼、執行及回寫。
CPU 2805可為電路(例如積體電路)之一部分。電路中可包括系統2801之一或多個其他組件。在一些情形下,電路係專用積體電路(ASIC)。
儲存單元2815可儲存檔案,例如驅動器、庫及保存程式。儲存單元2815可儲存用戶數據,例如,用戶優先權及用戶程式。在一些情形下,電腦系統2801可包括在電腦系統2801外部(例如位於經由企業網路或網際網路與電腦系統2801通訊之遠程伺服器上)之一或多個其他數據儲存單元。
電腦系統2801可經由網路2830與一或多個遠程電腦系統通訊。例如,電腦系統2801可與用戶(例如,控制經漿液塗布之基板之製造之用戶)之遠程電腦系統通訊。遠程電腦系統之實例包括個人電腦(例如,可攜式PC)、層片PC或輸入板PC(例如,Apple® iPad、Samsung® Galaxy Tab)、電話、智慧型電話(例如,Apple® iPhone、啟用Android之裝置Blackberry®)或個人數位助理。用戶可經由網路
2830進入電腦系統2801。
如本文所闡述之方法可藉助儲存於電腦系統2801之電子儲存位置上(例如,於記憶體2810或電子儲存單元2815上)之機器(例如,電腦處理器)可執行代碼來實施。機器可執行或機器可讀代碼可以軟體形式提供。在使用期間,可藉由處理器2805執行代碼。在一些情形下,可自儲存單元2815檢索代碼並將其儲存於記憶體2810上以供處理器2805就緒存取。在一些情形下,可消除電子儲存單元2815,且機器可執行指令係儲存於記憶體2810上。
代碼可經預編譯及組態以與具有適於執行代碼之處理器之機器一起使用,或可在運行時間期間進行編譯。代碼可以程式語言提供,該程式語言可經選擇以使得代碼能夠以預編譯或編譯後原樣之方式執行。
本文所提供系統及方法之態樣(例如電腦系統2801)可以程式化來體現。該技術之各種態樣可被認為係通常呈以機器可讀媒體之類型實施或體現之機器(或處理器)可執行代碼及/或相關數據之形式之「產品」或「製品」。機器可執行代碼可儲存於電子儲存單元(例如記憶體(例如,唯讀記憶體、隨機存取記憶體、快閃記憶體)或硬碟)上。「儲存」類型媒體可包括電腦、處理器或諸如此類之任何或所有有形記憶體或其相關模組,例如各種半導體記憶體、磁帶驅動器、磁碟驅動器及諸如此類,該等可在任一時間提供非暫時性儲存用於軟體程式化。所有或部分軟體有時可經由網際網路或各種其他電信網路通訊。例如,該等通訊可使得能夠將軟體自一個電腦或處理器裝載至另一者中,例如,自管理伺服器或主電腦至應用伺服器之電腦平臺中。因此,可具有軟體元件之另一類型媒體包括光波、電波及電磁波,例如跨越局部裝置間之物理界面、經由有線及光學陸上通訊線網路及遍於各種空中鏈路上使用。攜載該等波之物理元件(例如有線或無線鏈
路、光學鏈路或諸如此類)亦可視為具有軟體之媒體。如本文所使用,除非限於非暫時性、有形「儲存」媒體,否則諸如電腦或機器「可讀媒體」等術語係指參與向處理器提供指令用於執行之任一媒體。
因此,機器可讀媒體(例如電腦可執行代碼)可呈許多形式,包括(但不限於)有形儲存媒體、載波媒體或物理傳輸媒體。非揮發性儲存媒體包括(例如)光學或磁碟,例如任何電腦或諸如此類中之任何儲存裝置,例如可用於實施顯示於繪圖中之數據庫等。揮發性儲存媒體包括動態記憶體,例如此一電腦平臺之主記憶體。有形傳輸媒體包括同軸電纜;銅線及光纖,包括在電腦系統內包含匯流排之線。載波傳輸媒體可呈電信號或電磁信號或聲波或光波之形式(例如彼等在射頻(RF)及紅外線(IR)數據通訊期間生成者)。因此,電腦-可讀媒體之常見形式包括例如:軟碟、軟性磁碟、硬碟、磁帶、任一其他磁介質、CD-ROM、DVD或DVD-ROM、任一其他光學介質、打孔卡片紙帶、具有孔洞圖案之任一其他物理儲存媒體、RAM、ROM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任一其他記憶體晶片或記憶體匣、輸送數據或指令之載波、輸送此一載波之電纜或鏈路、或電腦可自其讀取程式碼及/或數據之任一其他媒體。該等電腦可讀媒體形式中之許多均可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器用於執行。
電腦系統2801可包括包含用戶介面(UI)2840之電子顯示器2835或與該顯示器通訊用於提供(例如)產生漿液及/或將漿液施加至基板之參數。UI之實例包括(但不限於)圖形用戶介面(GUI)及基於網頁之用戶介面。
可藉助一或多種演算法實施本發明之方法及系統。可在由中央處理單元2805執行後藉助軟體實施演算法。演算法可(例如)調控漿液之混合剪切速率、添加至漿液混合物中之每一成份之量及向漿液混合
物中添加各成份之順序。作為另一實例,演算法可調控將漿液施加至基板之速度及施加至基板之漿液塗層之數量。
在實例中,藉由在混合室中混合水、合金用劑、鹵化物活化劑及惰性物質形成漿液,該物質較佳為鉻、氯化鎂六水合物及氧化鋁。將該等組份添加至混合室中,同時混合所得溶液。可改變混合之剪切速率,且諸如黏度及降伏應力等性質記錄、列示及顯示於圖2至圖6中。
改變添加至漿液中之水之量以形成眾多漿液,並記錄對漿液之性質產生之效應。接下來,經由輥塗製程將漿液施加至碳鋼基板。然後使漿液在200℃下退火2小時。然後在約2小時至約100小時或更長時間之間將漿液乾燥至完全。滲鉻物件表面附近之氛圍可低於-20℉露點。
在另一實例中,藉由在混合室中混合漿液之各種組份形成漿液。藉由在高剪切混合器中混合溶劑(例如水)、合金用劑(例如矽酸鐵)、鹵化物活化劑(例如氯化鐵)及惰性物質(例如鉻)形成漿液。改變剪切速率,且諸如黏度及降伏應力等性質記錄及列示於圖7至圖10中。改變添加至漿液中之鉻之量以形成眾多漿液,並記錄對漿液之性質產生之效應。然後將漿液施加至基板輥塗層。在基板上乾燥漿液,此使得基板經介於20秒與120秒間之時間達到介於70℃至120℃間之溫度。去除過量漿液,之後進行後續處理。
在另一實例中,藉由在混合室中混合漿液之各種組份形成漿液。藉由在室中混合溶劑(例如水)、合金用劑(例如矽酸鐵)、鹵化物
活化劑(例如氯化鐵)及惰性物質(例如氧化鋁(III))形成漿液。改變剪切速率,且諸如黏度及降伏應力等性質記錄及列示於圖12至圖14中。改變添加至漿液中之氧化鋁之量以形成眾多漿液,並記錄對漿液之性質產生之效應。然後經由單一步驟製程將漿液施加至基板。在基板上乾燥漿液,此使得基板經介於20秒與120秒間之時間達到介於70℃至120℃間之溫度。去除過量漿液,之後進行後續處理。
在另一實例中,藉由在混合室中混合漿液之各種組份形成漿液。藉由在室中混合溶劑(例如水)、合金用劑(例如矽鐵)、鹵化物活化劑(例如氯化鐵)及惰性物質(例如氧化鋁)形成漿液。改變剪切速率,且諸如黏度、降伏應力、流動性及pH等性質記錄及列示於圖16至圖18、圖21及圖22中。改變添加至漿液中之氯化鎂之量以形成眾多漿液,並記錄對漿液之性質產生之效應。
在另一實例中,形成包含15g鉻、5.25g氧化鋁、0.25g MgCl2.6H2O及4.2g至5.4g量(增量為0.2g)之水的漿液。將該等組份添加至混合室中,同時混合所得溶液。可改變混合之剪切速率,且諸如黏度及降伏應力等性質記錄、列示及顯示於圖2至圖6中。
圖2及圖3闡釋水量變化可影響漿液黏度之實例。該等圖顯示各個曲線A至G,其中黏度可隨剪切速率增加有所降低。該等曲線係按照水含量增加之順序。例如,曲線A具有4.2克(g)之水含量且曲線G具有5.4g之水含量。通常,剪切速率增加可降低漿液之黏度。水量增加可降低漿液之黏度。在一些情形下,漿液在約0.01s-1至1,000s-1之剪切速率下可具有約1×10-2帕斯卡(pascal,Pa)秒至100Pa秒之黏度。例如,漿液可具有在4s-1下10Pa秒或在7400s-1下1×10-2Pa秒之黏度。
漿液之黏度可隨漿液中水之重量而變化。圖4闡釋由漿液之水量
變化引起之在固定剪切速率下(1000s-1)之黏度變化。漿液中水重量之增加可降低漿液之黏度。該降低可係線性的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中水之重量約4.2g下約140厘泊(cP)至在水重量5.4g下60cP。
漿液之降伏應力可隨漿液中水之重量而變化。圖5闡釋由漿液之水量變化引起之降伏應力變化。漿液中水重量之增加可降低漿液之降伏應力。該降低可係線性的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中水重量約4.2g下約70帕斯卡(Pa)至在水重量5.4g下約30Pa。
圖6闡釋由水量變化引起之黏度、剪切稀化指數及降伏應力之變化。通常,增加漿液中水之量可降低漿液之黏度。該降低可係線性的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中水重量約4.2g下約136厘泊(cP)至在水重量5.4g下61cP。通常,增加漿液中水之量可降低漿液之剪切稀化指數。該降低可係線性的。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中水重量約4.2g下約6.1(100:1000s-1)至在水重量5.4g下約5.8。漿液中水重量之增加可降低漿液之降伏應力。該降低可係線性的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中水重量約4.2g下約71帕斯卡(Pa)至在水重量5.4g下約30Pa。
漿液之黏度可隨漿液中合金用劑(例如鉻)之重量變化。圖7闡釋鉻量變化可影響漿液黏度之實例。形成包含5g水、5.25g氧化鋁、0.25g MgCl2.6H2O及介於1g與35g間之量之鉻之漿液。該圖顯示各種曲線A至J,其中黏度可隨剪切速率增加而降低。該等曲線係按照鉻含量增加之順序。例如,曲線A具有1.0克(g)之鉻含量且曲線J具有35.0g之水含量。通常,增加剪切速率可降低漿液之黏度。增加鉻量可降低漿液之黏度。在一些情形下,漿液在約0.01s-1至1,000s-1之剪
切速率下可具有約1×10-2帕斯卡(Pa)秒至100Pa秒之黏度。例如,漿液在0.01s-1下可具有1,000Pa秒之黏度。例如,漿液在1,000s-1下可具有1×10-2Pa秒之黏度。
漿液之黏度、剪切稀化指數及降伏應力可隨漿液中合金用劑(例如鉻)之重量變化。圖8闡釋由鉻量變化引起之黏度、剪切稀化指數及降伏應力之變化。通常,增加漿液中鉻之量可增加漿液之黏度。該增加可為指數式的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中鉻重量約1.0g下約26厘泊(cP)至在鉻重量35.0g下442cP。通常,增加漿液中鉻之量可降低漿液之剪切稀化指數。該降低可係線性的。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中鉻之重量約1.0g下約42(10:1000s-1)至在鉻重量35.0g下約6。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中鉻之重量約1.0g下約5.5(100:1000s-1)至在鉻重量35.0g下約3.0。漿液中鉻重量之增加可增加漿液之降伏應力。該增加可係線性的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中鉻之重量約1.0g下約10帕斯卡(Pa)至在鉻重量35.0g下約104Pa。
漿液之黏度可隨漿液中合金用劑(例如鉻)之重量而變化。圖9闡釋由漿液之鉻量變化引起之在固定剪切速率(1000s-1)下之黏度變化。漿液中鉻之增加可增加漿液之黏度。該增加可為指數式的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中鉻之重量約1.0g下約25厘泊(cP)至在鉻重量35.0g下約450cP。
漿液之降伏應力可隨漿液中合金用劑(例如鉻)之重量而變化。圖10闡釋由漿液中之鉻量變化引起之降伏應力變化。漿液中鉻之增加可增加漿液之降伏應力。該增加可係線性的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中之鉻重量約1.0g下約10帕斯卡(Pa)至在鉻重量35.0g下約100Pa。
圖11闡釋實驗數據及漿液之鉻負荷至黏度之經計算Krieger-
Dougherty擬合。實驗數據及漿液之鉻負荷至黏度之經計算Krieger-Dougherty擬合可充分對應。漿液中鉻之增加可增加漿液之黏度。該增加可為指數式的。
漿液之各種性質可視需要進行選擇或調整。該等性質可包括黏度、剪切稀化指數及降伏應力。在一些實例中,該等性質可隨氧化鋁含量變化。
在另一實例中,形成包含約5g水、15g鉻、0.25g MgCl2.H2O及4.5g至7.5g(0.5g增量)之量之氧化鋁之漿液。圖12闡釋由氧化鋁量變化引起之黏度、剪切稀化指數及降伏應力之變化。通常,增加漿液中氧化鋁之量可增加漿液之黏度。該增加可為指數式的。在一些實例中,在1000s-1之剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約57厘泊(cP)至在鉻重量7.5g下203cP。通常,增加漿液中氧化鋁之量可降低漿液之剪切稀化指數。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約42(10:1000s-1)至在氧化鋁重量7.5g下約14。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約5.6(100:1000s-1)至在氧化鋁重量7.5g下約5.9。漿液中氧化鋁重量之增加可增加漿液之降伏應力。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約26帕斯卡(Pa)至在氧化鋁重量7.5g下約104Pa。
漿液之黏度可隨漿液中惰性(例如氧化鋁)之重量變化。圖13闡釋由漿液之氧化鋁之量變化引起之在固定剪切速率(1000s-1)下之黏度變化。漿液中氧化鋁之增加可增加漿液之黏度。該增加可為指數式的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約50厘泊(cP)至在氧化鋁重量7.5g下約200cP。儘管不欲受限於機械理論,但漿液中較高量之氧化鋁(III)可以化學方式
與漿液相互作用而改變結構或物理性質。
漿液之降伏應力可隨漿液中惰性(例如鋁氧化物)之重量變化。圖14闡釋由漿液之氧化鋁(III)量變化引起之降伏應力變化。漿液中氧化鋁(III)之增加可增加漿液之降伏應力。該增加可為指數式的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中氧化鋁之重量約4.5g下約25帕斯卡(Pa)至在氧化鋁重量7.5g下約100Pa。
圖15闡釋漿液之氧化鋁(III)負荷至黏度之經計算及實驗Krieger-Dougherty擬合。實驗數據及漿液之氧化鋁(III)負荷至黏度之經計算Krieger-Dougherty擬合可充分對應。漿液中鋁之增加可增加漿液之黏度。該增加可為線性的或指數式的。
漿液性質可隨活化劑(例如氯化鎂)之含量改變。圖16闡釋由氯化鎂量變化引起之黏度、剪切稀化指數及降伏應力之變化。通常,增加漿液中氯化鎂之量可降低漿液之黏度。該降低可為指數式的或對數式的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中氯化鎂之重量約0.1g下約93厘泊(cP)至在氯化鎂重量4g下35cP。通常,漿液中氯化鎂量之增加可改變漿液之剪切稀化指數。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中氧化鋁之重量約0.1g下約16(10:1000s-1)至在之氯化鎂重量0.8g下約42至在氯化鎂重量4g下約16。在一些實例中,剪切稀化指數可為在漿液中氯化鎂之重量約0.1g下約5.8(100:1000s-1)至在氯化鎂重量4g下約3.1。漿液中氯化鎂重量之增加可降低漿液之降伏應力。該降低可為指數式的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中氯化鎂之重量約0.1g下約47帕斯卡(Pa)至在氯化鎂重量4g下約4Pa。
漿液之黏度可隨漿液中活化劑(例如氯化鎂)之重量變化。圖18闡釋由漿液之氯化鎂量變化引起之在固定剪切速率(1000s-1)下之黏度變
化。漿液中氯化鎂之增加可降低漿液之黏度。該降低可為指數式的。在一些實例中,在1000s-1剪切速率下之漿液黏度可為在漿液中氯化鎂之重量約0.1g下約90厘泊(cP)至在氯化鎂重量4g下約40cP。
漿液之物理性質可隨漿液中活化劑之量變化。例如,漿液之降伏應力可隨漿液中氯化鎂之重量變化。圖18闡釋由漿液之氯化鎂量變化引起之降伏應力變化。漿液中氯化鎂之增加可降低漿液之降伏應力。該降低可為指數式的。在一些實例中,漿液之降伏應力可為在漿液中氯化鎂之重量約0.1g下約50帕斯卡(Pa)至在氯化鎂重量4g下約5Pa。
圖19闡釋傾斜測試之結果,其中證實流動性隨氯化物來源不同隨漿液之氯化物量變化而變化。漿液中較高量之氯化鎂、氯化鐵及氯化鈣可與漿液增加之流動性相對應。在一些實例中,0.1莫耳的來自氯化鎂、氯化鐵及氯化鈣之氯化物可對應於約10量筒單位之漿液流動性。在一些實例中,漿液中較高量之氯化銨可極少改變漿液之流動性,且0.1莫耳的來自氯化銨之氯化物可對應於十毫升量筒上約0.5量筒單位之漿液流動性。
漿液之pH可隨漿液中所用氯化物來源變化而變化。圖20闡釋pH隨氯化物來源不同隨漿液之氯化物量變化之變化。漿液中較高量之氯化鎂、氯化銨、氯化鐵及氯化鈣可與漿液pH之略微降低相對應。在一些實例中,0.1莫耳的來自氯化鎂、氯化銨、氯化鐵及氯化鈣之氯化物可分別對應於約5、7、2及4之pH。
漿液之物理性質可受可添加至漿液中之鹽之一致性及含量之影響。圖21闡釋流動性隨漿液鎂鹽濃度變化之變化。實施漿液之傾斜測試。通常,漿液中較高量之鎂鹽(例如氯化鎂、乙酸鎂及硫酸鎂)可與漿液流動性之增加相對應。在一些實例中,0.02莫耳於硫酸鎂及乙酸
鎂中之鎂可對應於約6量筒單位之漿液流動性。在一些實例中,0.02莫耳於氯化鎂中之鎂可對應於約4量筒單位之漿液流動性。
圖22闡釋pH隨漿液鎂鹽之各個濃度之變化。通常,漿液中較高量之鎂鹽(例如氯化鎂、乙酸鎂及硫酸鎂)可與漿液pH之略微降低相對應。該降低可為指數式的。在一些實例中,0.02莫耳來自氯化鎂、乙酸鎂及硫酸鎂之鎂可分別對應於約7、7.5及6之pH。
圖23闡釋降伏應力隨漿液乙酸鎂之各個濃度及剪切速率之變化。漿液包含15g鉻、7.5g氧化鋁、5.05g水及0.01g至10g Mg(OAc)2.4H2O。通常,增加剪切速率可降低漿液之降伏應力。增加乙酸鎂之量可對應於漿液降伏應力之降低,直至達到溶解極限為止。在更多鹽溶解時可觀察到單調變薄性質,直至達到溶解極限為止。在一些實例中,漿液中乙酸鎂之量為約0.01g、1g、2g、4g或10g。
圖24闡釋降伏應力隨漿液之硫酸鎂之各個濃度及剪切速率之變化,該漿液包含15g鉻、7.5g氧化鋁、5.05g水及0.01g至10g Mg(OAc)2.7H2O。觀察到黏度隨鹽增加而降低。在更多鹽溶解時可觀察到單調稀釋性質,直至達到溶解極限為止。使用在漿液中每克水0.0018g至0.8000g MgSO4來製備試樣6至9。
圖25闡釋在漿液鹽之一系列濃度內pH、黏度及降伏應力隨各種鎂鹽之變化。
漿液之性質(例如pH、黏度及降伏應力)可受可添加至漿液中之鹽之一致性及含量之影響。圖26闡釋在漿液鹽之一系列濃度內pH、黏度及降伏應力隨各種鹽之變化。儘管不欲受限於機械理論,但陽離子化合價可直接影響漿液流變學,且鹽之離子強度可不預測漿液流變學。單價乙酸鹽可有益於目標濕強度性質。單價鹽漿液黏度在低濃度下可具有時間依賴性。儘管不欲受限於機械理論,但可添加二鹼式乙酸鋁以有益於並去除高氧化鋁負荷漿液中之表觀降伏應力且可在濕強
度測試中證實凝聚性良好但黏著較差。漿液包含15g鉻、7.5g氧化鋁、5.05g水及不同量之鹽,其中,編號1係指0.1mmol鹽,編號2係指5mmol鹽,編號3係指9mmol鹽,編號4係指20mmol鹽,且編號5係指49mmol鹽。
圖27闡釋由漿液中之各個離子濃度引起之降伏應力變化。通常,鎂鹽初始具有高降伏應力且然後證實變小。通常,單價鹽證實在添加更多鹽時變大,之後在甚至更高濃度下亦略微變小。通常,三價鹽及二鹼式乙酸鋁顯示在溶液濃度下具有極少降伏應力至沒有降伏應力。
本文之材料、裝置、系統及方法(包括材料組合物(例如,材料層))可與其他材料、裝置、系統及方法(包括材料組合物)組合或藉由其進行修改,該等其他材料、裝置、系統及方法係例如彼等闡述於以下案件中者:美國專利公開案第號2013/0171471;美國專利公開案第號2013/0309410;美國專利公開案第號2013/0252022;美國專利公開案第號2015/0167131;及美國專利公開案第號2015/0345041,該等案件中之每一者均以全文引用方式併入本文中。
儘管已在本文中顯示並闡述了本發明之較佳實施例,但熟習此項技術者將顯而易見,該等實施例僅作為實例來提供。本發明亦非意欲受本說明書內提供之特定實例限制。儘管已參照上述說明書闡述了本發明,但對本文實施例之闡述及闡釋並非意欲視為具有限制意義。熟習此項技術者現將構想出多種變化形式、改變形式及取代形式,此並不背離本發明。此外,應瞭解,本發明之所有態樣皆並非限於本文中所闡述之特定繪示、構形或相對比例,該等繪示、構形或相對比例依賴於各種條件及變量。應瞭解,可在實踐本發明中採用本文所闡述之本發明實施例之各種替代。因此預計本發明亦應覆蓋該等替代形式、修改形式、變化形式或等效形式。以下申請專利範圍意欲界定本
發明範圍並由此覆蓋該等申請專利範圍及其等效形式範圍內之方法及結構。
Claims (132)
- 一種用於形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之漿液,其包含:溶劑;合金用劑,其中該合金用劑包含該至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至該基板中;鹵化物活化劑,其促進該至少一種元素金屬擴散至該基板,其中該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物;及惰性物質,其有助於將該合金用劑分散於該溶劑中,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑之粒度大於該惰性物質之該粒度。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑之該粒度小於約140網目。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑包含碳。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑包含過渡金屬。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑係選自由以下組成之群:鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑係過渡金屬之鐵合金。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑係鹽或氧化物。
- 如請求項1之漿液,其中該至少一種元素金屬係過渡金屬。
- 如請求項1之漿液,其中該至少一種元素金屬係選自由以下組成之群:鉻、鎳、鋁、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、 鋯、鈮及其組合。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)及其組合。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑係水合物。
- 如請求項14之漿液,其中該鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑對該基板無腐蝕性。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑在加熱時分解為氧化物。
- 如請求項1之漿液,其中該鹵化物活化劑有助於將該合金用劑分散於該溶劑中。
- 如請求項1之漿液,其中該惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。
- 如請求項20之漿液,其中該黏土係膨潤土、蒙特利黏土 (Monterey clay)、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。
- 如請求項1之漿液,其中該惰性物質在該漿液中與其自身及/或該金屬鹵化物活化劑形成氫鍵。
- 如請求項1之漿液,其中該惰性物質之該粒度小於或等於約140網目。
- 如請求項1之漿液,其中該溶劑係水性溶劑。
- 如請求項1之漿液,其中該溶劑係有機溶劑。
- 如請求項25之漿液,其中該有機溶劑係選自由以下組成之群:醇、烴、酮及其組合。
- 如請求項26之漿液,其中該醇係C1至C8醇。
- 如請求項1之漿液,其中該溶劑包含無機黏合劑。
- 如請求項28之漿液,其中該無機黏合劑係矽酸鈉。
- 如請求項1之漿液,其中該溶劑包含有機黏合劑。
- 如請求項30之漿液,其中該有機黏合劑係甲基纖維素或聚氧化乙烯(PEO)。
- 如請求項1之漿液,其中該合金用劑係經組態以經由化學氣相沈積(CVD)反應沈積至該基板之表面上。
- 如請求項1之漿液,其中在乾燥該漿液時該鹵化物活化劑充當黏合劑。
- 如請求項1之漿液,其中該溶劑具有小於或等於約200℃之沸騰溫度。
- 如請求項1之漿液,其中該漿液之黏度為約1厘泊(cP)至1,000,000cP。
- 如請求項1之漿液,其中該漿液之比重為約1至10。
- 如請求項1之漿液,其中該漿液之剪切稀化指數為約1至8。
- 如請求項1之漿液,其中該漿液之pH為約3至12。
- 一種用於形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之漿液,其包含:溶劑;合金用劑,其中該合金用劑包含該至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至該基板中;鹵化物活化劑,其有助於使該至少一種元素金屬擴散至該基板,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1,其中該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物;及惰性物質,其有助於使該合金用劑懸浮於該漿液中。
- 一種產生漿液之方法,其包含:將合金用劑、鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質提供至器皿以提供混合物,其中該惰性物質之粒度小於或等於約200網目,其中該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物;及使具有該合金用劑、該鹵化物活化劑、該溶劑及該惰性物質之該混合物經受混合,藉此產生該漿液。
- 如請求項40之方法,其進一步包含在(a)中,將該合金用劑、該鹵化物活化劑及該惰性物質添加至該溶劑中以產生該混合物。
- 如請求項40之方法,其進一步包含在(b)中,將酸添加至該混合物中。
- 如請求項42之方法,其中該酸有利於控制該漿液之黏度及/或穩定性。
- 如請求項40之方法,其中該混合係以約1s-1至10000s-1之剪切速率進行。
- 如請求項40之方法,其中該合金用劑包含碳。
- 如請求項40之方法,其中該合金用劑包含鐵、鉻、鎳、矽、 釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合中之一或多者。
- 如請求項40之方法,其中該合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。
- 如請求項40之方法,其中該鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。
- 如請求項40之方法,其中該鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)及其組合。
- 如請求項40之方法,其中該鹵化物活化劑係水合物。
- 如請求項50之方法,其中該鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。
- 如請求項40之方法,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該合金用劑之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項40之方法,其中該惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。
- 如請求項40之方法,其中該黏土係膨潤土、蒙特利黏土、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。
- 如請求項40之方法,其中該惰性物質之該粒度小於或等於約600 網目。
- 如請求項40之方法,其中該溶劑係水性溶劑。
- 如請求項40之方法,其中該溶劑係有機溶劑。
- 如請求項57之方法,其中該溶劑包含無機黏合劑。
- 如請求項58之方法,其中該無機黏合劑係矽酸鈉。
- 如請求項40之方法,其中該溶劑包含有機黏合劑。
- 如請求項60之方法,其中該有機黏合劑係甲基纖維素或聚氧化乙烯(PEO)。
- 一種產生漿液之方法,其包含:將合金用劑、金屬鹵化物活化劑、溶劑及惰性物質提供至器皿以提供混合物,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該合金用劑之莫耳比為最多約10:1,其中該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物;及使具有該合金用劑、該金屬鹵化物活化劑、該溶劑及該惰性物質之該混合物經受混合,藉此產生該漿液。
- 一種將基板塗布至少一個毗鄰該基板之包含至少一種元素金屬之層之方法,其包含:(a)用漿液輥塗該基板之至少一部分以生成經漿液塗布之基板,其中該漿液包含(i)溶劑,(ii)合金用劑,其中該合金用劑包含該至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至該基板中,(iii)金屬鹵化物活化劑,其促進該至少一種元素金屬擴散至該基板中,其中該金屬鹵化物活化劑並未反應形成氮化物,及(iv)惰性物質,其有助於使該合金用劑懸浮於該溶劑中,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度;及(b)使該經漿液塗布之基板在足以使該至少一種元素金屬擴散至該基板中之條件下經受退火,以生成乾膜,其包含毗鄰該基 板之包含該至少一種元素金屬之層,該乾膜具有之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向)。
- 如請求項63之方法,其進一步包含在(b)之前,在高於該溶劑之沸騰溫度之培育溫度下培育該經漿液塗布之基板,其中藉由蒸發自該漿液大體上去除該溶劑以在該經漿液塗布之基板上生成乾膜。
- 如請求項64之方法,其進一步包含在該培育溫度下在真空條件下培育經該漿液塗布之基板。
- 如請求項64之方法,其中該乾膜(1)具有適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向)且以少量粉末化通過膠帶測試之濕強度,及/或(2)能夠耐受高速輥塗製程。
- 如請求項64之方法,其進一步包含將該經漿液塗布之基板在該培育溫度下培育約10秒至5分鐘。
- 如請求項64之方法,其中該培育溫度為約50℃至約300℃。
- 如請求項64之方法,其進一步包含在該培育後,在(b)之前將具有該乾膜之該經漿液塗布之基板維持在真空條件下。
- 如請求項63之方法,其中,在(a)之前,以線圈提供該基板且在該塗布之前鬆解該線圈。
- 如請求項70之方法,其中,在(a)之後,將該鬆解線圈繞成線圈。
- 如請求項63之方法,其中在(a)之前,以線、管道、管路、層片、盤繞網、浸漬成型部件、薄片、纜繩或桿形式提供該基板。
- 如請求項63之方法,其中該等退火條件包含退火溫度、退火時間及退火氛圍。
- 如請求項73之方法,其中該退火溫度為約800℃至1300℃。
- 如請求項73之方法,其中該總退火時間為約5小時至200小時,視情況包括冷卻,且視情況其中在最大溫度下之時間介於1小時與100小時之間。
- 如請求項73之方法,其中該退火氛圍包含氫(H2)、氮(N2)、氬(Ar)或其組合。
- 如請求項73之方法,其中該退火氛圍為真空。
- 如請求項63之方法,其中,在(a)中,該塗布係經由選自由以下組成之群之一或多者來達成:輥塗、浸漬、塗漆、旋塗、印刷、噴霧、狹縫式塗布、簾塗、斜板式塗布(slide coating)及擠出式塗布。
- 如請求項63之方法,其中,在(a)中,該塗布係經由狹縫式塗布達成。
- 如請求項63之方法,其進一步包含在(a)中,用該漿液及另一漿液以至少兩個循環塗布該基板之該至少一部分。
- 如請求項80之方法,其中該漿液及該另一漿液係不同的。
- 如請求項63之方法,其進一步包含,在(a)中,用該漿液以多個循環塗布該基板之該至少一部分。
- 如請求項82之方法,其進一步包含,在(a)中,用該漿液以多個循環塗布該基板之該至少一部分,其中該基板係以圖案塗布。
- 如請求項63之方法,其中,在(b)中,在該使該經漿液塗布之基板經受該等退火條件之後,該基板包括含有該惰性物質之殘餘物。
- 如請求項84之方法,其進一步包含,在(b)之後,自該基板去除該殘餘物。
- 如請求項63之方法,其中,在(b)中,在該使該經漿液塗布之基板經受該等退火條件之後,該基板實質上不含柯肯德爾空洞 (Kirkendall void)。
- 如請求項63之方法,其中該基板包含一或多種晶粒釘紮粒子。
- 如請求項87之方法,其中該一或多種晶粒釘紮粒子包含選自由以下組成之群之材料:鈦、鋁、鈮、釩之金屬間化合物、氮化物、碳化物、碳氮化物及其組合。
- 如請求項63之方法,其中該基板不包含游離碳。
- 如請求項63之方法,其中該基板係含金屬基板。
- 如請求項90之方法,其中該含金屬基板包含鐵、銅及鋁中之一或多者。
- 如請求項90之方法,其中該含金屬基板係鋼。
- 如請求項63之方法,其中該基板係陶瓷基板。
- 如請求項63之方法,其中該層包含不銹鋼。
- 如請求項63之方法,其中該層係外層且該至少一種元素金屬具有在該外層中變化不超過約20wt.%之濃度。
- 如請求項95之方法,其中該基板進一步包含毗鄰該外層之結合層,其中該至少一種元素金屬具有在該結合層中降低至小於約1.0wt.%之濃度。
- 如請求項96之方法,其中該基板進一步包含毗鄰該結合層之核心區,該核心區包含與該基板基本上相同之組成。
- 如請求項63之方法,其中該合金用劑包含碳。
- 如請求項63之方法,其中該合金用劑係選自由以下組成之群:鐵、鉻、鎳、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。
- 如請求項63之方法,其中該至少一種元素金屬係選自由以下組成之群:鉻、鎳、鋁、矽、釩、鈦、硼、鎢、鋁、鉬、鈷、錳、鋯、鈮及其組合。
- 如請求項63之方法,其中該合金用劑係選自由以下組成之群:矽鐵(FeSi)、鉻鐵(FeCr)、鉻及其組合。
- 如請求項63之方法,其中該金屬鹵化物活化劑包括單價金屬、二價金屬或三價金屬。
- 如請求項102之方法,其中該金屬鹵化物活化劑係選自以下之群:氯化鎂(MgCl2)、氯化亞鐵(II)(FeCl2)、氯化鈣(CaCl2)、氯化鋯(IV)(ZrCl4)、氯化鈦(IV)(TiCl4)、氯化鈮(V)(NbCl5)、氯化鈦(III)(TiCl3)、四氯化矽(SiCl4)、氯化釩(III)(VCl3)、氯化鉻(III)(CrCl3)、三氯矽烷(SiHCl3)、氯化錳(II)(MnCl2)、氯化鉻(II)(CrCl2)、氯化鈷(II)(CoCl2)、氯化銅(II)(CuCl2)、氯化鎳(II)(NiCl2)、氯化釩(II)(VCl2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)及其組合。
- 如請求項63之方法,其中該金屬鹵化物活化劑係水合物。
- 如請求項104之方法,其中該金屬鹵化物活化劑係選自由以下組成之群:氯化亞鐵四水合物(FeCl2.4H2O)、氯化亞鐵六水合物(FeCl2.6H2O)及氯化鎂六水合物(MgCl2.6H2O)。
- 如請求項63之方法,該金屬鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項63之方法,其中該惰性物質係選自由以下組成之群:氧化鋁(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、黏土及其組合。
- 如請求項107之方法,其中該黏土係膨潤土、蒙特利黏土、高嶺土黏土、層狀矽酸鹽黏土或其組合。
- 如請求項63之方法,其中該惰性物質之該粒度係小於或等於約300網目、小於或等於約400網目、小於或等於約500網目或小於或等於約600網目。
- 如請求項63之方法,其中該溶劑係水性溶劑。
- 如請求項63之方法,其中該溶劑係有機溶劑。
- 如請求項63之方法,其中在乙酸銅噴霧(CASS)測試下,該層具有至少約1年之耐腐蝕性。
- 如請求項63之方法,其中,在(b)期間,該合金用劑中至少約95%之該至少一種元素金屬擴散至該基板中。
- 如請求項63之方法,其中,在(b)期間,該至少一種元素金屬係經由氣相沈積反應沈積於該基板之表面上並擴散至該基板中。
- 一種形成毗鄰基板之至少一個包含至少一種元素金屬之層之方法,其包含:(a)用漿液輥塗該基板之至少一部分以生成經漿液塗布之基板,其中該漿液包含(i)溶劑,(ii)合金用劑,其中該合金用劑包含該至少一種元素金屬,且其中該合金用劑經組態以擴散至該基板中,(iii)鹵化物活化劑,其有助於該至少一種元素金屬擴散至該基板中,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1,且其中該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物,及(iv)惰性物質,其有助於使該合金用劑懸浮於該漿液中;及(b)使該經漿液塗布之基板經受退火條件以使該至少一種元素金屬擴散至該基板中,以生成乾膜,其包含毗鄰該基板之該至少一個包含該至少一種元素金屬之層,該乾膜具有之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向)。
- 如請求項115之方法,其中該層具有不與該基板連接之功能組份。
- 一種形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,其包含: (a)用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液輥塗該基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)使該經漿液塗布之基板在足以形成毗鄰該基板之該金屬層之條件下經受退火,生成乾膜,該乾膜具有之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向),其中該金屬層在介於該金屬層與該基板之間之擴散層輔助下偶聯至該基板,其中該擴散層中該合金用劑之量隨深度以介於約-0.01%/微米與-5.0%/微米之間之速率變化,其係藉由x射線光電子光譜法所量測,其中該漿液包含鹵化物活化劑,該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物。
- 如請求項117之方法,其中該漿液進一步包含溶劑及有助於使該合金用劑懸浮於該漿液中之惰性物質。
- 如請求項118之方法,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項118之方法,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
- 如請求項117之方法,其中該基板係鋼基板。
- 一種形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,其包含:(a)用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液輥塗該基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)使該經漿液塗布之基板在足以形成毗鄰該基板之該金屬層之條件下經受退火,生成乾膜,該乾膜具有之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向),其中(i)該金屬層具有小於500微米之厚度,且(ii)在該金屬層中,該合金用劑之濃度在該基板中最大且在該金屬層中在約50微米或更少之深度範圍中降 低不超過20wt.%,其係藉由x射線光電子光譜法所量測,其中該漿液包含鹵化物活化劑,該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物。
- 如請求項122之方法,其中該含金屬物體在該含金屬物體之外層與該基板之間無材料不連續性。
- 如請求項122之方法,其中該漿液進一步包含溶劑及有助於使該合金用劑懸浮於該漿液中之惰性物質。
- 如請求項124之方法,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項124之方法,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
- 一種形成包含毗鄰基板之金屬層之含金屬物體之方法,其包含:(a)用包含具有至少一種元素金屬之合金用劑之漿液輥塗該基板之至少一部分,藉此形成經漿液塗布之基板;及(b)使該經漿液塗布之基板在足以形成毗鄰該基板之該金屬層之條件下經受退火,生成乾膜,該乾膜具有之濕強度適於耐受彎曲至20英吋直徑弧20次(正向及負向),其中在該金屬層中,(i)在距該基板之表面小於或等於30微米之深度處該合金用劑具有至少10wt.%之濃度,且(ii)在距該基板之該表面大於150微米之深度處該合金用劑具有最多6wt.%之濃度,其中該漿液包含鹵化物活化劑,該鹵化物活化劑並未反應形成氮化物。
- 如請求項127之方法,其中該合金用劑包含鉻、鎳或鐵。
- 如請求項127之方法,其中在距該基板之該表面小於或等於50微米之深度處該合金用劑具有至少15wt.%之濃度。
- 如請求項127之方法,其中該漿液進一步包含溶劑及有助於使該合金用劑懸浮於該漿液中之惰性物質。
- 如請求項130之方法,其中該鹵化物活化劑之鹵離子對該至少一種元素金屬之莫耳比為最多約10:1。
- 如請求項130之方法,其中該惰性物質具有小於或等於約200網目之粒度。
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