TWI661216B - Protective film for wavelength conversion sheet, wavelength conversion sheet and backlight unit - Google Patents

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Abstract

本發明為一種波長轉換片用保護膜，其係用以保護波長轉換片中的螢光體之波長轉換片用保護膜，具有阻隔薄膜積層2層以上的構造，其中阻隔薄膜具有基材與在該基材之至少一方的面上設置之1層以上的阻隔層。

Description

波長轉換片用保護膜、波長轉換片及背光單元
本發明係關於一種波長轉換片用保護膜、以及使用其之波長轉換片及背光單元。
液晶顯示器為利用電壓之施加控制液晶之配向狀態，且藉由對每一區域透射或阻隔光而顯示圖像等之顯示裝置。作為該液晶顯示器之光源，可利用設置於液晶顯示器之背面的背光。背光，以往係使用冷陰極管，但最近因為壽命長、顯色良好等之理由，所以逐漸使用LED(發光二極體)代替冷陰極管。
在背光所使用的LED中，白色LED技術係佔有非常大的重要度。白色LED技術中，一般係使用將摻雜鈰的YAG：Ce(釔．鋁．石榴石：鈰)下方轉換用螢光體以藍色(450nm)LED晶片激發的方法。該情況中，藉由混合LED之藍色光與自YAG：Ce螢光體產生之波長範圍廣的黃色光而成為白色光。但是，該白色光大多帶有幾分藍色調，時常給予「冷」或「涼」之白色的印象。
然後，近年來使用量子點的奈米尺寸之螢光體被產品化。量子點係指發光性之半導體奈米粒子，且直徑的範圍為1~20nm左右。量子點顯示寬廣的激發光 譜且量子效率高，因此可作為LED波長轉換用螢光體使用。再者，有僅藉由變更點尺寸或半導體材料之種類，使發光之波長橫跨可見區全體而可完全調整之優點。因此，量子點事實上可說藏有做出任何色，尤其是照明業界所強烈希望之暖白色的可能性。此外，組合發光波長對應於紅、綠、藍之3種類的點，可得到演色性指數不同的白色光。如前述，使用利用量子點之背光的液晶顯示器，不會較以往者更增加厚度或消耗電力、成本、製造程序，並可提升色調，且變得可展現人可辨識的顏色之大部分。
使用如上述之白色LED的背光，具有將波長轉換片與LED光源及導光板組合的構成，該波長轉換片係使具備既定之發光光譜的螢光體(量子點及YAG：Ce等)擴散於薄膜內，將其表面以阻隔薄膜密封，並根據情況也密封邊緣部的波長轉換片。
該阻隔薄膜為在塑膠薄膜等之基材的表面藉由蒸鍍等來形成薄膜，而防止水分或氣體之透過者。對於該阻隔薄膜，除了透明性及阻隔性以外，亦要求防止所謂噴濺、傷痕、皺褶之外觀不良。在此，噴濺係指蒸鍍用之材料在高溫之微粒狀態下飛散的現象，且指蒸鍍用之材料直接附著於基材而成為異物、或在基材開孔的現象。對於如前述之要求，以往的阻隔薄膜，其大多可作為食品或醫療品等之包裝材料或電子裝置等之封裝材料使用，因此有無法得到可滿足之性能的課題。作為於液晶顯示器之用途，例如，專利文獻1中提案有為了抑制 螢光體之劣化，而具有將螢光體以阻隔薄膜夾持的構造之背光。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-013567號公報
然而，製作在專利文獻1所記載之以阻隔薄膜密封量子點的顯示器時，因為阻隔性不足，所以得到的白色光之壽命短，且有因薄膜之傷痕、皺褶、量子點之模樣等而於白色LED之發光產生不均勻的問題。又，在阻隔薄膜有噴濺的情況中，以其為起點會產生阻隔不良，且有部分亮度下降的問題。
本發明為有鑑於前述情事而成者，目的在於提供一種作為用以保護波長轉換片中的螢光體之保護膜，可於長時間發揮優異的阻隔性，且可抑制由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的外觀不良之產生的波長轉換片用保護膜、以及使用其之波長轉換片及背光單元。
為了達成上述目的，本發明提供一種波長轉換片用保護膜，其係用以保護波長轉換片中的螢光體之波長轉換片用保護膜，具有阻隔薄膜積層2層以上的構造，其中阻隔薄膜具有基材與在該基材之至少一方的面上設置之1層以上的阻隔層。
根據該波長轉換片用保護膜，藉由具有上述阻隔薄膜積層2層以上的構造，可於長時間發揮優異的阻隔性，且可抑制由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的外觀不良之產生。尤其在本發明中，與在1片基材上積層多個阻隔層的情況不同，將具有基材與阻隔層之積層構造的阻隔薄膜積層2層以上，藉由採取該構造，可大幅提升對於由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的阻隔不良產生之抑制效果。可認為藉由採取上述構造，各別的基材及阻隔層變得獨立存在，且可獨立而發揮對於阻隔不良產生之抑制效果，因此得到該效果。
又，以往使用量子點等之螢光體的背光中，在1片基材上積層多個阻隔層的結果，也有因薄膜干涉，而牛頓環等之干涉條紋容易產生的問題。根據本發明之波長轉換片用保護膜，藉由具備上述構成，也可發揮減低干涉條紋之產生的效果。
本發明的波長轉換片用保護膜，較佳為進一步具有具備光學機能的塗布層，且上述塗布層配置於波長轉換片用保護膜之至少一方的表面。在此，上述光學機能為抗干涉條紋機能較佳。又，上述塗布層包含黏結劑樹脂與分散於該黏結劑樹脂中的微粒較佳。藉由將塗布層設置於波長轉換片用保護膜之表面，可賦予各式各樣的光學機能。尤其設置具有抗干涉條紋機能之塗布層時，可抑制干涉條紋之產生，且可抑制來自光源的光之不均一。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，上述基 材為聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜或聚萘二甲酸乙二酯系薄膜較佳。藉此，可得到更優異的透明性或阻隔性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，上述阻隔層包含積層於上述基材之一方的面上之無機薄膜層與積層於該無機薄膜層上之氣體阻隔性被覆層較佳。藉此，可得到對於水分或氣體之更優異的阻隔性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，上述阻隔層亦可具有上述無機薄膜層與上述氣體阻隔性被覆層交互積層各2層以上的構造。該情況中，可於更長時間得到更優異的阻隔性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，上述無機薄膜層為含有氧化矽及氧化鋁之至少一方的層較佳。藉此，可得到更優異的阻隔性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，上述氣體阻隔性被覆層為含有含羥基的高分子化合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物中之至少一種的層較佳。藉此，可得到更優異的阻隔性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，2層以上的上述阻隔薄膜係使用包含丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯(urethane)系樹脂及酯系樹脂之任一種的接著層而積層較佳。藉此，可得到更優異的透明性或密合性。
在本發明之波長轉換片用保護膜中，2層以上的上述阻隔薄膜係使用接著層而積層，且亦可具有使隣接的2層之上述阻隔薄膜中之一方的阻隔薄膜之阻隔層與另一方的阻隔薄膜之基材以隔著上述接著層相對向的 方式配置的構造。該情況中，在形成波長轉換片之際，藉由使上述另一方的阻隔薄膜之阻隔層朝向螢光體側而配置波長轉換片用保護膜，可在接近螢光體處設置阻隔層，且可更有效地發揮相對於螢光體之阻隔性能。
又，在本發明之波長轉換片用保護膜中，2層以上的上述阻隔薄膜係使用接著層而積層，且亦可具有使隣接的2層之上述阻隔薄膜的上述阻隔層彼此以隔著上述接著層相對向的方式配置的構造。該情況中，在形成波長轉換片之際，可在阻隔層與螢光體之間配置基材，因此在螢光體上存在凹凸或異物時，也可藉由基材緩和衝撃，抑制阻隔層損傷。因此，可將由噴濺、傷痕、皺褶等導致之對阻隔層的不良影響抑制至最小，同時可得到更優異的阻隔性。
又，本發明的波長轉換片用保護膜，亦可進一步具有於至少一方的表面配置之具備光學機能的塗布層，上述阻隔層包含二氧化矽蒸鍍層作為無機薄膜層，上述二氧化矽蒸鍍層所含的氧與矽之O/Si比以原子比為1.7以上2.0以下，上述二氧化矽蒸鍍層之折射率為1.5以上1.7以下，在波長450nm、波長540nm、及波長620nm之全部的波長中，上述波長轉換片用保護膜之反射率為10%以上20%以下，且透射率為80%以上95%以下。
根據該波長轉換片用保護膜，O/Si比以原子比為1.7以上，因此可將二氧化矽蒸鍍層內之Si-Si鍵的比例抑制為低，使有色的金屬變少，並提升二氧化矽蒸鍍層之透射率。又，因為O/Si比以原子比為2.0以下，所以 蒸鍍膜之成長變密，二氧化矽蒸鍍層之阻隔性優異。該波長轉換片用保護膜，可減低水蒸氣等之入侵。因此，製作包含「具有該波長轉換片用保護膜的波長轉換片」之背光單元時，其背光單元於長時間維持高亮度，而且抑制顯示器應用時之色彩不均一及黑點之產生，而維持優異的外觀。又，二氧化矽蒸鍍層之折射率為1.5以上1.7以下，波長轉換片用保護膜之反射率為10%以上20%以下，而且，透射率為80%以上95%以下。因此，該波長轉換片用保護膜，可減低在薄膜內之光學干涉，而且提升背光單元之亮度。
本發明更提供一種波長轉換片，其具備：包含螢光體的螢光體層與在該螢光體層之至少一方的面上積層之上述本發明的波長轉換片用保護膜。根據該波長轉換片，因為具備上述本發明之波長轉換片用保護膜，所以可於長時間發揮優異的阻隔性，而且，可抑制由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的阻隔不良之產生，甚至可減低干涉條紋之產生。
本發明更提供一種波長轉換片，其係具備「包含螢光體的螢光體層」與「在該螢光體層之至少一方的面上積層之上述本發明的波長轉換片用保護膜」之波長轉換片，上述波長轉換片用保護膜中之2層以上的上述阻隔薄膜係使用接著層而積層，且亦可具有使隣接的2層之上述阻隔薄膜中之一方的阻隔薄膜之阻隔層與另一方的阻隔薄膜之基材以隔著上述接著層相對向的方式配置，而且，使上述另一方的阻隔薄膜之阻隔層朝向上述 螢光體層側而配置的構造。根據該波長轉換片，因為具備上述本發明之波長轉換片用保護膜，所以可於長時間發揮優異的阻隔性，而且，可抑制由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的阻隔不良之產生，甚至可減低干涉條紋之產生。又，藉由使上述波長轉換片用保護膜中之上述另一方的阻隔薄膜之阻隔層朝向上述螢光體層側配置，可在接近螢光體處設置阻隔層，且可更有效地發揮對於螢光體之阻隔性能。
在本發明之波長轉換片中，上述波長轉換片用保護膜，在與上述螢光體層相對向側為相反側的面上具有具備光學機能的塗布層較佳。
本發明更提供一種背光單元，其具備：LED光源、導光板、及上述本發明之波長轉換片。根據該背光單元，藉由具備上述本發明之波長轉換片，可提供一種可於長時間抑制亮度之下降，同時抑制外觀不良之影響，具有接近自然之鮮艷的色彩，且可於長時間安定地顯示色調優異的圖像之顯示器。
根據本發明，可提供一種作為用以保護波長轉換片中之螢光體的保護膜，可於長時間發揮優異的阻隔性，且可抑制由噴濺、傷痕、皺褶等之影響導致的阻隔不良之產生的波長轉換片用保護膜、以及使用其之波長轉換片及背光單元。
1‧‧‧螢光體層
2、20、300‧‧‧波長轉換片用保護膜
3‧‧‧螢光體
4‧‧‧密封樹脂
5‧‧‧阻隔薄膜
6‧‧‧接著層
7‧‧‧塗布層
8‧‧‧基材
9‧‧‧阻隔層
10‧‧‧無機薄膜層
11‧‧‧氣體阻隔性被覆層
31‧‧‧塗布層
50‧‧‧第1阻隔薄膜
51‧‧‧基材
52‧‧‧密合層
53‧‧‧第1二氧化矽蒸鍍層
54‧‧‧第1氣體阻隔性被覆層
55‧‧‧第2二氧化矽蒸鍍層
56‧‧‧第2氣體阻隔性被覆層
60‧‧‧第2阻隔薄膜
61‧‧‧基材
62‧‧‧密合層
63‧‧‧第1二氧化矽蒸鍍層
64‧‧‧第1氣體阻隔性被覆層
65‧‧‧第2二氧化矽蒸鍍層
66‧‧‧第2氣體阻隔性被覆層
100、200‧‧‧波長轉換片
第1圖為涉及本發明之第1實施形態的波長轉換片之示意剖面圖。
第2圖為涉及本發明之第2實施形態的波長轉換片之示意剖面圖。
第3圖為涉及本發明之第3實施形態的波長轉換片用保護膜之示意剖面圖。
[實施發明之形態]
以下一邊參照圖式一邊對於本發明之適當的實施形態詳細地說明。再者，圖式中，在相同或相當部分標記相同符號，且省略重複的說明。又，上下左右等之位置關係，只要沒有特別說明，則基於圖式所示的位置關係。再者，圖式之尺寸比率並沒有限定於圖式之比率。
<涉及第1實施形態的波長轉換片>
首先，對於本發明之第1實施形態進行說明。第1圖為涉及本發明之第1實施形態的波長轉換片之示意剖面圖。第1圖所示的波長轉換片包含量子點等之螢光體，例如，作為LED波長轉換用，可在背光單元使用。
如第1圖所示，本實施形態之波長轉換片100，係具備包含螢光體的螢光體層(波長轉換層)1、在螢光體層1之一方的面2a側及另一方的面2b側各別設置之波長轉換片用保護膜(以下簡稱為「保護膜」)2、2而概略構成。藉此，成為在保護膜2、2之間包夾(亦即，密封)螢光體層1的構造。
然後，一般背光單元係由導光板與LED光源構成。LED光源係設置於導光板之側面。在LED光源之內部中係設置多個發光色為藍色的LED元件。該LED元件，亦可為紫LED、或更低波長的LED。LED光源係朝向導光板側面照射光。使用本實施形態之波長轉換片100的背光單元的情況，該照射的光，例如，變成經由導光板入射至將丙烯酸或環氧等之樹脂與螢光體混合的層(螢光體層)1。在此，因為有需要對螢光體層1賦予阻隔性，所以藉由一對之波長轉換片用保護膜2、2而作成夾持螢光體層1之構成較佳。以下對於構成波長轉換片100的各層詳細地說明。
(螢光體層)
螢光體層1為包含密封樹脂4及螢光體3之數十~數百μm的厚度之薄膜。作為密封樹脂4，例如，可使用感光性樹脂或熱硬化性樹脂。在密封樹脂4之內部，螢光體3係以混合1種以上的狀態而被密封。密封樹脂4，在將螢光體層1與一對的保護膜2、2積層之際，發揮將該等接合，同時將該等之空隙填埋的作用。又，螢光體層1亦可為將僅1種螢光體3被密封的螢光體層積層2層以上者。該等1層或2層以上之螢光體層所使用的2種以上之螢光體3係選擇激發波長為相同者。該激發波長係基於LED光源照射的光之波長而選擇。2種以上之螢光體3的螢光色可相互不同。使用的螢光體3為2種時，各螢光色較佳為紅色、綠色。各螢光之波長、及LED光源照射的光之波長係基於彩色濾光片之分光特性而選擇。螢光之峰波長，例 如，紅色為610nm，綠色為550nm。
其次，說明螢光體3之粒子構造。作為螢光體3，宜使用量子點。作為量子點，例如，可舉出作為發光部的核利用作為保護膜的殼而經被覆膜者。作為上述核，例如，可舉出硒化鎘(CdSe)等，作為上述殼，例如，可舉出硫化鋅(ZnS)等。CdSe的粒子之表面缺陷係藉由利用能帶間隙大的ZnS被覆而提升量子效率。又，螢光體3亦可為核利用第1殼及第2殼而經雙重被覆者。該情況中，於核可使用CsSe，於第1殼可使用硒化鋅(ZnSe)，於第2殼可使用ZnS。又，作為量子點以外的螢光體3，也可使用YAG：Ce等。
上述螢光體3的平均粒子徑宜為1~20nm。又，螢光體層1的厚度宜為1~500μm。
螢光體層1中的螢光體3之含量，將螢光體層1全量作為基準，1~20質量%較佳，3~10質量%更佳。
作為密封樹脂4，例如，可使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及紫外線硬化型樹脂等。該等之樹脂，可單獨使用1種或組合2種以上而使用。
作為熱可塑性樹脂，例如，可使用乙醯纖維素、硝基纖維素、乙醯丁基纖維素、乙基纖維素及甲基纖維素等之纖維素衍生物；乙酸乙烯酯與其共聚物、氯乙烯與其共聚物、及偏二氯乙烯與其共聚物等之乙烯系樹脂；聚乙烯縮甲醛(polyvinyl formal)及聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral)等之縮醛樹脂；丙烯酸樹脂與其共聚物、甲基丙烯酸樹脂與其共聚物等之丙烯酸系樹脂；聚 苯乙烯樹脂；聚醯胺樹脂；線狀聚酯樹脂；氟樹脂；以及聚碳酸酯樹脂等。
作為熱硬化性樹脂，可舉出酚樹脂、尿素三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、及聚矽氧樹脂等。
作為紫外線硬化型樹脂，可舉出環氧丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、及聚酯丙烯酸酯等之光聚合性預聚物。又，也可將該等光聚合性預聚物作為主成分，且使用單官能或多官能的單體作為稀釋劑。
(波長轉換片用保護膜)
波長轉換片用保護膜2具有2片含有基材8與阻隔層9之阻隔薄膜5、接著層6、以及塗布層7。然後，使在基材8之一方的面8a上設置之阻隔層9以隔著接著層6與另一方的基材8相對向的方式積層。又，在形成本實施形態的保護膜2之際，如第1圖所示，各別的保護膜2、2係將阻隔層9朝向螢光體層1側而積層。
阻隔薄膜5，如第1圖所示，具有基材8與在基材8之一方的面8a上設置的阻隔層9。
作為基材8，並沒有特別限定，但全光線透射率為85%以上的基材較佳。例如，作為透明性高，且耐熱性佳的基材，可使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等。
又，基材8的厚度，並沒有特別限定，但為了使波長轉換片100之總厚變薄，作成50μm以下較佳。又，基材8的厚度，為了得到優異的阻隔性，作成12μm以上較佳。
阻隔層9包含無機薄膜層10與氣體阻隔性被覆層11。然後，如第1圖所示，阻隔層9係於基材8之一方的面(單面)8a上積層無機薄膜層10，同時在該無機薄膜層10上積層氣體阻隔性被覆層11而構成。
作為無機薄膜層(無機氧化物薄膜層)10，並沒有特別限定，例如，可使用氧化鋁、氧化矽、氧化鎂或該等之混合物。該等之中，從阻隔性、生產性之觀點，尤以使用氧化鋁或氧化矽較佳。
無機薄膜層10的厚度(膜厚)作成5~500nm之範圍內較佳，作成10~100nm之範圍內更佳。在此，膜厚為5nm以上時，容易形成均勻的膜，且有可更充分發揮作為氣體阻隔材之機能的傾向。另一方面，膜厚為500nm以下時，於薄膜可保持更充分的撓性，且有可更確實地防止在成膜後由於彎曲、拉伸等之外在因素，而在薄膜產生龜裂的傾向。
氣體阻隔性被覆層11係為了防止在以下步驟之二次的各種損傷，同時賦予高阻隔性而設置者。該氣體阻隔性被覆層11，從得到優異的阻隔性之觀點，含有選自於含有含羥基的高分子化合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物之群組中之至少1種作為成分較佳。
作為含羥基的高分子化合物，具體而言，例如，可舉出聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、澱粉等之水溶性高分子，但尤其是使用聚乙烯醇時，阻隔性最佳。
金屬烷氧化物為通式：M(OR)n(M表示Si、Ti 、Al、Zr等之金屬原子，R表示-CH3、-C2H5等之烷基，n表示對應於M之價數的整數)所示的化合物。具體而言，可舉出四乙氧矽烷[Si(OC2H5)4]、三異丙氧基鋁[Al(O-iso-C3H7)3]等。四乙氧矽烷、三異丙氧基鋁，在水解後，於水系之溶媒中比較安定，因此較佳。又，作為金屬烷氧化物之水解物及聚合物，例如，可舉出矽酸(Si(OH)4)等作為四乙氧矽烷之水解物或聚合物，且可舉出氫氧化鋁(Al(OH)3)等作為三丙氧基鋁之水解物或聚合物。
氣體阻隔性被覆層11的厚度(膜厚)作成50~1000nm之範圍內較佳，作成100~500nm之範圍內更佳。在此，膜厚為50nm以上時，有可得到更充分的氣體阻隔性之傾向，為1000nm以下時，有因薄膜而可保持更充分的撓性之傾向。
2片阻隔薄膜5，如第1圖所示，以隔著在基材8之一方的面8a上設置之阻隔層9及接著層6，與另一方之基材8的阻隔層9未設置之面8b側相對向的方式設置。換言之，2片阻隔薄膜5，將離螢光體層1遠者作為第1阻隔薄膜5，將離螢光體層1近者作為第2阻隔薄膜5時，以在第1阻隔薄膜5的第1基材8與第2阻隔薄膜5的第2基材8之間夾持第1阻隔薄膜的阻隔層9的方式隔著接著層6積層。如前述，本實施形態中使用2片阻隔薄膜，因此進一步在第1阻隔薄膜5的第1基材8與第2阻隔薄膜5的第2基材8之間夾持阻隔層9，而且，因為各別的阻隔層9配置於更接近螢光體層1處，所以例如在阻隔層9產生微小的針孔 等之缺陷時，也可更有效地發揮阻隔性能。
2片基材8的厚度，可相同亦可不同。從使波長轉換片100之厚度變得更薄的觀點，亦可使配置於接近螢光體層1側之第2阻隔薄膜5的第2基材8之厚度較配置於離螢光體層1遠側之第1阻隔薄膜5的第1基材8更薄。水分或氣體係自波長轉換片100之表面透過，因此可使第1基材8的厚度相對變厚而防止自表面的水分或氧之透過，同時可使第2基材8的厚度相對變薄而使波長轉換片100全體的厚度變薄。水分或氧之透過，不僅自阻隔薄膜5的表面產生，且也自端面產生，因此第2基材8的厚度與接著層6的厚度薄者，可抑制自端面的水分或氧之入侵。因此，使隣接於接著層6的第2基材8與接著層6的合計厚度成為40μm以下較佳。
接著層6，如第1圖所示，為了貼合而積層2片阻隔薄膜5，係設置於阻隔薄膜5之間。作為接著層6，並沒有特別限定，但可使用丙烯酸系材料、胺基甲酸酯系材料、聚酯系材料等之接著劑或黏著劑。更具體而言，可使用丙烯酸系黏著劑、丙烯酸系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、酯系接著劑中之任一者。
又，作為接著層6之厚度，並沒有特別限定，但為了使波長轉換片用保護膜2及波長轉換片100之總厚變薄，作成10μm以下較佳。一方面，從得到更良好的接著性之觀點，接著層6的厚度為3μm以上較佳。
塗布層7，係為了發揮1種以上之光學機能或抗靜電機能，而可設置於2層波長轉換片用保護膜2、2 之各別的表面，亦即，設置於波長轉換片100之兩表面。在此，作為光學機能，並沒有特別限定，但可舉出抗干涉條紋(波紋(moire))機能、抗反射機能、擴散機能等。該等中，塗布層7至少具備抗干涉條紋機能作為光學機能較佳。本實施形態，係對於塗布層7至少具備抗干涉條紋機能的情況進行說明。
塗布層7亦可包含黏結劑樹脂與微粒而構成。然後，亦可藉由以自塗布層7之表面使微粒之一部分露出的方式，使微粒埋入黏結劑樹脂，而在塗布層7之表面產生細微的凹凸。如前述，藉由將塗布層7設置於波長轉換片用保護膜2、2之各別的表面，亦即，設置於波長轉換片100之兩表面，可更充分防止牛頓環等之干涉條紋的產生。
作為黏結劑樹脂，並沒有特別限定，但可使用光學透明性佳的樹脂。更具體而言，例如，可使用聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚系樹脂等之熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂等。該等之中，使用耐光性或光學特性優異的丙烯酸系樹脂較佳。該等不僅可使用1種，亦可組合多種而使用。
作為微粒，並沒有特別限定，但例如，除了二氧化矽、黏土、滑石、碳酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、氧 化鈦、氧化鋁等之無機微粒以外，亦可使用苯乙烯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、丙烯酸樹脂等之有機微粒。該等不僅可使用1種，亦可組合多種而使用。
微粒之平均粒徑為0.1~30μm較佳，0.5~10μm更佳。微粒的平均粒徑為0.1μm以上時，有得到優異的抗干涉條紋機能之傾向，為30μm以下時，有透明性進一步提升的傾向。
將塗布層7全量作為基準，塗布層7中之微粒的含量為0.5~30質量%較佳，3~10質量%更佳。微粒的含量為0.5質量%以上時，有進一步提升防止光擴散機能與干涉條紋之產生的效果之傾向，為30質量%以下時，不會減低亮度。
具有如以上的構成之波長轉換片用保護膜2，係在第1阻隔薄膜5的第1基材8及第2阻隔薄膜5的第2基材8之間，以夾持僅一方的阻隔層9的方式將阻隔薄膜5積層2層的積層薄膜，可抑制由噴濺等導致的阻隔層9之缺陷所導致的影響，因此阻隔性佳。又，藉由將阻隔層9利用熱安定性優異的PET薄膜等之基材8夾持，可發揮更優異的阻隔性。再者，在波長轉換片用保護膜2之表面設置塗布層7，因此可抑制干涉條紋之產生，同時抑制來自光源的光之不均一。然後，藉由將該波長轉換片用保護膜2作為用以保護波長轉換片100之螢光體的保護膜使用，變得可將使用量子點等之螢光體的波長轉換片100之性能發揮至最大。又，藉由使阻隔層9朝向螢光體側而配置，可防止自端面的水分或氣體之入侵，且可進一步防止 螢光體層1之劣化。再者，藉由在與螢光體層1相對向側為相反側的面上具有具備光學機能的塗布層7，可防止牛頓環等之干涉條紋的產生，結果變成可得到高效率且高精細、壽命長之顯示器。又，得到的顯示器，可為更接近自然之鮮艷的色彩，且顯示色調優異的圖像。
其次，對於本實施形態的波長轉換片100之製造方法進行說明。本實施形態的波長轉換片100之製造方法中，例如，根據以下順序，可將螢光體層1積層於一對的波長轉換片用保護膜2、2之間。
(波長轉換片用保護膜2之製造步驟)
波長轉換片用保護膜2、2之製造步驟中，首先，在第1基材8之單方的面8b形成塗布層7。具體而言，藉由在第1基材8單方的面8b上塗布混合黏結劑樹脂、微粒、與因應需要之溶劑的塗布液，並進行乾燥，而形成塗布層7。接著，在第1基材8之與設置塗布層7的面為相反側之面8a上，例如，藉由蒸鍍法等將無機薄膜層10積層。之後，藉由將包含選自於含有含羥基的高分子化合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物的群組中之至少1種的成分等之水溶液或水/醇混合溶液作為主劑的塗布劑，塗布於無機薄膜層10之表面上，並進行乾燥，而形成氣體阻隔性被覆層11。藉此，得到各別在第1基材8之一方的面上設置塗布層7，在另一方的面設置包含無機薄膜層10及氣體阻隔性被覆層11的阻隔層9之附有塗布層7的第1阻隔薄膜5。
又，在第2基材8之單方的面8a上，除了沒有 形成塗布層7以外，係進行與上述同樣的操作，藉此可得到設置阻隔層9的第2阻隔薄膜5。
其次，使用接著層6將形成塗布層7的第1阻隔薄膜5與未形成塗布層7的第2阻隔薄膜5貼合而積層。具體而言，使設置塗布層7的第1阻隔薄膜5之阻隔層9與未設置塗布層7的第2阻隔薄膜5之未設置阻隔層9的面相對向，並使用接著層6而積層。作為接著層6，可使用丙烯酸系黏著劑、丙烯酸系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、酯系接著劑中之任一者。藉此，得到以使2片阻隔薄膜5夾持僅任一方的阻隔層9的方式積層之波長轉換片用保護膜2。
再者，本實施形態中，初次說明形成塗布層7的例，但形成塗布層7的時間點並沒有特別限定，例如，亦可在形成塗布層7前之貼合第1阻隔薄膜5與第2阻隔薄膜5後，於第1阻隔薄膜5之表面形成塗布層7。
(螢光體層1之製造步驟)
螢光體層1之製造步驟中，首先，混合螢光體3、密封樹脂4、與因應需要之溶劑而製備混合液。接著，將製備的混合液塗布於波長轉換片用保護膜2之未設置塗布層7側的表面。其次，積層另外製作之另一方的波長轉換片用保護膜2。此時，以使螢光體層1之表面1a、1b與2片波長轉換片用保護膜2之未設置塗布層7側的表面各別相對向的方式配置。之後，密封樹脂4為感光性樹脂時，藉由利用紫外線之照射使感光性樹脂硬化(UV硬化)，可得到本實施形態的波長轉換片100。再者，感光性樹脂， 亦可在UV硬化之後進一步進行熱硬化。又，作為密封樹脂4，除了感光性樹脂以外，亦可使用熱硬化性樹脂或化學硬化性樹脂等。
在此，UV硬化，例如，可以100~1000mJ/cm2進行。又，熱硬化，例如，可在60~120℃以0.1~3分進行。
再者，本實施形態中，說明在將螢光體層1形成於一方的波長轉換片用保護膜2之未設置塗布層7的面上後，在螢光體層1之表面上積層另一方的波長轉換片用保護膜2之例，但並沒有限定於此。
<涉及第2實施形態的波長轉換片>
其次，對於本發明之第2實施形態進行說明。第2圖為涉及本發明之第2實施形態的波長轉換片之示意剖面圖。第2實施形態的波長轉換片200與第1實施形態的波長轉換片100，僅波長轉換片用保護膜20之構成不同。因此，對於第2實施形態的波長轉換片200，針對與第1實施形態相同的構成部分附加相同符號，同時省略說明。
如第2圖所示，本實施形態的波長轉換片200係具備包含螢光體的螢光體層(波長轉換層)1、在螢光體層1之一方的面2a側及另一方的面2b側各別設置之波長轉換片用保護膜20、20而概略構成。藉此，成為在波長轉換片用保護膜20、20之間包夾(密封)螢光體層1的構造。
(波長轉換片用保護膜)
本實施形態的波長轉換片用保護膜20具有2片含有基材8與阻隔層9之阻隔薄膜5、接著層6、以及塗布層7 。然後，2片阻隔薄膜5，將離螢光體層1遠者作為第1阻隔薄膜5，將離螢光體層1近者作為第2阻隔薄膜5時，如第2圖所示，在第1阻隔薄膜5的第1基材8之一方的面8a上設置之阻隔層9與在第2阻隔薄膜5的第2基材8之一方的面8a上設置之阻隔層9以隔著接著層6相對向的方式積層。換言之，波長轉換片用保護膜20，具有以在第1基材8與第2基材8之間夾持2層阻隔薄膜5之各別的阻隔層9的方式將阻隔薄膜5彼此積層的構造。根據該波長轉換片用保護膜20之構成，在阻隔層9與保護的螢光體層1之間配置基材8，因此在螢光體層1上存在有凹凸或異物時，也可藉由基材8緩和衝撃，且可抑制阻隔層9損傷。
然後，在構成本實施形態的波長轉換片200之際，如第2圖所示，各別的波長轉換片用保護膜20、20係將第2阻隔薄膜5的第2基材8側之面朝向螢光體層1側而積層。更具體而言，在波長轉換片200中，波長轉換片用保護膜20、20，係以與不具有塗布層7的第2阻隔薄膜5之第2基材8設置阻隔層9之面為相反側的面8b，彼此夾持螢光體層1的方式積層。亦即，在本實施形態中，塗布層7亦設置於波長轉換片用保護膜20、20之各別的表面，同時設置於波長轉換片200之兩表面。
波長轉換片用保護膜20之2片基材8的厚度，可相同亦可不同。從使波長轉換片200之厚度變得更薄的觀點，亦可使配置於接近螢光體層1側之第2阻隔薄膜5的第2基材8之厚度較配置於離螢光體層1遠側之第1阻隔薄膜5的第1基材8更薄。水分或氣體係自波長轉換片200 之表面透過，因此可使第1基材8的厚度相對變厚而防止自表面的水分或氧之透過，同時可使第2基材8的厚度相對變薄而使波長轉換片200全體的厚度變薄。水分或氧之透過，不僅自阻隔薄膜5的表面產生，且也自端面產生，因此第2基材8的厚度薄者，可抑制自端面的水分或氧之入侵。因此，使隣接於螢光體層1的第2基材8之厚度成為40μm以下較佳。
根據以上說明之第2實施形態的波長轉換片200，可得到與上述第1實施形態的波長轉換片100同樣的效果。
<背光單元>
使用上述波長轉換片100或200，可提供液晶顯示器用的背光單元。涉及本實施形態的背光單元，係具備LED(發光二極體)光源、導光板、以及波長轉換片100或200。LED光源係配置於導光板之側面，且在導光板上(光之行進方向)配置波長轉換片100或200。
導光板為將自LED光源照射的光有效率地引導者，係使用周知的材料。作為導光板，例如，使用丙烯酸、聚碳酸酯、及環烯烴薄膜等。導光板，例如，可利用絲網印刷方式、射出成型或擠製成型等之成型方式、噴墨方式等形成。導光板的厚度，例如為100~1000μm。
以上對於本發明之適當的實施形態詳細地說明，但本發明的技術範圍並沒有限定於上述實施形態，在不超出本發明之旨趣的範圍可加入種種的變更。例如，上述第1及第2實施形態的波長轉換片100、200之構成 及波長轉換片用保護膜2、20之構成為一例，並沒有限定於此。
又，本發明的波長轉換片，如上述第1及第2實施形態，螢光體層1可藉由相同波長轉換片用保護膜2、2(或是20、20)夾持，亦可藉由不同構成之波長轉換片用保護膜夾持。
又，本發明的波長轉換片，可為被覆螢光體層1的波長轉換片用保護膜中任一方的波長轉換片用保護膜具有塗布層7之構成，也可為雙方的波長轉換片用保護膜具有塗布層7之構成。
又，在本發明的波長轉換片中，在與波長轉換片用保護膜之螢光體層1相接側的面，為了提升波長轉換片用保護膜與螢光體層1之接著性，亦可施加改質處理，或設置包含胺基甲酸酯樹脂等之易接著層。
又，第1圖及第2圖所示的波長轉換片100、200中表示阻隔層9具有無機薄膜層10與氣體阻隔性被覆層11各1層的情況，但阻隔層9亦可具有2層以上的無機薄膜層10及氣體阻隔性被覆層11之至少一方。該情況中，無機薄膜層10與氣體阻隔性被覆層11係交互地積層較佳。
再者，在第1圖及第2圖所示的波長轉換片100、200中，螢光體層1之兩端面(在波長轉換片用保護膜2、20未被被覆的圖中之左右的端面)可被密封樹脂密封，亦可螢光體層1全體被密封樹脂包覆。
<涉及第3實施形態的波長轉換片用保護膜>
在第1圖及第2圖所示的波長轉換片100、200中，亦 可使用具有第3圖所示之構成的波長轉換片用保護膜300作為波長轉換片用保護膜。以下對於波長轉換片用保護膜300進行說明。
第3圖為涉及本發明之第3實施形態的波長轉換片用保護膜之示意剖面圖。如第3圖所示，波長轉換片用保護膜300係具備第1阻隔薄膜50、第2阻隔薄膜60、接著層30、及塗布層31。接著層30位於第1阻隔薄膜50與第2阻隔薄膜60之間，且將第1阻隔薄膜50與第2阻隔薄膜60貼合。塗布層31，係於第2阻隔薄膜60，設置於與第2阻隔薄膜60與接著層30相接的面為相反側的面上。
塗布層31為具備1種以上之光學機能的層，且可作成與上述波長轉換片100、200中之塗布層7同樣的構成。塗布層31具備光之擴散機能作為光學機能較佳。以下對於具備光之擴散機能的塗布層31(擴散層31)之較佳的態樣進行詳述。
塗布層31，係例如，在其表面設置凹凸形狀，賦予光之擴散性。又，也賦予抗干涉條紋(波紋)機能及抗反射機能等。塗布層31中，例如，藉由將使粒子等分散之有機層進行被膜的方法、及對被膜後之有機層進一步施以壓印加工的方法等，而形成凹凸形狀。將使粒子等分散之有機層進行被膜的方法中，例如，微粒係以自有機層之表面使微粒之一部分露出的方式埋入。藉此，在塗布層31之表面產生細微的凹凸，而於塗布層31防止牛頓環之產生。
有機層，例如，可為包含聚酯系樹脂、丙烯 酸系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、及胺基甲酸酯系樹脂等之高分子樹脂的層。
又，有機層，例如，可為包含熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化型樹脂等之高分子樹脂的層。
作為熱可塑性樹脂，可舉出乙醯纖維素、硝基纖維素、乙醯丁基纖維素、乙基纖維素、甲基纖維素等之纖維素衍生物、乙酸乙烯酯及其共聚物、氯乙烯及其共聚物、偏二氯乙烯及其共聚物等之乙烯系樹脂、聚乙烯縮甲醛、聚乙烯縮丁醛等之縮醛樹脂、丙烯酸樹脂及其共聚物、甲基丙烯酸樹脂及其共聚物等之丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、線狀聚酯樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂等。
作為熱硬化性樹脂，可舉出酚樹脂、尿素三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、聚矽氧樹脂等。
作為紫外線硬化型樹脂，可舉出環氧丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等之光聚合性預聚物。又，也可將上述光聚合性預聚物作為主成分，且使用單官能或多官能的單體作為稀釋劑而構成紫外線硬化型樹脂。
有機層的厚度(膜厚)作成0.1~20μm的範圍內較佳，作成0.3~10μm的範圍內特佳。在此，有機層的膜厚小於0.1μm時，由於膜厚變得過薄，故會產生得不到均勻的膜的情況、或無法充分發揮光學機能的情況，因 此較不佳。另一方面，膜厚超過20μm時，有微粒不會露出於塗布層31之表面，得不到凹凸賦予效果的可能，而且，因為透明性之下降或與儘可能薄膜化的顯示器之趨勢的不一致之理由，因而較不佳。
在有機層分散的粒子，例如，可為二氧化矽、黏土、滑石、碳酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、矽酸鋁、氧化鈦、合成沸石、氧化鋁、膨潤石、及氧化鋯等之無機微粒。又，在有機層分散的粒子，例如，可為包含苯乙烯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯并胍胺樹脂、聚矽氧樹脂、丙烯酸樹脂、四氟乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、及環氧樹脂等之有機微粒等。該等之中，可僅使用任一種，亦可使用兩種以上。
微粒的平均一次粒徑為0.5~30μm較佳。本實施形態中，可利用雷射繞射法測定平均一次粒徑。微粒之平均粒徑小於0.5μm時，得不到對塗布層31之表面的凹凸之賦予效果，因此較不佳。另一方面，平均粒徑超過30μm時，變成使用遠較有機層厚更大的粒子，有導致光線透射率之下降的缺陷，因此較不佳。相對於此，平均粒徑為上述範圍內時，可維持高光線透射率，且在表面附加凹凸形狀。
接著層30，可作成與上述波長轉換片100、200中的接著層6同樣之構成。
第1阻隔薄膜50係具備基材51、密合層52、作為無機薄膜層之第1二氧化矽蒸鍍層53、第1氣體阻隔性被覆層(第1複合被膜層)54、作為無機薄膜層之第2二氧 化矽蒸鍍層55、及第2氣體阻隔性被覆層(第2複合被膜層)56。在基材51上依序設置密合層52、第1二氧化矽蒸鍍層53、第1氣體阻隔性被覆層54、第2二氧化矽蒸鍍層55、及第2氣體阻隔性被覆層56。在第1阻隔薄膜50中，利用第1二氧化矽蒸鍍層53、第1氣體阻隔性被覆層54、第2二氧化矽蒸鍍層55、及第2氣體阻隔性被覆層56形成阻隔層。第2氣體阻隔性被覆層56係接著於接著層30。
第2阻隔薄膜60係具備基材61、密合層62、第1二氧化矽蒸鍍層63、第1氣體阻隔性被覆層64、第2二氧化矽蒸鍍層65、及第2氣體阻隔性被覆層66。在基材61上依序設置密合層62、第1二氧化矽蒸鍍層63、第1氣體阻隔性被覆層64、第2二氧化矽蒸鍍層65、及第2氣體阻隔性被覆層66。在第2阻隔薄膜60中，利用第1二氧化矽蒸鍍層63、第1氣體阻隔性被覆層64、第2二氧化矽蒸鍍層65、及第2氣體阻隔性被覆層66形成阻隔層。第2氣體阻隔性被覆層66係接著於接著層30。
基材51、61可作成與上述波長轉換片100、200中的基材8同樣之構成。又，作為基材51、61，使用聚酯薄膜較佳。作為聚酯薄膜，並沒有特別限定，但例如，可舉出包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯薄膜、包含聚乙烯、聚丙烯、環狀烯烴共聚物(COC)、及環烯烴聚合物(COP)等之聚烯烴薄膜、聚苯乙烯薄膜、包含6,6-耐綸等之聚醯胺薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚丙烯腈薄膜、及聚醯亞胺薄膜等之工程塑膠薄膜等。基材51、61，特別是朝雙軸方向任意延伸的 雙軸延伸聚酯薄膜較佳。雙軸延伸聚酯薄膜，其尺寸安定性、耐熱性、及透明性佳。
基材51、61的厚度，並沒有特別限定，但為3μm~200μm之範圍較佳，6μm~50μm之範圍更佳。該基材51、61的厚度為考慮到將密合層52、62、第1二氧化矽蒸鍍層53、63、第1氣體阻隔性被覆層54、64、第2二氧化矽蒸鍍層55、65、及第2氣體阻隔性被覆層56、66積層時之加工性的數值。再者，在各層之積層時，為了提升各層之密合性，例如，可任意施以電漿處理、電暈放電處理、臭氧處理、及輝光放電處理之其他的前處理。
作為基材51、61，使用酸價(將樹脂1g中和所需要的氫氧化鉀之mg數)為25mgKOH/g以下的聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜特佳。在此，基材51、61之酸價超過25mgKOH/g時，尤其會損及在高溫高濕環境下的基材安定性，引起阻隔性之下降，因此較不佳。另一方面，酸價為25mgKOH/g以下時，基材安定性增加，在高溫高濕環境下阻隔性也不會下降且安定，因此較佳。再者，作為酸價之測定方法，秤量經切割的基材51、61，例如，於甲酚加熱溶解後冷卻，之後，以氫氧化鉀乙醇溶液等滴定，而可定量酸價。作為指示劑，例如，可使用酚酞溶液(參照JIS K0070)。
基材51、61，例如，在60℃/90%RH及85℃/85%RH等之嚴酷的環境下之顯示器機能的加速劣化試驗中，因為基材51、61之阻隔性安定地展現，所以耐水解性能優異而較佳。為了耐水解性能佳，例如，所 以作為基材51、61之PET薄膜，就重量平均分子量而言，6萬以上較佳。PET薄膜，其重量平均分子量小於6萬時，通常變得容易引起水解，因此PET薄膜之阻隔性容易劣化。PET薄膜，為了耐水解性能佳，所以末端羧基之濃度減少直到25當量/106g以下較佳。末端羧基之濃度減少直到25當量/106g以下時，因為反應點減少，所以PET薄膜之耐水解性能提升。聚酯中之末端羧基的濃度，可藉由記載於文獻(ANALYTICL CHEMISTRY第26卷、1614頁)的方法進行測定。重量平均分子量，可藉由所謂常溫GPC分析之方法進行測定。
PET薄膜為光透射性與平滑性優異的薄膜較佳。因此，為了提升PET薄膜之光透射性，減低使用於PET薄膜的滑劑較佳。又，在對PET薄膜積層第1二氧化矽蒸鍍層之際，為了不發生第1二氧化矽蒸鍍層破裂等，而且，為了使第1二氧化矽蒸鍍層成為均勻的薄膜，PET薄膜之中心線表面粗糙度(Ra)為30nm以下較佳。中心線表面粗糙度(Ra)為30nm以下的話，PET薄膜可說是具有優異的平滑性。PET薄膜之表面粗糙度，可採用依據JIS B0601的方法進行測定。
在基材51、61上設置有密合層52、62。密合層52、62，係為了得到與第1二氧化矽蒸鍍層之密合而適當設置。密合層52、62，可藉由在基材51、61之延伸時塗布的線內(in-line)方式、及基材51、61製膜後之以線外塗布的線外(off-line)方式中之任一者的方法而形成，或者，可藉由線內方式及線外方式之雙方而形成。作為密 合層52、62，並沒有特別限定，但用以形成利用線內方式之密合層52、62的密合層用組成物，例如，可為丙烯酸材料或胺基甲酸酯材料。用以形成利用線外之密合層52、62的密合層用組成物，例如，可為丙烯酸多元醇等之具有羥基的化合物與具有異氰酸酯基的異氰酸酯化合物之2液反應複合物。基材51、61中，可不僅於其單面，亦可在兩面設置密合層52、62。
第1二氧化矽蒸鍍層53、63及第2二氧化矽蒸鍍層55、65(以下簡稱為「二氧化矽蒸鍍層」)為展現阻隔性的層，且相當於上述波長轉換片100、200中的無機薄膜層10。作為蒸鍍層，就展現阻隔性的無機化合物而言，例如，有氧化鋁、氧化矽、氧化錫、氧化鎂、氧化鋅、或該等之混合物等，本實施形態中，可選擇包含氧化矽的二氧化矽蒸鍍層。二氧化矽蒸鍍層，具有在60℃/90%RH及85℃/85%RH等之嚴酷的環境下的顯示器機能之加速劣化試驗中的耐濕性。二氧化矽蒸鍍層，例如，可利用所謂真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、電漿氣相沉積法(CVD)等之方法進行製造。
構成二氧化矽蒸鍍層的氧及矽之O/Si比，以原子比為1.7以上2.0以下較佳。O/Si比，以原子比為小於1.7時，由於二氧化矽蒸鍍層內的Si-Si鍵之比例變多，且含有很多有色之金屬，故有二氧化矽蒸鍍層之透射率下降的情況。又，O/Si比，以原子比超過2.0時，有二氧化矽蒸鍍層之阻隔性下降的情況。作為適於顯示器用途的二氧化矽蒸鍍層之O/Si比，以原子比為1.85~2.0更佳。
二氧化矽蒸鍍層之O/Si比，例如，可利用X射線光電子分光法(XPS)進行測定。作為XPS測定裝置，具體而言，例如，可為X射線光電子分光分析裝置(日本電子股份有限公司製JPS-90MXV)。在X射線源中，使用非單色化MgKα(1253.6eV)，X射線輸出值，例如，可為100W(10kV-10mA)。在用以求出O/Si比之定量分析中，例如，相對於O之1s軌道使用2.28的相對感度因子，相對於Si之2p軌道使用0.9的相對感度因子。
構成與二氧化矽蒸鍍層相接的第1氣體阻隔性被覆層54、64及第2氣體阻隔性被覆層56、66等之波長轉換片用保護膜300的有機層之折射率，較佳為1.5~1.7。因此，為了防止在波長轉換片用保護膜300內之光學干涉，二氧化矽蒸鍍層之折射率為1.5以上1.7以下較佳。作為二氧化矽蒸鍍層之折射率，除了阻隔性以外，亦為了顯示器用途，從透明性之觀點，更佳為1.6~1.65。再者，在二氧化矽蒸鍍層之折射率的測定之際，可藉由物理氣相沉積(PVD)法，在PET薄膜上形成折射率不同之幾種二氧化矽蒸鍍膜。二氧化矽蒸鍍層之折射率，可自二氧化矽蒸鍍層的厚度與藉由光干涉產生的透射率曲線算出。
二氧化矽蒸鍍層的厚度為5nm~300nm之範圍內較佳。二氧化矽蒸鍍層的厚度小於5nm時，難以得到均勻的膜，而且，難以充分發揮作為氣體阻隔材之機能。二氧化矽蒸鍍層的厚度超過300nm時，於二氧化矽蒸鍍層難以保持撓性，而且，在蒸鍍膜之成膜後，因為折曲及拉伸等之外在因素，而容易在蒸鍍膜產生龜裂。 二氧化矽蒸鍍層的厚度，考慮到利用線內製膜之生產性時，更佳為10~50nm的範圍內。
作為形成二氧化矽蒸鍍層的方法，例如，亦可為真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、及電漿氣相沉積法(CVD)等之任一者。作為真空蒸鍍法所需要的加熱手段，可使用電子束加熱方式、電阻加熱方式、及感應加熱方式中之任一者的方式。為了提升二氧化矽蒸鍍層之光透射性，例如，亦可使用吹送氧等之各種氣體等之反應蒸鍍法。
第1氣體阻隔性被覆層54、64及第2氣體阻隔性被覆層56、66(以下簡稱為「氣體阻隔性被覆層」)為具備氣體阻隔性的被膜層，可作成與上述波長轉換片100、200中的氣體阻隔性被覆層11同樣之構成。氣體阻隔性被覆層，可使用塗布劑形成。塗布劑，例如，係將含有選自於包含水溶性高分子、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物之水解物、及矽烷偶合劑的群組中之至少一種的水溶液、或水/醇混合溶液作為主劑。
塗布劑，具體而言，例如，在水溶性高分子之水溶液、或水/醇混合溶液中直接混合金屬烷氧化物、金屬烷氧化物之水解物、及矽烷偶合劑而作成。或者，塗布劑，例如，在水溶性高分子之水溶液、或水/醇混合溶液中混合預先進行水解等之處理的金屬烷氧化物與矽烷偶合劑而作成。塗布劑之溶液，在密合層52、62上塗布後，藉由進行加熱乾燥而形成氣體阻隔性被覆層。又，塗布劑的溶液，在二氧化矽蒸鍍層上各別塗布後，藉 由進行加熱乾燥而形成氣體阻隔性被覆層。
作為在塗布劑使用的水溶性高分子，例如，可舉出含羥基的高分子化合物。含羥基的高分子化合物，例如，可為聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯啶酮、澱粉、甲基纖維素、羧甲基纖維素、及海藻酸鈉等。作為塗布劑，PVA特佳。自PVA作成的氣體阻隔性被覆層，其氣體阻隔性佳。
金屬烷氧化物為通式M(OR)n(M：Si、Ti、Al、Zr等之金屬、R：CH3、C2H5等之烷基、n：對應於M之價數的數)所示的化合物。作為金屬烷氧化物，具體而言，例如，有四乙氧矽烷[Si(OC2H5)4]、及三異丙氧基鋁[Al(O-2’-C3H7)3]等。作為金屬烷氧化物，四乙氧矽烷及三異丙氧基鋁特佳。四乙氧矽烷及三異丙氧基鋁，水解後，在水系溶媒中比較安定。
矽烷偶合劑為通式R1 mSi(OR2)4-m(R1：有機官能基、R2：CH3、C2H5等之烷基、m：1~3的整數)所示的化合物。作為矽烷偶合劑，具體而言，例如，可為乙基三甲氧矽烷、乙烯三甲氧矽烷、γ-氯丙基甲基二甲氧矽烷、γ-氯丙基三甲氧矽烷、縮水甘油氧丙基三甲氧矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧矽烷、及γ-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧矽烷等之矽烷偶合劑等。在矽烷偶合劑之溶液中，在不損及氣體阻隔性的範圍，也可因應需要添加異氰酸酯化合物、或是分散劑、安定化劑、黏度調整劑、及著色劑等之周知的添加劑。
作為塗布劑之塗布方法，例如，可使用浸漬 法、輥塗布法、網版印刷法、噴灑法、及凹版印刷法等之以往周知的方法。乾燥後之氣體阻隔性被覆層的厚度，較佳為0.01~50μm，更佳為0.1~10μm。乾燥後之氣體阻隔性被覆層的厚度小於0.01μm時，因為得不到均勻的塗膜，所以有得不到足夠的氣體阻隔性之情況。又，乾燥後之氣體阻隔性被覆層的厚度超過50μm時，變得容易在氣體阻隔性被覆層產生裂縫。
再者，作為第3圖的波長轉換片用保護膜300，其反射率在各別的藍色區域之波長450nm、綠色區域之波長540nm、紅色區域之波長620nm中為10%以上20%以下較佳。反射率與由第1及第2阻隔薄膜50、60導致之光學干涉有關。反射率在各波長中超過20%時，在背光單元中波長轉換片用保護膜300於導光板上作為擴散片使用的情況中，有由光學干涉導致的色彩不均一大幅顯現而產生外觀不良的情況。反射率在各波長中小於10%時，第1及第2阻隔薄膜50、60中的二氧化矽蒸鍍層之O/Si比與折射率容易超出上述較佳值的範圍，且有無法充分展現第1及第2阻隔薄膜50、60之阻隔性的可能性。
又，波長轉換片用保護膜300的透射率，在各別的藍色之450nm波長、綠色之540nm波長、紅色之620nm波長中為80%以上95%以下較佳。小於80%之透射率，有其透射率低而使螢光體層(量子點層)之光轉換效率下降的情況，因此較不佳。
上述波長轉換片用保護膜300，除了使各層之構成成為上述之構成以外，亦可採用與波長轉換片用保 護膜2、20同樣的方法進行製造。
在第1圖及第2圖所示的波長轉換片100、200中，藉由使用上述波長轉換片用保護膜300代替波長轉換片用保護膜2、20，可得到具有在2片波長轉換片用保護膜300、300之間包夾(密封)螢光體層1的構造之波長轉換片。
又，亦可將構成第1圖及第2圖所示的波長轉換片100、200之波長轉換片用保護膜2、20的各層，變更為在上述波長轉換片用保護膜300中說明的各層之構成。特別是在波長轉換片用保護膜2、20中，亦可將無機薄膜層10設為二氧化矽蒸鍍層，將該二氧化矽蒸鍍層所含的氧與矽之O/Si比設為以原子比為1.7以上2.0以下，將二氧化矽蒸鍍層之折射率設為1.5以上1.7以下，在波長450nm、波長540nm、及波長620nm之全部的波長中，將波長轉換片用保護膜2、20之反射率設為10%以上20%以下，而且，將透射率設為80%以上95%以下。藉由滿足該等之條件，波長轉換片用保護膜，其阻隔性更佳，藉由構成背光的情況，可於長時間得到高亮度，甚至在構成顯示器之情況中，可於長時間在顯示器得到沒有產生由色彩之不均一等導致的色調變化、及黑點等之色彩再現不良的優異外觀。
[實施例]
以下基於實施例及比較例更具體地說明本發明，但本發明並沒有限定於以下的實施例。
[實施例1]
(波長轉換片用保護膜之製作)
在作為基材之厚度25μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之單面，利用真空蒸鍍法將氧化矽設置為250Å之厚度作為無機薄膜層(二氧化矽蒸鍍層)，再者，將包含四乙氧矽烷與聚乙烯醇的塗液利用濕式塗布法塗布於無機薄膜層上，形成0.3μm之厚度的氣體阻隔性被覆層。藉此，得到在基材之一方的面上設置包含無機薄膜層及氣體阻隔性被覆層的阻隔層之阻隔薄膜。製作2片該阻隔薄膜。
接著，在一方的阻隔薄膜之與氣體阻隔性被覆層為相反面之側(基材側)，將包含丙烯酸樹脂與二氧化矽微粒(平均粒徑3μm)的塗液利用濕式塗布法塗布，形成5μm之厚度的塗布層。藉此，得到附有塗布層的阻隔薄膜。
其次，藉由將附有塗布層的阻隔薄膜之氣體阻隔性被覆層側、及與未具備塗布層的阻隔薄膜之氣體阻隔性被覆層為相反面之側(基材側)，使用丙烯酸樹脂接著劑貼合，得到實施例1的波長轉換片用保護膜。製作2片該波長轉換片用保護膜。
(波長轉換片之製作)
將作為量子點之CdSe/ZnS 530(商品名、SIGMA-ALDRICH公司製)與環氧系感光性樹脂混合後，將混合液塗布於上述波長轉換片用保護膜之氣體阻隔性被覆層側，並於此積層相同構成的波長轉換片用保護膜，並利用UV硬化積層，得到具有第1圖所示的構造之實施例1的波長轉換片。
(背光單元之製作)
在得到的波長轉換片，組合LED光源與導光板，製作實施例1之背光單元。
[實施例2]
(波長轉換片用保護膜之製作)
在實施例1中，除了將附有塗布層的阻隔薄膜之氣體阻隔性被覆層側、及不具有塗布層的阻隔薄膜之氣體阻隔性被覆層側，使用丙烯酸樹脂接著劑貼合以外，係以同樣的操作得到實施例2之波長轉換片用保護膜。製作2片該波長轉換片用保護膜。
(波長轉換片之製作)
將CdSe/ZnS 530(商品名、SIGMA-ALDRICH公司製)與環氧系感光性樹脂混合後，將混合液塗布於上述波長轉換片用保護膜之基材側(與塗布層為相反面之側)，並於此積層相同構成的波長轉換片用保護膜，並利用UV硬化積層，得到具有第2圖所示的構造之實施例2的波長轉換片。
(背光單元之製作)
在得到的波長轉換片組合LED光源與導光板，製作實施例2之背光單元。
[實施例3]
在實施例1中，除了未設置塗布層以外，係以同樣的操作得到實施例3之波長轉換片用保護膜。再者，除了使用該波長轉換片用保護膜以外，係採用與實施例1同樣的操作，得到實施例3的波長轉換片及背光單元。
[比較例1]
在實施例1中，除了使用厚度25μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜代替附有塗布層的阻隔薄膜以外，係以同樣的操作，得到比較例1的波長轉換用保護膜。再者，除了使用該波長轉換片用保護膜以外，係採用與實施例1同樣的操作，得到比較例1的波長轉換片及背光單元。
[比較例2]
在實施例1中，除了使用厚度25μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜代替不具有塗布層的阻隔薄膜以外，係以同樣的操作得到比較例2的波長轉換片用保護膜。再者，除了使用該波長轉換片用保護膜以外，係採用與實施例1同樣的操作，得到比較例2的波長轉換片及背光單元。
[比較例3]
在實施例2中，除了使用厚度12μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜代替附有塗布層的阻隔薄膜以外，係以同樣的操作得到比較例3的波長轉換片用保護膜。再者，除了使用該波長轉換片用保護膜以外，係採用與實施例2同樣的操作，得到比較例3的波長轉換片及背光單元。
[比較例4]
在作為基材之厚度25μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜之單面，利用真空蒸鍍法將氧化矽設置為250Å之厚度作為第1無機薄膜層(二氧化矽蒸鍍層)，再者，將包含四乙氧矽烷與聚乙烯醇的塗液利用濕式塗布法塗布於第1無機薄膜層上，形成0.3μm之厚度的第1氣體阻隔性被覆層。接著，在第1氣體阻隔性被覆層上，利用真空蒸鍍法將氧化矽設置為250Å之厚度作為第2無機薄膜層(二氧 化矽蒸鍍層)，再者，將包含四乙氧矽烷與聚乙烯醇的塗液利用濕式塗布法塗布於第2無機薄膜層上，形成0.3μm之厚度的第2氣體阻隔性被覆層。藉此，得到在基材之一方的面上設置包含第1無機薄膜層、第1氣體阻隔性被覆層、第2無機薄膜層及第2氣體阻隔性被覆層的阻隔層之阻隔薄膜。
接著，藉由將阻隔薄膜之氣體阻隔性被覆層側、及厚度25μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，使用丙烯酸樹脂接著劑貼合，得到比較例4的波長轉換片用保護膜。製作2片該波長轉換片用保護膜。除了使用該波長轉換片用保護膜以外，係採用與實施例2同樣的操作，得到比較例4之波長轉換片及背光單元。
<亮度測定>
對於實施例1~3及比較例1~4所製作的背光單元，使用亮度計(KONICA MINOLTA公司製、商品名：LS-100)測定LED發光時之亮度(初期亮度)。其次，作為可靠度試驗，將背光單元在60℃、90%RH之環境下保存500小時後，測定亮度。初期亮度與保存500小時後的亮度之差越小，意指波長轉換片用保護膜之阻隔性越佳。將得到的結果示於表1。
<外觀評價>
對於實施例1~3及比較例1~4所製作的背光單元，在LED發光狀態下目視確認外觀，各別評價異物(噴濺、傷痕、皺褶等)之有無、及干涉條紋的產生之有無。將無確認到異物及干涉條紋者判定為「A」，將確認到異物及 干涉條紋者判定為「B」。該外觀評價係與亮度測定同樣地進行初期及60℃、90%RH之環境下保存500小時後之兩者。將得到的結果示於表1。
如由表1所示的結果所明示，可確認：使用實施例1~3之波長轉換片的背光單元，藉由積層2片阻隔薄膜，可抑制噴濺等之異物的影響，而且，抑制干涉條紋之產生。又，藉由使用實施例1~3之波長轉換片，可得到即使經過可靠度試驗也幾乎沒有劣化的背光單元。
另一方面，比較例1~3之波長轉換片，由於為貼合1片阻隔薄膜與聚酯薄膜的構造，故尤其是在可靠度試驗後，因為阻隔性差所以看到亮度之下降，不僅看到在外觀上全體的亮度下降，且也看到局部的亮度下降。
又，比較例4的波長轉換片，雖阻隔性為良好，但將作為薄膜層之無機薄膜層(二氧化矽蒸鍍層)及氣體阻隔性被覆層積層2次的結果，變得可明顯地看到干涉條紋。
[實施例4]
(波長轉換片用保護膜之製作)
在使用重量平均分子量6萬之PET形成的厚度16μm之PET薄膜的基材之單面，塗布密合層用組成物，積層厚度0.1μm的密合層。其次，在密合層上藉由物理蒸鍍法將第1二氧化矽蒸鍍層作為無機薄膜層積層，使其厚度成為30nm。在第1二氧化矽蒸鍍層上，藉由使用氣體阻隔性被覆層用組成物之濕式塗布法，形成厚度1μm的第1氣體阻隔性被覆層(第1複合被膜層)。再者，在第1氣體阻隔性被覆層上，積層第2二氧化矽蒸鍍層，使其厚度成為30nm。接著，在第2二氧化矽蒸鍍層上，藉由使用氣體阻隔性被覆層用組成物之濕式塗布法，形成厚度1μm的第2氣體阻隔性被覆層(第2複合被膜層)，製作第1阻隔薄膜。第1二氧化矽蒸鍍層及第2二氧化矽蒸鍍層中的O/Si比，以原子比為1.8，折射率為1.61。又，採用與第1阻隔薄膜同樣的方法，製作第2阻隔薄膜。
密合層用組成物係設為丙烯酸多元醇與甲苯二異氰酸酯之乙酸乙酯溶液。丙烯酸多元醇之OH基與甲苯二異氰酸酯之NCO基係設為相互等量。將乙酸乙酯溶液中的丙烯酸多元醇與甲苯二異氰酸酯之合計固體成分的濃度設為5質量%。
在氣體阻隔性被覆層用組成物之製作中，將四乙氧矽烷10.4g加入至0.1N(標準濃度(normal concentration))之鹽酸89.6g，將該鹽酸溶液攪拌30分鐘，將四乙氧矽烷水解。水解後的固體成分之濃度，以SiO2換算為3質量%。將四乙氧矽烷之水解溶液與聚乙烯醇之3質量%水溶液混合作為氣體阻隔性被覆層用組成物。四 乙氧矽烷的水解溶液與聚乙烯醇之摻合比，以質量%換算為50對50。
在第1及第2二氧化矽蒸鍍層之形成中，在其形成前變更蒸鍍之材料的種類等之蒸鍍條件而決定適當的蒸鍍條件。二氧化矽蒸鍍層之O/Si比，可使用X射線光電子分光分析裝置(日本電子股份有限公司製、JPS-90MXV)調查。X射線源係使用非單色化MgKα(1253.6eV)，以X射線輸出100W(10kV-10mA)測定。用以求出二氧化矽蒸鍍層之O/Si比的定量分析，各別在O1s使用2.28、在Si2p使用0.9的相對感度因子進行。二氧化矽蒸鍍層之折射率，可利用二氧化矽蒸鍍層之厚度與藉由光干涉產生的透射率曲線之峰的波長，並藉由模擬而算出。
其次，隔著接著層貼合第1阻隔薄膜與第2阻隔薄膜。接著層，係藉由2液硬化型之胺基甲酸酯接著劑而製作。接著後之接著層的厚度為5μm。在第2阻隔薄膜的PET薄膜上，塗布將粒子徑2μm之烯烴系粒子分散於胺基甲酸酯黏結劑中的塗布層，使其厚度成為3μm。得到霧度值60%(JIS K7136)的第1波長轉換片用保護膜。又，採用與第1波長轉換片用保護膜同樣的方法，製作第2波長轉換片用保護膜。
(波長轉換片之製作)
以下述的方法得到具有CdSe/ZnS之核．殼構造的螢光體。首先，將在十八烯添加辛胺及乙酸鎘的溶液、與在三辛基膦溶解硒的溶液以質量比1：1混合，使其通過 加熱的微流路，得到作為核微粒之CdSe微粒溶液。接著，使CdSe微粒溶液、與將[(CH3)2NCSS]2Zn溶解於三辛基膦的溶液以質量比成為1：1的方式混合，使其通過加熱的微流路，得到CdSe/ZnS構造之螢光體。將得到的螢光體混合至感光性樹脂(環氧樹脂)，得到量子點層用混合物。接著，在第1波長轉換片保護膜之第1阻隔薄膜的基材上(與塗布層為相反側的面上)塗布量子點層用混合物，並於其上將第2波長轉換片保護膜以使其第1阻隔薄膜之基材側(與塗布層為相反側)與第1波長轉換片保護膜相對向的方式積層。對量子點層用混合物進行UV照射，使量子點層用混合物所包含的感光性樹脂硬化。藉此，製作量子點層(螢光體層)藉由第1及第2波長轉換片保護膜夾持的波長轉換片。
(背光單元之製作)
在得到的波長轉換片組合LED光源與導光板，製作實施例4之背光單元。
[實施例5]
在使用重量平均分子量6萬之PET形成的厚度16μm之PET薄膜的基材之單面，塗布密合層用組成物，積層厚度0.1μm的密合層。其次，在密合層上藉由物理蒸鍍法將第1二氧化矽蒸鍍層作為無機薄膜層積層，使其厚度成為30nm。在第1二氧化矽蒸鍍層上，藉由使用氣體阻隔性被覆層用組成物之濕式塗布法，形成厚度1μm的第1氣體阻隔性被覆層(第1複合被膜層)，製作第1阻隔薄膜。第1二氧化矽蒸鍍層的O/Si比，以原子比為1.8，折射率 為1.61。又，採用與第1阻隔薄膜同樣的方法，製作第2阻隔薄膜。第1及第2阻隔薄膜中的各層，係採用與實施例4同樣的方法形成。實施例5的第1及第2阻隔薄膜均為具有二氧化矽蒸鍍層及氣體阻隔性被覆層各1層之構成，亦即，具有由實施例4之第1及第2阻隔薄膜除去第2二氧化矽蒸鍍層及第2氣體阻隔性被覆層之構成。
除了使用上述方法所製作的第1及第2阻隔薄膜以外，係與實施例4同樣進行，得到霧度值60%(JIS K7136)之第1及第2波長轉換片用保護膜。再者，除了使用該第1及第2波長轉換片用保護膜以外，係與實施例4同樣進行，得到波長轉換片及使用其之背光單元。
[實施例6]
藉由變更SiO蒸鍍材料之O/Si比，調整物理蒸鍍之條件，可使二氧化矽蒸鍍層之O/Si比以原子比成為1.7，使折射率成為1.55，而製作第1及第2二氧化矽蒸鍍層。除了二氧化矽蒸鍍層的O/Si比與折射率之值以外，藉由與實施例4同樣的方法，得到波長轉換片用保護膜、波長轉換片及背光單元。
<波長轉換片用保護膜及背光單元之評價>
表2為表示在實施例4~6中製作的波長轉換片用保護膜之反射率及透射率之評價結果的表。表3為表示在實施例4~6中製作的波長轉換片用保護膜之水蒸氣滲透度、及背光單元之亮度及外觀之評價結果的表。
波長轉換片用保護膜之反射率及透射率，係使用分光光度計(商品名：SHIMAZU UV-2450)，在波長450nm、540nm、及620nm中進行測定。在測定時，自與波長轉換片用保護膜之塗布層為相反側的面照射測定光。波長轉換片用保護膜之水蒸氣滲透度(g/m2．day)係使用水蒸氣滲透度測定裝置(Modern Control公司製之Permatran3/33)，在40℃/90%RH氣體環境下進行測定。
背光單元的亮度之測定、及外觀之評價(外觀評價1)係於60℃/90%RH氣體環境下之1,000小時保存實驗的前後實施。在表3中，初期係表示保存實驗前，保存後係表示保存實驗後。背光單元之亮度係使用亮度計(KONICA MINOLTA公司製之LS-100)進行測定。背光單元之外觀(外觀評價1)，具有可承受作為背光單元之顯示器用途的外觀時評價為「A」，在顯示器可看到由色彩不 均一等導致的色調變化且有黑點等之色彩再現不良時評價為「B」。
背光單元之外觀評價2係以下述的方法進行。亦即，對於背光單元，在LED發光狀態下目視確認外觀，各別評價異物(噴濺、傷痕、皺褶等)之有無、及干涉條紋的產生之有無。將無確認到異物及干涉條紋者判定為「A」，將確認到異物及干涉條紋者判定為「B」。該外觀評價，係進行初期及60℃、90%RH之環境下保存500小時後之兩者。
[產業上之可利用性]
藉由使用：本發明之作為將2層以上的阻隔薄膜彼此積層的積層薄膜之波長轉換片用保護膜、藉由該波長轉換片用保護膜被覆螢光體層的波長轉換片、及使用該波長轉換片的背光單元，而可製造優異的高精細顯示器。

Claims (11)

  1. 一種波長轉換片用保護膜，其係用以保護波長轉換片中的螢光體之波長轉換片用保護膜，具有阻隔薄膜積層2層以上的構造，其中阻隔薄膜具有基材與在該基材之至少一方的面上設置之1層以上的阻隔層，其中該阻隔層包含積層於該基材之一方的面上之無機薄膜層與積層於該無機薄膜層上之氣體阻隔性被覆層。
  2. 如請求項1之波長轉換片用保護膜，其中該2層以上之該阻隔薄膜係使用接著層而積層，且具有使隣接的2層之該阻隔薄膜的該阻隔層彼此以隔著該接著層相對向的方式配置的構造。
  3. 如請求項1之波長轉換片用保護膜，其進一步具有具備光學機能的塗布層，且該塗布層配置於波長轉換片用保護膜之至少一方的表面。
  4. 如請求項3之波長轉換片用保護膜，其中該光學機能為抗干涉條紋機能。
  5. 如請求項3之波長轉換片用保護膜，其中該塗布層包含黏結劑樹脂與分散於該黏結劑樹脂中的微粒。
  6. 如請求項1之波長轉換片用保護膜，其中該阻隔層具有該無機薄膜層與該氣體阻隔性被覆層交互積層各2層以上的構造。
  7. 如請求項1之波長轉換片用保護膜，其中該氣體阻隔性被覆層為含有含羥基的高分子化合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物中之至少一種的層。
  8. 如請求項1至7中任一項之波長轉換片用保護膜，其進一步具有於至少一方的表面配置之具備光學機能的塗布層，該阻隔層包含二氧化矽蒸鍍層作為無機薄膜層，該二氧化矽蒸鍍層所含的氧與矽之O/Si比以原子比為1.7以上2.0以下，該二氧化矽蒸鍍層之折射率為1.5以上1.7以下，在波長450nm、波長540nm、及波長620nm之全部的波長中，該波長轉換片用保護膜之反射率為10%以上20%以下，且透射率為80%以上95%以下。
  9. 一種波長轉換片，其具備：包含螢光體的螢光體層與在該螢光體層之至少一方的面上積層之如請求項1~8中任一項之波長轉換片用保護膜。
  10. 如請求項9之波長轉換片，其中該波長轉換片用保護膜，在與該螢光體層相對向側為相反側的面上具有具備光學機能的塗布層。
  11. 一種背光單元，其具備：LED光源、導光板、及如請求項9或10之波長轉換片。
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