TWI604247B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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TWI604247B TW104113254A TW104113254A TWI604247B TW I604247 B TWI604247 B TW I604247B TW 104113254 A TW104113254 A TW 104113254A TW 104113254 A TW104113254 A TW 104113254A TW I604247 B TWI604247 B TW I604247B
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Description

液晶顯示裝置
本發明關於一種液晶顯示裝置。特別是，本發明關於一種藉以幾與基底水平之電場改變液晶分子的校正而驅動的液晶顯示裝置。
一種顯示裝置，包括自發光顯示裝置及不發光顯示裝置。液晶顯示裝置為該最具代表性的不發光顯示裝置。液晶顯示裝置中液晶的驅動方法包括電壓垂直施用於基底的垂直電場類型，及電壓幾乎平行施用於該基底的水平電場類型。
近年來，液晶顯示裝置已獲注意，其中施予電壓以便於水平方向(平行於基底的方向)產生一電場，且一液晶分子平行於基底平面旋轉以使光自背光發出或不發出，藉以顯示一影像(例如，參照專利文件1：日本專利No.H9-105918及非專利文件1：Ultra-FFS TFT-LCD with Super Image Quality and Fast Response Time 2001 SID,484-487頁)。
每一該垂直電場類型及該水平電場類型具有一優點及缺點。例如，相較於典型TN型的該垂直電場類型，該水平電場類型具有寬視角、高對比、高層次顯示等特徵，被做為一監視器或電視。該些類型的液晶顯示裝置共存於液晶領域，並已開發量產。此外，已依據施用電壓的方向而開發每一水平電場類型的液晶材料及垂直電場類型的液晶材料，並具有不同的材料特性。
此外，水平電場液晶顯示裝置包括IPS(平面切換)型及FFS(穗場切換)型。在IPS型中，交替配置具有梳形或柵縫的畫素電極及具有梳形或柵縫的共同電極，並於該畫素電極及該共同電極間產生一幾乎平行於基底的電場，藉以驅動液晶顯示裝置。另一方面，在FFS型中，具有梳形或柵縫的畫素電極配置於具有平面形的共同電極上，且整個於一畫素部分中形成。於該畫素電極及該共同電極間產生一幾乎平行於基底的電場，藉以驅動液晶顯示裝置。
在此類液晶顯示裝置中，具有例如寬視角及依據顯示螢幕所視角度之低色移等優點，且該液晶顯示裝置有效地用於電視機的顯示部分。
背光發光的傳輸型液晶顯示裝置有一問題，其中儘管容易在黑暗房中看見顯示影像，但卻不易在陽光下看見顯示影像。特別是，此問題大大地影響常用於戶外的電子設備，例如照相機、移動資訊終端機或行動電話等。
因而，希開發出能於戶內及戶外顯示適當影像並具有 寬視角的液晶顯示裝置。
本發明的一個目標是提供一種寬視角及依據顯示螢幕所視角度之低色移的液晶顯示裝置，並可於戶內及戶外顯示可適切辨識的影像。
依據本發明的液晶顯示裝置包括以光之傳輸實施顯示的第一部分，及以光之反射實施顯示的第二部分。此外，液晶層包括當置於該液晶層下液晶元件的兩電極間產生電位差時，平行於電極平面(即平行於基底的平面)旋轉的液晶分子。
應注意的是，在本發明中，"平行於電極平面旋轉"包括無法由人眼辨識之不一致的平行旋轉。換言之，"平行於電極平面旋轉"亦包括平面方向之主要向量部分的旋轉及除該平面方向之該向量部分外正常方向的少數向量部分的旋轉。
圖18A及18C顯示一液晶分子，其平行於液晶層中電極平面旋轉。當置於液晶層下電極803及電極804間產生電位差時，該液晶層801中所包含液晶分子802便藉水平電場效果而旋轉。當該液晶分子802旋轉時，圖18A中所示狀態改變為圖18B中所示狀態，或圖18B中所示狀態改變為圖18A中所示狀態。圖18A及18B為截面視圖。上述所見該旋轉是由圖18C中箭頭顯示。
同樣地，圖93A至93C顯示一液晶分子，其平行於 液晶層中電極平面旋轉。當置於液晶層下電極9803與電極9805及電極9804與該電極9805間產生電位差時，該液晶層9801中所包含液晶分子9802便藉水平電場效果而旋轉。當該液晶分子9802旋轉時，圖93A中所示狀態改變為圖93B中所示狀態，或圖93B中所示狀態改變為圖93A中所示狀態。圖93A及93B為截面視圖。上述所見該旋轉是由圖93C中箭頭顯示。
應注意的是，該電極803及該電極804的位置等不侷限於圖18A至18C中所示。
同樣地，該電極9803、該電極9804及該電極9805的位置等不侷限於圖93A至93C中所示。
在該第一部分中，以光之傳輸實施顯示，一對電極配置於該相同層中液晶層下。另一方面，在該第一部分中，液晶元件的兩電極置於液晶層下，且該電極各於不同層中形成。該電極之一做為一反射器，或提供一反射器與該電極重疊，藉以反光。在該第二部分中，該液晶元件的兩電極係置於液晶層下。該二電極均為發光並置於該相同層上，或置於以絕緣層插入其間的不同層上。
本發明的模式之一是一種液晶顯示裝置，其包括一液晶元件，包括具有透光屬性的第一電極、具有透光屬性的第二電極及置於該第一電極與該第二電極之上的液晶層；一第一部分，其中該第一電極及該第二電極係置於以絕緣層插入其間的不同層上；及一第二部分，其中該第一電極與該第二電極係置於該絕緣層上，且在該第一部分中該液 晶層與一反射器重疊。
在本發明的結構中，該反射器可與該第二電極電氣連接。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，其包括一液晶元件，包括具有透光屬性的第一電極、含反光之第一傳導層及具有透光屬性之第二傳導層的第二電極及置於該第一電極與該第二電極之上並含平行於該第一電極平面旋轉之液晶分子的液晶層；一第一部分，其中該第一電極及該第二電極係置於以絕緣層插入其間的不同層上；及一第二部分，其中該第一電極與該第二電極係置於該絕緣層上。
本發明的另一模式是一種液晶顯示裝置，其於第一基底與第二基底間包括一液晶元件及一反射器，其中該液晶元件包括一液晶層，及置於該液晶層與該第一基底間的第一電極與第二電極；且其中部分該液晶層與置於該第一電極與該第二電極至少之一其間的該反射器及該第一基底重疊。
在本發明的該結構中，該液晶層可包括一液晶分子，其於該第一電極與該第二電極間產生電位差時平行於該基底平面旋轉。
經由完成本發明，可獲得具有寬視角及依據顯示螢幕所視角度之低色移，並可於陽光下戶外及黑暗室內(或夜晚室外)適切辨識的影像。
10、11、12、103、111、111a、203、203a、204、211、211a、303、311、403、411、503、511‧‧‧液晶元件的電極
13、14、16、18、19、105、110、205、210、305、310、326、405、410、426、510、510a、510b、4028‧‧‧絕緣層
15、125、225、325、425、525、801、9801‧‧‧液晶層
17、228‧‧‧散射器
101、121、201、221、301、321、401、421、501、521、801、900‧‧‧基底
102、202、302、402、4001‧‧‧閘電極
103a、103b、108b、304、404、4027‧‧‧傳導層
106、206、306、406‧‧‧半導體層
107‧‧‧保護膜
108、109、109a、109b、208、209、234、308、309、408、409、509、4014‧‧‧線路
108a‧‧‧N型半導體層
112、124、212、224、312、324、412、831‧‧‧校正膜
122、222、322、422、530‧‧‧蔽光層
123、223、323、423、529‧‧‧色彩過濾器
126、226‧‧‧間隙調整膜
127a、127b、227a、227b、327a、327b、427a、427b、835a、835b‧‧‧極板
128a、128b‧‧‧減速器
129‧‧‧粒子
131、231、331、431、7001‧‧‧閘極線
132、232、332、432、7003a、70030‧‧‧共同線路
133、233、333、433、7002‧‧‧源極線
151、251、351、451、551、7004‧‧‧電晶體
161、261、362、462、561、1002‧‧‧傳輸部分
162、262、361、461、562、1001‧‧‧反射部分
504‧‧‧反射膜
802、9802‧‧‧液晶分子
803、804、9803、9804、9805‧‧‧電極
825、827、829‧‧‧薄膜電晶體
830‧‧‧計數器基底
832‧‧‧計數器電極
833‧‧‧間隔器
834‧‧‧密封劑
836‧‧‧異向性傳導層
837、960‧‧‧柔軟印刷電路
838a‧‧‧第一終端電極層
838b‧‧‧第二終端電極層
852‧‧‧外部終端連接區
853‧‧‧密封區
854‧‧‧掃瞄線驅動器電路
856‧‧‧畫素區
857‧‧‧信號線驅動器電路
920‧‧‧閘極驅動器
930‧‧‧畫素部分
940‧‧‧源極驅動器
950‧‧‧積體電路
2001、2202、2402、2603、2702‧‧‧外殼
2002‧‧‧支撐座
2003、2102、2203、2302、2502、2602、2703‧‧‧顯示部分
2004、2407‧‧‧揚聲器部分
2005‧‧‧視頻輸入端子
2101、2201、2301、2401、2501、2601、2701‧‧‧主體
2103、2606‧‧‧影像接收部分
2104、2304、2406、2503、2609、2706‧‧‧作業金鑰
2105、2205、2604、2707‧‧‧外部連接埠
2106‧‧‧遮光器
2204‧‧‧鍵盤
2206‧‧‧指向滑鼠
2303‧‧‧開關
2305‧‧‧紅外線埠
2403‧‧‧顯示部分A
2404‧‧‧顯示部分B
2405‧‧‧記錄媒體讀取部分
2605‧‧‧遙控接收部分
2607‧‧‧電池
2608、2704‧‧‧音頻輸入部分
2610‧‧‧接目鏡部分
2705‧‧‧音頻輸出部分
2708‧‧‧天線
4002‧‧‧非結晶半導體層
4003、4020‧‧‧閘極絕緣層
4004、4025‧‧‧第一絕緣層
4005、4016、4017、4022、4024‧‧‧反射共同電極
4006、4015、4018‧‧‧傳輸共同電極
4007‧‧‧不平坦的投射
4008‧‧‧畫素電極
4009、4026‧‧‧第二絕緣層
4010、4012、4023‧‧‧第二線路
4011‧‧‧反射電極
4013‧‧‧多晶半導體層
4019‧‧‧共同電極
4021‧‧‧第三絕緣層
9970、9971、9972‧‧‧間隔
在該附圖中：圖1說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之截面結構的模式；圖2俯視說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之結構的模式；圖3說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之截面結構的模式；圖4俯視說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之結構的模式；圖5說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之截面結構的模式；圖6俯視說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之結構的模式；圖7說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之截面結構的模式；圖8俯視說明依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素部分之結構的模式；圖9說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖10說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖11說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖12說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖13說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖14說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖15說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式； 圖16說明依據本發明之液晶顯示裝置畫素部分的電路；圖17A及17B各說明施用依據本發明之液晶顯示裝置的分子；圖18A至18C各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖19A至19H各說明施用本發明之電子設備的一模式；圖20說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖21說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖22說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖23說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖24說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖25說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖26說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖27說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖28說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖29說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖30說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖31說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖32說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖33說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖34說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖35說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式； 圖36說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖37說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖38說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖39說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖40說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖41說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖42說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖43說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖44說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖45說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖46說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖47說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖48說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖49說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖50說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖51說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖52說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖53說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖54說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖55說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖56說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖57說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖58說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖59說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式； 圖60說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖61說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖62說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖63說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖64說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖65說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖66說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖67說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖68說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖69說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖70說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖71說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖72說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖73說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖74說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖75說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖76說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖77說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖78說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖79說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖80說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖81說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖82說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖83說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式； 圖84說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖85說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖86說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖87說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖88說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖89說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖90說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖91A至91D各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖92A及92B各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖93A至93C各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖94說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖95說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；圖96A及96B各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式；及圖97A及97B各說明依據本發明之液晶顯示裝置的一模式。
以下，將描述本發明的一模式。應注意的是，本發明可以許多不同的模式完成，熟悉本技藝之人士輕易理解地是其中模式及細節在不偏離本發明的該目的及該範圍下可 以各式方式加以修改。因而，本發明不希望侷限於該實施例模式的該描述。
在本發明中，不限制可應用的電晶體類型。因而可施用使用以非結晶矽及多晶矽為典型之非單晶半導體薄膜的薄膜電晶體(TFT)、使用半導體基底或SOI基底的電晶體、MOS電晶體、接面型電晶體、雙極電晶體、使用有機半導體或碳奈米管的電晶體或其他電晶體。此外，其上配置電晶體之基底的類型並未限制，且電晶體可配置於單晶基底、SOI基底、玻璃基底等之上。
在本發明中，"將連接"亦表示"將電氣連接"。因此，在本發明所揭露的結構中，此外可於預設的連接元件之間配置可電氣連接的其他元件(例如開關、電晶體、電容、電阻、二極體及其他元件)。
應注意的是，本發明中所示開關可為電氣開關或機械開關。即，只要可控制電流的任何開關均可使用，且該開關可為電晶體、二極體或結合電晶體及二極體的邏輯電路。因而，若使用電晶體做為開關，便不特別限制其中的極性(傳導類型)，因為該電晶體僅作為一開關。然而，當希望關閉狀態的電流低時，便需要使用具有低關閉狀態電流之極性的電晶體。例如，提供具有LDD區、多閘結構等具有低關閉狀態電流的電晶體。此外，當做為開關之電晶體源極端子的電位接近低電位端電源的電位時(Vss、Vgnd、0V等)便需使用n-通道電晶體，當該源極端子的電位接近高電位端電源的電位時(Vdd等)便需 使用p-通道電晶體。因可提昇閘極-源極電壓的絕對值，故可協助該開關有效率地作業。應注意的是，亦可使用使用n-通道電晶體及p-通道電晶體的CMOS型開關。
如上述，可使用各式電晶體做為本發明的電晶體，且該電晶體可形成於各式基底上。因而，驅動畫素的所有該電路可形成於玻璃基底、塑膠基底、單晶基底、SOI基底或其他基底上。另一方面，驅動畫素的部分電路可形成於某些基底上，同時驅動畫素之該電路的另一部分可形成於其他基底上。意即，驅動畫素的所有該電路不需形成於該相同基底上。例如，使用TFT於玻璃基底上形成畫素配置及閘極線路驅動器電路，及單一線路驅動器電路(或其中部分)可於單一結晶基底上形成，且接著以此方式形成的IC晶片可由COG(玻璃上晶片)連接並配置於玻璃基底上。另一方面，該IC晶片可使用TAB(帶自動結合)或印刷基底而連接玻璃基底。
(實施例模式1)
將參考圖20描述依據本發明之液晶顯示裝置的一模式。所提供液晶顯示裝置具有複數配置於矩陣中的畫素，且圖20顯示一畫素之截面結構的一模式。
如圖20中所示，該液晶顯示裝置包括傳輸部分1002，其中以光之傳輸實施顯示。在每一部分中，提供做為畫素電極的電極及做為共同電極的電極。
做為畫素電極的電極形成為梳形或柵縫形。另一方 面，做為共同電極的電極形成為平面形或整個形成於畫素部分中。然而，本發明並不侷限於此。
該電極之間的空間各形成為梳形或柵縫形並做為畫素電極，較佳地為2至8μm，更加地為3至4μm。
於做為畫素電極的該電極與做為共同電極的該電極間施用電壓藉以產生電場。該電場包含大量平行於基底的部分。接著，一液晶分子依據該電場而於平行於該基底的平面中旋轉。因此，可控制光的傳輸及反射以顯示層次。
當所提供的複數電極各做為共同電極時，較佳地絕緣層中接觸洞便開啟，或使該電極彼此重疊以便電氣連接該共同電極。
此外，當做為畫素電極的該電極與做為共同電極的該電極配置具有絕緣層插入其間，其中該電極配置具有絕緣層插入其間的部分做為一電容。因而，該部分亦可做為儲存影像信號的儲存電容。
以光之反射實施顯示的該反射部分1001具有一反射電極，藉此以光之反射實施顯示。該反射電極亦可做為共同電極，或另一方面，該反射電極及該共同電極可分別提供。因而，該反射電極可連接將施用電壓的該共同電極。然而，當分別提供該反射電極及該共同電極時，亦存在無電壓供應或供應其他電壓的狀況。
以光之傳輸實施顯示的該傳輸部分1002具有一傳輸電極，藉此以光之傳輸實施顯示。該傳輸電極亦可做為共同電極，或另一方面，該傳輸電極及該共同電極可分別提 供。因而，該傳輸電極可連接將施用電壓的該共同電極。然而，當分別提供該傳輸電極及該共同電極時，亦存在無電壓供應或供應其他電壓的狀況。此外，該傳輸電極亦可做為畫素電極。
之後，將描述圖20的結構。在該反射部分1001中，液晶元件的電極10及該液晶元件的電極11彼此重疊並具有絕緣層13及絕緣層14插入其間。此外，在該傳輸部分1002中，該液晶元件的電極10及該液晶元件的電極12彼此重疊並具有該絕緣層14插入其間。
該液晶元件的該電極10形成為梳形，且該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12整個形成於該畫素部分中。然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12可具有如同柵縫或洞的間隙，或可形成為梳形。
該液晶元件的該電極10做為畫素電極，且該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12各做為共同電極。然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極10可做為共同電極，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12可各做為畫素電極。
關於各做為共同電極的該電極，較佳地，絕緣層中接觸洞開啟以便電氣連接該電極。另一方面，使該電極彼此重疊以便電氣連接該電極。
該液晶元件的該電極11係使用反光的傳導材料形成。因而，該電極做為反射電極。此外，該液晶元件的該 電極12係使用發光的傳導材料形成。因而，該電極做為傳輸電極。
較佳地使用發光的傳導材料形成該液晶元件的該電極10。這是因為該電極10可發光並因而有助於顯示影像的部分。應注意的是，該液晶元件的該電極10亦可使用反光的材料形成。在此狀況下，由於該電極10反光，甚至該傳輸部分1002可做為反射部分。
此外，當做為畫素電極(該液晶元件的該電極10)的該電極及做為共同電極(該液晶元件的電極11及該液晶元件的該電極)的該電極配置具絕緣層插入其間時，配置具絕緣層插入其間的該電極部分做為一電容。因而，該部分亦可做為儲存影像信號的儲存電容。
圖83顯示施用電場予圖20之該液晶元件的該電極之間的狀態。在以光之反射實施顯示的該反射部分1001中，當該液晶元件之該電極10與該液晶元件之該電極11之間產生電位差時，該液晶層15中所包含液晶分子(15a及15b)便平行於該液晶元件之該電極10與該液晶元件之該電極11的該平面(即平行於基底的平面)而旋轉，且其變成可控制穿越該液晶層15的該光量。較明確地，變成可控制光的極化狀態，且該液晶分子(15a及15b)可控制穿越置於該基底之該外側上極化板的該光量。圖83相應於圖18A及圖93A。圖83中所示該液晶分子(15a及15b)以類似於圖18A至18B及93A至93B中所示的該方式旋轉。從外側進入該液晶顯示裝置的光穿越該 液晶層15，傳輸穿越該液晶元件的該電極10、該絕緣層13及該絕緣層14，於該液晶元件的該電極11反射，再次穿越該絕緣層13、該絕緣層14、該液晶元件的該電極10及該液晶層15，並自該液晶顯示裝置射出。
由於該絕緣層13及該絕緣層14幾乎不具折射率向異性，即使當光穿越該絕緣層時極化狀態亦不改變。
此外，在以光之傳輸實施顯示的該傳輸部分1002中，當該液晶元件的該電極10與該液晶元件的該電極12之間產生電位差時，該液晶層15中所包含液晶分子(15c、15d及15e)便平行於該液晶元件的該電極10與該液晶元件的該電極12的該平面(即在平行於該基底的平面中)旋轉，且其變得可控制穿越該液晶層15的該光量。較具體地，其變得可控制光的極化狀態，且該液晶分子(15c、15d及15e)可控制通過置於該基底之該外側上極化板的該光量。圖83相應於圖18A及圖93A。圖83中所示該液晶分子(15c、15d及15e)以類似於圖18A至18B及93A至93B中該方式而旋轉。自背光進入該液晶顯示裝置的光穿越該液晶層15並自該液晶顯示裝置射出。
應注意的是，在以光之反射實施顯示的該反射部分1001及以光之傳輸實施顯示的該傳輸部分1002中，於光路徑中設置色彩過濾器，使得光改變為所需顏色的光。經由結合每一畫素所發出的光如此一來便可顯示影像。
該色彩過濾器可置於該液晶層15上所配置的相對電極上、該液晶元件的該電極10上、或在該絕緣層14或其 部分之中。
應注意的是，可以類似於該色彩過濾器的方式置放一黑色矩陣。
在以光之反射實施顯示的該反射部分1001中，光穿越該液晶層15兩次。換言之，外部光自該相對基底端進入該液晶層15，於該液晶元件的該電極11反射，再次進入該液晶層15，並發射至該相對基底外部；因而光穿越該液晶層15兩次。
另一方面，在以光之傳輸實施顯示的該傳輸部分1002中，光進入該液晶層15，穿越該液晶元件的該電極12，並自該相對基底射出。換言之，光穿越該液晶層15一次。
此處，由於該液晶層15具有折射率向異性，光的極化狀態隨光在該液晶層15中移動距離而改變。因此，在一些狀況下無法正確地顯示影像。因而，需要調整光的極化狀態。關於調整極化狀態的方法，在以光之反射實施顯示的該反射部分1001中該液晶層15的厚度(所謂格間距)可為薄的，使得當光通過兩次時該距離不會變得過長。
由於該絕緣層13及該絕緣層14幾乎不具折射率向異性，即使當光穿越該絕緣層時極化狀態亦不改變。因而，該絕緣層13及該絕緣層14的存在或厚度對於極化狀態影響不大。
為薄化該液晶層15的厚度(所謂格間距)，可配置 用於調整厚度的薄膜。在圖20中，該絕緣層13相應於該層。換言之，在以光之反射實施顯示的該反射部分1001中，該絕緣層13為用於調整該液晶層厚度的該層。經由提供該絕緣層13，該反射部分1001中該液晶層的厚度便較該傳輸部分1002中該液晶層的厚度薄。
較佳的是該反射部分1001中該液晶層15的厚度為該傳輸部分1002中該液晶層15厚度的一半。此處，"為一半"亦包括無法由人眼辨識的不一致量。
應注意的是，光並非僅自垂直於該基底的方向進入，即正常方向，光於許多狀況下亦傾斜地進入。因而，基於所考量的所有狀況，光在該反射部分1001及該傳輸部分1002中移動距離幾乎相同。因而，該反射部分1001中該液晶層15的厚度較佳地約大於或等於該傳輸部分1002中該液晶層15厚度的三分之一及小於或等於該厚度的三分之二。
如上述，當該絕緣層13配置做為調整伴隨該液晶元件之該電極10的該基底端上該液晶層厚度的薄膜時，便可輕易地調整該液晶層的厚度。換言之，許多線路、電極及薄膜形成於伴隨該液晶元件之該電極10的該基底端上。因而，做為大量形成之各式線路、電極及薄膜的一部分，可形成用於調整該液晶層厚度的薄膜；因而，當調整該液晶層厚度時毫無困難。此外，其變得亦可形成用於調整該液晶層厚度的該薄膜連同具有其他功能的薄膜。因而，可簡化程序亦可降低該成本。
在具有依據本發明之該上述結構的液晶顯示裝置中，視角寬，顏色不隨顯示螢幕之觀看角度而時常改變，並可提供在陽光下戶外及黑暗室內(或夜間戶外)均可良好辨識的影像。
在圖20中，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12係於該相同平面上形成；然而，本發明並不侷限於此。該二電極亦可於不同平面上形成。
在圖20中，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12係彼此分離配置；然而，本發明並不侷限於此。該二電極亦可接觸配置或使用該相同電極。另一方面，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12彼此可電氣相連。
在圖20中，該絕緣層13配置為用於調整該液晶層15之厚度的薄膜；然而，本發明並不侷限於此。用於調整該液晶層15之厚度的該薄膜亦可配置於該相對基底端。
應注意的是，該絕緣層13配置為用於調整該液晶層15之厚度的薄膜，以使該液晶層15的厚度薄化。然而，另一方面，該薄膜可於預定區中移除以使該液晶層15的厚度厚化。
應注意的是，該反射電極的該表面可為平坦的，但較佳的是不平坦的。藉該不平坦表面，光可擴散而反射。因此，光可散射並可改進照度。
(實施例模式2)
依據本發明之液晶顯示裝置的模式，具有不同於實施例模式1的結構，將參照圖21至42予以描述。應注意的是，具有與實施例模式1該相同功能的部分標示該相同代號。
圖21顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖20的該液晶顯示裝置，其中液晶元件的電極11及該液晶元件的電極12為疊置的。當希望該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12具有該相同電位時，可將該些電極疊置而電氣相連。
應注意的是，該液晶元件的該電極12係置於該液晶元件的該電極11之下；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極12可置於該液晶元件的該電極11之上。
應注意的是，該液晶元件的該電極12係整個置於該液晶元件的該電極11之下；然而，本發明並不侷限於此。
當該液晶元件的該電極12整個置於該液晶元件的該電極11之下時，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12可使用一遮罩加以形成。通常，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12係使用不同遮罩而形成。但在此狀況下，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12可形成例如半色調遮罩或灰色調遮罩之遮罩並隨區域改變抗蝕劑厚度而使用一遮罩加以形成。因 此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖22顯示液晶顯示裝置的模式，其中部分該液晶元件的該電極11及部分該液晶元件的該電極12係疊置以便彼此電氣相連。藉此結構，該二電極可彼此電氣相連。
應注意的是，該液晶元件的該電極12係配置於該液晶元件的該電極11之上並相接觸；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極11亦可配置於該液晶元件的該電極12之上並相接觸。
如此一來，當該液晶元件的該電極12未置於該液晶元件的該電極11之上時，便可減少光的漏失。
在圖23中，液晶元件的電極11及該液晶元件的電極12係置於不同層，以便插入絕緣層16。如此一來，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12便可置於不同層。
如上述，當該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12置於不同層時，該液晶元件的該電極11與反射部分1001中該液晶元件的該電極10之間的距離，便幾乎和該液晶元件的電極12與傳輸部分1002中該液晶元件的該電極10之間的距離相同。因此，在該反射部分1001及該傳輸部分1002中，該電極之間的距離可幾乎相同。電場的方向、分佈、密度等均隨電極之間的距離而變。因而，當該電極之間的該距離幾乎相同時，施予該液晶層15的電場可幾乎與該反射部分1001及該傳輸部分1002 中相同；因而，可準確地控制該液晶分子。此外，由於該液晶分子旋轉的程度在該反射部分1001中及該傳輸部分1002中幾乎相同，可於傳輸類型的顯示與反射類型的顯示中以幾乎相同的層次顯示影像。
應注意的是，該液晶元件的該電極12整個配置於該液晶元件的該電極11之下；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極12可至少配置於該傳輸部分1002中。
應注意的是，接觸洞可形成於該絕緣層16中以連接該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極11。
圖24顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖23的該液晶顯示裝置，其中液晶元件的電極11係置於該液晶元件之電極12的下層(在與液晶層15分離的層中)。
應注意的是，該液晶元件的該電極12亦形成於反射部分1001中；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極12可至少配置於該傳輸部分1002中。
當該液晶元件的該電極12亦形成於該反射部分1001時，該液晶層15係由該液晶元件的該電極12與亦於該反射部分1001中該液晶元件的該電極11之間的電壓控制。在此狀況下，該液晶元件的該電極11僅做為反射電極，且該液晶元件的該電極12做為該反射部分1001中共同電極。
因而，在此狀況下，供應任意電壓予該液晶元件的該電極11。可提供供應予該液晶元件的該電極12的該相同 電壓，或供應予該液晶元件的該電極10的該相同電壓。在此狀況下，於該液晶元件的該電極11與該液晶元件的該電極12之間形成一電容，且該電容可做為用於儲存影像信號的儲存電容。
應注意的是，接觸洞可形成於絕緣層16中，以與該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極11連接。
在圖89中，於絕緣層14上形成反射部分1001中液晶元件的電極11及傳輸部分1002中該液晶元件的電極10。接著，於該液晶元件的該電極11上形成絕緣層13，並於其上形成反射部分中該液晶元件的電極10。該液晶元件的電極12則形成於該絕緣層14之下。
應注意的是，該液晶元件的該電極12亦形成於該反射部分1001中；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極12至少可配置於該傳輸部分1002中。
應注意的是，接觸洞可形成於該絕緣層14中，以與該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極11連接。
在圖20至24及89中，該電極的該表面未顯示為不平坦。然而，關於該液晶元件的該電極10、該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12，該表面並不限制為平坦而可為不平坦的。
此外，在圖20至24及89中，該絕緣層13、該絕緣層14及該絕緣層16的該表面未顯示為不平坦。然而，關於該絕緣層13、該絕緣層14及該絕緣層16，該表面並不限制為平坦而可為不平坦的。
應注意的是，經由在該反射電極的該表面上形成複數處不平坦，可使光漫射。因此，可提昇該顯示裝置的照度。因而，圖20至24及89中所示該反射電極及該傳輸電極(該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12)的該表面可為不平坦。
應注意的是，該反射電極之該表面的不平坦形狀為可使光儘量漫射的形狀。
在該傳輸部分1002中，該傳輸電極較佳地不要不平坦以免干擾電場的方向、分佈等。然而，即使當該傳輸電極不平坦時，只要顯示未受不利影響便不成問題。
圖25顯示圖20之該反射電極的該表面為不平坦的狀況，圖26及27各顯示圖21之該反射電極的該表面為不平坦的狀況，圖28顯示圖22之該反射電極的該表面為不平坦的狀況，圖29顯示圖23之該反射電極的該表面為不平坦的狀況，及圖30顯示圖24之該反射電極的該表面為不平坦的狀況。
因此，針對圖20至24及89中該反射電極之該表面並非不平坦的狀況的該描述亦可應用於圖25至30的該狀況。
圖25顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖20的該液晶顯示裝置，其中具有凸形的散射器17置於液晶元件的電極11之下。當提供具有凸形的該散射器17且該液晶元件的該電極11的該表面形成非平坦時，光可散射，並降低由於光之反射的對比或可避免反射，藉以改善照 度。
較佳的是該散射器17具有可儘量散射光的形狀。然而，由於一些狀況下電極或線路配置於該散射器17之上，需要未與該電極或該線路脫離的平滑形狀。
圖26顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖25的該液晶顯示裝置，其中液晶元件的電極11及該液晶元件的電極12係疊置的。
由於該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極11緊密接觸的區域是大的，可降低接觸阻抗。
圖27顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖26的該液晶顯示裝置，其中散射器17置於液晶元件的電極11及該液晶元件的電極12之間。
由於該散射器17係於該液晶元件的該電極12形成之後才形成，所以傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12可為平坦的。
圖28顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖22的該液晶顯示裝置，其中具有凸形的散射器17置於液晶元件的電極11之下。
圖29顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖23的該液晶顯示裝置，其中絕緣層16的部分表面是不平坦的。液晶元件的電極11的表面依據該絕緣層16的形狀而形成不平坦。
圖30顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖24的該液晶顯示裝置，其中部分該表面不平坦的絕緣層18置 於液晶元件的電極11之下，因而，該液晶元件之該電極11的該表面形成不平坦。
在圖20至30及89中，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13形成於該液晶元件的該電極10之下；然而，本發明並不侷限於此。如圖84中所示，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13可配置於該液晶元件的該電極10之上。圖84相應於圖20。而且在圖21至30及89中，類似於圖84，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13可配置於該液晶元件的該電極10之上。
在圖20至30、89及84中，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13配置於附該液晶元件之該電極10的該基底端上；然而，本發明並不侷限於此。用於調整厚度的該絕緣層13亦可配置於該相對基底端上。
當用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13係配置於該相對基底端上時，該液晶元件的該電極10可置於該反射部分1001及該傳輸部分1002的該相同平面中。因而，該畫素電極與該共同電極之間的距離在該傳輸部分1002中及該反射部分1001中可幾乎相同。電場的方向、分佈、密度等係隨電極間距離而變。因而，當二電極之間該距離幾乎相同時，施予該液晶層15的電場在該反射部分1001中及該傳輸部分1002中可幾乎相同；因而可準確地控制該液晶分子。此外，由於液晶分子旋轉的程度在該反射部分1001中及該傳輸部分1002中幾乎相同，可於傳輸類型的顯示與反射類型的顯示中以幾乎相同的層次顯示 影像。
此外，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13可造成鄰近該液晶分子的混亂組合模式，並可能產生例如旋轉位移等缺陷。然而，當用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13置於該相對基底之上時，用於調整厚度的該絕緣層13便可與該液晶元件的該電極10分離。因此，施予低電場藉以避免該液晶分子的混亂組合模式及難以觀看的螢幕。
再者，在該相對電極上，僅形成色彩過濾器、黑色矩陣等；因而該步驟的數量不多。因此，即使當用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13形成於該相對基底之上時，該產出亦不易減少。即使產生缺陷，由於步驟的數量不多及不貴的成本，所以未浪費許多製造成本。
圖31顯示圖20之該相對基底附有用於調整厚度之薄膜的該狀況，圖32顯示圖21之該相對基底附有用於調整厚度之薄膜的該狀況，圖33顯示圖22之該相對基底附有用於調整厚度之薄膜的該狀況，圖34顯示圖23之該相對基底附有用於調整厚度之薄膜的該狀況，及圖35顯示圖24之該相對基底附有用於調整厚度之薄膜的該狀況。
因而，針對圖20至24、89及84的該描述亦可應用於圖31至35的該狀況。
圖31顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖20的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於反射部分 1001其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
圖32顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖21的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於反射部分1001其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
圖33顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖22的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於反射部分1001其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
圖34顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖23的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於反射部分1001其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
圖35顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖25的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於反射部分1001其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
在圖31至35中，該電極的該表面未顯示為不平坦。然而，關於該液晶元件的該電極10、該液晶元件的該電 極11及該液晶元件的該電極12，該表面並不限於平坦而可為不平坦。
此外，在圖31至35中，該絕緣層14及該絕緣層16的該表面未顯示為不平坦。然而，關於該絕緣層14、該絕緣層16等，該表面並不限於平坦而可為不平坦。
應注意的是，經由在該反射電極的該表面上形成複數處不平坦，可使光漫射。因此，可提昇該顯示裝置的照度。因而，圖31至35中所示該反射電極及該傳輸電極(該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12)的該表面可為不平坦。
應注意的是，該反射電極之該表面的不平坦形狀為可使光儘量漫射的形狀。
在該傳輸部分1002中，該傳輸電極較佳地不要不平坦以免干擾電場的方向、分佈等。然而，即使當該傳輸電極不平坦時，只要顯示未受不利影響便不成問題。
此與提供具不平坦表面之該電極的狀況相同，其中圖25至30各相應於圖20至24、89及84。即，圖31至35中該反射電極的該表面可為不平坦。圖36顯示圖31之該反射電極的該表面為不平坦的範例。相同狀況應用於圖32至35。
應注意的是，針對圖31中該反射電極之該表面並非不平坦的狀況的該描述亦可應用於圖36的該狀況。
圖36顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖31的該液晶顯示裝置，其中用於調整液晶層15之厚度的絕緣 層19置於液晶元件之電極10的相對側，並於其間插入該液晶層15，此外，該液晶元件的該電極10置於絕緣層14之上。
在圖20至36、84及89中，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13置於附有該液晶元件之該電極10的該基底端上或該相對基底端上；然而，本發明並不侷限於此。用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13不需配置。圖85顯示該狀況。圖85相應於圖20及31。而且，在圖20至36、84及89中，除了圖20及31外，類似於圖85，用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13不需配置。
當用於調整該液晶層15之厚度的該絕緣層13未配置時，穿越該液晶層之光的移動距離於該反射部分及該傳輸部分中不同。因而，較佳地於光通過的路徑上配置改變光之極化狀態的物件，例如波板(X/4板)，或具有折射率向異性的材料(液晶)。例如，當該波板配置於該相對基底端該極化板與該相對基底之間時，未與該液晶層接觸，可於該反射部分及該傳輸部分中形成相同的光傳輸狀態。
在圖20至36、84、85及89中或在目前為止的該描述中，在該傳輸部分1002中，在一些狀況下該液晶元件的該電極10係於該相同平面中形成；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極10亦可於不同平面中形成。
同樣地，在圖20至36、84、85及89中或在目前為 止的該描述中，在該反射部分1001中，在一些狀況下該液晶元件的該電極10係於該相同平面中形成；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極10亦可於不同平面中形成。
在圖20至36、84、85及89中或在目前為止的該描述中，在該反射部分1001中，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12在一些狀況下具有平面形狀並整個形成於該畫素部分中；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12亦可具有具柵縫或間隙的梳形。
在圖20至36、84、85及89中或在目前為止的該描述中，在該傳輸部分1002中，該液晶元件的該電極12在一些狀況下具有平面形狀並整個形成於該畫素部分中；然而，本發明並不侷限於此。該液晶元件的該電極12亦可具有具柵縫或間隙的梳形。
在圖20至36、84、85及89中或在目前為止的該描述中，在該反射部分1001中，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12在一些狀況下配置於該液晶元件的該電極10之下；然而，本發明並不侷限於此。只要該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙的梳形，便可形成於與該液晶元件之該電極10的該相同平面中，或該液晶元件之該電極10之上。
已描述該液晶元件的該電極12於該傳輸部分中具有具柵縫或間隙之梳形的該狀況。在此狀況下，該液晶元件 的該電極12有時可與該液晶元件的該電極10同時形成。因此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖37顯示在圖31的該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙之梳形的狀態，圖38顯示在圖89的該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙之梳形的狀態，圖87顯示在圖20的該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙之梳形的狀態，圖88顯示在圖84的該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙之梳形的狀態，及圖90顯示在圖85的該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12具有具柵縫或間隙之梳形的狀態。
類似各相應於圖31、89、20、84及85的圖37、38、87、88及90，在圖20至36、84、85及89中或在目前為止的該描述中，該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極12可具有具柵縫或間隙的梳形。
圖37顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖31的該液晶顯示裝置，其中液晶元件的電極10及該液晶元件的電極12均形成於傳輸部分1002的絕緣層14之上。
圖86顯示電場施用於圖87之該液晶元件的該電極之間的狀態。在反射部分1001中係以光之反射實施顯示，當液晶元件的電極10與該液晶元件的電極11之間產生電位差時，液晶層15中所包含之液晶分子(15a及15b)便平行於該液晶元件之該電極10及11的該平面(即在平行 於該基底的平面中)而旋轉，且其變得可控制通過該液晶層15的該光量。較準確地，其變得可控制光的極化狀態，且該液晶分子(15a及15b)可控制通過置於該基底外側之極化板的該光量。圖86相應於圖18A及圖93A。圖86中所示該液晶分子(15a及15b)以類似於圖18A至18B及93A至93B中所示的該方式旋轉。光自外部通過該液晶層15進入該液晶顯示裝置，於該液晶元件的該電極11反射，再次穿越該液晶層15，並自該液晶顯示裝置射出。
此外，在以光之傳輸實施顯示的傳輸部分1002中，當該液晶元件的該電極10與該液晶元件的電極12之間產生電位差時，該液晶層15中所包含液晶分子(15a及15b)便平行於該液晶元件之該電極10及12的該平面(即在平行於該基底的平面中)而旋轉，且其變得可控制通過該液晶層15的該光量。較準確地，其變得可控制光的極化狀態，且該液晶分子(15c及15d)可控制通過置於該基底外側之極化板的該光量。圖86相應於圖18A及圖93A。圖86中所示該液晶分子(15c及15d)以類似於圖18A至18B及93A至93B中所示的該方式旋轉。光自背光通過該液晶層15進入該液晶顯示裝置，並自該液晶顯示裝置射出。
在圖37中，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10係於該相同平面上形成。因而，該液晶元件的該電極12可與該液晶元件的該電極10一同形成。因此， 可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖38顯示具有下列結構之液晶顯示裝置的模式，其中絕緣層13置於液晶元件之電極11上，且該液晶元件之電極10及該液晶元件之電極12形成於傳輸部分1002的該相同層中。所顯示之液晶顯示裝置的模式，不同於圖89的該液晶顯示裝置，其中該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12均形成於該傳輸部分1002中絕緣層14之上。如此一來，該絕緣層13可形成於反射部分1001中該液晶元件的一對電極之間，且該液晶元件的一對電極可形成於該傳輸部分1002的該相同層中。
在圖38中，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10係於該絕緣層13形成之後才形成。因此，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10可同時形成。因此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖87顯示具有下列結構之液晶顯示裝置的模式，其中絕緣層14置於液晶元件之電極11上，且該液晶元件之電極10及該液晶元件之電極12形成於該相同層中。所顯示之液晶顯示裝置的模式，不同於圖20的該液晶顯示裝置，其中該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12均形成於該傳輸部分1002中絕緣層14之上。如此一來，該絕緣層可形成於反射部分1001中該液晶元件的一對電極之間，且該液晶元件的一對電極可形成於該傳輸部 分1002的該相同層中。
在圖87中，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10係於該絕緣層13形成之後才形成。因此，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10可同時形成。因此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖88顯示具有下列結構之液晶顯示裝置的模式，其中絕緣層14置於液晶元件之電極11上，且該液晶元件之電極10及該液晶元件之電極12形成於該相同層中。所顯示之液晶顯示裝置的模式，不同於圖84的該液晶顯示裝置，其中該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12均形成於該傳輸部分1002中絕緣層14之上。如此一來，該絕緣層14可形成於反射部分1001中該液晶元件的一對電極之間，且該液晶元件的一對電極可形成於該傳輸部分1002的該相同層中。
在圖88中，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10係於該絕緣層14形成之後才形成。因此，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10可同時形成。因此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖90顯示具有下列結構之液晶顯示裝置的模式，其中絕緣層14置於液晶元件之電極11上，且該液晶元件之電極10及該液晶元件之電極12形成於該相同層中。所顯示之液晶顯示裝置的模式，不同於圖85的該液晶顯示裝 置，其中該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12均形成於該傳輸部分1002中絕緣層14之上。如此一來，該絕緣層14可形成於反射部分1001中該液晶元件的一對電極之間，且該液晶元件的一對電極可形成於該傳輸部分1002的該相同層中。
在圖90中，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10係於該絕緣層14形成之後才形成。因此，該液晶元件的該電極12及該液晶元件的該電極10可同時形成。因此，可簡化該製造程序，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
圖39顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖31的該液晶顯示裝置，其中液晶元件的電極10及該液晶元件的電極12係形成於不同層中且絕緣層14插入其間，該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12彼此不重疊。
應注意的是，該液晶元件的該電極11及該液晶元件的該電極12可同時形成。
應注意的是，在傳輸部分1002中，該液晶元件的該電極10及該液晶元件的該電極12可相反。換言之，在一位置的該電極移至該另一位置，在該另一位置的該電極則移至該位置。
類似於相應於圖20至24的圖25至30，及在圖37、38、87、88、90及該類似圖中亦然，該反射電極可為不平坦。
圖40顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖37的該液晶顯示裝置，其中具有凸形的散射器17係置於液晶元件的電極11之下。
圖41顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖38的該液晶顯示裝置，其中具有凸形的散射器17係置於液晶元件的電極11之下。
圖42顯示一液晶顯示裝置的模式，其不同於圖39的該液晶顯示裝置，其中具有凸形的散射器17係置於液晶元件的電極11之下。
在例如圖20至42、83至90及其組合之上述的該結構中，可於置於該液晶層15上的該相對基底之上或具該液晶元件之該電極10的該基底之上提供一色彩過濾器。
例如，可在該絕緣層13、該絕緣層14、該絕緣層16、該絕緣層18、該絕緣層19等或其中部分之中提供一色彩過濾器。
應注意的是，可以類似於該色彩過濾器的方式提供一黑色矩陣。不用說亦可提供該色彩過濾器及該黑色矩陣。
如此一來，當該絕緣層形成為該色彩過濾器或該黑色矩陣時，可節省材料成本。
此外，當該色彩過濾器、該黑色矩陣等配置於具該液晶元件之該電極10的該基底之上時，可改進該相對基底的調校限度。
應注意的是，該液晶元件之該電極的該位置、該類型與該形狀，及該絕緣層的該位置與該形狀可具有各式模 式。換言之，可經由組合某圖中該液晶元件之該電極的該位置與其他圖中該絕緣層的該位置而提供各式模式。例如，圖25顯示圖20中該液晶元件的該電極11，其中該形狀改變為不平坦形狀，及圖87顯示圖20中該液晶元件的該電極12，其中該位置及該形狀改變。在上述該圖中，經由結合各式組件，可提供大量模式。
(實施例模式3)
將參照圖1及2描述依據本發明之作用矩陣液晶顯示裝置的模式。
應注意的是，在本發明中，電晶體並非不可或缺。因而，本發明亦可應用於不具電晶體的所謂被動矩陣顯示裝置。
本實施例模式將描述一範例，其中實施例模式1或實施例模式2中所描述該結構，或結合該圖中所示組件而體現的結構提供一電晶體。
如圖1中所示，液晶元件的電晶體151及電極103各形成於基底101之上。
該電晶體151包括閘電極102及半導體層106之間的絕緣層105，其為一底部閘電晶體，其中該閘電極102係置於該半導體層106之下。該閘電極102係經由使用下列材料而形成，例如鉬、鋁、鎢、鈦、銅、銀或鉻等金屬；例如包含鋁及釹等材料的金屬合金；包含金屬及氮等材料；或金屬氮化物等傳導材料，例如氮化鈦、氮化鉭、氮 化鉬等。應注意的是，該閘電極102可為單一層或多層。此外，該絕緣層105係經由使用例如氧化矽或氮化矽等絕緣材料而形成。應注意的是，該絕緣層105可為單一層或多層。此外，該半導體層106係經由使用例如矽或矽鍺等半導體而形成。該些半導體的結晶特性並未特別限制，可為非結晶或多晶的。
在該半導體層106之上提供保護膜107以便覆蓋部分該半導體層106。此外，在該半導體層106之上各提供線路108(108a、108b)及線路109(109a及109b)，以便與該半導體層106電氣相連。提供該保護膜107以使該半導體層106免於蝕刻，經由蝕刻而形成該線路108及109，且該保護膜107係經由使用例如矽氮化物等絕緣材料而形成。應注意的是，該保護膜107亦稱為通道保護膜、通道停止膜等。再者，包括保護膜107的電晶體稱為通道保護電晶體。在該線路108中，包含提供N型傳導性之雜質的半導體層(以下稱為N型半導體層108a)及傳導層108b係疊置的。該N型半導體層108a係經由使用例如包含磷、砷等做為雜質之矽的半導體而形成。此外，該傳導層108b係經由使用下列材料而形成，例如鉬、鋁、鎢、鈦、銀、銅或鉻等金屬；包含鋁及釹等合金；或金屬氮化物等傳導材料，例如氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等。應注意的是，該傳導層108b可為單一層或多層。
該液晶元件的該電極103具有一結構，其中傳導層103a及傳導層103b係疊置的。為自被光傳輸光，該傳導 層103a係經由使用發光及傳導材料而形成，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物或鋅氧化物。應注意的是，各項該些材料通常稱為傳輸電極材料。除了該傳輸電極材料外，亦可使用矽膜做為該傳導層103a，其形成夠薄以傳輸光並經由包含雜質而具有傳導性。提供該傳導層103b以反射進入液晶顯示裝置的光。在本實施例模式的該液晶顯示裝置中，該傳導層103b經由使用該閘電極102之該相同材料而與該閘電極102同時形成。然而，該閘電極102及該傳導層103b不必要使用該相同材料而形成，可於不同步驟中經由使用不同材料而形成。
絕緣層110置於該液晶元件的該電晶體151、該線路108、該線路109及該電極103之上並予覆蓋。接觸洞提供於該絕緣層110中。該絕緣層110係經由使用例如矽氧化物、矽氮化物、丙烯酸或聚口亞胺等絕緣材料而形成。應注意的是，該絕緣層110可為單一層或多層。例如，當使用丙烯酸、聚口亞胺等所形成的層置於使用矽氧化物及/或矽氮化物所形成的層上時，可提昇該絕緣層110的平坦性，並可避免液晶分子的混亂組合。置於該絕緣層110之上的該液晶元件的電極111經由該絕緣層110中所提供該接觸洞而與該線路109電氣相連。此外，校正膜112係置於該絕緣層110之上。
關於該絕緣層110，可使用無機材料或有機材料。關於無機材料，可使用矽氧化物或矽氮化物。關於有機材料，可使用聚口亞胺、丙烯酸、聚口胺、聚口亞胺氨基化 合物、抗蝕劑、苯環丁烯、硅氧烷或聚硅氨烷。硅氧烷包括由矽(Si)及氧(O)之結合所形成的骨架結構。包含至少氫的有機族(例如鹼族或芬芳烴)做為替代。另一方面，氟族可做為該替代。再另一方面，氟族及包含至少氫的有機族可做為該替代。應注意的是，聚硅氨烷係經由使用具有矽(Si)及氮(N)之結合做為啟動材料的聚合物材料而形成。
由於可增強該表面的平坦性，較佳地將有機材料用於該絕緣層。當無機材料用於該絕緣層時，該表面便依循該半導體層或該閘電極的該表面形狀。而且在此狀況下，該絕緣層可將由厚化而成為平坦。
如上述，用於驅動該液晶顯示裝置的電路置於該基底101之上。配置以面對該基底101的基底121具有與該電晶體151重疊的蔽光層122。該蔽光層122係使用下列材料形成，例如鎢、鉻或鉬等傳導材料；例如鎢矽化物等矽化物；或包含黑色顏料或黑煙末的樹脂材料。此外，提供色彩過濾器123以便與該液晶元件的該電極103及該液晶元件的該電極111重疊。校正膜124進一步置於該色彩過濾器123之上。間隙調整膜126係置於該校正膜124與該色彩過濾器123之間。
液晶層125置於該基底101與該基底121之間。當施用電壓時，該液晶層125包括幾乎平行於該基底平面旋轉的液晶分子，以便於該液晶元件的該電極103與該液晶元件的該電極111之間產生電位差。此外，在以自背光之光 的傳輸實施顯示的傳輸部分161中，該液晶層125的厚度係由該間隙調整膜126調整，以便其約為以例如日光或自前光之光的外部光之反射實施顯示的反射部分162中該液晶層125厚度d2的兩倍。經由上述調整該液晶層125的厚度，可顯示具高對比的影像。該間隙調整膜126係經由使用發光樹脂而形成，以便傳輸可見光。應注意的是，該間隙調整膜126較佳地包含做為散射材料的粒子129，以避免因反射的反射，或改進漫射光(圖13)的照度。該粒子129係經由使用具有形成該間隙調整膜126之基礎材料(例如丙烯酸樹脂)之不同折射率的發光樹脂材料而形成。當該間隙調整膜126如上述包含該粒子129時，光可散射，並可提昇該顯示影像的對比及照度。此外，極化板127a及127b分別置於該基底101及該基底121之上。該極化板127a及127b分別置於該基底101及該基底121的該側係相對於具該液晶層125的該側。
圖2顯示依據上述本發明之該液晶顯示裝置的頂視圖。圖2中，虛線A-A'所標示之部分的截面結構相應於參照圖1所描述的截面結構。應注意的是，在圖2中，該相同的參考編號用於圖1中的該相同部分。
如同自圖2所悉，該閘電極102為閘極線131的一部分。在該閘極線131中，特別是做為用於切換該電晶體151的部分為該閘電極102。此外，該線路108為源極線133的一部分。延伸自所提供該源極線133以便與該閘極線交錯並與該電晶體151之該半導體層106電氣連接的部 分為該線路109。共同線路132為與該液晶元件之該電極103電氣相連並導引使該液晶顯示裝置之複數畫素中該液晶元件之該電極103具有該相同電位的線路。與該共同線路電氣相連之該液晶元件之該電極103通常亦稱為共同電極。另一方面，依據該源極線之電位而隨時改變電位之該液晶元件的該電極111通常稱為畫素電極。在本實施例模式中，該傳導層103a及該傳導層103b與該閘極線131及該共同線路132共同形成。應注意的是，該傳導層103a與該液晶元件之該電極111疊置的部分，及該傳導層103b與該液晶元件之該電極111疊置的部分可各做為一電容。
在該液晶顯示裝置中，具有參照圖1及2所描述該結構的複數畫素配置於一矩陣中。每一畫素接收來自該閘極線131及該源極線133的信號。藉該信號，啟動該電晶體，且進一步當該液晶元件之該電極103與該液晶元件之該電極111之間產生電位差時(即，當產生水平電場時)，該液晶層125中所包含該液晶分子便幾乎平行於該基底平面而旋轉。該液晶分子的該旋轉使光穿越該液晶層125。接著，加總穿越每一畫素中該液晶層125的光，藉以顯示一影像。
在圖1及2中，顯示通道保護電晶體的範例；然而，本發明並不侷限於此。亦可使用無該通道保護膜107的通道蝕刻電晶體。
在圖1及2中，顯示底部閘電晶體的範例；然而，本 發明並不侷限於此。亦可使用頂端閘電晶體(包括平面電晶體)。
應注意的是，實施例模式1及實施例模式2的該描述可自由地應用於該實施例模式。
(實施例模式4)
實施例模式3顯示該液晶元件之該電極103(所謂畫素電極)的模式，其中一信號自該源極線133輸入，穿越形成於不同層中的該電晶體151及與該共同線路132電氣相連之該液晶元件的該電極111(所謂共同電極)。另一方面，本實施例模式將參照圖3及4描述包括下列結構的模式：液晶元件的一對電極係置於該相同層的結構與液晶元件的一對電極係置於不同層的結構。應注意的是，圖3為以虛線B-B'標示相應於圖4之截面結構的截面圖。
如同自圖4所悉，在本實施例模式中，共同線路232係形成於與閘極線231的該相同層中。應注意的是，該共同線路232係置於每一畫素中，且置於每一畫素中的該共同線路232與液晶元件的電極203及該液晶元件的電極204電氣相連。
如同自圖4所悉，該液晶元件的該電極203及該液晶元件的電極211係交替配置。如自圖3之截面圖所視，該液晶元件的該電極211經由線路209與電晶體251電氣相連。另一方面，該液晶元件的該電極203經由線路234與該共同線路232電氣相連。
類似於實施例模式3中所描述該電晶體151，該電晶體251為一底部閘電晶體，其中絕緣層205置於閘電極202，且半導體層206進一步置於該絕緣層205(圖3)之上。該電晶體251中所包括該半導體層206、該絕緣層205及該閘電極202的材料，分別類似於實施例模式3中所描述該半導體層106、該絕緣層105及該閘電極102的材料。該描述省略。
在本實施例模式中，亦做為反射膜之該液晶元件的電極204與該電晶體251的該閘電極202同時形成。因而，在本實施例模式中，該液晶元件的該電極204係使用該閘電極202之該相同材料形成。應注意的是該液晶元件的該電極204不必然與該閘電極202及該閘極線231同時形成。例如，該液晶元件的該電極204係與線路208、線路209及源極線233同時形成。該液晶元件的該電晶體251及該電極204係由具接觸洞的絕緣層210覆蓋。使用光之傳輸及傳導材料形成之該液晶元件的該電極203及該液晶元件的該電極211係於該絕緣層210上形成。特別是，該液晶元件的該電極211經由該接觸洞及該線路209與該半導體層206電氣相連。該半導體層206經由與該液晶元件之該電極211電氣相連之該側對面的該線路208而與該源極線233電氣相連，其間插入該閘電極202。應注意的是，覆蓋該電晶體251等之該絕緣層210的該表面可撫平如圖3中所示。撫平該絕緣層210之該表面的方法並不特別限制，且該表面可以化學機械拋光法(CMP)加以拋光 而撫平，或可以使用液體流動性的方法加以撫平，其中以旋轉塗敷法等施用液態樹脂材料等。在此狀態下，該樹脂材料或該液晶層包含降低該電晶體效能的雜質，以避免該雜質擴散，包含矽氮化物的絕緣層較佳地置於該電晶體251與使用樹脂材料形成的該絕緣層之間，藉以避免該雜質漫射進入該電晶體251。
如同自圖3及4所悉，提供該液晶元件的該電極204，以便與該液晶元件的該電極211部分重疊。因而，使用該二電極形成一電容。該電容相應於儲存電容並可儲存影像信號。在未提供該液晶元件之該電極204的傳輸部分261中，係以來自背光之光的傳輸實施顯示。另一方面，在提供該液晶元件之該電極204的反射部分262中，係以例如陽光之外部光於該液晶元件的該電極204的反射實施顯示。
在該液晶元件之該電極203及211上，提供校正膜212。此外，提供基底221以便面對具該電晶體251、該液晶元件的該電極203、該液晶元件的該電極211等的該基底201，且該液晶層225插入其間。類似於實施例模式3中所描述的該基底121，該基底221可具有與該電晶體251重疊的蔽光層222，置於光傳輸區域的色彩過濾器223，提供以與該反射部分262重疊的間隙調整膜226，及提供以校正該液晶分子的校正膜224。同樣的在本實施例模式中，該傳輸部分261中該液晶層225的厚度d1是由該間隙調整膜226調整，以便幾乎為以例如日光之光的 反射實施顯示的該反射部分262中該液晶層225厚度d2的兩倍。類似於實施例模式1，該間隙調整膜226可包含粒子以散射光。此外，極化板227a及227b分別置於該基底201及該基底221之上。極化板227a及227b分別置於該基底201及該基底221側，其與具該液晶層225的該側相對。
在具有上述該結構的該液晶顯示裝置中，當該電晶體251經由來自該閘極線231的信號輸入而啟動時，該源極線233的電位便傳輸至該液晶元件的該電極211。結果，該傳輸部分261中該液晶元件的該電極211與該液晶元件的該電極203之間便產生電位差，且該液晶層225中所包含的該液晶分子便幾乎平行於該基底平面旋轉。此外，該反射部分262中該液晶元件的該電極211與該液晶元件的該電極204之間便產生電位差，且該液晶層225中所包含的該液晶分子便幾乎平行於該基底平面旋轉。該液晶分子的該旋轉使光傳輸通過該液晶層225。接著，傳輸通過每一畫素中該液晶層225的光加總，藉以顯示一影像。
在此結構的該狀況下，在該傳輸部分261中，在該畫素部分不需完整地形成一共同電極。該傳輸部分261中共同電極為該液晶元件的該電極203，可與該液晶元件的該電極211同時形成。因而，相較於在該畫素部分完整地形成一共同電極的該狀況下，可減少該步驟數量，及可減少該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
由於本實施例模式僅該液晶元件的該電極略與實施例 模式3不同，亦可採用實施例模式1至實施例模式3的該描述，並與本實施例模式結合。
(實施例模式5)
實施例模式3及實施例模式4描述該液晶顯示裝置，其中該間隙調整膜置於面對具該電晶體、該線路、該液晶元件之該電極等之該基底的該基底之上，且該液晶層插入其間。本實施例模式將參照圖5及6描述一模式，其中間隙調整膜係置於具電晶體、線路、液晶元件之電極等的該基底側之上。應注意的是，圖5為以虛線C-C'標示相應於圖6之截面結構的截面圖。
此外，圖1至4顯示該底部閘電晶體的該狀況；然而，本實施例模式將描述頂端閘電晶體的該狀況。
在圖5中，電晶體351置於基底301之上。該電晶體351包括半導體層306、閘電極302及置於該半導體層306與該閘電極302之間的絕緣層305。在本實施例模式中，該電晶體351為頂端閘電晶體，其中該閘電極302係置於該半導體層306上。如圖1至3中所示，本發明中所使用的該電晶體可為頂端閘電晶體或底部閘電晶體。應注意的是，如同自圖6所悉，該閘電極302為自閘極線331延伸的部分，並與該閘極線331電氣相連。
該電晶體351為具接觸洞的絕緣層310所覆蓋。在該絕緣層310之上配置線路308、線路309及傳導層304。在本實施例模式中，該線路308、該線路309及該傳導層 304係於該相同步驟中形成。如同自圖6所悉，該線路308為自源極線333延伸的部分，並與該源極線333電氣相連。
關於間隙調整膜，配置絕緣層326以覆蓋該電晶體351並暴露該傳導層304的該邊緣。在該絕緣層326之上，液晶元件的電極311係使用光之傳輸及傳導材料形成。如同自圖6所悉，該液晶元件的該電極311亦延伸至該絕緣層310之上的部分(該圖中未顯示)，其中未配置該傳導層304及該絕緣層326。除了該液晶元件的該電極311之外，該液晶元件的該電極303亦置於該絕緣層310之上。該液晶元件的該電極311及該液晶元件的該電極303係交替配置。如同自圖6所悉，該液晶元件的部分該電極303係疊置於該傳導層304之上並與其電氣相連。再者，該傳導層304與共同線路332電氣相連，後者係經由該絕緣層310中該接觸洞置於該閘極線331的該相同層中。換言之，該液晶元件的該電極303與該共同線路332電氣相連。如此一來，該傳導層304做為以進入該液晶顯示裝置之光的反射實施顯示的反射膜，以及與該液晶元件的該電極303及該共同線路332電氣相連的線路。
在該液晶元件的該電極303及該液晶元件的該電極311之上，提供校正膜312。此外，提供基底321以便面對具該電晶體351、該液晶元件的該電極303、該液晶元件的該電極311等的該基底301，並以液晶層325插入其間。該基底321具有與該電晶體351重疊的蔽光層322， 置於光傳輸區域的色彩過濾器323，及提供以校正該液晶分子的校正膜324。
以來自背光之光的傳輸實施顯示之該傳輸部分362中該液晶層325的厚度d1是由該間隙調整膜326調整，以便幾乎為以例如日光之光的反射實施顯示的該反射部分361中該液晶層325厚度d2的兩倍。此外，極化板327a及327b分別置於該基底301及該基底321之上。極化板327a及327b分別置於該基底301及該基底321側，其與具該液晶層325的該側相對。
在具有上述該結構的該液晶顯示裝置中，當該電晶體351經由來自該閘極線331之信號輸入而啟動時，一信號便自該源極線333傳輸至該液晶元件的該電極311。結果，便於該傳輸部分362中該液晶元件的該電極311與該液晶元件的該電極303之間產生一電位差，且該液晶層325中所包含之該液晶分子便平行於該基底平面旋轉。此外，於該反射部分361中該液晶元件的該電極311與該液晶元件的該電極304之間產生一電位差，且該液晶層325中所包含之該液晶分子便平行於該基底平面旋轉。該液晶分子的該旋轉使光傳輸穿越該液晶層325。接著，傳輸穿越每一畫素中該液晶層325的光加總，藉以顯示一影像。
在此結構的該狀況下，在該傳輸部分362中，在該畫素部分不需完整地形成一共同電極。該傳輸部分362中共同電極為該液晶元件的該電極303，可與該液晶元件的該電極311同時形成。因而，可減少該步驟數量，及可減少 該遮罩數量(該標線數量)。因此，可降低該成本。
由於本實施例模式僅該電晶體略與實施例模式4不同，亦可採用實施例模式1至實施例模式4的該描述，並與本實施例模式結合。
(實施例模式6)
液晶元件的電極(第一電極)，其中傳輸來自源極線的電位，及該液晶元件的電極(第二電極)，其中傳輸來自共同線路的電位，如同實施例模式3中所描述的該液晶顯示裝置，可置於不同層中，並以絕緣層插入其間。另一方面，如同實施例模式4中所描述的該液晶顯示裝置，該第一電極及該第二電極可置於該相同絕緣層之上。再者，關於本實施例模式的液晶顯示裝置，在以光之反射實施顯示的部分中，該第一電極及該第二電極可分別置於以絕緣層插入其間的不同層中，而在以光之傳輸實施顯示的部分中，該第一電極及該第二電極可置於該相同絕緣層之上。
參照圖7及8，本實施例模式將描述液晶顯示裝置的模式，其中間隙調整膜係置於液晶層側，且在以光之反射實施顯示的部分中，及在以光之傳輸實施顯示的部分中，傳輸來自源極線之電位的液晶元件的電極，及傳輸來自共同線路之電位的該液晶元件的電極，均形成於該相同層中。應注意的是，圖7為以虛線D-D'標示相應於圖8之截面結構的截面圖。
在圖7中，電晶體451置於基底401之上。該電晶體 451包括半導體層406、閘電極402及置於該半導體層406與該閘電極402之間的絕緣層405。亦在本實施例模式中，類似於實施例模式5，該電晶體451為頂端閘電晶體，其中該閘電極402係置於該半導體層406上。如同自圖8所悉，該閘電極402為自閘極線431延伸的部分，並與該閘極線431電氣相連。
該電晶體451為具接觸洞的絕緣層410所覆蓋。在該絕緣層410之上配置線路408、線路409及傳導層404。在本實施例模式中，該線路408、該線路409及該傳導層404係於該相同步驟中形成。如同自圖8所悉，該線路408為自源極線433延伸的部分，並與該源極線433電氣相連。應注意的是，該傳導層404係做為用於反射例如陽光之外部光的反射膜。
關於間隙調整膜，配置絕緣層426以覆蓋該電晶體451及該傳導層404。在該絕緣層426之上，提供液晶元件的電極411。如同自圖8所悉，該液晶元件的該電極411亦延伸至該絕緣層410之上的部分，其中未配置該傳導層404及該絕緣層426。除了該液晶元件的該電極411之外，該液晶元件的該電極403亦置於該絕緣層410之上。該液晶元件的該電極411及該液晶元件的該電極403係交替配置。再者，該液晶元件的該電極403與共同線路332電氣相連，後者係經由該絕緣層426中該接觸洞置於該源極線的該相同層中。此外，該共同線路432係置於每一畫素中，且置於該些畫素中的該共同線路432經由自該 液晶元件的該電極403延伸並穿越該源極線433的線路而彼此電氣相連。
在該液晶元件的該電極403及411之上配置校正膜412。此外，配置基底421以便面對具該電晶體451、該液晶元件的該電極403、該液晶元件的該電極411等的，該基底401，並以液晶層425插入其間。類似於實施例模式3中所描述的該基底121，該基底421具有與該電晶體451重疊的蔽光層422，置於光傳輸區域中的色彩過濾器423，及提供以校正該液晶分子的校正膜424。
以來自背光之光的傳輸實施顯示之該傳輸部分462中該液晶層425的厚度d1是由該絕緣層426調整，以便幾乎為以例如日光之光的反射實施顯示的該反射部分461中該液晶層425厚度d2的兩倍。此外，極化板427a及427b分別置於該基底401及該基底421之上。極化板427a及427b分別置於該基底401及該基底421側，其與具該液晶層425的該側相對。
在具有上述該結構的該液晶顯示裝置中，當該電晶體451經由來自該閘極線431之信號輸入而啟動時，一信號便自該源極線433傳輸至該液晶元件的該電極411。結果，便於該傳輸部分462中該液晶元件的該電極411與該液晶元件的該電極403之間產生一電位差，且該液晶層425中所包含之該液晶分子便平行於該基底平面旋轉。此外，於該反射部分461中該液晶元件的該電極411與該液晶元件的該電極404之間產生一電位差，且該液晶層425 中所包含之該液晶分子便平行於該基底平面旋轉。該液晶分子的該旋轉使光傳輸穿越該液晶層425。接著，傳輸穿越每一畫素中該液晶層425的光加總，藉以顯示一影像。
(實施例模式7)
當如同依據本發明之該液晶顯示裝置中係以光之反射實施顯示時，間隙調整膜可包含如上述用於散射光的粒子。另一方面，經由配置具有將通過光之波長的相位減速四分之一波長之功能的減速器，可避免由於光之反射的反射。本實施例模式將參照圖9描述具減速器之液晶顯示裝置的模式。
圖9顯示一液晶顯示裝置的模式，其中圖1的該液晶顯示裝置進一步配置減速器128a及減速器128b。該減速器128a係置於基底101與極化板127a之間。此外，該減速器128b係置於絕緣層110與校正膜112之間，及做為反射膜的傳導層103b之上。
在傳輸部分161中，光自該基底101端進入，傳輸通過液晶層125，並發射至基底121端，其中光通過該減速器128a及128b而變成減速二分之一波長的光。此外，在以光之反射實施顯示的反射部分162中，光自該基底121端進入並於該傳導層103b反射，其中光通過該減速器128b兩次(進入及反射時)。因而，於該反射部分162射出相較於入射光減速二分之一波長相位的光。
經由上述該結構，可避免由於反射的反射及對比減 少。應注意的是，該減速器並不限制置於圖1中所示該液晶顯示裝置中，而是可置於依據本發明的其他液晶顯示裝置中。
(實施例模式8)
實施例模式3至7各描述該液晶顯示裝置的該模式，其中藉由包含粒子的該間隙調整膜或藉由該減速器而避免由於光之反射的反射。本實施例模式將參照圖10描述液晶顯示裝置的模式，其中使反射膜的表面或亦做為反射膜之液晶元件的電極不平坦以避免由於光之反射的反射，或提昇使用該液晶顯示裝置做為反射類型顯示裝置之狀況下的照度。
圖10顯示一液晶顯示裝置的模式，其中圖3的該液晶顯示裝置進一步配置散射器228。該散射器228具有曲面的形狀，此提昇其朝向該中央的厚度以便散射光。如此一來，藉由提供該散射器228，可避免由於光之反射的反射，可顯示具高對比的影像，並可提昇照度。
(實施例模式9)
實施例模式3至8各描述該液晶顯示裝置，其中該色彩過濾器置於不具該電晶體等的該基底之上，並具該液晶層插入其間。然而，色彩過濾器或黑色矩陣亦可置於覆蓋電晶體的絕緣層之上。本實施例模式將參照圖11描述一液晶顯示裝置的模式，其中色彩過濾器置於覆蓋電晶體的 絕緣層之上。
圖11顯示一液晶顯示裝置的模式，其中色彩過濾器529置於液晶元件的電極503與該液晶元件的電極511之間，及配置覆蓋電晶體551的絕緣層510。在圖11中，在該絕緣層510之上，除了該色彩過濾器529外亦配置與該電晶體551重疊的蔽光層530。
應注意的是，亦可僅提供該色彩過濾器與該蔽光層其中之一。
該色彩過濾器529與該蔽光層530以某間隔於各於不同步驟中形成於該絕緣層510之上。在不具該色彩過濾器529或該蔽光層530的部分中，一接觸洞置於該絕緣層510中以接觸該電晶體。該液晶元件的該電極511覆蓋該色彩過濾器529及該蔽光層530的該邊緣，並經由置於該絕緣層510中該接觸洞而與線路509電氣相連。應注意的是，在本實施例模式中該蔽光層530與該液晶元件的該電極511接觸的狀況下，該蔽光層530較佳地使用例如包含黑色顏料之樹脂材料的絕緣材料而形成。此外，在該蔽光層530使用金屬材料而形成的狀況下，其間較佳地配置用於絕緣該蔽光層530及該液晶元件之該電極511的絕緣層。
此外，在本實施例模式中該電晶體551與該色彩過濾器529係緊密接觸配置的狀況下，該絕緣層510係使用矽氮化物而形成，以避免該色彩過濾器中所包含的雜質漫射至該電晶體551端。另一方面，例如圖12中所示，較佳 地該絕緣層510為包括絕緣層510a及絕緣層510b的多層，且其中至少之一係使用矽氮化物而形成。
如上述，該液晶顯示裝置亦可具有一結構，其中該色彩過濾器529係置於反射膜504或做為反射膜的傳導層與液晶層525之間。在以光之反射實施顯示的反射部分562中，光自基底521端進入，於該反射膜504反射，通過該色彩過濾器529及該液晶層525，並自該液晶顯示裝置的外部射出。此外，在以光之傳輸實施顯示的傳輸部分561中，光自基底501端進入，通過該色彩過濾器529及該液晶層525，並自該液晶顯示裝置的外部射出。
應注意的是，圖11的該液晶顯示裝置僅有關具該色彩過濾器及該蔽光層的部分與圖3的該液晶顯示裝置不同，其他結構則類似於圖3的該液晶顯示裝置。
因而，在例如圖1、3、5及7各式狀況下，可配置色彩過濾器或蔽光層(黑色矩陣)。
應注意的是，可配置該色彩過濾器或該蔽光層(黑色矩陣)做為各式絕緣層或其中部分。
因而，亦可適用實施例模式1至實施例模式8的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式10)
圖2、4、6及8中所示該頂視圖各顯示一模式，其中至少一傳輸來自該源極線電位之該液晶元件的該電極(該第一電極)，及傳輸來自該共同線路電位之該液晶元件的 該電極(該第二電極)為梳形。然而，該第一電極及該第二電極的該形狀並不侷限於圖2、4、6及8中所示。例如，其可為鋸尺狀或波浪狀。本實施例模式將參照圖14、15及91A至91D顯示具有電極形狀之液晶顯示裝置的模式，其不同於圖2、4、6及8中所示。
圖14顯示一液晶顯示裝置的模式，其中傳輸來自源極線電位之液晶元件的電極211a及傳輸來自共同線路電位之該液晶元件的電極電極203a均為鋸尺狀的。應注意的是，儘管圖14之該液晶顯示裝置中該液晶元件的該電極的該形狀不同於圖4中所示該液晶顯示裝置中該液晶元件的該電極的該形狀，但其他結構則相類似。
此外，圖15顯示一液晶顯示裝置的模式，該液晶顯示裝置包括柵縫形並具有複數長、窄開口之液晶元件的電極111a。儘管本液晶顯示裝置中該液晶元件的該電極的該形狀不同於圖2中所示該液晶顯示裝置中該液晶元件的該電極的該形狀，但其他結構則相類似。因而，傳導層103a及傳導層103b係自該液晶元件之該電極111a的該開口暴露。
此外，其亦可使用圖91A至91D中所示的該形狀。
基此配置，該液晶分子的旋轉方向可隨一畫素中區域而不同。即，可形成多域液晶顯示裝置。該多域液晶顯示裝置可降低當自某角度觀看時無法正確辨識影像的可能性。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式9 的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式11)
除了實施例模式1至10中所描述該模式外，本發明可以各式模式實施。依據本發明之該液晶顯示裝置的各式模式將顯示於圖43至82中。
每一圖43至82為具體顯示實施例模式1至10之該描述的範例。本實施例模式將描述一範例，其中實施例模式1至10中所描述該結構或該圖示中所顯示該組件之組合所體現的結構配賦一電晶體。
應注意的是，在圖43至82中，傳輸來自源極線之電位的液晶元件的電極稱為畫素電極4008，且與共同線路電氣相連之液晶元件的電極稱為共同電極4019。此外，顯示使用與閘電極4001之該相同材料形成的反射共同電極4005，及使用該閘電極之該相同材料形成的線路4014。此外，用於提供不平坦的散射器稱為不平坦的投射4007。電晶體的半導體層稱為非矽(以下稱為非結晶半導體層)4002或多矽(以下稱為多晶半導體層)4013。此外，於形成該閘電極之該步驟之後的步驟中配置的線路稱為第二線路4010。
圖43顯示一結構，其中電晶體及共同電極係配置於該相同平面中。該電晶體包括位於閘電極4001與非結晶半導體層4002之間的閘極絕緣層4003，並為一底部閘電晶體，其中該閘電極4001係置於該非結晶半導體層4002 之下。第二線路4010及4023係形成於該非結晶半導體層4002之上。此外，不平坦的投射4007與該閘電極4001係配置於該相同平面中，且傳輸共同電極4006係沿該不平坦的投射4007而形成。在該傳輸共同電極4006之上，形成反射共同電極4005。換言之，該傳輸共同電極4006及該反射共同電極4005係疊置的。該傳輸共同電極4006係使用例如銦錫氧化物(ITO)之材料而形成。該反射共同電極4005係使用該閘電極4001的該相同材料而形成。第一絕緣層4004係使用氮化物薄膜等而形成於該第二線路4010與4023、該反射共同電極4005及該傳輸共同電極4006之上並予覆蓋。在該第一絕緣層4004之上，第二絕緣層4009係使用有機材料等而形成。該第二絕緣層4009具有一開口，且使用例如ITO之材料於該第一絕緣層4004之上形成的畫素電極4008位於該開口中。在該開口之外的區域中，該畫素電極4008形成於該第二絕緣層4009之上。一接觸洞形成於該第二絕緣層4009及閘極絕緣層4003中，以暴露該第二線路4023，並與該畫素電極4008及該第二線路4023連接。該反射共同電極4005或該傳輸共同電極4006配置於該畫素電極4008之下，並以該第二絕緣層4009、該第一絕緣層4004或該閘極絕緣層4003插入其間。
圖44顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於傳輸共同電極4006之上，且反射共同電極4005係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖43等中類似，因而省 略該描述。
如圖45中所示，第二線路4012形成於閘極絕緣層4003之上。在該第二線路4012之上，配置不平坦的投射4007，反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成，並形成傳輸共同電極4006以便與部分該第二線路4012重疊。其他結構與圖43等中類似，因而省略該描述。
圖46顯示一頂端閘電晶體，其中閘電極4001置於多晶半導體層4013之上。該電晶體包括該多晶半導體層4013、該閘電極4001及置於該多晶半導體層4013與該閘電極4001之間的閘極絕緣層4020。該電晶體為第一絕緣層4025所覆蓋。在該第一絕緣層4025之上，配置用於信號線路的第二線路4010、使用該第二線路形成的反射共同電極4016等。形成以便覆蓋該電晶體的第二絕緣層4026具有一開口，且部分畫素電極4008係形成於該第一絕緣層4025之上。在該第二絕緣層4026之上，該畫素電極4008係使用例如銦錫氧化物(ITO)之材料而形成。此外，使用該閘電極4001及傳輸共同電極4015之該相同材料形成的線路4014係與該閘電極4001形成於該相同平面中。應注意的是，該傳輸共同電極4015係使用多晶半導體或ITO而形成。一接觸洞形成於該第一絕緣層4025中以便暴露該線路4014及該傳輸共同電極4015。該反射共同電極4016係使用該第二線路之該相同材料而形成於該接觸洞中，藉以連接該反射共同電極4016、該線路4014及該傳輸共同電極4015。該畫素電極4008經由形成於該 第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中的該接觸洞而與該電晶體(該多晶半導體層4013)連接。該反射共同電極4016或該傳輸共同電極4015係配置於該畫素電極4008之下並以該第二絕緣層4026及/或該絕緣層4025插入其間。
圖47顯示一結構，其中複數接觸洞形成於第一絕緣層4025中，以便於該傳輸共同電極4015端暴露線路4014及傳輸共同電極4015。使用第二線路之該相同材料形成的反射共同電極4016形成於該接觸洞中，藉以連接該線路4014及該傳輸共同電極4015。該反射共同電極4016的該表面是不平坦的。應注意的是，可選擇地使用該第一絕緣層4025與第二絕緣層4026之間材料之差異的蝕刻而形成一開口。另一方面，可於該第一絕緣層4025之上形成一氮化物薄膜。其他結構與圖46等中類似，因而省略該描述。
圖48顯示一結構，其中不平坦的投射4007形成於第二線路4012之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖46等中類似，因而省略該描述。
圖49顯示一結構，其中不平坦的投射4007形成於第一絕緣層4025之上，且反射共同電極4016係使用第二線路之該相同材料而沿該不平坦的投射4007形成。其他結構與圖46等中類似，因而省略該描述。
圖50顯示一結構，其中配置第三絕緣層4021。線路 4014係使用閘電極4001之該相同材料而形成於與多晶半導體層4013的該相同平面中。第一絕緣層4025係形成於電晶體及該線路4014之上，並形成一接觸洞以便暴露該線路4014。第二線路4012與該線路4014於該接觸洞中連接。在該第一絕緣層4025之上，形成傳輸共同電極4018以與部分該第二線路4012重疊。在該電晶體及該傳輸共同電極4018之上，形成第二絕緣層4026。在該第二絕緣層4026中，形成一接觸洞，藉以連接使用該第二線路及該傳輸共同電極4018之該相同材料形成的反射共同電極4017。在該反射共同電極4017之上，形成第三絕緣層4021。該第三絕緣層4021具有一開口，且部分畫素電極4008形成於該第二絕緣層4026之上。該畫素電極4008亦形成於該第三絕緣層4021之上。該畫素電極4008經由於該第三絕緣層4021、該第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中形成的該接觸洞而連接該電晶體(該多晶半導體層4013)。該反射共同電極4017或該傳輸共同電極4018配置於該畫素電極4008之下，並以該第三絕緣層4021及/或該第二絕緣層4026插入其間。
圖51顯示一結構，其中複數接觸洞形成於第二絕緣層4026中，以便於該傳輸共同電極4018端暴露第二線路4012及傳輸共同電極4018。反射共同電極4017形成於該接觸洞中，藉以連接該第二線路4012及該傳輸共同電極4018。應注意的是，該反射共同電極4017的該表面是不平坦的。其他結構與圖50等中類似，因而省略該描述。
圖52顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於傳導層4027之上，且反射共同電極4017係沿該不平坦的投射4007而形成。一接觸洞形成於第二絕緣層4026中以暴露傳輸共同電極4018，藉以連接該傳導層4027及該傳輸共同電極4018。其他結構與圖50等中類似，因而省略該描述。
圖53顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於第二絕緣層4026之上，且反射共同電極4017係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖50等中類似，因而省略該描述。
圖54顯示一結構，其中一開口置於第一絕緣層4025中。一接觸洞形成於該第一絕緣層4025中以暴露使用閘電極之該相同材料形成的線路4014，藉以連接使用第二線路及該線路4014之該相同材料形成的反射共同電極4016。形成傳輸共同電極4018以便於多晶半導體層4013的該相同平面(在該第一絕緣層4025的該開口中)與部分該反射共同電極4016重疊並置於該第一絕緣層4025之上。在該第一絕緣層4025及該傳輸共同電極4018之上，形成第二絕緣層4026。畫素電極4008形成於該第二絕緣層4026之上。一接觸洞形成於該第二絕緣層4026中，以暴露一電晶體的第二線路4023，藉以連接該畫素電極4008及該第二線路4023。換言之，該畫素電極4008經由形成於該第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中該接觸洞而連接該電晶體(該多晶半導體層4013)。該反射共 同電極4016或該傳輸共同電極4018係配置於該畫素電極4008之下並以該第二絕緣層4026插入其間。其他結構與圖46等中類似，因而省略該描述。
圖55顯示一結構，其中複數接觸洞形成於第一絕緣層4025中。反射共同電極4016係形成於該開口中。應注意的是，該反射共同電極4026的該表面是不平坦的。其他結構與圖54等中類似，因而省略該描述。
圖56顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於第二線路4012之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖54等中類似，因而省略該描述。
如圖57中所示，不平坦的投射4007係置於第一絕緣層4025之上，且第二線路4012係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖54等中類似，因而省略該描述。
圖58顯示一結構，其中一開口置於第二絕緣層4026中。線路4014形成於一電晶體的該相同平面中。在該電晶體及該線路4014之上，形成第一絕緣層4025。在傳輸部分1002中該第一絕緣層4025之上，形成使用ITO等而形成的共同電極4019及畫素電極4008。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極4019未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在反射部分1001中，該畫素電極4008形成於第二絕緣層4026之上。在該 反射部分1001中，反射共同電極4016配置於該畫素電極4008之下，並以該第二絕緣層4026插入其間。在該反射部分1001及該傳輸部分1002中，一接觸洞形成於該第一絕緣層4025中以暴露該線路4014。在該反射部分1001中，該反射共同電極4016形成於該接觸洞中，其中在該傳輸部分1002中，該共同電極4019形成於該接觸洞中。該畫素電極4008經由形成於該第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中該接觸洞而連接該電晶體(多晶半導體層4013)。
圖59顯示一結構，其中複數接觸洞形成於第一絕緣層4025中，以便暴露反射部分1001端的線路4014。反射共同電極4016係使用該接觸洞中第二線路之該相同材料而形成，藉以連接該反射共同電極4016及該線路4014。該反射共同電極4016的該表面是不平坦的。其他結構與圖58等中類似，因而省略該描述。
如圖60中所示，不平坦的投射4007係置於第二線路4012之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖58等中類似，因而省略該描述。
如圖61中所示，不平坦的投射4007係置於第一絕緣層4025之上，且反射共同電極4016係使用第二線路並沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖58等中類似，因而省略該描述。
圖62顯示一結構，其中配置第三絕緣層4021。在多晶半導體層4013的該相同平面中，線路4014係使用一閘 電極的該相同材料而形成。在一電晶體及該線路4014之上，形成第一絕緣層4025，並形成一接觸洞以暴露該線路4014。第二線路4012形成於該接觸洞中以便連接該線路4014。在該電晶體及該第二線路4012之上，形成第二絕緣層4026。在該第二絕緣層4026中，在每一反射部分1001及傳輸部分1002中形成一接觸洞。反射共同電極4017形成於該反射部分1001的該接觸洞中，且共同電極4019形成於該傳輸部分1002的該接觸洞中。該第三絕緣層4021形成於該反射共同電極4017之上。該第三絕緣層4021具有一開口，部分畫素電極4008及部分該共同電極4019形成於該第二絕緣層4026之上。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極4019未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在該反射部分1001中，該畫素電極4008形成於該第三絕緣層4021之上。在該反射部分1001中，該反射共同電極4017係配置於該畫素電極4008之下，並以該第三絕緣層4021插入其間。該畫素電極4008經由形成於該第三絕緣層4021、該第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中的該接觸洞連接該電晶體(該多晶半導體層4013)。
圖63顯示一結構，其中複數接觸洞形成於第二絕緣層4026中，以便暴露第二線路4012。反射共同電極4017形成於該接觸洞中，藉以連接該反射共同電極4017及該第二線路4012。該反射共同電極4017的該表面是不平坦 的。其他結構與圖62等中類似，因而省略該描述。
圖64顯示一結構，其中不平坦的投射4007係置於共同電極4019之上，且反射共同電極4017係沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖62等中類似，因而省略該描述。
如圖65中所示，不平坦的投射4007係置於第二絕緣層4026之上，且反射共同電極4017係使用第二線路並沿該不平坦的投射4007而形成。其他結構與圖62等中類似，因而省略該描述。
圖66顯示一結構，其中在反射部分1001中，複數接觸洞置於第二絕緣層4026及反射共同電極4022中以形成FFS。應注意的是，該反射共同電極4022的該表面是不平坦的。第三絕緣層4021形成於該反射共同電極4022之上，一接觸洞則置於每一該反射部分1001及傳輸部分1002中。此外，在該傳輸部分1002中，畫素電極4008及共同電極4019形成於該第三絕緣層4021之上，藉以經由該接觸洞連接該共同電極4019及該反射共同電極4022。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極4019未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在該反射部分1001中，該畫素電極4008係形成於該第三絕緣層4021。在該反射部分1001中，該反射共同電極4022配置於該畫素電極4008之下，並以該第三絕緣層4021插入其間。該畫素電極4008經由形成於該第三絕緣 層4021、該第二絕緣層4026及該第一絕緣層4025中該接觸洞連接該電晶體(該多晶半導體層4013)。其他結構與圖62等中類似，因而省略該描述。
圖67顯示一結構，其中傳導層4027形成於反射部分1001中第二絕緣層4026之上。不平坦的投射4007置於該傳導層4027之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。此外，在傳輸部分1002中，畫素電極4008及共同電極4019形成於第三絕緣層4021之上，藉以經由該接觸洞連接該共同電極4019及該反射電極4011。其他結構與圖62、圖66等中類似，因而省略該描述。
圖68顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於反射部分1001中第二絕緣層4026之上。反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。此外，在傳輸部分1002中，畫素電極4008及共同電極4019形成於第三絕緣層4021之上，藉以經由該接觸洞連接該共同電極4019及該反射電極4011。其他結構與圖62、圖66等中類似，因而省略該描述。
圖69顯示一結構，其中在傳輸部分1002中，一開口形成於絕緣層4028及閘極絕緣層4003中。在該傳輸部分1002中，一開口配置於使用閘電極及該閘極絕緣層4003之該相同材料形成的線路4014之上，以便暴露使用第二線路之該相同材料形成的部分反射共同電極4016。形成共同電極4019以便連接部分暴露的該線路4014及該反射 共同電極4016。此外，在該閘電極4001的該相同平面中形成畫素電極4008及共同電極4019。該絕緣層4028形成於該第二線路4010及該反射共同電極4016之上並予覆蓋。一接觸洞形成於該絕緣層4028中以便暴露該第二線路4023，藉以連接形成於該絕緣層4028及該第二線路4023之上的該畫素電極4008。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4018係交替配置。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在反射部分1001中，該畫素電極4008形成於該絕緣層4028之上。在該反射部分1001中，該反射共同電極4016配置於該畫素電極4008之下，並以該絕緣層4028插入其間。其他結構與圖43等中類似，因而省略該描述。
圖70顯示一結構，其中複數線路4014形成於反射部分1001中。在傳輸部分1002中，一開口配置於使用閘電極及閘極絕緣層4003之該相同材料形成的線路4014之上，以便暴露第二線路之該相同材料而形成的部分反射共同電極4016。應注意的是，該反射共同電極4016的該表面是不平坦的。形成共同電極4019以便與部分暴露的該線路4014及該反射共同電極4016接觸。此外，在該閘電極4001的該相同平面中，形成畫素電極4008及該共同電極4019。其他結構與圖43、圖69等中類似，因而省略該描述。
圖71顯示一結構，其中線路4014形成於傳輸部分 1002中閘電極4001的該相同平面中。在反射部分1001中，反射共同電極4016使用第二線路之該相同材料而形成於形成以便覆蓋該閘電極4001及該線路4014的閘極絕緣層4013之上。在該反射共同電極4016之上，形成第一絕緣層4004並配置複數接觸洞。在該第一絕緣層4004之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞連接該反射共同電極4016及該線路4014。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係於該第一絕緣層4004之上交替配置。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在反射部分1001中，該反射共同電極4016置於該畫素電極4008之下，並以第二絕緣層4009、該第一絕緣層4004等插入其間。其他結構與圖43、圖69等中類似，因而省略該描述。
圖72顯示一結構，其中複數線路4014形成於閘電極4001的該相同平面中。在形成以便覆蓋該閘電極4001及該線路4014的閘極絕緣層4003之上，反射共同電極4016係使用反射部分1001中第二線路的該相同材料而形成。應注意的是，該反射共同電極4016的該表面是不平坦的。在該反射共同電極4016之上，形成第一絕緣層4004，並配置複數接觸洞。在該第一絕緣層4004之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞連接該反射共同電極4016及該線路4014。其他結構與圖43、圖71等中類似，因而省略該描述。
圖73顯示一結構，其中線路4014係置於閘電極4001的該相同平面中。在形成以便覆蓋該閘電極4001及該線路4014的閘極絕緣層4003之上，反射共同電極4016係使用反射部分1001中第二線路的該相同材料而形成。在該反射共同電極4016之上，形成絕緣層4028，並配置複數接觸洞。在該絕緣層4028之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞而連接該反射共同電極4016及該線路4014。在傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置於該絕緣層4028之上。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在該反射部分1001中，該畫素電極4008係形成於該絕緣層4028之上。在該反射部分1001中，該反射共同電極4016配置於該畫素電極4008之下，並以該絕緣層4028插入其間。其他結構與圖43、圖69等中類似，因而省略該描述。
圖74顯示一結構，其中不平坦的投射4007形成於第二線路4012之上。在形成以便覆蓋閘電極4001及線路4014的閘極絕緣層4003之上，該第二線路4012形成於反射部分1001中。該不平坦的投射4007形成於該第二線路4012之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。此外，在該第二線路4012之上，形成第一絕緣層4004，並配置複數接觸洞。在該第一絕緣層4004之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞連接該第二線路4012及該線路4014。其他結構與圖43、圖71等中 類似，因而省略該描述。
圖75顯示一結構，其中複數線路4014形成於反射部分1001中。在形成以便覆蓋閘電極4001及該線路4014的閘極絕緣層4003之上，反射共同電極4016係使用該反射部分1001中第二線路的該相同材料而形成。應注意的是，由於該複數線路4014係形成於該反射共同電極4016之下，該反射共同電極4016具有不平坦的形狀。在該反射共同電極4016之上，形成絕緣層4028，並配置複數接觸洞。在該絕緣層4028之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞而連接該反射共同電極4016及該線路4014。其他結構與圖43、圖73等中類似，因而省略該描述。
圖76形成一結構，其中不平坦的投射4007形成於第二線路4012之上，且反射電極4011係沿該不平坦的投射4007而形成。此外，在反射部分1001中，在形成以便覆蓋閘電極4001及線路4014的閘極絕緣層4003之上，反射電極4011使用第二線路而形成。在該反射電極4011之上，形成絕緣層4028，並配置複數接觸洞。在該絕緣層4028之上，形成共同電極4019以便經由該接觸洞而連接該反射電極4011及該線路4014。其他結構與圖43、圖73等中類似，因而省略該描述。
圖77顯示一結構，其中反射共同電極4024形成於傳輸部分1002之閘電極4001的該相同平面中。一開口形成於絕緣層4028及閘極絕緣層4003之中，以便暴露部分該反射共同電極4024。畫素電極4008及共同電極4019形 成於該閘電極4001的該相同平面中，並形成部分該共同電極4019以便欲部分該反射共同電極4024重疊。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置的。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在反射部分1001中，該畫素電極4008形成於該絕緣層4028之上。在該反射部分1001中，該反射共同電極4024配置於該畫素電極4008之下，並以該絕緣層4028及該閘極絕緣層4003插入其間。其他結構與圖43、圖69等中類似，因而省略該描述。
圖78顯示一結構，其中不平坦的投射4007置於閘電極4001的該相同平面中。在該不平坦的投射4007之上，反射共同電極4024係沿該不平坦的投射4007而形成。接著，一開口置於絕緣層4028中以便暴露部分該反射共同電極4024。畫素電極4008及共同電極4019形成於該閘電極4001的該相同平面中，並形成部分該共同電極4019以便與部分該反射共同電極4024重疊。其他結構與圖43、圖77等中類似，因而省略該描述。
圖79顯示一結構，其中畫素電極4008及共同電極4019形成於傳輸部分1002中閘極絕緣層4003之上。反射共同電極4024係形成於閘電極4001的該相同平面中，且該閘極絕緣層4003形成於該反射共同電極4024之上。在該傳輸部分1002中，一接觸洞置於該閘極絕緣層4003中以便暴露該反射共同電極4024，藉以連接該共同電極 4019及該反射共同電極4024。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置於該閘極絕緣層4003之上。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008之下。另一方面，在反射部分1001中，該畫素電極4008形成於該絕緣層4028之上。在該反射部分1001中，反射共同電極4024配置於該畫素電極4008之下，並以該絕緣層4028及該閘極絕緣層4003插入其間。其他結構與圖43、圖77等中類似，因而省略該描述。
圖80顯示一結構，其中不平坦的投射4007形成於閘電極4001的該相同平面中。反射共同電極4024係沿該不平坦的投射4007而形成。在該反射共同電極4024之上，形成閘極絕緣層4003。接著，在傳輸部分中，一接觸洞配置於該閘極絕緣層4003中，以便暴露該反射共同電極4024，藉以連接該共同電極4019及該反射共同電極4024。其他結構與圖79等中類似，因而省略該描述。
圖81顯示一結構，其中畫素電極4008及共同電極4019形成於傳輸部分1002的絕緣層4028之上。一接觸洞置於該絕緣層4028及閘極絕緣層4003中，藉以暴露形成於閘電極之該相同平面中的反射共同電極4024。在該接觸洞中，該共同電極4019及該反射共同電極4024彼此連接。在該傳輸部分1002中，該共同電極4019及該畫素電極4008係交替配置於該絕緣層4028之上。此外，在該傳輸部分1002中，該共同電極未配置於該畫素電極4008 之下，另一方面，在反射部分1001中，該畫素電極4008形成於該絕緣層4028之上。在該反射部分1001中，該反射共同電極4024配置於該畫素電極4008之下，並以該絕緣層4028及該閘極絕緣層4003插入其間。其他結構與圖43、圖73等中類似，因而省略該描述。
圖82顯示一結構，其中在反射部分1001中，不平坦的投射4007置於閘電極4001的該相同平面中，且反射共同電極4024係沿該不平坦的投射4007而形成。一接觸洞置於絕緣層4028中，藉以暴露形成於該閘電極4001之該相同平面中的該反射共同電極4024。在該接觸洞中，該共同電極4019及該反射共同電極4024係彼此連接。其他結構與圖43、圖81等中類似，因而省略該描述。
圖43至82各具有一特徵，其中接觸洞或類似於該接觸洞的洞置於反射電極之下的絕緣薄膜中，藉以使該反射電極的該表面不平坦。在此狀況下，不需使該反射電極的該表面不平坦的其他程序。
應注意的是，在圖43至82中，在一些狀況下該閘極絕緣層4020僅描繪於閘電極之下；然而，本發明並不侷限於此。該閘極絕緣層可配置於該整個表面之上，可僅配置於該閘電極之下，或可在該閘電極之下或周圍為厚及在其他區域為薄。
圖43至82各顯示該電晶體為頂端閘類型的該狀況，但該頂端閘電晶體亦可改變為底部閘電晶體。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式 10的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式12)
依據本發明之液晶顯示裝置中所包括畫素結構係參照圖2、4、6、8、14及15的該頂視圖加以描述。一線路導入圖16之電路中所示畫素部分中。除非偏離本發明的該目的及範圍，亦可允許不同於圖2、4、6、8、14及15中的模式。以下將參照圖16描述依據本發明之液晶顯示裝置的畫素電路。
在圖16中，閘極線7001與源極線7002交錯。此外，共同線路7003a及共同線路7003b可垂直及水平地導入。該閘極線7001與電晶體7004的閘電極相連。此外，該源極線7002與該電晶體7004的源極(或汲極)相連。應注意的是，當該液晶顯示裝置為AC驅動液晶顯示裝置時，該電晶體7004的該源電極及該汲電極依據該源極線7002所傳輸的電位而開關；因而，該電極於本實施例模式中稱為該源(或汲)電極。液晶元件CLC置於該電晶體7004的該源(或汲)電極與該共同線路7003a之間。當該電晶體7004啟動時，來自該源極線7002的該電位傳輸至該液晶元件CLC，其中，當該電晶體7004關閉時，來自該源極線7002的該電位未傳輸至該液晶元件CLC。在此狀況下，光需要通過該液晶層，即使當該電晶體7004關閉且來自該源極線7002的該電位未傳輸至該液晶元件CLC時亦然，電容Cs較佳地平行於該液晶元件CLC配置。 當該電容儲存電壓時，即使當該電晶體7004關閉，光亦可通過該液晶層。
圖92A顯示本實施例模式中所描述該顯示裝置的頂視圖。圖92B顯示相應於圖92A之線路K-L的截面圖。圖92A及92B中所示該顯示裝置包括外部終端連接區852、密封區853及包括信號線路驅動器電路的掃瞄線驅動器電路854。
本實施例模式之圖92A及92B中所示該顯示裝置包括基底801、薄膜電晶體827、薄膜電晶體829、薄膜電晶體825、密封劑834、相對基底830、校正膜831、相對電極832、間隔器833、極化板835a、極化板835b、第一終端電極層838a、第二終端電極層838b、異向性傳導層836及柔軟印刷電路(FPC)837。該顯示裝置亦包括該外部終端連接區852、該密封區853、該掃瞄線驅動器電路854、畫素區856及信號線驅動器電路857。
配置該密封劑834以圍繞該畫素區856及形成於該基底801之上的該掃瞄線驅動器電路854。該相對基底830亦置於該畫素區856及該掃瞄線驅動器電路854。因而，經由該基底801、該密封劑834及該相對基底830，密封該畫素區856及該掃瞄線驅動器電路854，以及該液晶材料。
形成於該基底801之上的該畫素區856及該掃瞄線驅動器電路854包括複數薄膜電晶體。在圖92B中，顯示該畫素區856中所包括該薄膜電晶體825作為一範例。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式11的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式13)
圖17A至17B各顯示包括依據實施例模式1至12中所描述本發明之液晶顯示裝置的模組的模式。畫素部分930、閘極驅動器920及源極驅動器940係置於基底900之上。一信號經由柔軟印刷電路960而自積體電路950輸入至該閘極驅動器920及該源極驅動器940。一影像便依據該輸入的信號而顯示於該畫素部分930中。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式12的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式14)
本實施例模式將描述液晶元件之電極10的細節。圖94顯示一截面圖的範例。應注意的是，除了該液晶元件的該電極10之外，該液晶元件的電極可具有不同模式且未顯示於圖94中，但可以任何方式配置。
此外，絕緣層13為用於調整液晶層15之厚度的薄膜，其形成於具該液晶元件之該電極10的基底端；然而，本發明並不侷限於此。絕緣層13為用於調整液晶層15之厚度的薄膜，亦可配置於相對基底端。絕緣層13為用於調整液晶層15之厚度的薄膜，形成於該液晶元件的該電極10之下；然而，本發明並不侷限於此。用於調整 厚度之薄膜的絕緣層13亦可配置於該液晶元件的該電極10之上。
應注意的是，除了該液晶元件的該電極10外，有些可配置該液晶元件的電極12。
此處，將描述電極之間的間隔。如圖94中所示，傳輸部分1002中該液晶元件之該電極10之間的間隔9972相較於該液晶元件之該電極10之間的間隔9971，其配置於該傳輸部分1002及反射部分1001的邊界，即該絕緣層13的邊界。該間隔9971可幾乎等於或長於該間隔9972。較佳的是，在該畫素中，該間隔9971幾乎等於或長於該間隔9972的區域較該間隔9971短於該間隔9972的區域多。亦較佳的是，在該畫素中，該間隔9971長於該間隔9972的區域較該間隔9971短於該間隔9972的區域多兩倍或三倍。
液晶分子的校正在該絕緣層13的邊界混亂。因而，當使該間隔9971長以便不輕易接收電場時，便可降低例如旋轉位移的校正缺陷。
同樣地，較佳的是，該間隔9971可幾乎等於或長於該反射部分1001中該液晶元件之該電極10之間的間隔9970。
隨後，該傳輸部分1002中該液晶元件的該電極10之間的該間隔9972相較於該反射部分1001中該液晶元件的該電極10之間的該間隔9970。該間隔9970可幾乎等於或長於該間隔9972。較佳的是，在該畫素中，該間隔 9970幾乎等於或長於該間隔9972的區域較該間隔9970短於該間隔9972的區域多。更佳的是，在該畫素中，該間隔9970長於該間隔9972的區域較該間隔9970短於該間隔9972的區域多兩倍或三倍。
在該反射部分1001中，該液晶層厚度，即格間隙，是薄的。因而，施用於該液晶分子的電場可低於該傳輸部分1002中的電場。
其次，將描述用於調整該液晶層15厚度之薄膜的該絕緣層13與該液晶元件的該電極10之邊界的配置。在該絕緣層13的該邊界，該液晶分子的校正可能是混亂的。因而，為盡可能降低混亂組合，該絕緣層13與該液晶元件之該電極10的該邊界較佳地配置為幾乎平行或幾乎垂直。
圖96A及96B顯示該絕緣層13與該液晶元件之該電極10的該邊界配置為幾乎平行的狀況。圖96A顯示一截面圖及圖96B顯示一平面圖。如此一來，經由該幾乎平行的配置，可降低該液晶分子的混亂組合。
應注意的是，"為幾乎平行"此處亦包括該液晶分子之混亂組合不具有大影響之度數上的不一致。因而，例如，該絕緣層13的該邊界與該液晶元件之該電極10的該邊界的正切線之間的角度較佳的為-10至+10度，更加的為-5至+5度。
即使當該絕緣層13與該液晶元件之該電極10的該邊界如圖96A及96B中所示配置為幾乎平行時，便可為圖 95中所示的區域，其中由於該電極的連接，該液晶元件的該電極10配置於該絕緣層13的該邊界之上。
接著，圖97A及97B顯示該絕緣層13與該液晶元件之該電極10的該邊界配置為幾乎垂直的狀況。圖97A顯示一截面圖及圖97B顯示一平面圖。如此一來，經由該幾乎垂直的配置，可降低該液晶分子之校正的混亂。
應注意的是，"為幾乎垂直"此處亦包括該液晶分子之混亂組合不具有大影響之度數上的不一致。因而，例如，該絕緣層13的該邊界與該液晶元件之該電極10的該邊界的正切線之間的角度較佳的為80至110度，更加的為85至105度。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式13的該描述並與本實施例模式相結合。
(實施例模式15)
將參照圖19A至19H描述包括依據本發明之液晶顯示裝置的電子設備的顯示部分。圖19A顯示一電視機，其包括外殼2001、支撐座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端子2005等。該顯示部分2003包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19B顯示一攝影機，其包括主體2101、顯示部分2102、影像接收部分2103、作業金鑰2104、外部連接埠2105、遮光器2106等。該顯示部分2102包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19C 顯示一電腦，其包括主體2201、外殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、指向滑鼠2206等。該顯示部分2203包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19D顯示一資訊終端機，其包括主體2301、顯示部分2302、開關2303、作業金鑰2304、紅外線埠2305等。該顯示部分2302包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19E顯示一DVD再生裝置，其包括主體2401、外殼2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄媒體讀取部分2405、作業金鑰2406、揚聲器部分2407等。該顯示部分A2403及該顯示部分B2404各包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19F顯示一電子書，其包括主體2501、顯示部分2502、作業金鑰2503等。該顯示部分2502包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19G顯示一影像拾訊裝置，其包括主體2601、顯示部分2602、外殼2603、外部連接埠2604、遙控接收部分2605、影像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、作業金鑰2609等。該顯示部分2602包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。圖19H顯示一電話，其包括主體2701、外殼2702、顯示部分2703、音頻輸入部分2704、音頻輸出部分2705、作業金鑰2706、外部連接埠2707、天線2708等。該顯示部分2703包括依據實施例模式1至14中所描述本發明的該液晶顯示裝置。
如上述，依據本發明的電子設備係經由結合依據本發明的液晶顯示裝置進入顯示部分而完成。依據本發明的該電子設備可顯示室內及室外皆宜的影像。特別是，例如攝影機或影像拾訊裝置等常用於室外及室內的電子設備具有優點，例如在顯示螢幕之觀看角度下，在室內及室外均具有寬視角及低色移。
應注意的是，亦可適用實施例模式1至實施例模式14的該描述並與本實施例模式相結合。
本申請案係依據2005年12月5日於日本專利處申請之no.2005-350198日本專利申請案，其完整內容以參考的方式併入本文。
103、111‧‧‧液晶元件的電極
105、110‧‧‧絕緣層
125‧‧‧液晶層
101、121‧‧‧基底
102‧‧‧閘電極
103a、103b、108b‧‧‧傳導層
106‧‧‧半導體層
107‧‧‧保護膜
108、109、109a、109b‧‧‧線路
108a‧‧‧N型半導體層
112、124‧‧‧校正膜
122‧‧‧蔽光層
123‧‧‧色彩過濾器
126‧‧‧間隙調整膜
127a、127b‧‧‧極板
151‧‧‧電晶體
161‧‧‧傳輸部分
162‧‧‧反射部分
d1、d2‧‧‧厚度

Claims (19)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  2. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及 閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口整個重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  3. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層 中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口的底部部分與該第二絕緣層中之該開口的頂部部分整個重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  4. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及 畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  5. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第 二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口整個重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  6. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口的底部部分與該第二絕 緣層中之該開口的頂部部分整個重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  7. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口重疊，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該 開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  8. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口整個重疊，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電 層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  9. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口的底部部分與該第二絕緣層中之該開口的頂部部分整個重疊，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導 電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  10. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導 電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  11. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口與該第二絕緣層中之該開口整個重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導 電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  12. 一種液晶顯示裝置，包含：閘極電極；半導體層；及閘極絕緣層，其係分離該閘極電極與該半導體層；第一絕緣層，於該薄膜電晶體上；第一導電層，於該第一絕緣層上並通過該第一絕緣層中之開口以接觸於該半導體層；第二絕緣層，於該第一導電層上；共同電極，於該第二絕緣層上；第三絕緣層，於該共同電極上；及畫素電極，於該第三絕緣層上，其中該畫素電極係通過該第三絕緣層中之開口及該第二絕緣層中之開口而電接觸於該第一導電層，其中該第三絕緣層中之該開口的底部部分與該第二絕緣層中之該開口的頂部部分整個重疊，其中該畫素電極係通過第四導電層而電接觸於該第一導電層，該第四導電層之側邊緣被該第三絕緣層覆蓋，其中該第二絕緣層中之該開口與該第一絕緣層中之該開口重疊，其中該共同電極係電接觸於第二導電層，該第二導電層係由與該第一導電層相同的膜所製，及其中該第二導電層係電接觸於第三導電層，該第三導 電層係由與該閘極電極相同的膜所製。
  13. 如申請專利範圍第4至6項及第10至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中該第四導電層係由與該共同電極相同的膜所製。
  14. 如申請專利範圍第4至6項及第10至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中該畫素電極係直接接觸於該第四導電層，及其中該第四導電層係直接接觸於該第一導電層。
  15. 如申請專利範圍第1至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中該第三絕緣層與該第二絕緣層中之該開口重疊。
  16. 如申請專利範圍第1至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中當以截面視圖觀看時，該第二絕緣層中之該開口的頂部部分較該第三絕緣層中之該開口的底部部分更寬。
  17. 如申請專利範圍第1至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中該共同電極與該畫素電極於畫素之光作用區中重疊。
  18. 如申請專利範圍第1至12項之任一項的液晶顯示裝置，其中該畫素電極與該第三導電層於畫素中彼此重疊。
  19. 如申請專利範圍第1至12項之任一項的液晶顯示裝置， 其中該共同電極係通過第五導電層而電接觸於該第二導電層。
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