KR102261212B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 표시장치는 표시패널 및 광학 모듈을 포함한다. 표시패널은 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판을 포함한다. 광학 모듈은 제1 기판의 적어도 일부를 관통하는 오픈 홀 내에 인입된다. 표시패널은, 제1 기판 상에 배치되며 오픈 홀에 인접하여 위치하는 센싱 메탈을 포함한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 카메라 및 광학 센서와 같은 광학 모듈을 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 표시장치(display device)들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display device; OLED) 등으로 구현될 수 있다.
이러한 표시장치는 스마트폰과 태블릿 PC와 같은 모바일 기기 뿐만 아니라 TV(Television), 자동차 디스플레이, 웨어러블 기기 등 다양한 분야에 적용되고 있다. 이러한 표시장치들이 다양한 분야에 용이하게 적용되기 위해서는, 다양한 방식으로의 구조적인 변형이 요구된다.
예를 들어, 표시장치는 사용자의 휴대성 및 사용 편의성, 또는 제품의 심미성 등을 고려하여 더욱 얇은 외관을 가질 필요가 있다. 다만, 표시장치는, 영상 정보를 제공하는 기능 외에 수행할 수 있는 기능이 다양화됨에 따라 예를 들어, 사진이나 동영상의 촬영, 음악이나 동영상 파일의 재생, 게임, 방송의 수신 등의 복합적인 기능들을 갖춘 멀티미디어 기기(Multimedia player) 형태로 구현되고 있기 때문에, 상기 기능들을 수행하기 위한 많은 부품들을 포함한다. 따라서, 많은 부품들을 단순 적층하여서는 슬림(slim)한 디자인을 구현하기 어렵기 때문에, 요구되는 휴대성 및 사용 편의성 등을 확보하는 데 한계가 있다.
본 발명은 카메라 및 광학 센서와 같은 광학 모듈을 포함하면서도 휴대성 및 사용 편의성은 물론, 심미성을 확보한 표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 의한 표시장치는 표시패널 및 광학 모듈을 포함한다. 표시패널은 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판을 포함한다. 광학 모듈은 제1 기판의 적어도 일부를 관통하는 오픈 홀 내에 인입된다. 표시패널은, 제1 기판 상에 배치되며 오픈 홀에 인접하여 위치하는 센싱 메탈을 포함한다.
본 발명은 제품 안정성 및 신뢰성을 확보하면서, 슬림한 디자인을 갖는 표시장치를 제공할 수 있다. 특히, 본 발명은 슬림한 디자인을 갖는 표시장치를 제공함에 있어, 공정 불량을 최소화할 수 있는 이점을 갖는다.
도 1은 본 발명에 의한 표시장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 표시장치의 개략적인 구조 및 형성 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 센싱 메탈의 형상을 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 표시장치의 천공 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구체적인 구조예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치와 비교예에 따른 표시장치를 비교 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명에 의한 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 전기영동 표시소자(Electrophoresis, EPD), 양자점 표시장치(Quantum Dot Display; QDD) 등의 표시장치 기반으로 구현될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해, 표시장치가 액정 표시장치인 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 본 발명의 표시장치는 투과형 표시장치, 반투과형 표시장치, 반사형 표시장치 등 어떠한 형태로도 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 표시장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 표시장치는 표시패널(100), 드라이브 IC(Integrated Circuit), 타이밍 콘트롤러(Timing Controller, TCON)(50) 등을 포함한다.
표시패널(100)은 액티브 영역 및 액티브 영역 외측의 베젤 영역을 포함한다. 액티브 영역은 입력 영상이 구현되는 영역으로, 서로 교차되는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)에 의해 구획된 다수의 픽셀(P)들을 포함한다. 베젤 영역은 액티브 영역에 구동 신호를 공급하기 위한 여러 구동 소자들을 포함한다.
표시패널(100)은 제1 영역(AR1)과, 제1 영역(AR1) 외측의 제2 영역(AR2)으로 구분되어 정의될 수 있다. 제1 영역(AR1)은 영상 정보를 표시하지 않는 영역으로, 표시장치의 보조 기능을 수행하는 영역이다. 제1 영역(AR1)은 액티브 영역 및 베젤 영역 중 적어도 어느 하나에 정의될 수 있다.
데이터 라인(DL)들은 제1 방향(예를 들어, y축 방향)을 따라 형성된다. 데이터 라인(DL)들에는 데이터 전압이 인가된다. 게이트 라인(GL)들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예를 들어, x축 방향)을 따라 형성된다. 게이트 라인(GL)들에는 게이트 펄스가 인가된다.
데이터 라인들(DL)과 게이트 라인들(GL)의 교차부에는 TFT들이 형성된다. TFT는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 펄스에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 전압을 액정셀(Clc)의 픽셀 전극(1)에 공급한다. 액정셀들(Clc) 각각은 TFT를 통해 데이터 전압을 충전하는 픽셀 전극(1)과 공통전압(Vcom)이 인가되는 공통전극(2)의 전압차에 의해 구동된다. 액정셀(Clc)에는 액정셀의 전압을 1 프레임 기간 동안 유지시키는 스토리지 커패시터(Cst)가 접속된다.
드라이브 IC는 소스 드라이브 IC(SIC, 46)와 게이트 드라이브 IC(GIC, 40)를 포함하는 표시패널(100)의 구동회로이다. 소스 드라이브 IC(SIC)와 게이트 드라이브 IC(GIC)는 COF(Chip on film)와 같은 연성회로기판 상에 함께 실장될 수 있다. COF의 입력단은 PCB(Printed Circuit Board)에 접합되고, COF의 출력단은 표시패널(100) 에 접합될 수 있다. 게이트 드라이브 IC(GIC)는 GIP(Gate-driver In Panel) 회로의 방식에 따라 표시패널(100)의 베젤 영역 상에 직접 배치될 수 있다.
소스 드라이브 IC(SIC)는 타이밍 콘트롤러(50)의 제어 하에 입력 영상의 디지털 비디오 데이터들을 샘플링한 후에 래치(Latch)하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 타이밍 콘트롤러(50)의 제어 하에 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog converter, ADC)를 이용하여 디지털 비디오 데이터들을 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고 그 데이터 전압을 데이터 라인들(DL)에 공급한다. 게이트 드라이브 IC(GIC)는 타이밍 콘트롤러(50)의 제어 하에 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔펄스)를 제1 게이트 라인으로부터 제n 게이트 라인까지 순차적으로 공급한다.
타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 시스템(60)으로부터 수신한 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 소스 드라이브 IC들(SIC)에 전송한다. 타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 시스템(60)으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(CLK) 등의 타이밍 신호들을 입력받는다. 이러한 타이밍 신호들은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 동기된다. 타이밍 콘트롤러(50)는 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE, CLK)를 이용하여 소스 드라이브 IC들(SIC)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 소스 타이밍 제어신호와, 게이트 드라이브 IC들(GIC)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다.
호스트 시스템(Host System, SYSTEM)(60)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(60)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(100)에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(60)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(50)로 전송한다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 표시장치의 개략적인 구조 및 형성 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 표시패널(100)은 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2), 및 액정층(LC)을 포함한다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 유리(glass) 재질로 형성될 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)들이 형성되는 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 컬러필터가 형성되는 컬러필터 어레이 기판일 수 있다.
표시패널(100)은 제1 영역(AR1) 및 제2 영역(AR2)을 포함한다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은, 격벽(BAR)을 기준으로 구분될 수 있다. 제1 영역(AR1)에서, 제1 기판(SUB1)은 일부 제거된다. 따라서, 표시패널(100)의 제1 영역(AR1)에는, 외측으로 일부 개방된 내부 공간이 마련된다.
제1 영역(AR1)에 마련된 내부 공간에는, 광학 모듈(200)이 인입된다. 광학 모듈(200)은, 표시패널(100)의 외측에 단순 적층 되어 배치되지 않고, 표시패널(100)의 내측에 적어도 일부 인입된다. 따라서, 표시장치의 전체 두께가 줄어든 슬림한 디자인을 구현할 수 있다. 광학 모듈(200)은 표시패널(100)의 내부 공간에 완전히 수용되어, 표시패널(100)의 외측으로 돌출되지 않을 수 있다. 또는, 광학 모듈(200)의 적어도 일부만이 내부 공간에 수용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시패널(100)의 내측에 내부 공간을 마련하기 위해, 제1 기판(SUB1)의 일부를 제거하기 위한 기계적 가공 공정이 진행된다. 예를 들어, 기계적 휠(WH)(mechanical wheel)을 이용한 드릴 공정(drilling)을 진행할 수 있다.
좀 더 구체적으로, 테이블(TB) 상에 마련된 표시패널(100)을 가공하기 위해, 표시패널(100)의 제1 영역(AR1) 상에 휠(WH)을 준비한다. 이후, 휠(WH)을 이용한 드릴 공정을 통해, 제1 영역(AR1)의 제1 기판(SUB1)을 천공한다. (도 3의 (a)) 드릴 공정 이후, 제1 영역(AR1)에 잔류하는 잔여 유리(RG)는 테이프(TP)로 부착하고, 브레이킹(breaking) 시킨 후에 일괄 제거한다. (도 3의 (b)) 이와 같은, 일련의 공정을 통해 표시패널(100)의 제1 영역(AR1)에 내부 공간을 마련할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 표시 장치는 표시패널(100)의 일부에 내부 공간을 마련할 필요가 있기 때문에, 천공 공정은 반드시 요구된다. 이러한 천공 공정은 정밀하게 제어될 필요가 있다. 구체적으로, 제1 기판(SUB1)은 유리와 같은 재질을 이용하여 형성될 수 있는데, 이때, 균일한 두께를 갖지 못하고 위치에 따라 두께 산포가 발생한다. 실재로 제1 기판(SUB1)으로 이용되는 유리 기판의 위치에 따른 두께 산포도를 살펴보면, 0.25±0.05[mm] 범위에 있다. 이와 같은 두께 산포를 고려함이 없이 천공 공정을 진행하는 경우, 버(burr)의 발생률이 증가하게 되어, 제품 신뢰성 및 안정성을 현저히 저하시키는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 두께 산포를 고려하지 않는 경우, 드릴 공정 후 잔여 유리(RG)들의 두께 편차가 발생하기 때문에, 잔여 유리(RG)가 완전히 제거되지 못하고 일부 잔류할 수 있다. 이를 방지하기 위해서는, 제1 기판(SUB1)의 위치에 따른 두께 산포를 측정하고 이를 바탕으로 천공 공정을 진행할 수 있는 수단 및 방법의 제안이 요구된다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 단면도이다. 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 센싱 메탈의 형상을 보여주는 평면도이다. 도 6은 본 발명에 의한 표시장치의 천공 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 표시장치는 표시패널(100) 및 광학 모듈(200)을 포함한다. 표시패널(100)은 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2), 및 액정층(LC)을 포함한다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 유리(glass) 재질로 형성될 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 박막 트랜지스터들이 형성되는 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 컬러필터가 형성되는 컬러필터 어레이 기판일 수 있다. 다만, 표시패널(100)이 COT(Color filter on TFT) 구조로 구현되는 경우, 컬러 필터는 제1 기판(SUB1) 상에 형성될 수도 있다. 액정층(LC)은 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 사이에 개재된다. 액정층(LC)은, TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 등 다양한 액정 모드로 구현될 수 있다.
표시패널(100)은 제1 영역(AR1) 및 제2 영역(AR2)을 포함한다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은, 격벽(BAR)을 기준으로 구분될 수 있다. 격벽(BAR)은 실런트(sealant)와 같은 실링 재료로 형성될 수 있다. 격벽(BAR)은 액정층(LC)을 밀봉하는 기능 즉, 액정의 외부 유출을 방지하기 위한 배리어(barrier)로써 기능할 수 있다. 또한, 격벽(BAR)은, 제1 영역(AR1)에 내부 공간을 형성하기 위한 공정 계속 중 이물이 표시패널(100)의 내측 예를 들어 액정층(LC)에 유입되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 격벽(BAR)은, 상기 공정 계속 중 제공되는 외부 압력으로부터, 셀 갭을 일정하게 유지시키는 기능을 수행할 수 있다.
제1 영역(AR1)에서, 제1 기판(SUB1)은 일부 제거된다. 따라서, 표시패널(100)의 제1 영역(AR1)에는, 외측으로 일부 개방된 내부 공간이 마련된다.
제1 영역(AR1)에 마련된 내부 공간에는, 광학 모듈(200)이 인입된다. 광학 모듈(200)은, 표시패널(100)의 외측에 단순 적층 되어 배치되지 않고, 표시패널(100)의 내측에 적어도 일부 인입된다. 따라서, 표시장치의 전체 두께가 줄어든 슬림한 디자인을 구현할 수 있다. 광학 모듈(200)은 표시패널(100)의 내부 공간에 완전히 수용되어, 표시패널(100)의 외측으로 돌출되지 않을 수 있다. 또는, 광학 모듈(200)의 적어도 일부만이 내부 공간에 수용될 수 있다.
광학 모듈(200)은, 카메라, 및 조도 센서와 같은 광학 센서들 중 적어도 어느 하나 일 수 있다. 광학 모듈(200)은 표시패널(100)의 내부에 마련된 내부 공간에 수용되되, 제2 기판(SUB2)의 배면에 위치하기 때문에, 공정 계속 중 및/또는 제품 사용 중에 다른 기구물들과의 간섭으로부터 보호될 수 있다. 광학 모듈(200)은 제2 기판(SUB2)의 배면에 직접 부착될 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 유리와 같은 투명 재질로 이루어지기 때문에, 표시패널(100)의 제1 영역(AR1)은 빛이 투과할 수 있는 투과 영역에 해당한다. 이는, 제1 영역(AR1)에서 제2 기판(SUB2)에 의해 빛의 경로가 방해되지 않아, 제2 기판(SUB2)의 배면에 위치하는 광학 모듈(200)이 본연의 기능을 수행할 수 있음을 의미한다.
제2 영역(AR2)에 대응하는 표시패널(100)의 후방에는 백라이트 유닛(미도시)이 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 액정층(LC)에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다.
백라이트 유닛은 직하형(direct type) 및 에지형(edge type) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 에지형 백라이트 유닛은 도광판의 측면에 대향되도록 광원이 배치되고 표시패널(100)과 도광판 사이에 다수의 광학시트들이 배치되는 구조를 갖는다. 직하형 백라이트 유닛은 표시패널(100)의 아래에 다수의 광학시트들과 확산판이 적층되고 확산판 아래에 다수의 광원들이 배치되는 구조를 갖는다.
제1 기판(SUB1) 상에는, 센싱 메탈(ML)이 배치된다. 센싱 메탈(ML)은 제1 기판(SUB1)의 두께 산포를 정확히 측정하기 위한 구성이므로, 제1 기판(SUB1) 상에 직접 배치되는 것이 바람직하다.
센싱 메탈(ML)은 제1 영역(AR1)에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 입력 영상이 구현되는 제2 영역(AR2)에 배치된 다른 신호 전극, 신호 배선들과의 불필요한 신호 간섭을 방지하기 위해, 센싱 메탈(ML)은 제2 영역에 배치된 소자들로부터 충분히 이격 되는 것이 바람직하다.
센싱 메탈(ML)은 센서가 센싱할 수 있는 물질로 이루어지면 충분하다. 즉, 후술하겠으나, 센싱 메탈(ML)은 거리측정 센서(SN)에 의해 센싱이 용이한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 센싱 메탈(ML)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금의 단층이나 다층으로 이루어질 수 있다.
센싱 메탈(ML)은 오픈 홀(OH)로부터 소정 간격 이격되어 배치된다. 오픈 홀(OH)은, 전술한 천공 공정을 통해 제1 기판(SUB1)을 관통함으로써 형성된 홀을 의미한다. 가공될 부분의 두께를 명확히 측정하기 위해, 상기 소정 간격은 공정 상 가능한 최소 거리임이 바람직하다. 상기 소정 간격은 오픈 홀(OH)의 형성 위치, 격벽(BAR)의 위치 및 거리측정 센서(SN) 등의 위치 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
도 5를 더 참조하면, 센싱 메탈(ML)은 평면 상에서 바라볼 때, 폐곡선 형태를 가질 수 있다. 센싱 메탈(ML)이 폐곡선 형태로 오픈 홀(OH)의 둘레를 모두 둘러싸도록 배치되는 경우, 오픈 홀(OH)이 형성될 영역의 제1 기판(SUB1) 두께를 모두 측정할 수 있기 때문에, 센싱된 거리 정보를 바탕으로 보다 정확한 천공 공정을 수행할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 센싱 메탈(ML)은 오픈 홀(OH)의 일부 위치에 개곡선 형태로, 필요한 위치에 선택적으로 배치될 수 있다.
도면에서는, 오픈 홀(OH)이 대략 원형의 평면 형상을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 오픈 홀(OH)은, 광학 모듈(200)이 원활히 수용될 수 있는 형상을 가지면 충분하다. 도면에서는, 센싱 메탈(ML)의 평면 형상이 대략 원형의 링 형상인 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 센싱 메탈(ML)의 평면 형상은 중심이 빈 원형, 다각형 등 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 센싱 메탈(ML)의 평면 형상은 오픈 홀(OH)의 평면 형상과 다른 형상을 가질 수도 있다. 다만, 오픈 홀(OH)의 형성 위치에 대응한 제1 기판(SUB1)의 두께 산포를 정확히 측정하기 위해 센싱 메탈(ML)이 오픈 홀(OH)과 인접하게 배치되어야 함에 비추어 볼 때, 센싱 메탈(ML)의 평면 형상은 오픈 홀(OH)의 평면 형상과 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하다.
도 6을 참조하면, 표시패널(100)의 내측에 내부 공간을 마련하기 위해, 제1 기판(SUB1)의 일부를 제거하기 위한 기계적 가공 공정이 진행된다. 예를 들어, 기계적 휠(WH)을 이용한 드릴 공정을 진행할 수 있다.
좀 더 구체적으로, 테이블(TB) 상에 마련된 표시패널(100)을 가공하기 위해, 표시패널(100)의 제1 영역(AR1) 상에 휠(WH)을 준비한다. 이후, 휠(WH)을 이용한 드릴 공정을 통해, 제1 영역(AR1)의 제1 기판(SUB1)을 천공한다.
여기서, 요구되는 깊이까지 정확한 천공 공정을 진행하기 위해, 거리측정 센서(SN)를 이용할 수 있다. 즉, 거리측정 센서(SN)는 센싱 메탈(ML)의 위치를 센싱하고, 그 거리를 판단한다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는, 오픈 홀(OH)에 대응되는 위치에서 위치에 따른 제1 기판(SUB1)의 두께 산포를 센싱할 수 있기 때문에, 위치에 따른 천공 깊이(휠(WH)의 드릴링 깊이)를 정확히 결정할 수 있다. 필요에 따라서, 거리측정 센서(SN)를 이용하여 표시패널(100)이 안착된 테이블(TB) 과의 거리를 측정하고, 표시패널(100)의 전체 두께를 더 고려하여, 요구되는 위치까지 천공 공정을 진행할 수 있다. 본 발명의 실시예는 제1 기판(SUB1)의 위치에 따른 두께 편차를 고려하여 천공 공정을 진행하기 때문에, 버(burr) 발생률을 최소화할 수 있는 이점을 갖는다. 따라서, 제품의 신뢰성 및 안정성을 확보한 표시장치를 제공할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구체적인 구조예를 설명하기 위한 도면이다.
표시패널(100)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)으로 구분된다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은 격벽(BAR)에 의해 구획될 수 있다.
표시패널(100)은 서로 대향 배치된 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2)을 포함한다. 제1 영역(AR1)에서, 제2 기판(SUB2) 의 배면 방향에 마련된 내부 공간에는, 광학 모듈(200)이 배치된다. 제2 영역(AR2)에서, 제2 기판(SUB2)과 제1 기판(SUB1)은 액정층(LC)을 사이에 두고 일정한 간격(d)을 유지한 채 합착된다. 제1 기판(SUB1)의 외부면 및 제2 기판(SUB2)의 외부면에는, 각각 하부 편광판 및 상부 편광판이 배치될 수 있다. 상부 편광판은 하부 편광판과 직교하는 방향의 광 투과축을 가질 수 있다.
제2 영역(AR2)에서, 제1 기판(SUB1) 상에는 TFT(T), 픽셀 전극(PXL) 및 공통 전극(COM)이 배치된다. TFT(T)는 게이트 전극(G), 반도체층(A), 소스 전극(S), 드레인 전극(D)을 포함한다. 게이트 전극(G)은 제1 기판(SUB1) 위에 배치된다. 게이트 전극(G) 위에는, 게이트 전극(G)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(GI)이 배치된다. 게이트 절연막(GI) 위에는 게이트 전극(G)과 중첩되도록 반도체층(A)이 배치된다. 게이트 전극(G)과 중첩된 반도체층(A)의 일부는 채널 영역으로 정의될 수 있다. 반도체층(A) 위에는 소정 간격 이격되어 서로 대향 배치된 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)이 배치된다. 소스 전극(S)은 반도체층(A)의 일측과 접촉되며, 드레인 전극(D)은 반도체층(A)의 타측과 접촉된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 적용되는 TFT(T)의 구조는 도면에 도시된 구조에 한정되는 것은 아니며, 탑 게이트(top gate) 구조, 바텀 게이트(bottom gate) 구조, 더블 게이트(double gate) 구조 등 다양한 구조를 모두 포함할 수 있다. 또한, TFT(T)들은 비정질 실리콘(amorphose Si, a-Si) TFT, LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT, 산화물 TFT(Oxide TFT) 등으로 구현될 수 있다.
게이트 절연막(GI), 반도체층(A), 소스 전극(S), 및 드레인 전극(D) 위에는 절연층(PAS)이 형성된다. 절연층(PAS)은 하나 이상의 절연막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연층은 도시한 바와 같이 제1 절연막 및 제2 절연막을 포함할 수 있다. 제1 절연막은 무기 절연 물질을 포함할 수 있고, 제2 절연막은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연막은 유기 절연 물질을 포함하여 평탄화층으로써 기능할 수 있다.
절연층(PAS) 위에는 도전 물질을 포함하는 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM)이 형성된다. 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM)의 위치와 모양은 설계 환경과 목적에 맞게 선택될 수 있다.
일 예로, 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM) 소정 간격 이격되어 형성된다. 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 수평 전계를 형성하며, 전극 상부에 구비되는 액정은 수평 전계에 의해 구동된다. 다른 예로, 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM)은 제3 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 구비될 수 있다. 즉, 절연층(PAS) 위에는, 픽셀 전극(PXL)과, 픽셀 전극(PXL)을 덮는 제3 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 공통 전극(COM)은 제3 절연막 위에 형성되어 픽셀 전극(PXL)과 수평 전계를 형성할 수 있다. 또는, 절연층(PAS) 위에는, 공통 전극(COM)과, 공통 전극(COM)을 덮는 제3 절연막이 차례로 형성될 수 있고, 픽셀 전극(PXL)은 제3 절연막 위에 형성되어 공통 전극(COM)과 수평 전계를 형성할 수 있다. 또 다른 예로, 공통 전극(COM)은 제2 기판(SUB2) 상에 형성되어, 제1 기판(SUB1)에 형성된 픽셀 전극(PXL)과 수직 전계를 형성할 수 있다.
픽셀 전극(PXL)은 절연층(PAS)을 관통하는 화소 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극(D)의 일부와 접촉된다. 따라서, 픽셀 전극(PXL)은 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결된다. 픽셀 전극(PXL), 공통 전극(COM) 이 형성된 제1 기판(SUB1) 위에는 하부 배향막(ALGL)이 형성된다.
제2 기판(SUB2) 상에는 컬러 필터(CF)가 형성된다. 컬러 필터(CF)는 픽셀 배열에 맞추어 R/G/B 또는 R/G/B/W 배열을 갖도록 형성될 수 있다. 제2 기판(SUB2) 상에는, R 컬러필터, G 컬러필터, B 컬러필터를 구획할 수 있는 블랙 매트릭스가 더 구비될 수 있다. 컬러 필터(CF)가 형성된 제2 기판(SUB2) 상에는 상부 배향막(ALGU)이 형성된다.
제1 영역(AR1)에서, 제1 기판(SUB1) 상에는 센싱 메탈(ML)이 형성된다. 센싱 메탈(ML)은 게이트 전극(G)이 형성될 때 함께 형성될 수 있다. 즉, 센싱 메탈(ML)은 게이트 전극(G)과 동일한 물질로 동일층에 동일 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예는 센싱 메탈(ML)을 게이트 전극 형성 시 함께 형성할 수 있기 때문에, 센싱 메탈(ML)을 형성하기 위한 추가 공정이 요구되지 않는다. 따라서, 제조 비용, 제조 시간 등을 줄일 수 있는 이점을 갖는다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치와 비교예에 따른 표시장치를 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 센싱 메탈(ML)은 제1 기판(SUB1) 위에 직접 형성된 게이트 전극(G)과 동일한 물질(GM)로 동일층에 동일 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 다른 요소(또는, 조건)을 고려할 필요 없이, 가공 위치에 대응하는 제1 기판(SUB1)의 두께를 정확히 측정할 수 있다.
도 8의 (b)에 도시된 비교예를 참조하면, 센싱 메탈(ML)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 제1 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 센싱 메탈(ML)은 소스/드레인 전극(S, D)과 동일한 물질로 동일층(SDM)에 동일 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
이와 같이 센싱 메탈(ML)과 제1 기판(SUB1) 사이에 특정 층이 개재되어 있는 경우, 가공 위치에 대응하는 제1 기판(SUB1)의 두께 편차를 측정하기 위해서는, 상기 특정층의 두께 또한 고려할 필요가 있다. 실재로 게이트 절연막(GI)의 위치에 따른 두께 산포도를 살펴보면, 6000±1000[Å] 범위에 있기 때문에, 게이트 절연막(GI) 상에 위치하는 센싱 메탈(ML)을 이용하여 제1 기판(SUB1)의 정확한 두께를 측정하는 것에는, 어려움이 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 센싱 메탈(ML)은 제1 기판(SUB1) 상에 직접 형성되는 것이 바람직하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
100 : 표시패널 200 : 광학 모듈
SUB1 : 제1 기판 SUB : 제2 기판
AR1 : 제1 영역 AR2 : 제2 영역
ML : 센싱 메탈 BAR : 격벽

Claims (9)

  1. 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판을 갖는 표시패널;
    상기 제1 기판의 적어도 일부를 관통하여, 외측으로 개방되는 오픈 홀에 인입된 광학 모듈;
    상기 오픈 홀 주위의 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 격벽; 및
    상기 오픈 홀과 상기 격벽 사이에, 상기 제2 기판에 대향하는 상기 제1 기판 위에 배치되어 상기 제1 기판의 두께를 측정하는 센싱 메탈을 포함하는, 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 모듈은 상기 오픈 홀에 인입되어 상기 제2 기판의 배면에 부착되는, 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱 메탈은,
    평면 형상이 폐곡선 형태를 갖는, 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판은,
    박막 트랜지스터가 구비된 기판이며,
    상기 박막 트랜지스터는,
    기판 위에 직접 배치된 게이트 전극;
    게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극 위에 배치되며, 상기 게이트 전극과 일부 중첩된 반도체층; 및
    상기 반도체층 위에 배치되며, 상기 반도체층의 일측 및 타측에 각각 접촉된 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 센싱 메탈은,
    상기 게이트 전극과 동일 물질로 이루어지며, 동일층에 배치되는, 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시패널은,
    상기 오픈 홀이 위치하는 제1 영역; 및
    상기 제1 영역 외측에 정의되며, 입력 영상이 구현되는 제2 영역을 포함하고,
    상기 표시패널의 제2 영역 후방에만 배치되는 다수의 광학시트, 확산판 및 다수의 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 더 포함하는, 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 센싱 메탈은,
    상기 제1 영역에 배치되는, 표시장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 더 포함하는, 표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 오픈 홀의 평면 형상은,
    상기 센싱 메탈의 평면 형상과 동일한, 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 모듈은,
    카메라 및 광학 센서 중 적어도 하나를 포함하는, 표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997010B2 (en) 2015-12-18 2018-06-12 Ags Llc Electronic gaming device with external lighting functionality
USD843473S1 (en) 2017-04-07 2019-03-19 Ags Llc Gaming machine
USD888837S1 (en) 2018-02-02 2020-06-30 Ags Llc Support structure for gaming machine display
USD939632S1 (en) 2018-07-17 2021-12-28 Ags Llc Gaming machine
KR102576868B1 (ko) * 2018-07-31 2023-09-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN109541849B (zh) * 2019-01-04 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及驱动方法、显示面板
JP7257821B2 (ja) * 2019-03-11 2023-04-14 株式会社ジャパンディスプレイ 電気光学装置および電子機器
KR20200110493A (ko) 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈 검사 장치 및 표시 모듈 검사 방법
USD969926S1 (en) 2019-04-24 2022-11-15 Ags Llc Gaming machine
JP7263120B2 (ja) * 2019-05-23 2023-04-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示パネル
USD978810S1 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Ags Llc LED matrix display
US11380157B2 (en) 2019-08-02 2022-07-05 Ags Llc Servicing and mounting features for gaming machine display screens and toppers
USD969927S1 (en) 2019-08-02 2022-11-15 Ags Llc Gaming machine
CN110853497B (zh) * 2019-10-25 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其终端装置
CN110764299A (zh) * 2019-10-29 2020-02-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板以及显示模组制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141268A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Hitachi Ltd 電子デバイス及び半導体集積回路装置の製造方法
EP1958019B1 (en) * 2005-12-05 2017-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN103021278B (zh) * 2012-12-07 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR101754075B1 (ko) * 2014-09-30 2017-07-20 엘지디스플레이 주식회사 패널 및 그 제조 방법과 이를 이용한 표시장치
US10108222B2 (en) * 2015-12-04 2018-10-23 Apple Inc. Electronic device displays with holes to accommodate components
KR102501111B1 (ko) * 2015-12-28 2023-02-16 엘지디스플레이 주식회사 카메라 모듈 일체형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

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