WO2017170350A1 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017170350A1
WO2017170350A1 PCT/JP2017/012296 JP2017012296W WO2017170350A1 WO 2017170350 A1 WO2017170350 A1 WO 2017170350A1 JP 2017012296 W JP2017012296 W JP 2017012296W WO 2017170350 A1 WO2017170350 A1 WO 2017170350A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid crystal
region
polarizing plate
substrate
display device
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/012296
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真由子 坂本
哲憲 田中
有希 安田
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US16/083,551 priority Critical patent/US10509284B2/en
Publication of WO2017170350A1 publication Critical patent/WO2017170350A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133531—Polarisers characterised by the arrangement of polariser or analyser axes

Definitions

  • a liquid crystal display device includes an element substrate, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the element substrate and the counter substrate, and light of the liquid crystal layer.
  • a liquid crystal panel including an incident-side linearly polarizing plate disposed on the incident side and an exit-side linearly polarizing plate disposed on the light-emitting side of the liquid crystal layer, wherein the element substrate and the counter substrate are respectively resin films
  • a plurality of insulating films are formed on the base material, and a rectangular contact hole is formed in the plurality of insulating films in a plan view, and either the long side or the short side of the contact hole is formed. One of them is parallel to the absorption axis of the incident-side linear polarizing plate or the exit-side linear polarizing plate.
  • a liquid crystal display device includes an element substrate, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the element substrate and the counter substrate, and light of the liquid crystal layer.
  • a liquid crystal panel including an incident-side linearly polarizing plate disposed on the incident side and an exit-side linearly polarizing plate disposed on the light-emitting side of the liquid crystal layer, wherein the element substrate and the counter substrate are respectively resin films A first region and a second region in which the number of the plurality of insulating films laminated on the substrate or the thickness of the plurality of insulating films are different from each other, and the incident-side linearly polarizing plate or The plurality of insulations depending on the absorption axis direction of any of the exit side linearly polarizing plates and the number of the plurality of insulating films or the thickness of the plurality of insulating films in the first region and the second region.
  • the normal stress acting on the film cross section A direction acting range have to match the.
  • the liquid crystal layer may be in a vertical alignment mode.
  • the side on which the exit-side linear polarizing plate 6 is disposed is referred to as the viewing side
  • the side on which the backlight unit 8 is disposed is referred to as the back side.
  • the transparent resin film substrate 14 a polymer material, for example, an organic transparent resin material having heat resistance such as polyimide (PI) can be used.
  • the film thickness of the transparent resin film substrate 14 is about 1 ⁇ m to 20 ⁇ m. The thickness can be reduced as compared with the case where an inorganic glass substrate having a plate thickness of 100 ⁇ m or more is used.
  • a base coat 38 is provided on one side of the transparent resin film substrate 14.
  • an inorganic film such as a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxynitride film (SiNO), or a silicon oxide film (SiNx) is used.
  • the gate electrode 16 is formed on the base coat 38.
  • a contact layer (not shown) is formed on the upper surface of the semiconductor layer 15.
  • the contact layer is made of a material in which the same semiconductor material as that of the semiconductor layer 15 is doped with an n-type impurity at a high concentration.
  • a region between the two contact layers in the semiconductor layer 15 is formed thin.
  • the region where the semiconductor layer 15 is thin functions as a channel region of the TFT element 19.
  • a quaternary mixed crystal semiconductor material containing, for example, indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), and oxygen (O) is used as the semiconductor material, the contact layer 28 doped with n-type impurities is unnecessary. It becomes.
  • a photo-alignment film may be used as the first vertical alignment film 27.
  • the first vertical alignment film 27 has an alignment regulating force for vertically aligning the liquid crystal molecules 47 constituting the liquid crystal layer 11. Become.
  • the vertical alignment films 34 are sequentially formed.
  • an organic transparent resin material having heat resistance such as polyimide (PI) can be used as the transparent resin film substrate 29.
  • the color filter 31 includes one of red (R), green (G), and blue (B) pigments for each sub-pixel having a different color constituting one pixel.
  • One color filter 31 of R, G, and B is arranged to face one pixel electrode 25 on the element substrate 10.
  • the color filter 31 may have a multicolor configuration of three or more colors of R, G, and B. For example, a four-color configuration with yellow (Y) added, a four-color configuration with white (W) added, or a yellow (Y), cyan (C), and magenta (M) added 6 A color configuration may be used.
  • the light incident on the end face of the light guide 37 from the light source 36 is totally reflected inside the light guide 37 and propagates, and is emitted from the upper surface (light emission surface) of the light guide 37 with a substantially uniform intensity.
  • a scattering sheet and a prism sheet are disposed on the upper surface of the light guide 37, and a scattering sheet is disposed on the lower surface of the light guide 37.
  • the light emitted from the upper surface of the light guide 37 is scattered by the scattering sheet, then condensed by the prism sheet, and is emitted after being substantially parallelized.
  • White PET may be used as the scattering sheet.
  • a BEF sheet (trade name) manufactured by Sumitomo 3M may be used.
  • An incident side linearly polarizing plate 4 is provided between the backlight unit 8 and the liquid crystal cell 5.
  • the incident-side linearly polarizing plate 4 functions as a polarizer that controls the polarization state of light incident on the liquid crystal cell 5.
  • the exit side linearly polarizing plate 6 functions as an analyzer that controls the transmission state of the light emitted from the liquid crystal cell 5.
  • the absorption axis P1 of the incident-side linearly polarizing plate 4 and the absorption axis P2 of the exit-side linearly polarizing plate 6 are arranged in a crossed Nicol arrangement.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram in the display area of the liquid crystal panel 2.
  • the element substrate 10 has a plurality of pixels PX arranged in a matrix.
  • the pixel PX is a basic unit of display.
  • a plurality of signal lines S1, S2,... Are provided on the element substrate 10 so as to extend in parallel to each other.
  • a plurality of scanning lines G1, G2,... are provided on the element substrate 10 so as to extend in parallel to each other.
  • the plurality of scanning lines G1, G2,... are orthogonal to the plurality of signal lines S1, S2,.
  • a second capacitor electrode 74 is provided on the first capacitor electrode 73 so as to overlap the first capacitor electrode 73.
  • the overlapping portion of the first capacitor electrode 73 and the second capacitor electrode 74 functions as the storage capacitor portion 72.
  • the second capacitor electrode 74 and the drain electrode 18 are formed in the same layer, and are electrically connected via a connection portion 75 formed integrally with the second capacitor electrode 74 and the drain electrode 18.
  • the second capacitor electrode 7 is made of the same material as the drain electrode 18.
  • a contact hole 26 for electrically connecting the second capacitor electrode 74 and the drain electrode 18 to the pixel electrode 25 is provided on the second capacitor electrode 74.
  • the outline of the pixel electrode 25 is omitted for easy viewing of the drawing.
  • an ideal cross section at the boundary between the first region R1 and the second region R2 is a cross section along the vertical direction with respect to the transparent resin film substrate 14.
  • the actual cross section has an ideal cross section along the vertical direction with respect to the transparent resin film substrate 14 due to a taper angle in the manufacturing process or a plurality of insulating films.
  • the vertical stress ⁇ at the boundary between the first region R1 and the second region R2 is equal to the first region R1 as in the ideal cross section shown in FIG. 8A.
  • the cause of light leakage is that the first region R1 corresponding to the contact hole 26 and the second region R2 around the contact hole 26 (the region outside the contact hole 26 and the first region R1 is the number of insulating films, Since the number of insulating films laminated on the transparent resin film substrate 14 is different between the regions having different film thicknesses, the overall film stress of the plurality of insulating films is different.
  • SYMBOLS 1 Liquid crystal display device, 2 ... Liquid crystal panel, 4 ... Incident side linearly polarizing plate, 6 ... Outgoing side linearly polarizing plate, 10 ... Element substrate, 11 ... Liquid crystal layer, 12 ... Color filter substrate (opposite substrate), 14, 29 ... transparent resin film substrate (base material), 16 ... gate electrode, 17 ... source electrode, 21 ... first interlayer insulating film (one of a plurality of insulating films), 22 ... second interlayer insulating film (a plurality of insulating films) One of the films), 40... Etching stopper layer (one of the plurality of insulating films), 26... Contact hole, 25... Pixel electrode, 51, 52, 53.
  • Absorption axis of plate, P2 ... Absorption axis of output side polarizing plate, R1 ... First region, R2 ... Second region, GL ... Gate bus line, SL ... Source bus line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本発明の一つの態様の液晶表示装置は、素子基板と、前記素子基板に対向配置される対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の光入射側に配置された入射側直線偏光板と、前記液晶層の光射出側に配置された射出側直線偏光板と、を含む液晶パネルを備え、前記素子基板及び前記対向基板は、それぞれ樹脂フィルムを基材とし、前記基材上には複数の絶縁膜が形成され、前記複数の絶縁膜には平面視長方形状のコンタクトホールが形成されており、前記コンタクトホールの長辺および短辺のいずれか一方が、前記入射側直線偏光板あるいは前記射出側直線偏光板の吸収軸と平行である。

Description

液晶表示装置
　本発明の一つの態様は、液晶表示装置に関するものである。
　本願は、２０１６年３月３０日に、日本に出願された特願２０１６－０６９４８７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　表示部分が柔軟に変形可能な、いわゆるフレキシブルディスプレイは、薄く・軽く・割れないディスプレイとして注目を集めている。液晶表示方式のフレキシブルディスプレイは、通常、液晶層を、ポリイミド樹脂等の有機透明樹脂材料で挟んだ構造を有する。フレキシブルディスプレイとしての液晶パネルの製造工程においては、ガラス等の支持基板上に上記透明樹脂材料を成膜し、その上にＴＦＴ基板、液晶層等を形成した後、支持基板を剥離する。
　一般的に、液晶表示装置は、カバー部材、液晶パネル、バックライトユニット等を含んで構成されている。このような液晶表示装置の組み立て時において、液晶パネルとバックライトユニットとの間に異物を挟み込んでしまうと、液晶パネルの各ガラス基板に応力が生じ、ノーマリブラックである液晶パネルに光漏れが生じてしまう。
　特許文献１には、フロントカバー、液晶パネル、バックライトユニット、およびバックライトユニットとカバー部材との間で液晶パネルを支持する４つの支持部を備えた構成が記載されている。４つの支持部のうち、組をなす２つの支持部どうしが対向するように配置され、一方の組の２つの支持部はカバー部材側、他方の組の２つの支持部はバックライトユニット側に設けられている。この構成において、一方の組をなす２つの支持部の各中心を通過する直線と、一方の偏光板の吸収軸とのなす角度を規定することで、ノーマリブラックの液晶パネルにおける光洩れを抑制している。
特許第５５５１５４３号公報
ディスプレイ用材料　高分子学会（編集）　共立出版　発行者：南條光章　第一章ｐ９～ｐ１０
　特許文献１では、一対のガラス基板を備えてなる液晶パネルに、外部から機械的に加えられる応力に起因する光洩れについてのみ言及しており、液晶パネルの内部で発生する応力については考慮していない。
　液晶パネルの基板に樹脂フィルムを用いた場合、外部から機械的な応力が加えられなくても、樹脂フィルムを液晶パネルの基板として用いるだけで応力に起因する光洩れが発生する。
　本発明の一つの態様は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、液晶パネルの基板に樹脂フィルムを用いる場合に生じるパネル内部の応力を抑制することのできる、液晶表示装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様における液晶表示装置は、素子基板と、前記素子基板に対向配置される対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の光入射側に配置された入射側直線偏光板と、前記液晶層の光射出側に配置された射出側直線偏光板と、を含む液晶パネルを備え、前記素子基板及び前記対向基板は、それぞれ樹脂フィルムを基材とし、前記基材上には複数の絶縁膜が形成され、前記複数の絶縁膜には平面視長方形状のコンタクトホールが形成されており、前記コンタクトホールの長辺および短辺のいずれか一方が、前記入射側直線偏光板あるいは前記射出側直線偏光板の吸収軸と平行である。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記コンタクトホールは、前記複数の絶縁膜に形成された複数のスルーホールからなり、前記複数のスルーホールのうち少なくとも一つは、無機膜によって形成されている構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記コンタクトホールにおいて蓄積容量が形成されている構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置は、素子基板と、前記素子基板に対向配置される対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の光入射側に配置された入射側直線偏光板と、前記液晶層の光射出側に配置された射出側直線偏光板と、を含む液晶パネルを備え、前記素子基板及び前記対向基板は、それぞれ樹脂フィルムを基材とし、前記基材上に積層される複数の絶縁膜の数もしくは前記複数の絶縁膜の膜厚が互いに異なる第１領域と第２領域とを有し、前記入射側直線偏光板あるいは前記射出側直線偏光板のうちいずれかの吸収軸方向と、前記第１領域と前記第２領域との前記複数の絶縁膜の数もしくは前記複数の絶縁膜の膜厚の違いによって前記複数の絶縁膜の断面に作用する垂直応力が最も広い範囲で作用する方向と、を一致させる。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記第１領域は、下層側の配線の信号を上層側の画素電極へ伝達させるために前記基材上に積層された複数の絶縁膜をエッチングすることにより形成されるコンタクトホールに対応し、前記第２領域は、前記コンタクトホールの外側の領域であって前記第１領域とは前記複数の絶縁膜数や膜厚が異なる領域である構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記第１領域は、ゲートバスラインの周縁に対応する領域及びソースバスラインの周縁に対応する領域のうち少なくともいずれか一方の領域であり、前記第２領域は、前記第１領域に隣り合うとともに前記第１領域よりも膜厚の小さい領域である構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記基材の面法線方向から見た前記コンタクトホールの平面形状が四角形状であり、直交する各辺が、前記ゲートバスラインもしくは前記ソースバスラインのいずれか一方と平行である構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記液晶層は水平配向モードである構成としてもよい。
　本発明の一態様における液晶表示装置において、前記液晶層は垂直配向モードである構成としてもよい。
　本発明の一つの態様によれば、黒表示における光漏れを効果的に抑制することのできる、液晶表示装置を提供することができる。
第１実施形態の液晶表示装置１の概略構成を示す断面図。 液晶パネル２の表示領域における縦断面図。 リベット構造物４６付近における液晶分子４７の配向状態を示す図。 リベット構造物４６と画素電極２５の平面図およびリベット構造物付近の液晶分子の配向状態を簡易的に示す図。 画素電極２５とリベット構造物４６の他の構成例および各リベット構造物付近の液晶分子４７の配向状態を簡易的に示す図。 画素電極２５とリベット構造物４６の他の構成例および各リベット構造物付近の液晶分子４７の配向状態を簡易的に示す図。 液晶パネル２の表示領域における等価回路図。 液晶パネル２の１つの画素ＰＸの平面図。 図４のＡ－Ａ’線に沿う断面図。 図４のＢ－Ｂ’線に沿う断面図。 液晶パネル２の１つの画素ＰＸにおける蓄積容量部７２とその周辺の構造を示す断面図。 第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の境界部分における理想的な断面を示す図。 第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２の境界部分における実際の断面を示す図。 コンタクトホール２６に作用する垂直応力の方向と、入射側直線偏光板４の吸収軸と射出側直線偏光板６の吸収軸方向との関係を示す平面図。 ゲートバスラインＧＬとゲート絶縁膜２０との界面におけるサイドエッチの影響を示す断面図。 ゲートバスラインＧＬ側で生じる垂直応力及びソースバスラインＳＬ側で生じる垂直応力と、コンタクトホール２６の長辺及び短辺と、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の各吸収軸との関係を示す図。 （ａ）は、平面視円形状のコンタクトホールに作用する垂直応力と、入射側直線偏光板及び射出側直線偏光板の吸収軸方向との関係を示す図、（ｂ）は、平面視正方形状のスルーホールに作用する垂直応力と、入射側直線偏光板及び射出側直線偏光板の吸収軸方向との関係を示す図。 素子基板の透過率測定値と光洩れシミュレーションの値との比較を示すグラフ。 円偏光板での各測定値を１としたときの、各々の条件での測定値の比較を示す表など。 ゲートバスライン及びソースバスラインに対してスルーホールが斜めに配置された構成を示す平面図。
[第１実施形態]
　以下、本発明の第１実施形態の液晶表示装置について説明する。
　なお、以下の各図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
（液晶表示装置）
　図１は、第１実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
　液晶表示装置１は、図１に示すように、液晶パネル２と、バックライトユニット８と、を備えている。液晶パネル２は、液晶セル５と、液晶セル５の光入射側に配置される入射側直線偏光板４と、液晶セル５の光射出側に配置される射出側直線偏光板６と、を備えて構成されている。液晶パネル２は、表示部分が柔軟に変形可能な、いわゆるフレキシブルディスプレイである。図１では、液晶セル５を模式的に図示しているが、その詳細な構造については後述する。
　入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の材料としては、各フィルムメーカーが量産している直線偏光板を用いることができる。例えば、ＴＡＣ（セルローストリアセテート）フィルム、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）フィルム、位相差がほとんどないゼロ位相差フィルムなどで構成されている。また、視野角を補償するために、位相差フィルム（例えばＡプレート、Ｃプレート）が追加されている場合もある。
　フレキシブル性を有する本実施形態の液晶セル５は、一般的な液晶ディスプレイを構成する部材と略同一の構成部材からなるが、フレキシブル性を得るために、基材として無機ガラスを用いるのではなく、透明樹脂フィルムを用いている点に特徴を有する。液晶セル５は、一対の透明樹脂フィルム基板（基材）１４及び透明樹脂フィルム基板（基材）２９の間に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、各種信号線（走査信号線、データ信号線等）、画素電極、液晶層、共通電極（対向電極）、カラーフィルタ（ＣＦ）、絶縁膜等を含む液晶構造が設けられている。上記した液晶構造は、周知の構成および製造方法を適用することができる。
　本実施形態の液晶表示装置１においては、バックライトユニット８から射出された光を液晶パネル２で変調し、変調した光によって所定の画像や文字等を表示する。観察者は、射出側直線偏光板６を介して液晶表示装置１の表示画像を見る。
　以下の説明では、射出側直線偏光板６が配置された側を視認側と称し、バックライトユニット８が配置された側を背面側と称する。
　以下、液晶パネル２の具体的な構成について説明する。
　ここでは、アクティブマトリクス方式の透過型液晶パネルを一例に挙げて説明する。ただし、本実施形態に適用可能な液晶パネルはアクティブマトリクス方式の透過型液晶パネルに限るものではない。本実施形態に適用可能な液晶パネル２は、例えば半透過型（透過・反射兼用型）液晶パネルであっても良い。さらには、各画素がスイッチング用薄膜トランジスタを備えていない単純マトリクス方式の液晶パネルであっても良い。以下、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）をＴＦＴと略記する。
　図２Ａは、液晶パネル２の表示領域における縦断面図である。
　上述したように、液晶パネル２は、液晶セル５、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６を備えて構成されている。図２Ａに示すように、液晶セル５は、素子基板１０と、カラーフィルタ基板（対向基板）１２と、液晶層１１と、を有している。素子基板１０は、スイッチング素子基板として機能する。カラーフィルタ基板１２は、素子基板１０に対向して配置されている。液晶層１１は、素子基板１０とカラーフィルタ基板１２との間に挟持されている。
　液晶層１１は、素子基板１０と、カラーフィルタ基板１２と、枠状のシール部材（図示せず）と、によって囲まれた空間内に封入されている。シール部材は、素子基板１０とカラーフィルタ基板１２とを所定の間隔をおいて貼り合わせる。
　本実施形態の液晶パネル２は、ＶＡ（Vertical Alignment, 垂直配向）モードで表示を行う。液晶層１１には誘電率異方性が負の液晶が用いられる。素子基板１０とカラーフィルタ基板１２との間には、スペーサー１３が配置されている。スペーサー１３は球状あるいは柱状の部材である。スペーサー１３は、素子基板１０とカラーフィルタ基板１２との間の間隔を一定に保持する。
　素子基板１０を構成する透明樹脂フィルム基板（基材）１４の液晶層１１側の面には、ゲート電極１６、半導体層１５、ソース電極１７、ドレイン電極１８等を有する、ボトムゲートのＴＦＴ素子１９が形成されている。
　透明樹脂フィルム基板１４としては、高分子材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）等の耐熱性を有する有機透明樹脂材料を用いることができる。透明樹脂フィルム基板１４の膜厚は、１μｍ～２０μｍ程度である。板厚が１００μｍ以上の無機ガラス基板を用いる場合に比べて薄膜化が可能である。
　透明樹脂フィルム基板１４の一面側には、ベースコート３８が設けられている。ベースコート３８は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＮＯ）、シリコン酸化膜（ＳｉＮｘ）などの無機膜が用いられる。
　ベースコート３８上には、ゲート電極１６が形成されている。ゲート電極１６の材料としては、例えばＷ（タングステン）／ＴａＮ（窒化タンタル）の積層膜、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、又はそれらの積層膜が用いられる。
　ベースコート３８上には、ゲート電極１６を覆うようにして、ゲート絶縁膜２０が形成されている。ゲート絶縁膜２０の材料としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜等が用いられる。
　ゲート絶縁膜２０上には、ゲート電極１６と対向するように半導体層１５が形成されている。半導体層１５は、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む４元混晶半導体材料で構成されている。半導体層１５の材料としては、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系４元混晶半導体の他、ＣＧＳ（Continuous Grain Silicon：連続粒界シリコン）、ＬＴＰＳ（Low-temperature Poly-Silicon：低温多結晶シリコン）、α－Ｓｉ（Amorphous Silicon：非結晶シリコン）等の半導体材料が用いられる。
　例えば、半導体材料としてα－Ｓｉ（Amorphous Silicon：非結晶シリコン）を用いる場合、半導体層１５の上面に、コンタクト層（図示略）が形成されている。コンタクト層は、半導体層１５と同一の半導体材料にｎ型不純物が高濃度にドーピングされた材料から構成されている。半導体層１５のうち、これら２つのコンタクト層に挟まれた領域は膜厚が薄く形成されている。半導体層１５の膜厚が薄い領域は、ＴＦＴ素子１９のチャネル領域として機能する。
　また、半導体材料として、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む４元混晶半導体材料を用いる場合、ｎ型不純物がドーピングされたコンタクト層２８は不要となる。
　コンタクト層上には、後述のエッチングストッパ層４０（図５）を介してソース電極１７およびドレイン電極１８が形成されている。ソース電極１７およびドレイン電極１８の材料としては、上述のゲート電極１６と同様の導電性材料が用いられる。エッチングストッパ層（絶縁膜）４０は、ソース電極１７およびドレイン電極１８を形成するときにコンタクト層２８及び半導体層１５の表面を保護する役割を担う。エッチングストッパ層４０の材料としては、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜が用いられる。
　ゲート絶縁膜２０の上には、半導体層１５、コンタクト層２８、ソース電極１７およびドレイン電極１８を覆うように第１層間絶縁膜（絶縁膜）２１が形成されている。第１層間絶縁膜２１の材料としては、エッチングストッパ層４０と同様に、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜が用いられる。
　第１層間絶縁膜２１の上には、第２層間絶縁膜（絶縁膜）２２が形成されている。第２層間絶縁膜２２の材料としては、エッチングストッパ層４０と同様に、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜、もしくは有機絶縁性材料が用いられ、本実施例では有機絶縁性材料を用いた。
　第２層間絶縁膜２２上には、画素電極２５が形成されている。第１層間絶縁膜２１及び第２層間絶縁膜２２には、後述する蓄積容量部７２の表面に達するコンタクトホール２６が、第１層間絶縁膜２１及び第２層間絶縁膜２２を貫通して形成されている。
　画素電極２５は、コンタクトホール２６と後述する接続部７５とを介してドレイン電極１８に接続されている。画素電極２５は、ドレイン電極１８を中継用電極として半導体層１５のドレイン領域に接続されている。画素電極２５の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide、インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電性材料が用いられる。また、ドレイン電極１８のうち、容量線ＣＬの上方まで延在した部分は第２容量電極７４を構成し、透明樹脂フィルム基板１４上に形成されたエッチングストッパ層４０、第１層間絶縁膜２１及び第２層間絶縁膜２２を介して容量線ＣＬとともに蓄積容量部７２を構成する。
　この構成により、走査線を通じて走査信号が供給され、ＴＦＴ素子１９がオン状態となったときに、信号線を通じてソース電極１７に供給された画像信号が、半導体層１５、ドレイン電極１８を経て画素電極２５に供給される。
　画素電極２５を覆うように、第１層間絶縁膜２１上の全面に第１の垂直配向膜２７が形成されている。図２Ａに示すように、本実施形態のカラーフィルタ基板１２には、液晶分子４７の配向を制御するリベット構造物４６が複数設けられている。リベット構造物４６は、平面視において蓄積容量部７２と重なるように配置され、スペーサー１３と同層で同様の方法を用いて形成される。リベット構造物４６の高さｔは、液晶層１１の厚みＴの０．５倍程度である。
　図２Ｂは、リベット構造物４６付近における液晶分子４７の配向状態を示す図である。
図２Ｂでは、各垂直配向膜２７，３４の図示を省略している。
　図２Ｂに示すように、液晶分子４７のうち、リベット構造物４６の側面側に存在する液晶分子４７は、長軸が傾斜面に対して略垂直をなすように配向する。一方、リベット構造物４６と画素電極２５との間に存在する液晶分子４７は、基板面に対して略垂直をなすように配向する。
　図２Ｃは、リベット構造物と画素電極の平面図およびリベット構造物付近の液晶分子の配向状態を簡易的に示す図である。
　図２Ｃに示すように、リベット構造物４６の周囲に液晶分子４７がほぼ均等に配向する。
本実施形態におけるリベット構造物４６は、平面視における形状が略正八角形をなす。そのため、平面視において液晶分子４７がリベット構造物４６の８つの各側壁面４６ａに対して略垂直に配向する。
　図２Ｄ及び図２Ｅは、画素電極とリベット構造物の他の構成例および各リベット構造物付近の液晶分子の配向状態を簡易的に示す図である。
　図２Ｄ及び図２Ｅに示すように、１画素内に２つの画素電極２５Ａ，２５Ｂを設け、各画素電極２５Ａ，２５Ｂのそれぞれにリベット構造物４６を配置する構成としてもよい。
この場合、各画素電極２５Ａ，２５Ｂを接続する接続部２５Ｃの位置は、図２Ｄに示すように画素電極２５Ａ，２５Ｂの略中央に位置していてもよいし、図２Ｅに示すように画素電極２５Ａ，２５Ｂのどちらかに偏っていてもよい。このように画素を分割する構成により、液晶分子４７の配向をより強く規制することが可能であり、応答速度の向上が期待できる。
　また、第１の垂直配向膜２７として光配向膜を用いてもよい。光配向技術を用いて第１の垂直配向膜２７に配向処理を施すことによって、第１の垂直配向膜２７は、液晶層１１を構成する液晶分子４７を垂直配向させる配向規制力を有することになる。
　一方、カラーフィルタ基板１２を構成する透明樹脂フィルム基板（基材）２９の液晶層１１側の面には、ベースコート３９、ブラックマトリクス３０、カラーフィルタ３１、平坦化層３２、対向電極３３、第２の垂直配向膜３４が順次形成されている。
　透明樹脂フィルム基板２９としては、上述した透明樹脂フィルム基板１４と同様の材料、例えば、ポリイミド（ＰＩ）等の耐熱性を有する有機透明樹脂材料を用いることができる。
　透明樹脂フィルム基板１４及び透明樹脂フィルム基板２９は、ポリイミド（ＰＩ）等の耐熱性を有する有機透明樹脂材料からなる。
　ベースコート３９としては、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＮＯ）、シリコン酸化膜（ＳｉＮｘ）などの無機膜が用いられる。
　ブラックマトリクス３０は、画素間領域において光の透過を遮断する機能を有する。ブラックマトリクス３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）やＣｒ／酸化Ｃｒの多層膜等の金属、もしくはカーボン粒子を感光性樹脂に分散させたフォトレジストで形成されている。
　カラーフィルタ３１には、１個の画素を構成する色の異なる副画素毎に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの色素が含まれている。素子基板１０上の一つの画素電極２５に対して、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか一つのカラーフィルタ３１が対向して配置されている。なお、カラーフィルタ３１は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色以上の多色構成としてもよい。
例えば、黄色（Ｙ）を加えた４色構成としてもよいし、白色（Ｗ）を加えた４色構成としてもよいし、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）を加えた６色構成としてもよい。
　平坦化層３２は、ブラックマトリクス３０およびカラーフィルタ３１を覆う絶縁膜で構成されている。平坦化層３２は、ブラックマトリクス３０およびカラーフィルタ３１によってできる段差を緩和して平坦化する機能を有している。
　平坦化層３２上には対向電極３３が形成されている。対向電極３３の材料としては、画素電極２５と同様の透明導電性材料が用いられる。
　対向電極３３上の全面に第２の垂直配向膜３４が形成されている。本実施例は、複数設けられたリベット構造物４６により液晶分子４７の配向を制御するが、光配向技術を用いて液晶分子４７の配向を制御する場合、垂直配向膜３４は光配向膜を用いる。光配向技術を用いる場合、リベット構造物４６は必要ない。
　図１に示すように、バックライトユニット８は、光源３６と、導光体３７と、を備えている。光源３６は、導光体３７の端面に配置されている。光源３６としては、例えば、発光ダイオード、冷陰極管等が用いられる。本実施形態のバックライトユニット８は、エッジライト型のバックライトである。
　導光体３７は、光源３６から射出された光を液晶パネル２に導く機能を有する。導光体３７の材料としては、例えば、アクリル樹脂等の樹脂材料が用いられる。
　光源３６から導光体３７の端面に入射した光は、導光体３７の内部を全反射して伝播し、導光体３７の上面（光射出面）から概ね均一な強度で射出される。本実施形態では図示はしないが、導光体３７の上面には、散乱シート及びプリズムシートが配置されており、導光体３７の下面には、散乱シートが配置されている。導光体３７の上面から射出された光は、散乱シートにより散乱した後、プリズムシートによって集光され、概ね平行化されて射出される。散乱シートとしては、白色ＰＥＴを用いてもよい。プリズムシートとしては、例えば、住友３Ｍ社製のＢＥＦシート（商品名）を用いてもよい。
　本実施形態において、バックライトユニット８は指向性を有していなくてもよい。本実施形態のバックライトユニット８としては、光の射出方向を制御して、指向性がある程度緩やかに設定されたバックライトを用いる。なお、本実施形態において、バックライトユニット８が指向性を有していても構わない。
　バックライトユニット８と液晶セル５との間には、入射側直線偏光板４が設けられている。入射側直線偏光板４は、液晶セル５に入射する光の偏光状態を制御する偏光子として機能する。
　射出側直線偏光板６は、液晶セル５から射出された光の透過状態を制御する検光子として機能する。後述するように、入射側直線偏光板４の吸収軸Ｐ１と射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ２とは、クロスニコルの配置となっている。
　図３は、液晶パネル２の表示領域における等価回路図である。
　図３に示すように、素子基板１０には、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配置されている。画素ＰＸは、表示の基本単位である。素子基板１０には、複数の信号線Ｓ１，Ｓ２…が、互いに平行に延在するように設けられている。素子基板１０には、複数の走査線Ｇ１，Ｇ２…が、互いに平行に延在するように設けられている。複数の走査線Ｇ１，Ｇ２…は、複数の信号線Ｓ１，Ｓ２…と直交している。素子基板１０上には、複数の走査線Ｇ１，Ｇ２…と複数の信号線Ｓ１，Ｓ２…とが格子状に設けられている。
　隣り合う２本の信号線と隣り合う２本の走査線とによって区画された矩形状の領域が１つの画素ＰＸとなる。信号線Ｓ１，Ｓ２…は、ＴＦＴ素子１９のソース電極１７に接続されている。走査線Ｇ１，Ｇ２…は、ＴＦＴ素子１９のゲート電極１６に接続されている。
　また、素子基板１０には、複数の容量線Ｃ１，Ｃ２…が、走査線Ｇ１～Ｇ４と平行に延在するように形成されている。１つの画素ＰＸには、ＴＦＴ素子１９、蓄積容量部７２及び液晶容量部８２が設けられている。蓄積容量部７２の構成は、後述する。液晶容量部８２は、画素電極２５と、対向電極３３と、これらの間に挟持される液晶層１１と、から構成される。
　図４は、液晶パネル２の１つの画素ＰＸの平面図である。
　図４に示すように、ＴＦＴ素子１９は、走査線（ゲートバスライン）ＧＬと、信号線（ソースバスライン）ＳＬと、が交差する複数の交差部のうち、１つの画素ＰＸの左下に位置する交差部に設けられている。ゲート電極１６は、ゲートバスラインＧＬと同じレイヤーに設けられ、ゲートバスラインＧＬから張り出すようにゲートバスラインＧＬと一体に設けられている。素子基板１０の法線方向から見て、半導体層１５は、ゲート電極１６と交差するように設けられている。ソース電極１７は、ソースバスラインＳＬと同じレイヤー０に設けられ、ソースバスラインＳＬから張り出すようにソース電極１７と一体に設けられている。ソース電極１７の一部が半導体層１５と重なるように設けられている。ドレイン電極１８は、ドレイン電極１８の一部が半導体層１５と重なるように設けられている。
　図４に示すように、画素ＰＸの略中央には、ゲートバスラインＧＬと略平行な方向に延びる容量線ＣＬが設けられている。容量線ＣＬは、ベースコート３８上に設けられ、ゲートバスラインＧＬと同じレイヤーに設けられている。容量線ＣＬの一部からなる第１容量電極７３は、素子基板１０の法線方向から見て平面視矩形状を呈する。第１容量電極７３の材料としては、上述のゲート電極１６と同様の導電性材料が用いられる。
　第１容量電極７３上には、第１容量電極７３に重なるようにして第２容量電極７４が設けられている。第１容量電極７３と第２容量電極７４との重なり部分は、蓄積容量部７２として機能する。第２容量電極７４とドレイン電極１８とは、同じレイヤーに形成され、第２容量電極７４およびドレイン電極１８と一体に形成された接続部７５を介して電気的に接続されている。第２容量電極７は、ドレイン電極１８と同じ材料から構成される。
　第２容量電極７４上には、第２容量電極７４およびドレイン電極１８と画素電極２５とを電気的に接続するコンタクトホール２６が設けられている。図４では、図面を見やすくするため、画素電極２５の輪郭の図示を省略する。
　図５は、図４のＡ－Ａ’線に沿う断面図である。
　図５に示すように、ＴＦＴ素子１９では、半導体層１５上のエッチングストッパ層４０に、当該エッチングストッパ層４０の膜厚を貫通するスルーホール４３，４４が形成されている。一方のスルーホール４３を介してソース電極１７が半導体層１５のソース領域に接続され、他方のスルーホール４４を介してドレイン電極１８が半導体層１５のドレイン領域に接続されている。画素電極２５は、ドレイン電極１８を中継用電極として半導体層１５のドレイン領域に接続されている。なお、本実施形態では、エッチングストッパ層４０を設けた構成としたが、高精細化の実現のため、エッチングストッパ層４０を設けない構成としてもよい。
　図６は、図４のＢ－Ｂ’線に沿う断面図である。
　図６に示すように、蓄積容量部７２では、第１容量電極７３上にゲート絶縁膜２０を介して設けられたエッチングストッパ層４０に、ゲート絶縁膜２０の表面に達するスルーホール５１が形成されている。このスルーホール５１内には、蓄積容量部７２の他方の電極を構成する第２容量電極７４が形成されている。第２容量電極７４上の第１層間絶縁膜２１及び第２層間絶縁膜２２には、第２容量電極７４の表面に達するスルーホール５２及びスルーホール５３がそれぞれ形成されている。本実施形態においては、スルーホール５２の内壁面がスルーホール５３の内壁面によって被覆されている。第２層間絶縁膜２２上の画素電極２５は、スルーホール５２，５３によって構成されるコンタクトホール２６を介して第２容量電極７４に接続されている。
　図７は、液晶パネル２の１つの画素ＰＸにおける蓄積容量部７２とその周辺の構造を示す断面図である。
　図７に示すように、本実施形態では、透明樹脂フィルム基板１４上に積層される複数の絶縁膜の数もしくは複数の絶縁膜の膜厚が、コンタクトホール２６（複数のスルーホール５１，５２，５３）が存在する第１領域Ｒ１と、これらスルーホール５１，５２，５３の周辺であって蓄積容量部７２の外側の第２領域Ｒ２と、で互いに異なっている。そのため、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とで膜応力が異なり、素子基板１０における複数の絶縁膜の全体の膜応力に差が生じてしまう。
　表１に、スルーホール５１，５２，５３に対応する第１領域Ｒ１と、スルーホール５１，５２，５３の周辺（蓄積容量部７２の外側）の第２領域Ｒ２とにおける、複数の絶縁膜の全体の膜厚の違いと、膜応力の違いについて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　このように、有機絶縁性材料で形成されたスルーホール５３よりも、無機膜で形成されたスルーホール５１，５２の応力の寄与が大きい。
　図８Ａはスルーホールにおいて、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の境界部分における理想的な断面を示す図である。図８Ｂは、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の境界部分における実際の断面を示す図である。図中の符号９は、透明樹脂フィルム基板１４上に積層された、ベースコート３８、ゲート絶縁膜２０、第１層間絶縁膜２１、第２層間絶縁膜２２等を含む多層膜である。
　図８Ａに示すように、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の境界部分における理想的な断面は、透明樹脂フィルム基板１４に対して鉛直方向に沿う断面である。しかしながら、実際の断面は、図８Ｂに示すように、製造工程においてテーパ角がついたり、絶縁膜が複数であったりして、透明樹脂フィルム基板１４に対して鉛直方向に沿う理想的な断面とはならないが、連続的に膜厚が変化するため、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との境界における垂直応力σは、図８Ａに示した理想的な断面のときと同様、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との膜応力の差とみなす。
　コンタクトホール２６の壁面には、複数の絶縁膜の膜応力によって生じる垂直応力σが作用する。ここで、本実施形態における垂直応力σを次のように定義する。
　垂直応力σ：「第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の境界と樹脂フィルム基板とを鉛直に結んだ断面（スルーホールの壁面）に作用する垂直応力」
　次に、コンタクトホール２６の壁面に対して垂直応力が作用する方向と、各偏光板４，６の吸収軸のＰ１，Ｐ２との関係について述べる。
　図９は、コンタクトホール２６に作用する垂直応力σの方向と、入射側直線偏光板４の吸収軸Ｐ１の方向及び射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ２の方向と、の関係を示す平面図である。
　図９では、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との膜応力の差によってコンタクトホール２６の壁面に作用する垂直応力σの方向を、矢印で示している。ここでは、設定したＸＹＺ座標系において、矢印の先端側が＋側である。
　図９に示すように、素子基板１０の面法線方向から見たコンタクトホール２６の平面視形状が長方形状の場合、応力は各辺２６ａ、２６ｂに垂直な方向に作用する。また、設計上では平面視長方形状であったとしても、パネル製造工程のエッチングにおいて丸くなった４つの頂点部分については、応力は鉛直方向に作用する。
　透過型パネル（垂直配向モード、水平配向モード）では、通常、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の各吸収軸Ｐ１，Ｐ２は互いに直交している。これら各吸収軸Ｐ１，Ｐ２のそれぞれに、コンタクトホール２６の各辺（長辺２６ａ，短辺２６ｂ）が平行している。
　つまり、入射側直線偏光板４の吸収軸Ｐ１の方向とコンタクトホール２６の長辺２６ａに作用する垂直方向とを一致させ、射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ２の方向とコンタクトホール２６の短辺２６ｂに作用する垂直方向とを一致させる。あるいはその逆でもよく、入射側直線偏光板４の吸収軸Ｐ１の方向とコンタクトホール２６の短辺２６ｂに作用する垂直方向とを一致させ、射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ２の方向とコンタクトホール２６の長辺２６ａに作用する垂直方向とを一致させるようにしてもよい。
　実際に樹脂フィルムを基板材料とする液晶パネルを作製することで、コンタクトホール２６の周辺において、黒表示の際に光漏れが発生することが確認できる。光洩れの原因は、コンタクトホール２６に対応する第１領域Ｒ１と、コンタクトホール２６の周辺の第２領域Ｒ２（コンタクトホール２６の外側の領域であって第１領域Ｒ１とは絶縁膜の数や膜厚が異なる領域）とで、透明樹脂フィルム基板１４上に積層された絶縁膜の数が異なるために、複数の絶縁膜の全体の膜応力が異なってしまう。
　具体的には、図９に示すように、コンタクトホール２６に対応する第１領域Ｒ１にかかる膜応力が１０ＭＰａとなり、コンタクトホール２６の周辺の第２領域Ｒ２にかかる膜応力が－０．６ＭＰａとなる。
　そのため、コンタクトホール２６の壁面での応力差に起因する位相差によって光漏れが生じてしまう。
　位相差δ＝Ｃ（光弾性係数）×ｄ（弾性体の膜厚）×σ（応力）
　透明樹脂フィルム基板１４，２９は、薄くて軽く且つ柔軟性を有しているため、液晶表示装置１の軽量化及び多様性を高めるために有用であるが、無機ガラスよりも光弾性係数が大きいため（数十倍～数百倍）、上述したような光漏れが生じてしまう。
　そこで、本実施形態の液晶表示装置１では、透明樹脂フィルム基板１４，２９を用いた液晶パネル２において、素子基板１０の部分的な絶縁膜の積層数の違いによって、透明樹脂フィルム基板１４，２９及び複数の絶縁膜の断面に作用する垂直応力が最も広い範囲で作用する方向に、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の各吸収軸Ｐ１，Ｐ２を一致させた構成とした。つまり、図９に示すように、コンタクトホール２６の長辺２６ａに作用する垂直応力は、短辺２６ｂに作用する垂直応力よりも多い。そのため、垂直応力が多く作用する長辺２６ａの延在方向に一対の偏光板４，６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２のいずれか一方を一致させている。これにより、黒表示において、コンタクトホール２６の周辺（第２領域Ｒ２）において光漏れが生じるのを抑えることができる。
　このとき、特に無機膜のスルーホール５１、５２の長辺の延在方向に一対の偏光板４，６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２のいずれか一方を一致させるとよい。
　なお、チャネルエッチ型のＴＦＴを採用する場合にも同様である。この場合、エッチングストッパ層４０は不要となる。
［第２実施形態］
　次に、本発明の第２実施形態における液晶表示装置について説明する。
　図１０は、ゲートバスラインＧＬとベースコート３８との界面におけるサイドエッチの影響を示す断面図であるとともに、ソースバスラインＳＬとゲート絶縁膜２０との界面におけるサイドエッチの影響を示す断面図である。図１１は、ゲート電極１６側で生じる垂直応力及びソース電極１７側で生じる垂直応力と、コンタクトホール２６の長辺２６ａ及び短辺２６ｂと、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の各吸収軸Ｐ１，Ｐ２との関係を示す図である。
　図１０に示すように、素子基板１０の製造工程において、ゲートバスラインＧＬをエッチングにより形成する際に、下層のベースコート３８もエッチングされてしまう。図１０でいうと、ゲートバスラインＧＬの下のベースコート３８は第１領域Ｒ１で示しているように、ゲートバスラインＧＬがあるために、エッチングされにくい（サイドエッチはされる）が、ゲートバスラインＧＬから離れた第２領域Ｒ２は上層のゲート金属が全てエッチングされるため、下層のベースコート３８もエッチングされてしまい、結果的に第１領域Ｒ１よりも膜厚が薄くなってしまう。
　ソースバスラインＳＬをエッチングにより形成する際も、ゲートバスライン形成の時と同様、下層のゲート絶縁膜２０もエッチングされてしまう（エッチングストッパ層がない場合）。エッチングストッパ層がある場合、ソースバスラインＳＬの下層はエッチングストッパ層となるため、図１０の符号２０は符号４０となる。その際、ゲートバスラインＧＬ及びソースバスラインＳＬによるサイドエッチの影響によって、ゲートバスラインＧＬ及びソースバスラインＳＬとゲート絶縁膜２０との各界面においてゲート絶縁膜２０の厚さが連続的に異なってしまう（図１０中の破線で囲む部分）。すなわち、ゲート絶縁膜２０における膜応力が連続的に変化するため、膜厚が最も厚い部分と薄い部分とで応力差が生じ、光洩れの原因となる。
　本実施形態における第１領域Ｒ１は、ゲートバスラインＧＬの周縁に対応する領域及びソースバスラインＳＬの周縁に対応する領域のうち少なくともいずれか一方の領域であり、第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１に隣り合うとともに第１領域Ｒ１よりも膜厚の小さい領域である。
　素子基板１０では、互いに直交するゲートバスラインＧＬとソースバスラインＳＬとが存在するため、サイドエッチの影響による垂直応力σの発生方向は、Ｘ方向及びＹ方向である。
　したがって、図１１に示すように、ゲートバスラインＧＬ及びソースバスラインＳＬの延在方向と、平面視長方形状のコンタクトホール２６の長辺２６ａ及び短辺２６ｂの各延在方向とをそれぞれ一致させるとともに、さらに入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の各吸収軸Ｐ１，Ｐ２の各方向もそれぞれ一致させることによって、ゲートバスラインＧＬ及びソースバスラインＳＬの延在方向に沿って生じる光洩れを、効果的に抑制することができる。
［第３実施形態］
　次に、本発明の第３実施形態における液晶表示装置について説明する。
　図１２（ａ）は、平面視円形状のコンタクトホール４１に作用する垂直応力と、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２の各方向との関係を示す図である。図１２（ｂ）は、平面視正方形状のコンタクトホール４２に作用する垂直応力σと、入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２の各方向との関係を示す図である。
　先の実施形態では、平面視長方形状のコンタクトホールについて述べたが、コンタクトホールの平面視形状は長方形状に限らない。
　しかしながら、図１２（ａ）に示すように、平面視形状が円形のコンタクトホール４１の場合には、コンタクトホール４１の周辺４１ａに作用する垂直応力σの大部分が偏光板４，６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２の各方向と一致しない。したがって、光漏れを効果的に抑制することができない。
　一方、図１２（ｂ）に示すように、平面視形状が正方形のコンタクトホール４２の場合は、各辺４２ａが直線状であるため、各辺４２ａに作用する垂直応力σの大部分を、偏光板４，６の吸収軸Ｐ１，Ｐ２の各方向と一致させることが可能となり、効果的に光漏れを抑制することができる。
　次に、本発明の一つの態様の妥当性の検証について述べる。
　図１３Ａは、素子基板１０の透過率測定値と光洩れシミュレーションの値との比較を示すグラフである。
　クロスニコル状態にある各偏光板４，６の間に複屈折体を入れた場合における透過率強度は以下の式（１）で表すことができる。
　Ｉ（λ）∝ｓｉｎ２（２θ）×ｓｉｎ２（π×δ／λ）　…（１）
θ：偏光子と複屈折体の吸収軸の角度
δ：位相差
　上記式（１）は、非特許文献である、ディスプレイ用材料　高分子学会（編集）　共立出版　発行者：南條光章　第一章ｐ９～ｐ１０に基づいて得たものである。
　光弾性複屈折で生じる位相差は以下の式（２）で表すことができる。
　δ＝Ｃ×σ×ｄ　…（２）
Ｃ（／Ｐａ）：光弾性係数
σ（Ｐａ）：主応力差
ｄ（ｍ）：厚さ
　透明樹脂フィルム基板を用いて、素子基板を作製した際、光弾性複屈折に起因する光洩れ量をシミュレーション（計算）した結果を、図１３Ａに示す。ここでは、樹脂フィルム基板の光弾性係数を１３×１０－１２／Ｐａとした。応力（σ）の計算には表１に記載のモデルを用いた。これらの値を式（２）に代入することで、スルーホールの境界で生じる位相差δを算出できる。
　式（２）で算出した位相差δを式（１）に代入することで、クロスニコル状態の偏光板の間に存在する、素子基板からの光洩れ量（ａｒｂ．）が概算できる。このとき、波長λは５５０ｎｍで計算した。
　透明樹脂フィルム基板の膜厚に対する光洩れ量（ａｒｂ．）のシミュレーション結果を図１３Ａ中の○で示す。実際に作製した素子基板をクロスニコル状態の各偏光板で挟んだ時の透過率を◇で示す。樹脂フィルム基板の膜厚が薄くなるほど、透過率（測定値）が低くなる。この傾向は、シミュレーションによる光洩れ量（モデルを用いての計算値）と類似している。よって、本発明の一つの態様の妥当性を示している。
　次に、本発明の一つの態様の効果を実証するため、透明樹脂フィルムを基板とした液晶パネルをクロスニコルの一対の偏光板で挟み、透過率を測定した。
　図１３Ｂに、円偏光板での各測定値を１としたときの、各々の条件での測定値の比較を示す。
　円偏光板：コンタクトホールの壁面に作用する垂直応力方向と、各偏光板の吸収軸とを一致している構成において、素子基板における黒透過率比を１．０、ＶＡモードの液晶パネルのコントラスト比を１．０とした。
　直線偏光板：コンタクトホールの壁面に作用する垂直応力方向と、各偏光板の吸収軸とが一致してない構成の場合、黒透過率比に変化はなく、光洩れの低減効果を確認できなかった。
　一方、コンタクトホールの壁面に作用する垂直応力方向と、各直線偏光板の吸収軸とを一致させた構成の場合は、黒透過率比は、円偏光板に比べて０．３倍程度となり、光漏れを低減させる効果を確認できた。さらに、液晶パネルにおけるコントラストも、円偏光板を用いた場合と比較して２．４倍程度となり、表示品位の向上が示された。
　実証実験は、ＶＡモード（垂直配向モード）の液晶パネルで行ったが、全ての液晶モード（水平配向モード、ＴＮ配向モード）の液晶パネルでも適応することができる。すなわち、液晶パネル内の絶縁膜の積層数の違いによって膜応力に差ができることに起因する光洩れは、光弾性係数が無機ガラスよりも大きい（数十倍～数百倍）の樹脂フィルムを基板として使用する際に大きな課題となる。そこで、コンタクトホールの壁面に作用する垂直応力方向と、各直線偏光板の吸収軸とを一致させることによって、課題であった光洩れを効果的に低減させることが可能である。
［第４実施形態］
　次に、本発明の第４実施形態における液晶表示装置について説明する。
　図１４は、ゲートバスラインＧＬ及びソースバスラインＳＬに対してコンタクトホール２６が斜めに配置された構成を示す平面図である。
　図１４に示すように、本実施形態では、ゲート電極１６及びソース電極１７に対してコンタクトホール２６が斜めに配置されている。また、クロスニコルの配置とされた入射側直線偏光板４及び射出側直線偏光板６においても、各吸収軸Ｐ１，Ｐ２がゲート電極１６及びソース電極１７に対して斜めになるように配置する。このようにして、コンタクトホール２６の４辺（例えば、長辺２６ａ，短辺２６ｂ）を偏光板４，６の各吸収軸Ｐ１，Ｐ２に平行にし、素子基板の面法線方向（Ｚ方向）において、コンタクトホール２６の壁面に作用する大部分の垂直応力σの方向が吸収軸Ｐ１，Ｐ２に一致するよう構成する。
　本実施形態の構成においても、黒表示において、コンタクトホール２６の周辺において光漏れが生じるのを抑えることができる。
　また、上述した各実施形態における液晶表示装置を製造するにあたり、例えば、特開２０１３－１４５８０８の技術を採用してもよい。
　また、液晶表示装置を得る際に、例えば、フォトニクスポリマー（共立出版）に記載の材料を用いて液晶パネルを作製する場合、上述した各実施形態を適用することで、パネル内部の応力による光洩れを効果的に抑制できる。
　また、例えば、特開２０１５－１３８８９５に記載のフレキシブルデバイス、および特開２０１４－１７０６８６に記載の表示素子に、上述した各実施形態を適用することで、デバイス内部あるいは表示素子内部の応力を効果的に抑制することができるので、光洩れの抑制に有効である。
　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　本発明の一つの態様は、液晶パネルの基板に樹脂フィルムを用いる場合に生じるパネル内部の応力を抑制することのできる、液晶表示装置などに適用することができる。
　１…液晶表示装置、２…液晶パネル、４…入射側直線偏光板、６…射出側直線偏光板、１０…素子基板、１１…液晶層、１２…カラーフィルタ基板（対向基板）、１４，２９…透明樹脂フィルム基板（基材）、１６…ゲート電極、１７…ソース電極、２１…第１層間絶縁膜（複数の絶縁膜のうちの１つ）、２２…第２層間絶縁膜（複数の絶縁膜のうちの１つ）、４０…エッチングストッパ層（複数の絶縁膜のうちの１つ）、２６…コンタクトホール、２５…画素電極、５１，５２，５３…スルーホール、Ｐ１…入射側直線偏光板の吸収軸、Ｐ２…出射側偏光板の吸収軸、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、ＧＬ…ゲートバスライン、ＳＬ…ソースバスライン

Claims (9)

  1. 　素子基板と、前記素子基板に対向配置される対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の光入射側に配置された入射側直線偏光板と、前記液晶層の光射出側に配置された射出側直線偏光板と、を含む液晶パネルを備え、
    　前記素子基板及び前記対向基板は、それぞれ樹脂フィルムを基材とし、
    　前記基材上には複数の絶縁膜が形成され、
    　前記複数の絶縁膜には平面視長方形状のコンタクトホールが形成されており、
    　前記コンタクトホールの長辺および短辺のいずれか一方が、前記入射側直線偏光板あるいは前記射出側直線偏光板の吸収軸と平行である
    　液晶表示装置。
  2. 　前記コンタクトホールは、前記複数の絶縁膜に形成された複数のスルーホールからなり、
    　前記複数のスルーホールのうち少なくとも一つは、無機膜によって形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 　前記コンタクトホールにおいて蓄積容量が形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
  4. 　素子基板と、前記素子基板に対向配置される対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の光入射側に配置された入射側直線偏光板と、前記液晶層の光射出側に配置された射出側直線偏光板と、を含む液晶パネルを備え、
    　前記素子基板及び前記対向基板は、それぞれ樹脂フィルムを基材とし、前記基材上に積層される複数の絶縁膜の数もしくは前記複数の絶縁膜の膜厚が互いに異なる第１領域と第２領域とを有し、
    　前記入射側直線偏光板あるいは前記射出側直線偏光板のうちいずれかの吸収軸方向と、
    　前記第１領域と前記第２領域との前記複数の絶縁膜の数もしくは前記複数の絶縁膜の膜厚の違いによって前記複数の絶縁膜の断面に作用する垂直応力が最も広い範囲で作用する方向と、を一致させる、液晶表示装置。
  5. 　前記第１領域は、下層側の配線の信号を上層側の画素電極へ伝達させるために前記基材上に積層された複数の絶縁膜をエッチングすることにより形成されるコンタクトホールに対応し、
    　前記第２領域は、前記コンタクトホールの外側の領域であって前記第１領域とは前記複数の絶縁膜数や膜厚が異なる領域である、請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 　前記第１領域は、ゲートバスラインの周縁に対応する領域及びソースバスラインの周縁に対応する領域のうち少なくともいずれか一方の領域であり、
    　前記第２領域は、前記第１領域に隣り合うとともに前記第１領域よりも膜厚の小さい領域である、請求項４に記載の液晶表示装置。
  7. 　前記基材の面法線方向から見た前記コンタクトホールの平面形状が四角形状であり、
    　直交する各辺が、前記ゲートバスラインもしくは前記ソースバスラインのいずれか一方と平行である、請求項６に記載の液晶表示装置。
  8. 　前記液晶層は水平配向モードである、請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
  9. 　前記液晶層は垂直配向モードである、請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
PCT/JP2017/012296 2016-03-30 2017-03-27 液晶表示装置 WO2017170350A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/083,551 US10509284B2 (en) 2016-03-30 2017-03-27 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-069487 2016-03-30
JP2016069487 2016-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017170350A1 true WO2017170350A1 (ja) 2017-10-05

Family

ID=59964422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/012296 WO2017170350A1 (ja) 2016-03-30 2017-03-27 液晶表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10509284B2 (ja)
WO (1) WO2017170350A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10890807B2 (en) * 2018-02-24 2021-01-12 HKC Corporation Limited Display substrate, manufacturing method of the display substrate, and display panel
US20240168291A1 (en) * 2022-11-18 2024-05-23 Meta Platforms Technologies, Llc High-contrast liquid crystal panel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008180949A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器
JP2010128192A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Sharp Corp 配線基板の製造方法及び表示装置
JP2013114182A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
US20150168754A1 (en) * 2013-12-18 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4223993B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4223992B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
CN102360142B (zh) * 2005-12-05 2016-03-30 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
JP5551543B2 (ja) 2010-08-10 2014-07-16 京セラディスプレイ株式会社 液晶表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008180949A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに電子機器
JP2010128192A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Sharp Corp 配線基板の製造方法及び表示装置
JP2013114182A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置
US20150168754A1 (en) * 2013-12-18 2015-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20190086749A1 (en) 2019-03-21
US10509284B2 (en) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10288781B2 (en) Display device and light-diffusing member
US20170299915A1 (en) Display device
US8692947B2 (en) Liquid crystal display device
JP2017067999A (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
JP2010250025A (ja) 偏光素子とその製造方法および液晶表示装置
JP6101388B2 (ja) 液晶表示装置
US8488089B2 (en) Liquid crystal panel and liquid crystal display device
WO2017170350A1 (ja) 液晶表示装置
JP2017097053A (ja) 液晶表示装置
US10025137B2 (en) Liquid crystal display device having transmitting region and reflecting region
KR102589859B1 (ko) 색필터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2007334085A (ja) 液晶表示装置、及び電子機器
US20180180933A1 (en) Vertical alignment (va) liquid crystal panels and liquid crystal displays (lcds)
US10564495B2 (en) Liquid crystal display device
JP2004205902A (ja) 液晶表示装置および電子機器
WO2014080907A1 (ja) 液晶表示装置
JP2008157997A (ja) 液晶装置及び電子機器
US10203579B2 (en) Liquid crystal display device
WO2016158834A1 (ja) 光配向部材、照明装置、液晶表示装置および光配向部材の製造方法
WO2015064493A1 (ja) 光制御フィルム、光制御フィルムの原反ロール、表示装置
JP2008145572A (ja) 液晶表示装置
JP3795178B2 (ja) 液晶表示装置
JP5401057B2 (ja) 液晶表示装置
JP2008209852A (ja) 液晶装置及び電子機器
JP2006195107A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17774887

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17774887

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP