TWI600004B - 發光裝置及其驅動方法 - Google Patents

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TWI600004B
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豊高耕平
楠紘慈
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    • G09G2330/027—Arrangements or methods related to powering off a display

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Description

發光裝置及其驅動方法
本發明係關於一種物體、方法、製造方法、製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者物質組成(composition of matter)。例如，本發明尤其關於一種半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、上述裝置的驅動方法或者上述裝置的製造方法。例如，本發明尤其關於一種在各像素中設置有電晶體的發光裝置以及其驅動方法。
因為使用發光元件的發光裝置的可見度高，合適於薄型化，也不受視角限制，所以作為CRT(Cathode Ray Tube：陰極射線管)或液晶顯示裝置的替代物，該使用發光元件的發光裝置引人注目。雖然各製造商分別提供不同結構的使用發光元件的主動矩陣顯示裝置，但是一般在每一個像素中至少設置有發光元件、控制對像素輸入影像信號的電晶體(開關電晶體)以及控制供應到該發光元件的電流值的電晶體(驅動電晶體)。
另外，近年來被稱為氧化物半導體的呈現半導體特性 的金屬氧化物引人注目，該氧化物半導體是兼有多晶矽或微晶矽能夠實現的高遷移率和非晶矽能夠實現的均勻的元件特性的新穎的半導體。氧化物半導體能夠形成在玻璃基板等應變點低的基板上，並且能夠對應於第5代(一個邊長超過1000mm)以上的大型基板。另外，在像素的電晶體中使用上述氧化物半導體代替矽或鍺等習知的半導體的發光裝置趨於實用化。
下述專利文獻1記載有一種有機EL顯示裝置，其中用來驅動有機EL元件的TFT的活性層包含氧化物半導體。另外，下述專利文獻2記載有一種有機電致發光顯示裝置，其中薄膜電晶體的活性層由氧化物半導體形成。
〔專利文獻1〕日本專利申請公開第2009-031750號公報
〔專利文獻2〕日本專利申請公開第2011-100092號公報
另外，使用成為電子給體(施體)的水分或氫等雜質被減少且氧缺陷被減少而高度純化的氧化物半導體的電晶體具有關態電流(off-state current)顯著小的特性。藉由將具有上述特性的電晶體用於發光裝置的像素，可以防止在結束對像素輸入影像信號之後驅動電晶體的閘極電極的電位變動而使發光元件的亮度發生變化。然而，在該發光裝置中，即使在關閉發光裝置的電源之後，像素信號的電位會仍然被保持在驅動電晶體的閘極電極中。因此，在該發光裝置中有時在開啟電源之後出現即將關閉電源之前顯 示的影像的殘像。
鑒於上述技術背景，本發明的目的之一是提供一種能夠防止在開啟電源之後出現殘像的發光裝置。或者，本發明的目的之一是提供一種能夠防止在開啟電源之後出現殘像的發光裝置的驅動方法。
注意，這些目的並不妨礙其他目的的存在。另外，本發明的一個方式不必須要達到上述所有目的。另外，上述以外的目的自然從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載得知，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載抽出上述以外的目的。
在根據本發明的一個方式的發光裝置中，在停止對像素供應施加到發光元件的電源電壓之前或之後，使控制對發光元件供應上述電源電壓的電晶體的閘極電極的電位初始化。明確而言，在該電晶體為n通道型的情況下，使閘極電極與源極端子之間的電位差(閘極電壓)等於或低於臨界電壓來使閘極電極的電位初始化。在該電晶體為p通道型的情況下，使閘極電壓等於或高於臨界電壓來使閘極電極的電位初始化。
藉由使上述電晶體的閘極電極的電位初始化，具有影像資料的信號的電位不保持在閘極電極中，由此可以完全使該電晶體截止(非導通狀態)。因此，可以防止在將施加到發光元件的電源電壓供應到像素之後電流藉由該電晶 體流過發光元件。從而，即使在將如使用氧化物半導體的電晶體那樣關態電流顯著小的電晶體用於像素的發光裝置中，也可以防止在開啟電源之後且在對像素輸入具有影像資料的信號之前出現殘像。
明確而言，根據本發明的一個方式的發光裝置包括：面板；控制器，該控制器選擇第一信號和具有影像資料的第二信號中的任一而將被選擇的信號發送到面板；以及電源電路，該電源電路在控制器選擇第二信號而發送到面板時根據來自控制器的指令對面板供應電源電壓，並且在控制器選擇第一信號而發送到面板之後根據來自控制器的指令停止對面板供應電源電壓，其中，面板具有多個像素，並且，多個像素的每一個包括：第一電晶體；第二電晶體，第一信號或者第二信號藉由第一電晶體供應到該第二電晶體的閘極電極，並且在第一信號施加到閘極電極時該第二電晶體成為截止狀態；以及發光元件，電源電壓藉由第二電晶體供應到該發光元件。
明確而言，根據本發明的一個方式的發光裝置包括：面板；控制器，該控制器選擇第一信號和具有影像資料的第二信號中的任一而將被選擇的信號發送到面板；以及電源電路，該電源電路在控制器選擇第一信號而發送到面板之後且在控制器選擇第二信號而發送到面板之前根據來自控制器的指令開始對面板供應電源電壓，其中，面板具有多個像素，並且，多個像素的每一個包括：第一電晶體；第二電晶體，第一信號或者第二信號藉由第一電晶體供應 到該第二電晶體的閘極電極，並且在第一信號施加到閘極電極時該第二電晶體成為截止狀態；以及發光元件，電源電壓藉由第二電晶體供應到該發光元件。
明確而言，在根據本發明的一個方式的發光裝置的驅動方法中，在停止對像素供應電源電壓之前，在像素中，將使控制對發光元件供應電源電壓的電晶體成為非導通狀態的信號供應到上述電晶體的閘極電極。
明確而言，在根據本發明的一個方式的發光裝置的驅動方法中，在開始對像素供應電源電壓之前，在像素中，將使控制對發光元件供應電源電壓的電晶體成為非導通狀態的信號供應到上述電晶體的閘極電極。
藉由本發明的一個方式，可以提供一種能夠防止在開啟電源之後出現殘像的發光裝置。藉由本發明的一個方式，可以提供一種能夠防止在開啟電源之後出現殘像的發光裝置的驅動方法。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧像素
102‧‧‧像素部
103‧‧‧面板
104‧‧‧控制器
105‧‧‧電源電路
106‧‧‧發光元件
107‧‧‧電晶體
108‧‧‧電晶體
109‧‧‧佈線
110‧‧‧佈線
111‧‧‧佈線
112‧‧‧電容元件
120‧‧‧輸入裝置
121‧‧‧CPU
122‧‧‧影像處理電路
123‧‧‧影像記憶體
124‧‧‧信號線驅動電路
125‧‧‧掃描線驅動電路
126‧‧‧影像資料
130‧‧‧電晶體
131‧‧‧電晶體
132‧‧‧電晶體
133‧‧‧佈線
134‧‧‧佈線
135‧‧‧佈線
136‧‧‧佈線
137‧‧‧佈線
138‧‧‧佈線
139‧‧‧電晶體
140b‧‧‧像素
140g‧‧‧像素
140r‧‧‧像素
715b‧‧‧陽極
715g‧‧‧陽極
715r‧‧‧陽極
730‧‧‧隔壁
731‧‧‧EL層
732‧‧‧陰極
740‧‧‧基板
741b‧‧‧發光元件
741g‧‧‧發光元件
741r‧‧‧發光元件
742‧‧‧基板
743b‧‧‧著色層
743g‧‧‧著色層
743r‧‧‧著色層
744‧‧‧保護層
745b‧‧‧導電膜
745g‧‧‧導電膜
745r‧‧‧導電膜
746g‧‧‧導電膜
746r‧‧‧導電膜
750‧‧‧絕緣膜
1601‧‧‧面板
1602‧‧‧電路基板
1603‧‧‧連接部
1604‧‧‧像素部
1605‧‧‧掃描線驅動電路
1606‧‧‧信號線驅動電路
5001‧‧‧外殼
5002‧‧‧外殼
5003‧‧‧顯示部
5004‧‧‧顯示部
5005‧‧‧麥克風
5006‧‧‧揚聲器
5007‧‧‧操作鍵
5008‧‧‧觸控筆
5201‧‧‧外殼
5202‧‧‧顯示部
5203‧‧‧支撐台
5401‧‧‧外殼
5402‧‧‧顯示部
5403‧‧‧鍵盤
5404‧‧‧指向裝置
5601‧‧‧外殼
5602‧‧‧外殼
5603‧‧‧顯示部
5604‧‧‧顯示部
5605‧‧‧連接部
5606‧‧‧操作鍵
5801‧‧‧外殼
5802‧‧‧外殼
5803‧‧‧顯示部
5804‧‧‧操作鍵
5805‧‧‧透鏡
5806‧‧‧連接部
6031‧‧‧電晶體
6033‧‧‧發光元件
6034‧‧‧陽極
6035‧‧‧EL層
6036‧‧‧陰極
6037‧‧‧絕緣膜
6038‧‧‧隔壁
6041‧‧‧電晶體
6043‧‧‧發光元件
6044‧‧‧陽極
6045‧‧‧EL層
6046‧‧‧陰極
6047‧‧‧絕緣膜
6048‧‧‧隔壁
6051‧‧‧電晶體
6053‧‧‧發光元件
6054‧‧‧陽極
6055‧‧‧EL層
6056‧‧‧陰極
6057‧‧‧絕緣膜
6058‧‧‧隔壁
在圖式中：圖1A和圖1B是示出發光裝置的結構及像素的結構的圖；圖2A至圖2D是示出像素的工作的圖；圖3A和圖3B是示意性地示出像素部的工作的圖；圖4是示出發光裝置的結構的圖；圖5A和圖5B是像素的電路圖； 圖6是示出像素部的結構的圖；圖7是像素的剖面圖；圖8A至圖8C是像素的剖面圖；圖9是發光裝置的透視圖；圖10A至圖10E是電子裝置的圖；圖11A和圖11B是像素的電路圖及時序圖；圖12是掃描線驅動電路的電路圖；圖13A至圖13C是示意性地示出掃描線驅動電路的構成要素的圖；圖14是移位暫存器的電路圖；圖15是移位暫存器的電路圖；圖16是移位暫存器的電路圖；圖17是移位暫存器的電路圖；圖18是偽級的移位暫存器的電路圖；圖19是偽級的移位暫存器的電路圖；圖20是偽級的移位暫存器的電路圖；圖21是偽級的移位暫存器的電路圖；圖22A和圖22B是反相器的電路圖；圖23是時序圖；圖24是面板的邊框附近的照片。
下面，參照圖式對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通 技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
實施方式1
圖1A以方塊圖示出根據本發明的一個方式的發光裝置的結構的一個例子。注意，雖然在方塊圖中，根據其功能分類構成要素而示出為彼此獨立的方塊，但是，實際上的構成要素難以根據其功能完全劃分，而一個構成要素會涉及多個功能。
圖1A所示的發光裝置100至少包含面板103、控制器104以及電源電路105，該面板103中的像素部102包含多個像素101。
每一個像素101包含發光元件以及控制該發光元件的工作的電晶體。面板103除了像素部102之外還包含用來控制像素部102的工作的各種驅動電路。
控制器104具有在被輸入具有影像資料的信號Sig1時根據面板103的規格對信號Sig1進行信號處理並將其供應到面板103的功能。另外，控制器104具有生成不具有影像資料的信號Sig2並將其供應到面板103的功能。控制器104決定對面板103供應信號Sig1還是信號Sig2。
電源電路105具有根據輸入到發光裝置100的電源電壓Vp生成對面板103、控制器104以及發光裝置100中 的其他各種電路供應的電源電壓的功能。另外，電源電路105具有將施加到發光元件的電源電壓供應到像素部102所包含的多個像素101的每一個的功能。明確而言，在圖1A中，接地電位等固定電位Vcom與電位Vel之間的電位差作為電源電壓供應到多個像素101的每一個。控制器104具有決定電源電路105是否對多個像素101供應上述電源電壓的功能。
另外，電源電路105還可以具有控制對面板103所包含的各種驅動電路供應電源電壓的功能。或者，也可以具有將施加到發光元件的電源電壓以外的電源電壓供應到像素部102的功能。
另外，圖1B示出像素101的具體結構的一個例子。圖1B所示的像素101至少包含發光元件106、電晶體107以及電晶體108。
發光元件106將由電流或電壓控制亮度的元件包括在其範疇內。例如，可以將OLED等用作發光元件106。OLED至少包含EL層、陽極及陰極。EL層由設置在陽極與陰極之間的單層或多層構成，其中至少一個層為含有發光物質的發光層。在EL層中，當以陰極的電位為標準時的陰極與陽極之間的電位差為發光元件106的臨界電壓Vthe以上時，電流供應到發光元件，由此可以得到電致發光。電致發光包括從單重激發態回到基態時的發光(螢光)以及從三重激發態回到基態時的發光(磷光)。
電晶體107具有控制對發光元件106供應相當於電位 Vcom與電位Vel之間的電位差的電源電壓的功能。換言之，上述電源電壓藉由電晶體107供應到發光元件106。
電晶體108具有控制對電晶體107的閘極電極輸入由控制器104供應到面板103的信號Sig1或信號Sig2的功能。
明確而言，在像素101中，電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方與被施加電位Vel的佈線110連接，另一方與發光元件106的陽極和陰極中的一方連接。另外，發光元件106的陽極和陰極中的另一方與被施加電位Vcom的佈線109連接。另外，電晶體108的源極端子和汲極端子中的一方與被施加信號Sig1或信號Sig2的電位的佈線111連接，另一方與電晶體107的閘極電極連接。電晶體108的閘極電極被輸入用來選擇電晶體108的導通和截止的信號。
注意，在本說明書中，連接是指電連接，相當於能夠供應或傳送電流、電壓或電位的狀態。因此，連接狀態不一定是指直接連接的狀態，而在其範疇內還包括以能夠供應或傳送電流、電壓或電位的方式藉由電阻元件、二極體、電晶體、電感器、電容元件等的電路元件間接地連接的狀態。因此，像素101根據需要還可以包含電晶體、二極體、電阻元件、電容元件、電感器等其他電路元件。
此外，即使當在電路圖上獨立的構成要素彼此連接時，實際上也有一個導電膜兼具有多個構成要素的功能的情況，例如佈線的一部分還用作電極的情況等。本說明書 中的連接的範疇內包括這種一個導電膜兼具有多個構成要素的功能的情況。
另外，電晶體的源極端子是指活性層的一部分的源極區或與活性層連接的源極電極。同樣地，電晶體的汲極端子是指活性層的一部分的汲極區或與活性層連接的汲極電極。
此外，電晶體的源極端子和汲極端子根據電晶體的通道類型(channel type)及施加到源極端子和汲極端子的電位的高低其名稱可互相調換。一般而言，在n通道型電晶體中，將源極端子和汲極端子中的被施加低電位的端子稱為源極端子，而將被施加高電位的端子稱為汲極端子。另外，在p通道型電晶體中，將源極端子和汲極端子中的被施加低電位的端子稱為汲極端子，而將被施加高電位的端子稱為源極端子。在本說明書中，雖然有時為了方便起見假設源極端子和汲極端子是固定的來說明電晶體的連接關係，但是實際上源極端子和汲極端子的名稱根據上述電位關係而調換。
另外，在本發明的一個方式中，在像素部102顯示影像的通常的工作狀態下，對佈線111供應具有影像資料的信號Sig1。另外，在停止對像素101供應電源電壓之前(即在通常的工作狀態進入非工作狀態之前)，或者在停止對像素101供應電源電壓之後，對佈線111供應不具有影像資料的信號Sig2。
參照圖2A至圖2D對圖1B所示的像素101的工作的 一個例子進行說明。圖2A至圖2D示意性地示出像素101的工作。另外，雖然圖2A至圖2D例示出將用來保持電晶體107的閘極電壓的電容元件112設置在像素101中的情況，但是，在形成在電晶體107的閘極電極與活性層之間的閘極電容或閘極電極的寄生電容足夠大的情況下，未必一定要將電容元件112設置在像素101中。另外，在圖2A至圖2D中，以開關表示電晶體108。
圖2A示意性地示出對像素101輸入具有影像資料的信號Sig1的情況下的像素101的工作。在圖2A中，信號Sig1的電位從佈線111藉由導通狀態的電晶體108施加到電晶體107的閘極電極。電容元件112根據上述電位儲存電荷。在佈線109與佈線110之間施加有電源電壓的情況下，電晶體107的汲極電流的值由信號Sig1的電位決定，發光元件106的亮度由上述汲極電流的值決定。
圖2B示意性地示出在像素101中保持信號Sig1的情況下的像素101的工作。在圖2B中，藉由使電晶體108處於截止狀態，使佈線111與電晶體107的閘極電極電隔離。因此，所儲存的電荷保持在電容元件112中，並且電晶體107的閘極電極的電位也被保持。在佈線109與佈線110之間施加有電源電壓的情況下，即使在電晶體108成為截止狀態之後，由信號Sig1的電位決定的電晶體107的汲極電流的值以及發光元件106的亮度仍然被保持。
在此，在作為電晶體108使用關態電流顯著小的電晶體的情況下，可以防止保持在電容元件112中的電荷藉由 電晶體108洩漏。在該情況下，即使在使電晶體108成為截止狀態而結束對像素101輸入信號Sig1之後，電晶體107的閘極電極的電位也不容易變動，因此可以防止發光元件106的亮度發生變化。
然而，在電晶體108的關態電流顯著小的情況下，有時在停止對圖1A所示的發光裝置100供應電源電壓Vp之後，儲存在電容元件112中的電荷仍然被保持。圖2C示意性地示出在停止電源電壓Vp的供應之後電荷儲存在電容元件112中的情況下的像素101的工作。在圖2C中，由於電晶體107處於導通狀態，所以如果開始對發光裝置100供應電源電壓Vp而對像素101中的佈線109與佈線110之間供應電源電壓時，電流供應到發光元件106。其結果，在開始供應電源電壓Vp之後，在像素部102中出現即將停止電源電壓Vp的供應之前由信號Sig1顯示在像素部102中的影像的殘像。
針對於此，在本發明的一個方式中，在停止對像素101供應施加到發光元件106的電源電壓(明確而言，施加到佈線109與佈線110之間的電源電壓)之前或之後，藉由對像素101輸入不具有影像資料的信號Sig2來使電晶體107的閘極電極的電位初始化。
圖2D示意性地示出對像素101輸入不具有影像資料的信號Sig2的情況下的像素101的工作。在圖2D中，信號Sig2的電位從佈線111藉由導通狀態的電晶體108施加到電晶體107的閘極電極。在電晶體107為n通道型的 情況下，以使電晶體107的閘極電壓等於或低於臨界電壓的方式設定信號Sig2的電位。在電晶體107為p通道型的情況下，以使電晶體107的閘極電壓等於或高於臨界電壓的方式設定信號Sig2的電位。
因此，在電容元件112根據信號Sig1的電位儲存電荷的情況下，藉由將信號Sig2的電位輸入到像素101，使該電荷被釋放。所以，電晶體107成為截止狀態，無論是否佈線109與佈線110之間施加有電源電壓，發光元件106都不發光。
注意，雖然圖1B例示出電晶體107及電晶體108為單閘結構的情況，但是上述電晶體也可以採用包含彼此電連接的多個閘極電極和多個通道形成區的多閘結構。
接著，參照圖3A和圖3B說明在圖1A所示的發光裝置100中停止對像素部102供應電源電壓的時序和開始對像素部102供應電源電壓的時序。圖3A和圖3B示意性地示出像素部102的工作，橫向方向表示時間，縱向方向表示在像素部102中按行選擇的像素101的位置。
在圖3A中提供期間T2，其中在開始對像素部102供應電源電壓之前，對像素部102所包含的多個像素101按行輸入信號Sig2。在期間T2中，可以使多個像素101中的電晶體107的閘極電極的電位初始化。
另外，在期間T2結束之後，開始對像素部102供應電源電壓。在本發明的一個方式中，由於在期間T2中使電晶體107的閘極電極的電壓初始化，所以即使開始對像 素部102供應電源電壓，在像素部102中也不會出現殘像。
此外，在圖3A中還提供期間T1，其中對像素部102所包含的多個像素101按行輸入信號Sig1並保持該信號Sig1。在期間T1中，電晶體107的閘極電壓由具有影像資料的信號Sig1的電位決定，所以施加到發光元件106的電流值也由信號Sig1的電位決定。因此，在期間T1中，影像顯示在像素部102中。
另外，在圖3B中提供如下兩個期間：對像素部102所包含的多個像素101按行輸入信號Sig1並保持該信號Sig1的期間T1；然後在停止對像素部102供應電源電壓之前，對像素部102所包含的多個像素101按行輸入信號Sig2的期間T2。在期間T2中，可以使多個像素101中的電晶體107的閘極電極的電位初始化。
在本發明的一個方式中，由於在期間中T2使電晶體107的閘極電極的電位初始化，所以即使開始對像素部102供應電源電壓，在像素部102中也不會出現殘像。
實施方式2
在本實施方式中，對圖1A所示的發光裝置100的更具體的結構的一個例子進行說明。
圖4以方塊圖示出根據本發明的一個方式的發光裝置的結構的一個例子。圖4所示的發光裝置100與圖1A的發光裝置同樣地包含面板103、控制器104以及電源電路 105，該面板103中的像素部102包含多個像素101。圖4所示的發光裝置100還包含輸入裝置120、CPU121、影像處理電路122以及影像記憶體123。另外，圖4所示的發光裝置100的面板103包含信號線驅動電路(源極驅動器)124以及掃描線驅動電路(閘極驅動器)125。
輸入裝置120具有對發光裝置100所包含的CPU121發出資料或指令的功能。例如，輸入裝置120能夠對CPU121發出用來使像素部102從工作狀態轉變為非工作狀態的指令或者用來使像素部102從非工作狀態轉變為工作狀態的指令。作為輸入裝置120，可以使用鍵盤、指向裝置以及觸摸屏等。
CPU121具有如下功能，即對從輸入裝置120輸入的指令進行解碼而對發光裝置100所包含的各種電路的工作進行總括控制，由此執行該指令的功能。
例如，在用來使像素部102從工作狀態轉變為非工作狀態的指令從輸入裝置120發送到CPU121的情況下，CPU121對控制器104發出指令而使其對面板103輸入信號Sig2。此外，CPU121對控制器104發出指令而使其停止從電源電路105對像素部102供應電源電壓。
或者，在用來使像素部102從非工作狀態轉變為工作狀態的指令從輸入裝置120發送到CPU121的情況下，CPU121對控制器104發出指令而使其對面板103輸入信號Sig2。此外，CPU121對控制器104發出指令而使其開始從電源電路105對像素部102供應電源電壓。
影像記憶體123具有儲存輸入到發光裝置100的影像資料126的功能。另外，圖4例示出僅將一個影像記憶體123設置在發光裝置100中的情況，但是也可以將多個影像記憶體123設置在發光裝置100中。例如，在藉由利用分別對應於紅色、藍色和綠色等色相的三個影像資料126來在像素部102中顯示全彩色的影像的情況下，可以設置分別對應於各影像資料126的影像記憶體123。
影像記憶體123例如可以使用DRAM(Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體)、SRAM(Static Random Access Memory：靜態隨機存取記憶體)等的儲存電路。或者，也可以作為影像記憶體123使用VRAM(Video RAM：視訊隨機存取記憶體)。
影像處理電路122具有如下功能，即根據來自控制器104的指令對影像記憶體123寫入影像資料126並從影像記憶體123讀出影像資料126，根據影像資料126生成信號Sig1的功能。
掃描線驅動電路125具有按行選擇像素部102所包含的多個像素101的功能。
信號線驅動電路124具有將從控制器104供應的信號Sig1或信號Sig2供應到由掃描線驅動電路125選擇的行的像素101的功能。
另外，控制器104具有將用來驅動信號線驅動電路124和掃描線驅動電路125等的各種驅動信號供應到面板103的功能。驅動信號包括用來控制信號線驅動電路124 的工作的起始脈衝信號SSP、時脈信號SCK、鎖存信號LP、控制掃描線驅動電路125的工作的起始脈衝信號GSP以及時脈信號GCK等。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本發明的實施方式中，對圖1A所示的發光裝置100所包含的像素101的具體結構的一個例子進行說明。
圖5A示出像素101的電路圖的一個例子。像素101包含：控制向像素101輸入信號Sig1或信號Sig2的電晶體108；發光元件106；根據信號Sig1或信號Sig2控制供應到發光元件106的電流值的電晶體107；用來保持信號Sig1或信號Sig2的電位的電容元件112。
發光元件106將由電流或電壓控制亮度的元件包括在其範疇內。例如，當作為發光元件106使用OLED等時，陽極和陰極中的一方用作像素電極，而另一方用作反電極。
發光元件106的像素電極的電位由輸入到像素101的信號Sig1或信號Sig2控制。此外，發光元件106的亮度由像素電極與反電極之間的電位差決定。此外，藉由根據具有影像資料的信號Sig1調整像素部102所包含的多個像素101的每一個中的發光元件106的亮度，在像素部102中顯示影像。
接著，對像素101所包含的電晶體108、電晶體 107、電容元件112、以及發光元件106的連接結構進行說明。
電晶體108的源極端子和汲極端子中的一方與佈線111連接，而源極端子和汲極端子中的另一方與電晶體107的閘極電極連接。電晶體108的閘極電極與佈線134連接。電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方與佈線110連接，而源極端子和汲極端子中的另一方與發光元件106連接。明確而言，電晶體107的源極端子和汲極端子中的另一方與發光元件106的像素電極連接。發光元件106的反電極與佈線109連接。
藉由使電晶體108的通道形成區包含氧化物半導體，可以實現關態電流極小的電晶體108。此外，藉由將具有上述結構的電晶體108用於像素101，與使用一般的由矽或鍺等半導體形成的電晶體的情況相比可以防止儲存在電晶體107的閘極電極中的電荷的洩漏。
參照圖5B對像素101的其他的例子進行說明。
圖5B示出像素101的電路圖的一個例子。像素101包含電晶體107、電晶體108、電晶體130至電晶體132、發光元件106以及電容元件112。
電晶體108具有控制佈線111與電容元件112的一對電極中的一方之間的連接的功能。電容元件112的一對電極中的另一方與電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方連接。電晶體130具有控制佈線133與電晶體107的閘極電極之間的連接的功能。電晶體131具有控制電容元件 112的一對電極中的一方與電晶體107的閘極電極之間的連接的功能。電晶體132具有控制電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方與發光元件106的陽極之間的連接的功能。
再者，在圖5B中，電晶體107的源極端子和汲極端子中的另一方與佈線110連接。
另外，電晶體108的導通(導通狀態)或非導通(截止狀態)由與電晶體108的閘極電極連接的佈線134的電位決定。電晶體130的導通或非導通由與電晶體130的閘極電極連接的佈線134的電位決定。電晶體131的導通或非導通由與電晶體131的閘極電極連接的佈線135的電位決定。電晶體132的導通或非導通由與電晶體132的閘極電極連接的佈線136的電位決定。
藉由使電晶體108、電晶體130及電晶體131的通道形成區包含氧化物半導體，可以實現關態電流極小的電晶體108、電晶體130及電晶體131。此外，藉由將具有上述結構的電晶體108、電晶體130及電晶體131用於像素101，與使用一般的由矽或鍺等半導體形成的電晶體的情況相比可以防止儲存在電晶體107的閘極電極中的電荷的洩漏。
藉由在圖5A所示的像素101中使用關態電流極小的電晶體108，或者藉由在圖5B所示的像素101中使用關態電流極小的電晶體108、電晶體130及電晶體131，可以在長時間保持電晶體107的閘極電極的電位。因此，當 如靜態影像那樣在連續的幾個圖框期間內對像素部102寫入具有相同的影像資料的信號Sig1時，即使降低驅動頻率(換言之，減少一定期間內對像素部102寫入信號Sig1的次數)，也可以維持顯示影像。例如，藉由使用將高度純化了的氧化物半導體用於活性層的電晶體108，可以將信號Sig1的寫入間隔增加到10秒以上，較佳為30秒以上，更佳為1分鍾以上。而且，信號Sig1的寫入間隔越長，耗電量越低。
另外，由於可以在更長的期間保持信號Sig1的電位，所以即使不將用來保持信號Sig1的電位的電容元件112連接到電晶體107的閘極電極，也可以防止顯示的影像品質的降低。因此，由於藉由不設置電容元件112或者藉由縮小電容元件112的尺寸可以提高孔徑比，所以可以延長發光元件106的使用壽命，進而可以提高發光裝置100的可靠性。
另外，圖5A和圖5B所示的像素101根據需要還可以包含電晶體、二極體、電阻元件、電容元件、電感器等其他電路元件。
另外，圖5A例示出像素101包含電容元件112的情況，但是在能夠利用其他電容充分保持信號Sig1或信號Sig2的電位的情況下，諸如在形成在電晶體107的閘極電極與活性層之間的閘極電容或閘極電極的寄生電容足夠大情況下，未必一定要在像素101中設置電容元件112。
另外，在圖5A和圖5B的各電晶體中，至少在半導體 膜的一方的表面上設置閘極電極即可，但是也可以設置隔著半導體膜對置的一對閘極電極。當一對閘極電極的一方為背閘極電極時，背閘極電極既可以處於浮動狀態，又可以處於被外部供應電位的狀態。在採用後者時，既可以對一般的閘極電極及背閘極電極供應相同位準的電位，又可以只對背閘極電極供應接地電位等固定電位。藉由控制對背閘極電極供應的電位的位準，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，藉由設置背閘極電極，通道形成區增多而可以增加汲極電流。此外，藉由設置背閘極電極，空乏層容易形成在氧化物半導體膜中，由此可以改善S值。
此外，圖5A和圖5B例示出所有的電晶體都是n通道型的情況。當像素101中的所有的電晶體都具有相同通道類型時，在電晶體的製程中，可以省略對半導體膜添加賦予導電性的雜質元素等的製程。但是在根據本發明的一個方式的發光裝置中，像素101中的電晶體不一定要都是n通道型。當發光元件106的陰極與佈線109連接時，較佳為至少電晶體107為n通道型，而當發光元件106的陽極與佈線109連接時，較佳為至少電晶體107為p通道型。
此外，在飽和區中使電晶體107進行工作時，較佳為將通道長度或通道寬度設定為比像素101中的電晶體107以外的電晶體長。當通道長度長時，飽和區的特性曲線平坦，而可以降低扭結效應(kink effect)。或者，藉由使通道長度長，電晶體107在飽和區域中也可以使多量電流流過。
另外，圖5A和圖5B例示出像素101中的電晶體採用具有一個閘極電極和一個通道形成區的單閘結構的情況，但是本發明不侷限於該結構。像素101中的所有的電晶體或者任一電晶體可以採用具有彼此電連接的多個閘極電極和多個通道形成區的多閘結構。
接著，以圖5A所示的像素101為例子而說明像素部102的結構的一個例子。圖6示出像素部102的電路圖的具體例子。
如圖6所示，像素部102包含多個佈線111、多個佈線134、多個佈線110以及佈線109。例如，在圖4所示的發光裝置100中，多個佈線111與信號線驅動電路124連接，多個佈線134與掃描線驅動電路125連接，多個佈線110及佈線109與電源電路105連接。
另外，各像素101與多個佈線111中的一個、多個佈線134中的一個以及多個佈線110中的一個連接。所有的像素101與佈線109連接。
在圖6所示的像素部102中，當對像素101輸入信號Sig1或信號Sig2時，依次選擇多個佈線134。在與被選擇的佈線134連接的像素101中，其閘極電極與佈線134連接的電晶體108成為導通狀態。另外，由於電晶體108成為導通狀態，所以輸入到多個佈線111的每一個的信號Sig1或信號Sig2的電位供應到電晶體107的閘極電極。在結束佈線134的選擇時，電晶體108成為截止狀態，由此信號Sig1或信號Sig2的電位保持在電晶體107的閘極 電極中。
另外，在具有影像資料的信號Sig1輸入到像素101的情況下，信號Sig1的電位決定發光元件106的發光狀態。明確而言，在根據信號Sig1的電位，電晶體107處於導通狀態的情況下，發光元件106被供應電流而處於發光狀態。另外，在根據信號Sig1或信號Sig2的電位，電晶體107處於截止狀態的情況下，發光元件106不被供應電流而處於非發光狀態。
藉由上述工作，可以在像素部102顯示影像。
另外，像素101也可以採用圖11A所示的結構。圖11A所示的像素101具有在圖5B所示的像素101的結構的基礎上具有電晶體139的結構。電晶體139的源極端子和汲極端子中的一方與電容元件112的一對電極中的另一方、電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方以及電晶體132的源極端子和汲極端子中的一方連接，而電晶體139的源極端子和汲極端子中的另一方與佈線138連接。另外，電晶體139的閘極電極與佈線137連接。另外，圖5B例示出電晶體132的閘極電極與佈線136連接的情況，而圖11A例示出電晶體132的閘極電極與佈線135連接的情況。
圖11B例示出與圖11A所示的像素101連接的佈線134(G1)、佈線135(G2)和佈線137(G3)的電位以及供應到佈線111(DATA)的電位的時序圖。另外，圖11B所示的時序圖例示出圖11A所示的像素101所包含的 電晶體為n通道型的情況。
首先，在期間1中，佈線G1被施加低位準電位，佈線G2被施加高位準電位，佈線G3被施加高位準電位。因此，電晶體131、電晶體132及電晶體139成為導通狀態，而其他電晶體成為截止狀態。由於電晶體132及電晶體139成為導通狀態，所以電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方及電容元件112的一對電極中的另一方(以節點A表示)被施加佈線138的電位V0。接著，佈線G2成為低位準電位，由此電晶體131及電晶體132成為截止狀態，節點A保持電位V0。
另外，佈線110(ANODE)被施加電位Vano，發光元件106的陰極被施加Vcat。較佳為將電位Vano設定為比發光元件106的臨界值電位Vthe加電位V0的電位高的電位。
接著，對期間2進行說明。在期間2中，佈線G1被施加高位準電位，佈線G2被施加低位準電位，佈線G3被施加低位準電位。因此，電晶體108及電晶體130成為導通狀態，而電晶體131、電晶體132及電晶體139成為截止狀態。
另外，較佳的是，在期間1進入期間2時，先使施加到佈線G1的電位從低位準轉變為高位準，再使施加到佈線G3的電位從高位準轉變為低位準。藉由進行上述工作，可以防止由施加到佈線G1的電位的轉換引起的節點A的電位的變動。
另外，佈線110(ANODE)被施加電位Vano，發光元件106的陰極被施加Vcat。另外，佈線111(DATA)被施加影像信號的電位Vdata，佈線133被施加電位V1。另外，較佳為將電位V1設定為比電位V0加電晶體107的臨界電壓Vth的電位高且比電位Vano加電晶體107的臨界電壓Vth的電位低的電位。
另外，在圖11A所示的像素的結構中，即使將電位V1設定為比電位Vcat加發光元件的臨界電壓Vthe的值大的電位，只要電晶體132處於截止狀態，發光元件106就不發光。因此，可以擴大電位V0的值的範圍，由此可以擴大V1-V0的值的範圍。由於V1-V0的值的自由度得到提高，所以即使在縮短獲得電晶體的臨界電壓的時間的情況下，或者在獲得臨界電壓的時間有限制的情況下，也可以準確地獲得臨界電壓。
藉由上述工作，電晶體107的閘極電極(以節點B表示)被施加比電晶體107的臨界電壓大的電位V1，電晶體107成為導通狀態。由此，電容元件112中的電荷藉由電晶體107被釋放，而節點A的電位從電位V0開始上升。最終當節點A的電位達到電位V1-Vth時，即當電晶體107的閘極電壓減小到電晶體107的臨界電壓Vth時，電晶體107成為截止狀態。
當電晶體107成為截止狀態時，電晶體107的源極端子和汲極端子中的一方的電位為電晶體107的閘極電極的電位(在此為V1)減電晶體107的臨界電壓的電位，即 V1-Vth。另外，電容元件112的一對電極中的一方(以節點C表示)被施加電位Vdata。
接著，對期間3進行說明。期間3為對發光元件106供應電流而進行發光的期間。在期間3中，佈線G1被施加低位準電位，佈線G2被施加高位準電位，佈線G3被施加低位準電位。因此，電晶體131及電晶體132成為導通狀態，而電晶體107、電晶體108、電晶體130及電晶體139成為截止狀態。
另外，較佳的是，在期間2進入期間3時，先使施加到佈線G1的電位從高位準轉變為低位準，再使施加到佈線G2的電位從低位準轉變為高位準。藉由採用上述結構，可以防止由施加到佈線G1的電位的轉換引起的節點A的電位的變動。
另外，佈線110(ANODE)被施加電位Vano，發光元件106的陰極被施加電位Vcat。
藉由上述工作節點B被施加電位Vdata，因此電晶體107的閘極電壓成為Vdata-V1+Vth。因此可以將電晶體107的閘極電壓設定為包括臨界電壓Vth的值。藉由上述結構，可以將電晶體107的臨界電壓Vth的偏差抑制到20%左右。此外，可以對應電晶體107的劣化導致的臨界電壓Vth的變化。從而，可以抑制供應到發光元件106的電流值的偏差，由此可以降低發光裝置的亮度不均勻。
在此，藉由增大施加到佈線G2的電位的變化量，可以防止電晶體132的臨界電壓的偏差影響供應到發光元件 106的電流值。換言之，藉由將施加到佈線G2的高位準電位設定為比電晶體132的臨界電壓還高的電位，並且，將施加到佈線G2的低位準電位設定為比電晶體132的臨界電壓還低的電位，確保轉換電晶體132的導通和截止，由此可以防止電晶體132的臨界電壓的偏差影響發光元件106的電流值。
圖12是可以採用圖11A所示的像素101以及圖11B所示的時序圖而進行工作的掃描線驅動電路的一個例子。另外，圖13A、圖13B以及圖13C示意性地分別示出該掃描線驅動電路的構成要素的移位暫存器、偽級的移位暫存器以及反相器的端子的位置。
圖14和圖15示出可用作圖13A所示的暫存器的電路的圖。另外，如圖16和圖17所示，該電路中的電晶體可以具有背閘極電極。
圖18和圖19示出可用作偽級的暫存器的電路的圖。如圖20和圖21所示，該電路中的電晶體可以具有背閘極電極。另外，圖22A和圖22B示出可用作反相器的電路的圖。
另外，圖12所示的掃描線驅動電路可以採用圖23所示的時序圖而進行工作。
另外，圖24是包含圖11A所示的像素電路以及圖12所示的掃描線驅動電路(閘極驅動器)且採用表1所示的規格而製造的面板的邊框附近的照片。掃描線驅動電路的寬度為3.5mm。藉由採用本實施方式所說明的掃描線驅動 電路可以製造窄邊框的面板。
另外，作為具有比矽半導體寬的帶隙並具有比矽低的本質載流子密度的半導體的一個例子，除了氧化物半導體之外，還可以舉出碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)等化合物半導體。與碳化矽或氮化鎵不同，由於可以藉由濺射法或濕處理形成具有良好的電特性的電晶體，所以氧化物半導體具有適於大量生產的優勢。此外，與碳化矽或氮化鎵不同，由於可以在室溫下形成氧化物半導體，所以，可以在玻璃基板上或在使用矽的積體電路上形成具有良好的電特性的電晶體。此外，可以應對基板的大型化。因此，在上述具有寬能隙的半導體中，氧化物半導體尤其具有適 於大量生產的優勢。此外，在使用具有結晶性的氧化物半導體以便提高電晶體特性(例如場效應遷移率)的情況下，藉由在250℃至800℃下的加熱處理可以容易地得到具有結晶性的氧化物半導體。
另外，藉由減少成為電子給體(施體)的水分或氫等雜質且減少氧缺陷來實現高度純化的氧化物半導體(purified OS)是i型(本質半導體)或無限趨近於i型。因此，使用上述氧化物半導體的電晶體具有關態電流顯著小的特性。另外，氧化物半導體的帶隙是2eV以上，較佳是2.5eV以上，更佳是3eV以上。藉由使用藉由充分減少水分或氫等的雜質的濃度並減少氧缺陷來實現高度純化的氧化物半導體膜，可以降低電晶體的關態電流。
明確而言，根據各種實驗可以證明將高度純化了的氧化物半導體膜用於通道形成區的電晶體的關態電流小。例如，即便是通道寬度為1×106μm且通道長度為10μm的元件，在源極電極和汲極電極之間的電壓(汲極電壓)為1V至10V的範圍內，也可以使關態電流為半導體參數分析儀的測量極限以下，即1×10-13A以下。在此情況下，可知：根據電晶體的通道寬度被規格化了的關態電流為100zA/μm以下。此外，藉由使用使電容元件和電晶體連接，並由該電晶體控制流入到電容元件的電荷或從電容元件流出的電荷的電路，來進行關態電流的測量。在該測量中，將高度純化了的氧化物半導體膜用於上述電晶體的通道形成區，且根據電容元件的每單位時間的電荷量的推移 而測量該電晶體的關態電流。由此可知：當電晶體的源極電極與汲極電極之間的電壓為3V時，可以獲得幾十yA/μm的更小的關態電流。由此，將高度純化了的氧化物半導體膜用於通道形成區的電晶體的關態電流顯著地低於使用具有結晶性的矽的電晶體的關態電流。
另外，氧化物半導體較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。尤其較佳為包含In及Zn。另外，作為降低使用該氧化物半導體的電晶體的電特性偏差的穩定劑，除了上述元素以外較佳為還包含鎵(Ga)。此外，作為穩定劑較佳為包含錫(Sn)。另外，作為穩定劑較佳為包含鉿(Hf)。此外，作為穩定劑較佳為包含鋁(Al)。
此外，作為其他穩定劑，也可以包含鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鑥(Lu)中的一種或多種。
例如，作為氧化物半導體可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類 氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
另外，例如，In-Ga-Zn類氧化物是指包含In、Ga和Zn的氧化物，對In、Ga、Zn的比率沒有限制。另外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。在In-Ga-Zn類氧化物中，無電場時的電阻充分高而能夠充分地降低關態電流，遷移率也高，所以作為用於半導體裝置的半導體十分合適。
例如，可以使用In：Ga：Zn=1：1：1(=1/3：1/3：1/3)或In：Ga：Zn=2：2：1(=2/5：2/5：1/5)的原子比的In-Ga-Zn類氧化物或具有與其類似的組成的氧化物。或者，可以使用In：Sn：Zn=1：1：1(=1/3：1/3：1/3)、In：Sn：Zn=2：1：3(=1/3：1/6：1/2)或In：Sn：Zn=2：1：5(=1/4：1/8：5/8)的原子比的In-Sn-Zn類氧化物或具有與其類似的組成的氧化物。
然而，不侷限於上述記載，根據所需要的電特性(遷移率、臨界值和偏差等)可以使用具有合適組成的材料。為了獲得所需要的電特性，較佳為將載流子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等設定為合適的值。
此外，例如，氧化物半導體膜可以藉由使用包含In(銦)、Ga(鎵)和Zn(鋅)的靶材的濺射法形成。在藉由濺射法形成In-Ga-Zn類氧化物半導體膜的情況下，較佳為使用原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、4：2：3、3：1：2、1：1：2、2：1：3或3：1：4的In-Ga-Zn類氧化物靶材。藉由使用具有上述原子數比的In-Ga-Zn類氧化物靶材形成氧化物半導體膜，容易形成多晶或後述CAAC-OS。另外，包含In、Ga及Zn的靶材的填充率為90%以上且100%以下，較佳為95%以上且低於100%。藉由採用填充率高的靶材，可以形成緻密的氧化物半導體膜。
另外，當作為氧化物半導體使用In-Zn類氧化物的材料時，將所使用的靶材中的金屬元素的原子數比設定為In：Zn=50：1至1：2(換算為莫耳數比則為In2O3：ZnO=25：1至1：4)，較佳為In：Zn=20：1至1：1(換算為莫耳數比則為In2O3：ZnO=10：1至1：2)，更佳為In：Zn=1.5：1至15：1(換算為莫耳數比則為In2O3：ZnO=3：4至15：2)。例如，作為用來形成包含In-Zn類氧化物的氧化物半導體膜的靶材，當原子數比為In：Zn：O=X：Y：Z時，滿足Z>1.5X+Y的關係。藉由將Zn的比率設定為上述範圍內的值，可以提高遷移率。
另外，在作為氧化物半導體膜藉由濺射法形成In-Sn-Zn類氧化物半導體膜的情況下，較佳為使用金屬元素的原子數比為In：Sn：Zn=1：1：1、2：1：3、1：2：2或4：9：7的In-Sn-Zn類氧化物靶材。
並且，具體地，可以藉由將基板放置在保持為減壓狀態的處理室內在去除處理室內的殘留水分的同時導入被去除氫及水分的濺射氣體，並使用上述靶材形成氧化物半導體膜。在進行成膜時，也可以將基板溫度設定為100℃以上且600℃以下，較佳為200℃以上且400℃以下。藉由在加熱基板的同時進行成膜，可以降低形成的氧化物半導體膜所包含的雜質的濃度。另外，可以減輕由於濺射帶來的損傷。為了去除殘留在處理室中的水分，較佳為使用吸附型真空泵。例如，較佳為使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用配備有冷阱的渦輪泵。在使用低溫泵對處理室進行排氣時，排出例如氫原子、水(H2O)等包含氫原子的化合物(更佳為包含碳原子的化合物)等，由此可以降低在該處理室中形成的氧化物半導體膜所包含的雜質的濃度。
另外，有時在藉由濺射法等形成的氧化物半導體膜包含多量的作為雜質的水分或氫(包括羥基)。由於水分或氫容易形成施體能階，因此對於氧化物半導體來說水分或氫是雜質。於是，在本發明的一個方式中，為了減少氧化物半導體膜中的水分或氫等雜質(脫水化或脫氫化)，較佳為在減壓氛圍、氮或稀有氣體等惰性氣體氛圍、氧氣氛圍或超乾燥空氣(使用CRDS(cavity ring-down laser spectroscopy：光腔衰蕩光譜法)方式的露點計進行測定時的水分量是20ppm(露點換算為-55℃)以下，較佳的是1ppm以下，更佳的是10ppb以下的空氣)氛圍下對氧化 物半導體膜進行加熱處理。
藉由對氧化物半導體膜進行加熱處理，可以使氧化物半導體膜中的水分或氫脫離。明確而言，可以在250℃以上且750℃以下，較佳為在400℃以上且低於基板的應變點的溫度下進行加熱處理。例如，可以在500℃下進行3分鍾以上且6分鍾以下左右的加熱處理。藉由使用RTA法作為加熱處理，可以在短時間內進行脫水化或脫氫化，由此即使在超過玻璃基板的應變點的溫度下也可以進行處理。
由於上述加熱處理，有時從氧化物半導體膜脫離氧而在氧化物半導體膜中形成氧缺陷。於是，較佳為在進行上述加熱處理之後，進行對氧化物半導體膜供應氧的處理來減少氧缺陷。
例如，藉由在含有氧的氣體氛圍下進行加熱處理，可以對氧化物半導體膜供應氧。可以在與上述用來降低水分或氫的濃度的加熱處理同樣的條件下進行用來供應氧的加熱處理。但是，在氧氣體或使用超乾燥空氣(使用CRDS方式的露點儀測量時的水分量為20ppm(露點換算為-55℃)以下，較佳為1ppm以下，更佳為10ppb以下的空氣)等的含有氧的氛圍下進行用來供應氧的加熱處理。
上述含有氧的氣體中的水、氫等的濃度較佳為低。明確而言，將含有氧的氣體中的雜質濃度設定為1ppm以下，較佳為設定為0.1ppm以下。
或者，可以藉由使用離子植入法、離子摻雜法、電漿 浸沒離子佈植技術(Plasma-immersion ion implantation method)、電漿處理等，對氧化物半導體膜供應氧。當藉由使用上述方法將氧供應到氧化物半導體膜之後包含在氧化物半導體膜中的結晶部受到損傷時，可以進行加熱處理來修復受到損傷的結晶部。
另外，作為與氧化物半導體膜接觸的閘極絕緣膜等的絕緣膜，可以使用含有氧的絕緣膜並將氧從該絕緣膜供應到氧化物半導體膜。含有氧的絕緣膜較佳為採用藉由進行氧氛圍下的加熱處理或氧摻雜等包含多於化學計量組成的氧的絕緣材料。氧摻雜是指對半導體膜添加氧。此外，氧摻雜包括對半導體膜添加電漿化了的氧的氧電漿摻雜。另外，也可以利用離子植入法或離子摻雜法進行氧摻雜。藉由進行氧摻雜，可以形成具有包含多於化學計量組成的氧的區域的絕緣膜。並且，藉由在形成包含氧的絕緣膜之後進行加熱處理，將氧從上述絕緣膜供應到氧化物半導體膜。藉由採用上述結構，可以降低成為施體的氧缺陷，而滿足包含在氧化物半導體膜中的氧化物半導體的化學計量組成。氧化物半導體膜較佳為包含超過化學計量組成的氧。由此，可以使氧化物半導體膜趨近於i型，減輕因氧缺陷而導致的電晶體的電特性偏差，從而可以提高電特性。
在氮、超乾燥空氣或稀有氣體(氬、氦等)的氛圍下較佳為以200℃以上且400℃以下，例如以250℃以上且350℃以下進行用來將氧從絕緣膜供應到氧化物半導體膜 的加熱處理。上述氣體的含水量為20ppm以下，較佳為1ppm以下，更佳為10ppb以下。
氧化物半導體膜例如可以處於非單晶狀態。非單晶狀態例如由c-axis aligned crystal(CAAC：c軸配向結晶)、多晶、微晶和非晶部中的至少任一個構成。非晶部的缺陷態密度高於微晶和CAAC的缺陷態密度。微晶的缺陷態密度高於CAAC的缺陷態密度。注意，將包括CAAC的氧化物半導體稱為CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)。
例如，氧化物半導體膜可以包括CAAC-OS。在CAAC-OS中，例如c軸配向且a軸及/或b軸不宏觀地一致。
例如，氧化物半導體膜可以包括微晶。注意，將包括微晶的氧化物半導體稱為微晶氧化物半導體。微晶氧化物半導體膜例如包括大於或等於1nm且小於10nm的尺寸的微晶(也稱為奈米晶)。或者，微晶氧化物半導體膜例如包括結晶部(其每一個大於或等於1nm且小於10nm)分佈的結晶-非晶混合相結構。
例如，氧化物半導體膜可以包括非晶部。注意，將包括非晶部的氧化物半導體稱為非晶氧化物半導體。非晶氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶氧化物半導體膜例如是完全的非晶，並且不具有結晶部。
另外，氧化物半導體膜可以是包括CAAC-OS、微晶 氧化物半導體和非晶氧化物半導體中的任一個的混合膜。混合膜例如包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域。並且，混合膜例如可以具有包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域的疊層結構。
另外，氧化物半導體膜例如可以處於單晶狀態。
氧化物半導體膜較佳為包括多個結晶部。在結晶部的每一個中，c軸較佳為在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。這種氧化物半導體膜的一個例子是CAAC-OS膜。
CAAC-OS膜不是完全的非晶。CAAC-OS膜例如包括具有結晶部和非晶部混合的結晶-非晶混合相結構的氧化物半導體。另外，在大多情況下，結晶部適合在一個邊長小於100nm的立方體內。在利用透射電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)所得到的影像中，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的非晶部與結晶部之間的邊界以及結晶部與結晶部之間的邊界。另外，利用TEM，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，起因於晶界的電子遷移率的降低得到抑制。
在包括在CAAC-OS膜中的結晶部的每一個中，例如c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或 CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。並且，在結晶部的每一個中，當從垂直於ab面的方向看時金屬原子排列為三角形或六角形的結構，且當從垂直於c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。在本說明書中，“垂直”的用語包括從80°到100°的範圍，較佳為包括從85°到95°的範圍。並且，“平行”的用語包括從-10°到10°的範圍，較佳為包括從-5°到5°的範圍。
在CAAC-OS膜中，結晶部的分佈不一定是均勻的。例如，在CAAC-OS膜的形成製程中，在從氧化物半導體膜的表面一側產生結晶生長的情況下，有時氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例高於形成有氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例。另外，當將雜質添加到CAAC-OS膜時，有時添加有雜質的區域中的結晶部成為非晶。
因為包括在CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致，所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的剖面形狀或CAAC-OS膜的表面的剖面形狀)c軸的方向可以彼此不同。另外，伴隨成膜會形成結晶部，或者在成膜之後藉由諸如加熱處理等晶化處理形成結晶部。因此，結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或 CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。
在使用CAAC-OS膜的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。因此，該電晶體具有高可靠性。
CAAC-OS膜例如使用多晶的金屬氧化物靶材並藉由濺射法形成。當離子碰撞到該靶材時，有時包含在靶材中的結晶區域沿著a-b面劈開，即具有平行於a-b面的面的平板狀或顆粒狀的濺射粒子剝離。此時，藉由該平板狀的濺射粒子保持結晶狀態到達基板，可以形成CAAC-OS膜。
另外，為了形成CAAC-OS膜，較佳為應用如下條件。
藉由減少成膜時的雜質的混入，可以抑制因雜質導致的結晶狀態的損壞。例如，降低存在於處理室內的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)的濃度即可。另外，降低成膜氣體中的雜質濃度即可。明確而言，使用露點為-80℃以下，較佳為-100℃以下的成膜氣體。
另外，藉由增高成膜時的基板加熱溫度，在濺射粒子到達基板之後發生濺射粒子的遷移。明確而言，在將基板加熱溫度設定為100℃以上且740℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下的狀態下進行成膜。藉由增高成膜時的基板加熱溫度，當平板狀的濺射粒子到達基板時，在基板上發生遷移，濺射粒子的平坦的面附著到基板。
另外，較佳的是，藉由提高成膜氣體中的氧比例並對 電力進行最優化，減輕成膜時的電漿損傷。將成膜氣體中的氧比例設定為30vol.%以上，較佳為100vol.%。
以下，作為靶材的一個例子示出In-Ga-Zn類氧化物靶材。
將InOx粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末以規定的莫耳數比混合，進行加壓處理之後，在1000℃以上且1500℃以下的溫度下進行加熱處理，由此得到作為多晶的In-Ga-Zn類氧化物靶材。另外，X、Y及Z為任意正數。在此，InOx粉末、GaOY粉末及ZnOZ粉末的規定的莫耳數比例如為2：2：1、8：4：3、3：1：1、1：1：1、4：2：3或3：1：2。另外，粉末的種類及混合粉末時的莫耳數比可以根據所製造的靶材適當地改變。
實施方式4
在根據本發明的一個方式的發光裝置中，可以採用彩色濾光片方式，其中藉由組合發射白色等單色光的發光元件和彩色濾光片進行全彩色影像的顯示。或者可以採用使用發射彼此不同的色調的光的多個發光元件進行全彩色影像的顯示的方式。該方式由於根據對應的顏色分別塗布設置在發光元件所具有的一對電極之間的EL層，因此被稱為分別塗布方式。
當採用分別塗布方式時，通常使用金屬遮罩等遮罩藉由蒸鍍法進行EL層的分別塗布。由此，像素的尺寸依賴於藉由蒸鍍法的EL層的分別塗布精度。另一方面，當採 用彩色濾光片方式時，與分別塗布方式不同，不需要進行EL層的分別塗布。因此，與採用分別塗布方式的情況相比，容易縮小像素的尺寸，從而可以實現高精細的像素部。
另外，作為發光裝置的結構可以舉出：從形成有電晶體的基板，所謂的元件基板一側取出發光元件的光的底部發射結構；以及從與元件基板相反一側取出發光元件的光的頂部發射結構。當採用頂部發射結構時，因為發光元件所發射的光不被佈線、電晶體、電容元件等各種元件遮擋，所以與採用底部發射結構時相比，可以提高從像素取出光的效率。因此，即使降低供應到發光元件的電流值，頂部發射結構也可以得到高亮度，所以可以提高發光元件的使用壽命。
此外，在根據本發明的一個方式的發光裝置中，也可以採用使從EL層發射的光在發光元件內發生諧振的微腔(光學微諧振腔)結構。藉由採用微腔結構，可以提高從發光元件取出具有特定波長的光的效率，因此可以提高像素部的亮度和色純度。
圖7示出像素的剖面圖作為一個例子。此外，在圖7中示出對應紅色的像素的剖面的一部分、對應藍色的像素的剖面的一部分、對應綠色的剖面的一部分。
明確地說，圖7示出對應紅色的像素140r、對應綠色的像素140g、對應藍色的像素140b。像素140r、像素140g、像素140b分別具有陽極715r、陽極715g、陽極 715b。在像素140r、像素140g、像素140b中上述陽極715r、陽極715g及陽極715b都設置在形成於基板740上的絕緣膜750上。
並且，在陽極715r、陽極715g及陽極715b上設置有具有絕緣膜的隔壁730。隔壁730具有開口部，在上述開口部中陽極715r、陽極715g及陽極715b的一部分分別露出。另外，以覆蓋上述露出的區域的方式在隔壁730上依次層疊有EL層731與對可見光具有透過性的陰極732。
陽極715r、EL層731和陰極732彼此重疊的部分相當於對應紅色的發光元件741r。陽極715g、EL層731和陰極732彼此重疊的部分相當於對應綠色的發光元件741g。陽極715b、EL層731和陰極732彼此重疊的部分相當於對應藍色的發光元件741b。
基板742以夾著發光元件741r、發光元件741g及發光元件741b的方式與基板740對置。在基板742上設置有對應像素140r的著色層743r、對應像素140g的著色層743g以及對應像素140b的著色層743b。著色層743r是對應紅色的波長區域的光透過率高於其他波長區域的光透過率的層，著色層743g是對應綠色的波長區域的光透過率高於其他波長區域的光透過率的層，並且著色層743b是對應藍色的波長區域的光透過率高於其他波長區域的光透過率的層。
並且，在基板742上以覆蓋著色層743r、著色層743g、著色層743b的方式設置有保護層744。保護層744 是用來保護著色層743r、著色層743g、著色層743b的對可見光具有透過性的層，並且較佳為使用平坦性高的樹脂材料。可以組合著色層743r、著色層743g及著色層743b以及保護層744而將其看作彩色濾光片，也可以將著色層743r、著色層743g及著色層743b的每一個看作彩色濾光片。
並且，在圖7中，作為陽極715r，依次層疊可見光的反射率高的導電膜745r、可見光的透過率高於上述導電膜745r的可見光的透過率的導電膜746r而使用。此外，作為陽極715g，依次層疊可見光的反射率高的導電膜745g、可見光的透過率高於上述導電膜745g的可見光的透過率的導電膜746g而使用。此外，將導電膜746g所具有的第一區域的膜厚度設定為小於導電膜746r所具有的第二區域的膜厚度。此外，作為陽極715b使用可見光的反射率高的導電膜745b。
因此，在圖7所示的發光裝置中，在發光元件741r中從EL層731發射的光的光程長度可以由導電膜745r與陰極732之間的距離而調節。另外，在發光元件741g中從EL層731發射的光的光程長度可以由導電膜745g與陰極732之間的距離而調節。另外，在發光元件741b中從EL層731發射的光的光程長度可以由導電膜745b與陰極732之間的距離而調節。
在本發明的一個方式中也可以採用微腔結構，在該微腔結構中藉由根據分別對應發光元件741r、發光元件 741g、發光元件741b的光波長調整上述光程長度，使從EL層731發射的光在上述各發光元件內發生諧振。
藉由作為根據本發明的一個方式的發光裝置採用上述微腔結構，從發光元件741r發射的光中，由於諧振而具有對應紅色的波長的光的強度得到提高。因此，藉由著色層743r得到的紅色光的色純度及亮度得到提高。另外，在從發光元件741g發射的光中，由於諧振而具有對應綠色的波長的光的強度得到提高。因此，藉由著色層743g得到的綠色光的色純度及亮度得到提高。另外，在從發光元件741b發射的光中，由於諧振而具有對應藍色的波長的光的強度得到提高。因此，藉由著色層743b得到的藍色光的色純度及亮度得到提高。
注意，在圖7中示出使用對應紅色、綠色、藍色的三種顏色像素的結構，但是本發明的一個方式不侷限於該結構。作為在本發明的一個方式中使用的顏色的組合，例如可以使用紅色、綠色、藍色和黃色(yellow)的四種顏色或者青色(cyan)、洋紅色(magenta)、黃色的三種顏色。或者，作為上述顏色的組合，可以使用淡色的紅色、綠色、藍色以及濃色的紅色、綠色、藍色的六種顏色。或者，作為上述顏色的組合，可以使用紅色、綠色、藍色、青色、洋紅色和黃色的六種顏色。
另外，在圖7中，在發光元件741r、發光元件741g以及發光元件741b中其光波長λ最短的發光元件741b中，藉由將可見光的反射率高的導電膜745b用作陽極調 整光程長度，並且在其他發光元件741r、發光元件741g中，藉由使用具有膜厚度彼此不同的區域的導電膜746r及導電膜746g調整光程長度。在本發明的一個方式中，在其光波長λ最短的發光元件741b中也可以在可見光的反射率高的導電膜745b上設置如導電膜746r及導電膜746g那樣的透過率高的導電膜。但是，如圖7所示那樣，與當所有的發光元件中將透過率高的導電膜用作陽極時相比，當在其光波長λ最短的發光元件741b中使用可見光的反射率高的導電膜745b構成陽極時，陽極的製程被簡化，所以是較佳的。
另外，在很多情況下，與可見光的透過率高的導電膜746r及導電膜746g的功函數相比，可見光的反射率高的導電膜745b的功函數小。因此，在其光波長λ最短的發光元件741b中，與發光元件741r及發光元件741g相比，難以進行從陽極715b到EL層731的電洞注入，因此有發光效率低的趨勢。由此，在本發明的一個方式中，在其光波長λ最短的發光元件741b中，在EL層731中的接觸於可見光的反射率高的導電膜745b的層中，較佳為使用含有電洞傳輸性高的物質及對該電洞傳輸性高的物質呈現受體性(電子接受性)的物質的複合材料。藉由接觸陽極715b形成上述複合材料，容易進行從陽極715b到EL層731的電洞注入，而可以提高發光元件741b的發光效率。
作為呈現受體性的物質，可以舉出7，7，8，8-四氰 基-2，3，5，6-四氟喹啉並二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等。另外，還可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高受體性。尤其，較佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中穩定且其吸濕性低，所以容易進行處理。
作為用於複合材料的電洞傳輸性高的物質，可以使用芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。另外，用於複合材料的有機化合物較佳是電洞傳輸性高的有機化合物。明確地說，較佳為具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。
另外，作為可見光的反射率高的導電膜745r、導電膜745g、導電膜745b，例如可以以單層或疊層形成鋁、銀或包含這些金屬材料的合金等。此外，也可以層疊反射率高的導電膜和薄的導電膜(較佳為20nm以下，更佳為10nm以下)而形成導電膜745r、導電膜745g、導電膜745b。例如，藉由在反射率高的導電膜上層疊薄的鈦膜或薄的鉬膜形成導電膜745b，可以防止在反射率高的導電膜(鋁、包含鋁的合金或銀等)的表面上形成氧化膜。
此外，例如將氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物等用作可見光的透過率高的導電膜746r 及導電膜746g。
另外，例如藉由層疊透過光的程度的薄的導電膜(較佳為20nm以下，更佳為10nm以下)和由導電金屬氧化物構成的導電膜可以形成陰極732。透過光的程度的薄的導電膜可以使用銀、鎂或包含這些金屬材料的合金等的單層或疊層形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物或包含氧化矽的這些金屬氧化物材料。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，說明底部發射結構、頂部發射結構、雙面發射結構。雙面結構是指將發光元件的光從元件基板一側和與元件基板相反一側取出的結構。
圖8A示出將發光元件6033所發射的光從陽極6034一側取出時的像素的剖面圖。電晶體6031被絕緣膜6037覆蓋，在絕緣膜6037上形成有具有開口部的隔壁6038。在隔壁6038的開口部中陽極6034的一部分露出，並且在該開口部中依次層疊有陽極6034、EL層6035以及陰極6036。
利用容易使光透過的材料或以容易使光透過的膜厚度形成陽極6034，並且利用不容易使光透過的材料或以不容易使光透過的膜厚度形成陰極6036。藉由採用上述結構，可以得到如輪廓箭頭所示那樣從陽極6034一側取出 光的底部發射結構。
圖8B示出將發光元件6043所發射的光從陰極6046一側取出時的像素的剖面圖。電晶體6041被絕緣膜6047覆蓋，在絕緣膜6047上形成有具有開口部的隔壁6048。在隔壁6048的開口部中陽極6044的一部分露出，並且在該開口部中依次層疊有陽極6044、EL層6045以及陰極6046。
利用不容易使光透過的材料或以不容易使光透過的膜厚度形成陽極6044，並且利用容易使光透過的材料或以容易使光透過的膜厚度形成陰極6046。藉由採用上述結構，可以得到如輪廓箭頭所示那樣從陰極6046一側取出光的頂部發射結構。
圖8C示出將發光元件6053所發射的光從陽極6054一側及陰極6056一側取出時的像素的剖面圖。電晶體6051被絕緣膜6057覆蓋，在絕緣膜6057上形成有具有開口部的隔壁6058。在隔壁6058的開口部中陽極6054的一部分露出，並且在該開口部中依次層疊有陽極6054、EL層6055以及陰極6056。
利用容易使光透過的材料或以容易使光透過的膜厚度形成陽極6054及陰極6056。藉由採用上述結構，可以得到如輪廓箭頭所示那樣從陽極6054及陰極6056一側取出光的雙面發射結構。
作為成為陽極或陰極的電極，可以使用金屬、合金、電導性化合物以及它們的混合物等。明確而言，除了氧化 銦-氧化錫(ITO：Indium Tin Oxide)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即鹼金屬諸如鋰(Li)和銫(Cs)等、鹼土金屬諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)等、包含它們的合金(MgAg、AlLi)、稀土金屬諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等、包含它們的合金以及石墨烯等。並且，藉由適當地選擇上述材料且將其膜厚度設定為最適合的值，可以分別製造頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式6
圖9是根據本發明的一個方式的發光裝置的透視圖的一個例子。
圖9所示的發光裝置包括：面板1601；設置有控制器、電源電路、影像處理電路、影像記憶體、CPU等的電路基板1602；以及連接部1603。面板1601包括：設置有多個像素的像素部1604；按行選擇多個像素的掃描線驅動電路1605；以及控制將信號Sig1或信號Sig2輸入到被選擇的行的像素的信號線驅動電路1606。
從電路基板1602藉由連接部1603將各種信號和電源 的電位輸入到面板1601。可以將FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)等用於連接部1603。當將COF膠帶用於連接部1603時，也可以在另行準備的晶片上形成電路基板1602中的一部分電路或面板1601所具有的掃描線驅動電路1605和信號線驅動電路1606中的一部分等，然後藉由COF(Chip On Film：薄膜覆晶封裝)法使該晶片連接到COF膠帶。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式7
根據本發明的一個方式的發光裝置可以用於顯示設備、個人電腦或具備儲存介質的影像再現裝置(典型的是，能夠再現儲存介質如數位通用磁片(DVD：Digital Versatile Disc)等並具有可以顯示其影像的顯示器的裝置)中。另外，作為可以使用根據本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置，可以舉出行動電話、包括可攜式遊戲機的遊戲機、可攜式資訊終端、電子書閱讀器、視頻攝影機、數位相機等影像拍攝裝置、護目鏡型顯示器(頭部安裝顯示器)、導航系統、音頻再現裝置(汽車音響系統、數位音頻播放器等)、影印機、傳真機、印表機、多功能印表機、自動櫃員機(ATM)以及自動售貨機等。在圖10A至圖10E中示出這些電子裝置的具體例子。
圖10A是一種可攜式遊戲機，該可攜式遊戲機包括外殼5001、外殼5002、顯示部5003、顯示部5004、麥克風 5005、揚聲器5006、操作鍵5007以及觸控筆5008等。可以將根據本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部5003或顯示部5004。注意，雖然圖10A所示的可攜式遊戲機包括兩個顯示部5003和顯示部5004，但是可攜式遊戲機所具有的顯示部的數目不限於此。
圖10B是顯示設備，該顯示設備包括外殼5201、顯示部5202以及支撐台5203等。可以將根據本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部5202。另外，顯示設備包括用於個人電腦、TV播放接收、廣告顯示等的所有資訊顯示用顯示設備。
圖10C是筆記本式個人電腦，該筆記本式個人電腦包括外殼5401、顯示部5402、鍵盤5403以及指向裝置5404等。可以將根據本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部5402。
圖10D是可攜式資訊終端，該可攜式資訊終端包括第一外殼5601、第二外殼5602、第一顯示部5603、第二顯示部5604、連接部5605以及操作鍵5606等。第一顯示部5603設置在第一外殼5601中，第二顯示部5604設置在第二外殼5602中。而且，第一外殼5601和第二外殼5602由連接部5605連接，由連接部5605可以改變第一外殼5601和第二外殼5602之間的角度。第一顯示部5603的影像也可以根據連接部5605所形成的第一外殼5601和第二外殼5602之間的角度切換。此外，也可以將附加有作為位置輸入裝置的功能的發光裝置用於第一顯示 部5603和第二顯示部5604中的至少一個。另外，可以藉由在發光裝置中設置觸摸屏附加作為位置輸入裝置的功能。或者，還可以藉由將被稱為光感測器的光電轉換元件設置在發光裝置的像素部中附加作為位置輸入裝置的功能。可以將根據本發明的一個方式的發光裝置用於第一顯示部5603或第二顯示部5604。
圖10E是視頻攝影機，該視頻攝影機包括第一外殼5801、第二外殼5802、顯示部5803、操作鍵5804、透鏡5805以及連接部5806等。操作鍵5804及透鏡5805設置在第一外殼5801中，顯示部5803設置在第二外殼5802中。而且，第一外殼5801和第二外殼5802由連接部5806連接，由連接部5806可以改變第一外殼5801和第二外殼5802之間的角度。顯示部5803的影像也可以根據連接部5806所形成的第一外殼5801和第二外殼5802之間的角度切換。可以將根據本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部5803。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧像素
102‧‧‧像素部
103‧‧‧面板
104‧‧‧控制器
105‧‧‧電源電路

Claims (7)

  1. 一種發光裝置，包括：包含多個像素的面板；控制器；以及電源電路，其中，該控制器將第一信號和第二信號中的任一發送到該面板，該電源電路在該控制器將該第二信號發送到該面板時對該面板提供電源電壓的供應，並且在該控制器將該第一信號發送到該面板之後，對該面板停止該電源電壓的供應，該多個像素的每一個包括第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及發光元件，該第一電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的通道形成區的每一個包含氧化物半導體，該第二電晶體的閘極電極、該第三電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第四電晶體的源極電極及汲極電極其中一個彼此電連接，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該第一電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的源極電極及汲極電極其中一個電連接於該第二電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第六電晶體的源極電極及汲極電極其中一個， 該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該發光元件，在該第一信號藉由該第一電晶體施加到該第二電晶體的閘極電極時該第二電晶體成為截止狀態，該電源電壓藉由該第二電晶體施加到該發光元件，並且，該第六電晶體的閘極電極電連接至佈線，該佈線未電連接至該第一電晶體及該第三電晶體。
  2. 一種發光裝置，包括：包含多個像素的面板；控制器；以及電源電路，其中，該控制器將第一信號和第二信號中的任一發送到該面板，該電源電路在該控制器將該第一信號發送到該面板之後且在該控制器將該第二信號發送到該面板之前對該面板提供電源電壓的供應，該多個像素的每一個包括第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體以及發光元件，該第一電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的通道形成區的每一個包含氧化物半導體，該第二電晶體的閘極電極、該第三電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第四電晶體的源極電極及汲極電極其中一個彼此電連接， 該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該第一電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的源極電極及汲極電極其中一個電連接於該第二電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第六電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該發光元件，在該第一信號藉由該第一電晶體施加到該第二電晶體的閘極電極時該第二電晶體成為截止狀態，該電源電壓藉由該第二電晶體施加到該發光元件，並且，該第六電晶體的閘極電極電連接至佈線，該佈線未電連接至該第一電晶體及該第三電晶體。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第一電晶體的關態電流密度小於或等於100zA/μm。
  4. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第二信號包含影像資料。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中該第一信號或該第二信號施加到該第二電晶體的該閘極電極。
  6. 一種發光裝置的驅動方法，該發光裝置包括包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體及發光元件之像素；以及該方法包括以下步驟： 對該第一電晶體的閘極電極施加信號來使該第二電晶體成為截止狀態，以及切斷對該像素的電源電壓的供應，其中，該第一電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的通道形成區的每一個包含氧化物半導體，該第二電晶體的閘極電極、該第三電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第四電晶體的源極電極及汲極電極其中一個彼此電連接，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該第一電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的源極電極及汲極電極其中一個電連接於該第二電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第六電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該發光元件，該第二電晶體控制對該發光元件的該電源電壓的供應，並且，該第六電晶體的閘極電極電連接至佈線，該佈線未電連接至該第一電晶體及該第三電晶體。
  7. 一種發光裝置的驅動方法，該發光裝置包括包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體及發光元件之像素；以及該方法包括以下步驟： 對該第一電晶體的閘極電極施加信號來使該第二電晶體成為截止狀態，以及提供對該像素的電源電壓的供應，其中，該第一電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的通道形成區的每一個包含氧化物半導體，該第二電晶體的閘極電極、該第三電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第四電晶體的源極電極及汲極電極其中一個彼此電連接，該第四電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該第一電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的源極電極及汲極電極其中一個電連接於該第二電晶體的源極電極及汲極電極其中一個以及該第六電晶體的源極電極及汲極電極其中一個，該第五電晶體的該源極電極及該汲極電極其中另一個電連接於該發光元件，該第二電晶體控制對該發光元件的該電源電壓的供應，並且，該第六電晶體的閘極電極電連接至佈線，該佈線未電連接至該第一電晶體及該第三電晶體。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6495602B2 (ja) 2013-09-13 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2015063981A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の電源断方法および表示装置
JP6311170B2 (ja) * 2013-10-30 2018-04-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の電源断方法および表示装置
US9806098B2 (en) * 2013-12-10 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN105849796B (zh) 2013-12-27 2020-02-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置
WO2016019352A2 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Internet Connectivity Group, Inc. Dynamic merchandising communication system
US9704893B2 (en) 2015-08-07 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN105139795B (zh) * 2015-09-22 2018-07-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种栅极扫描电路及其驱动方法、栅极扫描级联电路
USD791617S1 (en) 2015-10-12 2017-07-11 Cloverleaf Media Llc Digital signage device
US9576174B1 (en) 2015-10-12 2017-02-21 Cloverleaf Media, LLC Systems and methods for serving pixel mapped content to merchandising communication systems
US9844156B2 (en) 2015-10-12 2017-12-12 Cloverleaf Media, LLC LED retail digital signage
WO2019111137A1 (ja) * 2017-12-06 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、電子機器、及び動作方法
CN111788258A (zh) 2018-03-16 2020-10-16 三菱化学株式会社 片状模塑料及碳纤维复合材料成型品
CN111383596A (zh) 2020-03-25 2020-07-07 昆山国显光电有限公司 像素电路、显示面板和像素电路的驱动方法

Family Cites Families (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH01134497A (ja) 1987-11-20 1989-05-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置の電源回路
KR940008180B1 (ko) 1990-12-27 1994-09-07 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 액정 전기 광학 장치 및 그 구동 방법
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3476241B2 (ja) 1994-02-25 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置の表示方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JPH0990317A (ja) 1995-09-27 1997-04-04 Canon Inc 液晶ディスプレイ
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3496431B2 (ja) 1997-02-03 2004-02-09 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP3883641B2 (ja) 1997-03-27 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置
JP3308880B2 (ja) 1997-11-07 2002-07-29 キヤノン株式会社 液晶表示装置と投写型液晶表示装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
EP1174758A4 (en) 1999-12-03 2007-07-18 Mitsubishi Electric Corp LIQUID CRYSTAL DISPLAY
JP3835967B2 (ja) 2000-03-03 2006-10-18 アルパイン株式会社 Ｌｃｄ表示装置
WO2001084226A1 (fr) 2000-04-28 2001-11-08 Sharp Kabushiki Kaisha Unite d'affichage, procede d'excitation pour unite d'affichage, et appareil electronique de montage d'une unite d'affichage
JP2002026312A (ja) 2000-07-06 2002-01-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP2003131633A (ja) 2001-10-29 2003-05-09 Sony Corp 表示装置の駆動方法
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP4218249B2 (ja) 2002-03-07 2009-02-04 株式会社日立製作所 表示装置
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4103425B2 (ja) 2002-03-28 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及び投射型表示装置
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4759906B2 (ja) 2002-12-12 2011-08-31 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその制御方法、ならびに携帯端末
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4608864B2 (ja) 2003-09-29 2011-01-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、その駆動回路および電子機器
JP2005122076A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2005157157A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Toppoly Optoelectronics Corp 残留映像除去電気回路
JP2005208261A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その駆動回路および駆動方法、ならびに電子機器
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006047500A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Seiko Epson Corp 表示パネル駆動回路、表示装置及び電子機器
TWI237229B (en) 2004-08-23 2005-08-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Electronic discharging control circuit and method thereof for LCD
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CA2708335A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP5118810B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
WO2006051995A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
AU2005302963B2 (en) 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CN101515433B (zh) 2004-12-27 2011-04-13 京瓷株式会社 电子机器的驱动方法
KR100885573B1 (ko) 2004-12-27 2009-02-24 교세라 가부시키가이샤 화상 표시 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기의 구동방법
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006243174A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Sony Corp 電源投入方法
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
JP2006251453A (ja) 2005-03-11 2006-09-21 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
KR100731741B1 (ko) * 2005-04-29 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광장치
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
US7692610B2 (en) * 2005-11-30 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5178005B2 (ja) 2005-12-28 2013-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
EP1804229B1 (en) 2005-12-28 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for inspecting the same
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007272203A (ja) 2006-03-06 2007-10-18 Nec Corp 表示装置
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
KR101310912B1 (ko) 2006-06-30 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그의 구동 방법
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
FR2905027B1 (fr) 2006-08-21 2013-12-20 Lg Philips Lcd Co Ltd Dispositif d'affichage a cristaux liquides et son procede de pilotage
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US20080100595A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Tpo Displays Corp. Method for eliminating power-off residual image in a system for displaying images
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP5665256B2 (ja) 2006-12-20 2015-02-04 キヤノン株式会社 発光表示デバイス
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP4245057B2 (ja) * 2007-02-21 2009-03-25 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
US8325310B2 (en) 2007-05-18 2012-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2009031750A (ja) 2007-06-28 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US20090001881A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Masaya Nakayama Organic el display and manufacturing method thereof
JP2009042263A (ja) 2007-08-06 2009-02-26 Seiko Epson Corp 画像表示装置及びその制御方法
JP5023906B2 (ja) * 2007-09-12 2012-09-12 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
US8102346B2 (en) 2007-09-20 2012-01-24 Sony Corporation Electro-optical device and electronic apparatus including the same
JP2009099887A (ja) 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2009133913A (ja) * 2007-11-28 2009-06-18 Sony Corp 表示装置
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5157467B2 (ja) * 2008-01-18 2013-03-06 ソニー株式会社 自発光型表示装置およびその駆動方法
JP2009186542A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP5325446B2 (ja) 2008-04-16 2013-10-23 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
JP2009271392A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動回路、表示装置の駆動方法および電子機器
TWI626744B (zh) 2008-07-31 2018-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
CN102386236B (zh) 2008-10-24 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
KR100986915B1 (ko) 2008-11-26 2010-10-08 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2010128183A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Toshiba Mobile Display Co Ltd アクティブマトリクス型の表示装置およびその駆動方法
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP4844634B2 (ja) * 2009-01-06 2011-12-28 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
US8450144B2 (en) 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010281909A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Panasonic Corp 画像表示装置
KR101073353B1 (ko) * 2009-10-19 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치
KR101082254B1 (ko) 2009-11-04 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102329497B1 (ko) 2009-11-13 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
KR20120107107A (ko) 2009-12-04 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101763508B1 (ko) 2009-12-18 2017-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101763660B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN105761688B (zh) 2010-01-20 2019-01-01 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
KR101745749B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
KR101142660B1 (ko) * 2010-02-09 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101351416B1 (ko) * 2010-05-18 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로
KR101751998B1 (ko) 2010-07-22 2017-06-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
TWI415076B (zh) * 2010-11-11 2013-11-11 Au Optronics Corp 有機發光二極體之像素驅動電路
KR20120065139A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치를 위한 화소, 이를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
CN102646389B (zh) * 2011-09-09 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled面板及oled面板驱动方法
KR101963126B1 (ko) * 2011-12-06 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 유기 발광 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법
US20130169663A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for displaying images and apparatus and method for processing images

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