TWI573491B - 發光元件、發光裝置、電子設備及發光元件的製造方法 - Google Patents

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Description

發光元件、發光裝置、電子設備及發光元件的製造方法
本發明涉及一種利用電致發光(Electro Luminescence)的發光元件。此外，本發明還涉及一種包括發光元件的發光裝置、電子設備、以及發光元件的製造方法。
近年來，電視機、移動電話、數位相機等中的顯示裝置被要求是薄型平面顯示裝置，並且作為滿足該要求的顯示裝置，使用自發光型發光元件的顯示裝置受到關注。作為自發光型發光元件之一，有利用電致發光的發光元件，並且在該發光元件中，藉由用一對電極夾住發光材料且施加電壓，可以從發光材料獲得發光。
這種自發光型發光元件具有優於液晶顯示器的優點，諸如像素的可視性高且無需背光燈等，從而被視為適合於平面顯示器元件。此外，這種發光元件的另一主要優點是可製造得薄且輕。此外，回應速度極快也是一個特徵。
再者，這種自發光型發光元件可以形成為膜狀，因 此，藉由形成大面積元件，可以容易獲得面發光。因為以白熾燈或LED為代表的點光源、或者以螢光燈為代表的線光源難以獲得這種特徵，所以其作為可以應用於照明等的面光源具有高利用價值。
根據發光材料是有機化合物還是無機化合物，對利用電致發光的發光元件進行分類。一般地，前者被稱為有機EL元件，後者被稱為無機EL元件。
在發光材料為有機化合物的情況下，藉由對發光元件施加電壓，來自一對電極的電子及電洞分別注入到包含發光有機化合物的層中，由此電流流通了。然後，藉由這些載流子(電子及電洞)重組，該發光有機化合物形成激發態，並且從激發態回到基態時發光。由於這樣的機理，這樣的發光元件被稱為電流激發型發光元件。
注意，有機化合物所形成的激發態可以是單重激發態或三重激發態。從單重激發態發射的光被稱為螢光，並且從三重激發態發射的光被稱為磷光。
對於這種發光元件而言，在提高元件特性方面上存在依賴於材料的許多問題，為了克服這些問題，進行元件結構的改進、材料的開發等。
一般而言，使用有機化合物的發光元件具有如下問題，即與使用無機化合物的發光元件相比，使用壽命短且容易退化。尤其，被認為由於來自外部的水分等侵入而產生退化，因而，在進行對於密封結構的研究。
鑒於上述問題，本發明的目的在於提供一種不容易退化的發光元件。另外，本發明的目的還在於提供一種不容易退化的發光裝置及電子設備。另外，本發明的目的還在於提供一種不容易退化的發光元件的製造方法。
本發明人銳意努力研究上述問題，結果發現包含無機化合物和鹵素原子的層具有抑制水分透過的效果。因此，本發明的技術方案之一是一種發光元件，包括在包括形成於基底上的第一電極、形成於第一電極上的EL層和形成於EL層上的第二電極的疊層結構體上以覆蓋疊層結構體的方式形成的第一密封層，其中第一密封層包含無機化合物和鹵素原子。
另外，本發明人發現包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的層具有抑制水分透過的效果。因此，本發明的技術方案之一是一種發光元件，包括：疊層結構體，包括形成於基底上的第一電極、形成於第一電極上的EL層和形成於EL層上的第二電極；以及第一密封層，形成以覆蓋疊層結構體，其中第一密封層包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子。
在上述結構中，有機化合物最好為芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴和聚合物化合物中的任一種。
另外，在上述結構中，無機化合物最好為氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸中的任一種。
另外，在上述結構中，鹵素原子最好為氟。
另外，在上述結構中，鹵素原子的濃度最好為大於或等於1×1020atoms/cm3且小於或等於1×1021atoms/cm3。
另外，在上述結構中，第一密封層的厚度最好為大於或等於0.05μm且小於或等於10μm。
另外，本發明的技術方案之一是一種發光元件，包括：疊層結構體，包括形成於基底上的第一電極、形成於第一電極上的EL層和形成於EL層上的第二電極；第一密封層，形成以覆蓋疊層結構體；以及第二密封層，形成以覆蓋第一密封層，其中第一密封層包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子，並且第二密封層為由無機材質構成的無機鈍化膜。
在上述結構中，無機鈍化膜最好為氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁及DLC(類金剛石碳)中的任一種。
另外，在上述結構中，基底也可以具有撓性。
另外，在本發明的範疇中還包括具有上述發光元件的發光裝置。本說明書中的發光裝置包括圖像顯示器件或者光源(包括照明裝置)。此外，在形成有發光元件的面板上安裝有例如FPC(Flexible printed circuit；撓性印刷電路)、TAB(Tape Automated Bonding；帶式自動焊接)帶或TCP(Tape Carrier Package；帶載封裝)等連接器的模組；在TAB帶或TCP的前端設置有印刷電路板的模組；或者發光裝置上藉由COG(Chip On Glass；玻璃上晶片) 方式直接安裝有IC(積體電路)的模組也全都包括在發光裝置中。
此外，將具有上述發光裝置的電子設備也包括在本發明的範疇中。因此，本發明的電子設備的特徵在於具有上述發光裝置。
另外，本發明的發光元件的製造方法的技術方案之一包括如下步驟：形成第一電極；在第一電極上形成EL層；在EL層上形成第二電極；以及在第二電極上形成第一密封層，其中形成第一密封層的步驟包括形成包含無機化合物的層的步驟、以及藉由離子植入法將鹵素原子加入到包含無機化合物的層中來形成包含無機化合物和鹵素原子的第一密封層的步驟。
另外，本發明的發光元件的製造方法的技術方案之一包括如下步驟：形成第一電極；在第一電極上形成EL層；在EL層上形成第二電極；以及在第二電極上形成第一密封層，其中形成第一密封層的步驟包括形成包含有機化合物和無機化合物的層的步驟；以及藉由離子植入法將鹵素原子加入到包含有機化合物和無機化合物的層中來形成包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的第一密封層的步驟。
另外，本發明的發光元件的製造方法之一包括如下步驟：形成第一電極；在第一電極上形成EL層；在EL層上形成第二電極；在第二電極上形成第一密封層；以及在第一密封層上形成第二密封層，其中形成第一密封層的步驟 包括形成包含有機化合物和無機化合物的層的步驟；以及藉由離子植入法將鹵素原子加入到包含有機化合物和無機化合物的層中來形成包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的第一密封層的步驟，並且在形成第二密封層的步驟中藉由電漿CVD法、濺射法或真空蒸鍍法形成第二密封層。
由於本發明的發光元件包括包含無機化合物和鹵素原子的層或包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的層，所以可以抑制水分侵入到EL層中，因而不容易退化並且具有長使用壽命。
另外，由於本發明的發光元件除了包括包含無機化合物和鹵素原子的層或包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的層以外還包括無機鈍化膜，所以可以抑制水分侵入到EL層中，因而不容易退化並且具有長使用壽命。
另外，本發明的發光裝置可以抑制水分侵入到EL層中，因而不容易退化並且具有長使用壽命。
另外，由於具有不容易退化且使用壽命長的發光裝置，因此本發明的電子設備也不容易退化。
另外，藉由應用本發明，可以容易地製造不容易退化的發光元件及發光裝置。
100‧‧‧基底
101‧‧‧第一電極
102‧‧‧第二電極
103‧‧‧EL層
111‧‧‧電洞注入層
112‧‧‧電洞傳輸層
113‧‧‧發光層
114‧‧‧電子傳輸層
115‧‧‧電子注入層
121‧‧‧第一密封層
122‧‧‧第二密封層
300‧‧‧基底
301‧‧‧第一電極
302‧‧‧第二電極
311‧‧‧第一發光單元
312‧‧‧第二發光單元
313‧‧‧電荷產生層
402‧‧‧像素部
401‧‧‧驅動電路部(源極側驅動電路)
403‧‧‧驅動電路部(閘極側驅動電路)
404‧‧‧密封基底
405‧‧‧密封劑
407‧‧‧空間
408‧‧‧佈線
409‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
410‧‧‧元件基底
411‧‧‧開關用TFT
412‧‧‧電流控制用TFT
413‧‧‧第一電極
414‧‧‧絕緣物
416‧‧‧EL層
417‧‧‧第二電極
418‧‧‧發光元件
420‧‧‧第一密封層
421‧‧‧第二密封層
423‧‧‧N溝道型TFT
424‧‧‧P溝道型TFT
901‧‧‧框體
902‧‧‧液晶層
903‧‧‧背光燈
904‧‧‧框體
905‧‧‧驅動器IC
906‧‧‧端子
2001‧‧‧框體
2002‧‧‧光源
3001‧‧‧照明裝置
9101‧‧‧框體
9102‧‧‧支撐台
9103‧‧‧顯示部
9104‧‧‧揚聲器部
9105‧‧‧視頻輸入端子
9201‧‧‧主體
9202‧‧‧框體
9203‧‧‧顯示部
9204‧‧‧鍵盤
9205‧‧‧外部連接埠
9206‧‧‧定位裝置
9401‧‧‧主體
9402‧‧‧框體
9403‧‧‧顯示部
9404‧‧‧聲音輸入部
9405‧‧‧聲音輸出部
9406‧‧‧操作鍵
9407‧‧‧外部連接埠
9408‧‧‧天線
9501‧‧‧主體
9502‧‧‧顯示部
9503‧‧‧框體
9504‧‧‧外部連接埠
9505‧‧‧遙控接收部
9506‧‧‧圖像接收部
9507‧‧‧電池
9508‧‧‧聲音輸入部
9509‧‧‧操作鍵
9510‧‧‧取景部
圖1是說明本發明的發光元件的圖；圖2是說明本發明的發光元件的圖； 圖3是說明本發明的發光元件的圖；圖4A和4B是說明本發明的發光裝置的圖；圖5A和5B是說明本發明的發光裝置的圖；圖6A至6D是說明本發明的電子設備的圖；圖7是說明本發明的電子設備的圖；圖8是說明本發明的照明裝置的圖；圖9是說明本發明的照明裝置的圖。
下面，將參照附圖詳細說明本發明的實施形態。但是，本發明不局限於以下說明，其方式和詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內容中。注意，有時在不同附圖中使用相同的符號來表示以下說明的本發明的結構中的相同的部分。
實施方式1
在本實施方式中，對提供有第一密封層的發光元件進行說明。
本發明的發光元件在一對電極之間具有多個層。該多個層藉由層疊由載流子注入性高的物質或載流子傳輸性高的物質構成的層來製造。以在遠離電極的部分形成發光區域的方式層疊這些層。換言之，以在遠離電極的部分重組載流子的方式層疊這些層。
在圖1中，基底100用作發光元件的支撐體。作為基底100，例如可以使用玻璃或塑膠等。另外，只要在發光元件的製造程序中可用作發光元件的支撐體，就可以使用其他物質。另外，也可以使用具有撓性的基底作為基底100。
另外，在本實施方式中，發光元件包括第一電極101、第二電極102、提供在第一電極101和第二電極102之間的EL層103、以及提供在第二電極102上的第一密封層121。另外，在本實施方式中，說明第一電極101用作陽極，並且第二電極102用作陰極的情況。換言之，以下說明在將電壓施加到第一電極101和第二電極102以使第一電極101的電位高於第二電極102的電位時可以獲得發光的情況。
作為第一電極101，最好使用具有高功函數(具體地，最好為4.0eV或更高)的金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物等。具體而言，例如可以舉出氧化銦-氧化錫(ITO：氧化銦錫)、含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(IZO：氧化銦鋅)、含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦(IWZO)等。雖然通常藉由濺射形成這些導電金屬氧化物膜，但也可以應用溶膠-凝膠法等來製造。例如，可以利用將1wt%到20wt%的氧化鋅加入到氧化銦中的靶藉由濺射法形成氧化銦-氧化鋅(IZO)。另外，可以利用含有0.5wt%到5wt%的氧化鎢和0.1wt%到1wt%的氧化鋅的氧化銦的靶，藉由濺射法來形成含氧化鎢及氧化鋅的 氧化銦(LWZO)。另外，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。
對於EL層103的層的疊層結構沒有特別限制。可以藉由適當地組合包含具有高電子傳輸性的物質、具有高電洞傳輸性的物質、具有高電子注入性的物質、具有高電洞注入性的物質、具有雙極性的物質(具有高電子傳輸性及高電洞傳輸性的物質)等的層來構成EL層103即可。例如，EL層103可以藉由適當地組合電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層等而構成。下面具體描述明構成各層的材料。
電洞注入層111為包含具有高電洞注入性的物質的層。作為本實施方式中所示的電洞注入層，可以使用包含複合材料的層，該複合材料包含具有高電洞傳輸性的有機化合物和具有電子接受性的無機化合物。
在本說明書中，“複合”不僅是指只混合兩個材料，也是指藉由混合多個材料而處於在材料之間可以進行電荷授受的狀態。
作為用於複合材料的具有電子接受性的無機化合物，可以舉出遷移金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸是最好的，因為其電子接受性高。其中，氧化鉬是尤其 最好的，因為它在空氣中也穩定並且其吸濕性低，從而容易處理。
作為用於複合材料的具有高電洞傳輸性的有機化合物，可以使用各種化合物，例如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴和聚合物化合物(低聚物、樹狀聚合物、聚合物等)等。另外，作為用於複合材料的有機化合物，最好使用具有大於或等於10-6cm2/(V．s)的電洞遷移率的物質。然而，只要其電洞傳輸性高於其電子傳輸性，還可以使用其他物質。下面示出可用於複合材料的有機化合物的具體例子。
例如，作為可用於複合材料的芳香胺化合物，可以舉出N,N’-雙(4-甲基苯基)(對甲苯基)-N,N’-二苯基-p-苯二胺(簡稱：DTDPPA)；4,4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)；4,4’-雙(N-{4-[N’,N’-雙(3-甲基苯基)氨基苯]-N-苯基}氨基)聯苯(簡稱：DNTPD)；1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)等。
作為可用於複合材料的咔唑衍生物，可以具體地舉出3-[N-(9-苯基哢唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)；3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。
另外，作為可用於複合材料的咔唑衍生物，可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)；1,3,5-三[4-(N-咔 唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)；9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)；1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
作為可用於複合材料的芳香烴，例如可舉出2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)；2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽；9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)；2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)；9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)；9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)；2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)；9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)；9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]-2-叔丁基蒽；9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽；2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽；9,9’-聯蒽；10,10’-二苯基-9,9’-聯蒽；10,10’-雙(2-苯基苯基)-9,9’-聯蒽；10,10’-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-聯蒽；蒽；並四苯；紅螢烯；二萘嵌苯；2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，也可使用並五苯、蔻等。像這樣，最好使用具有大於或等於1×10-6cm2/(V．s)的電洞遷移率且碳原子數為14至42的芳香烴。
另外，可用於複合材料的芳香烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基骨架的芳香烴，例如可以舉出4,4’-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)；9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。
另外，作為電洞注入層111，可以使用聚合物化合物 (低聚物、樹狀聚合物、聚合物等)。例如，可以舉出聚合物化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等。
電洞傳輸層112為包含具有高電洞傳輸性的物質的層。作為具有高電洞傳輸性的物質，例如可以使用芳香胺化合物等如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱：MTDATA)、或4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯芴-2-基)-N-苯基氨基]-1,1’-聯苯(簡稱：BSPB)等。在此所述的物質為主要具有10-6cm2/Vs或更高的電洞遷移率的物質。但是，只要其電洞傳輸性高於其電子傳輸性，還可以使用其他物質。此外，包含具有高電洞傳輸性的物質的層不限於單層，也可以為由上述物質構成的層層疊兩層或更多層而成的層。
另外，作為電洞傳輸層112，還可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等的聚合物化合物。
發光層113為包含具有高發光性的物質的層。作為具有高發光性的物質，可以使用發射螢光的螢光化合物或發射磷光的磷光化合物。
作為可用於發光層的磷光化合物有如下有機金屬配合物。例如，作為藍色發光材料，可以舉出雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶醇-N,C2’]四(1-吡唑基)硼酸銥(III)(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶醇-N,C2’]吡啶甲酸銥(III)(簡稱：FIrpic)、雙{[2-[3’,5’-雙(三氟甲基)苯基]吡啶醇-N,C2’]吡啶甲酸銥(III)(簡稱：Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶醇-N,C2’]乙醯丙酮銥(III)(簡稱：FIr(acac))等。另外，作為綠色發光材料，可以舉出三(2-苯基吡啶醇-N,C2’)銥(III)錯合物(簡稱：Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶-N,C2’)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、雙(1,2-二苯基-1H-苯並咪唑)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(pbi)2(acac))、雙(苯並[h]喹啉)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(bzq)2(acac))等。另外，作為黃色發光材料，可以舉出雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2’)合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(dpo)2(acac))、雙{2-[4’-(全氟苯基苯基)]吡啶醇-N,C2’}乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2’)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(bt)2(acac))等。另外，作為橙色發光材料，可以舉出三(2-苯基喹啉-N,C2’)銥(III)錯合物(簡稱：Ir(pq)3)、雙(2-苯基喹啉-N,C2’)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(pq)3(acac))等。另外，作為紅色發光材料，可以舉出雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶醇-N,C3’]乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C2’)乙醯丙酮銥(III)(簡稱：Ir(piq)2(acac))、(乙醯基丙酮)雙[2,3- 雙(4-氟苯基)喹噁啉]銥(III)錯合物(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II)錯合物(簡稱：PtOEP)等。此外，諸如三(乙醯基丙酮)(菲咯啉)鋱(III)錯合物(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(菲咯啉)銪(III)錯合物(簡稱：Eu(DBM)3(Phen)、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](菲咯啉)銪(III)錯合物(簡稱：Eu(TTA)3(Phen)等的稀土金屬配合物由於利用稀土金屬離子而發光(在不同多重性之間的電子遷移)，所以可以用作磷光化合物。
作為可用於發光層的螢光化合物有如下材料。例如，作為藍色發光材料，可以舉出N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基芪-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)等。另外，作為綠色發光材料，可以舉出N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)]-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)等。另外，作為黃色發光材料，可以舉出紅螢烯、5,12-雙 (1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基並四苯(簡稱：BPT)等。另外，作為紅色發光材料，可以舉出N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)並四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,13-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊並[1,2-a]螢蒽-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)等。
另外，也可以採用將具有高發光性的物質分散在其他物質中的結構。藉由採用將具有高發光性的物質分散在其他物質中的結構，可以抑制發光層的晶化。另外，可以抑制由於發光物質的濃度高而導致的濃縮猝滅。
作為分散發光物質的物質，在發光物質為螢光化合物的情況下，最好使用其單重激發能(基態和單重激發態之間的能量差)大於螢光化合物的物質。另外，在發光物質為磷光化合物的情況下，最好使用其三重激發能(基態和三重激發態之間的能量差)大於磷光化合物的物質。
電子傳輸層114為包含具有高電子傳輸性的物質的層。例如，可以使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬配合物等，如三(8-羥基喹啉合)鋁錯合物(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉合)鋁錯合物(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹錯合物(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)(4-苯基苯酚)鋁錯合物(簡稱：BAlq)等。另外，也可以使用具有噁唑配體或噻唑配體的金屬配合物等，如雙[2-(2-羥基苯基)-苯並噁唑]鋅錯合物(簡稱：Zn(BOX)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]鋅錯合物(簡稱為Zn(BTZ)2)等。再者，除了金屬配合物以外，還 可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(p-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、紅菲咯啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)等。在此所述的物質為主要具有10-6cm2/Vs或更高的電子遷移率的物質。另外，只要其電子傳輸性高於其電洞傳輸性，還可以使用上述以外的物質作為電子傳輸層。此外，電子傳輸層不限於單層，也可以為由上述物質構成的層層疊兩層或更多層而成的層。
此外，作為電子傳輸層114，可以使用聚合物化合物。例如，可以使用聚[(9,9-十二烷芴-2,7-二基)-co-(吡嗪-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)等。
另外，也可以提供電子注入層115。作為電子注入層115，可以使用諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等的鹼金屬化合物或鹼土金屬化合物。而且，也可以使用具有電子傳輸性的物質與鹼金屬或鹼土金屬相組合而成的層。例如，可以使用將鎂(Mg)包含在Alq中而成的層。注意，作為電子注入層，最好使用具有電子傳輸性的物質與鹼金屬或鹼土金屬相組合而成的層，因為可以有效地進行從第二電極102的電子注入。
作為形成第二電極102的物質，可以使用具有低功函數(具體地，最好為3.8eV或更低)的金屬、合金、導電 化合物、以及這些的混合物等。作為這樣的陰極材料的具體例子，可以舉出屬於元素周期表中第1族或第2族的元素，即鹼金屬如鋰(Li)或銫(Cs)等；鹼土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr)等；包含這些的合金(MgAg、AlLi)；稀土金屬如銪(Eu)、鐿(Yb)等；以及包含這些的合金等。由鹼金屬、鹼土金屬、以及包含這些的合金組成的膜可以使用真空蒸鍍法來形成。另外，也可以藉由濺射法澱積包含鹼金屬或鹼土金屬的合金。另外，也可以藉由液滴噴射法等澱積銀膏等。
另外，藉由在第二電極102和電子傳輸層114之間提供電子注入層115，可以與功函數的大小無關地使用如Al、Ag、ITO、含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫等各種導電材料作為第二電極102。這些導電材料可以使用濺射法、液滴噴射法、旋塗法等來澱積。
第一密封層121為可以抑制水分透過的層。本實施方式中所示的密封層包含如氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳等的無機化合物。藉由將鹵素原子添加到這些無機化合物中，可以形成能夠抑制水分透過的密封層。
另外，藉由將鹵素原子添加到用作上述電洞注入層的複合材料中，可以形成能夠抑制水分透過的密封層作為第一密封層121。
作為用於第一密封層121的鹵素原子，可以舉出氟、氯、溴、碘等。其中，最好使用氟，因為其抑制水分透過的效果高。
藉由在形成包含無機化合物的層或包含有機化合物和無機化合物的層之後添加鹵素原子，可以形成第一密封層121。可以藉由採用各種方法來形成包含無機化合物的層或包含有機化合物和無機化合物的層。例如，可以舉出電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法等的乾製程；旋塗法、液滴噴射法等的濕製程等。
作為添加鹵素原子的方法，可以使用各種方法，其中最好使用離子植入法。包含在第一密封層121中的鹵素原子的濃度最好為大於或等於1×1019atoms/cm3，尤其最好為大於或等於1×1020atoms/cm3且小於或等於1×1021atoms/cm3。
為了獲得抑制水分透過的效果，本實施方式中所示的抑制水分侵入的層的膜厚最好為大於或等於0.05μm且小於或等於10μm。更最好為大於或等於0.02μm且小於或等於1μm。
在本實施方式中所示的具有上述結構的發光元件中，電流藉由將電壓施加到第一電極101和第二電極102之間而流過。並且，電洞和電子在作為包含具有高發光性的物質的層的發光層113中重組而發光。換言之，該發光元件具有在發光層113形成發光區域的結構。
光線藉由第一電極101和第二電極102中的一者或兩者而提取到外部。因此，第一電極101和第二電極102中的一者或兩者為具有透光性的電極。當只有第一電極101為具有透光性的電極時，光線藉由第一電極101從基底側提 取。另外，當只有第二電極102為具有透光性的電極時，光線藉由第二電極102從與基底相反一側提取。當第一電極101及第二電極102都是具有透光性的電極時，光線藉由第一電極101及第二電極102從基底側和與基底相反一側提取。
另外，若考慮到第一密封層121吸收光的影響，則本實施方式中所示的發光元件最好採用只有第一電極101為具有透光性的電極，發光僅從基底側提取的結構。
另外，雖然在圖1中示出了在基底100側提供用作陽極的第一電極101的結構，但是，也可以在基底100側提供用作陰極的第二電極102。例如，也可以採用如下結構：在基底100上依次層疊用作陰極的第二電極102、EL層103和用作陽極的第一電極101，並且在EL層103中以與圖1所示的結構相反的順序層疊有各層。
作為EL層的形成方法，不論乾製程或濕製程，可以使用各種方法。另外，每一電極或每一層也可以藉由不同的成膜方法而形成。作為乾製程，可以舉出真空蒸鍍法或濺射法等。另外，作為濕製程，可以舉出噴墨法或旋塗法等。
例如，也可以使用上述材料中的聚合物化合物藉由濕製程形成EL層。或者，也可以使用低分子有機化合物藉由濕製程形成。另外，也可以使用低分子有機化合物藉由真空蒸鍍法等的乾製程形成EL層。
另外，電極也可以使用溶膠-凝膠法藉由濕製程形 成，或者使用金屬材料的糊料藉由濕製程形成。此外，還可以藉由濺射法或真空蒸鍍法等的乾製程來形成。
另外，在將本實施方式中所示的發光元件應用於顯示裝置並獨立塗佈發光層的情況下，發光層最好藉由濕製程形成。藉由噴墨法形成發光層，即使是在大尺寸的基底上也容易獨立塗佈發光層，因而提高生產性。
以下，說明具體的發光元件的形成方法。
例如，在圖1所示的結構中，可以藉由作為乾製程的濺射法形成第一電極101，藉由作為濕製程的噴墨法或旋塗法形成電洞注入層111及電洞傳輸層112，藉由作為濕製程的噴墨法形成發光層113，藉由作為乾製程的真空蒸鍍法形成電子傳輸層114、電子注入層115、以及第二電極102。另外，可以在形成第二電極之後使用真空蒸鍍法形成包含無機化合物的層或包含有機化合物和無機化合物的層，並且藉由離子植入法添加鹵素原子來形成第一密封層121。換句話說，可以在以所需的形狀形成有第一電極101的基底上從電洞注入層111到發光層113藉由濕製程形成，從電子傳輸層114到第二電極102及第一密封層121藉由乾製程形成。在該方法中，可以從電洞注入層111到發光層113在大氣壓下形成，容易獨立塗佈發光層113。另外，可以從電子傳輸層114到第二電極102及第一密封層121始終在真空中形成。因此，可以簡化過程，並提高生產性。
另外，在本實施方式中，在由玻璃、塑膠等形成的基底上製造發光元件。藉由在一塊基底上製造多個這種發光 元件，可以製造無源矩陣型發光裝置。此外，也可以在由玻璃、塑膠等形成的基底上形成例如薄膜電晶體(TFT)，在與TFT電連接的電極上製造發光元件。由此，可以製造由TFT控制發光元件驅動的有源矩陣型發光裝置。另外，對於TFT的結構沒有特別限制，可以是交錯型的TFT或反交錯型的TFT。此外，形成在TFT基底上的驅動用電路可以由n型及p型的TFT構成，也可以僅使用n型及p型中的任一種TFT構成。此外，對於用於TFT的半導體膜的結晶性也沒有特別限制，可以使用非晶半導體膜或結晶半導體膜。另外，也可以使用單晶半導體膜。單晶半導體膜可以使用智慧剝離法等來製造。
由於本發明的發光元件具有包含無機化合物和鹵素原子的層或包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的層，因此可以抑制水分侵入到EL層中，而不容易退化並且具有長使用壽命。
另外，本實施方式可以適當地與其他實施方式組合組合。
實施方式2
在本實施方式中，使用圖2說明提供有第二密封層的發光元件。
在本實施方式中，發光元件包括第一電極101、第二電極102、提供在第一電極101和第二電極102之間的EL層103、形成在第二電極102上的第一密封層121、以及形成 在第一密封層121上的第二密封層122。換言之，本實施方式示出具有第二密封層的發光元件，第二密封層形成為覆蓋實施方式1所示的發光元件。
第二密封層122是由無機化合物構成的鈍化膜，其使水分或氧透過的比率低，並且優越於機械強度。具體而言，可以使用氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或DLC(類金剛石碳)等。另外，也可以使用組合了這些膜中的兩種以上而成的疊層膜。
需要在減少對於發光元件的熱損傷的同時形成第二密封層122。具體而言，成膜時的基底溫度最好為100℃或更小。
另外，作為第二密封層122的製造方法，可以應用電漿CVD法、濺射法、真空蒸鍍法等。
通常，當直接在第二電極上製造鈍化膜時，有由於鈍化膜的應力而在第二電極和EL層之間產生膜的剝離的擔憂，然而，在本實施方式中，因為第一密封層121具有緩和應力的功能，所以可以緩和由於應力而導致的EL層的損傷。
另外，第一密封層121由於是低結晶性的非晶狀的膜，所以不容易產生缺陷，但是，其使水分或氧透過的比率比鈍化膜低。另一方面，對於無機化合物的鈍化膜而言，雖然其使水分或氧透過的比率低，但卻容易產生裂縫或針孔，而且這些缺陷會允許水分或氧透過。於是，藉由組合第一密封層121和第二密封層122，即使在水分因為無 機化合物的鈍化膜的缺陷而透過時，也可以由第一密封層121防止水分侵入到EL層中。
由於本發明的發光元件包括包含無機化合物和鹵素原子的層或包含有機化合物、無機化合物和鹵素原子的層、以及鈍化膜，所以可以抑制水分侵入到EL層中，從而不容易退化並且具有長使用壽命。
另外，本實施方式可以適當地與其他實施方式組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖3對具有層疊了多個發光單元的結構的本發明的發光元件(以下稱為疊層型元件)進行說明。該發光元件為在第一電極和第二電極之間具有多個發光單元的疊層型發光元件。作為各發光單元的結構，可以採用與實施方式1中所示的EL層相同的結構。即，實施方式1中所示的發光元件是具有一個發光單元的發光元件。發光單元至少包括發光層即可，而其他層的疊層結構沒有特別限定。在本實施方式中，對具有多個發光單元的發光元件進行說明。
在圖3中，在第一電極301和第二電極302之間層疊有第一發光單元311、電荷產生層313和第二發光單元312。第一電極301和第二電極302可以採用與實施方式1或實施方式2相同的電極。此外，第一發光單元311和第二發光單元312可以具有相同的結構或不同的結構，其結構可以採用與實施方式1相同的結構。
電荷產生層313含有有機化合物和無機化合物的複合材料。該有機化合物和無機化合物的複合材料是實施方式1中所示的複合材料，其含有有機化合物和氧化釩、氧化鉬、氧化鎢等的金屬氧化物。作為有機化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、聚合物化合物(低聚物、樹狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。另外，作為有機化合物，最好應用其電洞遷移率為10-6cm2/(V．s)以上的物質。但是，只要其電洞傳輸性高於其電子傳輸性，還可以使用其他物質。由於有機化合物和無機化合物的複合材料具有優異的載流子注入性及載流子傳輸性，所以可以實現低電壓驅動及低電流驅動。
另外，電荷產生層313也可以組合有機化合物和無機化合物的複合材料與其他材料而形成。例如，也可以組合含有有機化合物和無機化合物的複合材料的層與含有選自給電子性物質中的一種化合物和具有高電子傳輸性的化合物的層而形成。此外，還可以組合含有有機化合物和無機化合物的複合材料的層與透明導電膜而形成。
在任何情況下，夾在第一發光單元311和第二發光單元312之間的電荷產生層313，在對第一電極301和第二電極302施加電壓時，向一側的發光單元注入電子並對另一側的發光單元注入電洞即可。例如，在施加電壓使得第一電極的電位比第二電極的電位高的情況下，只要向第一發光單元311注入電子而向第二發光單元312注入電洞，電荷產生層313就可以具有任何結構。
在本實施方式中，雖然對具有兩個發光單元的發光元件進行了說明，但也可以同樣地應用於層疊有三個或更多的發光單元的發光元件。如本實施方式的發光元件，藉由在一對電極之間設置多個發光單元並用電荷產生層隔開，可以實現在保持低電流密度的同時，可以在高亮度區域獲得發光，因此實現長使用壽命。另外，將照明作為應用例的情況下，因為可以減少由於電極材料的電阻導致的電壓降，所以可以實現大面積的均勻發光。此外，可以實現能夠進行低電壓驅動且耗電量低的發光裝置。
另外，藉由使各發光單元的發光顏色不同，可以在發光元件的整體上獲得所希望顏色的發光。例如，在具有兩個發光單元的發光元件中，藉由使第一發光單元的發光顏色和第二發光單元的發光顏色處於補色的關係，也可以獲得在發光元件的整體上進行白色發光的發光元件。注意，補色是指顏色之間的一種關係，其中在混合時呈現無色。也就是說，若混合發射處於補色關係的顏色的光的物質的發光，可以獲得白色發光。而且，具有三個發光單元的發光元件也與上述情況同樣，例如，在第一發光單元的發光顏色為紅色、第二發光單元的發光顏色為綠色、第三發光單元的發光顏色為藍色的情形中，在發光元件的整體上可以獲得白色發光。
另外，本實施方式中所示的發光元件也藉由如實施方式1及實施方式2中所示那樣用第一密封層覆蓋，可以抑制水分侵入到發光元件中，從而不容易退化。因此，可以獲 得長使用壽命的發光元件。另外，藉由使用第一密封層和第二密封層，可以更高效地抑制水分侵入到發光元件中。
另外，本實施方式可以適當地與其他實施方式組合。
實施方式4
在本實施方式中，對具有本發明的發光元件的發光裝置進行說明。
在本實施方式中，使用圖4A和4B對在其像素部具有本發明的發光元件的發光裝置進行說明。另外，圖4A是發光裝置的俯視圖，圖4B是沿A-A’及B-B’切斷圖4A而得到的截面圖。該發光裝置包括由虛線表示的驅動電路部(源極側驅動電路)401、像素部402、驅動電路部(閘極側驅動電路)403作為控制發光元件的發光的單元。此外，附圖標記420表示密封層，附圖標記404表示密封基底，附圖標記405表示密封劑，由密封劑405圍繞的內側形成空間407。
另外，引導佈線408是用來傳送輸入到源極側驅動電路401及閘極側驅動電路403的信號的佈線，從作為外部輸入端的FPC(撓性印刷電路)409接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、重定信號等。另外，雖然這裏僅示出了FPC，但該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置除了發光裝置主體以外，還包括該主體安裝有FPC或PWB的狀態。
接下來，使用圖4B說明截面結構。在元件基底410上 形成有驅動電路部及像素部，這裏示出了作為驅動電路部的源極側驅動電路401和像素部402中的一個像素。
另外，源極側驅動電路401形成有組合了N溝道型TFT423和P溝道型TFT424的CMOS電路。此外，驅動電路也可以使用各種CMOS電路、PMOS電路或者NMOS電路來形成。此外，雖然在本實施方式中示出了在形成有像素部的基底上形成驅動電路的驅動器一體型，但是這並不是必須的，也可以將驅動電路形成在外部而不是形成在形成有像素部的基底上。
此外，像素部402由多個包括開關用TFT411、電流控制用TFT412、電連接到其汲極的第一電極413的像素形成。另外，形成了絕緣物41以覆蓋第一電極413的端部4。在此，藉由使用正型感光性丙烯酸樹脂膜來形成絕緣物414。
此外，為了獲得良好的被覆性，在絕緣物414的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在使用正型感光性丙烯酸樹脂作為絕緣物414的材料的情況下，最好只使絕緣物414的上端部為具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，作為絕緣物414，可以使用藉由照射光而對蝕刻劑呈不溶解性的負型樹脂及藉由照射光而對蝕刻劑呈溶解性的正型樹脂中的任一種。
在第一電極413上分別形成有EL層416以及第二電極417。在這裏，作為用於第一電極413的材料，可以使用各種金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物。在將第 一電極用作陽極的情況下，最好使用具有高功函數(功函數為4.0eV或更高)的金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物等。例如，除了含矽的氧化銦-氧化錫膜、氧化銦-氧化鋅膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等的單層膜之外，還可以使用疊層膜，如氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層；以及氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。另外，當採用疊層結構時，作為佈線的電阻低，可以實現良好的歐姆接觸，並且可以使其發揮作為陽極的功能。
此外，EL層416藉由使用蒸鍍掩模的蒸鍍法、噴墨法、旋塗法等各種方法來形成。EL層416可以應用實施方式1及實施方式3中所示的結構。此外，作為構成EL層416的材料，也可以使用低分子化合物及聚合物化合物(包括低聚物、樹枝狀聚合物)中的任一種。另外，作為用於EL層的材料，不僅可以使用有機化合物，還可以使用無機化合物。
另外，作為用於第二電極417的材料，可以使用各種金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物。在將第二電極用作陰極的情況下，最好使用具有低功函數(功函數為3.8eV或更低)的金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物等。例如，可以舉出屬於元素周期表中第1族或第2族的元素，即鋰(Li)或銫(Cs)等鹼金屬；鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr)等鹼土金屬；以及包含這些的合金(MgAg、AlLi)等。另外，當使在EL層416產生 的光透過第二電極417時，作為第二電極417，可以使用減小了膜厚的金屬薄膜和透明導電膜(氧化銦-氧化錫(ITO)、含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(IZO)、含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦(IWZO)等)的疊層。
另外，以覆蓋第二電極417的方式形成有第一密封層420。第一密封層420對應於實施方式1中所示的第一密封層121。藉由提供第一密封層420，可以抑制水分侵入到發光元件中(即，水分侵入到EL層中)，從而可以獲得不容易退化且長使用壽命的發光裝置。另外，提供實施方式2中所示的第二密封層122，藉以覆蓋第一密封層121，可以更高效地抑制水分侵入到發光元件中。
另外，藉由用密封劑405將密封基底404和元件基底410貼合在一起，從而形成在由元件基底410、密封基底404以及密封劑405圍繞而成的空間407中具有發光元件418的結構。另外，在空間407中填充有填充劑，除了填充惰性氣體(氮或氬等)的情況以外，還有填充密封劑405的情況。
另外，對於密封劑405最好使用環氧類樹脂。此外，這些材料最好為盡可能地不透過水分、氧的材料。此外，作為用於密封基底404的材料，除了玻璃基底、石英基底以外，還可以使用由FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics；玻璃纖維增強塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等構成的塑膠基底。
以上述方式，可以獲得具有本發明的發光元件的發光裝置。
由於本發明的發光裝置具有實施方式1至實施方式3中所示的發光元件，所以抑制由於水分而導致的退化，從而具有長使用壽命。
另外，在圖4A與圖4B的結構中，由於在用第一密封層420密封之後還用密封基底404進一步密封，所以抑制水分侵入到發光元件中的效果高。在具有從密封基底404側提取光線的結構的情況下，不容易在空間407中提供用於抑制發光元件的退化的乾燥劑等。由此，為了抑制水分侵入到發光元件中，採用圖4A與圖4B所示的結構是更有效的。
另外，由於通過提供第一密封層420，可以抑制水分侵入到發光元件中，因此不必須提供密封基底404。圖5A與5B示出了不提供密封基底404的情況的發光裝置的結構。在元件基底410為具有撓性的基底的情況下，圖5A與5B的結構很有效。如實施方式1及實施方式2中所示，第一密封層420具有撓性且具有緩和應力的效果。因此，在元件基底410具有撓性的情況下，最好採用不提供密封基底404而由第一密封層420進行密封的結構。另外，如圖5A與5B所示，也可以以覆蓋第一密封層420的方式提供第二密封層421。藉由提供第二密封層421，可以進一步抑制水分侵入到發光元件中。
實施方式5
在本實施方式中，對在其一部分包括實施方式5中所示的發光裝置的本發明的電子設備進行說明。本發明的電子設備包括實施方式1至實施方式3中所示的發光元件的顯示部。
作為具有使用本發明的發光元件製造的發光元件的電子設備，可以舉出影像拍攝裝置如攝像機或數位相機等、護目鏡型顯示器、導航系統、聲音再現裝置(車載音響、身歷聲組合音響等)、電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(攜帶型電腦、移動電話、攜帶型遊戲機或電子圖書等)、具有記錄介質的圖像再現裝置(具體為再現數位通用光碟(DVD)等記錄介質且具有可以顯示其圖像的顯示裝置的裝置)等。圖6A至6D示出這些電子設備的具體例子。
圖6A是根據本發明製造的電視裝置，包括框體9101、支撐台9102、顯示部9103、揚聲器部9104、視頻輸入端子9105等。在該電視裝置中，顯示部9103藉由將與實施方式1至實施方式3中所說明的發光元件同樣的發光元件排列成矩陣狀而構成。該發光元件具有由於水分而導致的退化小且使用壽命長的特徵，並且具有耗電量低的特徵。因為由該發光元件構成的顯示部9103也具有同樣的特徵，所以所述電視裝置的使用壽命長，並且實現了低耗電量化。由於這種特徵，在電視裝置中可以大幅地削減或縮小電源電路，因此可以實現框體9101和支撐台9102的小型輕量化。由於 根據本發明製造的電視裝置實現了低耗電量、高圖像質量以及小型輕量化，因此可以提供適合於居住環境的產品。
圖6B是根據本發明製造的電腦，包括主體9201、框體9202、顯示部9203、鍵盤9204、外部連接埠9205、定位裝置9206等。在該電腦中，顯示部9203藉由將與實施方式1至實施方式3中所說明的發光元件同樣的發光元件排列成矩陣狀而構成。該發光元件具有由於水分而導致的退化小且使用壽命長的特徵，並且具有耗電量低的特徵。因為由該發光元件構成的顯示部9203也具有同樣的特徵，所以所述電腦的使用壽命長，並且實現了低耗電量化。由於這種特徵，在電腦中可以大幅地削減或縮小電源電路，因此可以實現主體9201或框體9202的小型輕量化。由於根據本發明製造的電腦實現了低耗電量、高圖像質量以及小型輕量化，因此可以提供適合於環境的產品。
圖6C是根據本發明製造的移動電話，包括主體9401、框體9402、顯示部9403、聲音輸入部9404、聲音輸出部9405、操作鍵9406、外部連接埠9407、天線9408等。在該移動電話中，顯示部9403藉由將與實施方式1至實施方式3中所說明的發光元件同樣的發光元件排列成矩陣狀而構成。該發光元件具有由於水分而導致的退化小且使用壽命長的特徵，並且具有耗電量低的特徵。因為由該發光元件構成的顯示部9403也具有同樣的特徵，所以所述移動電話的使用壽命長，並且實現了低耗電量化。由於這種特徵，在移動電話中可以大幅地削減或縮小電源電路，因此可以 實現主體9401或框體9402的小型輕量化。由於根據本發明製造的移動電話實現了低耗電量、高圖像質量以及小型輕量化，因此可以提供適合於攜帶的產品。
圖6D是根據本發明製造的影像拍攝裝置，包括主體9501、顯示部9502、框體9503、外部連接埠9504、遙控接收部9505、影像接收部9506、電池9507、聲音輸入部9508、操作鍵9509、取景部9510等。在該影像拍攝裝置中，顯示部9502藉由將與實施方式1至實施方式3中所說明的發光元件同樣的發光元件排列成矩陣狀而構成。該發光元件具有由於水分而導致的退化小且使用壽命長的特徵，並且具有耗電量低的特徵。因為由該發光元件構成的顯示部9502也具有同樣的特徵，所以所述影響拍攝裝置的使用壽命長，並且實現了低耗電量化。由於這種特徵，在影像拍攝裝置中可以大幅地削減或縮小電源電路，因此可以實現主體9501的小型輕量化。由於根據本發明的影像拍攝裝置實現了低耗電量、高圖像質量以及小型輕量化，因此可以提供適合於攜帶的產品。
如上所述，本發明的發光裝置的應用範圍很廣泛，將該發光裝置可以應用於各種領域的電子設備。藉由使用本發明的發光元件，可以提供具有由於水分而導致的退化少且使用壽命長的顯示部的電子設備。另外，可以提供具有低耗電量的顯示部的電子設備。
此外，本發明的發光裝置也可以用作照明裝置。參照圖7對將本發明的發光裝置用作照明裝置的一種形態進行 說明。
圖7是將本發明的發光裝置用作背光燈的液晶顯示裝置的一個例子。圖7所示的液晶顯示裝置包括框體901、液晶層902、背光燈903以及框體904，液晶層902與驅動器IC905連接。此外，作為背光燈903使用本發明的發光裝置，通過端子906供應電流。
藉由將本發明的發光裝置用作液晶顯示裝置的背光燈，可以獲得不容易退化且使用壽命長的背光燈。此外，本發明的發光裝置是面發光的照明裝置，也可以實現大面積化，因此可以實現背光燈的大面積化，同時也可以實現液晶顯示裝置的大面積化。另外，本發明的發光裝置由於是薄型的且耗電量低，因此也可以實現顯示裝置的薄型化、低耗電量化。
圖8是將應用本發明的發光裝置用作作為照明裝置的臺燈的例子。圖8所示的臺燈包括框體2001和光源2002，作為光源2002使用本發明的發光裝置。本發明的發光裝置可以實現高亮度的發光，所以當作精細工作時等，可以將手的周圍照亮。另外，本發明的發光裝置不容易退化且其使用壽命長。
圖9為將應用本發明的發光裝置用作室內照明裝置3001的例子。由於本發明的發光裝置可以實現大面積化，所以可以用作大發光面積的照明裝置。此外，本發明的發光裝置由於是薄型的且耗電量低，因此可以用作薄型化、低耗電量化的照明裝置。像這樣，可以在將應用本發明的 發光裝置用作室內照明裝置3001的房間內設置圖6A所說明的本發明的電視裝置，來欣賞廣播或電影。在此情況下，由於兩個裝置的耗電量都低，所以可以不必擔心電費而在明亮的房間欣賞扣人心弦的影像。
本說明書根據2007年6月28日在日本專利局申請的日本專利申請編號2007-170319而製作，所述申請內容包括在本說明書中。
100‧‧‧基底
101‧‧‧第一電極
102‧‧‧第二電極
103‧‧‧EL層
111‧‧‧電洞注入層
112‧‧‧電洞傳輸層
113‧‧‧發光層
114‧‧‧電子傳輸層
115‧‧‧電子注入層
121‧‧‧第一密封層

Claims (20)

  1. 一種發光元件，包括：疊層結構體，包括形成於基底上的第一電極、形成於該第一電極上的第一EL層、形成於該第一EL層上的第二EL層、及形成於該第二EL層上的第二電極；以及第一密封層，形成以覆蓋該疊層結構體，其中，該第一密封層包含無機化合物、有機化合物及鹵素原子，且其中，該有機化合物為芳香胺化合物、咔唑衍生物及芳香烴中的任一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，復包括形成以覆蓋該第一密封層之第二密封層。
  3. 如申請專利範圍第2項之發光元件，其中，該第二密封層為包括無機材料的無機鈍化膜。
  4. 如申請專利範圍第3項之發光元件，其中，該無機鈍化膜包括氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、及類金剛石碳(DLC)中的任一者。
  5. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，該無機化合物包括氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、及氧化錸中的任一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，該鹵素原子為氟原子。
  7. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，該鹵素原子的濃度為大於或等於1×1020atoms/cm3且小於或等於 1×1021atoms/cm3。
  8. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，該第一密封層的厚度為大於或等於0.05μm且小於或等於10μm。
  9. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，該基底為撓性的。
  10. 一種發光裝置，包括如申請專利範圍第1項之發光元件。
  11. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第10項之發光裝置。
  12. 一種發光裝置，包括：佈線，於第一基底上；第一電極，於該第一基底上；絕緣物，於該第一電極上；EL層，於該絕緣物上；第二電極，於該EL層上；第一密封層，於該第二電極上且包括無機化合物、有機化合物及鹵素原子，其中該第一密封層由添加該鹵素原子至具有該無機化合物及該有機化合物的層中形成；密封材料，於該佈線上且與該佈線接觸；以及第二基底，藉由該密封材料附接至該第一基底，其中，該第一密封層覆蓋該絕緣物及該第二電極，且其中，該EL層包含，包括該無機化合物及該有機化合物的電洞注入層。
  13. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，該佈 線與該第一密封層接觸。
  14. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，該有機化合物為咔唑衍生物或芳香烴。
  15. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，該第一密封層復包括氧化鉬。
  16. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，其中，該密封材料包括環氧類樹脂。
  17. 如申請專利範圍第12項之發光裝置，復包括於該第一密封層上的第二密封層，其中，該第二密封層包括無機材料，且其中，該無機材料為氮化矽、氮氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、及類金剛石碳(DLC)中的任一者。
  18. 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第12項之發光裝置。
  19. 一種照明裝置，包括如申請專利範圍第12項之發光裝置。
  20. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第12項之發光裝置。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875881B2 (en) 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP2008311059A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Rohm Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP5208591B2 (ja) * 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
JP2009037813A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置の製造方法
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
KR101707430B1 (ko) * 2009-05-29 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자기기
JP2011139044A (ja) 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US8618731B2 (en) * 2010-05-18 2013-12-31 General Electric Company Large-area flexible OLED light source
JPWO2012023177A1 (ja) * 2010-08-17 2013-10-28 パイオニア株式会社 有機発光素子
KR20120042365A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101811341B1 (ko) * 2010-12-09 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2012182443A (ja) 2011-02-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び発光装置
CN102420194B (zh) * 2011-04-29 2014-06-04 上海华力微电子有限公司 集成电路钝化层及其制造方法
US8853070B2 (en) * 2012-04-13 2014-10-07 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
TWI528579B (zh) * 2012-04-18 2016-04-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體元件
US9673014B2 (en) * 2012-07-13 2017-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing display panel
KR101470493B1 (ko) * 2013-02-01 2014-12-08 주성엔지니어링(주) 다중 봉지층을 구비하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
CN104037334A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US9494792B2 (en) * 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9287522B2 (en) 2013-07-30 2016-03-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9385342B2 (en) 2013-07-30 2016-07-05 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
KR102136790B1 (ko) * 2013-11-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN103887446A (zh) * 2014-03-10 2014-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构及其封装方法、发光器件
KR101802574B1 (ko) * 2014-03-28 2017-12-01 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) * 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106531904A (zh) * 2016-11-22 2017-03-22 武汉船舶通信研究所 Oled显示器件封装及封装方法
EP4140256A1 (en) * 2020-04-21 2023-03-01 Nicholas Peter Hart Electroluminescent light system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234291A (ja) * 2001-11-28 2003-08-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
TW200304337A (en) * 2001-12-20 2003-09-16 Univ Princeton Organic optoelectronic device structures
TWI273859B (en) * 2001-10-30 2007-02-11 Seiko Epson Corp Manufacturing method for laminated film, electro-optical device, manufacturing method for electro-optical device, manufacturing method for organic electroluminescent device, and electronic apparatus

Family Cites Families (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US651310A (en) * 1899-09-21 1900-06-05 Meinecke & Company Bed or douche pan.
US677621A (en) * 1900-12-04 1901-07-02 Carl N Bargquist Bundle-carrying attachment for harvesters.
US4599538A (en) * 1982-09-30 1986-07-08 Gte Prod Corp Electroluminescent display device
JP2742057B2 (ja) * 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5189405A (en) * 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH0329291A (ja) * 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム
JP2926845B2 (ja) 1990-03-23 1999-07-28 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP2650519B2 (ja) * 1991-07-25 1997-09-03 株式会社日立製作所 横型絶縁ゲートトランジスタ
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE4325885A1 (de) * 1993-08-02 1995-02-09 Basf Ag Elektrolumineszierende Anordnung
JPH07169567A (ja) 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
EP0781075B1 (en) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Method for sealing organic el element and organic el element
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
DE69623443T2 (de) * 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
TW439003B (en) * 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
TW309633B (zh) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
ZA974261B (en) 1996-05-17 1997-11-17 Canon Kk Photovoltaic device and process for the production thereof.
DE69707233T2 (de) 1996-05-28 2002-07-11 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente vorrichtung
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
EP1758169A3 (en) * 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP3297619B2 (ja) 1996-12-18 2002-07-02 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌカラーディスプレイ
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5990629A (en) 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
KR100266532B1 (ko) 1997-02-03 2000-09-15 가네꼬 히사시 유기 el 소자
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
US5953094A (en) 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH10321374A (ja) 1997-05-20 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JPH11153800A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子用シール剤および該シール剤を用いた液晶表示素子
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
JPH11251067A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH11307259A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
WO2000001203A1 (fr) 1998-06-26 2000-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif luminescent
US6172459B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
DE60035078T2 (de) * 1999-01-15 2008-01-31 3M Innovative Properties Co., St. Paul Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4198253B2 (ja) 1999-02-02 2008-12-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
HUP0200536A2 (en) * 1999-04-28 2002-06-29 Du Pont Electroluminescent display, photo sensor and method for improving oxygen and moisture resistance of an organic electronic device
JP2000315581A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4420486B2 (ja) 1999-04-30 2010-02-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
TW465119B (en) 1999-07-23 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6660409B1 (en) 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP3942770B2 (ja) 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
US6833668B1 (en) 1999-09-29 2004-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display device having a desiccant
KR20010050711A (ko) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
JP2001118674A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機ｅｌ表示装置
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
JP3409762B2 (ja) * 1999-12-16 2003-05-26 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI249363B (en) * 2000-02-25 2006-02-11 Seiko Epson Corp Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6515310B2 (en) * 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
JP2001332741A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
US6940223B2 (en) 2000-07-10 2005-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
JP2002033186A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Stanley Electric Co Ltd 有機発光素子
WO2002014244A1 (fr) * 2000-08-10 2002-02-21 Mitsui Chemicals, Inc. Compose d'hydrocarbure, materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent
JP3501218B2 (ja) 2000-08-11 2004-03-02 日本電気株式会社 フラットパネル表示モジュール及びその製造方法
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
WO2002017689A1 (fr) 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2002175877A (ja) * 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US6924594B2 (en) 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6664732B2 (en) * 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP4147008B2 (ja) 2001-03-05 2008-09-10 株式会社日立製作所 有機ｅｌ素子に用いるフィルム及び有機ｅｌ素子
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6734463B2 (en) * 2001-05-23 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a window
JP3773423B2 (ja) 2001-06-11 2006-05-10 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017244A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
US6737753B2 (en) * 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
US6852997B2 (en) * 2001-10-30 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100483988B1 (ko) * 2001-11-29 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 투명도전막의 투과도 변형방법
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2003203771A (ja) 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子、表示装置及び照明装置
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP4046512B2 (ja) * 2002-01-25 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6936131B2 (en) 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
CN101336021A (zh) * 2002-02-12 2008-12-31 出光兴产株式会社 有机el显示装置及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
KR100563675B1 (ko) * 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지
US6819044B2 (en) 2002-04-10 2004-11-16 Tdk Corporation Thin-film EL device and composite substrate
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US6728278B2 (en) * 2002-05-23 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser array device
GB2404276B (en) * 2002-05-23 2005-08-10 Fuji Electric Holdings Co Organic display
US6792333B2 (en) 2002-06-04 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Product management method, program for performing product management, and storage medium having recorded the program therein
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
US6911772B2 (en) 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
KR100473591B1 (ko) 2002-07-18 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
GB0217900D0 (en) 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
US6710542B2 (en) * 2002-08-03 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device with improved moisture seal
TWI304706B (zh) 2002-08-30 2008-12-21 Au Optronics Corp
JP2004134395A (ja) 2002-09-20 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置
US7158161B2 (en) * 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
GB0222649D0 (en) * 2002-09-30 2002-11-06 Microemissive Displays Ltd Passivation layer
US7015639B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes
KR20050088445A (ko) 2002-12-18 2005-09-06 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 소자를 이용한 노광 장치 및 화상 형성 장치
WO2004057920A1 (ja) * 2002-12-19 2004-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置及び表示装置の作製方法
JP2004207084A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI228941B (en) 2002-12-27 2005-03-01 Au Optronics Corp Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof
JP2004237655A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Kureha Chem Ind Co Ltd 交互積層防湿膜、その製造方法及び透明電極板付きの交互積層防湿膜
JP2004341173A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Toray Ind Inc ディスプレイ表示パネル
JP4624653B2 (ja) 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4407169B2 (ja) * 2003-06-20 2010-02-03 カシオ計算機株式会社 封止方法及び封止構造
JP2005019074A (ja) 2003-06-24 2005-01-20 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器
US20050006640A1 (en) * 2003-06-26 2005-01-13 Jackson Warren B. Polymer-based memory element
JP2005019269A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Three Bond Co Ltd 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子貼合わせ用樹脂組成物
JP2005026121A (ja) 2003-07-03 2005-01-27 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法並びに有機ｅｌディスプレイ
JP4396163B2 (ja) 2003-07-08 2010-01-13 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
WO2005006460A1 (en) 2003-07-09 2005-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
KR101286219B1 (ko) 2003-09-26 2013-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자의 제조방법
JP4683829B2 (ja) 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4243237B2 (ja) * 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
ATE433200T1 (de) 2003-12-16 2009-06-15 Panasonic Corp Organisches elektrolumineszenzbauelement und herstellungsverfahren dafür
JP2005203339A (ja) 2003-12-16 2005-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
US7692378B2 (en) * 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
KR101173713B1 (ko) * 2004-04-28 2012-08-13 니폰 제온 가부시키가이샤 적층체, 발광 소자 및 그의 사용
US20050248270A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Eastman Kodak Company Encapsulating OLED devices
US7202504B2 (en) * 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US7214600B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Method to improve transmittance of an encapsulating film
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US8217396B2 (en) * 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
JP2006054147A (ja) * 2004-08-16 2006-02-23 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US20060066234A1 (en) * 2004-09-29 2006-03-30 Chun-Chung Lu Organic electro-luminescent display panel and method of fabricating the same
US7952089B2 (en) * 2004-10-22 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006172818A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Canon Inc 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子アレイそして有機ｅｌ素子の充填封止方法
JP2006222071A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP5137330B2 (ja) 2005-05-20 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、および電子機器
EP1724852A3 (en) 2005-05-20 2010-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US20060273309A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Jian Wang Workpiece including electronic components and conductive members
WO2006134812A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法
US20070020451A1 (en) 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
JP4631600B2 (ja) 2005-08-22 2011-02-16 株式会社豊田中央研究所 有機電界発光素子
JP2007066691A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Univision Technology Inc 表示装置の組立基板及びその製造方法
CN101263126B (zh) * 2005-09-12 2013-11-20 株式会社半导体能源研究所 喹喔啉衍生物和使用它的发光元件，发光装置及电子设备
JP4804289B2 (ja) * 2005-09-29 2011-11-02 キヤノン株式会社 表示装置
JP4795779B2 (ja) * 2005-11-09 2011-10-19 株式会社アルバック 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2007141685A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd 封止構造体及び封止構造体の製造方法
JP4939176B2 (ja) * 2005-12-22 2012-05-23 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
US7875881B2 (en) * 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20080290798A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Mark Alejandro Quesada LLT barrier layer for top emission display device, method and apparatus
KR101482760B1 (ko) * 2007-06-14 2015-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조 방법
US8093806B2 (en) * 2007-06-20 2012-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5208591B2 (ja) * 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
WO2009126115A1 (en) * 2008-04-09 2009-10-15 Agency For Science, Technology And Research Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI273859B (en) * 2001-10-30 2007-02-11 Seiko Epson Corp Manufacturing method for laminated film, electro-optical device, manufacturing method for electro-optical device, manufacturing method for organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2003234291A (ja) * 2001-11-28 2003-08-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
TW200304337A (en) * 2001-12-20 2003-09-16 Univ Princeton Organic optoelectronic device structures

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