JP2014150071A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014150071A JP2014150071A JP2014083582A JP2014083582A JP2014150071A JP 2014150071 A JP2014150071 A JP 2014150071A JP 2014083582 A JP2014083582 A JP 2014083582A JP 2014083582 A JP2014083582 A JP 2014083582A JP 2014150071 A JP2014150071 A JP 2014150071A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- electrode
- emitting element
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 60
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 39
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 216
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 78
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 7
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 4
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAKLERWTIRKTRX-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[O-2].[In+3] Chemical compound [O-2].[In+3].[O-2].[In+3] HAKLERWTIRKTRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N europium(3+) 1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu+3].c1cnc2c(c1)ccc1cccnc21 ADHNFLCTOCFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- RVQAXMNSKHFMNS-UHFFFAOYSA-N 1,10-phenanthroline;terbium Chemical compound [Tb].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RVQAXMNSKHFMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,2-tris(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C(C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracene Chemical compound C=12C=CC=CC2=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C2=CC(C(C)(C)C)=CC=C2C=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 MNHPNCZSKTUPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C=C21 WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 1
- HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 4-n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 HGHBHXZNXIDZIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 4-n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-1-n,1-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLNDKWAYVMOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(4-methylnaphthalen-1-yl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C)C2=CC=CC=C12 YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)-10-[10-(2-phenylphenyl)anthracen-9-yl]anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHHVAYSSBGRKDU-UHFFFAOYSA-N 9-N,9-N,21-N,21-N-tetrakis(4-methylphenyl)-5,15-diphenylheptacyclo[12.10.1.13,7.02,12.018,25.019,24.011,26]hexacosa-1,3(26),4,6,8,10,12,14,16,18(25),19(24),20,22-tridecaene-9,21-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3[C]4C5=CC(=CC6=CC(=CC([C]56)=C4C=C4C(C=5C=CC=CC=5)=CC=C2C=34)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 KHHVAYSSBGRKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)-2,3,5,6-tetraphenylphenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C1=CC=CC=C1 ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(10-phenylanthracen-9-yl)anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn]=O Chemical compound [Si]=O.[Sn]=O SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N ctk3i0272 Chemical group C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C(=C(C=5C=CC=CC=5)C(C=5C=CC=CC=5)=C(C=5C=CC=CC=5)C=4C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N n-Nitrosodimethylamine Chemical compound CN(C)N=O UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N pyrazol-1-yloxyboronic acid Chemical compound OB(O)ON1C=CC=N1 VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
Abstract
置および電子機器を提供することを目的とする。また、劣化しにくい発光素子の作製方法
を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の電極間にEL層を有する発光素子を、無機化合物とハロゲン原子とを
含む層、もしくは有機化合物と無機化合物とハロゲン原子とを含む層を用いて覆うことで
、水分の侵入による劣化を抑制することができる。よって、長寿命の発光素子を得ること
ができる。
【選択図】図1
Description
利用した発光素子に関する。また、発光素子を有する発光装置、電子機器および発光素子
の作製方法に関する。
装置が求められており、この要求を満たすための表示装置として、自発光型である発光素
子を利用した表示装置が注目されている。自発光型の発光素子の一つとして、エレクトロ
ルミネッセンス(Electro Luminescence)を利用する発光素子があ
り、この発光素子は、発光材料を一対の電極で挟み、電圧を印加することにより、発光材
料からの発光を得ることができるものである。
クライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であ
ると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな
利点である。また、非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
積の素子を形成することにより、面発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電
球やLEDに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であ
るため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素
子と呼ばれている。
から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。
そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合
物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニ
ズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
態が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と
呼ばれている。
が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。
短く劣化しやすいという問題を抱えている。特に、外部からの水分等の侵入によって劣化
が生じると考えられおり、封止構造の検討がなされている。
、劣化しにくい発光装置および電子機器を提供することを目的とする。また、劣化しにく
い発光素子の作製方法を提供することを目的とする。
過を抑制する効果があることを見出した。よって、本発明の一は、基板上に形成された第
1の電極と、第1の電極上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極とを
有する積層構造体上に、積層構造体を覆うように形成された第1の封止層を有し、前記第
1の封止層は、無機化合物とハロゲン原子を含むことを特徴とする発光素子である。
抑制する効果があることを見出した。よって、本発明の一は、基板上に形成された第1の
電極と、第1の電極上に形成されたEL層と、EL層上に形成された第2の電極とを有す
る積層構造体上に、積層構造体を覆うように形成された第1の封止層を有し、第1の封止
層は、有機化合物と無機化合物とハロゲン原子を含むことを特徴とする発光素子である。
炭化水素、高分子化合物のいずれかであることが好ましい。
、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいず
れかであることが好ましい。
上1×1021Atoms/cm3以下であることが好ましい。
ことが好ましい。
層と、EL層上に形成された第2の電極とを有する積層構造体上に、積層構造体を覆うよ
うに形成された第1の封止層と、第1の封止層を覆うように形成された第2の封止層とを
有し、前記第1の封止層は、有機化合物と無機化合物とハロゲン原子を含み、第2の封止
層は、無機物からなる無機パッシベーション膜であることを特徴とする発光素子である。
化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、またはDLC(ダイヤモン
ドライクカーボン)のいずれかであることが好ましい。
細書中における発光装置とは、画像表示デバイスもしくは光源(照明装置を含む)を含む
。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPC(Flexible
printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated B
onding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が
取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモ
ジュール、または発光装置にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集
積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
って、本発明の電子機器は、上述した発光装置を有することを特徴とする。
上に、EL層を形成する工程と、EL層上に第2の電極を形成する工程と、第2の電極上
に第1の封止層を形成する工程とを有し、第1の封止層を形成する工程は、無機化合物を
含む層を形成する工程と、無機化合物を含む層にイオン注入法によりハロゲン原子を注入
し、無機化合物とハロゲン原子を含む層を形成する工程とを有することを特徴とする。
上にEL層を形成する工程と、EL層上に第2の電極を形成する工程と、第2の電極上に
第1の封止層を形成する工程とを有し、第1の封止層を形成する工程は、有機化合物と無
機化合物を含む層を形成する工程と、有機化合物と無機化合物を含む層に、イオン注入法
によりハロゲン原子を注入し、有機化合物と無機化合物とハロゲン原子を含む層を形成す
る工程とを有することを特徴とする。
上にEL層を形成する工程と、EL層上に第2の電極を形成する工程と、第2の電極上に
第1の封止層を形成する工程と、第1の封止層上に第2の封止層を形成する工程とを有し
、第1の封止層を形成する工程は、有機化合物と無機化合物を含む層を形成する工程と、
有機化合物と無機化合物を含む層に、イオン注入法によりハロゲン原子を注入し、有機化
合物と無機化合物とハロゲン原子を含む層を形成する工程とを有し、第2の封止層を形成
する工程は、プラズマCVD法、スパッタ法または真空蒸着法により第2の封止層を形成
することを特徴とする。
化合物とハロゲン原子を含む層を有しているため、EL層への水分の侵入を抑制すること
ができ、劣化しにくく長寿命である。
と無機化合物とハロゲン原子を含む層の他に無機パッシベーション膜を有しているため、
EL層への水分の侵入を抑制することができ、劣化しにくく長寿命である。
く長寿命である。
しにくい。
製することができる。
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同
じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
本実施の形態では、第1の封止層を設けた発光素子について説明する。
ア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を積層することによって作製
される。これらの層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように積層されて
いる。すなわち、電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように積層されたも
のである。
、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製
工程において、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよ
い。また、基板100として可撓性を有する基板を用いてもよい。
、第1の電極101と第2の電極102との間に設けられたEL層103と第2の電極上
に形成された第1の封止層121とを有する。なお、本実施の形態では、第1の電極10
1は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能するものとして、以下説明を
する。つまり、第1の電極101の電位の方が、第2の電極102の電子よりも高くなる
ように、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印加したときに発光が得られるも
のとして、以下説明をする。
が好ましい)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ま
しい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin
Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化イン
ジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン
及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金
属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製して
も構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化インジウムに対し1
〜20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成するこ
とができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO
)は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜
1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。こ
の他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(C
r)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(
Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
は正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性
(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質等を含む層を適宜組み合わせて構成すればよ
い。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合
わせて構成することができる。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。
注入層は、正孔輸送性の高い有機化合物と、電子受容性を有する無機化合物とを含む複合
材料を含む層を用いることができる。
を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。
とができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げるこ
とができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸
化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため
好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いや
すいため好ましい。
ゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等
)など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物として
は、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、
電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下で
は、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
(4−メチルフェニル)(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミ
ン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−
N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N
’,N’−ビス(3−メチルフェニル)アミノフェニル]−N−フェニル}アミノ)ビフ
ェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニ
ル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバ
ゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3
−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)
、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]
−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバ
ゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−ア
ントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(
N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用いるこ
とができる。
−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−
tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,
5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9
,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,1
0−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラ
セン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAn
th)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)
、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチルアントラセ
ン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−
テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメ
チル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,1
0’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニ
ル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフ
ェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、
ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。ま
た、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6
cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いる
ことがより好ましい。
い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−
ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−
ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
を用いることができる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポ
リ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−
[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル
)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニ
ル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分
子化合物が挙げられる。
しては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,
N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、
4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:T
DATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルア
ミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9
,9’−ビフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]−1,1’−ビフェニル(略
称:BSPB)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は
、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正
孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の
高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したも
のとしてもよい。
Dなどの高分子化合物を用いることもできる。
を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム
(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4
’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリ
ナート(略称:FIrpic)、ビス{2−[3’,5’ビス(トリフルオロメチル)フ
ェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(C
F3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナ
ト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac
))などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス(2−フェニルピリジナ
ト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニ
ルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(
ppy)2(acac))、ビス(1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミダゾラト)イ
リジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)2(acac))、ビ
ス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir
(bzq)2(acac))などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス(
2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチ
ルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac))、ビス{2−[4’−(パーフ
ルオロフェニルフェニル)]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)アセチルア
セトナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(2−フェニルベン
ゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(
bt)2(acac))などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス(2
−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq)3)、
ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナー
ト(略称:Ir(pq)2(acac))などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イ
リジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビ
ス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナ
ート(略称:Ir(piq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−
ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(F
dpq)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−
21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙
げられる。また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(
III)(略称:Tb(acac)3(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−1
,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:E
u(DBM)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフル
オロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TT
A)3(Phen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重
度間の電子遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフ
ェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾー
ル−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称
:YGAPA)などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジ
フェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(
略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2
−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PC
ABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリ
フェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス
(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニ
ル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N−[9,10−ビス(
1,1’−ビフェニル−2−イル)]−N−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フ
ェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N
,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられ
る。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル
−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。ま
た、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)
テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,13−ジフェニル−N
,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオ
ランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
の高い物質を他の物質に分散させる構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制するこ
とができる。また、発光性物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる
。
化合物よりも一重項励起エネルギー(基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差)が大
きい物質を用いることが好ましい。また、発光性物質が燐光性化合物の場合には、燐光性
化合物よりも三重項励起エネルギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)が大
きい物質を用いることが好ましい。
ノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)
アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)
ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニ
ルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリ
ン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロ
キシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2
−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオキ
サゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、
金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)
−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−ter
t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:O
XD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフ
ェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:
BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述
べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正
孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても
構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上
積層したものとしてもよい。
(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイ
ル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル
)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)など
を用いることができる。
(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアル
カリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送
性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。
例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたものを用いることができる。なお、
電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み
合わせた層を用いることは、第2の電極102からの電子注入が効率良く起こるためより
好ましい。
以下であることが好ましい)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物など
を用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族また
は第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属
、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアル
カリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユ−ロピウム(Eu)
、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。アル
カリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成するこ
とができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法
により形成することも可能である。また、銀ペーストなどを液滴吐出法などにより成膜す
ることも可能である。
により、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有
した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極102として用いること
ができる。これら導電性材料は、スパッタリング法や液滴吐出法、スピンコート法等を用
いて成膜することが可能である。
示す封止層は、酸化モリブデンや酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、
酸化マンガン等の無機化合物を含む。これらの無機化合物にハロゲン原子を添加すること
により、水分の透過を抑制することのできる封止層を形成することができる。
原子を添加することにより、水分の透過を抑制することのできる封止層を形成することが
できる。
挙げられる。なかでも、水分の透過を抑制する効果が高いため、フッ素を用いることが好
ましい。
を形成した後、ハロゲン原子を添加することにより、形成することができる。無機化合物
を含む層または有機化合物と無機化合物とを含む層は、種々の方法を用いて形成すること
ができる。例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法などの乾式法や、スピンコート法
、液滴吐出法などの湿式法などが挙げられる。
入法を用いることが好ましい。第1の封止層121に含まれるハロゲン原子の濃度は、1
×1019Atoms/cm3以上であることが好ましく、特に1×1020Atoms
/cm3以上1×1021Atoms/cm3以下であることが好ましい。
るために、0.05μm以上10μm以下の膜厚であることが好ましい。より好ましくは
、0.02μm以上1μm以下であることが望ましい。
の電極102との間に電圧を加えることにより電流が流れる。そして、発光性の高い物質
を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つ
まり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。
外部に取り出される。従って、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極である。第1の電極101のみが透光性を有する電極
である場合、光は第1の電極101を通って基板側から取り出される。また、第2の電極
102のみが透光性を有する電極である場合、光は第2の電極102を通って基板と逆側
から取り出される。第1の電極101および第2の電極102がいずれも透光性を有する
電極である場合、光は第1の電極101および第2の電極102を通って、基板側および
基板側と逆側の両方から取り出される。
影響を考慮すると、第1の電極101のみ透光性を有する電極とし、基板側からのみ光を
取り出す構成であることが好ましい。
ついて示したが、陰極として機能する第2の電極102を基板100側に設けてもよい。
例えば、基板100上に、陰極として機能する第2の電極102、EL層103、陽極と
して機能する第1の電極101とが順に積層し、EL層103は図1に示す構成とは逆の
順序に積層されている構成としてもよい。
る。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、イン
クジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の
有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。
ペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの
乾式法を用いて形成しても良い。
は、発光層は湿式法により形成することが好ましい。発光層をインクジェット法により形
成することにより、大型基板であっても発光層の塗り分けが容易となり、生産性が向上す
る。
、正孔注入層111および正孔輸送層112を湿式法であるインクジェット法やスピンコ
ート法、発光層113を湿式法であるインクジェット法、電子輸送層114および電子注
入層115を乾式法である真空蒸着法、第2の電極102を乾式法である真空蒸着法で形
成することができる。また、第2の電極を形成した後、真空蒸着法を用いて無機化合物を
含む層または有機化合物と無機化合物を含む層を成膜し、イオン注入法によりハロゲン原
子を添加して第1の封止層121を形成することができる。つまり、第1の電極101が
所望の形状で形成されている基板上に、正孔注入層111から発光層113までを湿式法
で形成し、電子輸送層114から第2の電極102および第1の封止層121までを乾式
法で形成することができる。この方法では、正孔注入層111から発光層113までを大
気圧で形成することができ、発光層113の塗り分けも容易である。また、電子輸送層1
14から第2の電極102および第1の封止層121までは、真空一貫で形成することが
できる。よって、工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリ
クス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基
板上に、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された電
極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御す
るアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定さ
れない。スタガ型のTFTでもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFT基板
に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、
若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよ
い。また、TFTに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半
導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。また、単結晶半導体膜を用い
てもよい。単結晶半導体膜は、スマートカット法などを用いて作製することができる。
合物とハロゲン原子を含む層を有しているため、EL層への水分の侵入を抑制することが
でき、劣化しにくく長寿命である。
本実施の形態では、第2の封止層を設けた発光素子について図2を用いて説明する。
電極101と第2の電極102との間に設けられたEL層103と第2の電極上に形成さ
れた第1の封止層121と第1の封止層上に形成された第2の封止層122を有する。つ
まり、本実施の形態は、実施の形態1で示した発光素子を覆うように形成された第2の封
止層を有する発光素子である。
率が低く、機械的強度に優れている膜である。具体的には、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸
化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、またはDLC(
ダイヤモンドライクカーボン)等を用いることができる。また、これらの膜を2種類以上
組み合わせた積層膜も用いることができる。
。具体的には、成膜時の基板温度は100℃以下であることが好ましい。
着法などが適用可能である。
力によって、第2の電極とEL層間で膜の剥がれが発生することが懸念されるが、本実施
の形態では、第1の封止層121が応力を緩和する働きをするため、応力によるEL層へ
のダメージを緩和することができる。
しにくいが、水分や酸素の透過率はパッシベーション膜と比較すると低い。一方、無機化
合物のパッシベーション膜は、水分や酸素の透過率が低い反面クラックやピンホールが発
生しやすく、それらの欠陥から水分や酸素が透過してくることが懸念される。そこで、第
1の封止層121と第2の封止層122を組み合わせることで、無機化合物のパッシべー
ション膜の欠陥から水分が透過した場合でも、第1の封止層121により、水分のEL層
への侵入を防止することができる。
化合物とハロゲン原子を含む層とパッシベーション膜とを有しているため、EL層への水
分の侵入を抑制することができ、劣化しにくく長寿命である。
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(以下、
積層型素子という)の態様について、図3を参照して説明する。この発光素子は、第1の
電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。各発光
ユニットの構成としては、実施の形態1で示したEL層と同様な構成を用いることができ
る。つまり、実施の形態1で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子で
ある。発光ユニットは少なくとも発光層を有していればよく、その他の層の積層構造につ
いては特に限定されない。本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子につ
いて説明する。
311、電荷発生層313、第2の発光ユニット312が積層されている。第1の電極3
01と第2の電極302は実施の形態1または実施の形態2と同様なものを適用すること
ができる。また、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312は同じ構成であ
っても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態1と同様なものを適用すること
ができる。
化合物と無機化合物の複合材料は、実施の形態1で示した複合材料であり、有機化合物と
酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物
としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(
オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。な
お、有機化合物としては、正孔移動度が10−6cm2/Vs以上であるものを適用する
ことが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のもの
を用いてもよい。有機化合物と無機化合物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性
に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。
せて形成してもよい。例えば、有機化合物と無機化合物の複合材料を含む層と、電子供与
性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせ
て形成してもよい。また、有機化合物と無機化合物の複合材料を含む層と、透明導電膜と
を組み合わせて形成してもよい。
荷発生層313は、第1の電極301と第2の電極302に電圧を印加したときに、一方
の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであ
れば良い。例えば、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧
を印加した場合、電荷発生層313は、第1の発光ユニット311に電子を注入し、第2
の発光ユニット312に正孔を注入するものであればいかなる構成でもよい。
上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本
実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で
仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であり
、そのため長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗
による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆
動が可能で消費電力が低く発光装置を実現することができる。
て、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子
において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係にな
るようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である
。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係に
ある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また
、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニ
ットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニ
ットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
示したように、第1の封止層で覆うことにより、発光素子内への水分の侵入を抑制し、劣
化しにくくすることができる。よって、長寿命の発光素子を得ることができる。また、第
1の封止層と第2の封止層を用いることにより、一層効果的に、発光素子内への水分の侵
入を抑制することができる。
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。
説明する。なお、図4(A)は、発光装置を示す上面図、図4(B)は図4(A)をA−
A’およびB−B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御す
るものとして、点線で示された駆動回路部(ソース側駆動回路)401、画素部402、
駆動回路部(ゲート側駆動回路)403を含んでいる。また、420は封止層、404は
封止基板、405はシール材であり、シール材405で囲まれた内側は、空間407にな
っている。
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプ
リントサーキット)409からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント
配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものと
する。
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路401
と、画素部402中の一つの画素が示されている。
4とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路
、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素
部が形成された基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要
はなく、駆動回路を画素部が形成された基板上ではなく外部に形成することもできる。
ドレインに電気的に接続された第1の電極413とを含む複数の画素により形成される。
なお、第1の電極413の端部を覆って絶縁物414が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物414の材料としてポジ型の感光性ア
クリル樹脂を用いた場合、絶縁物414の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)
を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物414として、光の照射によって
エッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性と
なるポジ型のいずれも使用することができる。
ている。ここで、第1の電極413に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気
伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用
いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上)金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、珪素を
含有した酸化インジウム−酸化スズ膜、酸化インジウム−酸化亜鉛膜、窒化チタン膜、ク
ロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウム
を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン
膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線として
の抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることが
できる。
法等の種々の方法によって形成される。EL層416は、実施の形態1および実施の形態
3で示した構成を適用することができる。また、EL層416を構成する材料としては、
低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)のいずれを用い
てもよい。また、EL層に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用
いてもよい。
合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合
には、その中でも、仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導
性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第
1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアル
カリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)
等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)等が挙げられる
。なお、EL層416で生じた光を第2の電極417を透過させる場合には、第2の電極
417として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(酸化インジウム−酸化スズ(I
TO)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−
酸化亜鉛(IZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZ
O)等)との積層を用いることも可能である。
封止層420は、実施の形態1で示した第1の封止層121である。第1の封止層420
を設けることにより、発光素子内への水分の侵入(つまり、EL層への水分の侵入)を抑
制することができ、劣化しにくく、長寿命の発光装置を得ることができる。また、第1の
封止層121を覆うように、実施の形態2で示した第2の封止層122を設けることによ
り、さらに効果的に、発光素子内への水分の侵入を抑制することができる。
素子基板410、封止基板404、およびシール材405で囲まれた空間407に発光素
子418が備えられた構造になっている。なお、空間407には、充填材が充填されてお
り、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材405が充填され
る場合もある。
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板404
に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Rei
nforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステル
またはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
による劣化が抑制され、長寿命である。
らに封止しており、発光素子内への水分の侵入を抑制する効果が高い構成となっている。
封止基板404側から発光を取り出す構成の場合、発光素子の劣化を抑制するための乾燥
材等を空間407に設けることが困難である。よって、発光素子内への水分の侵入を抑制
するためには、図4に示す構成にすることがより効果的である。
ことができるため、封止基板404は必ずしも設ける必要はない。図5に、封止基板40
4を設けない場合発光装置の構成を示す。図5の構成は、素子基板410が可撓性を有す
る基板である場合に有効である。実施の形態1および実施の形態2で示したように、第1
の封止層420は、可撓性を有し、応力を緩和する効果を有する。よって、素子基板41
0が可撓性を有する場合には、封止基板404を設けず、第1の封止層420により封止
する構成であることが好ましい。また、図5に示すように、第1の封止層420を覆うよ
うに第2の封止層421を設けてもよい。第2の封止層421を設けることで、発光素子
内への水分の侵入をより抑制することができる。
本実施の形態では、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器に
ついて説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1〜実施の形態3で示した発光素子を
有する表示部を有する。
、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響
再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情
報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒
体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(
DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙
げられる。これらの電子機器の具体例を図6に示す。
9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置に
おいて、表示部9103は、実施の形態1〜実施の形態3で説明したものと同様の発光素
子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、水分の侵入による劣化が
少なく、寿命が長いという特徴を有している。また、低消費電力であるという特徴を有し
ている。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレ
ビ装置は長寿命である。また、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テ
レビ装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9
101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置
は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合し
た製品を提供することができる。
9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス92
06等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1〜実施の形
態3で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発
光素子は、水分の侵入による劣化が少なく、寿命が長いという特徴を有している。また、
低消費電力であるという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9203も
同様の特徴を有するため、このコンピュータは長寿命である。また、低消費電力化が図ら
れている。このような特徴により、コンピュータにおいて、電源回路を大幅に削減、若し
くは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが
可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られ
ているので、環境に適合した製品を提供することができる。
03、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9
407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の
形態1〜実施の形態3で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成さ
れている。当該発光素子は、水分の侵入による劣化が少なく、寿命が長いという特徴を有
している。また、低消費電力であるという特徴を有している。その発光素子で構成される
表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は長寿命である。また、低消費
電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、電源回路を大幅に削
減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図
ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図
られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
3、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9
507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラ
において、表示部9502は、実施の形態1〜実施の形態3で説明したものと同様の発光
素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、水分の侵入による劣化
が少なく、寿命が長いという特徴を有している。また、低消費電力であるという特徴を有
している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、このカ
メラは長寿命である。また、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメ
ラにおいて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9501
の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び
小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光素子を用いることにより、水分の
侵入による劣化が少なく、寿命が長い表示部を有する電子機器を提供することが可能とな
る、また、低消費電力な表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
照明装置として用いる一態様を、図7を用いて説明する。
7に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体90
4を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト
903は、本発明の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている
。
く、長寿命のバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置で
あり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、同時に液晶表示
装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため
、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。
ある。図8に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002
として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は、高輝度の発光が可能
であるため、細かい作業をする場合など、手元を明るく照らすことが可能である。また、
本発明の発光装置は、劣化しにくく長寿命である。
。本発明の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることが
できる。また、本発明の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力
化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を
、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図6(A)で説明したような、本発明に
係るテレビ装置を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両
装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑
賞することができる。
101 第1の電極
102 第2の電極
103 EL層
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
121 第1の封止層
122 第2の封止層
300 基板
301 第1の電極
302 第2の電極
311 第1の発光ユニット
312 第2の発光ユニット
313 電荷発生層
401 駆動回路部(ソース側駆動回路)
402 画素部
403 駆動回路部(ゲート側駆動回路)
404 封止基板
405 シール材
407 空間
408 配線
409 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
410 素子基板
411 スイッチング用TFT
412 電流制御用TFT
413 第1の電極
414 絶縁物
416 EL層
417 第2の電極
418 発光素子
420 第1の封止層
421 第2の封止層
423 Nチャネル型TFT
424 Pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
Claims (1)
- 基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられたEL層と、
前記EL層上に設けられた第2の電極と、
前記第2の電極上の第1の層と、を有し、
前記第1の層は、無機化合物とハロゲン原子からなり、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014083582A JP5816326B2 (ja) | 2007-06-28 | 2014-04-15 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007170319 | 2007-06-28 | ||
JP2007170319 | 2007-06-28 | ||
JP2014083582A JP5816326B2 (ja) | 2007-06-28 | 2014-04-15 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013030907A Division JP2013127981A (ja) | 2007-06-28 | 2013-02-20 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239804A Division JP2015062197A (ja) | 2007-06-28 | 2014-11-27 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014150071A true JP2014150071A (ja) | 2014-08-21 |
JP5816326B2 JP5816326B2 (ja) | 2015-11-18 |
Family
ID=40159569
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008158771A Expired - Fee Related JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-06-18 | 発光装置、及び照明装置 |
JP2013030907A Withdrawn JP2013127981A (ja) | 2007-06-28 | 2013-02-20 | 発光装置 |
JP2014083582A Active JP5816326B2 (ja) | 2007-06-28 | 2014-04-15 | 発光装置 |
JP2014239804A Withdrawn JP2015062197A (ja) | 2007-06-28 | 2014-11-27 | 発光装置 |
JP2017062373A Withdrawn JP2017130464A (ja) | 2007-06-28 | 2017-03-28 | 発光装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008158771A Expired - Fee Related JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-06-18 | 発光装置、及び照明装置 |
JP2013030907A Withdrawn JP2013127981A (ja) | 2007-06-28 | 2013-02-20 | 発光装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239804A Withdrawn JP2015062197A (ja) | 2007-06-28 | 2014-11-27 | 発光装置 |
JP2017062373A Withdrawn JP2017130464A (ja) | 2007-06-28 | 2017-03-28 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8253327B2 (ja) |
JP (5) | JP5208591B2 (ja) |
CN (1) | CN101335333B (ja) |
TW (2) | TWI483645B (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7875881B2 (en) | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
JP2008311059A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP5208591B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
JP2009037813A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置の製造方法 |
US9741955B2 (en) * | 2009-05-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
KR101707430B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2017-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자기기 |
JP2011139044A (ja) | 2009-12-01 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
US8618731B2 (en) * | 2010-05-18 | 2013-12-31 | General Electric Company | Large-area flexible OLED light source |
JPWO2012023177A1 (ja) * | 2010-08-17 | 2013-10-28 | パイオニア株式会社 | 有機発光素子 |
KR20120042365A (ko) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101811341B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2012182443A (ja) | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び発光装置 |
CN102420194B (zh) * | 2011-04-29 | 2014-06-04 | 上海华力微电子有限公司 | 集成电路钝化层及其制造方法 |
US8853070B2 (en) * | 2012-04-13 | 2014-10-07 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
US9698386B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-07-04 | Oti Lumionics Inc. | Functionalization of a substrate |
TWI528579B (zh) * | 2012-04-18 | 2016-04-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體元件 |
US9673014B2 (en) * | 2012-07-13 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display panel |
KR101470493B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2014-12-08 | 주성엔지니어링(주) | 다중 봉지층을 구비하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
CN104037334A (zh) * | 2013-03-07 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
US9494792B2 (en) * | 2013-07-30 | 2016-11-15 | Global Oled Technology Llc | Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate |
US9287522B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-03-15 | Global Oled Technology Llc | Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate |
US9385342B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-07-05 | Global Oled Technology Llc | Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate |
KR102136790B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
CN103887446A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件的封装结构及其封装方法、发光器件 |
KR101802574B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2017-12-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치 |
KR102360783B1 (ko) | 2014-09-16 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102284756B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN106531904A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-03-22 | 武汉船舶通信研究所 | Oled显示器件封装及封装方法 |
EP4140256A1 (en) * | 2020-04-21 | 2023-03-01 | Nicholas Peter Hart | Electroluminescent light system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146379A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 実質的に透明でありかつ導電性を有する電極および該電極の作製方法ならびに該電極を含む有機電子デバイス |
Family Cites Families (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US651310A (en) * | 1899-09-21 | 1900-06-05 | Meinecke & Company | Bed or douche pan. |
US677621A (en) * | 1900-12-04 | 1901-07-02 | Carl N Bargquist | Bundle-carrying attachment for harvesters. |
US4599538A (en) * | 1982-09-30 | 1986-07-08 | Gte Prod Corp | Electroluminescent display device |
JP2742057B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜elパネル |
US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
JPH0329291A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 有機分散型elランプ用捕水フィルム |
JP2926845B2 (ja) | 1990-03-23 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP2650519B2 (ja) * | 1991-07-25 | 1997-09-03 | 株式会社日立製作所 | 横型絶縁ゲートトランジスタ |
US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
DE4325885A1 (de) * | 1993-08-02 | 1995-02-09 | Basf Ag | Elektrolumineszierende Anordnung |
JPH07169567A (ja) | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
EP0781075B1 (en) | 1994-09-08 | 2001-12-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for sealing organic el element and organic el element |
US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
DE69623443T2 (de) * | 1995-02-06 | 2003-01-23 | Idemitsu Kosan Co | Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben |
JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US5771562A (en) * | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
TW439003B (en) * | 1995-11-17 | 2001-06-07 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
TW309633B (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US6195142B1 (en) * | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
ZA974261B (en) | 1996-05-17 | 1997-11-17 | Canon Kk | Photovoltaic device and process for the production thereof. |
DE69707233T2 (de) | 1996-05-28 | 2002-07-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Organische elektrolumineszente vorrichtung |
US5817366A (en) | 1996-07-29 | 1998-10-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
EP1758169A3 (en) * | 1996-08-27 | 2007-05-23 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
US6127199A (en) | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
JP3297619B2 (ja) | 1996-12-18 | 2002-07-02 | ティーディーケイ株式会社 | 有機elカラーディスプレイ |
US6046543A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US5990629A (en) | 1997-01-28 | 1999-11-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent display device and a driving method thereof |
KR100266532B1 (ko) | 1997-02-03 | 2000-09-15 | 가네꼬 히사시 | 유기 el 소자 |
US6049167A (en) * | 1997-02-17 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same |
US5989737A (en) | 1997-02-27 | 1999-11-23 | Xerox Corporation | Organic electroluminescent devices |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
US5953094A (en) | 1997-04-04 | 1999-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP3290375B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
JPH10321374A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tdk Corp | 有機el素子 |
US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
JPH11153800A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子用シール剤および該シール剤を用いた液晶表示素子 |
KR100249784B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JPH11307264A (ja) | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JPH11307259A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Tdk Corp | 有機el素子 |
WO2000001203A1 (fr) | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif luminescent |
US6172459B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6214631B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-04-10 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask |
US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
DE60035078T2 (de) * | 1999-01-15 | 2008-01-31 | 3M Innovative Properties Co., St. Paul | Herstellungsverfahren eines Donorelements für Übertragung durch Wärme |
JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP4198253B2 (ja) | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
HUP0200536A2 (en) * | 1999-04-28 | 2002-06-29 | Du Pont | Electroluminescent display, photo sensor and method for improving oxygen and moisture resistance of an organic electronic device |
JP2000315581A (ja) | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP4420486B2 (ja) | 1999-04-30 | 2010-02-24 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
TW527735B (en) | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
TW465119B (en) | 1999-07-23 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
TW504941B (en) | 1999-07-23 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
US6660409B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
JP3942770B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
US6833668B1 (en) | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
KR20010050711A (ko) | 1999-09-29 | 2001-06-15 | 준지 키도 | 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법 |
JP2001118674A (ja) | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 有機el表示装置 |
US6413645B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
JP3409762B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
TWI249363B (en) * | 2000-02-25 | 2006-02-11 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
JP2001338755A (ja) | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
US6515310B2 (en) * | 2000-05-06 | 2003-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric apparatus |
JP2001332741A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sony Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2001357973A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Sony Corp | 表示装置 |
US6940223B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device |
JP2002033186A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Stanley Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
WO2002014244A1 (fr) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Compose d'hydrocarbure, materiau pour element organique electroluminescent et element organique electroluminescent |
JP3501218B2 (ja) | 2000-08-11 | 2004-03-02 | 日本電気株式会社 | フラットパネル表示モジュール及びその製造方法 |
US6605826B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
WO2002017689A1 (fr) | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Afficheur electroluminescent organique |
US6739931B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
US6924594B2 (en) | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US6664732B2 (en) * | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TW522577B (en) | 2000-11-10 | 2003-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP4147008B2 (ja) | 2001-03-05 | 2008-09-10 | 株式会社日立製作所 | 有機el素子に用いるフィルム及び有機el素子 |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
US6734463B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a window |
JP3773423B2 (ja) | 2001-06-11 | 2006-05-10 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
US7211828B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2003017244A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
US6737753B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
JP2003133070A (ja) | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 積層膜の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
US6852997B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4019690B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4837871B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2011-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100483988B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2005-04-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전막의 투과도 변형방법 |
US7141817B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3705264B2 (ja) | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
JP2003203771A (ja) | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子、表示装置及び照明装置 |
US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
JP4046512B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2008-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US6936131B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives |
CN101336021A (zh) * | 2002-02-12 | 2008-12-31 | 出光兴产株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
KR100563675B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 |
US6819044B2 (en) | 2002-04-10 | 2004-11-16 | Tdk Corporation | Thin-film EL device and composite substrate |
US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
US8900366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US6728278B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-04-27 | Eastman Kodak Company | Organic vertical cavity laser array device |
GB2404276B (en) * | 2002-05-23 | 2005-08-10 | Fuji Electric Holdings Co | Organic display |
US6792333B2 (en) | 2002-06-04 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Product management method, program for performing product management, and storage medium having recorded the program therein |
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
US6911772B2 (en) | 2002-06-12 | 2005-06-28 | Eastman Kodak Company | Oled display having color filters for improving contrast |
KR100473591B1 (ko) | 2002-07-18 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
GB0217900D0 (en) | 2002-08-02 | 2002-09-11 | Qinetiq Ltd | Optoelectronic devices |
US6710542B2 (en) * | 2002-08-03 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device with improved moisture seal |
TWI304706B (ja) | 2002-08-30 | 2008-12-21 | Au Optronics Corp | |
JP2004134395A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置 |
US7158161B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
GB0222649D0 (en) * | 2002-09-30 | 2002-11-06 | Microemissive Displays Ltd | Passivation layer |
KR20050088445A (ko) | 2002-12-18 | 2005-09-06 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유기 el 소자를 이용한 노광 장치 및 화상 형성 장치 |
WO2004057920A1 (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
JP2004207084A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
TWI228941B (en) | 2002-12-27 | 2005-03-01 | Au Optronics Corp | Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof |
JP2004237655A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 交互積層防湿膜、その製造方法及び透明電極板付きの交互積層防湿膜 |
JP2004341173A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Toray Ind Inc | ディスプレイ表示パネル |
JP4624653B2 (ja) | 2003-05-20 | 2011-02-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP4407169B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2010-02-03 | カシオ計算機株式会社 | 封止方法及び封止構造 |
JP2005019074A (ja) | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器 |
US20050006640A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-01-13 | Jackson Warren B. | Polymer-based memory element |
JP2005019269A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Three Bond Co Ltd | 有機el素子および有機el素子貼合わせ用樹脂組成物 |
JP2005026121A (ja) | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Fujitsu Ltd | 有機el素子及びその製造方法並びに有機elディスプレイ |
JP4396163B2 (ja) | 2003-07-08 | 2010-01-13 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
WO2005006460A1 (en) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
KR101286219B1 (ko) | 2003-09-26 | 2013-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자의 제조방법 |
JP4683829B2 (ja) | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
JP4476594B2 (ja) | 2003-10-17 | 2010-06-09 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4243237B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
ATE433200T1 (de) | 2003-12-16 | 2009-06-15 | Panasonic Corp | Organisches elektrolumineszenzbauelement und herstellungsverfahren dafür |
JP2005203339A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
US7692378B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an insulating layer with an opening |
KR101173713B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2012-08-13 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 적층체, 발광 소자 및 그의 사용 |
US20050248270A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
US7202504B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
US7214600B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method to improve transmittance of an encapsulating film |
JP4925569B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2012-04-25 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US8217396B2 (en) * | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
JP2006054147A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8040469B2 (en) * | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
US7342356B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
US20060066234A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Chun-Chung Lu | Organic electro-luminescent display panel and method of fabricating the same |
US7952089B2 (en) * | 2004-10-22 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element |
JP4329740B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2006172818A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Canon Inc | 有機el素子及び有機el素子アレイそして有機el素子の充填封止方法 |
JP2006222071A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP5137330B2 (ja) | 2005-05-20 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
EP1724852A3 (en) | 2005-05-20 | 2010-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US20060273309A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Jian Wang | Workpiece including electronic components and conductive members |
WO2006134812A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Ulvac, Inc. | 有機elパネルの製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
US20070020451A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
JP4631600B2 (ja) | 2005-08-22 | 2011-02-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機電界発光素子 |
JP2007066691A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Univision Technology Inc | 表示装置の組立基板及びその製造方法 |
CN101263126B (zh) * | 2005-09-12 | 2013-11-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 喹喔啉衍生物和使用它的发光元件,发光装置及电子设备 |
JP4804289B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-11-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP4795779B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-10-19 | 株式会社アルバック | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
JP2007141685A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 封止構造体及び封止構造体の製造方法 |
JP4939176B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 有機el素子 |
US7875881B2 (en) * | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US20080290798A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Mark Alejandro Quesada | LLT barrier layer for top emission display device, method and apparatus |
KR101482760B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2015-01-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조 방법 |
US8093806B2 (en) * | 2007-06-20 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP5208591B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
WO2009126115A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Agency For Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2008158771A patent/JP5208591B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-23 US US12/213,615 patent/US8253327B2/en active Active
- 2008-06-27 TW TW097124280A patent/TWI483645B/zh active
- 2008-06-27 CN CN2008101285493A patent/CN101335333B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-27 TW TW104105026A patent/TWI573491B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-08-13 US US13/584,116 patent/US8941301B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-20 JP JP2013030907A patent/JP2013127981A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-04-15 JP JP2014083582A patent/JP5816326B2/ja active Active
- 2014-11-27 JP JP2014239804A patent/JP2015062197A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-03-28 JP JP2017062373A patent/JP2017130464A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004146379A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 実質的に透明でありかつ導電性を有する電極および該電極の作製方法ならびに該電極を含む有機電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120305907A1 (en) | 2012-12-06 |
JP5816326B2 (ja) | 2015-11-18 |
TW201521509A (zh) | 2015-06-01 |
TWI483645B (zh) | 2015-05-01 |
CN101335333A (zh) | 2008-12-31 |
JP2015062197A (ja) | 2015-04-02 |
JP2009032679A (ja) | 2009-02-12 |
JP2017130464A (ja) | 2017-07-27 |
JP5208591B2 (ja) | 2013-06-12 |
TW200920171A (en) | 2009-05-01 |
US20090001886A1 (en) | 2009-01-01 |
US8941301B2 (en) | 2015-01-27 |
US8253327B2 (en) | 2012-08-28 |
JP2013127981A (ja) | 2013-06-27 |
CN101335333B (zh) | 2013-01-02 |
TWI573491B (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5816326B2 (ja) | 発光装置 | |
US8710495B2 (en) | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device | |
JP5576442B2 (ja) | 発光素子、発光装置、照明装置、電子機器 | |
JP5483753B2 (ja) | 発光装置、及び照明装置 | |
JP5588028B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5159449B2 (ja) | 発光素子、発光装置、及び電子機器 | |
JP5086184B2 (ja) | 発光素子、発光装置および照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5816326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |