JP2004146379A - 実質的に透明でありかつ導電性を有する電極および該電極の作製方法ならびに該電極を含む有機電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】実質的に透明でありかつ導電性を有する電極およびこの電極の作製方法ならびにこの電極を有する有機電子デバイスを提供すること。
【解決手段】実質的に透明でありかつ導電性を有する電極において、この電極は、第１層と、この第１層上の第２層とを有しており、上記の第１層および第２層は媒体に曝され、この第２層が（１）第１層および（２）媒体のうちの少なくとも１つと反応するようにする。
【選択図】図１
【解決手段】実質的に透明でありかつ導電性を有する電極において、この電極は、第１層と、この第１層上の第２層とを有しており、上記の第１層および第２層は媒体に曝され、この第２層が（１）第１層および（２）媒体のうちの少なくとも１つと反応するようにする。
【選択図】図１
Description
本発明は、一般的には有機電子デバイスに関し、また殊に、実質的に透明であり、導電性を有しかつ有機電子デバイスに組み込まれる電極および該電極の作製方法に関する。
本発明は、またすべて２００２年９月１１日に提出されたHagen Klausmann, Bernd Fritzによる"METHOD OF FABRICATING ELECTRONIC DEVICES"なる名称の米国特許明細書、Hagen Klausmann, Bernd Fritzによる"OLED DEVICES WITH IMPROVED ENCAPSULATON"なる名称の米国特許明細書、Hagen Klausmann, Yuen Sin Lew, Hou Siong Tan, Hooi Bin Limによる"ENCAPSULATION FOR ORGANIC DEVICES"なる名称の米国特許明細書、およびReza Stegamatによる"Active Electronic Devices"なる名称の米国特許明細書第１０／２４２６５６号に関連する。
有機電子デバイスには、電気エネルギーを光エネルギーに変換する有機電子デバイスも、または逆に電子的なプロセスを介して光信号を検出する有機電子デバイスも共に含まれる。このような有機電子デバイスには、ＯＬＥＤ、太陽電池、フォトトランジスタ、フォト検出器、レーザおよび光結合素子が含まれる。このようなデバイスには通例、電極の間に少なくとも１つのチャージキャリイング層を有する１対の電極（例えばアノードおよびカソード）が含まれている。このデバイスの機能に依存して、上記の１つまたは複数のチャージキャリイング層は、このデバイスの両端に電圧が加えられる場合にエレクトロルミネセンス性の発光を行う１つまたは複数の材料を含むことができるか、または上記の１つまたは複数の層が、光放射に曝される場合に光起電効果を発生することのできるヘテロ接合を形成することができるのである。
ＯＬＥＤという特殊なケースでは、ＯＬＥＤは通例、２つ以上の薄い有機層からなり（例えば、導電性ポリマー層および放射ポリマー層であり、この放射ポリマー層が光を放射する）、これがそのアノードとカソードとを分離する。電位が加えられると、アノードは正孔を導電性ポリマー層に注入し、これに対してカソードは電子を放射ポリマー層に注入する。注入された正孔および電子はそれぞれ、逆の極性に帯電された電極に向かって移動し、放射ポリマー層における再結合でエレクトロルミネセンス性の発光を行うのである。
ＯＬＥＤのカソード層として使用される材料は、通例マルチレイヤであり、一般に、仕事関数が小さく薄い電子注入層と、またアルミニウムまたは銀などの厚い導電層とからなる。上記の電子注入層により、電流に対する導電パスが提供されると共に、隣接する放射ポリマー層に電子を効果的に注入する手段も提供される。上記の導電層は、十分な導電性のために十分に厚くなければならないのであるが、十分な導電性を提供するこの厚さにより、カソード層の反射率が大きくなってしまう。またＩＴＯ（indium tin oxide）などのような透明な電極はカソードとして使用できない。それはＩＴＯがＬＥＤ内の有機層を損傷してしまう手法で通例デポジットされるからであり、またそれが小さな仕事関数を有しないからである。
上記のような理由から、導電性を有し、実質的に透明であり、仕事関数が小さく、また有機電子デバイスの有機層を損傷しない手法でデポジット可能なカソードが必要なのである。
上記のような理由から、導電性を有し、実質的に透明であり、仕事関数が小さく、また有機電子デバイスの有機層を損傷しない手法でデポジット可能なカソードが必要なのである。
ＯＬＥＤディスプレイでは、外部の明るい光源、例えば太陽から放射される周囲光がカソードから反射される場合、ディスプレイによって生成される画像の適正なコントラストを得ることは困難である。このような場合、カソードから反射される光が、ＯＬＥＤディスプレイによって形成される光の強さの優位を占めてしまい、ＯＬＥＤディスプレイよって生成される画像の知覚されるコントラストが低減されてしまうのである。
ＯＬＥＤディスプレイによって生成される画像のコントラストを改善するために円偏光を使用することが可能である。円偏光器は、ＯＬＥＤの視野面（viewing surface）（例えば、この視野面はＯＬＥＤのボトムであることもある）に接着剤で取り付けられる。この円偏光器は、カソードから反射される周囲光を吸収する役目をなし、ここでこの吸収は周囲光がそれを見る人に到達する前に行われる。円偏光器を使用することの１つの欠点は、ＯＬＥＤが発光する光の約６０％がこの円偏光器によって吸収されてしまい、光を見る人に到達し得ないことである。このような吸収により、ＯＬＥＤを一層明るく駆動しなければならなくなり、これによってその寿命が格段に短くなり、その消費電力が増大してしまう。消費電力の増大は、バッテリ駆動の装置にとっては不利である。別の欠点は、見る人に到達する放射光が、円偏光器のコンポーネントによって線形に偏光されていることである。したがって見る人が偏光サングラスをかけている場合、所定の方向でディスプレイは見えなくなってしまう。さらなる欠点は、ＯＬＥＤの視野面に円偏光器を接着するプロセスが複雑なことである。別の欠点は、視野面に取り付けられる、通常は高分子フィルムである円偏光器が、殊に高温および高湿度条件においてＯＬＥＤモジュール全体の付加的な欠陥個所になることである。
コントラストを改善する別のアプローチは、「黒色のカソード」（black cathode）アプローチである。このアプローチは、カソードにおける薄膜干渉効果を使用して周囲光の反射を打ち消すのである。このアプローチでは１つ以上の付加的な層が、ＯＬＥＤ作製時にカソード層の後ろにデポジットされる。これらの１つ以上の付加的な層は、カソードにおいて光の弱め合う干渉を発生して反射を抑圧するように設計される。１つ以上の付加的な層の厚さを制御することによって、これらの１つ以上の付加的な層によって反射される光の位相シフトはつぎのようになる。すなわちこの光が、反射される周囲光を打ち消すようになるのである（すなわち、付加的な層のうちの１つによって反射される光と、反射される周囲光とがほぼ同じ振幅を有するが、１８０°位相が異なる）。このアプローチの欠点は、これを実現する際にプロセスが複雑なことである。それは上記の１つ以上の付加的な層の厚さが、弱め合う干渉を達成するために精確でなければならず、またＯＬＥＤのプロセスに付加的な層のデポジットが含まれるからである。
上に説明したカソードに必要性に加えて、ＯＬＥＤによって形成される画像のコントラストを高め、その一方でこのＯＬＥＤによって形成される光を吸収せず、しかも実現が容易な択一的なカソードが必要である。
米国特許第１０／２４２６５６号
本発明の課題は、実質的に透明でありかつ導電性を有する電極およびこの電極の作製方法ならびにこの電極を有する有機電子デバイスを提供することである。
上記の電極についての課題は、本発明の請求項１により、実質的に透明でありかつ導電性を有する電極において、この電極が第１層と、この第１層上の第２層とを含んでおり、第１層および第２層は媒体に曝され、この第２層が（１）第１層および（２）上記の媒体のうちの少なくとも１つと反応して、実質的に透明でありかつ導電性有する電極が作製されることを特徴とする電極によって解決される。また本発明の請求項２５により、第１層と、この第１層上の第２層と、この第２層上の第３層とを含んでおり、ここで上記の第１層、第２層および第３層は媒体に曝され、上記の実質的に透明でありかつ導電性の電極を作製するため、（１）第２層と第３層とが反応するか、または（２）第２層が上記の媒体と反応しかつ第３層が上記の媒体と反応するかのいずれかであることを特徴とする電極によって解決される。
上記の電極を作製する方法についての課題は、本発明の請求項３５により、第１層をデポジットし、この第１層に第２層をデポジットし、第１層および第２層を媒体に曝し、この第２層を（１）第１層および（２）上記媒体のうちの少なくとも１つと反応させて電極を作製することによって解決される。
本発明の実施形態は、実質的に透明でありかつ導電性を有する電極に関し、またこの電極は有機電子デバイスに組み込まれる。この電極は、第１層と、この第１層上に設けられる第２層とを有する。電極は、第２層上に設けられる第３層を選択的に含む。本明細書および請求項において使用されている「上に」という語には、層が物理的にコンタクトする場合および層が１つ以上の中間層によって分けられている場合が含まれる。第１層、第２層および第３層は媒体に曝されており、これらの第１層、第２層、第３層および媒体の種々の組み合わせの間の反応により、上記の実質的に透明でありかつ導電性を有する電極が作製される。本発明の１実施形態では電極の透過率（transparency）は６０％以上である。
図１には、本発明による有機電子デバイス４０５の１実施形態が示されている。有機電子デバイス４０５には、基板４０８と、この基板４０８上の第１電極４１１とが含まれている。第１電極４１１は、ピクセル化されるアプリケーション（pixelized application）に対してパターンニングされ、またはバックライトアプリケーションに対してパターンニングされないことがある。有機電子デバイス４０５がフォトトランジスタの場合、第１電極は、例えば、このトランジスタのソースおよびドレインコンタクトになり得る。有機電子デバイス４０５はまた第１電極４１１上に１つ以上の有機層４１４を含む。有機電子デバイス４０５は、１つ以上の有機層４１４上に第２電極４１７を含む。有機電子デバイス４０５がフォトトランジスタの場合、第２電極は、例えば、このトランジスタのゲートコンタクトになり得る。図１に示されているのは、有機電子デバイス４０５に対する最小数の層である。第１電極４１１と１つ以上の有機層４１４との間および／または１つ以上の有機層４１４と第２電極４１７との間に、絶縁層を含めた別の層を加えることも可能である。
図２には本発明によるＯＬＥＤ１５０の１実施形態が示されている。ＯＬＥＤ１５０には基板１５３が含まれており、これは例えば、ガラスまたはプラスティックとすることができ、また硬質または軟質とすることができる。ＯＬＥＤ１５０には、基板１５３にデポジットされる例えばアノード層１５６のような第１電極（ボトム電極）も含まれる。アノード層１５６は、例えば、ＩＴＯ（＝ indium tin oxide）とすることが可能である。ＯＬＥＤ１５０は少なくとも１つの有機層を有し、図示の実施形態ではＯＬＥＤ１５０は、２つの有機層、すなわち、アノード層１５６にデポジットされる導電性ポリマー層１５９と、導電性ポリマー層１５９にデポジットされる放射ポリマー層１６２とを含む。導電性ポリマー層１５９は、正孔の注入および輸送を促進する。放射ポリマー層１６２は、電子の注入および輸送を促進する。この構成では放射ポリマー層１６２が光を放出する。別の構成では、導電性ポリマー層１５９が光を放出するか、または光を放出する別個の層がデポジットされる。ＯＬＥＤ１５０には、カソード層１６５である第２電極（トップ電極）が含まれ、これは放射ポリマー層１６２にデポジットされる。カソード層１６５には第１層（例えば電子注入層１６５ａ）、第２層（例えば導電性層１６５ｂ）および媒体１６８が含まれる。
電子注入層１６５ａは、導電性の第２層１６５ｂから半導体有機放射ポリマー層１６２への電子注入に対する障壁を下げる。電子注入層１６５ａの仕事関数は、導電性層１６５ｂの仕事関数よりも、放射ポリマー層１６２の最低空軌道に近い。電子注入層１６５ａの仕事関数を、放射ポリマー層１６２の最低空軌道に接近させることによって、電子に対する障壁が下がり、したがってＯＬＥＤ１５０の効率が増大する。１構成では、電子注入層１６５ａは仕事関数の小さな金属であり、例えば、バリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウムまたはこれらの混合物または合金である。有利には、電子注入層１６５ａはバリウム層からなる。１構成では、電子注入層１６５ａの厚さの範囲は、約０．１ｎｍ〜約１０ｎｍであり、有利には約０．５ｎｍ〜約５ｎｍであり、さらに有利には約１ｎｍ〜約４ｎｍであり、最も有利には約３ｎｍである。
上記の実施形態では、導電性層１６５ｂによって電子が電子注入層１６５ａに供給され、これらの電子が放射ポリマー層１６２に注入される。導電性層１６５ｂは、銀またはアルミニウムのような金属層からなり、有利に銀である。導電性層１６５ｂは十分に厚くして、電子注入層１６５ａおよび／または周囲の媒体との反応の後、連続した導電性のフィルムが得られるようにし、また厚くし過ぎたために導電性層１６５ｂが、電子注入層１６５ａおよび／または周囲の媒体と十分に反応せずに実質的に透明でなくなってしまわないようにする。この実施形態では、導電性層１６５ｂの厚さの範囲は、約１０ｎｍ〜約１０，０００ｎｍであり、有利には約５ｎｍ〜約２００ｎｍ、さらに有利には約２０ｎｍ〜約３０ｎｍ、最も有利には約２５ｎｍである。
この実施形態では、第３層（例えば、トップの層１６５ｃ）が導電性層１６５ｂにデポジットされている。トップ層１６５ｃは、導電性層１６５ｂおよび／または電子注入層１６５ａを実質的に透明に作製するのを促進し、またカソード内での電流通流に対するパス抵抗（path resistance）を低減する。トップ層１６５ｃは、導電性層１６５ｂおよび／または媒体と反応して実質的に透明になる。この実施形態では、トップ層１６５ｃはバリウムのような反応性の金属である。トップ層１６５ｃは十分に厚くして、実質的に透明なカソードを作製する反応が促進されるようにし、また厚くし過ぎたために、得られるカソードが透明でなくなってしまわないようにする。この実施形態では、トップ層１６５ｃの厚さの範囲は、約５ｎｍ〜約２００ｎｍであり、有利には約１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、さら有利には約２０ｎｍ〜約３０ｎｍであり、最も有利には約２５ｎｍである。この実施形態の１構成では、トップ層１６５ｃのタイプは、電子注入層１６５ａのタイプと同じである。すなわちこれもバリウムからなる。別の構成では、トップ層１６５ｃのタイプは、電子注入層１６５ａのタイプと異なる。別の実施形態では、トップ層１６５ｃは存在しない。
この実施形態では、ＯＬＥＤ１５０のカソードにおける上記の複数の層は真空室でデポジットされる。ここでこの真空室は、グローブボックスのような制御された環境の内部である。デポジッションの後、ＯＬＥＤはグローブボックスに入れられ、そこで媒体１６８に接触する。１構成ではこの媒体は、液体または気体、例えば、アルゴン、窒素、酸素、水分、残留溶媒またはこれらの要素の混合物からなる。残留溶媒は、１つ以上の有機層（例えばＰＥＤＯＴおよびＰＰＶ）から放出され、またこの残留溶媒はカソード層と反応して、透明でありかつ導電性を有するカソードを形成することが可能である。この構成では、アルゴン、窒素、酸素、水分、残留溶媒またはこれらの要素の混合物の濃度は、少なくとも０．１ｐｐｍである。より具体的にいうと、この媒体は、窒素またはアルゴンと、０．１〜１ｐｐｍの酸素と、０．１〜１ｐｐｍの水分とからなる。
カソードのこの実施形態の１構成では、第１層は十分に薄く実質的に透明であり、第２層と媒体とが互いに反応して第２層も実質的に透明になる。第２の構成では、第１層と媒体とが反応して第１層が実質的に透明になり、また第２層と媒体とが反応して第２層が実質的に透明になる。第３の構成では、第１層と第２層とが互いに反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。第４の構成では、第１層と、第２層と、媒体とが互い反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。このカソードが第３層を含む場合、第５の構成において第２層と第３層とが互いに反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。第６の構成では、第２層と媒体とが反応し、また第３層と媒体とが反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。第７の構成では、第１層と、第２層と、第３層とが互いに反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。第８の構成では、第１層と、第２層と、第３層と、媒体とが互いに反応して実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される。
実質的に透明でありかつ導電性のカソードを有するＯＬＥＤ１５０を作製するための１実施形態には、基板１５３へのアノード層１５６のデポジットが含まれる。つぎにアノード層１５６がパターンニングされてアノード層１５６のストライプが形成される。その後、１つ以上の有機層がアノード層１５６にデポジットされる。この実施形態では、２つの有機層がデポジットされる。すなわち（１）導電性ポリマー層１５９がアノード層１５６にデポジットされ、（２）放射ポリマー層１６２が導電性ポリマー層１５９にデポジットされる。この実施形態の１構成では、導電性ポリマー層１５９および放射ポリマー層１６２はポリマーからなる。導電性ポリマー層１５９は、例えば、ポリアニリン（"ＰＡＮＩ" ＝ polyaniline）またはポリエチレンジオキシチオフェン（"ＰＥＤＯＴ" ＝ polyethylenedioxythiophene）である。放射ポリマー層１６２は、例えば、ポリフェニレンビニレン（"ＰＰＶ" ＝ polyphenylenevinylene）、ＰＰＶ誘導体およびコポリマーおよび配合物、ポリフルオレン（"ＰＦ" ＝ polyfluorene）、ＰＦ誘導体またはコポリマーまたは配合物、またはCovion Organic Semiconductors GmbH社から市販されている発光ポリマー、スーパーイエロー（"ＳＹ" ＝ super yellow）などのポリマーを含む任意の発光材料とすることができる。別の構成ではポリマーから構成するのではなく、有機層は小さな分子またはオリゴマーから構成される。これらの有機層は、例えば、スピンコーティング、インジェット印刷、スクリーン印刷、真空蒸着、昇華、フレキソ印刷およびウェブコーティングによってデポジット可能である。つぎにカソード層１６５が放射ポリマー層１６２にデポジットされる。カソード層１６５のデポジットには、（１）放射ポリマー層１６２への電子注入層１６５ａのデポジット、（２）電子注入層１６５ａへの導電性層１６５ｂのデポジット、および（３）導電性層１６５ｂへのトップ層１６５ｃのデポジットが含まれる。カソード層は、例えば物理蒸着法によって真空でデポジットされる。ＯＬＥＤは上記のデポジッションを使用して形成され、ここでこれらのデポジッションは、１０−６〜１０−７ torr気圧の真空中で行われる。デポジッションの後、カソード層が実質的に透明になる一方でなお導電性が保たれるまでしばらくの間、ＯＬＥＤ１５０は、グローブボックスのような制御された環境に入れられる。つぎに実質的に透明でありかつ導電性のカソード層１６５を有するＯＬＥＤ１５０は封止されて、例えば、高濃度の酸素および水分に連続して過度に曝されるなどの、環境による損傷性の影響から保護される。
図３には、本発明によるカソード層１６５の実施形態を使用した種々異なるＯＬＥＤに対してスペクトル反射率の変化が時間について示されている。バリウムと銀との反応およびカソードから反射される光量を監視するため、４つのＯＬＥＤを準備した。これらの４つのＯＬＥＤはそれぞれ、導電性ポリマー層１５９がＰＥＤＯＴからなり、放射ポリマー層１６２がＳＹからなり、またカソード層１６５が、３ｎｍ厚のバリウム層、２５ｎｍ厚の銀層および１００ｎｍ厚のバリウム層からなっている。第１のＯＬＥＤは、カソード層をデポジットした後、グローブボックス内のエバポレータから取り出して直ちに封止した。グローブボックスは、０．１ｐｐｍの酸素および０．１ｐｐｍの水分で動作させた。図３で第１ＯＬＥＤのスペクトル反射率は、「ｔ＝０時間」グラフで示されている。第２ＯＬＥＤは、カソード層をデポジットした後、グローブボックスに２．５時間入れて封止した。図３で第２ＯＬＥＤのスペクトル反射率は、「ｔ＝２．５時間」グラフで示されている。第３ＯＬＥＤは、カソード層をデポジットした後、グローブボックスに５．２５時間入れて封止した。図３で第３ＯＬＥＤのスペクトル反射率は、「ｔ＝５．２５時間」グラフで示されている。第４ＯＬＥＤは、カソード層をデポジットした後、グローブボックスに２４時間入れて封止した。図３で第４ＯＬＥＤのスペクトル反射率は、「ｔ＝２４時間」グラフで示されている。ＯＬＥＤがグローブボックス内に入れられていた時間の間、バリウム層は銀層および媒体と反応してカソード層が形成され、ここでこのカソード層は、グローブボックス内に入れられている時間が長くなるほどより透明になっている。
グローブボックスに種々異なる時間だけ入れたＯＬＥＤを封止した後、各ＯＬＥＤのスペクトル反射率を測定した。拡散基準白色光（diffused white light standard）について拡散スペクトル反射率を測定した。ＯＬＥＤを積分球に配置し、すべての角度から均一にその表面を照明した。各ＯＬＥＤの背面には黒色の絶縁テープを貼って透過光の測定を防止した。図３に示されているように、封止の前にＯＬＥＤがグローブボックスに入れられている時間が長ければ長いほど、カソードから反射される光のパーセントは小さくなる。例えば、第１ＯＬＥＤのスペクトル反射率を示す最も上のグラフ（すなわちｔ＝０）が示しているのは、例えば、５４０ｎｍにおいてカソード層によって反射される入射光のパーセントが約４２％であることである。第４ＯＬＥＤのスペクトル反射率を示す最も下のグラフ（すなわちｔ＝２４）が示しているのは、５４０ｎｍにおいてカソード層によって反射される入射光のパーセントが約１２％に格段に低減されることである。これらの２つのグラフを比較すると、カソード層をデポジットした後、ＯＬＥＤをグローブボックスに２４時間入れることによって、スペクトル反射率のパーセントが約３分の２に低減されることがわかる。図３では放射ポリマー層１６２はＳＹ層からなるため、４つのグラフは約５４０ｎｍでピークに達する。ここでこれは可視スペクトルの黄色−緑部分であり、ＳＹ層およびカソード層からの反射および吸収を示している。最も下のグラフ（ｔ＝２４時間）が示すように、カソード層をデポジットした後、ＯＬＥＤをグローブボックスに２４時間入れた後、カソード層は実質的に透明であり、カソード層によって反射される光のパーセントは１５パーセント以下である。
図４には本発明によるカソード層の１実施形態を使用する種々異なるＯＬＥＤの電流密度対電圧を示している。図４では第１ＯＬＥＤの電流密度対電圧を「ｔ＝０時間」グラフによって示しており、第２ＯＬＥＤの電流密度対電圧を「ｔ＝２．５時間」グラフによって示しており、また第３ＯＬＥＤの電流密度対電圧を「ｔ＝５．２５時間」グラフによって示している。図４に示したように、ＯＬＥＤの電流−電圧特性は、実質的に透明なカソードを作製するための１つ以上のカソード層と媒体との反応によって大きく変化しない。言い換えると、本発明のカソードは、透明になった後でも実質的に導電性のままであり、効率的に電子を注入することができるのである。
図５には、本発明の実施形態にしたがい、異なる時間にわたってグローブボックスにいれた後に形成された２つのＯＬＥＤの低速度撮影が示されている。図５が示しているのは、グローブボックスに２．５時間に入れた後のＯＬＥＤ（上側のＯＬＥＤ）の前面および背面から放出される光ならびにグローブボックスに５．３時間に入れた後のＯＬＥＤ（下側のＯＬＥＤ）の前面および背面から放出される光である。図５が示すように、２．５時間後のＯＬＥＤ（すなわちカソード層）の背面を介して透過する光よりも、５．３時間後のＯＬＥＤの背面を介して透過する光の方が多いことである。一般にバリウム層、銀層および／または媒体が、制御された環境内で反応する時間が長くなればなるほど、カソード層で形成される反射は少なくなる。
図６には本発明によるＯＬＥＤの実施形態に対して、封止後の所定の相異なる保管時間についてカソードにおけるスペクトル反射率の変化が示されている。ここではカソード層をデポジットした後、ＯＬＥＤを５．２５時間グローブボックスに入れ、その後グローブボックス内で封止した。図６に示されているように封止の後でもバリウム層は銀層と反応し続ける。例えば、約５４０ｎｍであるこれらのグラフのピークにおいて反射率のパーセンテージは、封止直後の約３１％から封止後５３日の約１６％に減少している。
図７には、本発明の実施形態にしたがって形成された２つのＯＬＥＤの、封止後の種々異なる時間における低速度写真が示されている。図７では、グローブボックスに５．２５時間入れた後、すぐに封止したＯＬＥＤ（２００１年１１月１４日付けの上側のＯＬＥＤ）の前面および背面、ならびに封止後５３日の同じＯＬＥＤの前面および背面が示されている。図７に示されているように、封止後５３日のＯＬＥＤの背面（すなわちカソード層）の方を透過する光の方が多い。図６および図７が示すのは、封止の後でもバリウム層は銀層と反応し、これによってカソード層における反射が低減されることである。これらの図に示されているように、互いに反応させて実質的に透明でありかつ導電性を有するカソードを形成するために必ずしもバリウム層および銀層をグローブボックスに入れる必要はないのである。
図８には本発明によるＯＬＥＤ１７７の第２実施形態が示されている。図８ではバリア層１６５ｄが電子注入層１６５ａにデポジットされ、また導電性層１６５ｂがバリア層１６５ｄにデポジットされている。バリア層１６５ｄにより、電子注入層と導電性層との間の反応が最小化または排除される。電子注入層と導電性層との間の反応により、導電性層から放射ポリマー層への電荷の注入が低減され、これによってこのＯＬＥＤの効率および輝度にマイナスに作用する。１構成では、バリア層１６５ｄは、金の層またはアルミニウム層のような導電性層からなる。バリア層１６５ｄは十分な厚さを有し、これによって電子注入層と導電性層との間の反応が最小化または排除されるが、これが実質的に透明でなくなってしまうほどの過度の厚さを有することはない。この実施形態ではバリア層の厚さは、約０．１ｎｍ〜約２０ｎｍで様々の値をとり、有利には約１ｎｍ〜５ｎｍである。
本発明の１実施形態では、第１層をデポジットし次第、この第１層にバリア層をデポジットする。また第２層のデポジットし次第、この第２層に第３層をデポジットする。
図９には本発明によるＯＬＥＤ２１０の第３実施形態が示されている。この実施形態では、キャッピング層１７１が、例えばカソード層１６５であるトップ電極に真空蒸着され、これにより、例えばＯＬＥＤ２１０の寿命および導電率が改善される。キャッピング層１７１により、部分的にこのキャッピング層からの光の反射にも起因して、より高い輝度および効率が得られ、また放射ポリマー層１６２への大きな電流注入が得られる。この実施形態ではキャッピング層１７１は、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウムまたはこれらの合金などの金属からなる。別の実施形態ではキャッピング層１７１は、ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化すず、およびスパッタリング法でデポジットされる硫化亜鉛などの透明かつ導電性の材料からなる。キャッピング層１７１はまた光吸収性の黒い導電性有機または無機材料からなる。キャッピング層１７１の厚さの範囲は、約５０ｎｍ〜約１０，０００ｎｍであり、有利には約１００ｎｍ〜５００ｎｍ、さらに有利には約２００ｎｍである。
６つのＯＬＥＤを構成し、ここで厚さ１１５ｎｍのＰＥＤＯＴ層で導電性ポリマー層を構成し、厚さ７３ｎｍのスーパーイエロー層で放射ポリマー層を構成し、またカソード層を、厚さ３ｎｍのバリウム層、厚さ２５ｎｍの銀層、および厚さ２５ｎｍのバリウム層から構成した。これらのＯＬＥＤを、０．１ｐｐｍの水分および０．１ｐｐｍの酸素のグローブボックスに１時間入れた。すべてのデバイスが、ＯＬＥＤ（すなわちカソードは実質的に透明である）の前面（例えばアノード側）からも背面（例えばカソード側）からも均一な光を放射した。６つのＯＬＥＤのうちの３つを、１時間の収容の後、厚さ２００ｎｍのアルミニウム層によってキャップした。すべてのデバイスをグローブボックス内で封止した。
図１０にはキャッピングアルミニウム層を有するＯＬＥＤと、これを有しないＯＬＥＤとに対して平均電流密度対電圧が示されている。図１０に示したように、キャッピング層のないＯＬＥＤにおける電流密度は、キャッピング層を有するＯＬＥＤにおける電流密度よりもわずかに小さい。このことが示すのは、透明になった後の上記のカソードがその導電率を維持していることである。キャッピングアルミニウム層を有するＯＬＥＤの電流密度が大きいのは、このデバイスへの電流伝導に対するパス抵抗が下がったためである。
図１１にはキャッピングアルミニウム層を有するＯＬＥＤと、これを有しないＯＬＥＤとに対して効率対輝度が示されている。図１１に示したように、キャッピングアルミニウム層を有しないＯＬＥＤは、１，０００ｃｄ／ｍ2で約６．６ｃｄ／ｍ2の高い発光効率を有しているため、透明なカソードなどの実践的な応用に有利である。これもまた図１１に示されているように、キャッピング層を有するＯＬＥＤは、キャッピング層を有しないＯＬＥＤよりも一層効率的である。キャッピング層を有するＯＬＥＤの効率が一層高いのは、アルミニウムのキャッピング層から反射される光のためであり、また上述のように電流伝導に対するパス抵抗が下がったためである。この実施形態では、キャッピング層はアルミニウムからなる。別の実施形態では、キャッピング層はＩＴＯなどの導電性でありかつ透明な材料からなる。
図１２には、キャッピングアルミニウム層を有するＯＬＥＤと、これを有しないＯＬＥＤとに対して半減期が示されている。ここで半減期とは、初期の輝度が２分の１に減少するのにかかる時間のことである。図１２に示されているようにキャッピングアルミニウム層を有しないＯＬＥＤの半減期は８０℃で１００時間であり、これは室温における約５０００時間の輝き（luminance）に相応する。この図が示すように、キャッピング層を組み込むことによって、ＯＬＥＤの半減期は８０℃で約２００時間に増大し、これは室温における約１００００時間の輝きに相応する。キャッピング層を使用することによって、３つのＯＬＥＤの半減期は増大しており、これは電荷を注入するためのパス抵抗がキャッピング層によって低減されることにも起因し、また例えば水分に曝されるなどによる電子注入層の劣化が防止されることにも起因する。上記の実施例の目的は、カソードにキャッピング層をデポジットすることによって、本発明の透明なカソードを有するＯＬＥＤの長い半減期をさらに増大できることを示すためである。このことを実証するため、導電性であるが透明でない材料（アルミニウム）を使用した。実践的にはキャッピング層として導電性でありかつ透明な材料、例えばＩＴＯを使用可能である。
図１３には本発明によるトップエミッション形ＯＬＥＤ２５０の１実施形態が示されている。このトップエミッション形ＯＬＥＤ２５０では、光はＯＬＥＤのトップ面だけから放出される。トップエミッション形ＯＬＥＤ２５０には、基板２５６にデポジットされたアノード層２５３と、このアノード層２５３にデポジットされた導電性ポリマー層１５９と、この導電性ポリマー層１５９にデポジットされた放射ポリマー層１６２と、この放射ポリマー層１６２にデポジットされたカソード層１６５とが含まれている。この実施形態では、ＯＬＥＤ２５０のトップ面だけから光が放出されるようにするため、カソード層１６５は実質的に透明であるが、アノード層２５３，基板２５６またはこの両者は反射性を有する。トップエミッション形ＯＬＥＤの別の実施形態では、アノード層ではなくカソード層が基板にデポジットされる。放射ポリマー層はこのカソード層にデポジットされ、この放射ポリマー層に導電性ポリマー層がデポジットされる。アノード層はこの導電性ポリマー層にデポジットさされる。この別の実施形態では、ＯＬＥＤのトップ面だけから光を放出するためにアノード層およびカソード層は実質的透明であるが、基板は実質的に吸収性を有する。
図１４には本発明による上部および底部面発光形ＯＬＥＤ２７０の１実施形態が示されている。この上部および底部面発光形ＯＬＥＤ２７０では、光はこのＯＬＥＤの上部面および底部面の両方から放出される。この実施形態では、カソード層１６５，アノード層２７３および基板２７６は実質的に透明であるため、ＯＬＥＤの上部および底部面の両方から光を放出することができる。
本発明による実質的に透明でありかつ導電性を有するカソードの実施形態は、ＯＬＥＤディスプレイ内に組み込んで、これが生成する画像のコントラストを改善することが可能である。このＯＬＥＤディスプレイ内には透明ＯＬＥＤがあり、ここでこれらの透明ＯＬＥＤの各々には、実質的に透明でありかつ導電性を有するカソードの実施形態と、実質的に透明なアノード層と、同様に実質的に透明な基板とが含まれている。低反射率の吸収体が透明なカソードの後ろに配置されている。この低反射率の吸収体は、実質的に透明なアノードを通過する周囲光を吸収し、これによってこの透明ＯＬＥＤによって生成される画像のコントラストが改善される。透明ＯＬＥＤおよび低反射率の吸収体を使用した反射光の除去効率は、一般的に１００パーセントに近い。
図１５には本発明による透明ＯＬＥＤディスプレイ３００の１実施形態が示されている。図１５において透明ＯＬＥＤ３０３には、カソード層１６５と、アノード層３０９と、基板３１２とが含まれており、これらはすべて実質的に透明である。低反射率の吸収体３０５が、透明ＯＬＥＤ３０３のカソード側に配置されている。低反射率の吸収体３０５は例えば黒色発泡体片（piece of black foam）である光吸収コーティング、または少なくともカソード層１６５の方を向いた側が黒に塗られたまたは印刷された紙またはボール紙の層などからなる。別の構成ではこの低反射率の吸収体は、「黒色の吸収体」ではなく、透明ＯＬＥＤ３０３によって放出される色とは異なる色を使用する。例えば、赤色発光透明ＯＬＥＤの背後に暗い緑の吸収体を使用して、高カラーコントラスト透明ＯＬＥＤディスプレイが提供される。低反射率の吸収体３０５は、ポリマーであり、またカソードにスピンコートまたはスプレーされる。この低反射率の吸収体は、透明ＯＬＥＤから放出される光スペクトルの一部を吸収する有色の吸収体とすることも可能である。
実質的に透明でありかつ導電性を有するカソードの実施形態の別の応用は、複数の透明ＯＬＥＤを互いに近接して配置することである。例えば透明ＯＬＥＤを積み重ねて配置してスタック形ＯＬＥＤを形成することができる。スタック形ＯＬＥＤの例としてカラーディスプレイにおいて２つまたは３つの透明ＯＬＥＤが積み重ねられて配置され、各透明ＯＬＥＤは、青、緑または赤の原色のうちの１つを放出し、これによって様々な色を放出することの可能なカラーピクセルを形成する。図１６には本発明によるスタック形ＯＬＥＤ３３０の１実施形態が示されている。ここではＯＬＥＤ３５４が基板３３９にデポジットされ、ＯＬＥＤ３５７がＯＬＥＤ３５４にデポジットされ、ＯＬＥＤ３６０がＯＬＥＤ３５７にデポジットされる。ＯＬＥＤ３５４，３５７および３６０は実質的に透明であり、これらのＯＬＥＤのうち１つ以上は、上記の透明カソードの実施形態のうちの１つを使用している。１構成ではＯＬＥＤ３５４のアノードおよびカソードは、正の電圧または負の電圧のいずれかに結合されている。この構成では、ＯＬＥＤ３５４は、そのアノードとカソードとの間に順方向バイアス電圧が加えられる場合、青色の光を放射する。ＯＬＥＤ３５４によって放出される青色の光の明るさは、そのアノードとカソードとの間に加えられる電圧の関数である。同様にＯＬＥＤ３５７のアノードおよびカソードは、正の電圧または負の電圧のいずれに結合されている。ＯＬＥＤ３５７は、そのアノードとカソードとの間に順方向バイアス電圧が加えられる場合、緑色の光を放射する。ＯＬＥＤ３５７によって放出される緑色の光の明るさは、そのアノードとカソードとの間に加えられる電圧の関数である。ＯＬＥＤ３６０のアノードおよびカソードは、正の電圧または負の電圧のいずれに結合されている。ＯＬＥＤ３６０は、そのアノードとカソードとの間に順方向バイアス電圧が加えられる場合、赤色の光を放射する。ＯＬＥＤ３６０によって放出される赤色の光の明るさは、そのアノードとカソードとの間に加えられる電圧の関数である。ＯＬＥＤ３５４，ＯＬＥＤ３５７およびＯＬＥＤ３６０によって放出される光の明るさを変化させれば、スタック形ＯＬＥＤ３３０によって形成されるカラーピクセルにより、さまざまな色を放出することができる。別の構成では、３つ以下または３つ以上のＯＬＥＤをスタック形ＯＬＥＤに使用可能である。またＯＬＥＤ３５４，３５７および３６０は、青色、緑色および赤色とは異なる色をそれぞれ放出する。
１つ以上のバリア層を使用して、例えば、高い動作温度および／または湿度における有機層の劣化のような大気汚染からＯＬＥＤを保護することで可能である。２００２年９月１１日に提出されたReza Stegamatによる"Active Electronic Devices"なる名称の米国特許明細書第１０／２４２６５６号（特許文献１参照）に記載されたバリア層の１実施形態は、実質的に透明でありかつ導電性を有するカソード層の１実施形態にデポジットされ、これによって例えば、このカソード層が大気汚染から保護される。
本発明の１実施形態では電極がＯＬＥＤに組み込まれており、このＯＬＥＤは、電極上のバリア層を含んでおり、このバリア層は、酸化モリブデンと、酸化ホウ素と、酸化バナジウムと、炭化モリブデンと、炭化バナジウムと、モリブデン合金酸化物と、ホウ素合金酸化物と、バナジウム合金酸化物と、ナトリウム、アルミニウム、フッ素およびこれらの混合物を含む組成物とからなるグループから選択される。
ここまでは実質的に透明でありかつ導電性を有する本発明のカソードの実施形態を説明し、これらの実施形態においてカソードは基本的にＯＬＥＤに組み込まれていたが、カソードを有するほとんど任意のタイプの有機電子デバイスはこれらの実施形態を含むことが可能である。殊に、本発明の実質的に透明でありかつ導電性を有するカソードの実施形態は、太陽電池、フォトトランジスタ、レーザ、フォト検出器または光結合素子に含めることができる。上で説明したＯＬＥＤ，トップエミッション形ＯＬＥＤ，トップおよびボトムエミッション形ＯＬＥＤ，低反射率の吸収体を有する透明ＯＬＥＤ，スタック形ＯＬＥＤ，および透明バリア層を有するＯＬＥＤはすべて、コンピュータディスプレイ，車両の情報ディスプレイ、テレビジョンモニタ、電話、プリンタおよびイルミネーションサインなどのような応用分野のディスプレイ内部で使用することが可能である。
発光デバイス作製の技術分野における通常の知識を有するものには、説明、図面および例から、以下の請求項によって定義される本発明の枠を越えることなしに本発明の実施形態に変形および改良を行い得ることが認識されよう。
４０５ 有機電子デバイス
４０８ 基板
４１１ 第１電極
４１４ 有機層
４１７ 第２電極
１５０ ＯＬＥＤ
１５３ 基板
１５６ 第１電極（アノード層）
１５９ 導電性ポリマー層
１６２ 放射ポリマー層
１６５ カソード層
１６５ａ 電子注入層
１６５ｂ 導電性層
１６５ｃ トップ層
１６５ｄ バリア層
１６８ 媒体
１７１ キャッピング層
１７７ ＯＬＥＤ
２１０ ＯＬＥＤ
２５０ 上部面発光形ＯＬＥＤ
２５３ アノード層
２５６ 基板
２７０ 上部および底部面発光形ＯＬＥＤ
２７３ アノード層
２７６ 基板
３００ ＯＬＥＤディスプレイ
３０３ 透明ＯＬＥＤ
３０５ 低反射率の吸収体
３０９ アノード層
３１２ 基板
３３０ スタック形ＯＬＥＤ
３３９ 基板
３５４，３５７，３６０ ＯＬＥＤ
４０８ 基板
４１１ 第１電極
４１４ 有機層
４１７ 第２電極
１５０ ＯＬＥＤ
１５３ 基板
１５６ 第１電極（アノード層）
１５９ 導電性ポリマー層
１６２ 放射ポリマー層
１６５ カソード層
１６５ａ 電子注入層
１６５ｂ 導電性層
１６５ｃ トップ層
１６５ｄ バリア層
１６８ 媒体
１７１ キャッピング層
１７７ ＯＬＥＤ
２１０ ＯＬＥＤ
２５０ 上部面発光形ＯＬＥＤ
２５３ アノード層
２５６ 基板
２７０ 上部および底部面発光形ＯＬＥＤ
２７３ アノード層
２７６ 基板
３００ ＯＬＥＤディスプレイ
３０３ 透明ＯＬＥＤ
３０５ 低反射率の吸収体
３０９ アノード層
３１２ 基板
３３０ スタック形ＯＬＥＤ
３３９ 基板
３５４，３５７，３６０ ＯＬＥＤ
Claims (38)
- 実質的に透明でありかつ導電性を有する電極において、
該電極は、第１層と、該第１層上の第２層とを含んでおり、
前記第１層および第２層は媒体に曝され、該第２層は（１）前記第１層および（２）前記媒体のうちの少なくとも１つと反応し、これによって前記の実質的に透明でありかつ導電性を有する電極が作製されることを特徴とする、
実質的に透明でありかつ導電性を有する電極。 - 前記第１層は、電子注入材料からなる、
請求項１に記載の電極。 - 前記第１層は、仕事関数の小さい材料からなる、
請求項１に記載の電極。 - 前記第２層は、導電性材料からなる、
請求項１に記載の電極。 - 前記媒体は、気体または液体のうちの少なくとも１つである、
請求項１に記載の電極。 - 前記媒体は、アルゴン、窒素、酸素、水分、残留溶媒およびこれらの混合物のうちの少なくとも１つからなる、
請求項１に記載の電極。 - 前記の第１層と第２層との間にバリア層を含む、
請求項１に記載の電極。 - 前記バリア層によって、前記の第１層と第２層との間の反応が最小化される、
請求項７に記載の電極。 - 前記第２層上に第３層が含まれており、
該第３層は反応性の金属からなる、
請求項１に記載の電極。 - 透過率が６０％以上である、
請求項１に記載の電極。 - 前記第１層は、約０．５ｎｍ〜約１０ｎｍの厚さを有するバリウム層からなり、
前記第２層は、約５ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する銀の層からなり、
前記第３層は、約５ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有するバリウム層からなる、
請求項９に記載の電極。 - 前記第１層は、約１ｎｍ〜約４ｎｍの厚さを有するバリウム層からなり、
前記第２層は、約２０ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有する銀の層からなり、
前記第３層は、約２０ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有するバリウム層からなる、
請求項９に記載の電極。 - 前記電極は、トップ電極であり、かつ有機発光デバイス（ＯＬＥＤ＝organic light emitting device）に組み込まれており、
該有機発光デバイスは、
基板と、
該基板上のボトム電極と、
該ボトム電極上の少なくとも１つの有機層とを含んでおり、
前記トップ電極が前記の少なくとも１つの有機層上に設けられている、
請求項１に記載の電極。 - 前記トップ電極にデポジットされるキャッピング層を含む、
請求項１３に記載の電極。 - 前記キャッピング層は、導電性層からなる、
請求項１４に記載の電極。 - 前記キャッピング層は、導電性でありかつ透明な材料からなる、
請求項１４に記載の電極。 - トップエミッション形ＯＬＥＤに組み込まれる、
請求項１に記載の電極。 - トップおよびボトムエミッション形ＯＬＥＤに組み込まれる、
請求項１に記載の電極。 - スタック形ＯＬＥＤデバイスの複数のＯＬＥＤにそれぞれ組み込まれる、
請求項１に記載の電極。 - 前記電極はＯＬＥＤに組み込まれており、
該ＯＬＥＤは、前記電極上のバリア層を含んでおり、
該バリア層は、酸化モリブデンと、酸化ホウ素と、酸化バナジウムと、炭化モリブデンと、炭化バナジウムと、モリブデン合金酸化物と、ホウ素合金酸化物と、バナジウム合金酸化物と、ナトリウム、アルミニウム、フッ素およびこれらの混合物を含む組成物とからなるグループから選択される、
請求項１に記載の電極。 - 前記電極は、ＯＬＥＤディスプレイの実質的に透明なＯＬＥＤに組み込まれており、
低反射の吸収体が前記電極に設けられている、
請求項１に記載の電極。 - 前記の低反射の吸収体は、黒色吸収体あるか、または前記の実質的に透明なＯＬＥＤから放射される光スペクトルの一部だけを吸収する有色吸収体である、
請求項２１に記載の電極。 - 有機電子デバイスにおいて、
請求項１に記載の電極を含むことを特徴とする、
有機電子デバイス。 - 有機発光デバイス、太陽電池、フォトトランジスタ、フォト検出器、レーザまたは光結合素子のうちのいずれか１つに組み込まれる、
請求項１に記載の電極。 - 実質的に透明でありかつ導電性を有する電極において、
該電極は、第１層と、該第１層上の第２層と、該第２層上の第３層とを含んでおり、
前記の第１層、第２層および第３層は媒体に曝され、
前記の実質的に透明でありかつ導電性の電極を作製するため、（１）第２層と第３層とが反応するか、または（２）第２層が前記媒体と反応しかつ第３層が前記媒体と反応するかのいずれかであることを特徴とする、
実質的に透明でありかつ導電性を有する電極。 - 前記の第１層、第２層および第３層が互いに反応して前記の実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される、
請求項２５に記載の電極。 - 前記の第１層、第２層、第３層および媒体が互いに反応して前記の実質的に透明でありかつ導電性の電極が作製される、
請求項２５に記載の電極。 - 前記の第１層と第２層との間にバリア層を含む、
請求項２５に記載の電極。 - 前記バリア層によって、前記第１層と、（１）第２層および（２）第３層のうちの少なくとも１つとの間の反応が最小化される、
請求項２８に記載の電極。 - 前記第１層は、約１ｎｍ〜約４ｎｍの厚さを有する電子注入材料からなり、
前記第２層は、約２０ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有する導電性材料からなり、
前記第３層は、約２０ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有する反応性材料からなる、
請求項２５に記載の電極。 - 前記電極にデポジットされるキャッピング層を含む、
請求項２５に記載の電極。 - 前記キャッピング層は、導電性でありかつ透明な材料からなる、
請求項３１に記載の電極。 - 前記電極は、ＯＬＥＤディスプレイの実質的に透明なＯＬＥＤに組み込まれており、
低反射の吸収体が前記電極に設けられている、
請求項２５に記載の電極。 - 有機電子デバイスにおいて、
請求項２５に記載の電極を含むことを特徴とする、
有機電子デバイス。 - 実質的に透明でありかつ導電性の電極を作製する方法において、
第１層をデポジットし、
該第１層に第２層をデポジットし、
前記第１層および第２層を媒体に曝し、
前記第２層を（１）第１層および（２）前記媒体のうちの少なくとも１つと反応させて前記の実質的に透明でありかつ導電性の電極を作製することを特徴とする、
実質的に透明でありかつ導電性の電極を作製する方法。 - 前記第１層をデポジットし次第、該第１層にバリア層をデポジットする、
請求項３５に記載の方法。 - 前記第２層のデポジットし次第、該第２層に第３層をデポジットする、
請求項３５に記載の方法。 - 前記第１層は、約１ｎｍ〜約４ｎｍの厚さを有するバリウム層からなり、
前記第２層は、約２０ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有する銀の層からなり、
前記媒体は、アルゴン、窒素、酸素、水分、残留溶媒およびこれらの混合物のうちの少なくとも１つからなる、
請求項３５に記載の方法。
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164937A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| WO2006109493A1 (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-19 | Kyocera Corporation | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| JP2006302878A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Kyocera Corp | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| JP2006302879A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Kyocera Corp | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| KR20110030450A (ko) * | 2008-05-09 | 2011-03-23 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 유기발광소자 |
| JP2013509710A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ルナレック アクチエボラグ | 発光電気化学デバイス、そのデバイスを含むシステム、およびそのデバイスの使用 |
| JP2014150071A (ja) * | 2007-06-28 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| WO2014196329A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2014196330A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101846410B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2019525385A (ja) * | 2017-01-05 | 2019-09-05 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. | 電極及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003308968A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Rohm Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光素子及びその製法 |
| US7411223B2 (en) * | 2003-09-15 | 2008-08-12 | General Electric Company | Compound electrodes for electronic devices |
| JP4689176B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-05-25 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| GB2442028A (en) * | 2004-12-24 | 2008-03-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emissive device |
| DE102005015359B4 (de) * | 2005-03-30 | 2010-05-20 | Samsung Mobile Display Co. Ltd., Suwon | Invertierte Schichtstruktur für organische Leuchtdioden und Photolumineszenz-Quenching-Elemente |
| US20070001591A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Jun Tanaka | Organic electroluminescence display and manufacturing method thereof |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| US20080206589A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Bruce Gardiner Aitken | Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device |
| US7722929B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| US7829147B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-11-09 | Corning Incorporated | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| KR20070069314A (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 전자부품연구원 | Ｏｌｅｄ 소자 |
| US20080048178A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Bruce Gardiner Aitken | Tin phosphate barrier film, method, and apparatus |
| JP5056420B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2012-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| DE102008034256A1 (de) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Technische Universität Dresden | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| KR100964231B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2010-06-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 |
| DE102009034822A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt |
| KR20120004193A (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
| CN104124369A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| US9444075B2 (en) * | 2014-11-26 | 2016-09-13 | Universal Display Corporation | Emissive display with photo-switchable polarization |
| KR20160065318A (ko) * | 2014-11-28 | 2016-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN105161011B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置和智能穿戴设备 |
| DE102016109519A1 (de) | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Osram Gmbh | Eindeckungsteil für ein Gewächshaus, Gewächshaus und Verwendung einer Schicht für ein Eindeckungsteil |
| US10249800B1 (en) | 2017-10-03 | 2019-04-02 | Lockheed Martin Corporation | Stacked transparent pixel structures for electronic displays |
| US10930709B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-02-23 | Lockheed Martin Corporation | Stacked transparent pixel structures for image sensors |
| US10510812B2 (en) | 2017-11-09 | 2019-12-17 | Lockheed Martin Corporation | Display-integrated infrared emitter and sensor structures |
| US10594951B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-03-17 | Lockheed Martin Corporation | Distributed multi-aperture camera array |
| US11616941B2 (en) | 2018-02-07 | 2023-03-28 | Lockheed Martin Corporation | Direct camera-to-display system |
| US10690910B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-06-23 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular vision correction |
| US10838250B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-11-17 | Lockheed Martin Corporation | Display assemblies with electronically emulated transparency |
| US10951883B2 (en) | 2018-02-07 | 2021-03-16 | Lockheed Martin Corporation | Distributed multi-screen array for high density display |
| US10652529B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-05-12 | Lockheed Martin Corporation | In-layer Signal processing |
| US10979699B2 (en) | 2018-02-07 | 2021-04-13 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular imaging system |
| US10866413B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-12-15 | Lockheed Martin Corporation | Eccentric incident luminance pupil tracking |
| US10698201B1 (en) | 2019-04-02 | 2020-06-30 | Lockheed Martin Corporation | Plenoptic cellular axis redirection |
| US20210013420A1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | Duk San Neolux Co., Ltd. | Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same, and electronic device thereof |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
| KR102392914B1 (ko) * | 2020-08-24 | 2022-04-29 | 고려대학교 산학협력단 | 유기발광소자용 전극 및 그 전극을 포함하는 유기발광소자 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3560784A (en) | 1968-07-26 | 1971-02-02 | Sigmatron Inc | Dark field, high contrast light emitting display |
| US4277517A (en) * | 1978-07-17 | 1981-07-07 | Rockwell International Corporation | Method of forming transparent conductor pattern |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US5521759A (en) | 1993-06-07 | 1996-05-28 | National Research Council Of Canada | Optical filters for suppressing unwanted reflections |
| GB9317932D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-10-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| US5504389A (en) | 1994-03-08 | 1996-04-02 | Planar Systems, Inc. | Black electrode TFEL display |
| US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| ATE365976T1 (de) | 1996-09-04 | 2007-07-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Elektrodenabscheidung für organische lichtemittierende vorrichtungen |
| US5986401A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-16 | The Trustee Of Princeton University | High contrast transparent organic light emitting device display |
| US5739545A (en) | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
| US6420031B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-07-16 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
| US6274980B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-08-14 | The Trustees Of Princeton University | Single-color stacked organic light emitting device |
| JP2001338755A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US6541910B2 (en) * | 2000-04-06 | 2003-04-01 | Seiko Epson Corporation | Organic el display |
| US6429451B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-08-06 | Eastman Kodak Company | Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices |
| US6545409B2 (en) * | 2001-05-10 | 2003-04-08 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting diode with high contrast ratio |
-
2002
- 2002-10-22 US US10/278,245 patent/US7015639B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003362364A patent/JP2004146379A/ja active Pending
- 2003-10-22 DE DE10349034A patent/DE10349034A1/de not_active Withdrawn
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164937A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| US8569945B2 (en) | 2004-12-03 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device having cathode including a magnesium-calcium layer and method for fabricating the same |
| WO2006109493A1 (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-19 | Kyocera Corporation | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| JP2006302878A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Kyocera Corp | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| JP2006302879A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Kyocera Corp | 発光素子、その発光素子を備えた発光装置及びその製造方法 |
| KR100883306B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2009-02-11 | 쿄세라 코포레이션 | 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조방법 |
| US8680543B2 (en) | 2005-03-24 | 2014-03-25 | Lg Display Co., Ltd. | Light Emitting Element Having a Capping Layer on an Electrode, Light Emitting Device Having the Same and Method for Manufacturing the Same |
| JP2014150071A (ja) * | 2007-06-28 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2017130464A (ja) * | 2007-06-28 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2015062197A (ja) * | 2007-06-28 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR20110030450A (ko) * | 2008-05-09 | 2011-03-23 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 유기발광소자 |
| KR101632087B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-06-20 | 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 | 유기발광소자 |
| JP2012508945A (ja) * | 2008-05-09 | 2012-04-12 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイス |
| JP2013509710A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ルナレック アクチエボラグ | 発光電気化学デバイス、そのデバイスを含むシステム、およびそのデバイスの使用 |
| US9159943B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-10-13 | Lunalec Ab | Light-emitting electrochemical device, a system comprising such a device and use of such a device |
| KR101846410B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| WO2014196329A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2014196330A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2014196330A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2014196329A1 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US10069099B2 (en) | 2013-06-06 | 2018-09-04 | Konica Minolta, Inc | Organic electroluminescence element |
| JP2019525385A (ja) * | 2017-01-05 | 2019-09-05 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. | 電極及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
| US10957872B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-03-23 | Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co. Ltd. | Electrode and organic electroluminescent device using same |
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| Publication number | Publication date |
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