TWI549114B - 驅動液晶顯示裝置的方法 - Google Patents

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小山潤
三宅博之
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

驅動液晶顯示裝置的方法
本發明係有關於一種驅動液晶顯示裝置的方法。
從諸如電視接收器的大顯示裝置至諸如行動電話的小顯示裝置之液晶顯示裝置已經普及。從現在起,具有較高附加價值的產品將被需求且正在開發。近年來,有鑑於對地球環境關心的日益增加及對行動設備便利性的改善,低耗電的液晶顯示裝置的發展受到重視。
專利文件1揭露一種液晶顯示裝置的結構,為了在所有閘極線及所有信號線未被選擇的閒置期間中維持資料信號線的固定電位,所有資料信號線係與一資料信號驅動器電性絕緣,其導致高阻抗狀態。此結構可使得液晶顯示裝置的耗電降低。
非專利文件1揭露一種液晶顯示裝置的結構,對於液晶顯示裝置的耗電的降低,更新率在動態影像顯示的情況與靜態影像顯示的情況之間不同。非專利文件1也揭露一種結構,為了防止對於由在靜態影像顯示的情況中在閒置 期間與掃描期間之間的信號的切換導致的汲極-共用電極的電壓(drain-common voltage)的波動所造成的閃爍的感知,具有相同相位的AC信號也在閒置期間被供應至一信號線及一共用電極,以便可防止汲極-共用電極的電壓之波動。
[參考文件]
[專利文件1]日本公開專利申請案第2001-312253號
[非專利文件1]津田 和彥等人,IDW’02, pp. 295-298
當在如同專利文件1及非專利文件1的結構中之液晶顯示裝置中執行複雜的驅動時,供應信號至閘極線及信號線的驅動電路的結構及運作複雜,從而液晶顯示裝置的耗電無法充分地降低。
在更新率如同在非專利文件1的結構中一樣在動態影像顯示的情況與靜態影像顯示的情況之間不同的情況中,在靜態影像顯示的情況中之更新率必須顯著地減少以進一步降低液晶顯示裝置的耗電。不過,當在靜態影像顯示的情況中之更新率被顯著地減少時,在影像信號被保持的期間顯示的影像由於下列問題而劣化:將被保持於像素電極中的電荷的洩漏及/或由雜訊等造成在像素電極及共用電極之間的影像信號的失調。
有鑑於上述問題,本發明之一實施例的目的在於經由沒有驅動電路的複雜運作而降低在靜態影像顯示的情況中 之更新率,以抑制顯示於液晶顯示裝置中的影像的劣化。
本發明之一實施例係包括下列的一種用於驅動液晶顯示裝置的方法。在顯示動態影像的期間中,包括電性連接至形成在第一基板之上的驅動電路部之氧化物半導體層的像素電晶體被導通,使得一影像信號被供應至像素電極,且包括電性連接至形成在第一基板之上的端子部之氧化物半導體層的切換電晶體被導通,使得一共同電位被供應至一共用電極,共用電極係通過切換電晶體電性連接至端子部且被形成在第二基板之上。在顯示靜態影像的期間中,像素電晶體被關閉,使得像素電極係處於電性浮接狀態,且切換電晶體被關閉,使得共用電極係處於電性浮接狀態。在靜態影像被切換至動態影像的期間中,下列步驟被接續地執行:第一步驟,供應共同電位給共用電極;第二步驟,供應一電源供應電壓給驅動電路部;第三步驟,供應一時脈信號給驅動電路部;及第四步驟,供應一起始脈衝信號給驅動電路部。
本發明之另一實施例係包括下列的一種用於驅動液晶顯示裝置的方法。在顯示動態影像的期間中,包括電性連接至形成在第一基板之上的驅動電路部之氧化物半導體層的像素電晶體被導通,使得一影像信號被供應至像素電極,且包括電性連接至形成在第一基板之上的端子部之氧化物半導體層的切換電晶體被導通,使得一共同電位被供應至一共用電極,共用電極係通過切換電晶體電性連接至端子部且被形成在第二基板之上。在顯示靜態影像的期間 中,像素電晶體被關閉,使得像素電極係處於電性浮接狀態,且切換電晶體被關閉,使得共用電極係處於電性浮接狀態。在動態影像被切換至靜態影像的期間中,下列步驟被接續地執行:第一步驟,停止供應一起始脈衝信號給驅動電路部;第二步驟,停止供應一時脈信號給驅動電路部;第三步驟,停止供應一電源供應電壓給驅動電路部;及第四步驟,停止供應共同電位給共用電極。
根據本發明的其中一實施例,用於驅動液晶顯示裝置的方法可為一種方法,用於驅動一液晶顯示裝置,包括一記憶電路,其儲存影像信號;一比較電路,其比較在各個像素中的影像信號並且計算差異;及一顯示控制電路,其控制驅動電路並且讀出影像信號。在比較電路中,在連續的畫面週期中儲存於記憶電路的影像信號在各個像素中被讀出且被比較以比較一差異,以便決定係顯示一動態影像或一靜態影像。
根據本發明的其中一實施例,用於驅動液晶顯示裝置的方法可為一種方法,其中在共用電極與被供應共同電位的端子部之間的一導通狀態或是一非導通狀態係根據自顯示控制電路供應至切換電晶體的一閘極端子的一信號而由切換電晶體控制。
根據本發明的其中一實施例,液晶顯示裝置的驅動方法可為一種方法,其中切換電晶體在室溫下具有10zA/μm或更小之每微米通道寬度的關閉電流,且在共用電極及被供應共同電位的端子部之間為導通狀態或非導通狀態係由 切換電晶體控制。
根據本發明的其中一實施例,即使在靜態影像顯示的情況中更新率減小,也可抑制顯示影像的劣化。
10‧‧‧脈衝輸出電路
11‧‧‧第一配線
12‧‧‧第二配線
13‧‧‧第三配線
14‧‧‧第四配線
15‧‧‧第五配線
17‧‧‧第六配線
18‧‧‧第七配線
21‧‧‧第一輸入端子
22‧‧‧第二輸入端子
23‧‧‧第三輸入端子
24‧‧‧第四輸入端子
25‧‧‧第五輸入端子
26‧‧‧第一輸出端子
27‧‧‧第二輸出端子
31‧‧‧第一電晶體
32‧‧‧第二電晶體
33‧‧‧第三電晶體
34‧‧‧第四電晶體
35‧‧‧第五電晶體
36‧‧‧第六電晶體
37‧‧‧第七電晶體
38‧‧‧第八電晶體
39‧‧‧第九電晶體
40‧‧‧第十電晶體
41‧‧‧第十一電晶體
51‧‧‧電源供應線
52‧‧‧電源供應線
61‧‧‧期間
62‧‧‧期間
100‧‧‧液晶顯示裝置
101‧‧‧顯示面板
102‧‧‧記憶電路
103‧‧‧比較電路
104‧‧‧顯示控制電路
105‧‧‧驅動電路部
106‧‧‧像素電路部
107A‧‧‧閘極線驅動電路
107B‧‧‧信號線驅動電路
108‧‧‧畫面記憶體
109‧‧‧選擇電路
110‧‧‧共用電極部
111‧‧‧切換電晶體
221‧‧‧像素電極
222‧‧‧共用電極
223‧‧‧液晶
160‧‧‧電晶體
162‧‧‧電晶體
164‧‧‧電容器
201‧‧‧第一基板
202‧‧‧第二基板
203‧‧‧像素電路部
204‧‧‧閘極線驅動電路
205‧‧‧信號線驅動電路
206‧‧‧端子部
206A‧‧‧端子
206B‧‧‧端子
207‧‧‧切換電晶體
208‧‧‧共同連接部
209‧‧‧共用電極
210‧‧‧電容器
211‧‧‧閘極線
212‧‧‧信號線
213‧‧‧像素
214‧‧‧像素電晶體
215‧‧‧液晶元件
221‧‧‧像素電極
222‧‧‧共用電極
223‧‧‧液晶
401‧‧‧期間
402‧‧‧期間
403‧‧‧期間
404‧‧‧期間
601‧‧‧期間
602‧‧‧期間
603‧‧‧期間
604‧‧‧期間
801‧‧‧液晶顯示面板
802‧‧‧觸控面板單元
803‧‧‧殼體
804‧‧‧液晶顯示裝置
805‧‧‧像素
806‧‧‧光學感測器
807‧‧‧液晶元件
808‧‧‧閘極線驅動電路
809‧‧‧信號線驅動電路
810‧‧‧光學感測器驅動電路
811‧‧‧記憶元件
1200‧‧‧信號線驅動電路
1201‧‧‧閘極線驅動電路
1202‧‧‧像素電路
1204‧‧‧第二基板
1205‧‧‧密封材料
1206‧‧‧配向膜
1207‧‧‧配向膜
1208‧‧‧連接配線
1210‧‧‧第一基板
1211‧‧‧像素電晶體
1214‧‧‧絕緣層
1223‧‧‧驅動電路薄膜電晶體
1235‧‧‧樹脂層
1240‧‧‧端子部
1241‧‧‧連接端子
1242‧‧‧連接配線
1243‧‧‧連接端子
1250‧‧‧像素電極
1255‧‧‧柱狀間隔物
1261‧‧‧切換電晶體
1270‧‧‧導電粒子
1280‧‧‧液晶
1290‧‧‧第一偏光板
1291‧‧‧共用電極
1293‧‧‧導電層
1295‧‧‧第二偏光板
9630‧‧‧殼體
9631‧‧‧顯示部
9632‧‧‧操作鍵
9633‧‧‧喇叭
9635‧‧‧操作鍵
9636‧‧‧連接端子
9638‧‧‧麥克風
9651‧‧‧太陽能電池
9652‧‧‧電池
9653‧‧‧視窗型顯示部
9672‧‧‧記錄媒體讀取部
9676‧‧‧快門按鈕
9677‧‧‧影像接收部
9680‧‧‧外部連接埠
9681‧‧‧指向裝置
圖1繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖2A至2C繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖3繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖4繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖5A及5B各自繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖6繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖7A至7C繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖8A及8B各自繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖9A至9D各自繪示根據本發明之一實施例的電子設備。
圖10A至10D各自繪示根據本發明之一實施例的電子設備。
圖11A至11C繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖12繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
圖13繪示根據本發明之一實施例的液晶顯示裝置。
下面,參閱附圖說明本發明之實施例。不過,本發明可用不同的樣態實現,熟知此技藝者可輕易瞭解本發明的樣態及細節可不脫離本發明之目的與範疇而以各種方式修改。因此,本發明不應被解釋為限定於下面的實施例的說明。注意,在下面說明的本發明的結構中,不同圖式中之相同的部分係由相同的參考標號標示。
注意,在實施例中繪示於圖式等的各個結構的層之大小、厚度、或是信號的波型的失真在一些例子中係為了簡化而被誇大。因此,本發明的實施例並未限定於此種尺度。
注意,在本說明書中,諸如“第一”、“第二”、“第三”及“第N”(N係自然數)的名詞係用以避免構件中的混淆,並非限定構件的數目。
(實施例1)
在本實施例中,將說明液晶顯示裝置的方塊圖、及時序圖等。
首先,圖1係液晶顯示裝置的方塊圖,其繪示本說明書的液晶顯示裝置的構件。
圖1中的液晶顯示裝置100包括一顯示面板101、一記憶電路102、一比較電路103、一顯示控制電路104、 及一選擇電路109。
顯示面板101包括例如一驅動電路部105、一像素電路部106、一共用電極部110、及一切換電晶體111。驅動電路部105包括一閘極線驅動電路107A及一信號線驅動電路107B。
閘極線驅動電路107A及信號線驅動電路107B係用於驅動包括複數像素的像素電路部106之驅動電路。閘極線驅動電路107A及信號線驅動電路107B各自包括一移位暫存器電路。閘極線驅動電路107A、信號線驅動電路107B、像素電路部106、及切換電晶體111係使用在一個基板之上形成的薄膜電晶體形成。注意,閘極線驅動電路107A及信號線驅動電路107B、與像素電路部106及切換電晶體111可被形成在不同的基板之上。
一高電源供應電位Vdd、一低電源供應電位Vss、一起始脈衝SP、一時脈信號CK、及一影像信號Data係經由顯示控制電路104的控制而被供應至驅動電路部105。一共同電位Vcom係經由顯示控制電路104的控制通過切換電晶體111被供應至共用電極部110。
注意,高電源供應電位Vdd指高於一參考電位的電位,而低電源供應電位指低於或等於該參考電位的電位。最好高電源供應電位及低電源供應電位均為一薄膜電晶體可以運作的電位。高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss間的電位差在一些情況中被稱為電源供應電壓。
注意,在許多情況中,一電壓意指一給定電位及一參 考電位(例如一地電位)間的電位差。因此,一電壓也可被稱為一電位。
只要其相對於被供應至一像素電極的一影像信號Data的一電位做為參考,一共同電位Vcom可為任何電位。例如,共同電位Vcom可為一地電位。注意,影像信號Data可根據點反轉驅動、源極線反轉驅動、閘極線反轉驅動、畫面反轉驅動、或其類似者而被適當地反轉以被輸入至顯示面板101。
注意,在被供應至記憶電路102之用於顯示動態影像或靜態影像的一影像信號係一類比信號的情況中,影像信號可通過一A/D轉換器或其類似者被轉換成一數位信號以被供應至記憶電路102。影像信號係最好預先被轉換成一數位信號,藉以可輕易進行稍後將被進行的對影像信號之間的差異的檢測。
記憶電路102包括用於儲存複數個畫面的影像信號之複數個畫面記憶體108。記憶電路102中包括的畫面記憶體108的數目未被特別限定且記憶電路102可為能夠儲存複數個畫面的影像信號之一元件。注意,畫面記憶體108可使用諸如動態隨機存取記憶體(DRAM)或靜態隨機存取記憶體(SRAM)的記憶元件形成。
只要可對每一畫面週期儲存一影像信號,則畫面記憶體108的數目未被特別限定。畫面記憶體108的影像信號係由比較電路103及選擇電路109選擇性地讀出。
注意,一切換電晶體係由一薄膜電晶體形成的元件, 其中,在源極端子與汲極端子的二個端子間的導通或非導通係根據施加於閘極的電壓被選擇以實現交換操作。
在根據此實施例的結構中,氧化物半導體被用於在各個像素電路部106及切換電晶體111中包括的薄膜電晶體的半導體層。氧化物半導體係經由移除n型不純物的氫以被高度純化使得所包含的並非氧化物半導體的主成分之不純物盡可能減少而成為本質(i型)或大體上本質的氧化物半導體。也就是,特點在於一高度純化的i型(本質)半導體或是大體上i型半導體並非經由加入不純物而是經由盡量減少諸如氫或水的不純物而獲得。從而,包括於一薄膜電晶體中的一氧化物半導體層被高度純化以變成電性i型(本質)。
此外,高度純化的氧化物半導體包括非常少的載子(接近零),且其載子濃度低於1×1014/cm3,較佳地低於1×1012/cm3,更佳地低於1×1011/cm3
因為氧化物半導體包括非常少的載子,關閉電流在一電晶體中可被減小。具體而言,在包括上面的氧化物半導體層的薄膜電晶體中,每微米通道寬度的關閉電流可少於或等於10aA/μm(1×10-17A/μm),較佳地少於或可等於1aA/μm(1×10-18A/μm),更佳地為10zA/μm(1×10-20A/μm)。也就是說,在電路設計中,當薄膜電晶體關閉時,氧化物半導體層可被視為一絕緣體。另一方面,當包括氧化物半導體層的薄膜電晶體導通時,預期包括氧化物半導體層的薄膜電晶體的供電能力會高於包括由非晶矽形成之半導體 層的薄膜電晶體的供電能力。
當具有非常低的關閉電流之薄膜電晶體被用於像素電路部106時,一像素電極可與會造成各個像素的像素電極的電位波動的信號線電性絕緣。從而,可抑制由於信號線的電位波動造成的像素電極的電位波動。再者,具有非常低的關閉電流之薄膜電晶體被用於切換電晶體111,藉以使共用電極部可與被供應共同電位Vcom的外部端子部絕緣,且可使共用電極部進入電性浮接狀態。從而,可抑制由於雜訊等引起的施加至液晶元件的兩電極的電壓之波動。
當氧化物半導體被用於在各個像素電路部106及切換電晶體111中包括的薄膜電晶體的半導體層時,更新率被減小,使得閘極線驅動電路及信號線驅動電路在顯示靜態影像的期間中不運作的期間被顯著地延長,而像素的顯示可維持原樣。因此,沒有驅動電路的複雜運作,可將用於驅動閘極線驅動電路及信號線驅動電路的信號停止供應一段長的時間並且可減少耗電。注意,在使用包括具有非常低的關閉電流之氧化物半導體的薄膜電晶體的情況中,當各個像素的像素電極的電位係在大約每分鐘或更長時間被更新時是絕對沒有問題的。再者,當氧化物半導體被用於在各個像素電路部106及切換電晶體111中包括的薄膜電晶體的半導體層時,液晶元件的二電極可處於浮接狀態,且因此可抑制由於雜訊等引起的顯示影像的劣化。
做為氧化物半導體層,可使用諸如In-Sn-Ga-Zn-O基 膜的四元金屬氧化物膜、諸如In-Ga-Zn-O基膜、In-Sn-Zn-O基膜、In-Al-Zn-O基膜、Sn-Ga-Zn-O基膜、Al-Ga-Zn-O基膜、或是Sn-Al-Zn-O基膜的三元金屬氧化物膜;或是諸如In-Zn-O基膜、Sn-Zn-O基膜、Al-Zn-O基膜、Zn-Mg-O基膜、Sn-Mg-O基膜、或是In-Mg-O基膜的二元金屬氧化物膜;In-O基膜、Sn-O基膜、或是Zn-O基膜。再者,SiO2可被包含在上面的氧化物半導體層中。
做為氧化物半導體,可使用由InMO3(ZnO) m (m>0)表示的薄膜。在此,M表示自Ga、Al、Mn、及Co選取的一或多種金屬元素。例如,M可為Ga、Ga及Al、Ga及Mn、Ga及Co、或其類似者。包括Ga做為M之組成式由InMO3(ZnO) m (m>0)表示的氧化物半導體被稱為上述的In-Ga-Zn-O基氧化物半導體,且In-Ga-Zn-O基氧化物半導體的薄膜也被稱為In-Ga-Zn-O基膜。
在包括氧化物半導體層的薄膜電晶體中,導通電流的溫度依存性幾乎很難觀察到且關閉電流維持為相當低;因此,包括氧化物半導體層的薄膜電晶體最好是在高溫下被使用。
比較電路103係一種電路,其選擇性地讀出儲存在記憶電路102中之連續的畫面週期中的影像信號,比較在各個像素中之連續的畫面週期中的影像信號,及檢測其差異。取決於是否檢測到差異,而決定在顯示控制電路104及選擇電路109中的運作。當經由在比較電路中比較影像信號而在任一像素中檢測到差異時,檢測到差異的一系列 畫面週期被判定為顯示動態影像的期間。另一方面,當經由在比較電路103中比較影像信號而在所有像素中均未檢測到差異時,未檢測到差異的一系列畫面週期被判定為顯示靜態影像的期間。換言之,取決於是否由比較電路103檢測到差異,而決定連續的畫面週期中的影像信號係用於顯示動態影像的影像信號或是用於顯示靜態影像的影像信號。比較獲得的差異可被設定為當其超過一預定位準時將被決定為會被檢測到的差異。比較電路103可被設定以與差異的值無關而是根據差異的絕對值判斷差異的檢測。
注意,在本實施例中,是否顯示一靜態影像或是一動態影像係經由以比較電路103檢測在連續的畫面週期中的影像信號間的差異而決定;不過,用於決定是否顯示一動態影像或是一靜態影像的信號可經由外部供應用於在靜態影像及動態影像之間切換的信號而被供應。
注意,動態影像意指經由快速切換被分時成複數畫面的複數影像而由人眼識別為一動態影像的影像。具體而言,經由每秒切換影像至少60次(60畫面),由人眼感知到較少閃爍的動態影像。相對地,靜態影像意指雖然被分時成複數畫面的複數影像係高速切換,但不像動態影像,其在一系列的畫面週期中,例如在第n個畫面及第(n+1)個畫面中係相同的影像信號。
選擇電路109係一種用於自儲存用以顯示動態影像的影像信號之畫面記憶體108選擇影像信號並且當以比較電路103經由計算檢測到差異時,也就是當在連續的畫面週 期中顯示的影像係動態影像時將影像信號輸出至顯示控制電路104的電路。注意,當以比較電路103經由計算未檢測到影像信號間的差異時,也就是當在連續的畫面週期中顯示的影像係靜態影像時,選擇電路109不將影像信號輸出至顯示控制電路104。當顯示靜態影像時,選擇電路109不將影像信號從畫面記憶體108輸出至顯示控制電路104,造成耗電的降低。選擇電路109可包括複數個開關,例如,由電晶體形成的開關。
顯示控制電路104係一種用於控制對驅動電路部105之影像信號的供應,其係當在比較電路103中檢測到差異時由選擇電路109選取,以及控制對驅動電路部105之諸如高電源供應電位Vdd、低電源供應電位Vss、起始脈衝SP、或是時脈信號CK等的用於控制驅動電路部105的控制信號的供應或停止供應之電路。具體而言,當比較電路103決定為顯示動態影像時,通過選擇電路109自記憶電路102讀出一影像信號且自顯示控制電路104供應至驅動電路部105,並且自顯示控制電路104供應一控制信號至驅動電路部105。另一方面,當比較電路103決定為顯示靜態影像時,一影像信號未自選擇電路109供應至顯示控制電路104;因此,未供應影像信號至驅動電路部105且停止對驅動電路部105供應各個控制信號。
注意,當以比較電路103經由計算檢測到差異時,顯示控制電路104開啟切換電晶體111,反之,當以比較電路103經由計算未檢測到差異時,顯示控制電路104關閉 切換電晶體111。
任何信號的供應意指對一配線供應一預定電位。任何信號的停止供應意指對一配線停止供應一預定電位,以及連接至供應一預定的固定電位之配線,例如供應低電源供應電位Vss的配線,或是從供應一預定電位之配線切斷,其導致一浮接狀態。
注意,在影像被決定為靜態影像的情況中,當影像被視為靜態影像的期間短時,在控制信號中不必然停止供應高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss。這是因為可減少由於重複地停止及開始供應高電源供應電位Vdd及低電源供應電位Vss所引起的耗電的增加,而較為有利。
在像素電路部106的每個像素中可保持影像信號的期間,最好停止影像信號及控制信號的供應。因此,在先前期間中自顯示控制電路104供應的影像信號及控制信號可被週期地供應,以便在各個像素中於影像信號的保持期間之後再次供應影像信號。注意,一氧化物半導體被用於像素電路部106中包括的薄膜電晶體的半導體層;因此,可將影像信號保持一段較長的時間。
做為驅動電路部105的閘極線驅動電路107A及信號線驅動電路107B中各自包括的移位暫存器,可使用自第一級的輸出端連續地輸出諸如時脈信號、反時脈信號、及起始脈衝的脈衝之電路。
在此,圖11A至11C繪示在閘極線驅動電路107A及信號線驅動電路107B中各自包括的移位暫存器的例子。
圖11A中的移位暫存器包括第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N(N係大於或等於3的自然數)。在圖11A中的移位暫存器中,分別自第一配線11、第二配線12、第三配線13、及第四配線14供應第一時脈信號CK1、第二時脈信號CK2、第三時脈信號CK3、及第四時脈信號CK4到第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N。一起始脈衝SP1(第一起始脈衝)自第五配線15輸入至第一脈衝輸出電路10_1。對於第二或後級的第n脈衝輸出電路10_n(n係大於或等於2且小於或等於N的自然數),自前級的脈衝輸出電路輸入一信號(此信號被稱為前級信號OUT(n-1))(n係大於或等於2的自然數)。對於第一脈衝輸出電路10_1,自下一級之後級的第三脈衝輸出電路10_3輸入一信號。以類似的方式,對於第二或是後級的第n脈衝輸出電路10_n,自下一級之後級的第(n+2)脈衝輸出電路10_(n+2)輸入一信號(此信號被稱為後級信號OUT(n+2))。從而,各個級的脈衝輸出電路輸出將被輸入至後級的脈衝輸出電路及/或前級之前的級的脈衝輸出電路的第一輸出信號(OUT(1)(SR)至OUT(N)(SR))以及將被輸入至不同電路或其類似者的第二輸出信號(OUT(1)至OUT(N))。注意,後級信號OUT(n+2)未被輸入至圖11A繪示的移位暫存器的最後兩級,因此,舉例而言,可額外地自一第六配線17及一第七配線18分別輸入一第二起始脈衝SP2及一第三起始脈衝SP3至最後級之前的級與最後級。或者,可輸入在移位暫存器中額外產生的一信號。例如,可提供未 用於輸出脈衝至像素部的一第(N+1)脈衝輸出電路10_(N+1)及一第(N+2)脈衝輸出電路10_(N+2)(此電路也稱為虛擬級)以在虛擬級中產生對應於第二起始脈衝(SP2)及第三起始脈衝(SP3)的信號。
注意,第一時脈信號(CK1)至第四時脈信號(CK4)係各自以規則的間隔在H位準與L位準之間交替的信號。再者,第一時脈信號(CK1)至第四時脈信號(CK4)被依序延遲1/4週期。在此實施例中,脈衝輸出電路的驅動係以第一至第四時脈信號(CK1)至(CK4)控制。注意,取決於輸入時脈信號的驅動電路,在一些情況中,時脈信號CK也稱為GCK或是SCK;時脈信號在下面的說明中稱為CK。
注意,當清楚地描述“A及B被連接”時,其中包括A及B被電性連接的情況、A及B被功能連接的情況、與A及B被直接連接的情況。在此,A及B各自相當於一個物體(例如,一裝置、一元件、一電路、一配線、一電極、一端子、一導電膜、或是一層)。因此,未限定於特定的連接關係,例如圖式及文字所示的連接關係,也包括圖式及文字所示者以外的連接關係。
第一至第N脈衝輸出電路10_1至10_N各自被假定為包括第一輸入端子21、第二輸入端子22、第三輸入端子23、第四輸入端子24、第五輸入端子25、第一輸出端子26、及第二輸出端子27(參閱圖11B)。
第一輸入端子21、第二輸入端子22、及第三輸入端子23係電性連接至第一至第四配線11至14的任一個。 例如,在圖11A及11B的第一脈衝輸出電路10_1中,第一輸入端子21係連接至第一配線11;第二輸入端子22係連接至第二配線12;且第三輸入端子23係連接至第三配線13。在第二脈衝輸出電路10_2中,第一輸入端子21係連接至第二配線12;第二輸入端子22係連接至第三配線13;且第三輸入端子23係連接至第四配線14。
在圖11A及11B的第一脈衝輸出電路10_1中,一起始脈衝係輸入至第四輸入端子24;一後級信號OUT(3)係輸入至第五輸入端子25;第一輸出信號OUT(1)(SR)係自第一輸出端子26輸出;且第二輸出信號OUT(1)係自第二輸出端子27輸出。
其次,參閱圖11C說明脈衝輸出電路的具體電路配置的例子。
在圖11C中,第一電晶體31的第一端子係連接至電源供應線51、第一電晶體31的第二端子係連接至第九電晶體39的第一端子、且第一電晶體31的閘極電極係連接至第四輸入端子24。第二電晶體32的第一端子係連接至電源供應線52、第二電晶體32的第二端子係連接至第九電晶體39的第一端子、且第二電晶體32的閘極電極係連接至第四電晶體34的閘極電極。第三電晶體33的第一端子係連接至第一輸入端子21、且第三電晶體33的第二端子係連接至第一輸出端子26。第四電晶體34的第一端子係連接至電源供應線52、且第四電晶體34的第二端子係連接至第一輸出端子26。第五電晶體35的第一端子係連 接至電源供應線52、第五電晶體35的第二端子係連接至第二電晶體32的閘極電極與第四電晶體34的閘極電極、且第五電晶體35的閘極電極係連接至第四輸入端子24。第六電晶體36的第一端子係連接至電源供應線51、第六電晶體36的第二端子係連接至第二電晶體32的閘極電極與第四電晶體34的閘極電極、且第六電晶體36的閘極電極係連接至第五輸入端子25。第七電晶體37的第一端子係連接至電源供應線51、第七電晶體37的第二端子係連接至第八電晶體38的第二端子、且第七電晶體37的閘極電極係連接至第三輸入端子23。第八電晶體38的第一端子係連接至第二電晶體32的閘極電極與第四電晶體34的閘極電極、且第八電晶體38的閘極電極係連接至第二輸入端子22。第九電晶體39的第一端子係連接至第一電晶體31的第二端子及第二電晶體32的第二端子、第九電晶體39的第二端子係連接至第三電晶體33的閘極電極與第十電晶體40的閘極電極、且第九電晶體39的閘極電極係連接至電源供應線51。第十電晶體40的第一端子係連接至第一輸入端子21、第十電晶體40的第二端子係連接至第二輸出端子27、且第十電晶體40的閘極電極係連接至第九電晶體39的第二端子。第十一電晶體41的第一端子係連接至電源供應線52、第十一電晶體41的第二端子係連接至第二輸出端子27、且第十一電晶體41的閘極電極係連接至第二電晶體32的閘極電極與第四電晶體34的閘極電極。
在圖11C中,連接第三電晶體33的閘極電極、第十電晶體40的閘極電極、及第九電晶體39的第二端子的部分係稱為節點NA。另外,連接第二電晶體32的閘極電極、第四電晶體34的閘極電極、第五電晶體35的第二端子、第六電晶體36的第二端子、第八電晶體38的第一端子、及第十一電晶體41的閘極電極的部分係稱為節點NB。
在圖11C中的脈衝輸出電路係第一脈衝輸出電路10_1的情況中,第一時脈信號CK1係輸入至第一輸入端子21;第二時脈信號CK2係輸入至第二輸入端子22;第三時脈信號CK3係輸入至第三輸入端子23;起始信號SP係輸入至第四輸入端子24;一後級信號OUT(3)係輸入至第五輸入端子25;第一輸出信號OUT(1)(SR)係自第一輸出端子26輸出;且第二輸出信號OUT(1)係自第二輸出端子27輸出。
圖12繪示包括圖11C中繪示的複數個脈衝輸出電路的一移位暫存器的時序圖。注意,當移位暫存器係一閘極線驅動電路時,圖12中的期間61相當於垂直回掃期間且期間62相當於閘極選擇期間。
其次,參閱圖2A至2C中的示意圖及電路圖等說明在圖1所示的顯示面板101中提供連接於共用電極部110的切換電晶體111的優點。在圖2A至2C中,諸如顯示控制電路(未圖示)的一電路係提供在顯示面板的外側,且一預定的信號(高電源供應電位Vdd、低電源供應電位 Vss、起始脈衝SP、時脈信號CK、影像信號Data、共同電位Vcom、或其類似者)係通過端子部自外側輸入。
圖2A的顯示面板包括一第一基板201及一第二基板202。第一基板201包括一像素電路部203、一閘極線驅動電路204、一信號線驅動電路205、一端子部206、及一切換電晶體207。第二基板202包括一共同連接部208(也稱為一共同接觸)及一共用電極209(也稱為一對向電極)。
注意,在此實施例中,共用電極209係提供在第二基板202之上且彼等之間具有共同連接部208;不過,共用電極209可被提供在第一基板側上。
第一基板201及第二基板202具有透光性以及足以承受稍後執行的熱處理的耐熱性是必需的。做為第一基板201及第二基板202,可使用在電子工業中使用的任何玻璃基板(也稱為無鹼玻璃基板),諸如矽酸鋁玻璃基板、矽酸鋁硼玻璃基板、或是鋇硼矽酸玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、塑膠基板、或其類似者。
注意,可使用形成在第一基板201之上的薄膜電晶體形成圖2A中的像素電路部203、閘極線驅動電路204、信號線驅動電路205、及切換電晶體207。注意,閘極線驅動電路204及信號線驅動電路205不必然使用形成在第一基板201之上的薄膜電晶體形成,而可如圖3所示形成在第一基板201以外的另一基板或其類似者之上。
注意,在像素電路部203中,複數閘極線及複數信號 線係自閘極線驅動電路204及信號線驅動電路205延伸,且提供複數像素以使得像素係由閘極線及信號線包圍。
由圖1中的顯示控制電路104控制的一信號係自端子部206供應。也就是,用於輸出在像素電路部203中執行顯示的一脈衝信號之一預定信號(高電源供應電位Vdd、低電源供應電位Vss、起始脈衝SP、時脈信號CK、影像信號Data、共同電位Vcom、或其類似者)係通過端子部206自外側供應。
共同連接部208被提供以達成在第一基板201中的切換電晶體207的第二端子與第二基板202中的共用電極209之間的電性連接。共同電位係通過切換電晶體207及共同連接部208自端子部206供應至共用電極209。做為共同連接部208的一具體例子,可使用其中一絕緣球體係鍍有薄金屬膜的導電粒子,以便完成電性連接。注意,二或多個共同連接部208可被提供在第一基板201及第二基板202之間。
共用電極209最好與像素電路部203中包括的像素電極重疊。再者,共用電極209與像素電路部203中包括的像素電極可具有各種開口圖案。
圖2B係一電路圖,其中特別詳細地繪示在圖2A的顯示面板的示意圖中之像素電路部203的結構。
圖2B中繪示的液晶顯示裝置係如圖2A一樣包括第一基板201及第二基板202。第一基板201包括像素電路部203、閘極線驅動電路204、信號線驅動電路205、端 子部206、及切換電晶體207。第二基板202包括共同連接部208及共用電極209。
在圖2B中,在像素電路部203中,複數閘極線211及複數信號線212係排列成矩陣,並提供像素213,其各自包括一薄膜電晶體(下面稱為一像素電晶體214);一液晶元件215,其中液晶被插入至一第一電極與一第二電極之間;及一電容器210。在圖2B中,像素電晶體214的一源極端子與一汲極端子的其中一個被稱為一第一端子,且源極端子與汲極端子的另一個被稱為一第二端子。第一端子係連接至信號線212,一閘極端子係連接至閘極線211,且第二端子係連接至液晶元件215的第一電極。在圖2B中,電容器210的電極的其中之一係連接至液晶元件215的第一電極,且另一電極係連接至其他配線。注意,液晶元件215的第一電極相當於像素電極,而液晶元件215的第二電極相當於共用電極209。
注意,雖然在圖2B中像素213係提供有電容器210,但並非必然會提供電容器。
其次,圖2C係包括像素電極的像素中之一個像素的電路圖。圖2C中的電路圖係聚焦在像素電晶體214及切換電晶體207。像素電晶體214的一閘極端子係連接至閘極線211,像素電晶體214的第一端子係連接至信號線212,且像素電晶體214的第二端子係連接至像素電極221。切換電晶體207的閘極端子係連接至端子部206的一端子206A,切換電晶體207的第一端子係連接至端子 部206的一端子206B,且切換電晶體207的第二端子係通過共同連接部208電性連接至一共用電極222。注意,一液晶223被插入至像素電極221及共用電極222之間。像素電極221、共用電極222、及液晶223整體可被稱為一液晶元件。
圖4係繪示被供應至圖2C的電路圖中的端子、閘極線驅動電路204、及信號線驅動電路205的信號的狀態之時序圖。注意,做為時序圖的一個例子,圖4中的期間401對應於一動態影像寫入期間且圖4中的期間402對應於一靜態影像顯示期間。圖4中的期間可根據一影像係一動態影像或一靜態影像的決定結果而決定為動態影像寫入期間或是靜態影像顯示期間。在圖4中,GCK意指供應至閘極線驅動電路204的一時脈信號;GSP意指供應至閘極線驅動電路204的一起始脈衝;SCK意指供應至信號線驅動電路205的一時脈信號;SSP意指供應至信號線驅動電路205的一起始脈衝。此外,圖4也顯示信號線212的電位、像素電極221的電位、端子206A的電位、端子206B的電位、及共用電極222的電位。對於在被供應有一時脈信號GCK、一起始脈衝GSP、一時脈信號SCK、及一起始脈衝GSP的驅動電路部中之一移位暫存器的結構,實際上可使用圖11A至11C及圖12中說明的電路的結構。
注意,期間401對應於寫入用於顯示一動態影像的影像信號的期間。再者,期間402對應於顯示一靜態影像的 期間。從而,在期間401中,進行運作以便將影像信號及共同電位供應至像素電路部203中的像素及共用電極。另一方面,在期間402中,停止將影像信號及共同電位供應至像素電路部203中的像素及共用電極。注意,在圖4中,各個信號係在期間402中被供應以使得驅動電路部停止運作;不過,最好根據期間402的長度週期性地寫入影像信號以防止一靜態影像的劣化。
在期間401中,如圖4所示,一直供應一時脈信號GCK;如圖4所示,根據一垂直同步頻率供應一起始脈衝GSP;如圖4所示,一直供應一時脈信號SCK;及如圖4所示,根據一個閘極選擇期間供應一起始脈衝SSP。在期間401中,如圖4所示,把將被供應至各列的像素之影像信號Data供應至信號線212,且根據閘極線211的電位把信號線212的電位供應至像素中的像素電極221。再者,如圖1及圖2A至2C所示,自顯示控制電路104提供使切換電晶體207導通的一電位給相當於切換電晶體207的閘極端子之端子206A,以將其為端子206B的電位之共同電位供應給共用電極222。
在期間402中,如圖4所示,時脈信號GCK及起始脈衝GSP二者均停止供應;如圖4所示,時脈信號SCK及起始脈衝SSP二者也都停止供應;如圖4所示,已經供應給信號線212的影像信號Data也停止供應。在期間402中,如圖4所示,時脈信號GCK及起始脈衝GSP二者均停止供應,使得像素電晶體214關閉,影像信號Data停 止供應,且使像素電極221進入一浮接狀態。另外,提供使切換電晶體207關閉的一電位給相當於切換電晶體207的閘極端子之端子206A;從而,停止供應其為端子206B的電位之共同電位。結果,使共用電極222進入一浮接狀態。
也就是,在期間402中,可使得液晶223的二電極(亦即像素電極221及共用電極222)進入一浮接狀態;因此,可不供應其他電位而顯示一靜態影像。停止供應一時脈信號及一起始脈衝至閘極線驅動電路204及信號線驅動電路205,藉以可實現低耗電。藉著使用包括一氧化物半導體層的一薄膜電晶體,當液晶元件的二端子係處於非導通狀態時,可減小關閉電流。各自使用此種薄膜電晶體形成的像素電晶體214及切換電晶體207可減小流過液晶元件的電流。
其次,圖5A及5B顯示在圖4的時序圖中將期間401切換至期間402的期間中,也就是將一動態影像切換至靜態影像的期間(在圖4中的期間403),以及在將期間402切換至期間401的期間中,也就是將一靜態影像切換至動態影像的期間(在圖4中的期間404),其為來自顯示控制電路104的信號之高電源供應電位Vdd、時脈信號(在此為GCK)、起始脈衝(在此為GSP)、及端子206A的電位之時序圖。
如圖5A所示,顯示控制電路104在將一動態影像切換至靜態影像的期間停止供應起始脈衝GSP(圖5A的 E1,第一步驟)。其次,在脈衝輸出到達移位暫存器的最後級之後停止供應複數時脈信號GCK(圖5A的E2,第二步驟)。然後,將電源供應電壓的高電源供應電位Vdd改變為低電源供應電位Vss(圖5A的E3,第三步驟)。其後,將端子206A的電位改變至使切換電晶體111關閉的電位(圖5A的E4,第四步驟)。
通過上面的步驟,可不使驅動電路部105故障而停止供應信號給驅動電路部105。在靜態影像顯示的情況中,經由保持像素電極中的電荷,可保持被施加至液晶的電壓;因此,經由沒有因故障產生雜訊而使驅動電路部105運作,可提供一種用於驅動能夠顯示未太過劣化的靜態影像之液晶顯示裝置的方法。
如圖5B所示,藉由顯示控制電路104,在將一靜態影像切換至一動態影像的期間中,將端子206A的電位改變至使切換電晶體111導通的電位(圖5B的S1,第一步驟)。然後,一電源供應電壓自低電源供應電位Vss改變至高電源供應電位Vdd(圖5B的S2,第二步驟)。之後,供應複數時脈信號GCK(圖5B的S3,第二步驟)。其次,供應起始脈衝信號GSP(圖5B的S4,第四步驟)。
通過上面的步驟,可不使驅動電路部105故障而重新開始供應信號給驅動電路部105。配線的電位被依序改變回到在顯示動態影像時的電位,藉以使驅動電路部可沒有故障地驅動。
圖6係略示例如在畫面週期中影像信號在顯示動態影 像的期間601及顯示靜態影像的期間602中的寫入頻率的圖表,其中水平軸表示時間。在圖6中,“W”指寫入一影像信號的期間,而“H”指保持影像信號的期間。此外,在圖6中,期間603係一個畫面週期;不過,期間603可為一不同的期間。
如圖6所示,在根據本實施例的液晶顯示裝置的結構中,在連續畫面的影像信號間未由比較電路檢測到差異的情況下,也就是,在顯示靜態影像的期間602中,僅在進行影像信號切換的期間(圖6中的期間604)寫入將被供應至一像素的一影像信號。期間602的其他期間係將在期間604中供應的影像信號保持的期間。
如上所述,在本實施例的結構中,在顯示靜態影像的期間,可減少諸如寫入影像信號的運作的頻率。當觀看由複數次寫入影像信號所形成的一影像時,人眼識別切換複數次的影像,其會導致眼睛疲勞。藉由如同在本實施例中說明的減少影像信號的寫入頻率的結構,可舒緩眼睛疲勞。
再者,在本實施例中,在像素中提供包括氧化物半導體的薄膜電晶體,以便可減小薄膜電晶體的關閉電流。因此,可提供一種液晶顯示裝置,其中可將一電壓在一儲存電容器中保持一段較長的時間且在顯示靜態影像時可減少耗電。
此實施例可適當地結合在其他實施例中說明的任何結構加以實施。
(實施例2)
參閱圖7A至7C中之特定的上視圖及特定的截面圖說明實施例1中的液晶顯示裝置的顯示面板的結構。
圖7A係一顯示面板的上視圖。圖7A係FPC尚未貼附至第一基板1210的顯示面板的上視圖。圖7B係沿著圖7A的G-H線的截面圖,其繪示一導電粒子與一連接配線的連接區域。圖7C係沿著圖7A的E-F線的截面圖,其繪示一像素電路及一連接配線的連接區域。
在圖7A至7C中,具有像素電極且做為一主動矩陣基板的第一基板1210與具有一共用電極1291的一第二基板1204係藉由一密封材料1205彼此貼附,且由密封材料1205包圍的內部空間係以液晶1280填充。在第一基板1210之上形成一信號線驅動電路1200、一閘極線驅動電路1201、及一像素電路1202,其中像素電極係形成為矩陣。
做為液晶1280,使用熱向型液晶、低分子液晶、高分子液晶、聚合物分散液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶、或其類似者。此種液晶材料取決於環境而展現膽固醇相、層列相、立方相、旋光向列相、等向相、或其類似者。
在圖7B中,共用電極1291係通過自端子部1240延伸的一連接配線1208、一切換電晶體1261、及具有被置於該對基板間的導電粒子的一樹脂層1235而電性連接至端子部1240。做為一個例子,連接的數目在圖7A中為四 個且可為至少一個。
圖7C繪示具有包括在第一基板1210之上的一驅動電路薄膜電晶體1223的電路之信號線驅動電路1200,以做為一驅動電路部。再者,在第一基板之上提供包括一驅動電路薄膜電晶體的閘極線驅動電路1201,以做為一驅動電路部。
在圖7C中,像素電路1202包括一像素電晶體1211。再者,將連接至像素電晶體1211的一像素電極1250形成在一絕緣層1214之上且形成於其中。
在圖7A至7C中,像素電晶體1211、驅動電路薄膜電晶體1223、及切換電晶體1261係各自使用一氧化物半導體層、一閘極絕緣層、及一閘極電極層而形成。
上面是電晶體結構的一個例子的說明。不過,電晶體的結構不限於上面的結構;電晶體可具有任何不同的結構。例如,電晶體可具有包括二或多個閘極電極的一多重閘極結構。或者,電晶體可具有將一閘極電極提供在一通道區域上方的結構、將一閘極電極提供在一通道區域下方的結構、交錯結構、逆交錯結構、或是將通道區域分割成複數區域的結構。在逆交錯結構的情況中,可採用通道保護結構、通道蝕刻結構、或其類似者。
在圖7C的驅動電路薄膜電晶體1223之上提供與閘極電極層及氧化物半導體層重疊且在彼等之間插入有絕緣層1214的一導電層1293。
在驅動電路薄膜電晶體1223中,將氧化物半導體層 插入至閘極電極層及導電層1293之間。藉由此一結構,可減少驅動電路薄膜電晶體1223的臨界電壓的變動,以便可提供具有驅動電路薄膜電晶體1223的一顯示面板,其具有穩定電性。導電層1293可處於與閘極電極層相同的電位或是可處於一浮接電位或諸如GND電位或0V的固定電位。經由供應一適當的電位給導電層1293,驅動電路薄膜電晶體1223的臨界電壓可被控制。
圖7B中的切換電晶體1261係通過樹脂層1235中的導電粒子1270而電性連接至共用電極1291。
雖然切換電晶體1261在圖7A中係位於比密封材料1205更外側,但切換電晶體係可位於比密封材料1205更內側。例如,切換電晶體係可提供在形成信號線驅動電路1200的區域中。位於比密封材料1205更內側的切換電晶體1261可被保護以防止外部來源及其類似者的影響。因此,可使得切換電晶體的壽命變長。
在圖7A至7C中,做為第一基板1210及第二基板1204,可視情況使用在電子工業中使用的任何玻璃基板(也稱為無鹼玻璃基板),諸如矽酸鋁玻璃基板、矽酸鋁硼玻璃基板、或是鋇硼矽酸玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、塑膠基板、或其類似者。藉由使用軟性塑膠基板做為第一基板1210及第二基板1204,可製作一軟性顯示裝置。
在圖7A至7C中,經由網版印刷法,或是藉由噴墨裝置或塗覆裝置,將密封材料1205施加至第一基板或是 第二基板。做為密封材料1205,通常可使用包含可見光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、或是熱固化樹脂的材料。例如,可使用一環氧樹脂,諸如液態丙二酚樹脂、固態丙二酚樹脂、含溴環氧樹脂、雙酚F樹脂、雙酚AD樹脂、酚樹脂、甲酚樹脂、酚酫樹脂、環烯烴環氧樹脂、Epi-Bis型環氧樹脂、縮水甘油酯樹脂、縮水甘油胺樹脂、雜環環氧樹脂、或是改質環氧樹脂。做為密封材料1205,使用具有40Pa.s至400Pa.s的黏性之材料。再者,密封材料1205可包含一填料(直徑1μm至24μm)。注意,最好選擇不會溶解於隨後接觸密封材料的液晶之密封材料做為密封材料。
做為導電粒子1270,可使用以薄金屬膜覆蓋絕緣球體的導電粒子。絕緣球體係使用石英玻璃、硬樹脂、或其類似者形成。薄金屬膜可使用金、銀、鈀、鎳、ITO、及IZO的任一種的單一層或堆疊形成。例如,做為薄金屬膜,可使用一金的薄膜、一鎳的薄膜及一金的薄膜之堆疊、或其類似者。藉由使用在其中心包含絕緣球體的導電粒子,可增加彈性以便可阻止由於來自外部來源的壓力所造成的破壞。
像素電極1250的種類在穿透式顯示面板及反射式顯示面板之間不同。在穿透式顯示面板的情況中,像素電極1250係使用透光材料形成。做為透光材料的例子,可提供氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、鎵摻雜氧化鋅(GZO)、及其類似者。
或者,像素電極1250可使用包含導電高分子聚合物的導電複合物形成。使用導電複合物形成的像素電極最好具有10000歐姆/單位面積或更小的片電阻及在波長為550nm下具有70%或更高的穿透率。再者,在導電複合物中包含的導電高分子聚合物的電阻率最好為0.1歐姆.公分或是更小。
做為導電高分子聚合物,可使用所謂π電子共軛導電聚合物。例如,可提供聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、其二或多種的共聚物、及其類似者。
另一方面,在反射式顯示面板的情況中,使用具有高反射率的金屬電極做為像素電極。具體而言係使用鋁、銀、或其類似者。再者,經由使像素電極的表面粗糙而增加反射率。因此,可使像素電極的基膜粗糙。
在半穿透半反射式顯示面板的情況中,使用一透射材料及一反射材料做為像素電極。
再者,端子部1240被形成在第一基板1210的一端部。在端子部1240中,將一連接端子1241形成在連接配線1208之上。
圖7B係導電粒子1270及連接端子彼此連接的區域之截面圖。連接配線1208及切換電晶體1261係形成在第一基板1210之上。跟像素電極1250同時形成的連接端子1241係形成在連接配線1208之上。連接端子1241係通過連接配線1208、切換電晶體1261、及導電粒子1270電 性連接至共用電極1291。再者,連接端子1241係連接至一FPC(未圖示)。注意,在圖7B中,導電粒子1270係由樹脂層1235(未圖示)固定。樹脂層1235可使用像是用於密封材料1205的有機樹脂材料形成。
圖7C係像素電極及連接端子彼此連接的區域之截面圖。跟薄膜電晶體的源極與汲極電極層同時形成的連接配線1242係形成在第一基板1210之上。跟像素電極1250同時形成的連接端子1243係形成在連接配線1242之上。連接端子1243係通過連接配線1242電性連接至像素電極1250。注意,因為在此實施例中係使用主動矩陣式顯示面板,像素電極1250及連接配線1242未直接連接,而是通過像素電晶體1211或是信號線驅動電路1200連接。
一配向膜1206係提供在像素電極1250之上,且在其上執行摩擦處理。配向膜1206及摩擦處理並非必然需要,其取決於液晶的模式。
對於做為對向基板的第二基板1204,一黑色矩陣可提供在與信號線驅動電路1200重疊的位置,且一彩色濾光片、一保護層、及其類似者可提供在與像素電路1202重疊的位置。共用電極1291被形成,且在共用電極1291上提供一配向膜1207,並在其上執行摩擦。類似於第一基板1210的情況,對於第二基板1204,並非必然需要一配向膜及摩擦處理,其取決於液晶的模式。
具備共用電極1291的第二基板1204或是具備像素電極1250的第一基板1210係具備一柱狀間隔物1255。柱 狀間隔物1255係用以在第一基板1210及第二基板1204之間保持一距離。在本實施例中,說明柱狀間隔物1255係提供在第二基板1204側的例子。柱狀間隔物也稱為微影間隔物(photolitho spacer)、桿狀間隔物(post spacer)、扇形間隔物(scallop spacer)、或是圓柱間隔物(column spacer)。或者,可使用一球形間隔物。在此實施例中係使用一柱狀間隔物。至於用於形成柱狀間隔物1255的方法,經由旋轉塗佈法將諸如感光壓克力的有機絕緣材料塗到基板的整個表面,使得留在基板之上的感光壓克力做為間隔物。藉由此方法,想要設置間隔物的地方可根據光罩圖案在曝光時被曝光;因此,經由在液晶未驅動的部分設置柱狀間隔物,維持上方及下方基板間的距離,另外,可防止液晶的光洩漏。再者,柱狀間隔物1255可經由通過噴墨法排出包含有機絕緣材料的合成物並且加以烘烤而形成。
導電粒子1270周圍的空間可填充一導電聚合物。做為導電聚合物的通常例,可提供導電聚苯胺、導電聚吡咯、導電聚噻吩、聚二氧乙基噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸(PSS)的複合物、及其類似者。再者,可用於像素電極1250的導電聚合物的任何上述例子可視情況被使用。導電聚合物係經由以噴墨裝置、塗覆裝置、或其類似者塗佈導電聚合物而形成。當導電聚合物接觸共用電極或是連接配線時,導電粒子1270及導電聚合物接觸共用電極與連接配線,使得共用電極與連接配線間的連接電阻可被減 小。
注意,在第二基板1204上形成的連接配線1208與共用電極1291係通過導電粒子1270彼此電性連接。
密封材料1205及導電粒子1270被排出在第一基板1210或是第二基板1204之上,且然後將液晶排入在由密封材料1205圍繞的一空間中。之後,第一基板1210及第二基板1204在減壓環境中彼此貼附,執行UV光照射以使密封材料1205硬化,且然後執行加熱以進一步使密封材料1205變硬,使得第一基板1210及第二基板1204牢固地彼此貼附。此外,經由加熱使得液晶的定向一致。
結果,第一基板1210及第二基板1204可彼此貼附。
然後,第一基板1210及第二基板1204被切割以具有一面板形狀。另外,為了改善對比,一第一偏光板1290及一第二偏光板1295係分別提供在第一基板1210及第二基板1204的外側。注意,在反射式顯示裝置的情況中,不必然提供第一偏光板1290。
雖然未繪示在此實施例中,可視情況提供一黑色矩陣(一擋光層)、諸如一偏光組件的一光學組件(一光學基板)、一延遲組件、或是一抗反射組件、及其類似者。例如,可使用一偏光基板及一延遲基板得到圓形偏振。此外,可使用背光、側光、或其類似者做為光源。
在主動矩陣顯示面板中,經由驅動排列成矩陣的像素電極,顯示圖案被形成在一螢幕上。具體而言,當一電壓被施加在一選擇的像素電極與對應於選擇的像素電極之一 共用電極之間時,對配置在像素電極與共用電極之間的液晶層執行光學調變,且此光學調變被觀看者識別為一顯示圖案。
在上述包括包含有氧化物半導體層的薄膜電晶體之顯示面板的結構中,在如實施例1顯示一靜態影像時可達成低耗電。
此實施例可適當地結合在其他實施例中說明的任何結構加以實施。
(實施例3)
在此實施例中,參閱圖8A及8B說明在上面的實施例中說明的液晶顯示裝置,其額外具有一觸控面板的功能。
圖8A係根據本實施例的液晶顯示裝置的示意圖。圖8A繪示提供一液晶顯示面板801(其係根據上面實施例的液晶顯示裝置)及一觸控面板單元802以便在一殼體(外殼)803中彼此重疊並且彼此貼附的結構。對於觸控面板單元802,可視情況使用電阻式、表面電容式、投射電容式、或其類似者。
如圖8A所示,液晶顯示面板801及觸控面板單元802係分開製作且彼此重疊,藉以可減少額外具有觸控面板功能的液晶顯示裝置的製造成本。
圖8B繪示額外具有觸控面板功能的液晶顯示裝置的結構,其不同於圖8A的液晶顯示裝置。圖8B繪示的液 晶顯示裝置804包括複數個像素805,各自具備一光學感測器806及一液晶元件807。因此,不像圖8A的結構,其不需要形成觸控面板單元802以與液晶顯示裝置804重疊,而使得液晶顯示裝置的厚度減小。一閘極線驅動電路808、一信號線驅動電路809、及一光學感測器驅動電路810係形成於在其上提供有像素805的基板之上,藉以可減小液晶顯示裝置的大小。注意,光學感測器806可使用非晶矽或其類似者形成以便與包括氧化物半導體的薄膜電晶體重疊。
根據本實施例,包括氧化物半導體的薄膜電晶體係用於具有觸控面板功能的液晶顯示裝置,藉以可改善在顯示靜態影像時的影像保持性能。再者,在顯示靜態影像的期間使驅動電路部停止運作,藉以可達成低耗電。
或者,可將具備使用跟用於像素電路相同的氧化物半導體形成的薄膜電晶體之記憶元件提供在圖8A及8B中的各顯示面板之上。提供在例如觸控面板的顯示面板之上的記憶元件可儲存諸如觸控部的電信號的臨界值之資料。做為一個例子,圖13繪示圖8B中的顯示面板額外具備一記憶元件811的結構。圖13繪示基本的記憶元件的結構。注意,在圖13的電路圖中,包括氧化物半導體的電晶體係由符號“OS”標示。
在圖13繪示的記憶元件中,電晶體160的閘極電極與電晶體162的源極電極及汲極電極中的一個係彼此電性連接。第一配線(第一線,也稱為源極線)係電性連接至電 晶體160的源極電極。第二配線(第二線,也稱為位元線)係電性連接至電晶體160的汲極電極。第三配線(第三線,也稱為第一信號線)係電性連接至電晶體162的源極電極及汲極電極中的另一個。第四配線(第四線,也稱為第二信號線)係電性連接至電晶體162的閘極電極。電晶體160的閘極電極與電晶體162的源極電極及汲極電極中的一個係電性連接至電容器164的電極中的一個。第五配線(第五線,也稱為字元線)係電性連接至電容器164的電極中的另一個。
關閉電流在各自包括氧化物半導體的電晶體160及電晶體162中係非常低。因此,經由關閉電晶體162,可將電晶體160的閘極電極的電位保持一段非常長的時間。提供電容器164使得保持提供給電晶體160的閘極電極的電荷以及讀取儲存的資料變得更容易。
在此實施例中說明的記憶元件利用電晶體160的閘極電極的電位可被保持的特徵,從而寫入、儲存、及讀取資料如下。
首先,將說明資料的寫入及保持。起先,第四配線的電位被設定為使電晶體162導通的電位,以便使電晶體162導通。因而,第三配線的電位被供應給電晶體160的閘極電極。也就是,預定的電荷被提供給電晶體160的閘極電極(寫入)。之後,第四配線的電位被設定為使電晶體162關閉的電位,以便使電晶體162關閉。從而,將提供給電晶體160的閘極電極的電荷加以保持(儲存)。
因為電晶體162的關閉電流相當低,電晶體160的閘極電極的電荷被保持一段長的時間。例如,當將一讀取電位供應至第五配線時,使電晶體160導通的電位被供應至電晶體160的閘極電極,從而使電晶體160的導通狀態保持一段長的時間。以類似的方式,使電晶體160關閉的電位被供應至電晶體160的閘極電極,從而使電晶體160的關閉狀態保持一段長的時間。在此,讀取電位意指第五配線的電位,電晶體160在該電位下取決於閘極電極中保持的電荷而導通或關閉。
其次,將說明資料的讀取。當電晶體160的導通狀態或關閉狀態係如上述保持時,將一讀取電位供應至第五配線,且將一指定電位(一低電位)施加至第一配線,第二配線的電位的值係取決於電晶體160為導通或關閉而改變。例如,當電晶體160導通時,第二配線的電位低於第一配線的電位。相對地,當電晶體160關閉時,第二配線的電位未改變。
以此方式,經由在資料被儲存的狀態下比較第一配線的電位與第二配線的電位,可將資料讀出。
在未讀出資料的情況中,與閘極電極中保持的電荷無關而使電晶體160關閉(或導通)的電位可被供應至第五配線。
其次,將說明資料的重寫。資料的重寫係類似於資料的寫入或儲存。也就是,將第四線的電位設定為使電晶體162導通的電位,從而使電晶體162導通。因此,第三線 的電位(有關新資料的電位)被供應至電晶體160的閘極電極。之後,將第四線的電位設定為使電晶體162關閉的電位,從而使電晶體162關閉。結果,儲存新的資料。
在圖13繪示的記憶元件中,資料係可由另一次如上述的資料的寫入直接重寫。因此,對於快閃記憶體或其類似者必須的抹除操作是不需要的,故可防止因為抹除運作而使運作速度降低。也就是,可實現記憶元件的高速運作。
注意,電晶體162的源極電極或是汲極電極係電性連接至電晶體160的閘極電極,從而具有與用於非揮發記憶元件的浮接閘極電晶體的浮接閘極類似的作用。因此,圖式中電晶體162的源極電極或是汲極電極電性連接至電晶體160的閘極電極的部分在一些情況中係稱為浮接閘極部FG。當電晶體162關閉時,浮接閘極部FG可被視為掩埋於一絕緣體中且因此電荷係被保持於浮接閘極部FG中。包括氧化物半導體的電晶體162的關閉電流的量係低於或是等於包括矽半導體的電晶體的關閉電流的量的十萬分之一,因此,由電晶體162的漏電流引起的累積於浮接閘極部FG中的電荷的損失係可忽略的。
藉由此一結構,可避免在傳統浮接閘極電晶體中被指出的閘極絕緣膜(穿隧絕緣膜)劣化的問題。也就是說,可解決曾受到關注之由於將電子注入至浮接閘極所引起的閘極絕緣膜劣化的問題。因此,在圖13繪示的記憶元件中,原則上對於寫入的次數並無限制。
此實施例可適當地結合任何其他實施例加以實施。
(實施例4)
在此實施例中,將說明包括在任一實施例中說明的液晶顯示裝置之電子設備的例子。
圖9A繪示一可攜式遊戲機,其包括一殼體9630、一顯示部9631、喇叭9633、操作鍵9635、一連接端子9636、一記錄媒體讀取部9672、及其類似者。圖9A繪示的可攜式遊戲機可具有讀取儲存在記錄媒體中的程式或資料以將其顯示於顯示部的功能;經由無線通信與另一可攜式遊戲機分享資料的功能;及其類似者。圖9A中的可攜式遊戲機可具有各種功能而無對於上述的限制。
圖9B繪示一數位相機,其包括一殼體9630、一顯示部9631、喇叭9633、操作鍵9635、一連接端子9636、一快門按鈕9676、一影像接收部9677、及其類似者。圖9B繪示的數位相機可具有各種功能,諸如拍攝靜態影像的功能;拍攝動態影像的功能;自動或手動調整拍攝的影像的功能;自一天線得到各種資料的功能;儲存拍攝的影像或是自天線獲得的資料的功能;及將拍攝的影像或是自天線獲得的資料顯示在顯示部上的功能。注意,圖9B繪示的數位相機的功能並不限定於此,數位相機可具有其他不同的功能。
圖9C繪示一電視機,其可包括一殼體9630、一顯示部9631、喇叭9633、操作鍵9635、一連接端子9636、及 其類似者。圖9C所示的電視機具有處理電視的電波並將電波轉換成一影像信號的功能,處理影像信號並將影像信號轉換成一適於顯示的信號的功能,轉換影像信號的畫面頻率的功能,及其類似者。注意,圖9C繪示的電視機可具有各種功能而無對於上述的限制。
圖9D繪示一電子計算機(個人電腦)的監視器,其可包括一殼體9630、一顯示部9631、及其類似者。關於圖9D繪示的監視器,一視窗型顯示部9653係位於顯示部9631中。注意,雖然視窗型顯示部9653為了圖示而提供在顯示部9631中,不過也可採用諸如一圖像或是一影像等的不同符號。在個人電腦的監視器的情況中,影像信號在許多情況中僅在輸入時被重寫,其當根據任一上述實施例應用驅動液晶顯示裝置的方法時係較為適合的。注意,圖9D繪示的監視器可具有不同的功能而無對於上述的限制。
圖10A繪示一電腦,其可包括一殼體9630、一顯示部9631、一喇叭9633、操作鍵9635、一連接端子9636、一指向裝置9681、一外部連接埠9680、及其類似者。圖10A繪示的電腦可具有在顯示部上顯示各種資料(例如,靜態影像、動態影像、及文字影像)的功能;由各種軟體(程式)控制處理的功能;諸如無線通信或是有線通信的通信功能;藉由使用通信功能連接至不同的電腦網路的功能;藉由使用通信功能傳送或接收各種資料的功能;及其類似者。注意,圖10A繪示的電腦的功能並非限定於此, 電腦可具有其他不同的功能。
圖10B繪示一行動電話,其可具有一殼體9630、一顯示部9631、一喇叭9633、操作鍵9635、一麥克風9638、及其類似者。圖10B繪示的行動電話可具有在顯示部上顯示各種資料(例如,靜態影像、動態影像、及文字影像)的功能;在顯示部上顯示月曆、日期、時間、及其類似者的功能;操作或編輯顯示於顯示部上的資料的功能;由各種軟體(程式)控制處理的功能;及其類似者。注意,圖10B繪示的行動電話可具有其他不同的功能而無對於上述的限制。
圖10C繪示電子紙(也稱為eBook或是電子書閱讀器),其可包括一殼體9630、一顯示部9631、操作鍵9632、及其類似者。圖10C的電子紙可具有在顯示部上顯示各種資料(例如,靜態影像、動態影像、及文字影像)的功能;在顯示部上顯示月曆、日期、時間、及其類似者的功能;操作或編輯顯示於顯示部上的資料的功能;藉由使用各種軟體(程式)控制處理的功能;及其類似者。注意,圖10C的電子紙可具有其他不同的功能而無對於上述的限制。圖10D繪示另一電子紙。圖10D的電子紙除了圖10C的電子紙的構件之外還包括一太陽能電池9651及一電池9652。在使用反射式液晶顯示裝置做為顯示部9631的情況中,當環境光較亮且太陽能電池9651的電力產生及電池9652的充電係有效率地進行時,則可預期使用反射式液晶顯示裝置係較為適合的。注意,因為可以縮小尺 寸,舉例而言,使用鋰離子電池做為電池9652係有利的。
在此實施例說明的電子設備中,顯示靜態影像時可達成低耗電。
此實施例可適當地結合在其他實施例中說明的任何結構加以實施。
本申請案係基於2009年12月18日向日本專利局提出的日本專利申請案第2009-287957號,其完整內容在此以提述方式納入。
206A‧‧‧端子
Vdd‧‧‧高電源供應電位
GCK‧‧‧時脈信號
GSP‧‧‧起始脈衝
E1~E4‧‧‧第一步驟~第四步驟
S1~S4‧‧‧第一步驟~第四步驟

Claims (22)

  1. 一種顯示裝置的驅動方法,該顯示裝置包含:包含像素電路部的顯示面板,該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的電晶體,其中該電晶體包含有包括通道形成區域的氧化物半導體層;及觸控面板,疊加於該顯示面板上,該驅動方法包含:在第一期間中以第一更新率顯示動態影像;及在第二期間中以小於該第一更新率的第二更新率顯示靜態影像,其中該電晶體的每微米通道寬度的關閉電流係少於或等於1×10-17A/μm。
  2. 一種顯示裝置的驅動方法,該顯示裝置包含:顯示面板,包含像素電路部與用以驅動該像素電路部的閘極線驅動電路;及觸控面板,疊加於該顯示面板上,該驅動方法包含:在第一期間中以第一更新率顯示動態影像;於該第一期間後的第二期間中,停止供應起始脈衝至該閘極線驅動電路;於該第二期間中停止該起始脈衝之該供應後,停止供應時脈信號至該閘極線驅動電路;及於該第二期間後的第三期間中,以小於該第一更新率的第二更新率顯示靜態影像, 其中該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的第一電晶體,該第一電晶體包含第一氧化物半導體層,該第一氧化物半導體層包括在基板上的通道形成區域,及其中該閘極線驅動電路包含第二電晶體,該第二電晶體包含第二氧化物半導體層,該第二氧化物半導體層包括在該基板上的通道形成區域。
  3. 一種具有觸控面板功能的顯示裝置的驅動方法,該顯示裝置包含:包含像素電路部的顯示面板,該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的電晶體,其中該電晶體包含有包括通道形成區域的氧化物半導體層,其中該氧化物半導體層包含銦及鋅;該驅動方法包含:在第一期間中以第一更新率顯示動態影像;及在第二期間中以小於該第一更新率的第二更新率顯示靜態影像,其中該電晶體的每微米通道寬度的關閉電流係少於或等於1×10-17A/μm。
  4. 一種具有觸控面板功能的顯示裝置的驅動方法,該顯示裝置包含:顯示面板,包含像素電路部與用以驅動該像素電路部的閘極線驅動電路;該驅動方法包含: 在第一期間中以第一更新率顯示動態影像;於該第一期間後的第二期間中,停止供應起始脈衝至該閘極線驅動電路;於該第二期間中停止該起始脈衝之該供應後,停止供應時脈信號至該閘極線驅動電路;及於該第二期間後的第三期間中,以小於該第一更新率的第二更新率顯示靜態影像,其中該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的第一電晶體,該第一電晶體包含第一氧化物半導體層,該第一氧化物半導體層包括在基板上的通道形成區域,其中該第一氧化物半導體層包含銦及鋅,及其中該閘極線驅動電路包含第二電晶體,該第二電晶體包含第二氧化物半導體層,該第二氧化物半導體層包括在該基板上的通道形成區域。
  5. 如申請專利範圍第1或2項的驅動方法,其中該觸控面板為電容式。
  6. 如申請專利範圍第1或3項的驅動方法,其中該關閉電流係在室溫下。
  7. 如申請專利範圍第2或4項的驅動方法,其中該第一電晶體的每微米通道寬度的關閉電流係少於或等於1×10-17A/μm,及其中該關閉電流係在室溫下。
  8. 如申請專利範圍第2或4項的驅動方法,其中於顯示該靜態影像的該第三期間中,持續供應高電源供應電位與 低電源供應電位至該閘極線驅動電路。
  9. 如申請專利範圍第2或4項的驅動方法,其中該第二電晶體包含閘極電極與在該閘極電極上的導電層,該第二氧化物半導體層的該通道形成區域係介於該閘極電極與該導電層之間,該閘極電極與該導電層被供應以相同電位。
  10. 如申請專利範圍第3或4項的驅動方法,其中該觸控面板功能為表面電容式。
  11. 如申請專利範圍第3或4項的驅動方法,其中該觸控面板功能係藉由疊加於該顯示面板上的觸控面板而提供。
  12. 如申請專利範圍第3或4項的驅動方法,其中該觸控面板功能係藉由設置於該顯示面板中的感測器而提供。
  13. 如申請專利範圍第12項的驅動方法,其中該感測器為光學感測器。
  14. 如申請專利範圍第1或4項的驅動方法,其中該顯示面板為液晶裝置。
  15. 一種顯示裝置,包含:顯示面板,包含像素電路部與用以驅動該像素電路部的閘極線驅動電路;觸控面板,疊加於該顯示面板上,比較電路,係組態以比較在各個像素中的影像信號,以便決定影像為動態影像或靜態影像;及顯示控制電路,係組態以依據由該比較電路之決定而控制該閘極線驅動電路的操作, 其中,當該影像為動態影像時,該顯示控制電路係組態以控制該閘極線驅動電路,以便使該動態影像以第一更新率被顯示,其中,當該影像為靜態影像時,該顯示控制電路係組態以控制該閘極線驅動電路,以便使該靜態影像以小於該第一更新率的第二更新率被顯示,其中該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的第一電晶體,該第一電晶體包含第一氧化物半導體層,該第一氧化物半導體層包括在基板上的通道形成區域,其中該閘極線驅動電路包含第二電晶體,該第二電晶體包含第二氧化物半導體層,該第二氧化物半導體層包括在該基板上的通道形成區域,及其中該第一電晶體的每微米通道寬度的關閉電流係少於或等於1×10-17A/μm。
  16. 如申請專利範圍第15項的顯示裝置,其中該觸控面板為電容式。
  17. 如申請專利範圍第15項的顯示裝置,其中該顯示面板包含記憶體,用以儲存該觸控面板的電信號的臨界值之資料。
  18. 一種顯示裝置,包含:顯示面板,包含像素電路部與用以驅動該像素電路部的閘極線驅動電路;比較電路,係組態以比較在各個像素中的影像信號, 以便決定影像為動態影像或靜態影像;及顯示控制電路,係組態以依據由該比較電路之決定而控制該閘極線驅動電路的操作,其中,當該影像為動態影像時,該顯示控制電路係組態以控制該閘極線驅動電路,以便使該動態影像以第一更新率被顯示,其中,當該影像為靜態影像時,該顯示控制電路係組態以控制該閘極線驅動電路,以便使該靜態影像以小於該第一更新率的第二更新率被顯示,其中該像素電路部包含像素電極與電性連接至該像素電極的第一電晶體,該第一電晶體包含第一氧化物半導體層,該第一氧化物半導體層包括在基板上的通道形成區域,其中該閘極線驅動電路包含第二電晶體,該第二電晶體包含第二氧化物半導體層,該第二氧化物半導體層包括在該基板上的通道形成區域,及其中該第一電晶體的每微米通道寬度的關閉電流係少於或等於1×10-17A/μm。
  19. 如申請專利範圍第15或18項的顯示裝置,其中該關閉電流係在室溫下。
  20. 如申請專利範圍第15或18項的顯示裝置,其中於顯示該靜態影像期間中,持續供應高電源供應電位與低電源供應電位至該閘極線驅動電路。
  21. 如申請專利範圍第15或18項的顯示裝置,其中該 顯示裝置係為反射式液晶裝置。
  22. 如申請專利範圍第15或18項的顯示裝置,其中該第二電晶體包含閘極電極與在該閘極電極上的導電層,該第二氧化物半導體層的該通道形成區域係介於該閘極電極與該導電層之間,該閘極電極與該導電層被供應以相同電位。
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