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Abstract
【課題】フレキシブルプリント基板から表示基板上のゲート駆動回路及び複数のソース駆動回路素子に制御信号が供給される場合でも、フレキシブルプリント基板の幅を小さくすることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置100は、表示基板1と、複数のソース駆動回路素子41~44と、ゲート駆動回路51及び52と、複数のゲート接続配線60と、を備える。複数のゲート接続配線60は、平面視でソース駆動回路素子41~44の間の素子間領域R4内を通るとともに、実装領域R3内を通る。ゲート接続配線60に接続されたゲート用端子70は、素子間領域R4からFPC2に向かう方向(Y2方向)において素子間領域R4に対向する位置に形成されている。【選択図】図1A
Description
本開示は、表示装置に関する。
従来、フレキシブルプリント基板上の回路と表示基板との間で制御信号が送受信される表示装置が知られている。このような表示装置は、例えば、特許文献1に開示されている。
上記特許文献1の表示装置には、表示基板上に実装された2つのゲートドライバと、表示基板上に実装された平面視で矩形状のドレインドライバと、フレキシブルプリント基板上に形成された電源と、制御信号配線とが設けられている。制御信号配線は、矩形状のドレインドライバの一辺側に設けられた出力端子と2つのゲートドライバのうちの一方とを接続する部分と、当該出力端子から当該ドレインドライバを構成するチップの下を通り、当該ドレインドライバの他辺側から取り出され、電源に接続される部分と、を含む。そして、この表示装置では、ドレインドライバ内のコントローラから、制御信号配線を介して、ゲートドライバ及び電源の各々に、共通制御信号が供給される。
ここで、フレキシブルプリント基板から表示基板上のゲートドライバ(ゲート駆動回路)及びドレインドライバ(ソース駆動回路素子)の各々に、制御信号が供給される場合、表示基板とフレキシブルプリント基板とを接続する部分(端子が配置される領域)が大型化して、フレキシブルプリント基板の幅が増大する。特に、表示基板上に複数のソース駆動回路素子が設けられる場合、フレキシブルプリント基板の幅が顕著に増大する。
そこで、本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、フレキシブルプリント基板から表示基板上のゲート駆動回路及び複数のソース駆動回路素子に制御信号が供給される場合でも、フレキシブルプリント基板の幅を小さくすることが可能な表示装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本開示の第1の態様に係る表示装置は、複数の薄膜トランジスタが形成された表示領域を有する表示基板と、前記表示基板に形成され、フレキシブルプリント基板に接続される複数の端子と、前記表示基板上に実装され、前記複数の薄膜トランジスタにソース信号を供給する複数のソース駆動回路素子であって、平面視において、少なくとも一部が前記表示領域と前記複数の端子との間に配置されている複数のソース駆動回路素子と、前記表示基板に形成され、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つにゲート信号を供給する第1ゲート駆動回路と、前記複数の端子と前記第1ゲート駆動回路とを接続する複数の接続配線と、を備え、前記複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記表示基板内において平面視で前記複数のソース駆動回路素子のうちの少なくとも2つの間の領域である素子間領域を通るとともに、当該複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記表示基板において前記複数のソース駆動回路素子の一つが配置された実装領域内を通り、前記複数の端子のうちの前記素子間領域を通る接続配線に接続された端子は、前記素子間領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向において前記素子間領域に対向する位置に形成されている。
上記構成の表示装置では、第1ゲート駆動回路に接続される接続配線が、ソース駆動回路素子の実装領域を通るとともに、隣接するソース駆動回路素子の間の素子間領域を通り、当該接続配線が接続する端子が、当該素子間領域に対向する位置に形成されている。これにより、上記端子が、複数のソース駆動回路素子よりも外側の領域に対向する位置に設けられる場合に比べて、端子が配置される領域の幅(フレキシブルプリント基板の幅)を小さくすることができる。この結果、フレキシブルプリント基板から表示基板上のゲート駆動回路及び複数のソース駆動回路素子に制御信号が供給される場合でも、フレキシブルプリント基板の幅を小さくすることができる。そして、接続配線がソース駆動回路素子の実装領域を迂回して形成される場合に比べて、表示基板を小型化することができる。
以下、図面を参照し、本開示の実施形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
[第1実施形態]
(表示装置の全体構成)
図1Aは、第1実施形態による表示装置100の構成について説明する。図1Aは、第1実施形態に係る表示装置100の構成を示す平面模式図である。また、図1Bは、表示装置100のうちの表示基板1が設けられた部分における、YZ平面に沿った断面図である。また、図1Cは、表示装置100のうちの表示基板1が設けられた部分における、XZ平面に沿った断面図である。図2は、ソース駆動回路素子41~44とゲート接続配線60とゲート用端子70との配置関係を説明するための平面模式図である。
(表示装置の全体構成)
図1Aは、第1実施形態による表示装置100の構成について説明する。図1Aは、第1実施形態に係る表示装置100の構成を示す平面模式図である。また、図1Bは、表示装置100のうちの表示基板1が設けられた部分における、YZ平面に沿った断面図である。また、図1Cは、表示装置100のうちの表示基板1が設けられた部分における、XZ平面に沿った断面図である。図2は、ソース駆動回路素子41~44とゲート接続配線60とゲート用端子70との配置関係を説明するための平面模式図である。
図1Aに示すように、表示装置100は、表示基板1と、フレキシブルプリント基板2(以下、「FPC2」という)と、プリント配線基板3(以下、「PWB3」という)と、ソース駆動回路素子41、42、43及び44とを備える。また、表示基板1には、ゲート駆動回路51及び52と、複数のゲート接続配線60とが設けられている。図2に示すように、表示基板1には、複数のゲート用端子70と、複数のソース用端子71と、複数のソース制御信号配線71aとが形成されている。複数のゲート接続配線60は、ゲート駆動回路51及び52と、複数のゲート用端子70とを接続する配線である。複数のソース制御信号配線71aは、ソース駆動回路素子41~44と、複数のソース用端子71とを接続する配線である。
図1Aに示すように、PWB3上には、制御回路素子31が実装されている。制御回路素子31は、例えば、集積回路を含む。そして、制御回路素子31は、FPC2を介して、ソース駆動回路素子41~44にソース制御信号を送信するとともに、ゲート駆動回路51及び52にゲート制御信号を送信する。ソース駆動回路素子41~44は、ソース制御信号に基づいてソース信号を生成し、当該ソース信号をソース線13に供給する。ゲート駆動回路51及び52は、ゲート制御信号に基づいて、ゲート信号Gを生成し、当該ゲート信号をゲート線14に供給する。
FPC2は、PWB3の制御回路素子31と、表示基板1の複数のゲート用端子70及び複数のソース用端子71の各々とを電気的に接続する。ここで、複数のゲート用端子70及び複数のソース用端子71が配置された領域を端子領域R1とする。端子領域R1は、表示基板1のY2方向の額縁部分に設けられている。そして、FPC2は、端子領域R1に固定されている。そして、FPC2内には、図示しない配線が形成されており、当該配線を介して、制御回路素子31からのゲート制御信号を複数のゲート用端子70に伝達するとともに、ソース制御信号を複数のソース用端子71に伝達する。
図1Bに示すように、表示装置100は、表示基板1と、表示基板1に対向する対向基板1aと、両基板間に封入されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質を含む媒質層(液晶分子を含む液晶層1b)を有している。液晶層1bは、両基板間に介在するシール部1cによって取り囲まれて封止が図られている。対向基板1aは、少なくとも表示基板1の後述する表示領域R2と対向し、ソース駆動回路素子41、42、43及び44(図1A参照)は、表示基板1のうちで、対向基板1aと対向しない部分に実装される。また、図1Cに示すように、対向基板1aの液晶層1b側の表面に遮光膜1dが設けられており、ゲート駆動回路51及び52は、この遮光膜1dと平面視で重なるように配置されている。また、表示装置100は、表示領域R2に対して光を照射するバックライト1eを備える。バックライト1eは、第1実施形態では、表示基板1及び対向基板1aよりもZ1方向に配置されている。言い換えると、バックライト1eは、表示基板1よりも液晶層1bおよび対向基板1aに近い側に設けられている。
(表示基板の構成)
〈表示領域〉
図1Aに示すように、表示基板1の液晶層1b(図1B参照)側の表面には、複数の画素電極11及び複数の薄膜トランジスタ12が形成されている。表示基板1において、複数の画素電極11及び複数の薄膜トランジスタ12が形成された領域を、表示領域R2とする。なお、図1Aでは、平面視で表示領域R2を矩形状に図示しているが、例えば、表示領域R2を円形状に形成してもよいし、矩形以外の多角形に形成してもよい。
〈表示領域〉
図1Aに示すように、表示基板1の液晶層1b(図1B参照)側の表面には、複数の画素電極11及び複数の薄膜トランジスタ12が形成されている。表示基板1において、複数の画素電極11及び複数の薄膜トランジスタ12が形成された領域を、表示領域R2とする。なお、図1Aでは、平面視で表示領域R2を矩形状に図示しているが、例えば、表示領域R2を円形状に形成してもよいし、矩形以外の多角形に形成してもよい。
〈ソース駆動回路素子及び端子領域〉
図2に示すように、ソース駆動回路素子41~44は、集積回路のチップとして構成されており、それぞれ、表示基板1上に実装されている。ソース駆動回路素子41~44は、X2方向に順に間隔を隔てて並んで配置されている。そして、表示基板1において、平面視でソース駆動回路素子41~44のそれぞれとオーバラップする領域(ソース駆動回路素子41~44が実装されている領域)をそれぞれ実装領域R3とする。また、表示基板1において、平面視でソース駆動回路素子41~44の間の領域を、それぞれ素子間領域R4とする。素子間領域R4は、素子間領域R4aと素子間領域R4bとを含み、素子間領域R4aは、素子間領域R4bよりもゲート駆動回路51にX1方向に近い位置と、素子間領域R4bよりもゲート駆動回路52にX2方向に近い位置とのそれぞれに設けられている。
図2に示すように、ソース駆動回路素子41~44は、集積回路のチップとして構成されており、それぞれ、表示基板1上に実装されている。ソース駆動回路素子41~44は、X2方向に順に間隔を隔てて並んで配置されている。そして、表示基板1において、平面視でソース駆動回路素子41~44のそれぞれとオーバラップする領域(ソース駆動回路素子41~44が実装されている領域)をそれぞれ実装領域R3とする。また、表示基板1において、平面視でソース駆動回路素子41~44の間の領域を、それぞれ素子間領域R4とする。素子間領域R4は、素子間領域R4aと素子間領域R4bとを含み、素子間領域R4aは、素子間領域R4bよりもゲート駆動回路51にX1方向に近い位置と、素子間領域R4bよりもゲート駆動回路52にX2方向に近い位置とのそれぞれに設けられている。
また、図2に示すように、表示基板1の端子領域R1には、ソース制御信号配線71aがそれぞれ接続された複数のソース用端子71が配置されている。複数のソース制御信号配線71aは、ソース駆動回路素子41~44の各々に接続されており、ソース駆動回路素子41~44の各々からY2方向に沿って延びるように形成されている。また、複数のソース用端子71は、端子領域R1内において、ソース駆動回路素子41~44(実装領域R3)の各々のY2方向に対向する位置に形成されている。言い換えると、複数のソース用端子71は、実装領域R3からFPC2に向かう方向(Y2方向)において、実装領域R3に対向する位置に形成されている。この構成によれば、実装領域R3に対向する位置に複数のソース用端子71が配置されるので、複数のソース用端子71とソース駆動回路素子41~44とを接続するソース制御信号配線71aの長さのばらつきを小さくすることができる。この結果、各ソース制御信号の信号鈍りの波形の差異を小さくすることができるので、信号鈍りの波形の差異に起因する表示ムラを低減することができる。
図3は、表示基板1の実装領域R3の構成を説明するための図である。ソース駆動回路素子42は、実装領域R3内に形成された端子13a及び13b上に実装される。図示しないが、ソース駆動回路素子41、43及び44も、それぞれ、実装領域R3内に形成された端子13a及び13b上に実装される。そして、ソース駆動回路素子41~44の各々は、端子13aを介してソース線13に接続されており、端子13bを介してソース制御信号配線71aに接続されている。ソース駆動回路素子41~44の各々は、端子13bからソース制御信号を取得して、ソース線13にソース信号を供給する。また、ソース駆動回路素子41および44は、図示しない共通電極を駆動させるための共通制御信号を、共通配線15に供給する。これにより、共通配線15と、ゲート接続配線60との交差部が形成されないので、ゲート制御信号を供給するゲート接続配線60の負荷(寄生容量)を低減できるため、消費電力が低減され、信号鈍りに起因する表示不良を抑制できる。
図2に示すように、端子領域R1には、複数のゲート用端子70が設けられている。複数のゲート用端子70は、複数のクロック端子72と、複数のスタートパルス端子73と、複数の低電位端子74と含む。ここで、ゲート制御信号は、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A、及びCK2Bと、スタートパルス信号SPA及びSPBと、低電位信号VSSとを含む。クロック信号CK1A、CK1B、CK2A、及びCK2Bとは、ゲート信号Gの立ち上げ及び立ち下げ(オン・オフ電位)に関する信号である。スタートパルス信号SPA及びSPBとは、後述する単位回路51aの駆動を開始させるための信号である。低電位信号VSSは、ゲート線14やゲート駆動回路51及び52内において、オフ電位を供給するための信号である。また、複数のゲート接続配線60は、クロック配線61a、61b、61c、及び61dと、スタートパルス配線62aまたは62bと、低電位配線63とを含む。なお、複数のゲート接続配線60の本数及び種類は、上記に限られない。すなわち、クロック配線の本数が3未満または5以上であってもよく、スタートパルス配線の本数が1または3以上であってもよい。また、低電位配線63が複数設けられていてもよい。
クロック端子72は、クロック配線61a~61dのいずれかに接続されている。そして、クロック端子72は、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A、及びCK2Bを、それぞれ、クロック配線61a、61b、61c、及び61dに供給する。また、スタートパルス端子73は、スタートパルス配線62aまたは62bに接続されている。そして、スタートパルス端子73は、スタートパルス信号SPA及びSPBを、それぞれ、スタートパルス配線62a及び62bに供給する。また、低電位端子74は、低電位配線63に接続されている。そして、低電位端子74は、低電位配線63に低電位信号VSSを供給する。また、複数のクロック端子72は、いずれも、端子領域R1において、素子間領域R4aに対してY2方向に対向する位置に形成されている。また、複数のスタートパルス端子73は、いずれも、端子領域R1において、素子間領域R4bに対してY2方向に対向する位置に形成されている。言い換えると、複数のゲート用端子70は、素子間領域R4aまたはR4bからFPC2に向かう方向(Y2方向)において、素子間領域R4aまたはR4bに対向する位置に形成されている。
ここで、スタートパルス配線62a及び62bは、それぞれ、図7に示して後述するゲート駆動回路51及び52に含まれる単位回路51aのうちの1つのみに制御信号を供給する配線である。このため、スタートパルス配線62a及び62bの抵抗値が比較的高い場合でも、表示に対する影響は小さい。一方で、クロック配線61a~61dは、それぞれ複数(例えば、あるクロック配線は、一方のゲート駆動回路51又は52に含まれる単位回路51aの数の半分)の単位回路51aの制御に関わる配線であるため、クロック配線61a~61dの抵抗値に起因する表示に対する影響は大きくなる。従って、クロック配線61a~61dの抵抗値は比較的小さくすることが好ましい。これに対して、上記の構成によれば、ゲート駆動回路51及び52にスタートパルス端子73よりも近い位置にクロック配線61a~61d及びクロック端子72が配置されるので、クロック配線61a~61dの抵抗値を小さくすることができる。この結果、クロック配線61a~61dの抵抗値による電位変動を抑制することができ、表示装置100における表示の品質を向上させることができる。
複数の低電位端子74のうちの一部は、素子間領域R4aに対してY2方向に対向する位置であって、クロック端子72と隣り合う位置に設けられている。複数の低電位端子74のうちの他部は、素子間領域R4bに対してY2方向に対向する位置であって、スタートパルス端子73と隣り合う位置に設けられている。ここで、低電位配線63は、図7に示して後述するように、ゲート駆動回路51及び52に含まれる全ての単位回路51aの制御に関連する配線であり、ゲート信号Gのオフ電位に直接的に影響する。このため、低電位配線63の抵抗値に起因した電位変動を抑制するために、低電位配線63の抵抗値は小さい方が好ましい。これに対して、上記の構成によれば、ゲート駆動回路51及び52にスタートパルス端子73よりも近い位置に低電位配線63及び低電位端子74が配置されるので、低電位配線63の抵抗値を小さくすることができる。さらに、スタートパルス端子73と隣り合う位置にも上記低電位配線63に接続される低電位端子74が設けられるので、低電位配線63の抵抗値を、より一層小さくすることができる。
また、第1実施形態では、複数のゲート接続配線60は、それぞれ、素子間領域R4aまたはR4b内を通るとともに、平面視で実装領域R3内を通る。すなわち、複数のゲート接続配線60は、ソース駆動回路素子41~44のいずれかの下をX1方向またはX2方向に通過するように形成されている。上記の構成によれば、ゲート用端子が、当該素子間領域R4aまたはR4bに対向する位置ではなく、複数のソース駆動回路素子よりも外側の領域に対向する位置に設けられる場合に比べて、ゲート用端子70が配置される端子領域R1のX1方向及びX2方向の幅(FPC2の幅)を小さくすることができる。この結果、FPC2から表示基板1上のゲート駆動回路51及び52、及び複数のソース駆動回路素子41~44にゲート制御信号及びソース制御信号が供給される場合でも、FPC2の幅を小さくすることができる。そして、FPC2の幅が小さくなることにより、表示基板1のうちのFPC2と接続する部分以外の領域の形状(外形・額縁)を弧状に形成すること等、設計自由度を向上させることが可能になる。
〈ゲート接続配線の構造〉
図4は、ゲート接続配線60の分岐部60dの構成を示す平面図である。ゲート接続配線60は、ゲート用端子70に接続された端子用配線部分60aと、ゲート駆動回路51に接続された第1配線部分60bと、ゲート駆動回路52に接続された第2配線部分60cと、端子用配線部分60aから第1配線部分60bと第2配線部分60cとに分岐する分岐部60dと、を含む。端子用配線部分60aは、ゲート用端子70から分岐部60dに向かってY1方向に延びている。第1配線部分60bは、分岐部60dからX1方向に延びている。第2配線部分60cは、分岐部60dからX2方向に延びている。この構成によれば、ゲート駆動回路51及び52に共通して供給するゲート制御信号を、ゲート用端子70に接続された端子用配線部分60aから分岐させた第1配線部分60bと第2配線部分60cとを用いて、ゲート駆動回路51及び52の各々に供給することができる。この結果、ゲート駆動回路と51及び52の各々に別個のゲート用端子を設ける場合に比べて、ゲート用端子70の数を削減することができる。
図4は、ゲート接続配線60の分岐部60dの構成を示す平面図である。ゲート接続配線60は、ゲート用端子70に接続された端子用配線部分60aと、ゲート駆動回路51に接続された第1配線部分60bと、ゲート駆動回路52に接続された第2配線部分60cと、端子用配線部分60aから第1配線部分60bと第2配線部分60cとに分岐する分岐部60dと、を含む。端子用配線部分60aは、ゲート用端子70から分岐部60dに向かってY1方向に延びている。第1配線部分60bは、分岐部60dからX1方向に延びている。第2配線部分60cは、分岐部60dからX2方向に延びている。この構成によれば、ゲート駆動回路51及び52に共通して供給するゲート制御信号を、ゲート用端子70に接続された端子用配線部分60aから分岐させた第1配線部分60bと第2配線部分60cとを用いて、ゲート駆動回路51及び52の各々に供給することができる。この結果、ゲート駆動回路と51及び52の各々に別個のゲート用端子を設ける場合に比べて、ゲート用端子70の数を削減することができる。
図2に示すように、複数のゲート接続配線60の分岐部60dは、それぞれ、素子間領域R4aまたはR4bに配置されている。そして、分岐部60dは、表示基板1の表面に露出した検査用パッド80を含む。検査用パッド80は、表示基板1が製造される際に、検査装置のプローブが接触する端子であって、後述する画素電極11と同じ材料で形成されており、ゲート接続配線60と電気的に接続されている。ここで、FPCに接続されるゲート用端子を検査用パッドとして形成する場合には、検査用パッドに検査装置のプローブを容易に接触することができるように、端子(検査用パッド)を大型化する必要がある。このため、端子が配置される領域の幅(フレキシブルプリント基板の幅)が大きくなってしまう。これに対して、上記の構成では、分岐部60dに検査用パッド80が構成されるので、ゲート用端子70が配置される端子領域R1のX1方向及びX2方向の幅は大きくならない。この結果、FPC2のX1方向及びX2方向の幅を維持しながら、検査用パッド80を表示基板1に形成することができる。そして、検査用パッド80を用いて、表示基板1の検査を行うことが可能となる。
図5は、ゲート接続配線60のXY平面に沿った断面図である。図5に示すように、ゲート接続配線60は、ガラス基板163上に形成された第1層161と、当該第1層161よりも上層に形成された第2層162とを含む。具体的には、第1層161は、ガラス基板163上において、ゲート線14や薄膜トランジスタ12のゲート電極12a(図6参照)と同一の層に形成されている。第1層161は、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の金属膜である。また、第1層161は、絶縁層164により覆われている。また、第2層162は、絶縁層164上において、ソース線13や薄膜トランジスタ12のソース電極12bやドレイン電極12c(図6参照)と同一の層に形成されている。第2層162は、例えば、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の金属膜である。そして、第2層162は、絶縁層165により覆われている。絶縁層164及び165は、例えば、SiNx(窒化珪素)またはSiO2(二酸化珪素)またはこれらの積層膜からなる。
ここで、Y1およびY2方向において、第1層161の幅W1は、第2層162の幅W2よりも大きい。これにより、第2層の幅が第1層の幅よりも大きい場合と異なり、第2層が庇状にならないので、絶縁層164及び165のカバレッジ(膜被覆性)を向上させ製品信頼性を向上させることが可能となる。なお、本開示では、第1層161の幅W1を第2層162の幅W2よりも大きく構成することに限られず、第2層の幅を第1層の幅よりも大きく構成してもよい。この場合、第2層の幅が増大する分、ゲート接続配線60の抵抗値を小さくすることが可能となる。好ましくは、第2層が庇状にならないように、第2層の幅を第1層の幅よりも十分大きくするとともに、段差部分の傾斜を緩やかにすることにより、カバレッジの低下を防止することが可能となる。
〈薄膜トランジスタ〉
図6は、画素電極11及び薄膜トランジスタ12の接続関係を説明するための図である。表示基板1には、Y1方向に延びる複数のソース線13と、X1方向またはX2方向に延びる複数のゲート線14とが形成されている。複数のソース線13と複数のゲート線14とに区画される領域の各々に、画素電極11と薄膜トランジスタ12とが配置されている。図6に示すように、薄膜トランジスタ12は、ゲート電極12aと、ソース電極12bと、ドレイン電極12cとを含む。ゲート電極12aは、ゲート線14に接続されている。また、ソース電極12bは、絶縁層164(図5参照)を介してゲート電極12aよりも上層に形成されており、ソース線13に接続されている。ドレイン電極12cは、絶縁層165(図5参照)を介してドレイン電極12cより上層に形成された画素電極11に接続されている。また、絶縁層164(図5参照)上には、ソース電極12bとドレイン電極12cとに接続された半導体層(図示せず)が形成されている。そして、薄膜トランジスタ12に供給されるゲート信号Gがオン電位になった際に、ソース信号が画素電極11に書き込まれる。これにより、画素電極11と図示しない共通電極との間で電界が生じて、表示基板1と対向基板1aとの間に封入された液晶層1bが駆動され、表示基板1上に画像が表示される。
図6は、画素電極11及び薄膜トランジスタ12の接続関係を説明するための図である。表示基板1には、Y1方向に延びる複数のソース線13と、X1方向またはX2方向に延びる複数のゲート線14とが形成されている。複数のソース線13と複数のゲート線14とに区画される領域の各々に、画素電極11と薄膜トランジスタ12とが配置されている。図6に示すように、薄膜トランジスタ12は、ゲート電極12aと、ソース電極12bと、ドレイン電極12cとを含む。ゲート電極12aは、ゲート線14に接続されている。また、ソース電極12bは、絶縁層164(図5参照)を介してゲート電極12aよりも上層に形成されており、ソース線13に接続されている。ドレイン電極12cは、絶縁層165(図5参照)を介してドレイン電極12cより上層に形成された画素電極11に接続されている。また、絶縁層164(図5参照)上には、ソース電極12bとドレイン電極12cとに接続された半導体層(図示せず)が形成されている。そして、薄膜トランジスタ12に供給されるゲート信号Gがオン電位になった際に、ソース信号が画素電極11に書き込まれる。これにより、画素電極11と図示しない共通電極との間で電界が生じて、表示基板1と対向基板1aとの間に封入された液晶層1bが駆動され、表示基板1上に画像が表示される。
〈ゲート駆動回路の構成〉
図7は、ゲート駆動回路51を説明するための図である。なお、ゲート駆動回路52は、ゲート駆動回路51と同一の構成であるため、説明を省略する。図7に示すように、ゲート駆動回路51は、ゲート線14ごとに設けられた単位回路51aを含む。ここで、複数の単位回路51aを、区別するために、それぞれ、第1番目(自然数n=1)、第2番目(n=2)、・・・、第n番目の単位回路51aとする。第1番目(n=1)の単位回路51aは、第1番目のゲート線14、スタートパルス配線62a、及び第4番目のゲート線14に接続されている。また、第2番目(n=2)の単位回路51aは、第2番目のゲート線14、スタートパルス配線62b、及び第5番目のゲート線14に接続されている。nが3以上の自然数の場合、第n番目の単位回路51aは、第n番目のゲート線14、第n-2番目のゲート線14、及び第n+3番目のゲート線14に接続されている。また、nが偶数の場合、第n番目の単位回路51aは、クロック配線61a及び61bと低電位配線63とに接続されている。nが奇数の場合、第n番目の単位回路51aは、クロック配線61c及び61dと低電位配線63とに接続されている。
図7は、ゲート駆動回路51を説明するための図である。なお、ゲート駆動回路52は、ゲート駆動回路51と同一の構成であるため、説明を省略する。図7に示すように、ゲート駆動回路51は、ゲート線14ごとに設けられた単位回路51aを含む。ここで、複数の単位回路51aを、区別するために、それぞれ、第1番目(自然数n=1)、第2番目(n=2)、・・・、第n番目の単位回路51aとする。第1番目(n=1)の単位回路51aは、第1番目のゲート線14、スタートパルス配線62a、及び第4番目のゲート線14に接続されている。また、第2番目(n=2)の単位回路51aは、第2番目のゲート線14、スタートパルス配線62b、及び第5番目のゲート線14に接続されている。nが3以上の自然数の場合、第n番目の単位回路51aは、第n番目のゲート線14、第n-2番目のゲート線14、及び第n+3番目のゲート線14に接続されている。また、nが偶数の場合、第n番目の単位回路51aは、クロック配線61a及び61bと低電位配線63とに接続されている。nが奇数の場合、第n番目の単位回路51aは、クロック配線61c及び61dと低電位配線63とに接続されている。
図8は、単位回路51aの構成を説明するための回路図である。図9は、ゲート制御信号のタイミング図である。図8に示すように、単位回路51aには、薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dと、コンデンサ152とが設けられている。
薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dのゲート電極やコンデンサ152の一方の電極は、ゲート線14や薄膜トランジスタ12のゲート電極12aと同一の層に形成されている。また、薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dのソース電極とドレイン電極や、コンデンサ152の他方の電極は、ソース線13や薄膜トランジスタ12のソース電極12bやドレイン電極12cと同一の層に形成されている。さらに薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dの半導体層は、薄膜トランジスタ12の半導体層と同一の層に形成されている。すなわち、単位回路51aに含まれる薄膜トランジスタは、表示領域R2の薄膜トランジスタ12と同じ工程で製造することができるため、ソース駆動回路素子41~44のように、集積回路のチップを表示基板1上に実装する必要が無い。薄膜トランジスタ151aのゲート電極(ノードN1)の電位は、薄膜トランジスタ151b、151c及びコンデンサ152によって制御され、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A及びCK2Bにより、薄膜トランジスタ151aを介して、第n番目のゲート線14におけるゲート信号Gのオン及びオフ電位が供給される。また、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A及びCK2Bにより薄膜トランジスタ151dを制御することで、ゲート信号Gのオフ電位が供給される。なお、図9に示すように、クロック信号CK2A及びCK2Bは、それぞれ、クロック信号CK1A及びCK1Bに対して、4分の1周期分、位相がずれている。
薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dのゲート電極やコンデンサ152の一方の電極は、ゲート線14や薄膜トランジスタ12のゲート電極12aと同一の層に形成されている。また、薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dのソース電極とドレイン電極や、コンデンサ152の他方の電極は、ソース線13や薄膜トランジスタ12のソース電極12bやドレイン電極12cと同一の層に形成されている。さらに薄膜トランジスタ151a、151b、151c、及び151dの半導体層は、薄膜トランジスタ12の半導体層と同一の層に形成されている。すなわち、単位回路51aに含まれる薄膜トランジスタは、表示領域R2の薄膜トランジスタ12と同じ工程で製造することができるため、ソース駆動回路素子41~44のように、集積回路のチップを表示基板1上に実装する必要が無い。薄膜トランジスタ151aのゲート電極(ノードN1)の電位は、薄膜トランジスタ151b、151c及びコンデンサ152によって制御され、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A及びCK2Bにより、薄膜トランジスタ151aを介して、第n番目のゲート線14におけるゲート信号Gのオン及びオフ電位が供給される。また、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A及びCK2Bにより薄膜トランジスタ151dを制御することで、ゲート信号Gのオフ電位が供給される。なお、図9に示すように、クロック信号CK2A及びCK2Bは、それぞれ、クロック信号CK1A及びCK1Bに対して、4分の1周期分、位相がずれている。
また、スタートパルス信号SPAが第1番目の単位回路51aの薄膜トランジスタ151cに供給されることにより、第1番目の単位回路51aの駆動が開始される。スタートパルス信号SPBが第2番目の単位回路51aの薄膜トランジスタ151cに供給されることにより、第2番目の単位回路51aの駆動が開始される。そして、nが3以上の場合であって、第n番目の単位回路51aでは、第n-2番目の単位回路51aからのゲート信号G(n-2)が薄膜トランジスタ151cに供給されることにより、第n番目の単位回路51aの駆動が開始される。
そして、第n+3番目の単位回路51aからのゲート信号G(n+3)が第n番目の単位回路51aの薄膜トランジスタ151bに入力されることにより、第n番目の単位回路51aの駆動が停止される。上記の動作が1フレームごとに繰り返される。
〈静電気通過部の構成〉
図3に示すように、複数のゲート接続配線60の間の各々には、静電気通過部90が形成されている。ゲート接続配線60と共通配線15との間には、静電気通過部90が形成されている。また、静電気通過部90は、ソース駆動回路素子41~44の実装領域R3の各々に配置されている。静電気通過部90は、2つのゲート接続配線60のうちの一方に、ゲート用端子70等から静電気が侵入した場合、他方に拡散させる機能を有する。これにより、ゲート駆動回路51及び52を静電気から保護することが可能となる。すなわち、ゲート駆動回路51及び52が破損するのを防止することができる。また、静電気通過部90は、ソース線13及びゲート線14には接続されておらず、薄膜トランジスタ12には静電気を伝達しないので、薄膜トランジスタ12及びソース駆動回路素子41~44を静電気から保護することができる。すなわち、薄膜トランジスタ12及びソース駆動回路素子41~44が破損するのを防止することができる。
図3に示すように、複数のゲート接続配線60の間の各々には、静電気通過部90が形成されている。ゲート接続配線60と共通配線15との間には、静電気通過部90が形成されている。また、静電気通過部90は、ソース駆動回路素子41~44の実装領域R3の各々に配置されている。静電気通過部90は、2つのゲート接続配線60のうちの一方に、ゲート用端子70等から静電気が侵入した場合、他方に拡散させる機能を有する。これにより、ゲート駆動回路51及び52を静電気から保護することが可能となる。すなわち、ゲート駆動回路51及び52が破損するのを防止することができる。また、静電気通過部90は、ソース線13及びゲート線14には接続されておらず、薄膜トランジスタ12には静電気を伝達しないので、薄膜トランジスタ12及びソース駆動回路素子41~44を静電気から保護することができる。すなわち、薄膜トランジスタ12及びソース駆動回路素子41~44が破損するのを防止することができる。
図10は、静電気通過部90の平面図である。図11は、静電気通過部90及び層間接続部167の断面図(図10の1000-1000線に沿った断面図)である。図12は、静電気通過部90の回路図である。図10に示すように、静電気通過部90は、半導体層166を含むダイオードリングとして構成されている。図12に示すように、静電気通過部90は、例えば、複数のボトムゲート型の薄膜トランジスタ91及び92を含む。そして、低電位配線63に静電気が侵入した場合、薄膜トランジスタ91がオンして、静電気がクロック配線61aに拡散する。また、クロック配線61aに静電気が侵入した場合、薄膜トランジスタ92がオンして、静電気が低電位配線63に拡散する。
図11に示すように、静電気通過部90は、薄膜トランジスタ91または92のゲート電極を構成する第1層161と、第1層161を覆う絶縁層164と、絶縁層164上に形成された半導体層166と、薄膜トランジスタ91または92のソース電極及びドレイン電極を構成する第2層162と、第2層162を覆う絶縁層165とにより構成されている。半導体層166は、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)、及びO(酸素)を含有する酸化物半導体、または、アモルファスSiから構成される。ここで、半導体層166に光が侵入した場合、リーク電流が増大するが、第1実施形態では、静電気通過部90は、実装領域R3内に形成されている。これにより、ソース駆動回路素子44~44が半導体層166に向かう光を遮光することができるので、追加の遮光部材等を設けることなく、静電気通過部90のリーク電流を低減することができる。また、遮光膜1dが設けられた特定の領域(例えば対向基板1aの遮光膜1dが形成された領域)に静電気通過部90を配置する必要がない。この効果は、特に、第1実施形態の表示装置100のように、表示領域R2に対して光を照射するバックライト1eが表示基板1よりもZ1方向、すなわち表示基板1よりも液晶層1bおよび対向基板1aに近い側に設けられる構成であって、表示基板1の液晶層1bとは反対側から観察者が表示を見る構成や、表示基板1のY2方向の角がカットされる場合(コーナーカットされる場合)に、顕著となる。
層間接続部167は、第1層161と第2層162とが接続される部分である。層間接続部167は、各実装領域R3において、図3に示すように、実装領域R3の両端(X1方向及びX2方向)にそれぞれ形成されている。なお、図3では実装領域R3のX2方向の端部のみ図示しているが、X1方向の端部にも、層間接続部167が形成されている。また、層間接続部167は、各ゲート接続配線60に設けられている。
[第2実施形態]
次に、図13及び図14を参照して、第2実施形態の表示装置200の構成について説明する。第2実施形態の表示装置200では、5つのソース駆動回路素子(241~245)が設けられている。なお、以下の説明において、第1実施形態と同じ符号を用いる場合、第1実施形態と同様の構成を示しており、特に説明がない限り先行する説明を参照する。図13は、第2実施形態による表示装置200の構成を説明するための図である。
次に、図13及び図14を参照して、第2実施形態の表示装置200の構成について説明する。第2実施形態の表示装置200では、5つのソース駆動回路素子(241~245)が設けられている。なお、以下の説明において、第1実施形態と同じ符号を用いる場合、第1実施形態と同様の構成を示しており、特に説明がない限り先行する説明を参照する。図13は、第2実施形態による表示装置200の構成を説明するための図である。
図13に示すように、第2実施形態による表示装置200は、表示基板201と複数のゲート接続配線260とを含む。複数のゲート接続配線260は、クロック配線261a~261dと、スタートパルス配線262a及び262bと、低電位配線263とを含む。表示基板201には、ソース駆動回路素子241~245が実装されている。ソース駆動回路素子241~245は、X2方向に順に間隔を隔てて並んで配置されている。表示基板201のうち、平面視において、ソース駆動回路素子241、244及び255がそれぞれオーバラップする領域を、実装領域R13aとし、平面視において、ソース駆動回路素子242、及び243がそれぞれオーバラップする領域を、実装領域R13bとする。ソース駆動回路素子241及び242の間の領域、及びソース駆動回路素子243及び244の間の領域を共に、素子間領域R14aとする。また、ソース駆動回路素子242及び243の間の領域を、素子間領域R14bとする。また、ソース駆動回路素子244及び245の間の領域を、素子間領域R14cとする。
端子領域R11では、各実装領域R13a及びR13bのY2方向の位置にソース用端子71が配置されている。また、端子領域R11では、素子間領域R14aのY2方向の位置にクロック端子72と低電位端子74とが配置されており、素子間領域R14bのY2方向の位置にスタートパルス端子73と低電位端子74とが配置されており、素子間領域R14cのY2方向の位置に低電位端子74が配置されている。また、素子間領域R14a及びR14b内には、検査用パッド280が形成されている。
また、2つの素子間領域R14aのうちのX1方向の素子間領域R14aでは、クロック端子72からY1方向に延びるクロック配線261a~261dが、X1方向に屈曲して平面視でL字状に延びている。2つの素子間領域R14aのうちのX2方向の素子間領域R14aでは、クロック端子72からY1方向に延びるクロック配線261a~261dが、X2方向に屈曲して平面視でL字状に延びている。図13に示すように、クロック配線261a~261dは、実装領域R13bは通過しない。スタートパルス配線262a及び262bは、実装領域R13a及びR13bを通過する。
図14は、実装領域R13a及びR13bの構成を説明するための図である。図14に示すように、実装領域R13aにおいて、低電位配線263のY1方向の幅は、W11であり、実装領域R13bにおいて、低電位配線263のY1方向の幅は、W11よりも大きいW12である。これにより、実装領域R13bでは、低電位配線263の幅を大きくすることができるので、低電位配線263の抵抗値を小さくすることができ、低電位配線263の電位変動を抑制することができる。なお、その他の第2実施形態の構成及び効果は、第1実施形態の構成及び効果と同様である。
[第3実施形態]
次に、図15を参照して、第3実施形態の表示装置300の構成について説明する。第3実施形態の表示装置300では、検査用パッドとして機能するゲート用端子370が表示基板301上の端子領域R21に配置されている。なお、以下の説明において、第1または第2実施形態と同じ符号を用いる場合、第1または第2実施形態と同様の構成を示しており、特に説明がない限り先行する説明を参照する。図15は、第3実施形態による表示装置300の構成を説明するための図である。
次に、図15を参照して、第3実施形態の表示装置300の構成について説明する。第3実施形態の表示装置300では、検査用パッドとして機能するゲート用端子370が表示基板301上の端子領域R21に配置されている。なお、以下の説明において、第1または第2実施形態と同じ符号を用いる場合、第1または第2実施形態と同様の構成を示しており、特に説明がない限り先行する説明を参照する。図15は、第3実施形態による表示装置300の構成を説明するための図である。
図15に示すように、第3実施形態による表示装置300は、表示基板301を含む。表示基板301の端子領域R21には、検査用パッドとして機能するゲート用端子370が形成されている。例えば、素子間領域R4bのY2方向の位置において、スタートパルス端子373及び低電位端子374が設けられている。また、素子間領域R4aのY2方向の位置において、クロック端子372が設けられている。クロック端子372、スタートパルス端子373及び低電位端子374は、それぞれ、図示しない検査装置のプローブが個別に接触可能な程度の寸法を有する。すなわち、クロック端子372、スタートパルス端子373及び低電位端子374の各々の面積は、第1実施形態によるクロック端子72、スタートパルス端子73及び低電位端子374の各々の面積よりも大きい。この構成によっても、ゲート接続配線の検査を容易に行うことが可能になる。なお、その他の第3実施形態の構成及び効果は、第1実施形態の構成及び効果と同様である。
[変形等]
以上、上述した実施形態は本開示を実施するための例示に過ぎない。よって、本開示は上述した実施形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施形態を適宜変形して実施することが可能である。
以上、上述した実施形態は本開示を実施するための例示に過ぎない。よって、本開示は上述した実施形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施形態を適宜変形して実施することが可能である。
(1)上記第1~第3実施形態では、ソース駆動回路素子の数を、4つまたは5つとする例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、ソース駆動回路素子を、2つ、3つ、または、6つ以上の数設けてもよい。
(2)上記第1~第3実施形態では、ゲート接続配線の全てを、実装領域をX1方向またはX2方向に通過するように形成する例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、ゲート接続配線の一部が、実装領域を迂回するように形成されていてもよい。
(3)上記第1~第3実施形態では、ゲート接続配線に分岐部を設ける例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、ゲート接続配線に分岐部が設けられなくてもよい。
(4)上記第1~第3実施形態では、検査用パッドを分岐部に設ける例と、検査用パッドとして機能するようにゲート用端子を構成する例とを示したが、本開示はこれに限られない。例えば、表示基板が製造される際に複数の表示基板を1つのマザーガラス上に形成する場合において、表示基板と連続する他の基板(いわゆる「捨て基板」)上に検査用パッドが形成されていてもよい。また、検査用パッドは、上記(3)のように、分岐部がゲート接続配線に設けられていない場合でも、素子間領域内に配置されていてもよいし、分岐部がゲート接続配線に設けられている場合に、分岐部とは異なる位置に配置されていてもよい。これによれば、素子間領域に検査用パッドが構成されるので、端子が配置される領域の幅は大きくならない。
(5)上記第1~第3実施形態では、静電気通過部を実装領域に設ける例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、必ずしも静電気通過部を設けなくてもよいし、静電気通過部を、実装領域以外の位置に設けてもよい。
(6)上記第1~第3実施形態では、図3に示すように、共通制御配線を、Y2方向に延びるように図示したが、本開示はこれに限られない。例えば、ゲート接続配線に平行に共通制御配線を形成してもよい。
(7)上記第1~第3実施形態では、複数のゲート接続配線には、クロック配線、スタートパルス配線、及び低電位配線が含まれる例を示したが、本開示はこれに限られない。例えば、図16に示す変形例による表示装置400のように、複数のゲート接続配線に、さらに、クリア信号CLRを伝達するクリア配線464が含まれていてもよい。「クリア信号CLR」とは、特定周期(例えば、最終段の単位回路451aからゲート信号Gが出力された後であって、再び初めの段にスタートパルス信号SPAが供給される前の期間)に、薄膜トランジスタ551eを介して、単位回路451aの特定ノードN1を低電位にリセットするための制御信号である。クリア信号CLRは、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A、及びCK2b、スタートパルス信号SPA及びSPB、及び低電位信号VSSに比べて、単位回路451aに送信される頻度は少ない。従って、クリア配線464の抵抗値に起因する表示への影響は、クロック信号CK1A、CK1B、CK2A、及びCK2b、スタートパルス信号SPA及びSPB、及び低電位信号VSSに比べて小さい。このため、クリア配線464に接続される端子(クリア端子)は、端子領域R1、R11及びR21において、素子間領域R4b又はR14bのY2方向の位置に配置されることが好ましい。図16では、図8と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略している。
(8)上記第1~第3実施形態では、バックライトを、表示基板よりも液晶層に近い側に設ける例を示したが、本開示では、これに限られない。例えば、バックライトを、液晶層よりも表示基板に近い側に設けてもよいし、導光板をさらに備えて、導光板の端部にエッジライトを配置してもよい。
上述した表示装置は、以下のように説明することができる。
第1の構成に係る表示装置は、複数の薄膜トランジスタが形成された表示領域を有する表示基板と、表示基板に形成され、フレキシブルプリント基板に接続される複数の端子と、表示基板上に実装され、複数の薄膜トランジスタにソース信号を供給する複数のソース駆動回路素子であって、平面視において、少なくとも一部が表示領域と複数の端子との間に配置されている複数のソース駆動回路素子と、表示基板に形成され、複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つにゲート信号を供給する第1ゲート駆動回路と、複数の端子と第1ゲート駆動回路とを接続する複数の接続配線と、を備え、複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記表示基板内において平面視で複数のソース駆動回路素子のうちの少なくとも2つの間の領域である素子間領域内を通るとともに、当該複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、表示基板において複数のソース駆動回路素子の一つが配置された実装領域内を通り、複数の端子のうちの素子間領域を通る接続配線に接続された端子は、素子間領域からフレキシブルプリント基板に向かう方向において素子間領域に対向する位置に形成されている(第1の構成)。
第1の構成によれば、第1ゲート駆動回路に接続される接続配線が、隣接するソース駆動回路素子の間の素子間領域を通り、当該接続配線が接続する端子が、当該素子間領域に対向する位置に形成されている。これにより、この端子が、当該素子間領域に対向する位置ではなく、複数のソース駆動回路素子よりも外側の領域に対向する位置に設けられる場合に比べて、端子が配置される領域の幅(フレキシブルプリント基板の幅)を小さくすることができる。この結果、フレキシブルプリント基板から表示基板上のゲート駆動回路及び複数のソース駆動回路素子に制御信号が供給される場合でも、フレキシブルプリント基板の幅を小さくすることができる。そして、フレキシブルプリント基板の幅が小さくなることにより、表示基板のうちのフレキシブルプリント基板と接続する部分以外の領域の形状(外形・額縁)を弧状に形成すること等、設計自由度を向上させることが可能になる。
第1の構成において、複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つにゲート信号を供給する第2ゲート駆動回路を、さらに備えてもよく、第1ゲート駆動回路は、表示基板のうちの複数のソース駆動回路素子よりも一方の部分に配置されてもよく、第2ゲート駆動回路は、表示基板のうちの複数のソース駆動回路素子よりも他方の部分に配置されてもよく、複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、複数の端子のうちの少なくとも1つに接続された端子用配線部分と、第1ゲート駆動回路に接続された第1配線部分と、第2ゲート駆動回路に接続された第2配線部分と、端子用配線部分から第1配線部分と第2配線部分とに分岐する分岐部と、を含んでもよく、分岐部は、素子間領域内に配置されてもよい(第2の構成)。
第2の構成によれば、第1ゲート駆動回路と第2ゲート駆動回路とに共通して供給する信号を、端子に接続された端子用配線部分から分岐させた第1配線部分と第2配線部分とを用いて、第1ゲート駆動回路と第2ゲート駆動回路との各々に供給することができる。この結果、第1ゲート駆動回路と第2ゲート駆動回路との各々に別個の端子を設ける場合に比べて、端子の数を削減することができる。この結果、端子が配置される領域の幅(フレキシブルプリント基板の幅)を、より一層小さくすることができる。
第2の構成において、分岐部は、表示基板の表面に露出した検査用パッドを含んでもよい(第3の構成)。また、第1または第2の構成において、素子間領域を通る接続配線に接続された検査用パッドをさらに備え、検査用パッドは、素子間領域に配置されていてもよい(第4の構成)。
ここで、フレキシブルプリント基板に接続される端子を検査用パッドとして形成する場合には、検査用パッドに検査装置のプローブを容易に接触することができるように、端子(検査用パッド)を大型化する必要がある。このため、端子が配置される領域の幅(フレキシブルプリント基板の幅)が大きくなってしまう。これに対して、上記第3の構成では、分岐部に検査用パッドが構成されるので、端子が配置される領域の幅は大きくならない。また、上記第4の構成では、素子間領域に検査用パッドが構成されるので、端子が配置される領域の幅は大きくならない。この結果、フレキシブルプリント基板の幅を維持しながら、検査用パッドを表示基板に形成することができる。そして、検査用パッドを用いて、表示基板の検査を行うことができる。
第1~第4の構成のいずれか1つにおいて、複数の接続配線のうちの少なくとも2つが、実装領域内を通ってもよく、表示装置は、実装領域を通る複数の接続配線のうちの少なくとも2つの間において、静電気を通過させる静電気通過部を、さらに備えてもよく、静電気通過部は、実装領域内に配置されてもよい(第5の構成)。
第5の構成によれば、端子から侵入した静電気を、静電気通過部により2つの接続配線の間で拡散させることができる。この結果、静電気が薄膜トランジスタに伝達して薄膜トランジスタは破損するのを防止することができる。そして、静電気通過部は、実装領域に設けられているので、ソース駆動回路素子により外部から静電気通過部に向かう光を遮光することができる。この結果、静電気通過部に光が照射されることにより発生するリーク電流を小さくすることができる。
第5の構成において、表示装置は、表示基板に対向する対向基板と、表示基板と対向基板との間に封入された液晶層と、表示領域に対して光を照射するバックライトとを、さらに備えてもよく、バックライトは、表示基板よりも液晶層に近い側に設けられていてもよい(第6の構成)。
第6の構成によれば、バックライトから静電気通過部へ向かう光を、ソース駆動回路素子によって遮光することができる。この結果、静電気通過部に光が照射されることにより発生するリーク電流をより一層小さくすることができる。
第1~第6の構成のいずれか1つにおいて、複数の端子は、実装領域からフレキシブルプリント基板に向かう方向において実装領域に対向する位置に形成された複数のソース用端子を含んでもよく、表示装置は、複数のソース用端子と実装領域に配置されたソース駆動回路素子とを接続するソース制御信号配線を、さらに備えてもよい(第7の構成)。
第7の構成によれば、実装領域に対向する位置に複数のソース用端子が配置されるので、複数のソース用端子とソース駆動回路素子とを接続するソース制御信号配線の長さのばらつきを小さくことができる。この結果、各ソース制御信号の信号鈍りの波形の差異を小さくすることができるので、信号鈍りの波形の差異に起因する表示ムラを低減することができる。
第7の構成において、複数のソース駆動回路素子のうちの3つのソース駆動回路素子は、表示領域からフレキシブルプリント基板に向かう方向に対して交差する方向または直交する方向に並んで配置されてもよく、表示基板には、3つのソース駆動回路素子のうちの第1のソース駆動回路素子と第2のソース駆動回路素子との間に形成される第1の素子間領域と、3つのソース駆動回路素子のうちの第2のソース駆動回路素子と第3のソース駆動回路素子との間に形成される第2の素子間領域と、が構成されていてもよく、第1の素子間領域は、第2の素子間領域よりも第1ゲート駆動回路に近い位置に形成されていてもよく、複数の接続配線は、クロック配線と、スタートパルス配線と、を含んでもよく、第2の素子間領域からフレキシブルプリント基板に向かう方向において第2の素子間領域に対向する位置に形成され、スタートパルス配線が接続されるスタートパルス端子をさらに含んでもよい(第8の構成)。また、第8の構成において、複数の端子は、第1の素子間領域からフレキシブルプリント基板に向かう方向において第1の素子間領域に対向する位置に形成され、クロック配線が接続されるクロック端子をさらに含んでもよい(第9の構成)。
ここで、スタートパルス配線は、ゲート駆動回路に含まれる単位回路のうちの最小で1つのみに制御信号を供給する配線であるため、スタートパルス配線の抵抗値が比較的高い場合でも、表示に対する影響は小さい。一方で、クロック配線は、複数(多数)の単位回路の制御に関わる配線であるため、クロック配線の抵抗値に起因する表示に対する影響は大きくなる。このため、クロック配線の抵抗値は比較的小さくすることが好ましい。これに対して、上記第9の構成によれば、第1ゲート駆動回路に近い位置にクロック配線及びクロック端子が配置されるので、クロック配線の抵抗値を小さくすることができる。この結果、クロック配線の抵抗値による電位変動を抑制することができ、表示の品質を向上させることができる。
第9の構成において、複数の接続配線は、低電位配線を、さらに含んでもよく、複数の端子は、第1の素子間領域に対向する位置でかつクロック端子と隣り合う位置と、第2の素子間領域に対向する位置でかつスタートパルス端子と隣り合う位置との各々に形成され、低電位配線が接続される複数の低電位端子を、さらに含んでもよい、(第10の構成)。
ここで、低電位配線は、ゲート駆動回路に含まれる全ての単位回路の制御に関連する配線であり、ゲート信号のオフ電位等に直接的に影響する。このため、低電位配線の抵抗値に起因した電位変動を抑制するために、低電位配線の抵抗値は小さい方が好ましい。これに対して、上記第10の構成によれば、第1ゲート駆動回路に近い位置に低電位配線及び低電位端子が配置されるので、低電位配線の抵抗値を小さくすることができる。そして、スタートパルス端子と隣り合う位置にも上記低電位配線に接続される低電位端子を設けることができるので、低電位配線の抵抗値を、より一層小さくすることができる。
第8~第10の構成のいずれか1つにおいて、複数の接続配線は、低電位配線を、さらに含んでよく、低電位配線の第2のソース駆動回路素子が配置された実装領域内を通る部分における幅が、低電位配線の第1のソース駆動回路素子が配置された実装領域内を通る部分における幅よりも大きく構成されてもよい(第11の構成)。
第11の構成によれば、第2のソース駆動回路素子が配置された実装領域では、低電位配線の幅を大きくすることができるので、低電位配線の抵抗値をより一層小さくすることができる。この結果、低電位配線の電位変動を抑制することができる。
第1~第11の構成のいずれか1つにおいて、第1ゲート駆動回路は、複数のゲート駆動回路用薄膜トランジスタを含んでもよく、複数のゲート駆動回路用薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層をそれぞれ形成する材料を、複数の薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層をそれぞれ形成する材料と同じにしてもよい(第12の構成)。
第12の構成によれば、複数のゲート駆動回路用薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタとを同じ工程で製造することができるので、ソース駆動回路素子のように、表示基板上に実装する必要がない。
1,201,301…表示基板、1a…対向基板、1b…液晶層、1e…バックライト、2…フレキシブルプリント基板、12…薄膜トランジスタ、13…ソース線、14…ゲート線、41~44,241~245…ソース駆動回路素子,51,52…ゲート駆動回路、60…ゲート接続配線,60a…端子用配線部分、60b…第1配線部分、60c…第2配線部分、60d…分岐部、61a~61d,261a~261d…クロック配線、62a,62b,262a,262b…スタートパルス配線、63,263…低電位配線、70…ゲート用端子、71…ソース用端子、71a…ソース制御信号配線、72,372…クロック端子、73,373…スタートパルス端子、74,374…低電位端子,80,280…検査用パッド、90…静電気通過部、100,200,300,400…表示装置、151a~151d…薄膜トランジスタ(ゲート駆動回路用薄膜トランジスタ)、R1,R11,R21…端子領域,R3,R13a,R13b…実装領域、R4,R4a,R4b,R14a,R14b,R14c…素子間領域
Claims (12)
- 複数の薄膜トランジスタが形成された表示領域を有する表示基板と、
前記表示基板に形成され、フレキシブルプリント基板に接続される複数の端子と、
前記表示基板上に実装され、前記複数の薄膜トランジスタにソース信号を供給する複数のソース駆動回路素子であって、平面視において、少なくとも一部が前記表示領域と前記複数の端子との間に配置されている複数のソース駆動回路素子と、
前記表示基板に形成され、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つにゲート信号を供給する第1ゲート駆動回路と、
前記複数の端子と前記第1ゲート駆動回路とを接続する複数の接続配線と、を備え、
前記複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記表示基板内において平面視で前記複数のソース駆動回路素子のうちの少なくとも2つの間の領域である素子間領域内を通るとともに、当該複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記表示基板において前記複数のソース駆動回路素子の一つが配置された実装領域内を通り、
前記複数の端子のうちの前記素子間領域を通る接続配線に接続された端子は、前記素子間領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向において前記素子間領域に対向する位置に形成されている、表示装置。 - 前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つにゲート信号を供給する第2ゲート駆動回路を、さらに備え、
前記第1ゲート駆動回路は、前記表示基板のうちの前記複数のソース駆動回路素子よりも一方の部分に配置されており、
前記第2ゲート駆動回路は、前記表示基板のうちの前記複数のソース駆動回路素子よりも他方の部分に配置されており、
前記複数の接続配線のうちの少なくとも1つは、前記複数の端子のうちの少なくとも1つに接続された端子用配線部分と、前記第1ゲート駆動回路に接続された第1配線部分と、前記第2ゲート駆動回路に接続された第2配線部分と、前記端子用配線部分から前記第1配線部分と前記第2配線部分とに分岐する分岐部と、を含み、
前記分岐部は、前記素子間領域内に配置されている、請求項1に記載の表示装置。 - 前記分岐部は、前記表示基板の表面に露出した検査用パッドを含む、請求項2に記載の表示装置。
- 前記素子間領域を通る接続配線に接続された検査用パッドをさらに備え、前記検査用パッドは、前記素子間領域に配置されている、請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記複数の接続配線のうちの少なくとも2つは、前記実装領域内を通り、
前記実装領域を通る前記複数の接続配線のうちの少なくとも2つの間において、静電気を通過させる静電気通過部を、さらに備え、
前記静電気通過部は、前記実装領域内に配置されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記表示基板に対向する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に封入された液晶層と、
前記表示領域に対して光を照射するバックライトと、をさらに備え、
前記バックライトは、前記表示基板よりも前記液晶層に近い側に設けられている、請求項5に記載の表示装置。 - 前記複数の端子は、前記実装領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向において前記実装領域に対向する位置に形成された複数のソース用端子を含み、
前記複数のソース用端子と、前記実装領域に配置されたソース駆動回路素子とを接続するソース制御信号配線を、さらに備える、請求項1~6のいずれか1つに記載の表示装置。 - 前記複数のソース駆動回路素子のうちの3つのソース駆動回路素子は、前記表示領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向に対して交差する方向または直交する方向に並んで配置され、
前記表示基板には、前記3つのソース駆動回路素子のうちの第1のソース駆動回路素子と第2のソース駆動回路素子との間に形成される第1の素子間領域と、前記3つのソース駆動回路素子のうちの第2のソース駆動回路素子と第3のソース駆動回路素子との間に形成される第2の素子間領域と、が構成されており、
前記第1の素子間領域は、前記第2の素子間領域よりも前記第1ゲート駆動回路に近い位置に形成されており、
前記複数の接続配線は、クロック配線と、スタートパルス配線と、を含み、
前記複数の端子は、前記第2の素子間領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向において前記第2の素子間領域に対向する位置に形成され、前記スタートパルス配線が接続されるスタートパルス端子をさらに含む、請求項7に記載の表示装置。 - 前記複数の端子は、前記第1の素子間領域から前記フレキシブルプリント基板に向かう方向において前記第1の素子間領域に対向する位置に形成され、前記クロック配線が接続されるクロック端子をさらに含む、請求項8に記載の表示装置。
- 前記複数の接続配線は、低電位配線を、さらに含み、
前記複数の端子は、前記第1の素子間領域に対向する位置でかつ前記クロック端子と隣り合う位置と、前記第2の素子間領域に対向する位置でかつ前記スタートパルス端子と隣り合う位置との各々に形成され、前記低電位配線が接続される複数の低電位端子を、さらに含む、請求項9に記載の表示装置。 - 前記複数の接続配線は、低電位配線を、さらに含み、
前記低電位配線の前記第2のソース駆動回路素子が配置された実装領域内を通る部分における幅は、前記低電位配線の前記第1のソース駆動回路素子が配置された実装領域内を通る部分における幅よりも大きい、請求項8~10のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1ゲート駆動回路は、複数のゲート駆動回路用薄膜トランジスタを含み、
前記複数のゲート駆動回路用薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層をそれぞれ形成する材料は、前記複数の薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極および半導体層をそれぞれ形成する材料と同じである、請求項1~11のいずれか1項に記載の表示装置。
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