JP2005241988A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡便かつ安全に配線の検査ができるようにした特別な構造を採用した液晶表示装置の提供する。
【解決手段】基板の内側に表示領域Gが規定され、その外側に非表示領域Hが規定されてなり、非表示領域の少なくとも一部に表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッド30,31が複数設けられてなる表示装置であって、端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して非表示領域において延長され、各延長配線にスイッチング素子を介して検査用の端子パッド部68、69、71、72が形成されてなる。
【選択図】 図1
【解決手段】基板の内側に表示領域Gが規定され、その外側に非表示領域Hが規定されてなり、非表示領域の少なくとも一部に表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッド30,31が複数設けられてなる表示装置であって、端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して非表示領域において延長され、各延長配線にスイッチング素子を介して検査用の端子パッド部68、69、71、72が形成されてなる。
【選択図】 図1
Description
本発明は駆動用のICを基板の周辺部に備える形式の液晶表示パネルなどにおいて検査用に好適な構成を採用した表示装置に関する。
従来一般的なアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、対になる基板間に液晶が挟持されてなり、一方の基板の表示領域に画素毎に設けた複数の駆動用の画素電極および薄膜トランジスタと他方の基板の表示領域に設けた共通電極とにより液晶駆動に必要な駆動電界を印加し、画素毎に液晶の駆動状態を切り替えて表示機能を奏するように構成されている。また、薄膜トランジスタに替えてMIM(メタルインシュレーターメタル)構造の素子を表示領域毎にスイッチング素子として組み込むことで構成される形式の液晶表示パネルも知られている。
これらの液晶表示パネルにおいて前記各画素電極への信号入力手段の一例は、表示パネルの表示領域外に引き出されて配線された複数の駆動用配線に対して駆動用のICの出力端子を接続し、駆動用のICから必要な駆動用配線に対して必要な電圧を印加して各画素電極を駆動するように構成されている。
前記配線と駆動用ICの接続形態として従来は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)による接続が行われていたが、最近ではCOG(チップオングラス)実装と称される方式が広く採用されるようになっている。
これらの液晶表示パネルにおいて前記各画素電極への信号入力手段の一例は、表示パネルの表示領域外に引き出されて配線された複数の駆動用配線に対して駆動用のICの出力端子を接続し、駆動用のICから必要な駆動用配線に対して必要な電圧を印加して各画素電極を駆動するように構成されている。
前記配線と駆動用ICの接続形態として従来は、FPC(フレキシブルプリントサーキット)による接続が行われていたが、最近ではCOG(チップオングラス)実装と称される方式が広く採用されるようになっている。
前記COG実装とは、液晶パネルの表示領域の外側の非表示領域の部分まで延出させて駆動用の配線部を設け、ドライバ用のICの外側に露出されている複数のコンタクト部を前記配線部のパッド部に対して熱圧着などの接続手段により接合した接続構成として知られている。
その一例の構成を図6に示す。図6に示す構成ではスイッチング素子を表示領域103に備えた電極基板101とそれに対向し電極基板101よりも面積の小さい対極基板102との間に液晶を挟持した構成の液晶表示パネルにおいて、表示領域103及び対極基板102の周辺の電極基板101上に、複数の駆動用IC104が信号配線105と接続されて設けられている。(特許文献1:図7等参照)
特開平5−173164号公報(図7参照)
その一例の構成を図6に示す。図6に示す構成ではスイッチング素子を表示領域103に備えた電極基板101とそれに対向し電極基板101よりも面積の小さい対極基板102との間に液晶を挟持した構成の液晶表示パネルにおいて、表示領域103及び対極基板102の周辺の電極基板101上に、複数の駆動用IC104が信号配線105と接続されて設けられている。(特許文献1:図7等参照)
図6に示す構成の配線接続構造では、駆動用ICが配線接続部分を覆い隠すので駆動用IC104を基板上に取り付けた後に、駆動用の信号を外部から別途加えて液晶パネルとしての種々のテストを行っても、駆動用IC104の不具合であるのか、駆動用IC104と配線との接続不良であるのか、液晶パネル側の配線や電極基板101側の薄膜トランジスタの不良であるのか、判別ができない問題があった。
そこで、図6に示す配線接続構造を採用した場合、これらの不良を特定するためには、一端取り付けた駆動用IC104を取り外して再度検査をやり直す必要があるので極めて検査効率が悪いという問題があった。
そこで、図6に示す配線接続構造を採用した場合、これらの不良を特定するためには、一端取り付けた駆動用IC104を取り外して再度検査をやり直す必要があるので極めて検査効率が悪いという問題があった。
このような不具合を解消するために先の特許文献1に記載された技術では、絶縁基板上に表示電極をマトリクス状に配置したパネルの表示領域周辺に、信号配線と、該信号配線に駆動信号を供給するドライバICとを備えた液晶表示パネルにおいて、前記表示領域の周辺に配線された信号配線に、露出した検査用コンタクト領域を設けることによって上述の問題を解決している。
即ち、この露出した検査用コンタクト領域に検査装置のプローブを当てて液晶注入前の表示パネルに通電してテストを行えば、駆動用ICの実装の前に液晶パネル側の配線や液晶駆動のためのスイッチング素子の検査を行うことができるように構成されている。
即ち、この露出した検査用コンタクト領域に検査装置のプローブを当てて液晶注入前の表示パネルに通電してテストを行えば、駆動用ICの実装の前に液晶パネル側の配線や液晶駆動のためのスイッチング素子の検査を行うことができるように構成されている。
ところが、一般的な液晶表示パネルの表示領域に対して駆動用の配線は、画素数が130ドット×130ドット程度の小型のカラーパネルにおいてもソース配線とゲート配線分を合わせて数100本、640×480ドットあるいは1024×768ドットなどのパソコン用表示パネル、あるいはそれらよりも大型の表示パネルにおいては数1000本以上の配線が存在するので、これらの配線数に応じた検査用パッドの1つ1つに検査装置のプローブを接触させてテストしていたのでは、極めて煩雑なテスト作業となってしまう問題がある。
また、仮にプローブを多数本備えた検査装置を用いてテストしたとしても、上述の如く数100本〜数1000本の極めて微細な配線とこれに接続された薄膜状の検査パッドに対してこれらの検査プローブを正確に位置決めして接触させることは難しく、時間のかかる煩雑なテスト作業となり勝ちであるとともに、プローブの当て方によっては薄膜の検査パッドあるいはそれに付属する薄膜配線に損傷を与えてしまい、接続不良の原因となったり、薄膜状の微細な検査パッドにプローブを正確に当てることができない結果として、検査不良を引き起こす問題もあった。更に近年では画素密度が向上するにつれて配線の幅と間隔が更に微細化しているので、これらの細い微細な配線の検査パッドに検査装置のプローブを正確に接触させること自体が困難になりつつあるとともに、微細なプローブの製造自体が困難になる傾向がある。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、配線数が多いとともに配線幅と配線間隔が小さくなってきている表示装置の配線を検査する場合に、1つ1つの個々の配線に検査装置のプローブを接触させなくとも、簡便かつ安全に配線の検査ができるようにした特別な構造を採用した表示装置の提供を目的とする。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、基板の内側に表示領域が規定され、その外側に非表示領域が規定されてなり、該非表示領域の少なくとも一部に前記表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッドが複数設けられてなる表示装置であって、前記端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して前記非表示領域において延長され、前記各延長配線にスイッチング素子を介して検査用の端子パッド部が形成されてなることを特徴とする。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、基板の内側に表示領域が規定され、その外側に非表示領域が規定されてなり、該非表示領域の少なくとも一部に前記表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッドが複数設けられてなる表示装置であって、前記端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して前記非表示領域において延長され、前記各延長配線に、ソース電極とドレイン電極とゲート電極とを具備し、導通と非導通を切り替え自在な検査用の薄膜トランジスタ素子が個々に組み込まれるとともに、前記非表示領域の一部に前記各検査用の薄膜トランジスタ素子のゲート電極に接続して各検査用の薄膜トランジスタ素子のゲートの開閉を行うための検査用ゲート配線が形成される一方、前記非表示領域の一部に、前記各検査用の薄膜トランジスタ素子のソース電極に接続されて前記検査用ゲート配線からの通電によりゲートが開放された検査用の薄膜トランジスタ素子を介して前記延長配線に導通される検査用端子パッド部が形成されてなることを特徴とする。
本発明は、前記検査用のゲート配線に検査用端子パッド部が接続されるとともに、前記複数の延長配線のスイッチング素子が複数まとめられて検査用の端子パッド部に接続されてなることを特徴とする。
本発明は、前記検査用のゲート配線に検査用端子パッド部が接続されるとともに、前記複数の延長配線のスイッチング素子が複数まとめられて検査用の端子パッド部に接続されてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示装置の非表示領域に形成された複数の検査用の薄膜トランジスタ素子の全てのゲート電極が1本の検査用ゲート配線に接続され、該検査用のゲート配線からの制御により前記全ての検査用の薄膜トランジスタ素子のゲートを同時にオンあるいはオフに調整可能とされるとともに、前記複数の検査用の薄膜トランジスタ素子のソース電極のうち、1つ以上の検査用の薄膜トランジスタ素子の組毎に共通となるように前記検査用ソース端子配線が形成され、前記組毎の端子パッドに接続された薄膜制御素子が前記組毎にまとめて検査自在とされてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示装置が対になる基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記両方の基板の各表示領域には液晶を駆動して表示するための複数の配線が形成されてなり、各配線に前記端子パッド部が接続されてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示装置が対になる基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記両方の基板の各表示領域には液晶を駆動して表示するための複数の配線が形成されてなり、各配線に前記端子パッド部が接続されてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示装置が対になる基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記一方の基板の表示領域には液晶を駆動して表示するための共通電極が形成されてなり、前記他方の基板の表示領域には液晶を駆動して表示するための複数の配線と複数のスイッチング素子が形成され、前記共通電極と、前記複数の配線のうちの組になる配線とに、個々に前記検査用の第2の端子パッド部が接続されてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示領域に対応して形成された複数の配線のうち、半分程の配線が前記基板の非表示領域の一側にまとめられてこれらに対応する端子パッドが前記非表示領域の一側に形成され、前記複数の配線のうち、残りの半分程の配線が前記基板の非表示領域の他側にまとめられてこれらに対応する端子パッド部が前記非表示領域の他側に形成されるとともに、前記非表示領域の一側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッド部に対応させて1つの検査用の端子パッド部が形成され、前記非表示領域の他側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッドに対応させて他の1つの端子パッド部が形成されてなることを特徴とする。
本発明は、前記表示領域に対応して形成された複数の配線のうち、半分程の配線が前記基板の非表示領域の一側にまとめられてこれらに対応する端子パッドが前記非表示領域の一側に形成され、前記複数の配線のうち、残りの半分程の配線が前記基板の非表示領域の他側にまとめられてこれらに対応する端子パッド部が前記非表示領域の他側に形成されるとともに、前記非表示領域の一側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッド部に対応させて1つの検査用の端子パッド部が形成され、前記非表示領域の他側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッドに対応させて他の1つの端子パッド部が形成されてなることを特徴とする。
本発明では、表示装置の表示を制御するための複数の薄膜制御素子に接続された端子パッドを備えた配線を個々に延長配線を介して非表示領域において延長し、各延長配線にスイッチング素子を介して検査用の端子パッド部を形成してなるので、スイッチング素子で検査用の端子パッドの導通を切り替えて、導通させた場合に通電して薄膜制御素子の検査ができる。また、スイッチング素子の導通を適宜遮断することで、導通している薄膜制御素子のみの検査ができる。
また、複数の薄膜制御素子に接続されるスイッチング素子として薄膜トランジスタ素子を設け、これら薄膜トランジスタ素子のゲート電極を制御して薄膜トランジスタ素子のゲートの切り替えを行うように構成すれば、薄膜トランジスタ素子で検査用の端子パッドの導通を切り替えて、導通させた場合に通電して薄膜制御素子の検査ができる。
また、複数の薄膜制御素子に接続されるスイッチング素子として薄膜トランジスタ素子を設け、これら薄膜トランジスタ素子のゲート電極を制御して薄膜トランジスタ素子のゲートの切り替えを行うように構成すれば、薄膜トランジスタ素子で検査用の端子パッドの導通を切り替えて、導通させた場合に通電して薄膜制御素子の検査ができる。
また、本発明で検査用のゲート配線に検査用端子パッド部を接続し、複数の延長配線のスイッチング素子を複数まとめて検査用の端子パッド部に接続しているので、表示装置の画素数が多く、配線本数が多いタイプの高精細な表示装置であっても、配線本数よりも少ない数の端子パッド部に検査装置のプローブを接触させて全ての配線の検査ができる特徴を有する。従って、配線間隔や配線幅の微細な構造であっても、端子パッド部の形成位置や大きさは制約を受けることなく、検査に必要な大きさと間隔に形成すれば良いので、検査装置のプローブを接触させることが容易かつ確実に実施でき、端子パッド部での検査がし易い構造を提供できる。
次に、表示装置が液晶表示装置であり、液晶表示用のスイッチング素子を有するものに本発明を適用するならば、液晶表示装置の基板の表示領域にスイッチング素子を形成する工程を行う場合に、その工程を流用して同時に基板の端子形成領域に検査用のスイッチング素子を作り込むことができるので、容易に基板上に得ることができる。
次に、表示装置が液晶表示装置であり、液晶表示用のスイッチング素子を有するものに本発明を適用するならば、液晶表示装置の基板の表示領域にスイッチング素子を形成する工程を行う場合に、その工程を流用して同時に基板の端子形成領域に検査用のスイッチング素子を作り込むことができるので、容易に基板上に得ることができる。
前記表示領域に対応して形成された複数の配線のうち、半分程の配線毎にまとめて端子パッドを形成することで、2つの端子パッド部をまとめて検査装置のプローブに接続して検査ができる。
以上のことから、配線数が多いとともに配線幅と配線間隔が小さくなってきている表示装置の配線を検査する場合、1つ1つの個々の配線に検査装置のプローブを接触させなくとも、配線数よりも少ない端子パッド部に検査装置のプローブを接触させることで、簡便かつ安全に配線の検査ができる。
以上のことから、配線数が多いとともに配線幅と配線間隔が小さくなってきている表示装置の配線を検査する場合、1つ1つの個々の配線に検査装置のプローブを接触させなくとも、配線数よりも少ない端子パッド部に検査装置のプローブを接触させることで、簡便かつ安全に配線の検査ができる。
次に、本発明を薄膜トランジスタ(TFT)型の半透過反射タイプの液晶表示装置に適用した構成について図面を参照して説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするために各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせて示してある。 図1は本発明に係る半透過反射型の液晶表示装置の正面図、図2は同液晶表示装置の端子部構成を示す拡大図、図3は同液晶表示装置とバックライトを備えた液晶表示ユニットの一例の断面図、図4は同液晶表示装置の表示領域の部分拡大断面図、図5は同液晶表示装置の表示領域の配線構成の一部を示す構成図である。
以下に本発明の要部である端子部分の構成を説明する前に液晶表示ユニットの全体構成について説明する。
以下に本発明の要部である端子部分の構成を説明する前に液晶表示ユニットの全体構成について説明する。
前記液晶表示ユニットAは、図3に示すように、液晶表示装置1とこの液晶表示装置1の背面側に配されたバックライト4とを備えて構成されている。
液晶表示装置1は、スイッチング素子が形成された側の図3に示すアクティブマトリクス基板2と、それに対向して設けられた対向基板3と、基板2、3の間に保持されている光変調層としての液晶層5とを備えて構成されている。
アクティブマトリクス基板2は、図4又は図5に示すようにガラス等からなる透明の基板本体6上に、それぞれ行方向(図5のx方向)と列方向(図5のy方向)に、複数の走査線7と信号線8が電気的に絶縁されて形成され、各走査線7、信号線8の交差部の近傍に表示用のTFT(薄膜トランジスタ:薄膜制御素子)10が形成されている。
前記基板本体6上において、画素電極11が形成される領域、TFT10が形成される領域、走査線7及び信号線8が形成される領域を、それぞれ画素領域、素子領域、配線領域と呼称することができる。
液晶表示装置1は、スイッチング素子が形成された側の図3に示すアクティブマトリクス基板2と、それに対向して設けられた対向基板3と、基板2、3の間に保持されている光変調層としての液晶層5とを備えて構成されている。
アクティブマトリクス基板2は、図4又は図5に示すようにガラス等からなる透明の基板本体6上に、それぞれ行方向(図5のx方向)と列方向(図5のy方向)に、複数の走査線7と信号線8が電気的に絶縁されて形成され、各走査線7、信号線8の交差部の近傍に表示用のTFT(薄膜トランジスタ:薄膜制御素子)10が形成されている。
前記基板本体6上において、画素電極11が形成される領域、TFT10が形成される領域、走査線7及び信号線8が形成される領域を、それぞれ画素領域、素子領域、配線領域と呼称することができる。
本実施の形態のTFT10は図4に示す逆スタガ型の構造を有し、本体となる基板本体6の最下層部から順にゲート電極13、ゲート絶縁膜15、半導体層16、ソース電極17及びドレイン電極18が形成され、半導体層16の上であってソース電極17とドレイン電極18との間にはエッチングストッパ層9が形成されている。
即ち、図5に示すように走査線7の一部が延出されてゲート電極13が形成され、図4に示すようにこれを覆ったゲート絶縁膜15上にゲート電極13を平面視で跨るようにアイランド状の半導体層16が形成され、この半導体層16の両端側の一方に半導体層16を介してソース電極17、他方に半導体層16を介してドレイン電極18がそれぞれ形成されている。
また、走査線7と信号線8とが囲む矩形状の各領域の中央部側にITOなどの透明電極材料からなる透明電極19が、基板本体6上に直接位置するように形成されている。従ってこれらの透明電極19は先のゲート電極13と同一面位置に形成されている。これらの透明電極19は先のソース電極17の一端の接続部17aに直に接続された平面視短冊状に形成されている。
即ち、図5に示すように走査線7の一部が延出されてゲート電極13が形成され、図4に示すようにこれを覆ったゲート絶縁膜15上にゲート電極13を平面視で跨るようにアイランド状の半導体層16が形成され、この半導体層16の両端側の一方に半導体層16を介してソース電極17、他方に半導体層16を介してドレイン電極18がそれぞれ形成されている。
また、走査線7と信号線8とが囲む矩形状の各領域の中央部側にITOなどの透明電極材料からなる透明電極19が、基板本体6上に直接位置するように形成されている。従ってこれらの透明電極19は先のゲート電極13と同一面位置に形成されている。これらの透明電極19は先のソース電極17の一端の接続部17aに直に接続された平面視短冊状に形成されている。
前記ゲート絶縁膜15はシリコン系の絶縁膜からなり、走査線7及びゲート電極13を覆うように、かつ、先の透明電極19を覆わないようにして基板上に形成されている。
前記半導体層16は、アモルファスシリコン(a−Si)等からなり、ゲート絶縁膜15を介してゲート電極13と対向する領域がチャネル領域として構成される。ソース電極17及びドレイン電極18は導電材料からなり、半導体層16上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ドレイン電極18は列方向に配設される信号線8から個々に延出されて形成されている。なお、半導体層16と各電極17、18との間にはオーミックコンタクト層14が設けられている。
前記半導体層16は、アモルファスシリコン(a−Si)等からなり、ゲート絶縁膜15を介してゲート電極13と対向する領域がチャネル領域として構成される。ソース電極17及びドレイン電極18は導電材料からなり、半導体層16上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ドレイン電極18は列方向に配設される信号線8から個々に延出されて形成されている。なお、半導体層16と各電極17、18との間にはオーミックコンタクト層14が設けられている。
前記基板本体6上には絶縁膜20が積層され、この絶縁膜20上にAlやAg等の高反射率の金属材料からなる画素電極(光拡散反射性の画素電極)11が形成されている。
前記画素電極11は、先の走査線7と信号線8とが囲む矩形状の領域よりも若干小さくなるような平面視矩形状になるように絶縁膜20上に形成され、図5に示すように平面視した場合に上下左右に並ぶ画素電極11どうしが短絡しないように所定の間隔をあけてマトリクス状に配置されている。即ち、これらの画素電極11は、それらの端辺がそれらの下に位置する走査線7及び信号線8に沿うように配置されており、走査線7と信号線8が区画する領域のほぼ全域を画素領域とするように形成されている。なお、この画素領域の集合領域が液晶表示装置1における表示領域に相当するので、図1には符号Gで矩形状に規定された領域として示し、その表示領域Gの周囲には表示に寄与しない額縁状の非表示領域Hが規定されている。
前記画素電極11は、先の走査線7と信号線8とが囲む矩形状の領域よりも若干小さくなるような平面視矩形状になるように絶縁膜20上に形成され、図5に示すように平面視した場合に上下左右に並ぶ画素電極11どうしが短絡しないように所定の間隔をあけてマトリクス状に配置されている。即ち、これらの画素電極11は、それらの端辺がそれらの下に位置する走査線7及び信号線8に沿うように配置されており、走査線7と信号線8が区画する領域のほぼ全域を画素領域とするように形成されている。なお、この画素領域の集合領域が液晶表示装置1における表示領域に相当するので、図1には符号Gで矩形状に規定された領域として示し、その表示領域Gの周囲には表示に寄与しない額縁状の非表示領域Hが規定されている。
前記絶縁膜20は、有機絶縁膜とされており、TFT10の保護機能を強化するようになっている。この絶縁膜20は基板本体6上に比較的厚く積層され、画素電極11とTFT10及び各種配線との絶縁を確実にし、画素電極11との間に大きな寄生容量が発生するのを防止するとともに、厚膜の絶縁膜20によりTFT10や各種配線によって形成された基板本体6上の段差構造が平坦化されるようになっている。
次に、前記絶縁膜20において先の各ソース電極17の一端部17aに達するようにコンタクトホール21が形成されるとともに、先の各透明電極19の上に位置するように窪部22が形成され、この窪部22の位置に相当する部分の画素電極11には窪部22の開口部22aに合致するような平面形状の透孔23が形成されている。これらの窪部22は絶縁膜20をその深さ方向に大部分除去してその底部22b側に一部分のみを被覆層20aとして残すように形成されるとともに、窪部22の平面形状は先の透明電極19の平面形状に対応するように透明電極19よりも若干短い短冊状に形成されている。
次に、前記絶縁膜20において先の各ソース電極17の一端部17aに達するようにコンタクトホール21が形成されるとともに、先の各透明電極19の上に位置するように窪部22が形成され、この窪部22の位置に相当する部分の画素電極11には窪部22の開口部22aに合致するような平面形状の透孔23が形成されている。これらの窪部22は絶縁膜20をその深さ方向に大部分除去してその底部22b側に一部分のみを被覆層20aとして残すように形成されるとともに、窪部22の平面形状は先の透明電極19の平面形状に対応するように透明電極19よりも若干短い短冊状に形成されている。
前記コンタクトホール21には導電部25が形成され、この導通部25を介して、先の画素電極11と、絶縁膜20の下層側に配置されたソース電極17とが電気的に接続されている。従ってソース電極17は画素電極11と透明電極19の両方に電気的に接続されている。
上記絶縁膜20の表面には画素領域に対応する位置に複数の凹部26が設けられ、凹部26上の画素電極11に形成された複数の凹部27により光を拡散反射できるように構成されている。上述のように構成された基板本体6上には、更に画素電極11及び絶縁層20と窪部22を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施された配向膜29が形成されている。
上記絶縁膜20の表面には画素領域に対応する位置に複数の凹部26が設けられ、凹部26上の画素電極11に形成された複数の凹部27により光を拡散反射できるように構成されている。上述のように構成された基板本体6上には、更に画素電極11及び絶縁層20と窪部22を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施された配向膜29が形成されている。
一方、対向基板3はカラーフィルタアレイ基板として構成され、ガラス等からなる透光性の基板本体41の液晶層5側の面に、カラーフィルタ層42が形成されている。このカラーフィルタ層42の液晶層側には、ITO等の透明な対向電極(共通電極)43と配向膜44が形成されている。
そして、上述のように構成された基板2、3は、スペーサ(図示略)によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、図3に示すように基板周辺部に塗布されたシール材45によって接着一体化されている。そして、基板2、3及びシール材45によって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層5が形成され、液晶表示装置1が構成されている。なお、図2においては図面の簡略化のために、基板2の液晶側の種々の層と配線並びに基板3の液晶側の種々の層を略して記載し、配向膜29、44の位置関係のみを示した。なお、基板本体41の外面側には必要に応じて偏光版H1、位相差板H2、H3が設けられる。
そして、上述のように構成された基板2、3は、スペーサ(図示略)によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、図3に示すように基板周辺部に塗布されたシール材45によって接着一体化されている。そして、基板2、3及びシール材45によって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層5が形成され、液晶表示装置1が構成されている。なお、図2においては図面の簡略化のために、基板2の液晶側の種々の層と配線並びに基板3の液晶側の種々の層を略して記載し、配向膜29、44の位置関係のみを示した。なお、基板本体41の外面側には必要に応じて偏光版H1、位相差板H2、H3が設けられる。
この形態の液晶表示ユニットAに用いられているバックライト4は、図3に示すように液晶表示装置1の背面側に設けられ、透明導光板52と光源53と拡散性反射体55と保持部材58とから概略構成されている。バックライト4において、光源53は、導光板52に光を導入する端面52a側に配設されており、拡散性反射体55は導光板52の上面52b側と反対側の下面に空気層56を介して設けられている。
前記導光板52は、液晶表示装置1の背面側に配置されて光源53から出射された光を液晶表示装置1側に照射するものであり、平板状の透明なアクリル樹脂などから構成されている。図3に示すように光源53から出射される光は端面52aを介して導光板52の内部に導入され、導光板52の上面の出射面52bから液晶表示装置1側に出射されるようになっている。
前記光源53は発光体53aと反射板53bから構成され、前記拡散性反射体55は例えば基板59の上に有機膜60が形成され、該有機膜60の表面に微小凹部が複数形成され、その上に光反射性を有するAlやAgなどの金属製の反射膜61が形成されてこの金属膜61の表面に複数の微小凹部61dが形成され、広い角度範囲で明るい拡散反射性能を発揮し得るものであるが、この構成は一例であって他の構成を用いても良いのは勿論である。
前記導光板52は、液晶表示装置1の背面側に配置されて光源53から出射された光を液晶表示装置1側に照射するものであり、平板状の透明なアクリル樹脂などから構成されている。図3に示すように光源53から出射される光は端面52aを介して導光板52の内部に導入され、導光板52の上面の出射面52bから液晶表示装置1側に出射されるようになっている。
前記光源53は発光体53aと反射板53bから構成され、前記拡散性反射体55は例えば基板59の上に有機膜60が形成され、該有機膜60の表面に微小凹部が複数形成され、その上に光反射性を有するAlやAgなどの金属製の反射膜61が形成されてこの金属膜61の表面に複数の微小凹部61dが形成され、広い角度範囲で明るい拡散反射性能を発揮し得るものであるが、この構成は一例であって他の構成を用いても良いのは勿論である。
次に本発明の要部である液晶表示装置1の端子部分まわりの構成について説明する。
図4と図5を基に説明した複数の走査線7と複数の信号線8は、表示領域Gでは平面視格子状に配線されているが、図1に示す表示領域Gの外側の非表示領域Hにおいて走査線7は密に集合されて基板2側の基板本体6の額縁状の領域を引き回されて基板本体6の一側の端子形成領域6Aの左右両側に集合されている。この基板本体6の一側の端子形成領域6Aとは、対向配置された基板2、3において基板3が基板本体6よりも若干小さく形成され、基板2側の基板本体6が基板3の外側にはみ出すように形成された領域を示す。
先の端子形成領域6Aの中央側には、図1に示すように液晶表示装置1を平面視した場合に、上下方向に配置された複数の信号線8が表示領域Gから非表示領域Hを介し延出形成されるとともに、それら信号線8の端部が配置され、各信号線8の端部にはチップ接続用の端子パッド30が形成され、これら複数のチップ接続用の端子パッド30が端子形成領域6Aにおいて露出されている。なお、端子形成領域6Aに形成されている各信号線8においてこれらのチップ接続用の端子パッド30以外の部分は図示略の絶縁被覆層に覆われて保護されている。
図4と図5を基に説明した複数の走査線7と複数の信号線8は、表示領域Gでは平面視格子状に配線されているが、図1に示す表示領域Gの外側の非表示領域Hにおいて走査線7は密に集合されて基板2側の基板本体6の額縁状の領域を引き回されて基板本体6の一側の端子形成領域6Aの左右両側に集合されている。この基板本体6の一側の端子形成領域6Aとは、対向配置された基板2、3において基板3が基板本体6よりも若干小さく形成され、基板2側の基板本体6が基板3の外側にはみ出すように形成された領域を示す。
先の端子形成領域6Aの中央側には、図1に示すように液晶表示装置1を平面視した場合に、上下方向に配置された複数の信号線8が表示領域Gから非表示領域Hを介し延出形成されるとともに、それら信号線8の端部が配置され、各信号線8の端部にはチップ接続用の端子パッド30が形成され、これら複数のチップ接続用の端子パッド30が端子形成領域6Aにおいて露出されている。なお、端子形成領域6Aに形成されている各信号線8においてこれらのチップ接続用の端子パッド30以外の部分は図示略の絶縁被覆層に覆われて保護されている。
図1に示す端子形成領域6Aの左右両端側には、図1に示すように液晶表示装置1を平面視した場合に、横方向に配置された複数の走査線7が交互に表示領域Gの左右から非表示領域Hを介し延出形成されるとともに、それら走査線7の端部が1つの群となって配置され、各走査線7の端部にはチップ接続用の端子パッド31が形成され、これら複数のチップ接続用の端子パッド31が端子形成領域6Aの両端部側においてそれぞれ一群となって露出されている。なお、端子形成領域6Aに形成されている走査線7においてこれらのチップ接続用の端子パッド31以外の部分は図示略の絶縁被覆層に覆われて保護されている。
これらの走査線7側のチップ接続用の端子パッド31と、先の信号線8側のチップ接続用の端子パッド30の詳細配置とそれらの部分回りの詳細構成を図2に拡大して示す。
また、先の端子形成領域6Aの複数のチップ接続用の端子パッド30が配置された位置の左右両側であって、前記複数のチップ接続用の端子パッド31との境界部分には、個々に前記液晶表示装置1の対向基板3側の共通電極43に接続された接続配線33、34が形成され、これらの接続配線33、34の先端部側にもチップ接続用の端子パッド35が形成されている。なお、先の対向基板3側の共通電極43は基板2側の基板本体6とは離間して配向配置されているが、液晶パネル構造において常用される上下導通構造(シール材45に内蔵された上下導通部材を介して基板本体6側に案内され導通される構造)を介して基板本体6側に延長配線されている。
以上の配置構成により、端子形成領域6Aにおいては、その中央側にチップ接続用の端子パッド30の群30Aが配置され、その左右両側にチップ接続用の端子パッド31の群31A、31Aが設置され、それらの間にチップ接続用の端子パッド35が設置されているので、これらを液晶表示装置1の駆動用のICチップの接続端子に接続することで液晶表示装置1に駆動用ICチップが接続されるようになっている。なお、駆動用のICチップは通常長方形の板状体であるので、この板状のICチップの底面側に形成されるボール接続部分の位置に合わせて外形が長方形状に合致するように各チップ接続用の端子パッド30、31、35が配置されていることが望ましい。
これらの走査線7側のチップ接続用の端子パッド31と、先の信号線8側のチップ接続用の端子パッド30の詳細配置とそれらの部分回りの詳細構成を図2に拡大して示す。
また、先の端子形成領域6Aの複数のチップ接続用の端子パッド30が配置された位置の左右両側であって、前記複数のチップ接続用の端子パッド31との境界部分には、個々に前記液晶表示装置1の対向基板3側の共通電極43に接続された接続配線33、34が形成され、これらの接続配線33、34の先端部側にもチップ接続用の端子パッド35が形成されている。なお、先の対向基板3側の共通電極43は基板2側の基板本体6とは離間して配向配置されているが、液晶パネル構造において常用される上下導通構造(シール材45に内蔵された上下導通部材を介して基板本体6側に案内され導通される構造)を介して基板本体6側に延長配線されている。
以上の配置構成により、端子形成領域6Aにおいては、その中央側にチップ接続用の端子パッド30の群30Aが配置され、その左右両側にチップ接続用の端子パッド31の群31A、31Aが設置され、それらの間にチップ接続用の端子パッド35が設置されているので、これらを液晶表示装置1の駆動用のICチップの接続端子に接続することで液晶表示装置1に駆動用ICチップが接続されるようになっている。なお、駆動用のICチップは通常長方形の板状体であるので、この板状のICチップの底面側に形成されるボール接続部分の位置に合わせて外形が長方形状に合致するように各チップ接続用の端子パッド30、31、35が配置されていることが望ましい。
前記複数のチップ接続用の端子パッド30、31、35のそれぞれの一側に個々に延長配線36、37あるいは38が形成され、各延長配線36、37あるいは38の先端部側に個々に検査用の薄膜トランジスタ素子(検査用スイッチング素子)46、47あるいは48が形成されている。
これらの検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48はいずれも3端子型のスイッチング素子とされ、それら全ての検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48には全てに共通するゲート配線49が形成され、このゲート配線49において各トランジスタ46、47、48の下側部分に相当する部分がゲート電極65とされている。
各トランジスタ46、47、48においてアイランド状に形成された半導体層66はその下に位置するゲート電極65と図示略の絶縁膜を介して対向され、各トランジスタ46の半導体層66においてドレイン電極66A側には先の延長配線36が接続され、各トランジスタ47の半導体層66においてドレイン電極66A側には先の延長配線37が接続され、各トランジスタ48のドレイン電極側には先の延長配線38が接続されている。
これらの検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48はいずれも3端子型のスイッチング素子とされ、それら全ての検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48には全てに共通するゲート配線49が形成され、このゲート配線49において各トランジスタ46、47、48の下側部分に相当する部分がゲート電極65とされている。
各トランジスタ46、47、48においてアイランド状に形成された半導体層66はその下に位置するゲート電極65と図示略の絶縁膜を介して対向され、各トランジスタ46の半導体層66においてドレイン電極66A側には先の延長配線36が接続され、各トランジスタ47の半導体層66においてドレイン電極66A側には先の延長配線37が接続され、各トランジスタ48のドレイン電極側には先の延長配線38が接続されている。
一方、各トランジスタ46の半導体層66においてソース電極66B側には第1の配線部67が形成されて、これら第1の配線部67が第1の検査用端子パッド部68に接続されている。次に、前記端子形成領域6Aの左右両側の各トランジスタ47の半導体層66において、ソース電極66B側には個々に第2の配線部64が形成されていて、前記端子形成領域6Aの左右両側の各々においてこれら複数の第1の配線部64が集合されて1つの第2の検査用端子パッド部69に接続されている。次に、前記各トランジスタ48の半導体層66においてソース電極66B側には第3の配線部70が形成されて、これら第3の配線部70が個々に第3の検査用端子パッド部71に接続されている。また、前記ゲート配線49に接続された第4の検査用端子パッド部72が先の第1の検査用端子パッド部68と第3の検査用端子パッド部71との間に形成されている。
以上の構成とされた各検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48は全て同一の積層構造とされ、その基本的な積層構造は先に説明した液晶表示装置1の基板本体6側に設けられている液晶表示用のTFT10と略同一構造とされている。即ち、これらの検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48は先の基板本体6上に、ゲート電極13、ゲート絶縁膜15、半導体層16、オーミックコンタクト層14、ソース電極17及びドレイン電極18を形成する場合に、それらの形成工程の中で各成膜とフォトリソグラフィ工程を行って各層を形成してゆく場合に、フォトマスクの形状を工夫し、基板本体6の表示領域Gのみならず、基板本体6の非表示領域Hに存在する端子形成領域6Aに各層や回路を同時に作り込むことで同時に形成されている。従って、TFT10を備えた液晶表示装置1を製造する場合に他の工程を別途付加することなくTFT10の製造工程を流用して各検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48が形成されている。
一方、各検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48用の検査用ゲート配線49は先に説明した基板本体6上に形成されているゲート配線13と同等の材料から形成されている。更に、延長配線37あるいは38もゲート配線13と同等の材料からゲート配線13の製造工程時に同時形成され、延長配線36は先の基板本体6上に形成されている信号配線8と同等の材料から信号配線8の製造工程時に同時形成され、延長配線36と延長配線37、38はゲート絶縁膜の上下に違う層位置に配置されるので、延長配線36は直接半導体層66のドレイン電極66A側に接続され、延長配線37、38はゲート絶縁層を貫通するコンタクトホールに形成された導通部75とそれに接続される接続配線76を介して半導体層66のドレイン電極66A側に接続されている。
以上の構成においても導通部75の形成工程と接続配線76の製造工程は、いずれも、基板本体6側のTFT10を製造する場合のソース電極16及びドレイン電極17の形成工程において兼用して実施できるので別途他の工程を実施することなく液晶表示装置1のTFT10とその回路を製造する工程を流用して極めて容易に製造することができる。
以上の構成においても導通部75の形成工程と接続配線76の製造工程は、いずれも、基板本体6側のTFT10を製造する場合のソース電極16及びドレイン電極17の形成工程において兼用して実施できるので別途他の工程を実施することなく液晶表示装置1のTFT10とその回路を製造する工程を流用して極めて容易に製造することができる。
前記構成の各検査パッド部を有する液晶表示装置1において検査を行うには、第4の検査用端子パッド部72に検査装置のプローブ端子を接触させて通電し、ゲート配線49に規定の電圧を印加して各検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48の全てのゲートを開き、この状態で各検査用端子パッド部68、69、71の個々に必要な電位を与えて検査を行うことができる。即ち、ゲートが開放された各薄膜トランジスタ素子46、47、48のソース電極66B、66B、66Bにしきい値以上の規定の電圧を印加すると、各薄膜トランジスタ素子46、47、48が導通するので各走査線7、各信号線8、共通電極43に所望の電位を与えることができる。
例えば、第1の検査用端子パッド部68に液晶駆動用のソース電位を与え、第2の検査用端子パッド部69、69に液晶駆動用のゲート電位を与え、第3の検査用端子パッド部71に液晶駆動用のコモン電位を加える。更に、バックライト4から光を出して液晶表示装置1の表示領域Gでの液晶の配向状態を経た後のバックライト光を観察すれば、液晶表示装置1の液晶の配向状態の観察から、液晶表示装置1の検査を行うことができる。
例えば、第1の検査用端子パッド部68に液晶駆動用のソース電位を与え、第2の検査用端子パッド部69、69に液晶駆動用のゲート電位を与え、第3の検査用端子パッド部71に液晶駆動用のコモン電位を加える。更に、バックライト4から光を出して液晶表示装置1の表示領域Gでの液晶の配向状態を経た後のバックライト光を観察すれば、液晶表示装置1の液晶の配向状態の観察から、液晶表示装置1の検査を行うことができる。
図1と図2に示す端子パッド部の構造においては、液晶表示装置1の表示領域の画素数が上昇してチップ接続用の端子パッド30、31、35の全体の設置個数が大きくなり、チップ接続用の端子パッド30、31、35相互間の間隔、あるいはこれらの間隔が微細化された場合であっても、検査用として用いる端子パッド部68、69、71、72の総数は図2に示すように6個でよいので、端子パッドの細密化に伴って検査装置のプローブ端子の間隔の微細化がなされている状況において、極めて少ない数の端子パッド部に検査装置のプローブ端子を当接させれば検査できることとなる。即ち、液晶表示装置1の画素数が多くなり、数100〜数1000の配線の検査が必要となっても、先の6個の端子パッド部を用いて検査を行えば、全ての配線の検査ができる。なお、この検査において液晶表示装置1の表示領域Gにおいて点灯欠陥や表示欠陥が見つかったならば、その欠陥部位に相当する部分のチップ接続用の端子パッド30、31、35のいずれかに通電することで、更に1本1本の配線の個別の検査ができる。
また、この実施の形態で用いた検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48はいずれも液晶表示装置1の基板本体6上に液晶駆動用として各層や膜膜を積層して製造する際に、同じ工程で基板本体6の端子形成領域6Aに同時に作り込むことができるので、別途特別な工程や素子を設けることなく得ることができる特徴を有する。従って、先の実施の形態の端子構造は、製造が容易であり、かつ、安価に実現できるものである。
また、この実施の形態で用いた検査用の薄膜トランジスタ素子46、47、48はいずれも液晶表示装置1の基板本体6上に液晶駆動用として各層や膜膜を積層して製造する際に、同じ工程で基板本体6の端子形成領域6Aに同時に作り込むことができるので、別途特別な工程や素子を設けることなく得ることができる特徴を有する。従って、先の実施の形態の端子構造は、製造が容易であり、かつ、安価に実現できるものである。
次に前記構成の端子構造において、液晶表示装置1の検査を行う場合、第4の検査用端子パッド部72に通電して薄膜トランジスタ素子46、47、48の全てに通電してこれらのゲートを開き、必要な部位のみに通電して検査を行うこともできる。
例えば、第1の検査用端子パッド68と第3の検査用端子パッド部71と検査用端子パッド69、69の一方に電圧を印加して検査を行うならば、表示領域Gにおいて交互に配列された走査線7のうち、1本おきの走査線7の検査を行うことができる。また、第1の検査用端子パッド68と第3の検査用端子パッド部71と検査用端子パッド69、69の他方に電圧を印加して検査を行うならば、複数の走査線7のうちの残りの検査を行うことができる。この検査のように各検査用の端子パッド部毎に必要部分を検査するようにしても良い。
また、以上の検査は全て検査用端子パッド部68、69、71、72に検査装置のプローブを接触させて検査できるので、仮に検査中にこれらの検査用端子パッド部68、69、71、72に損傷を与えることがあっても、駆動用のICと接続される複数のチップ接続用の端子パッド30、31には一切影響を与えないので駆動用のICの接続に支障を生じるおそれはない。
例えば、第1の検査用端子パッド68と第3の検査用端子パッド部71と検査用端子パッド69、69の一方に電圧を印加して検査を行うならば、表示領域Gにおいて交互に配列された走査線7のうち、1本おきの走査線7の検査を行うことができる。また、第1の検査用端子パッド68と第3の検査用端子パッド部71と検査用端子パッド69、69の他方に電圧を印加して検査を行うならば、複数の走査線7のうちの残りの検査を行うことができる。この検査のように各検査用の端子パッド部毎に必要部分を検査するようにしても良い。
また、以上の検査は全て検査用端子パッド部68、69、71、72に検査装置のプローブを接触させて検査できるので、仮に検査中にこれらの検査用端子パッド部68、69、71、72に損傷を与えることがあっても、駆動用のICと接続される複数のチップ接続用の端子パッド30、31には一切影響を与えないので駆動用のICの接続に支障を生じるおそれはない。
また、この形態では走査線7に接続される配線を2つの群にわけてそれらを群毎に分けて検査用の端子パッド部69にまとめて接続したが、先の配線群を更に複数に分けてそれらに対応した端子パッド部69を更に複数設け、複数の走査線7に対して3つ以上の端子パッド部に分けて走査線7を検査できるように構成しても良い。また、この形態では信号線8に接続されている配線を1つの群としてまとめて端子パッド部68に接続したが、これも更に複数の端子パッド部に分けて接続し、まとめた群毎に別々に検査できるようにしても差し支えない。
更にこの実施形態では、1本の検査用ゲート配線49により全ての検査用トランジスタ素子46、47、48をひとまとめにして検査できるようにしたが、これも必要数の検査用トランジスタ毎にまとめて検査用ゲート配線を形成し、複数の検査用トランジスタ素子を複数の組に組み分けして組み分けした検査用トランジスタ素子毎にゲートを開放できるようにして検査に供するようにしても良い。
更にこの実施形態では、1本の検査用ゲート配線49により全ての検査用トランジスタ素子46、47、48をひとまとめにして検査できるようにしたが、これも必要数の検査用トランジスタ毎にまとめて検査用ゲート配線を形成し、複数の検査用トランジスタ素子を複数の組に組み分けして組み分けした検査用トランジスタ素子毎にゲートを開放できるようにして検査に供するようにしても良い。
なお、先に説明した実施の形態では本発明を逆スタガ型のTFT10を備えた液晶表示装置1に適用した例について説明したが、本発明を他の形式のTFTを備えた液晶表示装置に適用できるのは勿論であり、また、スイッチング素子としてMIM(メタルインシュレーターメタル)型の薄膜ダイオードを用いた液晶表示装置に適用できるのも勿論である。本発明をMIM型の薄膜ダイオードを設けた表示装置に適用する場合は、端子形成領域6Aに設けるスイッチング素子としてMIM素子を設ける。MIM素子は電圧の強弱に応じてスイッチング可能であるので、ゲート配線を特に設けなくともスイッチングを行って各配線への導通と遮断を行って各種の検査ができる。
また、先に説明した実施の形態では端子パッド30、31、35に延長配線36、37、38を接続して設けたが、これらの延長配線36、37、38は、端子パッド30、31、35を迂回して直接信号線8、走査線7、接続配線33、34に個々に接続するように設けても差し支えない。
また、先に説明した実施の形態では端子パッド30、31、35に延長配線36、37、38を接続して設けたが、これらの延長配線36、37、38は、端子パッド30、31、35を迂回して直接信号線8、走査線7、接続配線33、34に個々に接続するように設けても差し支えない。
A・・・液晶表示ユニット、G…表示領域、H…非表示領域、1・・・液晶表示装置、2・・・(アクティブマトリクス)基板、3・・・対向基板、6…基板本体、7…ゲート配線、8…信号配線、10…TFT(薄膜トランジスタ:スイッチング素子)、30、31、35…検査用端子パッド、31A…群、36、37、38…延長配線、43…共通電極、46、47、48…検査用の薄膜トランジスタ素子、
49…検査用ゲート配線、66…半導体層、65…ゲート電極、66A…ドレイン電極、66B…ソース電極、68、69、71、72…検査用端子パッド部。
49…検査用ゲート配線、66…半導体層、65…ゲート電極、66A…ドレイン電極、66B…ソース電極、68、69、71、72…検査用端子パッド部。
Claims (7)
- 基板の内側に表示領域が規定され、その外側に非表示領域が規定されてなり、該非表示領域の少なくとも一部に前記表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッドが複数設けられてなる表示装置であって、
前記端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して前記非表示領域において延長され、前記各延長配線にスイッチング素子を介して検査用の端子パッド部が形成されてなることを特徴とする表示装置。 - 基板の内側に表示領域が規定され、その外側に非表示領域が規定されてなり、該非表示領域の少なくとも一部に前記表示領域での表示を制御するための複数の薄膜制御素子に個々に接続された端子パッドが複数設けられてなる表示装置であって、
前記端子パッドを備えた配線が個々に延長配線を介して前記非表示領域において延長され、前記各延長配線に、ソース電極とドレイン電極とゲート電極とを具備し、導通と非導通を切り替え自在な検査用の薄膜トランジスタ素子が個々に組み込まれるとともに、前記非表示領域の一部に前記各検査用の薄膜トランジスタ素子のゲート電極に接続して各検査用の薄膜トランジスタ素子のゲートの開閉を行うための検査用ゲート配線が形成される一方、前記非表示領域の一部に、前記各検査用の薄膜トランジスタ素子のソース電極に接続されて前記検査用ゲート配線からの通電によりゲートが開放された検査用の薄膜トランジスタ素子を介して前記延長配線に導通される検査用端子パッド部が形成されてなることを特徴とする表示装置。 - 前記検査用のゲート配線に検査用端子パッド部が接続されるとともに、前記複数の延長配線のスイッチング素子が複数まとめられて検査用の端子パッド部に接続されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記表示装置の非表示領域に形成された複数の検査用の薄膜トランジスタ素子の全てのゲート電極が1本の検査用ゲート配線に接続され、該検査用のゲート配線からの制御により前記全ての検査用の薄膜トランジスタ素子のゲートを同時にオンあるいはオフに調整可能とされるとともに、前記複数の検査用の薄膜トランジスタ素子のソース電極のうち、1つ以上の検査用の薄膜トランジスタ素子の組毎に共通となるように前記検査用ソース端子の配線が形成され、前記組毎の端子パッド部に接続された薄膜制御素子が前記組毎にまとめて検査自在とされてなることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記表示装置が対になる基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記両方の基板の各表示領域には液晶を駆動して表示するための複数の配線が形成されてなり、各配線に前記端子パッド部が接続されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置。
- 前記表示装置が対になる基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、前記一方の基板の表示領域には液晶を駆動して表示するための共通電極が形成されてなり、前記他方の基板の表示領域には液晶を駆動して表示するための複数の配線と複数のスイッチング素子が形成され、前記共通電極と、前記複数の配線のうちの組になる配線に、個々に検査用の端子パッド部が接続されてなることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記表示領域に対応して形成された複数の配線のうち、半分程の配線が前記基板の非表示領域の一側にまとめられてこれらに対応する端子パッドが前記非表示領域の一側に形成され、前記複数の配線のうち、残りの半分程の配線が前記基板の非表示領域の他側にまとめられてこれらに対応する端子パッドが前記非表示領域の他側に形成されるとともに、前記非表示領域の一側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッドに対応させて1つの検査用の端子パッド部が形成され、前記非表示領域の他側にまとめられた複数の配線に対応する各端子パッドに対応させて他の1つの検査用の端子パッド部が形成されてなることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004051869A JP2005241988A (ja) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | 表示装置 |
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