TWI522176B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI522176B
TWI522176B TW102130564A TW102130564A TWI522176B TW I522176 B TWI522176 B TW I522176B TW 102130564 A TW102130564 A TW 102130564A TW 102130564 A TW102130564 A TW 102130564A TW I522176 B TWI522176 B TW I522176B
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cup
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中井仁司
大橋泰彥
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。
先前，於半導體基板(以下簡稱為「基板」)之製造步驟 中，使用多種基板處理裝置對基板實施各種處理。例如藉由對表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板供給藥液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻處理結束後，亦可進行將基板上之抗蝕劑去除或將基板清洗之處理。
日本專利特開平9-246156號公報(文獻1)之裝置係藉由 沖洗液沖洗晶圓上之顯影液等後，進行晶圓之乾燥。具體而言，將晶圓搬入至沖洗處理部，藉由晶圓吸附部而將該晶圓吸附，且利用擋板(shutter)將沖洗處理部之開口阻塞後，進行沖洗處理部之內部空間之排氣。繼而，於成為減壓環境之內部空間，一面使晶圓與晶圓吸附部一併低速旋轉一面供給沖洗液，其後，藉由使晶圓高速旋轉，而進行晶圓之乾燥。又，日本專利特開2006-105524號公報(文獻2)中，揭示有於使收容有基板之腔室內成為減壓環境之狀態下，將形成於基板之主面之薄膜進行乾燥之減壓乾燥裝置。
且說，若意圖於同一腔室內進行使用各種液體之處理或 乾燥，則各種處理液將附著於腔室內壁，處理液之回收效率降低，或再次利用時之處理液之使用期限變短。又，若因複數種處理液而導致 於腔室內壁產生析出物，則亦成為微粒之產生原因。進而，亦存在因複數種處理液之混合造成之發熱或發煙反應之虞。另一方面，為削減用於處理之氣體之量，較佳為，腔室內之空間之體積較小。
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置，其 目的在於提供一種可有效地回收處理液、且可於較小之腔室內進行各種處理之基板處理裝置。又，本發明之目的亦在於藉由配置於腔室之外部之杯(cup)部，而於密閉之空間內接收處理液。
本發明之基板處理裝置包括：腔室，其形成密閉之內部 空間；腔室開閉機構，其將包括上述腔室之上部或下部之腔室活動部對於其他部位相對地升降；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其對上述基板之上表面或下表面供給處理液；及杯部，其藉由上述腔室活動部之移動而位於形成於上述基板周圍之環狀開口之直徑方向外側，且接收自旋轉之上述基板所飛散之處理液。藉此，可提供一種可有效地回收處理液、且可於較小之腔室內進行各種處理之基板處理裝置。
於本發明之其他態樣中，基板處理裝置包括：腔室，其 形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將包括上述腔室之上部之腔室蓋部對於其他部位相對地升降；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；及頂板，其係垂直於上述中心軸之板狀，且以能夠上述中心軸為中心旋轉之方式安裝於上述腔室蓋部，於 上述腔室形成密閉之上述內部空間之狀態下，於以上述中心軸為中心之周方向，與上述基板保持部產生接合。藉此，可以簡單之結構防止附著於腔室內部之液體朝向基板落下。
於本發明之其他態樣中，基板處理裝置包括：腔室，其 具有腔室本體及腔室蓋部，且藉由利用上述腔室蓋部阻塞上述腔室本體之上部開口，而形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將上述腔室蓋部對相於上述腔室本體而於上下方向上相對地移動；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；杯部，其藉由上述腔室蓋部與上述腔室本體隔開，而以遍及全周之方式位於形成於上述基板周圍之環狀開口之直徑方向外側，且接收自旋轉之上述基板所飛散之處理液；及杯移動機構，其將上述杯部於上述上下方向移動於上述環狀開口之直徑方向外側之第1位置與相較上述第1位置為下方之第2位置之間；而上述杯部包括有：呈大致圓筒狀之側壁部，其於上述第1位置，與上述環狀開口對向於上述直徑方向；第1密封部，其於上述第1位置，於與上述腔室蓋部之間以遍及全周之方式形成第1密封；及第2密封部，其於上述第1位置，於與上述腔室本體之間以遍及全周之方式形成第2密封；藉由形成有上述環狀開口之狀態下之上述腔室蓋部及上述腔室本體、以及位於上述第1位置之上述杯部，而形成密閉之空間。藉此，可藉由配置於腔室之外部之杯部，而於密閉之空間內接收處理液。
於本發明之其他態樣中，基板處理裝置包括：基板支持 部，其於水平狀態下自下側支持基板；上側旋轉構件，其配置於上述 基板支持部之上方；位置限制構件，其在以朝向上下方向之中心軸為中心之周方向上，限制上述上側旋轉構件相對於上述基板支持部之相對位置；基板按壓部，其固定於上述上側旋轉構件，且自上側按壓由上述基板支持部所支持之上述基板；基板旋轉機構，其將上述基板與上述基板支持部、上述基板按壓部及上述上側旋轉構件一併旋轉；及處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；上述基板支持部具備有複數個第1接觸部，而該複數個第1接觸部係在複數個第1接觸位置，分別接觸於上述基板之外緣部，上述基板按壓部具備有複數個第2接觸部，而該複數個第2接觸部係在於上述周方向上與上述複數個第1接觸位置不同之複數個第2接觸位置，分別接觸於上述基板之上述外緣部。藉此，可抑制於保持基板之保持結構之附近殘留有處理液。
於本發明之其他態樣中，基板處理裝置包括：腔室，其 具有腔室本體及腔室蓋部，且藉由利用上述腔室蓋部阻塞上述腔室本體之上部開口，而形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將上述腔室蓋部相對於上述腔室本體而於上下方向上相對地移動；基板支持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下支持基板；頂板，其配置於上述基板支持部之上方，且具有對向於上述基板並且垂直於朝向上述上下方向之中心軸之下表面；位置限制構件，其在以上述中心軸為中心之周方向上，限制上述頂板相對於上述基板支持部之相對位置；基板旋轉機構，其以上述中心軸為中心，將上述基板與上述基板支持部及上述頂板一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；及頂板移動機構，其利用磁力，將上述頂板相對於上述腔室蓋部而於上述上下方向上相對地移動。藉此，可於腔室內，變更頂板與基板之間之上下方向之距離。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點係藉由參照隨 附圖式於以下進行之本發明之詳細說明而明確。
1、1a~1e‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15、15a‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體接收部
17‧‧‧蓋
18‧‧‧處理液供給部
19‧‧‧液體回收部
21‧‧‧腔室底部
22‧‧‧腔室側壁部
22a‧‧‧腔室活動部之外周部(腔室側壁部)
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
120‧‧‧內部空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
124‧‧‧腔室固定部
125‧‧‧腔室活動部
126‧‧‧頂板移動機構
131‧‧‧蓋部升降機構(腔室開閉機構)
132‧‧‧腔室升降機構
141‧‧‧基板支持部
142‧‧‧基板按壓部
143‧‧‧磁鐵對
143a、143b‧‧‧磁鐵
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
155‧‧‧旋轉軸
160‧‧‧密閉空間
161‧‧‧第1杯部
161a~161c‧‧‧杯部
162‧‧‧第1杯升降機構
162a‧‧‧杯移動機構
163‧‧‧第2杯部
164‧‧‧第2杯升降機構
165‧‧‧第1凹部
165a‧‧‧液體接收凹部
166‧‧‧第2凹部
166a‧‧‧液體儲存部
167‧‧‧密封用液體
168‧‧‧外壁部
169‧‧‧外密封部
171‧‧‧多孔部
172‧‧‧間隔板
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧第1處理液供給部
184‧‧‧第2處理液供給部
185‧‧‧第3處理液供給部
186‧‧‧氣體供給部
187‧‧‧加壓部
188‧‧‧掃描噴嘴
191‧‧‧第1排出路
192‧‧‧第2排出路
193‧‧‧第3排出路
194‧‧‧第1回收部
195‧‧‧第2回收部
196‧‧‧減壓部
211‧‧‧中央部
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧基底部
217‧‧‧下部環狀空間
221‧‧‧收容部
222、222a‧‧‧板保持部
223‧‧‧筒部
224、239‧‧‧凸緣部
231、232、234‧‧‧唇形密封
233‧‧‧凹部
235‧‧‧頂板軸部
236‧‧‧凸部
237‧‧‧被保持部
238‧‧‧筒部
241‧‧‧第1接合部
242‧‧‧第2接合部
243‧‧‧環狀槽部
244‧‧‧突起
261‧‧‧第1磁鐵
262‧‧‧第2磁鐵
263‧‧‧磁鐵移動機構
264‧‧‧環狀孔
411‧‧‧第1接觸部
412‧‧‧第1傾斜面
413‧‧‧支持部基底
414‧‧‧連接部
421‧‧‧第2接觸部
422‧‧‧第2傾斜面
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
613‧‧‧下表面部
614‧‧‧外筒部
615‧‧‧第1密封
616‧‧‧第2密封
617‧‧‧波紋管
J1‧‧‧中心軸
S11~S16、S21~S26‧‧‧步驟
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係表示處理液供給部及液體回收部之方塊圖。
圖3係液體接收部附近之放大圖。
圖4係表示基板處理裝置之動作之一例之圖。
圖5係基板處理裝置之剖面圖。
圖6係基板處理裝置之剖面圖。
圖7係基板處理裝置之剖面圖。
圖8係基板處理裝置之剖面圖。
圖9係第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖10係基板處理裝置之剖面圖。
圖11係基板處理裝置之剖面圖。
圖12係基板處理裝置之剖面圖。
圖13係基板處理裝置之剖面圖。
圖14係第3實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖15係放大地表示頂板軸部附近之剖面圖。
圖16係表示處理液供給部及液體回收部之方塊圖。
圖17係放大地表示腔室及液體接收部之一部分之圖。
圖18係頂板之仰視圖。
圖19係基板支持部之平面圖。
圖20係放大地表示腔室及液體接收部之一部分之圖。
圖21係放大地表示腔室及液體接收部之一部分之圖。
圖22係放大地表示基板保持部之一部分之平面圖。
圖23係放大地表示第1接觸部附近之側視圖。
圖24係放大地表示第2接觸部附近之側視圖。
圖25係表示基板之處理流程之圖。
圖26係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖27係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖28係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖29係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖30係基板處理裝置之剖面圖。
圖31係第4實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖32係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖33係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖34係表示第5實施形態之基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖35係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖36係第6實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖37係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖38係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖39係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖40係表示基板處理裝置之其他例之剖面圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之構成之圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片處理之單片式裝置。
基板處理裝置1包括腔室12、腔室開閉機構131、基板 保持部14、基板旋轉機構15、液體接收部16及蓋17。
腔室12包括腔室本體121、腔室蓋部122及頂板123。 腔室本體121係由非磁體形成。腔室本體121包括腔室底部21及腔室側壁部22。腔室底部21包括大致圓板狀之中央部211、自中央部211之外緣部延伸至下方之筒狀之內側壁部212、及自內側壁部212朝向直徑方向外側變寬之基底部213。於由基板保持部14保持基板9之情形時，基板9之下表面92與中央部211之上表面對向。腔室側壁部22係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之環狀，且自基底部213朝向上方突出。形成腔室側壁部22之構件係如下所述地兼作液體接收部16之一部分。
腔室蓋部122係垂直於中心軸J1之大致圓盤狀，且包括 腔室12之上部。腔室蓋部122係阻塞腔室本體121之上部開口。圖1表示腔室蓋部122自腔室本體121隔開之狀態。於腔室蓋部122阻塞腔室本體121之上部開口時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部22之上部接觸。
頂板123係垂直於中心軸J1之大致圓盤板狀。頂板123 係於中央具有開口。若基板9保持於基板保持部14，則基板9之上表面91與頂板123之下表面對向。頂板123係以自腔室蓋部122懸垂之方式安裝於腔室蓋部122。更準確而言，頂板123係以可變更與腔室蓋部122之間之距離之狀態安裝於腔室蓋部122。頂板123亦可相對於腔室蓋部122以中心軸J1為中心旋轉。
腔室開閉機構131使作為腔室12之活動部之腔室蓋部 122相對於腔室12之其他部位相對地升降。以下，將腔室開閉機構131 稱為「蓋部升降機構131」。藉由腔室蓋部122與腔室本體121相接，進而，朝向腔室本體121按壓腔室蓋部122，而於腔室12內形成密閉之內部空間120(參照圖7)。
基板保持部14係以中心軸J1為中心之環狀，且保持基 板9之外緣部。基板保持部14係配置於腔室12內，且保持水平狀態之基板9。即，基板9於使上表面91垂直於中心軸J1地朝向上側之狀態下由基板保持部14保持。作為基板保持部14保持基板9之夾盤機構，可利用各種夾盤機構。
基板旋轉機構15係所謂中空馬達。基板旋轉機構15包 括以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係由聚四氟乙烯(PTFE，Polytetrafluoroethylene)樹脂成型。轉子部152係配置於內側壁部212與腔室側壁部22之間之封底之環狀空間內。轉子部152係經由連接構件而與基板保持部14連接。
定子部151係於腔室12外(即內部空間120之外側)配置 於轉子部152之直徑方向外側。本實施形態係定子部151固定於基底部213，且位於液體接收部16之下方。定子部151包括排列於以中心軸J1為中心之周方向之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部 152之間，產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152於水平狀態下以中心軸J1為中心旋轉。因作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內懸浮，而非直接或間接地接觸於腔室12，從而使基板9與基板保持部14一併以中心軸J1為中心旋轉。
液體接收部16包括第1杯部161、第1杯升降機構162、 第2杯部163及第2杯升降機構164。如上所述，形成腔室側壁部22之構件之一部分包括於液體接收部16中。第2杯部163係以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室側壁部22之直徑方向外側。第1杯部161亦為環狀，且位於第2杯部163之直徑方向外側。第1杯升降機構162係使第1杯部161上下地移動。第2杯升降機構164係使第2杯部163上下地移動。
第2杯部163之內周部之下部係位於處於腔室側壁部22 之外側之環狀第2凹部166內。第1杯部161之下部係位於處於第2凹部166之外側之環狀第1凹部165內。形成第1凹部165及第2凹部166之構件係與形成腔室側壁部22之構件連續。
於腔室蓋部122之中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴 181係與頂板123之中央之開口對向。於腔室底部21之中央部211之中央，安裝有下部噴嘴182。第1凹部165之底部係連接於第1排出路191。第2凹部166之底部係連接於第2排出路192。內側壁部212與腔室側壁部22之間之凹部之底部係連接於第3排出路193。再者，該等上部噴嘴181、下部噴嘴182之設置位置並非必須限定於中央部分，例如亦可為與基板9之周緣部對向之位置。
蓋17係覆蓋腔室12之上方及側方。於蓋17之上部配 置有多孔部171。藉由空氣自形成於多孔部171之多個孔流出，而於蓋17內產生降流(down flow)。藉此，防止微粒自液體接收部16或腔室底部21上升至基板9。
圖2係表示基板處理裝置1所包括之處理液供給部18、 及液體回收部19之方塊圖。處理液供給部18不僅包括上述上部噴嘴181及下部噴嘴182，而且包括第1處理液供給部183、第2處理液供 給部184及第3處理液供給部185。第1處理液供給部183、第2處理液供給部184及第3處理液供給部185係分別經由閥而連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係分別經由閥而連接於第1處理液供給部183及第2處理液供給部184。上部噴嘴181亦連接於氣體供給部186。上部噴嘴181係於中央具有液體吐出口，且於該液體吐出口之周圍具有氣體噴出口。因此，準確而言，上部噴嘴181之一部分係對基板9供給氣體之廣義上之氣體供給部之一部分。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口。
於腔室12，連接有將腔室12密閉時對腔室12之內部空 間120加壓之加壓部187。藉由加壓部187而使內部空間120成為高於大氣壓之加壓環境。再者，氣體供給部186亦可兼作加壓部。於無需加壓處理之情形時，可省略加壓部187。
連接於液體接收部16之第1凹部165之第1排出路191 係連接於廢液路。連接於第2凹部166之第2排出路192係連接於第1回收部194。連接於腔室底部21之第3排出路193係連接於第2回收部195。第1回收部194及第2回收部195係連接於減壓部196。藉由驅動減壓部196，而由第1回收部194及第2回收部195回收處理液。 又，於將腔室12密閉之情形時，藉由減壓部196而將內部空間120減壓，從而成為低於大氣壓之減壓環境。第1回收部194及第2回收部195亦連接於廢液路，且亦可自第2排出路192及第3排出路193排出廢液。
第1處理液供給部183、第2處理液供給部184、第3 處理液供給部185、氣體供給部186、加壓部187、第1回收部194、第2回收部195、減壓部196及各種閥係由控制部10控制。蓋部升降 機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、第1杯升降機構162及第2杯升降機構164係亦由控制部10控制。
於本實施形態中，自第1處理液供給部183供給之第1處理液係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。自第2處理液供給部184供給之第2處理液係純水(DIW：Deionized Water)。自第3處理液供給部185供給之第3處理液係異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)。又，氣體供給部186係將氮氣(N2)供給至腔室12內。
圖3係液體接收部16附近之放大圖。於腔室蓋部122之外緣部之下部，設置有2個環狀之唇形密封231、232。唇形密封231位於第2杯部163之上端部之上方。唇形密封232位於腔室側壁部22之上端部之上方。若腔室蓋部122下降，第2杯部163上升，則唇形密封231與第2杯部163之上端部相接。若腔室蓋部122下降至腔室側壁部22為止，則唇形密封232與腔室側壁部22之上端部相接。
於作為腔室12之上部的腔室蓋部122之外緣部之下部，遍及全周地設置有朝向上方且直徑方向內側凹陷之凹部233。若腔室蓋部122下降，第1杯部161上升，則第1杯部161之上端部與凹部233於上下方向上相接。該等亦可僅接近。若第2杯部163下降，則腔室側壁部22之上部與第2杯部163之上端部相接。
於頂板123之外緣部之下表面，沿周方向排列有複數個第1接合部241。於基板保持部14之上表面，沿周方向排列有複數個第2接合部242。該等接合部較佳為設置3組以上，本實施形態係設置4組。於第1接合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2接合部242係自基板保持部14朝向上方突出。
若腔室蓋部122下降，則第2接合部242嵌入第1接合 部241之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之周方向上，與基板保持部14接合。若於該狀態下藉由基板旋轉機構15而使基板保持部14旋轉，則頂板123亦進行旋轉。於頂板123下降時，以第1接合部241與第2接合部242嵌合之方式，控制基板保持部14之旋轉位置。
其次，一面參照圖4一面對控制部10之控制下之基板 處理裝置1中之基板9之處理流程進行說明。圖4之處理僅為一例，且基板處理裝置1可以各種順序進行各種處理。於基板處理裝置1中，首先，於腔室蓋部122如圖1所示位於上方之狀態下，搬送基板9，且由基板保持部14保持基板9(步驟S11)。腔室蓋部122下降，如圖5所示，頂板123與基板保持部14接合。腔室蓋部122與腔室側壁部22隔開，於基板9之周圍(即直徑方向外側)，於腔室蓋部122與腔室側壁部22之間形成環狀開口81。
第2杯部163上升，且位於環狀開口81之直徑方向外 側。如此般，第2杯升降機構164使第2杯部163於環狀開口81之直徑方向外側之位置與相較該位置為下方之位置之間移動。第2杯部163之上端部係與唇形密封231相接。藉此，腔室12內之基板9周邊形成密閉空間，即便微粒自上方下降，亦防止其進入至第2杯部163內。 再者，第1杯部161之上端部亦與腔室蓋部122相接，從而亦防止微粒進入至第1杯部161內。以下，將形成環狀開口81之腔室12之狀態稱為「半開放狀態」。又，將圖1之狀態稱為「開放狀態」。
其次，藉由基板旋轉機構15，而使基板保持部14及基 板9開始高速旋轉。又，藉由省略圖示之加熱器，而加熱基板9。將來自第1處理液供給部183(參照圖2)之第1處理液自上部噴嘴181供給 至基板9之上表面91之中央部。第1處理液係藉由基板9之旋轉而向外周部擴散，從而將上表面91整體由第1處理液被覆(步驟S12)。
亦自下部噴嘴182對基板9之下表面92之中央部供給 第1處理液，且該第1處理液藉由基板9之旋轉而向外周部擴散。自基板9之上表面91及下表面92飛散之第1處理液經由環狀開口81由第2杯部163接收，且由第2回收部195回收。於經回收之第1處理液可再次利用之情形時，經由過濾器等，自第1處理液中將雜質等去除後，進行再次利用。頂板123之外緣部係以隨著朝向直徑方向外側而略朝向下方之方式傾斜。藉由將處理液引導至頂板123之外緣部，而使處理液經由環狀開口81被液體接收部16適當地接收。
若第1處理液之蝕刻結束，則停止第1處理液之供給， 上部噴嘴181噴出氮氣，且藉由基板9之旋轉，而自基板9去除第1處理液。由於頂板123與基板保持部14一併旋轉，故而第1處理液幾乎未殘存於頂板123之下表面，從而不存在自頂板123落下第1處理液之情況。
其次，於腔室12為半開放狀態之情況下，第2杯部163下降，如圖6所示，第1杯部161位於環狀開口81之直徑方向外側。即，藉由第2杯升降機構164，而切換第2杯部163接收來自基板9之處理液之狀態、與第1杯部161接收來自基板9之處理液之狀態。第2杯部163之上端部係與腔室側壁部22之上部相接，且腔室12內部與第2杯部163之內側之空間分離。第1杯部161之上端部與腔室蓋部122為相接狀態。
於頂板123與基板保持部14接合之狀態下，藉由位於頂板123之中央之上部噴嘴181連續地吐出為純水之第2處理液，而 將第2處理液供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部。第2處理液係藉由基板9之旋轉而向外周部擴散，且自基板9之外周緣向外側飛散。自下部噴嘴182對基板9之下表面92之中央部供給第2處理液，且該第2處理液藉由基板9之旋轉而向外周部擴散。自基板9飛散之第2處理液即使用後之水由第2杯部163接收後被廢棄(步驟S13)。於第2處理液沖洗基板9時，中途停止對下表面92供給第2處理液，且基板9之旋轉速度減小。藉此，於頂板123與基板9之間充滿第2處理液。即，成為於基板9上攪拌純水之狀態。
其次，停止第2處理液之供給，而僅自上部噴嘴181對 基板9之上表面91供給作為IPA之第3處理液。頂板123與基板9之間係由第3處理液充滿，從而停止第3處理液之供給。藉此，於基板9上，將純水置換為IPA(步驟S14)。其後，如圖7所示，腔室蓋部122及第1杯部161下降。腔室蓋部122之唇形密封232與腔室側壁部22之上部相接。藉此，腔室12形成密閉之內部空間120。由於頂板123可對於腔室蓋部122沿上下方向相對地移動，故而，頂板123與基板保持部14之間之接合狀態得到維持。於將腔室12密閉之狀態下，基板9及基板保持部14係與腔室12之側壁直接對向，且於該等之間不存在其他液體接收部。再者，腔室12之密閉亦可於步驟S14之前進行。 再者，於該等步驟S13、S14中，此處，將頂板123與基板9之間由處理液充滿，從而於液密狀態下進行處理，但亦可使頂板123之高度更高，從而於頂板123與基板9之間未充滿處理液之狀態下進行處理。
於密閉空間內，基板9高速旋轉，並且自上部噴嘴181 噴出氮氣，將第3處理液自基板9去除。自基板9飛散之第3處理液由腔室側壁部22接收，且由第2回收部195回收。此時，藉由減壓部 196而將腔室12之內部空間120減壓，從而促進基板9之乾燥(步驟S15)。於再次利用由第2回收部195回收之第3處理液之情形時，自第3處理液中去除雜質等。若基板9之乾燥結束，則基板9之旋轉停止。
再者，亦可於乾燥時加熱基板9。又，亦可於減壓前藉 由加壓部187而將內部空間120加壓。藉此，可使第3處理液於基板9上容易地進入至圖案內。
其後，將內部空間120恢復至常壓，腔室蓋部122如圖 1所示上升。由於頂板123與基板保持部14一併旋轉，故而液體幾乎未殘存於頂板123之下表面，從而不存在於腔室蓋部122上升時液體自頂板123落下之情況。藉由外部之搬送機構而將搬出基板9(步驟S16)。於腔室蓋部122上升時，藉由設置於腔室蓋部122之複數個突起244嵌入設置於頂板123之上部之下表面之環狀槽部243，而將頂板123對準於腔室蓋部122。再者，作為對準結構，亦可採用其他結構。
基板處理裝置1之處理液供給部18中，如圖8所示， 亦可追加掃描噴嘴188。於利用掃描噴嘴188時，腔室蓋部122向上方較大地與腔室本體121隔開，成為頂板123自基板保持部14隔開之開放狀態。因此，頂板123不進行旋轉。如此般，頂板123於腔室蓋部122與腔室12之其他部位之間之距離為第1距離之情形時，於周方向上與基板保持部14接合，於該距離為大於第1距離之第2距離之情形時，頂板123與基板保持部14隔開。於腔室蓋部122與腔室本體121之間，將掃描噴嘴188自腔室12外部插入，且移動至基板9上。掃描噴嘴188為雙流體噴嘴，例如進行SCl處理後之純水清洗。掃描噴嘴188亦可為除雙流體噴嘴以外之類型之噴嘴。掃描噴嘴188係一面沿水 平方向擺動一面對基板9之上表面91供給處理液。掃描噴嘴188亦可為其他處理用之其他種類之噴嘴。於使用雙流體噴嘴作為掃描噴嘴188時，較理想為於蓋17內連接未圖示之排氣設備，從而可將產生之處理液霧充分排出。
於將來自掃描噴嘴188之處理液廢棄之情形時，第1杯 部161上升，第2杯部163下降。基板9之外緣部與第1杯部161於直徑方向上對向。於將處理液回收進行再次利用之情形時，第1杯部161及第2杯部163上升。基板9之外緣部與第2杯部163係於直徑方向上對向。
如以上所說明，基板處理裝置1可進行於將腔室12密 閉之狀態下進行之處理(以下稱為「密閉處理」)、及於半開放狀態或開放狀態下進行之處理(以下稱為「開放處理」)之兩者。即，與先前相比，可利用1個裝置進行各種處理。尤其可連續地進行伴有減壓或加壓之密閉處理與開放處理。於設置有掃描噴嘴188之情形時，亦可與密閉處理連續地進行使用掃描噴嘴188之處理。又，由於液體接收部16配置於腔室12之外部，故而可有效地進行處理液之回收，並且可將腔室12小型化、小容積化，藉此，可容易且有效地進行伴有加壓或減壓之處理，且可削減填充至腔室12之氣體量。又，即便於半開放狀態，亦可將腔室12內之基板9之周圍大致密閉，因此，可阻止蓋17內之非預期之氣體流入至腔室12內。例如於上述步驟S12中，可藉由一面於圖5所示之半開放狀態下，自上部噴嘴181噴出氮氣，一面將第1處理液供給至基板9，而使腔室12內之基板9之周圍成為氮環境，將非預期之氧或藥液環境排除，從而於低氧環境之狀態下進行處理。此種低氧環境下之處理係於例如形成有銅配線之基板之聚合物去除處理等 中需要防止銅配線氧化之情形時等較為有用。
於液體接收部16設置有第1杯部161及第2杯部163， 故可將複數種處理液分離後回收。亦可將密閉處理時之處理液與開放處理時之處理液分離後回收。藉此，與僅利用腔室之內壁接收複數種處理液，且利用多重閥進行分離回收之情形相比，可提高處理液之回收效率，從而可延長處理液之使用期限。進而，亦可容易地防止因混有不同種類之處理液造成微粒之產生、發熱、發煙等。
腔室12亦可於密閉狀態下將純水供給至基板9。於密閉 狀態下，腔室12接收自基板9飛散之使用後之水或IPA，於處理液為對基板9賦予化學反應之藥液之情形時，於半開放狀態下，利用杯部接收處理液，藉此減少腔室12內之污染。可藉由如此般，將腔室12之內壁或各杯部作為特定之處理液之專用之液體接收部，而實現高純度且損耗較少之處理液之回收。
又，由於所有杯部均可升降，故而可容易地進行基板9 搬入時之基板9之操作。
基板處理裝置1可藉由頂板123，而以簡單之結構防止 附著於腔室內部之液體朝向基板落下。於進行處理時，於頂板123與基板保持部14接合之狀態下，頂板123接近於基板9，因此，可削減利用處理液覆蓋基板9之上表面91時所需之處理液量。亦可削減供給至頂板123與基板9之間之氣體量。
由於頂板123可相對於腔室蓋部122沿上下方向移動， 故而，無論密閉狀態抑或是半開放狀態下，均可使頂板123與基板保持部14一併旋轉。又，可藉由使腔室蓋部122自半開放狀態略微上升，而解除頂板123與基板保持部14之接合。亦可於此種開放狀態下，自 上部噴嘴181吐出處理液進行處理。
基板處理裝置1係將轉子部152配置於可密閉之內部空 間120，且將定子部151配置於腔室12外。藉此，可容易地形成具有較高密閉性之內部空間120。其結果，可容易地實現密閉之內部空間120中之基板9之單片處理。又，與將馬達設置於腔室底部之下方之裝置相比，可將下部噴嘴182等各種結構容易地設置於腔室底部21。
基板旋轉機構15中，轉子部152於內部空間120內以 懸浮狀態旋轉。因此，於內部空間120無需設置支持轉子部152之結構，從而實現基板處理裝置1之小型化及裝置結構之簡化。由於不存在因轉子部152與支持結構之摩擦而導致粉塵等產生之情況，故而，可提昇內部空間120之清潔性。進而，由支持結構引起之摩擦阻力不作用於轉子部152，故而可容易地實現轉子部152之高速旋轉。
圖9至圖13係第2實施形態之基板處理裝置1a之剖面 圖。圖9係表示基板9之搬出搬入時之裝置之狀態。圖10係表示於半開放狀態下，利用第2杯部163接收自基板9飛散之處理液之狀態。 圖11係表示於半開放狀態下，利用第1杯部161接收自基板9飛散之處理液之狀態。圖12係表示進行密閉處理之狀態。圖13係表示使用掃描噴嘴188進行處理之狀態。
如圖9所示，基板處理裝置1a係於蓋17設置有間隔板172。間隔板172係自腔室12朝向直徑方向外側變寬。自間隔板172朝向直徑方向內側連續之部位、即包括間隔板172之構件之內周部係突出至下方，構成腔室12之一部分。以下，將該部位稱為「腔室固定部124」。進而換言之，間隔板172係自腔室固定部124朝向外側變寬。間隔板172位於第1杯部161及第2杯部163之上方。藉由間隔板172， 而防止於半開放狀態下氣流進入至腔室12內。
包括腔室12之下部且相較腔室固定部124為下側之部 位125係藉由腔室升降機構132而升降。如下所述，由於半開放狀態與密閉狀態係藉由腔室升降機構132而實現，故而於本實施形態中，腔室升降機構132作為腔室開閉機構發揮功能。以下，將部位125稱為「腔室活動部」。腔室蓋部122係位於腔室固定部124之上側。再者，可與第1實施形態同樣地，亦將蓋部升降機構131視作腔室開閉機構。
第1杯部161係於上端部接近間隔板172之狀態下將位 置固定。第2杯部163係藉由第2杯升降機構164而升降。基板旋轉機構15a係軸旋轉型之馬達，且基板保持部14係板狀。基板旋轉機構15a之旋轉軸係連接於基板保持部14之中央。下部噴嘴182係設置於基板旋轉機構15a之上端。其他構成與第1實施形態大致相同。處理動作之例亦與第1實施形態相同。
於腔室蓋部122之外緣部，設置有環狀之唇形密封234。 如圖10所示，於半開放狀態下，腔室蓋部122之唇形密封234係與間隔板172相接。另一方面，腔室活動部125係自間隔板172隔開。藉此，於腔室活動部125與間隔板172之間形成環狀開口81。環狀開口81位於基板9之周圍。於圖10中，第2杯部163位於環狀開口81之直徑方向外側。自旋轉之基板9飛散之處理液係與第1實施形態同樣地經由第2杯部163而由第1回收部194(參照圖2)回收。
於圖11中，腔室12為半開放之狀態，且因第2杯部163 自圖10所示之狀態下降，第1杯部161位於環狀開口81之直徑方向外側。如此般，與第1實施形態同樣地，第2杯升降機構164使第2杯部163於環狀開口81之直徑方向外側之位置與相較該位置為下方之 位置之間移動。藉此，切換第2杯部163接收來自基板9之處理液之狀態、與第1杯部161接收來自基板9之處理液之狀態。自基板9飛散之處理液由第1杯部161接收後廢棄。
於圖12中，腔室活動部125上升而與間隔板172相接。 藉此，於腔室12內形成密閉之內部空間120。自基板9飛散之處理液由腔室活動部125之外周部即腔室側壁部22a接收，且由第2回收部195回收。
如圖13所示，於使用掃描噴嘴188之情形時，腔室蓋部122自間隔板172隔開，於腔室蓋部122與間隔板172之間插入掃描噴嘴188。腔室活動部125亦自間隔板172隔開，形成環狀開口81。自旋轉之基板9飛散之處理液由位於環狀開口81之直徑方向外側之杯部接收。於圖13之情形時，於環狀開口81之直徑方向外側，存在第1杯部161。當然，於環狀開口81之直徑方向外側，亦可存在第2杯部163。
與第1實施形態同樣地，於半開放狀態及密閉狀態下，頂板123與基板保持部14於周方向上接合，且與基板保持部14一併旋轉。藉此，削減處理液及處理氣體之使用量。於圖13之情形時，頂板123不旋轉。
圖14係表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置1b之剖面圖。基板處理裝置1b係對大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片進行處理之單片式裝置。圖14中，於基板處理裝置1b之局部構成之剖面上，省略平行斜線之標註(其他剖面圖中亦為相同)。
基板處理裝置1b包括腔室12、頂板123、頂板移動機 構126、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液體接收部16及蓋17。
腔室12包括腔室本體121及腔室蓋部122。腔室本體 121及腔室蓋部122係由非磁體形成。腔室本體121包括腔室底部21及腔室側壁部22。腔室底部21包括大致圓板狀之中央部211、自中央部211之外緣部延伸至下方之筒狀之內側壁部212、及自內側壁部212朝向直徑方向外側變寬之基底部213。腔室側壁部22係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之環狀，且自基底部213之直徑方向中央部突出至上方。形成腔室側壁部22之構件係如下所述地兼作液體接收部16之一部分。於以下說明中，將由腔室側壁部22、內側壁部212與基底部213包圍之空間稱為下部環狀空間217。於由基板保持部14之基板支持部141(下述)支持基板9之情形時，基板9之下表面92與中央部211之上表面對向。
腔室蓋部122係垂直於中心軸J1之大致圓板狀，且包括 腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口阻塞。圖14係表示腔室蓋部122自腔室本體121隔開之狀態。於腔室蓋部122阻塞腔室本體121之上部開口時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部22之上部相接。於腔室蓋部122之中央，設置有朝向上方凹陷之大致有蓋圓筒狀之收容部221。
腔室開閉機構131使作為腔室12之活動部之腔室蓋部 122相對於作為腔室12之其他部位之腔室本體121沿上下方向相對地移動。腔室開閉機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。於藉由腔室開閉機構131而使腔室蓋部122沿上下方向移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一併沿上下方向移動。腔室蓋部122係與腔室本體 121相接，阻塞上部開口，進而，朝向腔室本體121按壓腔室蓋部122，藉此，於腔室12內形成密閉之內部空間120(參照圖20及圖21)。
基板保持部14係配置於腔室12內，且於水平狀態下保 持基板9。即，基板9於使上表面91垂直於中心軸J1地朝向上側之狀態下，由基板保持部14保持。基板保持部14包括自下側支持基板9之外緣部之上述基板支持部141、及自上側按壓支持於基板支持部141之基板9之外緣部之基板按壓部142。基板支持部141包括以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支持部基底413、及固定於支持部基底413之上表面之複數個第1接觸部411。基板按壓部142包括固定於頂板123之下表面之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421之周方向之位置實際上與複數個第1接觸部411之周方向之位置不同。
頂板123為垂直於中心軸J1之大致圓板狀。頂板123 係配置於腔室蓋部122之下方且基板支持部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若將基板9支持於基板支持部141，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，頂板123之外周緣相較基板9之外周緣遍及全周地位於直徑方向外側。
於腔室蓋部122之下表面，沿著以中心軸J1為中心之周 方向排列有保持頂板123之複數個板保持部222。於頂板123之上表面，於與複數個板保持部222對向之位置，沿周方向排列有複數個凸部236。因複數個凸部236由複數個板保持部222所保持，故頂板123以自腔室蓋部122懸垂之方式由腔室蓋部122支持。
於頂板123之上表面，固定有頂板軸部235。頂板123 及頂板軸部235係由非磁體形成。頂板軸部235係以中心軸J1為中心 之大致圓柱狀。頂板軸部235之至少一部分(本實施形態為除下端部以外之大部分)收容於腔室蓋部122之收容部221。於頂板軸部235及腔室蓋部122，配置有頂板移動機構126。頂板移動機構126利用磁力使頂板123相對於腔室蓋部122沿上下方向相對地移動。
圖15係放大地表示頂板軸部235附近之剖面圖。如圖 15所示，頂板移動機構126包括第1磁鐵261、第2磁鐵262及磁鐵移動機構263。第1磁鐵261於頂板軸部235之內部，沿頂板軸部235之外周面配置於周方向。第1磁鐵261係相對於頂板軸部235固定。 第2磁鐵262於腔室蓋部122，在形成於收容部221之周圍之環狀孔264內，沿周方向配置於收容部221之周圍。本實施形態係第1磁鐵261及第2磁鐵262分別為以中心軸J1為中心之大致圓環狀。第1磁鐵261之上部為N極，下部為S極。第2磁鐵262之上部為S極，下部為N極。環狀孔264之上下方向之高度大於第2磁鐵262之上下方向之高度。第2磁鐵262藉由磁鐵移動機構263而於環狀孔264內沿上下方向移動。
圖14所示之基板旋轉機構15係所謂中空馬達。基板旋 轉機構15包括以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面經PTFE樹脂成型。轉子部152於腔室12之內部空間120中配置在下部環狀空間217內。於轉子部152之上部，介隔連接構件安裝有基板支持部141之支持部基底413。支持部基底413配置於轉子部152之上方。
定子部151於腔室12外(即內部空間120之外側)配置於 轉子部152之周圍、即直徑方向外側。本實施形態中，定子部151固定於基底部213，且位於液體接收部16之下方。定子部151包括沿以 中心軸J1為中心之周方向排列之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部 152之間，產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152於水平狀態下以中心軸J1為中心旋轉。因作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內懸浮，而不會直接或間接地接觸於腔室12，從而使基板9與基板支持部141一併於懸浮狀態下以中心軸J1為中心旋轉。
液體接收部16包括杯部161a及杯移動機構162a。如上 所述，形成腔室側壁部22之構件之一部分包括於液體接收部16。杯部161a為以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室側壁部22之直徑方向外側。杯移動機構162a係使杯部161a沿上下方向移動。
杯部161a之下部位於處於腔室側壁部22之外側之環狀 液體接收凹部165a內。於包圍液體接收凹部165a之外周之大致圓筒狀之外壁部168之上端部，固定有以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之外密封部169。外密封部169係自外壁部168之上端部向直徑方向內側變寬，且遍及全周地覆蓋液體接收凹部165a之上部開口之外周部。
於腔室蓋部122之中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴 181係插入至形成於頂板軸部235之中央之貫穿孔，且插入至頂板123之中央之開口。於腔室底部21之中央部211之中央，安裝有下部噴嘴182。液體接收凹部165a之底部係連接於第1排出路191。內側壁部212與腔室側壁部22之間之下部環狀空間217之底部係連接於第2排出路192。再者，上部噴嘴181及下部噴嘴182之設置位置並非必須限定於中央部分，亦可為例如與基板9之周緣部對向之位置。
蓋17係覆蓋腔室12之上方及側方。於蓋17之上部， 配置有多孔部171。藉由空氣自形成於多孔部171之多個孔流出，而於蓋17內產生降流。藉此，防止微粒自液體接收部16或腔室底部21上升至基板9。
圖16係表示基板處理裝置1b所包括之處理液供給部 18、及液體回收部19之方塊圖。處理液供給部18不僅包括上述上部噴嘴181及下部噴嘴182，而且包括第1處理液供給部183、第2處理液供給部184及第3處理液供給部185。第1處理液供給部183、第2處理液供給部184及第3處理液供給部185係分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係分別經由閥連接於第1處理液供給部183及第2處理液供給部184。上部噴嘴181亦連接於氣體供給部186。上部噴嘴181係於中央具有液體吐出口，且於該液體吐出口之周圍具有氣體噴出口。因此，準確而言，上部噴嘴181之一部分係對基板9供給氣體之廣義上之氣體供給部之一部分。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口。
於腔室12，連接有將腔室12密閉時將腔室12之內部空 間120加壓之加壓部187。藉由加壓部187而使內部空間120成為高於大氣壓之加壓環境。再者，氣體供給部186亦可兼作加壓部。於無需加壓處理之情形時，可省略加壓部187。
連接於液體接收部16之液體接收凹部165a之第1排出 路191係連接於第1回收部194。連接於腔室底部21之第2排出路192係連接於第2回收部195。第1回收部194及第2回收部195係連接於減壓部196。藉由驅動減壓部196，而利用第1回收部194及第2回收部195回收處理液。又，於將腔室12密閉之情形時，藉由減壓部196而使內部空間120減壓，成為低於大氣壓之減壓環境。第1回收部194 及第2回收部195亦連接於廢液路，亦可自第1排出路191及第2排出路192排出廢液。
第1處理液供給部183、第2處理液供給部184、第3 處理液供給部185、氣體供給部186、加壓部187、第1回收部194、第2回收部195、減壓部196及各種閥係由控制部10進行控制。腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15及杯移動機構162a(參照圖14)亦由控制部10進行控制。
於本實施形態中，自第1處理液供給部183供給至基板 9上之第1處理液係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。自第2處理液供給部184供給之第2處理液係純水(DIW：Deionized Water)。 自第3處理液供給部185供給之第3處理液係異丙醇(IPA)。又，氣體供給部186係將氮氣(N2)供給至腔室12內。
圖17係放大地表示腔室12及液體接收部16之一部分 之圖。杯部161a包括側壁部611、上表面部612及下表面部613。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向直徑方向內側變寬。下表面部613係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之下端部朝向直徑方向外側變寬。上表面部612及下表面部613係大致垂直於中心軸J1。於圖17所示之狀態下，杯部161a之側壁部611之大致整體及下表面部613位於液體接收凹部165a內。
於腔室蓋部122之外緣部之下表面，設置有環狀之唇形密封231、232。唇形密封231係位於腔室側壁部22之上端部之上方。唇形密封232係位於杯部161a之上表面部612之內緣部之上方。若腔室蓋部122下降，且杯部161a上升，則唇形密封232與杯部161a之 上表面部612之內緣部於上下方向上相接。若腔室蓋部122下降至腔室側壁部22為止，則唇形密封232與腔室側壁部22之上端部相接。
圖18係頂板123之仰視圖。圖19係基板支持部141之 平面圖。於圖18及圖19中，利用兩點鏈線描繪基板9。如圖17至圖19所示，於頂板123之外緣部之下表面，沿周方向排列有複數個第1接合部241，且於支持部基底413之上表面，沿周方向排列有複數個第2接合部242。該等接合部較佳為設置3組以上，本實施形態係設置4組。於第1接合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2接合部242係自支持部基底413朝向上方突出。
如圖20所示，若腔室蓋部122下降至腔室側壁部22為 止，則第2接合部242嵌入第1接合部241之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之周方向上，與基板支持部141之支持部基底413接合。換言之，第1接合部241及第2接合部242為限制頂板123對於基板支持部141之旋轉方向上之相對位置(即，將周方向上之相對位置固定)的位置限制構件。於頂板123下降時，以第1接合部241與第2接合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15而控制支持部基底413之旋轉位置。再者，頂板123與基板支持部141之上下方向上之相對位置未被第1接合部241及第2接合部242固定。
於圖20所示之狀態下，板保持部222對頂板123之保 持被解除，頂板123與腔室蓋部122隔開而接近於基板9。頂板123之上下方向之位置係由作用於頂板移動機構126之第1磁鐵261與第2磁鐵262之間之磁力(引力)決定。具體而言，以第1磁鐵261之上下方向之中央部與第2磁鐵262之上下方向之中央部位於上下方向上之大致相同位置之方式，第1磁鐵261與第2磁鐵262於直徑方向上對向。 藉此，固定頂板123對於腔室蓋部122之上下方向之相對位置。再者，由於頂板123之水平方向上之位置係由第1接合部241及第2接合部242決定，故而頂板軸部235與收容部221之內側面不相接。
於以下說明中，將圖20所示之頂板123之位置稱為「第 1接近位置」。於頂板123位於第1接近位置之狀態下，基板保持部14之基板按壓部142未與基板9相接，從而不按壓基板9之外緣部。於該狀態下，若藉由基板旋轉機構15而使基板支持部141旋轉，則頂板123與基板支持部141、以水平狀態被支持於基板支持部141之基板9、及基板按壓部142一併旋轉。頂板123係與基板支持部141一併旋轉之上側旋轉構件。
如圖19所示，於支持部基底413之上表面，沿周方向 排列有基板支持部141之複數個第1接觸部411。複數個第1接觸部411係相較複數個第2接合部242配置於直徑方向內側。又，如圖18所示，於頂板123之外緣部之下表面，沿周方向排列有基板按壓部142之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421係相較複數個第1接合部241配置於直徑方向內側。如上所述，複數個第2接觸部421之周方向之位置係不同於複數個第1接觸部411之周方向之位置。於本實施形態中，4個第1接觸部411係沿周方向以等角度間隔進行配置。又，以鄰接之2個第2接觸部421為1組，將4組第2接觸部421於周方向以等角度間隔進行配置。
如圖21所示，於頂板移動機構126中，若第2磁鐵262 藉由磁鐵移動機構263移動至下方，則因作用於第1磁鐵261與第2磁鐵262之間之磁力(引力)，頂板軸部235及頂板123移動至下方。藉此，頂板123進一步接近於基板9。於以下說明中，將圖21所示之頂 板123之位置稱為「第2接近位置」。本實施形態中，第2接近位置上之頂板123之下表面與基板9之上表面91之間之上下方向之距離為約2mm。又，第1接近位置上之頂板123之下表面與基板9之上表面91之間之上下方向之距離為約10mm。
即便於頂板123位於第2接近位置之狀態下，亦因第1 接合部241與第2接合部242接合，故而，將周方向上之頂板123對於基板支持部141之支持部基底413之相對位置固定。又，頂板軸部235與收容部221之內側面未相接。另一方面，於頂板123位於第2接近位置之狀態下，與位於第1接近位置之狀態不同地，基板按壓部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。
圖22係放大地表示保持基板9之基板保持部14之一部 分之平面圖。圖22中，省略腔室蓋部122之圖示。如圖22所示，於基板支持部141之1個第1接觸部411之周方向上之兩側，鄰接地配置有基板按壓部142之2個第2接觸部421。第1接觸部411與2個第2接觸部421分別於周方向隔著略微之間隙隔開地配置。其他第1接觸部411及第2接觸部421中亦為相同情況。各第1接觸部411與鄰接於其之第2接觸部421之間之周方向之距離小於該第2接觸部421與其他第1接觸部411之間之周方向之距離。於基板9之外緣部，於將第1接觸部411所接觸之位置稱為「第1接觸位置」，將第2接觸部421所接觸之位置稱為「第2接觸位置」時，複數個第2接觸位置分別與複數個第1接觸位置於周方向不同。
圖23係放大地表示1個第1接觸部411附近之側視圖。 其他第1接觸部411之結構亦與圖23所示之第1接觸部411相同。複數個第1接觸部411分別具有隨著朝向直徑方向內側而朝向下側之第1 傾斜面412。各第1接觸部411係於第1傾斜面412接觸於基板9之外緣部。
圖24係放大地表示1個第2接觸部421附近之側視圖。 其他第2接觸部421之結構亦與圖24所示之第2接觸部421相同。複數個第2接觸部421分別具有隨著朝向直徑方向內側而朝向上側之第2傾斜面422。各第2接觸部421係於第2傾斜面422接觸於基板9之外緣部。
圖23中，以兩點鏈線一併描繪有鄰接於第1接觸部411 而配置之第2接觸部421。又，圖24中，以兩點鏈線一併描繪有鄰接於第2接觸部421而配置之第1接觸部411。如圖23及圖24所示，第1接觸部411之上端部係相較基板9之上表面91位於上方，第2接觸部421之下端部係相較基板9之下表面92位於下方。因此，於基板保持部14，複數個第1接觸部411各自之上端部相較複數個第2接觸部421各自之下端部位於上方。
其次，一面參照圖25一面說明控制部10之控制下之基 板處理裝置1b中之基板9之處理流程。圖25之處理僅為一例，於基板處理裝置1b中，可以各種順序進行各種處理。於基板處理裝置1b中，首先於腔室蓋部122如圖14所示位於上方之狀態下，搬送基板9，且利用基板保持部14進行保持(步驟S21)。腔室蓋部122移動至下方，且如圖26所示，藉由第1接合部241及第2接合部242，而將周方向上之頂板123對於基板支持部141之相對位置固定。
繼而，如圖27所示，解除板保持部222對頂板123之 保持，腔室蓋部122移動至上方，腔室蓋部122自頂板123隔開。頂板123對於腔室蓋部122及基板支持部141之上下方向之相對位置由 頂板移動機構126之第1磁鐵261及第2磁鐵262固定。頂板123係位於上述第1接近位置，且基板按壓部142未與基板9相接。又，腔室蓋部122與腔室側壁部22隔開，於基板9之周圍(即直徑方向外側)，於腔室蓋部122與腔室側壁部22之間形成環狀開口81。以下，將形成有環狀開口81之腔室12之狀態稱為「半開放狀態」。又，將圖14之狀態稱為「開放狀態」。
杯部161a係自圖14所示之位置上升，且如圖27所示， 遍及全周地位於環狀開口81之直徑方向外側。如此般，杯移動機構162a(參照圖14)使杯部161a於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置、與相較第1位置為下方之第2位置(參照圖14)之間沿上下方向移動。於位於第1位置之杯部161a，側壁部611與環狀開口81於直徑方向上對向。
於位於第1位置之杯部161a，上表面部612之內緣部之 上表面遍及全周地與腔室蓋部122之唇形密封232相接。藉此，於腔室蓋部122與杯部161a之上表面部612之間，形成防止氣體或液體通過之第1密封615。又，杯部161a之下表面部613之上表面係遍及全周地與腔室本體121之外密封部169之下表面相接。藉此，於腔室本體121與杯部161a之下表面部613之間，形成防止氣體或液體通過之第2密封616。
於基板處理裝置1b中，杯部161a之上表面部612係於 第1位置形成第1密封615之第1密封部，下表面部613係於第1位置形成第2密封616之第2密封部。而且，藉由半開放狀態之腔室12(即，形成有環狀開口81之狀態之腔室本體121及腔室蓋部122)、以及位於第1位置之杯部161a，而形成密閉之空間160(以下稱為「密 閉空間160」)。若形成密閉空間160，則自上部噴嘴181供給氮氣，從而密閉空間160內成為氮環境(即低氧環境)。
其次，藉由基板旋轉機構15，而使基板支持部141、基板9及頂板123開始旋轉。又，藉由省略圖示之加熱器，而加熱基板9。將來自第1處理液供給部183(參照圖16)之第1處理液自與頂板123之中央之開口對向之上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之中央部。第1處理液藉由基板9之旋轉而朝向外周部擴散，使上表面91整體由第1處理液被覆，從而於氮環境中進行蝕刻(步驟S22)。
亦自下部噴嘴182對基板9之下表面92之中央部供給第1處理液，且該第1處理液藉由基板9之旋轉而朝向外周部擴散。於密閉空間160內，自基板9之上表面91及下表面92飛散之第1處理液經由環狀開口81而由杯部161a接收，且由第1回收部194(參照圖16)回收。於經回收之第1處理液可再次利用之情形時，經由過濾器等而自第1處理液中將雜質等去除後，進行再次利用。
若第1處理液之蝕刻結束，則停止第1處理液之供給。繼而，上部噴嘴181噴出氮氣，藉由基板9之旋轉，而自基板9去除第1處理液。由於頂板123與基板支持部141一併旋轉，故而第1處理液幾乎未殘存於頂板123之下表面，從而不存在第1處理液自頂板123落下之情況。
其次，如圖28所示，腔室蓋部122及杯部161a朝向下方移動。而且，因腔室蓋部122之唇形密封231與腔室側壁部22之上部相接，腔室12形成密閉之內部空間120。於腔室12被密閉之狀態下，基板9與腔室12之內壁直接對向，於該等之間不存在其他液體接收部。內部空間120係與密閉空間160同樣地為氮環境(即低氧環境)。
於腔室蓋部122移動時，以第1磁鐵261之上下方向之 位置不產生變化之方式，即，以頂板123對於基板支持部141及基板9之上下方向之相對位置不產生變化之方式，藉由磁鐵移動機構263來調整第2磁鐵262之位置。因此，頂板123不自第1接近位置移動，從而基板按壓部142不與基板9相接。
若形成有內部空間120，則藉由上部噴嘴181連續地吐 出作為純水之第2處理液，而將第2處理液供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部。第2處理液藉由基板9之旋轉而朝向外周部擴散，且自基板9之外周緣朝向外側飛散。自下部噴嘴182對基板9之下表面92之中央部供給第2處理液，且該第2處理液藉由基板9之旋轉而朝向外周部擴散。自基板9飛散之第2處理液即使用後之水由腔室12之內壁(即腔室蓋部122及腔室側壁部22之內壁)接收，且經由第2回收部195(參照圖16)被廢棄(步驟S23)。藉此，亦進行腔室12內之清洗。
將純水之沖洗進行既定時間後，停止第2處理液之供 給，且如圖29所示，藉由頂板移動機構126而使頂板123朝向下方移動，從而頂板123位於上述第2接近位置。於頂板123位於第2接近位置之狀態下，基板按壓部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。基板按壓部142係因頂板123之自重而將基板9按壓至基板支持部141。基板9係由基板支持部141與基板按壓部142自上下夾持而被牢固地保持。
繼而，將自第3處理液供給部185供給之作為IPA之第 3處理液經由上部噴嘴181自頂板123之中央之開口吐出。繼而，若頂板123與基板9之間充滿第3處理液，則停止第3處理液之供給。藉此，於基板9上將純水置換為IPA(步驟S24)。再者，於步驟S23中， 不存在於頂板123與基板9之間充滿第2處理液之情況。
其次，於內部空間120內，基板9係與基板支持部141、 基板按壓部142及頂板123一併高速旋轉，並且自上部噴嘴181噴出氮氣，將第3處理液自基板9上去除。基板9係以相較步驟S22、S23中之旋轉速度高之旋轉速度進行旋轉。自基板9飛散之第3處理液係由腔室12之內壁接收，且由第2回收部195回收。此時，藉由減壓部196而將腔室12之內部空間120減壓，從而促進基板9之乾燥(步驟S25)。於再次利用由第2回收部195回收之第3處理液之情形時，自第3處理液中去除雜質等。若基板9之乾燥結束，則基板9之旋轉停止。再者，亦可於乾燥時加熱基板9。
其後，內部空間120恢復至常壓。又，藉由頂板移動機 構126而使頂板123移動至上方，且如圖26所示，藉由腔室蓋部122來保持頂板123。繼而，腔室蓋部122及頂板123上升，如圖14所示，腔室12成為開放狀態。於步驟S25中，由於頂板123與基板支持部141一併旋轉，故而液體幾乎未殘存於頂板123之下表面，從而不存在於腔室蓋部122上升時液體自頂板123落下至基板9上之情況。基板9係藉由外部之搬送機構而搬出(步驟S26)。
於基板處理裝置1b之處理液供給部18，如圖30所示， 亦可追加掃描噴嘴188。於利用掃描噴嘴188時，腔室蓋部122自腔室本體121向上方較大地隔開，成為頂板123自基板支持部141隔開之開放狀態。因此，頂板123不旋轉。於腔室蓋部122與腔室本體121之間，自腔室12外部將掃描噴嘴188插入，且移動至基板9上。掃描噴嘴188係雙流體噴嘴，且例如進行SCl處理後之純水清洗。掃描噴嘴188亦可為除雙流體噴嘴以外之類型之噴嘴。掃描噴嘴188係一面 沿水平方向擺動一面對基板9之上表面91供給處理液。掃描噴嘴188亦可為其他處理用之其他種類之噴嘴。來自掃描噴嘴188之處理液由位於第1位置之杯部161a接收並回收，且視需要進行再次利用。於使用雙流體噴嘴作為掃描噴嘴188時，較理想為於蓋17內連接未圖示之排氣設備，以便可將產生之處理液霧充分排出。
如以上所說明，於基板處理裝置1b中，可於將腔室12 密閉之狀態下在內部空間120內對基板9進行處理，並且可使腔室12成為半開放狀態，於藉由腔室12及杯部161a所形成之密閉空間160內對基板9進行處理。又，亦可使腔室12成為開放狀態，對基板9進行處理。即，於基板處理裝置1b中，與先前相比可利用1個裝置進行各種處理。
於以下說明中，將腔室12之內部空間120中之處理稱 為「第1密閉處理」，將密閉空間160中之處理稱為「第2密閉處理」，將開放狀態下之處理稱為「開放處理」。於基板處理裝置1b中，可連續地進行可於減壓環境或加壓環境下進行處理之第1密閉處理、使用液體接收部16之第2密閉處理、及開放處理。於設置有掃描噴嘴188之情形時，亦可與第1密閉處理或第2密閉處理連續地進行使用掃描噴嘴188之處理。再者，於基板處理裝置1b中，未使密閉空間160成為減壓環境或加壓環境。
於第2密閉處理中，藉由於杯部161a與腔室蓋部122之間形成第1密封615，且於杯部161a與腔室本體121之間形成第2密封616，而由腔室12及杯部161a形成密閉空間160。藉此，可藉由配置於腔室12之外部之杯部161a，而接收密閉空間160內之處理液。如上所述，可藉由使密閉空間160成為低氧環境進行基板9之處理， 而防止或抑制基板9上之膜之氧化。此種低氧環境下之處理例如於在形成有銅配線之基板之聚合物去除處理等中需要防止銅配線之氧化之情形時等較為有用。又，由於杯部161a配置於腔室12之外部，故而可使腔室12小型化。藉此，於進行第1密閉處理時，可削減填充至腔室12之內部空間120中之氣體之量，從而可縮短內部空間120中之伴有減壓或加壓之處理所需之時間。
進而，於第1密閉處理中，藉由第2回收部195而回收 處理液，於第2密閉處理中，藉由第1回收部194而回收處理液，藉此，可一面連續地進行複數種處理液之處理，一面將該複數種處理液分離後回收。藉此，與僅利用腔室之內壁接收複數種處理液且利用多重閥進行分離回收之情形相比，可提高處理液之回收效率，從而可延長處理液之使用期限。進而，亦可容易地防止因混有不同種類之處理液造成微粒之產生、發熱、發煙等。
如上所述，杯部161a包括自側壁部611之上端部朝向 直徑方向內側變寬之大致圓環板狀之上表面部612，且上表面部612與腔室蓋部122相接。又，杯部161a包括自側壁部611之下端部朝向直徑方向外側變寬之大致圓環板狀之下表面部613，且下表面部613與腔室本體121相接。如此般，於基板處理裝置1b中，可以簡單之結構於腔室蓋部122與杯部161a之間容易地形成第1密封615，且於腔室本體121與杯部161a之間容易地形成第2密封616。
於基板處理裝置1b中，可藉由頂板123，而以簡單之結 構防止附著於腔室內部之液體落下至基板9。又，由於頂板123之外周緣相較基板9之外周緣遍及全周地位於直徑方向外側，故而基板9之上表面91之外周部整體由頂板123覆蓋。其結果，可抑制自基板9之 外周緣飛散之處理液於腔室12之內壁等反彈而附著於基板9。進而，可藉由於頂板123位於第2接近位置之狀態下進行處理，而削減利用處理液覆蓋基板9之上表面91時所需之處理液之量。亦可削減供給至頂板123與基板9之間之氣體之量。
如上所述，由於頂板123可相對於腔室蓋部122沿上下 方向移動，故而於第1密閉處理及第2密閉處理之兩者中，可使頂板123與基板支持部141一併旋轉。又，可藉由於利用腔室蓋部122保持頂板123之狀態下，使腔室蓋部122上升，而容易地解除頂板123與基板支持部141之接合。亦可於此種開放狀態下自上部噴嘴181吐出處理液進行處理。
於基板保持部14，基板支持部141之複數個第1接觸部 411於複數個第1接觸位置接觸於基板9之外緣部。而且，於頂板123位於第2接近位置之狀態下，基板按壓部142之複數個第2接觸部421於與複數個第1接觸位置不同之複數個第2接觸位置接觸於基板9之外緣部。如此般，由於自下側支持基板9之結構與自上側按壓基板9之結構於周方向之不同位置接觸於基板9，故而可抑制自基板9之中央部向外緣部移動之處理液殘留於保持基板9之外緣部之保持結構之附近。又，亦可抑制因該保持結構造成處理液反彈。
如上所述，基板保持部14係於基板支持部141之各第1 接觸部411之周方向之兩側，鄰接地配置有基板按壓部142之2個第2接觸部421。藉此，於藉由基板支持部141與基板按壓部142而夾持地保持基板9時，於各第1接觸部411附近，基板9中產生應力，因此，可藉由基板保持部14而牢固地保持基板9。再者，亦可於各第2接觸部421之周方向上之兩側，鄰接地配置2個第1接觸部411。即便於該 情形時，亦於各第2接觸部421附近，基板9中產生應力，因此，可藉由基板保持部14而牢固地保持基板9。
如上所述，基板支持部141之各第1接觸部411之上端 部係相較基板按壓部142之各第2接觸部421之下端部位於上方。即，於上下方向，第1接觸部411與第2接觸部421部分重合。藉此，可藉由利用基板支持部141與基板按壓部142更強力地夾入基板9，而更牢固地保持基板9。又，基板按壓部142可藉由因頂板123之自重將基板9按壓至基板支持部141，而進一步更牢固地保持基板9。
於基板支持部141，各第1接觸部411於隨著朝向直徑 方向內側而朝向下側之第1傾斜面412接觸於基板9之外緣部。藉此，可減小第1接觸部411與基板9之接觸面積，從而減少基板9因與基板支持部141接觸而受到污染之可能性。於基板按壓部142，各第2接觸部421於隨著朝向直徑方向內側而朝向上側之第2傾斜面422接觸於基板9之外緣部。藉此，可減小第2接觸部421與基板9之接觸面積，從而減少基板9因與基板按壓部142接觸而受到污染之可能性。
頂板移動機構126係利用磁力，使頂板123相對於腔室 蓋部122相對地移動。藉此，無需設置直接連接於頂板123之移動機構，便可容易地變更頂板123與基板9之間之上下方向之距離。其結果，於進行第1密閉處理或第2密閉處理時，即便於密閉之內部空間120或密閉空間160內，亦可容易地變更頂板123與基板9之間之距離。
頂板移動機構126係包括設置於頂板軸部235之第1磁 鐵261、設置於腔室蓋部122之第2磁鐵262、及使第2磁鐵262沿上下方向移動之磁鐵移動機構263。基板處理裝置1b可以此方式，以簡單之結構容易地實現頂板123之上下方向之移動。
如上所述，基板按壓部142係固定於頂板123之下表 面，且於使腔室12成為密閉狀態，頂板123位於第2接近位置之狀態下，自上側按壓基板9。又，基板按壓部142係於頂板123位於第1接近位置之狀態下，與基板9隔開。如此般，可藉由利用頂板移動機構126變更頂板123之位置，而容易地按照對基板9之處理內容，切換基板保持部14對基板9之保持狀態。
於基板處理裝置1b中，藉由於頂板123位於第2接近 位置之狀態下，經由上部噴嘴181自頂板123之中央吐出處理液，而使頂板123與基板9之間充滿處理液。其結果，可減少處理液之使用量。又，由於可抑制基板9之上表面91上之處理液接觸於周圍之氣體，故而於周圍之氣體中包含氧之情形時，可抑制處理液之氧化。
於基板處理裝置1b中，轉子部152配置於腔室12之內 部空間120，定子部151配置於腔室12之外部。藉此，可容易地形成具有較高之密閉性之內部空間120。其結果，可容易地實現密閉之內部空間120中之基板9之單片處理。又，與將馬達設置於腔室底部之下方之裝置相比，可將下部噴嘴182等各種結構容易地設置於腔室底部21。
基板旋轉機構15中，轉子部152於內部空間120內以 懸浮狀態旋轉。因此，於內部空間120無需設置支持轉子部152之結構，從而實現基板處理裝置1b之小型化及裝置結構之簡化。由於不會因轉子部152與支持結構之摩擦而產生粉塵等，故而可提昇內部空間120之清潔性。進而，由於支持結構引起之摩擦阻力不作用於轉子部152，故而可容易地實現轉子部152之高速旋轉。
圖31係表示第4實施形態之基板處理裝置1c之剖面 圖。於基板處理裝置1c中，於液體接收部16設置有形狀與圖14所示之杯部161a不同之杯部161b，且腔室本體121包括配置於液體接收凹部165a之外側之環狀液體儲存部166a。其他構成與圖14所示之基板處理裝置1b相同，於以下說明中，對相對應之構成標註相同符號。
如圖31所示，液體儲存部166a包括構成腔室側壁部22 及液體接收凹部165a之構件。液體儲存部166a於包圍液體接收凹部165a之外周的外壁部168之外側，遍及周方向之全周地包圍著液體接收凹部165a而設置。於液體儲存部166a，儲存有密封用液體167。作為密封用液體167，例如利用純水。
圖32係表示基板處理裝置1c之一部分之剖面圖。杯部 161b包括側壁部611、上表面部612及外筒部614。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部向直徑方向內側及直徑方向外側變寬。外筒部614係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且自上表面部612之外緣部朝向下方變寬。外筒部614係自側壁部611隔開地配置於側壁部611之周圍。外筒部614之內周面係與側壁部611之外周面於直徑方向上對向。於圖32所示之狀態下，側壁部611之除上部以外之大部分位於液體接收凹部165a內，且外筒部614之除上部以外之大部分位於儲存於液體儲存部166a之密封用液體167內。
圖33係表示於密閉空間160內進行第2密閉處理之狀態之基板處理裝置1c之一部分之剖面圖。如圖33所示，腔室12為半開放狀態，從而於腔室本體121與腔室蓋部122之間形成環狀開口81。杯部161b係位於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置，且側壁部611與環狀開口81於直徑方向上對向。
位於第1位置之杯部161b係與基板處理裝置1b同樣 地，上表面部612之內緣部之上表面遍及全周地接觸於腔室蓋部122之唇形密封232。藉此，於腔室蓋部122與杯部161b之上表面部612之間，形成防止氣體或液體通過之第1密封615。又，杯部161b之外筒部614之下端部係遍及全周地位於儲存於腔室本體121之液體儲存部166a之密封用液體167內。藉此，於腔室本體121與杯部161b之外筒部614之間，形成防止氣體或液體通過之第2密封616。
杯部161b之上表面部612係於第1位置形成第1密封 615之第1密封部，外筒部614係於第1位置形成第2密封616之第2密封部。藉由半開放狀態之腔室12與位於第1位置之杯部161b，而形成密閉空間160。
如此般，基板處理裝置1c可以簡單之結構於腔室蓋部 122與杯部161b之間容易地形成第1密封615，且於腔室本體121與杯部161b之間容易地形成第2密封616。又，由於第2密封616係藉由使杯部161b之外筒部614之下端部位於密封用液體167內而形成，故而可更確實地防止氣體或液體自第2密封616漏出。
圖34係表示第5實施形態之基板處理裝置1d之一部分 之剖面圖。基板處理裝置1d係於液體接收部16設置有形狀及結構與圖14所示之杯部161a不同之杯部161c。其他構成與圖14所示之基板處理裝置1b相同，於以下說明中，對相對應之構成標註相同符號。
如圖34所示，杯部161c包括側壁部611、上表面部612 及波紋管(bellows)617。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向直徑方向內側及直徑方向外側變寬。波紋管617係以 中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可沿上下方向伸縮。波紋管617係由不使氣體或液體通過之材料形成。
波紋管617係遍及全周地設置於側壁部611之周圍。波 紋管617之上端部係遍及全周地連接於上表面部612之外緣部之下表面。換言之，波紋管617之上端部係經由上表面部612而間接地連接於側壁部611。波紋管617與上表面部612之連接部係防止氣體或液體之通過。波紋管617之下端部係經由構成腔室側壁部22及液體接收凹部165a之構件而間接地連接於腔室本體121。波紋管617之下端部與構成腔室側壁部22及液體接收凹部165a之構件之連接部係防止氣體或液體之通過。
圖35係表示於密閉空間160內進行第2密閉處理之狀 態之基板處理裝置1d之一部分之剖面圖。如圖35所示，腔室12係半開放狀態，且於腔室本體121與腔室蓋部122之間形成環狀開口81。 杯部161c係位於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置，且側壁部611與環狀開口81於直徑方向上對向。
位於第1位置之杯部161c係與基板處理裝置1b相同， 上表面部612之內緣部之上表面遍及全周地接觸於腔室蓋部122之唇形密封232。藉此，於腔室蓋部122與杯部161c之上表面部612之間，形成防止氣體或液體通過之第1密封615。又，於側壁部611之周圍，波紋管617之上端部連接於上表面部612，且波紋管617之下端部間接地連接於腔室本體121。藉此，於腔室本體121與杯部161c之間，形成防止氣體或液體通過之第2密封616。
杯部161c之上表面部612係於第1位置形成第1密封 615之第1密封部，波紋管617係於第1位置形成第2密封616之第2 密封部。藉由半開放狀態之腔室12與位於第1位置之杯部161c，而形成密閉空間160。
如此般，基板處理裝置1d可以簡單之結構於腔室蓋部 122與杯部161c之間容易地形成第1密封615，且於腔室本體121與杯部161c之間容易地形成第2密封616。又，由於第2密封616係藉由將杯部161c之波紋管617之下端部連接於腔室本體121而形成，故而可更確實地防止氣體或液體自第2密封616漏出。
圖36係本發明之第6實施形態之基板處理裝置1e之剖面圖。基板處理裝置1e中，腔室蓋部122對頂板123之保持方法不同。其他構成與圖14所示之基板處理裝置1b相同，於以下說明中，對相對應之構成標註相同符號。
如圖36所示，腔室蓋部122包括環狀之板保持部222a。板保持部222a包括以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部224。筒部223係自腔室蓋部122之下表面朝向下方變寬。凸緣部224係自筒部223之下端朝向直徑方向外側變寬。
頂板123係包括環狀之被保持部237。被保持部237包括以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝向上方變寬。凸緣部239係自筒部238之上端朝向直徑方向內側變寬。筒部238係位於板保持部222a之筒部223之直徑方向外側，且與筒部223於直徑方向上對向。凸緣部239係位於板保持部222a之凸緣部224之上方，且與凸緣部224於上下方向上對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面與板保持部222a之凸緣部224之上表面相接，而將頂 板123以自腔室蓋部122懸垂之方式安裝於腔室蓋部122。
圖37係表示於密閉空間160內進行第2密閉處理之狀態之基板處理裝置1e之一部分之剖面圖。如圖37所示，腔室12為半開放狀態，且於腔室本體121與腔室蓋部122之間形成環狀開口81。杯部161a係位於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置，且側壁部611與環狀開口81於直徑方向上對向。
位於第1位置之杯部161a係與基板處理裝置1b相同，上表面部612之內緣部之上表面遍及全周地接觸於腔室蓋部122之唇形密封232。藉此，於腔室蓋部122與杯部161a之上表面部612之間，形成防止氣體或液體通過之第1密封615。又，下表面部613之上表面係遍及全周地接觸於腔室本體121之外密封部169之下表面。藉此，於腔室本體121與杯部161a之下表面部613之間，形成防止氣體或液體通過之第2密封616。
頂板123係藉由第2接合部242嵌入第1接合部241，而於周方向上與基板支持部141之支持部基底413接合。換言之，藉由第1接合部241及第2接合部242，而限制頂板123相對基板支持部141之旋轉方向上之相對位置。又，基板按壓部142之複數個第2接觸部421係與基板9之外緣部相接。
被保持部237之凸緣部239係自板保持部222a之凸緣部224隔開地位於凸緣部224之上方。於圖37所示之狀態下，頂板123與腔室蓋部122之間之上下方向之距離小於圖36所示之狀態。即，頂板123係以與腔室蓋部122之間之上下方向之距離可變更之狀態安裝於腔室蓋部122。
於圖37所示之狀態下，板保持部222a與被保持部237 未接觸，頂板123隔著基板按壓部142及基板9由基板支持部141支持。基板按壓部142因頂板123之自重而將基板9按壓至基板支持部141。
圖38係於與圖37不同之位置將進行第2密閉處理之狀 態之基板處理裝置1e之一部分切斷所得之剖面圖。如圖38所示，於頂板123之下表面、及基板支持部141之支持部基底413上，設置有於上下方向上對向之一對磁鐵143a、143b(以下，亦將2個磁鐵統稱為「磁鐵對143」)。基板處理裝置1e中，複數個磁鐵對143以等角度間隔配置於周方向上與第1接觸部411、第2接觸部421、第1接合部241及第2接合部242(參照圖37)不同之位置。於基板按壓部142接觸於基板9之狀態下，因作用於一對磁鐵143a、143b之間之磁力(引力)，向下之力作用於頂板123。藉此，如圖37所示，基板按壓部142將基板9按壓至基板支持部141。
基板處理裝置1e中，基板按壓部142因頂板123之自 重、及複數個磁鐵對143之磁力而將基板9按壓至基板支持部141，藉此，可利用基板按壓部142與基板支持部141自上下夾持地牢固保持基板9。再者，磁鐵對143可僅設置1對，即便於該情形時，亦可藉由磁鐵對143之磁力而將基板9牢固地保持。
於圖37及圖38所示之狀態下，如上所述，板保持部222a 與被保持部237未接觸，頂板123自腔室蓋部122獨立，且與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一併藉由基板旋轉機構15而旋轉。
圖39係表示於腔室12之內部空間120內進行第1密閉 處理之狀態之基板處理裝置1e之一部分之剖面圖。如圖39所示，腔 室12為密閉狀態，杯部161a位於上述第2位置。於圖39所示之狀態下，頂板123與腔室蓋部122之間之上下方向之距離小於圖36及圖37所示之狀態。又，於圖39所示之狀態下，頂板123與基板9之間之上下方向之距離與圖37所示之狀態相同，基板按壓部142與基板9之外緣部相接而將基板9按壓至基板支持部141。板保持部222a與被保持部237未接觸，且頂板123自腔室蓋部122獨立，而與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一併旋轉。
於腔室蓋部122上升至圖36所示之開放狀態時，藉由 設置於板保持部222a之凸緣部224之上表面之複數個突起嵌入至設置於被保持部237之凸緣部239之下表面之環狀槽部，而將頂板123對準於腔室蓋部122。再者，亦可採用其他結構作為對準結構。
基板處理裝置1e中，亦與基板處理裝置1b同樣地，可 藉由配置於腔室12之外部之杯部161a，而於密閉空間160中接收處理液。又，可抑制處理液殘留於保持基板9之外緣部之保持結構之附近。 亦可抑制該保持結構導致處理液飛濺。基板處理裝置1e中，亦可追加圖30所示之掃描噴嘴188。
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不 限定於上述實施形態，可進行各種變更。
基板處理裝置1、1a~1e中，可進行其他各種處理。例 如可進行SPM(硫酸、雙氧水混合液，Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)之處理。於開放狀態、半開放狀態、密閉狀態下進行之處理之順序或處理內容亦可進行各種變更。
由液體接收部16之杯部接收之處理液亦可全部被視為 廢液。相反地，亦可全部進行回收。由腔室12接收之處理液亦既可視 為廢液，亦可進行回收。杯部之數量既可為1個，亦可為3個以上。複數個杯部亦可同時升降。於不存在因處理液之若干之混合而產生問題之情形時，各杯部亦可接收複數種處理液。於該情形時，亦可於來自杯部之排液路設置多重閥。
於杯部161a、161b、161c，亦可藉由除上表面部612以外之部位(例如側壁部611)與腔室蓋部122相接，而於杯部161a、161b、161c與腔室蓋部122之間形成第1密封615。杯部161a、161b、161c之形狀可適當變更。
上部噴嘴181或下部噴嘴182之形狀並不限定於突出之形狀。若為具有吐出處理液之吐出口之部位，則均包含於本實施形態之噴嘴之概念。
腔室開閉機構可為使腔室12以各種態樣開閉之機構，且只要為使包括腔室12之上部或下部之腔室活動部對於其他部位相對地升降之機構即可。藉由腔室活動部之移動，而於基板9之周圍形成環狀開口81。
例如腔室開閉機構131並非必須使腔室蓋部122沿上下方向移動，亦可藉由於將腔室蓋部122固定之狀態下，使腔室本體121沿上下方向移動，而於開放狀態、半開放狀態及密閉狀態之間切換腔室12之狀態。
基板處理裝置1、1a中，頂板123與基板保持部14之周方向上之接合亦可採用其他結構。例如，可為自頂板123突出至下方之突起與自基板保持部14突出至上方之突起僅於周方向接觸之結構。
基板處理裝置1b~1e中，作為將頂板123與基板支持 部141於周方向上接合之機構，亦可採用與第1接合部241及第2接合部242不同之結構。例如，可為自頂板123突出至下方之突起與自基板支持部141之支持部基底413突出至上方之突起僅於周方向上接觸之結構之結構。
圖1所示之基板旋轉機構15之結構可進行各種變更。 轉子部152並非必須以懸浮狀態旋轉，亦可於腔室12之內部空間120設置機械地支持轉子部152之導件等結構，且轉子部152沿該導件旋轉。
基板旋轉機構15並非必須為中空馬達，如圖40所示， 亦可利用軸旋轉型馬達作為基板旋轉機構15a。基板旋轉機構15a於腔室12之外部配置於腔室12之下方。於基板支持部141，於大致圓環板狀之支持部基底413之下表面，固定有大致圓板狀之連接部414。將基板旋轉機構15a之旋轉軸155連接於連接部414之中央之開口。將下部噴嘴182設置於基板旋轉機構15a之旋轉軸155之上端。
基板處理裝置1中，亦可省略上部噴嘴181或下部噴嘴 182中之一者。即，處理液供給部18對基板9之上表面或下表面供給處理液。又，亦可省略頂板123。
亦可省略液體接收部16而僅進行密閉處理之裝置中可 採用腔室蓋部122及頂板123之結構。
頂板移動機構126中，並非必須設置磁鐵移動機構263。例如亦可於腔室蓋部122之收容部221之周圍，沿上下方向排列複數個環狀之電磁鐵，且藉由將1個或2個電磁鐵選擇性地導通，而控制第1磁鐵261之上下方向之位置，藉此，使頂板123沿上下方向移動。於進行第2密閉處理之密閉空間160內，亦可利用頂板移動機構126 進行頂板123之位置變更。
基板處理裝置1e之磁鐵對143亦可設置於基板處理裝置1b、1c、1d之頂板123及基板支持部141。
上述基板處理裝置中，設置有頂板123作為配置於基板支持部141之上方且與基板支持部141一併旋轉之上側旋轉構件，但例如亦可設置大致圓環板狀之上側旋轉構件代替頂板123，且於上側旋轉構件之下表面設置基板按壓部142。於該情形時，基板處理裝置1b、1c、1d中，藉由自頂板軸部235呈放射狀延伸之連接部，而將頂板軸部235與大致圓環板狀之上側旋轉構件連接。又，基板處理裝置1e中，於上側旋轉構件之上表面固定有被保持部237。上述基板處理裝置中，亦可省略上側旋轉構件。
於基板保持部14，於基板支持部141之各第1接觸部411之周方向上之兩側，鄰接地配置有基板按壓部142之2個第2接觸部421，但鄰接於1個第1接觸部411之兩側而配置之2個第2接觸部421亦可為於1個構件之周方向隔開之2個部位。又，於在各第2接觸部421之周方向之兩側鄰接地配置有2個第1接觸部411之情形時，2個第1接觸部411亦可為於1個構件之周方向隔開之2個部位。再者，第1接觸部411與第2接觸部421並非必須鄰接地配置，例如4個第1接觸部411與4個第2接觸部421亦可交替地以等角度間隔排列。
基板保持部14並非必須分割成基板支持部141與基板按壓部142而設置。例如亦可藉由將各自具有向直徑方向外側凹陷之凹部之複數個保持結構設置於支持部基底413上，且將基板9之外緣部插入至各保持結構之凹部，而使各保持結構自基板9之下側、側方及上側相接地保持基板9。
於上述步驟S21~S26中，於需要將第3處理液與第1 及第2處理液進行分離回收之情形時，於步驟S23與步驟S24之間，使腔室12自半開放狀態成為密閉狀態。又，於對基板9之處理中，亦可不必對基板9之下表面92供給處理液。於上述基板處理裝置中，可對基板9供給各種處理液(例如SPM(硫酸、雙氧水混合液))，進行除步驟S21~S26所示之處理以外之各種處理。又，腔室12之內部空間120或密閉空間160之環境亦可進行各種變更。再者，亦可不必設置腔室12。
由基板處理裝置處理之基板並不限定於半導體基板，亦可為玻璃基板或其他基板。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾便可適當組合。
對發明詳細地進行了描寫及說明，但上述說明為例示性而非限定性者。因此，可以說只要不脫離本發明之範圍，可實現多種變形或態樣。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體接收部
17‧‧‧蓋
21‧‧‧腔室底部
22‧‧‧腔室側壁部
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧蓋部升降機構(腔室開閉機構)
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
161‧‧‧第1杯部
162‧‧‧第1杯升降機構
163‧‧‧第2杯部
164‧‧‧第2杯升降機構
165‧‧‧第1凹部
166‧‧‧第2凹部
171‧‧‧多孔部
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
191‧‧‧第1排出路
192‧‧‧第2排出路
193‧‧‧第3排出路
211‧‧‧中央部
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧基底部
J1‧‧‧中心軸

Claims (43)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：腔室，其形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將包括上述腔室之上部或下部之腔室活動部對於其他部位相對地升降，並藉由使上述腔室活動部接觸於上述其他部位而形成上述內部空間；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其對上述基板之上表面或下表面供給處理液；及杯部，其藉由使上述腔室活動部移動且自上述其他部位離開而位於形成於上述基板周圍之上述腔室活動部與上述其他部位之間之環狀開口之直徑方向外側，且接收自旋轉之上述基板所飛散之處理液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，並且具備有杯升降機構，而該杯升降機構係藉由升降上述杯部，將上述杯部移動於上述環狀開口之直徑方向外側之位置、與相較該位置為下方之其他位置之間。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，並且具備有位於上述腔室之直徑方向外側之其他杯部，且藉由利用上述杯升降機構使上述杯部進行升降，而切換於上述杯部接收來自上述基板之處理液之狀態、與於上述其他杯部接收來自上述基板之處理液之狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部包括有於上述腔室活動部與上述其他部位為隔開 之狀態下自上述腔室外部朝向上述基板上移動之噴嘴。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，於上述杯部接收自上述基板所飛散之處理液之狀態下，上述杯部之上部與上述腔室之上述上部產生接近或接觸。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述腔室活動部包括有上述腔室之上述下部，且上述腔室包括有：腔室固定部，其位於上述腔室活動部之上側；及腔室蓋部，其位於上述腔室固定部之上側；而上述基板處理裝置並且包括有：蓋部升降機構，其升降上述腔室蓋部；及間隔板，其於上述杯部之上方，自上述腔室固定部朝向外側延伸。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部對上述基板供給純水及藥液，且於上述腔室內被密閉之狀態下，上述腔室接收自上述基板所飛散之IPA或水，於形成有上述環狀開口之狀態下，上述杯部接收自上述基板所飛散之藥液。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，並且具備有使上述腔室內進行減壓之減壓部。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，並且具備有使上述腔室內進行加壓之加壓部。
  10. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：腔室，其形成密閉之內部空間； 腔室開閉機構，其將包括上述腔室之上部之腔室蓋部對於其他部位相對地升降；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；及頂板，其係垂直於上述中心軸之板狀，且以能夠以上述中心軸為中心旋轉之方式安裝於上述腔室蓋部，於上述腔室形成密閉之上述內部空間之狀態下，於以上述中心軸為中心之周方向上，與上述基板保持部產生接合。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部包括有噴嘴，該噴嘴係藉由於上述頂板與上述基板保持部產生接合之狀態下，利用自上述頂板之中央吐出處理液，而將處理液供給至上述頂板與上述基板之間。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，並且具備有氣體供給部，而該氣體供給部係於上述頂板與上述基板保持部產生接合之狀態下，將氣體供給至上述頂板與上述基板之間。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，並且具備有位於上述腔室周圍之杯部，且於藉由上述腔室蓋部之移動而於上述基板之周圍形成有環狀開口之狀態下，上述杯部係位於上述環狀開口之直徑方向外側，且接收自旋轉之上述基板所飛散之處理液。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，上述頂板係於可變更與上述腔室蓋部之間之距離之狀態下，安裝於 上述腔室蓋部，於上述腔室蓋部與上述腔室之上述其他部位之間之距離為第1距離之情形時，上述頂板係於上述周方向上，與上述基板保持部產生接合，且於上述腔室蓋部與上述腔室之上述其他部位之間之距離為大於上述第1距離之第2距離之情形時，上述頂板與上述基板保持部為隔開。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，並且具備有杯升降機構，而該杯升降機構係藉由升降上述杯部，將上述杯部移動於上述環狀開口之直徑方向外側之位置、與相較該位置為下方之其他位置之間。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，並且具備有位於上述腔室之直徑方向外側之其他杯部，且藉由利用上述杯升降機構使上述杯部進行升降，而切換於上述杯部接收來自上述基板之處理液之狀態、與於上述其他杯部接收來自上述基板之處理液之狀態。
  17. 如申請專利範圍第13至16項中任一項之基板處理裝置，其中，於上述杯部接收自上述基板所飛散之處理液之狀態下，上述杯部之上部與上述腔室之上述上部產生接近或接觸。
  18. 如申請專利範圍第13至16項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部對上述基板供給純水及藥液，於上述腔室內被密閉之狀態下，上述腔室接收自上述基板所飛散之IPA或水，且於形成有上述環狀開口之狀態下，上述杯部接收自上述基板所飛散之藥液。
  19. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：腔室，其具有腔室本體及腔室蓋部，且藉由利用上述腔室蓋部阻塞上述腔室本體之上部開口，而形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將上述腔室蓋部相對於上述腔室本體而於上下方向上相對地移動；基板保持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下保持基板；基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心，將上述基板與上述基板保持部一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；杯部，其藉由上述腔室蓋部自上述腔室本體隔開，而以遍及全周之方式位於形成於上述基板周圍之環狀開口之直徑方向外側，且接收自旋轉之上述基板所飛散之處理液；及杯移動機構，其將上述杯部於上述上下方向移動於上述環狀開口之直徑方向外側之第1位置、與相較上述第1位置為下方之第2位置之間；上述杯部包括有：呈大致圓筒狀之側壁部，其係於上述第1位置，與上述環狀開口對向於上述直徑方向；第1密封部，其係於上述第1位置，於與上述腔室蓋部之間以遍及全周之方式形成第1密封；及第2密封部，其係於上述第1位置，於與上述腔室本體之間以遍及全周之方式形成第2密封；藉由形成上述環狀開口之狀態下之上述腔室蓋部及上述腔室本體、以及位於上述第1位置之上述杯部，而形成密閉之空間。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述第1密封部係自上述側壁部之上端部向直徑方向內側延伸之呈大致圓環狀，且上述第1密封部係藉由接觸於上述腔室蓋部，而於與上述腔室蓋部之間形成上述第1密封。
  21. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體具備有以遍及以上述中心軸為中心之周方向之全周之方式所設置之儲存密封用液體之液體儲存部，上述第2密封部係呈大致圓筒狀，且配置於上述側壁部之周圍，且藉由上述第2密封部之下端部位於儲存於上述液體儲存部之上述密封用液體內，而於與上述腔室本體之間形成上述第2密封。
  22. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述第2密封部係於上述側壁部之周圍以遍及全周之方式所設置之波紋管，上述第2密封部之上端部連接於上述側壁部，上述第2密封部之下端部連接於上述腔室本體。
  23. 如申請專利範圍第19至22項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板旋轉機構包括有：環狀之轉子部，其配置於上述腔室之上述內部空間，且安裝有上述基板保持部；及定子部，其於上述腔室外配置於上述轉子部之周圍，且與上述轉子部之間產生旋轉力。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板處理裝置，其中，上述轉子部係藉由作用於與上述定子部之間之磁力，而於上述內部 空間內以懸浮狀態之方式產生旋轉。
  25. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：基板支持部，其於水平狀態下自下側支持基板；上側旋轉構件，其配置於上述基板支持部之上方；位置限制構件，其在以朝向上下方向之中心軸為中心之周方向上，限制上述上側旋轉構件相對於上述基板支持部之相對位置；基板按壓部，其固定於上述上側旋轉構件，且自上側按壓由上述基板支持部所支持之上述基板；基板旋轉機構，其將上述基板與上述基板支持部、上述基板按壓部及上述上側旋轉構件一併旋轉；及處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；上述基板支持部具備有複數個第1接觸部，而該複數個第1接觸部係在複數個第1接觸位置，分別接觸於上述基板之外緣部，上述基板按壓部具備有複數個第2接觸部，而該複數個第2接觸部係在於上述周方向上與上述複數個第1接觸位置不同之複數個第2接觸位置，分別接觸於上述基板之上述外緣部。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，於各第1接觸部之周方向之兩側，以鄰接於上述各第1接觸部之方式配置有2個第2接觸部，或者，於各第2接觸部之周方向之兩側，以鄰接於上述各第2接觸部之方式配置有2個第1接觸部。
  27. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，上述複數個第1接觸部係分別具有隨著朝向以上述中心軸為中心之直徑方向內側而朝向下側之第1傾斜面，且於上述第1傾斜面與上述基板之外緣部產生接觸。
  28. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，上述複數個第2接觸部係分別具有隨著朝向以上述中心軸為中心之直徑方向內側而朝向上側之第2傾斜面，且於上述第2傾斜面與上述基板之外緣部產生接觸。
  29. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，上述複數個第1接觸部各自之上端部係相較於上述複數個第2接觸部各自之下端部而位於上方。
  30. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中並且具備有：腔室，其具有腔室本體及腔室蓋部，且藉由利用上述腔室蓋部阻塞上述腔室本體之上部開口，而形成密閉之內部空間；及腔室開閉機構，其將上述腔室蓋部相對於上述腔室本體而於上述上下方向上相對地移動；上述基板支持部係配置於上述腔室內，且於上述腔室蓋部於上述上下方向上相對地移動時，上述上側旋轉構件由上述腔室蓋部所支持且一併移動。
  31. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，上述上側旋轉構件係為垂直於上述中心軸之板狀，且上述上側旋轉構件之下表面係對向於上述基板之上表面。
  32. 如申請專利範圍第31項之基板處理裝置，其中，上述上側旋轉構件之外周緣係於以上述中心軸為中心之直徑方向，且相較於上述基板之外周緣以遍及全周之方式位於更外側。
  33. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，於上述基板支持部及上述上側旋轉構件設置有在上述上下方向上對 向之一對磁鐵，且藉由作用於上述一對磁鐵之間之磁力，上述基板按壓部則將上述基板朝向上述基板支持部進行按壓。
  34. 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置，其中，因上述上側旋轉構件之自重，上述基板按壓部將上述基板朝向上述基板支持部按壓。
  35. 如申請專利範圍第25至34項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板旋轉機構包括有：環狀之轉子部，其配置於上述腔室之上述內部空間，且安裝有上述基板支持部；及定子部，其於上述腔室外配置於上述轉子部之周圍，且與上述轉子部之間產生旋轉力。
  36. 如申請專利範圍第35項之基板處理裝置，其中，上述轉子部藉由作用於與上述定子部之間之磁力，而於上述內部空間內以懸浮狀態之方式產生旋轉。
  37. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包括：腔室，其具有腔室本體及腔室蓋部，且藉由利用上述腔室蓋部阻塞上述腔室本體之上部開口，而形成密閉之內部空間；腔室開閉機構，其將上述腔室蓋部相對於上述腔室本體而於上下方向上相對地移動；基板支持部，其配置於上述腔室內，且於水平狀態下支持基板；頂板，其配置於上述基板支持部之上方，且具有對向於上述基板並且垂直於朝向上下方向之中心軸之下表面；位置限制構件，其在以上述中心軸為中心之周方向上，限制上述頂板相對於上述基板支持部之相對位置； 基板旋轉機構，其以上述中心軸為中心，將上述基板與上述基板支持部及上述頂板一併旋轉；處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上；及頂板移動機構，其利用磁力，將上述頂板相對於上述腔室蓋部而於上述上下方向上相對地移動。
  38. 如申請專利範圍第37項之基板處理裝置，其中，並且具備有以上述中心軸為中心之呈大致圓柱狀且固定於上述頂板之上表面之頂板軸部，上述頂板軸部之至少一部分係收容於設置在上述腔室蓋部之呈大致有蓋圓筒狀之收容部，且上述頂板移動機構包括有：第1磁鐵，其於上述頂板軸部，沿上述頂板軸部之外周面而配置於上述周方向；第2磁鐵，其於上述腔室蓋部，在上述收容部之周圍而配置於上述周方向；及磁鐵移動機構，其藉由將上述第2磁鐵移動於上述上下方向，而將上述頂板軸部與上述頂板一併移動於上述上下方向。
  39. 如申請專利範圍第37項之基板處理裝置，其中，上述頂板之外周緣係於以上述中心軸為中心之直徑方向上，且相較於上述基板之外周緣以遍及全周之方式位於更外側。
  40. 如申請專利範圍第37項之基板處理裝置，其中，並且具備有固定於上述頂板之基板按壓部，上述基板支持部係自下側支持上述基板，藉由利用上述頂板移動機構將上述頂板移動至下方，使上述基板按 壓部接觸於上述基板之外緣部，而自上側按壓上述基板。
  41. 如申請專利範圍第37項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部包括有噴嘴，而該噴嘴係藉由自上述頂板之中央所吐出處理液，而使上述頂板與上述基板之間充滿處理液。
  42. 如申請專利範圍第37至41項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板旋轉機構包括有：環狀之轉子部，其配置於上述腔室之上述內部空間，且安裝有上述基板支持部；及定子部，其於上述腔室外配置於上述轉子部之周圍，且與上述轉子部之間產生旋轉力。
  43. 如申請專利範圍第42項之基板處理裝置，其中，上述轉子部藉由作用於與上述定子部之間之磁力，而於上述內部空間內以懸浮狀態之方式產生旋轉。
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