TWI469978B - 雜環化合物及包含其之有機電子裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種新穎雜環化合物以及一種包含其之有機電子裝置。
本發明係主張於2012年7月13日所提出之韓國專利申請第10-2012-0076493號之優先權,其所揭示之內容係以它的整體而併入本發明以供參考。本發明亦主張於2013年5月13日所提出之韓國專利申請第10-2013-0053866號之優先權,其所揭示之內容以它的整體而併入本發明以供參考。
如本說明書中所用,“有機電子裝置”之用語意旨一裝置,其需要利用電洞及/或電子介於電極及有機材料之間的電荷交換。該有機電子裝置可依據其運作原則大致上分為下列兩類型:一類型係一電子裝置,其具有一結構,其中藉由來自外部光源之光子進入該裝置,以於一有機材料層中形成激子,然後分成一電子及一電洞,其轉移至不同的電極以做為一電流源(電壓源);以及另一類型係一電子裝置,其具有一結構,其中一電壓或一電源係供給兩個或多個電極,
以將一電洞及/或一電子注入一位於電極間介面處的有機半導體,以及利用所注入的電子及電洞來操作該裝置。
該有機電子裝置的例子包括一有機發光裝置、一有機太陽能電池、一有機電晶體以及諸如此類等,其皆需要一電洞注入或電洞傳輸材料、一電子注入或電子傳輸材料或一發光材料以驅動該裝置。下文中,將主要具體描述該有機發光裝置,但在上述有機電子裝置中,該電洞注入或電洞傳輸材料、該電子注入或電子傳輸材料、或該發光材料注入係依據相似的原理以產生功效。
一般而言,"有機發光現象"之用語意旨一其中利用有機材料將電能轉換成光能之現象。該利用有機發光現象的有機發光裝置通常具有一結構,其包括一陽極、一陰極以及一插設於其間的有機材料層。在本說明書中,該有機層常具有一多層結構,其係由不同材料所組成之複數個膜層所構成,以增加該有機發光裝置的效率及安定性。例如,該有機材料層可由一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層、一電子注入層以及諸如此類等所構成。在具有此結構的有機發光裝置中,當在兩電極之間施予一電壓時,將來自陽極的電洞以及來自陰極的電子注入該有機材料層,且該注入的電洞及電子彼此結合以形成激子。當該激子接著降至基態時會放光。
如上所述,該用於有機發光裝置之新穎材料的發展一直有所需求,且亦需要發展如上所述之用於其他有機電子裝置之材料。
先前技術文獻
專利文獻
世界專利公告號WO 2003/012890
據此,本發明之一目的係提供一種雜環化合物,其具有一化學結構,該化學結構係依據其取代基可提供有機電子裝置所需之各種功能;以及提供一種包括其之有機電子裝置。
本發明提供該化合物,係由下列式1所表示:
其中n為2,X1
至X3
係相同或相異,且各自獨立地為一三價雜原子或CH,以及X1
至X3
中至少一者係一三價雜原子,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且各自獨立地為一經取代或未經取代之芳基或雜環基、L係一經取代或未經取代之伸芳基、一經取代或
未經取代之伸烯基、一經取代或未經取代之伸芴基或一經取代或未經取代之雜環基、其具有一擇自O、N、S及P的雜原子,以及Ar3
係擇自由下列所組成之群組:一經取代或未經取代之1,3-苯基、一經取代或未經取代之1,2-苯基、一經取代或未經取代之9,10-菲基、一經取代或未經取代之2,7-菲基、一經取代或未經取代之1,8-菲基、一經取代或未經取代之3,6-二苯並噻吩基、一經取代或未經取代之3,6-二苯並呋喃基、一經取代或未經取代之1,8-二苯並噻吩基、一經取代或未經取代之1,8-二苯並呋喃基、一經取代或未經取代之並四苯基(tetracenyl group)、一經取代或未經取代之草屈基(chrysenyl group)、一經取代或未經取代之苯並二氫苊(fluoranthene group)、一經取代或未經取代之二苯並哌喃基(xanthene group)以及一經取代或未經取代之苊基。
本發明亦提供一種有機電子裝置,其包括一第一電極、一第二電極以及一或多個插設於該第一電極以及該第二電極之間的有機材料層,其中一或多個該有機材料層包括式1之雜環化合物。
依據本發明之該新穎化合物可用來做為一用於有機電子裝置(包括有機發光裝置)之該有機材料層的材料。依據本發明之該新穎化合物的使用可改善有機電子裝置(包括有機發光裝置)的效率,降低該裝置的趨動電壓及/或改善該裝置的使用壽命特性。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陽極
3‧‧‧發光層
4‧‧‧陰極
5‧‧‧電洞注入層
6‧‧‧電洞傳輸層
7‧‧‧發光層
8‧‧‧電子傳輸層
圖1係顯示一有機發光裝置之實施例,該有機發光裝置係由一基板1、一陽極2、一發光層3以及一陰極4所構成。
圖2係顯示一有機發光裝置之實施例,該有機發光裝置係由一基板1、一陽極2、一電洞注入層5、一電洞傳輸層6、一發光層7、一電子傳輸層8以及一陰極4所構成。
本發明係提供該由上述式1所表示之化合物。
在本發明中,該三價雜原子的例子包括,但不限於,N及P。
在本發明之一實施例中,該三價雜原子為N。
在本發明之一實施例中,X1
至X3
係相同或相異,且各自獨立地為N或CH,以及X1
至X3
中至少一者為N。
在本發明之一實施例中,n為2。
在本發明之一實施例中,當n為2時,X1
至X3
、Ar1
至Ar3
以及L可為相同或相異。
在本發明之一實施例中,n為2,以及Ar3
係擇自下列結構:
其中a、a’、c、c’、d及d’各為一1至3範圍內的整數,b為一1至2範圍內的整數,e及e’各為一1至4範圍內的整數,X4
為S或O,R1
至R9
係相同或相異,且各自獨立地為氫、氘、一鹵素基團、一腈基、一硝基、一羥基、一經取代或未經取代之烷基、一經取代或未經取代之環烷基、一經取代或未經取代之烷氧基、一經取代或未經取代之芳氧基、一經取代或未經取代之烷硫基、一經取代或未經取代之芳硫基、一經取代或未經取代之烷基磺酸氧基、一經取代或未經取代之芳基磺酸氧基、一經取代或未經取代之烯基、一經取代或未經取
代之甲矽烷基(silyl group)、一經取代或未經取代之硼基團、一經取代或未經取代之胺基、一經取代或未經取代之烷基胺基、一經取代或未經取代之芳烷基胺基、一經取代或未經取代之芳胺基、一經取代或未經取代之雜芳胺基、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之茀基、一經取代或未經取代之咔唑基、或一經取代或未經取代之雜環基,其含有至少一雜原子擇自N、O、S及P,R'及R"係相同或相異,且各自獨立地擇自由下列所組成之群組:氫、氘、一鹵素基團、一腈基、一硝基、一羥基、一經取代或未經取代之烷基、一經取代或未經取代之環烷基、一經取代或未經取代之烷氧基、一經取代或未經取代之芳氧基、一經取代或未經取代之烷硫基、一經取代或未經取代之芳硫基、一經取代或未經取代之烷基磺酸氧基、一經取代或未經取代之芳基磺酸氧基、一經取代或未經取代之烯基、一經取代或未經取代之甲矽烷基(silyl group)、一經取代或未經取代之硼基團、一經取代或未經取代之胺基、一經取代或未經取代之烷基胺基、一經取代或未經取代之芳烷基胺基、一經取代或未經取代之芳胺基、一經取代或未經取代之雜芳胺基、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之茀基、一經取代或未經取代之咔唑基、以及一經取代或未經取代之雜環基、其含有至少一雜原子擇自N、O、S及P;或可形成一具有脂肪族、芳香族、脂肪族雜環或芳香族雜環的縮合環;或形成一螺環連結。
在本發明中,“”意旨一連結至其他取代基的部分。在一實施例中,可連結至式1的L。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且各自獨立地為一經取代或未經取代之苯基、一經取代或未經取代之萘基或一經取代或未經取代之吡啶基。
在另一實施例中,L係一經取代或未經取代之伸苯基。
取代基的例子將描述於下文中,然不以此為限。
在本發明中,該烷基可為直鏈或支鏈,且其碳數沒有特別限制,但較佳係1-50。該烷基的具體例子包括但不限於:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、t-丁基、戊基、己基及庚基。
在本發明中,該烯基可為直鏈或支鏈,且其碳數沒有特別限制,但較佳係2-50。該烯基的具體例子包括但不限於:經芳基取代之烯基,例如stylbenyl以及苯乙烯(styrenyl)基。
在本發明中,該烷氧基可為直鏈或支鏈,且其碳數沒有特別限制,但較佳係1-50。
在該化合物中之該烷基、烯基以及烷氧基的長度不會影響該化合物的接合長度,而僅影響用於將該化合物塗佈至有機電子裝置的方法,例如,一真空沉積法或一溶液
塗佈法,因此該些基團的碳數沒有特別限制。
在本發明中,該環烷基沒有特別限制,但較佳含有3-60個碳原子。該環烷基的較佳例子包括環戊基以及環己基。
在本發明中,該鹵素基團的例子包括氟、氯、溴或碘。
在本發明中,該茀基具有一結構,其中兩個環狀有機化合物係藉由一個原子彼此連接,其例子包括以及諸如此類等。
在本發明中,該茀基包括一開環茀基,其具有一結構,其中將藉由一原子彼此連接的兩個環狀化合物中之
一者打開。該開環之茀基的例子包括以及諸如此類等。
在本發明中,該胺基之碳數沒有特別限制,但較佳係1-50。該胺基的具體例子包括但不限於:甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、苯基胺、萘基胺、聯苯基胺、蒽基胺、9-甲基-蒽基胺、二苯基胺、苯萘胺、聯甲苯胺、苯基甲苯胺以及三苯基胺基。
在本發明中,該芳胺基的例子包括一經取代或未經取代之單芳胺基、一經取代或未經取代之二芳胺基或一經取代或未經取代之三芳胺基。芳胺基之芳基可為單環或多
環芳基。該含有二或多個芳基之芳胺基可包括一單環芳基、一多環芳基、或同時包括該單環芳基及該多環芳基。
該芳胺基的具體例子包括但不限於:苯基胺、萘基胺、聯苯基胺、蒽基胺、3-甲基-苯基胺、4-甲基-萘基胺、2-甲基-聯苯基胺、9-甲基-蒽基胺、二苯基胺、苯萘胺、聯甲苯胺、苯基甲苯胺、咔唑以及三苯基胺基。
在本發明中,各個該芳氧基、芳硫基,芳硫氧基(arylsulfoxy)及芳烷基胺基之碳數沒有特別限制,但較佳係6-50。各個該芳氧基、芳硫基、芳硫氧基(arylsulfoxy)及芳烷基胺基之芳基係如上述所定義。
在本發明中,各個該烷硫基(alkylthioxy)、烷硫氧基(alkylsulfoxy)、烷基胺及芳烷基胺基之烷基係如上述所定義。
在本發明中,該雜芳胺基之雜芳基可擇自上述雜環基的例子。
在本發明中,該伸芳基、伸烯基、伸芴基(fluorenylene)以及雜伸芳基係分別為二價芳基,烯基、茀基以及雜芳基。該些基團,除了其為二價基團以外係如上述芳基、烯基、茀基以及雜芳基所定義。
如本說明書中所用,“經取代或未經取代”之用語意旨其未經取代或係由一或多個取代基所取代,該取代基擇自由下列所組成之群組:氘、一鹵素基團、一烷基、一烯基、一烷氧基、一環烷基、一甲矽烷基(silyl group)、一芳烯基、一芳基、一芳氧基、一烷硫基(alkylthioxy group)、一
烷基磺酸氧基(alkylsulfoxy group)、一芳基磺酸氧基(arylsulfoxy group)、一硼基團、一烷基胺基、一芳烷基胺基、一芳胺基、一雜芳基、一咔唑基、一芳胺基、一茀基、一腈基、一硝基、一羥基、一氰基以及一雜環基,其含有至少一雜原子擇自N、O、S及P。
本發明提供一種新穎之由式1所表示的雜環化合物。此化合物因其結構專一性(specificity),可用於在有機電子裝置中的有機材料層。
在一實施例中,Ar3
係一經取代或未經取代之9,10-菲基、一經取代或未經取代之1,8-菲基、一經取代或未經取代之1,8-二苯並哌喃基團(xanthene group)、一經取代或未經取代之3,6-二苯並噻吩基或一經取代或未經取代之3,6-二苯並呋喃基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一3,6-二苯並噻吩基。
在本發明中,當Ar3
係一3,6-二苯並噻吩基,其具有優異的電子供體效果,故可增加電子注入及傳輸至一發光層的效率。因此,該化合物在電壓及效率方面可具有優異的特性。
在另一實施例中,Ar3
係一3,6-二苯並呋喃基。
在本發明中,當Ar3
係一3,6-二苯並呋喃基,其具有優異的電子供體效果,故可增加電子注入及傳輸至一發光層的效率。因此,該化合物在電壓及效率方面可具有優異的特性。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一9,10-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一1,8-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一1,8-二苯並哌喃基團(xanthene group)。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經苯基所取代之3,6-二苯並噻吩基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經芳基所取代之3,6-二苯並噻吩基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經芳基所取代之3,6-二苯並呋喃基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經苯基所取代之3,6-二苯並呋喃基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經芳基所取代之9,10-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經苯基所取代之9,10-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經芳基所取代之1,8-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經苯基所取代之1,8-菲基。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經芳基所取代之1,8-二苯並哌喃基(xanthene group)。
在本發明之一實施例中,Ar3
係一經苯基所取代之1,8-二苯並哌喃基(xanthene group)。
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物係由下列式1-a、1-b、1-c、1-d、1-e及1-f中任一者所表示:
[式1-c]
[式1-e]
其中Ar1
、Ar2
、L以及X1
至X3
係如上式1所定義,Ar1
'、Ar2
'、L'以及X1
'至X3
'係分別與上述Ar1
、Ar2
、L以及X1
至X3
之定義相同,以及R1
至R7
、R'、R"、a、a'、b、c、c'、d、d'、e及
e'係如上所定義。
在一實施例中,式1中X1
至X3
之至少一者可為三價雜原子。
具體而言,X1
至X3
之至少一者可為N或P。
在本發明之一實施例中,X1
至X3
可皆為N。
在本發明之一實施例中,X1
可為N,以及X2
及X3
可為CH。
在本發明之一實施例中,X2
可為N,以及X1
及X3
可為CH。
在本發明之一實施例中,X3
可為N,以及X1
及X2
可為CH。
在本發明之一實施例中,X1
及X2
可為N。就此情況而言,X3
為CH。
在本發明之一實施例中,X1
及X3
可為N。就此情況而言,X2
為CH。
在本發明之一實施例中,X2
及X3
可為N。就此情況而言,X1
為CH。
在本發明之一實施例中,當式1中的n為2時,連接至Ar3
的結構可為相同或相異.
在本發明的另一實施例中,式1中的Ar1
及Ar2
可為一經取代或未經取代之芳基或雜芳基。
具體而言,Ar1
及Ar2
可為相同或相異,且可各自獨立地為一經取代或未經取代之苯基、一經取代或未經取代之聯苯基、一經取代或未經取代之吡啶基或一經取代或未
經取代之萘基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一烷基取代之苯基、一烷氧基取代之苯基、一鹵素取代之苯基或一三氟取代之苯基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一烷基取代之聯苯基、一烷氧基取代之聯苯基、一鹵素取代之聯苯基或一三氟取代之聯苯基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一烷基取代之吡啶基、一烷氧基取代之吡啶基、一鹵素取代之吡啶基或一三氟取代之吡啶基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一烷基取代之苯基、一烷氧基取代之萘基、一鹵素取代之萘基或一三氟取代之萘基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一甲基取代之苯基、一甲氧基取代之苯基、一氟基取代之苯基或一三氟取代之苯基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為或,其中R0可擇自由下列所組成之群組:烷基、烷氧基、鹵素以及三氟基團。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相
異,且可各自獨立地為一甲基取代之聯苯基、一甲氧基取代之聯苯基、一氟基取代之聯苯基或一三氟取代之聯苯基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一甲基取代之吡啶基、一甲氧基取代之吡啶基、一氟基取代之吡啶基或一三氟取代之吡啶基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一甲基取代之萘基、一甲氧基取代之萘基、一氟基取代之萘基或一三氟取代之萘基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為一苯基、聯苯基、吡啶基或萘基。
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相
異,且可各自獨立地為
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為
在本發明之一實施例中,Ar1
及Ar2
係相同或相異,且可各自獨立地為
在本發明中,“”意旨Ar1
或Ar2
連接至該包括式1之X1
至X3
的雜環。
在本發明之另一實施例中,L可為一經取代或未經取代之伸芳基、一經取代或未經取代之伸烯基、一經取代或未經取代之伸芴基或一具有一雜原子之經取代或未經取代的雜伸芳基,該雜原子係擇自O、N、S及P。
具體而言,L可為一經取代或未經取代之伸苯基、一經取代或未經取代之荼基、一經取代或未經取代之伸芴基、一經取代或未經取代之亞吡啶基或一經取代或未經取代之伸二苯基。
在本發明之一實施例中,L可為一伸苯基、荼、伸芴基、亞吡啶基或伸二苯基。
在本發明之一實施例中,L可為一伸苯基。具體而言,L可為。在另一實施例中,L可為在本說明書中,“”意旨L係連接至該包括式1之X1
至X3
的雜環或Ar3
。
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物係為下列化合物1-a-1至1-a-16、2-a-1至2-a-8、1-b-1至1-b-16、2-b-1至2-b-8、1-c-1至1-C-12、2-c-1至2-c-8、1-d-1至1-d-10、2-d-1至2-d-8、1-e-1至1-e-10、2-e-1至2-e-8、1-f-1至1-f-12以及2-f-1至2-f-8中之任一者。
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物1-a係下列化合物1-a-1至1-a-16以及2-a-1至2-a-8中之任一者:
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化
合物1-b係下列化合物1-b-1至1-b-16以及2-b-1至2-b-8中之任一者:
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物1-c係下列化合物1-c-1至1-c-12以及2-c-1至2-c-8中之任一者:
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物1-d係下列化合物1-d-1至1-d-10以及2-d-1至2-d-8中之任一者:
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化
合物1-e係下列化合物1-e-1至1-e-10以及2-e-1至2-e-8中之任一者:
在本發明之一實施例中,該由式1所表示之化合物1-f係下列化合物1-f-1至1-f-12以及2-f-1至2-f-8中之任一者:
由於將各種不同的取代基導入至其係式1所示之核心結構的該雜環結構中,該式1的化合物具有適當的特性供用於作為在一有機電子裝置中的有機材料層。
一化合物的接合長度及能帶間隙(energy band gap)彼此具有一緊密的關係。具體說明,當一化合物的接合長度增加時,能帶間隙減少。如上所述,該式1的化合物之核心結構具有限制的接合長度,因而具有一高能帶間隙。
在本發明中,具有各種不同的能帶間隙之化合物的合成可藉由將各種不同的取代基導入至具有如上所述之高能帶間隙的核心結構之Ar1
至Ar3
及R1
至R9
位置。藉由將取代基導入具有一高能帶間隙的核心結構來控制該能帶間隙通常係較為容易。然而,當一核心結構具有一低能帶間隙,難以藉由將取代基導入至該核心結構中來控制該具有高層級的能帶間隙。此外,在本發明中,亦可藉由將各種不同的取代基導入至具有上述核心結構之Ar1
至Ar3
及R1
至R9
位置來控制該化合物的HOMO及LUMO能階。
此外,當將各種不同的取代基導入至具有上述核心結構時,可合成一具有該些所導入的取代基之固有特性的化合物。例如,當將其主要用於一有機電子裝置的電洞注入層、電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸層的材料之取代基導入至上述核心結構時,可合成一材料,其滿足各有機材料層所需要的條件。
因為該式1的化合物在該核心結構中包含雜環結構,它可具有適當的能階供用於作為一有機發光裝置中一
電洞注入材料及/或一電洞傳輸材料。在本發明中,當因所導入其中的取代基而具有適當能階之化合物係擇自該式1的化合物,用於一有機發光裝置時,該裝置可具有一低的驅動電壓及一高的光學效率。
此外,當各種不同的取代基,特別是氫或氘,導入至該核心結構中時,可精細地控制該能帶間隙,同時可增進介於一有機電子裝置中的該些有機材料間的界面特性,而式1的化合物可用於各種不同的應用。
同時,由於其高的玻璃轉移溫度(glass transition temperature,Tg),該式1的化合物具有絕佳的熱安定性。此在熱安定性上的增加係其提供裝置之驅動安定性(driving stability)之一重要的因子。
可基於將於下面說明的製備例來製備該式1的化合物。
式1之雜環化合物的製備可藉由將式1的雜環,其包括X1
至X3
,取代以Ar1
、Ar2
以及L,接著將該二個經取代的雜環,其包括X1
至X3
,結合至Ar3
。
除了化合物1-a-1至1-a-16、2-a-1至2-a-8、1-b-1至1-b-16、2-b-1至2-b-8、1-c-1至1-c-12、2-c-1至2-c-8、1-d-1至1-d-10、2-d-1至2-d-8、1-e-1至1-e-10、2-e-1至2-e-8、1-f-1至1-f-12以及2-f-1至2-f-8,其他式1所表示之合物的製備可藉由改變X1
至X3
的雜原子以及Ar1
至Ar3
與L的取代基的數目。
本發明亦提供一種包括該式1的化合物之有機
電子裝置。
在本發明之一實施例中,該有機電子裝置可具有一結構,其包括一第一電極、一第二電極以及一或多個插設於該第一電極以及該第二電極之間的有機材料層。
該有機電子裝置可擇自由下列所組成之群組:一有機發光裝置、一有機太陽能電池以及一有機電晶體。
在本發明之一實施例中,該有機電子裝置可為一有機發光裝置。
在本發明之一實施例中,有提供一有機發光裝置,其包括一第一電極、一第二電極以及一或多個插設於該第一電極以及該第二電極之間的有機材料層,其中一或多個該有機材料層包括由式1所表示之雜環化合物。
依據本發明的有機發光裝置之該有機材料層可具有一單層結構或一多層結構,其係由兩個或多個有機材料層所構成。例如,依據本發明的有機發光裝置可具有一包括有機材料層的結構,該有機材料層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層以及一電子注入層。然而,該有機發光裝置的結構不限於此並且可包括較少數目的有機層。
因此,在本發明的另一實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電洞注入層、一電洞傳輸層以及一共同執行電洞注入與電洞傳輸的層中的一或多者,而該些層中的一或多者可包括該由式1所表示之化合物。
具體而言,該有機發光裝置的該有機材料層可
包括一電洞注入層,其中該電洞注入層可包括該由式1所表示之化合物。在另一實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電洞傳輸層,其中該電洞傳輸層可包括該由式1所表示之化合物。在又另一個實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電洞傳輸層以及一電洞注入層,其中該電洞傳輸層以及該電洞注入層可包括該由式1所表示之化合物。
此外,該有機材料層可包括一發光層,其中該發光層可包括該由式1所表示之化合物。在一實施例中,該發光層可包括該由式1所表示之化合物作為一主發光體。在另一實施例中,包括該由式1所表示之化合物的該有機材料層可包括作為一主發光體之該式1的化合物並且可包括作為一摻雜物的另一有機化合物、一金屬或一金屬化合物。
此外,該有機材料層可包括一電子傳輸層、一電子注入層或共同執行電洞注入與電洞傳輸的層中的一或多者,其中該些層中的一或多者可包括該由式1所表示之化合物。
具體而言,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電子注入層,其中該電子注入層可包括該由式1所表示之化合物。在另一實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電子傳輸層,其中該電子傳輸層可包括該由式1所表示之化合物。在又另一個實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層可包括一電子傳輸層以及一電子注入層,其中該電子傳輸層以及該電子注入層可包括該由式1所表示之
化合物。
在此多層的有機層結構中,該發光層;執行所有電洞注入、電洞傳輸及發光的層;共同執行電洞傳輸及發光的層;或者共同執行電子傳輸及發光的層可包括該由式1所表示之化合物。
在另一實施例中,該有機發光裝置的該有機材料層,除了包括該由式1所表示之雜環組成物的該有機材料層以外,尚包括一電洞注入層或一電洞傳輸層,其包含該包括一芳胺基、咔唑或苯並咔唑基的化合物。
在本發明之一實施例中,該有機電子裝置可為一有機太陽能電池。
在本發明之一實施例中,有提供一有機太陽能電池,其包括一第一電極、一第二電極以及一或多個有機材料層,其包括一光敏層並插設於該第一電極及該第二電極之間,其中一或多個該有機材料層係包括該由式1所表示的雜環化合物。
在本發明之一實施例中,該有機太陽能電池可包括一電子傳輸層,其中該電子傳輸層可包括該由式1所表示之化合物。
在另一實施例中,該光敏層可包括該由式1所表示之化合物。
在又另一個實施例中,該有機太陽能電池可包括一光敏層、一電子供體以及一電子受體,其中該光敏層、該電子供體以及該電子受體可包括該由式1所表示之化合
物。
在本發明之一實施例中,當該有機太陽能電池接收一來自一外部光源的光子,在該電子供體與該電子受體之間生成一電子及一電洞。所生成的電洞透過該電子供體層傳輸至該陽極。
在本發明之一實施例中,該有機太陽能電池可更包括一額外的有機材料層。為了減少在其中的有機材料層數目,該有機太陽能電池可包括一具有各種不同功能的材料。
在本發明之一實施例中,該有機電子裝置可為一有機電晶體。
在本發明之一實施例中,有提供一有機電晶體,其包括一源極、一汲極、一閘極以及一或多個有機材料層。
在本發明之一實施例中,該有機電晶體可包括一電荷產生層,其中該電荷產生層可包括該由式1所表示之化合物。
在本發明之另一實施例中,該有機電晶體可包括一絕緣層,其中該絕緣層可位於一基板及該閘極上。
當該有機電子裝置包括複數個有機材料層,該些有機材料層可由相同或相異材料所形成。
在本發明之一實施例中,該有機電子裝置可具有圖1及2所示的結構,但不限於此。
圖1說明一有機電子裝置,其具有一結構,其中係依序地沉積一基板1、一陽極2、一發光層3以及一陰
極4。在此結構中,該發光層3可包括該式1的化合物。
圖2說明一有機電子裝置,其具有一結構,其中係依序地沉積一基板1、一陽極2、一電洞注入層5、一電洞傳輸層6、一發光層7、一電子傳輸層8以及一陰極4。在此結構中,該電洞注入層5、該電洞傳輸層6、該發光層7以及該電子傳輸層8中的一或多者可包括該由式1所表示之化合物。
除了一或多個可包括本發明的化合物(亦即該式1的化合物)之該有機材料層,可利用有如所屬技術領域中習知的相同材料及方法來製造依據本發明的該有機電子裝置。
例如,可藉由將一第一電極、一或多個有機材料層以及一第二電極依序沉積於一基板來製造依據本發明的該有機電子裝置。具體而言,該有機電子裝置的製造可藉由使用一物理氣相沈積法(PVD)(例如濺鍍或電子束蒸鍍)來將一金屬、一導電金屬氧化物或其合金沉積於一基板上以形成一陽極,將包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層以及一電子傳輸層的有機材料層形成於該陽極上,接著將一可用來形成一陰極的材料沉積於其上。此外,亦可藉由將一陰極材料、一或多個有機材料層以及一陽極材料依序沉積於該基板上來製造該有機電子裝置。
此外,在製造該有機電子裝置的期間,除了該物理氣相沈積法,可使用一溶液塗佈法來將該式1的化合物形成為一有機材料層。如本說明書中所用,“溶液塗佈法”之用語意旨旋轉塗佈、浸漬塗布、刮刀塗佈、噴墨印刷、網
板印刷、噴灑、輥塗佈或諸如此類等,但不限於此。
此外,亦可藉由將一陰極材料、有機材料層以及一陽極材料依序沉積於一基板上來製造該有機電子裝置(世界專利公開號WO 2003/012890)。然而,該製造方法不限於上述方法。
該陽極材料較佳係一具有高功函數(work function)之材料,因此電洞可容易地注入該些有機層。可用於本發明中之一陽極材料的具體例子包括,但不限於,金屬,例如釩、鉻、銅、鋅或金,或者它們的合金;金屬氧化物,例如氧化鋅、氧化銦、銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO);金屬/氧化物結合體(metal/oxide combinations),例如ZnO:Al或SNO2
:Sb;以及導電聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯以及聚苯胺。
該陰極材料較佳係一具有低功函數之材料,因此電子可容易地注入該些有機層。該陰極材料的具體例子包括,但不限於,金屬,例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦,釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛,或者它們的合金;以及多層材料,例如LiF/Al或LiO2
/Al。
該電洞注入材料係一於一低電壓下可容易接收來自該陽極的電洞之材料,並且該電洞注入材料的該HOMO[最高佔滿分子軌域(highest occupied molecular orbital)]較佳係介於該陽極材料的功函數與周圍之有機材料層的該HOMO之間。該電洞注入材料的具體例子包括,但不限於,金屬卟啉(metal porphyrin)、寡聚噻吩與芳胺系有機材料、六腈六氮雜
苯並伸苯基(hexanitrile hexaazatriphenylene)與喹吖酮系有機材料、苝系有機材料、蔥醌(anthraquinone)、聚苯胺系或聚噻吩系導電聚合物以及諸如此類等。
該電洞傳輸材料較佳係一具有高電洞遷移率的材料,其能夠將自陽極或該電洞注入層的電洞轉移至該發光層。該電洞傳輸材料的具體例子包括,但不限於,芳胺系有機材料、導電聚合物以及具有接合部分與非接合部分的嵌段共聚物(block copolymers)。
該發光材料係一材料,其能夠藉由接受來自電洞傳輸層及來自該電子傳輸層的電洞及電子並且結合所接收的電洞及電子來發射可見光,並且較佳係一具有用於螢光及磷光之高量子效率的材料。該發光材料的具體例子包括,但不限於,一8-羥基喹啉鋁錯合物(Alg3
);咔唑系化合物;二聚苯乙烯基化合物;Balq;10-羥基苯並喹啉-金屬化合物;苯並噁唑、苯並噻唑與苯井咪唑系化合物;聚(p-伸苯基伸乙烯基)(PPV)系聚合物;螺環化合物;以及像是聚芴及紅螢烯的化合物。
該電子傳輸材料係一材料,其能夠容易地接收來自該陰極的電子並且將所接收的電子轉移至該發光層。較佳係一具有高電子遷移率的材料。該電子傳輸材料的具體例子包括,但不限於,一8-羥基喹啉鋁錯合物;包括Alg3
的錯合物;有機基化合物;以及羥基黃酮-金屬錯合物。
依據本發明的該有機電子裝置可視所使用的材料而為一前側發光型、一後側發光型或一兩側發光型。
實施例
下文中,本發明將參照製備例及試驗例而更詳細地描述,但本發明的範疇不被這些製備例及試驗例所限制。
製備例
製備例1:化合物1-a-1的製備
1)化合物1-A的合成
於一氮氣環境下將鎂(9.7g,0.40mol)及碘(1.02g,8mmol)懸浮於80ml的無水四氫呋喃溶劑中來製備一懸浮液,以及將一配於150ml的無水四氫呋喃之溴化苯溶液(62.8g,0.4mol)緩慢地逐滴添加至該懸浮液中歷時1小時。在迴流下加熱該混合物歷時3小時。將該混合物冷卻至室溫,接著將一配於150ml的無水四氫呋喃之1,3,5-三氯三嗪溶液(27.6g,0.15mol)緩慢地逐滴添加至該混合物中,其在迴流下加熱歷時約5小時。在反應完成後,在減壓下藉由蒸餾來將該反應溶液中的有機溶劑移除,接著自乙醇中將該殘餘物再結晶,藉此獲得化合物1-A(39g,產率:73.5%)。
MS[M+H]+
=268
2)化合物1-B的合成
於一氮氣環境下將化合物1-A(37.1g,0.14mol)及4-氯苯基硼酸(23.8g,0.15mol)完全溶解於150ml的四氫呋喃,接著將80ml的2M碳酸鉀水溶液添加至其中,以及將肆-(三苯膦)鈀(3.2g,2.7mmol)添加至其中。接著,將混合物加熱攪拌歷時5小時。將該混合物的溫度降低至室溫,以及移除水層。使用無水硫酸鎂來乾燥殘餘物、於減壓下濃縮,以及藉由使用四氫呋喃:己烷=1:6的管柱層析來純化,藉此獲得化合物1-B(34g,產率:72%)。
MS[M+H]+
=344
3)化合物1-C的合成
於一氮氣環境下將化合物1-B(34g,98.9mmol)、雙戊醯二硼(27.6g,108mmol)以及醋酸鉀(29.1g,296mmol)彼此混合,接著將該混合物添加至100ml二噁烷中並加熱攪拌。於迴流下將雙(二亞苄丙酮)鈀(1.7g,2.94mmol)及三環己基膦(1.6g,5.9mmol)添加至該混合物中並加熱攪拌歷時10小時。在反應完成後,將該反應溶液冷卻至室溫並進行過濾。將濾液添加至水中並以氯仿來進行萃取,接著使用無水硫酸鎂來乾燥該有機層。於減壓下將所產生的材料進行蒸餾並自乙醇中進行再結晶,藉此獲得化合物1-C(35g,產率:81%)。
MS[M+H]+
=436
4)化合物1-a-1的合成
將化合物1-C(16.4g,37.7mmol)及3,6-二溴二苯並噻吩(12.8g,37.7mmol)完全溶解於四氫呋喃(50ml)中,接著將2M碳酸鉀水溶液(30ml)以及肆-(三苯膦)鈀(400mg,0.34mmol)添加至其中。將該混合物加熱攪拌歷時2小時。接著,將該混合物冷卻至室溫來完成反應,之後將碳酸鉀溶液移除並且將白色固體過濾出。分別使用四氫呋喃及乙醇來清洗該白色固體,藉此獲得化合物1-a-1(19.8g,產率:65%)。
MS[M+H]+
=799
製備例2:化合物1-b-1的製備
1)化合物1-b-1的合成
化合物1-b-1係以相同於合物1-a-1的方法來製備,除了使用3,6-二溴二苯並呋喃而非3,6-二溴二苯並噻吩。
MS[M+H]+
=783
製備例3:化合物1-c-1的製備
1)化合物1-c-1的合成
化合物1-c-1係以相同於化合物1-a-1的方法來製備,除了使用1,8-二溴菲而非3,6-二溴二苯並噻吩。
MS[M+H]+
=793
製備例4:化合物1-d-1的製備
1)化合物1-d-1的合成
化合物1-d-1係以相同於化合物1-a-1的方法來製備,除了使用4,5-二溴-9,9-二甲基-9H-二苯並哌喃而非3,6-二溴二苯並噻吩。
MS[M+H]+
=825
製備例5:化合物1-e-1的製備
1)化合物1-e-1的合成
化合物1-e-1係以相同於化合物1-a-1的方法來製備,除了使用2,7-二溴-9,9-二甲基-9H-二苯並哌喃而非3,6-二溴二苯並噻吩。
MS[M+H]+
=825
製備例6:化合物1-f-1的製備
1)化合物1-f-1的合成
化合物1-f-1係以相同於化合物1-a-1的方法來製備,除了使用9,10-二溴菲而非3,6-二溴二苯並噻吩。
MS[M+H]+
=793
試驗例1
將一具有塗佈於其上至厚度為1,000Å的ITO(氧化銦錫)之玻璃基板放置於含有一溶解於其中的清潔劑之蒸餾水中並且超音波地清洗。在本說明書中,該清潔劑是一由Fischer Co.所製造的產品,而該蒸餾水是一經由一濾紙(Millipore Co.)來過濾兩次的蒸餾水。在清洗ITO歷時30分鐘後,使用蒸餾水以超音波地清洗它兩次歷時10分鐘。在以蒸餾水清洗完成後,使用一溶劑,例如異丙醇、丙酮、甲醇,或諸如此類等,以超音波地清洗該基板,並且乾燥,之後將它轉移至一電漿清洗機。接著,使用氧電漿來清潔該基板歷
時5分鐘,接著轉移至一真空蒸發器。
在如上所述而製造的透明ITO電極上,藉由一熱真空沉積法將具有下列式的六氮雜苯並伸苯基(HAT)沉積至厚度為500Å以形成一電洞注入層:
在該電洞注入層上,將下列式的4-4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯基(NPB),其是一電洞傳輸材料,真空沉積至400Å之厚度以形成一電洞傳輸層:
在該電洞傳輸層上,將一25:1(w/w)之BH與BD的混合物,其具有下列結構式,真空沉積至300Å之厚度以形成一發光層:[BH]
在該發光層上,將一1:1(w/w)之化合物1-a-1(在上面所示的製備例1中所製備)與羥基喹啉鋰(LiQ),真空沉積至300Å之厚度為以形成一電子注入及電子傳輸層。在該電子注入及電子傳輸層上,將氟化鋰(LiF)及鋁依序沉積至厚度分別為12Å及2,000Å,以形成一陰極。
在上面用來製造該有機發光裝置的製程中,該有機材料的沉積速率係維特在0.4-0.7Å/sec,用於該陰極的氟化鋰及鋁之沉積速率係分別維持在0.3Å/sec及2Å/sec,以及在沉積期間中真空強度係維持在2×10-7
至5×10-6
torr。
試驗例2
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用化合物1-b-1而非化合物1-a-1。
試驗例3
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用化合物1-c-1而非化合物1-a-1。
試驗例4
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用化合物1-d-1而非化合物1-a-1。
試驗例5
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用化合物1-e-1而非化合物1-a-1。
試驗例6
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用化合物1-f-1而非化合物1-a-1。
比較例1
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用下列化合物ET1而非化合物1-a-1:[ET1]
比較例2
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用下列化合物ET2而非化合物1-a-1:
比較例3
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用下列化合物ET3而非化合物1-a-1:[ET3]
比較例4
以相同於試驗例1中所述的方法來製造一有機發光裝置,除了使用下列化合物ET4而非化合物1-a-1:
當將一電流施予在試驗例1至4及比較例1至4中所製造的該些有機發光裝置,得到下面表1中所示的結果。
如上面表1中可見,在試驗例1與比較例2之間的比較顯示3,6-二苯並噻吩之傳輸及注入電子的能力係優於2,7-二苯並噻吩之傳輸及注入電子的能力。
如上面表1中可見,在試驗例2與比較例4之間的比較顯示3,6-二苯並呋喃之傳輸及注入電子的能力係優於2,7-二苯並呋喃之傳輸及注入電子的能力。
上面表1中可見,在試驗例1與比較例3之間的比較顯示當L為一芳基時傳輸及注入電子的能力係優於當
L非為一直接鍵結時。
上面表1的結果顯示依據本發明的化合物具有優異的傳輸及注入電子之能力,表示其可應用於一有機發光裝置。
Claims (25)
- 一種雜環化合物,係由下列式1所表示:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中X1 至X3 係相同或相異,且各自獨立地為N或CH,以及X1 至X3 中至少一者為N。
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中Ar1 及Ar2 係相同或相異,且各自獨立地為一經取代或未經取代之苯基、一經取代或未經取代之萘基、一經取代或未經取代之聯苯基或一經取代或未經取代之吡啶基。
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中L係一經取代或未經取代之伸苯基。
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-a-1至1-a-16以及2-a-1至2-a-8中之任一者:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-b-1至1-b-16以及2-b-1至2-b-8中之任一者:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-c-1至1-c-10以及2-c-1至2-c-8中之任一者:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-d-1至1-d-10以及2-d-1至2-d-8中之任一者:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-e-1至1-e-10以及2-e-1至2-e-8中之任一者:
- 如申請專利範圍第1項所述之雜環化合物,其中該由式1所表示之化合物係下列化合物1-f-1至1-f-10以及2-f-1至2-f-8中之任一者:
- 一種有機電子裝置,包括:一第一電極、一第二電極以及一或多個插設於該第一電極以及該第二電極之間的有機材料層,其中一或多個該有機材料層係包括如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之雜環化合物。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機電子裝置,其中該有機電子裝置係擇自由下列所組成之群組:一有機發光裝置、一有機太陽能電池以及一有機電晶體。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機電子裝置,其中該有機電子裝置係一有機發光裝置,其包括該第一電極、該第二電極以及一或多個插設於該第一電極以及該第二電極之間的有機材料層,其中一或多個該有機材料層係包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一電洞注入層或一電洞傳輸層,其包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一發光層,其包括作為一主發光體的該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一電子傳輸層,其包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層,除了包括該雜環化合物的該有機材料層以外,尚包括一電洞注入層或一電洞傳輸層,其包含該包括一芳胺基、咔唑或苯並咔唑基的化合物。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置,其中包括該雜環化合物的該有機材料層包括:作為一主發光體的該雜環化合物、以及包括作為一摻雜物的另一有機化合物、一金屬或一金屬化合物。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機電子裝置,其中該有機電子裝置係一有機太陽能電池,其包括 該第一電極、該第二電極以及一或多個有機材料層,其包括一光敏層並插設於該第一電極及該第二電極之間,其中一或多個該有機材料層係包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一電子傳輸層,其包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一光敏層,其包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一電子供體以及一電子受體,其中該電子供體或該電子受體係包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機電子裝置,其中該有機電子裝置係一有機電晶體,其包括一源極、一汲極、一閘極以及一或多個有機材料層,其中一或多個該有機材料層係包括該雜環化合物。
- 如申請專利範圍第23項所述之有機電子裝置,其中該有機材料層包括一電荷產生層,其包括該雜環化合物。
- 一種異環化合物,係擇自由下列化合物1-c-11、1-c-12、1-f-11及1-f-12中之任一者:
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