WO2014010823A1 - 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 - Google Patents

헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 Download PDF

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이동훈
이호용
김공겸
장준기
홍성길
신창환
이형진
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present specification relates to a new heterocyclic compound and an organic electronic device including the same.
  • the organic electronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes and / or electrons.
  • the organic electronic device can be divided into two types according to the operating principle. First, an exciton is formed in the organic layer by photons introduced into the device from an external light source, and the exciton is separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources). It is a form of electric element.
  • the second type is an electronic device in which holes and / or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with the electrodes by applying voltage or current to two or more electrodes, and operated by the injected electrons and holes.
  • Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, and the like, all of which require a hole injection or transport material, an electron injection or transport material, or a light emitting material for driving the device.
  • the organic light emitting device will be described in detail.
  • a hole injection or transport material, an electron injection or transport material, or a light emitting material functions on a similar principle.
  • organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
  • An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween.
  • the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • the present inventors aim to provide a heterocyclic compound having a chemical structure capable of playing various roles required in an organic electronic device according to the substituent, and an organic electronic device including the same.
  • the present invention provides a compound represented by the following formula (1).
  • n 2
  • X 1 to X 3 are the same as or different from each other, and each independently a trivalent hetero atom or CH, at least one of X 1 to X 3 is a trivalent hetero atom,
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group or heterocyclic group,
  • L is a substituted or unsubstituted arylene group; Substituted or unsubstituted alkenylene group; A substituted or unsubstituted fluorenylene group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having O, N, S or P as a heterogeneous element,
  • Ar 3 is a substituted or unsubstituted 1,3-phenyl group, a substituted or unsubstituted 1,2-phenyl group, a substituted or unsubstituted 9,10-phenanthryl group, a substituted or unsubstituted 2,7-phenanthryl group , Substituted or unsubstituted 1,8-phenanthryl group, substituted or unsubstituted 3,6-dibenzothiophene group, substituted or unsubstituted 3,6-dibenzofuran group, substituted or unsubstituted 1, 8-dibenzothiophene group, substituted or unsubstituted 1,8-dibenzofuran group, substituted or unsubstituted tetrasenyl group, substituted or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted fluoranthene group, substituted Or an unsubstituted xanthene
  • the present specification is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of the organic layer is a hetero It provides an organic electronic device comprising a ring compound.
  • the new compound according to the present specification can be used as a material of an organic material layer of an organic electronic device including an organic light emitting device, and by using the same, the improvement of efficiency, low driving voltage and / or lifetime characteristics in the organic electronic device including an organic light emitting device This is possible.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting element composed of a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4. As shown in FIG.
  • FIG. 2 shows an example of an organic light emitting element consisting of a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 4 It is.
  • heteroatoms of the trivalent group include N or P, but are not limited thereto.
  • the trivalent hetero atom is N.
  • X 1 to X 3 are the same as or different from each other, each independently N or CH, and at least one of X 1 to X 3 is N.
  • n is 2.
  • X 1 to X 3 , Ar 1 to Ar 3 and L may be the same or different.
  • n is 2, and Ar 3 is selected from the following structures.
  • a, a ', c, c', d and d ' are each an integer of 1 to 3,
  • b is an integer of 1 to 2
  • e and e ' are each an integer of 1 to 4,
  • X 4 is S or O
  • R 1 to R 9 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted boron group; Substituted or unsubstit
  • R 'and R are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; deuterium; halogen; nitrile; nitro; hydroxy; substituted or unsubstituted alkyl; substituted or unsubstituted cycloalkyl group; substituted or unsubstituted Alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxide group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxide group; Substitution or Unsubstituted alkenyl group; substituted or unsubstituted silyl group; substituted or unsubstituted boron group; substituted or unsubstituted amine group; substituted or unsubstituted alkylamine group;
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; Substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted pyridine group.
  • L is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • the alkyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50. Specific examples include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, t-butyl, pentyl, hexyl and heptyl groups.
  • the alkenyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 50. Specific examples include, but are not limited to, alkenyl groups in which aryl groups such as stylbenyl and styrenyl groups are substituted.
  • the alkoxy group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50.
  • the length of the alkyl, alkenyl and alkoxy groups contained in the compound does not affect the conjugated length of the compound, but incidentally affects the application of the compound to organic electronic devices, such as the application of vacuum deposition or solution coating.
  • the number of carbon atoms is not particularly limited because it is only crazy.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and particularly preferably a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the fluorenyl group is a structure in which two ring organic compounds are connected through one atom, for example Etc.
  • the fluorenyl group includes a structure of an open fluorenyl group, wherein the open fluorenyl group is a structure in which one ring compound is disconnected in a structure in which two ring compounds are connected through one atom, For example Etc.
  • the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 50.
  • Specific examples of the amine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, and 9-methyl-anthracenylamine group. , Diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group, triphenylamine group and the like, but are not limited thereto.
  • examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group.
  • the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group.
  • the arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group.
  • aryl amine group examples include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenylamine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group and the like, but are not limited thereto.
  • carbon number of an aryloxy group, an aryl thioxy group, an aryl sulfoxy group, and an aralkyl amine group is not specifically limited, It is preferable that it is 6-50.
  • the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, aryl sulfoxy group and aralkylamine group is the same as the example of the aryl group mentioned above.
  • the alkyl group in the alkylthioxy group, the alkyl sulfoxy group, the alkylamine group and the aralkylamine group is the same as the example of the alkyl group described above.
  • heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the heterocyclic group described above.
  • the arylene group, the alkenylene group, the fluorenylene group, and the heteroarylene group are divalent groups of an aryl group, an alkenyl group, a fluorenyl group, and a heteroaryl group, respectively.
  • the description of the above-described aryl group, alkenyl group, fluorenyl group, and heteroaryl group can be applied except that they are each divalent group.
  • substituted or unsubstituted herein is deuterium; Halogen group; An alkyl group; Alkenyl groups; An alkoxy group; Cycloalkyl group; Silyl groups; Aryl alkenyl group; Aryl group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Alkyl sulfoxy groups; Aryl sulfoxy group; Boron group; Alkylamine group; Aralkyl amine groups; Arylamine group; Heteroaryl group; Carbazole groups; Arylamine group; Fluorenyl group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; It means that it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a cyano group and a heterocyclic group containing one or more of N, O, S or P atoms or has no substituent.
  • the present specification provides a new heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1. Such a compound may be used as an organic material layer in an organic electronic device due to its structural specificity.
  • Ar 3 is a substituted or unsubstituted 9,10-phenanthryl group; A substituted or unsubstituted 1,8-phenanthryl group; Substituted or unsubstituted 1,8-xanthene group; Substituted or unsubstituted 3,6-dibenzothiophene group; Or a substituted or unsubstituted 3,6-dibenzofuran group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzothiophene group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzothiophene group
  • the effect of electron donor is excellent, and the efficiency of electron injection and delivery to the light emitting layer can be improved. Because of this, it may have better characteristics in terms of voltage and efficiency.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzofuran group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzofuran group
  • the effect of electron donor is excellent, and the efficiency of electron injection and delivery to the light emitting layer can be improved. Because of this, it may have better characteristics in terms of voltage and efficiency.
  • Ar 3 is a 9,10-phenanthryl group.
  • Ar 3 is a 1,8-phenanthryl group.
  • Ar 3 is a 1,8-xanthene group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzothiophene group substituted with a phenyl group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzothiophene group substituted with an aryl group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzofuran group substituted with an aryl group.
  • Ar 3 is a 3,6-dibenzofuran group substituted with a phenyl group.
  • Ar 3 is a 9,10-phenanthryl group substituted with an aryl group.
  • Ar 3 is a 9,10-phenanthryl group substituted with a phenyl group.
  • Ar 3 is a 1,8-phenanthryl group substituted with an aryl group.
  • Ar 3 is a 1,8-phenanthryl group substituted with a phenyl group.
  • Ar 3 is a 1,8-xanthene group substituted with an aryl group.
  • Ar 3 is a 1,8-xanthene group substituted with a phenyl group.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 is represented by any one of the following Chemical Formulas 1-a, 1-b, 1-c, 1-d, 1-e, and 1-f.
  • Ar 1 , Ar 2 , L and X 1 to X 3 are the same as defined in Formula 1,
  • Ar 1 ′, Ar 2 ′, L ′ and X 1 ′ to X 3 ′ are the same as Ar 1 , Ar 2 , L and X 1 to X 3 , respectively, and Ar 1 , Ar 2 , L and X 1 to X Same as 3 ,
  • R 1 to R 7 , R ', R ", a, a', b, c, c ', d, d', e and e ' are the same as defined above.
  • At least one of X 1 to X 3 in Formula 1 may be a trivalent heteroatom.
  • At least one of X 1 to X 3 may be N or P.
  • X 1 to X 3 may be all N.
  • X 1 is N
  • X 2 and X 3 may be CH.
  • X 2 is N
  • X 1 and X 3 may be CH.
  • X 3 is N, X 1 and X 2 may be CH.
  • X 1 and X 2 may be N.
  • X 3 is CH.
  • X 1 and X 3 may be N.
  • X 2 is CH.
  • X 2 and X 3 may be N.
  • X 1 is CH.
  • n in Formula 1 when n in Formula 1 is 2, the structure connected to Ar 3 may be the same or different.
  • Ar 1 and Ar 2 in Formula 1 may be a substituted or unsubstituted aryl group or heteroaryl group.
  • Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group. .
  • Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other, and each independently a phenyl group substituted with an alkyl group, a phenyl group substituted with an alkoxy group, a phenyl group substituted with a halogen, or a phenyl group substituted with a trifluoro group have.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a biphenyl group substituted with an alkyl group, a biphenyl group substituted with an alkoxy group, a biphenyl group substituted with a halogen, and a trifluoro group substituted with It may be a biphenyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a pyridyl group substituted with an alkyl group, a pyridyl group substituted with an alkoxy group, a pyridyl group substituted with a halogen, and a trifluoro group substituted It may be a pyridyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group substituted with an alkyl group, a naphthyl group substituted with an alkoxy group, a naphthyl group substituted with a halogen, a naph substituted with a trifluoro group It may be a tilt group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group substituted with a methyl group, a phenyl group substituted with a methoxy group, a phenyl group substituted with a fluorine group, and a phenyl group substituted with a trifluoro group Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently , or Can be.
  • R 0 may be selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a halogen group and a trifluor group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a biphenyl group substituted with a methyl group, a biphenyl group substituted with a methoxy group, a biphenyl group substituted with a fluorine group, and a trifluoro group substituted with each other Biphenyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a pyridyl group substituted with a methyl group, a pyridyl group substituted with a methoxy group, a pyridyl group substituted with a fluorine group, and a trifluoro group substituted with each other It may be a pyridyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently a naphthyl group substituted with a methyl group, a naphthyl group substituted with a methoxy group, a naphthyl group substituted with a fluorine group, and a trifluoro group substituted with each other It may be a naphthyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other, and may each independently be a phenyl group, a biphenyl group, a pyridyl group, or a naphthyl group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and each independently Can be.
  • L has a substituted or unsubstituted arylene group, a substituted or unsubstituted alkenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a hetero atom having O, N, S or P. It may be a substituted or unsubstituted hetero arylene group.
  • L is a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, a substituted or unsubstituted pyridylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group Can be.
  • L may be a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a pyridylene group, a biphenylene group.
  • L may be a phenylene group. Specifically L is Can be. In another example, L is Can be. remind Refers to a heterocyclic ring group including X 1 to X 3 in Formula 1 or to Ar 3 .
  • the compound represented by Formula 1 is the following compound 1-a-1 to 1-a-16, 2-a-1 to 2-a-8, 1-b-1 to 1 -b-16, 2-b-1 to 2-b-8, 1-c-1 to 1-c-12, 2-c-1 to 2-c-8, 1-d-1 to 1-d -10, 2-d-1 to 2-d-8, 1-e-1 to 1-e-10, 2-e-1 to 2-e-8, 1-f-1 to 1-f-12 And 2-f-1 to 2-f-8.
  • the compound represented by Formula 1-a is represented by any one of the following Compounds 1-a-1 to 1-a-16 and 2-a-1 to 2-a-8.
  • the compound represented by Formula 1-b is represented by any one of the following compounds 1-b-1 to 1-b-16 and 2-b-1 to 2-b-8.
  • the compound represented by Chemical Formula 1-c is represented by any one of the following Compounds 1-c-1 to 1-c-12 and 2-c-1 to 2-c-8.
  • the compound represented by Chemical Formula 1-d is represented by any one of the following Compounds 1-d-1 to 1-d-10 and 2-d-1 to 2-d-8.
  • the compound represented by Formula 1-e is represented by any one of the following compounds 1-e-1 to 1-e-10 and 2-e-1 to 2-e-8.
  • the compound represented by Formula 1-f is represented by any one of the following Compounds 1-f-1 to 1-f-12 and 2-f-1 to 2-f-8.
  • the compound of Formula 1 may have properties suitable for use as an organic material layer used in an organic electronic device by using a heterocyclic structure as a core structure and introducing a variety of substituents as shown in the formula (1).
  • the conjugation length of the compound and the energy band gap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap. As described above, since the core of the compound of Formula 1 contains limited conjugation, it has a large energy band gap.
  • compounds having various energy band gaps may be synthesized by introducing various substituents at positions of Ar 1 to Ar 3 and R 1 to R 9 having a large energy band gap.
  • the HOMO and LUMO energy levels of the compound may be controlled by introducing various substituents at the Ar 1 to Ar 3 and R 1 to R 9 positions of the core structure as described above.
  • the compound which has the intrinsic property of the introduced substituent can be synthesize
  • a substituent mainly used in the hole injection layer material, the hole transport material, the light emitting layer material and the electron transport layer material used in the manufacture of the organic electronic device into the core structure, it is possible to synthesize a material satisfying the requirements of each organic material layer. Can be.
  • the compound of Formula 1 since the compound of Formula 1 includes a heterocyclic structure in the core structure, it may have an appropriate energy level as a hole injection and / or hole transport material in the organic light emitting device.
  • a device having a low driving voltage and high light efficiency may be realized by selecting a compound having an appropriate energy level among the compounds of Formula 1 and using the compound in an organic light emitting device.
  • the compound of Formula 1 has a high glass transition temperature (T g ) is excellent in thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing drive stability to the device.
  • the compound of Formula 1 may be prepared based on the preparation examples described below.
  • the heterocyclic compound of Formula 1 may be substituted with Ar 1 , Ar 2, and L in a heterocyclic ring including X 1 to X 3 of Formula 1 , and then includes X 1 to X 3 substituted with Ar 3 . It can be prepared by the method of combining two heterocyclic rings.
  • the present specification also provides an organic electronic device using the compound of Formula 1.
  • the organic electronic device may have a structure including a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed therebetween.
  • the organic electronic device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic transistor.
  • the organic electronic device may be an organic light emitting device.
  • an organic light emitting device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic layer is It provides an organic light emitting device comprising a heterocyclic compound represented by the formula (1).
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may be formed of a single layer structure, but may be formed of a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer and the like as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • the organic material layer of the organic light emitting device may include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer for simultaneously injecting holes and transporting holes, wherein one of the layers At least a layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole injection layer, the hole injection layer may include a compound represented by the formula (1).
  • the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole transport layer, the hole transport layer may include a compound represented by the formula (1).
  • the organic material layer of the organic light emitting device may include a hole transport layer and a hole injection layer, the hole transport layer and the hole injection layer may include a compound represented by the formula (1).
  • the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the compound represented by Formula 1 may be included as a host of the light emitting layer.
  • the organic material layer including the compound represented by Chemical Formula 1 may include the compound represented by Chemical Formula 1 as a host, and may include another organic compound, a metal, or a metal compound as a dopant.
  • the organic material layer may include one or more layers of an electron transport layer, an electron injection layer, and a layer for simultaneously transporting and transporting electrons, and one or more of the layers may include a compound represented by Chemical Formula 1. .
  • the organic material layer of the organic light emitting device may include an electron injection layer
  • the electron injection layer may include a compound represented by the formula (1).
  • the organic material layer of the organic light emitting diode may include an electron transport layer, and the electron transport layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic material layer of the organic light emitting diode may include an electron transport layer and an electron injection layer, and the electron transport layer and the electron injection layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in a light emitting layer, a layer for simultaneously injecting / holes transporting and emitting light, a layer for simultaneously transporting holes and emitting light, or a layer for simultaneously transporting electrons and emitting light. have.
  • the organic material layer of the organic light emitting device includes a hole injection layer including a compound including an arylamino group, a carbazole group, or a benzcarbazole group, in addition to the organic material layer including the heterocyclic compound represented by Formula 1 above Or a hole transport layer.
  • the organic electronic device may be an organic solar cell.
  • At least one organic material layer including a first electrode, a second electrode, and a photoactive layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer Is provided an organic solar cell comprising a heterocyclic compound represented by the formula (1).
  • the organic solar cell may include an electron transport layer, and the electron transport layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the photoactive layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic solar cell may include a photoactive layer, an electron donor, and an electron acceptor, and the photoactive layer, the electron donor, and the electron acceptor are represented by Chemical Formula 1. It may include a compound.
  • the organic solar cell when the organic solar cell receives photons from an external light source, electrons and holes are generated between the electron donor and the electron acceptor. The generated holes are transported to the anode through the electron donor layer.
  • the organic solar cell may further include an additional organic material layer.
  • the organic solar cell may reduce the number of organic material layers by using an organic material having several functions at the same time.
  • the organic electronic device may be an organic transistor.
  • an organic transistor including a source, a drain, a gate, and one or more organic material layers is provided.
  • the organic transistor may include a charge generating layer, and the charge generating layer may include a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic transistor may include an insulating layer, and the insulating layer may be positioned on a substrate and a gate.
  • the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
  • the structure shown in FIGS. 1 and 2 may be, but is not limited thereto.
  • FIG. 1 illustrates a structure of an organic electronic device in which a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4 are sequentially stacked.
  • the compound may be included in the light emitting layer (3).
  • FIG. 2 shows an organic electronic device in which a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 4 are sequentially stacked.
  • the structure is illustrated.
  • the compound may be included in at least one of the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the light emitting layer 7, and the electron transport layer 8.
  • the organic electronic device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound of the present invention, that is, the compound of Formula 1.
  • the organic electronic device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate.
  • a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation
  • a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode.
  • an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • an organic electronic device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • the compound of Chemical Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the manufacture of an organic electronic device.
  • the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, etc., but is not limited thereto.
  • an organic electronic device may be formed by sequentially depositing an organic material layer and an anode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the anode material a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the positive electrode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SNO 2 : combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode material is a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic materials, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transporting material a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to be transferred to the light emitting layer is suitable.
  • a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to be transferred to the light emitting layer is suitable.
  • Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting material is a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring the electrons to the light emitting layer.
  • a material having high mobility to electrons is suitable. Specific examples thereof include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the organic electronic device may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.
  • Suspension was prepared by suspending magnesium (9.7 g, 0.40 mol) and iodine (1.02 g, 8 mmol) in an 80 ml solvent of anhydrous tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, and bromobenzene (62.8 g, 0.4 mol) was dissolved in anhydrous tetrahydrofuran. A solution diluted in 150 ml was slowly added dropwise to the suspension over 1 hour, and the mixture was heated to reflux for 3 hours.
  • Compound 1- was prepared by the same method as the method of preparing compound 1-a-1, except that 1,8-dibromophenanthrene was used instead of 3,6-dibromodibenzothiophene.
  • c-1 was prepared.
  • Compound 1- was prepared by the same method as the method of preparing compound 1-a-1, except that 9,10-dibromophenanthrene was used instead of 3,6-dibromodibenzothiophene. f-1 was prepared.
  • a glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned.
  • ITO indium tin oxide
  • Fischer Co. product was used as a detergent
  • distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as distilled water.
  • ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes.
  • ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol dried and transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) of the following formula was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.
  • the light emitting layer was formed by vacuum depositing the following BH and BD in a weight ratio of 25: 1 on the hole transport layer with a film thickness of 300 GPa.
  • Compound 1-a-1 prepared in Preparation Example 1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited on the emission layer at a weight ratio of 1: 1 to form an electron injection and transport layer at a thickness of 300 ⁇ .
  • LiQ Lithium Quinolate
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that compound 1-b-1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that compound 1-c-1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that compound 1-d-1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that compound 1-e-1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that compound 1-f-1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the following compound of ET1 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that the following compound of ET2 was used instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1 except for using the compound of ET3 described below instead of compound 1-a-1 in Experimental Example 1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1, except that the compound of ET4 was used instead of the compound 1-a-1 in Experimental Example 1.

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Abstract

본 명세서는 유기 전자 소자의 수명, 효율, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성을 크게 향상시킬 수 있는 신규 화합물 및 상기 화합물이 유기화합물 층에 함유되어 있는 유기 전자 소자를 제공한다.

Description

헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
본 명세서는 새로운 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
본 명세서는 2012년 7월 13일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2012-0076493호의 출원일의 이익을 주장하며. 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다.
유기 전자 소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전기소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.
유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양전지, 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기발광소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호
이에 본 발명자들은 상기와 같은 이유로 치환기에 따라 유기 전자 소자에서 요구되는 다양한 역할을 할 수 있는 화학 구조를 갖는 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
n은 2 이고,
X1 내지 X3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 3가의 헤테로 원자 또는 CH이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 3가의 헤테로 원자이며,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로고리기이고,
L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 또는 이종 원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
Ar3는 치환 또는 비치환된 1,3-페닐기, 치환 또는 비치환된 1,2-페닐기, 치환 또는 비치환된 9,10-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2,7-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1,8-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 1,8-디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 1,8-디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 크라이세닐기, 치환 또는 비치환된 플루오란텐기, 치환 또는 비치환된 잔텐기(Xanthene) 및 치환 또는 비치환된 아세나프틸기로 이루어진 군에서 선택된다.
또한, 본 명세서는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서에 따른 새로운 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에 있어서, 상기 3가기의 헤테로원자는 N 또는 P 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 3가기의 헤테로원자는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, n이 2인 경우, X1 내지 X3, Ar1 내지 Ar3 및 L은 같거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n은 2이고, 상기 Ar3는 하기 구조에서 선택된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000002
상기 구조에 있어서,
a, a', c, c', d 및 d'는 각각 1 내지 3의 정수이고,
b는 1 내지 2의 정수이며,
e 및 e'는 각각 1 내지 4의 정수이고,
X4는 S 또는 O 이며,
R1 내지 R9는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 N, O, S 및 P 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 및 P 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 지방족, 방향족, 지방족의 헤테로고리 또는 방향족의 헤테로고리로 축합고리를 형성하거나 스피로 결합을 형성할 수 있다.
본 명세서에 있어서,
Figure PCTKR2013004230-appb-I000003
는 다른 치환기에 연결되는 부위를 의미한다. 하나의 실시상태에 있어서,
Figure PCTKR2013004230-appb-I000004
는 화학식 1의 L과 연결될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 피리딘기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl)기 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다.
화합물 중에 포함되어 있는 알킬기, 알케닐기 및 알콕시기의 길이는 화합물의 공액 길이에는 영향을 미치지 않고, 다만 부수적으로 화합물의 유기 전자 소자에의 적용 방법, 예컨대 진공 증착법 또는 용액 도포법의 적용에 영향을 미칠 뿐이므로 탄소수의 개수는 특별히 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 특히 시클로펜틸기, 시클로헥실기가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2013004230-appb-I000005
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물이 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는
Figure PCTKR2013004230-appb-I000006
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 50인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기 및 아랄킬아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 6 내지 50인 것이 바람직하다. 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기 및 아랄킬아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 알킬아민기 및 아랄킬아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기 중의 헤테로 아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기, 알케닐렌기, 플루오레닐렌기, 및 헤테로아릴렌기는 각각 아릴기, 알케닐기, 플루오레닐기, 및 헤테로아릴기의 2가기이다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는, 전술한 아릴기, 알케닐기, 플루오레닐기, 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
또한, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 헤테로아릴기; 카바졸기; 아릴아민기; 플루오레닐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 시아노기 및 N, O, S 또는 P 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 새로운 헤테로환 화합물을 제공한다. 이와 같은 화합물은 구조적 특이성으로 인하여 유기 전자 소자에서 유기물층으로 사용될 수 있다.
하나의 실시상태에 있어서, Ar3는 치환 또는 비치환된 9,10-페난트릴기; 치환 또는 비치환된 1,8-페난트릴기; 치환 또는 비치환된 1,8-잔텐기; 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조티오펜기; 또는 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조퓨란기이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, Ar3는 3,6-디벤조티오펜기이다.
본 명세서에 있어서, Ar3가 3,6-디벤조티오펜기인 경우, 전자 주개의 효과가 우수하여, 발광층에 전자 주입 및 전달의 효율을 높일 수 있다. 이로 인하여, 전압 및 효율 면에서 더 우수한 특성을 가질 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, Ar3는 3,6-디벤조퓨란기이다.
본 명세서에 있어서, Ar3가 3,6-디벤조퓨란기인 경우, 전자 주개의 효과가 우수하여, 발광층에 전자 주입 및 전달의 효율을 높일 수 있다. 이로 인하여, 전압 및 효율 면에서 더 우수한 특성을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 9,10-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 1,8-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 1,8-잔텐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 페닐기로 치환된 3,6-디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 아릴기로 치환된 3,6-디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 아릴기로 치환된 3,6-디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 페닐기로 치환된 3,6-디벤조퓨란기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 아릴기로 치환된 9,10-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 페닐기로 치환된 9,10-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 아릴기로 치환된 1,8-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 페닐기로 치환된 1,8-페난트릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 아릴기로 치환된 1,8-잔텐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3는 페닐기로 치환된 1,8-잔텐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-a, 1-b, 1-c, 1-d, 1-e 및 1-f 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-a]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000007
[화학식 1-b]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000008
[화학식 1-c]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000009
[화학식 1-d]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000010
[화학식 1-e]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000011
[화학식 1-f]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000012
화학식 1-a, 1-b, 1-c, 1-d, 1-e 및 1-f 에 있어서,
Ar1, Ar2, L 및 X1 내지 X3는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar1', Ar2', L' 및 X1' 내지 X3'는 각각 Ar1, Ar2, L 및 X1 내지 X3과 동일하하고, Ar1, Ar2, L 및 X1 내지 X3의 정의와 동일하며,
R1 내지 R7, R', R", a, a', b, c, c', d, d', e 및 e'는 상기에서 정의한 바와 동일하다.
하나의 실시상태에 있어서, 화학식 1 중 X1 내지 X3 중 적어도 어느 하나는 3가기의 헤테로원자일 수 있다.
구체적으로, X1 내지 X3 중 적어도 어느 하나는 N 또는 P일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 내지 X3는 모두 N일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1은 N이고, X2 및 X3는 CH일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X2는 N이고, X1 및 X3는 CH일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3는 N이고, X1 및 X2는 CH일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 N일 수 있다. 이 경우, X3는 CH이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X3는 N일 수 있다. 이 경우, X2는 CH이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X2 및 X3는 N일 수 있다. 이 경우, X1은 CH이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 화학식 1 중 n이 2인 경우, Ar3와 연결된 구조는 동일하거나 상이할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 화학식 1 중 Ar1 및 Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기일 수 있다.
구체적으로 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 페닐기, 알콕시기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 트리플루오르기로 치환된 페닐기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 비페닐기, 알콕시기로 치환된 비페닐기, 할로겐으로 치환된 비페닐기, 트리플루오르기로 치환된 비페닐기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 피리딜기, 알콕시기로 치환된 피리딜기, 할로겐으로 치환된 피리딜기, 트리플루오르기로 치환된 피리딜기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 페닐기, 알콕시기로 치환된 나프틸기, 할로겐으로 치환된 나프틸기, 트리플루오르기로 치환된 나프틸기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환된 페닐기, 메톡시기로 치환된 페닐기, 플루오르기로 치환된 페닐기, 트리플루오르기로 치환된 페닐기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000013
,
Figure PCTKR2013004230-appb-I000014
또는
Figure PCTKR2013004230-appb-I000015
일 수 있다. 이 경우, R0는 알킬기, 알콕시기, 할로겐기 및 트리플루오르기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환된 비페닐기, 메톡시기로 치환된 비페닐기, 플루오르기로 치환된 비페닐기, 트리플루오르기로 치환된 비페닐기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환된 피리딜기, 메톡시기로 치환된 피리딜기, 플루오르기로 치환된 피리딜기, 트리플루오르기로 치환된 피리딜기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환된 나프틸기, 메톡시기로 치환된 나프틸기, 플루오르기로 치환된 나프틸기, 트리플루오르기로 치환된 나프틸기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 피리딜기, 나프틸기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000016
일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000017
일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000018
일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000019
일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000020
일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure PCTKR2013004230-appb-I000021
일 수 있다.
상기
Figure PCTKR2013004230-appb-I000022
는 화학식 1의 X1 내지 X3를 포함하는 화학식 헤테로환 고리와 연결되는 것을 의미한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 또는 이종 원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기일 수 있다.
구체적으로, L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리딜렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 피리딜렌기, 비페닐렌기일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기일 수 있다. 구체적으로 L은
Figure PCTKR2013004230-appb-I000023
일 수 있다. 또 하나의 예에 있어서, L은
Figure PCTKR2013004230-appb-I000024
일 수 있다. 상기
Figure PCTKR2013004230-appb-I000025
는 화학식 1 중 X1 내지 X3를 포함하는 헤테로환 고리기와 연결되거나, Ar3와 연결되는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-a-1 내지 1-a-16, 2-a-1 내지 2-a-8, 1-b-1 내지 1-b-16, 2-b-1 내지 2-b-8, 1-c-1 내지 1-c-12, 2-c-1 내지 2-c-8, 1-d-1 내지 1-d-10, 2-d-1 내지 2-d-8, 1-e-1 내지 1-e-10, 2-e-1 내지 2-e-8, 1-f-1 내지 1-f-12 및 2-f-1 내지 2-f-8 중 어느 하나로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-a로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-a-1 내지 1-a-16 및 2-a-1 내지 2-a-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000026
Figure PCTKR2013004230-appb-I000027
Figure PCTKR2013004230-appb-I000028
Figure PCTKR2013004230-appb-I000029
Figure PCTKR2013004230-appb-I000030
Figure PCTKR2013004230-appb-I000031
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-b로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-b-1 내지 1-b-16 및 2-b-1 내지 2-b-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000032
Figure PCTKR2013004230-appb-I000033
Figure PCTKR2013004230-appb-I000034
Figure PCTKR2013004230-appb-I000035
Figure PCTKR2013004230-appb-I000036
Figure PCTKR2013004230-appb-I000037
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-c로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-c-1 내지 1-c-12 및 2-c-1 내지 2-c-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000038
Figure PCTKR2013004230-appb-I000039
Figure PCTKR2013004230-appb-I000040
Figure PCTKR2013004230-appb-I000041
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-d로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-d-1 내지 1-d-10 및 2-d-1 내지 2-d-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000042
Figure PCTKR2013004230-appb-I000043
Figure PCTKR2013004230-appb-I000044
Figure PCTKR2013004230-appb-I000045
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-e로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-e-1 내지 1-e-10 및 2-e-1 내지 2-e-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000046
Figure PCTKR2013004230-appb-I000047
Figure PCTKR2013004230-appb-I000048
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1-f로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-f-1 내지 1-f-12 및 2-f-1 내지 2-f-8 중 어느 하나로 표시된다.
Figure PCTKR2013004230-appb-I000049
Figure PCTKR2013004230-appb-I000050
Figure PCTKR2013004230-appb-I000051
Figure PCTKR2013004230-appb-I000052
Figure PCTKR2013004230-appb-I000053
상기 화학식 1의 화합물은 상기 화학식 1에 표시된 바와 같이 헤테로환 구조를 코어구조로 하고 다양한 치환체를 도입함으로써 유기 전자 소자에서 사용되는 유기물층으로 사용되기에 적합한 특성을 가질 수 있다.
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드 갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물의 코어는 제한된 컨쥬게이션을 포함하고 있으므로, 이는 에너지 밴드 갭이 큰 성질을 갖는다.
본 명세서에서는 상기와 같이 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조의 Ar1 내지 Ar3 및 R1 내지 R9 의 위치에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드 갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조의 Ar1 내지 Ar3 및 R1 내지 R9 위치에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 전자 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 코어 구조에 헤테로환 구조를 포함하고 있으므로, 유기 발광 소자에서 정공 주입 및/또는 정공수송 물질로서의 적절한 에너지 준위를 가질 수 있다. 본 발명에서는 상기 화학식 1의 화합물 중 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 갖는 화합물을 선택하여 유기 발광 소자에 사용함으로써 구동 전압이 낮고 광효율이 높은 소자를 구현할 수 있다.
또한, 상기 코어구조에 다양한 치환기, 특히 수소 또는 중수소를 도입함으로써 에너지 밴드 갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 화학식 1의 화합물은 유리 전이 온도 (Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
상기 화학식 1의 화합물은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1의 헤테로환 화합물은 화학식 1의 X1 내지 X3를 포함하는 화학식 헤테로환 고리에 Ar1, Ar2 및 L을 치환 시킨 후, Ar3에 치환된 X1 내지 X3를 포함하는 화학식 헤테로환 고리를 2개를 결합시키는 방법으로 제조될 수 있다.
X1 내지 X3 중 헤테로 원자의 개수, Ar1 내지 Ar3 및 L의 치환기를 변경하여, 화합물 1-a-1 내지 1-a-16, 2-a-1 내지 2-a-8, 1-b-1 내지 1-b-16, 2-b-1 내지 2-b-8, 1-c-1 내지 1-c-12, 2-c-1 내지 2-c-8, 1-d-1 내지 1-d-10, 2-d-1 내지 2-d-8, 1-e-1 내지 1-e-10, 2-e-1 내지 2-e-8, 1-f-1 내지 1-f-12 및 2-f-1 내지 2-f-8 외에도 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
본 명세서는 또한 상기 화학식 1의 화합물을 이용하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 유기 전자 소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다.
상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시 상태에 있어서, 제1 전극, 제 2전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
따라서, 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 주입 및 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층을 포함할 수 있고, 상기 정공 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또 하나의 예에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또 하나의 예에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함할 수 있고, 상기 정공 수송층 및 정공 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다. 또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기 화합물, 금속 또는 금속화합물을 도판트로 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 및 전자 주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 수송층을 포함할 수 있고, 상기 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
이와 같은 다층 구조의 유기물층에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층, 정공 주입/정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 정공 수송과 발광을 동시에 하는 층, 또는 전자 수송과 발광을 동시에 하는 층 등에 포함될 수 있다.
또 하나의 실시 상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 상기 화학식1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층 이외에, 아릴아미노기, 카바졸기, 또는 벤즈카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 태양전지일 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제 2전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 태양전지가 제공된다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 전자수송층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 광활성층과 전자주개(electron donor) 및 전자 받개(electron acceptor)를 포함할 수 있으며, 상기 광활성층과 전자주개 및 전자 받개는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 전자 주개와 전자 받개 사이에서 전자와 정공이 발생한다. 발생된 정공은 전자 도너층을 통하여 양극으로 수송된다.
본 명세서의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 트랜지스터일 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터가 제공된다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 전하발생층을 포함할 수 있고, 상기 전하발생층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 트랜지스터는 절연층을 포함할 수 있고, 상기 절연층은 기판과 게이트 위에 위치할 수 있다.
상기 유기 전자 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 전자 소자의 실시상태에 있어서, 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 전자 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서 상기 화합물은 상기 정공주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(7) 및 전자 수송층(8) 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 전자 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 전자 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 전자 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 전자 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 전자 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 전자 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하 제조예 및 실험예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 제조예 및 실험예에 의하여 범위가 한정되지는 않는다.
제조예
<제조예 1> 하기 화합물 1-a-1의 제조
1) 하기 화합물 1-A의 화합물 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000054
질소 분위기에서 마그네슘(9.7g, 0.40mol), 요오드 (1.02g, 8mmol)을 무수테트라하이드로퓨란 80ml 용매에 현탁하여 현탁액을 제조하고, 브로모벤젠(62.8g, 0.4mol)을 무수 테트로하이드로퓨란 150ml에 희석한 용액을 이 현탁액에 1시간에 걸쳐 천천히 적가하고, 이 혼합물을 3시간 가열 환류하였다. 이 혼합물을 상온으로 식힌 후, 1,3,5-트리클로로트리아진(27.6g, 0.15mol)을 무수 테트라하이드로퓨란 150ml에 용해한 용액을 이 혼합물에 천천히 적가하고, 약 5시간 환류교반하였다. 반응이 끝난 후, 반응 유체의 유기 용매를 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여, 화합물 1-A (39g, 수율: 73.5%)를 수득했다.
MS[M+H]+= 268
2) 하기 화합물 1-B의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000055
질소 분위기에서 상기 화합물 1-A(37.1g, 0.14mol), 4-클로로페닐보로닉시드(23.8g, 0.15mol)을 테트라하이드로퓨란 150ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(80ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(3.2g, 2.7mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:6으로 컬럼하여 상기 화합물 1-B (34g, 수율: 72%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 344
3) 하기 화합물 1-C의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000056
질소 분위기에서 상기 화합물 1-B(34g, 98.9mmol), 비스(피나콜라토)다이보론(27.6g, 108mmol) 및 아세트산칼륨(29.1g, 296mmol)을 섞고 디옥산 100ml에 첨가하고 교반하면서 가열하였다. 환류되는 상태에서 비스(디벤질리딘아세톤)팔라듐(1.7g, 2.94mmol)과 트리사이클로헥실포스핀(1.6g, 5.9mmol)을 넣고 10시간동안 가열, 교반하였다. 반응 종료 후 상온으로 온도를 낮춘 후 여과하였다. 여과액을 물에 붓고 클로로포름으로 추출하고, 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에탄올로 재결정하여 상기 화합물 1-C(35g, 수율: 81%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 436
4) 하기 화합물 1-a-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000057
상기 화합물 1-C (16.4g, 37.7mmol)과 3,6-다이브로모다이벤조티오펜(2,8-dibromodibenzothiophene)(12.8g, 37.7mmol)을 테트라하이드로퓨란(50ml)에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(30ml)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(400mg, 0.34mmol)을 넣은 후, 2시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 걸렀다. 걸러진 흰색의 고체를 테트라하이드로퓨란과 에탄올로 각각 1번씩 세척하여 상기 화합물 1-a-1(19.8g, 수율:65% )을 제조하였다.
MS[M+H]+= 799
<제조예 2> 화합물 1-b-1의 제조
1) 하기 화합물 1-b-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000058
3,6-다이브로모다이벤조티오펜(2,8-dibromodibenzothiophene) 대신 3,6-다이브로모다이벤조퓨란(2,8-dibromodibenzoburan)을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-a-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-b-1를 제조하였다.
MS[M+H]+= 783
<제조예 3> 화합물 1-c-1의 제조
1) 하기 화합물 1-c-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000059
3,6-다이브로모다이벤조티오펜 대신 1,8-다이브로모페난트렌 (1,8-dibromophenanthrene)을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-a-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-c-1를 제조하였다.
MS[M+H]+= 793
<제조예 4> 화합물 1-d-1의 제조
1) 하기 화합물 1-d-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000060
3,6-다이브로모다이벤조티오펜 대신 4,5-다이브로모-9,9-다이메틸잔틴(4,5-dibromo-9,9-dimethyl-9H-xanthene)을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-a-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-d-1를 제조하였다.
MS[M+H]+= 825
<제조예 5> 화합물 1-e-1의 제조
1) 하기 화합물 1-e-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000061
3,6-다이브로모다이벤조티오펜 대신 2,7-다이브로모-9,9-다이메틸잔틴(2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-xanthene)을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-a-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-e-1를 제조하였다.
MS[M+H]+= 825
<제조예 6> 화합물 1-f-1의 제조
1) 하기 화합물 1-f-1의 합성
Figure PCTKR2013004230-appb-I000062
3,6-다이브로모다이벤조티오펜 대신 9,10-다이브로모페난트렌 (9,10-dibromophenanthrene)을 사용한 것을 제외하고 상기 화합물 1-a-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-f-1를 제조하였다.
MS[M+H]+= 793
<실험예 1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
[HAT]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000063
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(400Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
[NPB]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000064
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[BH]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000065
[BD]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000066
[LiQ]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000067
상기 발광층 위에 제조예 1에서 제조한 화합물 1-a-1과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ×10-7 ~5 ×10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 상기 화합물 1-b-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 상기 화합물 1-c-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 4>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 상기 화합물 1-d-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 5>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 상기 화합물 1-e-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 6>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 상기 화합물 1-f-1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 하기 ET1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET1]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000068
<비교예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 하기 ET2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET2]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000069
<비교예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 하기 ET3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET3]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000070
<비교예 4>
상기 실험예 1에서 화합물 1-a-1 대신 하기 ET4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET4]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000071
실험예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
[표 1]
Figure PCTKR2013004230-appb-I000072
상기 표 1에서 보는 바와 같이 실험예 1과 비교예 2를 비교하면, 3,6-디벤조티오펜은 2,7-디벤조티오펜보다 전자 수송 및 주입 능력이 우수함을 확인할 수 있다.
상기 표 1에서 보는 바와 같이 실험예 2와 비교예 4를 비교하면 3,6-디벤조퓨란은 2,7-디벤조퓨란보다 전자 수송 및 주입 능력이 우수함을 확인할 수 있다.
상기 표1에서 보는 바와 같이 실험예 1과 비교예 3을 비고하면, L이 직접 결합이 아닌 경우에 비하여, L이 아릴기인 경우가 전자 수송 및 주입 능력이 우수함을 확인할 수 있다.
상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 다른 화합물은 전자 수송 및 주입 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.

Claims (25)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000073
    상기 화학식 1에 있어서,
    n은 2 이고,
    X1 내지 X3은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 3가의 헤테로 원자 또는 CH이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 3가의 헤테로 원자이며,
    Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로고리기이고,
    L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 또는 이종 원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    Ar3는 치환 또는 비치환된 1,3-페닐기, 치환 또는 비치환된 1,2-페닐기, 치환 또는 비치환된 9,10-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 2,7-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 1,8-페난트릴기, 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 3,6-디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 1,8-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 1,8-디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 1,8-디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 테트라세닐기, 치환 또는 비치환된 크라이세닐기,치환 또는 비치환된 플루오란텐기, 치환 또는 비치환된 잔텐기(Xanthene) 및 치환 또는 비치환된 아세나프틸기로 이루어진 군에서 선택된다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N인 것인 헤테로환 화합물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ar3는 하기 구조 중에서 어느 하나인 것인 헤테로환 화합물:
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000074
    상기 구조에 있어서,
    a, a', c, c', d 및 d'는 각각 1 내지 3의 정수이고,
    b는 1 내지 2의 정수이며,
    e 및 e'는 각각 1 내지 4의 정수이고,
    X4는 S 또는 O 이며,
    R1 내지 R9는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 N, O, S 및 P 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 및 P 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 지방족, 방향족, 지방족의 헤테로고리 또는 방향족의 헤테로고리로 축합고리를 형성하거나 스피로 결합을 형성할 수 있다.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 피리딘기인 것인 헤테로환 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기인 것인 헤테로환 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 하기 화합물 1-a-1 내지 1-a-16 및 2-a-1 내지 2-a-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000075
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000076
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000077
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000078
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000079
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000080
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-b-1 내지 1-b-16 및 2-b-1 내지 2-b-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000081
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000082
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000083
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000084
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000085
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000086
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-c-1 내지 1-c-12 및 2-c-1 내지 2-c-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000087
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000088
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000089
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000090
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-d-1 내지 1-d-10 및 2-d-1 내지 2-d-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000091
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000092
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000093
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000094
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-e-1 내지 1-e-10 및 2-e-1 내지 2-e-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000095
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000096
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000097
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1-f-1 내지 1-f-12 및 2-f-1 내지 2-f-8 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로환 화합물.
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000098
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000099
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000100
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000101
    Figure PCTKR2013004230-appb-I000102
  12. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기 전자 소자.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 유기 전자 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층이 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 헤테로환 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층이 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 유기물층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸기 또는 벤즈카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  19. 청구항 14에 있어서,
    상기 헤테로환 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 헤테로환 화합물을 호스트로서 포함하고, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도판트로 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  20. 청구항 12에 있어서,
    상기 유기 전자 소자는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 유기물층은 광활성층을 포함하고, 상기 광활성층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  23. 청구항 20에 있어서,
    상기 유기물층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하고, 상기 전자 주개 또는 전자 받개는 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 유기 전자 소자.
  24. 청구항 12에 있어서,
    상기 유기 전자 소자는 소스, 드레인, 게이트 및 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 트랜지스터로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 유기물층은 전하 발생층을 포함하고, 상기 전하 발생층은 상기 헤테로환 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2522457A (en) * 2014-01-24 2015-07-29 Cambridge Display Tech Ltd Compound, composition and organic light-emitting device
JP2015524797A (ja) * 2012-07-13 2015-08-27 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機電子素子
US9406892B2 (en) 2015-01-07 2016-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2016534096A (ja) * 2013-07-30 2016-11-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための材料
JP2016534095A (ja) * 2013-07-30 2016-11-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための材料
KR20170121691A (ko) * 2016-04-25 2017-11-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP2017535071A (ja) * 2014-11-20 2017-11-24 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
US9997716B2 (en) 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN108349914A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 株式会社Lg化学 有机发光器件
WO2018155904A1 (ko) * 2017-02-21 2018-08-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US10566547B2 (en) 2016-07-11 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11158820B2 (en) 2017-03-29 2021-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11312691B2 (en) 2017-02-21 2022-04-26 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compounds and organic light emitting device using the same

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101499356B1 (ko) * 2013-06-28 2015-03-05 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20150115622A (ko) 2014-04-04 2015-10-14 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101542714B1 (ko) 2014-04-04 2015-08-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101537500B1 (ko) 2014-04-04 2015-07-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101656927B1 (ko) * 2014-04-16 2016-09-23 희성전자 주식회사 발광 소자 및 발광 소자용 전자수송층 제조 방법
CN106255695B (zh) * 2014-04-29 2019-12-31 东进世美肯株式会社 化合物及包含其的有机发光元件
WO2015167223A1 (ko) * 2014-04-29 2015-11-05 주식회사 동진쎄미켐 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
US10297762B2 (en) 2014-07-09 2019-05-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10749113B2 (en) 2014-09-29 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10361375B2 (en) 2014-10-06 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102285381B1 (ko) 2014-10-22 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP6731355B2 (ja) * 2015-01-20 2020-07-29 保土谷化学工業株式会社 ピリミジン誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101912107B1 (ko) * 2015-03-06 2018-10-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111312912B (zh) * 2015-03-16 2023-01-06 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR101968216B1 (ko) * 2015-03-27 2019-04-11 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US10403826B2 (en) * 2015-05-07 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101962758B1 (ko) 2015-06-17 2019-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP6839697B2 (ja) * 2015-07-30 2021-03-10 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 電子素子のための材料
US11522140B2 (en) 2015-08-17 2022-12-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101841351B1 (ko) 2015-09-11 2018-03-22 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
EP3355376B1 (en) 2015-09-25 2021-12-01 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent element
TWI642661B (zh) * 2015-10-26 2018-12-01 Ｌｇ化學股份有限公司 雜環化合物及含有該化合物的有機發光裝置
KR101834433B1 (ko) 2016-06-08 2018-03-05 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102095001B1 (ko) * 2016-09-19 2020-03-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
JP6478259B2 (ja) 2016-10-18 2019-03-06 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
KR20180066339A (ko) 2016-12-07 2018-06-19 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11672174B2 (en) 2016-12-08 2023-06-06 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Pyrene-triazine derivative and applications thereof in organic electronic component
US11211563B2 (en) 2017-03-09 2021-12-28 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting device
KR102134507B1 (ko) 2017-03-21 2020-07-16 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR102098222B1 (ko) * 2017-03-30 2020-04-07 주식회사 엘지화학 유기발광 소자
KR102080286B1 (ko) * 2017-05-22 2020-04-07 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
EP3418272B1 (en) * 2017-06-21 2023-08-30 Samsung Display Co., Ltd. Triazine compounds and organic light-emitting devices including the same
KR102536248B1 (ko) 2017-06-21 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102180373B1 (ko) 2017-07-10 2020-11-18 주식회사 엘지화학 전기 변색용 화합물을 포함하는 전기 변색 소자 및 이의 제조 방법
US11641778B2 (en) * 2017-07-10 2023-05-02 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light emitting device comprising same
CN110785409B (zh) * 2017-07-28 2023-04-04 株式会社Lg化学 芴衍生物和包含其的有机发光器件
KR102415376B1 (ko) 2017-08-04 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102120532B1 (ko) 2017-09-18 2020-06-16 주식회사 엘지화학 유기트랜지스터
EP3470412B1 (en) * 2017-10-13 2020-07-22 Novaled GmbH Organic electronic device comprising an organic semiconductor layer
KR102250385B1 (ko) * 2017-10-18 2021-05-11 주식회사 엘지화학 유기 광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 이미지 센서
CN111247650B (zh) * 2018-02-02 2023-11-07 株式会社Lg化学 有机发光二极管
WO2019176384A1 (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス用材料、表示装置、及び、照明装置
KR102133121B1 (ko) 2018-03-28 2020-07-10 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11793073B2 (en) * 2018-05-06 2023-10-17 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
WO2020012685A1 (ja) * 2018-07-09 2020-01-16 コニカミノルタ株式会社 薄膜、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス用材料、表示装置、及び、照明装置
KR102168068B1 (ko) 2018-08-17 2020-10-20 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102019923B1 (ko) * 2019-01-23 2019-09-11 솔브레인 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102381641B1 (ko) * 2019-07-31 2022-04-01 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102377686B1 (ko) * 2019-07-31 2022-03-23 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
JP2022549204A (ja) 2019-09-19 2022-11-24 メルク パテント ゲーエムベーハー ２種のホスト材料の混合物、およびこれを含む有機エレクトロルミネッセントデバイス
WO2021107699A1 (ko) * 2019-11-29 2021-06-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN111233832B (zh) * 2020-01-08 2023-12-01 上海传勤新材料有限公司 一种含有芴和三嗪的有机电子材料及其应用
WO2021251725A1 (ko) * 2020-06-12 2021-12-16 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20220020447A (ko) 2020-08-11 2022-02-21 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US20230217821A1 (en) 2021-12-31 2023-07-06 Lg Display Co., Ltd. Light Emitting Device and Light Emitting Display Device Including the Same
KR20230103744A (ko) 2021-12-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 발광 표시 장치
CN114249685A (zh) * 2021-12-31 2022-03-29 华南理工大学 一种邻位二芳基取代的菲或菲啰啉载流子传输材料及其制备方法和应用
CN114478416B (zh) * 2022-02-14 2023-11-14 季华恒烨(佛山)电子材料有限公司 基于芘-三嗪的有机化合物及有机电致发光组合物和有机电致发光器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012890A2 (de) 2001-07-20 2003-02-13 Novaled Gmbh Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
WO2011005060A2 (ko) * 2009-07-10 2011-01-13 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
WO2011081290A2 (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20120038032A (ko) * 2010-10-07 2012-04-23 에스에프씨 주식회사 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19628719B4 (de) 1996-07-17 2006-10-05 Hans-Werner Prof. Dr. Schmidt Elektronenleitende Schicht in organischen, elektrolumineszierenden Anordnungen
US6229012B1 (en) * 1998-10-01 2001-05-08 Xerox Corporation Triazine compositions
US6057048A (en) 1998-10-01 2000-05-02 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
US6821643B1 (en) 2000-01-21 2004-11-23 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
EP1489155A4 (en) 2002-03-22 2006-02-01 Idemitsu Kosan Co MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES PRODUCED WITH THIS MATERIAL
EP1556360B1 (en) * 2002-10-30 2008-01-23 Ciba SC Holding AG Electroluminescent device
JP4595346B2 (ja) * 2003-02-25 2010-12-08 東レ株式会社 発光素子用材料、及びこれを含む発光素子
JP2005170911A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 芳香族化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005302657A (ja) 2004-04-15 2005-10-27 Sharp Corp 有機発光素子
JP2006016577A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Japan Science & Technology Agency 有機エレクトロルミネッセンス材料と発光素子
CN100584811C (zh) 2004-09-29 2010-01-27 佳能株式会社 化合物和使用它的有机电致发光元件
JP2006124373A (ja) 2004-09-29 2006-05-18 Canon Inc 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8324403B2 (en) 2004-12-24 2012-12-04 Pioneer Corporation Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element
JP4856882B2 (ja) 2005-02-17 2012-01-18 東ソー株式会社 １，３，５−トリアジン誘導体，その製法およびそれから成る薄膜
JP5157442B2 (ja) 2005-04-18 2013-03-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2007042973A (ja) 2005-08-05 2007-02-15 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4907192B2 (ja) 2006-02-22 2012-03-28 東ソー株式会社 ピリジル基を持つ１，３，５−トリアジン誘導体、その製法、およびそれを構成成分とする有機電界発光素子
JP5058588B2 (ja) 2006-12-26 2012-10-24 キヤノン株式会社 アザフルオレン誘導体及びこれを用いた有機発光素子
JPWO2009008099A1 (ja) 2007-07-10 2010-09-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5299807B2 (ja) 2007-08-31 2013-09-25 出光興産株式会社 ベンゾジチオフェン誘導体並びにそれを用いた有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
CN101412907A (zh) * 2007-10-17 2009-04-22 中国科学院理化技术研究所 有机电致发光材料及其合成方法和用途
KR100948853B1 (ko) 2007-11-16 2010-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 장치
US20090136346A1 (en) 2007-11-23 2009-05-28 Samuel Thomas Kelly Vertical axis wind turbine
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP5207760B2 (ja) 2008-02-07 2013-06-12 ケミプロ化成株式会社 新規なピリミジン系またはトリアジン系誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US8039125B2 (en) 2008-05-22 2011-10-18 General Electric Company Compound comprising phenyl pyridine units
CN101381601A (zh) 2008-09-28 2009-03-11 南京邮电大学 一种寡聚物电致蓝光材料及其合成方法
WO2010058946A2 (ko) 2008-11-18 2010-05-27 주식회사 엘지화학 신규한 크라이센 유도체 및 이를 이용한 유기 전기 소자
JP2010138121A (ja) 2008-12-12 2010-06-24 Canon Inc トリアジン化合物及びこれを用いた有機発光素子
JP5476034B2 (ja) 2009-04-27 2014-04-23 ケミプロ化成株式会社 新規なトリアリールアミン化合物、それよりなるホール輸送材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102422451A (zh) * 2009-05-12 2012-04-18 E.I.内穆尔杜邦公司 具有电子隧道层的有机电子器件
JP5675189B2 (ja) 2009-07-07 2015-02-25 住友化学株式会社 有機電子素子用機能性膜
WO2011013959A2 (ko) 2009-07-28 2011-02-03 주식회사 동진쎄미켐 신규한 페난트렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
DE102009053644B4 (de) * 2009-11-17 2019-07-04 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101411122B1 (ko) 2009-11-13 2014-06-25 베이징 비젼녹스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 유기 재료 및 그 재료를 이용한 유기 ｅｌ 디바이스
DE102009053664A1 (de) * 2009-11-17 2011-05-19 Ziehm Imaging Gmbh Verfahren zur empirischen Bestimmung einer Korrekturfunktion zur Korrektur von Strahlungsaufhärtungs- und Streustrahleneffekten in der Projektionsradiografie und in der Computertomografie
JP2011225501A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Canon Inc 新規ｍ−ターフェニル化合物及びこれを有する有機発光素子
KR101877580B1 (ko) 2010-06-18 2018-08-09 유디씨 아일랜드 리미티드 디벤조푸란 화합물 및 8-히드록시퀴놀리노레이토 알칼리 토금속 또는 알칼리 금속 착물의 층을 포함하는 유기 전자 소자
JP5650449B2 (ja) 2010-07-06 2015-01-07 住友化学株式会社 エレクトロクロミック錯体化合物、およびそれを使用するエレクトロクロミック素子
JP5763309B2 (ja) 2010-07-30 2015-08-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子及び化合物
TWI431003B (zh) 2010-10-21 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 有機化合物及包含其之有機電激發光裝置
KR101324784B1 (ko) 2011-04-13 2013-10-31 (주)씨에스엘쏠라 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
CN108299439B (zh) 2011-11-10 2021-02-09 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的4H-咪唑并[1,2-a]咪唑
EP2749625B1 (en) 2012-02-27 2017-12-20 LG Chem, Ltd. Organic light emitting diode
KR101508424B1 (ko) * 2012-07-13 2015-04-07 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012890A2 (de) 2001-07-20 2003-02-13 Novaled Gmbh Lichtemittierendes bauelement mit organischen schichten
WO2011005060A2 (ko) * 2009-07-10 2011-01-13 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
WO2011081290A2 (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20120038032A (ko) * 2010-10-07 2012-04-23 에스에프씨 주식회사 이형고리 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2873666A4

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015524797A (ja) * 2012-07-13 2015-08-27 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機電子素子
JP2017095514A (ja) * 2012-07-13 2017-06-01 エルジー・ケム・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機電子素子
JP2016534096A (ja) * 2013-07-30 2016-11-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための材料
JP2016534095A (ja) * 2013-07-30 2016-11-04 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子のための材料
US11588117B2 (en) 2013-07-30 2023-02-21 Merck Patent Gmbh Materials for electronic devices
US10283720B2 (en) 2014-01-24 2019-05-07 Cambridge Display Technology Limited Compound, composition and organic light-emitting device
GB2522457B (en) * 2014-01-24 2016-05-25 Cambridge Display Tech Ltd Compound, composition and organic light-emitting device
GB2522457A (en) * 2014-01-24 2015-07-29 Cambridge Display Tech Ltd Compound, composition and organic light-emitting device
US9997716B2 (en) 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2017535071A (ja) * 2014-11-20 2017-11-24 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
US9406892B2 (en) 2015-01-07 2016-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN108349914A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN108349914B (zh) * 2015-10-27 2021-06-29 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN108349914B9 (zh) * 2015-10-27 2021-09-03 株式会社Lg化学 有机发光器件
KR101897907B1 (ko) * 2016-04-25 2018-09-12 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR20170121691A (ko) * 2016-04-25 2017-11-02 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
US10566547B2 (en) 2016-07-11 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680184B2 (en) 2016-07-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018155904A1 (ko) * 2017-02-21 2018-08-30 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US11312691B2 (en) 2017-02-21 2022-04-26 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compounds and organic light emitting device using the same
US11158820B2 (en) 2017-03-29 2021-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

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