KR102133121B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 {COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}
본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 출원은 2018년 3월 28일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0035666호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어지며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 난다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
국제공개공보 제2014010824호
본 명세서는 소자의 구동 전압, 발광 효율 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019031857277-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
Y1은 S, O 또는 CR11R12이고,
Y2는 S, O 또는 CR13R14이며,
R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR 또는 N이고, X1 내지 X3 중 적어도 2개는 N이며,
R은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 할로겐기; 니트로기; 니트릴기; 하이드록시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
a1은 0 내지 4의 정수이고, a1이 2 이상인 경우 R1은 서로 동일하거나 상이하며,
a2는 0 내지 7의 정수이고, a2가 2 이상인 경우 R2는 서로 동일하거나 상이하다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용될 수 있다. 본 명세서에 기재된 화합물은 양극과 음극 사이의 유기물층의 재료, 특히 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층의 재료로 사용될 수 있다.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 효율이 향상될 수 있다.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 구동전압이 낮아질 수 있다.
몇몇 실시상태에 있어서, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 수명 특성이 향상될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(3), 전자 수송층(7), 전자 주입층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 전자 차단층(9), 발광층(3), 전자 수송층(7), 전자 주입층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112019031857277-pat00002
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2개 이상의 치환기가 치환되는 경우, 2개 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 하이드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 알킬기; 시클로알킬기; 아르알킬기; 알콕시기; 알케닐기; 아릴옥시기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 치환기 중 2개 이상의 치환기가 연결된 기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, 아릴알케닐기는 알케닐기일 수도 있고, 아릴기가 치환된 알케닐기로 해석될 수 있다. 3개의 치환기가 연결된 기의 예로는 아릴기로 치환된 헤테로아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기로 치환된 헤테로아릴기등이 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112019031857277-pat00003
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄, 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112019031857277-pat00004
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 산소원자에 알킬기가 결합된 기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지는 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 6이다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, 펜틸옥시기, iso-아밀옥시기, 헥실옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 산소원자에 아릴기가 결합된 기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지는 않으나, 6 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴옥시기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴옥시기의 구체적인 예로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 1-안트라세닐옥시기, 2-안트라세닐옥시기, 9-안트라세닐옥시기, 1-페난트레닐옥시기, 3-페난트레닐옥시기, 9-페난트레닐옥시기 등이 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 탄화수소기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 상기 알킬기 중 환형 탄화수소기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 3 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 직쇄 또는 분쇄의 불포화 탄화수소기를 나타내며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 30인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 구체적인 예로는 에테닐, 비닐, 프로페닐, 알릴, 이소프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, n-펜테닐 및 n-헥세닐이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기는 아릴기로 치환된 알케닐기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 전체적으로 또는 부분적으로 불포화된 치환 또는 비치환된 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭을 의미한다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 40이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 상기 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로플루오레닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 치환된 플루오레닐기로는
Figure 112019031857277-pat00005
,
Figure 112019031857277-pat00006
,
Figure 112019031857277-pat00007
,
Figure 112019031857277-pat00008
,
Figure 112019031857277-pat00009
,
Figure 112019031857277-pat00010
,
Figure 112019031857277-pat00011
및
Figure 112019031857277-pat00012
등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 30이다. 다른 실시상태에 따르면, 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 20이다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기, 퓨라닐기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리디닐기, 비피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리디닐기, 카르볼리닐기, 아세나프토퀴녹살리닐기, 인데노퀴나졸리닐기, 인데노이소퀴놀리닐기, 인데노퀴놀리닐기, 피리도인돌릴기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오페닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthrolinyl), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRdRe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기 및 알킬술폭시기 중의 알킬기에는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아르알킬기, 아릴술폭시기 및 아릴옥시기 중의 아릴기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가의 아릴기를 의미하며, 아릴렌기에는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho) 위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리, 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다. 상기 탄화수소고리는 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미하며, 상기 탄화수소고리는 지방족 탄화수소고리이거나 방향족 탄화수소고리일 수 있다. 상기 헤테로고리는 지방족 헤테로고리이거나 방향족 헤테로고리일 수 있다. 본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 파이렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 아릴기와 동일한 의미로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 방향족 헤테로고리의 예로는, 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 파라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 드리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1은 S 또는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y2는 S, O 또는 CR13R14이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 N이고, X3는 CR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2 및 X3는 N이고, X1은 CR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X3는 N이고, X2는 CR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X3는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R은 수소 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 및 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 단환의 아릴기; 치환 또는 비치환된 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1과 Ar2는 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 나프틸기; 디벤조퓨라닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 디벤조티오페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 카바졸릴기로 치환된 페닐기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 나프틸기; 디벤조퓨라닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 디벤조티오페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 중수소, 치환 또는 비치환된 알킬기 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 중수소, 알킬기 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 중수소, 알킬기 및 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기; 또는 바이페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은
Figure 112019031857277-pat00013
,
Figure 112019031857277-pat00014
,
Figure 112019031857277-pat00015
,
Figure 112019031857277-pat00016
또는
Figure 112019031857277-pat00017
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a1은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
Figure 112019031857277-pat00018
상기 화학식 2에 있어서,
Y1, Y2, X1 내지 X3, Ar1, Ar2, R1, R2, a1 및 a2의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
R3는 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
n은 0 내지 4의 정수이며,
a3는 0 내지 4의 정수이고,
a3가 2 이상인 경우, R3는 서로 동일하거나 상이하며,
n이 2 이상인 경우,
Figure 112019031857277-pat00019
는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 6 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 3]
Figure 112019031857277-pat00020
[화학식 4]
Figure 112019031857277-pat00021
[화학식 5]
Figure 112019031857277-pat00022
[화학식 6]
Figure 112019031857277-pat00023
상기 화학식 3 내지 6에 있어서,
Y1, Y2, X1 내지 X3, R1, R2, L, a1 및 a2의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
Y3는 O, S 또는 NR'이며, R'은 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이며,
a4, a5, a6, a8 및 a10은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, a7은 0 내지 8의 정수이고, a9 및 a11은 각각 독립적으로 0 내지 7의 정수이고,
a4가 2 이상인 경우, R4는 서로 동일하거나 상이하고,
a5가 2 이상인 경우, R5는 서로 동일하거나 상이하고,
a6가 2 이상인 경우, R6는 서로 동일하거나 상이하고,
a7이 2 이상인 경우, R7은 서로 동일하거나 상이하고,
a8이 2 이상인 경우, R8은 서로 동일하거나 상이하고,
a9가 2 이상인 경우, R9는 서로 동일하거나 상이하며,
a10이 2 이상인 경우, R10은 서로 동일하거나 상이하며,
a11이 2 이상인 경우, R11은 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 13의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 시아노기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 페닐기; 시아노페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴기; 또는 디벤조퓨라닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4, R5, R6, R8 및 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4, R5, R6, R8 및 R10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기; 페닐기; 시아노페닐기; 또는 9H-카바졸-9-일기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a4는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a5는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a6는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a8은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a10은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7은 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R7은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a7은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R9는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R9는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a9는 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a11은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R'은 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R'은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나이다.
Figure 112019031857277-pat00024
Figure 112019031857277-pat00025
Figure 112019031857277-pat00026
Figure 112019031857277-pat00027
Figure 112019031857277-pat00028
Figure 112019031857277-pat00029
Figure 112019031857277-pat00030
Figure 112019031857277-pat00031
Figure 112019031857277-pat00032
Figure 112019031857277-pat00033
Figure 112019031857277-pat00034
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 일반식 1에 따라 제조될 수 있다.
[일반식 1]
Figure 112019031857277-pat00035
상기 일반식 1에서 X'를 제외한 나머지 치환기의 정의는 전술한 화학식 1에서 정의한 바와 같으며, X'는 할로겐기이며, 바람직하게는 클로로기 또는 브로모기이다.
상기 반응은 스즈키 커플링 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 스즈키 커플링 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
상기 일반식 1은 상기 화학식 1의 화합물을 형성하는 방법의 하나의 예시이다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의해 코어 구조가 제조될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
또한 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 전술한 화학식 1의 화합물은 상기 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 음극, 양극 및 상기 음극과 양극 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 발광층과 상기 음극 사이에 구비된 유기물층은 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적거나 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층에 포함된다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층에 호스트로서 포함된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층 총 중량 100 중량부 대비 5 중량부 이상 100 중량부 이하; 또는 5 중량부 이상 95 중량부 이하로 발광층에 포함된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 호스트를 더 포함한다. 발광층이 2종 이상의 호스트를 포함하면 소자의 구동 전압, 발광 효율 및/또는 수명 특성이 보다 향상될 수 있으며, 특히 수명 특성이 향상될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 카바졸 유도체 또는 트리아진 유도체이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 호스트는 하기 화학식 B로 표시될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
[화학식 B]
Figure 112019031857277-pat00036
상기 화학식 B에 있어서,
Ar11은 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar12는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
L11은 직접결합; 치환 또는 비치환된 2가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로아릴기이고,
m은 0 내지 8의 정수이고,
m이 2 이상인 경우, Ar12는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-1로 표시된다.
[화학식 B-1]
Figure 112019031857277-pat00037
상기 화학식 B-1에 있어서,
Ar11, Ar12 및 L11의 정의는 화학식 B에서 정의한 바와 같고,
Ar13는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar14는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,
L12는 직접결합; 치환 또는 비치환된 2가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로아릴기이고,
k 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 7의 정수이고,
k가 2 이상인 경우, Ar12는 서로 동일하거나 상이하며,
p가 2 이상인 경우, Ar14는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-2로 표시된다.
[화학식 B-2]
Figure 112019031857277-pat00038
상기 화학식 B-2에 있어서,
Ar11, Ar12 및 L11의 정의는 화학식 B에서 정의한 바와 같고,
Rm 및 Rn은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
r은 0 내지 10의 정수이고,
r이 2 이상인 경우, Ar12는 서로 동일하거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11은 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar11은 페닐기; 바이페닐기; 또는 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아지닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar13은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar13은 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar13은 페닐기; 바이페닐기; 또는 페닐기 또는 바이페닐기로 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar12는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar12는 수소; 중수소; 알킬기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar12는 수소; 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar12는 수소; 또는 바이페닐기로 치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환된 인덴 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar14는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar14는 수소; 중수소; 알킬기; 아릴기 또는 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar14는 수소; 메틸기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환 또는 비치환된 인덴 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar14는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L11은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 2가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 2가의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L11은 직접결합; 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L11은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L12는 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 2가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 2가의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L12는 직접결합; 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L12는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rm 및 Rn은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 25의 아릴기; 또는 치환 또는 비환된 탄소수 2 내지 25의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Rm 및 Rn은 각각 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 m은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 k는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 r은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 B는 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나이다.
Figure 112019031857277-pat00039
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 도판트를 더 포함할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 도판트는 이리듐 착제일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 화합물은 상기 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층에 포함된다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층 및 전자 수송층을 포함하고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 전자 수송층에 포함된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층 및 전자 주입층을 포함하고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 전자 주입층에 포함된다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 상기 2층 이상의 층에 각각 포함되는 경우, 상기 화학식 1의 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 노말 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 3에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 발광층(3), 전자 수송층(7), 전자 주입층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(3), 전자 수송층(7) 및 전자 주입층(8)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(5), 정공 수송층(6), 전자 차단층(9), 발광층(3), 전자 수송층(7), 전자 주입층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 발광층(3), 전자 수송층(7) 및 전자 주입층(8)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 층에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리적 증착 방법(PVD, physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 수취받은 정공을 발광층 또는 발광층쪽으로 구비된 인접한 층에 주입하는 층이다. 상기 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)는 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질의 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층은 발광층을 통과한 과잉 전자가 정공 수송층 방향으로 이동하는 것을 방지하는 층이다. 상기 전자 차단 물질로는 정공 수송층보다 낮은 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 가지는 물질이 바람직하며, 주변 층의 에너지 준위를 고려하여 적절한 물질로 선택될 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 전자 차단층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-하이드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-하이드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도판트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 발광층의 도판트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 상기 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환된 화합물을 사용할 수 있다. 상기 스티릴아민 화합물의 예로는 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 차단층은 유기 발광 소자의 구동 과정에 있어서 정공이 발광층을 통과하여 캐소드로 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 정공 차단 물질로는 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨이 매우 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 정공 차단 물질은 구체적으로 TPBi, BCP, CBP, PBD, PTCBI, BPhen 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 전자 수송 물질의 예로는 8-하이드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 하이드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 상기 음극 물질로는 낮은 일함수를 가지는 물질; 및 알루미늄층 또는 실버층을 사용할 수 있다. 상기 낮은 일함수를 가지는 물질의 예로는 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있으며, 상기 물질로 층을 형성한 후 알루미늄층 또는 실버층을 상기 층 위에 형성할 수 있다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 수취받은 전자를 발광층에 주입하는 층이다. 상기 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층 또는 정공 주입 재료에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실험예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예]
제조예 1: 화합물 A의 제조
Figure 112019031857277-pat00040
1) 화합물 A-1의 제조
2000 mL 둥근 플라스크에 메틸 3-아미노벤조[b]티오펜-2-카르복실레이트(65 g, 313.6 mmol) 및 유레아(84.8 g, 1.41 mol)의 혼합물을 200℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 후, 수산화나트륨 용액에 붓고, 불순물을 여과하여 제거한 다음, 반응물을 산성화하고(HCl, 2N), 수득한 침전물을 건조시켜 화합물 A-1(52.6 g, 수율 77％)을 수득하였다.
2) 화합물 A의 제조
1000 mL 둥근 플라스크에 화합물 A-1(52.6 g, 0.24 mol) 및 옥시염화인(750 mL)의 혼합물을 환류 하에 7.5시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각시키고, 강하게 교반하면서 얼음물에 부어, 침전물을 생성하였다. 이로부터 수득한 반응물을 여과하여, 화합물 A(51 g, 수율 83 ％, 백색 고체)를 수득하였다.
제조예 2: 화합물 B의 제조
Figure 112019031857277-pat00041
1) 화합물 B-1의 제조
2000 mL 둥근 플라스크에 메틸 3-아미노벤조퓨란-2-카복실레이트(65 g, 340 mmol) 및 유레아(91.9 g, 1.5 mol)의 혼합물을 200℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각한 후, 수산화나트륨 용액에 붓고, 불순물을 여과하여 제거한 다음, 반응물을 산성화하여(HCl, 2N), 수득한 침전물을 건조시켜 화합물 B-1(49.4 g, 수율 72 ％)을 수득하였다.
2) 화합물 B의 제조
1000 mL 둥근 플라스크에 화합물 B-1(49.4 g, 0.24 mol) 및 옥시염화인(720 mL)의 혼합물을 환류 하에 7.5시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각시키고, 강하게 교반하면서 얼음물에 부어, 침전물을 생성하였다. 이로부터 수득한 반응물을 여과하여, 화합물 B(45.1 g, 수율 77 ％, 백색 고체)를 수득하였다.
제조예 3: 화합물 1-1의 제조
Figure 112019031857277-pat00042
질소 분위기에서 화합물 A(10 g, 39.2 mmol)와 2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진(17.1 g, 39.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란(150 mL)에 녹인 후 탄산칼륨(16.3 g, 0.11 mol)을 물(50 mL)에 녹여 첨가하고, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(1.35 g, 1.18 mmol)을 넣은 후 9시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 필터하여 물과 에탄올로 씻어준 뒤 건조하여 화합물 1-1을 제조하였다(16.8 g, 수율 81 %, MS:[M+H]+= 528).
제조예 4: 화합물 1-2의 제조
Figure 112019031857277-pat00043
2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 2,4-디페닐-6-(3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-2를 제조하였다.
제조예 5: 화합물 1-3의 제조
Figure 112019031857277-pat00044
2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 (4-브로모페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-3P1을 제조하였다. 이어서 화합물 A 대신 화합물 1-3P1을 사용하여 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-3을 제조하였다.
제조예 6: 화합물 1-4의 제조
Figure 112019031857277-pat00045
질소 분위기에서 화합물 A(10 g, 39.2 mmol)와 4,6-디페닐-2-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보롤란-2-일)페닐)피리미딘(17 g, 39.2 mmol)을 테트라하이드로퓨란(150 mL)에 녹인 후 탄산칼륨(16.3 g, 0.11 mol)을 물(50 mL)에 녹여 첨가하고, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(1.35 g, 1.18 mmol)을 넣은 후 9시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 필터하여 물과 에탄올로 씻어준 뒤 건조하여 화합물 1-4를 제조하였다(17.6 g, 수율 85 %, MS:[M+H]+= 528).
제조예 7: 화합물 1-5의 제조
Figure 112019031857277-pat00046
1) 화합물 1-5P1의 제조
질소 분위기에서 2,4-디클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진(20 g, 88.5 mmol)과 디벤조[b,d]퓨란-4-일보론산(18.8 g, 88.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란(200 mL)에 녹인 후 탄산칼륨(36.7 g, 0.26 mol)을 물(50 mL)에 녹여 첨가하고, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(3.1 g, 2.65 mmol)을 넣은 후 8시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 필터하여 물과 에탄올로 씻어준 뒤 건조하여 화합물 1-5P1을 제조하였다(19 g, 수율 60 %, MS:[M+H]+= 358)
2) 화합물 1-5P2의 제조
질소 분위기에서 화합물 1-5P1(19 g, 53.1 mmol)과 (4-브로모페닐)보론산(10.7 g, 53.1 mmol)을 테트라하이드로퓨란(1200 mL)에 녹인 후 탄산칼륨(22 g, 0.16 mol)을 물(50 mL)에 녹여 첨가하고, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(1.8 g, 1.59 mmol)을 넣은 후 12시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 용매를 감압 농축하였다. 이 농축액을 클로로포름에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 1-5P2를 얻었다 (17.7 g, 수율 75 %, MS:[M+H]+= 444).
3) 화합물 1-5의 제조
2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 화합물 1-5P2를 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-5를 제조하였다.
제조예 8: 화합물 1-6의 제조
Figure 112019031857277-pat00047
1) 화합물 1-6P1의 제조
질소 분위기에서 2,4-디클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진(20 g, 88.9 mmol)을 디메틸포름아마이드(200 mL)에 녹인 후 0℃에서 수소화나트륨(4.7 g, 115.6 mmol)을 천천히 추가한다. 30분 후 9H-카바졸(14.8 g, 88.9 mmol)을 천천히 넣은 후 상온에서 3시간 동안 교반하였다. 필터하여 물과 에탄올로 씻어준 뒤 건조하여 화합물 1-6P1을 제조하였다(15.8 g, 수율 50 %, MS:[M+H]+= 357)
2) 화합물 1-6P2의 제조
화합물 1-5P1 대신 화합물 1-6P1를 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-5P2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-6P2를 제조하였다. (14.9 g, 수율 80 %, MS:[M+H]+= 443).
3) 화합물 1-6의 제조
2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 화합물 1-6P2를 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 1-6을 제조하였다. (19.3 g, 수율 80 %, MS:[M+H]+= 617).
제조예 9: 화합물 2-1의 제조
Figure 112019031857277-pat00048
화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-1을 제조하였다.
제조예 10: 화합물 2-2의 제조
Figure 112019031857277-pat00049
화합물 A와 2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 각각 화합물 B와 2,4-디페닐-6-(3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-2를 제조하였다.
제조예 11: 화합물 2-3의 제조
Figure 112019031857277-pat00050
화합물 A와 2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진 대신 각각 화합물 B와 4,6-디페닐-2-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보롤란-2-일)페닐)피리미딘을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-3을 제조하였다.
제조예 12: 화합물 2-4의 제조
Figure 112019031857277-pat00051
1) 화합물 2-4P1의 제조
디벤조[b,d]퓨란-4-일보론산 대신 디벤조[b,d]싸이오펜-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-5P1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-4P1를 제조하였다
2) 화합물 2-4P2의 제조
1-5P1 대신 2-4P1을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-5P2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-4P2를 제조하였다
3) 화합물 2-4의 제조
화합물 A과 1-5P2 대신 각각 화합물 B와 2-4P2를 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-5를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-4를 제조하였다.
제조예 13: 화합물 2-5의 제조
Figure 112019031857277-pat00052
화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고, 화합물 1-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2-5를 제조하였다.
제조예 14: 화합물 1의 제조
Figure 112019031857277-pat00053
화합물 1-1(10 g, 18.9 mmol)과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산(4 g, 18.9 mmol)을 다이옥세인(100 mL)에 녹인 후 탄산칼륨(K2CO3)(7.9 g, 56.81 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(0.3 g, 0.57 mmol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 N-메틸-2-피롤리돈을 이용하여 재결정화시켜 건조하여 화합물 1을 제조하였다(8.7 g, 수율 70 %, MS:[M+H]+= 660).
제조예 15: 화합물 2의 제조
Figure 112019031857277-pat00054
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 1-2와 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-3-일)보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 2를 제조하였다. (MS:[M+H]+= 686)
제조예 16: 화합물 3의 제조
Figure 112019031857277-pat00055
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 1-3과 디벤조[b,d]퓨란-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 3을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 734)
제조예 17: 화합물 4의 제조
Figure 112019031857277-pat00056
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 1-4와 디벤조[b,d]싸이오펜-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 4를 제조하였다. (MS:[M+H]+= 675)
제조예 18: 화합물 5의 제조
Figure 112019031857277-pat00057
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 1-5와 디벤조[b,d]퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 5를 제조하였다. (MS:[M+H]+= 750)
제조예 19: 화합물 6의 제조
Figure 112019031857277-pat00058
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 1-6과 디벤조[b,d]싸이오펜-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 6을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 765)
제조예 20: 화합물 7의 제조
Figure 112019031857277-pat00059
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 2-1과 디벤조[b,d]퓨란-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 7을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 644)
제조예 21: 화합물 8의 제조
Figure 112019031857277-pat00060
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 2-2과 디벤조[b,d]싸이오펜-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 8을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 686)
제조예 22: 화합물 9의 제조
Figure 112019031857277-pat00061
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 2-3과 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 9을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 669)
제조예 23: 화합물 10의 제조
Figure 112019031857277-pat00062
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 2-4와 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-1-일)보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 10을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 792)
제조예 24: 화합물 11의 제조
Figure 112019031857277-pat00063
화합물 1-1과 디벤조[b,d]퓨란-1-일보론산 대신 각각 화합물 2-5와 디벤조[b,d]싸이오펜-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 11을 제조하였다. (MS:[M+H]+= 749)
[실험예]
실험예 1
ITO(indium tin oxide)가 130nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HI-1 화합물을 5nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 25nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하고, HT-1 증착막 위에 하기 HT-2 화합물을 5nm의 두께로 진공 증착하여 전자 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 HT-2 증착막 위에 앞서 제조한 화합물 1과 하기 Dp-25 화합물을 88:12의 중량비로 공증착하여 40nm 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 ET-1 화합물을 25nm의 두께로 진공 증착하여 전자 수송층을 형성하고, 그 위에 하기 ET-2 화합물과 LiQ를 98:2의 중량비로 진공 증착(두께 10nm)하여 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 100nm 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure 112019031857277-pat00064
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.04nm/sec 내지 0.07nm/sec를 유지하였고, 알루미늄은 0.2nm/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1Х10-7 torr 내지 5Х10-6 torr를 유지하였다.
실험예 2 내지 11 및 비교예 1 내지 7
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실험예 1과 동일한 방법으로 실험예 2 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기 실험예 6 내지 11 및 비교예 6 및 7에서는 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 1:1의 중량비로 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 실험예 6을 예로 들자면, 실험예 1에서 화합물 1 대신 화합물 1 및 화합물 H-2를 1:1의 중량비로 사용한 것이다.
Figure 112019031857277-pat00065
Figure 112019031857277-pat00066
상기 실험예 및 비교예의 유기 발광 소자에 10 mA/cm2 전류 밀도를 인가할 때의 전압, 효율, 발광색 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, T95은 전류 밀도 20 mA/cm2에서의 초기 휘도를 100%로 하였을 때 휘도가 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
화합물 전압(V)
(@10mA/cm2)		 효율(cd/A)
(@10mA/cm2)		 발광색 T95
(@20mA/cm2)
실험예 1 1 2.92 64.3 녹 색 57
실험예 2 2 2.89 65.6 녹 색 60
실험예 3 4 3.00 64.0 녹 색 52
실험예 4 7 2.97 65.1 녹 색 53
실험예 5 10 2.95 64.0 녹 색 66
비교예 1 C1 3.01 60.0 녹 색 40
비교예 2 C2 3.07 62.5 녹 색 43
비교예 3 C3 3.09 59.5 녹 색 31
비교예 4 C4 3.05 58.9 녹 색 45
비교예 5 C5 3.10 59.8 녹 색 50
실험예 6 1, H-2 3.30 73.0 녹 색 158
실험예 7 3, H-2 3.25 75.1 녹 색 164
실험예 8 5, H-2 3.32 74.1 녹 색 159
실험예 9 9, H-2 3.38 74.9 녹 색 158
실험예 10 6, H-2 3.40 74.0 녹 색 151
실험예 11 9, H-2 3.37 74.6 녹 색 160
비교예 6 C1, H-2 3.42 65.3 녹 색 140
비교예 7 C5, H-2 3.51 66.9 녹 색 143
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 종래 많이 사용하던 녹색 발광 호스트 물질인 화합물 C1 보다 본 발명의 화합물의 경우 전압 및 수명 측면에서 장점을 보이며 수명 역시 약 15~190% 늘어남을 확인하였다.
또한, 발광층에 2종의 호스트를 사용한 경우 수명 특성에서 더욱 우수한 성능을 나타냄을 확인할 수 있었다. 표 1의 결과로부터, 정공 및 전자를 받아들이는 부분에 축합된 헤테로 고리(퀴나졸린)가 존재하는 비교예 C1와 비교하여, 본 발명의 화합물과 같이 트리아진 또는 피리미딘이 존재할 때, 정공과 전자의 유입이 원활하고 밸런스가 잘 맞아 전압 및 수명에서 장점을 보이는 것으로 해석할 수 있다.
실험예 8 내지 10 에서 확인할 수 있듯이 상대적으로 전공 특성이 강한 헤테로아릴기를 트리아진 및 피리미딘에 치환시킴으로써 정공과 전자의 균형이 용이하게 이루어져 저전압 및 장수명 특성을 나타내었다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공 주입층
6: 정공 수송층
7: 전자 수송층
8: 전자 주입층
9: 전자 차단층

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112019031857277-pat00067

    상기 화학식 1에 있어서,
    Y1은 S, O 또는 CR11R12이고,
    Y2는 S, O 또는 CR13R14이며,
    R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
    X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR 또는 N이고, X1 내지 X3 중 적어도 2개는 N이며,
    R은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
    Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
    L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
    R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 할로겐기; 니트로기; 니트릴기; 하이드록시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
    a1은 0 내지 4의 정수이고, a1이 2 이상인 경우 R1은 서로 동일하거나 상이하며,
    a2는 0 내지 7의 정수이고, a2가 2 이상인 경우 R2는 서로 동일하거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, Y1은 S 또는 O인 것인 화합물.
  3. 청구항 1에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기인 것인 화합물.
  4. 청구항 1에 있어서, R11 내지 R14는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 또는 중수소인 것인 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112019031857277-pat00068

    상기 화학식 2에 있어서,
    Y1, Y2, X1 내지 X3, Ar1, Ar2, R1, R2, a1 및 a2의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    R3는 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
    n은 0 내지 4의 정수이며,
    a3는 0 내지 4의 정수이고,
    a3가 2 이상인 경우, R3는 서로 동일하거나 상이하며,
    n이 2 이상인 경우,
    Figure 112019031857277-pat00069
    는 서로 동일하거나 상이하다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 6 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 3]
    Figure 112019031857277-pat00070

    [화학식 4]
    Figure 112019031857277-pat00071

    [화학식 5]
    Figure 112019031857277-pat00072

    [화학식 6]
    Figure 112019031857277-pat00073

    상기 화학식 3 내지 6에 있어서,
    Y1, Y2, X1 내지 X3, R1, R2, L, a1 및 a2의 정의는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
    Y3는 O, S 또는 NR'이며, R'은 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이며,
    a4, a5, a6, a8 및 a10은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, a7은 0 내지 8의 정수이고, a9 및 a11은 각각 독립적으로 0 내지 7의 정수이고,
    a4가 2 이상인 경우, R4는 서로 동일하거나 상이하고,
    a5가 2 이상인 경우, R5는 서로 동일하거나 상이하고,
    a6가 2 이상인 경우, R6는 서로 동일하거나 상이하고,
    a7이 2 이상인 경우, R7은 서로 동일하거나 상이하고,
    a8이 2 이상인 경우, R8은 서로 동일하거나 상이하고,
    a9가 2 이상인 경우, R9는 서로 동일하거나 상이하며,
    a10이 2 이상인 경우, R10은 서로 동일하거나 상이하며,
    a11이 2 이상인 경우, R11은 서로 동일하거나 상이하다.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중에서 선택된 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112019031857277-pat00074

    Figure 112019031857277-pat00075

    Figure 112019031857277-pat00076

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    .
  8. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 청구항 1 내지 7 중 어느 하나의 항에 따른 화합물은 상기 유기물층에 포함되는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 화합물은 상기 전자 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층 중 적어도 하나의 층에 포함되는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함되는 것인 유기 발광 소자.
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