TWI449901B

TWI449901B - 發光二極體晶片測試裝置

Info

Publication number: TWI449901B
Application number: TW099104694A
Authority: TW
Inventors: Beng So Ryu
Original assignee: Qmc Co Ltd; Beng So Ryu
Priority date: 2009-02-20
Filing date: 2010-02-12
Publication date: 2014-08-21
Also published as: CN102326090B; WO2010095809A2; US20110316579A1; US8952717B2; JP2012518182A; JP5327489B2; CN102326090A; WO2010095809A3; TW201037296A

Description

發光二極體晶片測試裝置

發明領域

本發明係有關一用以測試發光二極體晶片以調查其效能之發光二極體晶片測試裝置。

發明背景

發光二極體(LED)係為一種將電轉換成光的半導體發光元件。發光二極體亦稱為發冷光二極體(luminescent diode)。發光二極體相較於習見光源而言具有許多優點，包括尺寸較小、壽命較長、低功率消耗及高速回應性。因此，發光二極體已廣泛使用在諸如用於汽車儀器之顯示器元件、用於諸如光學通信光源、供數值顯示元件或計算器用的讀卡器等各種不同電子元件之顯示燈、背光等物件的各種不同應用中。

發光二極體係經由一磊晶製程、一晶片製程(製造(fabrication))及一封裝製程而製成。發光二極體在經過封裝製程被封裝之後接受一測試製程。測試製程中，未正常運作的發光二極體(下文稱為“劣品”)係被排除，而正常運作的發光二極體(下文稱為“良品”)則依據其效能被選別入多重級別然後予以運送。

此處，在測試製程中，發光二極體可能由於封裝製程期間造成的問題而被排除成為劣品或選別入一較低級別，且其可能在經歷過封裝製程之前由於其以晶片狀態(下文稱為“發光二極體晶片”)被製造的製造製程期間所產生之問題而被排除成為劣品或選別入較低級別。

亦即，縱使封裝製程中未產生會影響發光二極體效能的問題，亦可能發現由於發光二極體晶片製造時所產生的問題而使發光二極體成為劣品或被選別入較低級別。

由於發光二極體晶片製造時所造成的問題而在測試製程中被排除成為劣品之發光二極體係不必要地經歷過封裝製程及測試製程。由於其經歷過不必要的製程，可能造成材料成本及製程成本的損失。

對於由於發光二極體晶片製造期間所造成的問題而被選別入較低級別之發光二極體，在封裝製程中可能追究其被選別入較低級別的原因。結果，這在獲得精確分析結果的過程中將耗時且不合乎成本效益。

上述問題可能導致製造採用發光二極體的產品之單位成本增高，亦可能導致製造發光二極體的單位成本增高。

發明概要

鑒於上文，本發明係提供一能夠精確地測試發光二極體晶片的效能之發光二極體晶片測試裝置。

為了達成上述目的，本發明可包括下列組態。

根據本發明的一實施例，提供一用以測量一發光二極體晶片的特徵之發光二極體晶片測試裝置，該裝置係包括：一旋轉構件，其支撐該發光二極體晶片並轉動該發光二極體晶片至一其中使該發光二極體晶片的特徵受到測試之測試位置；及一測試器，其裝設於該旋轉構件旁邊並用來測量處於該測試位置之該發光二極體晶片的特徵。

根據本發明的一實施例，該旋轉構件可包括：複數個支撐框架，其相對於一旋轉軸線延伸於徑向方向；及複數個安裝構件，其各者係裝設於該複數個支撐框架的對應一者之一端部分處並用來在其上安裝該發光二極體晶片。

根據本發明的一實施例，該安裝構件的整體或一部份可由一含有下列任一者的材料製成：藍寶石，石英，玻璃，鐵合金，銅合金，鋁合金，不銹鋼，硬金屬，PTFE(聚四氟乙烯)，金，鉑及銀。並且，該安裝構件的整體或一部份係可被覆蓋以一面鏡式塗覆物，或被鍍覆以金、鉑或銀。

根據本發明的一實施例，該安裝構件可包括：一安裝體部，其耦合至該旋轉構件；及一接觸構件，其接觸到該發光二極體晶片。並且，該接觸構件可由藍寶石製成，且面對該安裝體部之一接觸構件的表面係被覆蓋以一面鏡式塗覆物。

根據本發明的一實施例，該測試器可包括：一接觸單元，其接觸到處於該測試位置之該發光二極體晶片並藉此使該發光二極體晶片發光；及一測量單元，其測量處於該測試位置之該發光二極體晶片的一光學特徵。

根據本發明的一實施例，該發光二極體晶片測試裝置可進一步包括一傳送構件，其將從該發光二極體晶片所發射的光傳送至該測試器。

根據本發明的一實施例，該傳送構件可包括一傳送表面，其將從該發光二極體晶片所發射的光傳送至該測量單元，及該傳送表面可設有一穿孔以供從該發光二極體晶片所發射的光穿過。

根據本發明的一實施例，該穿孔的尺寸係可在一面朝位居該測試位置處的該發光二極體晶片之方向從該測量單元逐漸地減小。

根據本發明的一實施例，該傳送表面的整體或一部份可被覆蓋以一面鏡式塗覆物。

根據本發明的一實施例，該接觸單元可包括一被帶領而接觸於該發光二極體晶片之可脫離式接觸銷針。並且，該接觸單元可為一探針卡。

根據本發明的一實施例，該測量單元可為一具有一光接收孔之整合球體，從處於該測試位置的該發光二極體晶片所發射之光係經過該光接收孔被導入該整合球體的內側。

根據本發明的一實施例，該測試器可進一步包括一用以移動該接觸單元之接觸運動單元。並且，該接觸運動單元係可包括一用以轉動該接觸單元之接觸旋轉機構。

根據本發明的一實施例，該測試器可進一步包括一用以上下揚升該測量單元之測量揚升單元。

圖式簡單說明

可連同圖式參照下文描述清楚地瞭解本揭示：第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；第2圖為一進給器的示意立體圖；第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，其顯示一安裝構件；第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件的示意立體圖；第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖；第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安裝構件的示意橫剖視圖；第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構件之示意立體圖；第9圖為第8圖的分解立體圖；第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖；第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二極體晶片的一狀態；第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作狀態；第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸運動單元的示意立體圖；第19圖為第18圖的分解立體圖；第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程的示意性操作狀態；第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件；第28圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖；第29至30圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸單元的立體圖；第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖；第32圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖。

發明之詳細說明

下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置的實施例。

參照第1圖，發光二極體晶片測試裝置1係包括進給器2及測試器3。測試器3係包括測量單元31，接觸單元32，第一傳送構件33(顯示於第8圖)，接觸運動構件34及主體部35。

<進給器>

參照第1及2圖，進給器係進給一待測試發光二極體晶片至一其中使測量單元31能夠測量發光二極體晶片的一光學特徵之測試位置。進給器2可包括一或多個安裝構件21，一旋轉構件22及一旋轉單元23。

參照第1至3圖，一發光二極體晶片係安裝在安裝構件21上。發光二極體晶片安裝在安裝台上之後，發光二極體晶片藉由一空氣吸取元件F(顯示於第11圖)被吸引至安裝構件21上以穩固地固持於其上。空氣吸取元件F可裝設於旋轉構件22處。空氣吸取元件F能夠經由一設置於安裝構件21中的通孔21a吸取空氣來吸引安裝台21上所安裝之發光二極體晶片。安裝構件21可形成一圓柱形形狀。

複數個此等安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。隨著旋轉單元23轉動旋轉構件22，安裝構件21可順序性位居一測試位置TP處。當各安裝構件21位居測試位置TP處，安裝構件21被定位測量單元31下方。

安裝構件21係用來在其上吸引及固持發光二極體晶片。因為數個發光二極體晶片被接續地安裝於安裝構件21上，安裝構件21可由一具有高硬度的材料製成或被其塗覆。理想上，安裝構件21可由一具有高反射率(reflectivity)的材料製成或被其塗覆，藉以當光被送往或反射往安裝構件21時容許發光二極體晶片所發射的光被送到測量單元31，藉此防止產生光學損失。

可特別想要使安裝構件21由一在一測量波長頻帶或與其接近的波長頻帶內─亦即約200 nm至約1000 nm的波長頻帶內具有固定高反射率之材料製成或被其塗覆。也就是說，當光被送到放置有發光二極體晶片處除外之一安裝構件21的頂表面區及一安裝構件21的側向表面區時，若光被安裝構件21大量吸收，則發光二極體晶片的光學特徵將未被精確測量。理想上，因此，安裝構件21可由一在測量波長頻帶或與其接近的波長頻帶內具有高反射率之材料製成。尚且，當複數個安裝構件21具有不同反射率時或隨著長時間使用後當安裝構件21磨損而使各安裝構件21的反射率相對於其初始狀態產生改變時，發光二極體晶片的光學特徵可被精確測量。因此，想要將安裝台21的反射率設定成固定維持在測量波長頻帶及與其接近的波長頻帶內之高數值。

同時，發光二極體晶片若是水平型，電極只在一封裝製程期間形成於發光二極體晶片的一頂表面上。然而，發光二極體晶片若是垂直型，單一電極係形成於發光二極體晶片的頂表面上，而發光二極體晶片的一下部份則作為另一電極。可能想要測量發光二極體晶片在與封裝後的環境最為相同之條件下的特徵。為此，若是垂直型晶片，電力需被傳導通過發光二極體晶片的下部份。因此，接觸到垂直型發光二極體晶片的下部份之安裝構件21係需由一高傳導材料製成藉以當發光二極體晶片發光時降低電阻。

如上述，考量到抗磨性、硬度、反射率、傳導率及類似因素，為了以高可靠度穩定地測量發光二極體晶片的光學特徵，整體安裝構件21或安裝構件21的一部份可由一含有藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、PTEE(聚四氟乙烯)、金、鉑及銀的任一者之材料製成。整體安裝構件或安裝構件的一部份係可覆蓋以一面鏡塗覆物、或者鍍覆以金、鉑或銀。

同時，安裝構件21可包括一接觸構件211及一第一安裝體部212。

接觸構件211可耦合至第一安裝體部212的一側212a並被帶領而接觸於發光二極體晶片。接觸構件211可由一高傳導材料製成。譬如，接觸構件211可由譬如金、鉑、或銀製成。尤其，接觸構件211可藉由金、鉑或銀塗覆第一安裝體部212而形成。當發光二極體晶片製成藉由接觸單元32而發光時，接觸構件211能夠降低發光二極體晶片的電阻。為此，發光二極體晶片測試裝置1能夠測量發光二極體晶片的光學特徵及電性特徵。

第一安裝體部212耦合至旋轉構件22。接觸構件211耦合至第一安裝體部212的一側212a。第一安裝體部212可形成一圓柱形形狀。

如上述，當接觸構件211由一具有高傳導率及高反射率的材料製成時，其可具有一相對較低的硬度。在此例中，若安裝構件21上的發光二極體晶片作重覆放置，接觸構件211可能易於磨損。

為防止此問題，第一安裝體部212可設有複數個突件2121，其在面朝測量單元31的一方向(以箭頭G代表)從處於測試位置TP的發光二極體晶片突起。突件2121可形成於第一安裝體部212的一側212a上。藉由形成突件2121，第一安裝體部212的一側212a亦可設有複數個溝槽2122，其從測量單元31在一面朝放置於測試位置的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)凹入一特定深度。

接觸構件211可耦合至第一安裝體部212藉以被插入突件2121之間。亦即，接觸構件211可形成於第一安裝體部212的一側212a以被插入溝槽2122中。為此，由於存在有被插入溝槽2122中之接觸構件211而能夠長期使用安裝構件21，縱使發光二極體晶片被重覆放置於安裝構件21上亦然，藉此容許發光二極體晶片的效能受到精確測量。

各突件2121可具有一矩形平行六面體形狀。然而，各突件2121可形成矩形平行六面體形狀以外的另一形狀，諸如半球形，只要安裝構件211可被插入突件2121之間即可。

可藉由將溝槽2122形成於第一安裝體部212的一側212a以製備突件2121。溝槽2122的一部份可沿著一第一方向呈長形，而溝槽2122的另一部份可沿著垂直於第一方向的一第二方向呈長形。藉由此配置，溝槽2122彼此相交，其中因此使突件2121可以一格構圖案形成於第一安裝體部212的一側212a。第一方向及第二方向可能未彼此垂直，而是其非直角的角度相交。尚且，溝槽2122可能形成於三或更多個不同方向。

參照第1至5圖，根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件21係可包括一接觸構件211及一第一安裝體部22，如下述。

接觸構件211係耦合至第一接觸體部211的一側212a並被帶領而接觸於一發光二極體晶片。接觸構件211可由一高硬度材料製成。譬如，接觸構件211可由藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、或PTEE(聚四氟乙烯)製成。為此，縱使發光二極體晶片重覆放置於安裝構件21上，亦可防止接觸構件211容易被磨損。一其中可供接觸構件211插入之耦合溝槽2123係可形成於第一安裝體部212的一側212a。耦合溝槽2123可從測量單元31在朝向位居測試位置TP上的一發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)凹入一特定深度。

耦合溝槽2123可譬如形成一圓形板形。耦合溝槽2123可形成與接觸構件211實質相同的形狀藉以容許接觸構件211插入其中。耦合溝槽2123可形成碟形以外的另一形狀，諸如一矩形板形或類似物。耦合溝槽2123可形成與接觸構件211實質相同的尺寸。接觸構件211可藉由插入配合至耦合溝槽2123中而被耦合至第一安裝體部212。接觸構件211亦可藉由一黏劑或類似物被黏著至第一安裝體部212。

如上述，若接觸構件211由一具有高硬度的材料製成，該材料可具有低反射率。譬如，若接觸構件由藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、或PTEE(聚四氟乙烯)製成，則從一發光二極體晶片發射的光可能有些部份未抵達測量單元31。

為防止此問題，安裝構件21可進一步包括一反射構件213。反射構件213可被插入耦合溝槽2123中以位居接觸構件211與第一安裝體部212之間。反射構件213係反射從發光二極體晶片發射的光藉以容許光抵達測量單元31。從發光二極體晶片往下發射的光係被反射構件213所反射且因此可被送到測量單元31。反射構件213可由一具有高反射率的材料製成。譬如，反射構件213可藉由面鏡式塗覆一金屬或一樹脂材料所形成。藉由此組態，可容許較大量的光抵達測量單元31，藉此容許發光二極體晶片測試裝置1更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

可使將被帶領而接觸於耦合溝槽2123之接觸構件211的一側211a作面鏡式塗覆，藉以製備反射構件213。譬如，接觸構件211可由藍寶石製成，且藉由面鏡式塗覆將被帶領而接觸於耦合溝槽2123之接觸構件211的一側211a，從發光二極體晶片發射的光可被送到測量單元31。在此例中，即便藍寶石製成的接觸構件211反射率隨著其表面因為反覆使用接觸構件211受損而劣化時，因為藍寶石的後表面為面鏡式塗覆，即便隨時間經過仍可固定維持高水準的反射率。

設置於安裝構件21中的通孔21a係可形成經過接觸構件211，第一安裝體部212及反射構件213。空氣吸取元件F(顯示於第11圖)係能夠經由通孔21a吸取空氣藉以吸引安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片。

參照第1至6圖，根據本發明之實施例的又另一修改範例之一安裝構件21係可進一步包括一第二安裝體部214。

第二安裝體部214係包括一通孔，上方安裝有一發光二極體晶片之第一安裝體部212的部分係插入經過該通孔。第二安裝體部214可耦合至第一安裝體部212，使得上方安裝有發光二極體晶片之第一安裝體部212的部分插入經過第二安裝體部214的通孔。

第二安裝體部214的一頂表面及第一安裝體部212的一頂表面係可位居不同高度。如第6圖所示，第一安裝體部212可形成為使其頂表面突出高於第二安裝體部214的頂表面。雖未圖示，第二安裝體部214可形成為使其頂表面突出高於第一安裝構件212的頂表面。第二安裝體部214可形成一圓柱形。

第二安裝體部214設有一傾斜表面2141，其用來將發光二極體晶片往下發射的光送往測量單元31。在此例中，測量單元31可位居被置於測試裝置TP之發光二極體晶片上方。

可藉由形成一以一特定厚度自第二安裝體部214的頂表面凹入之傾斜溝槽2142來製備傾斜表面214。傾斜溝槽2142可形成為沿著一往下方向(以箭頭H代表)從第二安裝體部214的頂表面呈窄化。為此，傾斜表面2142可在一往外方向(以箭頭E代表)呈傾斜。第二安裝體部214可形成一圓柱形，且傾斜溝槽2142可形成為隨著從第二安裝體部214頂表面往下而使其直徑逐漸減小。

因為存在有傾斜表面2142，將可容許較大量的光抵達測量單元31，根據本發明的實施例之發光二極體晶片測試裝置1可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。傾斜表面2141可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，傾斜表面2141可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

參照第1及2圖，旋轉構件22裝設於主體部35旁邊。

複數個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。旋轉構件22可被旋轉單元所轉動。當旋轉構件22被轉動，安裝構件21以及裝載於安裝構件21上之待測試的發光二極體晶片係可順序性位居測試位置TP處。

更確切來說，複數個安裝構件22可當其相對於一旋轉軸線22a以彼此相同的角度間隔分佈之時被配置於旋轉構件22處。藉由此配置，旋轉單元23係以相同角度重覆旋轉單元23的轉動及停止，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。

譬如，八個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處同時相對於旋轉軸線22a以約45°的角度間隔彼此分開。在此例中，由於旋轉單元23重覆地轉動旋轉構件22約45°及停止旋轉構件22的轉動，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。或者，十二個安裝構件21可相對於旋轉軸線22a以約30°的角度間隔裝設於旋轉構件22處。在此例中，由於旋轉單元22重覆地轉動旋轉構件22約30°及停止旋轉構件22的轉動，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。

亦即，當裝設於旋轉構件22處的安裝構件21數定義為N(N是大於1的整數)，可裝設N數量的安裝構件21同時其彼此相對於旋轉軸線22a以(360/N)°的角度間隔分佈。由於旋轉單元23重覆地轉動旋轉構件22(360/N)°然後停止轉動，安裝構件21可被順序性放置於測試位置TP處。理想上，偶數個的安裝構件22可被裝設於旋轉構件22處。

當安裝構件21的任一者位居測試位置TP時，另一安裝構件21可位居一其中使一待測試的發光二極體晶片受到裝載之裝載位置LP，同時安裝構件21的另一者可位居一其中使一經測試的發光二極體晶片被卸載之卸載位置ULP。

一發光二極體晶片係被裝載於位居裝載位置LP之安裝構件21上並在其被移至測試位置TP之後作測試。然後，測試完成之後，發光二極體晶片被移至卸載位置以從安裝構件21被卸載。亦即，進給器2能夠將待測試的發光二極體晶片進給至測試位置TP並將經測試的發光二極體晶片送到卸載位置ULP。可藉由一組構為可轉移發光二極體晶片但未圖示之轉移部件來進行將一待測試的發光二極體晶片裝載至位居裝載位置LP的安裝構件21上之製程以及將一經測試的發光二極體晶片從位居卸載位置ULP的安裝構件21作卸載之製程。

安裝構件22可裝設於旋轉構件22處以使至少一安裝構件22同時位居測試位置TP、裝載位置LP及卸載位置ULP的各者處。

旋轉構件22可包括支撐框架221，其上裝設有各別的安裝構件21。旋轉構件22可包括與安裝構件21相同數量的支撐框架221。譬如，若八個安裝構件21設置於旋轉構件22處，旋轉構件22可包括八個支撐框架221。在此例中，支撐框架221可相對於旋轉軸線22a以約45°間隔彼此分開。支撐框架221可裝設成使其從旋轉軸線22a往外呈長形藉以位居測試位置TP、裝載位置LP及卸載位置ULP處。

安裝構件21可裝設於支撐框架221的頂表面上。空氣吸取元件F(顯示於第11圖)可裝設於各支撐框架221的一底表面。一與安裝構件21的通孔21a(顯示於第11圖)呈現導通之通孔22b(顯示於第11圖)係可設置於其中裝設有安裝構件21之支撐框架221的部分中。通孔21a及22b可譬如形成圓柱形。

參照第1及2圖，旋轉單元23係轉動旋轉構件22藉以使安裝構件21順序性位居測試位置TP處。旋轉單元23可耦合至旋轉構件22的一底表面並用來沿旋轉軸線22a轉動旋轉構件22。

旋轉單元23可包括一馬達231。馬達231係組構為可藉由直接耦合至旋轉軸線22a或藉由耦合至與旋轉軸線22a連接之一未圖示的軸來轉動旋轉構件22。若馬達231裝設於一與未圖示的軸分開一特定距離之位置，旋轉單元23可進一步包括一滑輪及一皮帶，其用於連接馬達231及未圖示的軸。

<測試器>

參照第1至7圖，測試器3裝設在旋轉構件21旁邊且能夠測試一位居測試位置TP之發光二極體晶片。如上述，測試器3係可包括測量單元31，接觸單元32，第一傳送構件33(顯示於第8圖)，接觸運動單元34及主體部35。

測量單元31係包括一光接收孔311(顯示於第11圖)，以供液晶顯示裝置(LCD)晶片發射的光經由其被導入。測量單元31係連接於一測試元件(未圖示)，該測試元件係能夠分析發光二極體晶片上的一測試結果、且能夠與測量元件合作從經由光接收孔311導入的光來測量發光二極體晶片的一光學特徵。光學特徵可包括明度、波長、光通量、照明、頻譜分佈、色溫等等。可使用一積分球作為測量單元31。

測量單元31可耦合至主體部34以使光接收孔311位居發光二極體晶片上方。一光譜儀及一光偵測器的至少一者可裝設於測量單元31處。譬如，測量單元31可形成一球形且光接收孔311可形成一圓形。

參照第1至10圖，接觸單元32可連接於測試元件並能夠與測試元件(未圖示)合作使發光二極體晶片發光。測量單元31能夠測量發光二極體晶片的光學特徵。為此，接觸單元32能夠與測試元件合作以測試發光二極體晶片的一電性特徵。

接觸單元32可包括一或多個接觸銷針321及一耦合至接觸運動單元34之接觸體部322。接觸單元32可被水平移動且亦可藉由接觸運動單元34而被上下移動。與測試元件合作，接觸單元32能夠使接觸於接觸銷針321之發光二極體晶片發光。接觸單元32可包括複數個此等接觸銷針321。可使用一探針卡作為接觸單元32。

接觸體部322可包括與接觸銷針321呈電性連接之一或多個終端3221。接觸銷針321係耦合至接觸體部322同時其保持接觸於終端3221。接觸銷針321可經由終端3221電性連接於測試元件。接觸體部422可包括複數個終端3221，且連接銷針321可耦合至終端3221的各者。

接觸體部322可耦合至接觸運動單元34藉以位居測量單元31與接觸於接觸銷針321的發光二極體晶片之間。測量單元31可位居接觸體部322上方，而置於測試位置TP之發光二極體晶片可位居接觸體部322下方。

接觸體部322可設有一插入孔3222供接觸銷針321插過。接觸銷針321的一側係連接於接觸體部322頂表面上所形成之終端3221，而接觸銷針321另一側則在插過插入孔3222之後被帶領而接觸於恰位居接觸主體部322下方的發光二極體晶片。從發光二極體晶片發射的光係可在穿過插入孔3222及光接收孔311(顯示於第11圖)之後抵達測量單元31內側。譬如，接觸體部322可形成一四邊形板形，而插入孔3222可形成一圓形。

接觸單元32可包括一連接單元323。至少一連接終端3223係形成於接觸體部322的一側，且接觸體部322可經由連接終端3223電性連接於連接單元323。連接單元323可連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由接觸體部322及連接單元323電性連接於測試元件(未圖示)。

連接單元323可包括一連接溝槽3231供接觸體部322插入其內。接觸體部322可在其插入連接溝槽3231內的一側包括至少一連接終端3223。連接單元323可被可脫離地耦合至接觸運動單元34，且接觸體部322可被插入連接單元323中並位居測量單元31與處於測試位置TP的發光二極體晶片之間。

參照第1至11圖，第一傳送構件33係裝設於接觸單元32與位居測試位置TP的發光二極體晶片之間。為此，在發光二極體晶片測試裝置1中，由於測量單元31與發光二極體晶片之間隙的一部份會被第一傳送構件33所阻絕，從發光二極體晶片發射之後穿過測量單元31與發光二極體晶片之間隙的光量相較於習見案例而言會降低。

第一傳送構件33可耦合至接觸運動單元34。為此，當接觸單元32需作更換時，可與第一傳送構件33分離只更換接觸單元32。

第一傳送構件33係包括一第一穿孔331及一第一傳送表面332。

第一穿孔331可形成經過第一傳送構件33。接觸銷針321可在插過第一穿孔331之後接觸到位居第一傳送構件33下方之發光二極體晶片。亦即，接觸銷針321可在插過第一穿孔331之後被帶領而接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片。從發光二極體晶片發射的光可在穿過第一穿孔331及光接收孔311之後抵達測量單元31內側。為此，接觸銷針321可被帶領而接觸於發光二極體晶片而不被第一傳送構件33所阻絕，且從發光二極體晶片發射的光可抵達測量單元31內側而不被第一傳送構件33所阻絕。

第一傳送構件33的第一穿孔331可形成為使其尺寸從測量單元31在一面朝位居測試位置TP的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)逐漸減小。亦即，第一穿孔331可形成為使其直徑從第一傳送構件33的一頂表面33a在一往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。第一穿孔331可形成為使其直徑從第一傳送構件33的頂表面33a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小，且其可具有一半球形。

第一傳送表面332係將發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31藉以容許光經由光接收孔311抵達測量單元31內側。在一側向方向中從發光二極體晶片發射的光係可藉由第一傳送表面332的存在而被傳送至測量單元31。藉由此組態，由於有較大量的光可抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第一傳送表面332可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。詳細來說，第一傳送表面332可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

第一傳送表面332可沿著第一穿孔331的一外表面形成藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元31。亦即，如第10圖的放大圖所示，第一傳送表面332可形成為使其隨著從第一傳送構件331的一底表面33b在一往上方向(以箭頭G代表)行進而遠離第一穿孔332的一中心I。若第一穿孔331形成半球形，第一傳送表面332可形成一彎曲表面形狀。

第一傳送構件33可進一步包括一第一突出構件。

第一突出構件333可形成為使其從位居測試位置TP的發光二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向(以箭頭G代表)。亦即，第一突出構件333可形成為從第一傳送構件33的頂表面33a突起於往上方向(以箭頭G代表)。第一突出構件333可插入於插入孔3222中。

第一突出構件333可設有一從第一傳送表面332延伸之第一傾斜表面3331。第一傳送表面332及第一傾斜表面3331可形成呈現相同傾斜。亦即，第一傳送表面332及第一傾斜表面3331可形成為使其形成單一彎曲狀表面。藉由此組態，第一傳送表面332及第一傾斜表面3331能夠將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31。

為此，因為第一傳送構件33用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向之面積增大，可有較大量的光抵達測量單元31內側，所以發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第一傾斜表面3331可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第一傾斜表面3331可由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

參照第1至12圖，接觸運動單元34可包括一接觸支撐機構341，一接觸耦合機構342及一接觸揚升機構343。

接觸支撐機構341係支持接觸單元32。接觸單元32可經由接觸耦合機構342被可脫離式耦合至接觸支撐機構341。第一傳送構件33耦合至接觸支撐機構341藉以位居接觸單元32下方。為此，當由於液晶顯示裝置晶片種類改變或接觸銷針321損害而需要更換接觸單元32時，可以與第一傳送構件33獨立只更換接觸單元32。

接觸體部322及連接單元323的至少一者可耦合至接觸支撐機構341。接觸支撐機構341設有一通孔供第一傳送構件33插入其中。第一傳送構件33可藉由一被插入通孔中的插入配合機構而被耦合至接觸支撐機構341。第一傳送構件33可在插入通孔中之後藉由一諸如螺栓等緊固構件耦合至接觸支撐機構341。

接觸支撐機構341可耦合至接觸揚升機構343。當接觸支撐機構341藉由接觸揚升機構343被上下揚升，接觸單元32及耦合至接觸支撐機構341的第一傳送構件33亦可被上下移動。接觸支撐機構341可形成一四邊形板形，其從接觸揚升機構343在一面朝測量單元31的方向呈長形，。

接觸耦合機構342可容許接觸單元32被可脫離式耦合至接觸支撐機構341。可使用一諸如螺栓等緊固構件作為接觸耦合機構342。接觸單元32可具有一通孔供接觸耦合機構342插過，且接觸支撐機構341可具有一接合於接觸耦合機構342之溝槽。

參照第1至12圖，接觸揚升機構343能夠在一垂直方向(第2圖所示的Z方向)移動接觸單元32。接觸揚升機構343能夠降低接觸單元32藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚升機構343能夠升高接觸單元32同時防止接觸銷針321及發光二極體晶片因為其間接觸而受損。

接觸揚升機構343能夠上下揚升接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居一第一位置或一第二位置。接觸支撐機構341係耦合至第一傳送構件33。

當第一傳送構件33位居第一位置時，第一傳送構件33被定位於安裝構件21上方，如第11圖所示。接觸揚升機構343能夠升高接觸支撐機構341藉以使第一傳送表面332的一下端332a位居安裝構件21的頂表面21b上方。當第一傳送構件33位居第一位置時，接觸銷針321係位居與安裝構件21上的發光二極體晶片分開一特定距離之一位置。

當第一傳送構件33位居第二位置時，第一傳送構件33係位居一其中使安裝構件21插入第一穿孔331中之位置，如第12圖所示。亦即，第一傳送構件33的底表面33b係位居安裝構件21的頂表面21b下方。接觸揚升機構343能夠降低接觸支撐機構341藉以容許第一傳送表面332的下端332a位居安裝構件21的頂表面21b下方。當第一傳送構件33位居第二位置時，接觸銷針321係接觸於安裝構件21上所裝載之發光二極體晶片，且接觸單元32係使與接觸銷針321呈接觸之發光二極體晶片發光。

此組態中，在側向方向中從發光二極體晶片發射的光係藉由第一傳送表面332被送往測量單元21，可有較大量的光抵達測量單元31的內側。為此，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若發光二極體晶片位居測試位置TP，接觸揚升機構343係降低接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居第二位置。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚升機構343係升高接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居第一位置。其後，旋轉單元23能夠轉動旋轉構件22。

為此，即便當旋轉構件22旋轉時，可防止安裝構件21及安裝構件21上所裝載的發光二極體晶片碰撞到第一傳送構件33及接觸銷針321。若一新的發光二極體晶片被裝載於測試位置TP，旋轉單元23將停止旋轉構件22，且接觸揚升機構343將降低接觸支撐機構341藉以容許第一轉移構件33位居第二位置。

接觸揚升機構343係能夠利用一馬達；及一耦合至馬達及接觸單元32各者之連接部件來上下移動接觸單元32。連接部件可為一滑輪及一皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件或類似物。接觸揚升機構343可組構為利用一液壓缸或一氣動缸來揚升接觸單元32。

此處，裝載於測試位置TP之發光二極體晶片可能並未總是被安裝在安裝構件21上的相同位置上。當發光二極體晶片在裝載位置LP被裝載於安裝構件21上時，發光二極體晶片可能未被置於一特定的預設位置，或者發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態可能隨著發光二極體晶片從裝載位置LP被攜載至測試位置TP時受到一離心力移動而改變。為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動單元34可進一步包括一接觸運動機構344，其在水平方向(第1圖所示的X及Y方向)移動接觸單元32。

接觸運動機構344能夠移動接觸單元32藉以使接觸銷針321位居一可使其接觸到發光二極體晶片之位置。接觸揚升機構34可耦合至接觸運動機構344。接觸運動單元344能夠藉由移動接觸揚升機構343來移動接觸單元32。接觸支撐機構341可耦合至接觸運動機構344，且接觸運動機構344可耦合至接觸揚升機構343。

接觸運動機構344係組構為利用一液壓缸或一氣動缸來接觸單元32。接觸運動機構344係可組構為利用一馬達；及一耦合至馬達及接觸單元32各者的連接部件來移動接觸單元32。連接部件可為一滑輪及一皮帶，滾珠螺桿，一凸輪構件或類似物。

接觸運動機構344可進一步包括一第一接觸運動單元3441，其組構為在一第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)移動接觸單元32；及一第二接觸運動機構3442，其組構為在一第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸單元32。

接觸揚升機構343可耦合至第二接觸運動機構3442，而第二接觸運動機構3442則可耦合至第一接觸運動機構3441。接觸揚升機構343可耦合至第一接觸運動機構3441，而第一接觸揚升機構3441可耦合至第二接觸機構3442。

雖未圖示，接觸運動機構344係組構為以一用於感測發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態之感測器單元(未圖示)所獲取的發光二極體晶片狀態資訊為基礎將接觸單元32移動至一其中可使接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片之位置。感測器單元(未圖示)能夠檢查發光二極體晶片在安裝構件21上之一安裝位置。感測器單元(未圖示)可包括一CCD攝影機，其能夠對於發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態攝取一影像。

此處，裝載於裝載位置之發光二極體晶片可能並未總是在相同方向安裝於安裝構件21上。當一發光二極體晶片裝載至處於裝載位置LP的安裝構件21上時，發光二極體晶片可能未於一特定預設方向被裝載，或者可能隨著發光二極體晶片從裝載位置LP被攜載至測試位置TP時被一離心力轉動而使發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態改變。

為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動單元34可進一步包括一接觸旋轉機構345(顯示於第13圖)。

參照第1至4圖，接觸旋轉機構345組構為可轉動接觸支撐機構314藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片。接觸支撐機構341可耦合至接觸旋轉機構345。當接觸旋轉機構345轉動接觸支撐機構341，耦合至接觸支撐機構341之接觸單元32係可被轉動。

藉由此組態，由於以發光二極體晶片在處於測試位置TP的安裝構件21上之安裝狀態為基礎當接觸單元32被轉動時可容許接觸銷針321精密地接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片，發光二極體晶片測試裝置1係能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

接觸旋轉機構345可包括一接觸旋轉構件3451，一接觸驅動機構3452及一接觸耦合機構3453。

接觸支撐機構341係耦合至接觸旋轉構件3451。接觸旋轉構件3451可被可旋轉式耦合至接觸耦合機構3453並可組構為可藉由接觸驅動機構3452沿一接觸旋轉軸線3451a旋轉。當接觸旋轉構件3451旋轉，接觸支撐機構341可被旋轉，且為此，耦合至接觸支撐機構341之接觸單元32可被旋轉。

接觸驅動機構3452能夠沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠轉動接觸旋轉構件3451藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試裝置TP之發光二極體晶片。接觸驅動機構3452能夠在順時針或逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉機構3451。

接觸驅動機構3452可包括一馬達3452a。馬達3452a可組構為可藉由直接耦合至接觸旋轉軸線3451a來驅動接觸旋轉構件3452以驅動接觸旋轉構件3452，或者其可組構為可藉由耦合至一與接觸旋轉構件3451a連接之軸(未圖示)以驅動旋轉構件22。若馬達3452a裝設於一與未圖示的軸分開一特定距離之位置，接觸驅動機構3452可進一步包括一滑輪及一皮帶，其連接馬達231及未圖示的軸。

接觸旋轉構件3451及接觸驅動機構3452係連接至接觸耦合機構3453。接觸旋轉構件3451可耦合至接觸耦合機構3453的一頂表面，而接觸驅動機構3452可耦合至接觸耦合機構3453的一底表面。

接觸耦合機構3453可耦合至接觸揚升機構343，而接觸揚升機構343可耦合至接觸運動機構344。此組態中，接觸耦合機構3453可藉由接觸揚升機構343被上下移動並可藉由接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)被移動。接觸耦合機構3453可耦合至接觸運動機構344，而接觸運動機構344可耦合至接觸揚升機構343。

此處，接觸旋轉機構345可依據接觸旋轉軸線3451a的一位置而定以兩種不同方式實行。下文，可參照附圖依序描述兩範例。

如第14圖的放大圖所示，一發光二極體晶片可包括兩個墊P1及P2，且發光二極體晶片係在各墊P1及P2接觸於接觸銷針321之時被測試。若發光二極體晶片在第14圖的放大圖所顯示的一位置及方向被裝載於安裝構件21上之時置於測試位置TP，可容許接觸銷針321接觸到墊P1及P2而不必在一水平方向移動或轉動接觸單元32。然而，如上述，發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態可因為不同理由而改變。

為了在此例中達成發光二極體晶片的精確測試，在根據第一範例的接觸旋轉機構345中，接觸驅動機構3452係組構為可沿與接觸於發光二極體晶片的接觸銷針321一端321a分離一特定距離之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。亦即，接觸驅動機構3452能夠沿位居測試位置TP的安裝構件21往側邊分離一特定距離之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。

參照第1至17圖，下文將描述根據第一範例之一藉由接觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之製程。第15至17圖為描述根據第一範例之接觸旋轉機構345的一操作性原理之示意圖，其中圖式顯示第14圖的放大圖及接觸旋轉軸線3451a。

首先，發光二極體晶片可在從第14圖所示位置及方向旋轉一特定距離及一特定角度之後以如第15圖所示的一狀態位居測試位置TP處。第15圖的一虛線係代表處於如第14圖所示位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態，而第15圖的一實線則代表處於測試位置TP的發光二極體晶片如上述因為不同理由被移動或轉動之後的發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態。

此狀態中，接觸驅動機構3452以一與位居測試位置的發光二極體晶片被旋轉角度呈現對應之角度沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠在一逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451，如第16圖所示。在此例中，接觸單元32將被接觸驅動機構343先行升高藉以不會碰撞到位居測試位置TP的安裝構件21及發光二極體晶片。第一傳送構件33可位居第一位置。

接觸銷針321以容許其被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片之各別墊P1及P2的角度被旋轉之後，接觸運動機構344係移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，如第17圖所示。可以接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。

若接觸銷針321位居被置於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，接觸揚升機構343係降低接觸單元32，因此容許接觸銷針321接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2。可藉由接觸揚升機構343降低接觸耦合機構3453來實行此運動。第一傳送構件33可被接觸揚升機構343降低並因此位居第二位置。

參照第1至13圖及第18至20圖，根據第二範例的接觸旋轉機構345中，接觸驅動機構3452係組構為可沿一被定位於位居測試位置TP的安裝構件21下方之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。位居測試位置TP之安裝構件21係可被定位於接觸單元32與接觸旋轉軸線3451a之間。

接觸旋轉構件3451可包括一耦合至接觸支撐機構341之垂直框架3451b及一可旋轉式耦合至接觸耦合機構3453之水平框架3451c。接觸驅動機構3452係能夠沿設置於水平框架3451c處之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。

垂直框架3451b係可形成於一容許裝載於測試位置TP的安裝構件21位居接觸單元32與水平框架3451c之間的高度位置處。水平框架3451c可從垂直框架3451c朝向位居測試位置TP的安裝構件21呈長形藉以容許接觸旋轉軸線3451a被定位於處於測試位置TP的安裝構件21下方。接觸旋轉構件3451譬如可形成一“L”形。

為此，相較於根據上述第一範例之接觸旋轉機構345，此第二範例中，從接觸銷針321的一端321a至接觸旋轉軸線3451a之距離可減小。因此，接觸銷針321轉動藉以被帶領而接觸到處於測試位置之發光二極體晶片的各別墊P1及P2之後，接觸運動機構344移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方之一距離係可減小。

接觸驅動機構3452係能夠沿與被帶領而接觸到發光二極體晶片之接觸銷針321一端321a相同的垂直線J上所設置之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。若接觸單元32包括複數個接觸銷針321，接觸旋轉軸線321a可位居與複數個接觸銷針321至少一者的一端321a相同之垂直線J處。

接觸驅動機構3452能夠沿位居與插入孔3222中心相同的垂直線I(顯示於第10圖)上之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸旋轉軸線3451a可位居與第一穿孔331及插入孔3222的中心相同之垂直線I處。

若接觸旋轉軸線3451a位居與插入孔3222中心相同之垂直線I上，下文將參照第13圖及第18至20圖描述根據第二範例之一藉由接觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之製程。

首先，發光二極體晶片可在從第14圖所示位置及方向轉動一特定距離及一特定角度之後以如第20圖所示狀態位居測試位置TP。第20圖中，一虛線係代表處於如第14圖所示位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態，而一實線則代表處於測試位置TP的發光二極體晶片因為如上述的不同理由被移動或轉動之後的發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態。

此狀態中，接觸驅動機構3452係以與位居測試位置的發光二極體晶片被轉動的角度呈現對應之一角度沿接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠在逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451，如第21圖所示。

接觸銷針321以容許其被帶領而接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2之角度被轉動之後，接觸運動機構344係移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，如第22圖所示。可以接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。相較於根據上述第一範例之接觸旋轉構件345，此第二範例中，接觸運動機構344係使接觸支撐機構341移動一較短距離，而仍容許接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片TP的墊P1及P2上方。

若接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，接觸揚升機構343降低接觸單元32，因此容許接觸銷針321接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2。可以藉由接觸揚升機構343降低接觸耦合機構3453來實行此運動。第一傳送構件33可被接觸揚升機構343降低並因此位居第二位置。

參照第13圖，主體部34係裝設於進給器2旁邊。接觸運動單元34及測量單元31耦合至主體部34。主體部34可包括一耦合至測量單元31且在一水平方向呈長形之第一框架351；一從第一框架在一往下方向(以箭頭H代表)呈長形之第二框架352；及一耦合至第二框架352之第三框架353。接觸運動單元34可耦合至第三框架的一頂表面。接觸揚升機構343或接觸運動機構344可耦合至第三框架353的頂表面。參照第1至26圖，發光二極體晶片測試裝置1可進一步包括一第二傳送構件36。

第二傳送構件36可耦合至接觸運動單元34藉以位居測量單元31與接觸單元32之間。藉由此組態，發光二極體晶片測試裝置1中，由於測量單元31與接觸單元32之一間隙的一部份會被第二傳送構件36所阻絕，穿過測量單元31與發光二極體晶片之間隙的光量會進一步降低。接觸單元32可耦合至接觸運動單元34藉以位居第一傳送構件33與第二傳送構件36之間。第二傳送構件36及接觸單元32可分別耦合至接觸支撐機構341。

第二傳送構件36包括一第二穿孔361及一第二傳送表面362。

第二穿孔361可形成經過第二傳送構件36。從發光二極體晶片發射的光可在穿過第一穿孔331、第二穿孔361及光接收孔311之後抵達測量單元31內側。為此，從發光二極體晶片發射的光可抵達測量單元31內側而不被第一傳送構件33及第二傳送構件36所阻絕。

第二傳送構件36的第二穿孔361可形成為使其尺寸從測量單元31在一面朝發光二極體晶片的方向(以箭頭H代表)逐漸減小。亦即，第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳送構件36的一頂表面36a在一往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳送構件361的頂表面36a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。

第二傳送表面362係將發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31藉以容許該光經由光接收孔311抵達測量單元31內側。藉由此組態，由於可有較大量的光抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第二傳送表面362可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。詳細來說，第二傳送表面362可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

第二傳送表面362可沿著第二穿孔361的一外表面被形成藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元31。亦即，如第24圖的放大圖所示，第二傳送表面362可形成為使其隨著從第二傳送構件361的一底表面36b在一往上方向(以箭頭G代表)行進而遠離第二穿孔362的一中心K。若第二穿孔361形成為使其直徑從第二傳送構件36的頂表面36a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小，第二傳送表面362可形成一彎曲表面形狀。

第二傳送表面362及第一傳送表面332可形成於單一彎曲表面上。亦即，當第一傳送表面332及第二傳送表面362耦合時，第一傳送表面332及第二傳送表面362可形成單一彎曲表面。從發光二極體晶片發射的光可藉由第一傳送表面332及第二傳送表面362傳送至測量單元31。

第二傳送構件36可進一步包括一能夠在其中接收接觸銷針321之接收溝槽363。第二傳送構件36可耦合至接觸支撐機構341使其位居測量單元31與接觸單元32之間，同時接觸銷針321被接收於接收孔363中。第二傳送構件36可譬如形成一倒“U”形。

參照第25圖，第二傳送構件36可進一步包括一第二突出構件364。第25圖中雖將第二傳送構件36顯示為耦合至測量單元31，第二傳送構件36可耦合至接觸運動機構34，同時第二突出構件364插入光接收孔311中。

第二突出構件364可形成為使其從位居測試位置TP的發光二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向(以箭頭G代表)。亦即，第二突出構件364可形成為從第二傳送構件36的頂表面36a突起於往上方向(以箭頭G代表)。第二突出構件可經由光接收孔311插入於測量單元31中。

第二突出構件363可設有一從第二傳送表面362延伸之第二傾斜表面3641。第二傳送表面362及第二傾斜表面3641可形成單一彎曲表面。藉由此組態，第二傳送表面362及第二傾斜表面3641能夠將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31。

為此，因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向之面積係增大，可有較大量的光抵達測量單元31內側，所以發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第二傾斜表面3641可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第二傾斜表面3641可藉由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

同時，由於第二傳送構件36可如上述連同接觸單元32被耦合至接觸支撐機構341，第二傳送構件36可具有作為防止接觸單元32變形之強化板的功能。在此例中，可能想要使第二傳送構件36及接觸單元32藉由一螺絲耦合機構或類似物被強固地耦合至彼此。

雖未圖示，可能將一分離的強化板耦合至接觸單元32。譬如，若接觸單元32為一探針卡，強化板可能係為被耦合至探針卡的一頂表面或一底表面並能夠防止探針卡變形之一板或一特定形狀的結構。強化板的功能在於防止探針卡由於一外部機械應力或熱應力而變形，諸如彎折。由於此目的，強化板可由一相較於探針卡而言具有較高強度及/或勁度(stiffness)及較低熱膨脹係數的材料製成。為此，強化板可由一金屬或一金屬合金、或一諸如樹脂或陶瓷等非金屬材料製成。譬如，此等材料可包括鋼、鈦、鎳、恒範鋼(invar)、柯華合金(kovar)、石墨、環氧樹脂、陶瓷、CFRP(碳纖強化式聚合物)、這些材料及/或其他材料的一合金或一混合物。

參照第1與2圖以及第25與26圖，根據一修改範例的第二傳送構件36可耦合至測量單元31。

第二傳送構件36可耦合至測量單元34使其從測量單元31突起於一面朝處於測試位置TP的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)。亦即，第二傳送構件36可耦合至測量單元31使其從測量單元31突起於一往下方向(以箭頭H代表)。

如第25圖所示，第二傳送構件36可耦合至測量單元31，同時其突出構件364插入光接收孔311中。藉由此組態，因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31之面積係增大，可有較大量的光抵達發光二極體晶片測試裝置1中的測量單元31內側，且因此可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

當第二傳送構件35的第二突出構件364插入光接收孔311中，第二傳送構件36可藉由一插入配合機構耦合至測量單元31。第二傳送構件36可在第二突出構件364插入光接收孔311中之後藉由一諸如螺栓等緊固構件被耦合至測量單元31。

如第26圖所示，第二傳送構件36可耦合至測量單元31使得測量單元31位居第二穿孔361處。第二傳送構件36可藉由插入配合機構或利用諸如螺栓等緊固構件被耦合至測量單元31。

參照第1與2圖及第27與28圖，根據另一修改範例的第二傳送構件36可在一端耦合至測量單元31且在另一端耦合至接觸單元32。第二傳送構件36的另一端可耦合至接觸體部322。雖未圖示，第二傳送構件36的一側可耦合至測量單元31，同時另一側可耦合至接觸支撐機構341。

第二傳送構件36設有一或多個插入通孔365可供接觸銷針321插入其中。當接觸單元32包括複數個接觸銷針321時，複數個插入溝槽365可形成於第二傳送構件36中。與接觸銷針321相同數量的插入溝槽365可形成於第二傳送構件36中。

當接觸銷針321插入於插入溝槽365中，第二傳送構件36的一側可耦合至測量單元31、同時另一側耦合至接觸主體部322。藉由此組態，由於測量單元31與接觸單元32之間隙可被第二傳送構件36所阻絕，可防止從發光二極體晶片發射的光穿過測量單元31與發光二極體晶片之間。為此，可有較大量的光抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若第二傳送構件36耦合至測量單元31及接觸主體部322，測量單元31可被可移式耦合至主體部35。此組態中，當接觸單元32被接觸運動單元34所移動時，與接觸單元32連接之測量單元31亦可被移動。由於此目的，主體部35可包括一第一連接框架354，一第二連接框架355及一第三連接框架356。測量單元31可耦合至第三連接框架356。

第一連接框架354可耦合至第一框架351使其可被上下移動。為此，當接觸運動單元354上下揚升接觸單元32時，第一連接框架354亦可被上下揚升，且因此，測量單元31可被上下揚升。第一框架351可包括一LM軌道，且第一連接框架354可包括一被可移式耦合至第一框架351之LM區塊。

第二連接框架355可耦合至第一連接框架354使其可在第一水平方向(X軸方向)被移動。為此，若接觸運動單元34在第一水平方向(X軸方向)移動接觸單元32，第二連接框架355可在第一水平方向(X軸方向)被移動，且因此測量單元31亦可在第一水平方向(X軸方向)被移動。並且，第一連接框架354可包括一LM軌道，且第二連接框架355係可包括一LM區塊，其被可移式耦合至第一連接框架354的LM軌道。

第三連接框架356可耦合至第二連接框架355使其可在垂直於第一水平方向(X軸方向)之第二水平方向(Y軸方向)被移動。為此，若接觸運動單元34在第二水平方向(Y軸方向)移動接觸單元32，第三連接框架356可在第二水平方向(Y軸方向)被移動，且因此，測量單元32亦可在第二水平方向(Y軸方向)被移動。第二連接框架355可包括一LM軌道，且第三連接框架356係可包括一LM區塊，其被可移式耦合至第二連接框架355的LM軌道。

測量單元31可被可旋轉式耦合至第三連接框架356。為此，若接觸運動單元34轉動接觸單元32，測量單元31亦可被旋轉。

如上述，由於當接觸運動單元31移動接觸單元32藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片時測量單元31亦被移動，處於測試位置TP的發光二極體晶片可當其位居與光接收孔311中心相同的垂直線處之時受到測試，而不論其在安裝構件21上的安裝狀態如何。因此，發光二極體晶片裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片效能。

參照第29至31圖，根據本發明之實施例的一修改範例之接觸單元32係可包括一接觸銷針321，一第一體部324，一第二體部325，一第三體部326及一耦合構件327。接觸單元32可藉由接觸運動單元34被上下揚升並可在第一水平方向(X軸方向)及第二水平方向(Y軸方向)被移動。測試器3可包括根據本發明之實施例的修改範例之複數個接觸單元32。

接觸銷針321係耦合至第一體部324。第一體部324耦合至第二體部325。第一體部324耦合至第二體部325。第一體部324可從第二體部325在一面朝處於測試位置TP之發光二極體晶片的方向呈長形。第一體部324可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324電性連接於測試元件(未圖示)。

接觸銷針321可經由一連接構件3241被可脫離式耦合至第一體部324。為此，當接觸銷針321受損或破裂時，使用者只需容易地更換接觸銷針321。即便若以一具有不同規格的新發光二極體晶片來更換待測試的發光二極體晶片，使用者仍可以適合發光二極體晶片規格之一新件來更換接觸銷針321。

連接構件3241可被可旋轉式耦合至第一體部324。當連接構件3241在一方向被旋轉，連接構件3241將一力施加至第一體部324，使得接觸銷針321可耦合至第一體部324。當連接構件3241在另一方向被旋轉，從連接構件3241施加至第一體部324的力係被消除，所以可使接觸銷針321與第一體部324分離。可使用一諸如螺栓等緊固構件(未圖示)作為連接構件3241。

第一體部324耦合至第二體部325。第二體部325及第三體部326可經由耦合構件327被可脫離式耦合至彼此。為此，當接觸銷針321需作更換時，可藉由使第二體部325與第三體部326分離以容易地分離接觸銷針321。第二體部325可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324及第二體部325而電性連接於測試元件(未圖示)。

第二體部325耦合至第三體部326。第二體部325可經由連接構件327被可脫離式耦合至第三體部326，且第三體部326可耦合至接觸運動體部324。當第三體部326被接觸運動單元324移動，第二體部325、第一體部324及接觸銷針321亦可一起被移動。第三體部326可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324、第二體部325及第三體部326而電性連接於測試元件(未圖示)。

連接構件327係可脫離式耦合第一體部325及第三體部326。可使用一諸如螺栓等緊固構件(未圖示)作為耦合構件327。

參照第31至33圖，根據本實施例的一修改範例之測試器3係可進一步包括一接觸機構37。

接觸機構37具有一接觸部份371。接觸機構371可裝設於旋轉構件22旁邊以使接觸部份371可接觸於位居測試位置TP之安裝構件21。

接觸銷針371接觸到處於測試位置TP的接觸構件21且接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片之後，發光二極體晶片可利用經由接觸單元32及接觸部份371供應的電力而發光。接觸單元32及接觸機構37能夠與測試元件(未圖示)合作使發光二極體晶片發光。接觸單元32及接觸機構37能夠與測試元件(未圖示)合作測試發光二極體晶片的電性特徵。

接觸部份371可被帶領而接觸於位居測試位置TP之安裝構件21的一側向表面。接觸部份371可朝向位居測試位置TP之安裝構件21呈長形。

接觸機構37可進一步包括一用於移動接觸部份371朝向或遠離安裝構件21之接觸運動部件371。

若待測試的發光二極體晶片位居測試位置TP，接觸運動部件371係移動接觸部份371藉以容許接觸部份371趨近位居測試位置TP的安裝構件21。接觸部份371可藉由受到接觸運動部件371移動以被帶領而接觸到處於測試位置TP的安裝構件21。

若發光二極體晶片完成測試，接觸運動單元372係移動接觸部份371藉以容許接觸部件371移動遠離位居測試位置TP之安裝構件21。接觸部份371係被接觸運動部件372移動並與位居測試位置TP之安裝構件21分開。

為此，當旋轉構件22被旋轉藉以使一新的待測試發光二極體晶片位居測試位置TP時，可避免安裝構件21及接觸部份371之間的接觸或碰撞。為此，可防止安裝構件21及接觸部份371被摩擦所磨損或被碰撞所損害。

接觸運動部件372能夠利用一液壓缸或一氣動缸來移動接觸部份371。接觸運動單元372能夠利用一馬達及一用於將馬達的旋轉動作轉換成線性動作之轉換機構來移動接觸部份371。轉換機構可為一滑輪及一皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、一凸輪構件或類似物。接觸部份371耦合至接觸運動部件372。

此處，若安裝構件形成一圓柱形，接觸部份371由於其被帶領而接觸於安裝構件21時已經發生的滑動或類似作用而可能未確切接觸到安裝構件21。為了防止此問題，接觸構件21可進一步包括一將變成接觸於接觸部份371之接觸表面215。

接觸表面215可形成於當安裝構件21位居測試位置TP時面朝接觸部份371之安裝構件21的側向表面處。藉由接觸表面215的存在，面對接觸部份317之安裝構件21的側向表面可形成一平面。為此，當接觸部份371被帶領而接觸於安裝構件21時，可盡量減少接觸部份371或類似物的滑動，所以根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1係能夠當接觸部份371確切接觸於安裝構件21之時測試發光二極體晶片。

安裝構件21可具有一接觸表面215，且當接觸部份371被帶領而接觸於接觸表面215時接觸表面215及接觸部份371變成彼此垂直。安裝構件21可具有一在設有接觸表面215處之側向表面中凹入一特定深度之接觸溝槽21c。

根據本實施例的修改範例之接觸部份371可耦合至接觸體部322，如第20至22圖所示。接觸部份371可耦合至接觸體部322使其當接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片時接觸到位居測試位置TP之安裝構件21的頂表面21b。接觸部份371亦可被帶領而接觸於接觸構件211(顯示於第3圖)。

為此，藉由接觸運動單元34移動接觸單元32，接觸銷針321可被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片且接觸部份371可被帶領而接觸於位居測試位置TP之安裝構件21的頂表面21b。

參照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之第一傳送構件33可設置於測量單元31處，使其從測量單元31突起於一面朝處於測試位置的發光二極體晶片之方向。若當發光二極體晶片受測試時測量單元31位居發光二極體晶片上方，第一傳送構件33可形成為使其從測量單元31往下突起。

雖未圖示，第一傳送構件33可裝設於安裝構件21處使其從安裝台突起於一面朝測量單元31之方向。若當發光二極體晶片受測試時測量單元31位居發光二極體晶片上方，第一傳送構件33可形成為使其從安裝構件21往上突起。發光二極體晶片可位居第一傳送構件33內側。

第一傳送構件33設有一溝槽334可供接觸銷針321插入其中。為此，縱使測量單元31位居測量單元31與發光二極體晶片之間，可使第一傳送構件33靠近發光二極體晶片來測試發光二極體晶片。藉此，由於存在第一傳送構件33而容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31，可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

第一傳送構件33可形成一中空圓柱形。溝槽334可在一面朝接觸單元32之側中形成於傳送構件33處。第一傳送構件33可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第一傳送構件33可藉由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

形成於第一傳送構件33處的溝槽334係可具有容許接觸銷針321予以插過之尺寸。接觸銷針321可在穿過溝槽334之後被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片。

參照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之測試器3可進一步包括一測量揚升單元38。

測量揚升單元38可耦合至主體部34並用來上下揚升測量單元31。測量單元31可耦合至第一框架351使其可被上下揚升。

測量揚升單元38可當旋轉單元23轉動旋轉構件22時用來往上揚升測量單元31。若待測試的發光二極體晶片位居測試位置TP，測量揚升單元38可往下移動測量單元31。為此，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1係能夠測試處於測試位置的發光二極體晶片同時發光二極體晶片保持靠近測量單元31。

因此，由於可藉由第一傳送構件33而容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31，可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若第一傳送構件33裝設於安裝構件21處，發光二極體晶片測試裝置1能夠測試發光二極體晶片同時使測量單元31保持靠近第一傳送構件33並降低第一傳送構件33與測量單元31碰撞的可能性。亦可能在第一傳送構件33被插入測量單元31之時或當第一傳送構件33接觸於測量單元31之時測試發光二極體晶片。

為此，由於可容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31的內側，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1第一傳送構件33係能夠更精確地檢測發光二極體晶片。

測量揚升單元38可利用一液壓缸、一氣動缸或類似物來上下揚升測量單元31。測量揚升單元38可利用一馬達；及一分別耦合至馬達及測量單元之連接部件來上下揚升測量單元31。連接部件可身為一滑輪及一皮帶、一滾珠螺桿、一凸輪構件、或類似物。

提供本發明的上文描述以供示範用，且熟習該技藝者將瞭解可作出不同變化及修改而不改變本發明的技術概念及重要特徵構造。因此，顯然上述實施例在所有態樣中皆為示範性質而並未限制本發明。

本發明提供一能夠精確測量發光二極體晶片的效能、降低材料成本及處理成本而不對於發光二極體晶片進行不必要的封裝製程及測試製程、且降低製造成本之發光二極體晶片測試裝置。

1．．．發光二極體晶片測試裝置

2．．．進給器

3．．．測試器

4．．．裝載器

5．．．第三補償單元

5A．．．第二補償單元

6．．．第二感測器單元

7．．．第三補償單元

7A．．．第四補償單元

8．．．第二感測器單元

9．．．卸載器

10．．．發光二極體晶片選別裝置

11．．．第一移除單元

12．．．第二移除單元

20．．．第一接收構件

21．．．安裝構件

21a．．．通孔

21b．．．安裝構件21的頂表面

21c．．．接觸溝槽

22．．．旋轉構件

22a．．．旋轉軸線

22b．．．通孔

23．．．旋轉單元

31．．．測量單元

32．．．接觸單元

33．．．第一傳送構件，旋轉單元

33a．．．第一傳送構件33的頂表面

33b．．．第一傳送構件331的底表面

34．．．接觸運動單元

35．．．主體部

36．．．第二傳送構件

36a．．．第二傳送構件36的頂表面

36b．．．第二傳送構件361的底表面

37．．．接觸機構

38．．．測量揚升單元

41．．．第一進給單元

42．．．裝載單元

43．．．第一儲存單元

44．．．第一轉移單元

45．．．第一冷卻單元

51．．．第一補償機構

51a．．．第一補償體部

52．．．第一致動機構

53．．．第二補償機構

54．．．第二致動機構

71．．．第三補償機構

71a．．．第二補償體部

72．．．第三致動機構

73．．．第四補償機構

74．．．第四致動機構

91．．．緩衝器總成

92,923．．．選別總成

93．．．分級總成

100．．．進給機構

101．．．殼體

102．．．進給構件

111．．．體部

111a,111b．．．體部111的側

112．．．儲存構件

113．．．連接構件

121,211．．．接觸構件

121a．．．旋轉軸線

122．．．支撐構件

123．．．驅動單元

200．．．第一容納機構

201．．．第一殼體

202．．．第一接收構件

212．．．第一安裝體部

212a．．．第一安裝體部212的側

213．．．反射構件

214．．．第二安裝體部

215．．．接觸表面

221．．．支撐框架

231,1231,3452a．．．馬達

231．．．第一儲存機構

300．．．第二容納機構

301．．．第二殼體

302．．．第二接收構件

311．．．光接收孔

321．．．接觸銷針

321a．．．接觸銷針321端

322．．．接觸體部

323．．．連接單元

324．．．第一體部

325．．．第二體部

326．．．第三體部

327．．．耦合構件

331．．．第一穿孔

332．．．第一傳送表面

332a．．．第一傳送表面332的下端

333．．．第一突出構件

334．．．溝槽

341．．．接觸支撐機構

342,3453．．．接觸耦合機構

343．．．接觸揚升機構

344．．．接觸運動機構，接觸移動機構

345．．．接觸旋轉構件，接觸旋轉機構

351．．．第一框架

352．．．第二框架

353．．．第三框架

354．．．第一連接框架

355．．．第二連接框架

356．．．第三連接框架

361．．．第二穿孔

362．．．第二傳送表面

363．．．接收溝槽

364．．．第二突出構件

365．．．插入通孔

371．．．接觸部份，接觸運動部件

372．．．接觸運動單元

411．．．第一進給體部

411a．．．第一進給空間

412．．．第一進給支撐元件

413．．．第一對準單元

414．．．第一移動單元

421．．．裝載旋轉臂

422．．．裝載驅動單元

423．．．裝載視覺單元

431．．．第一儲存機構

432．．．第一儲存揚升機構

441．．．第一轉移構件

442．．．第一轉移機構

443．．．第一構台

451．．．第一噴注單元

511．．．第一補償構件

512．．．第二補償構件

521．．．第一馬達

522．．．第一凸輪構件

523．．．第一運動體部

531．．．第一補償構件固持件

532．．．第三補償構件

532a．．．第一發光二極體晶片容納溝槽

541．．．第一致動機構框架

542．．．第一致動機構殼體

711．．．第四補償構件

712．．．第五補償構件

721．．．第二馬達

722．．．第二凸輪構件

723．．．第二運動體部

731．．．第二補償構件固持件

732．．．第六補償構件

732a．．．第二發光二極體晶片容納溝槽

741．．．第二致動機構框架

742．．．第二致動機構殼體

826．．．第四轉移單元

911．．．卸載單元

912．．．第一接收單元

913．．．第二儲存單元

914．．．第二轉移單元

921．．．第三轉移單元

922．．．第二進給器

924．．．第二接收單元

925．．．第三儲存單元

926．．．第四轉移單元

927．．．第二冷卻單元

931．．．分級單元

932．．．分級機構

1111．．．貫穿溝槽

1112．．．第一連接孔

1113．．．第二連接孔

2121．．．突件

2122．．．溝槽

2123．．．耦合溝槽

2141．．．傾斜表面

2142．．．傾斜溝槽

3221．．．終端

3222．．．插入孔

3223．．．連接終端

3231．．．連接溝槽

3241．．．連接構件

3331．．．第一傾斜表面

3441．．．第一接觸運動單元

3442．．．第二接觸運動機構

3451．．．接觸旋轉構件

3451a．．．接觸旋轉軸線

3451b．．．垂直框架

3451c．．．水平框架

3452．．．接觸驅動機構

3641．．．第二傾斜表面

4111．．．第一進給貫穿溝槽

4121．．．第一揚升構件

4121a．．．第一通孔

4122．．．第一揚升元件

4123．．．第一支撐銷針

4124．．．第一銷針揚升元件

4131．．．第一固定構件

4132．．．第一運動構件

4133．．．第一移動機構

4134．．．第一揚升機構

4141．．．第一上構件

4142．．．第一下構件

4211．．．第一裝載揀取器

4211a．．．第一空氣吸取孔

4212．．．第一傳遞構件

4231．．．裝載發光元件

4311．．．第一儲存構件

4312．．．第一儲存溝槽

4321．．．第一垂直體部

4322．．．第一揚升體部

4411．．．第一固持構件，第一握持構件

4411a．．．旋轉軸線

4412．．．第二固持構件，第二握持構件

4413．．．第一驅動機構

4414．．．第一連接體部

4511．．．第一上噴注單元

4512．．．第一下噴注單元

5231．．．第一凸輪表面

5232．．．第二凸輪表面

5311．．．第一平面板

5312．．．第一垂直板

5313．．．第一引導構件

5314,5315,5323,7314,7315,7323．．．螺絲耦合溝槽

5321．．．第一上端構件

5322．．．第一下端構件

5324．．．第一接觸表面

5325．．．第二接觸表面

5326．．．第一補償構件傾斜表面

5327．．．第二補償構件傾斜表面

7231．．．第三凸輪表面

7232．．．第四凸輪表面

7311．．．第二平面板

7312．．．第二垂直板

7313．．．第二引導構件

7321．．．第二上端構件

7322．．．第二下端構件

7324．．．第三接觸表面

7325．．．第四接觸表面

7326．．．第三補償構件傾斜表面

7327．．．第四補償構件傾斜表面

9111．．．卸載旋轉臂

9111a．．．卸載揀取器

9112．．．卸載驅動單元

9121．．．第一接收體部

9121a．．．第二支撐裝置

9121b．．．第一接收空間

9121c．．．第一接收貫穿溝槽

9122．．．第二對準單元

9122a．．．第二固定構件

9122b．．．第二運動構件

9122c．．．第二移動機構

9122d．．．第二揚升機構

9123．．．第二移動單元

9123a．．．第二上構件

9123b．．．第二下構件

9131．．．第二儲存機構

9131a．．．第二儲存構件

9131b．．．第二儲存溝槽

9132．．．第二儲存揚升機構

9132a．．．第二垂直體部

9132b．．．第二揚升體部

9133．．．移動裝置

9141．．．第一轉移構件

9142．．．第二轉移機構

9143．．．第二構台

9151a．．．第三儲存構件

9151b．．．第三儲存溝槽

9213．．．第三構台

9221．．．第二進給體部

9221a．．．第二進給空間

9221b．．．第二進給貫穿溝槽

9222．．．第二進給支撐元件

9222a．．．第二揚升構件

9222b．．．第二揚升裝置

9222c．．．第二支撐銷針

9222d．．．第二銷針揚升裝置

9222e．．．第二通孔

9222f．．．支撐機構

9222g．．．支撐揚升裝置

9223．．．第三對準單元

9223a．．．第三上構件

9223b．．．第三下構件

9224．．．第三移動單元

9231．．．選別旋轉臂

9231a．．．第二選別揀取器

9231b．．．第二傳遞構件

9231c．．．第二空氣吸取孔

9232．．．選別驅動單元

9233．．．選別視覺單元

9233a．．．選別發光元件

9241．．．第二接收體部

9242．．．第四對準單元

9243．．．第四移動單元

9251．．．第三儲存機構

9252．．．第三儲存揚升機構

9252b．．．第三揚升體部

9261．．．第四轉移構件

9262．．．第四轉移機構

9263．．．第四構台

9271．．．第二噴注單元

9271a．．．第二上噴注單元

9271b．．．第二下噴注單元

9311．．．分級旋轉臂

9311a．．．第一分級揀取器

9312．．．第一驅動裝置

9321．．．移動板

9322．．．倉區塊

9323．．．致動元件

BW,FW．．．箭頭

CP1．．．第一補償位置

CP2．．．第二補償位置

E,G,H,N,O,P,Q．．．箭頭

F．．．空氣吸取元件

F．．．第一移除位置

G．．．第二移除位置

I．．．第一穿孔332的中心

K．．．第二穿孔362的中心

LP．．．裝載位置

P1,P2．．．墊

PP1．．．第一揀取位置

PP2．．．第二揀取位置

R．．．第一位置

S．．．第二位置

TP．．．測試位置

ULP．．．卸載位置

第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；

第2圖為一進給器的示意立體圖；

第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，其顯示一安裝構件；

第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件的示意立體圖；

第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖；

第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安裝構件的示意橫剖視圖；

第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構件之示意立體圖；

第9圖為第8圖的分解立體圖；

第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖；

第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二極體晶片的一狀態；

第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作狀態；

第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸運動單元的示意立體圖；

第19圖為第18圖的分解立體圖；

第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程的示意性操作狀態；

第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；

第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；

第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件；

第28圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖；

第29至30圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸單元的立體圖；

第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖；

第32圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖。