TW201423122A - Ｌｅｄ晶圓多晶粒檢測方法及裝置 - Google Patents

Abstract

本發明為一種LED晶圓多晶粒檢測方法，並依據計算結果，調整數個探針模組之最佳的探針間距，在測量時，導入數學函式計算出最近的扎針位置及座標，再利用Z up/down的修正，以提升整體的扎針率。本發明為一種LED晶圓多晶粒檢測裝置，其包括檢測平台、晶粒影像擷取模組、晶粒位置數量分析模組以及晶粒探針模組。檢測平台具有可移動之中空平台，其中置晶膠膜放於其中空平台上，晶粒影像擷取模組具有影像擷取鏡頭用於擷取LED發光晶粒影像，晶粒位置數量分析模組，係接收晶粒影像擷取模組之影像資料並分析其晶粒之位置及數量，以及晶粒探針模組用於檢測晶粒之良率。

Description

LED晶圓多晶粒檢測方法及裝置

本發明為一種檢測方法及裝置，尤指一種LED晶圓多晶粒檢測方法及裝置。

在LED發光晶粒製程中，因各製程步驟間無法避免的原因而產生缺陷，因此為維持產品品質的穩定，通常在進行各項LED發光晶粒製程的同時，亦須針對所生產之LED發光晶粒元件進行缺陷檢測，以根據檢測之結果來分析造成這些缺陷之根本原因，之後才能進一步藉由製程參數的對調來避免或減少缺陷的產生，以達到提升LED發光晶粒製程良率以及可靠度之目的。

在習知檢測的技術步驟上，常將切割後之LED發光晶粒黏附於一層置晶膠膜上以便利批次檢測及製程步驟間移動，然而，膠膜通常具有熱塑性及可拉伸延展等特性，並於製程中拉伸，以配合檢測與製程機台之檢測位置而進行，在LED發光晶粒造成程過程中，每一晶粒上的積體電路均會利用探針的方式進行電性量測的步驟，而上述的置晶膠膜的拉伸延展，往往造成LED發光晶粒分布距離不同及位置偏移，而造成多晶片探針(multi die)測試的扎針率下降，因而增加測試次數及時間等缺點。

為此，本申請人有鑒於上述習知LED發光元件檢測裝置的缺陷之處， 秉持著研究創新、精益求精之精神，利用其專業眼光和專業知識，研究出本發明之LED晶圓多晶粒檢測裝置。

本發明為提供一種LED晶圓多晶粒檢測方法，其方法包括下列步驟，先將LED發光晶圓切割為複數個LED發光晶粒後，將該LED發光晶圓覆蓋一熱塑性材質之置晶膠膜。接著，將附有LED發光晶粒之置晶膠膜加熱後沿周圍平均施力拉張，使此置晶膠膜上的各LED發光晶粒間具形成間隔及具有一距離。再者，將此附有LED發光晶粒之置晶膠膜移入LED發光元件檢測裝置之檢測平台，經由晶粒影像擷取模組擷取該複數個LED發光晶粒之影像後，將影像資訊傳至一晶粒位置數量分析模組。最後，晶粒位置數量分析模組計算出該複數個LED發光晶粒之位置及間距，並依據計算後之該複數個LED發光晶粒之位置，手動或自動調整數個探針模組之最佳的探針間距。此外，透過數學函式的計算，定義出最佳的扎針位置及座標，再利用Z up/down的修正，以提升整體的扎針率。

本發明為提供一種LED晶圓多晶粒檢測裝置，其包括檢測平台、晶粒影像擷取模組、晶粒位置數量分析模組以及晶粒探針模組。

檢測平台，具有可移動之中空平台，可將附有LED發光晶粒之置晶膠膜放於此檢測平台之中空平台上。晶粒影像擷取模組，具有影像擷取鏡頭用於擷取LED發光晶粒之影像。晶粒位置數量分析模組，係接收上述晶粒影像擷取模組擷取之LED發光晶粒影像，以分析其晶粒之位置及數量。以及，晶粒探針模組，其設置於中空平台的上方，且用於檢測LED發光晶粒之良率。此晶粒探針模組，更具包括數個固定座及數個探針，其各固定座之一端設於中空平台之上，而探針設於各固定座之另一端，用於偵測LED 發光晶粒之良率。

本發明為提供之LED晶圓多晶粒檢測裝置，可將多晶片探針(multi die)之扎針率提高至99%，以縮短LED發光晶粒之扎針測試次數及測試的時間。

為利 貴審查委員了解本發明之特徵、內容與優點及其所能達到之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達方式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

請參閱第1圖，如圖所示為本發明之一種LED晶圓多晶粒檢測裝置1，其中包括檢測平台2、晶粒影像擷取模組3、晶粒位置數量分析模組4以及晶粒探針模組5。其中檢測平台2具有可移動之中空平台，且可將附有LED發光晶粒6之置晶膠膜置放於該檢測平台之中空平台上。晶粒影像擷取模組3，其具有影像擷取鏡頭用於擷取LED發光晶粒6之影像。晶粒位置數量分析模組4，係接收上述LED發光晶粒6影像擷取模組擷取之LED發光晶粒影像6，以分析其LED發光晶粒6之位置及數量。晶粒探針模組5，其設置於中空平台的上方，且用於檢測LED發光晶粒6之良率。此晶粒探針模組5，更具包括數個固定座及數個探針51，其固定座之一端設於中空平台之上，而探針51設於固定座之另一端，可依據量測需求進行Z up/down的修正，用於偵測LED發光晶粒6之良率。

本發明為一種LED晶圓多晶粒檢測裝置1，其檢測LED發光晶粒6之 步驟如下，將LED發光晶圓切割為LED發光晶粒6後，將其覆蓋一熱塑性材質之置晶膠膜。將附有LED發光晶粒6之置晶膠膜加熱後沿周圍平均施力拉張，使附於置晶膠膜上的各LED發光晶粒6間具形成間隔及具有一距離。將拉張後之置晶膠膜移入LED發光元件檢測裝置1之檢測平台2，經由晶粒影像擷取模組2擷取LED發光晶粒6之影像後，將影像資訊傳至晶粒位置數量分析模組4，由此晶粒位置數量分析模組4計算出其LED發光晶粒6之位置及間距，最後依據計算後之LED發光晶粒6之位置，手動或自動調整數個探針模組之最佳的探針51間距，以提高探針51扎針率以及縮短檢測LED發光晶粒6的時間。

請參閱第2圖，由於置晶膠膜的拉伸延展而導致附於置晶膠膜上的各LED發光晶粒6產生微量的不規則位移，如第2a圖所示，為LED發光晶粒6a和6b之間產生的水平方向偏移α及LED發光晶粒6b和6c之間產生的垂直方向偏移β，如第2b圖所示，為LED發光晶粒6d和6e之間產生的角度偏移θ，再者，如第3圖所示，進行測試時因探針51間距為固定值，而LED發光晶粒6之間距卻隨著位置的不同而有所差異，因此藉由本發明之LED晶圓多晶粒檢測裝置1中的晶粒位置數量分析模組4，藉由下列四種演算法分別計算出最佳探針51間距及量測時最佳的下針位置及座標。

演算法1：

於LED晶圓多晶粒檢測裝置1中的晶粒位置數量分析模組4中，取得每個LED發光晶粒6之位置，並計算每顆相鄰LED發光晶粒6的間距，並在排序後取中間50%的數據並計算出其算術平均數，藉以得知其LED發光 晶粒6之位置及間距。如下列公式：d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_{1 m-1}=a_1m-a_{1 m-1} d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_{2 m-1}=a_2m-a_{2 m-1}......d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_{n m-1}=a_nm-a_{n m-1}其中n表示LED發光晶粒6的X方向之排數，m表示LED發光晶粒6的Y方向之排數，有上述可推論之a_nm為第n排第m顆LED發光晶粒6的X座標，b_nm為第n排第m顆LED發光晶粒6的Y座標，並依據上式可得任一相鄰兩個LED發光晶粒6的X軸方向距離表示式為：d_ij=a_ij+1-a_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)任一相鄰兩個LED發光晶粒6的Y距離表示式為：k_ij=b_ij+1-b_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)令D_Q1為d_ij的第一四分位數，D_Q3為d_ij的第三四分位數，取符合下列條件之數列 再取其LED發光晶粒6的X軸方向距離算術平均數即為所求(取得的值為探針51在X軸方向的相鄰間距)。

令K_Q1為k_ij的第一四分位數，K_Q3為k_ij的第三四分位數，取符合下列條件之數列 再取其LED發光晶粒6的Y軸方向距離算術平均數即為所求(取得的值為探針51在Y軸方向的相鄰間距)。

演算法2：

於LED晶圓多晶粒檢測裝置1中的晶粒位置數量分析模組4中，藉由 取得每個LED發光晶粒6之位置，並由K-Means的分群法則取得最具代表性之數值，藉以得知其探針51的最佳間距。如下列公式：d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_{1 m-1}=a_1m-a_{1 m-1} d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_{2 m-1}=a_2m-a_{2 m-1}......d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_{n m-1}=a_nm-a_{n m-1}其中n表示LED發光晶粒6的X方向之排數，m表示LED發光晶粒6的Y方向之排數，a_nm為第n排第m顆LED發光晶粒6的X座標，b_nm為第n排第m顆LED發光晶粒6的Y座標，並依據上式可得任一相鄰兩個LED發光晶粒6的X軸方向距離表示式為：d_ij=a_ij+1-a_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)任一相鄰兩個LED發光晶粒6的Y距離表示式為：k_ij=b_ij+1-b_ij(1<=i<=m,1<=j<=n)依照下列步驟決定探針51之扎針位置，步驟如下：

步驟一：假設R為LED發光晶粒6之大小，K為一批次待測之LED發光晶粒6之數量，S為LED發光晶粒6之間隙，取S誤差值正負25%，並切割為K-1等分，即表示如下：(1.25-0.75)S/(K-1)=0.5S/(K-1)之後令T為0.5S/(K-1)則K-1個初始群集中心依序為R+S-((K-2)/2)T,R+S-((K-2)/2-1)T,.…,R+S-2T,R+S-T,R+S,R+S+T,R+S+2T,R+S+3T,…,R+S+(K-3)T,R+S+((K-2)/2)T。

步驟二：計算每一個d_ij到各個群集中心之距離後，將各d_ij分配至具有最短距離之群集中，此時產生具有數個d_ij為成員之初始群集的集合。

步驟三：根據每個初始群集的集合裡所有d_ij，重新計算出初始群集的新質 量中心，利用此新質量中心取代之前初始群集的集合的質量中心。

步驟四：指定完新質量中心之後，再一次比較每一個d_ij與新的群集中心之間的距離，然後根據距離，再度重新分配每一個d_ij所屬的群集。

步驟五：持續反覆步驟三到四，直到群集成員不再變動為止，決定其探針51的扎針位置。

演算法3：

本演算法3係透過微調下針座標，使多晶片探針(multi die)的扎針次數減少，請參閱第4圖，LED晶圓多晶粒檢測裝置1中的晶粒位置數量分析模組4中，取得每個LED發光晶粒6之位置的示意圖。如圖所示，假設探針51a與探針51b的距離為x，探針51b與探針51c的距離為y，探針51c與探針51d的距離為z，並假設LED發光晶粒6f與LED發光晶粒6g之距離為a，LED發光晶粒6g與LED發光晶粒6h之距離為b，LED發光晶粒6h與LED發光晶粒6i之距離為c。依照下列三項公式：P=a-x Q=b-y R=c-z在取得P、Q、R之最小值Min1，最大值Max1代入下列公式：位移量=(|Min1|+Max1)/2而由上式可得，LED發光晶粒6f~6i之最佳量測座標位置即為(X₁+位移量，Y₁+位移量)

上述的演算法1即演算法2為計算出探針51間距的最佳值，其中演算法2相較演算法1雖可取得更精確之數值，但其演算步驟亦較為繁瑣。因 此，基於執行效率的考量，當透過演算法1所取得扎針率未達設定門檻時方使用演算法2。再者，透過演算法3之微調下針座標，係為了使連續的多晶粒的扎針次數能夠更為減少。

演算法4：

本演算法4即為Z up/down的修正，係利用晶粒探針模組5調整探針51的扎針次序，以提高扎針率，以確保每一個LED發光晶粒6均被本發明之LED晶圓多晶粒檢測裝置1檢測過。請參閱第5圖，LED晶圓多晶粒檢測裝置1中的晶粒位置數量分析模組4中，取得每個LED發光晶粒6之位置的示意圖。如第5a圖所示，因探針51e、探針51f、探針51g及探針51h之間為固定距離，透過晶粒位置數量分析模組4，取得每個LED發光晶粒6之位置後得知探針51g對應量測之LED發光晶粒6l以偏移至欲量測的範圍外，因此於第一次扎針時先將以探針51e、探針51f及探針51h量測LED發光晶粒6j、LED發光晶粒6k及LED發光晶粒6m，並將探針51g抬起略過量測偏移的LED發光晶粒6l，如及第6a圖所示；如第5b圖所示，於第二次扎針時再將探針51e、探針51f及探針51h抬起略過量測LED發光晶粒6j、LED發光晶粒6k及LED發光晶粒6m，並將探針51g移動至LED發光晶粒6l的量測點下針並執行檢測步驟，如第6b圖所示。

本發明為一種LED晶圓多晶粒檢測方法，並請參閱第7圖，其檢測LED發光晶粒7之步驟如下：

S71：將LED發光晶圓切割為LED發光晶粒6後，將其覆蓋一熱塑性材質之置晶膠膜。

S72：將附有LED發光晶粒6之置晶膠膜加熱後沿周圍平均施力拉張，使附於置晶膠膜上的各LED發光晶粒6間具形成間隔及具有一距離。

S73：將拉張後之置晶膠膜移入LED發光元件檢測裝置1之檢測平台2，經由晶粒影像擷取模組2擷取LED發光晶粒6之影像後，將影像資訊傳至晶粒位置數量分析模組4。

S74：由晶粒位置數量分析模組4計算出其LED發光晶粒6之位置及間距。

S75：依據計算後之LED發光晶粒6之位置，手動或自動調整數個探針模組之最佳的探針51間距，以提高探針51扎針率以及縮短檢測LED發光晶粒6的時間。

請參閱附件1及附件2，如附件所示為本發明於導入演算法1及演算法2後，調整探針距離前之探針51的扎針分布圖，如附件1所示，X軸方向之探針扎針率為89.77%，如附件2所示，Y軸方向之探針扎針率為93.30%。請參閱附件3，為本發明於導入演算法1及演算法2後，再導入演算法3以微調下針的座標及探針距離後之探針51的扎針分布圖，如附件所示，調整後之探針51扎針率可提高至99.96%。請參閱附件4，如附件所示，為本發明之LED晶圓多晶粒檢測裝置1的實際應用圖。

上述之實施案例僅為舉例性之具體說明，而非為限制本發明之範圍，凡任何對其進行之等效修改或變更者，皆未脫離本發明之精神與範疇，均應包含於本案專利範圍中。

1‧‧‧LED晶圓多晶粒檢測裝置

2‧‧‧檢測平台

3‧‧‧晶粒影像擷取模組

4‧‧‧晶粒位置數量分析模組

5‧‧‧晶粒探針模組

51‧‧‧探針

51a~51h‧‧‧探針

6‧‧‧LED發光晶粒

6a~6m‧‧‧LED發光晶粒

S61~S65‧‧‧步驟流程

第1圖為本發明之示意圖。

第2圖為LED發光晶位移示意圖。

第3圖為探針與LED發光晶相對位置示意圖。

第4圖為探針與LED發光晶相對位置示意圖。

第5圖為探針與LED發光晶相對位置示意圖。

第6圖為探針之Z up/down示意圖。

第7圖為本發明之方法流程圖。

1‧‧‧LED晶圓多晶粒檢測裝置

2‧‧‧檢測平台

3‧‧‧晶粒影像擷取模組

4‧‧‧晶粒位置數量分析模組

5‧‧‧晶粒探針模組

6‧‧‧LED發光晶粒

Claims (13)

1. 一種LED晶圓多晶粒檢測方法，其包括：a、將一LED發光晶圓切割為複數個LED發光晶粒後，將該LED發光晶圓覆蓋一熱塑性材質之置晶膠膜，形成一附有LED發光晶粒之置晶膠膜；b、將該附有LED發光晶粒之置晶膠膜加熱後沿周圍平均施力拉張，使附於該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上的各LED發光晶粒間具形成間隔及具有一距離；c、將該附有LED發光晶粒之置晶膠膜移入一LED發光元件檢測裝置之檢測平台，經由一晶粒影像擷取模組擷取該複數個LED發光晶粒之影像後，將影像資訊傳至一晶粒位置數量分析模組；d、該晶粒位置數量分析模組計算出該複數個LED發光晶粒之位置及間距；e、依據計算後之該複數個LED發光晶粒之位置，手動或自動調整數個探針模組之最佳的探針間距；以及f、依據調整後該數個探針模組之最佳的探針間距，分析並計算出每次下針的最佳座標，並再利用Z up/down的修正後，進行量測。
2. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組係根據接收該晶粒影像擷取模組之影像資料後，計算出該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上之該LED發光晶粒之位置。
3. 如申請專利範圍第2項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒探針模組係根據該晶粒位置數量分析模組計算出之該附有LED發光晶 粒之置晶膠膜上之該LED發光晶粒之位置，調整探針間之距離。
4. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距，計算步驟如下：計算該複數個LED發光晶粒的間距，並在排序後取中間50%的數據並計算出算術平均數，藉以得知該複數個LED發光晶粒之位置及間距，如下列公式：d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_{1 m-1}=a_1m-a_{1 m-1} d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_{2 m-1}=a_2m-a_{2 m-1}......d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_{n m-1}=a_nm-a_{n m-1}其中n係為該複數個LED發光晶粒的X方向之排數，m係為該複數個LED發光晶粒的Y方向之排數；由上式界定任一相鄰兩個該複數個LED發光晶粒的X軸方向距離表示式係為：d_ij=a_ij+1-a_ij任一相鄰兩個該複數個LED發光晶粒的Y距離表示式係為：k_ij=b_ij+1-b_ij其中，i係為介於1和m之間之正整數，j係為介於1和n之間之正整數；令D_Q1為d_ij的第一四分位數，D_Q3為d_ij的第三四分位數，取符合下列條件之數列： 再取該複數個LED發光晶粒的X軸方向距離算術平均數；令K_Q1為k_ij的第一四分位數，K_Q3為k_ij的第三四分位數，取符合下列 條件之數列 再取該複數個LED發光晶粒的Y軸方向距離算術平均數，即為該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距。
5. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距，計算步驟如下：計算該複數個LED發光晶粒的間距，並由K-Means的分群法則取得最具代表性之數值，藉以得知該複數個LED發光晶粒之位置及間距，如下列公式d₁₁=a₁₂-a₁₁,d₁₂=a₁₃-a₁₂,d₁₃=a₁₄-a₁₃,d_{1 m-1}=a_1m-a_{1 m-1} d₂₁=a₂₂-a₂₁,d₂₂=a₂₃-a₂₂,d₂₃=a₂₄-a₂₃,d_{2 m-1}=a_2m-a_{2 m-1}......d_n1=a_n2-a_n1,d_n2=a_n3-a_n2,d_n3=a_n4-a_n3,d_{n m-1}=a_nm-a_{n m-1}其中，n係為該複數個LED發光晶粒的X方向之排數，m係為該複數個LED發光晶粒的Y方向之排數，並依據上式可得任一相鄰兩個該複數個LED發光晶粒的X軸方向距離表示式為：d_ij=a_ij+1-a_ij任一相鄰兩個該複數個LED發光晶粒的Y距離表示式為：k_ij=b_ij+1-b_ij其中，i係為介於1和m之間之正整數，j係為介於1和n之間之正整數；假設R係為該複數個LED發光晶粒之大小，K係為一批次待測之該複數個LED發光晶粒之數量，S係為該複數個LED發光晶粒之間隙，取S誤差值正負25%，並切割為K-1等分，即表示為(1.25-0.75)S/(K-1)=0.5S/(K-1) 後令T係為0.5S/(K-1)，則K-1個初始群集中心依序為R+S-((K-2)/2)T,R+S-((K-2)/2-1)T,…,R+S-2T,R+S-T,R+S,R+S+T,R+S+2T,R+S+3T,…,R+S+(K-3)T,R+S+((K-2)/2)T；計算每一個dij到各個群集中心之距離後，將各d_ij分配至具有最短距離之群集中，此時產生具有數個d_ij為成員之初始群集的集合；根據每個初始群集的集合裡所有d_ij重新計算出一新群集質量中心，並利用該新群集質量中心取代該初始群集的質量中心；再一次比較每一個d_ij與該新群集質量中心之間的距離，然後根據距離，再度重新分配每一個d_ij所屬的群集；重複上述之重新分配每一個d_ij，直到群集成員不再變動為止，決定其探針的扎針位置。
6. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距，計算步驟如下：P=a-x Q=b-y R=c-z其中，第一探針與第二探針的距離係為x，第二探針與第三探針的距離係為y，第三探針與第四探針的距離係為z，第一LED發光晶粒與第二LED發光晶粒之距離係為a，第二LED發光晶粒與第三LED發光晶粒之距離係為b，第三LED發光晶粒與第四LED發光晶粒之距離係為c；取得P、Q、R之最小值Min1，最大值Max1代入下列公式位移量=(|Min1|+Max1)/2 由上式可得，該複數個LED發光晶粒之實際座標位置係為(X₁+位移量，Y₁+位移量)表示之。
7. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距，先執行申請專利範圍第4項之步驟後，再執行申請專利範圍第6項之步驟，該探針之扎針率為99.96%。
8. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其中該晶粒位置數量分析模組計算之探針間距，先執行申請專利範圍第5項之步驟後，再執行申請專利範圍第6項之步驟，該探針之扎針率為99.96%。
9. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶圓多晶粒檢測方法，其步驟如下：以該晶粒位置數量分析模組計算出該複數個LED發光晶粒之位置及間距並判斷出偏移的LED發光晶粒；以該探針模組進行量測該複數個LED發光晶粒，並將該偏移的LED發光晶粒相對應之探針抬起，使該偏移的LED發光晶粒未執行量測；再次以該探針模組進行量測該複數個LED發光晶粒，將量測過之LED發光晶粒對應之探針抬起，並將該偏移的LED發光晶粒相對應之探針降下，對該偏移的LED發光晶粒執行量測。
10. 一種LED晶圓多晶粒檢測裝置，其包括：一檢測平台，係具有一可移動之中空平台，該中空平台提供附有LED發光晶粒之置晶膠膜放置；一晶粒影像擷取模組，其具有影像擷取鏡頭，並擷取該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上之LED發光晶粒影像； 一晶粒位置數量分析模組，係接收該晶粒影像擷取模組之影像資料；以及一晶粒探針模組，其設置於該中空平台的邊緣，並接觸該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上之LED發光晶粒。
11. 如申請專利範圍第10項所述之LED晶圓多晶粒檢測裝置，其中該探針模組，更包括：複數固定座，各該固定座之一端設於該中空平台邊緣，並各該固定座之另一端分別設有一探針，該探針模組可進行Z up/down的修正。
12. 如申請專利範圍第10項所述之LED晶圓多晶粒檢測裝置，其中該晶粒位置數量分析模組係根據接收該晶粒影像擷取模組之影像資料後，計算出該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上之該LED發光晶粒之位置。
13. 如申請專利範圍第12項所述之LED晶圓多晶粒檢測裝置，其中該晶粒探針模組係根據該晶粒位置數量分析模組計算出之該附有LED發光晶粒之置晶膠膜上之該LED發光晶粒之位置，調整探針間之距離。