KR101083346B1 - 엘이디 칩 검사장치 - Google Patents

엘이디 칩 검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101083346B1
KR101083346B1 KR1020110045927A KR20110045927A KR101083346B1 KR 101083346 B1 KR101083346 B1 KR 101083346B1 KR 1020110045927 A KR1020110045927 A KR 1020110045927A KR 20110045927 A KR20110045927 A KR 20110045927A KR 101083346 B1 KR101083346 B1 KR 101083346B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
chip
contact
led
pin
Prior art date
Application number
KR1020110045927A
Other languages
English (en)
Inventor
정태진
Original Assignee
주식회사 이노비즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이노비즈 filed Critical 주식회사 이노비즈
Priority to PCT/KR2011/004522 priority Critical patent/WO2012077881A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101083346B1 publication Critical patent/KR101083346B1/ko
Priority to TW100141925A priority patent/TWI459005B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 엘이디 칩 검사장치에 관한 것으로서, 측정 대상인 적어도 하나의 엘이디 칩과 전기적으로 컨텍하는 적어도 한 쌍의 프로브핀을 구비한 프로브카드; 상기 엘이디 칩들을 포함하는 웨이퍼를 적재하여 상기 프로브핀 컨텍위치로 이동시키는 웨이퍼스테이지; 상기 웨이퍼스테이지를 구동시키는 스테이지구동기; 상기 프로브핀에 컨텍된 엘이디 칩의 광특성과 전류특성을 측정하는 측정수단; 상기 웨이퍼 상에 적재된 엘이디 칩들 각각의 좌표를 감지하는 좌표감지기와, 상기 좌표감지기에서 감지된 각 좌표 상의 엘이디 칩들 각각의 높이값을 감지하는 레벨감지기를 갖는 감지수단; 상기 엘이디 칩들 중 상기 컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩을 상기 프로브핀에 컨텍시키는 적어도 하나의 칩컨텍유닛; 상기 감지수단에서 전달되는 각 엘이디 칩의 좌표값에 기초하여 측정 대상의 엘이디 칩이 컨텍 위치로 이동하도록 상기 스테이지구동기의 구동을 제어하며, 상기 감지수단에서 전달된 각 좌표의 엘이디 칩 높이값과, 미리 저장된 프로브핀과 엘이디 칩의 컨텍거리 기준값에 기초하여 상기 칩컨텍유닛의 상승 구동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 프로브카드의 프로브핀과 엘이디 칩들의 컨텍 거리가 항상 일정하게 유지되어 엘이디 칩과 프로브핀의 파손이 방지됨과 동시에, 엘이디 칩들의 특성이 정확하게 측정되는 엘이디 칩 검사장치가 제공된다.

Description

엘이디 칩 검사장치{Inspection device of LED chip}
본 발명은 엘이디 칩 검사장치에 관한 것으로서, 프로브카드의 프로브핀과 엘이디 칩들의 컨텍 거리를 항상 일정하게 유지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치에 관한 것이다.
엘이디(LED : Light Emitting diode)는 전원공급에 의해 발광하는 발광소자의 일종으로서 발광다이오드(Luminescent diode)라고 칭하기도 한다.
이 엘이디는 소형이면서 수명이 길고 소비전력이 적을 뿐 만 아니라 고속응답의 장점을 가지고 있다. 이에 최근에는 광원을 필요로 하는 각종 디스플레이 기기의 백라이트유닛과 소형전등 및 각종 계기류의 광원으로 널리 이용되고 있다.
이러한 엘이디는 반도체 공정을 이용하여 소형의 칩 형태로 제조된다. 일반적인 엘이디 칩의 제조공정은 기초 소재인 기판 상에 에피 웨이퍼를 마련하는 에피공정(EPI)과, 웨이퍼를 다수의 엘이디 칩으로 제조하는 칩공정(Fabrication) 및 칩공정에서 제조된 엘이디 칩을 패키징하는 패키지공정(Package)과, 패키지공정을 거친 엘이디 칩을 검사하는 검사공정으로 이루어진다.
이 중 검사공정은 엘이디 칩 검사장치에서 엘이디 칩들의 광특성과 전류특성을 측정한다. 한편, 엘이디 칩 검사장치에서 엘이디 칩들의 특성이 보다 원활하게 측정될 수 있도록 검사공정 전에 엘이디 칩들이 부착된 웨이퍼를 확장하는 작업을 수행한다.
웨이퍼 확장 작업은 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 확장하여 웨이퍼 기판 상에 적재된 엘이디 칩(L)들의 간격을 이격시키는 작업이다. 이 웨이퍼 확장 작업은 엘이디 칩(L)의 특성을 측정하는 동안 인접하는 엘이디 칩(L)과 측정 유닛 간의 상호 간섭을 방지하기 위해 이루어진다.
확장 작업이 완료된 엘이디 칩(L)들을 포함하는 웨이퍼(W)는 엘이디 칩 검사장치(101)의 웨이퍼스테이지(130)에 적재된다. 그리고, 웨이퍼스테이지(130)에 적재된 웨이퍼(W)상의 엘이디 칩(L)들은 웨이퍼스테이지(130)의 X,Y,Z,θ축 방향 구동에 의해 엘이디 칩 검사장치(101)에 마련된 프로브카드(110)의 프로브핀(111)에 컨텍되어 전류를 인가받아 발광한다.
엘이디 칩(L)이 발광하면 엘이디 칩 검사장치(101)에 마련된 광검사장치(미도시)에서 엘이디 칩(L)의 광특성을 측정하게 되며, 전류검사장치(미도시)에서 엘이디 칩(L)의 전류특성을 측정하게 된다.
그런데, 이러한 종래 엘이디 칩 검사장치에 있어서는 프로브카드의 프로브핀과 엘이디 칩이 컨텍되는 과정에서 엘이디 칩의 높이(D) 편차에 의해서 프로브핀이 엘이디 칩에 접촉하는 가압력에 오차가 발생하였다.
즉, 웨이퍼 기판과 엘이디 칩 사이에 존재할 수 있는 먼지 등의 이물질에 의해서 엘이디 칩들의 높이 편차가 발생하고, 이에 따라, 프로브핀과 엘이디 칩들 간의 접근 거리 오차가 발생하는 것이다.
이에 의해, 프로브핀이 엘이디 칩에 접촉하는 가압력이 커지거나 작아지면, 엘이디 칩과 프로브핀의 파손이 발생하거나, 또는, 부정확한 전류 인가에 의해 정확한 측정이 이루어지지 않는다.
이에 도 2와 같이, 엘이디 칩(L)들을 포함하는 웨이퍼(W)를 검사장치(101)의 웨이퍼스테이지(130)에 적재한 상태에서 웨이퍼(W) 하부면 전면적을 진공척(120)으로 진공 흡착함으로써, 웨이퍼(W) 상면 즉, 엘이디 칩(L)들 상면 높이를 평탄화하는 방법이 제안된 바 있었다. 이때, 진공척 상면의 전면적은 오차 없이 평탄하게 유지되어야 한다.
그러나, 이러한 진공척을 이용하는 방법은 진공척의 가공오차나 진공척 상면에 존재할 수 있는 먼지 등의 이물질에 의해서 사실상 엘이디 칩들의 높이 편차를 해소하기는 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 프로브카드의 프로브핀과 엘이디 칩들의 컨텍 거리를 항상 일정하게 유지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공함으로써, 엘이디 칩과 프로브핀의 파손을 방지하고, 엘이디 칩들의 특성이 정확하게 측정될 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 측정 대상인 적어도 하나의 엘이디 칩과 전기적으로 컨텍하는 적어도 한 쌍의 프로브핀을 구비한 프로브카드; 상기 엘이디 칩들을 포함하는 웨이퍼를 적재하여 상기 프로브핀 컨텍위치로 이동시키는 웨이퍼스테이지; 상기 웨이퍼스테이지를 구동시키는 스테이지구동기; 상기 프로브핀에 컨텍된 엘이디 칩의 광특성과 전류특성을 측정하는 측정수단; 상기 웨이퍼 상에 적재된 엘이디 칩들 각각의 좌표를 감지하는 좌표감지기와, 상기 좌표감지기에서 감지된 각 좌표 상의 엘이디 칩들 각각의 높이값을 감지하는 레벨감지기를 갖는 감지수단; 상기 엘이디 칩들 중 상기 컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩을 상기 프로브핀에 컨텍시키는 적어도 하나의 칩컨텍유닛; 상기 감지수단에서 전달되는 각 엘이디 칩의 좌표값에 기초하여 측정 대상의 엘이디 칩이 컨텍 위치로 이동하도록 상기 스테이지구동기의 구동을 제어하며, 상기 감지수단에서 전달된 각 좌표의 엘이디 칩 높이값과, 미리 저장된 프로브핀과 엘이디 칩의 컨텍거리 기준값에 기초하여 상기 칩컨텍유닛의 상승 구동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치에 의해 달성된다.
여기서, 프로브핀과 엘이디 칩의 컨텍거리 기준 값은 제어부에 미리 입력되어 있는 정상적인 높이값을 갖는 엘이디 칩과 프로브핀 간의 거리값인 것이 보다 효과적이다.
삭제
삭제
삭제
또한, 제어부는 측정대상인 엘이디 칩의 높이값과 미리 입력되어 있는 정상적인 엘이디 칩의 높이값을 비교하여 칩컨텍유닛의 구동 높이를 제어하는 것이 바람직하다.
한편, 칩컨텍유닛은 컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩에 대응하는 웨이퍼 하부 영역에 접촉 및 이격되도록 승강하여 상기 엘이디 칩을 프로브핀에 접근 및 이격 시키는 칩컨텍핀과, 상기 칩컨텍핀을 승강시키는 컨텍구동기를 갖는 것이 효과적이다.
그리고, 칩컨텍유닛은 컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩에 대응하는 웨이퍼 하부 영역에 접촉 및 이격되며, 내측에 칩컨텍핀을 승강 가능하게 수용하는 핀승강구가 형성되어 있고, 상부면으로부터 상기 핀승강구를 향해 상기 칩컨텍핀의 상단부가 출입하는 핀홀이 형성되어 있는 흡착가이드를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
이때, 칩컨텍핀 상단면은 상기 엘이디 칩의 면적에 대응하는 것이 보다 효과적이다.
또한, 흡착가이드는 핀승강구가 외부의 진공흡입수단과 진공라인으로 연결되며, 핀홀을 통해 컨텍 위치의 엘이디 칩 하부영역을 흡착하는 것이 바람직하다.
또한, 측정 대상인 엘이디 칩은 복수로 선택되고, 프로브핀은 상기 측정 대상인 엘이디 칩들에 대응하는 복수 쌍으로 마련되며, 칩컨텍유닛은 상기 측정 대상인 엘이디 칩들에 대응하는 복수로 마련될 수 있다.
본 발명에 따르면, 프로브카드의 프로브핀과 엘이디 칩들의 컨텍 거리를 항상 일정하게 유지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공된다. 이에 의해, 엘이디 칩과 프로브핀의 파손이 방지되고, 엘이디 칩들의 특성이 정확하게 측정된다.
도 1은 확장 작업된 엘이디 칩들이 적재된 웨이퍼 사시도,
도 2는 종래 엘이디 칩 검사장치의 요부 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 측면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 요부 영역 확대도,
도 7은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 제어블록도,
도 8은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 제어흐름도,
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치의 측면도.
이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
도 3 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치(1)는 확장 작업된 웨이퍼(W) 상에 적재되어 있는 엘이디 칩(L)을 전기적으로 컨텍하는 프로브카드(10)와, 프로브카드(10)에 컨텍된 엘이디 칩(L)의 광특성과 전류특성을 측정하는 측정수단(20)과, 웨이퍼(W) 상에 적재된 엘이디 칩(L)들을 개별적으로 프로브카드(10)의 컨텍 위치로 이동시키는 웨이퍼스테이지(30)와, 웨이퍼스테이지(30)를 구동시키는 스테이지구동기(40)와, 웨이퍼(W) 상에 적재된 엘이디 칩(L)들의 좌표와 높이를 감지하는 감지수단(50)과, 프로브카드(10)의 컨텍 위치로 이동된 측정 대상 엘이디 칩(L)을 프로브카드(10)에 컨텍시키는 칩컨텍유닛(60)과, 감지수단(50)에서 감지된 엘이디 칩(L)의 좌표 및 높이 데이터에 따라 스테이지구동기(40)와 칩컨텍유닛(60)을 구동시키는 제어부(70)를 포함한다.
프로브카드(10)는 그 중앙 영역에 엘이디 칩(L)이 위치하는 측정홀(15)을 갖는 반사판(13)과, 반사판(13)의 측정홀(15) 내에 위치한 엘이디 칩(L)에 전류를 인가하도록 컨텍되는 프로브핀(11)을 구비한다. 이 프로브카드(10)는 경우에 따라 반사판(13)의 구성을 생략하고 프로브핀(11)만을 구비할 수도 있다.
프로브핀(11)은 도시하지 않은 전원공급부로부터 전달되는 전원을 엘이디 칩(L)으로 인가한다. 그리고, 프로브핀(11)은 엘이디 칩(L)으로 인가되는 전원에 대한 전류 측정값을 후술할 측정수단(20)의 전류측정유닛(23)으로 전달하도록 전류측정유닛(23)과 전기적으로 연결되어 있다.
측정수단(20)은 엘이디 칩(L)으로부터 발광되는 빛과 프로브카드(10)의 반사판(13)으로부터 반사되는 빛의 스펙트럼을 채집하여 엘이디 칩(L)의 광특성을 측정하는 광측정유닛(21)과, 엘이디 칩(L)의 전류값에 대한 특성을 측정하는 전류측정유닛(23)을 가지고 있다.
광측정유닛(21)은 프로브카드(10) 상부 영역에 구형상(球形狀)의 적분구로 마련되어 엘이디 칩(L) 및 반사판(13)으로부터 전달되는 빛에 대한 광특성을 측정한다. 그리고, 전류측정유닛(23)은 프로브카드(10)의 프로브핀(11)으로부터 전달되는 엘이디 칩(L)의 전류특성값을 측정한다.
웨이퍼스테이지(30)는 엘이디 칩(L) 검사공정 중 공급부(미도시)로부터 전달된 엘이디 칩(L)들을 포함한 웨이퍼(W)를 적재한다. 이 웨이퍼스테이지(30)는 스테이지구동기(40)의 구동에 의해 X,Y,Z,θ축 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼스테이지(30)에 적재된 웨이퍼(W)를 프로브카드(10) 하부 영역에서 X,Y,Z,θ축 방향으로 이동시킨다.
그리고, 스테이지구동기(40)는 웨이퍼스테이지(30)의 X,Y,Z,θ축 구동을 정밀 제어하여 웨이퍼스테이지(30)에 적재된 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들 각각을 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부 영역에 위치하도록 이동시킬 수 있다.
감지수단(50)은 웨이퍼(W)상의 엘이디 칩(L)들 각각의 좌표를 감지하여 제어부(70)로 전달하는 좌표감지기(51)와, 좌표감지기(51)에서 감지된 각 좌표 상의 엘이디 칩(L)들 각각의 높이를 감지하여 각 좌표 상의 엘이디 칩(L)들 높이값을 제어부(70)로 전달하는 레벨감지기(53)로 구성될 수 있다.
좌표감지기(51)는 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들에 대해 이미지를 획득하고 각 엘이디 칩(L)들의 이미지 맵에 대한 좌표테이터(이하 '좌표값'이라 함)를 설정하여 이 좌표값을 제어부(70)로 전달하는 비젼 카메라 또는 비젼 스캐너일 수 있다.
그리고, 레벨감지기(53)는 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들 각각에 레이저 조사하여 각 좌표 상에 위치한 엘이디 칩(L) 각각에 대한 높이값을 제어부(70)로 전달하는 레이저 변위센서일 수 있다.
한편, 칩컨텍유닛(60)은 프로브카드(10) 하부 영역에 웨이퍼(W) 배치 공간에 대응하는 이격 거리를 두고 설치된다. 이 칩컨텍유닛(60)은 웨이퍼(W) 상에 적재된 엘이디 칩(L)들 중 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부에 위치하는 측정대상인 엘이디 칩(L)이 적재된 영역의 웨이퍼 기판 하부면을 흡착하는 흡착가이드(61)와, 흡착가이드(61)에 승강가능하게 결합되어 흡착가이드(61)에 흡착된 영역의 엘이디 칩(L)을 상향 가압함으로써 프로브핀(11)에 컨텍시키는 칩컨텍핀(63)과, 칩컨텍핀(63)을 승강시키는 컨텍구동기(65)를 가지고 있다.
흡착가이드(61)는 그 상부면이 엘이디 칩(L)의 하부면에 비해 넓은 면적을 가지고 있으며, 그 내측에 칩컨텍핀(63)이 승강 가능하게 수용되는 핀승강구(61a)가 형성되어 있다. 이 핀승강구(61a)는 외부의 진공흡입수단(미도시)과 진공라인(미도시)으로 연결된다. 또한, 흡착가이드(61)의 상부영역에는 상부면으로부터 내부의 핀승강구(61a)를 향해 관통된 핀홀(61b)이 형성되어 있다.
그리고, 칩컨텍핀(63)은 상단부 영역이 흡착가이드(61)의 핀홀(61b)을 통해 승강 출입하며 그 하단부가 컨텍구동기(65)에 대해 승강력으로 전달받도록 결합되어 있다. 이때, 칩컨텍핀(63) 상단부는 엘이디 칩(L)의 하부면적에 대응하는 면적으로 형성됨으로써, 프로브핀(11) 측으로 엘이디 칩(L)을 안정적으로 상향 가압한다.
또한, 컨텍구동기(65)는 제어부(70)로부터 전달되는 구동신호에 따라서 칩컨텍핀(63)의 승강 거리를 정밀하게 조절할 수 있도록 마련된다. 또한, 컨텍구동기(65)는 흡착가이드(61)를 승강시켜서 흡착가이드(61)의 상부면이 엘이디 칩(L) 하부면과 이 영역의 웨이퍼 기판에 접촉 및 이격되도록 한다. 이를 위해 컨텍구동기(65)는 흡착가이드(61)의 승강과 칩컨텍핀(63)의 승강을 별개로 구동시킬 수 있는 다단 구동기 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 컨텍구동기(65)는 회전 운동을 직선운동으로 변환하여 흡착가이드(61)와 칩컨텍핀(63)으로 전달하는 정역모터와 이송스크류의 조합으로 구성되거나, 정역모터와 래크와 피니언, 또는 정역모터와 캠 등의 조함으로 구성될 수 있다. 이때, 컨텍구동기(65)는 측정대상의 엘이디 칩(L) 높이를 고려하여 칩컨텍핀(63)의 상승거리를 정밀하게 조절할 수 있는 구성으로 마련되는 것이 바람직하다.
이러한, 칩컨텍유닛(60)은 보다 간략한 구성으로서 도시하지는 않았지만, 흡착가이드(61)를 생략하고 칩컨텍핀(63)과 컨텍구동기(65)만으로 구성될 수도 있다.
한편, 제어부(70)는 감지수단(50)의 좌표감지기(51)와 레벨감지기(53)에서 전달되는 웨이퍼(W) 상의 각 엘이디 칩(L) 좌표값과, 각 좌표에 위치하는 엘이디 칩(L)의 높이값과, 프로브핀(11)과 엘이디 칩(L)의 컨텍거리 기준값에 기초하여 스테이지구동기(40)와 칩컨텍유닛(60)의 구동을 제어한다.
여기서, 프로브핀(11)과 엘이디 칩(L)의 컨텍거리 기준 값은 미리 설정되어 있는 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11) 간의 기준 거리로서, 제어부(70)에 미리 입력되어 있는 정상적인 높이값을 갖는 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11) 간의 거리값에 해당한다.
즉, 제어부(70)는 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들 중 측정대상인 엘이디 칩(L)의 좌표값에 기초하여 스테이지구동기(40)를 구동 제어하여 측정 대상의 엘이디 칩(L)이 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부에 위치시킨다. 그런 다음, 레벨감지기(53)에서 전달된 측정 대상 엘이디 칩(L)의 높이값과 컨텍거리 기준값을 비교하여 칩컨텍유닛(60)의 컨텍구동기(65)의 상승 구동 높이를 제어함으로써, 측정대상 엘이디 칩(L)이 안정적으로 프로브카드(10)의 프로브핀(11)에 컨텍되도록 한다.
이러한 구성을 갖는 본 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치(1)의 구동 과정을 도 4 내지 도 6 및 도 8을 참고하여 살펴본다.
측정 대상인 엘이디 칩(L)들이 적재된 웨이퍼(W)가 엘이디 칩 검사장치(1)의 웨이퍼스테이지(30)로 전달되기 전이나 전달되는 과정, 또는 전달된 후에 감지수단(50)의 좌표감지기(51)와 레벨감지기(53)는 웨이퍼(W)상의 엘이디 칩(L)들 각각에 대한 좌표값과 높이값을 감지하고 이를 데이터화하여 제어부(70)로 전달하고, 제어부(70)는 웨이퍼(W) 각 좌표상의 엘이디 칩(L)들의 각각의 높이값을 저장한다(S01). 이때, 제어부(70)에는 정상적인 높이값을 갖는 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11) 간의 컨텍거리 기준값이 미리 저장되어 있다.
웨이퍼(W)가 엘이디 칩 검사장치(1)의 웨이퍼스테이지(30)에 적재되면, 제어부(70)는 웨이퍼(W) 상의 각 좌표에 적재된 측정 대상인 엘이디 칩(L)들이 차례로 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부 영역에 위치하도록 스테이지구동기(40)의 구동을 제어한다(S02).
스테이지구동기(40)의 구동에 의해 도 4와 같이, 측정 대상인 엘이디 칩(L)이 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부에 위치하면, 제어부(70)는 레벨감지기(53)에서 전달된 해당 엘이디 칩(L)의 높이값과 미리 입력되어 있는 정상적인 엘이디 칩(L)의 높이값을 비교한다(S03).
이때, 해당 엘이디 칩(L)의 높이값이 정상적인 엘이디 칩(L)의 높이값과 동일하면, 제어부(70)는 미리 설정되어 있는 컨텍거리 기준값에 대응하는 높이로 칩컨텍유닛(60)의 컨텍구동기(65) 구동을 제어하여 흡착가이드(61)와 칩컨텍핀(63)을 상승시킨다(S04).
그러면, 흡착가이드(61)가 도 5와 같이, 측정 대상인 엘이디 칩(L) 하부의 웨이퍼 기판에 접촉하여 해당 엘이디 칩(L)과 웨이퍼 기판을 흡착한다. 이는 칩컨텍핀(63)의 상승시 엘이디 칩(L)과 웨이퍼(W) 간에 개재되는 접착물질의 들뜸을 방지하기 위한 것이다.
흡착가이드(61)의 상승 후 컨텍구동기(65)는 도 6과 같이, 칩컨텍핀(63)을 상승시켜서 엘이디 칩(L)이 프로브카드(10)의 측정홀(15) 내에서 프로브핀(11)과 컨텍되도록 한다.
한편, 측정 대상인 해당 엘이디 칩(L)의 높이값이 정상적인 엘이디 칩(L)의 높이값과 다르면, 제어부(70)는 차이가 나는 엘이디 칩(L)의 높이값을 고려하여 미리 설정되어 있는 컨텍거리 기준값에 대응할 수 있도록 칩컨텍유닛(60)의 컨텍구동기(65) 구동을 제어하여 흡착가이드(61)와 칩컨텍핀(63)의 상승높이를 조절한다(S04').
그러면, 흡착가이드(61)가 도 5와 같이, 측정 대상인 엘이디 칩(L) 하부의 웨이퍼 기판에 접촉하여 해당 엘이디 칩(L)과 웨이퍼 기판을 흡착한 후, 상승 높이 조절치에 대응하는 높이로 칩컨텍핀(63)이 도 6과 같이, 상승되어 해당 엘이디 칩(L)이 프로브카드(10)의 측정홀(15) 내에서 프로브핀(11)과 안정적으로 컨텍된다.
이러한 과정에 의해 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들은 높이편차에 상관없이 안정적으로 프로브핀(11)에 컨텍됨으로써, 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11)의 파손을 방지함과 동시에, 광측정유닛(21)과 전류측정유닛(23)에서 엘이디 칩(L)의 광특성과 전류특성을 정확하게 측정할 수 있다.
한편, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치의 측면도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치는 복수의 엘이디 칩(L)을 전기적으로 컨텍하는 프로브카드(10)와, 프로브카드(10)에 컨텍된 엘이디 칩(L)들의 광특성과 전류특성을 측정하는 측정수단(20)과, 웨이퍼(W) 상에 적재된 엘이디 칩(L)들 중 검사 대상인 복수의 엘이디 칩들을 프로브카드(10)의 컨텍 위치로 이동시키는 웨이퍼스테이지(30)와, 웨이퍼스테이지(30)를 구동시키는 스테이지구동기(40)와, 웨이퍼(W) 상에 적재된 엘이디 칩(L)들의 좌표와 높이를 감지하는 감지수단(50)과, 프로브카드(10)의 컨텍 위치로 이동된 측정 대상 엘이디 칩(L)들을 프로브카드(10)에 컨텍시키는 복수의 칩컨텍유닛(60)과, 감지수단(50)에서 감지된 엘이디 칩(L)의 좌표 및 높이 데이터에 따라 스테이지구동기(40)와 칩컨텍유닛(60)을 구동시키는 제어부(70)를 포함한다.
본 실시예에 따른 엘이디 칩 검사장치는 프로브카드(10)와 칩컨텍유닛(60)의 구조와, 장치의 제어구동을 제외하고 나머지 구성은 전술한 도 4 내지 도 8의 엘이디 칩 검사장치(1)와 거의 동일하므로 이하에서는 프로브카드(10)와 칩컨텍유닛(60)의 구조 및 장치의 제어구동에 대해서만 설명한다.
프로브카드(10)는 그 중앙 영역에 엘이디 칩(L)이 위치하는 측정홀(15)을 갖는 반사판(13)과, 반사판(13)의 측정홀(15) 내에 위치한 복수의 엘이디 칩(L)들에 전류를 인가하도록 컨텍되는 복수 쌍의 프로브핀(11)을 구비하고 있다. 프로브핀(11)은 도시하지 않은 전원공급부로부터 전달되는 전원을 엘이디 칩(L)으로 인가한다. 그리고, 프로브핀(11)은 엘이디 칩(L)으로 인가되는 전원에 대한 전류 측정값을 후술할 측정수단(20)의 전류측정유닛(23)으로 전달하도록 전류측정유닛(23)과 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 칩컨텍유닛(60)은 프로브카드(10) 하부 영역에 웨이퍼(W) 배치 공간에 대응하는 이격 거리를 두고 복수로 설치될 수 있다. 이 칩컨텍유닛(60)들은 각각 전술한 실시 예에 따른 엘이디 칩 검사장치(1)의 칩컨텍유닛(60)과 마찬가지로 흡착가이드(61)와, 칩컨텍핀(63)과, 컨텍구동기(65)를 구비할 수 있으며, 그 구성 및 구조는 동일할 수 있으므로 그 설명은 생략한다.
한편, 제어부(70)는 감지수단(50)의 좌표감지기(51)와 레벨감지기(53)에서 전달되는 웨이퍼(W) 상의 각 엘이디 칩(L)들의 좌표값과, 각 좌표에 위치하는 엘이디 칩(L)의 높이값과, 프로브핀(11)들과 엘이디 칩(L)의 컨텍거리 기준값에 기초하여 스테이지구동기(40)와 칩컨텍유닛(60)들의 구동을 제어한다.
여기서, 프로브핀(11)들과 엘이디 칩(L)의 컨텍거리 기준 값은 미리 설정되어 있는 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11) 간의 기준 거리로서, 제어부(70)에 미리 입력되어 있는 정상적인 높이값을 갖는 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11) 간의 거리값에 해당한다.
즉, 제어부(70)는 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들 중 측정대상인 엘이디 칩(L)들 각각의 좌표값에 기초하여 스테이지구동기(40)를 구동 제어하여 측정 대상인 엘이디 칩(L)들을 프로브카드(10)의 측정홀(15) 하부에 위치시킨다. 그런 다음, 레벨감지기(53)에서 전달된 측정 대상 엘이디 칩(L)들 각각의 높이값과 컨텍거리 기준값을 비교하여 각 칩컨텍유닛(60)의 상승 구동 높이를 제어함으로써, 측정대상인 엘이디 칩(L)들 각각이 안정적으로 해당 프로브핀(11)에 컨텍되도록 한다.
이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 엘이디 칩(L)들은 높이편차에 상관없이 안정적으로 해당 프로브핀(11)에 컨텍됨으로써, 복수의 엘이디 칩(L)들을 신속하게 검사할 수 있다. 또한, 엘이디 칩(L)과 프로브핀(11)의 파손을 방지함과 동시에, 광측정유닛(21)과 전류측정유닛(23)에서 엘이디 칩(L)의 광특성과 전류특성을 정확하게 측정할 수 있다.
10 : 프로브카드 11 : 프로브핀
21 : 광측정유닛 23 : 전류측정유닛
30 : 웨이퍼스테이지 40 : 스테이지구동기
50 : 감지수단 51 : 좌표감지기
53 : 레벨감지기 60 : 칩컨텍유닛
61 : 흡착가이드 63 : 칩컨텍핀
65 : 컨텍구동기 70 : 제어부

Claims (11)

  1. 측정 대상인 적어도 하나의 엘이디 칩과 전기적으로 컨텍하는 적어도 한 쌍의 프로브핀을 구비한 프로브카드;
    상기 엘이디 칩들을 포함하는 웨이퍼를 적재하여 상기 프로브핀 컨텍위치로 이동시키는 웨이퍼스테이지;
    상기 웨이퍼스테이지를 구동시키는 스테이지구동기;
    상기 프로브핀에 컨텍된 엘이디 칩의 광특성과 전류특성을 측정하는 측정수단;
    상기 웨이퍼 상에 적재된 엘이디 칩들 각각의 좌표를 감지하는 좌표감지기와, 상기 좌표감지기에서 감지된 각 좌표 상의 엘이디 칩들 각각의 높이값을 감지하는 레벨감지기를 갖는 감지수단;
    상기 엘이디 칩들 중 상기 컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩을 상기 프로브핀에 컨텍시키는 적어도 하나의 칩컨텍유닛;
    상기 감지수단에서 전달되는 각 엘이디 칩의 좌표값에 기초하여 측정 대상의 엘이디 칩이 컨텍 위치로 이동하도록 상기 스테이지구동기의 구동을 제어하며, 상기 감지수단에서 전달된 각 좌표의 엘이디 칩 높이값과, 미리 저장된 프로브핀과 엘이디 칩의 컨텍거리 기준값에 기초하여 상기 칩컨텍유닛의 상승 구동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    프로브핀과 엘이디 칩의 컨텍거리 기준 값은 제어부에 미리 입력되어 있는 정상적인 높이값을 갖는 엘이디 칩과 프로브핀 간의 거리값인 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  6. 제5항에 있어서,
    제어부는 측정대상인 엘이디 칩의 높이값과 미리 입력되어 있는 정상적인 엘이디 칩의 높이값을 비교하여 칩컨텍유닛의 구동 높이를 제어하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    칩컨텍유닛은
    컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩에 대응하는 웨이퍼 하부 영역에 접촉 및 이격되도록 승강하여 상기 엘이디 칩을 프로브핀에 접근 및 이격 시키는 칩컨텍핀과,
    상기 칩컨텍핀을 승강시키는 컨텍구동기를 갖는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  8. 제7항에 있어서,
    칩컨텍유닛은
    컨텍 위치로 이동된 엘이디 칩에 대응하는 웨이퍼 하부 영역에 접촉 및 이격되며, 내측에 칩컨텍핀을 승강 가능하게 수용하는 핀승강구가 형성되어 있고, 상부면으로부터 상기 핀승강구를 향해 상기 칩컨텍핀의 상단부가 출입하는 핀홀이 형성되어 있는 흡착가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  9. 제8항에 있어서,
    칩컨텍핀 상단면은 상기 엘이디 칩의 면적에 대응하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  10. 제8항에 있어서,
    흡착가이드는 핀승강구가 외부의 진공흡입수단과 진공라인으로 연결되며, 핀홀을 통해 컨텍 위치의 엘이디 칩 하부영역을 흡착하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  11. 제7항에 있어서,
    측정 대상인 엘이디 칩은 복수로 선택되고, 프로브핀은 상기 측정 대상인 엘이디 칩들에 대응하는 복수 쌍으로 마련되며, 칩컨텍유닛은 상기 측정 대상인 엘이디 칩들에 대응하는 복수로 마련되는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
KR1020110045927A 2010-12-09 2011-05-16 엘이디 칩 검사장치 KR101083346B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2011/004522 WO2012077881A1 (ko) 2010-12-09 2011-06-21 엘이디 칩 검사장치
TW100141925A TWI459005B (zh) 2010-12-09 2011-11-16 發光二極體晶片測試器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100125745 2010-12-09
KR1020100125745 2010-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101083346B1 true KR101083346B1 (ko) 2011-11-15

Family

ID=45397698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110045927A KR101083346B1 (ko) 2010-12-09 2011-05-16 엘이디 칩 검사장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101083346B1 (ko)
TW (1) TWI459005B (ko)
WO (1) WO2012077881A1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103728120A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 新世纪光电股份有限公司 发光二极管晶片的检测装置
KR101477243B1 (ko) * 2014-07-14 2014-12-30 양진석 프로브유닛 및 이를 갖는 엘이디 칩 검사장치
KR101508909B1 (ko) 2014-10-27 2015-04-07 주식회사 케이앤에스 칩안착블록 구조
KR20170129480A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 세메스 주식회사 다이 고정 장치
KR20180062887A (ko) * 2016-12-01 2018-06-11 주식회사 한화 커넥터 기판 저항측정장치 및 방법
KR20200051316A (ko) 2018-11-05 2020-05-13 세메스 주식회사 프로브 스테이션 및 기판 검사 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103728544A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 新世纪光电股份有限公司 检测装置
KR101358069B1 (ko) 2013-06-26 2014-02-05 에이티시스템 주식회사 모터의 선형화된 데이터를 이용한 led모듈 렌즈의 설치 이상 유무 검사방법
TWI726740B (zh) * 2020-06-08 2021-05-01 四方自動化機械股份有限公司 一種晶片測試頭

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979763B1 (ko) 2010-03-25 2010-09-02 (주)큐엠씨 대상물 분류장치
KR100980837B1 (ko) * 2010-03-23 2010-09-10 디아이티 주식회사 발광소자 특성 검사장치
KR100986274B1 (ko) * 2010-01-28 2010-10-07 주식회사 이노비즈 일체형 엘이디 칩 검사 및 분류 장비

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2007019237A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 両面発光素子用プロービング装置
JP2009276215A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法
JP5277827B2 (ja) * 2008-09-22 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP5327489B2 (ja) * 2009-02-20 2013-10-30 キューエムシー カンパニー リミテッド エルイーディーチップテスト装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100986274B1 (ko) * 2010-01-28 2010-10-07 주식회사 이노비즈 일체형 엘이디 칩 검사 및 분류 장비
KR100980837B1 (ko) * 2010-03-23 2010-09-10 디아이티 주식회사 발광소자 특성 검사장치
KR100979763B1 (ko) 2010-03-25 2010-09-02 (주)큐엠씨 대상물 분류장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103728120A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 新世纪光电股份有限公司 发光二极管晶片的检测装置
KR101477243B1 (ko) * 2014-07-14 2014-12-30 양진석 프로브유닛 및 이를 갖는 엘이디 칩 검사장치
KR101508909B1 (ko) 2014-10-27 2015-04-07 주식회사 케이앤에스 칩안착블록 구조
KR20170129480A (ko) * 2016-05-17 2017-11-27 세메스 주식회사 다이 고정 장치
KR102469663B1 (ko) 2016-05-17 2022-11-22 세메스 주식회사 다이 고정 장치
KR20180062887A (ko) * 2016-12-01 2018-06-11 주식회사 한화 커넥터 기판 저항측정장치 및 방법
KR101892361B1 (ko) * 2016-12-01 2018-08-27 주식회사 한화 커넥터 기판 저항측정장치 및 방법
KR20200051316A (ko) 2018-11-05 2020-05-13 세메스 주식회사 프로브 스테이션 및 기판 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201237434A (en) 2012-09-16
WO2012077881A1 (ko) 2012-06-14
TWI459005B (zh) 2014-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101083346B1 (ko) 엘이디 칩 검사장치
US6927587B2 (en) Probe apparatus
KR101057416B1 (ko) 엘이디 칩 측정유닛
KR100931322B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법
KR100931323B1 (ko) 엘이디 칩 분류장치
TWI289676B (en) Method and equipment for inspecting electric characteristics of specimen
JP2008243861A (ja) 検査装置及び検査方法
US6583614B2 (en) Inspection stage and inspection apparatus having a plurality of Z axes
TW201315973A (zh) 發光元件之檢查裝置及檢查方法
KR20060117537A (ko) 리프트 핀 높이 정렬용 지그 및 이를 이용한 리프트 핀높이 정렬 방법
CN1739194A (zh) 包含光学测距仪的探针装置以及探针的检查方法
JP2003168707A (ja) プローブ装置
KR20110013107A (ko) 엘이디 칩 분류장치
KR100935706B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 그 전달부재
KR20110054422A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 검사 장치, 그리고 이를 이용한 기판 검사 방법
TWM459403U (zh) Ｌｅｄ晶粒發光量測設備
KR101074532B1 (ko) 엘이디 칩 분류장치 및 그 제거유닛
KR102303929B1 (ko) 마이크로 led를 검사하기 위한 검사 장비
KR101020702B1 (ko) 발광소자 테스트 핸들러
KR101070834B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 엘이디 칩 분류장치
KR101052506B1 (ko) 엘이디 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 검사방법
KR102052117B1 (ko) 레이저를 사용한 측정 대상물 위치 신뢰성 평가 장치
US20210055340A1 (en) Probe card
TWI589856B (zh) 測試裝置及測試方法
TW202120907A (zh) 具有加熱功能之光學檢測設備

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151127

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161107

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171108

Year of fee payment: 7