TWI459005B - 發光二極體晶片測試器 - Google Patents

Description

發光二極體晶片測試器

概括而言，本發明係關於發光二極體(LED)晶片測試器，尤有關於能經常維持LED晶片與探測卡之探測針間之固定接觸距離之LED晶片測試器。

發光二極體(LED，Light Emitting diode)為發光裝置之一種，其可以對施加之電力反應而發光，並且在相關技術中稱為冷光二極體(luminescent diode)。

LED為有利的，因為其尺寸小且具有提升之平均壽命、以較經濟的方式消耗電力、以及反應快速。因此，近年來，已廣泛使用LED作為各種顯示器裝置中之背光裝置之發光源，以及作為小尺寸燈具與需要發光源之各種量規之發光源。

已藉由半導體製程以小尺寸晶片之方式來製造LED。習知之LED晶片製造製程包含在基底材料之基板上形成EPI晶圓之EPI製程(EPI)；使用晶圓來生產數個LED晶片之晶粒製程(製造)；封裝藉由晶粒製程所生產之LED晶片之封裝製程(封裝)；以及測試已藉由封裝製程所處理之LED晶片之測試製程。

在LED晶片製造製程之測試製程中，使用LED晶片測試器來量測LED晶片之光學特性與電流特性。在此，為了使LED晶片測試器更有效地量測LED晶片之特性，在測試製程開始之前，執行擴張已裝載LED晶片之晶圓之作業。

如圖1所顯示，在晶圓擴張作業中，擴張晶圓W以增加裝載在晶圓基板上之LED晶片L間之間隔。執行晶圓擴張作業以避免在量測LED晶片L之特性之製程期間LED晶片L與量測單元間之干擾。

在完成晶圓擴張作業之後，將有LED晶片L之擴張晶圓W裝載到LED晶片測試器101之晶圓工作台130上。並且，裝載在晶圓工作台130上之晶圓W之LED晶片L可以根據晶圓工作台130之運動而相繼與設置在LED晶片測試器101中之探測卡110之探測針111接觸，藉此接收電力並發光。

當LED晶片L發光時，設置在LED晶片測試器101中之光學測試裝置(未顯示)量測LED晶片L之光學特性，而電流測試裝置(未顯示)量測LED晶片L之電流特性。

然而，習知之LED晶片測試器為有問題的，因為當探測卡之探測針與LED晶片接觸時，因LED晶片之高度之差距D，從探測針施加到LED晶片之接觸壓力會不相同。

也就是說，LED晶片之高度會因外來物質而不同，例如：粉塵，其會存在於晶圓基板與LED晶片間之間隔中，因此，探測針與LED晶片間之距離會不相同。

因此，從探測針施加到LED晶片之接觸壓力會增加或減少，並且這樣會毀壞或損壞LED晶片與探測針，或者會造成供應不精確之電流，因此而造成待精確量測之特性之失效。

為了克服這些問題，如圖2中所顯示，提出一方法，在該方法中，有LED晶片L之晶圓W係裝載於LED晶片測試器101之晶圓工作台130上，並且裝載在晶圓工作台上之晶圓W之整個下表面藉由真空夾頭120而真空吸取，如此可以使晶圓W之上表面為水平的，換句話說，在LED晶片L之上表面上之高度可以為一致的。在上述方法中，真空夾頭120之整個上表面必須沒有任何誤差的保持平坦並為水平的。

然而，使用真空夾頭之方法為有問題的，因為實際上幾乎不可能消除因真空夾頭之加工誤差或因存在於真空夾頭上表面上之外來物質(例如：粉塵)所造成之LED晶片之高度差距。

因此，本發明係牢記相關領域中出現之上述問題而產生，並且意圖提供LED晶片測試器，其可以維持探測卡之探測針與LED晶片之間之固定接觸距離，藉此可以防止LED晶片與探測針兩者毀壞，並且可以量測LED晶片之精確特性。

在一實施態樣中，本發明提供LED晶片測試器，包含：一探測卡，其具有與至少一待量測LED晶片電氣接觸之至少一對探測針；一晶圓工作台，其上裝載具有LED晶片之晶圓，該晶圓工作台將晶圓移動到探測針接觸位置；一工作台驅動器，用來驅動晶圓工作台；一量測裝置，用來量測與探測針接觸之LED晶片之光學特性與電流特性；一偵測器裝置，用來偵測裝載於該晶圓上之該LED晶片之座標；至少一晶片接觸裝置，用來使LED晶片中已移動到接觸位置之LED晶片與探測針接觸；以及一控制裝置，用來依據藉由偵測器裝置所偵測到之座標來控制工作台驅動器之運作，並將待量測LED晶片移動到接觸位置，以及用來控制晶片接觸裝置之運作，並使安置在接觸位置之LED晶片接觸探測針。

在此，偵測器裝置可以包含座標偵測器，用來偵測晶圓之個別LED晶片之座標，並將偵測座標傳送到控制裝置。

並且，偵測器裝置可以包含水平偵測器，用來偵測具有藉由座標偵測器所偵測到之座標之個別LED晶片之高度值，並將該高度值傳送到控制裝置。

此外，控制裝置可以使用傳送自偵測器裝置之個別LED晶片之座標值來控制工作台驅動器之運作，並且將待量測LED晶片移動到接觸位置，以及可以使用傳送自偵測器裝置之具有該座標之個別LED晶片之高度值與探測針和LED晶片間之預設參考接觸距離值兩者來控制晶片接觸裝置之垂直移動運作。

在此，探測針與LED晶片間之參考接觸距離值為探測針與具有儲存在控制裝置中之正常高度值之LED晶片間之距離值。

此外，控制裝置藉由將待量測LED晶片之高度值與儲存在控制裝置中之正常LED晶片之高度值作比較來控制晶片接觸裝置之驅動高度。

此外，晶片接觸裝置可以包含：一晶片接觸針，用來向上與向下移動，以接觸或移動遠離對應於以移動到接觸位置之LED晶片的晶圓之下表面，藉此將LED晶片移動接近或遠離探測針；以及一接觸驅動器，用來向上與向下移動晶片接觸針。

此外，晶片接觸裝置可以包含一吸取導件，其接觸或移動遠離對應到已移動到接觸位置之LED晶片L之晶圓之下表面之區域，該吸取導件包含一上升銷孔，其形成於吸取導件中，並可移動地接收晶片接觸針於其中，以及一銷孔，從吸取導件之上端延伸到上升銷孔，並允許晶片接觸針之上端進入銷孔。

在此，晶片接觸針之上端表面符合LED晶片之表面積。

此外，吸取導件之上升銷孔可以藉由真空管線而連接到外真空吸取裝置，並且該吸取導件使用銷孔來吸取放置在接觸位置上之LED晶片之下區域。

此外，該待量測LED晶片包含數個LED晶片，探測針可以包含對應於待量測LED晶片之數對探測針，而晶片接觸裝置包含對應於待量測LED晶片之數個晶片接觸裝置。

如上所述，本發明提供一LED晶片測試器，其可以經常維持探測卡之探測針與LED晶片間之固定接觸距離，藉此可以防止LED晶片與探測針兩者之毀壞，並且可以量測LED晶片之精確特性。

【實施發明之最佳形態】

下文中，將參考隨附圖示來詳細說明本發明。

如圖3到圖7中所顯示，根據本發明一實施例之LED晶片測試器1包含一探測卡10，其與裝載在擴張晶圓W上之LED晶片L電氣接觸；一量測裝置20，用來量測與探測卡10接觸之LED晶片L之光學特性與電流特性；一晶圓工作台30，用來將裝載於晶圓W上之個別LED晶片相繼移動到探測卡10之接觸位置；一工作台驅動器40，用來驅動晶圓工作台30；一偵測器裝置50，用來偵測裝載於晶圓W上之個別LED晶片L之座標與高度；一晶片接觸裝置60，用來使待量測與已移動到探測卡10之接觸位置之LED晶片L接觸探測卡10；以及一控制裝置70，用來依據藉由偵測器裝置50所偵測之表示LED晶片L之座標與高度之資料來驅動工作台驅動器40與晶片接觸裝置60。

探測卡10包含一反射板13，在其中央區域中有量測孔15，如此LED晶片L可以對準量測孔；以及一探測針11，其與對準反射板13之量測孔15而放置之LED晶片L接觸，並供應電流到LED晶片。必要時可以僅使用探測針11而不使用反射板13來製造探測卡10。

探測針11將電源(未顯示)所供應之電力施加到LED晶片L。並且，探測針11電氣連接到量測裝置20之電流量測裝置23，如此供應到LED晶片L之電力之量測電流值可以傳送到電流量測裝置23，之後將說明於此文中。

量測裝置20包含光學量測裝置21，其收集發射自LED晶片L之光之光譜與藉由探測卡10之反射板13所反射之光之光譜兩者，以及量測LED晶片L之光學特性。量測裝置20更包含電流量測裝置23，其量測LED晶片L之電流值之特性。

以積分球之方式構成之光學量測裝置21設置在探測卡10上方之上部區域中，並量測LED晶片L與反射板13兩者所發射之光之光學特性。並且，電流量測裝置23量測從探測卡10之探測針11所傳送之LED晶片L之電流特性值。

在LED晶片測試製程期間，將供應自晶片供應裝置(未顯示)之具有LED晶片L之晶圓W裝載到晶圓工作台30上。晶圓工作台30藉由運作工作台驅動器40而將已裝載晶圓W移動到探測卡10下方之區域。

此外，工作台驅動器40精確地控制晶圓工作台30之運動，如此可以將裝載於晶圓工作台30上之晶圓W之個別LED晶片L相繼移動到探測卡10之量測孔15下方之區域。

偵測器裝置50可以包含座標偵測器51，其偵測裝載在晶圓W上之LED晶片L之個別座標，並將所偵測座標傳送到控制裝置70；以及水平偵測器53，偵測具有藉由座標偵測器51所偵測之座標之個別LED晶片L之高度，並將具有座標之LED晶片L之高度值傳送到控制裝置70。

座標偵測器51可以為視覺攝影機或視覺掃描機，其可以得到晶圓W之LED晶片L之影像，設定代表個別LED晶片L之影像地圖之座標資料(在下文中，稱為「座標值」)，並且將座標值傳送到控制裝置70。

並且，水平偵測器53可以為雷射位移感測器，其可以將雷射光束應用到裝載在晶圓W上之個別LED晶片L，並將具有座標之個別LED晶片L之高度值傳送到控制裝置70。

此外，晶片接觸裝置60安置在探測卡10下方之區域中，並且以相當於晶圓安置空間之距離與探測卡10間隔開來。晶片接觸裝置60包含一吸取導件61，用來在對應於LED晶片L之區域吸取晶圓基板之下表面，該LED晶片L裝載在晶圓W上並安置在探測卡10之量測孔15下方；一晶片接觸針63，可垂直移動地連接到吸取導件61，並且對安置在藉由吸取導件61所吸取之區域上之LED晶片L向上施加偏壓，藉此使LED晶片與探測針11接觸；以及一接觸驅動器65，用來向上與向下移動晶片接觸針63。

吸取導件61上表面之表面積比LED晶片L下表面之表面積大，而且上升銷孔61a形成於吸取導件中並可移動地接收在其中之晶片接觸針63。上升銷孔61a藉由真空管線(未顯示)而連接到外真空吸取裝置(未顯示)。此外，銷孔61b以下列方式形成通過吸取導件61之上端：銷孔61b從吸取導件之上端表面向下延伸到上升銷孔61a。

此外，晶片接觸針63以下述方式設置：其上端可以向上與向下移動通過吸取導件61之銷孔61b，並且其下端可以接收來自接觸驅動器65之垂直移動力。在此，晶片接觸針63之上端具有符合LED晶片L之下表面積之表面積，如此晶片接觸針可以朝向探測針11而向上穩定地施偏壓於LED晶片L。

此外，回應傳送自控制裝置70之驅動訊號，接觸驅動器65可以精確地控制晶片接觸針63之垂直移動距離。並且，接觸驅動器65向上與向下制動吸取導件61，如此吸取導件61之上表面可以接觸或移動遠離LED晶片L之下表面和與LED晶片結合之晶圓基板之一部分兩者。為了實現上述功能，接觸驅動器65可以能分開制動吸取導件61與晶片接觸針63之多級驅動器之方式而設置，以實現吸取導件61之垂直運動與晶片接觸針63之垂直運動兩者。在此，可以藉由可逆馬達與進給螺桿之結合、可逆馬達與齒條和小齒輪之結合、或可逆馬達與凸輪之結合而形成接觸驅動器65，其可以將旋轉運動轉變為直線運動，以及可以將直線運動傳送到吸取導件61與晶片接觸針63兩者。在此，接觸驅動器65最好用來考量待量測LED晶片L之高度而精確地控制晶片接觸針63之垂直移動距離。

為了實現晶片接觸裝置60之簡單結構，可以使用晶片接觸針63與接觸驅動器65兩者同時省略吸取導件61來製造晶片接觸裝置60。

並且，藉由使用從偵測器裝置50之座標偵測器51所傳送之晶圓W之LED晶片L之座標值與使用從偵測器裝置之水平偵測器53所傳送之具有該座標之LED晶片L之高度值、以及使用探測針11與LED晶片L間之參考接觸距離值，控制裝置70控制工作台驅動器40與晶片接觸裝置60兩者之操作。

在此，探測針11與LED晶片L間之參考接觸距離值為預設值，代表探測針11與LED晶片L間之參考距離。換句話說，參考接觸距離值為有正常高度值之LED晶片L與探測針11間之距離值，並且儲存在控制裝置70中。

詳細來說，控制裝置70藉由使用裝載在晶圓W上之LED晶片L中之待量測目標LED晶片L之座標值來控制工作台驅動器40之運作，並將目標LED晶片L設置在探測卡10之量測孔15下方之位置上。之後，藉由將傳送自水平偵測器53之待量測目標LED晶片L之高度值與參考接觸距離值作比較，控制裝置70控制晶片接觸裝置60之接觸驅動器65之向上移動驅動高度，如此可以使待量測目標LED晶片L平穩接觸探測卡10之探測針11。

下文將參考圖4到圖6與圖8來說明根據實施例之具有上述結構之LED晶片測試器1之運作。

在將裝載有待量測LED晶片L之晶圓W傳送到LED晶片測試器1之晶圓工作台30期間、之前、或之後，偵測器裝置50之座標偵測器51與水平偵測器53偵測裝載在晶圓W上之個別LED晶片L之座標值與高度值，並在將資料傳送到控制裝置70以前產生座標值資料與高度值資料。回應輸入資料，控制裝置70將裝載在晶圓W上且位於由座標表示之位置上之個別LED晶片L之高度值儲存在其中(S01)。並且，在探測針11與具有正常高度值之LED晶片L間之參考接觸距離值係儲存於控制裝置70中。

當晶圓W已裝載在LED晶片測試器1之晶圓工作台30上時，控制裝置70以下述方式控制工作台驅動器40之操作：將已裝載在晶圓W之具有個別座標之位置上之待量測LED晶片L相繼移動到探測卡10之量測孔15下方之位置(S02)。

如圖4中所顯示，當待量測目標LED晶片L已藉由操作工作台驅動器40而設置在探測卡10之量測孔15下方之位置中時，控制裝置70將傳送自水平偵測器53之目標LED晶片L之高度值與儲存在控制裝置中之正常LED晶片L之參考高度值作比較(S03)。

當確定待量測目標LED晶片L之高度值等於正常LED晶片L之參考高度值時，控制裝置70根據相當於預設參考接觸距離值之高度而控制晶片接觸裝置60之接觸驅動器65之運作，藉此向上移動吸取導件61之晶片接觸針63(S04)。

因此，如圖5中所顯示，吸取導件61在對應於待量測目標LED晶片L之位置上接觸晶圓基板，並吸取目標LED晶片L與晶圓基板兩者。因為吸取導件吸取目標LED晶片L與晶圓基板兩者，在晶片接觸針63向上運動期間，可以避免介於LED晶片L與晶圓W間之黏著劑變鬆。

在完成吸取導件61之向上運動之後，如圖6中所顯示，接觸驅動器65開始向上移動晶片接觸針63，如此LED晶片L可以與探測卡10之量測孔15中之探測針11接觸。

並且，當待量測目標LED晶片L之高度值不等於正常LED晶片L之參考高度值時，控制裝置70考慮目標LED晶片L之高度值與參考高度值之差異而控制晶片接觸裝置60之接觸驅動器65之運作，以努力使接觸驅動器符合預定參考接觸距離值而運作。因此，控制裝置可以控制吸取導件61與晶片接觸針63兩者之向上移動高度(S04’)。

因此，如圖5中所顯示，吸取導件61與在待量測目標LED晶片L下方之晶圓基板之下表面接觸，並吸取目標LED晶片L與晶圓基板兩者。之後，如圖6中所顯示，向上移動晶片接觸針63以調整向上移動高度，如此目標LED晶片L可以與探測卡10之量測孔15中之探測針11平穩接觸。

因為裝載在晶圓W上之個別LED晶片L可以藉由上述製程而與探測針11平穩接觸(不管高度差異)，本發明可以避免LED晶片L與探測針11兩者毀壞，並且可以使用光學量測裝置21與電流量測裝置23兩者來量測LED晶片L之精確光學特性與精確電流特性。

圖9係根據本發明另一實施例之LED晶片測試器之側視圖。如圖3與9中所顯示，根據另一實施例之LED晶片測試器包含一探測卡10，其與數個LED晶片L電氣接觸；一量測裝置20，用來量測與探測卡10接觸之LED晶片L之光學特性與電流特性；一晶圓工作台30，用來將裝載於晶圓W上之LED晶片L中之數個待量測LED晶片移動到探測卡10之個別接觸位置；一工作台驅動器40，用來驅動晶圓工作台30；一偵測器裝置50，用來偵測裝載在晶圓W上之LED晶片L之座標與高度；數個晶片接觸裝置60，用來使已移動到探測卡10之個別接觸位置之待量測目標LED晶片L接觸探測卡10；以及一控制裝置70，用來根據藉由偵測器裝置50所偵測之LED晶片L之座標與高度之資料而控制工作台驅動器40與晶片接觸裝置60兩者之運作。

在此另一實施例中，LED晶片測試器之一般形狀仍與圖4到圖8中所顯示之LED晶片測試器1相同，但是探測卡10與晶片接觸裝置60兩者之結構以及LED晶片測試器之控制製程不相同，如此下文將專門說明探測卡10與晶片接觸裝置60兩者之結構以及LED晶片測試器之控制製程。

探測卡10包含一反射板13，在其中心區域中具有量測孔15，如此LED晶片L可以與量測孔對準；以及數對探測針11，其與對準反射板13之量測孔15而放置之數個LED晶片L接觸，並且將電流供應到待量測之個別LED晶片。探測針11從電源(未顯示)將電力供應到LED晶片L。並且，探測針11電氣連接到量測裝置20之電流量測裝置23，如此供應到個別LED晶片L之電力之量測電流值可以傳送到電流量測裝置23，之後將說明於本文中。

並且，晶片接觸裝置60可以包含數個晶片接觸裝置，其安置在探測卡10下方之區域中，同時以相當於晶圓W之安置空間之距離與探測卡間隔開。與根據上述主要實施例之LED晶片測試器1之晶片接觸裝置60所說明之一樣，各個晶片接觸裝置60可以包含一吸取導件61、一晶片接觸針63、以及一接觸驅動器65，而且其結構仍然與主要實施例之結構相同，並且省略進一步說明。

此外，藉由使用傳送自偵測器裝置50之座標偵測器51之晶圓W之個別LED晶片L之座標值、與使用具有該座標並傳送自偵測器裝置之水平偵測器53之個別LED晶片L之高度值、以及使用探測針11與LED晶片L間之參考接觸距離值，控制裝置70控制工作台驅動器40與晶片接觸裝置60之運作。

在此，探測針11與LED晶片L間之參考接觸距離值為預設值，代表LED晶片L與探測針11間之參考距離。換句話說，參考接觸距離值為有正常高度值之LED晶片L與探測針11間之距離值，並且儲存在控制裝置70中。

詳細來說，控制裝置70使用裝載在晶圓W上之LED晶片L中之待量測目標LED晶片L之座標值來控制工作台驅動器40之運作，並將目標LED晶片L設置在探測卡10之量測孔15下方之個別位置中。之後，藉由將傳送自水平偵測器53之待量測目標LED晶片L之高度值與參考接觸距離值作比較，控制裝置70控制晶片接觸裝置60之個別接觸驅動器之向上移動驅動高度，如此待量測目標LED晶片L可以與探測卡10之個別探測針11平穩接觸。

因此，在另一實施例中，不管高度差距，可以使裝載於晶圓W上之LED晶片L與個別探測針11平穩接觸，如此可以快速地測試數個LED晶片L。此外，可能防止LED晶片L與探測針11兩者毀壞，以及使用光學量測裝置21與電流量測裝置23兩者來量測LED晶片L之精確光學特性與精確電流特性。

【產業上利用性】

如上所述，本發明之LED晶片測試器可以維持探測卡之探測針與LED晶片間之固定接觸距離，藉此可以防止LED晶片與探測針毀壞，並且可以量測LED晶片之精確特性。

L．．．LED晶片

W．．．晶圓

D．．．差距

1．．．LED晶片測試器

10．．．探測卡

11．．．探測針

13．．．反射板

15．．．量測孔

20．．．量測裝置

21．．．光學量測裝置

23．．．電流量測裝置

30．．．晶圓工作台

40．．．工作台驅動器

50．．．偵測器裝置

51．．．座標偵測器

53．．．水平偵測器

60．．．晶片接觸裝置

61．．．吸取導件

61a．．．上升銷孔

61b．．．銷孔

63．．．晶片接觸針

65．．．接觸驅動器

70．．．控制裝置

101．．．LED晶片測試器

110．．．探測卡

111．．．探測針

120．．．真空夾頭

130．．．晶圓工作台

S01、S02、S03、S04、S04’．．．步驟

圖1係裝載LED晶片之擴張晶圓之斜視圖；

圖2係習知LED晶片測試器之重要部分之側視圖；

圖3係根據本發明一實施例之LED晶片測試器之側視圖；

圖4到圖6係根據本發明之LED晶片測試器之重要區域之放大視圖；

圖7係根據本發明之LED晶片測試器之控制製程之方塊圖；

圖8係根據本發明之LED晶片測試器之控制製程之流程圖；以及

圖9係根據本發明另一實施例之LED晶片測試器之側視圖。

L．．．LED晶片

W．．．晶圓

10．．．探測卡

11．．．探測針

13．．．反射板

15．．．量測孔

30．．．晶圓工作台

60．．．晶片接觸裝置

61．．．吸取導件

61a．．．上升銷孔

61b．．．銷孔

63．．．晶片接觸針

65．．．接觸驅動器

Claims (8)

1. 一種LED晶片測試器，包含：一探測卡，其具有與至少一待量測LED晶片電氣接觸之至少一對探測針；一晶圓工作台，其上裝載具有LED晶片之晶圓，該晶圓工作台將該晶圓移動到探測針接觸位置；一工作台驅動器，用來驅動該晶圓工作台；一量測裝置，包含光學量測裝置及電流量測裝置，其分別用來量測與該探測針接觸之該LED晶片之光學特性與電流特性；一偵測器裝置，包含座標偵測器及水平偵測器，該座標偵測器用來偵測裝載於該晶圓上之該個別LED晶片之座標，該水平偵測器用來偵測具有藉由該座標偵測器所偵測到之該座標之該個別LED晶片之高度值；至少一晶片接觸裝置，用來使該LED晶片中已移動到該接觸位置之LED晶片與該探測針接觸；以及一控制裝置，利用傳送自該偵測器裝置之該個別LED晶片之座標值來控制該工作台驅動器之運作，並將該待量測LED晶片移動到該接觸位置；以及利用具有傳送自該偵測器裝置之該座標之該個別LED晶片的該高度值和該探測針與該LED晶片之間的預設參考接觸距離值兩者來控制該晶片接觸裝置之垂直移動運作；其中，該座標偵測器將所偵測之座標傳送到該控制裝置，且該水平偵測器將該高度值傳送到該控制裝置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之LED晶片測試器，其中該探測針與該LED晶片間之該參考接觸距離值為該探測針與具有儲存在該控制裝置中之正常高度值之LED晶片間之距離值。
3. 如申請專利範圍第2項所述之LED晶片測試器，其中該控制 裝置藉由將該待量測LED晶片之該高度值與儲存在該控制裝置中之正常LED晶片之高度值作比較來控制該晶片接觸裝置之驅動高度。
4. 如申請專利範圍第1至3項之任何一項所述之LED晶片測試器，其中該晶片接觸裝置包含：一晶片接觸針，用來向上與向下移動，以接觸或移動遠離對應於已移動到該接觸位置之LED晶片的該晶圓之下表面，藉此將該LED晶片移動接近或遠離該探測針；以及一接觸驅動器，用來向上與向下移動該晶片接觸針。
5. 如申請專利範圍第4項所述之LED晶片測試器，其中該晶圓接觸裝置包含：一吸取導件，其接觸或移動遠離對應於已移動到該接觸位置之LED晶片的該晶圓之下表面之區域，該吸取導件包含一上升銷孔，其形成於該吸取導件中並可移動地接收該晶片接觸針於其中，以及一銷孔，從該吸取導件之上端延伸到該上升銷孔，並允許該晶片接觸針之上端進入該銷孔。
6. 如申請專利範圍第5項所述之LED晶片測試器，其中該晶片接觸針之上端表面符合該LED晶片之表面積。
7. 如申請專利範圍第5項所述之LED晶片測試器，其中該吸取導件之該上升銷孔藉由真空管線而連接到外真空吸取裝置，並且該吸取導件使用該銷孔來吸取放置在該接觸位置上之該LED晶片之下區域。
8. 如申請專利範圍第4項所述之LED晶片測試器，其中該待量測之LED晶片包含數個LED晶片，該探測針包含對應於該待量測LED晶片之數對探測針，而該晶片接觸裝置包含對應於 待量測LED晶片之數個晶片接觸裝置。