KR100931322B1 - 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 엘이디 칩이 안착되는 안착부재; 상기 안착부재가 복수개 설치되는 회전부재; 엘이디 칩이 테스트되는 테스트위치에 상기 안착부재들이 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재를 회전시키는 회전유닛; 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 발광시키는 접촉유닛과 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 측정유닛을 포함하고, 상기 회전부재 옆에 설치되는 테스트유닛; 및 엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 상기 측정유닛에서 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛에 설치되고, 상기 접촉유닛이 통과되는 홈이 형성되어 있는 전달부재를 포함하는 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법에 관한 것으로,
본 발명에 따르면, 엘이디 칩이 발하는 더 많은 양의 광이 측정유닛으로 입사되도록 함으로써 엘이디 칩이 가지는 성능을 정확하게 측정할 수 있고 엘이디 칩 테스트 결과에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과를 도모할 수 있다.
엘이디 칩, 적분구, 테스트, 광 특성

Description

엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법{LED Chip Testing Apparatus and Testing Method using the same}
본 발명은 엘이디 칩이 가지는 성능인 전기적 특성 및 광 특성을 확인하기 위해 엘이디 칩을 테스트하는 테스트장치 및 테스트방법에 관한 것이다.
엘이디(LED, Light Emitting Diode)는 전기를 빛으로 변환하는 반도체를 이용한 발광 소자의 일종으로, 발광다이오드(Luminescent diode)라고도 한다. 엘이디는 종래 광원에 비해 소형이고, 수명이 길며, 소비전력이 적고, 고속응답이어서, 자동차 계기류의 표시소자, 광통신용광원 등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치나 계산기의 카드 판독기, 백라이트 등 각종 분야에서 널리 사용되고 있다.
이러한 엘이디는 에피공정(EPI), 칩공정(Fabrication) 및 패키지공정(Package) 등을 거쳐 제조되며, 패키지공정을 거치기 전 엘이디 칩 상태에서 엘이디 칩이 가지는 성능을 확인하기 위해 테스트공정을 거치게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 테스트장치에서 엘이디 칩이 테스트되는 상태를 개념적으로 나타낸 측단면도이다.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 테스트장치는 접촉유닛(100) 및 적분 구(200)를 포함한다.
상기 접촉유닛(100)은 엘이디 칩(C)에 접촉될 수 있고, 엘이디 칩(C)을 발광시킬 수 있다. 상기 접촉유닛(100)은 엘이디 칩(C) 및 상기 적분구(200) 사이에서 엘이디 칩(C)에 접촉될 수 있다.
상기 적분구(200)는 엘이디 칩(C) 위에 위치되게 설치되고, 엘이디 칩(C)의 광 특성을 측정할 수 있다. 상기 적분구(200)에는 엘이디 칩(C)이 발하는 광이 유입되는 수광공(201)이 형성되어 있다. 엘이디 칩(C)이 발하는 광은 상기 수광공(201)을 거쳐 적분구(200) 내부로 입사될 수 있다. 상기 테스트장치는 상기 적분구(200)로 입사된 광을 분석함으로써, 엘이디 칩(C)이 가지는 성능을 확인할 수 있다.
여기서, 엘이디 칩(C)은 광을 방사(放射)하기 때문에, 엘이디 칩(C)이 발하는 광의 일부만이 상기 적분구(200)로 입사되고, 그 외의 광은 상기 적분구(200)로 들어가지 못한다. 엘이디 칩(C)이 가지는 성능을 정확하게 측정하기 위해서는 최대한 많은 양의 광이 상기 적분구(200)로 입사되어야 한다. 즉, 상기 적분구(200)가 엘이디 칩(C)에 가깝게 위치한 상태에서 테스트가 이루어져야 한다.
그러나, 종래 기술에 따른 테스트장치는 상기 적분구(200) 및 엘이디 칩(C) 사이에 위치하는 접촉장치(100)로 인해, 상기 적분구(200)가 엘이디 칩(C)과 상당한 거리(L)로 이격된 상태에서 테스트가 이루어진다. 따라서, 종래 기술에 따른 테스트장치는 엘이디 칩(C)이 가지는 성능을 정확하게 측정하는데 한계가 있는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 엘이디 칩이 가지는 성능을 정확하게 측정할 수 있는 엘이디 칩 테스트장치 및 테스트방법을 제공하는 것이다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치는 엘이디 칩이 안착되는 안착부재; 상기 안착부재가 복수개 설치되는 회전부재; 엘이디 칩이 테스트되는 테스트위치에 상기 안착부재들이 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재를 회전시키는 회전유닛; 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 발광시키는 접촉유닛과 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 측정유닛을 포함하고, 상기 회전부재 옆에 설치되는 테스트유닛; 및 엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 상기 측정유닛에서 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛에 설치되고, 상기 접촉유닛이 통과되는 홈이 형성되어 있는 전달부재를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치는 엘이디 칩이 안착되는 안착부재; 상기 안착부재가 복수개 설치되는 회전부재; 엘이디 칩이 테스트되는 테스트위치에 상기 안착부재들이 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재를 회전시키는 회전유닛; 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 발광시키는 접촉유닛과 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 측정유닛을 포함하고, 상기 회전부재 옆에 설치되는 테스트유닛; 및 엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 상기 안착부재에서 상기 측정유닛을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 안착부재에 설치되고, 상기 접촉유닛이 통과되는 홈이 형성되어 있는 전달부재를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법은 엘이디 칩이 안착되는 안착부재가 복수개 설치되는 회전부재를 회전시키는 단계; 측정유닛에서 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛에 설치되는 전달부재의 아래인 테스트위치에 테스트될 엘이디 칩이 위치되면, 상기 회전부재를 정지시키는 단계; 상기 전달부재에 형성되어 있는 홈을 통과한 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 접촉유닛을 이동시키는 단계; 상기 접촉부재에 접촉된 엘이디 칩을 테스트하는 단계; 및 상기 접촉부재가 엘이디 칩으로부터 멀어지게 상기 측정유닛을 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 엘이디 칩이 발하는 더 많은 양의 광이 측정유닛으로 입사되도록 구현함으로써, 엘이디 칩이 가지는 성능을 정확하게 측정할 수 있고 엘이디 칩 테스트 결과에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과를 도모할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치의 사시도, 도 3은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 안착부재, 회전부재, 및 회전유닛을 나타낸 사시도, 도 4는 도 3의 A-A 단면도, 도 5는 도 3의 평면도, 도 6은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉유닛을 나타낸 사시도, 도 7은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉유닛이 탈부착되는 상태를 나타낸 사시도, 도 8은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치의 측면도, 도 9는 도 8의 B부분을 확대하여 나타낸 확대도, 도 10은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 측정유닛의 작동관계를 나타낸 개략적인 측면도, 도 11 및 도 12는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉기구를 나타낸 개략적인 측면도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 안착부재(2), 회전부재(3), 회전유닛(4), 및 테스트유닛(5)을 포함한다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 안착부재(2)에는 엘이디 칩이 안착된다. 엘이디 칩은 흡기장치(D)에 의해 상기 안착부재(2)에 안착된 상태로 흡착될 수 있다. 상기 흡기장치(D)는 상기 회전부재(3)에 설치될 수 있고, 상기 안착부재(2)에 형성되어 있는 관통공(2a)을 통해 상기 안착부재(2)에 안착된 엘이디 칩을 흡착할 수 있다.
상기 안착부재(2)는 상기 회전부재(3)에 복수개가 설치될 수 있다. 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 회전시킴에 따라, 상기 안착부재(2)들은 테스트위 치(T)에 순차적으로 위치될 수 있다. 상기 테스트위치(T)는 상기 테스트유닛(5)에 의해 엘이디 칩이 테스트되는 위치이다.
상기 안착부재(2)에는 엘이디 칩이 아래로 발하는 광이 상기 테스트유닛(5)에 전달되도록 하는 경사면(21)이 형성되어 있다. 이 경우, 상기 테스트유닛(5)은 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩의 위에 위치될 수 있다. 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 상기 경사면(21)에 의해 더 많은 양의 광이 상기 테스트유닛(5)으로 입사되도록 함으로써, 엘이디 칩이 가지는 성능을 정확하게 측정할 수 있다. 상기 경사면(21)은 반사율이 높은 물질로 코팅될 수 있다.
상기 안착부재(2)는 엘이디 칩을 지지하는 지지부재(22)를 포함할 수 있다.
상기 지지부재(22)는 엘이디 칩의 저면을 지지할 수 있다. 상기 경사면(21)은 상기 지지부재(22)의 외측방향(E 화살표 방향)으로 기울어지게 형성될 수 있다. 이에 따라, 엘이디 칩이 아래로 발하는 광은 상기 경사면(21)에 의해 상기 지지부재(22)의 위에 위치되는 상기 테스트유닛(5)으로 전달될 수 있다.
도 4를 참고하면, 상기 안착부재(2)는 상기 회전부재(3)에 결합되는 제1안착몸체(23), 상기 제1안착몸체(23)의 상면에 결합되는 제2안착몸체(24), 및 상기 제2안착몸체(24)에 결합되는 제3안착몸체(25)를 포함할 수 있다.
상기 제2안착몸체(24)에는 상기 지지부재(22)가 위쪽으로 돌출되게 형성되어 있다. 상기 제3안착몸체(25)는 상기 지지부재(22)가 관통되는 관통공을 포함하고, 상기 관통공을 통해 상기 지지부재(22)가 관통된 상태로 상기 제2안착몸체(24)에 결합될 수 있다.
상기 지지부재(22)의 상면과 상기 제3안착몸체(25)의 상면은 서로 다른 높이로 형성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2지지부재(22)가 상기 제3안착몸체(25)의 상면을 기준으로 하여 위로 돌출되게 상기 제2안착몸체(24)에 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 제3안착몸체(25)가 상기 제2지지부재(22)의 상면을 기준으로 하여 위로 돌출되게 형성될 수도 있다. 상기 제2지지부재(22)는 전체적으로 원통형태로 형성될 수 있다.
상기 경사면(21)은 상기 제3안착몸체(25)에 형성될 수 있다. 상기 경사면(21)은 상기 제3안착몸체(25)의 상면에서 일정 깊이 함몰되어 형성되는 경사홈(251)에 의해 형성될 수 있다. 상기 경사홈(251)은 상기 제3안착몸체(25)의 상면에서 아래로 점차적으로 크기가 줄어들게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 경사면(21)은 상기 지지부재(22)의 외측방향(E 화살표 방향)으로 기울어지게 형성될 수 있다. 상기 제3안착몸체(25)는 전체적으로 원통형태로 형성될 수 있고, 상기 경사홈(251)은 상기 제3안착몸체(25)의 상면에서 아래로 점차적으로 직경이 줄어들게 형성될 수 있다.
상기 안착부재(2)에는 상기 제1안착몸체(23), 상기 제2안착몸체(24), 및 상기 지지부재(22)를 관통하는 관통공(2a)이 형성되어 있다. 상기 흡기장치(D)는 상기 관통공(2a)을 통해 상기 지지부재(22)의 상면에 지지되는 엘이디 칩을 흡착할 수 있다. 상기 흡기장치(D)는 상기 회전부재(3)의 저면에 결합될 수 있고, 상기 회전부재(3)에는 상기 관통공(2a)에 연통되는 관통공(3a)이 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 회전부재(3)는 상기 테스트유닛(5)의 옆에 설치된다.
상기 회전부재(3)에는 상기 안착부재(2)가 복수개 설치될 수 있다. 상기 회전부재(3)는 상기 회전유닛(4)에 의해 회전될 수 있고, 이에 따라 상기 안착부재(2)들은 상기 테스트위치(T)에 순차적으로 위치될 수 있다.
상기 회전부재(3)에는 회전축(3b)을 중심으로 상기 안착부재(2)가 동일한 각도로 이격되어서 복수개가 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 회전유닛(4)은 동일한 각도로 상기 회전부재(3)를 회전, 정지시킴으로써, 상기 안착부재(2)들을 상기 테스트위치(T)에 순차적으로 위치시킬 수 있다.
상기 안착부재(2)들 중 어느 하나가 상기 테스트위치(T)에 위치될 때, 나머지 안착부재(2)들 중 어느 하나는 테스트될 엘이디 칩이 로딩되는 로딩위치(LP)에 위치될 수 있고, 나머지 안착부재(2)들 중 어느 하나는 테스트된 엘이디 칩이 언로딩되는 언로딩위치(ULP)에 위치될 수 있다.
엘이디 칩은 상기 로딩위치(LP)에 위치된 안착부재(2)에 안착되고, 상기 테스트위치(T)로 이동되어 테스트된 후에, 상기 언로딩위치(ULP)로 이동되어 언로딩될 수 있다. 상기 로딩위치(LP)에 위치되는 안착부재(2)에 테스트될 엘이디 칩을 로딩하는 공정 및 상기 언로딩위치(ULP)에 위치되는 안착부재(2)에서 테스트된 엘이디 칩을 언로딩하는 공정은, 도시되지는 않았지만, 엘이디 칩을 이송할 수 있는 이송수단에 의해 이루어질 수 있다.
상기 안착부재(2)들은 상기 테스트위치(T), 상기 로딩위치(LP), 및 상기 언로딩위치(ULP)에 적어도 하나씩 동시에 위치될 수 있도록 상기 회전부재(3)에 설치 될 수 있다.
상기 회전부재(3)는 상기 안착부재(2)들이 각각 설치되는 지지프레임(31)을 포함할 수 있다. 상기 회전부재(3)는 상기 안착부재(2)와 동일한 개수의 지지프레임(31)을 포함할 수 있다.
상기 지지프레임(31)의 상면에는 상기 안착부재(2)가 설치될 수 있고, 상기 지지프레임(31)의 저면에는 상기 흡기장치(D)가 설치될 수 있다. 상기 지지프레임(31)에서 상기 안착부재(2)가 설치되는 위치에는, 상기 안착부재(2)에 형성되는 관통공(2a)에 연통되는 관통공(3a)이 형성될 수 있다.
상기 회전유닛(4)은 상기 테스트위치(T)에 상기 안착부재(2)들이 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재(3)를 회전시킨다. 상기 회전유닛(4)은 상기 회전부재(3)의 저면에 결합될 수 있고, 상기 회전부재(3)를 회전축(3b)을 중심으로 회전시킬 수 있다.
상기 회전유닛(4)은 모터(41)를 포함할 수 있다. 상기 모터(41)는 상기 회전축(3b)에 직접 결합되어서 상기 회전부재(3)를 회전시킬 수 있고, 상기 회전축(3b)에 결합된 샤프트(미도시)에 결합되어서 상기 회전부재(3)를 회전시킬 수도 있다. 상기 모터(41)가 상기 샤프트(미도시)에서 소정 거리 이격된 위치에 설치되는 경우, 상기 회전유닛(4)은 상기 모터(41) 및 샤프트(미도시)를 연결하는 풀리 및 벨트를 더 포함할 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 테스트유닛(5)은 상기 회전부재(3) 옆에 설치되고, 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩을 테스트할 수 있다. 상기 테 스트유닛(5)은 엘이디 칩이 가지는 전기적 특성과 엘이디 칩의 광 특성을 측정할 수 있다. 상기 테스트유닛(5)은 엘이디 칩에 대한 테스트 결과를 분석할 수 있는 테스터(미도시)와 연결될 수 있다.
상기 테스트유닛(5)은 접촉유닛(51), 측정유닛(52), 및 전달부재(53)를 포함할 수 있다.
상기 접촉유닛(51)은 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩을 발광시킨다. 상기 접촉유닛(51)은 테스터(미도시)와 연계하여 엘이디 칩을 발광시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 측정유닛(52)은 엘이디 칩의 광 특성을 측정할 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 테스터(미도시)와 연계하여 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩의 전기적 특성을 테스트할 수 있다. 상기 테스트유닛(5)은 엘이디 칩의 사양에 따라 상기 접촉유닛(51)을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 접촉유닛(51)은 접촉부재(511), 제1몸체(512), 제2몸체(513), 및 결합부재(514)를 포함할 수 있다.
상기 접촉부재(511)는 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩에 접촉될 수 있다. 상기 접촉부재(511)는 상기 제2몸체(513)에 결합될 수 있다.
상기 접촉부재(511)는 접촉핀(5111), 연결부재(5112), 및 결합기구(5113)를 포함할 수 있다.
상기 접촉핀(5111)은 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩에 접촉될 수 있다. 상기 접촉핀(5111)은 상기 결합기구(5113)에 의해 상기 연결부재(5112)에 탈부착 가능하게 결합될 수 있다.
이에 따라, 사용자는 테스트 과정에서 상기 접촉핀(5111)이 손상 내지 파손되는 경우, 상기 접촉핀(5111)만을 용이하게 교체할 수 있다. 테스트될 엘이디 칩이 기존과 다른 사양을 가진 엘이디 칩으로 바뀌는 경우에도, 사용자는 새로운 엘이디 칩의 사양에 맞는 접촉핀(5111)으로 용이하게 교체할 수 있다.
상기 연결부재(5112)에는 상기 접촉핀(5111)이 결합된다. 상기 연결부재(5112)는 상기 제2몸체(513)에 결합된다. 상기 연결부재(5112)는 상기 제2몸체(513)에서 상기 테스트위치(T)를 향하는 방향으로 길게 형성될 수 있다.
상기 결합기구(5113)는 상기 접촉핀(5111)과 상기 연결부재(5112)를 탈부착 가능하게 결합시킨다. 상기 결합기구(5113)는 상기 연결부재(5112)에 결합될 수 있다.
상기 결합기구(5113)는 상기 연결부재(5112)에 회전 가능하게 결합될 수 있고, 일방향으로 회전됨에 따라 상기 접촉핀(5111)에 힘을 가함으로써 상기 접촉핀(5111)과 상기 연결부재(5112)를 결합시킬 수 있다. 상기 결합기구(5113)가 타방향으로 회전되면 상기 접촉핀(5111)에 가하던 힘이 제거됨으로써, 상기 접촉핀(5111)은 상기 연결부재(5112)로부터 분리 가능한 상태로 될 수 있다. 상기 결합기구(5113)로 볼트 등과 같은 체결부재(미도시)가 이용될 수도 있다.
상기 제1몸체(512)에는 상기 제2몸체(513)가 결합된다. 상기 제1몸체(512)와 상기 제2몸체(513)는 상기 결합부재(514)에 의해 탈부착 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 사용자는 상기 제2몸체(513)를 상기 제1몸체(512)에서 분리시킨 후에 상기 접촉핀(5111)을 교체할 수 있으므로, 상기 접촉핀(5111)을 더 용이하게 교체 할 수 있다.
상기 제2몸체(513)에는 상기 연결부재(5112)가 결합된다. 상기 제2몸체(513)는 상기 결합부재(514)에 의해 상기 제1몸체(512)에 탈부착 가능하게 결합될 수 있다.
상기 결합부재(514)는 상기 제1몸체(512)와 상기 제2몸체(513)를 탈부착 가능하게 결합시킨다. 상기 결합부재(514)로 볼트 등과 같은 체결부재(미도시)가 이용될 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 측정유닛(52)은 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정한다. 광 특성은 휘도, 파장, 광속, 광도, 조도, 분광분포, 색온도 등일 수 있다.
상기 측정유닛(52)은 적분구(521)를 포함할 수 있고, 상기 적분구(521)에는 엘이디 칩이 발하는 광이 내부로 입사될 수 있도록 하는 수광공(미도시)이 형성되어 있다. 상기 측정유닛(52)은 엘이디 칩이 테스트될 때 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩의 위에 위치될 수 있고, 이 경우 상기 수광공이 엘이디 칩의 위에 위치될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 상기 전달부재(53)는 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛(53)으로 전달되도록 한다. 상기 전달부재(53)에는 상기 수광공에 연통되는 연통공이 형성되어 있다. 엘이디 칩이 발하는 광은 상기 연통공 및 상기 수광공을 거쳐 상기 적분구(521) 내부로 입사될 수 있다.
상기 전달부재(53)에는 상기 접촉유닛(51)이 통과되는 홈(531)이 형성되어 있다. 이에 따라, 상기 접촉유닛(51)이 상기 측정유닛(52)과 엘이디 칩 사이에 위치하더라도, 상기 전달부재(53)가 엘이디 칩에 가깝게 위치된 상태에서 엘이디 칩을 테스트할 수 있다. 따라서, 엘이디 칩이 발하는 더 많은 양의 광이 상기 전달부재(53)를 통해 상기 측정유닛(52)으로 입사되도록 할 수 있으므로, 엘이디 칩이 가지는 성능을 정확하게 측정할 수 있다.
상기 전달부재(53)는 전체적으로 중공의 원통형태로 형성될 수 있다. 상기 홈(531)은 상기 전달부재(53)에서 상기 접촉유닛(51)이 설치된 방향에 형성될 수 있다. 상기 전달부재(53) 내부는 반사율이 높은 물질로 코팅될 수 있다.
상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)은 상기 접촉부재(511)가 통과될 수 있는 크기로 형성될 수 있다. 상기 접촉부재(511)는 상기 홈(531)을 통과하여 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉될 수 있다. 상기 접촉부재(511)를 이루는 구성들 중에서 상기 접촉핀(5111)만이 상기 홈(531)을 통과하여 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉될 수도 있다.
상기 전달부재(53)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 측정유닛(52)에서 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛(52)에 설치될 수 있다. 엘이디 칩이 테스트될 때 상기 측정유닛(52)이 엘이디 칩의 위에 위치하는 경우, 상기 전달부재(53)는 상기 측정유닛(52)에서 아래로 돌출되게 형성될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 전달부재(53)는 상기 안착부재(2)에서 상기 측정 유닛(52)을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 안착부재(2)에 설치될 수 있다. 엘이디 칩이 테스트될 때 상기 측정유닛(52)이 엘이디 칩의 위에 위치하는 경우, 상기 전달부재(53)는 상기 안착부재(2)에서 위로 돌출되게 형성될 수 있다. 상기 전달부재(53) 내부에는 엘이디 칩 및 상기 지지부재(22)가 위치할 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 테스트유닛(5)은 상기 접촉유닛(51)을 이동시키는 제1이동유닛(54)을 포함할 수 있다.
상기 제1이동유닛(54)은 상기 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 상기 제1이동유닛(54)에 결합될 수 있고, 상기 접촉부재(511)가 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)을 통과한 상태로 상기 제1이동유닛(54)에 의해 이동될 수 있다. 엘이디 칩에는 상기 접촉핀(5111)이 접촉될 수 있다.
상기 제1이동유닛(54)은 상기 접촉유닛(51)을 승하강시키는 승하강기구(541)를 포함할 수 있다.
상기 승하강기구(541)는 상기 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛(51)을 승하강시킬 수 있다. 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 회전시킬 때 상기 안착부재(2) 또는 엘이디 칩이 상기 접촉부재(511)와 충돌될 가능성을 줄일 수 있도록, 상기 승하강기구(541)는 상기 접촉유닛(51)을 상승시킬 수 있다. 상기 테스트위치(T)에 테스트될 엘이디 칩이 위치되면, 상기 승하강기구(541)는 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛(51)을 하강시킬 수 있다.
상기 승하강기구(541)에는 상기 제1몸체(512)가 결합될 수 있다. 상기 승하강기구(541)가 상기 제1몸체(512)를 승하강시킴에 따라, 상기 제1몸체(512)에 결합된 제2몸체(513) 및 상기 제2몸체(513)에 결합된 접촉부재(511)가 함께 승하강될 수 있다.
상기 승하강기구(541)는 유압실린더 또는 공압실린더를 이용하여 상기 접촉유닛(51)을 승하강시킬 수 있다. 상기 승하강기구(541)는 모터 및 상기 모터와 상기 접촉유닛(51)에 각각 결합되는 연결기구를 이용하여 상기 접촉유닛(51)을 승하강시킬 수도 있다. 상기 연결기구는 풀리 및 벨트, 볼스크류, 캠부재 등일 수 있다
상기 승하강기구(541)는 상기 접촉핀(5111)이 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)을 통과한 상태에서 상기 접촉유닛(51)을 승하강시킬 수 있다. 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)은 상기 접촉핀(5111)이 승하강될 수 있는 충분한 크기로 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 8을 참고하면, 상기 테스트유닛(5)은 본체(55)를 포함할 수 있다.
상기 본체(55)에는 상기 측정유닛(52) 및 상기 제1이동유닛(54)이 결합된다. 상기 본체(55)는 상기 측정유닛(52)이 결합되고 수평방향으로 길게 형성되는 제1프레임(551), 상기 제1프레임(551)에서 아래쪽으로 길게 형성되는 제2프레임(552), 및 상기 제2프레임(552)이 결합되는 제3프레임(553)을 포함할 수 있다. 상기 제3프레임(553) 상면에는 상기 제1이동유닛(54)이 결합될 수 있다.
여기서, 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩은 상기 안착부재(2)에서 항상 동일한 위치에 안착되어 있지 않을 수 있다. 엘이디 칩이 상기 로딩위치(LP)에서 상기 안착부재(2)에 로딩될 때 일정한 위치에 안착되지 않을 수 있고, 엘이디 칩이 상기 로딩위치(LP)에서 상기 테스트위치(T)로 이동될 때 원심력 등에 의해 이동되거나 회전되어서 상기 안착부재(2)에 안착된 상태가 변화될 수 있기 때문이다.
상술한 바와 같은 경우에도 정확한 테스트를 수행할 수 있도록, 상기 제1이동유닛(54)은 이동기구(542)를 포함할 수 있다.
상기 이동기구(542)는 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩에 접촉될 수 있는 위치로 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수 있다. 상기 이동기구(542)는 상기 접촉유닛(51)을 X축방향 및 Y축방향(도 2에 도시됨)으로 이동시킬 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 상기 승하강기구(541)에 의해 Z축방향(도 2에 도시됨)으로 이동될 수 있다.
상기 이동기구(542)는 유압실린더 또는 공압실린더를 이용하여 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수 있다. 상기 이동기구(542)는 모터 및 상기 모터와 상기 접촉유닛(51)에 각각 결합되는 연결기구를 이용하여 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수도 있다. 상기 연결기구는 풀리 및 벨트, 볼스크류, 캠부재 등일 수 있다.
상기 이동기구(542)는 상기 본체(55)에 결합될 수 있다. 상기 이동기구(542)에는 상기 승하강기구(541)가 결합될 수 있다. 상기 이동기구(542)는 상기 승하강기구(541)를 이동시킴으로써, 상기 승하강기구(541)에 결합되어 있는 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 이동기구(542)는 상기 안착부재(2)에 엘이디 칩 이 안착되어 있는 상태를 확인하는 감지유닛(미도시)이 획득한 엘이디 칩의 상태 정보로부터 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩에 접촉될 수 있는 위치로 상기 접촉유닛(51)을 이동시킬 수 있다. 상기 감지유닛(미도시)은 상기 안착부재(2)에 엘이디 칩이 안착되어 있는 위치를 확인할 수 있다. 상기 감지유닛(미도시)은 필요에 따라 엘이디 칩이 회전된 정도 등에 대해서도 확인할 수 있다. 상기 감지유닛(미도시)은 비전카메라를 이용하여 상기 안착부재(2)에 엘이디 칩이 안착되어 있는 상태를 확인할 수 있다.
도 2 내지 도 10을 참고하면, 상기 테스트유닛(5)은 승하강유닛(56)을 더 포함할 수 있다.
상기 승하강유닛(56)은 상기 본체(55)에 결합되고, 상기 측정유닛(52)을 승하강시킬 수 있다. 상기 승하강유닛(56)은 상기 제1프레임(551)에 결합될 수 있고, 상기 측정유닛(52)은 상기 제1프레임(551)에 승하강 가능하게 결합될 수 있다.
상기 승하강유닛(56)은, 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 회전시킬 때, 상기 측정유닛(52)을 상승시킬 수 있다. 상기 테스트위치(T)에 테스트될 엘이디 칩이 위치되면, 상기 승하강유닛(56)은 상기 측정유닛(52)을 하강시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 전달부재(53)가 상기 측정유닛(52)에 설치되는 경우, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 상기 회전부재(3)가 회전될 때 상기 안착부재(2) 또는 엘이디 칩이 상기 전달부재(53)와 충돌될 가능성을 줄이면서도, 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩이 상기 전달부재(53)에 가깝게 위치된 상태에서 엘이디 칩이 테스트되도록 할 수 있다. 엘이디 칩은 상기 전달부재(53) 내측에 위치된 상태에서 테스트될 수도 있다.
따라서, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 엘이디 칩이 발하는 더 많은 양의 광이 상기 전달부재(53)를 통해 상기 측정유닛(52)으로 입사되도록 할 수 있으므로, 엘이디 칩이 가지는 성능을 더 정확하게 측정할 수 있다.
또한, 상기 전달부재(53)가 상기 안착부재(2)에 설치되는 경우, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 상기 회전부재(3)가 회전될 때 상기 전달부재(53)가 상기 측정유닛(52)과 충돌될 가능성을 줄이면서도, 상기 측정유닛(52)이 상기 전달부재(53)에 가깝게 위치된 상태에서 엘이디 칩이 테스트되도록 할 수 있다. 상기 전달부재(53)가 상기 측정유닛(52) 내부에 삽입된 상태 또는 상기 전달부재(53)가 상기 측정유닛(52)에 접촉된 상태에서 엘이디 칩이 테스트되도록 하는 것 또한 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 엘이디 칩이 발하는 더 많은 양의 광이 상기 전달부재(53)를 통해 상기 측정유닛(52)으로 입사되도록 할 수 있으므로, 엘이디 칩이 가지는 성능을 더 정확하게 측정할 수 있다.
상기 승하강유닛(56)은 유압실린더 또는 공압실린더를 이용하여 상기 측정유닛(52)을 승하강시킬 수 있다. 상기 승하강유닛(56)은 모터 및 상기 모터와 상기 측정유닛(52)에 각각 결합되는 연결기구를 이용하여 상기 측정유닛(52)을 승하강시킬 수도 있다. 상기 연결기구는 풀리 및 벨트, 볼스크류, 캠부재 등일 수 있다.
여기서, 엘이디 칩은 전원을 공급받기 위한 패드(미도시)를 포함하는데, 종류에 따라 제1패드 및 제2패드를 포함할 수 있고, 제1패드만을 포함할 수 있다.
제1패드 및 제2패드를 포함하는 엘이디 칩의 경우, 상기 테스트유닛(5)은 제1패드 및 제2패드에 각각 접촉되는 2개의 접촉유닛(51)을 포함할 수 있다. 상기 접촉유닛(51)들은 제1패드 및 제2패드에 각각 접촉된 상태에서, 테스터(미도시)와 연계하여 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩을 발광시킬 수 있다. 상기 접촉유닛(51)들은 제1패드 및 제2패드에 각각 접촉된 상태에서, 테스터(미도시)와 연계하여 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩의 전기적 특성을 테스트할 수 있다. 상기 제1패드 및 제2패드는 엘이디 칩의 상면에 형성될 수 있다.
도 11 및 도 12를 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 테스트유닛(5)은 접촉기구(57)를 더 포함할 수 있다.
상기 접촉기구(57)는 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에 접촉되는 접촉구(571)를 포함한다. 상기 접촉기구(57)는 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에 접촉될 수 있도록, 상기 회전부재(3) 옆에 설치될 수 있다.
상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩은, 제1패드에 상기 접촉유닛(51)이 접촉되고 상기 안착부재(2)에 상기 접촉구(571)가 접촉된 상태에서, 상기 접촉유닛(51) 및 상기 접촉구(571)를 통해 인가되는 전원에 의해 발광될 수 있다. 상기 접촉유닛(51) 및 상기 접촉기구(57)는 테스터(미도시)와 연계하여 엘이디 칩을 발광시킬 수 있다. 상기 접촉유닛(51) 및 상기 접촉기구(57)는 테스터(미도시)와 연계하여 엘이디 칩의 전기적 특성을 테스트할 수 있다. 제1패드는 엘이디 칩의 상면에 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 제1패드만 을 포함하는 엘이디 칩도 테스트할 수 있다.
상기 접촉구(571)는 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 접촉구(571)는 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)를 향하는 방향으로 길게 형성될 수 있다.
상기 접촉기구(57)는 상기 접촉구(571)가 상기 안착부재(2)에 가까워지거나 멀어지게 상기 접촉구(571)를 이동시키는 이동수단(572)을 더 포함할 수 있다.
상기 이동수단(572)은, 상기 테스트위치(T)에 테스트될 엘이디 칩이 위치되면, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 안착부재(2)에 가까워지게 상기 접촉구(571)를 이동시킨다. 상기 접촉구(571)는 상기 이동수단(572)에 의해 이동되어서, 상기 테스트위치(T)에 위치된 안착부재(2)에 접촉될 수 있다.
상기 이동수단(572)은, 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩의 테스트가 완료되면, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 안착부재(2)에서 멀어지게 상기 접촉구(571)를 이동시킨다. 상기 접촉구(571)는 상기 이동수단(572)에 의해 이동되어서, 상기 테스트위치(T)에 위치된 안착부재(2)로부터 이격될 수 있다.
이에 따라, 상기 테스트위치(T)에 새로운 테스트될 엘이디 칩을 위치시키기 위해 상기 회전부재(3)가 회전될 때, 상기 안착부재(2) 및 상기 접촉구(571)가 접촉 또는 충돌하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 상기 안착부재(2) 및 상기 접촉구(571)가 마찰에 의해 마모되거나, 충돌에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 이동수단(572)은 유압실린더 또는 공압실린더를 이용하여 상기 접촉 구(571)를 이동시킬 수 있다. 상기 이동수단(572)은 모터 및 모터의 회전운동을 직선운동으로 변환하는 변환기구를 이용하여 상기 접촉구(571)를 이동시킬 수도 있다. 상기 변환기구는 풀리 및 벨트, 랙·피니언기어, 볼스크류, 캠부재 등일 수 있다. 상기 접촉구(571)는 상기 이동수단(572)에 결합된다.
상기 이동수단(572)은, 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩이 제1패드 및 제2패드를 포함하는 엘이디 칩인 경우, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에서 멀어지게 상기 접촉구(571)를 이동시킬 수 있다.
상기 이동수단(572)은, 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩이 제1패드만을 포함하는 엘이디 칩인 경우, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에 가까워지게 상기 접촉구(571)를 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 제1패드만을 포함하는 엘이디 칩인 경우에는, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에 접촉되도록 한다.
여기서, 상기 안착부재(2)가 전체적으로 원통형태로 형성되는 경우, 상기 접촉구(571)는 상기 안착부재(2)에 접촉되는 과정에서 미끄러짐 등에 의해 상기 안착부재(2)에 정확하게 접촉하지 못할 수 있다. 이를 방지할 수 있도록, 상기 안착부재(2)는 상기 접촉구(571)가 접촉되는 접촉면(26)을 더 포함할 수 있다.
상기 접촉면(26)은, 상기 안착부재(2)가 상기 테스트위치(T)에 위치될 때, 상기 안착부재(2)에서 상기 접촉구(571)를 향하는 측면에 형성될 수 있다. 상기 접촉면(26)으로 인해, 상기 안착부재(2)는 상기 접촉구(571)를 향하는 측면이 평면을 이룰 수 있다. 이에 따라, 상기 접촉구(571)가 상기 안착부재(2)에 접촉되는 과정 에서 미끄러짐 등이 발생하는 것을 최소화할 수 있으므로, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치(1)는 상기 접촉구(571)가 상기 안착부재(2)에 정확하게 접촉된 상태에서 엘이디 칩을 테스트할 수 있다.
상기 안착부재(2)는, 상기 접촉구(571)가 상기 접촉면(26)에 접촉될 때, 상기 접촉구(571) 및 상기 접촉면(26)이 서로 수직을 이룰 수 있는 접촉면(26)을 포함할 수 있다. 상기 안착부재(2)는 상기 접촉면(26)이 형성되는 측면에서 일정 깊이 함몰되어 형성되는 접촉홈(2b)을 포함할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 13은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법의 순서도이고, 도 14는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트방법의 순서도이다.
도 2 내지 도 13을 참고하면, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법은 다음과 같은 구성을 포함한다.
우선, 엘이디 칩이 안착되는 안착부재(2)가 복수개 설치되는 회전부재(3)를 회전시킨다(S1). 이러한 공정(S1)은 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 회전축(3b)을 중심으로 회전시킴으로써 이루어질 수 있다.
다음, 측정유닛(52)에서 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛(52)에 설치되는 전달부재(53)의 아래인 테스트위치(T)에 테스트될 엘이디 칩이 위치되면, 상기 회전부재(3)를 정지시킨다(S2). 이러한 공정(S2)은 상기 로딩위치(LP)를 거쳐 테스트될 엘이디 칩이 안착되어 있는 안착부재(2)가 상기 테스트위 치(T)에 위치되면, 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 정지시킴으로써 이루어질 수 있다.
다음, 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)을 통과한 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 접촉유닛(51)을 이동시킨다(S3). 이러한 공정(S3)은 상기 제1이동유닛(54)이 상기 접촉유닛(51)을 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 상기 승하강기구(541)에 의해 하강될 수 있고, 이에 따라 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩에 접촉될 수 있다. 상기 테스트유닛(5)은 2개의 접촉유닛(51)을 포함할 수 있고, 상기 접촉유닛(51)들 각각이 엘이디 칩의 제1패드 및 제2패드에 접촉될 수 있다.
다음, 상기 접촉부재(511)에 접촉된 엘이디 칩을 테스트한다(S4). 이러한 공정(S4)은 상기 접촉유닛(51)이 엘이디 칩에 대한 전기적 특성을 테스트하고, 상기 접촉유닛(51)이 엘이디 칩을 발광시킴에 따라 상기 측정유닛(52)이 엘이디 칩의 광 특성을 측정함으로써 이루어질 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 테스터(미도시)와 연계하여 엘이디 칩에 대한 전기적 특성을 테스트할 수 있다. 상기 테스트유닛(5)은 2개의 접촉유닛(51)을 포함할 수 있고, 상기 접촉유닛(51)들은 각각 엘이디 칩의 제1패드 및 제2패드에 접촉된 상태에서 테스터(미도시)와 연계하여 엘이디 칩을 발광시킬 수 있고, 엘이디 칩에 대한 전기적 특성을 테스트할 수 있다.
다음, 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩으로부터 멀어지게 상기 접촉유닛(51)을 이동시킨다(S5). 이러한 공정(S5)은 상기 제1이동유닛(54)이 상기 접촉유닛(51)을 엘이디 칩으로부터 멀어지게 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 접촉유 닛(51)은 상기 승하강기구(541)에 의해 상승될 수 있고, 이에 따라 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩으로부터 멀어지게 이동될 수 있다.
상술한 바와 같은 공정은 반복적으로 수행함으로써 엘이디 칩에 대한 테스트를 완료할 수 있다.
도 2 내지 도 14를 참고하면, 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)을 통과한 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 접촉유닛(51)을 이동시키는 공정(S3)은 다음과 같은 구성을 더 포함할 수 있다.
우선, 상기 전달부재(53)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩에 가까워지게 상기 측정유닛(52)을 하강시킨다(S31).
이러한 공정(S31)은 상기 승하강유닛(56)이 상기 측정유닛(52)을 하강시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 승하강유닛(56)은 엘이디 칩과 상기 전달부재(53)가 일정 거리 이격된 상태 또는 엘이디 칩이 상기 전달부재(53) 내측에 위치된 상태가 될 때까지 상기 측정유닛(52)을 하강시킬 수 있다. 상기 승하강유닛(56)이 상기 측정유닛(52)을 하강시킴에 따라, 상기 접촉부재(511)는 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)에 삽입될 수 있다.
다음, 상기 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛(51)을 이동시킨다(S32). 이러한 공정(S32)은 상기 제1이동유닛(54)이 상기 접촉유닛(51)을 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 접촉유닛(51)은 상기 승하강기구(541)에 의해 하강될 수 있고, 이에 따라 상기 접촉부재(511)가 엘이디 칩에 접촉될 수 있다.
도 2 내지 도 14를 참고하면, 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법은, 상기 측정유닛(52)을 테스트된 엘이디 칩으로부터 멀어지게 상승시키는 공정(S6)을 더 포함할 수 있다. 이러한 공정(S6)은 상기 승하강유닛(56)이 상기 측정유닛(52)을 상승시킴으로써 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 회전유닛(4)이 상기 회전부재(3)를 회전시킬 때, 엘이디 칩 또는 안착부재(2)가 상기 전달부재(53)와 충돌될 가능성을 줄일 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 전달부재(53)에 형성되어 있는 홈(531)을 통과한 접촉부재(511)가 상기 테스트위치(T)에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 접촉유닛(51)을 이동시키는 공정(S3)은 다음과 같은 구성을 더 포함할 수 있다.
상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에 접촉구(571)가 접촉되도록 상기 접촉구(571)를 상기 이동시킨다. 이러한 공정은, 상기 이동수단(572)이 상기 접촉구(571)가 상기 안착부재(2)에 가까워지게 상기 접촉구(571)를 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 테스트위치(T)에 위치되는 엘이디 칩은, 제1패드에 상기 접촉유닛(51)이 접촉되고 상기 안착부재(2)에 상기 접촉구(571)가 접촉된 상태에서 테스트될 수 있다. 상기 접촉구(571)는 상기 안착부재(2)에 형성되어 있는 접촉면(26)에 접촉될 수 있다.
본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법은, 상기 접촉구(571)가 상기 테스트위치(T)에 위치되는 안착부재(2)에서 멀어지게 상기 접촉구(571)를 이동시키는 공정을 더 포함할 수 있다. 이러한 공정은, 상기 이동수단(572)이 상기 접촉구(571)가 상기 안착부재(2)에서 멀어지게 상기 접촉구(571)를 이동시킴으로써 이루어질 수 있다. 이러한 공정에 의해, 상기 접촉구(571)는 상기 안착부재(2)에서 이격될 수 있다.
이에 따라, 상기 테스트위치(T)에 새로운 테스트될 엘이디 칩을 위치시키기 위해 상기 회전부재(3)가 회전될 때, 상기 안착부재(2) 및 상기 접촉구(571)가 접촉 또는 충돌하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 상기 안착부재(2) 및 상기 접촉구(571)가 마찰에 의해 마모되거나, 충돌에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 테스트장치에서 엘이디 칩이 테스트되는 상태를 개념적으로 나타낸 측단면도
도 2는 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치의 사시도
도 3은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 안착부재, 회전부재, 및 회전유닛을 나타낸 사시도
도 4는 도 3의 A-A 단면도
도 5는 도 3의 평면도
도 6은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉유닛을 나타낸 사시도
도 7은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉유닛이 탈부착되는 상태를 나타낸 사시도
도 8은 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트장치의 측면도
도 9는 도 8의 B부분을 확대하여 나타낸 확대도
도 10은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 측정유닛의 작동관계를 나타낸 개략적인 측면도
도 11 및 도 12는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트장치에서 접촉기구를 나타낸 개략적인 측면도
도 12는 본 발명에 따른 엘이디 칩 테스트방법의 순서도
도 13은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 엘이디 칩 테스트방법의 순서도

Claims (13)

  1. 엘이디 칩을 지지하는 지지부재를 포함하고, 엘이디 칩이 안착되는 안착부재;
    상기 안착부재가 복수개 설치되고, 엘이디 칩이 테스트되는 테스트위치에 상기 안착부재들이 순차적으로 위치되도록 회전되는 회전부재;
    상기 회전부재에 결합되어서 상기 안착부재들이 상기 테스트위치에 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재를 회전시키는 회전유닛;
    상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩에 접촉되는 접촉부재를 포함하고 상기 접촉부재에 접촉되는 엘이디 칩을 발광시키는 접촉유닛, 상기 접촉유닛이 결합되고 상기 접촉부재가 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛을 이동시키는 제1이동유닛, 및 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 측정유닛을 포함하고, 상기 회전부재 옆에 설치되는 테스트유닛; 및
    엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 상기 측정유닛에서 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛에 설치되고, 상기 접촉부재가 통과되는 홈이 형성되어 있는 전달부재를 포함하는 엘이디 칩 테스트장치.
  2. 엘이디 칩을 지지하는 지지부재를 포함하고, 엘이디 칩이 안착되는 안착부재;
    상기 안착부재가 복수개 설치되고, 엘이디 칩이 테스트되는 테스트위치에 상기 안착부재들이 순차적으로 위치되도록 회전되는 회전부재;
    상기 회전부재에 결합되어서 상기 안착부재들이 상기 테스트위치에 순차적으로 위치되도록 상기 회전부재를 회전시키는 회전유닛;
    상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩에 접촉되는 접촉부재를 포함하고 상기 접촉부재에 접촉되는 엘이디 칩을 발광시키는 접촉유닛, 상기 접촉유닛이 결합되고 상기 접촉부재가 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 접촉유닛을 이동시키는 제1이동유닛, 및 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 측정유닛을 포함하고, 상기 회전부재 옆에 설치되는 테스트유닛; 및
    엘이디 칩이 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 상기 안착부재에서 상기 측정유닛을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 안착부재에 설치되고, 상기 접촉부재가 통과되는 홈이 형성되어 있는 전달부재를 포함하는 엘이디 칩 테스트장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접촉부재는 상기 전달부재에 형성되어 있는 홈을 통과하여 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩에 접촉되는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접촉부재는 엘이디 칩에 접촉되는 접촉핀, 상기 접촉핀이 결합되는 연결부재, 및 상기 접촉핀과 상기 연결부재를 탈부착 가능하게 결합시키는 결합기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 접촉유닛은 상기 제1이동유닛에 결합되는 제1몸체, 상기 연결부재가 결합되고 상기 제1몸체에 결합되는 제2몸체, 및 상기 제1몸체와 상기 제2몸체를 탈부착 가능하게 결합시키는 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 테스트유닛은 상기 측정유닛이 승하강 가능하게 결합되는 본체, 및 상기 본체에 결합되고 상기 측정유닛을 승하강시키는 승하강유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 측정유닛은 엘이디 칩이 테스트될 때 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩의 위에 위치되고,
    상기 안착부재에는 엘이디 칩이 아래로 발하는 광이 상기 측정유닛으로 전달되도록 하는 경사면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 안착부재는 상기 회전부재에 결합되는 제1안착몸체, 상기 지지부재가 형성되고 상기 제1안착몸체의 상면에 결합되는 제2안착몸체, 및 상기 제2안착몸체에 결합되는 제3안착몸체를 포함하고;
    상기 제3안착몸체에는 그 상면에서 아래로 점차적으로 크기가 줄어들게 형성되는 경사홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 테스트유닛은 상기 회전부재 옆에 설치되는 접촉기구를 더 포함하고;
    상기 접촉기구는 상기 테스트위치에 위치되는 안착부재에 접촉되는 접촉구, 및 상기 접촉구가 상기 테스트위치에 위치되는 안착부재에 가까워지거나 멀어지게 상기 접촉구를 이동시키는 이동수단을 포함하며;
    상기 안착부재는 상기 접촉구가 접촉되는 접촉면을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  11. 측정유닛에서 엘이디 칩을 향하는 방향으로 돌출되게 상기 측정유닛에 설치되는 전달부재의 아래인 테스트위치에 엘이디 칩이 안착되는 안착부재가 위치되도록 회전유닛이 상기 안착부재가 복수개 설치되는 회전부재를 회전시키는 단계;
    상기 테스트위치에 테스트될 엘이디 칩이 안착되어 있는 안착부재가 위치되면, 상기 회전유닛이 상기 회전부재를 정지시키는 단계;
    상기 전달부재에 형성되어 있는 홈을 통과한 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 제1이동유닛이 접촉유닛을 이동시키는 단계;
    상기 접촉부재에 접촉된 엘이디 칩을 테스트하는 단계; 및
    상기 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩으로부터 멀어지게 상기 제1이동유닛이 상기 접촉유닛을 이동시키는 단계를 포함하고,
    상기 접촉부재에 접촉된 엘이디 칩을 테스트하는 단계는 상기 접촉유닛이 상기 접촉부재에 접촉된 엘이디 칩을 발광시키는 단계, 및 상기 측정유닛이 엘이디 칩의 광 특성을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전달부재에 형성되어 있는 홈을 통과한 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 제1이동유닛이 접촉유닛을 이동시키는 단계는, 상기 전달부재가 상기 테스트위치에 위치되는 엘이디 칩에 가까워지게 상기 측정유닛을 하강시키는 단계, 및 상기 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 상기 제1이동유닛이 상기 접촉유닛을 이동시키는 단계를 포함하고;
    상기 엘이디 칩 테스트방법은 상기 측정유닛을 테스트된 엘이디 칩으로부터 멀어지게 상승시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 전달부재에 형성되어 있는 홈을 통과한 접촉부재가 상기 테스트위치에 위치된 엘이디 칩에 접촉되도록 제1이동유닛이 접촉유닛을 이동시키는 단계는, 상기 테스트위치에 위치되는 안착부재에 접촉구가 접촉되도록 상기 접촉구를 이동시키는 단계를 더 포함하고;
    상기 엘이디 칩 테스트방법은 상기 접촉구가 상기 테스트위치에 위치되는 안착부재에서 멀어지게 상기 접촉구를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트방법.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020489B1 (ko) 2010-03-22 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치 및 검사방법
KR101039652B1 (ko) 2010-03-22 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치의 동작방법
KR101063242B1 (ko) * 2010-03-22 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치
KR101105654B1 (ko) 2010-08-17 2012-01-18 (주)마이크로컨텍솔루션 엘이디 시험 소켓
KR101201487B1 (ko) 2011-02-16 2012-11-14 광전자정밀주식회사 엘이디 검사장치
KR101258570B1 (ko) * 2010-12-07 2013-05-02 (주)제이콥스 엘이디 소자 테스트 시스템
KR101263168B1 (ko) * 2012-01-02 2013-05-10 주식회사 로보스타 칩 검사장치
KR101308984B1 (ko) * 2012-01-02 2013-09-16 주식회사 로보스타 칩 검사장비의 빛 누출방지장치
US8705023B2 (en) 2010-03-22 2014-04-22 Lg Innotek Co., Ltd. Testing apparatus and method for testing light emitting diode lamp
CN105665504A (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司 一种Lamp LED智能泛用自动冲检测装置
KR101754396B1 (ko) * 2016-08-03 2017-07-06 (주)큐엠씨 광소자 테스트 장치 및 광소자 테스트 방법
CN111243976A (zh) * 2020-03-17 2020-06-05 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种检测修补设备和方法
KR20220052209A (ko) * 2020-10-20 2022-04-27 한밭대학교 산학협력단 유연 전자소자용 복합 외력 수명 측정기

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050084376A (ko) * 2002-12-20 2005-08-26 가부시키가이샤 어드밴티스트 반도체 시험 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050084376A (ko) * 2002-12-20 2005-08-26 가부시키가이샤 어드밴티스트 반도체 시험 장치

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8670112B2 (en) 2010-03-22 2014-03-11 Lg Innotek Co., Ltd. Testing apparatus for testing light emitting diode lamp and method for operating the same
KR101039652B1 (ko) 2010-03-22 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치의 동작방법
KR101063242B1 (ko) * 2010-03-22 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치
KR101020489B1 (ko) 2010-03-22 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 엘이디 램프 검사장치 및 검사방법
US8705023B2 (en) 2010-03-22 2014-04-22 Lg Innotek Co., Ltd. Testing apparatus and method for testing light emitting diode lamp
KR101105654B1 (ko) 2010-08-17 2012-01-18 (주)마이크로컨텍솔루션 엘이디 시험 소켓
KR101258570B1 (ko) * 2010-12-07 2013-05-02 (주)제이콥스 엘이디 소자 테스트 시스템
KR101201487B1 (ko) 2011-02-16 2012-11-14 광전자정밀주식회사 엘이디 검사장치
KR101263168B1 (ko) * 2012-01-02 2013-05-10 주식회사 로보스타 칩 검사장치
KR101308984B1 (ko) * 2012-01-02 2013-09-16 주식회사 로보스타 칩 검사장비의 빛 누출방지장치
CN105665504A (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 江门市江海区凯辉光电器材厂有限公司 一种Lamp LED智能泛用自动冲检测装置
KR101754396B1 (ko) * 2016-08-03 2017-07-06 (주)큐엠씨 광소자 테스트 장치 및 광소자 테스트 방법
CN111243976A (zh) * 2020-03-17 2020-06-05 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种检测修补设备和方法
KR20220052209A (ko) * 2020-10-20 2022-04-27 한밭대학교 산학협력단 유연 전자소자용 복합 외력 수명 측정기
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