KR20210072820A - 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents

검사 장치 및 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210072820A
KR20210072820A KR1020217014859A KR20217014859A KR20210072820A KR 20210072820 A KR20210072820 A KR 20210072820A KR 1020217014859 A KR1020217014859 A KR 1020217014859A KR 20217014859 A KR20217014859 A KR 20217014859A KR 20210072820 A KR20210072820 A KR 20210072820A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
inspected
guide plate
light guide
inspection
Prior art date
Application number
KR1020217014859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102559306B1 (ko
Inventor
나오키 아키야마
스스무 사이토
히로유키 나카야마
시게루 가사이
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210072820A publication Critical patent/KR20210072820A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102559306B1 publication Critical patent/KR102559306B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • G01R31/287—Procedures; Software aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G01R1/0675—Needle-like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2825—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere in household appliances or professional audio/video equipment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2829—Testing of circuits in sensor or actuator systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 장치이며, 검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며, 당해 검사 장치는, 상기 촬상 디바이스의 이면과 대향하는 형태로 상기 검사 대상체가 적재되는 적재대를 갖고, 상기 적재대는, 광투과 재료로 이루어지고, 상기 검사 대상체가 적재되는 투과부와, 상기 투과부보다 하측의 영역에 배치된 광조사부를 갖고, 상기 광조사부는, 상기 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하는 대향면을 갖는 평판형의 도광판과, 상기 도광판의 측방 외측의 영역에 마련된 광원부를 갖고, 상기 도광판은, 상기 광원부로부터 출사되어 당해 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 상기 검사 대상체와 대향하는 상기 대향면으로부터 면 형상의 광으로 출사한다.

Description

검사 장치 및 검사 방법
본 개시는, 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1의 검사 장치는, 검사 대상의 고체 촬상 소자의 상방에 마련되어 당해 고체 촬상 소자에 접속 가능한 프로브 바늘이 형성된 프로브 카드와, 상기 고체 촬상 소자에의 전원이나 각종 신호를 공급하는 테스트 헤드와, 검사 대상에 광을 조사하는 광원부를 갖는다. 이 검사 장치에서는, 고체 촬상 소자의 상방에 위치하는 프로브 카드가 테스트 헤드의 하방에 위치하고, 광원부가 테스트 헤드의 상방에 위치한다. 바꿔 말하면, 프로브 카드의 하방에 고체 촬상 소자가 위치하고, 프로브 카드의 상방에 광원부가 위치한다. 또한, 이 검사 장치에서는, 프로브 카드의 상방에 위치하는 광원부로부터의 광이, 프로브 카드의 하방에 위치하는 고체 촬상 소자에 조사되도록, 프로브 카드에는 개구부가 형성되어 있다.
일본 특허 공개 제2005-44853호 공보
본 개시에 관한 기술은, 이면 조사형 촬상 디바이스의 검사에 있어서, 촬상 디바이스가 형성된 검사 대상체가 적재되는 적재대의 강도를 손상시키지 않고, 단시간에 검사를 행할 수 있도록 한다.
본 개시의 일 양태는, 검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 장치이며, 검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며, 당해 검사 장치는, 상기 촬상 디바이스의 이면과 대향하는 형태로 상기 검사 대상체가 적재되는 적재대를 갖고, 상기 적재대는, 광투과 재료로 이루어지고, 상기 검사 대상체가 적재되는 투과부와, 상기 투과부보다 하측의 영역에 배치된 광조사부를 갖고, 상기 광조사부는, 상기 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하는 대향면을 갖는 평판형의 도광판과, 상기 도광판의 측방 외측의 영역에 마련된 광원부를 갖고, 상기 도광판은, 상기 광원부로부터 출사되어 당해 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 상기 검사 대상체와 대향하는 상기 대향면으로부터 면 형상의 광으로 출사한다.
본 개시에 의하면, 이면 조사형 촬상 디바이스의 검사에 있어서, 촬상 디바이스가 형성된 검사 대상체가 적재되는 적재대의 강도를 손상시키지 않고, 단시간에 검사를 행할 수 있다.
도 1은 이면 조사형 촬상 디바이스가 형성된 웨이퍼의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 이면 조사형 촬상 디바이스의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 검사 장치로서의 프로버의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 검사 장치로서의 프로버의 구성의 개략을 도시하는 정면도이다.
도 5는 스테이지의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 검사 장치로서의 프로버가 갖는 스테이지의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
반도체 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 회로 패턴을 갖는 다수의 반도체 디바이스가 형성된다. 형성된 반도체 디바이스는, 전기적 특성 등의 검사가 행하여져, 양품과 불량품으로 선별된다. 반도체 디바이스의 검사는, 예를 들어 각 반도체 디바이스가 분할되기 전의 웨이퍼의 상태에서, 프로버 등으로 칭해지는 검사 장치를 사용해서 행하여진다. 검사 장치는, 다수의 프로브 바늘을 갖는 프로브 카드가 웨이퍼의 상방, 즉 반도체 디바이스의 상방에 마련되어 있어, 검사 시에는, 프로브 카드와 반도체 디바이스가 가까워진다. 이어서, 반도체 디바이스의 각 전극에 프로브 바늘이 접촉한 상태에서, 프로브 카드의 상부에 마련된 테스트 헤드로부터 각 프로브 바늘을 통해서 당해 반도체 디바이스에 전기 신호가 공급된다. 그리고, 각 프로브 바늘을 통해서 반도체 디바이스로부터 테스트 헤드가 수신한 전기 신호에 기초하여, 당해 반도체 디바이스가 불량품인지 여부가 선별된다.
반도체 디바이스가 CMOS 센서 등의 촬상 디바이스일 경우에는, 다른 일반적인 반도체 디바이스와는 달리, 촬상 디바이스에 광을 조사하면서 검사가 행하여진다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1의 검사 장치는, 상술한 바와 같이, 프로브 카드의 하방에 고체 촬상 소자가 위치하고, 프로브 카드의 상방에 광원부가 위치한다. 또한, 이 검사 장치에서는, 프로브 카드의 상방에 위치하는 광원부로부터의 광이, 프로브 카드의 하방에 위치하는 고체 촬상 소자에 조사되도록, 프로브 카드에는 개구부가 형성되어 있다.
특허문헌 1과 같이 광원부가 프로브 카드의 상방에 위치하는 경우, 프로브 카드에 개구부를 형성할 필요가 있어, 개구부를 형성하지 않는 경우에 비하여, 프로브 카드에 형성할 수 있는 프로브 바늘의 수가 제한되어버리고, 그 결과, 검사 시간이 장기화해버린다. 특히, 촬상 디바이스에 메모리가 탑재되거나 하여 프로브 바늘을 접촉시켜야 할 전극의 수가 증가했을 경우에는, 더욱 검사 시간이 장기화된다
또한, 근년, 촬상 디바이스로서, 배선층이 형성된 표면측과는 반대측의 이면측으로부터 입사된 광을 수광하는 이면 조사형의 것이 개발되어 있다. 그러나, 프로브 바늘이 촬상 디바이스의 상방에 위치하는 검사 장치에서는, 특허문헌 1과 같이, 광원부가 프로브 카드의 상방에 위치하는 경우, 즉, 검사 시에 촬상 디바이스의 상방으로부터 광이 조사되는 경우, 이면 조사형 촬상 디바이스를 검사할 수 없다.
또한, 이면 조사형 촬상 디바이스의 검사 장치로서는, 촬상 디바이스가 형성된 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대의 내부에 공동을 형성하고, 당해 공동 내에 LED 등의 광원을 마련하여, 대향하는 촬상 디바이스의 이면을 향해서 광을 조사하는 형태를 생각할 수 있다. 그러나, 이 형태에서는, 적재대에 공동을 형성하는 결과, 적재대의 강도가 부족할 것으로 생각된다.
그래서, 본 개시에 관한 기술은, 이면 조사형 촬상 디바이스의 검사에 있어서, 적재대의 강도를 손상시키지 않고, 단시간에 검사를 행할 수 있도록 한다.
이하, 본 실시 형태에 따른 검사 장치 및 검사 방법을, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따른 기술은, 이면 조사형 촬상 디바이스의 검사에 관한 것이기 때문에, 먼저, 이면 조사형 촬상 디바이스에 대해서 설명한다.
도 1은, 이면 조사형 촬상 디바이스가 형성된 검사 대상체로서의 웨이퍼의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이며, 도 2는, 이면 조사형 촬상 디바이스의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)는, 대략 원판형의 웨이퍼(W)에 복수 형성되어 있다.
이면 조사형 촬상 디바이스(D)는, 고체 촬상 소자이며, 도 2에 도시한 바와 같이, 포토다이오드인 광전 변환부(PD)와, 복수의 배선(PLa)을 포함하는 배선층(PL)을 갖는다. 또한, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)는, 배선층(PL)측을 웨이퍼(W)의 표면측이라 했을 때, 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 입사된 광을 온 칩 렌즈(L) 및 컬러 필터(F)를 통해서 광전 변환부(PD)에서 수광한다. 컬러 필터(F)는, 적색 컬러 필터(FR), 청색 컬러 필터(FB) 및 녹색 컬러 필터(FG)로 이루어진다.
또한, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)의 표면(Da) 즉 웨이퍼(W)의 표면에는, 전극(E)이 형성되어 있고, 해당 전극(E)은, 배선층(PL)의 배선(PLa)에 전기적으로 접속되어 있다. 배선(PLa)은, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)의 내부의 회로 소자에 전기 신호를 입력하거나, 동 회로 소자로부터의 전기 신호를 이면 조사형 촬상 디바이스(D)의 외부에 출력하거나 하기 위한 것이다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주 부분에는, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)가 형성되어 있지 않은 비디바이스 형성 영역(R)이 존재한다.
(제1 실시 형태)
계속해서, 제1 실시 형태에 따른 검사 장치에 대해서 설명한다.
도 3 및 도 4는 각각, 제1 실시 형태에 따른 검사 장치로서의 프로버(1)의 구성의 개략을 도시하는 사시도 및 정면도이다. 도 4에서는, 도 3의 프로버(1)의 후술하는 수용실과 로더가 내장하는 구성 요소를 나타내기 위해서, 그 일부를 단면으로 나타내고 있다.
프로버(1)는, 웨이퍼(W)에 형성된 복수의 이면 조사형 촬상 디바이스(D)(이하, 촬상 디바이스(D)라고 축약하는 경우가 있음) 각각의 전기적 특성의 검사를 행하는 것이다. 프로버(1)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 수용실(2)과, 수용실(2)에 인접해서 배치되는 로더(3)와, 수용실을 덮도록 배치되는 테스터(4)를 구비한다.
수용실(2)은, 내부가 공동의 하우징이며, 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대로서의 스테이지(10)를 갖는다. 스테이지(10)는, 해당 스테이지(10)에 대한 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나지 않도록, 웨이퍼(W)의 외주 부분의 비디바이스 형성 영역(R)(도 1 참조)을 끼움 지지함으로써, 당해 웨이퍼(W)를 보유 지지한다. 또한, 스테이지(10)는, 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어, 후술하는 프로브 카드(11)와 웨이퍼(W)의 상대 위치를 조정해서 웨이퍼(W)의 표면의 전극(E)을 프로브 카드(11)의 프로브(11a)와 접촉시킬 수 있다.
또한, 수용실(2)에서의 해당 스테이지(10)의 상방에는, 해당 스테이지(10)에 대향하도록 프로브 카드(11)가 배치된다. 프로브 카드(11)는, 웨이퍼(W)의 표면의 전극(E)에 대응하도록 형성된 다수의 바늘형의 프로브(11a)를 갖는다.
프로브 카드(11)는, 인터페이스(12)를 통해서 테스터(4)에 접속되어 있다. 각 프로브(11a)가 웨이퍼(W)의 각 촬상 디바이스(D)의 전극(E)에 접촉할 때, 각 프로브(11a)는, 테스터(4)로부터 인터페이스(12)를 통해서 촬상 디바이스(D)에 전력을 공급하거나, 또는, 촬상 디바이스(D)로부터의 신호를 인터페이스(12)를 통해서 테스터(4)에 전달한다.
로더(3)는, 반송 용기인 FOUP(도시하지 않음)에 수용되어 있는 웨이퍼(W)를 취출해서 수용실(2)의 스테이지(10)에 반송한다. 또한, 로더(3)는, 촬상 디바이스(D)의 전기적 특성의 검사가 종료된 웨이퍼(W)를 스테이지(10)로부터 수취하여, FOUP에 수용시킨다.
로더(3)는, 전원 등을 제어하는 컨트롤러로서의 베이스 유닛(13)을 갖는다. 베이스 유닛(13)은, 배선(14)을 통해서 스테이지(10)에 접속되고, 배선(15)을 통해서 테스터 컴퓨터(16)에 접속되어 있다. 베이스 유닛(13)은, 테스터 컴퓨터(16)로부터의 입력 신호에 기초하여, 스테이지(10)의 후술하는 광조사부(40)에 의한 조사 동작을 제어한다. 또한, 베이스 유닛(13)은, 스테이지(10)의 도시하지 않은 온도 측정 기구에 기초하여, 스테이지(10)의 후술하는 온도 조정 기구(50)를 제어한다. 또한, 베이스 유닛(13)은, 수용실(2)에 마련되어도 된다.
테스터(4)는, 촬상 디바이스(D)가 탑재되는 마더보드의 회로 구성의 일부를 재현하는 테스트 보드(도시하지 않음)를 갖는다. 테스트 보드는, 테스터 컴퓨터(16)에 접속된다. 테스터 컴퓨터(16)는, 촬상 디바이스(D)로부터의 신호에 기초하여 해당 촬상 디바이스(D)의 양부를 판단한다. 테스터(4)에서는, 상기 테스트 보드를 바꿈으로써, 복수종의 마더보드의 회로 구성을 재현할 수 있다.
또한, 프로버(1)는, 유저 인터페이스부(17)를 구비한다. 유저 인터페이스부(17)는, 유저용 정보를 표시하거나 유저가 지시를 입력하거나 하기 위한 것으로, 예를 들어 터치 패널이나 키보드 등을 갖는 표시 패널로 이루어진다.
상술한 각 부를 갖는 프로버(1)에서는, 촬상 디바이스(D)의 전기적 특성의 검사 시, 테스터 컴퓨터(16)가, 촬상 디바이스(D)와 각 프로브(11a)를 통해서 접속된 테스트 보드에 데이터를 송신한다. 그리고, 테스터 컴퓨터(16)가, 송신된 데이터가 당해 테스트 보드에 의해 정확하게 처리되었는지 여부를 당해 테스트 보드로부터의 전기 신호에 기초하여 판정한다.
이어서, 스테이지(10)의 구성에 대해서 설명한다. 도 5는 스테이지(10)의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
스테이지(10)는, 촬상 디바이스(D)의 이면과 당해 스테이지(10)가 대향하는 형태로 웨이퍼(W)가 적재되는 것이며, 도 5에 도시한 바와 같이, 투과부(30)와, 광조사부(40)를 갖는다.
투과부(30)는, 광투과 재료로 이루어지고, 웨이퍼(W)의 이면이 맞닿는 형태로 당해 웨이퍼(W)가 적재되는 것으로, 평판형의 평판 부재(31)를 갖는다. 또한, 「광투과 재료」란, 검사 범위의 파장의 광을 투과시키는 재료이다. 투과부(30)에는, 적재된 웨이퍼(W)를 보유 지지하기 위해서, 당해 웨이퍼(W)의 외주 부분의 비디바이스 형성 영역(R)을 끼움 지지하는 끼움 지지 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
광조사부(40)는, 웨이퍼(W)를 향해서 광을 조사하는 것이며, 투과부(30)보다 연직 방향 하측의 영역(S1)에 배치되어 있다.
광조사부(40)는 도광판(41)과 광원부(42)를 갖는다.
도광판(41)은, 투과부(30)를 사이에 두고 웨이퍼(W)와 대향하는 대향면(41a)을 갖는 평판형의 부재이다. 도광판(41)은, 예를 들어 평면으로 보아, 웨이퍼(W)의 직경보다 1변의 길이가 큰 정사각 형상으로 형성된다. 본 실시 형태에서는, 도광판(41)의 강도를 보충하기 위해서, 당해 도광판(41)의 하면에 대하여 서포트 부재(43)가 마련되어 있다. 이 도광판(41)은, 후술하는 바와 같이 면 형상의 광을 웨이퍼(W)를 향해서 출사하는 것인 바, 평면으로 보아, 면 형상의 광을 출사하는 영역 내에, 웨이퍼(W)의 촬상 디바이스 형성 영역이 포함되도록 배치된다.
광원부(42)는, 도광판(41)의 측방 외측의 영역(S2)에 마련되어 있고, 도광판(41)의 일측 단부면을 향해서 선형의 광을 출사한다. 광원부(42)는, 선형의 광을 출사하기 위해서, 예를 들어 도광판(41)의 측단부면을 따라 마련된 복수의 LED(Light Emitting Diode)로 구성된다. LED는, 예를 들어 도광판(41) 내에서 확산되어 투과부(30)를 투과한 광이 검사 범위의 파장의 광을 포함하는 광을 출사한다. 검사 범위의 파장의 광이란, 예를 들어 가시광 영역의 파장의 광이며, 촬상 디바이스(D)의 종류에 따라서는, 적외선 등의 가시광 영역 외의 광을 포함하는 경우도 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 광원부(42)의 LED의 열을 스테이지(10)의 외부로 방출하기 위해서, LED를 지지하는 기판(도시하지 않음)의 배면에는 방열판(44)이 마련되어 있다. 방열판(44)은, 예를 들어 금속 재료로 형성된다. 방열판(44)에는, 광원부(42)의 LED를 냉각하기 위한 물 등의 냉매가 통류하는 경로가 형성되어 있어도 된다.
프로버(1)에서는, 도광판(41)이, 광원부(42)로부터 출사되어 당해 도광판(41)의 측단부면으로부터 입사된 선형의 광을, 당해 도광판(41)의 내부에서 확산시켜, 웨이퍼(W)와 대향하는 대향면(41a)으로부터 면 형상의 광으로 출사된다.
여기서, 투과부(30)에 대해서 더 설명한다.
프로버(1)에 있어서 검사 시에 웨이퍼(W)가 적재되는 면에는 높은 평탄성이 사용된다. 그러나, 이미 제조된 도광판(41)의 상면은 평탄도가 높지 않다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 광조사부(40)의 도광판(41)의 상부에, 도광판(41)과는 별도로 제작되어 높은 평탄성을 갖는 상면을 구비하는 투과부(30)가 마련되어 있다.
투과부(30)는, 도광판(41)으로부터 웨이퍼(W)의 방향을 향해서 출사된 면 형상의 광을, 단순하게 투과시키는 것이어도 되고, 확산시키면서 투과시키는 것이어도 된다. 확산시키면서 투과시킴으로써, 투과부(30)로부터 웨이퍼(W)에 대하여, 광 강도 분포가 더욱 면 내에서 균일한 광을 조사할 수 있다.
투과부(30)는, 광을 확산시키면서 투과시키기 위해서는, 예를 들어 평판 부재(31)가 투명 유리로 이루어지고, 그 웨이퍼(W)측의 면이 샌딩면으로 된다. 이에 의해, 투과부(30)에 입사된 도광판(41)으로부터의 광은, 상기 샌딩면에서 확산된 상태에서 투과부(30)로부터 출사된다.
또한, 투과부(30)는, 광을 확산시키면서 투과시키기 위해서, 평판 부재(31)를 내부에 기포를 포함하는 기포 석영으로 형성해도 된다. 이 투과부(30)를 사용하는 경우, 당해 투과부(30)에 입사된 도광판(41)으로부터의 광은, 당해 투과부(30) 내의 기포에서 확산되면서 당해 투과부(30)를 통과해서 출사된다.
또한, 투과부(30)는, 광을 확산시키면서 투과시키기 위해서, 평판 부재(31)를 소결 알루미나 등의 투명 세라믹으로 형성해도 된다. 투명 세라믹은, 그 내부에 입계나 결함을 갖는다. 그 때문에, 본 예의 투과부(30)를 사용하는 경우, 당해 투과부(30)에 입사된 도광판(41)으로부터의 광은, 당해 투과부(30) 내의 상술한 입계나 결함에서 확산되면서 당해 투과부(30)를 통과해서 출사된다.
또한, 투과부(30)는, 광을 확산시키면서 투과시키기 위해서, 평판 부재(31)를 홀로그래픽 디퓨저에 의해 구성해도 된다. 홀로그래픽 디퓨저는, 석영 유리 기판 등의 유리 기판 상에 홀로그램 패턴(약 5㎛의 비주기의 요철 패턴의 집합)이 형성된 것이다. 이 투과부(30)를 사용하는 경우, 당해 투과부(30)에 입사된 도광판(41)으로부터의 광은, 평판 부재(31)의 홀로그램 패턴에서 확산되면서 당해 투과부(30)를 통과해서 출사된다.
상술한 투과부(30)와 광조사부(40)를 갖는 스테이지(10)는, 광조사부(40)보다 하측의 영역(S3)에, 구체적으로는, 도광판(41)에 대한 서포트 부재(43)보다 하측의 영역(S3)에, 웨이퍼(W)의 온도 조정 기구(50)를 갖는다. 온도 조정 기구로서는, 기존의, 온도 조정 기능을 갖는 웨이퍼(W)의 적재대(이하, 「온도 조절 스테이지」라고 함)를 사용할 수 있다. 기존의 온도 조절 스테이지는, 웨이퍼(W)의 흡착 기구를 갖기 때문에, 이 흡착 기구에 의해, 광조사부(40)가 온도 조정 기구(50)에 흡착 보유 지지된다. 또한, 투과부(30)는, 예를 들어 투명 접착 재료에 의한 접착 보유 지지에 의해 광조사부(40)에 보유 지지된다.
이어서, 프로버(1)를 사용한 웨이퍼(W)에 대한 검사 처리의 일례에 대해서 설명한다. 이하의 설명에서는, 1회의 검사로 1개의 촬상 디바이스(D)가 검사되는 것으로 한다. 단, 프로버(1)를 사용한 1회의 검사로, 복수의 촬상 디바이스(D)를 일괄해서 검사해도 된다.
먼저, 로더(3)의 FOUP로부터 웨이퍼(W)가 취출되어 수용실(2) 내에 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)는, 당해 웨이퍼(W)에 형성된 촬상 디바이스(D)의 이면과 스테이지(10)가 대향함과 함께 당해 웨이퍼(W)의 이면이 스테이지(10)와 맞닿도록, 스테이지(10)에 적재된다.
이어서, 스테이지(10)가 이동되어, 스테이지(10)의 상방에 마련되어 있는 프로브(11a)와 검사 대상의 촬상 디바이스(D)의 전극(E)이 접촉한다.
그리고, 광조사부(40)의 광원부(42)의 LED가 점등되어, 광조사부(40)로부터, 도광판(41)의 측단부면에 광이 입사된다. 도광판(41)에 입사된 광은, 도광판(41)의 내부에서 확산되어, 웨이퍼(W)와 대향하는 대향면(41a)으로부터 면 형상의 광으로 출사한다. 출사된 광은, 투과부(30)를 투과하여, 웨이퍼(W)에 조사된다.
이 웨이퍼(W)에의 광의 조사와 함께, 프로브(11a)에의 검사용 신호의 입력이 행하여진다. 이에 의해, 촬상 디바이스(D)의 검사를 행한다. 또한, 상기 검사 중, 도시하지 않은 온도 측정 기구에 의해, 웨이퍼(W)의 온도가 측정되고, 그 결과에 기초하여, 온도 조정 기구(50)가 제어되어, 웨이퍼(W)의 온도가 원하는 값으로 조정됨으로써, 촬상 디바이스(D)의 온도가 원하는 값으로 조정된다.
이후, 모든 촬상 디바이스(D)의 검사가 완료될 때까지 상술과 마찬가지의 처리가 반복된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 스테이지(10)가, 광투과 재료로 이루어지고 웨이퍼(W)가 적재되는 투과부(30)와, 투과부(30)보다 하측의 영역(S1)에 배치된 광조사부(40)를 갖는다. 그리고, 광조사부(40)가, 투과부(30)를 사이에 두고 웨이퍼(W)와 대향하는 대향면(41a)을 갖는 도광판(41)과, 도광판(41)의 측방 외측 영역에 마련된 광원부(42)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 도광판(41)이, 광원부(42)로부터 출사되어 당해 도광판(41)의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판(41)의 내부에서 확산시켜, 상기 대향면(41a)으로부터 면 형상의 광으로 출사한다. 그 때문에, 이면 조사형 촬상 디바이스(D)를 검사할 수 있다. 또한, 검사를 위한 개구를 프로브 카드(11)에 마련할 필요가 없기 때문에, 프로브(11a)의 수가 제한되지 않으므로, 단시간에 검사를 행할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 광원부(42)가 도광판(41)의 측방 외측 영역에 마련되어 있어, 광원부(42)를 배치하기 위해서 스테이지(10)의 내부에 공동을 형성할 필요가 없다. 따라서, 스테이지(10)의 강도가 손상되지 않는다. 특히, 복수의 촬상 디바이스(D)를 일괄적으로 검사할 경우, 스테이지(10)에 큰 하중이 가해지기 때문에, 스테이지(10)의 강도는 중요하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 스테이지(10)가, 도광판(41)보다 하측의 영역에, 온도 조정 기구(50)를 갖는다. 웨이퍼(W)의 온도 조정 기구를, 도광판(41)보다 상측의 영역에 마련하는 경우, 구체적으로는, 도광판(41)과 웨이퍼(W)의 사이에 마련하는 경우, 당해 온도 조정 기구를 광투과성 재료로 구성할 필요가 있다. 그에 비하여, 스테이지(10)가, 도광판(41)보다 하측의 영역에, 온도 조정 기구(50)를 갖기 때문에, 온도 조정 기구(50)에 기존의 온도 조절 스테이지를 사용할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 복수의 LED로 이루어지는 광원부(42)와 도광판(41)에 의해 광조사부(40)를 구성하고 있기 때문에, 스테이지(10)의 대형화를 방지하고, 나아가 수용실(2)이나 프로버(1)의 대형화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하기 위한 기구로서, 웨이퍼(W)의 외주 부분의 비디바이스 형성 영역(R)을 끼움 지지하는 끼움 지지 기구를 사용하고 있다. 따라서, 투과부(30)에 흡착 보유 지지용 구멍을 형성할 필요가 없기 때문에, 당해 흡착 보유 지지용 구멍이, 웨이퍼(W)에 조사되는 광의 강도 분포의 면내 균일성에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
(제2 실시 형태)
도 6은, 제2 실시 형태에 따른 검사 장치로서의 프로버가 갖는 스테이지(10)의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 실시 형태의 스테이지(10)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 투과부(30)가, 광을 투과시키는 평판형의 평판 부재(31) 이외에, 저굴절률부(32)를 갖는다.
저굴절률부(32)는, 그 굴절률이 평판 부재(31)보다 낮은 것이며, 또한 평판 부재(31)에 겹치도록 당해 평판 부재(31)보다도 웨이퍼(W)측에 마련되고, 스테이지(10)에 적재된 웨이퍼(W)는, 그 이면이 당해 저굴절률부(32)에 맞닿는다. 예를 들어, 평판 부재(31)가 석영 유리로 이루어질 경우, 저굴절률부(32)에는 평판 부재(31)와는 다른 종류의 석영 유리(예를 들어, 불순물의 종류나 불순물의 비율이 다른 평판 부재(31)와는 다른 석영 유리)가 사용된다. 이에 의해, 저굴절률부(32)를 평판 부재(31)보다 낮은 굴절률로 할 수 있다.
또한, 저굴절률부(32)의 재료에 불소 수지를 사용하여, 당해 불소 수지에 첨가하는 재료를 조정함으로써, 저굴절률부(32)를 평판 부재(31)보다 저굴절률로 할 수 있다.
또한, 전계를 가함으로써 굴절률이 변화하는 전기 광학 효과를 갖는 전기 광학 결정으로 저굴절률부(32)를 형성해도 된다.
저굴절률부(32)의 형성은, 당해 저굴절률부(32)가 석영 유리나 전기 광학 결정인 경우에는 예를 들어 CVD법에 의해 행하여지고, 또한 당해 저굴절률부(32)가 불소 수지인 경우에는, 예를 들어 스핀 코팅법에 의해 행하여진다.
본 실시 형태에서는, 평판 부재(31)를 투과한 광 중, 저굴절률부(32)에 대한 입사각이 작은 것은, 저굴절률부(32)에 입사되어 당해 저굴절률부(32)를 투과해서 웨이퍼(W)를 향해 출사된다. 그러나, 저굴절률부(32)에 대한 입사각이 큰 광은, 저굴절률부(32)의 평판 부재(31)측의 면에서 반사되기 때문에 웨이퍼(W)에는 입사되지 않는다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 평판 부재(31)로부터 저굴절률부(32)에 대한 광의 입사 각도가 제한되기 때문에, 저굴절률부(32)를 투과해서 웨이퍼(W)에 조사되는 광의 입사 각도도 제한된다. 즉, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 조사되는 광의 입사 각도를 제한할 수 있다. 따라서, 프로버(1)는, 촬상 디바이스(D)에 입사 각도를 제한할 필요가 있는 검사에도 사용할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 장치이며,
검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며,
당해 검사 장치는,
상기 촬상 디바이스의 이면과 대향하는 형태로 상기 검사 대상체가 적재되는 적재대를 갖고,
상기 적재대는,
광투과 재료로 이루어지고, 상기 검사 대상체가 적재되는 투과부와,
상기 투과부보다 하측의 영역에 배치된 광조사부를 갖고,
상기 광조사부는,
상기 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하는 대향면을 갖는 평판형의 도광판과,
상기 도광판의 측방 외측의 영역에 마련된 광원부
를 갖고,
상기 도광판은, 상기 광원부로부터 출사되어 당해 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 상기 검사 대상체와 대향하는 상기 대향면으로부터 면 형상의 광으로 출사하는, 검사 장치.
상기 (1)에 의하면, 이면 조사형 촬상 디바이스를 검사할 수 있다. 또한, 검사를 위한 개구를 프로브 카드에 마련할 필요가 없기 때문에, 프로브의 수가 제한되지 않으므로, 단시간에 검사를 행할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 광원부가 도광판의 측방 외측 영역에 마련되어 있어, 광원부를 배치하기 위해서 적재대의 내부에 공동을 형성할 필요가 없다. 따라서, 적재대의 강도가 손상되지 않는다.
(2) 상기 투과부는, 상기 도광판으로부터의 광을 확산시키면서 투과시키는, 상기 (1)에 기재된 검사 장치.
상기 (2)에 의하면, 투과부로부터 검사 대상체에 대하여, 광 강도 분포가 보다 면 내에서 균일한 광을 조사할 수 있다.
(3) 상기 적재대는, 상기 도광판보다 하측의 영역에, 상기 검사 대상체의 온도를 조정하는 온도 조정 기구를 갖는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 검사 장치.
상기 (3)에 의하면, 온도 조정 기구를 광투과성 재료로 구성할 필요가 없어, 기존의 온도 조절 스테이지 등, 저렴한 구성으로 할 수 있다.
(4) 상기 투과부는, 투명 재료로 이루어지는 평판 부재와, 상기 평판 부재 상에 마련되어 굴절률이 당해 평판 부재보다도 낮은 저굴절률부를 갖는, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 검사 장치.
(5) 검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 방법이며,
검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며,
당해 검사 방법은,
상기 촬상 디바이스의 이면과 적재대의 광투과 재료로 이루어지는 투과부가 대향하도록, 당해 투과부 상에 상기 검사 대상체를 적재하는 공정과,
상기 투과부보다 하측의 영역이며 상기 투과부의 측방 외측의 영역에 마련된 광원으로부터, 상기 투과부보다 하측의 영역에, 당해 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하도록 배치된, 평판형의 도광판의 측단부면에 광을 입사하는 공정과,
상기 광원으로부터 출사되어 상기 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 당해 도광판의 상기 검사 대상체와 대향하는 면으로부터 면 형상의 광으로 출사하는 공정을 갖는 검사 방법.
1: 프로버
10: 스테이지
30: 투과부
40: 광조사부
41: 도광판
41a: 대향면
42: 광원부
D: 이면 조사형 촬상 디바이스
S1: 영역
S2: 영역
W: 웨이퍼

Claims (5)

  1. 검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 장치이며,
    검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며,
    당해 검사 장치는,
    상기 촬상 디바이스의 이면과 대향하는 형태로 상기 검사 대상체가 적재되는 적재대를 갖고,
    상기 적재대는,
    광투과 재료로 이루어지고, 상기 검사 대상체가 적재되는 투과부와,
    상기 투과부보다 하측의 영역에 배치된 광조사부를 갖고,
    상기 광조사부는,
    상기 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하는 대향면을 갖는 평판형의 도광판과,
    상기 도광판의 측방 외측의 영역에 마련된 광원부
    를 갖고,
    상기 도광판은, 상기 광원부로부터 출사되어 당해 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 상기 검사 대상체와 대향하는 상기 대향면으로부터 면 형상의 광으로 출사하는, 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투과부는, 상기 도광판으로부터의 광을 확산시키면서 투과시키는, 검사 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적재대는, 상기 도광판보다 하측의 영역에, 상기 검사 대상체의 온도를 조정하는 온도 조정 기구를 갖는, 검사 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투과부는, 투명 재료로 이루어지는 평판 부재와, 상기 평판 부재 상에 마련되어 굴절률이 당해 평판 부재보다도 낮은 저굴절률부를 갖는, 검사 장치.
  5. 검사 대상 디바이스를 검사하는 검사 방법이며,
    검사 대상체에 형성된 검사 대상 디바이스는, 배선층이 마련된 측과는 반대측의 면인 이면으로부터 광이 입사되는 이면 조사형 촬상 디바이스이며,
    당해 검사 방법은,
    상기 촬상 디바이스의 이면과 적재대의 광투과 재료로 이루어지는 투과부가 대향하도록, 당해 투과부 상에 상기 검사 대상체를 적재하는 공정과,
    상기 투과부보다 하측의 영역이며 상기 투과부의 측방 외측의 영역에 마련된 광원으로부터, 상기 투과부보다 하측의 영역에, 당해 투과부를 사이에 두고 상기 검사 대상체와 대향하도록 배치된, 평판형의 도광판의 측단부면에 광을 입사하는 공정과,
    상기 광원으로부터 출사되어 상기 도광판의 측단부면으로부터 입사된 광을, 당해 도광판 내부에서 확산시켜, 당해 도광판의 상기 검사 대상체와 대향하는 면으로부터 면 형상의 광으로 출사하는 공정을 갖는 검사 방법.
KR1020217014859A 2018-10-25 2019-10-17 검사 장치 및 검사 방법 KR102559306B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018201073A JP7236840B2 (ja) 2018-10-25 2018-10-25 検査装置及び検査方法
JPJP-P-2018-201073 2018-10-25
PCT/JP2019/040936 WO2020085203A1 (ja) 2018-10-25 2019-10-17 検査装置及び検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210072820A true KR20210072820A (ko) 2021-06-17
KR102559306B1 KR102559306B1 (ko) 2023-07-26

Family

ID=70332065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217014859A KR102559306B1 (ko) 2018-10-25 2019-10-17 검사 장치 및 검사 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11940485B2 (ko)
JP (1) JP7236840B2 (ko)
KR (1) KR102559306B1 (ko)
WO (1) WO2020085203A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7396683B2 (ja) * 2021-02-23 2023-12-12 リードテクノ株式会社 圧電定数測定装置及び圧電定数測定方法
JP2023148394A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2023177133A (ja) * 2022-06-01 2023-12-13 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査方法
WO2023234049A1 (ja) * 2022-06-01 2023-12-07 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び載置台

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0921916A (ja) * 1995-06-27 1997-01-21 Lumitex Inc 発光パネルアセンブリ
JP2004287368A (ja) * 2003-01-27 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2005044853A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Inter Action Corp 固体撮像素子の検査装置
JP2018151369A (ja) * 2016-11-29 2018-09-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235839A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Canon Inc 半導体デバイスチップウエハ検査方法および検査装置
JP2009170730A (ja) * 2008-01-17 2009-07-30 Fujifilm Corp 裏面照射型固体撮像素子の検査装置
TW201009364A (en) * 2008-08-28 2010-03-01 King Yuan Electronics Co Ltd Test socket and test module
US9411013B2 (en) * 2014-02-14 2016-08-09 Google, Inc. Instrument for automated testing of displays

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0921916A (ja) * 1995-06-27 1997-01-21 Lumitex Inc 発光パネルアセンブリ
JP2004287368A (ja) * 2003-01-27 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 検査装置
JP2005044853A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Inter Action Corp 固体撮像素子の検査装置
JP2018151369A (ja) * 2016-11-29 2018-09-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電子デバイス検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102559306B1 (ko) 2023-07-26
US20210389366A1 (en) 2021-12-16
WO2020085203A1 (ja) 2020-04-30
JP2020068333A (ja) 2020-04-30
US11940485B2 (en) 2024-03-26
JP7236840B2 (ja) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102559306B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
KR102387504B1 (ko) 검사 장치
KR100691087B1 (ko) Ｌｃｄ 검사 장치 및 촬상 소자의 검사 장치
KR102548795B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
US11927539B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
TW202234079A (zh) 試驗裝置、試驗方法及電腦可讀取記憶媒體
TW202132780A (zh) 載置台及檢查裝置
CN104035016B (zh) 用于测试晶圆的探针卡及制造探针卡的方法
TWI742884B (zh) 具有加熱功能之光學檢測設備
WO2023234048A1 (ja) 検査装置及び検査方法
KR101303602B1 (ko) 비접촉식 발광다이오드 검사장치
KR101015792B1 (ko) 측면 발광 엘이디 어레이용 검사 지그
JP2006329816A (ja) プローブ検査装置
JP2023034711A (ja) 検査装置及び検査方法
WO2023189675A1 (ja) 検査装置
KR100661911B1 (ko) 검사 장치
JP2023035742A (ja) 検査装置及び検査方法
TW202412131A (zh) 檢查裝置及載置台
JP2023177195A (ja) 検査装置及び載置台

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right