JP2023148394A - 検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】裏面照射型の撮像デバイスが形成された検査対象体を適切に吸着すると共に、所望の強度の光を各撮像デバイスに入射させる。【解決手段】検査装置において、裏面照射型撮像デバイスが形成された検査対象体としての基板は、配線層が設けられた側とは反対側の面である裏面から光が入射される。検査装置は、撮像デバイスの裏面と対向する形態で検査対象体を支持する載置台１０を備える。載置台は、光透過材料からなり、検査対象体が載置される天板３０と、光透過材料からなり、天板を間に挟んで検査対象体に対向するように配置され、天板との間に排気される空間Ｓを形成するベース部材４０と、天板及びベース部材を間に挟んで検査対象体に対向するように配置され、検査対象体に向けて光を照射する光照射機構５０と、を有する。天板は、平均孔径が３０ｎｍ以下または１０μｍ以上の多孔質ガラスで構成されている。【選択図】図５

Description

本開示は、検査装置に関する。
特許文献１の検査装置は、被検査体に形成された撮像デバイスに光を入射させながら、該撮像デバイスの配線層に接触端子を電気的に接触させて、撮像デバイスを検査する。特許文献１において、撮像デバイスは、配線層が設けられた反対側の面である裏面から光が入射されるものである。特許文献１の検査装置は、撮像デバイスの裏面と対向する形態で被検査体が載置される、光透過部材で形成された載置台と、載置台を間に挟んで被検査体に対向するように配置され、被検査体を指向する複数のＬＥＤを有する光照射機構と、を備える。また、特許文献１において、載置台が上蓋を被検査体側に有し、有底部材を光照射機構側に有し、上蓋の表面には、被検査体を吸着するための吸着穴が形成されている。吸着穴は、上蓋上に被検査体が載置されたときに吸着穴の上方に撮像デバイスが位置しない領域に形成される。
特開２０１９－１０６４９１号公報
本開示にかかる技術は、裏面照射型の撮像デバイスの検査において、撮像デバイスが形成された検査対象体を適切に吸着すると共に、所望の強度の光を各撮像デバイスに入射させることを可能にする。
本開示の一態様は、検査対象デバイスを検査する検査装置であって、前記検査対象デバイスは、配線層が設けられた側とは反対側の面である裏面から光が入射される裏面照射型の撮像デバイスであり、検査対象体に形成されており当該検査装置は、前記撮像デバイスの前記裏面と対向する形態で前記検査対象体を支持する載置台を備え、前記載置台は、光透過材料からなり、前記検査対象体が載置される天板と、光透過材料からなり、前記天板を間に挟んで前記検査対象体に対向するように配置され、前記天板との間に排気される空間を形成するベース部材と、前記天板及び前記ベース部材を間に挟んで前記検査対象体に対向するように配置され、前記検査対象体に向けて光を照射する光照射機構と、を有し、前記天板は、平均孔径が３０ｎｍ以下または１０μｍ以上の多孔質ガラスで構成されている。
本開示によれば、裏面照射型の撮像デバイスの検査において、撮像デバイスが形成された検査対象体を適切に吸着すると共に、所望の強度の光を各撮像デバイスに入射させることができる。
裏面照射型撮像デバイスが形成された検査対象体としての基板の構成を概略的に示す平面図である。 裏面照射型撮像デバイスの構成を概略的に示す断面図である。 第１の実施形態にかかる検査装置としてのプローバの構成の概略を示す斜視図である。 第１の実施形態にかかる検査装置としてのプローバの構成の概略を示す正面である。 ステージの構成を概略的に示す断面図である。 第２実施形態にかかるステージの構成を概略的に示す断面図である。 第１実施形態にかかるステージの変形例を示す図である。 第１実施形態にかかるステージの他の変形例を示す図である。
半導体製造プロセスでは、例えば、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所定の回路パターンを持つ多数の半導体デバイスが形成される。形成された半導体デバイスは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。半導体デバイスの検査は、例えば、各半導体デバイスが分割される前の基板の状態で、プローバ等と称される検査装置を用いて行われる。
検査装置は、針状の接触端子であるプローブを複数有するプローブカードが、基板が載置される載置台の上方に設けられている。検査の際は、プローブカードと載置台上のウェハとが近づけられ、プローブカードの各プローブと基板に形成された半導体デバイスの各電極に接触される。この状態で、プローブカードの上部に設けられたテストヘッドから各プローブを介して半導体デバイスに電気信号が供給される。そして、各プローブを介して半導体デバイスからテストヘッドが受信した電気信号に基づいて、当該半導体デバイスが不良品か否か選別される。
検査対象の半導体デバイスがＣＭＯＳセンサ等の撮像デバイスである場合は、他の一般的な半導体デバイスとは異なり、撮像デバイスに光を照射しながら検査が行われる。
また、近年では、撮像デバイスとして、配線層が形成された表面側とは反対側の裏面側から入射した光を受光する裏面照射型のものが開発されている。特許文献１には、裏面照射型の撮像デバイスに対する検査装置が開示されている。
特許文献１の検査装置は、裏面照射型の撮像デバイスの裏面と対向する形態で検査対象体である基板が載置される、光透過部材で形成された載置台と、載置台を間に挟んで検査対象体に対向するように配置され、検査対象体を指向する複数のＬＥＤを有する光照射機構と、を備えている。また、特許文献１の検査装置において、載置台は、上蓋を検査対象体側に有し、有底部材を光照射機構側に有し、上蓋の表面には、検査対象体を吸着するための吸着穴が形成され、吸着穴は、上蓋上に検査対象体が載置されたときに吸着穴の上方に裏面照射型の撮像デバイスが位置しない領域に形成されている。
しかし、特許文献１のような領域にのみ吸着穴が形成されていると、検査対象体の吸着力が不足する場合がある。例えば、裏面照射型の撮像デバイスに一度に接触するプローブの数が多い場合、少なくとも一部のプローブは検査対象体の裏面に対して斜めの方向から接触するため、プローブから検査対象体へは水平方向の力が作用するが、上述のように吸着力が不足すると、その水平方向の力により検査対象体が動いてしまう。検査中に検査対象体が動いてしまうと、正確に検査を行うことができなかったり、検査対象の撮像デバイスが破損してしまったりする。
また、検査対象体の吸着力を確保するため、単に、裏面照射型の撮像デバイスと平面視で重なる領域にも吸着穴を形成すると、撮像デバイスに入射する光の強度が、検査対象体の面内でばらつく等、所望のものにならない場合がある。
そこで、本開示にかかる技術は、裏面照射型の撮像デバイスの検査において、撮像デバイスが形成された検査対象体を適切に吸着すると共に、所望の強度の光を撮像デバイスに入射させることが可能な、検査装置を提供する。
以下、本実施形態にかかる検査装置を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本実施形態にかかる技術において、検査対象デバイスは、裏面照射型撮像デバイスの検査にかかるものであるため、まず、裏面照射型撮像デバイスについて説明する。
図１は、裏面照射型撮像デバイスが形成された検査対象体としての基板の構成を概略的に示す平面図であり、図２は、裏面照射型撮像デバイスの構成を概略的に示す断面図である。
図１に示すように、裏面照射型撮像デバイスＤは、基板の一例である、略円板状のウェハＷに、複数形成されている。
裏面照射型撮像デバイスＤは、固体撮像素子であり、例えば、図２に示すように、フォトダイオードである光電変換部ＰＤと、複数の配線ＰＬａを含む配線層ＰＬとを有する。また、裏面照射型撮像デバイスＤは、配線層ＰＬが設けられた側である表側とは反対側の面であるウェハＷの裏面から光が入射される。そして、裏面照射型撮像デバイスＤは、ウェハＷの裏面から入射された光を、オンチップレンズＬ及びカラーフィルタＦを介して光電変換部ＰＤで、受光する。カラーフィルタＦは赤色カラーフィルタＦＲ、青色カラーフィルタＦＢ及び緑色カラーフィルタＦＧからなる。
また、裏面照射型撮像デバイスＤの表（おもて）面ＤａすなわちウェハＷの表（おもて）面には、電極Ｅが形成されており、該電極Ｅは配線層ＰＬの配線ＰＬａに電気的に接続されている。配線ＰＬａは、裏面照射型撮像デバイスＤの内部の回路素子に電気信号を入力したり、同回路素子からの電気信号を裏面照射型撮像デバイスＤの外部に出力したりするためのものである。配線層ＰＬは、光電変換部に関する信号を制御する画素トランジスタを含んでもよい。
なお、図１に示すように、ウェハＷの外周部分には、裏面照射型撮像デバイスＤが形成されていない非デバイス形成領域Ｒが存在する。
（第１実施形態）
［検査装置］
続いて、第１実施形態にかかる検査装置について説明する。
図３及び図４はそれぞれ、第１実施形態にかかる検査装置としてのプローバ１の構成の概略を示す斜視図及び正面図である。図４では、図３のプローバ１の後述の収容室とローダが内蔵する構成要素を示すため、その一部が断面で示されている。
プローバ１は、ウェハＷに形成された複数の裏面照射型撮像デバイスＤ（以下、撮像デバイスＤと省略することがある。）それぞれの電気的特性の検査を行うものである。プローバ１は、図３及び図４に示すように、収容室２と、収容室２に隣接して配置されるローダ３と、収容室２を覆うように配置されるテスタ４とを備える。
収容室２は、内部が空洞の筐体であり、載置台としてのステージ１０を有する。ステージ１０は、後述するように、撮像デバイスＤの裏面と当該ステージ１０とが対向する形態でウェハＷを支持する。
なお、ステージ１０は、水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されており、後述のプローブカード１１とウェハＷの相対位置を調整してウェハＷの表面の電極Ｅを後述のプローブカードのプローブと接触させることができる。
また、収容室２における該ステージ１０の上方には、該ステージ１０に対向するようにプローブカード１１が配置される。プローブカード１１は、接触端子としての針状のプローブ１１ａを多数有する。各プローブ１１ａは、ウェハＷの表面の対応する電極Ｅに接触しうるように形成されている。
プローブカード１１は、インターフェース１２を介してテスタ４へ接続されている。撮像デバイスＤの検査の際、各プローブ１１ａは、対応する電極Ｅに接触し、テスタ４からインターフェース１２を介して入力された電力を撮像デバイスＤへ供給し、または、撮像デバイスＤからの信号をインターフェース１２を介してテスタ４へ伝達する。
ローダ３は、搬送容器であるＦＯＵＰ（図示せず）に収容されているウェハＷを取り出して収容室２のステージ１０へ搬送する。また、ローダ３は、撮像デバイスＤの電気的特性の検査が終了したウェハＷをステージ１０から受け取り、ＦＯＵＰへ収容する。
ローダ３は、電源等を制御するコントローラとしてのベースユニット１３を有する。ベースユニット１３は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部を有する。プログラム格納部には、電気的特性検査時のプローバ１の各構成部の動作を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体からベースユニット１３にインストールされたものであってもよい。
また、ベースユニット１３は、配線１４を介してステージ１０へ接続され、配線１５を介してテスタコンピュータ１６に接続されている。ベースユニット１３は、テスタコンピュータ１６からの入力信号に基づいて、ステージ１０の後述の光照射機構による照射動作を制御する。また、ベースユニット１３は、ステージ１０の後述の温度調整機構６０を制御する。なお、ベースユニット１３は収容室２に設けられてもよい。
テスタ４は、撮像デバイスＤが搭載されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボード（図示せず）を有する。テストボードは、テスタコンピュータ１６に接続される。テスタコンピュータ１６は、撮像デバイスＤからの信号に基づいて該撮像デバイスＤの良否を判断する。テスタ４では、上記テストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。
さらに、プローバ１は、ユーザインターフェース部１７を備える。ユーザインターフェース部１７は、ユーザ向けに情報を表示したりユーザが指示を入力したりするためのものであり、例えば、タッチパネルやキーボード等を有する表示パネルからなる。
上述の各部を有するプローバ１では、撮像デバイスＤの電気的特性の検査の際、テスタコンピュータ１６が、撮像デバイスＤと各プローブ１１ａを介して接続されたテストボードへデータを送信する。そして、テスタコンピュータ１６が、送信されたデータが当該テストボードによって正しく処理されたか否かを当該テストボードからの電気信号に基づいて判定する。
［ステージ］
次に、ステージ１０の構成について説明する。図５は、ステージ１０の構成を概略的に示す断面図である。
ステージ１０は、撮像デバイスＤの裏面と当該ステージ１０とが対向する形態でウェハＷが載置されるものであり、図５に示すように、天板３０と、ベース部材４０と、光照射機構５０と、を有する。
天板３０は、光透過材料からなり、ウェハＷが載置されるものであり、平板状（具体的にはウェハＷの直径より大きい円板状）に形成されている。
本実施形態において、天板３０は、平均孔径が３０ｎｍ以下であり光透過性を有する多孔質ガラスで構成される。天板３０に用いられる多孔質ガラスは、具体的には、以下のようにして得られる多孔質ガラスである。すなわち、まず、原料ガラス（例えばＮａ２ＯーＢ２Ｏ３ーＳｉＯ２ガラス）を溶融させ、その後、熱処理等により分相することで、一の相（ＳｉＯ２ガラス）からなる平板内に、他の相（Ｎａ２ＯーＢ２Ｏ３ガラス）から成る網目が形成される。そして、上記網目のみを酸処理等により除去することで、上記一の相（ＳｉＯ２ガラス）からなる平板を複数の孔それぞれが厚み方向に非直線的に貫通する多孔質ガラスが得られる。この多孔質ガラスが天板３０に用いられる。
天板３０は、上述のような多孔質ガラスで構成されるため、ウェハＷが天板３０に載置された状態において平面視で撮像デバイスＤと重ならない領域だけでなく重なる領域にも、天板３０を厚み方向に非直線的に貫通する孔は形成されている。すなわち、天板３０の全面に、当該天板３０を非直線的に厚み方向に貫通する孔は形成されている。
なお、上述の「光透過材料」とは、検査範囲の波長の光（すなわち光照射機構５０からの光）を透過する材料であり、同様に、「光透過性」とは、検査範囲の波長の光を透過する性質である。
ベース部材４０は、光透過材料からなり、天板３０を間に挟んでウェハＷに対向するように配置され、天板３０との間に排気される空間Ｓを形成する部材である。ベース部材４０に用いられる光透過材料は、具体的には、ウェハＷと略同等の熱膨張率を有するガラスである。
一実施形態において、ベース部材４０が、天板３０側とは反対側に凹む凹所４１ａを中央に有し、凹所４１ａの開口部を天板３０で塞ぐことで空間Ｓが形成される。空間Ｓは、排気機構１００によって排気される。
排気機構１００は、ベースユニット１３に制御され、真空排気ポンプ１０２の他に、排気管１０１を有する。排気管１０１は、その一端が接続孔４２を介して空間Ｓに連通しており、他端が真空排気ポンプ１０２に連通している。排気管１０１にはバッファタンク１０３が介設されている。排気管１０１はバッファタンク１０３が実質同一空間となるように複数でコンダクタンスが低くなるように設計されなければならない。
また、凹所４１ａ内には、凹所４１ａの底から天板３０に向けて延び天板３０を支持する支持部４３が設けられている。支持部４３は、例えば、天板３０に向けて延び柱状に形成された支持柱４３ａを複数有する。なお、支持部４３は、支持柱４３ａに代えて、平面視渦巻き状に形成された支持壁を有していてもよい。また、支持部４３は、支持柱４３ａと上述の渦巻き状の支持壁の両方を有していてもよい。
なお、空間Ｓを気密にするため、天板３０とベース部材４０との間に例えばＯリング４４が設けられている。Ｏリング４４は、具体的には、天板３０の周縁部とベース部材４０の周縁部との間に設けられている。また天板３０とベース部材４０とを接着剤で接合してもよい。
光照射機構５０は、天板３０及びベース部材４０を間に挟んでウェハＷに対向するように配置された、ウェハＷに向けて光を照射する。
光照射機構５０は、例えば、導光板５１と、光源５２と、拡散板５３と、を有する。
導光板５１は、ベース部材４０と対向するように設けられており、平板状（具体的にはウェハＷの直径より大きい円板状）に形成されている。導光板５１は、例えば、その周端面から入射した光を、ベース部材４０に向けて、すなわち、ウェハＷに向けて出射する。
光源５２は、検査用に光を出射するものであり、ＬＥＤを有するＬＥＤユニット５２ａを複数有する。光源５２は、導光板５１の側方に設けられている。具体的には、光源５２は、ＬＥＤユニット５２ａが導光板５１の周端面に沿って複数設けられている。各ＬＥＤユニット５２ａは、導光板５１の中心に向けて、検査範囲の波長の光を出射する。検査範囲の波長の光とは、例えば、可視光領域の波長の光である。
拡散板５３は、光源５２からの光を拡散する。本実施形態では、拡散板５３は、導光板５１から出射された光を、拡散した上で、ベース部材４０に入射させる。
なお、光照射機構５０は、ＬＥＤユニット５２ａの熱を放出する放熱器を有していてもよい。
さらに、ステージ１０は、ウェハＷの温度を調整する温度調整機構６０を有する。温度調整機構としては、既存の、温度調整機能を有するウェハＷの載置台（以下、「温調ステージ」という。）を用いることができる。既存の温調ステージは、ウェハＷの吸着機構を有するため、この吸着機構による吸着保持により、光照射機構５０（具体的には導光板５１）が温度調整機構６０に吸着保持される。なお、導光板５１と光源５２との固定、導光板５１と拡散板５３との固定、及び、拡散板５３とベース部材４０との固定は、例えば透明接着材料による接着保持により行われる。
［検査処理］
次に、プローバ１を用いたウェハＷに対する検査処理の一例について説明する。以下の説明では、１回の検査で１つの撮像デバイスＤが検査されるものとする。ただし、プローバ１を用いた１回の検査で、複数の撮像デバイスＤを一括して検査してもよい。
例えば、まず、ローダ３のＦＯＵＰからウェハＷが取り出されて収容室２内に搬送される。そして、ウェハＷに形成された撮像デバイスＤの裏面とステージ１０とが対向すると共に、ステージ１０の天板３０のベース部材４０とは反対側の面とウェハＷとが当接するように、ステージ１０の天板３０にウェハＷが載置される。その後、排気機構１００により、天板３０とベース部材４０との間の空間Ｓが排気される。天板３０が多孔質ガラスで構成されているため、上述のように空間Ｓを排気することにより、天板３０の多孔質ガラスが有する孔を介して、ウェハＷの裏面と天板３０との間が排気され、ウェハＷが天板３０に吸着保持される。なお、排気機構１００がバッファタンク１０３を有するため、接続孔４２を介した排気流速を落とすことができ、接続孔４２の近傍のみウェハＷの吸着力が高くなるのを抑制することができる。
次いで、ステージ１０が移動され、ステージ１０の上方に設けられているプローブ１１ａと検査対象の撮像デバイスＤの電極Ｅとが接触する。
そして、光照射機構５０からの光の照射が行われる。具体的には、光源５２の全ＬＥＤユニット５２ａが点灯される。これにより、各ＬＥＤユニット５２ａから、導光板５１の周端面に光が入射する。導光板５１に入射された光は、導光板５１の内部でベース部材４０に向けて反射されると共に拡散され、導光板５１におけるウェハＷと対向する面から面状に出射される。
導光板５１から出射された光は、拡散板５３で拡散された後、光透過部材からなるベース部材４０及び天板３０を介して、ウェハＷに入射する。
本実施形態と異なり、天板３０を非直線的に貫通する孔の直径が光照射機構５０から照射される光の波長と同等の大きさの場合、上記孔により、光が屈折または反射し、その結果、天板３０を経てウェハＷに入射する光が強め合う部分と、弱め合う部分とが生じてしまう。この場合、光照射機構５０から照射された光を、ウェハＷ上の所望の部分（具体的には検査対象の撮像デバイスＤに対応する部分）に、所望の強度で入射させることができないことがある。それに対し、本実施形態では、天板３０を非直線的に貫通する孔の直径（平均孔径）が３０ｎｍ以下であり光照射機構５０から照射される光の波長に対し十分小さいため、実質的に上記孔は存在しないに等しい。そのため、本実施形態では、上記孔により光が屈折または反射しない。したがって、本実施形態によれば、天板３０に入射する光が面内で偏りがなければ、天板３０を経てウェハＷに入射する光にも面内で偏りは生じない。したがって、本実施形態では、ウェハＷ上の所望の部分（具体的には検査対象の撮像デバイスＤに対応する部分）に、光照射機構５０から照射された光を、所望の強度で、入射させることができる。
上述の光照射機構５０からの光の照射と共に、プローブ１１ａへの検査用の信号の入力が行われる。これにより、撮像デバイスＤの検査が行われる。なお、上記検査中、不図示の温度測定部により、例えば、ウェハＷの温度が測定され、その結果に基づいて、温度調整機構６０が制御され、ウェハＷの温度が所望の値に調整されることにより、撮像デバイスＤの温度が所望の値に調整される。
以後、全ての撮像デバイスＤの検査が完了するまで上述と同様な処理が繰り返される。
［本実施形態の主な効果］
以上のように、本実施形態では、天板３０が多孔質ガラスで構成されており、ウェハＷを吸着するための孔が、平面視で撮像デバイスＤと重なる領域を含む天板３０の全面に形成されている。そのため、天板３０とベース部材４０との間の空間Ｓからの排気流量が低くとも、従来に比べて高い真空吸着力で、ウェハＷを天板３０に吸着することができる。
また、本実施形態では、天板３０が有する孔の直径（平均孔径）が３０ｎｍ以下であるため、上述したように、ウェハＷ上の検査対象の撮像デバイスＤに対応する部分に、光照射機構５０から照射された光を、所望の強度で入射させることができる。
すなわち、本実施形態によれば、裏面照射型撮像デバイスＤの検査において、ウェハＷを適切に吸着すると共に、所望の強度の光を検査対象の裏面照射型撮像デバイスＤに入射させることができる。
（第２実施形態）
［ステージ］
続いて、第２実施形態にかかるステージについて説明する。図６は、第２実施形態にかかるステージの構成を概略的に示す断面図である。
図５のステージ１０は、天板３０が、平均孔径が３０ｎｍ以下であり光透過性を有する多孔質ガラスで構成されていた。それに対し、図６のステージ１０Ａは、天板３０Ａが、平均孔径が１０μｍ以上であり光透過性を有する多孔質ガラスで構成されている。天板３０Ａに用いられる多孔質ガラスは、図５の天板３０に用いられる多孔質ガラスと同様にして得ることができる。
天板３０Ａも、図５の天板３０と同様、ウェハＷが天板３０Ａに載置された状態において平面視で撮像デバイスＤと重ならない領域だけでなく重なる領域にも、天板３０Ａを厚み方向に非直線的に貫通する孔は形成されている。すなわち、天板３０Ａの全面に、当該天板３０Ａを厚み方向に非直線的に貫通する孔は形成されている。
［本実施形態の主な効果］
本実施形態においても、第１実施形態と同様、天板３０Ａが多孔質ガラスで構成されており、ウェハＷを吸着するための孔が、平面視で撮像デバイスＤと重なる領域を含む天板３０Ａの全面に形成されている。そのため、天板３０Ａとベース部材４０との間の空間Ｓからの排気流量が低くとも、従来に比べて高い真空吸着力で、ウェハＷを天板３０に吸着することができる。
また、本実施形態では、天板３０Ａを非直線的に貫通する孔の直径（平均孔径）が１０μｍ以上であり、光照射機構５０から照射され天板３０Ａに入射した光の波長より十分大きい。それに加えて、上記孔が多種の形状である。そのため、天板３０Ａに入射した光が、上記孔により光が屈折または反射しても、天板３０Ａを経てウェハＷに入射する光に、規則的に強め合う部分と弱め合う部分とが生じない。本実施形態では、天板３０Ａに入射した光は、天板３０Ａにより拡散されて、ウェハＷに入射される。そのため、本実施形態によれば、天板３０Ａに入射する光が面内で偏りがなければ、天板３０Ａを経てウェハＷに入射する光にも面内で偏りは生じず、むしろ、天板３０Ａを経てウェハＷに入射する光は、天板３０Ａに入射する光よりも面内均一となる。したがって、本実施形態においても、ウェハＷ上の所望の部分（具体的には検査対象の撮像デバイスＤに対応する部分）に、光照射機構５０から照射された光を、所望の強度で、入射させることができる。
すなわち、本実施形態においても、裏面照射型撮像デバイスＤの検査において、ウェハＷを適切に吸着すると共に、所望の強度の光を検査対象の裏面照射型撮像デバイスＤに入射させることができる。
（変形例）
第２実施形態にかかるステージ１０Ａを用いる場合、ウェハＷに入射される光が天板３０Ａにより拡散されるため、光照射機構５０が、拡散板５３を有していなくてもよい。
また、第１実施形態にかかるステージ１０を用いる場合も、天板３０を精密に設計すれば、当該天板３０を光の屈折、反射を適切に利用でき、拡散板５３を省略することができる。
図７は、第１実施形態にかかるステージの変形例を示す図である。
図７のステージ１０Ｂは、孔径が３０ｎｍ以下の多孔質ガラスで構成される天板３０Ｂにおける、ウェハＷと対向する面が、シリコーンでコーティングされている。具体的には、ステージ１０Ｂは、天板３０ＢにおけるウェハＷと対向する面が、孔が塞がれていない形態で、シリコーンでコーティングされている。
孔が塞がれていない形態で、シリコーンでコーティングされている天板３０Ｂの作製方法は例えば以下の通りである。すなわち、多孔質ガラスの表面全面をシリコーンでコーティングした後、シリコーンが固化する前に、裏面に向けてガスを吹き付けて、多孔質ガラスの表面全面を覆っているシリコーンのうち、天板３０Ｂの孔と重なる部分を吹き飛ばす。これにより、孔が塞がれていない形態で、シリコーンでコーティングされている天板３０Ｂを作製することができる。
この例では、天板３０Ｂを構成する多孔質ガラスの孔を介してウェハＷをステージ１０Ｂ（具体的には天板３０Ｂ）に吸着保持したときに、ウェハＷの裏面（具体的にはオンチップレンズＬ）が天板３０Ｂに接触したとしても、接触するのはシリコーンコーティング層３１である。したがって、ウェハＷの裏面（具体的にはオンチップレンズＬ）が天板３０Ｂとの接触により破損するのを抑制することができる。
なお、天板３０Ｂは、当該天板３０Ｂに沿って形成されウェハＷの周縁部を支持する、平面視環状の環状壁３２を有する。
シリコーンコーティング層３１を有さない図５のステージ１０に、この環状壁３２を設けてもよい。
また、図６のステージ１０Ａの天板３０Ａに上述のシリコーンコーティング層３１及び環状壁３２を設けてもよい。
図８は、第１実施形態にかかるステージの他の変形例を示す図である。
図８のステージ１０Ｃは、天板３０との間でウェハＷを挟持する挟持機構７０をさらに備える。挟持機構７０は、具体的には、天板３０との間で、ウェハＷの外周部分の非デバイス形成領域Ｒを挟持する。
挟持機構７０は、例えば、昇降可能に構成された板状部材７１と、板状部材７１を昇降させる昇降機構（図示せず）と、を有する。上記昇降機構は、板状部材７１の昇降の駆動力を出力するモータ等の駆動源を有し、ベースユニット１３に制御される。
ステージ１０Ｃによれば、ウェハＷを天板３０の孔を介して吸着保持する際、挟持機構７０によるウェハＷの挟持も併せて行うことができるため、ウェハＷが移動するのをさらに抑制することができる。
挟持機構７０は、図６のステージ１０Ａに設けてもよい。
以上の例では、温度調整機構６０が、光照射機構５０のベース部材４０側とは反対側に設けられていた。ウェハＷの温度調整機構は、光照射機構５０とベース部材４０との間に設けられていてもよい。この場合、温度調整機構は光透過性材料で構成される。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ プローバ
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ ステージ
３０、３０Ａ、３０Ｂ 天板
４０ ベース部材
５０ 光照射機構
５１ 導光板
Ｄ 裏面照射型撮像デバイス
ＰＬ 配線層
Ｓ 空間
Ｗ ウェハ

Claims (8)

  1. 検査対象デバイスを検査する検査装置であって、
    前記検査対象デバイスは、配線層が設けられた側とは反対側の面である裏面から光が入射される裏面照射型の撮像デバイスであり、検査対象体に形成されており
    当該検査装置は、前記撮像デバイスの前記裏面と対向する形態で前記検査対象体を支持する載置台を備え、
    前記載置台は、
    光透過材料からなり、前記検査対象体が載置される天板と、
    光透過材料からなり、前記天板を間に挟んで前記検査対象体に対向するように配置され、前記天板との間に排気される空間を形成するベース部材と、
    前記天板及び前記ベース部材を間に挟んで前記検査対象体に対向するように配置され、前記検査対象体に向けて光を照射する光照射機構と、を有し、
    前記天板は、平均孔径が３０ｎｍ以下または１０μｍ以上の多孔質ガラスで構成されている、検査装置。
  2. 前記光照射機構は、光源と、前記光源からの光を拡散する拡散板を有する、請求項１に記載の検査装置。
  3. 前記光照射機構は、前記ベース部材と対向するように設けられた導光板をさらに有し、
    前記導光板は、当該導光板の側方に設けられた前記光源からの前記検査対象体へ導くように構成され、
    前記拡散板は、前記ベース部材と前記導光板との間に配置されている、請求項２に記載の検査装置。
  4. 前記天板は、平均孔径が１０μｍ以上の多孔質ガラスで構成され、
    前記光照射機構は、光源を有し、前記光源からの光を拡散する拡散板を有さない、請求項１に記載の検査装置。
  5. 前記載置台は、前記ベース部材と対向するように設けられた導光板をさらに有し、
    前記導光板は、当該導光板の側方に設けられた前記光源からの光を前記天板へ導くように構成されている、請求項４に記載の検査装置。
  6. 前記天板の前記検査対象体側となる面は、シリコーンで覆われている、請求項１～５のいずれか１項に記載の検査装置。
  7. 前記天板との間で前記検査対象体を挟持する挟持機構をさらに備える、請求項１～６のいずれか１項に記載の検査装置。
  8. 前記載置台は、前記検査対象体の温度を調整する温度調節機構をさらに有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の検査装置。
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