CN117476502A - 安装装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供安装装置及半导体器件的制造方法。提供能够提高元件的侧面的异常检查的精度的技术。安装装置具备:镜子,其以相对置的方式设置有至少一对;拍摄装置,其以裸芯片及所述镜子的反射面位于视场内的方式设置;照明装置,其沿着所述拍摄装置的光学轴照射照明光;和渗出抑制单元,其抑制由利用所述一对镜子中的一个镜子的反射面反射的光中的在所述裸芯片的周围通过的光导致的、在所述裸芯片的侧面轮廓产生的渗出。
Description
技术领域
本公开涉及安装装置,例如,能够应用于对裸芯片(die)的侧面进行检查的芯片贴装机。
背景技术
芯片贴装机等安装装置是使用接合材料而例如将元件粘贴(安装)于基板或者元件之上的装置。接合材料例如是液状或者膜状的树脂或软钎料等。元件例如是半导体芯片、MEMS(微机电系统:Micro Electro Mechanical System)、玻璃芯片等的裸芯片或者电子零部件。基板例如是布线基板、由金属薄板形成的引线框架、玻璃基板等。
在芯片贴装机中,例如,基于使用摄像头而获取的图像进行元件的定位或进行元件的侧面检查(例如,专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-179558号公报
发明内容
本公开的课题在于提供能够提高元件的侧面的异常检查的精度的技术。其他课题和新特征根据本说明书的叙述内容和附图变得清楚。
若简单地说明本公开中的代表性方案的概要,则如下所述。
即,安装装置具备:镜子,其以相对置的方式设置有至少一对;拍摄装置,其以裸芯片及所述镜子的反射面位于视场内的方式设置;照明装置,其沿着所述拍摄装置的光学轴照射照明光;以及渗出抑制单元,其抑制由利用所述一对镜子中的一个镜子的反射面反射的光中的在所述裸芯片的周围通过的光导致的、在所述裸芯片的侧面轮廓产生的渗出。
发明效果
根据本公开,能够提高元件的侧面的异常检查的精度。
附图说明
图1是第一实施方式中的芯片贴装机的概略俯视图。
图2是图1所示的芯片贴装机的概略侧视图。
图3是表示由图1所示的芯片贴装机进行的半导体器件的制造方法的流程图。
图4是表示第一实施方式中的载台识别摄像头、同轴照明及中间载台的示意图。
图5是表示比较例的中间载台中的同轴照明的照明光的示意图。
图6是表示使用了图5所示的同轴照明光的裸芯片的侧面图像的图。
图7是表示理想照明下的裸芯片的侧面图像的图。
图8是表示第一实施方式的一形态中的中间载台的图。
图9是表示第一实施方式的另一形态中的中间载台的图。
图10是镜子的反射面的三种角度下的裸芯片的拍摄图像。
图11是表示第一实施方式的第一变形例中的中间载台的结构及透射光的光路的图。
图12是图11所示的中间载台的俯视图。
图13是表示图11所示的中间载台中的反射光的光路的图。
图14是表示第一实施方式的第二变形例中的、载台识别摄像头、照明装置及中间载台的图。
图15是说明图14所示的面发光照明的照射区域的图。
图16是表示图15所示的面发光照明的照明光所照射的区域的图。
图17是说明第一实施方式的第三变形例中的面发光照明的照射区域的图。
图18是表示图17所示的面发光照明的照明光所照射的区域的图。
图19是表示第二实施方式的芯片贴装机中的载台识别摄像头、照明装置及中间载台的示意图。
图20是说明图19所示的中间载台中的直接拍摄的概念图。
图21是表示在图19所示的结构中拍摄到的图像例的图。
图22是区别异物和伤痕而进行识别的表面检查的流程图。
图23是表示第二实施方式的第一变形例中的载台识别摄像头、照明装置及中间载台的示意图。
图24是表示在图23所示的结构中拍摄到的图像例的图。
图25是表示在图23所示的结构中拍摄到的另一图像例的图。
图26是第二实施方式的第三变形例中的区别异物和伤痕而进行识别的表面检查的流程图。
附图标记说明
1:芯片贴装机(安装装置)
311:镜子
34:载台识别摄像头(拍摄装置)
35:照明装置
D:裸芯片
具体实施方式
以下,使用附图对实施方式及变形例进行说明。不过,在以下的说明中,有时对同一构成要素标注同一附图标记并省略反复的说明。此外,为了更明确地进行说明,附图有时与实际形态相比示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等。另外,在多个附图的相互之间,各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[第一实施方式]
首先,使用图1及图2对第一实施方式的芯片贴装机的构成进行说明。图1是第一实施方式中的芯片贴装机的概略俯视图。图2是图1所示的芯片贴装机的概略侧视图。
芯片贴装机1大体划分而具有裸芯片供给部10、拾取部20、中间载台部30、贴装部40、搬送部50、以及监视并控制各部分的动作的控制部(控制装置)80。Y轴方向是芯片贴装机1的前后方向,X轴方向是左右方向。裸芯片供给部10配置于芯片贴装机1的前侧,贴装部40配置于后侧。
裸芯片供给部10具有保持晶片W的晶片保持台(未图示)和从晶片W剥离裸芯片D的剥离单元13。晶片保持台利用未图示的驱动机构在XY方向上移动,使要拾取的裸芯片D移动到剥离单元13的位置。剥离单元13利用未图示的驱动机构在上下方向上移动。晶片W粘接于切割带DT上,被分割成多个裸芯片D。粘贴有晶片W的切割带DT保持于未图示的晶片环。在晶片W与切割带DT之间粘贴有被称为粘片膜(DAF)的膜状的粘接材料。粘片膜通过加热而固化。
拾取部20具有拾取头21、晶片识别摄像头24和照明装置25。拾取头21具有在顶端吸附保持被剥离的裸芯片D的筒夹22,从裸芯片供给部10拾取裸芯片D,并将其载置于中间载台31。晶片识别摄像头24把握从晶片W拾取的裸芯片D的拾取位置。此外,拾取部20具有未图示的使拾取头21升降、旋转、在X方向及Y方向上移动的各驱动部。
中间载台部30具有中间载台31、载台识别摄像头34和照明装置35。中间载台31具有镜子(mirror)311a~311d、暂时载置裸芯片D的台座312、和基座313。存在将镜子311a~311d统称为镜子311的情况。载台识别摄像头34设置于中间载台31的上方,拍摄中间载台31上的裸芯片D。照明装置35例如是设置于载台识别摄像头34与中间载台31之间的同轴照明。
另外,镜子311具有相对于载台识别摄像头34的光学轴倾斜规定角度的反射面,在基座313之上设置有四个。此外,镜子311并不限定于四个,在仅识别裸芯片D的特定的两个侧面的情况下,也可以是两个。与裸芯片D的一个侧面相对置的一个镜子311也可以由多个镜子构成。
镜子311例如由相对置的侧面是直角等腰三角形状、且其他侧面、底面及具有反射面的斜面是矩形状的三棱柱构成。即,反射面是平面状。镜子311除了反射镜之外,也可以由棱镜构成。
规定角度是照明装置35的照明光相对于裸芯片D的侧面以接近垂直的角度照射、并且能够以接近垂直的角度拍摄裸芯片D的侧面的角度。能够使镜子311的反射面反射裸芯片D的侧面像,利用设置于中间载台31上方的载台识别摄像头34同时(以一次曝光)拍摄并检查裸芯片D的上表面及四个侧面。
在台座312上暂时载置裸芯片D。台座312的载置裸芯片D的载置面比设置镜子311的面(基座313的上表面)高。另外,台座312呈例如柱状,作为其上表面的载置面比裸芯片D小。在该情况下,是在裸芯片D吸附于载置面的状态下裸芯片D的外周端部不会挠曲变形的大小。由此,能够使镜子311以靠近裸芯片D的方式设置。另外,裸芯片D的下端部的拍摄变得容易。另外,也能够应对所载置的裸芯片的尺寸改变的情况。因此,优选设有台座312,但也可以不设置。
载台识别摄像头34例如设置于中间载台31的正上方,并且,以中间载台31的中心轴与载台识别摄像头34的光轴一致的方式使视场角朝向垂直下方而设置。载台识别摄像头34以裸芯片D及四个镜子311的反射面位于视场内的方式设置。照明装置35为了设为载台识别摄像头34能够拍摄载置于中间载台31的裸芯片D的亮度而照射光。所照射的光的反射光向四个镜子311入射。通过该结构,载台识别摄像头34能够拍摄裸芯片D的侧面到上表面。
入射到四个镜子311的光像沿着设置于四个镜子311上方的载台识别摄像头34的光轴入射。载台识别摄像头34拍摄由裸芯片D的上表面及四个镜子311分别反射的被摄体像。载台识别摄像头34拍摄到的图像向控制部80输出,被进行图像处理,另外,也能够显示于显示画面(未图示)。
贴装部40具有贴装头41、基板识别摄像头44、照明装置45和贴装载台46。贴装头41与拾取头21同样地具有在顶端吸附保持裸芯片D的筒夹42。基板识别摄像头44拍摄基板S的位置识别标志(未图示),识别贴装位置。在此,在基板S上形成有最终成为一个封装的多个产品区域(以下,称为封装区域P。)。位置识别标志针对每个封装区域P设置。贴装载台46在向基板S载置裸芯片D之际向上方向移动,从下方支承基板S。贴装载台46具有用于真空吸附基板S的吸引口(未图示),能够固定基板S。贴装载台46具有加热基板S的加热部(未图示)。此外,贴装部40具有未图示的使贴装头41升降、旋转、在X方向及Y方向上移动的各驱动部。
根据这样的结构,贴装头41基于载台识别摄像头34的拍摄数据而校正拾取位置和姿势,从中间载台31拾取裸芯片D。并且,贴装头41基于基板识别摄像头44的拍摄数据而将裸芯片D贴装于基板S的封装区域P上,或以层叠于已贴装到基板S的封装区域P上的裸芯片之上的方式进行贴装。
搬送部50具有供基板S移动的搬送通道52。搬送通道52用于在X轴方向上搬送基板S。根据这样的结构,基板S从未图示的基板供给部沿着搬送通道52移动到贴装位置(安装位置),在贴装后,移动到未图示的基板搬出部或返回到基板供给部。
控制部80具备:存储器,其储存用于监视并控制芯片贴装机1的上述各部分的动作的程序(软件);和中央处理装置(CPU),其执行储存于存储器的程序。
使用图3对作为使用了芯片贴装机1的半导体器件的制造工序的一工序的贴装工序(制造方法)进行说明。图3是表示由图1所示的芯片贴装机进行的半导体器件的制造方法的流程图。在以下的说明中,构成芯片贴装机1的各部分的动作由控制部80控制。
(晶片搬入工序:工序S1)
向芯片贴装机1的晶片盒(未图示)供给晶片环(未图示)。所供给的晶片环被供给至裸芯片供给部10并被搬入至芯片贴装机1。在此,在晶片环上保持有粘贴有从晶片W分割出的裸芯片D的切割带DT。
(基板搬入工序:工序S2)
保存有基板S的基板搬送治具被供给至基板供给部而被搬入至芯片贴装机1。利用基板供给部从基板搬送夹具取出基板S并固定于未图示的搬送爪。
(拾取工序:工序S3)
在工序S1后,晶片保持台移动,以使得能够从切割带DT拾取所期望的裸芯片D。利用晶片识别摄像头24拍摄裸芯片D,基于通过拍摄而获取到的图像数据进行裸芯片D的定位及表面检查。
已定位的裸芯片D由剥离单元13及拾取头21从切割带DT剥离。从切割带DT剥离后的裸芯片D被吸附、保持于设于拾取头21的筒夹22,并被搬送、载置到中间载台31。
利用载台识别摄像头34拍摄中间载台31之上的裸芯片D,基于通过拍摄而获取到的图像数据进行裸芯片D的定位及表面检查。通过对图像数据进行图像处理,从而计算出中间载台31上的裸芯片D相对于芯片贴装机的裸芯片位置基准点的偏移量(X、Y、θ方向)并进行定位。此外,裸芯片位置基准点预先将中间载台31的规定位置设为装置的初始设定并保持。通过对图像数据进行图像处理,从而进行裸芯片D的表面检查。
已将裸芯片D搬送到中间载台31的拾取头21返回裸芯片供给部10。按照上述的步骤,从切割带DT剥离下一个裸芯片D,以后按照同样的步骤从切割带DT逐个剥离裸芯片D。
(贴装工序:工序S4)
利用搬送部50将基板S搬送到贴装载台46。利用基板识别摄像头44拍摄载置于贴装载台46上的基板S,通过拍摄而获取图像数据。通过对图像数据进行图像处理,从而计算出基板S相对于芯片贴装机1的基板位置基准点的偏移量(X、Y、θ方向)。此外,基板位置基准点预先将贴装部40的规定位置设为装置的初始设定并保持。
根据在工序S3中计算出的中间载台31上的裸芯片D的偏移量校正贴装头41的吸附位置并利用筒夹42吸附裸芯片D。利用从中间载台31吸附了裸芯片D的贴装头41将裸芯片D贴装于支承在贴装载台46上的基板S的规定部位。在此,基板S的规定部位是基板S的封装区域P,或者是已经载置有元件并以向该元件添加的方式贴装元件之际的区域,或者是进行层叠贴装的元件的贴装区域。利用基板识别摄像头44拍摄贴装于基板S的裸芯片D,基于通过拍摄而获取到的图像数据而进行裸芯片D是否已贴装于所期望的位置等的检查。在检查后的裸芯片D不良的情况下,利用贴装头41将裸芯片D向舍弃区域搬送。
已将裸芯片D贴装到基板S的贴装头41返回中间载台31。按照上述的步骤,从中间载台31拾取下一个裸芯片D,并贴装于基板S。反复进行上述步骤而在基板S的所有规定部位贴装裸芯片D。
(基板搬出工序:工序S5)
向基板搬出部搬送贴装有裸芯片D的基板S。利用基板搬出部从基板搬送爪取出基板S并保存于基板搬送治具。从芯片贴装机1搬出保存于基板搬送治具的基板S。
如上述这样,裸芯片D被安装于基板S上,并被从芯片贴装机1搬出。之后,例如保存有安装有裸芯片D的基板S的搬送治具被向导线接合工序搬送,裸芯片D的电极借助Au线等与基板S的电极电连接。然后,将基板S搬送到模塑工序,利用模塑树脂(未图示)对裸芯片D和Au线进行密封,由此半导体封装完成。
在层叠贴装的情况下,接着导线接合工序之后,载置保存有安装有裸芯片D的基板S的搬送治具被搬入至芯片贴装机并将裸芯片D层叠于已安装到基板S上的裸芯片D之上,在从芯片贴装机搬出之后,在导线接合工序中借助Au线与基板S的电极电连接。比第二层靠上的裸芯片D在利用上述方法从切割带DT剥离之后,被搬送到贴装部而层叠于裸芯片D之上。在上述工序反复进行了规定次数之后,基板S被搬送到模塑工序,利用模塑树脂(未图示)对多个裸芯片D和Au线进行密封,由此层叠封装完成。
接着,对照明装置35进行说明。图4是表示实施方式中的载台识别摄像头、同轴照明及中间载台的示意图。
如图4所示,照明装置35配置于载台识别摄像头34与中间载台31之间。照明装置35具备面发光照明(光源)351、半透半反镜(半透镜、光束分离器)352。来自面发光照明351的照射光利用半透半反镜352而向与载台识别摄像头34相同的光轴方向反射,向中间载台31的裸芯片D照射。以与载台识别摄像头34相同的光轴照射到裸芯片D的该照明光由裸芯片D反射,其反射光透射过半透半反镜352而到达载台识别摄像头34,形成裸芯片D的影像。照明装置35是同轴落射照明(同轴照明)装置。
若在中间载台31上设置具有相对于载台识别摄像头34的光学轴倾斜大致45度的反射面的镜子311,则基于同轴照明的照明光(同轴照明光)在镜子311处反射,反射后的照明光相对于裸芯片D的侧面大致垂直地照射。并且,由裸芯片D的侧面所反射的光由镜子311反射,其反射光到达载台识别摄像头34。即,能够针对裸芯片D的四个侧面进行大致垂直照明及大致垂直拍摄。
接着,为了使第一实施方式更明确,使用图5至图7对侧面拍摄的问题点进行说明。
图5是表示比较例的中间载台中的同轴照明光的示意图。图6是表示使用了图5所示的同轴照明光的裸芯片的侧面图像的图。图7是表示理想照明下的裸芯片的侧面图像的图。
如图5所示,若镜子311a、311b的反射面的倾斜度(θ)相对于中间载台31的基座313的上表面呈45度,则由镜子311a反射的同轴照明光中的以虚线表示的一部分光未照射到裸芯片D的侧面Dsa,而是在裸芯片D的周围穿过而从水平方向照射到位于对面侧的镜子311b的反射面。未照射到裸芯片D的侧面Dsa上的光的一部分在镜子311b的反射面再次以45度反射,朝向载台识别摄像头34的方向。此外,基座313的上表面是与载台识别摄像头34的光学轴垂直的面。
未照射到裸芯片D的侧面Dsa上的光的一部分在观测侧面Dsa的相反侧的侧面DSb时成为使周围明亮的绕射光(透射光或者背面照明)。在为了清楚地拍摄裸芯片D的表面(侧面)而充分光量的光作为绕射光(回り込み光)起作用的情况下,绕射光的亮度相对于裸芯片D的表面(侧面)的表面反射光的亮度按照其反射率的倒数倍而变得明亮。因而,基本上成为光量过多的状态。
若在该状态下进行拍摄,则如图6所示,相对于裸芯片D的轮廓产生光的绕射,使轮廓部分产生渗出。裸芯片D的侧面检查进行侧面的伤痕、异物的检查,但也存在检查在切割时产生的破片(chipping)的目的。破片由于其产生工艺而主要在裸芯片侧面的轮廓部分产生。此时,若绕射光使得产生轮廓的渗出(滲み,模糊),则难以检测微细的破片。例如,虽然在图6所示的圆C内存在破片,但识别并不容易。本来在以同轴照明进行破片的检测的情况下,如图7所示,期望的是直到裸芯片D的侧面的轮廓部分为止都能以均匀的亮度观察到。若为该状态,则位于圆C内的成为凹部的破片能够被拍摄为暗部。
使用图8及图9对第一实施方式中的中间载台的结构进行说明。图8是表示第一实施方式的一形态的中间载台的图。图9是表示第一实施方式的另一形态的中间载台的图。
如图8所示,在第一实施方式的中间载台31中,将镜子311的反射面的倾斜度(θ)设为规定角度(θp)。即,使反射面的倾斜度(θ)相对于45度(°)稍微错开(例如,θp=45°-Δ)。在此,将Δ称为移位角度。由此,利用镜子311进行两次反射而朝向载台识别摄像头34的反射光产生“相对于45度而言的镜子311的位移角度(Δ)的4倍的倾斜”,不再由载台识别摄像头34拍摄。此外,镜子311的反射面相对于光学轴的倾斜度是(90°-θ)。因而,相对于光学轴的规定角度是(45°+Δ)。
此外,镜子311的反射面的倾斜角度只要从45度偏离即可,因此,如图9所示,也可以向与图8相反的一侧错开(θp=45°+δ)。另外,也可以是即使拍摄到相对置的镜子的像、也看不见位于其对面的同轴照明的发光面的角度。
使用图10对如图8所示使反射面的倾斜度(θ)相对于45度减小的情况下的拍摄图像进行说明。图10是镜子的反射面的三种角度下的裸芯片的拍摄图像。在图10中,示出有镜子311仅设有相对置的一组镜子311a、311b的情况。映现出裸芯片D的上表面、裸芯片D的两个侧面Dsa、DSb及台座312的两个侧面。
在镜子311a、311b的反射面的倾斜度(θ)是45度的情况下(θ=45°),除了由裸芯片D遮挡的部位之外,相对置的镜子311a、311b映现为发白。
在镜子311a、311b的反射面的倾斜度(θ)相对于45度以比恰当的角度小的角度倾斜的情况下(例如θ=45°-Δ/2),除了裸芯片D的上方及由裸芯片D遮挡的部位之外,相对置的镜子311a、311b映现为发白。
在镜子311a、311b的反射面的倾斜度(θ)相对于45度恰当地倾斜的情况下(θ=45°-Δ=θp),映现裸芯片D的侧面,但不映现相对置的镜子311a、311b(映现为发黑)。
如此,若减小镜子311的反射面的倾斜度,则不再映现相对置的镜子。此外,在该状态下,倾斜地映现裸芯片D,由此,能稍微看到裸芯片D的底面。
对于镜子311a和与其面对的镜子311b之间的距离“镜子间距离”、以及镜子311a、311b和与其面对的裸芯片D的侧面之间的距离“镜子与侧面间距离”,镜子间距离更大。因此,若逐渐减小镜子311的反射面的倾斜度,则能够在保持看得见裸芯片D的侧面的状态下使得看不见相对置的镜子。即,规定角度(θp)是能够拍摄裸芯片D的侧面的角度,且是在裸芯片D的周围通过的光不会到达载台识别摄像头34的角度。镜子311的反射面的倾斜是绕射光抑制单元(手段)。绕射光抑制单元是抑制由在裸芯片D的周围通过的光导致的、在裸芯片D的侧面轮廓产生的渗出的渗出抑制单元。
根据第一实施方式,具有一个或者多个下述效果。
(1)能够减少由裸芯片周边的绕射光导致的、在图像内的裸芯片侧面轮廓产生的渗出。
(2)能够使裸芯片侧面的破片的检测精度稳定化及高精度化。
(3)能够提高芯片贴装机组装的产品的精度、成品率。
<第一实施方式的变形例>
以下,例示几个第一个实施方式的代表性的变形例。在以下的变形例的说明中,对于具有与在上述的第一实施方式中说明的构成及功能同样的构成及功能的部分,能使用与上述的第一实施方式同样的附图标记。并且,对于该部分的说明,能够在技术上不矛盾的范围内适当引用上述的第一实施方式中的说明。另外,上述的实施例的一部分及多个变形例的全部或一部分能够在技术上不矛盾的范围内适当复合地应用。
(第一变形例)
使用图11至图13对第一变形例中的中间载台31进行说明。图11是表示第一实施方式的第一变形例中的中间载台的结构及透射光的光路的图。图12是图11所示的中间载台的俯视图。图13是表示图11所示的中间载台中的反射光的光路的图。
如图11所示,第一变形例中的中间载台31相对于实施方式中的中间载台31还具有偏振滤光片314a~314d。偏振滤光片314a~314d分别水平地设于镜子311a~311d之上。存在将偏振滤光片314a~314d统称为偏振滤光片314的情况。相对置的偏振滤光片314的偏振方向以90°不同。镜子311优选使用无偏振的镜子。
如图11所示,偏振滤光片314a的偏振方向与偏振滤光片314b的偏振方向以90°不同,因此,通过了偏振滤光片314a、镜子311a、镜子311b后的透射光无法通过偏振滤光片314b。同样地,通过了偏振滤光片314b、镜子311b、镜子311a后的透射光无法通过偏振滤光片314a。即,照明光无法通过偏振滤光片314a和偏振滤光片314b这两者。由此,能够防止由裸芯片D周边的绕射光导致的、在图像内的裸芯片侧面轮廓产生的渗出。偏振滤光片314是绕射光抑制单元。
此外,如图13所示,通过了偏振滤光片314a及镜子311a并由裸芯片D的右侧的侧面所反射的反射光能够经由镜子311a而通过偏振滤光片314a。同样地,通过了偏振滤光片314b及镜子311b并由裸芯片D的左侧的侧面所反射的反射光能够经由镜子311b而通过偏振滤光片314b。
此外,镜子311优选由棱镜构成。由此,易于设置偏振滤光片314。
(第二变形例)
使用图14至图16对第二变形例中的照明装置35进行说明。图14是表示第一实施方式的第二变形例中的、载台识别摄像头、照明装置及中间载台的图。图15是说明图14所示的面发光照明的照射区域的图。图16是表示图15所示的面发光照明的照明光所照射的区域的图。
第二变形例中的中间载台31是与图5所示的比较例中的中间载台同样的结构。第二变形例中的载台识别摄像头34是与实施方式中的载台识别摄像头34同样的结构。第二变形例中的照明装置35除了具有遮光板之外,是与实施方式中的照明装置35同样的结构。
按要拍摄的裸芯片D的每个侧面,将面发光照明351的照射区域切分开。例如,如图15所示,面发光照明351以“田字”状被分割成四部分,仅从四个区域351a~351d中的相邻的两个照射区域向裸芯片D照射照明光。并且,如图16所示那样切换区域351a~351d中的照明光所照射的区域。
通过在面发光照明351的半透半反镜352侧设置遮光板353、并使该遮光板353移动,而对区域351a~351d中的照明光所照射的区域进行切换。遮光板353是照射抑制单元。此外,也可以是,由配置成阵列状的LED构成面发光照明351,并利用LED的点亮/熄灭来切换照射区域;也可以是,由液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence)显示装置构成面发光照明351,并利用点亮/熄灭来切换照射区域。面发光照明351的熄灭区域是照射抑制单元。照射抑制单元是抑制由在裸芯片D的周围通过的光导致的、在裸芯片D的侧面轮廓产生的渗出的渗出抑制单元。
在拍摄与镜子311a相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图16的UPR所示,从区域351a、351d照射照明光。
在拍摄与镜子311b相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图16的LWR所示,从区域351b、351c照射照明光。
在拍摄与镜子311c相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图16的LFT所示,从区域351c、351d照射照明光。
在拍摄与镜子311d相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图16的RGT所示,从区域351a、351b照射照明光。
因而,裸芯片D的四个侧面的拍摄通过四次拍摄而进行。此外,在拍摄裸芯片D的上表面的情况下,从区域351a~351d的所有区域照射照明光。
(第三变形例)
在第二变形例中,对将面发光照明351的照射区域均等地分割为四部分的例子进行了说明,但区域351a~351D的分割只要存在需要区域,则也可以不是均等分割。
使用图17对第三变形例中的照明装置35进行说明。图17是说明第一实施方式的第三变形例中的面发光照明的照射区域的图。图18是表示图17所示的面发光照明的照明光所照射的区域的图。
第三变形例中的照明装置35除了面发光照明351之外,是与第一实施方式中的照明装置35同样的结构。
按要拍摄的裸芯片D的每个侧面,将发光照明351的照射区域切分开。例如,如图17所示,将面发光照明351一分为四成与每个镜子311a~311d相对应的区域,区域351e~351h分别向镜子311a~311d照射照明光。并且,如图18所示,切换区域351e~351h中的照明光所照射的区域。此外,区域351i、351j在侧面拍摄时不照射照明光,在上表面拍摄时照射照明光。
在拍摄与镜子311a相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图18的UPR所示,从区域351e照射照明光。
在拍摄与镜子311b相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图18的LWR所示,从区域351f照射照明光。
在拍摄与镜子311c相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图18的LFT所示,从区域351g照射照明光。
在拍摄与镜子311d相对置的裸芯片D的侧面的情况下,如图18的RGT所示,从区域351h照射照明光。
因而,裸芯片D的四个侧面的拍摄通过四次拍摄而进行。此外,在拍摄裸芯片D的上表面的情况下,从区域351e~351h的所有区域照射照明光。
[第二实施方式]
第二实施方式中的芯片贴装机除了中间载台部30之外,是与第一实施方式中的芯片贴装机同样的结构。
使用图19对第二实施方式中的中间载台部30的详细结构进行说明。图19是表示第二实施方式的芯片贴装机中的载台识别摄像头、照明装置及中间载台的示意图。
照明装置35是以相对于载台识别摄像头34的光学轴倾斜规定角度而向裸芯片D照射照明光OIL的方式设于裸芯片D上方的斜光照明。向裸芯片D的侧面照射照明光OIL,由裸芯片D的侧面所反射的光由镜子311反射,其反射光RL到达载台识别摄像头34。由此,能够对裸芯片D的侧面进行具有斜光照明的性质的暗视场方式的检查。在此,暗视场方式是使背景发暗并使想要观察的部分映照得明亮的方式。
在照明装置35中,作为凹凸面的异物、伤痕映照得比周围明亮,能够使异物、伤痕显现得发白。在此,伤痕例如是裂纹、划痕、破片等。在不区别异物和伤痕的情况下,在本说明书中,统称为异常。此外,在图19中示出有在裸芯片D的侧面存在异物FM及破片CH的例子。
如图1及图2所示,中间载台31具备四个镜子311、台座312和基座313。如图19所示,基座313具有至少在镜子311与台座312之间形成的照明部315。此外,在图19中,示出了中间载台31的一部分,例如仅示出了一个镜子311。照明装置35及照明部315与四个镜子311全部相对应地配置。例如,照明装置35由四个斜光杆照明构成。台座312在俯视时也可以是四边形状及八边形状等多边形状、圆形状、椭圆形状。台座312的载置裸芯片D的载置面312a构成为以比设置镜子311的基座313的上表面(载台面)313a高。
照明部315具有向基座313的上表面(载台面)313a侧扩散发光的照明发光面。在图19中,向位于裸芯片D的侧面下部的伤痕DF照射来自照明部315的扩散光DIL作为斜光照明光。并且,由位于裸芯片D的侧面下部的伤痕DF所反射的光由镜子311反射,其反射光RL到达载台识别摄像头34。
另外,在图19中,向位于裸芯片D的侧面上部的异物FM照射斜光照明光OIL。并且,由异物FM所反射的光由镜子311反射,其反射光RL到达载台识别摄像头34。
具有伤痕DF的裸芯片D视作不合格,但在异物FM的情况下,能够根据尺寸而视作合格品。例如,仅将异物FM的大小是规定值以上的裸芯片D设为不合格。通过该处理,能够改善成品率。不过,附着于裸芯片D侧面的异物FM大部分是纤维屑、DAF片,在图像内映出为线状或者高纵横比的斑点(blob)。因此,异物FM的形状性特征与伤痕DF相似,难以判别异物FM和伤痕DF。
使用图20及图21对异物FM和伤痕DF的判别方法进行说明。图20是说明图19所示的中间载台中的直接拍摄的概念图。图21是表示在图19所示的结构中拍摄到的图像例的图。
如上所述,来自照明装置35及照明部315的照明光OIL、DIL向裸芯片D的侧面照射,由裸芯片D的侧面的异物FM或者伤痕DF所反射的光由镜子311反射,其反射光RL由载台识别摄像头34拍摄,从而确认异物FM及伤痕DF的存在自身。即,载台识别摄像头34拍摄裸芯片D的侧面的映照在镜子311中的镜像MI。
异物FM相对于裸芯片D的侧面成为凸部,伤痕DF相对于裸芯片D的侧面成为凹部。此时,不是观察映照在镜子311中的镜像MI,而是利用载台识别摄像头34观察直视的区域。即,载台识别摄像头34除了镜像MI以外,还拍摄裸芯片D的上表面及裸芯片D的外侧周边(裸芯片D与镜子311之间)的区域的直接观测像DOI。
对于裸芯片D的外侧周边的区域,从裸芯片D的侧面来看大致从正旁边观测,因此无法观测凹部,仅能够观测凸部。如图20所示,作为凸部的异物FM将来自照明部315的照射光作为透射光而能够进行基于影子的轮廓检测。利用该性质,在直接观测的位置处能够检测出基于影子的轮廓的情况下,能够将在镜像MI中检测出的异常判别为异物FM;在并非如此的情况下,能够将在镜像MI中检测出的异常判别为伤痕DF。
例如,在图21的附图上的左侧的镜像MI中,异常AB1在裸芯片D的侧面映照得发白。在与该异常AB1相对应的直接观测像DOI中,异常AB1映照得发黑,检测出基于影子的轮廓。因而,该异常AB1被判断为异物FM。
另外,在图21的附图上的右侧的镜像MI的上侧,异常AB2在裸芯片D的侧面映照得发白。在与该异常AB2相对应的直接观测像DOI中,未映照出异常,未检测出基于影子的轮廓。因而,该异常AB2被判断为伤痕DF(破片CH)。
另外,在图21的附图上的右侧的镜像MI的下侧,异常AB3在裸芯片D的侧面映照得发白。在与该异常AB3相对应的直接观测像DOI中,异常AB3映照得发白,未检测出基于影子的轮廓。因而,该异常AB3被判断为伤痕DF(破片CH)。
接着,使用图22对该动作流程进行说明。图22是区别异物和伤痕而进行识别的表面检查的流程图。在以下的说明中,构成芯片贴装机1的各部分的动作由控制部80控制。
(放置裸芯片:步骤S11)
拾取头21将裸芯片D载置(放置:place)于中间载台31的台座312上。
(对准:步骤S12)
载台识别摄像头34拍摄裸芯片D,控制部80基于拍摄到的图像确认裸芯片D的姿势。在姿势存在偏离(水平面内的旋转偏离)的情况下,中间载台31以校正该偏离的方式使裸芯片D对准。
(各面检查:步骤S13)
载台识别摄像头34拍摄裸芯片D的各面(上表面及四个侧面),控制部80基于拍摄到的图像进行检查。各面既可以一并拍摄,也可以单独拍摄。
(异常判定:步骤S14)
控制部80判定在图21所示这样的镜像MI中是否存在异常。
(继续生产:步骤S15)
在没有异常的情况(否的情况)下,控制部80直接使生产继续(实施贴装工序)。
(异物/伤痕判别:步骤S16)
在存在异常的情况(是的情况)下,控制部80判别异常是异物FM还是伤痕DF。
(错误呼叫(error call)或者废弃:步骤S17)
在判别为异物是伤痕的情况(否的情况)下,控制部80不进行具有伤痕DF的裸芯片的贴装工序,进行舍弃具有伤痕DF的裸芯片的动作并废弃。然后,跳到下一裸芯片的拾取。或者,控制部80进行错误呼叫并停止生产。
(尺寸判定:步骤S18)
在判别为异常是异物FM的情况(是的情况)下,控制部80判定异物FM的大小是否为规定值以上。
(继续生产:步骤S19)
在判定为异物FM的大小不足规定值的情况(否的情况)下,控制部80直接使生产继续(实施贴装工序)。
在判定为异物FM的大小是规定值以上的情况(是的情况)下,转向步骤S17。
根据第二实施方式,具有下述的至少一个效果。
(a)能够检测裸芯片侧面的异物和伤痕,并且判别异物和伤痕。
(b)具有伤痕的裸芯片视作不合格,但在异物的情况下,能够根据其尺寸而视作合格品。即,能够更准确地进行基于裸芯片侧面的状态进行的产品的实质上的不良判定。由此,能够使成品率改善。
(c)能够以一次拍摄进行上述(a)、(b)的处理,能够高速地进行处理。
(d)能够以一次拍摄进行四个侧面的处理,能够高速地进行处理。
<第二实施方式的变形例>
以下,例示几个第二实施方式的代表性的变形例。在以下的变形例的说明中,对于具有与在上述的实施方式中进行了说明的构成及功能同样的构成及功能的部分,能够使用与上述的第二实施方式同样的附图标记。并且,对于该部分的说明,能够在技术上不矛盾的范围内适当引用上述的实施方式中的说明。另外,上述的实施例的一部分及多个变形例的全部或一部分能够在技术上不矛盾的范围内适当复合地应用。
(第一变形例)
使用图23对第一变形例中的中间载台及照明装置进行说明。图23是表示第二实施方式的第一变形例中的载台识别摄像头、照明装置及中间载台的示意图。
照明装置35配置于载台识别摄像头34与中间载台31之间。照明装置35是具备面发光照明(光源)351、半透半反镜352的同轴落射照明(同轴照明)。来自面发光照明351的照射光利用半透半反镜352而在与载台识别摄像头34相同的光轴上反射,并向中间载台31的拍摄对象物照射。在与载台识别摄像头34相同的光轴上照射到拍摄对象物的其散射光由拍摄对象物反射,其中的正反射光透射过半透半反镜352而到达载台识别摄像头34,形成拍摄对象物的影像。
若在中间载台31上设置具有相对于载台识别摄像头34的光轴倾斜大致45度的反射面的镜子311,则来自照明装置35的照明光CIL在镜子311处反射,反射后的照明光相对于裸芯片D的侧面大致垂直地照射。并且,由裸芯片D的侧面所反射的光由镜子311反射,其反射光RL到达载台识别摄像头34。即,能够针对裸芯片D的侧面进行大致垂直照明及大致垂直拍摄。能够进行具有同轴照明的性质的明视场方式的检查。在此,明视场方式是使背景明亮并使想要观察的部分映照得发暗的方式。
使用图23至图25对异物FM和伤痕DF的判别方法进行说明。图24是表示在图23所示的结构中拍摄到的图像例的图。图25是表示在图23所示的结构中拍摄到的另一图像例的图。
如图24及图25所示,在照明装置35中,作为凹凸面的异物FM、伤痕DF映照得比周围暗,能够使异物FM、伤痕DF显现得发黑。另外,如图25所示,通过将同轴照明用作透射光,能够利用影子对从裸芯片D的背面向下方突起的异物FM进行轮廓检测,能够拍摄成剪影状。
如图23所示,来自照明装置35的照射光CIL由镜子311反射而向裸芯片D的侧面照射,由裸芯片D的侧面的异物FM或者伤痕DF所反射的光由镜子311反射,其反射光RL由载台识别摄像头34拍摄,从而确认异物FM及伤痕DF的存在自身。即,载台识别摄像头34对裸芯片D的侧面的映照在镜子311中的镜像MI进行拍摄。
异物FM相对于裸芯片D的侧面成为凸部,伤痕DF相对于裸芯片D的侧面成为凹部。此时,不是观察映照在镜子311中的镜像MI,而是观察利用载台识别摄像头34直视的区域。即,载台识别摄像头34与实施方式同样地,除了拍摄镜像MI以外,还拍摄裸芯片D的上表面及裸芯片D的外侧周边(裸芯片D与镜子311之间)的区域的直接观测像DOI。
对于裸芯片D的外侧周边的区域,从裸芯片D的侧面来看从大致正旁边观测,因此,无法观测凹部,仅能够观测凸部。如图24所示,对于作为凸部的异物FM,能够将来自照明装置35的照射光作为裸芯片的背后照明光而进行基于明亮的轮廓检测。利用该性质,在直接观测的位置处检测到了基于明亮的轮廓的情况下,能够将在镜像MI中检测出的异常判别为异物FM;在并非如此的情况下,能够将在镜像MI中检测出的异常判别为伤痕DF。
(第二变形例)
在实施方式中,说明了在直接观测中,对于作为凸部的异物FM,将来自照明部315的照射光作为透射光而进行基于影子的轮廓检测的例子。第二变形例中的中间载台部是与实施方式同样的结构,但异物FM的检测方法与实施方式不同。
在第二变形例中,对于作为凸部的异物FM,与第一变形例同样地,在直接观测中,能够将来自照明装置35的照射光作为裸芯片的背后照明光而进行基于明亮的轮廓检测。在该情况下,控制部80使照明部315相对地变暗或熄灭(OFF)。在第二变形例中,利用该性质,在直接观测的位置处检测到了基于明亮的轮廓的情况下,能够将在镜像MI中检测出的异常判别为异物FM,在并非如此的情况下,能够将在镜像MI中检测的异常判别为伤痕DF。
(第三变形例)
在实施方式中,对在异物FM的大小是规定值以上的情况下视作不合格品的例子进行了说明。不过,若去除异物FM则能够作为合格品进行生产,因此,在第三变形例中,在将异常判别为异物FM的情况下,进行异物去除处理。使用图26对该动作流程进行说明。图26是第二实施方式的第三变形例中的区别异物和伤痕而进行识别的表面检查的流程图。
第三变形例中的步骤S11~S17进行与实施方式中的步骤S11~S17同样的动作。
(清洁:步骤S21)
于在步骤S16中判别为异常是异物FM的情况(是的情况)下,控制部80进行裸芯片D的清洁。在清洁中,将喷出或者吸引空气的喷嘴设于附近,进行异物FM的去除处理。
(再检查:步骤S22)
控制部80进行与步骤S13中的检查同样的检查。
(异常判定:步骤S23)
控制部80进行与步骤S14中的异常判定同样的异常判定。
(继续生产:步骤S24)
在没有异常的情况(否的情况)下,控制部80直接使生产继续(实施贴装工序)。在存在异物FM的情况(是的情况)下,控制部80转向步骤S17。
以上,基于实施方式(第一实施方式及第二实施方式)及它们的变形例具体地说明了由本申请发明人等完成的发明,但本公开并不限定于上述实施方式及变形例,自不待言能够进行各种改变。
例如,在实施方式中,对将镜子设于中间载台上并将裸芯片载置于镜子之间的例子进行了说明,但未必需要中间载台等载台。镜子只要设于与裸芯片的侧面相对置的位置即可。例如,也可以是,利用支柱等固定镜子,将由拾取头或者贴装头的筒夹固定的裸芯片搬送到该镜子之间而进行侧面检查。在该情况下,在第二实施方式中,使用斜光照明装置来替代照明部315。
在实施方式中,对如下芯片贴装机进行了说明:利用拾取头从裸芯片供给部拾取裸芯片并载置于中间载台,利用贴装头拾取载置于中间载台的裸芯片并贴装于基板,但也可以是,没有拾取头,利用贴装头拾取裸芯片供给部的裸芯片并载置于中间载台,利用贴装头拾取载置于中间载台的裸芯片并贴装于基板。
在实施方式中,在晶片的背面粘贴有DAF,但也可以没有DAF。
在实施方式中,使裸芯片的表面朝上进行贴装,但也可以在拾取裸芯片后使裸芯片的表背翻转并使裸芯片的背面朝上而进行贴装。该装置称为倒装芯片贴装机。
在实施方式中,对从裸芯片供给部的晶片拾取裸芯片的例子进行了说明,但也可以从托盘拾取裸芯片。
在实施方式中,以芯片贴装机为例进行了说明,但也能够应用于将电子零部件、半导体芯片配置于布线基板的芯片安装机(表面安装机)。
在第二实施方式中,对照明部315具有向基座313的上表面(载台面)313a侧扩散发光的照明发光面的例子进行了说明,但并不限定于此,照明部315也可以由导光板构成。另外,也可以是,在与实施方式的照明发光面(背面照明)相应的部分设置扩散反射的部件,从照明装置向该扩散反射的部件照射平行光,由此作为背面照明的替代。另外,也可以在与实施方式的照明发光面(背面照明)相应的部分设置荧光扩散片,从照明装置向该荧光扩散片照射紫外光。
另外,能够将某一实施方式的构成的一部分置换成其他实施方式或者其变形例的构成,另外,也能够在某一实施方式的结构中添加其他实施方式或者其变形例的构成。另外,对于各实施方式的构成的一部分,也能够进行其他构成的追加、删除、置换。
Claims (12)
1.一种安装装置,其特征在于,具备:
镜子,其以相对置的方式设置有至少一对;
拍摄装置,其以裸芯片及所述镜子的反射面位于视场内的方式设置;
照明装置,其沿着所述拍摄装置的光学轴照射照明光;以及
渗出抑制单元,其抑制由利用所述一对镜子中的一个镜子的反射面反射的光中的在所述裸芯片的周围通过的光导致的、在所述裸芯片的侧面轮廓产生的渗出。
2.根据权利要求1所述的安装装置,其中,
所述渗出抑制单元是绕射光抑制单元,该绕射光抑制单元使得由所述一对镜子中的一个镜子的反射面反射的光中的在所述裸芯片的周围通过的光不会到达所述拍摄装置。
3.根据权利要求2所述的安装装置,其特征在于,
所述绕射光抑制单元是以所述反射面相对于所述拍摄装置的所述光学轴倾斜比45度大的规定角度的方式设置的所述一对镜子,
所述规定角度是能够拍摄所述裸芯片的侧面的角度,且是在所述裸芯片的周围通过的光不会到达所述拍摄装置的角度。
4.根据权利要求2所述的安装装置,其特征在于,
所述绕射光抑制单元是以所述反射面相对于所述拍摄装置的所述光学轴倾斜比45度小的规定角度的方式设置的所述一对镜子,
所述规定角度是能够拍摄所述裸芯片的侧面的角度,且是在所述裸芯片的周围通过的光不会到达所述拍摄装置的角度。
5.根据权利要求2所述的安装装置,其特征在于,
所述绕射光抑制单元是设于所述一对镜子中的一个镜子之上的第一偏振滤光片以及设于所述一对镜子中的另一个镜子之上的第二偏振滤光片,
所述第一偏振滤光片的偏振方向与第二偏振滤光片的偏振方向以90度不同。
6.根据权利要求2所述的安装装置,其特征在于,
还具备载台,
在所述载台的上表面设置有所述一对镜子,
所述拍摄装置设于所述载台的上方,
所述载台具有所述绕射光抑制单元。
7.根据权利要求1所述的安装装置,其特征在于,
所述渗出抑制单元具有抑制向所述一对镜子中的一个镜子的反射面照射的光的照射抑制单元。
8.根据权利要求7所述的安装装置,其特征在于,
所述照明装置具备面发光照明,
所述照射抑制单元构成为,将所述面发光照明的照射区域分割成多个,从所述面发光照明的多个所述照射区域中的一个照射区域向所述裸芯片的一个侧面照射,不从其他照射区域向所述裸芯片的其他侧面照射。
9.根据权利要求8所述的安装装置,其特征在于,
所述照射抑制单元是遮光板,构成为通过使所述遮光板移动来切换所述面发光照明的照射区域。
10.根据权利要求8所述的安装装置,其特征在于,
所述照射抑制单元是所述面发光照明的熄灭区域,构成为通过改变所述面发光照明的点亮区域及熄灭区域来切换照射区域。
11.根据权利要求7所述的安装装置,其特征在于,
还具备载台,
在所述载台的上表面设置有所述一对镜子,
所述拍摄装置设于所述载台的上方,
所述载台具有所述照射抑制单元。
12.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,具有如下工序:
将晶片搬入安装装置的工序,所述安装装置具备以相对置的方式设置有至少一对的镜子、以裸芯片及所述镜子的反射面位于视场内的方式设置的拍摄装置、沿着所述拍摄装置的光学轴照射照明光的照明装置、和渗出抑制单元,该渗出抑制单元抑制由利用所述一对镜子中的一个镜子的反射面反射的光中的在所述裸芯片的周围通过的光导致的、在所述裸芯片的侧面轮廓产生的渗出;以及
利用所述拍摄装置拍摄所述裸芯片的侧面的工序。
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