JP5438165B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)主面が分割領域によって複数のチップ領域に区画され、前記チップ領域の各々に集積回路が形成され、裏面に粘着テープが貼付された半導体ウエハを用意する工程、
(b)前記分割領域に沿って前記半導体ウエハを切断して複数の半導体チップに分割し、前記複数の半導体チップを前記粘着テープで保持する工程、
(c)前記粘着テープで保持された前記複数の半導体チップのうち、前記粘着テープからの剥離対象となる第1の半導体チップの上面に第1の光源からの第1の照射光を上方から照射し、前記第1の半導体チップの前記上面からの第1の反射光を撮像手段によって受光し、前記第1の半導体チップの前記上面の第1の画像を取得する工程、
(d)前記(c)工程にて取得した前記第1の画像から前記第1の半導体チップの有無および前記第1の半導体チップが良品か否かを識別し、前記第1の画像から良品の前記第1の半導体チップの存在を確認した場合には、前記第1の半導体チップの前記上面を吸着コレットで吸着および保持することにより、前記第1の半導体チップを前記粘着テープから剥離する工程、
(e)前記(d)工程後、前記第1の半導体チップの前記上面を前記吸着コレットで吸着および保持しつつ、前記第1の半導体チップの下面をチップ実装領域にダイボンディングする工程。
前記鏡筒内には、前記第1の光源から発せされた前記第1の照射光を拡散させる第1の拡散板が配置され、
前記第1の照射光は、前記拡散板を通過した後に前記第1の半導体チップの前記上面に照射され、
前記第1の照射光および前記第1の反射光は、前記鏡筒内を進行する。
(a)主面が分割領域によって複数のチップ領域に区画され、前記チップ領域の各々に集積回路が形成され、裏面に粘着テープが貼付された半導体ウエハを用意する工程、
(b)前記分割領域に沿って前記半導体ウエハを切断して複数の半導体チップに分割し、前記複数の半導体チップを前記粘着テープで保持する工程、
(c)前記粘着テープで保持された前記複数の半導体チップのうち、前記粘着テープからの剥離対象となる第1の半導体チップの上面に第1の光源からの第1の照射光を上方から照射し、さらに平面で前記第1の半導体チップを挟むように配置された2つの第2の光源から前記第1の半導体チップの前記上面に第2の照射光を照射し、前記第1の半導体チップの前記上面からの第1の反射光を撮像手段によって受光し、前記第1の半導体チップの前記上面の第1の画像を取得する工程、
(d)前記(c)工程にて取得した前記第1の画像から前記第1の半導体チップの有無および前記第1の半導体チップが良品か否かを識別し、前記第1の画像から良品の前記第1の半導体チップの存在を確認した場合には、前記第1の半導体チップの前記上面を吸着コレットで吸着および保持することにより、前記第1の半導体チップを前記粘着テープから剥離する工程、
(e)前記(d)工程後、前記第1の半導体チップの前記上面を前記吸着コレットで吸着および保持しつつ、前記第1の半導体チップの下面をチップ実装領域にダイボンディングする工程。
(1)ダイシングテープ等の粘着テープに保持されている半導体チップを粘着テープから剥離してピックアップする際に、面発光照明を用い、さらにその面発光照明からの照射光を拡散板を透過させた後にピックアップ対象のチップの主面に照射し、その反射光を撮像手段によって受光することによってピックアップ対象のチップの主面の画像を取得するので、鮮明な画像を得ることができる。
(2)ダイシングテープ等の粘着テープに保持されている半導体チップを粘着テープから剥離してピックアップする際に、ピックアップ対象のチップの主面にローアングルで照射光を照射し、その反射光を撮像手段によって受光することによってピックアップ対象のチップの主面の画像を取得するので、鮮明な画像を得ることができる。
(3)ダイシングテープ等の粘着テープに保持されている半導体チップを粘着テープから剥離してピックアップする際に、平面でピックアップ対象のチップの四辺とそれぞれ対向するように4つの光源を配置し、その4つの光源のうちの選択されたものからピックアップ対象のチップの主面にローアングルで照射光を照射し、その反射光を撮像手段によって受光することによってピックアップ対象のチップの主面の画像を取得する。それにより、チップの主面のパターンの特徴が少ない場合でも、チップの主面の特徴を際立たせて抽出することができる。
本実施の形態1は、配線基板上にチップを実装する半導体パッケージの製造に適用したものであり、その製造方法を図1〜図32を用いて工程順に説明する。
次に、本実施の形態2について説明する。
次に、本実施の形態3について説明する。
次に、本実施の形態4について説明する。
次に、本実施の形態5について説明する。
次に、本実施の形態6について説明する。
1CA チップ形成領域(チップ領域)
1W ウエハ
3 バックグラインドテープ
4 ダイシングテープ(粘着テープ)
5 ウエハリング
6 ダイシングブレード
7 押さえ板
8 エキスパンドリング
11 配線基板(実装基板)
12、15 Auワイヤ
13、16 電極
14 第2のチップ
17 モールド樹脂
18 積層パッケージ
102 吸着駒
103 吸引口
104 溝
110A 第1のブロック
110B 第2のブロック
110C 第3のブロック
111A 第1の圧縮コイルばね
111B 第2の圧縮コイルばね
112 プッシャ
AL1〜AL4 弧状照明(第2の光源)
BH ボンディングヘッド
CAM1 カメラ(撮像手段)
DSL1 同軸スポット照明
DSL2、DSL3、DSL4、DSL5 同軸スポット照明(第2の光源)
FC1、FC2 基板カセット
HT XYテーブル
KB1 拡散板(第1の拡散板)
KB2、KB3 拡散板
KT1、KT2 鏡筒
P1〜P12 工程
P101〜P103 工程
P201〜P209 工程
PIC1 画像(第9の画像)
PIC2 画像(第1の画像)
PT1 パターン
PT2 パターン
PTAR1、PTAR2 領域
RL1 リング照明
S 隙間
SSL1 面発光照明(第1の光源、第1の面発光光源)
SSL2、SSL3、SSL4、SSL5 面発光照明(第2の光源)
TK1 ハーフミラー(半透過鏡)
WC ウエハカセット
Claims (6)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)主面が分割領域によって複数のチップ領域に区画され、前記チップ領域の各々に集積回路が形成され、裏面に粘着テープが貼付された半導体ウエハを用意する工程、
(b)前記分割領域に沿って前記半導体ウエハを複数の半導体チップに分割し、前記複数の半導体チップを前記粘着テープで保持する工程、
(c)前記粘着テープで保持された前記複数の半導体チップのうち、前記粘着テープからの剥離対象となる第1の半導体チップの上面に第1の光源からの第1の照射光を、前記第1の半導体チップの前記上面に対し10°〜60°の角度で照射し、前記第1の半導体チップの前記上面からの第1の反射光を撮像手段によって受光することにより、前記第1の半導体チップの前記上面の第1の画像を取得する工程、
前記(c)の工程はさらに以下の工程を含む、
(c−1)前記第1の画像から前記第1の半導体チップの有無を識別する工程、
(c−2)前記第1の画像から前記第1の半導体チップのピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する工程、
(c−3)前記位置ずれ量を基に前記半導体ウエハを移動させ、前記第1の半導体チップをピックアップ位置に配置する工程、
(c−4)前記第1の画像から前記第1の半導体チップが良品か否かを識別する工程、
(d)前記(c−4)工程にて良品の前記第1の半導体チップを確認した場合には、前記第1の画像から前記第1の半導体チップの前記上面を吸着コレットで吸着および保持することにより、前記第1の半導体チップを前記粘着テープから剥離する工程、
(e)前記(d)工程後、前記第1の半導体チップの前記上面を前記吸着コレットで吸着および保持しつつ、前記第1の半導体チップの下面をチップ実装領域にダイボンディングする工程、
前記(c−1)工程において、前記第1の半導体チップの有無の識別は、前記第1の画像中の第1パターンと、予め取得した前記第1パターンに対応する第2パターンとの一致率で判断し、前記一致率がしきい値より大きい場合は、前記第1の半導体チップが有と識別し、前記一致率がしきい値以下の場合は、前記第1の画像中に予め取得した第3パターンを認識すると、前記第1の半導体チップが無と識別し、前記(c)工程で、前記第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップの第2の画像を取得する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3パターンは、吸着駒のパターンである。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の半導体チップの厚さは100μm以下である。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の反射光は、前記第1の半導体チップの上部に位置する鏡筒内を進行して前記撮像手段に到達し、
前記鏡筒内には第2の照射光を発する第2の光源が配置され、
前記第2の照射光は、前記第1の半導体チップの前記上面に照射され、前記第1の半導体チップの前記上面からの第2の反射光は、前記撮像手段へ入射する。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程において、前記第1の半導体チップの位置が認識できなかった場合、前記第1の光源を点灯もしくは消灯する手段により、前記第1の半導体チップへの光の照射条件を変えて再度前記撮像手段によってピックアップ対象の前記第1の半導体チップの主面を撮影し、取得した画像から前記第1の半導体チップの前記ピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3パターンが認識されない場合は、前記(e)工程を中止する。
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