TW202247313A - 檢查方法、導電性構件及檢查裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之檢查方法具備：接觸步驟，其係使導電性膠帶與形成有複數個發光元件之樣品接觸；及第1量測步驟，其係於接觸步驟之後，在導電性膠帶與樣品接觸之狀態下，對樣品照射光，並量測樣品產生之發光。

Description

檢查方法、導電性構件及檢查裝置
本發明之一態樣係關於一種檢查方法、導電性構件及檢查裝置。
作為判定晶圓上形成之發光元件組之合格與不合格之方法，已知有觀察發光元件發出之光致發光，基於該光致發光之亮度來判定發光元件合格與否之方法(例如參照專利文獻1)。根據此種方法，例如與藉由探測(即基於電氣特性)來判定發光元件合格與否之方法相比，可有效率地檢測微細且數量多之發光元件。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-163857號公報
[發明所欲解決之問題]
此處，就如上所述之觀察光致發光之方法而言，雖然可檢測洩漏不良，但無法適當地檢測接觸不良(開路不良、高電阻不良、高閾值不良)。因此，就如上所述之觀察光致發光之方法而言，因無洩漏不良而被判定為合格品之發光元件中有時會包含不合格品(接觸不良之發光元件)，可能導致無法適當地執行發光元件之合格與否判定。
本發明之一態樣係鑒於上述實情而完成，其目的在於，於藉由觀察光致發光來執行發光元件之合格與否判定之方法中，適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之檢查方法具備：接觸步驟，其係使導電性構件與形成有複數個發光元件之測定對象物接觸；及第1量測步驟，其係於接觸步驟之後，在導電性構件與測定對象物接觸之狀態下，對測定對象物照射光，量測由測定對象物產生之發光。
根據本發明之一態樣之檢查方法，於形成有複數個發光元件之測定對象物與導電性構件接觸之狀態下，對測定對象物照射光並量測自測定對象物發出之光。此處，導電性構件與測定對象物接觸之狀態係指各發光元件短路之狀態，故合格品之發光元件難以發生載子之再結合，而發光亮度變小。另一方面，接觸不良之發光元件即便處於導電性構件與測定對象物接觸之狀態(各發光元件短路之狀態)下，發光元件之內部亦活躍地發生載子之再結合，因此，與合格品之發光元件相比，發光亮度變大。如此，導電性構件與測定對象物接觸之狀態下自測定對象物發出之光的亮度根據有無接觸不良而產生差異。因此，藉由如本發明之一態樣之檢查方法般，於導電性構件與測定對象物接觸之狀態下，對測定對象物照射光並量測自測定對象物發出之光，而可基於測得之發光之亮度來區分非接觸不良之發光元件與接觸不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
上述檢查方法亦可進而具備第2量測步驟，該第2量測步驟係於導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下，對測定對象物照射光，量測由測定對象物產生之發光。導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下自測定對象物發出之光的亮度根據有無洩漏不良而產生差異。因此，藉由於導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下，對測定對象物照射光後量測自測定對象物發出之發光，而可基於測得之發光之亮度來區分非洩漏不良之發光元件與洩漏不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之洩漏不良。
上述檢查方法亦可進而具備判別步驟，該判別步驟係基於藉由如下方法獲取之特定結果而判別發光元件之合格品與不合格品，上述方法係基於第1量測步驟之量測結果而特定出接觸不良之發光元件，並且基於第2量測步驟之量測結果而特定出洩漏不良之發光元件。根據此種構成，可適當地檢測出接觸不良之發光元件及洩漏不良之發光元件作為不合格品，從而可提高發光元件之合格與否判定精度。
於接觸步驟中，亦可於測定對象物貼附導電性構件。藉此，可於使導電性構件與測定對象物穩定地接觸之狀態下，實施第1量測步驟。
上述檢查方法亦可進而具備特定步驟，該特定步驟係基於藉由對測定對象物照射光並量測來自測定對象物之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之測定對象物之設計資料，而特定出反射像中之與測定對象物之各發光元件對應之位置。藉此，可於量測發光時判定是自設計資料上之哪一發光元件發出之光。
本發明之一態樣之導電性構件係上述檢查方法中所使用之導電性構件，且構成為可與測定對象物接觸。根據此種導電性構件，可適當地實施上述檢查方法，適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
上述導電性構件亦可構成為能貼附於測定對象物。此種導電性構件可與測定對象物穩定地接觸，故可更佳地實施與接觸不良相關之檢查。
本發明之一態樣之檢查裝置具備：光照射部，其對形成有複數個發光元件之測定對象物照射光；光量測部，其對測定對象物相應於由光照射部照射之光而產生之發光進行量測；及處理部，其輸出光量測部之量測結果；且處理部輸出在導電性構件與測定對象物接觸之狀態下由光量測部進行之量測結果。如上所述，於導電性構件與測定對象物接觸之狀態下自測定對象物發出之光的亮度根據有無接觸不良而產生差異。因此，藉由如本發明之一態樣之檢查裝置般，輸出導電性構件與測定對象物接觸之狀態下之光量測部之量測結果，可基於測得之發光之亮度來區分非接觸不良之發光元件與接觸不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
處理部亦可進而輸出在導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下由光量測部進行之量測結果。如上所述，導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下自測定對象物發出之光的亮度根據有無洩漏不良而產生差異。因此，藉由輸出導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下之光量測部之量測結果，可基於測得之發光之亮度來區分非洩漏不良之發光元件與洩漏不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之洩漏不良。
處理部亦可基於藉由如下方法獲取之特定結果而判別發光元件之合格與否及不合格品，上述方法係根據在導電性構件與測定對象物接觸之狀態下由光量測部進行之量測結果，特定出接觸不良之發光元件，並且根據在導電性構件未與測定對象物接觸之狀態下由光量測部進行之量測結果，特定出洩漏不良之發光元件。根據此種構成，可適當地檢測出接觸不良之發光元件及洩漏不良之發光元件作為不合格品，提高發光元件之合格與否判定精度。
於上述檢查裝置中，亦可在導電性構件與測定對象物接觸之狀態下，導電性構件貼附於測定對象物。藉此，可於使導電性構件與測定對象物穩定地接觸之狀態下，實施與接觸不良相關之檢查。
光量測部亦可進而對與由光照射部照射之光相應之來自測定對象物之反射光進行量測，處理部亦可基於藉由在光量測部中量測反射光而獲得之反射像、及預先獲取之測定對象物之設計資料，特定出反射像中之與測定對象物之各發光元件對應之位置。藉此，可於量測發光時判定是自設計資料上之哪一發光元件發出之光。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，可適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行詳細說明。再者，對各圖中相同或相當之部分附上相同符號，省略重複之說明。
圖1係本實施方式之檢查裝置1之構成圖。檢查裝置1係檢查樣品S(測定對象物)之裝置。樣品S係例如於晶圓上形成有複數個發光元件之半導體器件。發光元件係例如LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、迷你(mini)LED、μLED、SLD(Super Luminescent Diode，超發光二極體)元件、雷射元件、垂直型雷射元件(VCSEL)等。檢查裝置1係藉由針對樣品S中形成之複數個發光元件之各者觀察光致發光(具體而言為螢光)，來判定該發光元件為符合接觸不良或洩漏不良之不合格品，抑或為合格品。再者，關於此種發光元件之檢查，例如亦考慮到藉由探測(即基於電氣特性)來進行。然而，例如對於μLED等微細之LED，用針接觸來進行量測之探測物理上較為困難。關於此點，本實施方式之基於光致發光之發光元件之檢查方法可藉由獲取螢光圖像而進行檢查，故可不受限於物理上之限制，可有效率地檢查大量發光元件。
如圖1所示，檢查裝置1具備吸盤11、XY載台12、激發光源20(光照射部)、光學系統30、分色鏡40、物鏡51、Z載台52、成像透鏡72、相機82(光量測部)、暗箱90、控制裝置100(處理部)及監視器110。暗箱90收容有上述構成中之例如除控制裝置100及監視器110以外之構成，該暗箱90被設置用來避免外部之光對所收容之各構成造成影響。再者，暗箱90中收容之各構成亦可搭載於除振台之上，該除振台用於提高相機82所拍攝之圖像之質量(提高畫質及防止圖像之位置偏移)。
吸盤11係保持樣品S之保持構件。吸盤11係例如藉由真空吸附樣品S之晶圓，而保持樣品S。XY載台12係使保持有樣品S之吸盤11於XY方向(前後、左右方向)上，即於沿著吸盤11上之樣品S之載置面之方向上移動的載台。XY載台12係根據控制裝置100之控制，以使複數個發光元件之各者依次成為激發光之照射區域之方式，使吸盤11於XY方向上移動。再者，檢查裝置1亦可進而具備旋轉載台(Θ載台，未圖示)。此種旋轉載台例如可設置於XY載台12之上且吸盤11之下，亦可與XY載台12一體地設置。旋轉載台用於使樣品S之垂直/水平位置高精度地對準。藉由設置旋轉載台，可縮短位置對準等之時間，而可縮短資料處理之總時間。
激發光源20係產生對樣品S照射之激發光，並將該激發光照射至樣品S之光照射部。激發光源20只要是可產生包含使樣品S之發光元件激發之波長之光的光源即可，例如為LED、雷射、鹵素燈、水銀燈、D2燈(Deuterium lamp，氘燈)、電漿光源等。再者，檢查裝置1亦可進而具備監視照明亮度之感測器，以使自激發光源20出射之激發光之亮度保持固定。又，為了儘可能減少渾渲，亦可於自激發光源20出射激發光之位置使用擴散板或複眼透鏡等使亮度分佈均勻化。
光學系統30包含光纖纜線31及導光透鏡32而構成。光纖纜線31係連接於激發光源20之導光用光纖纜線。作為光纖纜線31，例如可使用偏振保持光纖(Polarization Maintaining Fiber)或單模光纖等。導光透鏡32係例如單獨或複合之凸透鏡，將經由光纖纜線31而到達之激發光朝分色鏡40方向引導。再者，為了防止自激發光源20出射之激發光之波長發生經時變化，檢查裝置1亦可於激發光源20與分色鏡40之間具備帶通濾波器(未圖示)。
分色鏡40係使用特殊之光學素材而製成之鏡片，其將特定波長之光反射，並且使其他波長之光透過。具體而言，分色鏡40構成為將激發光朝物鏡51方向反射，並且使作為與激發光為不同波長頻帶之光的來自發光元件之光致發光(詳細而言為螢光)朝成像透鏡72方向透射。再者，激發光之正常發光光譜區域可較螢光之正常發光光譜(正常螢光光譜)區域更靠低波長側。即，分色鏡40將作為低波長頻帶之光之激發光朝物鏡51方向反射，並且使與激發光相比為高波長頻帶之光之螢光朝成像透鏡72方向透射。
物鏡51係用以觀察樣品S之構成，使經分色鏡40引導之激發光聚光於樣品S。Z載台52係使物鏡51於Z方向(上下方向)、即與吸盤11上之樣品S之載置面交叉之方向上移動而進行聚焦調整。
成像透鏡72係使透過分色鏡40之發光元件之螢光成像，而將該螢光引導至相機82之透鏡。相機82拍攝發光元件之螢光。即，相機82拍攝樣品S相應於由激發光源20照射之激發光而產生之發光(螢光)，而進行量測。相機82對藉由成像透鏡72而成像之圖像進行檢測。相機82將攝像結果即PL像(螢光圖像)輸出至控制裝置100。相機82係例如CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)等區域影像感測器。又，相機82亦可由線感測器或TDI(Time Delay Integration，時間延遲積分)感測器構成。再者，如下所述，相機82亦對與藉由激發光源20照射至樣品S之激發光相應之來自樣品S之反射光進行拍攝(量測)。
控制裝置100控制XY載台12、激發光源20、Z載台52、及相機82。具體而言，控制裝置100係藉由控制XY載台12而調整激發光之照射區域(樣品S之照射區域)。控制裝置100係藉由控制Z載台52而進行與激發光相關之聚焦調整。控制裝置100係藉由控制激發光源20而進行激發光之出射調整及激發光之波長及振幅等之調整。控制裝置100係藉由控制相機82而進行與螢光圖像之獲取相關之調整。又，控制裝置100係基於由相機82拍攝到之螢光圖像，而執行發光元件之合格與否判定(詳細情況將於下文進行敍述)。再者，控制裝置100係電腦，物理上具備RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)等記憶體、CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等處理器(運算電路)、通信介面、硬碟等儲存部而構成。作為該控制裝置100，例如可例舉個人電腦、雲伺服器、智慧型器件(智慧型手機、平板終端等)等。控制裝置100係藉由利用電腦系統之CPU執行記憶體中儲存之程式而發揮功能。監視器110係顯示量測結果即PL像(螢光圖像)等之顯示裝置。
其次，對與發光元件之合格與否判定相關之檢查方法之詳細情況進行說明。
本檢查方法包含接觸步驟、第1量測步驟、第2量測步驟、判別步驟及特定步驟。第1量測步驟(及於第1量測步驟之前實施之接觸步驟)可於第2量測步驟之前實施，亦可於第2量測步驟之後實施。判別步驟於第1量測步驟及第2量測步驟之後實施。特定步驟係於第1量測步驟(及於第1量測步驟之前實施之接觸步驟)實施前及第2量測步驟實施前，分別實施。
接觸步驟係使作為導電性構件之片狀之導電性膠帶15與形成有複數個發光元件之樣品S接觸之步驟。導電性膠帶15構成為可與樣品S接觸。更詳細而言，導電性膠帶15構成為可貼附於樣品S。於接觸步驟中，將導電性膠帶15貼附於樣品S。即，於導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下，將導電性膠帶15貼附於樣品S。
導電性膠帶15例如貼附於樣品S之形成有發光元件之面即器件正面。導電性膠帶15並非貼附於器件正面之整個面，只要貼附於器件正面之至少一部分即可。導電性膠帶15亦可為例如於作為後續工序之樣品S之切割工序中用以固定樣品S之黏著膠帶，且為具有導電性之導電性切割保護膠帶。如圖1所示，樣品S於接觸步驟後，以如下方式配置，即，將貼附有導電性膠帶15之器件正面作為吸附於吸盤11之面，其相反面即背面成為激發光之照射面。再者，若藉由吸盤11來吸附導電性膠帶15，則導電性膠帶15可能會自樣品S剝離。因此，吸盤11之吸附區域亦可為樣品S之器件正面之未貼附有導電性膠帶15之區域。即，例如於使導電性膠帶15位於樣品S之器件正面之中央部之情形時，亦可將器件正面之周緣部(未貼附有導電性膠帶15之區域)作為吸附區域。本實施方式中說明了導電性構件為導電性膠帶15，但導電性構件亦可為並非膠帶之片狀構件(未貼附而僅與樣品S接觸之構件)，還可為並非片狀之構件。又，於吸盤11本身具有導電性之情形時，該吸盤11亦可作為導電性構件發揮功能。又，作為導電性構件發揮功能之導電層可預先形成於樣品S之正面。
第1量測步驟係如下步驟，即，於接觸步驟之後，在導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射激發光，量測樣品S產生之發光。第1量測步驟係與接觸不良之發光元件之檢測相關之量測步驟(詳細情況將於下文進行敍述)。於第1量測步驟中，在如圖1所示將樣品S配置於吸盤11上之狀態下，對樣品S之背面照射自激發光源20出射之激發光。繼而，樣品S相應於激發光而產生之發光透過分色鏡40，藉由成像透鏡72而成像，於相機82中作為PL像而被加以檢測(量測)。繼而，控制裝置100輸出導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之相機82之檢測(量測)結果，以用於下述判別步驟。
第2量測步驟係如下步驟，即，於導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射激發光，量測樣品S產生之發光。第2量測步驟係與洩漏不良之發光元件之檢測相關之量測步驟(詳細情況將於下文進行敍述)。第2量測步驟中，例如於樣品S配置於吸盤11上之狀態下，自激發光源20出射之激發光照射至樣品S之器件正面。如此，於第1量測步驟中將樣品S之背面作為照射面，但於第2量測步驟中將樣品S之器件正面作為照射面。繼而，樣品S相應於激發光而產生之發光透過分色鏡40，藉由成像透鏡72而成像，於相機82中作為PL像而被加以檢測(量測)。繼而，控制裝置100輸出導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之相機82之檢測(量測)結果，以用於下述判別步驟。
特定步驟係於第1量測步驟及第2量測步驟實施前分別實施，而調整發光元件之對準之步驟。於特定步驟中，基於對樣品S照射光並量測來自樣品S之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之樣品S之設計資料，特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置(調整發光元件之對準)。於第1量測步驟實施前之特定步驟中，自激發光源20出射之光照射至樣品S之背面，於相機82中檢測其反射光而獲取反射像(參照圖2之左下圖)。於第2量測步驟實施前之特定步驟中，自激發光源20出射之光照射至樣品S之器件正面，於相機82中檢測其反射光而獲取反射像(參照圖2之左上圖)。如圖2之左下圖及左上圖所示，反射像顯示出與各發光元件200及各電極300對應之像。繼而，例如控制裝置100藉由核對反射像與樣品S之設計資料，而特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置。此處之設計資料至少顯示出樣品S之各發光元件及電極之狀態(位置、形狀等)。如此，於第1量測步驟及第2量測步驟之前，特定出樣品S之各發光元件位於獲取圖像之哪一位置，藉此，可特定出第1量測步驟及第2量測步驟中所獲取之PL像之各位置對應於哪一發光元件。再者，如上所述，於第1量測步驟前之特定步驟與第2量測步驟前之特定步驟中，所觀察之反射像之面不同，故於要特定出PL像之各位置對應於哪一發光元件時，必須於2個反射像間核對(轉換)位址。
判別步驟由控制裝置100實施。於判別步驟中，控制裝置100基於第1量測步驟中之量測結果(導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果)而特定出接觸不良之發光元件，並且基於第2量測步驟中之量測結果(導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果)而特定出洩漏不良之發光元件，基於特定結果而判別發光元件之合格品與不合格品。
對接觸不良之特定進行說明。作為第1量測步驟之實施狀態之導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態，係指各發光元件短路之狀態。因此，合格品之發光元件不易發生載子之再結合，發光亮度相對變小。另一方面，關於接觸不良之發光元件，即便於導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態(各發光元件短路之狀態)下，發光元件之內部亦活躍地發生載子之再結合，故與合格品之發光元件相比，發光亮度變大。如此，於第1量測步驟中量測之各發光元件之發光的亮度根據有無接觸不良而產生差異。控制裝置100特定出PL像中之各發光元件之亮度，並基於該亮度而特定出接觸不良之發光元件。圖2之右下方之PL像中，僅某發光元件200z之亮度較其他發光元件之亮度大。此種情形時，控制裝置100將該發光元件200z特定為接觸不良之發光元件。控制裝置100產生並輸出界定了接觸不良之發光元件之位址的接觸不良映射圖。
對洩漏不良之特定進行說明。關於作為第2量測步驟之實施狀態之導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之來自發光元件的發光，洩漏不良(短路不良)之發光元件之發光亮度與合格品之發光元件相比極小。控制裝置100特定出PL像中之各發光元件之亮度，基於該亮度而特定出洩漏不良之發光元件。圖2之右上方之PL像中，僅某發光元件200x之亮度與其他發光元件之亮度相比極小。此種情形時，控制裝置100將該發光元件200x特定為洩漏不良之發光元件。控制裝置100產生並輸出界定了洩漏不良之發光元件之位址之洩漏不良映射圖。
繼而，控制裝置100基於接觸不良映射圖及洩漏不良映射圖，特定出合格品之發光元件，並輸出該合格品之發光元件之位址。即，控制裝置100藉由導出接觸不良映射圖及洩漏不良映射圖之互斥或，而特定出非接觸不良且非洩漏不良之發光元件，將該發光元件判別為合格品，將除此以外之發光元件判別為不合格品，輸出合格品之發光元件之位址。藉此，避免於之後之處理中使用不合格品之發光元件，而可提高利用了發光元件之面板等之品質。又，可基於接觸不良映射圖及洩漏不良映射圖，製成預先進行雷射舉離等而去除了不良發光元件之晶圓。再者，控制裝置100亦可將合格品之發光元件與不合格品之發光元件加以區分，輸出各自之位址。又，控制裝置100亦可將接觸不良之發光元件與洩漏不良之發光元件加以區分，輸出各自之位址。
其次，參照圖3，對檢查方法之步序進行說明。圖3係表示檢查方法之步序之流程圖。再者，圖3所示之步序為一例，例如亦可先於步驟S1～步驟S3之處理組(與洩漏不良檢測相關之處理組)而實施步驟S4～步驟S8之處理組(與接觸不良檢測相關之處理組)。但是，於此情形時，在與接觸不良檢測相關之處理組結束後，且與洩漏不良檢測相關之處理組開始之前，必須實施步驟S10之剝離、洗淨作業(詳細情況將於下文進行敍述)。
如圖3所示，作為與洩漏不良檢測相關之處理組(步驟S1～步驟S3)之最初之處理，實施基於圖案影像(反射像)調整發光元件之對準之處理(步驟S1：特定步驟)。詳細而言，基於藉由對樣品S照射光並量測來自樣品S之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之樣品S之設計資料，而特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置。
隨後，於導電性膠帶15未與樣品S接觸之非接觸狀態下，對樣品S照射激發光，量測樣品S產生之發光(步驟S2：第2量測步驟)。第2量測步驟中，例如於將樣品S配置在吸盤11上之狀態下，自激發光源20出射之激發光照射至樣品S之器件正面。
隨後，特定出於步驟S2中獲得之PL像中之各發光元件之亮度，基於該亮度而特定出洩漏不良之發光元件，產生並輸出界定了洩漏不良之發光元件之位址之洩漏不良映射圖(步驟S3：判別步驟)。於步驟S3中，控制裝置100將相比其他發光元件而言亮度極小之發光元件特定為洩漏不良之發光元件。
隨後，作為與接觸不良檢測相關之處理組(步驟S4～步驟S8)之最初之處理，實施於樣品S之器件正面接著(貼附)導電性膠帶15之處理(步驟S4：接觸步驟)。接著作業可於大氣壓下或真空狀態之任一狀態下實施，於後者之情形時，例如亦可於腔室內配置樣品S，在真空狀態下於器件正面接著導電性膠帶15。隨後，實施導電性膠帶之密接作業(加壓/烘乾等處理)(步驟S5)。
隨後，實施基於圖案影像(反射像)而調整發光元件之對準之處理(步驟S6：特定步驟)。詳細而言，基於藉由對樣品S照射光並量測來自樣品S之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之樣品S之設計資料，特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置。
隨後，在導電性膠帶15與樣品S接觸之非接觸狀態下，對樣品S照射激發光，量測樣品S產生之發光(步驟S7：第1量測步驟)。於第1量測步驟中，例如於將樣品S配置在吸盤11上之狀態下，對樣品S之背面照射自激發光源20出射之激發光。
隨後，特定出在步驟S7中獲得之PL像中之各發光元件之亮度，基於該亮度而特定出接觸不良之發光元件，產生並輸出界定了接觸不良之發光元件之位址之接觸不良映射圖(步驟S8：判別步驟)。於步驟S8中，控制裝置100將相比其他發光元件而言亮度較大之發光元件特定為洩漏不良之發光元件。
隨後，基於接觸不良映射圖及洩漏不良映射圖，特定出合格品之發光元件，並輸出該合格品之發光元件之位址(步驟S9：判別步驟)。
最後，實施剝離、洗淨作業(步驟S10)。剝離作業係將導電性膠帶15自樣品S之器件正面剝離之作業。剝離方法根據導電性膠帶15之接著方法而不同，例如亦可採用對導電性膠帶15照射UV(Ultraviolet，紫外線)等之剝離方法。洗淨作業係將剝離後之樣品S之接著面洗淨之作業。洗淨方法例如亦可採用丙酮等之有機洗淨、及用以將有機物溶解、剝離之鹼洗淨。又，於LED等發光元件之電極材料為例如ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)等導電性氧化物之情形時，使用了酸之洗淨或使用了O 2電漿之有機物去除亦有效。
以上已說明本發明之實施方式及變化例，但本發明未必限定於上述實施方式及變化例，可於不脫離其主旨之範圍內實施各種變更。
例如，作為導電性構件，亦可為使液狀之導電性材料於樣品S之器件正面成膜而得之導電膜。導電膜例如亦可為將樣品S配置於旋轉塗佈機，藉由旋轉塗佈而成膜者。又，導電膜亦可為將樣品S配置於噴霧塗佈機，藉由噴霧塗佈而成膜者。對於導電膜，亦可使用例如水溶性之有機膜。於此情形時，藉由在剝離作業中進行水洗淨，可容易地去除。
其次，對本實施方式之檢查方法、導電性膠帶15、及檢查裝置1之作用效果進行說明。
本實施方式之檢查方法具備：接觸步驟，其係使導電性膠帶15與形成有複數個發光元件之樣品S接觸；及第1量測步驟，其係於接觸步驟之後，在導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射光，並量測樣品S產生之發光。
根據本實施方式之檢查方法，於導電性膠帶15與形成有複數個發光元件之樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射光並量測來自樣品S之發光。此處，導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態係指各發光元件短路之狀態，故合格品之發光元件不易發生載子之再結合，發光亮度變小。另一方面，接觸不良之發光元件則是即便在導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態(各發光元件短路之狀態)下，發光元件之內部亦活躍地發生載子之再結合，故與合格品之發光元件相比，發光亮度變大。如此，在導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下來自樣品S之發光的亮度，會因有無接觸不良而產生差異。因此，藉由如本實施方式之檢查方法般，於導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射光並量測來自樣品S之發光，可基於測得之發光之亮度來區分非接觸不良之發光元件與接觸不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
上述檢查方法亦可進而具備第2量測步驟，該第2量測步驟係於導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下，對樣品S照射光，並量測樣品S產生之發光。導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之來自樣品S之發光的亮度根據有無洩漏不良而產生差異。因此，藉由於導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下，量測對樣品S照射光後之來自樣品S之發光，可基於測得之發光之亮度來區分非洩漏不良之發光元件與洩漏不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之洩漏不良。
上述檢查方法亦可進而具備判別步驟，該判別步驟係基於第1量測步驟之量測結果而特定出接觸不良之發光元件，並且基於第2量測步驟中之量測結果而特定出洩漏不良之發光元件，基於特定結果而判別發光元件之合格品與不合格品。根據此種構成，可適當地檢測接觸不良之發光元件及洩漏不良之發光元件作為不合格品，從而可提高發光元件之合格與否判定精度。
於接觸步驟中，亦可於樣品S貼附導電性膠帶15。藉此，可於使導電性膠帶15與樣品S穩定地接觸之狀態下，實施第1量測步驟。
上述檢查方法亦可進而具備特定步驟，該特定步驟係基於藉由對樣品S照射光並量測來自樣品S之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之樣品S之設計資料，而特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置。藉此，可於量測發光時判定是自設計資料上之哪一發光元件發出之光。
本實施方式之導電性膠帶15係上述檢查方法中所使用之導電性構件，構成為可與樣品S接觸。根據此種導電性膠帶15，可適當地實施上述檢查方法，適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
上述導電性膠帶15亦可構成為可貼附於樣品S。此種導電性膠帶15可與樣品S穩定地接觸，故可更佳地實施與接觸不良相關之檢查。
本實施方式之檢查裝置1具備：激發光源20，其對形成有複數個發光元件之樣品S照射光；相機82，其量測樣品S相應於由激發光源20照射之光而產生之發光；及控制裝置100，其輸出相機82之量測結果；控制裝置100輸出導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果。如上所述，導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之來自樣品S之發光的亮度根據有無接觸不良而產生差異。因此，藉由如本實施方式之檢查裝置1般，輸出導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果，可基於測得之發光之亮度來區分非接觸不良之發光元件與接觸不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之接觸不良，提高發光元件之合格與否判定精度。
控制裝置100亦可進而輸出導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果。如上所述，導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之來自樣品S之發光的亮度根據有無洩漏不良而產生差異。因此，藉由輸出導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果，可基於測得之發光之亮度來區分非洩漏不良之發光元件與洩漏不良之發光元件。藉此，可適當地檢測發光元件之洩漏不良。
控制裝置100亦可根據導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果，特定出接觸不良之發光元件，並且根據導電性膠帶15未與樣品S接觸之狀態下之相機82之量測結果，特定出洩漏不良之發光元件，基於特定結果而判別發光元件之合格與否及不合格品。根據此種構成，可適當地檢測接觸不良之發光元件及洩漏不良之發光元件作為不合格品，從而可提高發光元件之合格與否判定精度。
於上述檢查裝置1中，亦可在導電性膠帶15與樣品S接觸之狀態下，將導電性膠帶15貼附於樣品S。藉此，可於使導電性膠帶15與樣品S穩定地接觸之狀態下，實施與接觸不良相關之檢查。
相機82亦可進而量測與藉由激發光源20照射之光相應之來自樣品S之反射光，控制裝置100基於藉由在相機82中量測反射光而獲得之反射像、及預先獲取之樣品S之設計資料，而特定出反射像中之與樣品S之各發光元件對應之位置。藉此，可於量測發光時判定是自設計資料上之哪一發光元件發出之光。
1:檢查裝置 11:吸盤 12:XY載台 15:導電性膠帶(導電性構件) 20:激發光源(光照射部) 30:光學系統 31:光纖纜線 32:導光透鏡 40:分色鏡 51:物鏡 52:Z載台 72:成像透鏡 82:相機(光量測部) 90:暗箱 100:控制裝置(處理部) 110:監視器 200:發光元件 200x:發光元件 200z:發光元件 300:電極 S:樣品
圖1係本發明之實施方式之檢查裝置之構成圖。 圖2係表示PL(Photoluminescence，光致發光)像中之短路不良及接觸不良之圖。 圖3係表示檢查方法之步序之流程圖。
1:檢查裝置
11:吸盤
12:XY載台
15:導電性膠帶(導電性構件)
20:激發光源(光照射部)
30:光學系統
31:光纖纜線
32:導光透鏡
40:分色鏡
51:物鏡
52:Z載台
72:成像透鏡
82:相機(光量測部)
90:暗箱
100:控制裝置(處理部)
110:監視器
S:樣品

Claims (12)

  1. 一種檢查方法，其具備： 接觸步驟，其係使導電性構件與形成有複數個發光元件之測定對象物接觸； 第1量測步驟，其係於上述接觸步驟之後，在上述導電性構件與上述測定對象物接觸之狀態下，對上述測定對象物照射光，並量測上述測定對象物產生之發光。
  2. 如請求項1之檢查方法，其進而具備第2量測步驟，該第2量測步驟係於上述導電性構件未與上述測定對象物接觸之狀態下，對上述測定對象物照射光，並量測上述測定對象物產生之發光。
  3. 如請求項2之檢查方法，其進而具備判別步驟，該判別步驟係基於藉由如下方式獲取之特定結果而判別發光元件之合格品與不合格品，上述方式係基於上述第1量測步驟之量測結果而特定出接觸不良之發光元件，並且基於上述第2量測步驟之量測結果而特定出洩漏不良之發光元件。
  4. 如請求項1至3中任一項之檢查方法，其中於上述接觸步驟中，將上述導電性構件貼附於上述測定對象物。
  5. 如請求項1至4中任一項之檢查方法，其進而具備特定步驟，該特定步驟係基於藉由對上述測定對象物照射光並量測來自上述測定對象物之反射光而獲得之反射像、及預先獲取之上述測定對象物之設計資料，而特定出上述反射像中之與上述測定對象物之各發光元件對應之位置。
  6. 一種導電性構件，其係請求項1至5中任一項之檢查方法中所使用之上述導電性構件，且 構成為可與上述測定對象物接觸。
  7. 如請求項6之導電性構件，其構成為可貼附於上述測定對象物。
  8. 一種檢查裝置，其具備： 光照射部，其對形成有複數個發光元件之測定對象物照射光； 光量測部，其量測上述測定對象物相應於由上述光照射部照射之光而產生之發光；及 處理部，其輸出上述光量測部之量測結果；且 上述處理部輸出在導電性構件與上述測定對象物接觸之狀態下由上述光量測部進行之量測結果。
  9. 如請求項8之檢查裝置，其中上述處理部進而輸出在上述導電性構件未與上述測定對象物接觸之狀態下由上述光量測部進行之量測結果。
  10. 如請求項9之檢查裝置，其中上述處理部係基於藉由如下方式獲取之特定結果而判別發光元件之合格品與不合格品，上述方式係根據在上述導電性構件與上述測定對象物接觸之狀態下由上述光量測部進行之量測結果，而特定出接觸不良之發光元件，並且根據在上述導電性構件未與上述測定對象物接觸之狀態下由上述光量測部進行之量測結果，而特定出洩漏不良之發光元件。
  11. 如請求項8至10中任一項之檢查裝置，其中於上述導電性構件與上述測定對象物接觸之狀態下，上述導電性構件貼附於上述測定對象物。
  12. 如請求項8至11中任一項之檢查裝置，其中 上述光量測部進而量測與由上述光照射部照射之光相應之來自上述測定對象物之反射光， 上述處理部係基於藉由在上述光量測部中量測上述反射光而獲得之反射像、及預先獲取之上述測定對象物之設計資料，而特定出上述反射像中之與上述測定對象物之各發光元件對應之位置。
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