KR101308984B1 - 칩 검사장비의 빛 누출방지장치 - Google Patents

칩 검사장비의 빛 누출방지장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 칩 검사장비의 빛 누출방지장치에 관한 것으로, 본 발명은 웨이퍼의 칩과 접촉되어 칩에 전기적 신호를 인가하는 프로브 유닛; 상기 프로브 유닛의 위에 위치하며, 상기 칩에서 발광되는 빛을 수광하는 적분구;를 포함하는 칩 검사장비에 있어서, 상기 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구 내부로 반사시키는 빛 수집 가이드를 포함한다. 본 발명에 따르면, 칩에서 발광되는 빛이 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 것을 최소화하고 적분구 내부로 유입되는 빛을 극대화하여 칩의 성능을 측정하는 것을 정확하게 한다.

Description

칩 검사장비의 빛 누출방지장치{APPARATUS FOR PREVENTING LEAKAGE OF LIGHT IN CHIP TESTER}
본 발명은 칩 검사장비의 빛 누출방지장치에 관한 것이다.
엘이디(LED: Light Emitting Diode)는 전원공급에 의해 발광하는 발광소자이다. 엘이디는 반응 속도가 빠르고 수명이 길다. 또한 소형이며 소비전력이 적다. 이와 같은 특성으로, 엘이디는 각종 디스플레이 기기와 조명 기기 등에 널리 사용되고 있다.
엘이디는 반도체 제조 공정을 이용하여 제작된다. 일반적으로 엘이디는 기판에 에피 웨이퍼를 마련하는 에피 공정(EPI)과, 웨이퍼를 다수의 엘이디 칩으로 제조하는 칩 공정(Fabrication), 칩 공정에서 제조된 엘이디 칩을 패키징하는 패키징 공정(Package)과, 패키징 공정을 거친 엘이디 칩을 검사하는 검사 공정을 거치면서 제작된다.
엘이디 제조 공정에서, 패키징 공정을 거치면서 엘이디 칩에 불량이 발생될 경우 검사 공정에서 불량품을 분류하게 된다. 하지만, 에피 공정과 칩 공정에서 엘이디 칩에 불량이 발생될 경우 그 불량 엘이디 칩을 불필요하게 패키징 공정을 하게 된다. 따라서, 패키징 공정 이전에 엘이디 칩들의 성능을 검사하여 기준치 이하의 불량 엘이디 칩을 패키징 공정에서 배제하게 되면 불량 엘이디 칩을 패키징하는 공정을 줄일 수 있다.
패키징 공정 전에 엘이디 칩들을 검사하는 공정은 칩 검사장비에 의해 수행된다. 칩 검사장비의 일예로, 칩 검사장비는 웨이퍼에 배열된 칩에 한 쌍의 프로브로 구성된 프로브 유닛을 접촉시킨 후 칩에서 발광되는 빛을 적분구에서 수광하여 광특성을 측정한다.
도 1은 칩 검사장비의 상부 부분을 도시한 정면도이다. 도 2는 상기 칩 검사장비의 프로브 홀딩 스테이지와 프로브 유닛을 도시한 평면도이다.
도 1,2에 도시한 바와 같이, 상기 칩 검사장비는 프로브 홀딩 스테이지(100)와 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 상면에 구비되는 프로브 유닛(PU)을 포함한다. 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)는 일정 두께를 갖는 사각판의 내부에 관통구멍(H)이 구비되고 그 관통구멍(H)의 일부분은 사각판의 전면과 개구된 형상으로 이루어진다.
상기 프로브 유닛(PU)은 한 쌍을 이루는 두 개의 프로브(200)로 구성된다. 상기 두 개의 프로브(200)는 서로 일정 간격을 두고 상기 프로브 홀딩 스테이지(100) 상면에 위치한다. 상기 프로브(200)는 프로브 홀딩 스테이지(100)에 결합되는 홀더 본체(210)와, 상기 홀더 본체(210)에 연결되어 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부로 향하도록 절곡된 홀더 막대(220)와, 상기 홀더 막대(220)의 단부에 연결되는 프로브 헤드(230)와, 상기 프로브 헤드(230)에 연결되는 니들(240)을 포함한다. 상기 프로브 헤드(230)와 니들(240)은 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부에 위치한다. 상기 프로브 헤드(230)에 와이어(미도시)가 연결되며 상기 와이어를 통해 전기적인 신호가 프로브 헤드(230) 및 니들(240)에 전달된다.
상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 아래쪽에 웨이퍼 지지유닛(미도시)이 구비되며, 웨이퍼 지지유닛에 웨이퍼(10)가 착탈 가능하게 삽입된다. 상기 웨이퍼 지지유닛의 가운데 부분에 관통구멍이 구비되고 그 관통구멍으로 웨이퍼의 칩(13)들이 노출된다. 웨이퍼(10)는 일정 두께를 갖는 고리 형상의 프레임(11)과, 상기 프레임(11)의 내부에 구비된 테잎(12)과, 상기 테잎(12)에 배열된 작은 엘이디 칩(13)(이하, 칩이라 함)들을 포함한다. 상기 프로브 유닛(PU)의 두 개의 니들(240)들은 상기 웨이퍼의 칩(13)들의 상측에 위치한다. 상기 웨이퍼(10)의 아래쪽에 웨이퍼의 칩(13)들을 지지하는 서포트 축(300)이 구비된다.
상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 위쪽에 칩의 광특성을 측정하는 적분구(400)가 위치한다. 상기 적분구(400)는 내부가 중공된 구 형상의 적분구 본체(410)와, 상기 적분구 본체(210)의 하부에 일정 길이로 연장된 원통 형태의 수광부(420)와, 상기 적분구 본체(210)의 중간 외면에 구비된 복수 개의 포트(미도시)들과, 상기 적분구 본체(210)의 상부에 구비된 연결부(430)를 포함한다. 상기 적분구 본체(210)의 내면은 빛을 반사시키도록 반사 코팅면이 구비된다. 상기 원통 형태의 수광부(420)는 적분구 본체(210)의 내부와 연통된다. 상기 포트들에 각각 측정기(440)가 연결된다.
상기 적분구(400)의 연결부(430)에 지지유닛이 연결되며, 상기 지지유닛에 의해 상기 적분구(400)가 상하 방향 및 좌우 방향으로 움직임이 가능하게 된다.
상기한 바와 같은 칩 검사장비는 두 개의 프로브(200)가 프로브 홀딩 스테이지(100)에 고정된 상태에서 적분구(400)가 아래로 이동하여 적분구(400)의 수광부(420)의 끝면이 프로브(200)의 니들(240) 끝 상측에 위치한다. 그리고 서포트 축(300)이 위로 이동하면서 설정된 칩(13)을 두 개의 프로브(200)의 니들(240)에 접촉시킨다. 상기 칩(13)이 니들(240)들에 접촉됨에 따라 전기적 신호가 칩(13)에 전달되어 칩(13)이 발광한다. 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 적분구 본체(210)의 내부에 수집된 빛이 측정기(440)에 의해 측정되면서 칩(13)의 성능을 측정하게 된다.
그러나 상기한 바와 같은 구성은, 도 3에 도시한 바와 같이, 프로브 헤드(230)가 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 위치하게 되므로 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이에 간격이 발생되어 칩(13)에서 발광되는 빛의 일부분이 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 누출되어 광손실이 발생된다. 이로 인하여, 칩(13)의 광특성을 정확하게 측정하지 못하는 경우가 발생된다. 이와 같이, 칩(13)에서 발광되는 빛의 손실로 인하여 칩(13)의 성능을 정확하게 측정하지 못하게 될 경우 우수한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩 손실을 발생시키게 된다.
본 발명의 목적은 칩에서 발광되는 빛이 외부로 누출되는 것을 최소화하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 칩과 접촉되어 칩에 전기적 신호를 인가하는 프로브 유닛; 상기 프로브 유닛의 위에 위치하며, 상기 칩에서 발광되는 빛을 수광하는 적분구;를 포함하는 칩 검사장비에 있어서, 상기 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구 내부로 반사시키는 빛 수집 가이드를 포함하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치가 제공된다.
상기 빛 수집 가이드는 체결수단에 의해 상기 적분구에 연결되는 것이 바람직하다.
상기 빛 수집 가이드는 일정 길이를 갖는 원통체와, 상기 원통체의 하면에 상기 프로브의 일부분이 삽입되도록 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 개구홈의 수는 상기 프로브 유닛을 구성하는 프로브의 수와 같게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 빛 수집 가이드의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비되는 것이 바람직하다.
상기 체결수단은 상기 적분구에 원통 형태로 돌출된 수광부가 구비되며 상기 수광부의 끝에 일정 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈이 구비되고, 상기 빛 수집 가이드에 복수 개의 나사공들이 구비되며, 상기 나사공들에 각각 나사가 관통 체결되어 수광부의 환형 홈에 결합되는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼의 아래쪽에 칩을 지지하는 서포트 축이 구비되고 상기 서포트 축의 상단에 지지캡이 구비되며 상기 지지캡의 외면이 빛을 방사시키는 거울면인 것이 바람직하다.
본 발명은 칩의 광특성을 측정하는 적분구의 수광부 끝면과 웨이퍼 사이의 간격을 빛 수집 가이드가 막게 되므로 수광부 끝면과 웨이퍼 사이로 방사되는 빛이 빛 수집 가이드에 의해 반사되어 수광부를 통해 적분구 본체 내부로 수집된다. 이로 인하여, 칩에서 발광되는 빛이 적분구 외부로 누출되는 것을 최소화시키게 되므로 칩의 광특성을 정확하게 측정하게 된다. 칩의 광특성이 정확하게 측정되므로 우량한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩이 손실되는 방지하게 된다.
도 1은 칩 검사장비의 일예의 상부를 도시한 정면도,
도 2는 상기 칩 검사장비를 구성하는 프로브 홀딩 스테이지와 프로브 유닛을 도시한 평면도,
도 3은 상기 칩 검사장비의 일예의 상부 일부분을 확대하여 도시한 정면도,
도 4는 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누설방지장치의 일실시예가 구비된 칩 검사장비의 일예를 도시한 정면도,
도 5는 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누설방지장치의 일실시예를 도시한 정면도,
도 6은 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누설방지장치의 일실시예를 구성하는 빛 수집 가이드를 도시한 사시도.
이하, 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누출방지장치를 첨부도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누출방지장치의 일실시예를 도시한 정면도이다.
도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누출방지장치의 일실시예를 설명한다. 먼저, 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누출방지장치의 일실시예가 구비된 칩 검사장비는 프로브 홀딩 스테이지(100)와, 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 상면에 구비된 프로브 유닛(PU)과, 상기 프로브 유닛(PU)의 위쪽에 위치하는 적분구(400)와, 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 아래쪽에 위치하며 웨이퍼(10)가 착탈되는 웨이퍼 지지유닛(미도시)과, 상기 웨이퍼 지지유닛에 장착된 웨이퍼(10)의 아래쪽에 위치하는 서포터 축(500)과, 상기 적분구(400)와 웨이퍼(10) 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구(400) 내부로 유도하는 빛 수집 가이드(600)를 포함한다.
상기 프로브 홀딩 스테이지(100)는 일정 두께를 갖는 사각판의 내부에 관통구멍(H)이 구비되고 그 관통구멍(H)의 일부분은 사각판의 전면과 개구된 형상으로 이루어진다.
상기 프로브 유닛(PU)은 한 쌍을 이루는 두 개의 프로브(200)로 구성된다. 상기 두 개의 프로브(200)는 서로 일정 간격을 두고 상기 프로브 홀딩 스테이지(100) 상면에 위치한다. 상기 프로브(200)는 프로브 홀딩 스테이지(100)에 결합되는 홀더 본체(210)와, 상기 홀더 본체(210)에 연결되어 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부로 향하도록 절곡된 홀더 막대(220)와, 상기 홀더 막대(220)의 단부에 연결되는 프로브 헤드(230)와, 상기 프로브 헤드(230)에 연결되는 니들(240)을 포함한다. 상기 프로브 헤드(230)와 니들(240)은 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부에 위치한다. 상기 프로브 헤드(230)에 와이어가 연결되며 상기 와이어를 통해 전기적인 신호가 프로브 헤드(230) 및 니들(240)에 전달된다.
상기 웨이퍼 지지유닛의 가운데 부분에 관통구멍이 구비되고 그 관통구멍으로 웨이퍼의 칩(13)들이 노출된다. 상기 프로브 유닛(PU)의 두 개의 니들(240)들은 상기 웨이퍼의 칩(13)들의 상측에 위치한다.
상기 서포트 축500)은 상하로 설정된 거리를 왕복 운동하면서 칩(13)을 지지한다.
상기 적분구(400)는 칩(13)의 광특성을 측정한다. 상기 적분구(400)는 내부가 중공된 구 형상의 적분구 본체(210)와, 상기 적분구 본체(210)의 하부에 일정 길이로 연장된 원통 형태의 수광부(420)와, 상기 적분구 본체(210)의 중간 외면에 구비된 복수 개의 포트(미도시)들과, 상기 적분구 본체(210)의 상부에 구비된 연결부(430)를 포함한다. 상기 적분구 본체(210)의 내면은 빛을 반사시키도록 반사 코팅면이 구비된다. 상기 원통 형태의 수광부(420)는 적분구 본체(210)의 내부와 연통된다. 상기 포트들에 각각 측정기(440)가 연결된다.
상기 적분구(400)의 연결부(430)에 지지유닛이 연결되며, 상기 지지유닛에 의해 상기 적분구(400)가 상하 방향 및 좌우 방향으로 움직임이 가능하게 된다.
상기 빛 수집 가이드(600)는 상기 적분구(400)와 웨이퍼(10) 사이에 구비되며, 상기 빛 수집 가이드(600)는 체결수단에 의해 상기 적분구(400)에 연결되는 것이 바람직하다.
상기 빛 수집 가이드(600)는, 도 4,5,6에 도시한 바와 같이, 일정 길이를 갖는 원통체(610)와, 상기 원통체(610)의 하면에 상기 프로브(200)가 삽입되는 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈(620)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 개구홈(620)의 폭은 상기 프로브 헤드(230)의 폭과 상응하는 것이 바람직하다. 상기 개구홈(620)의 수는 상기 프로브(200)의 수와 같게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 프로브(200)의 수가 두 개이면 상기 개구홈(620)의 수가 두 개이고, 상기 프로브(200)가 한 개로 구성되면 상기 개구홈(620)의 수가 한 개이다. 즉, 상기 빛 수집 가이드(600)가 적분구(400)에 연결된 상태에서 아래로 내려오면 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)들에 각각 프로브 헤드(230)가 각각 삽입된다. 상기 빛 수집 가이드(600)의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비되는 것이 바람직하다.
상기 체결수단은 상기 적분구(400)의 수광부(420)의 끝에 일정 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈(421)과, 상기 빛 수집 가이드(600)에 복수 개의 나사공(630)들과, 상기 빛 수집 가이드(600)의 나사공(630)들이 상기 적분구 수광부(420)의 환형 홈(421)에 일치된 상태에서 상기 나사공(630)들에 각각 관통하도록 체결되어 수광부(420)의 환형 홈(421)에 고정 결합되는 나사(700)들을 포함한다. 상기 나사(700)는 세트 스크류인 것이 바람직하다.
한편, 상기 빛 수집 가이드(600)는 상기 프로브(200)에 결합될 수도 있다.
상기 서포트 축(500)의 상단부는 칩(13)에서 발광되는 빛을 반사시키도록 거울면인 것이 바람직하다. 상기 서포트 축(500)의 상단부는 폴리싱 가공하여 서포트 축(500)의 상단부를 거울면으로 만드는 것이 바람직하다.
한편, 상기 서포트 축(500)의 상단에 지지캡(510)이 구비되며 상기 지지캡(510)의 외면이 빛을 반사시키는 거울면인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따른 칩 검사장비의 빛 누출방지장치의 작용과 효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저, 두 개의 프로브(200)가 프로브 홀딩 스테이지(100)에 고정된 상태에서 적분구(400)가 아래로 이동하여 적분구(400)의 수광부(420)의 끝면이 프로브(200)의 니들(240) 끝 상측에 위치하며, 상기 적분구(400)의 이동과 함께 적분구(400)의 수광부(420)에 결합된 빛 수집 가이드(600)가 아래로 이동하여 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)에 프로브 헤드(230)가 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)에 삽입되며 빛 수집 가이드(600)의 끝면이 웨이퍼의 칩(13)들과 거의 접촉할 정도로 칩(13)의 위쪽으로 인접하게 위치한다.
그리고 서포트 축(500)이 위로 이동하면서 설정된 칩(13)을 두 개의 프로브(200)의 니들(240)에 접촉시킨다. 상기 칩(13)이 니들(240)들에 접촉됨에 따라 전기적 신호가 칩(13)에 전달되어 칩(13)이 발광한다. 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집되며 또한 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 방사되는 빛은 빛 수집 가이드(600)에 의해 반사되어 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 적분구 본체(210)의 내부에 수집된 빛이 측정기(440)에 의해 측정되면서 칩(13)의 성능을 측정하게 된다.
또한, 웨이퍼의 설정된 칩(13)을 위로 미는 서포트 축(500)의 상단부가 거울면인 경우 칩(13)의 아래쪽으로 일부 방사되는 빛은 서포트 축(500)의 상단부 거울면에 반사되어 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(410) 내부로 수집된다.
이와 같이, 본 발명은 프로브 헤드(230)가 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 위치하게 되므로 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 간격이 발생하게 되나, 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이의 간격을 빛 수집 가이드(600)가 막게 되므로 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 방사되는 빛이 빛 수집 가이드(600)에 의해 반사되어 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 이로 인하여, 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400) 외부로 누출되는 것을 최소화시키게 되므로 칩(13)의 광특성을 정확하게 측정하게 된다. 칩(13)의 광특성이 정확하게 측정되므로 우량한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩(10)이 손실되는 방지하게 된다.
PU; 프로브 유닛 200; 프로브
400; 적분구 500; 서포트 축
600; 빛 수집 가이드 10; 웨이퍼

Claims (7)

  1. 웨이퍼의 칩과 접촉되어 칩에 전기적 신호를 인가하는 프로브 유닛;
    상기 프로브 유닛의 위에 위치하며, 상기 칩에서 발광되는 빛을 수광하는 적분구;
    상기 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구 내부로 반사시키는 빛 수집 가이드; 및
    상기 빛 수집 가이드를 상기 적분구에 연결시키는 체결수단;을 포함하며,
    상기 체결수단은, 상기 적분구에 원통 형태로 돌출된 수광부가 구비되며, 상기 수광부의 끝에 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈이 구비되고, 상기 빛 수집 가이드에 복수 개의 나사공들이 구비되며, 상기 나사공들에 각각 나사가 관통 체결되어 수광부의 환형 홈에 결합되는 것을 특징으로 하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 빛 수집 가이드는 일정 길이를 갖는 원통체와, 상기 원통체의 하면에 상기 프로브 유닛를 구성하는 프로브의 일부분이 삽입되도록 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 개구홈의 수는 상기 프로브 유닛를 구성하는 프로브의 수와 같게 형성된 것을 특징으로 하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 빛 수집 가이드의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비된 것을 특징으로 하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 아래쪽에 칩을 지지하는 서포트 축이 구비되고 상기 서포트 축의 상단에 지지캡이 구비되며 상기 지지캡의 외면이 빛을 방사시키는 거울면인 것을 특징으로 하는 칩 검사장비의 빛 누출방지장치.
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CN113639859A (zh) * 2021-08-25 2021-11-12 扬州和铵半导体有限公司 Led封装的光电测试装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100931322B1 (ko) * 2009-02-20 2009-12-11 (주)큐엠씨 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9702757B2 (en) 2014-12-18 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Light measuring system

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