KR101184683B1 - 엘이디 칩 검사장치 - Google Patents

엘이디 칩 검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101184683B1
KR101184683B1 KR1020110053398A KR20110053398A KR101184683B1 KR 101184683 B1 KR101184683 B1 KR 101184683B1 KR 1020110053398 A KR1020110053398 A KR 1020110053398A KR 20110053398 A KR20110053398 A KR 20110053398A KR 101184683 B1 KR101184683 B1 KR 101184683B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
chip
inspection
unit
led
Prior art date
Application number
KR1020110053398A
Other languages
English (en)
Inventor
정태진
Original Assignee
주식회사 이노비즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이노비즈 filed Critical 주식회사 이노비즈
Priority to KR1020110053398A priority Critical patent/KR101184683B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101184683B1 publication Critical patent/KR101184683B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433Sockets for IC's or transistors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 하부 영역에 전기적 접속부가 형성되어 있는 엘이디 칩의 광 특성 및 전기적 특성을 검사하는 엘이디 칩 검사장치에 관한 것으로서, 상기 엘이디 칩의 광 특성을 검사하는 광 특성 검사유닛; 상기 엘이디 칩을 안착하여 상기 광특성 검사 유닛의 검사위치로 이동시키는 칩안착블록; 상기 검사위치로 이동된 상기 엘이디 칩 하부의 전기적 접속부에 대해 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브카드; 상기 검사위치에 마련되어 상기 엘이디 칩의 이탈을 방지하는 칩고정유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 하부 영역에 전기적 접속부를 갖는 엘이디 칩에 대한 프로브유닛의 하부 컨텍 시 엘이디 칩이 검사위치에서 이탈되는 것을 방지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치가 제공된다.
또한, 엘이디 칩의 하부에서 전기적 컨텍이 이루어질 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공하여 엘이디 칩의 생산성 향상 및 제조비용과 제품단가를 절감할 수 있다.

Description

엘이디 칩 검사장치{LED Chip testing device}
본 발명은 엘이디 칩 검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하부 영역에 전기적 접속부를 갖는 엘이디 칩에 대한 프로브유닛의 하부 컨텍 시 엘이디 칩이 검사위치에서 이탈되는 것을 방지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치에 관한 것이다. 또한, 하부 영역에 전기적 접속부를 갖는 엘이디 칩의 광 특성 및 전기적 특성 검사를 위한 프로브유닛의 전기적 접속구조가 개선된 엘이디 칩 검사장치에 관한 것이다.
엘이디(LED : Light Emitting diode)는 소형이면서 수명이 길고, 소비전력이 적을 뿐 만 아니라 고속응답의 장점을 가지고 있기 때문에, 최근에는 광원을 필요로 하는 각종 디스플레이 기기의 백라이트유닛과 소형전등 및 각종 계기류의 광원으로 널리 이용되고 있다.
이 엘이디는 반도체 공정을 이용하여 소형의 칩 형태로 제조되는데, 일반적인 엘이디 칩의 제조공정은 기초 소재인 기판 상에 에피 웨이퍼를 마련하는 에피공정(EPI)과, 웨이퍼를 다수의 엘이디 칩으로 제조하는 칩공정(Fabrication) 및 칩공정에서 제조된 엘이디 칩을 패키징하는 패키지공정(Package)과, 패키지공정을 거친 엘이디 칩을 검사하여 양품과 불량품으로 분류하고 분류된 양품을 등급별로 분류하는 검사공정으로 이루어진다.
이러한 엘이디 칩의 제조공정 중 검사공정에 대응하는 엘이디 칩 검사장치(101)는 도 1에 도시된 바와 같이, 패키지공정으로부터 공급되는 웨이퍼를 적재하여 웨이퍼 상의 엘이디 칩(L)을 다음 검사공정으로 공급하는 공급부(110)와, 공급부(110)에서 공급되는 엘이디 칩(L)의 특성을 검사하는 검사부(120)와, 엘이디 칩(L)을 공급부(110)에서 검사부(120)의 검사위치로 이동시키는 칩이동수단을 가지고 있다.
이 중 검사부(120)에는 공급부(110)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)에 전류를 인가하는 프로브카드(121)와, 프로브카드(121)에서 인가되는 전류에 의해 발광하는 엘이디 칩(L)의 광 특성과 전류 특성을 검사하는 광 특성 검사유닛(123)과 전류 특성 검사유닛(미도시)이 포함되어 있다. 여기서, 광 특성 검사유닛(123)은 일반적으로 프로브카드(121) 상부 영역에 적분구로 마련된다.
그리고, 칩이동수단은 공급부(110)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)들을 검사부(120)의 프로브카드(121) 컨텍 위치 즉, 검사위치와, 검사가 완료된 엘이디 칩(L)을 도시하지 않은 다음 공정인 분류부로 이동시키는 로타리 인덱스 유닛(130)일 수 있다.
로타리 인덱스 유닛(130)은 도 1에 도시된 바와 같이, 회전체(131)와, 회전체(131)의 둘레영역에 방사상으로 등간격을 두고 결합된 복수의 칩안착블록(133)과, 회전체(131)를 회전시키는 회전구동기(135)를 포함할 수 있다.
공급부(110)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)은 로타리 인덱스 유닛(130)의 칩안착블록(133) 상면에 마련된 칩안착부(134)에 안착된 상태에서 로타리 인덱스 유닛(130)의 회전구동에 의해 검사부(120)의 프로브카드(121) 측 검사위치로 이동하여 광특성 및 전류특성이 검사된다.
검사위치로 이동된 엘이디 칩(L)은 도2에 도시된 바와 같이, 그 상부에 형성된 전기적 접속부(예컨대, 전극)(미도시)가 칩안착블록(133)의 승강 작용에 의해서 프로브카드(121)의 프로브핀(120)에 컨텍됨으로써, 전류 특성 검사유닛(미도시)에 의해 전류 특성이 검사되는 한편, 인가되는 전원에 의해 발광되는 빛이 광 특성 검사유닛(123)인 적분구로 전달되어 광특성이 검사된다.
그런 다음, 로타리 인덱스 유닛(130)의 회전구동에 의해서 칩안착블록(133)에 안착된 엘이디 칩(L)은 검사부(120)에서 다음 공정(예컨대, 분류부)으로 이동하게 된다.
그런데, 이러한 종래 엘이디 칩 검사장치에 있어서는 전기적 접속부가 상부에 형성되어 있는 형태의 엘이디 칩에 대응하는 것으로서, 프로브카드가 엘이디 칩 상부에서 컨텍되기 때문에, V-LED와 같이, 칩 하부에 전기적 접속부가 형성된 엘이디 칩에 대응하지 못하는 문제점이 있었다.
이에 따라, V-LED와 같이 칩 하부에 전기적 접속부가 형성된 엘이디 칩 상부에 별도로 검사용 전기적 접속부를 형성하여 전술한 기존 엘이디 칩 검사장치에서 광 특성과 전류 특성을 검사한다.
그런 다음, 제품 출하시 검사용 전기적 접속부를 제거하는 공정을 거쳐 완제품으로 출하되도록 함으로써, 비효율 적인 공정 추가에 따른 생산성 저하 및 제조비용과 제품단가 상승을 초래하는 문제점이 있었다.
한편, 전술한 종래 엘이디 칩 검사장치의 경우, 엘이디 칩이 칩안착블록 상에 안착된 상태에서 검사위치로 이동하여 그 상부가 프로브핀에 컨텍되면, 프로브핀과 칩안착블록 사이에 엘이디 칩이 개재되는 형태로서 엘이디 칩의 위치가 자연스럽게 고정되어 검사 과정에서 엘이디 칩이 이탈되는 것을 방지할 수 있었다.
그러나, 하부에 전기적 접속부가 형성되어 있는 엘이디 칩의 하부 컨텍을 위하여 프로브핀이 엘이디 칩 하부에 컨텍되는 구조를 마련할 경우, 칩안착블록 상에 안착되어 있는 엘이디 칩의 하부에 프로브핀이 컨텍되는 과정에서 엘이디 칩의 이탈이 발생하는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은, 하부 영역에 전기적 접속부를 갖는 엘이디 칩에 대한 프로브유닛의 하부 컨텍 시 엘이디 칩이 검사위치에서 이탈되는 것을 방지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공하는 것이다.
또한, 엘이디 칩의 하부에서 전기적 컨텍이 이루어질 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공하여 엘이디 칩의 생산성 향상 및 제조비용과 제품단가를 절감할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라서, 하부 영역에 전기적 접속부가 형성되어 있는 엘이디 칩의 광 특성 및 전기적 특성을 검사하는 엘이디 칩 검사장치에 있어서, 상기 엘이디 칩의 광 특성을 검사하는 광 특성 검사유닛; 상기 엘이디 칩을 안착하여 상기 광특성 검사 유닛의 검사위치로 이동시키는 칩안착블록; 상기 검사위치로 이동된 상기 엘이디 칩 하부의 전기적 접속부에 대해 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브카드; 상기 검사위치에 마련되어 상기 엘이디 칩의 이탈을 방지하는 칩고정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치에 의해 달성된다.
여기서, 칩고정유닛은 광 특성 검사유닛 하부에 마련되며, 중앙 영역에 엘이디 칩의 검사위치로서 검사구가 형성되어 있는 검사판과, 상기 검사구로 이동된 엘이디 칩을 고정시키는 칩고정부재를 갖는 것이 바람직하다.
이때, 칩고정부재는 일측이 검사판에 결합되고 타측이 검사구에 위치하는 엘이디 칩의 상부에 접하는 적어도 하나의 고정핀인 것이 효과적이다. 이 고정핀은 검사구 둘레 방향을 따라 등간격을 두고 복수로 마련되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 고정핀은 탄성을 갖는 것이 보다 효과적이다.
그리고, 검사구의 상부 둘레영역에는 반사판이 마련되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 칩안착블록은 검사위치 하부로 이동 후, 상기 검사위치로 승강하며; 적어도 상기 검사위치 하부 영역에는 상기 칩안착블록을 승강시키는 칩플록승강기가 마련되어 있는 것이 효과적이다.
이때, 프로브카드는 칩안착블록의 둘레 영역에 승강 가능하게 결합되고, 승강 작용시 엘이디 칩 하부의 전기적 접속부에 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브핀을 가지며; 적어도 검사위치 하부 영역에는 상기 프로브카드를 승강시키는 프로브 승강구동기가 마련되어 있는 것이 바람직하다.
그리고, 회전체와, 상기 회전체를 회전시키는 회전구동기를 갖는 로타리 인덱스 유닛을 더 포함하며; 칩안착블록은 상기 회전체의 둘레 영역에 등간격을 두고 복수로 마련되고; 프로브카드는 상기 칩안착블록 각각에 마련되어 있는 것이 효과적이다.
본 발명에 따르면, 하부 영역에 전기적 접속부를 갖는 엘이디 칩에 대한 프로브유닛의 하부 컨텍 시 엘이디 칩이 검사위치에서 이탈되는 것을 방지할 수 있는 엘이디 칩 검사장치가 제공된다.
또한, 엘이디 칩의 하부에서 전기적 컨텍이 이루어질 수 있는 엘이디 칩 검사장치를 제공하여 엘이디 칩의 생산성 향상 및 제조비용과 제품단가를 절감할 수 있다.
도 1은 종래 엘이디 칩 검사장치의 주요부 사시도,
도 2는 도 1의 검사위치 영역의 측면도,
도 3은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 주요부 사시도,
도 4 및 도 6은 는 도 3의 검사위치 영역의 개략적 측면도로서 엘이디 칩 검사과정을 나타낸 도면.
이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치의 주요부 사시도이고, 도 4 및 도 6은 는 도 3의 검사위치 영역의 개략적 측면도로서 엘이디 칩 검사과정을 나타낸 도면이다.
상기 도면들에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치는 엘이디 칩(L)을 공급하는 공급부(10)와, 공급부(10)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)을 검사하는 검사부(20)와, 공급부(10)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)을 검사부(20)의 검사위치로 이동시키는 칩이동수단과, 칩이동수단에 마련되어 검사위치로 이동된 엘이디 칩(L) 하부에 전기적으로 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브유닛(40)을 포함한다.
이 중 검사부(20)에는 공급부(10)로부터 검사위치로 이동된 엘이디 칩(L)의 검사위치를 고정시키는 칩고정유닛(21)과, 검사위치에서 발광하는 엘이디 칩(L)의 광 특성을 검사하는 광 특성 검사유닛(27)과, 엘이디 칩(L)의 전류 특성을 검사하는 전류 특성 검사유닛(미도시)이 마련되어 있다.
칩고정유닛(21)은 광 특성 검사유닛(27) 하부에 마련되어 엘이디 칩(L)의 검사위치를 형성하는 검사판(22)과, 검사위치에 위치한 엘이디 칩(L)의 임의 이탈을 방지하는 칩고정부재(25)를 가지고 있다.
검사판(22)은 그 중앙부에 엘이디 칩(L)의 검사위치로서 검사구(23)가 형성되어 있으며, 검사구(23)의 상부 둘레영역에는 엘이디 칩(L)으로부터 발광된 빛이 손실 없이 광 특성 검사유닛(27)으로 상향되도록 반사판(24)을 가지고 있다.
그리고, 칩고정부재(25)는 검사판(22)의 검사구(23) 둘레영역에 결합되어 검사구(23) 내에 위치하는 엘이디 칩(L)의 상부면에 접촉함으로써, 검사위치에서 엘이디 칩(L)을 칩안착블록(33) 상에 고정시키도록 얇은 핀 형상을 가지고 검사구(23) 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치된 복수의 고정핀(25a)들로 마련되는 것이 바람직하다.
이때, 이들 고정핀(25a)들은 일측이 검사판(22)에 결합되고 타측이 검사구(23)에 위치하여 엘이디 칩(L)의 상부 둘레영역에 접하도록 마련되는 것이 바람직한데, 이는 고정핀(25a)이 얇은 핀형상으로 가지고 엘이디 칩(L)의 둘레영역에 접하도록 함으로써, 엘이디 칩(L)에서 발광하는 빛이 고정핀(25a)에 간섭받지 않고 광 특성 검사유닛(27)으로 전달되도록 하여 광 손실 없는 정확한 광 특성 검사가 이루어지도록 하기 위함이다.
특히, 고정핀(25a)들은 검사구(23)로 상승 이동하는 엘이디 칩(L)의 파손을 방지하기 위해 적절한 탄성을 갖는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 칩고정유닛(21)은 칩고정부재(25)를 생략하고 검사판(22)에 형성된 검사구(23)만으로 엘이디 칩(L)이 사방으로 이탈되는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 칩고정부재(25)는 고정핀(25a) 형태가 아닌 고정 돌기 등의 다양한 형태로 마련될 수 있다.
한편, 칩이동수단은 공급부(10)로부터 전달된 엘이디 칩(L)들을 검사부(20)의 검사위치 및 다음 공정(예컨대, 분류부)로 이동시키는 로타리 인덱스 유닛(30)인 것이 바람직하다.
이 로타리 인덱스 유닛(30)은 회전체(31)와, 회전체(31)의 둘레영역에 방사상으로 등간격을 두고 결합된 복수의 칩안착블록(33)과, 회전체(31)를 칩안착블록(33)의 간격에 대응하는 구간만큼씩 회전시키는 회전구동기(35)를 포함한다.
이 중 칩안착블록(33)은 엘이디 칩(L)을 안착한 상태에서 검사위치 하부로 이동된 다음, 검사위치로 상승하여 후술할 칩고정유닛(21)에 접하게 되는데, 이를 위해 검사위치에 위치하는 칩안착블록(33) 하부 영역에는 칩안착블록(33)을 승강시키는 칩블록승강기(37)가 마련되고, 칩안착블록(33)은 로타리 인덱스 유닛(30)의 회전체(31)에 상하 승강 가능하게 결합된다. 여기서, 칩블록승강기(37)는 검사위치 하부 영역에만 마련될 수도 있지만, 경우에 따라서는 각각의 칩안착블록(33) 하부에 마련될 수도 있다.
그리고, 칩안착블록(33)에는 도시하지 않았지만 안착된 엘이디 칩(L)을 흡착하기 위한 에어흡입구가 상부 칩안착부(24)로부터 그 내부를 통해 외부의 흡입기와 연결되도록 형성될 수 있다.
한편, 프로브유닛(40)은 칩안착블록(33)에 안착된 엘이디 칩(L)의 하부 영역으로부터 엘이디 칩(L)을 향해 승강 가능하도록 칩안착블록(33)들에 각각 설치되는 프로브카드(41)와, 프로브카드(41)에 마련되어 엘이디 칩(L) 하부에 형성된 전기적 접속부에 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브핀(43)으로 구성된다.
이때, 프로브카드(41)는 칩안착블록(33)의 둘레 영역에 승강 가능하게 결합될 수 있으며, 프로브핀(43)은 칩안착블록(33) 내부에서 승강하여 엘이디 칩(L) 하부의 전기적 접속부에 컨텍 및 컥텍 해제될 수 있다.
이러한 프로브유닛(40)은 엘이디 칩(L)이 안착된 칩안착블록(33)이 검사위치 하부로 이동되면, 프로브카드(41)가 상승하여 프로브핀(43)이 엘이디 칩(L)에 컨텍되는데, 이를 위해 검사위치에 위치하는 칩안착블록(33) 하부 영역에는 프로브카드(41)를 승강시키는 프로브 승강구동기(45)가 마련된다. 여기서, 프로브 승강구동기(45)는 검사위치 하부 영역에만 마련될 수도 있지만, 경우에 따라서는 각각의 칩안착블록(33) 하부에 마련될 수도 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치는 공급부(10)로부터 전달되는 엘이디 칩(L)이 로타리 인덱스 유닛(30)의 칩안착블록(33) 상면에 마련된 칩안착부(24)에 안착된 상태에서 로타리 인덱스 유닛(30)의 회전구동에 의해 도 4와 같이, 검사부(20)의 검사판(22) 하부로 이동된다.
그러면, 칩블록승강기(37)의 구동에 의해 도 5와 같이, 칩안착블록(33)이 상승하여 엘이디 칩(L)이 검사판(22)의 검사구(23) 내측에 위치한다. 이때, 엘이디 칩(L)의 상부 둘레영역은 칩고정부재(25)의 고정핀(25a)에 접촉하여 임의적인 이탈이 방지된다.
그런 다음, 프로브 승강구동기(45)의 구동에 의해 도 과 같이, 프로브카드(41)가 엘이디 칩(L)으로 상승하여 프로브핀(43)이 엘이디 칩(L) 하부의 전기적 접속부에 컨텍됨으로써, 전류 특성 검사유닛(미도시)에 의해 전류 특성이 검사되는 한편, 인가되는 전원에 의해 발광되는 빛이 광 특성 검사유닛(27)인 적분구로 전달되어 광 특성이 검사된다.
이때, 엘이디 칩(L)에서 발광하는 빛 중 광 특성 검사유닛(27)을 향하는 방향에서 벗어나는 빛은 반사판(24)에서 반사되어 광 특성 검사유닛(27) 측을 향함으로써, 엘이디 칩(L)에서 발광되는 빛이 손실 없이 광 특성 검사유닛(27)으로 전달된다.
한편, 엘이디 칩(L)의 광 특성과 전류 특성에 대한 검사가 완료되면, 다시 도 4와 같이, 프로브 승강구동기(45)의 구동에 의해 프로브카드(41)가 하강하여 엘이디 칩(L)으로부터 컨텍 해제되고, 칩블록승강기(37)의 구동에 의해 칩안착블록(33)이 하강하여 엘이디 칩(L)이 검사판(22)의 검사구(23) 내측에서 하향 이격된다.
그런 다음, 검사위치에서 검사 완료된 엘이디 칩(L)이 안착된 칩안착블록(33)은 로타리 인덱스 유닛(30)의 회전구동에 의해서 검사부(20)에서 다음 공정(예컨대, 분류부)으로 이동하게 된다.
이러한 과정으로 공급부(10)에서 로타리 인덱스 유닛(30)의 칩안착블록(33)으로 전달되는 엘이디 칩(L)들은 연속적으로 검사부(20)로 이동하여 광 특성과 전류 특성이 검사된 후, 다음 공정으로 이동한다.
이와 같이, 본 발명에 따른 엘이디 칩 검사장치는 프로브카드가 엘이디 칩 하부에 컨텍 및 컨텍 해제될 수 있기 때문에, V-LED와 같이, 칩 하부에 전기적 접속부가 형성된 엘이디 칩의 검사에 대응할 수 있다.
이에 따라, V-LED와 같이 칩 하부에 전기적 접속부가 형성된 엘이디 칩 상부에 별도로 검사용 전기적 접속부를 형성하지 않고도 광 특성과 전류 특성을 검사함으로써, 하부에 전기적 접속부가 형성되어 있는 엘이디 칩의 검사 및 생산이 효율적으로 이루어져 생산성 향상 및 제조비용과 제품단가를 절감할 수 있다.
특히, 엘이디 칩의 하부 컨텍을 위하여 프로브핀이 엘이디 칩 하부에 컨텍되는 구조를 마련하면서, 엘이디 칩의 상부를 고정시키는 칩고정유닛을 포함함으로써, 칩안착블록 상에 안착되어 있는 엘이디 칩의 하부에 프로브핀이 컨텍되는 과정에서 엘이디 칩의 이탈되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 칩고정유닛의 고정핀이 엘이디 칩의 상부 둘레 영역에 접하도록 구성하고, 칩고정유닛에 반사판을 마련함으로써, 엘이디 칩의 이탈을 방지하면서도 엘이디 칩에서 발광하는 빛이 광 손실 없이 광 특성 검사유닛으로 전달되도록 하여 정확하게 광 특성이 검사될 수 있다.
21 : 칩고정유닛 22 : 검사판
23 : 검사구 25 : 칩고정부재
27 : 광 특성 검사유닛 30 : 로타리 인덱스 유닛
37 : 칩블록승강기 40 : 프로브유닛
41 : 프로브카드 43 : 프로브핀
45 : 프로브 승강구동기

Claims (9)

  1. 하부 영역에 전기적 접속부가 형성되어 있는 엘이디 칩의 광 특성 및 전기적 특성을 검사하는 엘이디 칩 검사장치에 있어서,
    상기 엘이디 칩의 광 특성을 검사하는 광 특성 검사유닛;
    상기 엘이디 칩을 안착하여 상기 광특성 검사 유닛의 검사위치로 이동시키는 칩안착블록;
    상기 검사위치로 이동된 상기 엘이디 칩 하부의 전기적 접속부에 대해 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브카드;
    상기 검사위치에 마련되어 상기 엘이디 칩의 이탈을 방지하는 칩고정유닛;
    회전체와, 상기 회전체를 회전시키는 회전구동기를 갖는 로타리 인덱스 유닛을 포함하되;
    상기 칩안착블록은 상기 회전체의 둘레 영역에 등간격을 두고 복수로 마련되고, 상기 프로브카드는 상기 칩안착블록 각각에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    칩고정유닛은
    광 특성 검사유닛 하부에 마련되며, 중앙 영역에 엘이디 칩의 검사위치로서 검사구가 형성되어 있는 검사판과,
    상기 검사구로 이동된 엘이디 칩을 고정시키는 칩고정부재를 갖는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  3. 제2항에 있어서,
    칩고정부재는 일측이 검사판에 결합되고 타측이 검사구에 위치하는 엘이디 칩의 상부에 접하는 적어도 하나의 고정핀인 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  4. 제3항에 있어서,
    고정핀은 검사구 둘레 방향을 따라 등간격을 두고 복수로 마련되는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    고정핀은 탄성을 갖는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  6. 제3항에 있어서,
    검사구의 상부 둘레영역에는 반사판이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  7. 제1항에 있어서,
    칩안착블록은 검사위치 하부로 이동 후, 상기 검사위치로 승강하며;
    적어도 상기 검사위치 하부 영역에는 상기 칩안착블록을 승강시키는 칩플록승강기가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  8. 제1항에 있어서,
    프로브카드는 칩안착블록의 둘레 영역에 승강 가능하게 결합되고, 승강 작용시 엘이디 칩 하부의 전기적 접속부에 컨텍 및 컨텍 해제되는 프로브핀을 가지며;
    적어도 검사위치 하부 영역에는 상기 프로브카드를 승강시키는 프로브 승강구동기가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 검사장치.
  9. 삭제
KR1020110053398A 2011-06-02 2011-06-02 엘이디 칩 검사장치 KR101184683B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110053398A KR101184683B1 (ko) 2011-06-02 2011-06-02 엘이디 칩 검사장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110053398A KR101184683B1 (ko) 2011-06-02 2011-06-02 엘이디 칩 검사장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101184683B1 true KR101184683B1 (ko) 2012-09-20

Family

ID=47113911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110053398A KR101184683B1 (ko) 2011-06-02 2011-06-02 엘이디 칩 검사장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101184683B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103900792A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 比亚迪股份有限公司 一种led晶片的发光检测装置
KR101696346B1 (ko) 2015-08-19 2017-01-18 ㈜킴스옵텍 진공 흡착 고정 구조의 엘이디 검사 소켓
US9702757B2 (en) 2014-12-18 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Light measuring system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101027737B1 (ko) * 2010-06-16 2011-04-07 주식회사 이노비즈 엘이디 검사 및 분류 장치 및 이를 이용한 엘이디 검사 및 분류 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101027737B1 (ko) * 2010-06-16 2011-04-07 주식회사 이노비즈 엘이디 검사 및 분류 장치 및 이를 이용한 엘이디 검사 및 분류 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103900792A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 比亚迪股份有限公司 一种led晶片的发光检测装置
US9702757B2 (en) 2014-12-18 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Light measuring system
KR101696346B1 (ko) 2015-08-19 2017-01-18 ㈜킴스옵텍 진공 흡착 고정 구조의 엘이디 검사 소켓

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100931323B1 (ko) 엘이디 칩 분류장치
KR101182584B1 (ko) Led 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR100931322B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법
TWI422826B (zh) 拾起裝置及具有其之發光二極體晶片選別裝置
KR102038556B1 (ko) 마이크로 엘이디 검사장치
KR101083346B1 (ko) 엘이디 칩 검사장치
KR101151216B1 (ko) 프로브카드를 구비한 적분구 유닛, 이를 구비한 엘이디 칩 테스트장치, 및 엘이디 칩 분류장치
KR101266662B1 (ko) 반도체 칩 검사시스템
KR101184683B1 (ko) 엘이디 칩 검사장치
KR101057416B1 (ko) 엘이디 칩 측정유닛
KR20110013107A (ko) 엘이디 칩 분류장치
KR100935706B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 그 전달부재
KR101043846B1 (ko) 반도체 칩의 픽업 장치 및 픽업 방법, 이를 이용한 반도체 칩의 테스트/분류 장치 및 방법
KR101111952B1 (ko) 엘이디소자다이본더
KR101477245B1 (ko) 칩안착블록 및 이를 갖는 엘이디 칩 검사장치
KR101074532B1 (ko) 엘이디 칩 분류장치 및 그 제거유닛
KR20130019237A (ko) 발광 소자 검사 장치
KR101050941B1 (ko) 반도체 칩의 테스트 장치 및 방법과, 이를 이용한 반도체 칩의 분류 장치 및 방법
KR101477243B1 (ko) 프로브유닛 및 이를 갖는 엘이디 칩 검사장치
CN202150448U (zh) 晶圆测试机承片台
KR101070834B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 엘이디 칩 분류장치
KR101004416B1 (ko) 엘이디 칩 이송유닛을 구비한 엘이디 칩 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 칩 이송방법
KR20110057568A (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 엘이디 칩 분류장치
KR20110139812A (ko) 발광 다이오드 칩에 대한 정전 방전 시험 장치 및 양호한 발광 다이오드 칩 선별 방법
KR101266650B1 (ko) 반도체 칩 검사장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150911

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160902

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170913

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190916

Year of fee payment: 8