TWI412761B

TWI412761B - 發光二極體晶片選別裝置

Info

Publication number: TWI412761B
Application number: TW99104693A
Authority: TW
Inventors: Beng So Ryu
Original assignee: Qmc Co Ltd; Beng So Ryu
Priority date: 2009-02-20
Filing date: 2010-02-12
Publication date: 2013-10-21
Also published as: WO2010095810A3; WO2010095810A2; TW201102671A

Description

發光二極體晶片選別裝置

發明領域

本發明係有關一能夠測試發光二極體(LED)晶片以調查其效能並選別經測試的發光二極體晶片之發光二極體晶片選別裝置。

發明背景

發光二極體(LED)係為一種將電轉換成光的半導體發光元件。發光二極體亦稱為發冷光二極體(luminescent diode)。發光二極體相較於習見光源而言具有許多優點，包括尺寸較小、壽命較長、低功率消耗及高速回應性。因此，發光二極體已廣泛使用在諸如用於汽車儀器之顯示器元件、用於諸如光學通信光源、供數值顯示元件或計算器用的讀卡器等各種不同電子元件之顯示燈、背光等物件的各種不同應用中。

發光二極體係經由一磊晶製程、一晶片製程(製造(fabrication))及一封裝製程而製成。發光二極體在經過封裝製程被封裝之後接受一測試製程。測試製程中，未正常運作的發光二極體(下文稱為“劣品”)係被排除，而正常運作的發光二極體(下文稱為“良品”)則依據其效能被選別入多重級別然後予以運送。

此處，在測試製程中，發光二極體可能由於封裝製程期間造成的問題而被排除成為劣品或選別入一較低級別，且其可能在經歷過封裝製程之前由於其以晶片狀態(下文稱為“發光二極體晶片”)被製造的製造製程期間所產生之問題而被排除成為劣品或選別入較低級別。

亦即，縱使封裝製程中未產生會影響發光二極體效能的問題，亦可能發現由於發光二極體晶片製造時所產生的問題而使發光二極體成為劣品或被選別入較低級別。

由於發光二極體晶片製造時所造成的問題而在測試製程中被排除成為劣品之發光二極體係不必要地經歷過封裝製程及測試製程。由於其經歷過不必要的製程，可能造成材料成本及製程成本的損失。

對於由於發光二極體晶片製造期間所造成的問題而被選別入較低級別之發光二極體，在封裝製程中可能追究其被選別入較低級別的原因。結果，這在獲得精確分析結果的過程中將耗時且不合乎成本效益。

上述問題可能導致製造採用發光二極體的產品之單位成本增高，亦可能導致製造發光二極體的單位成本增高。

發明概要

鑒於上文，本發明係提供一能夠精確地測試發光二極體晶片效能及成功地選別經測試的發光二極體之發光二極體晶片選別裝置。

為了達成上述目的，本發明可包括下列組態。

根據本發明的一實施例，提供一藉由測量發光二極體晶片的特徵以選別發光二極體晶片之發光二極體晶片選別裝置。該發光二極體晶片選別裝置係包括：一進給器，包括一安裝構件，其組構為可在其上安裝一發光二極體晶片，並用來使安裝構件旋轉於一其中使發光二極體晶片被裝載在安裝構件上的裝載位置、一其中使發光二極體晶片受到測試的測試位置、及一其中使發光二極體晶片從安裝構件被卸載的卸載位置之間；一裝載器，其裝設於進給器旁邊並用來將待測試的發光二極體晶片進給至處於裝載位置之安裝構件上；一測試器，其裝設於進給器旁邊並用來測量處於測試位置之發光二極體晶片的特徵；及一卸載器，其裝設於進給器旁邊並用來從處於卸載位置之安裝構件卸載經測試的發光二極體晶片。

根據本發明的一實施例，安裝構件的整體或一部份可由一含有藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、金及鉑的任一者之材料製成。並且，安裝構件的整體或一部份係可覆蓋以一鐵弗龍(Teflon)塗覆物或一面鏡塗覆物、或者鍍覆以金或鉑。

根據本發明的一實施例，進給器可包括在徑向方向從一旋轉軸線延伸之複數個支撐框架，且安裝構件係裝設於複數個支撐框架各者的一端部分處。

根據本發明的一實施例，卸載器可位居裝載器的相對處且進給器介於其間。

根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可進一步包括一補償單元，其裝設於裝載器與測試器之間或測試器與卸載器之間，並用來補償安裝於安裝構件上之發光二極體晶片的一位置。補償單元係包括：一補償機構，其能夠被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側向表面；及一致動機構，其連接於補償機構並用來藉由移動補償機構以改變安裝於安裝構件上之發光二極體晶片的位置。

根據本發明的一實施例，補償機構係包括一第一補償構件，其被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側；及一第二補償構件，其被帶領而接觸於發光二極體晶片的另一側。

根據本發明的一實施例，致動機構可在容許第一補償構件及第二補償構件趨近或退離位於第一補償構件與第二補償構件之間的發光二極體晶片之方向中移動第一補償構件及第二補償構件。

根據本發明的一實施例，補償機構可進一步包括一第三補償構件，其具有一第一接觸表面以被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側；一第二接觸表面以被帶領而接觸於發光二極體晶片的另一側；及一發光二極體晶片容納溝槽，其設置於第一接觸表面與第二接觸表面之間並組構為可在其中容納發光二極體晶片。

根據本發明的一實施例，致動機構可切換於一其中當發光二極體晶片只保持接觸於第一接觸表面而不接觸於第二接觸表面之時使致動機構移動第三補償構件的模式及一其中當發光二極體晶片只保持接觸於第二接觸表面而不接觸於第一接觸表面之時使致動機構移動第三補償構件的模式之間。

根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可進一步包括一感測器單元，其裝設於補償機構上方；並用來偵測安裝構件上的一發光二極體晶片安裝位置。

根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可進一步包括一第一移除單元，其裝設於卸載位置與裝載位置之間的一第一移除位置處；並用來移除已穿過卸載位置之安裝構件上的其餘部分。

根據本發明的一實施例，第一移除單元可包括：一體部；及一鼓風單元，其耦合至體部的一側並用來噴注一流體以從處於第一移除位置之安裝構件移除其餘部分。

根據本發明的一實施例，第一移除單元可進一步包括一空氣吸取單元，其耦合至體部的另一側並用來吸取從噴注單元所噴注的流體。

根據本發明的一實施例，發光二極體晶片選別裝置可進一步包括一第二移除單元，其裝設於卸載位置與裝載位置之間的一第二移除位置處；並用來移除已穿過卸載位置之安裝構件上所留存的一黏劑。

根據本發明的一實施例，第二移除單元可包括：至少一接觸構件，其被帶領而接觸於已穿過卸載位置之安裝構件的一頂表面；一支撐構件，其可旋轉地耦合至接觸構件；及一驅動單元，其耦合至支撐構件並用來轉動接觸構件。

根據本發明的一實施例，第二移除單元可包括：至少一接觸構件，其被帶領而接觸於已穿過卸載位置之安裝構件的一頂表面；一支撐構件，其耦合至接觸構件；及一移動單元，其耦合至支撐構件並用來移動支撐構件。

根據本發明的一實施例，裝載器可包括：一進給機構，其用來進給複數個待測試的發光二極體晶片；一裝載單元，其用來揀取一待測試的發光二極體晶片且將發光二極體晶片安裝於位居裝載位置的安裝構件上；及一第一進給單元，其用來移動進給機構以容許待測試的發光二極體晶片位居一其中使裝載機構能夠揀取待測試的發光二極體晶片之第一揀取位置處。

根據本發明的一實施例，裝載器可進一步包括一第一冷卻單元，其用來冷卻進給機構。

根據本發明的一實施例，第一冷卻單元可包括一第一噴注單元，其用來噴注一冷卻氣體朝向被支撐於第一進給單元上之進給機構。

根據本發明的一實施例，裝載單元可包括：一裝載視覺單元，其位居第一揀取位置上方；一裝載揀取器，其裝設於裝載視覺單元下方且設有一第一空氣吸取孔以吸引位居第一揀取位置之發光二極體晶片；及一第一傳遞構件，其耦合至處於第一空氣吸取孔的一側之裝載揀取器並用來傳遞已穿過第一空氣吸取孔的光。

根據本發明的一實施例，卸載器可包括：一緩衝器總成，其裝設於測試器旁邊；及一選別總成，其裝設於緩衝器總成旁邊。緩衝器總成包括一卸載單元，其用來進行一卸載製程以從位居卸載位置的安裝構件揀取經測試的發光二極體晶片並將經測試的發光二極體晶片傳送至一第一容納機構，且選別總成包括一選別單元，其用來將經測試的發光二極體晶片從第一容納機構傳送至與經測試的發光二極體晶片之一級別呈現對應之一第二容納機構；及一第二進給單元，其用來當支撐第一容納單元之時移動第一容納單元以容許經測試的發光二極體晶片位居一其中使選別單元能夠揀取經測試的發光二極體晶片之第二揀取位置處。

根據本發明的一實施例，選別總成可進一步包括一第二冷卻單元，其用來冷卻第一容納機構。

根據本發明的一實施例，第二冷卻單元可包括一第二噴注單元，其用來噴注一冷卻氣體朝向由第二進給單元所支撐之第一容納機構。

根據本發明的一實施例，選別單元可包括：一選別視覺單元，其位居第二揀取位置上方；一選別揀取器，其裝設於選別視覺單元下方且設有一第二空氣吸取孔以吸引位居第二揀取位置之發光二極體晶片；及一第二傳遞構件，其耦合至處於第二空氣吸取孔的一側之選別揀取器並用來傳遞已穿過第二空氣吸取孔的光。

根據本發明的一實施例，卸載器可包括一裝設於測試器旁邊之分級總成，且該分級總成可包括一分級機構，其上設置有經測試的發光二極體晶片；及分級單元，其用來將經測試的發光二極體晶片從位居卸載位置的安裝構件傳送至分級機構。

根據本發明的一實施例，分級機構可包括：複數個倉區塊，其上根據級別放置有經測試的發光二極體晶片；一移動板，其上設置有複數個倉區塊；及一致動元件，其用來移動倉區塊藉以容許倉區塊位居一其中使分級單元能夠放置經測試的發光二極體晶片之選別位置處。致動元件係移動移動板以容許與分級單元所揀取之經測試的發光二極體晶片級別呈現對應之倉區塊位居選別位置處。

圖式簡單說明

可連同圖式參照下文描述清楚地瞭解本揭示：第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；第2圖為一進給器的示意立體圖；第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，其顯示一安裝構件；第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件的示意立體圖；第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖；第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安裝構件的示意橫剖視圖；第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構件之示意立體圖；第9圖為第8圖的分解立體圖；第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖；第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二極體晶片的一狀態；第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作狀態；第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸運動單元的示意立體圖；第19圖為第18圖的分解立體圖；第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程的示意性操作狀態；第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件；第28圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖；第29至30圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸單元的立體圖；第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖；第32圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖；第34圖為根據本發明之發光二極體晶片選別裝置的示意平面圖；第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立體圖；第36圖為第35圖的側視圖；第37圖為一第一進給體部、一第一進給支撐元件及一裝載單元之示意立體圖；第38圖係為顯示第37圖的一部份L之示意放大側橫剖視圖；第39圖為顯示第一進給單元及裝載單元之示意立體圖；第40圖為顯示一第一儲存單元之示意立體圖；第41圖描繪一第一轉移單元之示意立體圖；第42圖為第一進給體部、第一進給支撐元件、裝載單元及一第一冷卻單元之示意立體圖；第43至45圖為第42圖的一部份M之示意放大側視圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元；第46圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給器的示意平面圖；第47及48圖為顯示一第一補償單元的一操作關係之示意立體圖；第49圖為一第二補償單元之立體圖；第50圖為第二補償單元的一第二補償機構之分解立體圖；第51圖為一第三補償構件之放大立體圖；第52圖為顯示第二補償單元的一操作關係之正視圖；第53圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給器的示意平面圖；第54及55圖為一第三補償單元的一操作關係之示意立體圖；第56圖為一第四補償單元之立體圖；第57圖為第四補償單元的一第四補償構件之分解立體圖；第58圖提供一第六補償構件之放大立體圖；第59圖為顯示第四補償單元的一操作關係之正視圖；第60圖為顯示根據本發明的一安裝構件、一旋轉構件及一第一移除單元之示意平面圖；第61圖為顯示根據本發明的第一移除單元之示意立體圖；第62圖為顯示根據本發明的第一移除單元、旋轉構件及安裝構件之示意側視圖；第63圖為顯示根據本發明的第一移除單元之部份橫剖視圖；第64圖為顯示根據本發明的安裝構件、旋轉構件、第一移除單元及一第二移除單元之示意平面圖；第65圖為顯示安裝構件及第二移除單元之示意側視圖；第66及67圖為根據本發明的第二移除單元之示意圖；第68圖為一卸載單元之示意立體圖；第69圖為一第一容納機構及一第一容納單元之示意立體圖；第70圖為一第二儲存單元的示意立體圖；第71圖為一第二轉移單元之示意立體圖；第72圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一卸載單元的發光二極體晶片選別裝置之示意立體圖；第73圖為第72圖的平面圖；第74及75圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一第二儲存單元的示意立體圖；第76圖為第二轉移單元及一第三轉移單元之示意立體圖；第77圖為第一容納機構及一第二進給單元之示意立體圖；第78圖為第78圖的側視圖；第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐元件、及一選別單元之示意立體圖；第80圖為顯示第79圖的一部份T之示意放大側橫剖視圖；第81圖為選別單元之示意立體圖；第82圖描繪第二進給體部、第二進給支撐元件、選別單元及一第二冷卻單元之示意立體圖；第83至85圖為第82圖的一部份U之示意放大側剖視圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元；第86圖為一第二容納機構及一第二容納單元之示意立體圖；第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖；第88圖為一第四轉移單元之示意立體圖；第89圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一卸載單元之發光二極體晶片選別裝置的一部份性組態之示意立體圖；第90圖為第89圖的平面圖。

發明之詳細說明

下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明之一發光二極體晶片選別裝置的實施例。

現參照第1至34圖，根據本發明之一發光二極體晶片選別裝置10係包括一發光二極體晶片測試裝置1，一裝載器4，及一卸載器9。發光二極體晶片測試裝置1係包括一進給器2及一測試器3，而測試器3包括一測量單元31，一接觸單元32，一第一傳送構件33(顯示於第8圖)，一接觸運動單元34及一主體部35。

首先，將根據本發明的一實施例詳細地描述發光二極體晶片測試裝置1─亦即進給器2及測試器3。

第1圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；第2圖為進給器的示意立體圖；第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，顯示一安裝構件；第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件的示意立體圖；第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖；第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安裝構件的示意橫剖視圖；第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第8圖為顯示接觸單元、運動單元及第一傳送構件之耦合的示意立體圖；第9圖為第8圖之分解立體圖；第10圖為第8圖之D-D橫剖視圖；第11及12圖提供第7圖的一部份C之放大圖，以顯示在根據本發明的發光二極體晶片測試裝置中所測試之一發光二極體晶片的一狀態；第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作性狀態；第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸運動單元的示意立體圖；第19圖為第18圖之分解立體圖；第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片的製程之示意操作性狀態；第23圖為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件；第28圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖；第29至30圖為根據本發明之實施例的一修改範例之立體圖；第31圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一接觸單元之發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；第32圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；第33圖為顯示第33圖的一測試位置之示意放大圖。

參照第1圖，發光二極體晶片測試裝置1係包括進給器2及測試器3。測試器3係包括測量單元31，接觸單元32，第一傳送構件33(顯示於第8圖)，接觸運動構件34及主體部35。

<進給器>

參照第1及2圖，進給器係進給一待測試發光二極體晶片至一其中使測量單元31能夠測量發光二極體晶片的一光學特徵之測試位置。進給器2可包括一或多個安裝構件21，一旋轉構件22及一旋轉單元23。

參照第1至3圖，一發光二極體晶片係安裝在安裝構件21上。發光二極體晶片安裝在安裝台上之後，發光二極體晶片藉由一空氣吸取元件F(顯示於第11圖)被吸引至安裝構件21上以穩固地固持於其上。空氣吸取元件F可裝設於旋轉構件22處。空氣吸取元件F能夠經由一設置於安裝構件21中的通孔21a吸取空氣來吸引安裝台21上所安裝之發光二極體晶片。安裝構件21可形成一圓柱形形狀。

複數個此等安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。隨著旋轉單元23轉動旋轉構件22，安裝構件21可順序性位居一測試位置TP處。當各安裝構件21位居測試位置TP處，安裝構件21被定位測量單元31下方。

安裝構件21係用來在其上吸引及固持發光二極體晶片。因為數個發光二極體晶片被接續地安裝於安裝構件21上，安裝構件21可由一具有高硬度的材料製成或被其塗覆。理想上，安裝構件21可由一具有高反射率(reflectivity)的材料製成或被其塗覆，藉以當光被送往或反射往安裝構件21時容許發光二極體晶片所發射的光被送到測量單元31，藉此防止產生光學損失。

可特別想要使安裝構件21由一在一測量波長頻帶或與其接近的波長頻帶內一亦即約200 nm至約1000 nm的波長頻帶內具有固定高反射率之材料製成或被其塗覆。也就是說，當光被送到放置有發光二極體晶片處除外之一安裝構件21的頂表面區及一安裝構件21的側向表面區時，若光被安裝構件21大量吸收，則發光二極體晶片的光學特徵將未被精確測量。理想上，因此，安裝構件21可由一在測量波長頻帶或與其接近的波長頻帶內具有高反射率之材料製成。尚且，當複數個安裝構件21具有不同反射率時或隨著長時間使用後當安裝構件21磨損而使各安裝構件21的反射率相對於其初始狀態產生改變時，發光二極體晶片的光學特徵可被精確測量。因此，想要將安裝台21的反射率設定成固定維持在測量波長頻帶及與其接近的波長頻帶內之高數值。

同時，發光二極體晶片若是水平型，電極只在一封裝製程期間形成於發光二極體晶片的一頂表面上。然而，發光二極體晶片若是垂直型，單一電極係形成於發光二極體晶片的頂表面上，而發光二極體晶片的一下部份則作為另一電極。可能想要測量發光二極體晶片在與封裝後的環境最為相同之條件下的特徵。為此，若是垂直型晶片，電力需被傳導通過發光二極體晶片的下部份。因此，接觸到垂直型發光二極體晶片的下部份之安裝構件21係需由一高傳導材料製成藉以當發光二極體晶片發光時降低電阻。

如上述，考量到抗磨性、硬度、反射率、傳導率及類似因素，為了以高可靠度穩定地測量發光二極體晶片的光學特徵，整體安裝構件21或安裝構件21的一部份可由一含有藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、PTEE(聚四氟乙烯)、金、鉑及銀的任一者之材料製成。整體安裝構件或安裝構件的一部份係可覆蓋以一面鏡塗覆物、或者鍍覆以金、鉑或銀。

同時，安裝構件21可包括一接觸構件211及一第一安裝體部212。

接觸構件211可耦合至第一安裝體部212的一側212a並被帶領而接觸於發光二極體晶片。接觸構件211可由一高傳導材料製成。譬如，接觸構件211可由譬如金、鉑、或銀製成。尤其，接觸構件211可藉由金、鉑或銀塗覆第一安裝體部212而形成。當發光二極體晶片製成藉由接觸單元32而發光時，接觸構件211能夠降低發光二極體晶片的電阻。為此，發光二極體晶片測試裝置1能夠測量發光二極體晶片的光學特徵及電性特徵。

第一安裝體部212耦合至旋轉構件22。接觸構件211耦合至第一安裝體部212的一側212a。第一安裝體部212可形成一圓柱形形狀。

如上述，當接觸構件211由一具有高傳導率及高反射率的材料製成時，其可具有一相對較低的硬度。在此例中，若安裝構件21上的發光二極體晶片作重覆放置，接觸構件211可能易於磨損。

為防止此問題，第一安裝體部212可設有複數個突件2121，其在面朝測量單元31的一方向(以箭頭G代表)從處於測試位置TP的發光二極體晶片突起。突件2121可形成於第一安裝體部212的一側212a上。藉由形成突件2121，第一安裝體部212的一側212a亦可設有複數個溝槽2122，其從測量單元31在一面朝放置於測試位置的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)凹入一特定深度。

接觸構件211可耦合至第一安裝體部212藉以被插入突件2121之間。亦即，接觸構件211可形成於第一安裝體部212的一側212a以被插入溝槽2122中。為此，由於存在有被插入溝槽2122中之接觸構件211而能夠長期使用安裝構件21，縱使發光二極體晶片被重覆放置於安裝構件21上亦然，藉此容許發光二極體晶片的效能受到精確測量。

各突件2121可具有一矩形平行六面體形狀。然而，各突件2121可形成矩形平行六面體形狀以外的另一形狀，諸如半球形，只要安裝構件211可被插入突件2121之間即可。

可藉由將溝槽2122形成於第一安裝體部212的一側212a以製備突件2121。溝槽2122的一部份可沿著一第一方向呈長形，而溝槽2122的另一部份可沿著垂直於第一方向的一第二方向呈長形。藉由此配置，溝槽2122彼此相交，其中因此使突件2121可以一格構圖案形成於第一安裝體部212的一側212a。第一方向及第二方向可能未彼此垂直，而是其非直角的角度相交。尚且，溝槽2122可能形成於三或更多個不同方向。

參照第1至5圖，根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件21係可包括一接觸構件211及一第一安裝體部22，如下述。

接觸構件211係耦合至第一接觸體部211的一側212a並被帶領而接觸於一發光二極體晶片。接觸構件211可由一高硬度材料製成。譬如，接觸構件211可由藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、或PTEE(聚四氟乙烯)製成。為此，縱使發光二極體晶片重覆放置於安裝構件21上，亦可防止接觸構件211容易被磨損。一其中可供接觸構件211插入之耦合溝槽2123係可形成於第一安裝體部212的一側212a。耦合溝槽2123可從測量單元31在朝向位居測試位置TP上的一發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)凹入一特定深度。

耦合溝槽2123可譬如形成一圓形板形。耦合溝槽2123可形成與接觸構件211實質相同的形狀藉以容許接觸構件211插入其中。耦合溝槽2123可形成碟形以外的另一形狀，諸如一矩形板形或類似物。耦合溝槽2123可形成與接觸構件211實質相同的尺寸。接觸構件211可藉由插入配合至耦合溝槽2123中而被耦合至第一安裝體部212。接觸構件211亦可藉由一黏劑或類似物被黏著至第一安裝體部212。

如上述，若接觸構件211由一具有高硬度的材料製成，該材料可具有低反射率。譬如，若接觸構件由藍寶石、石英、玻璃、鐵合金、銅合金、鋁合金、不銹鋼、硬金屬、或PTEE(聚四氟乙烯)製成，則從一發光二極體晶片發射的光可能有些部份未抵達測量單元31。

為防止此問題，安裝構件21可進一步包括一反射構件213。反射構件213可被插入耦合溝槽2123中以位居接觸構件211與第一安裝體部212之間。反射構件213係反射從發光二極體晶片發射的光藉以容許光抵達測量單元31。從發光二極體晶片往下發射的光係被反射構件213所反射且因此可被送到測量單元31。反射構件213可由一具有高反射率的材料製成。譬如，反射構件213可藉由面鏡式塗覆一金屬或一樹脂材料所形成。藉由此組態，可容許較大量的光抵達測量單元31，藉此容許發光二極體晶片測試裝置1更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

可使將被帶領而接觸於耦合溝槽2123之接觸構件211的一側211a作面鏡式塗覆，藉以製備反射構件213。譬如，接觸構件211可由藍寶石製成，且藉由面鏡式塗覆將被帶領而接觸於耦合溝槽2123之接觸構件211的一側211a，從發光二極體晶片發射的光可被送到測量單元31。在此例中，即便藍寶石製成的接觸構件211反射率隨著其表面因為反覆使用接觸構件211受損而劣化時，因為藍寶石的後表面為面鏡式塗覆，即便隨時間經過仍可固定維持高水準的反射率。

設置於安裝構件21中的通孔21a係可形成經過接觸構件211，第一安裝體部212及反射構件213。空氣吸取元件F(顯示於第11圖)係能夠經由通孔21a吸取空氣藉以吸引安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片。

參照第1至6圖，根據本發明之實施例的又另一修改範例之一安裝構件21係可進一步包括一第二安裝體部214。

第二安裝體部214係包括一通孔，上方安裝有一發光二極體晶片之第一安裝體部212的部分係插入經過該通孔。第二安裝體部214可耦合至第一安裝體部212，使得上方安裝有發光二極體晶片之第一安裝體部212的部分插入經過第二安裝體部214的通孔。

第二安裝體部214的一頂表面及第一安裝體部212的一頂表面係可位居不同高度。如第6圖所示，第一安裝體部212可形成為使其頂表面突出高於第二安裝體部214的頂表面。雖未圖示，第二安裝體部214可形成為使其頂表面突出高於第一安裝構件212的頂表面。第二安裝體部214可形成一圓柱形。

第二安裝體部214設有一傾斜表面2141，其用來將發光二極體晶片往下發射的光送往測量單元31。在此例中，測量單元31可位居被置於測試裝置TP之發光二極體晶片上方。

可藉由形成一以一特定厚度自第二安裝體部214的頂表面凹入之傾斜溝槽2142來製備傾斜表面214。傾斜溝槽2142可形成為沿著一往下方向(以箭頭H代表)從第二安裝體部214的頂表面呈窄化。為此，傾斜表面2142可在一往外方向(以箭頭E代表)呈傾斜。第二安裝體部214可形成一圓柱形，且傾斜溝槽2142可形成為隨著從第二安裝體部214頂表面往下而使其直徑逐漸減小。

因為存在有傾斜表面2142，將可容許較大量的光抵達測量單元31，根據本發明的實施例之發光二極體晶片測試裝置1可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。傾斜表面2141可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，傾斜表面2141可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

參照第1及2圖，旋轉構件22裝設於主體部35旁邊。

複數個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處。旋轉構件22可被旋轉單元所轉動。當旋轉構件22被轉動，安裝構件21以及裝載於安裝構件21上之待測試的發光二極體晶片係可順序性位居測試位置TP處。

更確切來說，複數個安裝構件22可當其相對於一旋轉軸線22a以彼此相同的角度間隔分佈之時被配置於旋轉構件22處。藉由此配置，旋轉單元23係以相同角度重覆旋轉單元23的轉動及停止，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。

譬如，八個安裝構件21可裝設於旋轉構件22處同時相對於旋轉軸線22a以約45°的角度間隔彼此分開。在此例中，由於旋轉單元23重覆地轉動旋轉構件22約45°及停止旋轉構件22的轉動，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。或者，十二個安裝構件21可相對於旋轉軸線22a以約30°的角度間隔裝設於旋轉構件22處。在此例中，由於旋轉單元22重覆地轉動旋轉構件22約30°及停止旋轉構件22的轉動，安裝構件21可順序性位居測試位置TP處。

亦即，當裝設於旋轉構件22處的安裝構件21數定義為N(N是大於1的整數)，可裝設N數量的安裝構件21同時其彼此相對於旋轉軸線22a以(360/N)°的角度間隔分佈。由於旋轉單元23重覆地轉動旋轉構件22(360/N)°然後停止轉動，安裝構件21可被順序性放置於測試位置TP處。理想上，偶數個的安裝構件22可被裝設於旋轉構件22處。

當安裝構件21的任一者位居測試位置TP時，另一安裝構件21可位居一其中使一待測試的發光二極體晶片受到裝載之裝載位置LP，同時安裝構件21的另一者可位居一其中使一經測試的發光二極體晶片被卸載之卸載位置ULP。

一發光二極體晶片係被裝載於位居裝載位置LP之安裝構件21上並在其被移至測試位置TP之後作測試。然後，測試完成之後，發光二極體晶片被移至卸載位置以從安裝構件21被卸載。亦即，進給器2能夠將待測試的發光二極體晶片進給至測試位置TP並將經測試的發光二極體晶片送到卸載位置ULP。可藉由一組構為可轉移發光二極體晶片但未圖示之轉移部件來進行將一待測試的發光二極體晶片裝載至位居裝載位置LP的安裝構件21上之製程以及將一經測試的發光二極體晶片從位居卸載位置ULP的安裝構件21作卸載之製程。

安裝構件22可裝設於旋轉構件22處以使至少一安裝構件22同時位居測試位置TP、裝載位置LP及卸載位置ULP的各者處。

旋轉構件22可包括支撐框架221，其上裝設有各別的安裝構件21。旋轉構件22可包括與安裝構件21相同數量的支撐框架221。譬如，若八個安裝構件21設置於旋轉構件22處，旋轉構件22可包括八個支撐框架221。在此例中，支撐框架221可相對於旋轉軸線22a以約45°間隔彼此分開。支撐框架221可裝設成使其從旋轉軸線22a往外呈長形藉以位居測試位置TP、裝載位置LP及卸載位置ULP處。

安裝構件21可裝設於支撐框架221的頂表面上。空氣吸取元件F(顯示於第11圖)可裝設於各支撐框架221的一底表面。一與安裝構件21的通孔21a(顯示於第11圖)呈現導通之通孔22b(顯示於第11圖)係可設置於其中裝設有安裝構件21之支撐框架221的部分中。通孔21a及22b可譬如形成圓柱形。

參照第1及2圖，旋轉單元23係轉動旋轉構件22藉以使安裝構件21順序性位居測試位置TP處。旋轉單元23可耦合至旋轉構件22的一底表面並用來沿旋轉軸線22a轉動旋轉構件22。

旋轉單元23可包括一馬達231。馬達231係組構為可藉由直接耦合至旋轉軸線22a或藉由耦合至與旋轉軸線22a連接之一未圖示的軸來轉動旋轉構件22。若馬達231裝設於一與未圖示的軸分開一特定距離之位置，旋轉單元23可進一步包括一滑輪及一皮帶，其用於連接馬達231及未圖示的軸。

<測試器>

參照第1至7圖，測試器3裝設在旋轉構件21旁邊且能夠測試一位居測試位置TP之發光二極體晶片。如上述，測試器3係可包括測量單元31，接觸單元32，第一傳送構件33(顯示於第8圖)，接觸運動單元34及主體部35。

測量單元31係包括一光接收孔311(顯示於第11圖)，以供液晶顯示裝置(LCD)晶片發射的光經由其被導入。測量單元31係連接於一測試元件(未圖示)，該測試元件係能夠分析發光二極體晶片上的一測試結果、且能夠與測量元件合作從經由光接收孔311導入的光來測量發光二極體晶片的一光學特徵。光學特徵可包括明度、波長、光通量、照明、頻譜分佈、色溫等等。可使用一積分球作為測量單元31。

測量單元31可耦合至主體部34以使光接收孔311位居發光二極體晶片上方。一光譜儀及一光偵測器的至少一者可裝設於測量單元31處。譬如，測量單元31可形成一球形且光接收孔311可形成一圓形。

參照第1至10圖，接觸單元32可連接於測試元件並能夠與測試元件(未圖示)合作使發光二極體晶片發光。測量單元31能夠測量發光二極體晶片的光學特徵。為此，接觸單元32能夠與測試元件合作以測試發光二極體晶片的一電性特徵。

接觸單元32可包括一或多個接觸銷針321及一耦合至接觸運動單元34之接觸體部322。接觸單元32可被水平移動且亦可藉由接觸運動單元34而被上下移動。與測試元件合作，接觸單元32能夠使接觸於接觸銷針321之發光二極體晶片發光。接觸單元32可包括複數個此等接觸銷針321。可使用一探針卡作為接觸單元32。

接觸體部322可包括與接觸銷針321呈電性連接之一或多個終端3221。接觸銷針321係耦合至接觸體部322同時其保持接觸於終端3221。接觸銷針321可經由終端3221電性連接於測試元件。接觸體部422可包括複數個終端3221，且連接銷針321可耦合至終端3221的各者。

接觸體部322可耦合至接觸運動單元34藉以位居測量單元31與接觸於接觸銷針321的發光二極體晶片之間。測量單元31可位居接觸體部322上方，而置於測試位置TP之發光二極體晶片可位居接觸體部322下方。

接觸體部322可設有一插入孔3222供接觸銷針321插過。接觸銷針321的一側係連接於接觸體部322頂表面上所形成之終端3221，而接觸銷針321另一側則在插過插入孔3222之後被帶領而接觸於恰位居接觸主體部322下方的發光二極體晶片。從發光二極體晶片發射的光係可在穿過插入孔3222及光接收孔311(顯示於第11圖)之後抵達測量單元31內側。譬如，接觸體部322可形成一四邊形板形，而插入孔3222可形成一圓形。

接觸單元32可包括一連接單元323。至少一連接終端3223係形成於接觸體部322的一側，且接觸體部322可經由連接終端3223電性連接於連接單元323。連接單元323可連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由接觸體部322及連接單元323電性連接於測試元件(未圖示)。

連接單元323可包括一連接溝槽3231供接觸體部322插入其內。接觸體部322可在其插入連接溝槽3231內的一側包括至少一連接終端3223。連接單元323可被可脫離地耦合至接觸運動單元34，且接觸體部322可被插入連接單元323中並位居測量單元31與處於測試位置TP的發光二極體晶片之間。

參照第1至11圖，第一傳送構件33係裝設於接觸單元32與位居測試位置TP的發光二極體晶片之間。為此，在發光二極體晶片測試裝置1中，由於測量單元31與發光二極體晶片之間隙的一部份會被第一傳送構件33所阻絕，從發光二極體晶片發射之後穿過測量單元31與發光二極體晶片之間隙的光量相較於習見案例而言會降低。

第一傳送構件33可耦合至接觸運動單元34。為此，當接觸單元32需作更換時，可與第一傳送構件33分離只更換接觸單元32。

第一傳送構件33係包括一第一穿孔331及一第一傳送表面332。

第一穿孔331可形成經過第一傳送構件33。接觸銷針321可在插過第一穿孔331之後接觸到位居第一傳送構件33下方之發光二極體晶片。亦即，接觸銷針321可在插過第一穿孔331之後被帶領而接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片。從發光二極體晶片發射的光可在穿過第一穿孔331及光接收孔311之後抵達測量單元31內側。為此，接觸銷針321可被帶領而接觸於發光二極體晶片而不被第一傳送構件33所阻絕，且從發光二極體晶片發射的光可抵達測量單元31內側而不被第一傳送構件33所阻絕。

第一傳送構件33的第一穿孔331可形成為使其尺寸從測量單元31在一面朝位居測試位置TP的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)逐漸減小。亦即，第一穿孔331可形成為使其直徑從第一傳送構件33的一頂表面33a在一往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。第一穿孔331可形成為使其直徑從第一傳送構件33的頂表面33a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小，且其可具有一半球形。

第一傳送表面332係將發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31藉以容許光經由光接收孔311抵達測量單元31內側。在一側向方向中從發光二極體晶片發射的光係可藉由第一傳送表面332的存在而被傳送至測量單元31。藉由此組態，由於有較大量的光可抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第一傳送表面332可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。詳細來說，第一傳送表面332可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

第一傳送表面332可沿著第一穿孔331的一外表面形成藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元31。亦即，如第10圖的放大圖所示，第一傳送表面332可形成為使其隨著從第一傳送構件331的一底表面33b在一往上方向(以箭頭G代表)行進而遠離第一穿孔332的一中心I。若第一穿孔331形成半球形，第一傳送表面332可形成一彎曲表面形狀。

第一傳送構件33可進一步包括一第一突出構件333。

第一突出構件333可形成為使其從位居測試位置TP的發光二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向(以箭頭G代表)。亦即，第一突出構件333可形成為從第一傳送構件33的頂表面33a突起於往上方向(以箭頭G代表)。第一突出構件333可插入於插入孔3222中。

第一突出構件333可設有一從第一傳送表面332延伸之第一傾斜表面3331。第一傳送表面332及第一傾斜表面3331可形成呈現相同傾斜。亦即，第一傳送表面332及第一傾斜表面3331可形成為使其形成單一彎曲狀表面。藉由此組態，第一傳送表面332及第一傾斜表面3331能夠將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31。

為此，因為第一傳送構件33用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向之面積增大，可有較大量的光抵達測量單元31內側，所以發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第一傾斜表面3331可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第一傾斜表面3331可由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

參照第1至12圖，接觸運動單元34可包括一接觸支撐機構341，一接觸耦合機構342及一接觸揚升機構343。

接觸支撐機構341係支持接觸單元32。接觸單元32可經由接觸耦合機構342被可脫離式耦合至接觸支撐機構341。第一傳送構件33耦合至接觸支撐機構341藉以位居接觸單元32下方。為此，當由於液晶顯示裝置晶片種類改變或接觸銷針321損害而需要更換接觸單元32時，可以與第一傳送構件33獨立只更換接觸單元32。

接觸體部322及連接單元323的至少一者可耦合至接觸支撐機構341。接觸支撐機構341設有一通孔供第一傳送構件33插入其中。第一傳送構件33可藉由一被插入通孔中的插入配合機構而被耦合至接觸支撐機構341。第一傳送構件33可在插入通孔中之後藉由一諸如螺栓等緊固構件耦合至接觸支撐機構341。

接觸支撐機構341可耦合至接觸揚升機構343。當接觸支撐機構341藉由接觸揚升機構343被上下揚升，接觸單元32及耦合至接觸支撐機構341的第一傳送構件33亦可被上下移動。接觸支撐機構341可形成一四邊形板形，其從接觸揚升機構343在一面朝測量單元31的方向呈長形，。

接觸耦合機構342可容許接觸單元32被可脫離式耦合至接觸支撐機構341。可使用一諸如螺栓等緊固構件作為接觸耦合機構342。接觸單元32可具有一通孔供接觸耦合機構342插過，且接觸支撐機構341可具有一接合於接觸耦合機構342之溝槽。

參照第1至12圖，接觸揚升機構343能夠在一垂直方向(第2圖所示的Z方向)移動接觸單元32。接觸揚升機構343能夠降低接觸單元32藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚升機構343能夠升高接觸單元32同時防止接觸銷針321及發光二極體晶片因為其間接觸而受損。

接觸揚升機構343能夠上下揚升接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居一第一位置或一第二位置。接觸支撐機構341係耦合至第一傳送構件33。

當第一傳送構件33位居第一位置時，第一傳送構件33被定位於安裝構件21上方，如第11圖所示。接觸揚升機構343能夠升高接觸支撐機構341藉以使第一傳送表面332的一下端332a位居安裝構件21的頂表面21b上方。當第一傳送構件33位居第一位置時，接觸銷針321係位居與安裝構件21上的發光二極體晶片分開一特定距離之一位置。

當第一傳送構件33位居第二位置時，第一傳送構件33係位居一其中使安裝構件21插入第一穿孔331中之位置，如第12圖所示。亦即，第一傳送構件33的底表面33b係位居安裝構件21的頂表面21b下方。接觸揚升機構343能夠降低接觸支撐機構341藉以容許第一傳送表面332的下端332a位居安裝構件21的頂表面21b下方。當第一傳送構件33位居第二位置時，接觸銷針321係接觸於安裝構件21上所裝載之發光二極體晶片，且接觸單元32係使與接觸銷針321呈接觸之發光二極體晶片發光。

此組態中，在側向方向中從發光二極體晶片發射的光係藉由第一傳送表面332被送往測量單元21，可有較大量的光抵達測量單元31的內側。為此，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若發光二極體晶片位居測試位置TP，接觸揚升機構343係降低接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居第二位置。發光二極體晶片的測試完成時，接觸揚升機構343係升高接觸支撐機構341藉以容許第一傳送構件33位居第一位置。其後，旋轉單元23能夠轉動旋轉構件22。

為此，即便當旋轉構件22旋轉時，可防止安裝構件21及安裝構件21上所裝載的發光二極體晶片碰撞到第一傳送構件33及接觸銷針321。若一新的發光二極體晶片被裝載於測試位置TP，旋轉單元23將停止旋轉構件22，且接觸揚升機構343將降低接觸支撐機構341藉以容許第一轉移構件33位居第二位置。

接觸揚升機構343係能夠利用一馬達；及一耦合至馬達及接觸單元32各者之連接部件來上下移動接觸單元32。連接部件可為一滑輪及一皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件或類似物。接觸揚升機構343可組構為利用一液壓缸或一氣動缸來揚升接觸單元32。

此處，裝載於測試位置TP之發光二極體晶片可能並未總是被安裝在安裝構件21上的相同位置上。當發光二極體晶片在裝載位置LP被裝載於安裝構件21上時，發光二極體晶片可能未被置於一特定的預設位置，或者發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態可能隨著發光二極體晶片從裝載位置LP被攜載至測試位置TP時受到一離心力移動而改變。為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動單元34可進一步包括一接觸運動機構344，其在水平方向(第1圖所示的X及Y方向)移動接觸單元32。

接觸運動機構344能夠移動接觸單元32藉以使接觸銷針321位居一可使其接觸到發光二極體晶片之位置。接觸揚升機構34可耦合至接觸運動機構344。接觸運動單元344能夠藉由移動接觸揚升機構343來移動接觸單元32。接觸支撐機構341可耦合至接觸運動機構344，且接觸運動機構344可耦合至接觸揚升機構343。

接觸運動機構344係組構為利用一液壓缸或一氣動缸來接觸單元32。接觸運動機構344係可組構為利用一馬達；及一耦合至馬達及接觸單元32各者的連接部件來移動接觸單元32。連接部件可為一滑輪及一皮帶，滾珠螺桿，一凸輪構件或類似物。

接觸運動機構344可進一步包括一第一接觸運動單元3441，其組構為在一第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)移動接觸單元32；及一第二接觸運動機構3442，其組構為在一第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸單元32。

接觸揚升機構343可耦合至第二接觸運動機構3442，而第二接觸運動機構3442則可耦合至第一接觸運動機構3441。接觸揚升機構343可耦合至第一接觸運動機構3441，而第一接觸揚升機構3441可耦合至第二接觸機構3442。

雖未圖示，接觸運動機構344係組構為以一用於感測發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態之感測器單元(未圖示)所獲取的發光二極體晶片狀態資訊為基礎將接觸單元32移動至一其中可使接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片之位置。感測器單元(未圖示)能夠檢查發光二極體晶片在安裝構件21上之一安裝位置。感測器單元(未圖示)可包括一CCD攝影機，其能夠對於發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態攝取一影像。

此處，裝載於裝載位置之發光二極體晶片可能並未總是在相同方向安裝於安裝構件21上。當一發光二極體晶片裝載至處於裝載位置LP的安裝構件21上時，發光二極體晶片可能未於一特定預設方向被裝載，或者可能隨著發光二極體晶片從裝載位置LP被攜載至測試位置TP時被一離心力轉動而使發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態改變。

為了即便在此案例中仍達成精確測試，接觸運動單元34可進一步包括一接觸旋轉機構345(顯示於第13圖)。

參照第1至4圖，接觸旋轉機構345組構為可轉動接觸支撐機構341藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片。接觸支撐機構341可耦合至接觸旋轉機構345。當接觸旋轉機構345轉動接觸支撐機構341，耦合至接觸支撐機構341之接觸單元32係可被轉動。

藉由此組態，由於以發光二極體晶片在處於測試位置TP的安裝構件21上之安裝狀態為基礎當接觸單元32被轉動時可容許接觸銷針321精密地接觸於位居測試位置TP之發光二極體晶片，發光二極體晶片測試裝置1係能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

接觸旋轉機構345可包括一接觸旋轉構件3451，一接觸驅動機構3452及一接觸耦合機構3453。

接觸支撐機構341係耦合至接觸旋轉構件3451。接觸旋轉構件3451可被可旋轉式耦合至接觸耦合機構3453並可組構為可藉由接觸驅動機構3452沿一接觸旋轉軸線3451a旋轉。當接觸旋轉構件3451旋轉，接觸支撐機構341可被旋轉，且為此，耦合至接觸支撐機構341之接觸單元32可被旋轉。

接觸驅動機構3452能夠沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠轉動接觸旋轉構件3451藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試裝置TP之發光二極體晶片。接觸驅動機構3452能夠在順時針或逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉機構3451。

接觸驅動機構3452可包括一馬達3452a。馬達3452a可組構為可藉由直接耦合至接觸旋轉軸線3451a來驅動接觸旋轉構件3452以驅動接觸旋轉構件3452，或者其可組構為可藉由耦合至一與接觸旋轉構件3451a連接之軸(未圖示)以驅動旋轉構件22。若馬達3452a裝設於一與未圖示的軸分開一特定距離之位置，接觸驅動機構3452可進一步包括一滑輪及一皮帶，其連接馬達231及未圖示的軸。

接觸旋轉構件3451及接觸驅動機構3452係連接至接觸耦合機構3453。接觸旋轉構件3451可耦合至接觸耦合機構3453的一頂表面，而接觸驅動機構3452可耦合至接觸耦合機構3453的一底表面。

接觸耦合機構3453可耦合至接觸揚升機構343，而接觸揚升機構343可耦合至接觸運動機構344。此組態中，接觸耦合機構3453可藉由接觸揚升機構343被上下移動並可藉由接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)被移動。接觸耦合機構3453可耦合至接觸運動機構344，而接觸運動機構344可耦合至接觸揚升機構343。

此處，接觸旋轉機構345可依據接觸旋轉軸線3451a的一位置而定以兩種不同方式實行。下文，可參照附圖依序描述兩範例。

如第14圖的放大圖所示，一發光二極體晶片可包括兩個墊P1及P2，且發光二極體晶片係在各墊P1及P2接觸於接觸銷針321之時被測試。若發光二極體晶片在第14圖的放大圖所顯示的一位置及方向被裝載於安裝構件21上之時置於測試位置TP，可容許接觸銷針321接觸到墊P1及P2而不必在一水平方向移動或轉動接觸單元32。然而，如上述，發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態可因為不同理由而改變。

為了在此例中達成發光二極體晶片的精確測試，在根據第一範例的接觸旋轉機構345中，接觸驅動機構3452係組構為可沿與接觸於發光二極體晶片的接觸銷針321一端321a分離一特定距離之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。亦即，接觸驅動機構3452能夠沿位居測試位置TP的安裝構件21往側邊分離一特定距離之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。

參照第1至17圖，下文將描述根據第一範例之一藉由接觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之製程。第15至17圖為描述根據第一範例之接觸旋轉機構345的一操作性原理之示意圖，其中圖式顯示第14圖的放大圖及接觸旋轉軸線3451a。

首先，發光二極體晶片可在從第14圖所示位置及方向旋轉一特定距離及一特定角度之後以如第15圖所示的一狀態位居測試位置TP處。第15圖的一虛線係代表處於如第14圖所示位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態，而第15圖的一實線則代表處於測試位置TP的發光二極體晶片如上述因為不同理由被移動或轉動之後的發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態。

此狀態中，接觸驅動機構3452以一與位居測試位置的發光二極體晶片被旋轉角度呈現對應之角度沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠在一逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451，如第16圖所示。在此例中，接觸單元32將被接觸驅動機構343先行升高藉以不會碰撞到位居測試位置TP的安裝構件21及發光二極體晶片。第一傳送構件33可位居第一位置。

接觸銷針321以容許其被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片之各別墊P1及P2的角度被旋轉之後，接觸運動機構344係移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，如第17圖所示。可以接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。

若接觸銷針321位居被置於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，接觸揚升機構343係降低接觸單元32，因此容許接觸銷針321接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2。可藉由接觸揚升機構343降低接觸耦合機構3453來實行此運動。第一傳送構件33可被接觸揚升機構343降低並因此位居第二位置。

參照第1至13圖及第18至20圖，根據第二範例的接觸旋轉機構345中，接觸驅動機構3452係組構為可沿一被定位於位居測試位置TP的安裝構件21下方之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。位居測試位置TP之安裝構件21係可被定位於接觸單元32與接觸旋轉軸線3451a之間。

接觸旋轉構件3451可包括一耦合至接觸支撐機構341之垂直框架3451b及一可旋轉式耦合至接觸耦合機構3453之水平框架3451c。接觸驅動機構3452係能夠沿設置於水平框架3451c處之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。

垂直框架3451b係可形成於一容許裝載於測試位置TP的安裝構件21位居接觸單元32與水平框架3451c之間的高度位置處。水平框架3451c可從垂直框架3451c朝向位居測試位置TP的安裝構件21呈長形藉以容許接觸旋轉軸線3451a被定位於處於測試位置TP的安裝構件21下方。接觸旋轉構件3451譬如可形成一“L”形。

為此，相較於根據上述第一範例之接觸旋轉機構345，此第二範例中，從接觸銷針321的一端321a至接觸旋轉軸線3451a之距離可減小。因此，接觸銷針321轉動藉以被帶領而接觸到處於測試位置之發光二極體晶片的各別墊P1及P2之後，接觸運動機構344移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方之一距離係可減小。

接觸驅動機構3452係能夠沿與被帶領而接觸到發光二極體晶片之接觸銷針321一端321a相同的垂直線J上所設置之接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。若接觸單元32包括複數個接觸銷針321，接觸旋轉軸線321a可位居與複數個接觸銷針321至少一者的一端321a相同之垂直線J處。

接觸驅動機構3452能夠沿位居與插入孔3222中心相同的垂直線I(顯示於第10圖)上之接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451。接觸旋轉軸線3451a可位居與第一穿孔331及插入孔3222的中心相同之垂直線I處。

若接觸旋轉軸線3451a位居與插入孔3222中心相同之垂直線I上，下文將參照第13圖及第18至20圖描述根據第二範例之一藉由接觸旋轉機構345帶領接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之製程。

首先，發光二極體晶片可在從第14圖所示位置及方向轉動一特定距離及一特定角度之後以如第20圖所示狀態位居測試位置TP。第20圖中，一虛線係代表處於如第14圖所示位置及方向之發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態，而一實線則代表處於測試位置TP的發光二極體晶片因為如上述的不同理由被移動或轉動之後的發光二極體晶片在安裝構件21上的一安裝狀態。

此狀態中，接觸驅動機構3452係以與位居測試位置的發光二極體晶片被轉動的角度呈現對應之一角度沿接觸旋轉軸線3451a來轉動接觸旋轉構件3451。接觸驅動機構3452能夠在逆時針方向沿接觸旋轉軸線3451a轉動接觸旋轉構件3451，如第21圖所示。

接觸銷針321以容許其被帶領而接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2之角度被轉動之後，接觸運動機構344係移動接觸支撐機構341藉以使接觸銷針321位居處於測試位置之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，如第22圖所示。可以接觸運動機構344在第一水平方向(X軸方向，顯示於第1圖)及第二水平方向(Y軸方向，顯示於第1圖)移動接觸揚升機構343之方式來實行此運動。相較於根據上述第一範例之接觸旋轉構件345，此第二範例中，接觸運動機構344係使接觸支撐機構341移動一較短距離，而仍容許接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片TP的墊P1及P2上方。

若接觸銷針321位居處於測試位置TP之發光二極體晶片的墊P1及P2上方，接觸揚升機構343降低接觸單元32，因此容許接觸銷針321接觸到位居測試位置TP之發光二極體晶片的各別墊P1及P2。可以藉由接觸揚升機構343降低接觸耦合機構3453來實行此運動。第一傳送構件33可被接觸揚升機構343降低並因此位居第二位置。

參照第13圖，主體部34係裝設於進給器2旁邊。接觸運動單元34及測量單元31耦合至主體部34。主體部34可包括一耦合至測量單元31且在一水平方向呈長形之第一框架351；一從第一框架在一往下方向(以箭頭H代表)呈長形之第二框架352；及一耦合至第二框架352之第三框架353。接觸運動單元34可耦合至第三框架的一頂表面。接觸揚升機構343或接觸運動機構344可耦合至第三框架353的頂表面。

參照第1至26圖，發光二極體晶片測試裝置1可進一步包括一第二傳送構件36。

第二傳送構件36可耦合至接觸運動單元34藉以位居測量單元31與接觸單元32之間。藉由此組態，發光二極體晶片測試裝置1中，由於測量單元31與接觸單元32之一間隙的一部份會被第二傳送構件36所阻絕，穿過測量單元31與發光二極體晶片之間隙的光量會進一步降低。接觸單元32可耦合至接觸運動單元34藉以位居第一傳送構件33與第二傳送構件36之間。第二傳送構件36及接觸單元32可分別耦合至接觸支撐機構341。

第二傳送構件36包括一第二穿孔361及一第二傳送表面362。

第二穿孔361可形成經過第二傳送構件36。從發光二極體晶片發射的光可在穿過第一穿孔331、第二穿孔361及光接收孔311之後抵達測量單元31內側。為此，從發光二極體晶片發射的光可抵達測量單元31內側而不被第一傳送構件33及第二傳送構件36所阻絕。

第二傳送構件36的第二穿孔361可形成為使其尺寸從測量單元31在一面朝發光二極體晶片的方向(以箭頭H代表)逐漸減小。亦即，第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳送構件36的一頂表面36a在一往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。第二穿孔361可形成為使其直徑從第二傳送構件361的頂表面36a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小。

第二傳送表面362係將發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31藉以容許該光經由光接收孔311抵達測量單元31內側。藉由此組態，由於可有較大量的光抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第二傳送表面362可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。詳細來說，第二傳送表面362可藉由拋光一金屬或一金屬合金的一表面予以製備，或者可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

第二傳送表面362可沿著第二穿孔361的一外表面被形成藉以將從發光二極體晶片所發射的光傳送朝向測量單元31。亦即，如第24圖的放大圖所示，第二傳送表面362可形成為使其隨著從第二傳送構件361的一底表面36b在一往上方向(以箭頭G代表)行進而遠離第二穿孔362的一中心K。若第二穿孔361形成為使其直徑從第二傳送構件36的頂表面36a在往下方向(以箭頭H代表)逐漸減小，第二傳送表面362可形成一彎曲表面形狀。

第二傳送表面362及第一傳送表面332可形成於單一彎曲表面上。亦即，當第一傳送表面332及第二傳送表面362耦合時，第一傳送表面332及第二傳送表面362可形成單一彎曲表面。從發光二極體晶片發射的光可藉由第一傳送表面332及第二傳送表面362傳送至測量單元31。

第二傳送構件36可進一步包括一能夠在其中接收接觸銷針321之接收溝槽363。第二傳送構件36可耦合至接觸支撐機構341使其位居測量單元31與接觸單元32之間，同時接觸銷針321被接收於接收孔363中。第二傳送構件36可譬如形成一倒“U”形。

參照第25圖，第二傳送構件36可進一步包括一第二突出構件364。第25圖中雖將第二傳送構件36顯示為耦合至測量單元31，第二傳送構件36可耦合至接觸運動機構34，同時第二突出構件364插入光接收孔311中。

第二突出構件364可形成為使其從位居測試位置TP的發光二極體晶片突出於面朝測量單元31的方向(以箭頭G代表)。亦即，第二突出構件364可形成為從第二傳送構件36的頂表面36a突起於往上方向(以箭頭G代表)。第二突出構件可經由光接收孔311插入於測量單元31中。

第二突出構件363可設有一從第二傳送表面362延伸之第二傾斜表面3641。第二傳送表面362及第二傾斜表面3641可形成單一彎曲表面。藉由此組態，第二傳送表面362及第二傾斜表面3641能夠將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31。

為此，因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向之面積係增大，可有較大量的光抵達測量單元31內側，所以發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。第二傾斜表面3641可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第二傾斜表面3641可藉由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

同時，由於第二傳送構件36可如上述連同接觸單元32被耦合至接觸支撐機構341，第二傳送構件36可具有作為防止接觸單元32變形之強化板的功能。在此例中，可能想要使第二傳送構件36及接觸單元32藉由一螺絲耦合機構或類似物被強固地耦合至彼此。

雖未圖示，可能將一分離的強化板耦合至接觸單元32。譬如，若接觸單元32為一探針卡，強化板可能係為被耦合至探針卡的一頂表面或一底表面並能夠防止探針卡變形之一板或一特定形狀的結構。強化板的功能在於防止探針卡由於一外部機械應力或熱應力而變形，諸如彎折。由於此目的，強化板可由一相較於探針卡而言具有較高強度及/或勁度(stiffness)及較低熱膨脹係數的材料製成。為此，強化板可由一金屬或一金屬合金、或一諸如樹脂或陶瓷等非金屬材料製成。譬如，此等材料可包括鋼、鈦、鎳、恒範鋼(invar)、柯華合金(kovar)、石墨、環氧樹脂、陶瓷、CFRP(碳纖強化式聚合物)、這些材料及/或其他材料的一合金或一混合物。

參照第1與2圖以及第25與26圖，根據一修改範例的第二傳送構件36可耦合至測量單元31。

第二傳送構件36可耦合至測量單元34使其從測量單元31突起於一面朝處於測試位置TP的發光二極體晶片之方向(以箭頭H代表)。亦即，第二傳送構件36可耦合至測量單元31使其從測量單元31突起於一往下方向(以箭頭H代表)。

如第25圖所示，第二傳送構件36可耦合至測量單元31，同時其突出構件364插入光接收孔311中。藉由此組態，因為第二傳送構件36用於將從發光二極體晶片發射的光傳送朝向測量單元31之面積係增大，可有較大量的光抵達發光二極體晶片測試裝置1中的測量單元31內側，且因此可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

當第二傳送構件35的第二突出構件364插入光接收孔311中，第二傳送構件36可藉由一插入配合機構耦合至測量單元31。第二傳送構件36可在第二突出構件364插入光接收孔311中之後藉由一諸如螺栓等緊固構件被耦合至測量單元31。

如第26圖所示，第二傳送構件36可耦合至測量單元31使得測量單元31位居第二穿孔361處。第二傳送構件36可藉由插入配合機構或利用諸如螺栓等緊固構件被耦合至測量單元31。

參照第1與2圖及第27與28圖，根據另一修改範例的第二傳送構件36可在一端耦合至測量單元31且在另一端耦合至接觸單元32。第二傳送構件36的另一端可耦合至接觸體部322。雖未圖示，第二傳送構件36的一側可耦合至測量單元31，同時另一側可耦合至接觸支撐機構341。

第二傳送構件36設有一或多個插入通孔365可供接觸銷針321插入其中。當接觸單元32包括複數個接觸銷針321時，複數個插入溝槽365可形成於第二傳送構件36中。與接觸銷針321相同數量的插入溝槽365可形成於第二傳送構件36中。

當接觸銷針321插入於插入溝槽365中，第二傳送構件36的一側可耦合至測量單元31、同時另一側耦合至接觸主體部322。藉由此組態，由於測量單元31與接觸單元32之間隙可被第二傳送構件36所阻絕，可防止從發光二極體晶片發射的光穿過測量單元31與發光二極體晶片之間。為此，可有較大量的光抵達測量單元31內側，發光二極體晶片測試裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若第二傳送構件36耦合至測量單元31及接觸主體部322，測量單元31可被可移式耦合至主體部35。此組態中，當接觸單元32被接觸運動單元34所移動時，與接觸單元32連接之測量單元31亦可被移動。由於此目的，主體部35可包括一第一連接框架354，一第二連接框架355及一第三連接框架356。測量單元31可耦合至第三連接框架356。

第一連接框架354可耦合至第一框架351使其可被上下移動。為此，當接觸運動單元354上下揚升接觸單元32時，第一連接框架354亦可被上下揚升，且因此，測量單元31可被上下揚升。第一框架351可包括一LM軌道，且第一連接框架354可包括一被可移式耦合至第一框架351之LM區塊。

第二連接框架355可耦合至第一連接框架354使其可在第一水平方向(X軸方向)被移動。為此，若接觸運動單元34在第一水平方向(X軸方向)移動接觸單元32，第二連接框架355可在第一水平方向(X軸方向)被移動，且因此測量單元31亦可在第一水平方向(X軸方向)被移動。並且，第一連接框架354可包括一LM軌道，且第二連接框架355係可包括一LM區塊，其被可移式耦合至第一連接框架354的LM軌道。

第三連接框架356可耦合至第二連接框架355使其可在垂直於第一水平方向(X軸方向)之第二水平方向(Y軸方向)被移動。為此，若接觸運動單元34在第二水平方向(Y軸方向)移動接觸單元32，第三連接框架356可在第二水平方向(Y軸方向)被移動，且因此，測量單元32亦可在第二水平方向(Y軸方向)被移動。第二連接框架355可包括一LM軌道，且第三連接框架356係可包括一LM區塊，其被可移式耦合至第二連接框架355的LM軌道。

測量單元31可被可旋轉式耦合至第三連接框架356。為此，若接觸運動單元34轉動接觸單元32，測量單元31亦可被旋轉。

如上述，由於當接觸運動單元31移動接觸單元32藉以容許接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片時測量單元31亦被移動，處於測試位置TP的發光二極體晶片可當其位居與光接收孔311中心相同的垂直線處之時受到測試，而不論其在安裝構件21上的安裝狀態如何。因此，發光二極體晶片裝置1能夠更精確地檢測發光二極體晶片效能。

參照第29至31圖，根據本發明之實施例的一修改範例之接觸單元32係可包括一接觸銷針321，一第一體部324，一第二體部325，一第三體部326及一耦合構件327。接觸單元32可藉由接觸運動單元34被上下揚升並可在第一水平方向(X軸方向)及第二水平方向(Y軸方向)被移動。測試器3可包括根據本發明之實施例的修改範例之複數個接觸單元32。

接觸銷針321係耦合至第一體部324。第一體部324耦合至第二體部325。第一體部324耦合至第二體部325。第一體部324可從第二體部325在一面朝處於測試位置TP之發光二極體晶片的方向呈長形。第一體部324可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324電性連接於測試元件(未圖示)。

接觸銷針321可經由一連接構件3241被可脫離式耦合至第一體部324。為此，當接觸銷針321受損或破裂時，使用者只需容易地更換接觸銷針321。即便若以一具有不同規格的新發光二極體晶片來更換待測試的發光二極體晶片，使用者仍可以適合發光二極體晶片規格之一新件來更換接觸銷針321。

連接構件3241可被可旋轉式耦合至第一體部324。當連接構件3241在一方向被旋轉，連接構件3241將一力施加至第一體部324，使得接觸銷針321可耦合至第一體部324。當連接構件3241在另一方向被旋轉，從連接構件3241施加至第一體部324的力係被消除，所以可使接觸銷針321與第一體部324分離。可使用一諸如螺栓等緊固構件(未圖示)作為連接構件3241。

第一體部324耦合至第二體部325。第二體部325及第三體部326可經由耦合構件327被可脫離式耦合至彼此。為此，當接觸銷針321需作更換時，可藉由使第二體部325與第三體部326分離以容易地分離接觸銷針321。第二體部325可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324及第二體部325而電性連接於測試元件(未圖示)。

第二體部325耦合至第三體部326。第二體部325可經由連接構件327被可脫離式耦合至第三體部326，且第三體部326可耦合至接觸運動體部324。當第三體部326被接觸運動單元324移動，第二體部325、第一體部324及接觸銷針321亦可一起被移動。第三體部326可電性連接於測試元件(未圖示)，且接觸銷針321可經由第一體部324、第二體部325及第三體部326而電性連接於測試元件(未圖示)。

連接構件327係可脫離式耦合第一體部325及第三體部326。可使用一諸如螺栓等緊固構件(未圖示)作為耦合構件327。

參照第31至33圖，根據本實施例的一修改範例之測試器3係可進一步包括一接觸機構37。

接觸機構37具有一接觸部份371。接觸機構371可裝設於旋轉構件22旁邊以使接觸部份371可接觸於位居測試位置TP之安裝構件21。

接觸銷針371接觸到處於測試位置TP的接觸構件21且接觸銷針321被帶領而接觸於發光二極體晶片之後，發光二極體晶片可利用經由接觸單元32及接觸部份371供應的電力而發光。接觸單元32及接觸機構37能夠與測試元件(未圖示)合作使發光二極體晶片發光。接觸單元32及接觸機構37能夠與測試元件(未圖示)合作測試發光二極體晶片的電性特徵。

接觸部份371可被帶領而接觸於位居測試位置TP之安裝構件21的一側向表面。接觸部份371可朝向位居測試位置TP之安裝構件21呈長形。

接觸機構37可進一步包括一用於移動接觸部份371朝向或遠離安裝構件21之接觸運動部件372。

若待測試的發光二極體晶片位居測試位置TP，接觸運動部件372係移動接觸部份371藉以容許接觸部份371趨近位居測試位置TP的安裝構件21。接觸部份371可藉由受到接觸運動部件372移動以被帶領而接觸到處於測試位置TP的安裝構件21。

若發光二極體晶片完成測試，接觸運動單元372係移動接觸部份371藉以容許接觸部份371移動遠離位居測試位置TP之安裝構件21。接觸部份371係被接觸運動部件372移動並與位居測試位置TP之安裝構件21分開。

為此，當旋轉構件22被旋轉藉以使一新的待測試發光二極體晶片位居測試位置TP時，可避免安裝構件21及接觸部份371之間的接觸或碰撞。為此，可防止安裝構件21及接觸部份371被摩擦所磨損或被碰撞所損害。

接觸運動部件372能夠利用一液壓缸或一氣動缸來移動接觸部份371。接觸運動單元372能夠利用一馬達及一用於將馬達的旋轉動作轉換成線性動作之轉換機構來移動接觸部份371。轉換機構可為一滑輪及一皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、一凸輪構件或類似物。接觸部份371耦合至接觸運動部件372。

此處，若安裝構件形成一圓柱形，接觸部份371由於其被帶領而接觸於安裝構件21時已經發生的滑動或類似作用而可能未確切接觸到安裝構件21。為了防止此問題，接觸構件21可進一步包括一將變成接觸於接觸部份371之接觸表面215。

接觸表面215可形成於當安裝構件21位居測試位置TP時面朝接觸部份371之安裝構件21的側向表面處。藉由接觸表面215的存在，面對接觸部份317之安裝構件21的側向表面可形成一平面。為此，當接觸部份371被帶領而接觸於安裝構件21時，可盡量減少接觸部份371或類似物的滑動，所以根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1係能夠當接觸部份371確切接觸於安裝構件21之時測試發光二極體晶片。

安裝構件21可具有一接觸表面215，且當接觸部份371被帶領而接觸於接觸表面215時接觸表面215及接觸部份371變成彼此垂直。安裝構件21可具有一在設有接觸表面215處之側向表面中凹入一特定深度之接觸溝槽21c。

根據本實施例的修改範例之接觸部份371可耦合至接觸體部322，如第20至22圖所示。接觸部份371可耦合至接觸體部322使其當接觸銷針321被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片時接觸到位居測試位置TP之安裝構件21的頂表面21b。接觸部份371亦可被帶領而接觸於接觸構件211(顯示於第3圖)。

為此，藉由接觸運動單元34移動接觸單元32，接觸銷針321可被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片且接觸部份371可被帶領而接觸於位居測試位置TP之安裝構件21的頂表面21b。

參照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之第一傳送構件33可設置於測量單元31處，使其從測量單元31突起於一面朝處於測試位置的發光二極體晶片之方向。若當發光二極體晶片受測試時測量單元31位居發光二極體晶片上方，第一傳送構件33可形成為使其從測量單元31往下突起。

雖未圖示，第一傳送構件33可裝設於安裝構件21處使其從安裝台突起於一面朝測量單元31之方向。若當發光二極體晶片受測試時測量單元31位居發光二極體晶片上方，第一傳送構件33可形成為使其從安裝構件21往上突起。發光二極體晶片可位居第一傳送構件33內側。

第一傳送構件33設有一溝槽334可供接觸銷針321插入其中。為此，縱使測量單元31位居測量單元31與發光二極體晶片之間，可使第一傳送構件33靠近發光二極體晶片來測試發光二極體晶片。藉此，由於存在第一傳送構件33而容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31，可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

第一傳送構件33可形成一中空圓柱形。溝槽334可在一面朝接觸單元32之側中形成於傳送構件33處。第一傳送構件33可由一具有高反射率的材料製成或被其塗覆。譬如，第一傳送構件33可藉由拋光一金屬或一金屬合金予以製備，或可藉由面鏡式塗覆一金屬、一樹脂材料或類似物予以製備。

形成於第一傳送構件33處的溝槽334係可具有容許接觸銷針321予以插過之尺寸。接觸銷針321可在穿過溝槽334之後被帶領而接觸於位居測試位置TP的發光二極體晶片。

參照第32及33圖，根據本實施例的一修改範例之測試器3可進一步包括一測量揚升單元38。

測量揚升單元38可耦合至主體部34並用來上下揚升測量單元31。測量單元31可耦合至第一框架351使其可被上下揚升。

測量揚升單元38可當旋轉單元23轉動旋轉構件22時用來往上揚升測量單元31。若待測試的發光二極體晶片位居測試位置TP，測量揚升單元38可往下移動測量單元31。為此，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1係能夠測試處於測試位置的發光二極體晶片同時發光二極體晶片保持靠近測量單元31。

因此，由於可藉由第一傳送構件33而容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31，可更精確地檢測發光二極體晶片的效能。

若第一傳送構件33裝設於安裝構件21處，發光二極體晶片測試裝置1能夠測試發光二極體晶片同時使測量單元31保持靠近第一傳送構件33並降低第一傳送構件33與測量單元31碰撞的可能性。亦可能在第一傳送構件33被插入測量單元31之時或當第一傳送構件33接觸於測量單元31之時測試發光二極體晶片。

為此，由於可容許有從發光二極體晶片所發射較大量的光抵達測量單元31的內側，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置1第一傳送構件33係能夠更精確地檢測發光二極體晶片。

測量揚升單元38可利用一液壓缸、一氣動缸或類似物來上下揚升測量單元31。測量揚升單元38可利用一馬達；及一分別耦合至馬達及測量單元之連接部件來上下揚升測量單元31。連接部件可身為一滑輪及一皮帶、一滾珠螺桿、一凸輪構件、或類似物。

上文中，已經描述發光二極體晶片測試裝置1-亦即進給器2及測試器3。下文中，將參照附圖描述發光二極體晶片選別裝置10之其他組件的實施例-亦即裝載器4、卸載器5及其他組件。

<裝載器>

第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立體圖；第36圖為第35圖的側視圖；第37圖為一第一進給體部、一第一進給支撐元件及一裝載單元之示意立體圖；第38圖為第37圖的一L部分之示意放大圖；第39圖為第一進給單元及裝載單元之示意立體圖；第40圖為一第一儲存單元的示意立體圖；第41圖為一第一轉移單元之示意立體圖；第42圖為第一進給體部、第一進給支撐體部、裝載單元及第一冷卻單元之立體圖；第43至45圖為第42圖的一M部分之示意放大圖，顯示根據本實施例的一修改範例之第一冷卻單元。

參照第34至35圖，裝載器4進給一待測試的發光二極體晶片。裝載器4可裝設在進給器2旁邊。裝載器4可採用一用於進給複數個待測試的發光二極體晶片之進給機構100。

參照第34至36圖，進給機構100可包括一殼體101，其具有一中空部分(未圖示)；及一進給構件102，其容納待測試的發光二極體晶片且耦合至殼體101。進給構件102可為一具有黏劑的卷帶。待測試的發光二極體晶片可黏著至進給構件102的一頂表面。進給構件102可為一藍卷帶(blue tape)，而已經通過一破裂與一擴張製程之待測試的發光二極體晶片係可黏著於藍卷帶上同時以一特定距離彼此分開。

殼體101可形成一碟形。殼體101可包括形成圓形板形之中空圓形部分(未圖示)。殼體101及中空部分(未圖示)可具有諸如圓形板形以外的卵形板形、四角形或類似形狀等另一形狀。

雖未圖示，裝載器4可採用一進給機構100，其設有複數個容納溝槽可供待測試的發光二極體晶片容納其中。

參照第34至39圖，裝載器4可包括一第一進給單元41及一裝載單元42。

第一進給單元41係移動進給機構100藉以使一待測試的發光二極體晶片位居一其中使裝載單元42能夠揀取待測試的發光二極體晶片之第一揀取位置PP1。第一進給單元41可包括一第一進給體部411，一第一進給支撐元件412，一第一對準單元413及一第一移動單元414。

第一進給體部411係支撐進給機構100的一底表面。第一進給體部411可藉由第一移動單元414在X軸方向及Y方向被移動。隨著第一進給體部411的運動，進給機構100可被移動藉以使待測試的發光二極體晶片位居第一揀取位置PP1。

第一進給體部411可藉由第一移動單元414在X軸方向及Y軸方向被旋轉或移動。隨著第一進給體部411的移動或旋轉，當裝載單元42揀取待測試的發光二極體晶片時，進給機構100可被移動使得待測試的發光二極體晶片可被揀取同時其面朝相同方向。為此，裝載單元42可將待測試的發光二極體晶片裝載至進給器2同時使待測試的發光二極體晶片保持面朝相同方向。

參照第34至39圖，第一進給支撐元件412係支撐由裝載單元42所揀取之待測試的發光二極體晶片之一底表面。第一進給支撐元件1能夠在第一揀取位置PP1下方的一位置處支撐進給構件102的底表面。第一進給支撐元件412可裝設成位於第一進給體部411中的一第一進給空間411a中。

第一進給支撐元件412可包括一第一揚升構件4121，一第一揚升元件4122，一第一支撐銷針4123，及一第一銷針揚升元件4124。

第一揚升構件4121可在第一揀取位置PP1底下支撐進給構件101的底表面。第一揚升構件4121可耦合至第一揚升元件4122並可藉由第一揚升元件4122被上下移動。第一揚升構件4121可在一垂直方向(Z軸方向)呈長形並可形成一圓柱形桿形。

第一支撐銷針4123耦合至第一揚升構件4121內側藉以可上下移動。第一揚升構件4121設有一第一通孔4121a可供第一支撐銷針4123插過並被往上移動藉以向上突出。

第一揚升元件4122能夠上下揚升第一揚升構件4121。當進給機構100被定位於第一進給體部411或進給機構100自第一進給體部411被移除，第一揚升元件4122可往下移動第一揚升構件4121。若第一揚升元件4122往上移動第一揚升構件4121，第一揚升構件4121可與進給構件102分開。若進給機構100被定位於第一進給體部411處，第一揚升元件4122可往上揚升第一揚升構件4121。若第一揚升元件4122往上揚升第一揚升構件4121，第一揚升構件4121可支撐進給構件102的底表面。

第一揚升元件4122可利用一液壓或氣動缸；一滑輪及皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來上下揚升第一揚升構件4121。

第一支撐銷針4123耦合至第一揚升構件4121內側並可藉由第一銷針揚升元件4124被上下揚升。第一支撐銷針4123可耦合至第一銷針揚升元件4124。第一支撐銷針4123可在一垂直方向(Z軸方向)呈長形且可形成一圓錐形。

第一銷針揚升元件4124能夠上下移動第一支撐銷針4123。當裝載單元42揀取位於第一揀取位置PP1之發光二極體晶片時，第一銷針揚升元件4124可往上移動第一支撐銷針4123。藉由此組態，第一支撐銷針4123可經由第一通孔4121a突出於第一揚升構件4121上方並藉此往上推押由裝載單元42所揀取的發光二極體晶片。因此，可容許裝載單元42容易地揀取待測試的發光二極體晶片。若裝載單元42揀取待測試的發光二極體晶片，第一銷針揚升元件4124可往下移動第一支撐銷針4123使得第一支撐銷針4123位於第一揚升構件4121內側。

第一銷針揚升元件4124可利用一液壓或氣動缸；一滑輪及皮帶；一滾珠螺絲；一凸輪構件；或類似物來上下移動第一支撐銷針4123。

參照第34至39圖，第一對準單元413係對準由第一進給體部411所支撐之進給機構100的一位置。第一對準單元413係包括一第一固定構件4131，一第一運動構件4132，及一第一移動機構4133。

第一固定構件4131係裝設於第一進給體部411處並界定第一接收體部200的一位置。第一固定構件4131可耦合至第一進給體部411藉以突出於第一進給體部411頂表面上方達一預設長度。進給機構100可藉由接觸到第一固定構件4131而被對準。第一對準單元413可包括複數個此等第一固定構件4131。

第一運動構件4132可耦合至第一移動機構4133並可被第一移動機構4133所移動。第一運動構件4132可耦合至第一移動機構4133藉以突出於第一進給體部411頂表面上方一特定長度。第一運動構件4132可設置於與第一固定構件4131裝設處呈現相對之第一進給體部411的部分處。第一對準單元413可包括複數個此等第一運動構件4132。

第一運動構件4132可由第一移動機構4133被移動藉以趨近或退離第一固定構件4131。若第一運動構件4132被移動趨近第一固定構件4131，進給機構100係被第一運動構件4132推押以接觸到第一固定構件4131。為此，可使進給機構100被對準。

第一移動機構4133可耦合至第一進給體部411並可移動第一運動構件4132。第一移動機構4133可移動第一運動構件4132直到進給機構100接觸到第一固定構件4131為止。第一移動機構4133可利用一液壓缸或一氣動缸來移動第一運動構件4132。第一移動機構4133可利用一滑輪及一皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來移動第一運動構件4132。

參照第34至39圖，第一移動單元414可移動第一進給體部411藉以容許待測試的發光二極體晶片位居第一揀取位置PP1。第一移動單元414可在X軸方向及Y軸方向移動第一進給體部411。

第一移動單元414可包括一第一上構件4141以供第一進給體部411可移式耦合；及一第一下構件4142以供第一上構件4141可移式耦合。

第一進給體部411及第一上構件4141可在彼此垂直的方向被移動。若第一上構件4141耦合至第一下構件4142藉以可移動於X軸方向，第一進給體部411可耦合至第一上構件4141藉以可移動於Y軸方向。若第一上構件4141耦合至第一下構件4142藉以可移動於Y軸方向，第一進給體部411可耦合至第一上構件4141藉以可移動於X軸方向。

第一移動單元414可利用一滑輪及一皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來移動第一進給體部411及第一上構件4141。

第一移動單元414可轉動第一進給體部411。第一移動單元414可轉動第一進給體部411以使裝載單元42可在一容許發光二極體晶片在測試器3中作測試之方向揀取發光二極體晶片。

參照第2圖及第34至39圖，裝載單元42從進給機構100揀取待測試的發光二極體晶片並將其裝載在位居裝載位置LP之安裝構件21上。裝載單元42可包括一裝載旋轉臂421及一裝載驅動單元422。

一能夠吸引及固持待測試的發光二極體晶片之裝載揀取器4211係裝設於裝載旋轉臂421處。裝載旋轉臂421可由一揚升部件(未圖示)被上下移動。

裝載單元42可包括單一的裝載旋轉臂421及單一的裝載揀取器4211。第4圖中，雖顯示三個裝載旋轉臂421及三個裝載揀取器4211，此圖示只不過是顯示裝載旋轉臂421的一往復移動途程之範例。

裝載旋轉臂421耦合至裝載驅動單元422。裝載驅動單元422係能夠轉動裝載旋轉臂421藉以容許裝載揀取器4211位居裝載位置或第一揀取位置PP1。

雖未圖示，裝載單元42可包括被分別耦合至裝載旋轉臂421之複數個裝載臂421及複數個裝載揀取器4211。裝載驅動單元422可沿一旋轉軸線(未圖示)轉動裝載旋轉臂421，而容許裝載揀取器4211的一者位於第一揀取位置PP1並容許裝載揀取器4211的另一者位居裝載位置LP。裝載驅動單元422可依順序使裝載揀取器4211位居第一揀取位置PP1及裝載位置LP。

裝載驅動單元422可包括一馬達，並且若馬達與裝載旋轉臂421分開一特定距離則可進一步包括一滑輪及一皮帶或類似物。

參照第34至39圖，裝載單元42可進一步包括一裝載視覺單元423。

裝載視覺單元423可裝設成位居第一揀取位置PP1並用來檢查位居第一揀取位置PP1之發光二極體晶片的一狀態。裝載視覺單元423可檢查處於第一揀取位置PP1之待測試的發光二極體晶片存在與否以及位居第一揀取位置PP1之發光二極體晶片的旋轉程度。第一移動單元414可以裝載視覺單元423所獲得的發光二極體晶片狀態資訊為基礎來移動第一移動體部411藉以容許發光二極體晶片確切位居第一揀取位置PP1。可使用一CCD攝影機作為裝載視覺單元423。

參照第34至39圖，若裝載單元42包括裝載視覺單元423，裝載旋轉臂421可進一步包括一第一傳遞構件4212。

第一傳遞構件4212耦合至裝載揀取器4211並可由一特徵構造在於高透明度的材料製成。譬如，第一傳遞構件4212可由玻璃製成。如第38圖所示，裝載揀取器4211設有一第一空氣吸取孔4211a以吸引發光二極體晶片。第一空氣吸取孔4211a可形成經過裝載揀取器4211。第一傳遞構件4212可在第一空氣吸取孔4211a的一側被耦合至裝載揀取器4211，其中因此可使第一空氣吸取孔4211a的一側被密封。為此，發光二極體晶片可被吸引至裝載揀取器4211且被其固持。雖未圖示，第一空氣吸取孔4211a可連接於一吸取裝置。

穿過第一空氣吸取孔4211a的光可被容許穿過第一傳遞構件4212。為此，即使當裝載揀取器4211位居第一揀取位置PP1時，第一傳遞構件4212可容許裝載視覺單元423檢查位居第一揀取位置PP1之發光二極體晶片的狀態。裝載視覺單元423可經由第一傳遞構件4212及第一空氣吸取孔4211a檢查位居第一揀取位置PP1之發光二極體晶片的狀態。因此，第一移動單元414可移動第一進給體部，使得位居第一揀取位置PP1的發光二極體晶片可以裝載視覺單元423所獲得的發光二極體晶片狀態資訊為基礎被裝載單元42精確地揀取。

第一傳遞構件4212亦可使用在一用於對準第一支撐銷針4123、第一裝載揀取器4211、及裝載視覺單元423的位置之製程中。即便當裝載揀取器4211位居第一揀取位置PP1時，裝載視覺單元423可經由第一傳遞構件4212及第一空氣吸取孔4211a檢查第一支撐銷針4123的位置。利用此方式，裝載視覺單元423、第一支撐銷針4123、及裝載視覺單元423的位置可被容易地對準以使裝載揀取器4211可精確地揀取位居第一揀取位置PP1的發光二極體晶片。裝載視覺單元423、第一支撐銷針4123、及裝載揀取器4211可被對準藉以位居相同垂直線上。

參照第34至40圖，裝載單元4可進一步包括一第一儲存單元43。

第一儲存單元43包括一能夠在其中儲存複數個如上述的進給機構100之第一儲存機構431。

第一儲存機構431可包括多數個第一儲存構件4311，其能夠支撐進給機構100的一底表面之兩側。多數個第一儲存構件4311可配置成彼此在垂直方向(Z軸方向)分開一特定距離。第一儲存構件4311之間的空間係用來作為第一儲存溝槽4312，而進給機構100可被插入那些溝槽4312中。

參照第34至41圖，裝載單元4可進一步包括一第一轉移單元44。

第一轉移單元44可將進給機構100從第一儲存機構431轉移至第一進給體部411以及從第一進給體部411轉移至第一儲存機構431。

若位居第一進給體部411的進給機構100在裝載製程完成時變空，第一轉移單元44可將空的進給機構100從第一進給體部411轉移至第一儲存機構431。若進給機構100不存在於第一進給體部411，第一轉移單元44可轉移一新的進給機構100以將待測試的發光二極體晶片從第一儲存機構431進給至第一進給體部411。

利用此方式，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可以進給機構100自動地供應第一進給體部411以進給待測試的發光二極體晶片，且因此，裝載製程可連續地進行。因此，可以防止有可能因為人工操作所造成之操作時間的損失。

第一轉移構件441可包括一第一轉移構件441及一第一轉移機構442。

第一轉移構件441能夠固持進給機構100並包括一第一固持構件4411，一第二固持構件4412，第一驅動機構4413及一第一連接體部4414。

第一固持構件4411被帶領而接觸於進給機構100的頂表面。第一固持構件4411被可旋轉式耦合至第一連接體部4414。第一固持構件4411可藉由第一驅動機構3314被移動以趨近或退離第二固持構件4412。

第二固持構件4412被帶領而接觸於進給機構100的底表面。第二固持構件4412耦合至第一連接體部4414。當第一固持構件4411接觸於進給機構100的頂表面且第二固持構件4412接觸於進給機構100的底表面，第一轉移構件441能夠固持進給機構100。進給機構100係藉由第一轉移構件441被第一固持構件4411施加的力所固持。

第一驅動機構4413能夠移動第一固持構件4411，而容許第一固持構件4411及第二固持構件4412彼此趨近或退離。

第一驅動機構4413能夠藉由轉動第一固持構件4411來移動第一固持構件4411接近或遠離第二固持構件4412。在此例中，第一固持構件4411被可旋轉式耦合至第一連接體部4414。

第一驅動機構4413耦合至第一連接體部4414。第一驅動機構4413可包括一液壓或氣動缸，且第一固持構件4411可耦合至此缸的一桿。當缸的負載被移動，第一固持構件4411可沿一旋轉軸線4411a被轉動。

第一固持構件4411、第二固持構件4412及第一驅動構件4413係耦合至第一連接體部4414。第一連接體部4414耦合至第一轉移機構442。

第一轉移機構442係移動第一轉移構件441於第一儲存機構431與第一進給單元41之間。

第一轉移機構442能夠移動第一轉移構件441藉以容許一空的進給機構100從第一進給體部441被移動至第一儲存機構431。第一轉移機構442能夠移動第一轉移機構441藉以容許一充填有新的待測試發光二極體晶片之新的進給機構從第一儲存機構431被移動至第一進給體部411。

第一轉移機構442能夠利用一諸如液壓缸或氣動缸等缸或利用一滑輪及一皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來移動第一轉移構件441。

第一轉移構件442可耦合至一第一構台443。第一連接體部4414可被可移式耦合至第一構台443。第一連接體部4414可沿著第一構台443在Y軸方向被移動。

在此時，第一儲存機構431中，進給機構100可被堆積於垂直方向(Z軸方向)。在此例中，第一儲存單元43可進一步包括一第一儲存揚升機構432。

第一儲存揚升機構432可上下揚升第一儲存機構431。第一儲存揚升機構432可上下揚升第一儲存機構431使得進給機構100可位居一其中可使第一轉移構件441固持住進給機構100之位置。第一儲存揚升機構432可上下揚升第一儲存機構431使得第一轉移構件441將空的進給機構100儲存於儲存機構231中。

第一儲存揚升機構432可利用一液壓或氣動缸、或利用一滑輪及皮帶；一滾珠螺桿；一凸輪構件；或類似物來上下移動第一儲存機構431。

除藉由第一儲存揚升機構432來揚升第一儲存機構431之方法外，第一轉移構件441亦可被上下揚升，或者第一轉移構件441及第一儲存機構431皆可被上下揚升。

第一儲存揚升機構432可包括一第一垂直體部4321及一第一揚升體部4322。第一揚升體部4322可被可移式耦合至第一垂直體部4321。

第一儲存機構431可被可脫離式耦合至第一揚升體部4322。為此，當只有空的進給機構100被儲存於第一儲存機構431中時，第一儲存機構431可以一其中儲存有由新的待測試發光二極體晶片所充填的進給機構100之新的第一儲存機構431作更換。因此，更換工作變得容易且更換所需時間可降低，其中因此可以防止有可能因為更換所造成之操作時間的損失。

若第一轉移構件441組構為只可移動於Y軸方向而不被上下揚升，第一進給體部411及第一對準單元413可如下被組構。

第一進給體部411可包括一第一進給貫穿溝槽4111。第一進給貫穿溝槽4111可藉由從第一進給體部411頂表面凹入一特定深度而形成。第一進給體部411可包括複數個此等第一進給貫穿溝槽4111。第一轉移構件44可當其轉移進給機構100時穿過第一進給貫穿溝槽4111。

第一對準單元413可進一步包括一第一揚升機構4134。參照第36圖，第一揚升機構4134可耦合至第一移動機構4133。第一運動構件4132可耦合至第一揚升機構4134。藉由此組態，第一揚升機構4134可在Y軸方向藉由第一移動機構4133被移動並可上下移動第一運動構件4132。

參照第34至41圖，若第一轉移構件441被移動朝向第一進給體部411藉以將進給機構100置於第一進給體部411中，第一揚升機構4134可往下移動第一運動構件4132。為此，可避免進給機構100或第一轉移構件441與第一運動構件4132之碰撞。

若進給機構100被置於第一進給體部411處，第一揚升機構4134可往上移動第一運動構件4132。其後，當第一運動構件4132被第一移動機構4133所移動，可使進給機構100被對準。

當第一轉移構件441將空的進給機構100從第一進給體部411轉移至第一儲存機構431時，第一揚升機構4134可往下移動第一運動構件4132。為此，可避免進給機構100或第一轉移構件441與第一運動構件4132之碰撞。

參照第2圖及第34至42圖，裝載器4可進一步包括一第一冷卻單元45。

第一冷卻單元45能夠冷卻進給機構100。第一冷卻單元45係冷卻進給機構100以使進給機構的溫度變成等於或低於一正常溫度。譬如，其可將進給機構100冷卻至約20℃或更低。

如上述，發光二極體晶片可當其被黏著至進給構件102之時予以供應，包括一諸如藍卷帶等黏劑卷帶。在此例中，發光二極體晶片可被裝載於位居裝載位置LP之安裝構件2上，同時一黏劑材料以高於正常溫度的一溫度被黏著至發光二極體晶片。由於黏劑材料，發光二極體晶片可被黏著至安裝構件2並可能未在卸載位置ULP被正常地卸載。

第一冷卻單元45可冷卻進給構件102，藉以冷卻出現在進給構件102上的黏劑材料。為此，第一冷卻單元45容許發光二極體晶片被裝載於裝載位置LP而未黏有黏劑材料並容許在卸載位置被正常地卸載。

第一冷卻單元45可包括一用於噴注一冷卻氣體之第一噴注單元451。第一噴注單元451可將一冷卻氣體噴注朝向由第一進給單元41所支撐之進給機構100。第一噴注單元451可被進給來自一冷卻氣體供應系統(未圖示)之冷卻氣體。第一冷卻單元45可包括複數個此等第一噴注單元451。

如第43圖所示，第一噴注單元451可被裝設於裝載單元42藉以位於進給機構100上方。第一噴注單元451可裝設於裝載視覺單元423藉以位於第一進給單元41上方。裝載視覺單元423可包括一使光輻射至第一揀取位置PP1之裝載發光元件4231，且第一噴注單元451可裝設於裝載發光元件4231中。第一噴注單元451可藉由從進給機構100上方將冷卻氣體噴注朝向進給機構100以冷卻進給機構100。第一噴注單元451可藉由將冷卻氣體噴注朝向進給構件102以冷卻進給構件102。第一噴注單元451可將冷卻氣體噴注朝向第一揀取位置PP1。

如第44圖所示，第一噴注單元451可裝設於第一進給單元41藉以位於進給機構100底下。第一噴注單元451可裝設於第一進給支撐元件412藉以位於第一進給體部411底下。第一噴注單元451可裝設於第一揚升構件4121處。第一噴注單元451可藉由從進給機構100下方將冷卻氣體噴注朝向進給機構100以冷卻進給機構100。第一噴注單元451可藉由將冷卻氣體噴注朝向進給構件102以冷卻進給構件102。並且，第一噴注單元451係將冷卻氣體噴注至其中設有藉由裝載單元42所揀取的發光二極體晶片處之進給構件102區域附近，因此可使其中出現有下次藉由裝載單元42所揀取的一發光二極體晶片之進給構件102區域受到冷卻。

如第45圖所描繪，第一冷卻單元45可包括一第一上噴注單元4511，其裝設於裝載視覺單元423中藉以位於第一進給單元41上方；及一第一下噴注單元4512，其裝設於第一進給支撐元件412處藉以位於第一進給體部411底下。

第一上噴注單元4511可藉由從進給機構100上方將冷卻氣體噴注朝向進給機構100以冷卻進給機構100。第一上噴注單元4511可藉由將冷卻氣體噴注朝向進給構件102以冷卻進給構件102。第一上噴注單元451可將冷卻氣體噴注朝向第一揀取位置PP1。

第一下噴注單元4512可藉由從進給機構100下方將冷卻氣體噴注朝向進給機構100以冷卻進給機構100。第一下噴注單元4512可藉由將冷卻氣體噴注朝向進給構件102以冷卻進給構件102。第一下噴注單元4512係將冷卻氣體噴注至其中設有藉由裝載單元42所揀取的發光二極體晶片處之進給構件102區域附近，因此可使其中出現有下次藉由裝載單元42所揀取的一發光二極體晶片之進給構件102區域受到冷卻。

雖未圖示，根據本實施例的一修改範例之第一冷卻單元45係可藉由在第一揀取位置PP1處冷卻與進給機構100呈接觸的第一進給支撐元件412來冷卻與第一進給支撐元件412呈接觸的進給機構100。

第一冷卻單元45可藉由冷卻第一揚升構件4121來冷卻與第一揚升構件4121呈接觸的進給構件102。第一冷卻單元45可藉由使一冷卻流體流通於第一揚升構件4121內側來冷卻第一揚升構件4121。在此例中，第一揚升構件4121可在中可具有一流徑供冷卻流體流過。第一冷卻單元45可利用一熱電子器件來冷卻第一揚升構件4121。

<第一補償單元>

如上述，位居測試位置TP之發光二極體晶片可能未總是安裝在安裝構件21上的相同位置。當發光二極體晶片在裝載位置LP被裝載至安裝構件21上時，發光二極體晶片可能未被置於一特定預設位置，或者當發光二極體晶片在從裝載位置LP被攜載至測試裝置TP時由一離心力或類似物所移動或轉動，發光二極體晶片在安裝構件上的一安裝狀態係可能改變。為了即便在此例中仍達成精確測試，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第一補償單元。第一補償單元係為一發光二極體晶片位置補償單元的一範例。

第46圖為根據本實施例的一修改範例之一進給器的示意平面圖；而第47及48圖為顯示第一補償單元的一操作關係之示意立體圖。

參照第14圖、第34圖及第46至48圖，發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第一補償單元5。

第一補償單元5裝設於裝載器4與測試器3之間並補償被安裝在安裝構件21之發光二極體晶片的一狀態使得發光二極體晶片可在測試裝置TP作測試。藉由此組態，根據本發明的發光二極體晶片測試裝置10能夠更精確地測試發光二極體晶片的效能。

發光二極體晶片係包括墊P1及P2。唯有當墊P1及P2接觸於接觸銷針321時，發光二極體晶片的電性性質方可作測試且發光二極體晶片可發光。第一補償單元5可調整發光二極體晶片的狀態藉以容許墊P1及P2能夠接觸到接觸銷針321。

亦即，第一補償單元5可藉由轉動發光二極體晶片來補償被安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片的狀態。第一補償單元5能夠藉由移動被安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片來補償發光二極體晶片的狀態。

第一補償單元5可補償被安裝在位居裝載位置LP與測試位置TP之間的一第一補償位置CP1處的安裝構件21上之發光二極體晶片的狀態。在此例中，安裝構件21可裝設在旋轉構件22處使得安裝構件21的至少一者可同時被定位於裝載位置LP、第一補償位置CP1、測試位置TP、及卸載位置ULP各者處。旋轉單元23可轉動旋轉構件22使得安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LP、第一補償位置CP1、測試位置TP、及卸載位置ULP各者處。

第一補償單元5可包括一第一補償機構51及一第一致動機構52。第一補償機構51可包括一第一補償構件511及一第二補償構件512。

當發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態受到補償時，第一補償構件511係被帶領而接觸於發光二極體晶片的一側。第一補償構件511可被第一致動機構52所移動以趨近或退離第二補償構件512。

若第一補償構件511被第一致動機構52所移動以趨近第二補償構件512，第一補償構件511係接觸到安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一側並可推押及移動發光二極體晶片的一側直到發光二極體晶片的另一側接觸到第二補償構件512為止。

當發光二極體晶片在安裝構件21上的安裝狀態受到補償時，第二補償構件512被帶領而接觸於發光二極體晶片的另一側。

若第二補償構件51被第一致動機構52移動以趨近第一補償構件511，第二補償構件512係接觸到安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的另一側並可推押及移動發光二極體晶片的另一側直到發光二極體晶片的一側接觸到第一補償構件511為止。

至於第一補償構件511及第二補償構件512相對於位居第一補償位置CP1的發光二極體晶片之配置，第一補償構件511可位居發光二極體晶片內側，而第二補償構件512可位居發光二極體晶片外側。亦即，如第46圖所示，第一補償構件511可當其位居發光二極體晶片內側之時被移動接近或遠離第二補償構件512，且第二補償構件512可當其位居發光二極體晶片外側之時被移動接近或遠離第一補償構件511。

為此，若第一補償構件511及第二補償構件512移動遠離彼此，縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉被轉動，仍可以降低第一及第二補償構件511及512以及發光二極體晶片之間碰撞的可能性。

第一補償構件511及第二補償構件512可耦合至彼此藉以可移動於一第一補償體部51a的一第一方向(箭頭N的一方向)。

第一致動機構52係移動第一及第二補償構件511及512以趨近或退離發光二極體晶片。發光二極體晶片被安裝在位於第一補償位置CP1之安裝構件21上。

第一致動機構52可移動第一及第二補償構件511及512直到第一補償構件511接觸於發光二極體晶片的一側且第二補償構件512接觸於發光二極體晶片的另一側為止。若第一補償構件511接觸於發光二極體晶片的一側且第二補償構件512接觸於發光二極體晶片的另一側，發光二極體晶片的墊P1及P2可被補償以接觸於接觸銷針321。此製程中，發光二極體晶片可當被安裝在安裝構件21上之時受到轉動及移動。

第一致動機構52可包括一第一馬達521，一第一凸輪構件522，其被第一馬達521所轉動，及一第一運動體部523，其耦合至第一補償體部51a藉以可移動於一與第一方向呈正交的方向(箭頭O的方向)。第一運動體部523可包括一第一凸輪表面5231，其接觸於第一補償構件511，及一第二凸輪表面5232，其接觸於第二補償構件512。第一及第二凸輪表面5231及5232可形成為在彼此相反的方向中呈現傾斜。

若第一馬達521轉動第一凸輪構件522，第一運動體部523可根據第一凸輪構件522的旋轉角度而移動於與第一方向呈正交的方向(箭頭O的方向)。當第一運動體部523移動，第一補償構件511可沿著第一凸輪表面5231移動且第二補償構件512可沿著第二凸輪表面5232移動。

若第一運動體部523移動於一其中裝設有第一補償機構51之方向，第一及第二補償構件511及512可移動藉以更靠近彼此，如第48圖所示。亦即，第一及第二補償構件511及512可移動藉以趨近發光二極體晶片。

若第一運動體部523移動於一與其中裝設有第一補償機構51的方向呈現相對之方向，第一及第二補償構件511及512可移動藉以遠離彼此如第47圖所示。亦即，第一及第二補償構件511及512可移動藉以遠離發光二極體晶片。

第一致動機構52可移動第一及第二補償構件511及512藉以當旋轉構件22旋轉時遠離彼此。為此，可以降低第一及第二補償構件511及512及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。

雖未圖示，第一致動單元5可藉由一第一揚升機構被上下移動。當旋轉構件22旋轉時，第一揚升機構可往上移動第一補償單元5。為此，可以降低當旋轉構件22旋轉時第一補償機構51及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。若旋轉構件22停止且安裝構件21位於第一補償位置CP1，第一揚升機構可往下移動第一補償單元5。

在此例中，不論第一及第二補償構件511及512裝設處的位置，均可以避免當旋轉構件22旋轉時第一補償機構51及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。亦即，縱使第一及第二補償構件511及512被裝設於根據旋轉構件22的旋轉之安裝構件21的一移動途程上，可以避免第一補償機構51及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。

第一揚升機構可利用一液壓缸或氣動缸來上下移動第一補償單元5。第一揚升機構可利用馬達及一耦合至馬達及第一補償單元5各者之連接機構來上下移動第一補償單元5。連接機構可包括一滑輪及皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件，及類似物。

在此時，若第一及第二補償構件511及512裝設於安裝構件21的移動途程上，第一補償單元5應處於被第一揚升機構升高之一狀態藉以當旋轉構件22旋轉時避免發光二極體晶片及第一補償機構51之間的碰撞。並且，為了使第一補償單元5調整發光二極體晶片的一狀態，第一補償單元5應處於被第一揚升機構降低之一狀態。

為了免除進行此等操作所費的額外操作時間，第一及第二補償構件511及512可如上述以發光二極體晶片為基礎被定位，並因此，第一補償構件511可被定位於發光二極體晶片內側且第二補償構件512可被定位於發光二極體晶片外側。

為此，若第一及第二補償構件511及512被移動藉以遠離彼此而不需要額外的操作時間，縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉被轉動，可以避免第一及第二補償構件511及512以及發光二極體晶片之間的碰撞。並且，若並未提供第一揚升機構，製造成本可降低。

參照第1至48圖，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可選用性地包括第一補償構件511及接觸旋轉機構345的一者或者可包括第一補償構件511及接觸旋轉機構345兩者。

已經說明第一及第二補償構件511及512皆同時藉由第一凸輪構件522趨近或退離發光二極體晶片之實施例。然而，本發明不限於上述實施例。易言之，雖未圖示，第一及第二補償構件511及512可藉由致動機構彼此分離地被移動。

譬如，第一致動機構52可包括兩馬達，而這兩馬達的一者可連接於第一補償構件511且另一馬達可連接於第二補償構件512。藉由此組態，第一及第二補償構件511及512可彼此獨立地被致動。

在此例中，當發光二極體晶片的一位置受到補償時，第一及第二補償構件511及512各者可在旋轉構件22中心的一方向─亦即朝向旋轉軸線的一方向被移動，然後在旋轉構件22的一往外方向─亦即朝向旋轉構件22旋轉軸線的一徑向方向外側之一方向被移動。反之，當發光二極體晶片的一位置受到補償時，第一及第二補償構件511及512各者可在旋轉構件22的往外方向被移動，然後在旋轉構件22中心的方向被移動。亦即，第一致動機構52可切換於一其中使第一補償構件511在接觸於未與第二補償構件512接觸之發光二極體晶片而被移動之模式與一其中使第二補償構件512在接觸於未與第一補償構件511接觸之發光二極體晶片而被移動之模式之間。

若利用此方式作調整，可相較於移動第一及第二補償構件511及512直到第一及第二補償構件511及512分別接觸於發光二極體晶片的一側及另一側之一案例來改良調整的可靠度。亦即，若第一及第二補償構件511及512被移動直到第一及第二補償構件511及512分別接觸於發光二極體晶片的一側及另一側，發光二極體晶片的側表面可能受損或者發光二極體晶片可能在當第一及第二補償構件511及512接觸於發光二極體晶片的一側及另一側時彈出。然而，若當第一及第二補償構件511及512只有一者如上述接觸於發光二極體晶片之時使發光二極體的一位置受到補償，發光二極體晶片的側表面係未受損或者發光二極體晶片作調整時並未彈出。

<第二補償單元>

下文中，將參照第49至52圖說明一第二補償單元，其作為發光二極體晶片位置補償單元的一實施例。

第49圖為一第二補償單元的立體圖，第50圖為一第二補償單元的一第二補償機構之分解立體圖，第51圖為一第三補償構件之放大立體圖，而第52圖為顯示一第二補償單元的一操作之正視圖。

根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第二補償單元5A而非第一補償單元5。第二補償單元5A係以與第一補償元件5相同的方式裝設於裝載器4及測試器3之間並補償被安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片的一狀態使得發光二極體晶片可在測試位置TP作測試。亦即，第二補償單元5A具有與第一補償單元5相同的功能。

發光二極體晶片係包括墊P1及P2，且唯有墊P1及P2接觸於接觸銷針321，發光二極體晶片的電性性質方可作測試且發光二極體晶片可發光。第二補償單元5A可調整發光二極體晶片的一狀態藉以處於一其中使墊P1及P2接觸於接觸銷針321之位置。亦即，第二補償單元5A可藉由轉動或移動安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片來調整發光二極體晶片的一位置。

在此例中，安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以使安裝構件21各者可同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、及卸載位置ULP的至少一者。旋轉單元33可轉動旋轉構件22以使安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、及卸載位置ULP的各者。

如第49圖所示，第二補償單元5A可包括一第二補償機構53及一第二致動機構54。

接觸於安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片側表面之第二補償機構53係將發光二極體晶片往前(箭頭FW方向)及往後(箭頭BW方向)移動。第二補償機構53可被可移式耦合至第二致動機構54的一底表面。

第二致動機構54包括一第一致動機構框架541及一第一致動機構殼體542。第一致動機構框架541可裝設且固定至諸如將稍後描述的另一揚升機構等另一構件。第一致動機構框架541的一上端係被第一致動機構殼體542所覆蓋，且在第一致動機構框架541內側，裝設有用於移動第二補償機構53之組成組件，諸如一馬達及一連接於馬達之轉換器。

第二致動機構54可包括一線性馬達。藉由使線性馬達連接於第二補償機構53，第二補償機構53可被往前及往後移動。或者，第二致動機構54可包括一旋轉馬達及一連接於旋轉馬達之轉換器。轉換器係將旋轉馬達的一旋轉運動轉換成一線性運動以使其傳遞至第二補償機構53並可身為譬如一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及一凸輪構件之任一者。

參照第50圖，第二補償機構53可包括一第一補償構件固持件531及一第三補償構件532。

第一補償構件固持件531係包括一位於其上側上之第一平面板5311及一從第一平面板5311的一端往下延伸之第一垂直板5312。第一平面板5311及第一垂直板5312可形成為一體部。第一平面板5311係包括螺絲耦合溝槽5315且可耦合至一未圖示的馬達或一經由螺絲耦合溝槽5315連接於馬達之未圖示的轉換器。

在第一垂直板5312的一內表面處，可設有一第一引導構件5313。藉由使第一引導構件5313連接於一未圖示的引導軌道藉以可滑動，當第二補償機構53往前及往後移動時，可以防止第二補償機構53振動或偏離一預設途程。第一垂直板5312係包括螺絲耦合溝槽5314藉以耦合至第三補償構件532。

第三補償構件532係包括一第一上端構件5321以耦合至第一補償構件固持件531的第一垂直板5312及一第一下端構件5322以耦合至第一上端構件5321的一底表面成為一體部。

參照第51圖，第一上端構件5321係包括螺絲耦合溝槽5323藉以耦合至第一補償構件固持件531。亦即，第三補償構件532的螺絲耦合溝槽5323係螺絲式耦合於第一補償構件固持件531的螺絲耦合溝槽5314，因此第一補償構件固持件531被固定且耦合至第三補償構件532。

第一下端構件5322係包括一第一發光二極體晶片容納溝槽532a，其中設有安裝在安裝構件21上的發光二極體晶片。並且，第一下端構件5322係包括一將接觸到將位於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中的發光二極體晶片一側之第一接觸表面5324及一將接觸到發光二極體晶片另一側之第二接觸表面5325。第一及第二接觸表面5324及5325係分別面對發光二極體晶片的兩側表面，而第一接觸表面5324與第二接觸表面5325之間的一空間係用來作為第一發光二極體晶片容納溝槽532a。為了使發光二極體晶片位於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中，第一接觸表面5324及第二接觸表面5325之間的一距離─亦即第一發光二極體晶片容納溝槽532a的一尺寸係應大於發光二極體晶片的兩側表面之間的一距離。因此，若第二補償機構53往前移動(箭頭FW方向)藉以調整發光二極體晶片的一位置，發光二極體晶片的一側係接觸於第一接觸表面5324且發光二極體晶片的另一側並未接觸於第二接觸表面5325。反之，若第二補償機構53往後移動(箭頭BW方向)，發光二極體晶片的另一側係接觸於第二接觸表面5325且發光二極體晶片的一側並未接觸於第一接觸表面5324。利用此方式，第二補償機構53往前及往後移動，因此發光二極體晶片被移動至一其中可使墊P1及P2接觸於接觸銷針321之位置。此製程中，發光二極體晶片可當被安裝在安裝構件21上之時受到轉動或移動。

第一接觸表面5324的一上邊緣係連接於一第一補償構件傾斜表面5326，且第二接觸表面5325的一上邊緣連接於一第二補償構件傾斜表面5327。第一補償構件傾斜表面5326及第二補償構件傾斜表面5327係延伸至第三補償構件532之第一下端構件5322的一頂表面。為此，第一發光二極體晶片容納溝槽532a的一上空間係形成一往上寬廣開啟的形狀。在第三補償構件532上，可裝設一將於稍後描述的第一感測器單元6(未圖示)。第一感測器單元係經由第一發光二極體晶片容納溝槽532a及其上開啟空間來檢查處於第一補償位置的安裝構件中之發光二極體晶片的一安裝位置。

第52圖為顯示第二補償單元5A的一操作之圖式。參照第52圖，安裝構件21係裝設在旋轉構件22的支撐框架221上，而一待測試的發光二極體晶片係放置在安裝構件21的頂表面上。在第一補償位置，第二補償單元5A的第三補償構件532係被定位於安裝構件21上，因此發光二極體晶片被置於第三補償構件532的第一發光二極體晶片容納溝槽532a中。

若第三補償構件532的一底表面完全接觸於安裝構件21，當第三補償構件532往前及往後移動時，安裝構件21表面有受損的危險。因此，理想上，第三補償構件532可被定位於一其中當第三補償構件532往前及往後移動時使第三補償構件532底表面不接觸於安裝構件21頂表面且使第三補償構件532的第一及第二接觸表面5324及5325接觸於發光二極體晶片的側表面之高度。

第一發光二極體晶片容納溝槽532a中的第三補償構件532係往前移動(箭頭FW的方向)然後往後移動(箭頭BW的方向)。利用此方式，發光二極體晶片被移動至一適當位置，亦即一可使發光二極體晶片適當作測試之位置。如上述，當第三補償構件532往前移動(箭頭FW的方向)之時，發光二極體晶片的一側係接觸於第一接觸表面5324且發光二極體晶片的另一側未接觸於第二接觸表面5325。反之，當補償構件532往後移動(箭頭BW的方向)之時，發光二極體晶片的另一側係接觸於第二接觸表面5325且發光二極體晶片的一側未接觸於第一接觸表面5324。

已描述一其中使發光二極體晶片往前移動然後往後移動同時發光二極體晶片被置於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中之案例。然而，亦可能藉由當發光二極體晶片置於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中之時往後移動然後往前移動發光二極體晶片來調整發光二極體晶片的一位置。並且，當發光二極體晶片被置於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中之時，可以只往前移動第三補償構件532，或者當發光二極體晶片被置於第一發光二極體晶片容納溝槽532a之時，可以只往後移動第三補償構件532。尚且，當發光二極體晶片被置於第一發光二極體晶片容納溝槽532a中之時，可以重覆地往前及往後數次移動第三補償構件532。

在此例中，往前方向係指一朝向旋轉構件22的中心亦即旋轉軸線之方向，而往後方向係指一與其相反的方向。若第三補償構件532的第一及第二接觸表面5324及5325被定位於一平行於旋轉構件22旋轉方向之方向(請見第51圖)，當旋轉構件22旋轉時，可以降低發光二極體晶片或安裝構件21及第三補償構件532之間碰撞的可能性。

雖未圖示，第二補償單元5A可藉由一第二揚升機構被上下移動。當旋轉構件22旋轉時，第二揚升機構可往上移動第二補償單元5A。為此，當旋轉構件旋轉22時可以降低第二補償機構53及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。若旋轉構件22停止且安裝構件21被定位於第一補償位置CP1，第二揚升機構可往下移動第二補償單元5A。

利用此方式，當旋轉構件22旋轉時，可以避免第二補償機構53及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。

第二揚升機構可利用一液壓缸或氣動缸來上下移動第二補償單元5A。第二揚升機構可利用馬達及一耦合至馬達與第二補償單元5A各者之連接機構來上下移動第二補償單元5A。連接機構可包括一滑輪及皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件，及類似物。

<第一感測器單元>

再度參照第46至48圖，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第一感測器單元6。

第一感測器單元6係檢查位於第一補償位置CP1的安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態。第一感測器單元6檢查發光二極體晶片在安裝構件21中的一安裝位置。可採用一CCD攝影機作為一第一感測器單元6。

第一感測器單元6裝設成位於第一補償機構51上並檢查由第一補償機構51所補償且安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片的一狀態。第一感測器單元6可裝設在第一補償體部51a中。

參照第1至48圖，接觸移動機構344可以第一感測器單元6所獲得之發光二極體晶片的狀態資訊為基礎將接觸單元32移動至一其中可使接觸銷針321接觸於發光二極體晶片之位置。為此，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可精確地測試發光二極體晶片的效能。接觸單元32可藉由接觸移動機構344在一X軸方向及一Y軸方向被移動，使得接觸銷針321可接觸於發光二極體晶片。接觸單元32可藉由接觸移動機構344被轉動以使接觸銷針321可接觸於發光二極體晶片。

雖未圖示，第一感測器單元6係檢查位於第一補償位置CP1與測試位置TP之間的一第一感測位置之安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態。

在此例中，旋轉單元33可轉動旋轉構件22以使安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、第一感測位置、測試位置TP、及卸載位置ULP的各者處。

安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以可使安裝構件21的各者同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、第一感測位置、測試位置TP、及卸載位置ULP的至少一者處。

只已描述一其中使第一感測器單元6被定位於第一補償機構51上之案例，但第一感測器單元6可被定位於第二補償機構53上。

<第三補償單元>

參照第34及46圖，在藉由測試器3所測試之發光二極體晶片的一測試期間或之後發光二極體晶片從測試位置TP被移動至卸載位置ULP之時，安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態係可改變。在此例中，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第三補償單元藉以使卸載器9精確地從被定位於卸載位置ULP的安裝構件21卸載發光二極體晶片。第三補償單元係為一發光二極體晶片位置補償單元的一範例。

第53圖為根據本發明的一修改範例之一進給器的示意平面圖，第54及55圖為顯示第三補償單元的一操作之示意立體圖。

參照第34圖及第53至55圖，第三補償單元7係裝設於測試器3與卸載器9之間並補償安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態使得發光二極體晶片被安裝於安裝構件21上藉以在卸載位置ULP處從其卸載。為此，卸載器9可從安裝構件21精確地卸載發光二極體晶片。

第三補償單元7係藉由轉動安裝構件21所安裝之發光二極體晶片來補償發光二極體晶片的一狀態。第三補償單元7係藉由移動安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片來補償發光二極體晶片的一狀態。

第三補償單元7係補償被定位於測試位置TP與卸載位置ULP之間的一第二補償位置CP2之安裝構件21上所安裝的發光二極體晶片之一狀態。在此例中，安裝構件21可裝設於旋轉構件22中使得安裝構件21各者可同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位置ULP的至少一者處。旋轉單元33可轉動旋轉構件22使得安裝構件21可被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位置ULP的各者處。

第三補償單元7可包括一第三補償機構71及一第三致動機構72。第三補償機構71包括一第四補償構件711及一第五補償構件712。

當安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態時，第四補償構件711係接觸於發光二極體晶片的一側。第四補償構件可藉由第三補償機構72被移動以趨近或退離第五補償構件712。

若第四補償構件711被第三致動機構72移動以趨近第五補償構件712，第四補償構件711係接觸於安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一側，並推押且移動發光二極體晶片的一側直到發光二極體晶片的另一側接觸於第五補償構件712為止。

當安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態受到補償時，第五補償構件712係接觸於發光二極體晶片的另一側。第五補償構件712可被第三致動機構72所移動以趨近或退離第四補償構件711。

若第五補償構件712被第三致動機構72所移動以趨近第四補償構件711，第五補償構件712係接觸於安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的另一側，並推押且移動發光二極體晶片的另一側直到發光二極體晶片的一側接觸於第四補償構件711為止。

第四及第五補償構件711及712可以位於第二補償位置CP2的發光二極體晶片為基礎被定位，且因此，第四補償構件711可被定位於發光二極體晶片內側且第五補償構件712可被定位於發光二極體晶片外側。亦即，如第53圖所描繪，第四補償構件711可被移動以趨近或退離第五構件712同時位於發光二極體晶片內側，而第五補償構件712可被移動以趨近或退離第四構件711同時位於發光二極體晶片外側。

為此，若第四及第五補償構件711及712被移動以遠離彼此，縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉而轉動，可以降低第四及第五補償構件711及712以及發光二極體晶片之間碰撞的可能性。

第四補償構件711及第五補償構件712可耦合至一第二補償體部71a以可移動於一第二方向(箭頭P的方向)。

第三致動機構72移動第四及第五補償構件711及712以趨近或退離發光二極體晶片。發光二極體晶片係安裝在位於第二補償位置CP2之安裝構件21上。

第三致動機構72可移動第四及第五補償構件711及712直到第四補償構件711接觸於發光二極體晶片的一側且第五補償構件712接觸於發光二極體晶片的另一側為止。若第四補償構件711接觸於發光二極體晶片的一側且第五補償構件712接觸於發光二極體晶片的另一側，發光二極體晶片可被補償以由卸載器9精確地卸載。此製程中，發光二極體晶片可當安裝於安裝構件21上之時被轉動及移動。

第三致動機構72可包括一第二馬達721，一第二凸輪構件722，其被第二馬達721所轉動，一第二運動體部723，其耦合至第二補償體部71a藉以可移動於與第二方向呈正交的一方向(箭頭Q的方向)。第二運動體部723可包括一接觸於第四補償構件711之第三凸輪表面7231以及一接觸於第五補償構件712之第四凸輪表面7232。第三及第四凸輪表面7231及7232可形成為在彼此相反的方向呈現傾斜。

若第二馬達721轉動第二凸輪構件722，第二運動體部723可根據第二凸輪構件722的一旋轉角度移動於與第二方向呈現正交的方向(箭頭Q的方向)。當第二運動體部723移動，第四補償構件711可沿著第三凸輪表面7231移動且第五補償構件712可沿著第四凸輪表面7232移動。

若第二運動體部723移動於一其中裝設有第三補償機構71之方向，第四及第五補償構件711及712可移動藉以更接近彼此如第55圖所示。亦即，第四及第五補償構件711及712可移動藉以趨近發光二極體晶片。

若第二運動體部723移動於與其中裝設有第三補償機構71的方向呈相反之一方向，第四及第五補償構件711及712可移動藉以遠離彼此如第54圖所描繪。亦即，第四及第五補償構件711及712可移動藉以遠離發光二極體晶片。

當旋轉構件22轉動時，第三致動機構72可移動第四及第五補償構件711及712藉以遠離彼此。為此，可以降低第四及第五補償構件711及712以及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。

雖未圖示，第三補償單元5可藉由一第三揚升機構被上下移動。當旋轉構件22轉動時第三揚升機構可往上移動第三補償單元7。為此，可以降低當旋轉構件22轉動時第三補償機構71及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。若旋轉構件22停止且安裝構件21被定位於第二補償位置CP2，第三揚升機構可往下移動第三補償單元7。

第三揚升機構可利用一液壓缸或氣動缸來上下移動第三補償單元7。第三揚升機構可利用馬達及一耦合至馬達及第三補償單元7的各者之連接機構來上下移動第三補償單元7。連接機構可包括一滑輪及皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件，及類似物。

在此例中，不論其中裝設有第四及第五補償構件711及712之位置如何，可以避免當旋轉構件22旋轉時第三補償機構71及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。亦即，縱使第四及第五補償構件711及712被裝設於根據旋轉構件22的旋轉之安裝構件21的一移動途程上，可以避免第三補償機構71及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。

在此時，若第四及第五補償構件711及712裝設於安裝構件21的移動途程上，第三補償單元7應處於被第三揚升機構所升高的一狀態藉以避免當旋轉構件22轉動時發光二極體晶片及第三補償機構71之間的碰撞。並且，為了使第三補償單元7調整發光二極體晶片的一狀態，第三補償單元7應處於被第三揚升機構所降低的一狀態。

為了免除進行此等操作所費的額外操作時間，第四及第五補償構件711及712可如上述以位於第二補償位置CP2的發光二極體晶片為基礎被定位，且因此，第四補償構件711可被定位於發光二極體晶片內側且第五補償構件712可被定位於發光二極體晶片外側。

為此，若第四及第五補償構件711及712被移動藉以遠離彼此而無需額外操作時間，縱使安裝構件21根據旋轉構件22的旋轉而被轉動，可以避免第四及第五補償構件711及712以及發光二極體晶片之間的碰撞。並且，若未提供第三揚升機構，製造成本可降低。

已描述藉由第二凸輪構件722同時使第四及第五補償構件711及712趨近或退離發光二極體晶片之實施例。然而，本發明不限於上述實施例。易言之，雖未圖示，第四及第五補償構件711及712可彼此分離地被致動機構所移動。

譬如，第三致動機構72可包括兩馬達，而這兩馬達的一者可連接於第四補償構件711且另一馬達可連接於第五補償構件712。藉由此組態，第四及第五補償構件711及712可彼此獨立地被致動。

在此例中，當發光二極體晶片的一位置受到補償時，第四及第五補償構件711及712的各者可在旋轉構件22中心的一方向-亦即朝向旋轉軸線的一方向被移動，然後在旋轉構件22的一往外方向-亦即朝向旋轉構件22旋轉軸線的一徑向方向外側之一方向被移動。反之，當發光二極體晶片的一位置受到補償時，第四及第五補償構件711及712的各者可在旋轉構件22的往外方向被移動然後在旋轉構件22中心的方向被移動。亦即，第三致動機構72可切換於一其中使第四補償構件711接觸於未與第五補償構件712接觸的發光二極體晶片而被移動之模式及一其中使第五補償構件712接觸於未與第四補償構件711接觸的發光二極體晶片而被移動之模式之間。

若利用此方式作調整，相較於移動第四及第五補償構件711及712直到第四及第五補償構件711及712分別接觸於發光二極體晶片的一側及另一側之案例而言，可改良調整的可靠度。亦即，若第四及第五補償構件711及712被移動直到第四及第五補償構件711及712分別接觸於發光二極體晶片的一側及另一側為止，發光二極體晶片的側表面可能受損或者發光二極體晶片可能在當第四及第五補償構件711及712接觸於發光二極體晶片的一側及另一側時之瞬間彈出。然而，若發光二極體晶片的一位置受到補償同時第四及第五補償構件711及712只有一者如上述接觸於發光二極體晶片，發光二極體晶片的側表面並未受損或者發光二極體晶片不會在作調整時彈出。

<第四補償單元>

下文中，將參照第56至59圖描述一第四補償單元作為發光二極體晶片位置補償單元的一實施例。

第56圖為一第四補償單元的立體圖，第57圖為一第四補償單元的一第四補償機構之分解立體圖，第58圖為一第六補償構件的放大立體圖，第59圖為顯示一第四補償單元的一操作之正視圖。

根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第四補償單元7A，而非第三補償單元7。第四補償單元7A係以與第三補償單元7相同的方式裝設於測試器3及卸載器9之間並補償安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態，使得發光二極體晶片可在卸載位置ULP被卸載。亦即，第四補償單元7A具有與第三補償單元7相同的功能。

第四補償單元7A係補償位於測試位置TP與卸載位置ULP之間的第二補償位置CP2的安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態。在此例中，安裝構件21可裝設於旋轉構件22中使得安裝構件21的各者可同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位置ULP的至少一者處。旋轉單元33可轉動旋轉構件22使得安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位置ULP的各者處。

如第56圖所描繪，第四補償單元7A可包括一第四補償機構73及一第四致動機構74。

接觸於安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的側表面之第四補償機構73係往前(箭頭FW的方向)及往後(箭頭BW的方向)移動發光二極體晶片。第四補償機構73被可移式耦合至第四致動機構74的一底表面。

第四致動機構74係包括一第二致動機構框架741及一第二致動機構殼體742。第二致動機構框架741可裝設於且固定至另一構件，諸如稍後描述的另一揚升機構。第二致動機構框架741的一上端係被第二致動機構殼體742所覆蓋，且在第二致動機構框架741內側，裝設有用於移動第四補償機構73之組成組件，諸如一馬達及一連接於馬達的轉換器。

第四致動機構74可包括一線性馬達。藉由使線性馬達連接於第四補償機構73，第四補償機構73可被往前及往後移動。或者，第四致動機構74可包括一轉動馬達及一連接於轉動馬達之轉換器。轉換器係將轉動馬達的一旋轉運動轉換成一線性運動以將其傳遞至第四補償機構73且可譬如身為一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及一凸輪構件之任一者。

參照第57圖，第四補償機構73可包括一第二補償構件固持件731及一第六補償構件732。

第二補償構件固持件731係包括一位於其上側上之第二平面板7311及一從第二平面板7311的一端往下延伸之第二垂直板7312。第二平面板7311及第二垂直板7312可形成為一體部。第二平面板7311係包括螺絲耦合溝槽7315並可耦合至一未圖示的馬達或一經由螺絲耦合溝槽7315連接於馬達之未圖示的轉換器。

在第二垂直板7312的一內表面處，可設置一第二引導構件7313。藉由使第二引導構件7313連接於一未圖示的引導軌道而可滑動，當第四補償機構73往前及往後移動時，可以防止第四補償機構73振動或偏離一預設途程。第二垂直板7312係包括螺絲耦合溝槽7314藉以耦合至第六補償構件732。

第六補償構件732係包括一第二上端構件7321以被耦合至第二補償構件固持件731的第二垂直板7312及一第二下端構件7322以被耦合至第二上端構件7321的一底表面成為一體部。

參照第58圖，第二上端構件7321係包括螺絲耦合溝槽7323藉以被耦合至第二補償構件固持件731。亦即，第六補償構件732的螺絲耦合溝槽7323係螺絲式耦合於第二補償構件固持件731的螺絲耦合溝槽7314，因此使第二補償構件固持件731被固定且耦合至第六補償構件732。

第二下端構件7322係包括一第二發光二極體晶片容納溝槽732a，其中設有被安裝於安裝構件21上之發光二極體晶片。並且，第二下端構件7322係包括一第三接觸表面7324以接觸於位於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之發光二極體晶片的一側，及一第四接觸表面7325以接觸於發光二極體晶片的另一側。第三及第四接觸表面7324及7325係分別面對發光二極體晶片的兩側表面，而第三接觸表面7324及第二接觸表面7325之間的一空間係用來作為第二發光二極體晶片容納溝槽732a。為了使發光二極體晶片位於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中，第三接觸表面7324及第四接觸表面7325之間的一距離─亦即第二發射容納溝槽732a的一尺寸係應大於發光二極體晶片的兩側表面之間的一距離。因此，若第四補償機構73往前(箭頭FW的方向)移動藉以調整發光二極體晶片的一位置，發光二極體晶片的一側係接觸於第三接觸表面7324且發光二極體晶片的另一側未接觸於第四接觸表面7325。反之，若第四補償機構73往後移動(箭頭BW的方向)，發光二極體晶片的另一側係接觸於第四接觸表面7325且發光二極體晶片的一側並未接觸於第三接觸表面7324。利用此方式，第四補償機構73往前及往後移動，因此使發光二極體晶片被移動至一適於卸載的位置。此製程中，發光二極體晶片可當安裝在安裝構件21上之時被轉動或移動。

第三接觸表面7324的一上邊緣係連接於一第三補償構件傾斜表面7326，且第四接觸表面7325的一上邊緣連接於一第四補償構件傾斜表面7327。第三補償構件傾斜表面7326及第四補償構件傾斜表面7327係延伸至第六補償構件732之第二下端構件7322的一頂表面。為此，第二發光二極體晶片容納溝槽732a的一上空間係形成為一往上寬廣開啟的形狀。在第六補償構件732上，可裝設一將於稍後描述的第二感測器單元8(未圖示)。第二感測器單元係經由第二發光二極體晶片容納溝槽732a及其上開啟空間來檢查處於第二補償位置之發光二極體晶片在安裝構件中的一安裝位置。

第59圖為顯示第四補償單元7A的一操作之圖式。參照第59圖，在旋轉構件22的支撐框架221上，裝設有安裝構件21，且在安裝構件21的頂表面上，放置有一經測試的發光二極體晶片。在第二補償位置處，第四補償單元7A的第六補償構件732係被定位於安裝構件21上，因此使發光二極體晶片被放置於第六補償構件732的第二發光二極體晶片容納溝槽732a中。

若第六補償單元732的一底表面完全接觸於安裝構件21，當第六補償構件732往前及往後移動時，安裝構件21表面將有可能受損之危險。因此，理想上，第六補償構件732可被定位於一其中當第六補償構件732往前及往後移動時使第六補償構件732的底表面未接觸於安裝構件21頂表面且使第六補償構件732的第三及第四接觸表面7324及7325接觸於發光二極體晶片側表面之高度處。

第二發光二極體晶片容納溝槽732a中的第六補償構件732係往前(箭頭FW的方向)移動然後往後(箭頭BW的方向)移動。利用此方式，發光二極體晶片係被移動至一適當位置-亦即一其中使發光二極體晶片可被適當卸載之位置。如上述，當第六補償構件732往前(箭頭FW的方向)移動之時，發光二極體晶片的一側係接觸於第三接觸表面7324且發光二極體晶片的另一側未接觸於第四接觸表面7325。反之，當第六補償構件732往後(箭頭BW的方向)移動之時，發光二極體晶片的另一側係接觸於第四接觸表面7325且發光二極體晶片的一側未接觸於第三接觸表面7324。

已說明一其中當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之時使發光二極體晶片往前移動然後往後移動之案例。然而，亦可以藉由當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之時使發光二極體晶片往後移動然後往前移動來調整發光二極體晶片的一位置。並且，當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之時，可以只往前移動第六補償構件732，或者當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之時，可以只往後移動第六補償構件732。尚且，當發光二極體晶片置於第二發光二極體晶片容納溝槽732a中之時，可以往前及往後數次反覆地移動第六補償構件732。

在此例中，往前方向係指一朝向旋轉構件22的中心-亦即旋轉軸線之方向，而往後方向係指一與其相反的方向。若第六補償構件732的第三及第四接觸表面7324及7325被定位於當旋轉構件22旋轉時與旋轉構件22旋轉方向呈平行之一方向(請見第58圖)，可以降低發光二極體晶片或安裝構件21及第六補償構件732之間碰撞的可能性。

雖未圖示，第四補償單元7A可藉由一第四揚升機構被上下移動。當旋轉構件22旋轉時，第四揚升機構可往上移動第四補償單元7A。為此，可以降低當旋轉構件22旋轉時第四補償機構73及發光二極體晶片或安裝構件21之間碰撞的可能性。若旋轉構件22停止且安裝構件21被定位於第二補償位置CP2，第四揚升機構可往下移動第四補償單元7A。

利用此方式，當旋轉構件22旋轉時，可以避免第四補償機構73及發光二極體晶片或安裝構件21之間的碰撞。

第四揚升機構可利用一液壓缸或氣動缸來上下移動第四補償單元7A。第四揚升機構可利用馬達及一耦合至馬達及第四補償單元7A各者之連接機構來上下移動第四補償單元7A。連接機構可包括一滑輪及皮帶，一滾珠螺桿，一凸輪構件，及類似物。

<第二感測器單元>

再度參照第34圖及第53至55圖，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一第二感測器單元8。

第二感測器單元8係檢查位於第二補償位置CP2的安裝構件21上所安裝之發光二極體晶片的一狀態。第二感測器單元8檢查發光二極體晶片在安裝構件21中的一安裝位置及旋轉程度。可採用一CCD攝影機作為一第二感測器單元6。

第二感測器單元8係裝設成位於第三補償機構71上並檢查由第三補償機構71所補償且安裝在安裝構件21上之發光二極體晶片的一狀態。第二感測器單元8可裝設在第二補償體部71a中。

若根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10包括第二感測器單元8，卸載器9可以第二感測器單元8所獲得之發光二極體晶片的狀態資訊為基礎從位於卸載位置ULP的安裝構件21精確地卸載發光二極體晶片。

雖未圖示，第二感測器單元8檢查位於第二補償位置CP2及卸載位置ULP之間的一第二感測位置之發光二極體晶片的一狀態。第二感測器單元8係檢查發光二極體晶片在安裝構件21中之一安裝位置及旋轉程度。

在此例中，旋轉單元33可轉動旋轉構件22使得安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、第一感測位置、測試位置TP、第二補償位置CP2、及卸載位置ULP的各者處。

安裝構件21可裝設於旋轉構件22中以使安裝構件21各者可同時被定位於裝載位置LD、第一補償位置CP1、第一感測位置、測試位置TP、第二補償位置、及卸載位置ULP的至少一者處。

只已描述一使第二感測器單元8被定位於第三補償機構71上之案例，但第二感測器單元8可被定位於第四補償機構73上。

<第一移除單元>

如上述，發光二極體晶片係安裝在位於裝載位置LP且被移動至測試位置TP之安裝構件21上，而發光二極體晶片在測試後被移動至卸載位置ULP予以卸載。穿過卸載位置ULP之安裝構件21係再度被移動至卸載位置LP，而在裝載位置LP處，一新的發光二極體晶片被裝載至安裝構件21中。

然而，若發光二極體晶片未從安裝構件21被妥當地卸載，發光二極體晶片係留存在穿過卸載位置ULP至裝載位置LP的安裝構件21處，且因此，另一新的發光二極體晶片無法被妥當地裝載至安裝構件21中。並且，由於發光二極體晶片未被妥當地裝載至移動到測試位置TP之安裝構件21中，新的發光二極體晶片無法妥當地作測試。

為了防止此問題，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可包括一用於移除留存在穿過卸載位置ULP之安裝構件21處的發光二極體晶片之第一移除單元11。因此，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10係穩定地裝載及測試發光二極體晶片，因此可改良發光二極體晶片之測試的精確度。

參照第60圖，第一移除單元11裝設於卸載位置ULP與裝載位置LP之間，且因此，可以移除留存在穿過卸載位置ULP的安裝構件21處之發光二極體晶片。當發光二極體晶片被移除時，留存在安裝構件21處的異物可自其被移除。

第一移除單元11係從位於一第一移除位置F之安裝構件21移除發光二極體晶片。第一移除位置F被定位於卸載位置ULP與裝載位置LP之間。旋轉單元23可轉動旋轉單元22以使安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、測試位置TP、卸載位置ULP、及第一移除位置F的各者處。亦即，若旋轉單元23將安裝構件21放置於裝載位置LP、測試位置TP、及卸載位置ULP的各者處，穿過卸載位置ULP的安裝構件21係被定位於第一移除位置F。複數個安裝構件21可裝設於旋轉構件22中使得安裝構件21各者可同時被定位於測試位置TP、裝載位置LP、卸載位置ULP、及第一移除位置F的至少一者處。

為此，在根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10中，可以防止因為分離地轉動及停止旋轉構件22藉以移除留存在穿過卸載位置ULP之安裝構件21處的發光二極體晶片所造成之操作時間損失。並且，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10中，當發光二極體晶片在裝載位置LP處被裝載、在測試位置TP被測試、及在卸載位置ULP被卸載之時，留存在安裝構件21處的發光二極體晶片可在第一移除位置F被移除。因此，可以移除留存在安裝構件21處的發光二極體晶片而不需要額外的操作時間。

第一移除單元11可包括一噴注單元(未圖示)，其將一用於移除發光二極體晶片之流體噴注朝向位於第一移除位置F的安裝構件21。噴注單元(未圖示)可被定位在處於第一移除位置F的安裝構件21以及旋轉構件22的一旋轉軸線22a之間並將流體噴注朝向處於第一移除位置F之安裝構件21。因此，發光二極體晶片可被移除至旋轉構件22外側。由於發光二極體晶片晶片可被移除至旋轉構件22外側，可以防止堵塞或短路發生。

參照第60至63圖，第一移除單元11可包括一位於第一移除位置F之體部111。

在第一移除位置F，發光二極體晶片係被定位於體部111處所形成之貫穿溝槽1111處。因此，當旋轉構件22轉動時，可以容許安裝構件21被定位於第一移除位置F處藉以不會在不移動體部111的情形下碰撞到體部111。

一第一連接孔1112係形成於體部111的一側111a處藉以導通於貫穿溝槽1111。體部111的一側111a可連接於用以噴注流體以移除位於第一移除位置F的發光二極體晶片之噴注單元(未圖示)。從噴注單元(未圖示)所噴注之流體係經由第一連接孔1112被轉移至貫穿溝槽1111並從位於第一移除位置F之安裝構件21移除發光二極體晶片。

雖未圖示，噴注單元可包括一注射裝置，其用於噴注一流體，及一連接單元，其用於連接注射裝置及體部111的一側111a藉以將從注射裝置所注射的流體轉移至貫穿溝槽1111。可採用一軟管作為一連接單元。

一第二連接孔1113形成於體部111的另一側111b處藉以導通於貫穿溝槽1111。體部111的另一側111b可連接於一空氣吸取單元(未圖示)，其用於吸取一流體使得從位於第一移除位置F的安裝構件21所移除之發光二極體晶片自貫穿溝槽111被移動至第二連接孔1113。空氣吸取單元(未圖示)係在一從貫穿溝槽1111往第二連接孔1113的方向吸取流體，並因此可使發光二極體晶片從貫穿溝槽1111被移動朝向第二連接孔1113。

雖未圖示，空氣吸取單元可包括一吸取裝置，其用於吸取一流體，及一連接單元，其用於連接吸取裝置及體部111的另一側111b。可採用一軟管作為一連接單元。

若體部111的一側111a連接於噴注單元且體部111的另一側111b連接於空氣吸取單元，從噴注單元所噴注的流體係經由第一連接孔1112被轉移至貫穿溝槽1111並被空氣吸取單元所吸取然後從貫穿溝槽1111被移至第二連接孔1113。亦即，流體係經由貫穿溝槽1111從第一連接孔1112被移動至第二連接孔1113，並在此製程中，發光二極體晶片可從位於第一移除位置F之安裝構件21被移除。

以位於第一移除位置F之安裝構件21為基礎，體部111的一側111a可被定位於旋轉構件22內側且體部111的另一側111b可被定位於旋轉構件22外側。體部111的一側111a可被定位於第一移除位置F的安裝構件21以及旋轉構件22的旋轉軸線22a之間。因此，發光二極體晶片可被移除至旋轉構件22外側。由於發光二極體晶片可被移除至旋轉構件22外側，可以防止發生堵塞或短路。

參照第60圖，第一移除單元11可進一步包括一儲存構件112及一連接構件113。

儲存構件112係儲存從位於第一移除位置F的安裝構件21所移除之發光二極體晶片。因此，不論體部111的一裝設方向如何，所移除的發光二極體晶片係被移動至諸如旋轉構件22等其他組成組件，且因此，可以防止發生堵塞或短路。儲存於儲存構件112中的發光二極體晶片係可再度被裝載至安裝構件21中且根據一測試結果依照級別予以分級。

儲存構件112可形成為在其中儲存有經移除的發光二極體晶片。譬如，儲存構件112可整體形成為一中空圓柱形。

連接構件113係連接體部111及儲存構件112。從位於第一移除位置F的安裝構件21所移除之發光二極體晶片係經由第二連接孔1113及連接構件113被移動至儲存構件112。可採用一軟管作為一連接構件113。

<第二移除單元>

發光二極體晶片可設置成使其黏著至一諸如藍卷帶等黏劑卷帶。在此例中，黏有一黏劑材料的發光二極體晶片係可被裝載至位於裝載位置LP之安裝構件21中，而發光二極體晶片可利用黏劑材料被黏著至安裝構件21。為此，可能使得發光二極體晶片並未在卸載位置ULP被妥當卸載。

可藉由第一移除移除單元11來移除無法在卸載位置ULP處被妥當卸載且留存在安裝構件21處之發光二極體晶片。然而，縱使發光二極體晶片被第一移除單元11所移除，黏劑材料仍可留存在安裝構件21處。此黏劑材料會污染一將在裝載位置LP處被裝載之新的發光二極體晶片，且當其經由反覆操作而累積時，無法在卸載位置被妥當卸載的發光二極體晶片數將變多。為了移除此黏劑材料，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可包括第二移除單元12。

參照第64圖，第二移除單元12係裝設於卸載位置ULP與裝載位置LP之間，因此可以移除留存在穿過卸載位置ULP的安裝構件21處之黏劑材料。第二移除單元12可裝設於第一移除單元11旁邊。

第二移除單元12可移除留存在位於一第二移除位置G之安裝構件21處的黏劑材料。第二移除位置G被定位於第一移除位置F與裝載位置LP之間。

旋轉單元23可轉動旋轉構件22以使安裝構件21可依順序被定位於裝載位置LD、測試位置TP、卸載位置ULP、第一移除位置F、及第二移除位置G的各者處。亦即，若旋轉單元23將安裝構件21放置在裝載位置LP、測試位置TP、卸載位置ULP、及第一移除位置F的各者處，穿過卸載位置ULP之安裝構件21係被定位於第二移除位置G處。複數個安裝構件21可被裝設於旋轉構件22中以使安裝構件21各者可同時被定位於測試位置TP、裝載位置LP、卸載位置ULP、第一移除位置F、及第二移除位置G的至少一者處。

因此，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10中，可以防止因為分離地旋轉及停止旋轉構件22藉以移除留存在穿過卸載位置ULP之安裝構件21處的黏劑材料所造成之操作時間的損失。並且，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10中，當發光二極體晶片在裝載位置LP被裝載、在測試位置TP作測試、在卸載位置ULP被卸載、及在第一移除位置F被移除之時，留存在安裝構件21之黏劑材料可在第二移除位置G被移除。因此，可以移除留存在安裝構件21處之發光二極體晶片而不需要額外的操作時間，且亦可以一充分時間來移除留存在安裝構件21處之黏劑材料。

第二移除單元12可包括一接觸構件121，其接觸於穿過卸載位置ULP之安裝構件21的頂表面藉以移除留存在安裝構件21頂表面處之黏劑材料。第二移除單元12可包括至少一個或多個接觸構件121。

接觸構件121可包括諸如織物、刷、及皮革等材料的至少任一者以移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。接觸構件121可進一步包括一可以充分黏著強度黏著至留存在安裝構件21處的黏劑材料之黏劑材料。理想上，接觸構件121中所包括的黏劑材料係可以比留存在安裝構件21處的黏劑材料與安裝構件21之間的黏著強度更大之黏著強度被黏著至留存在安裝構件21處的黏劑材料。

接觸構件121係藉由旋轉構件22的轉動而擦磨抵住安裝構件21的頂表面，藉以移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。藉由稍後所描述的另一組態，接觸構件121可被旋轉性或線性移動以移除留存在安裝構件21頂表面處之黏劑材料。

參照第64及65圖，第二移除單元12可進一步包括一支撐構件以被耦合至接觸構件121。

支撐構件122可耦合至接觸構件121使得接觸構件121可被轉動。為此，若旋轉構件22轉動，接觸構件121係當接觸於安裝構件21頂表面之時被摩擦所轉動，因此可使留存在安裝構件21頂表面處之黏劑材料被移除。接觸構件121可沿一旋轉軸線121a被轉動並可整體形成一圓柱形狀。若第二移除單元12包括複數個接觸構件121，接觸構件121各者係可被可旋轉式耦合至支撐構件122。

參照第66圖，根據本發明的經修改範例之第二移除單元12係可進一步包括一用於轉動接觸構件121之驅動單元123。接觸構件121可沿旋轉軸線121a(請見第65圖)被轉動並可整體形成一圓柱形狀。

當接觸構件121接觸於安裝構件21頂表面之時，驅動單元123係轉動接觸構件121，因此接觸構件121可移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。縱使旋轉構件22停止，接觸構件121可藉由驅動單元123來移除留存在安裝構件21頂表面之黏劑材料。

驅動單元123可耦合至支撐構件122，且接觸構件121可沿旋轉軸線121a被順時針或逆時針方向轉動。驅動單元123可包括一馬達1231。馬達1231可直接耦合至旋轉軸線121a藉以轉動接觸構件121或可耦合至一與旋轉軸線121a耦合的軸(未圖示)藉以轉動接觸構件121。若馬達1231裝設於一與軸(未圖示)呈一預定距離之位置處，驅動單元123可進一步包括一用於連接馬達與軸(未圖示)之滑輪及皮帶。

參照第67圖，根據本發明的經修改範例之第二移除單元12係可進一步包括一用於移動支撐構件122之移動單元(未圖示)。接觸構件可隨著支撐構件122移動而與支撐構件122一起被移動並可整體形成為一矩形。接觸構件121可形成為諸如圓柱形而非矩形等另一形狀，只要其可接觸於安裝構件21頂表面即可。

移動單元可耦合至支撐構件122並可當接觸構件121接觸於安裝構件21頂表面之時線性地移動支撐構件122，因此可使接觸構件121移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。縱使旋轉構件22停止，接觸構件121可藉由移動單元來移除留存在安裝構件21頂表面處的黏劑材料。

移動單元係利用一液壓缸或氣動缸來移動支撐構件122。移動單元可利用一馬達及一用於將馬達的一旋轉運動轉換成一線性運動之轉換器來移動支撐構件122。轉換器可為一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及一凸輪構件之任一者。轉換器可耦合至馬達及支撐構件122的各者。

雖未圖示，發光二極體晶片選別裝置10可進一步包括一用於上下移動第二移除單元12之揚升單元。

揚升單元可耦合至第二移除單元12並可上下移動第二移除單元12使得接觸構件121可被定位於一第一位置或一第二位置處。若接觸構件121被定位於第一位置處，接觸構件121係接觸於穿過卸載位置ULP之安裝構件21的頂表面。若接觸構件121被定位於第二位置處，接觸構件121係遠離穿過卸載位置ULP之安裝構件21的頂表面。

當旋轉單元23轉動旋轉構件22時，揚升單元可往上移動第二移除單元12使得接觸構件121可被定位於第二位置處。當旋轉單元23停止旋轉構件22時，揚升單元可往下移動第二移除單元12使得接觸構件121可被定位於第一位置處。藉由此組態，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10可降低當旋轉構件22轉動時安裝構件21及接觸構件121之間碰撞的可能性。

揚升單元可利用一液壓缸或氣動缸來上下移動第二移除單元12。揚升單元可利用一馬達及一用於將馬達的一旋轉運動轉換成一線性運動之轉換器來上下移動第二移除單元12。轉換器可為一滑輪及皮帶、一齒條-小齒輪齒輪、一滾珠螺桿、及一凸輪構件之任一者。轉換器可耦合至馬達及第二移除單元12的各者。

<卸載器>

參照第34及46圖，卸載器9係從位於卸載位置ULP的安裝構件21卸載發光二極體晶片。在此例中，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10係包括將於三項實施例中描述之卸載器9。下文將參照附圖依順序說明各別實施例。

<第一實施例>

第68圖係為一卸載器的示意立體圖，第69圖為一第一容納機構及一第一接收單元之示意立體圖，第70圖為一儲存單元的示意立體圖，而第71圖為一第二轉移單元的示意立體圖。

參照第34、46圖及第68至71圖，卸載器9可包括一裝設於測試器3旁邊之緩衝器總成91。

緩衝器總成91可使用一用於支撐複數個經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200。

第一容納機構200可包括一具有一中空部分(未圖示)之第一殼體201，及一耦合至第一殼體之第一接收構件202，其中設有經測試的發光二極體晶片。第一接收構件202可為一黏劑卷帶。經測試的發光二極體晶片可黏著至第一接收構件202的一頂表面。第一接收構件202可為一藍卷帶。

第一殼體201可整體形成為一四角形。第一殼體201可包括整體形成為一四角形之中空體部(未圖示)。雖未圖示，第一殼體201及中空部分(未圖示)可形成為一碟形。第一殼體201及中空部分(未圖示)可形成為諸如橢圓碟形等另一形狀。

雖未圖示，緩衝器總成91可使用具有複數個容納溝槽之第一容納機構200，其中容納有經測試的發光二極體晶片。

參照第34、46圖及第68至71圖，緩衝器總成91可包括一卸載單元911，一第一接收單元912，一第二儲存單元913，及一第二轉移單元914。

卸載單元911藉由從位於卸載位置ULP之安裝構件21揀取經測試的發光二極體晶片並將其轉移至第一容納機構200以進行一卸載製程。

卸載單元911可包括一卸載旋轉臂9111及一卸載驅動單元9112。

一能夠吸附經測試的發光二極體晶片之卸載揀取器9111a係裝設於卸載旋轉臂9111處。卸載旋轉臂9111可藉由一揚升部件(未圖示)被上下移動。

卸載旋轉臂9111可被往復移動，使得卸載揀取器9111a可當受到卸載驅動單元9112轉動之時被定位於卸載位置ULP處及第一容納機構200上。卸載揀取器9111a可被定位於第一接收單元912處的第一容納機構200上。

卸載單元911可包括單一的卸載旋轉臂9111及單一的卸載揀取器9111a。第68圖中，提供三個卸載旋轉臂9111及三個卸載揀取器9111a用以顯示卸載旋轉臂9111之一往復運動的一途程。

卸載驅動單元9112係耦合至卸載旋轉臂9111。卸載驅動單元9112可轉動卸載旋轉臂9111使得卸載揀取器9111a可被定位於卸載位置ULP處或第一容納機構200上。

雖未圖示，卸載單元911可包括複數個卸載旋轉臂9111及複數個各被耦合至各卸載旋轉臂9111之卸載揀取器9111a。卸載驅動單元9112係當沿一旋轉軸線(未圖示)轉動卸載旋轉臂9111之時容許卸載揀取器9111a的任一者被定位於卸載位置ULP處且卸載揀取器9111a的任一者被定位於第一容納機構200上。卸載驅動單元9112可容許卸載揀取器9111a依順序被定位於卸載位置ULP處及第一容納機構200上。

卸載驅動單元9112可包括一馬達，且若馬達被定位於相距卸載旋轉臂9111呈一預定距離處則可進一步包括一滑輪及皮帶或類似物。

卸載單元911可將經測試的發光二極體晶片從安裝構件21轉移至第一容納機構200，使得發光二極體晶片以與由進給器機構100所支撐者相同的圖案被配置於第一容納機構200中。

參照第34、46圖及第68至71圖，第一接收單元912係移動第一容納機構200，使得第一容納機構200可被定位於一其中可使卸載單元911放置經測試的發光二極體晶片之位置處。

第一接收單元912可包括一第一接收體部9121，一第二對準單元9122，及一第二移動單元9123。

第一接收體部9121係支撐第一容納機構200的一底表面。第一接收體部9121可藉由第二移動單元9123在一X軸方向及一Y軸方向被移動。根據第一接收體部9121的運動，第一容納機構200可被移動至一其中可使卸載單元911放置經測試的發光二極體晶片之位置。

第一接收體部9121可藉由第二移動單元9123在X軸方向及Y軸方向被移動。根據第一接收體部9121的移動及轉動，卸載單元911可將經測試的發光二極體晶片放置在第一容納機構200中藉以前往相同方向。

一第二支撐裝置9121a可裝設於第一接收體部9121中。第一接收體部9121可包括一第一接收空間9121b，其中可裝設有第二支撐裝置9121a。第二支撐裝置9121a可支撐由卸載單元911放置在第一容納機構200中之經測試的發光二極體晶片的一底表面。第二支撐裝置9121a可在第一容納機構200底下支撐第一接收構件202的底表面。第二支撐裝置9121a可藉由一揚升部件(未圖示)被上下移動。

第一接收體部9121可包括一第一接收貫穿溝槽9121c。第一接收貫穿溝槽9121c可自第一接收體部9121頂表面以一預定深度形成至一凹陷中。第一接收體部9121可包括複數個第一接收貫穿溝槽9121c。第二轉移單元914係經由第一接收貫穿溝槽9121c將第一容納機構200轉移至第一接收體部9121。

參照第34、46圖及第68至71圖，第二對準單元9122係對準由第一接收體部9121所支撐之第一容納機構200的一位置。第二對準單元9122包括一第二固定構件9122a，一第二運動構件9122b，一第二移動機構9122c，及一第二揚升機構9122d。

第二固定構件9122a係裝設於第一接收體部9121中並決定第一接收體部200的一位置。第二固定構件9122a可耦合至第一接收體部9121藉以自第一接收體部9121頂表面以一預定高度往上突出。第一容納機構200可藉由接觸於第二固定構件9122a而被對準。第二對準單元9122可包括複數個第二固定構件9122a。

第二運動構件9122b可耦合至第二移動機構9122c並可被第二移動機構9122c移動。第二運動構件9122b可耦合至第二移動機構9122c藉以從第一接收體部9121頂表面以一預定高度往上突出。第二運動構件9122b可被定位為與一其中使第二固定構件9122a裝設於接收體部9121中之位置呈現相對。第二對準單元9122可包括複數個第二運動構件9122b。

第二運動構件9122b可被第二移動機構9122c移動藉以趨近或退離第二固定構件9122a。若第二運動構件9122被移動以趨近第二固定構件9122，第一容納機構200係被第二運動構件9122b推押以接觸於第二固定構件9122a。為此，可使第一容納機構200被對準。

第二移動機構9122c可耦合至第一接收體部9121並可移動第二運動構件9122b。第二移動機構9122c可移動第二運動構件9122b直到第一容納機構200接觸於第二固定構件9122a為止。第二移動機構9122c可利用一液壓缸或氣動缸來移動第二運動構件9122b。第二移動機構9122c可利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第二運動構件9122b。

第二揚升機構9122d可耦合至第二移動機構9122c。第二揚升機構9122d可耦合至第二運動構件9122b。藉由此組態，揚升機構9122d可在Y軸方向被第二移動機構9122c所移動且可上下移動第二運動構件9122b。

若第二轉移單元914被移往第一接收體部9121藉以將第一容納機構200放置在第一接收體部9121中，第二揚升機構9122d可往下移動第二運動構件9122d。藉由此組態，可以避免第一容納機構200或第二轉移單元914及第二運動構件9122b之間的碰撞。

若第一容納機構200被放置在第一接收體部9121中，第二揚升機構9122d可往上移動第二運動構件9122b。然後，第二運動構件9122b被第二移動機構9122c移動，因此可使第一容納機構200被對準。

若第二轉移單元914將用於支撐經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200從第一接收體部9121轉移至第二儲存單元913，第二揚升機構9122d可往下移動第二運動構件9122b。為此，可以避免第一容納機構200或第二轉移單元914及第二運動構件9122b之間碰撞的可能性。

參照第34、46圖及第68至71圖，第二移動單元9123可移動第一接收體部9121使得第一容納機構200可被定位於一其中使卸載單元911放置經測試的發光二極體晶片之位置處。第二移動單元9123可在X軸方向及Y軸方向移動第一接收體部9121。

第二移動單元9123係可包括一第二上構件9123a以供與第一接收體部9121合併而可移動，及一第二下構件9123b以供與第二上構件9123a合併而可移動。

第一接收體部9121及第二上構件9123a可在彼此正交的一方向被移動。若第二上構件9123a耦合至第二下構件9123b以可移動於X軸方向，第一接收體部9121可耦合至第二上構件9123a以可移動於Y軸方向。若第二上構件9123a耦合至第二下構件9123b以可移動於Y軸方向，第一接收體部9121可耦合至第二上構件9123a以可移動於X軸方向。

第二移動單元9123可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第一接收體部9121及第二上構件9123a。

第二移動單元9123可轉動第一接收體部9121。第二移動單元9123可轉動第一接收體部9121使得卸載單元911可將經測試的發光二極體晶片放置在第一容納機構200中藉以前往相同方向。

參照第34、46圖及第68至71圖，第二儲存單元913係包括一能夠在其中儲存複數個第一容納機構200之第二儲存機構9131。

第二儲存機構9131可包括能夠支撐第一容納機構200的一底表面兩側之複數個第二儲存構件9131a。複數個第二儲存構件9131a可位居在一垂直方向(Z軸方向)遠離彼此呈一預定距離。第二儲存構件9131a之間的空間係作為一第二儲存溝槽9131b且第一容納機構200各者可被插入其中。

參照第34、46圖及68至71圖，第二轉移單元914可將第一容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第一接收體部9121並可將第一容納機構200從第一接收體部9121轉移至第二儲存機構9131。

第二轉移單元914可將空的第一容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第一接收體部9121。若位於第一接收體部9121中的第一容納機構200被充填有經測試的發光二極體晶片，第二轉移單元914可將第一容納機構200從第一接收體部9121轉移至第二儲存機構9131。

利用此方式，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10係自動地供應第一容納機構200，其中經測試的發光二極體晶片被放置至第一接收體部9121，且因此，卸載製程可連續地進行並可以防止因為人工操作造成的操作時間損失。

第二轉移單元914可將第一容納機構200轉移於第一接收單元912及第二儲存機構9131之間。第二轉移單元914係包括一第一轉移構件9141及一第二轉移機構9142。

第二轉移構件9141可握持第一容納機構200。由於第二轉移構件9141係由分別與第一握持構件4411、第二握持構件4412、第一驅動機構4413及第一連接體部4414呈對應且實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見已經省略這些組件的說明。

第二轉移機構9142係將第二轉移構件9141轉移於第二儲存機構9131及第一接收單元912之間。第二轉移機構9142可移動第二轉移構件9141使得空的第一容納機構200可從第二儲存機構9131被轉移至第一接收體部9121。第二轉移機構9142可移動第二轉移構件9141使得充填有經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200可從第一接收體部9121被轉移至第二儲存機構9131。

第二轉移機構9142可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第二轉移構件9141。

第二轉移機構9142可耦合至一第二構台9143。第二轉移構件9141可沿著第二構台9143被移動於Y軸方向。

在此時，第二儲存機構9131中，第一容納機構200可被堆積於垂直方向(Z軸方向)。在此例中，第二儲存單元913可進一步包括一第二儲存揚升機構9132。

第二儲存揚升機構9132可上下移動第二儲存機構9131。第二儲存揚升機構9132可上下移動第二儲存機構9131使得第一容納機構200可被定位於一其中可使第二轉移構件9141握持第一容納機構200之位置處。第二儲存揚升機構9132可上下移動第二儲存機構9131使得第二轉移機構9141將第一容納機構200放置在儲存機構231中以儲存於其中。

第二儲存揚升機構9132可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下移動第二儲存機構9131。

除了第二儲存機構9131外，第二儲存揚升機構9132可上下移動第二轉移構件9141，或可上下移動第二轉移構件9141及第二儲存機構9131兩者。

第二儲存揚升機構9132可包括一第二垂直體部9132a及一第二揚升體部9132b。第二垂直體部9132a耦合至第二揚升體部9132b藉以可上下移動。

第二儲存機構9131可被可脫離式耦合至第二揚升體部9132b。為此，若第二儲存機構9131在其中只儲存充填有經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200，第二儲存機構9131係可由一其中儲存有空的第一容納機構200之新的第二儲存機構9131予以更換。因此，一更換操作變得容易進行且可縮短更換操作所需的時間，因此可以防止因為更換操作造成的操作時間損失。

若當裝載製程完成，第一儲存機構231只儲存空的進給器機構100，第一儲存機構231可用來作為一第二儲存機構9131。

<第二實施例>

第72圖係為根據本發明的一經修改範例之一包括一卸載器之發光二極體晶片選別裝置的示意立體圖，第73圖為第72圖的平面圖，第74及75圖為根據本發明的一經修改範例之一第二儲存單元的示意立體圖，第76圖為一第二轉移單元及一第三轉移單元之示意立體圖，第77圖為一第一容納機構及一第二進給器的示意立體圖，第78圖為第77圖的側視圖，第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐裝置及一選別總成之示意立體圖，第80圖為第79圖的一部分T之放大示意側視橫剖視圖，第81圖為一第二進給體部、一第二進給支撐裝置、一選別總成及一第二冷卻單元之示意立體圖，第83至85圖為根據本發明的一經修改範例相對於一第一冷卻單元之第82圖的一部分U之放大示意側視圖，第86圖為一第二容納機構及一第二接收單元之示意立體圖，第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖，而第88圖為一第四轉移單元的示意立體圖。

參照第72至88圖，根據本發明的一經修改範例之卸載器9可包括一裝設在緩衝器總成91旁邊之選別總成92。

選別總成92可使用一用於支撐複數個經測試的發光二極體晶片之第二容納機構300。

參照第77及78圖，第二容納機構300可包括一具有一中空部分(未圖示)之第二殼體301，及一耦合至第二殼體301之第二接收構件302，其中設有經測試的發光二極體晶片。第二接收構件302可為一黏劑卷帶。經測試的發光二極體晶片可黏著至第二接收構件302的一頂表面。第二接收構件302可為一藍卷帶。

如第77圖所描繪，第二殼體301可整體形成為一四角形。第二殼體301可包括整體形成為一四角形之中空部分(未圖示)。雖未圖示，第二殼體301及中空部分(未圖示)可形成為諸如碟形及橢圓碟形等另一形狀。

雖未圖示，選別總成92可使用具有複數個容納溝槽之第二容納機構300，其中容納有經測試的發光二極體晶片。

參照第72至88圖，選別總成92係根據一測試結果依照級別來選別穿過緩衝器總成91且由第一容納機構200支撐之經測試的發光二極體晶片並將發光二極體晶片轉移至第二容納機構300。經測試的發光二極體晶片可對應於其級別被轉移至第二容納機構300。

選別總成92可包括一第三轉移單元921，一第二進給器922，一選別總成923，一第二接收單元924，一第三儲存單元925，及一第四轉移單元926。

參照第72至77圖，若根據本發明的卸載器9包括選別總成92，第二儲存單元913可進一步包括一移動裝置9133。

運動裝置9133可使第二儲存機構9131移動於一第一位置R與一第二位置S之間。第二儲存機構9131可被可移式耦合至運動裝置9133。

在第一位置R，第二轉移單元914將第一容納機構200插入第二儲存機構9131內或將第一容納機構200取出第二儲存機構9131外。

在第二位置S，第三轉移單元921將第一容納機構200插入第二儲存機構9131內或將第一容納機構200取出第二儲存機構9131外。

藉由此組態，根據本發明的發光二極體晶片選別裝置10係容許利用第二儲存單元913使得用於支撐穿過緩衝器總成91之經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200被自動地轉移至選別總成91。

雖未圖示，用於支撐穿過緩衝器總成91之經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200可利用一分離的轉移部件被人工式轉移至選別總成91或被自動式轉移至選別總成91。相較於這些方法，上述使用包括運動裝置9133的第二儲存單元913之方法係具有諸如材料成本降低及待命時間縮短等許多優點。

運動機構9133可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第二儲存機構9131。運動裝置9133可耦合至第二儲存揚升機構9132。運動裝置9133可藉由移動第二儲存揚升機構9132來移動第二儲存機構9131。

在此時，以位於第二接收單元924處的第二容納機構300為基礎，選別總成92可先從第一容納機構200將應被轉移至第二容納機構300之一指定級別的發光二極體晶片轉移至第二容納機構300。若指定級別的發光二極體晶片除外之其他發光二極體晶片留存在位於第二進給器922的第一容納機構200處，選別總成92係將第一容納機構200轉移至第二儲存機構9131並將另一第一容納機構200轉移至第二進給器922。然後，選別總成92可繼續將指定級別的發光二極體晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構300。

易言之，選別總成92可將儲存在第二儲存機構9131中的第一容納機構200依順序放置入第二進給器922中直到第二容納機構300充填有一指定級別的發光二極體晶片為止。

以位於第二進給器922處的第一容納機構200為基礎，選別總成92可依順序將儲存於第三儲存單元923中的第二容納機構300放置入第二接收單元924中直到第一容納機構200變空為止。

上述操作中，可藉由第三轉移單元921進行將第一容納機構200轉移於第二儲存機構9131與第二進給器922之間的操作。

第三轉移單元921可將用於支撐經測試的發光二極體晶片之第一容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第二進給器922。若位於第二進給器922處的第一容納機構200之操作完成，第三轉移單元921可將第一容納機構200從第二進給器922轉移至第二儲存機構9131。

如上述，選別機構92係根據一測試結果依照級別來選別穿過緩衝器總成91且由第一容納機構200支撐之經測試的發光二極體晶片並將發光二極體晶片轉移至第二容納機構300。經測試的發光二極體晶片可對應於其級別被轉移至第二容納機構300。

第三轉移單元921可將第一容納機構200轉移於第二儲存機構9131與第二進給器922之間。第三轉移單元921可將第一容納機構200從第二儲存機構9131轉移至第二進給器922並可將第一容納機構200從第二進給器922轉移至第二儲存機構9131。第三轉移單元921包括一第三轉移構件9211及一第三轉移機構9212。

第三轉移構件9211可握持第一容納機構200。由於第三轉移構件9211係由分別與第一握持構件4411、第二握持構件4412、第一驅動機構4413及第一連接體部4414呈對應且實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見已經省略這些組件的說明。

第三轉移機構9212係將第三轉移構件9211轉移於第二儲存機構9131及第二進給器922之間。

第三轉移機構9212可移動第三轉移構件9211使得第一容納機構200可從第二儲存機構9131被轉移至第二進給器922。第三轉移機構9212可移動第三轉移構件9211使得第一容納機構200可從第二進給器922被轉移至第二儲存機構9131。

第三轉移機構9142可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第三轉移構件9211。

第三轉移機構9212可耦合至一第三構台9213。第三轉移構件9211可沿著第三構台9213被移動於Y軸方向。如第76圖所描繪，第三構台9213及第二構台9143可形成為一體部。第三轉移機構9212及第二轉移機構9142可裝設成面對彼此。

參照第72至81圖，第二進給器922係移動第一容納機構使得經測試的發光二極體晶片可被定位於一其中可使選別總成923從第一容納機構200揀取經測試的發光二極體晶片之位置。第77及78圖中，第一容納機構200形成為一碟形，但可以使用被形成為諸如上述四角形等另一形狀之第一容納機構200。

第二進給器922可包括一第二進給體部9221，一第二進給支撐元件9222，一第三對準單元9223，及一第三移動單元9224。

第二進給體部9221係支撐第一容納機構200的一底表面。第二進給體部9221可藉由第三移動單元9224被移動於X軸方向及Y軸方向。根據第二進給體部9221的運動，第一容納機構200可被移動至一其中可使經測試的發光二極體晶片被選別總成923揀取之位置。

第二進給體部9221可藉由第三移動單元9224被移動於X軸方向及Y軸方向或被轉動。根據第二進給體部9221的移動或轉動，當選別總成923揀取經測試的發光二極體晶片時，第一容納機構200可被移動使得經測試的發光二極體晶片可當前往相同方向之時被揀取。為此，選別總成923可將經測試的發光二極體晶片轉移至第二容納機構300而使經測試的發光二極體晶片保持前往相同方向。

第二進給體部9221可包括一第二進給空間9221a，其中可裝設有第二進給支撐元件9222。第二進給體部9221可包括一第二進給貫穿溝槽9221b。第二進給貫穿溝槽9221b可自第二進給體部9221頂表面以一預定深度形成至一凹陷中。第二進給體部9221可包括複數個第二進給貫穿溝槽9221b。第三轉移單元921係經由第二進給貫穿溝槽9221b將第一容納機構200轉移至第二進給體部9221。

第二進給支撐元件9222係支撐由選別總成923所揀取之經測試的發光二極體晶片之一底表面。第一容納機構200中，第一殼體201係由第二進給體部9221支撐且第一接收構件202由第二進給支撐元件9222支撐。第二進給支撐元件9222係在一第二揀取位置PP2底下支撐第一接收構件202的底表面。在第二揀取位置PP2，選別總成923可從第一容納機構200揀取經測試的發光二極體晶片。第二進給支撐元件9222係可裝設成被定位於第二進給空間9221a中。

第二進給支撐元件9222可包括一第二揚升構件9222a，一第二揚升裝置9222b，一第二支撐銷針9222c，及一第二銷針揚升裝置9222d。

第二揚升構件9222a係在第二揀取位置PP2底下支撐第一接收構件202的底表面。第二揚升構件9222a係耦合至第二揚升裝置9222b並可藉由第二揚升裝置9222b被上下移動。第二揚升構件9222a可在垂直方向(Z軸方向)形成長形並可整體形成一圓柱形桿形。

第二揚升構件9222a的內側係耦合至第二支撐銷針9222c藉以可上下移動。第二揚升構件9222a具有一第二通孔9222e可供第二支撐銷針9222c穿過藉以往上突出及移動。

第二揚升裝置9222b係上下移動第二揚升構件9222a。當第一容納機構200被定位於第二進給體部9221處或第一容納機構200從第二進給體部9221被移除時，第二揚升裝置9222b可往下移動第二揚升構件。若第二揚升裝置9222b往下移動第二揚升構件9222a，第二揚升構件9222a可與第一接收構件202分開。若第一容納機構200被定位於第二進給體部9221處，第二揚升裝置9222a可往上移動第二揚升構件9222a。若第二揚升裝置9222a往上移動第二揚升構件9222a，第二揚升構件9222a可支撐第一接收構件202的底表面。

第二揚升裝置9222b可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下移動第二揚升構件9222a。

第二支撐銷針9222c耦合至第二揚升構件9222a內側並可藉由第二銷針揚升裝置9222d被上下移動。第二支撐銷針9222c可耦合至第二銷針揚升裝置9222d。第二支撐銷針9222c可在一垂直方向(Z軸方向)形成為長形且可整體形成為一圓錐形。

第二銷針揚升裝置9222d可上下移動第二支撐銷針9222c。當選別總成923揀取被定位於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片時，第二銷針揚升裝置9222d可往上移動第二支撐銷針9222c。藉由此組態，第二支撐銷針9222c可經由第二通孔9222e從第二揚升構件9222a往上突出並可往上推押由選別總成923揀取之發光二極體晶片。因此，選別總成923變得容易揀取經測試的發光二極體晶片。若選別總成923揀取經測試的發光二極體晶片，第二銷針揚升裝置922d可往下移動第二支撐銷針9222c使得第二支撐銷針9222c可被定位於第二揚升構件9222a內側。

第二銷針揚升裝置9222d可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下移動第二支撐銷針9222c。

在此時，第一接收構件202可包括一諸如藍卷帶等黏劑卷帶。在此例中，第一接收構件202可能因為處於比正常溫度更高溫度的熱膨脹而無法維持其水平狀態，因此經測試的發光二極體晶片之一位置可能根據第一接收構件20的熱膨脹程度而改變。為此，選別總成923可能無法從第一接收構件202精確地揀取經測試的發光二極體晶片。

為了不論第一接收構件202的熱膨脹程度如何皆使選別總成923精確地從第一接收構件202揀取經測試的發光二極體晶片，根據本發明的經修改範例之第二進給支撐元件9222係可包括一支撐機構9222f及一支撐揚升裝置9222g。

支撐機構9222f可耦合至支撐揚升裝置9222g。支撐機構9222f可裝設於第二進給體部9221中藉以被定位於第一容納機構200底下。第二進給支撐元件9222可包括複數個支撐機構9222f並可包括至少兩個支撐機構9222f。

支撐機構9222f可當被支撐揚升裝置9222g上下移動之時往上推押其中放置有經測試的發光二極體晶片之第一接收構件202的外側區域。支撐機構9222f可在垂直方向(Z軸方向)形成為長形並可整體形成為一“L”形。

支撐揚升裝置9222g可上下移動支撐機構9222f。第二進給支撐元件9222可包括複數個支撐揚升裝置9222g並可包括與支撐機構9222f相同數量的支撐揚升裝置9222g。支撐機構9222f各者可耦合至支撐揚升裝置9222g各者。支撐揚升裝置9222g可上下移動支撐機構9222f使得第一接收構件202可從進給體部9221往上突出。

若支撐揚升裝置9222g往上移動支撐機構9222f，支撐機構9222f可往上推押其中放置有經測試的發光二極體晶片之第一接收構件202的外側區域。藉由此組態，第一接收構件202可當從進給體部9221往上突出之時被支撐機構9222f拉取，且由於有一預定拉力施加至第一接收構件202，其中放置有經測試的發光二極體晶片之第一接收構件202的區域係可維持處於一水平狀態。因此，不論第一接收構件202的熱膨脹程度如何，選別揀取器923皆可以從第一容納機構200精確地揀取經測試的發光二極體晶片。

若支撐揚升裝置9222g往下移動支撐機構9222f，支撐機構9222f可與第一接收構件202分開。藉由此組態，支撐機構9222f未有任何中斷，第三轉移單元921係容許第一容納機構200被定位於第二進給體部9221中並從第二進給體部9221移除第一容納機構200。

支撐揚升裝置9222g可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來上下移動支撐機構9222f。

參照第72至81圖，第三對準單元9223係對準由第二進給體部9221支撐的第一容納機構200之位置。由於第三對準單元9223分別係由與第二固定構件9122a、第二運動構件9122b、第二移動機構9122c、及第二揚升機構9122d呈現對應或實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見將省略這些組件的說明。

參照第72至81圖，第三移動單元9224係移動第二進給體部9221使得經測試的發光二極體晶片被定位於一其中可使選別總成923揀取經測試的發光二極體晶片之位置。第三移動單元9224可在X軸方向及Y軸方向移動第二進給體部9221。

第三移動單元9224可包括一被可移式耦合至第二進給體部9221之第三上構件9223a及一被可移式耦合至第三上構件9223a之第三下構件9223b。

第二進給體部9221及第三上構件9223a可在一彼此正交的方向被移動。若第三上構件9223a耦合至第三下構件9223b以可移動於X方向，第二進給體部9221可耦合至第三上構件9223a以可移動於Y方向。若第三上構件9223a耦合至第三下構件9223b以可移動於Y方向，第二進給體部9221可耦合至第三上構件9223a以可移動於X軸。

第三移動單元9224可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第二進給體部9221及第三上構件9223a。

第三移動單元9224可轉動第二進給體部9221。第三移動單元9224可轉動第二進給體部9221使得選別總成923可揀取前往相同方向之經測試的發光二極體晶片。

參照第72至81圖，選別總成923將經測試的發光二極體晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構300。

選別總成923從被定位於第二進給體部9221中的第一容納機構200揀取經測試的發光二極體晶片並將經測試的發光二極體晶片對應於其級別轉移至第二容納機構。

選別總成923可包括一選別旋轉臂9231及一選別驅動單元9232。

選別旋轉臂9231中，裝設有一能夠吸附經測試的發光二極體晶片之選別揀取器9231a。選別旋轉臂9231可藉由一揚升部件(未圖示)被上下移動。選別旋轉臂9231可被往復移動使得選別揀取器9231a可當受到選別驅動單元9232轉動之時被定位於第一容納機構200上及第二容納機構300上。選別揀取器9231a可被定位於位居第二進給體部9221處之第一容納機構200上及位居第二接收單元924處之第二容納機構300上。

選別總成923可包括單一的選別旋轉臂9231及單一的選別揀取器9231a。第31圖中，提供三個選別旋轉臂9231及三個選別揀取器9231a藉以顯示選別旋轉臂9231之一往復運動的一途程。

選別驅動單元9232係耦合至選別旋轉臂9231。選別驅動單元9232可轉動選別旋轉臂9231使得選別揀取器9231a可被定位於第一容納機構200上及第二容納機構300上。

雖未圖示，選別總成923可包括複數個選別旋轉臂9231及複數個各被耦合至各選別旋轉臂9231之選別揀取器9231a。選別驅動單元9232係當沿一旋轉軸線(未圖示)轉動選別旋轉臂9231之時容許選別揀取器9231a的任一者被定位於位居第二進給體部9221處的第一容納機構200上且選別揀取器9231a的任一者被定位於位居第二接收單元924處的第二容納機構300上。選別驅動單元9232可容許選別揀取器9231a依順序被定位於第一容納機構200上及第二容納機構300上。

選別驅動單元9232可包括一馬達，且若馬達被定位於相距選別旋轉臂9231呈一預定距離處則可進一步包括一滑輪及皮帶。

參照第72至81圖，選別總成923可進一步包括一選別視覺單元9233。

選別視覺單元9233係裝設成被定位於第二揀取位置PP2上並檢查位於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片的一狀態。選別視覺單元9233可檢查經測試的發光二極體晶片是否位於第二揀取位置PP2處及位於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片的一旋轉程度。第三移動單元9224可移動第二進給體部9221，使得位於第二揀取位置PP2處的發光二極體晶片可以選別視覺單元9233所獲得之發光二極體晶片的狀態資訊為基礎被選別總成923精確地揀取。可採用一CCD攝影機作為一選別視覺單元9233。

參照第72至81圖，若選別總成923包括選別視覺單元9233，選別旋轉臂9231可進一步包括一第二傳遞構件9231b。

第二傳遞構件9231b係耦合至選別揀取器9231a並可由一高透明度的材料製成。譬如，第二傳遞構件9231a可由玻璃製成。如第80圖所描繪，一第二空氣吸取孔9231c係裝設於選別揀取器9231a中藉以吸附發光二極體晶片。第二空氣吸取孔9231c可形成穿過選別揀取器9231a。第二空氣吸取孔9231c的一側上之第二傳遞構件9231b係可耦合至選別揀取器9231a，因此第二空氣吸取孔9231c的一側可被密封。因此，發光二極體晶片可被吸附至選別揀取器9231a。雖未圖示，第二空氣吸取孔9231c可連接於一吸取裝置。

第二傳遞構件9231b係容許經過第二空氣吸取孔9231c之光穿過。為此，縱使選別揀取器9231a被定位於第二揀取位置PP2處，選別視覺單元9233可檢查位於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片的一狀態。選別視覺單元9233係可經由第二傳遞構件9231b及第二空氣吸取孔9231c來檢查位於第二揀取位置PP2處之發光二極體晶片的狀態。因此，第三移動單元9224可移動第二進給體部9221，使得位於第二揀取位置PP2處的發光二極體晶片可以選別視覺單元9233所獲得之發光二極體晶片的狀態資訊為基礎被選別總成923精確地揀取。

第二傳遞構件9231b可用來對準第二支撐銷針9222c、第二選別揀取器9231a、及選別視覺單元9233之位置。縱使選別揀取器9231a被定位於第二揀取位置PP2處，選別視覺單元9233可經由第二傳遞構件9231b及第二空氣吸取孔9231c來檢查第二支撐銷針9222c的一位置。為此，選別視覺單元9233、第二支撐銷針9222c及選別揀取器9231a之位置可被容易地對準，使得選別揀取器9231a可精確地揀取位於第二揀取位置PP2處的發光二極體晶片。選別視覺單元9233、第二支撐銷針9222c及選別揀取器9231a係可對準藉以位於彼此相同的垂直線中。

參照第72至85圖，根據本發明的經修改範例之選別總成92可進一步包括一第二冷卻單元927。

第二冷卻單元927係冷卻第一容納機構200。第二冷卻單元927係冷卻第一容納機構200藉以等於或低於一正常溫度，並冷卻第一容納機構200藉以約為20℃或更低。

如上述，發光二極體晶片可被提供至第一接收構件202，其包括一諸如藍卷帶等黏劑卷帶同時與其黏著。在此例中，發光二極體晶片可從第一容納機構200被揀取，同時一黏劑材料係在比正常溫度更高的一溫度被黏著至發光二極體晶片。黏劑材料係容許發光二極體晶片以一高黏著強度被黏著至第二容納機構300。第二冷卻單元927可冷卻第一接收構件202，藉以冷卻第一接收構件202處的黏劑材料。因此，第二冷卻單元927可以使發光二極體晶片在第二揀取位置PP2處被揀取而無與其黏著的黏著材料。

第二冷卻單元927可包括一用於噴注一冷卻氣體之第二噴注單元9271。第二噴注單元9271可將冷卻氣體噴注朝向由第二進給器922支撐之第一容納機構200。第二噴注單元9271可被提供來自一冷卻氣體供應系統(未圖示)之冷卻氣體。第二冷卻單元927可包括複數個第二噴注單元9271。

如第83圖所描繪，第二噴注單元9271可裝設在選別總成923中藉以被定位於第一容納機構200上。第二噴注單元9271可裝設在選別視覺單元9233中藉以被定位於第二進給器922上。選別視覺單元9233可包括一選別發光元件9233a，其將一光輻射至第二揀取位置PP2，且第二噴注單元9271可裝設在選別發光元件9233a中。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體從第一容納機構200上方噴注朝向第一容納機構200以冷卻第一容納機構200。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體噴注朝向第二接收構件202以冷卻第二接收構件202。第二噴注單元9271可將冷卻氣體噴注朝向第二揀取位置PP2。

如第84圖所描繪，第二噴注單元9271可裝設在第二進給器922中藉以被定位於第一容納機構200底下。第二噴注單元9271可裝設在第二進給支撐單元9222中藉以被定位於第二進給體部9221底下。第二噴注單元9271可裝設在第二揚升構件9222a中。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體從第一容納機構200下方噴注朝向第一容納機構200以冷卻第一容納機構200。第二噴注單元9271可藉由將冷卻氣體噴注朝向第一接收構件202以冷卻第一接收構件202。第二噴注單元9271將冷卻氣體噴注至其中設有將被選別總成923從第一接收構件202揀取的發光二極體晶片之區域附近，因此其中接下來將被選別總成923從第一接收構件202揀取的發光二極體晶片之區域係可受到冷卻。

如第85圖所描繪，第二冷卻單元927可包括一第二上噴注單元9271a，其裝設在選別視覺單元9233中藉以被定位於第二進給器922上，及一第二下噴注單元9271b，其裝設在第二進給支撐元件9222中藉以被定位於第二進給體部9221底下。

第二上噴注單元9271a可藉由將冷卻氣體從第一容納機構200上方噴注朝向第一容納機構200以冷卻第一容納機構200。第二上噴注單元9271a可藉由將冷卻氣體噴注朝向第一接收構件202以冷卻第一接收構件202。第二上噴注單元9271a可將冷卻氣體注射朝向第二揀取位置PP2。

第二下噴注單元9271b可藉由將冷卻氣體從第一容納機構200下方噴注朝向第一容納機構200以冷卻第一容納機構200。第二下噴注單元9271b可藉由將冷卻氣體噴注朝向第一接收構件202以冷卻第一接收構件202。第二下噴注單元9271b係噴注冷卻氣體至其中設有將被選別總成923從第一接收構件202揀取的發光二極體晶片之區域附近，因此可使其中接下來將被選別總成923從第一接收構件202揀取的發光二極體晶片之區域受到冷卻。

雖未圖示，根據本發明的經修改範例之第二冷卻單元927係可在第二揀取位置PP2處藉由冷卻接觸於第一容納機構200的第二進給支撐元件9222來冷卻接觸於第二進給支撐元件9222之第一容納機構200。

第二冷卻單元927可藉由冷卻第二揚升構件9222a以冷卻接觸於第二揚升構件9222a之第一接收構件202。第二冷卻單元927可藉由使一冷卻流體流通於第二揚升構件9222a內側以冷卻第二揚升構件9222a。在此例中，第二揚升構件9222a中可包括一流徑以供冷卻流體流過。第二冷卻單元927可藉由使用一熱電子器件來冷卻第二揚升構件9222a。

參照第72至86圖，第二接收單元924係支撐第二容納機構300並移動第二容納機構300藉以被定位於一其中使選別總成923放置經測試的發光二極體晶片之位置處。

第二接收單元924係包括一第二接收體部9241，一第四對準單元9242，及一第四移動單元9243。

第二接收體部9241係由與第一接收體部9121呈現對應且實質相同之組件構成。第二接收體部9241可藉由第四移動單元9243被移動於X軸方向及Y軸方向或可被轉動。根據第二接收體部9241的移動及轉動，選別總成923可將經測試的發光二極體晶片放置在第二容納機構300上藉以前往相同方向。第四對準單元9242係分別由與第二固定構件9122a、第二運動構件9122b、第二移動機構9122c及第二揚升機構9122d呈現對應且實質相同之組件構成。第四移動單元9243係由與第二移動單元9123呈現對應且實質相同之組件構成。因此，為了本發明清楚起見將省略這些組件的說明。

參照第72至87圖，第三儲存單元925係包括一第三儲存機構9251，其中能夠儲存複數個第二容納機構300。

第三儲存機構9251可包括複數個第三儲存構件9251a，其能夠支撐第二容納機構300的一底表面兩側。複數個第三儲存構件9151a可在垂直方向(Z軸方向)彼此遠離一預定距離。第三儲存構件9151a之間的空間係作為一第三儲存溝槽9151b且第二容納機構300各者可被插入其中。

在第三儲存機構9251中，第二容納機構300可被堆積於垂直方向(Z軸方向)。在此例中，第三儲存單元925可進一步包括一第三儲存揚升機構9252。

第三儲存揚升機構9252可上下移動第三儲存機構9251。第三儲存揚升機構9252可上下移動第三儲存機構9251，使得第二容納機構300可被定位於一其中可使第四轉移單元926握持第二容納機構300之位置處。第三儲存揚升機構9252可上下移動第三儲存機構9251，使得第四轉移單元926放置第二容納機構300於儲存機構231中以儲存其內。

第三儲存揚升機構9252可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件藉以上下移動第三儲存機構9251。

除了第三儲存機構9251外，第三儲存揚升機構9252可上下移動第四轉移單元926，或可上下移動第四轉移單元926及第三儲存機構9251兩者。

第三儲存揚升機構9252可包括一第三垂直體部9252a及一第三揚升體部9252b。第三垂直體部9252a係耦合至第三揚升體部9252b藉以可上下移動。

第三儲存機構9251可被可脫離式耦合至第三揚升體部9252b。因此，一更換操作變得容易進行且即使當第三儲存機構9251被更換之時其他組件仍可被連續致動，因此可以防止因為更換操作造成的操作時間損失。

參照第72至88圖，第四轉移單元926可將第二容納機構300從第三儲存機構9251轉移至第二接收體部9241並可將第二容納機構300從第二接收體部9241轉移至第三儲存機構9251。

如上述，以被定位於第二接收單元924之第二容納機構300為基礎，選別總成92可先將應被轉移至第二容納機構300之一指定級別的發光二極體晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構300。若有指定級別的發光二極體晶片除外之其他發光二極體晶片留存在位於第二進給器922之第一容納機構200處，選別總成92將第一容納機構200轉移至第二儲存機構9131並將另一第一容納機構200轉移至第二進給器922。然後，選別總成92可繼續將指定級別的發光二極體晶片從第一容納機構200轉移至第二容納機構300。

易言之，選別總成92可將儲存於第二儲存機構9131中的第一容納機構200依順序放置入第二進給器922內，直到第二容納機構300充填有應被轉移至該處之一指定級別的發光二極體晶片為止。

以位於第二進給器922處的第一容納機構200為基礎，選別總成92可將儲存於第三儲存機構9251中的第二容納機構300依順序放置入第二接收單元924內，直到第一容納機構200變空為止。

上述操作中，可藉由第四轉移單元926進行將第二容納機構300轉移於第三儲存機構9151與第二接收單元924之間的操作。

第四轉移單元926可將第二容納機構200轉移於第二接收單元924與第三儲存機構9251之間。第四轉移單元926係包括一第四轉移構件9261及一第四轉移機構9262。

第四轉移構件9261可握持第二容納機構300。由於第四轉移構件9261係分別由與第一握持構件4411、第二握持構件4412、第一驅動機構4413及第一連接體部4414呈現對應且實質相同之組件構成，為了本發明清楚起見將省略這些組件的說明。

第四轉移機構9262將第四轉移構件9261轉移於第三儲存機構9251與第二接收單元924之間。第四轉移機構9262可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動第四轉移單元926。第四轉移機構9262可耦合至一第四構台9263。第四轉移構件9261可沿著第四構台9263被移動於Y軸方向。

<第三實施例>

第89圖為根據本發明的經修改範例之包括一卸載器之一發光二極體晶片選別裝置的一部份組態之示意立體圖，而第90圖為第89圖的平面圖。

參照第72、73、89及90圖，根據本發明的經修改範例之卸載器9係可包括一裝設於測試器3旁邊之分級總成93。第89及90圖中，省略第72及73圖所示的部分組件，但發光二極體晶片選別裝置10可包括緩衝器總成91及選別總成92除外之相同組件。

選別總成93係根據一測試結果依照級別將位於卸載位置ULP之經測試的發光二極體晶片分級。有鑑於此，分級總成93係不同於包括有緩衝器總成91及選別總成92之卸載器9。第三實施例具有優於第一及第二實施例之能夠縮小整體設備的優點。

分級總成93可包括一分級單元931及一分級機構932。

分級單元931將經測試的發光二極體晶片從位於卸載位置ULP之安裝構件21轉移至分級機構932。分級單元931可包括一分級旋轉臂9311及一第一驅動裝置9312。

分級旋轉臂9311中，裝設有一能夠吸附經測試的發光二極體晶片之分級揀取器9311a。分級旋轉臂9311可被往復移動使得分級揀取器9311a可被定位於卸載位置ULP處及分級機構932上同時被驅動裝置9312轉動。分級旋轉臂9311可藉由一揚升部件(未圖示)被上下移動。

分級單元931可包括單一的分級旋轉臂9311及單一的分級揀取器9311a。第89及90圖中，提供四個分級旋轉臂9311及四個分級揀取器9311a用以顯示分級旋轉臂9311之一往復運動的一途程。

驅動裝置9312可耦合至分級旋轉臂9311。驅動裝置9312可轉動分級旋轉臂9311使得分級揀取器9311a可被定位於卸載位置ULP處及分級機構932上。驅動裝置9312可在約180°的一範圍中轉動分級旋轉臂9311並可在順時針或逆時針方向轉動分級旋轉臂9311。

雖未圖示，分級單元931可包括複數個分級旋轉臂9311及複數個各被耦合至各分級旋轉臂9311之分級揀取器9311a。驅動裝置9312係容許分級揀取器9311a的任一者被定位於卸載位置ULP處且分級揀取器9311a的任一者被定位於分級機構932上同時沿一旋轉軸線(未圖示)轉動分級旋轉臂9311。驅動裝置9312係容許分級揀取器9311a依順序被定位於卸載位置ULP處及分級機構932上。

驅動裝置9312可包括一馬達，且若馬達被定位於遠離分級旋轉臂9311一預定距離則可進一步包括一滑輪及皮帶或類似物。

分級機構932係包括一移動板9321，一倉區塊9322，及一致動元件9323。

在移動板9321中，裝設有複數個倉區塊9322。移動板9321可藉由致動元件9323被移動於X軸方向及Y軸方向。

在移動板9321中，分級單元931係依照級別放置經測試的發光二極體晶片。與如同使用者所要求的級別數呈現對應數量之倉區塊9322係可被裝設於移動板9321中。

致動元件9323係移動倉區塊9322，使得倉區塊9322可被定位於一其中可使分級單元931放置經測試的發光二極體晶片之分級位置(未圖示)處。致動元件9323可移動移動板9321，以使與分級單元931所揀取的經測試發光二極體晶片之級別呈現對應的倉區塊9322被定位於分級位置(未圖示)處。分級位置可為藉由第一驅動裝置9312之第一分級揀取器9311a的一旋轉途程底下之一位置。致動元件9323可利用一液壓缸或氣動缸、利用一滑輪及皮帶、利用一滾珠螺桿、或利用一凸輪構件來移動移動板9321。

分級總成93可包括複數個分級單元931及複數個分級機構932。分級單元931及分級機構932可以各不同級別來分級經測試的發光二極體晶片。

為此，可以在設置於分級機構932各者中之移動板9321中以相對較少的數量來裝設倉區塊9322。因此，可以降低移動板9321的一運動距離及移動移動板9321所需的時間，藉以使致動元件9323可與分級單元931在分級位置(未圖示)所揀取的發光二極體晶片級別呈現對應地放置倉區塊9322。

在此例中，旋轉單元33可轉動旋轉構件32使得安裝構件21可依順序被定位於複數個卸載位置ULP處。如第36圖所描繪，旋轉單元33可轉動旋轉構件32使得安裝構件21各者被定位於一第一卸載位置ULP1處及一第二卸載位置ULP2處。

提供本發明的上文描述以供示範用，且熟習該技藝者將瞭解可作出不同變化及修改而不改變本發明的技術概念及重要特徵構造。因此，顯然上述實施例在所有態樣中皆為示範性質而並未限制本發明。

本發明提供一能夠藉由精確測量一發光二極體晶片的效能來分級發光二極體晶片、降低材料成本及處理成本而不對於發光二極體晶片進行不必要的封裝製程及測試製程、且降低製造成本之發光二極體晶片選別裝置。

1．．．發光二極體晶片測試裝置

2．．．進給器

3．．．測試器

4．．．裝載器

5．．．第三補償單元

5A．．．第二補償單元

6．．．第二感測器單元

7．．．第三補償單元

7A．．．第四補償單元

8．．．第二感測器單元

9．．．卸載器

10．．．發光二極體晶片選別裝置

11．．．第一移除單元

12．．．第二移除單元

20．．．第一接收構件

21．．．安裝構件

21a．．．通孔

21b．．．安裝構件21的頂表面

21c．．．接觸溝槽

22．．．旋轉構件

22a．．．旋轉軸線

22b．．．通孔

23．．．旋轉單元

31．．．測量單元

32．．．接觸單元

33．．．第一傳送構件，旋轉單元

33a．．．第一傳送構件33的頂表面

33b．．．第一傳送構件331的底表面

34．．．接觸運動單元

35．．．主體部

36．．．第二傳送構件

36a．．．第二傳送構件36的頂表面

36b．．．第二傳送構件361的底表面

37．．．接觸機構

38．．．測量揚升單元

41．．．第一進給單元

42．．．裝載單元

43．．．第一儲存單元

44．．．第一轉移單元

45．．．第一冷卻單元

51．．．第一補償機構

51a．．．第一補償體部

52．．．第一致動機構

53．．．第二補償機構

54．．．第二致動機構

71．．．第三補償機構

71a．．．第二補償體部

72．．．第三致動機構

73．．．第四補償機構

74．．．第四致動機構

91．．．緩衝器總成

92,923．．．選別總成

93．．．分級總成

100．．．進給機構

101．．．殼體

102．．．進給構件

111．．．體部

111a,111b．．．體部111的側

112．．．儲存構件

113．．．連接構件

121,211．．．接觸構件

121a．．．旋轉軸線

122．．．支撐構件

123．．．驅動單元

200．．．第一容納機構

201．．．第一殼體

202．．．第一接收構件

212．．．第一安裝體部

212a．．．第一安裝體部212的側

213．．．反射構件

214．．．第二安裝體部

215．．．接觸表面

221．．．支撐框架

231,1231,3452a．．．馬達

231．．．第一儲存機構

300．．．第二容納機構

301．．．第二殼體

302．．．第二接收構件

311．．．光接收孔

321．．．接觸銷針

321a．．．接觸銷針321端

322．．．接觸體部

323．．．連接單元

324．．．第一體部

325．．．第二體部

326．．．第三體部

327．．．耦合構件

331．．．第一穿孔

332．．．第一傳送表面

332a．．．第一傳送表面332的下端

333．．．第一突出構件

334．．．溝槽

341．．．接觸支撐機構

342,3453．．．接觸耦合機構

343．．．接觸揚升機構

344．．．接觸運動機構，接觸移動機構

345．．．接觸旋轉構件，接觸旋轉機構

351．．．第一框架

352．．．第二框架

353．．．第三框架

354．．．第一連接框架

355．．．第二連接框架

356．．．第三連接框架

361．．．第二穿孔

362．．．第二傳送表面

363．．．接收溝槽

364．．．第二突出構件

365．．．插入通孔

371．．．接觸部份，接觸運動部件

372．．．接觸運動單元

411．．．第一進給體部

411a．．．第一進給空間

412．．．第一進給支撐元件

413．．．第一對準單元

414．．．第一移動單元

421．．．裝載旋轉臂

422．．．裝載驅動單元

423．．．裝載視覺單元

431．．．第一儲存機構

432．．．第一儲存揚升機構

441．．．第一轉移構件

442．．．第一轉移機構

443．．．第一構台

451．．．第一噴注單元

511．．．第一補償構件

512．．．第二補償構件

521．．．第一馬達

522．．．第一凸輪構件

523．．．第一運動體部

531．．．第一補償構件固持件

532．．．第三補償構件

532a．．．第一發光二極體晶片容納溝槽

541．．．第一致動機構框架

542．．．第一致動機構殼體

711．．．第四補償構件

712．．．第五補償構件

721．．．第二馬達

722．．．第二凸輪構件

723．．．第二運動體部

731．．．第二補償構件固持件

732．．．第六補償構件

732a．．．第二發光二極體晶片容納溝槽

741．．．第二致動機構框架

742．．．第二致動機構殼體

826．．．第四轉移單元

911．．．卸載單元

912．．．第一接收單元

913．．．第二儲存單元

914．．．第二轉移單元

921．．．第三轉移單元

922．．．第二進給器

924．．．第二接收單元

925．．．第三儲存單元

926．．．第四轉移單元

927．．．第二冷卻單元

931．．．分級單元

932．．．分級機構

1111．．．貫穿溝槽

1112．．．第一連接孔

1113．．．第二連接孔

2121．．．突件

2122．．．溝槽

2123．．．耦合溝槽

2141．．．傾斜表面

2142．．．傾斜溝槽

3221．．．終端

3222．．．插入孔

3223．．．連接終端

3231．．．連接溝槽

3241．．．連接構件

3331．．．第一傾斜表面

3441．．．第一接觸運動單元

3442．．．第二接觸運動機構

3451．．．接觸旋轉構件

3451a．．．接觸旋轉軸線

3451b．．．垂直框架

3451c．．．水平框架

3452．．．接觸驅動機構

3641．．．第二傾斜表面

4111．．．第一進給貫穿溝槽

4121．．．第一揚升構件

4121a．．．第一通孔

4122．．．第一揚升元件

4123．．．第一支撐銷針

4124．．．第一銷針揚升元件

4131．．．第一固定構件

4132．．．第一運動構件

4133．．．第一移動機構

4134．．．第一揚升機構

4141．．．第一上構件

4142．．．第一下構件

4211．．．第一裝載揀取器

4211a．．．第一空氣吸取孔

4212．．．第一傳遞構件

4231．．．裝載發光元件

4311．．．第一儲存構件

4312．．．第一儲存溝槽

4321．．．第一垂直體部

4322．．．第一揚升體部

4411．．．第一固持構件，第一握持構件

4411a．．．旋轉軸線

4412．．．第二固持構件，第二握持構件

4413．．．第一驅動機構

4414．．．第一連接體部

4511．．．第一上噴注單元

4512．．．第一下噴注單元

5231．．．第一凸輪表面

5232．．．第二凸輪表面

5311．．．第一平面板

5312．．．第一垂直板

5313．．．第一引導構件

5314,5315,5323,7314,7315,7323．．．螺絲耦合溝槽

5321．．．第一上端構件

5322．．．第一下端構件

5324．．．第一接觸表面

5325．．．第二接觸表面

5326．．．第一補償構件傾斜表面

5327．．．第二補償構件傾斜表面

7231．．．第三凸輪表面

7232．．．第四凸輪表面

7311．．．第二平面板

7312．．．第二垂直板

7313．．．第二引導構件

7321．．．第二上端構件

7322．．．第二下端構件

7324．．．第三接觸表面

7325．．．第四接觸表面

7326．．．第三補償構件傾斜表面

7327．．．第四補償構件傾斜表面

9111．．．卸載旋轉臂

9111a．．．卸載揀取器

9112．．．卸載驅動單元

9121．．．第一接收體部

9121a．．．第二支撐裝置

9121b．．．第一接收空間

9121c．．．第一接收貫穿溝槽

9122．．．第二對準單元

9122a．．．第二固定構件

9122b．．．第二運動構件

9122c．．．第二移動機構

9122d．．．第二揚升機構

9123．．．第二移動單元

9123a．．．第二上構件

9123b．．．第二下構件

9131．．．第二儲存機構

9131a．．．第二儲存構件

9131b．．．第二儲存溝槽

9132．．．第二儲存揚升機構

9132a．．．第二垂直體部

9132b．．．第二揚升體部

9133．．．移動裝置

9141．．．第一轉移構件

9142．．．第二轉移機構

9143．．．第二構台

9151a．．．第三儲存構件

9151b．．．第三儲存溝槽

9213．．．第三構台

9221．．．第二進給體部

9221a．．．第二進給空間

9221b．．．第二進給貫穿溝槽

9222．．．第二進給支撐元件

9222a．．．第二揚升構件

9222b．．．第二揚升裝置

9222c．．．第二支撐銷針

9222d．．．第二銷針揚升裝置

9222e．．．第二通孔

9222f．．．支撐機構

9222g．．．支撐揚升裝置

9223．．．第三對準單元

9223a．．．第三上構件

9223b．．．第三下構件

9224．．．第三移動單元

9231．．．選別旋轉臂

9231a．．．第二選別揀取器

9231b．．．第二傳遞構件

9231c．．．第二空氣吸取孔

9232．．．選別驅動單元

9233．．．選別視覺單元

9233a．．．選別發光元件

9241．．．第二接收體部

9242．．．第四對準單元

9243．．．第四移動單元

9251．．．第三儲存機構

9252．．．第三儲存揚升機構

9252b．．．第三揚升體部

9261．．．第四轉移構件

9262．．．第四轉移機構

9263．．．第四構台

9271．．．第二噴注單元

9271a．．．第二上噴注單元

9271b．．．第二下噴注單元

9311．．．分級旋轉臂

9311a．．．第一分級揀取器

9312．．．第一驅動裝置

9321．．．移動板

9322．．．倉區塊

9323．．．致動元件

BW,FW．．．箭頭

CP1．．．第一補償位置

CP2．．．第二補償位置

E,G,H,N,O,P,Q．．．箭頭

F．．．空氣吸取元件

F．．．第一移除位置

G．．．第二移除位置

I．．．第一穿孔332的中心

K．．．第二穿孔362的中心

LP．．．裝載位置

P1,P2．．．墊

PP1．．．第一揀取位置

PP2．．．第二揀取位置

R．．．第一位置

S．．．第二位置

TP．．．測試位置

ULP．．．卸載位置

第1圖係為根據本發明之一發光二極體晶片測試裝置的示意立體圖；

第2圖為一進給器的示意立體圖；

第3圖為第2圖的A-A橫剖視圖，其顯示一安裝構件；

第4圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一安裝構件的示意立體圖；

第5圖為第4圖的B-B橫剖視圖；

第6圖為根據本發明之實施例的另一修改範例之一安裝構件的示意橫剖視圖；

第7圖為根據本發明之發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第8圖為顯示一接觸單元、一運動單元及一第一傳送構件之示意立體圖；

第9圖為第8圖的分解立體圖；

第10圖為第8圖的D-D橫剖視圖；

第11及12圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示在根據本發明的發光二極體晶片測試裝置中被測試之一發光二極體晶片的一狀態；

第13圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第14至17圖顯示用於描述一測試發光二極體晶片的製程之操作狀態；

第18圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸運動單元的示意立體圖；

第19圖為第18圖的分解立體圖；

第20至22圖顯示用於描述一利用根據本發明之實施例的修改範例之接觸運動單元來測試發光二極體晶片之製程的示意性操作狀態；

第23圖係為顯示接觸單元、運動單元、第一傳送構件及一第二傳送構件之示意分解圖；

第24圖為顯示第23圖的組件之耦合的側橫剖視圖；

第25至27圖提供第7圖的部份C之放大圖，以顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第二傳送構件；

第28圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一測量單元、一接觸單元及一主體部的示意立體圖；

第29至30圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一接觸單元的立體圖；

第31圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一接觸單元的發光二極體晶片測試裝置之示意立體圖；

第32圖係為根據本發明之實施例的一修改範例之一發光二極體晶片測試裝置的示意正視圖；

第33圖為顯示第32圖的一測試位置之示意放大圖；

第34圖為根據本發明之發光二極體晶片選別裝置的示意平面圖；

第35圖為一第一進給機構及一第一進給單元的示意立體圖；

第36圖為第35圖的側視圖；

第37圖為一第一進給體部、一第一進給支撐元件及一裝載單元之示意立體圖；

第38圖係為顯示第37圖的一部份L之示意放大側橫剖視圖；

第39圖為顯示第一進給單元及裝載單元之示意立體圖；

第40圖為顯示一第一儲存單元之示意立體圖；

第41圖描繪一第一轉移單元之示意立體圖；

第42圖為第一進給體部、第一進給支撐元件、裝載單元及一第一冷卻單元之示意立體圖；

第43至45圖為第42圖的一部份M之示意放大側視圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元；

第46圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給器的示意平面圖；

第47及48圖為顯示一第一補償單元的一操作關係之示意立體圖；

第49圖為一第二補償單元之立體圖；

第50圖為第二補償單元的一第二補償機構之分解立體圖；

第51圖為一第三補償構件之放大立體圖；

第52圖為顯示第二補償單元的一操作關係之正視圖；

第53圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一進給器的示意平面圖；

第54及55圖為一第三補償單元的一操作關係之示意立體圖；

第56圖為一第四補償單元之立體圖；

第57圖為第四補償單元的一第四補償構件之分解立體圖；

第58圖提供一第六補償構件之放大立體圖；

第59圖為顯示第四補償單元的一操作關係之正視圖；

第60圖為顯示根據本發明的一安裝構件、一旋轉構件及一第一移除單元之示意平面圖；

第61圖為顯示根據本發明的第一移除單元之示意立體圖；

第62圖為顯示根據本發明的第一移除單元、旋轉構件及安裝構件之示意側視圖；

第63圖為顯示根據本發明的第一移除單元之部份橫剖視圖；

第64圖為顯示根據本發明的安裝構件、旋轉構件、第一移除單元及一第二移除單元之示意平面圖；

第65圖為顯示安裝構件及第二移除單元之示意側視圖；

第66及67圖為根據本發明的第二移除單元之示意圖；

第68圖為一卸載單元之示意立體圖；

第69圖為一第一容納機構及一第一容納單元之示意立體圖；

第70圖為一第二儲存單元的示意立體圖；

第71圖為一第二轉移單元之示意立體圖；

第72圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一卸載單元的發光二極體晶片選別裝置之示意立體圖；

第73圖為第72圖的平面圖；

第74及75圖為根據本發明之實施例的一修改範例之一第二儲存單元的示意立體圖；

第76圖為第二轉移單元及一第三轉移單元之示意立體圖；

第77圖為第一容納機構及一第二進給單元之示意立體圖；

第78圖為第78圖的側視圖；

第79圖為一第二進給體部、一第二進給支撐元件、及一選別單元之示意立體圖；

第80圖為顯示第79圖的一部份T之示意放大側橫剖視圖；

第81圖為選別單元之示意立體圖；

第82圖描繪第二進給體部、第二進給支撐元件、選別單元及一第二冷卻單元之示意立體圖；

第83至85圖為第82圖的一部份U之示意放大側剖視圖，顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一第一冷卻單元；

第86圖為一第二容納機構及一第二容納單元之示意立體圖；

第87圖為一第三儲存單元之示意立體圖；

第88圖為一第四轉移單元之示意立體圖；

第89圖為顯示根據本發明之實施例的一修改範例之一包括一卸載單元之發光二極體晶片選別裝置的一部份性組態之示意立體圖；

第90圖為第89圖的平面圖。