TWI388636B - 導電性高分子溶液、導電性塗膜及輸入裝置 - Google Patents

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Description

導電性高分子溶液、導電性塗膜及輸入裝置
本發明是有關為了形成透明電極用之導電性塗膜之導電性高分子溶液、適合作為輸入裝置之透明電極之導電性塗膜。進一步，有關觸控式面板等之輸入裝置。
本申請案係根據2007年10月5日在日本提出的特願2007-261983號、2007年10月5日提出的日本特願2007-261984號、2007年10月5日提出的日本特願2007-261985號、2007年10月5日提出的日本特願2007-261986號、及2007年12月19日提出的日本特願2007-327624號而主張優先權，在此援用此等之內容。
觸控式面板(Touch panel)係在顯示裝置上設置的輸入裝置，至少在重疊於影像顯示裝置之部分為透明。
作為觸控式面板者，例如，已知有電阻膜式觸控式面板。電阻膜式觸控式面板中，在透明基材之單面上形成有透明電極的固定電極薄片及可動電極薄片係配置成使透明電極互相面對面。作為電極薄片之透明電極，係廣泛使用摻配銦之氧化錫的膜(以下稱為ITO膜。)
在透明基材之單面上形成ITO膜之薄片(以下稱為ITO膜形成薄片。)因柔軟性低而易於固定，故適合作為影像顯示裝置側之固定電極薄片。然而，在使用作為觸控式面板之輸入者側的可動電極薄片時，當反覆彎曲之際會有耐久性低之問題。
在此，作為觸控式面板之輸入者側的可動電極薄片，有使用在透明基板的單面上，形成有含有π共軛系導電性高分子之導電性塗膜的具有柔軟性薄片(以下，稱為導電性高分子膜形成薄片)的情形。
然而，使用ITO膜形成薄片作為影像顯示裝置側之固定電極薄片，使用導電性高分子膜形成薄片作為觸控式面板之輸入者側的可動電極薄片時，亦即，在相異導體相接時，有接觸電阻變大，輸入感度下降或座標輸入時間延遲等問題發生。
為了解決此等問題，在專利文件1中提議在含有π共軛系導電性高分子之導電性塗膜中添加金屬離子。同時在專利文件4中提議在含有π共軛系導電性高分子及聚陰離子之溶液中添加導電性金屬氧化物的氧化銦或氧化錫，將由此所得溶液塗佈到透明基材上而形成透明電極。
此外，認為可在含有π共軛系導電性高分子之導電性塗膜中添加金屬粒子。作為在含有π共軛系導電性高分子之導電性塗膜上添加金屬粒子的電極薄片者，例如揭示在專利文件2，3中。
[專利文件1]日本特開2007-172984號公報
[專利文件2]日本特開2005-327910號公報
[專利文件3]日本特開2007-080541號公報
[專利文件4]日本特開2006-286418號公報
然而，專利文件1與專利文件4所揭示的電極薄片，對於ITO膜之接觸電阻無法變得非常小。
又，專利文件2，3所揭示的電極薄片，透明性會變得很低，再者，接觸電阻之下降因不均勻，故不一定適合作為觸控式面板使用。
因此，使專利文件1至4所揭示的電極薄片應用在電阻膜式觸控式面板時，在影像顯示裝置上設置之際會產生影像顯示裝置之影像的視認性變低，輸入感度下降及座標輸入時間延遲之現象。
同時，作為觸控式面板者，已知有靜電容量型觸控式面板，但在此之透明電極上應用專利文件1至4所揭示的電極薄片時，可能會有影像的視認性變低，亦有可能會引起作動不良現象。進一步，在觸控式面板中，因為影像顯示裝置之影像非有鮮明之視認不可，因此使用此等之電極薄片係要求要有高的透明性。
因此，專利文件1至4所揭示的電極薄片不適合作為觸控式面板使用。
本發明係有鑑於前述情況而實施者，其目的是提供一種導電性高分子溶液，該溶液除了透明性優異之外，還可形成適合作為觸控式面板用電極薄片的透明電極之導電性塗膜。
另一目的係提供一種導電性塗膜，該塗膜除了透明性優異之外，還可以適合作為觸控式面板用電極薄片的透明電極。
另一目的係提供一種輸入裝置，其在影像顯示裝置上設置之際使影像顯示裝置之影像的視認性優異，並可防止運作不良。
本發明人等經過調查之結果，判定即使在導電性塗膜中含有金屬離子，也不會降低對ITO膜之接觸電阻。同時，導電性金屬氧化物粒子因為很容易溶解到酸性水溶液中，故即使在導電性高分子之水溶液中添加導電性金屬氧化物粒子，判定也不會降低對ITO膜之接觸電阻。因此，檢討有關在導電性塗膜上使含有金屬粒子或導電性金屬氧化物粒子以確保透明性之方法的結果，而發明以下之導電性高分子溶液、導電性塗膜及輸入裝置。
[1]一種導電性高分子溶液，其係含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、金屬離子、還原劑、與溶劑，其中，形成金屬離子之金屬為選自由鎳、銅、銀、金、鉑、鈀所成群組中之1種以上之金屬，而將π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和設為100質量%時，金屬離子之含量係0.001至50質量%。
[2]如[1]所述之導電性高分子溶液，其中，復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物中之一者或兩者。
[3]一種導電性塗膜，其係由塗佈[1]或[2]所述之導電性高分子溶液而形成者。
[4]一種輸入裝置，其係具備有由[3]所述之導電性塗膜所形成的透明電極者。
[5]一種導電性高分子溶液，其係含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、鹵化銀、與溶劑者，其中，將π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和設為100質量%時，構成鹵化銀之銀含量係0.001至50質量%。
[6]如[5]所述之導電性高分子溶液，其中，復含有還原劑。
[7]如[5]或[6]所述之導電性高分子溶液，其中，復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物中之一者或兩者。
[8]一種導電性塗膜，其特徵係經由塗佈[5]至[7]中任一項所述之導電性高分子溶液並進行還原處理而形成者。
[9]一種輸入裝置，其係具備有由[8]所述之導電性塗膜所形成的透明電極者。
[10]一種導電性高分子溶液，其係含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性碳黑、與溶劑，其中，將π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和設為100質量%時，導電性碳黑之含量係0.001至10質量%。
[11]如[10]所述之導電性高分子溶液，其中，復含有界面活性劑。
[12]如[10]或[11]所述之導電性高分子溶液，其中，復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物中之一者或兩者。
[13]一種導電性塗膜，其係經由塗佈[10]至[12]中任一項所述之導電性高分子溶液而形成者。
[14]一種輸入裝置，其係具備有由[13]所述之導電性塗膜所形成的透明電極者。
[15]一種導電性高分子溶液，係含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性金屬氧化物粒子、中和劑、與水，其中，將π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和設為100質量%時，導電性金屬氧化物粒子之含量係0.01至50質量%。
[16]如[15]所述之導電性高分子溶液，其中，導電性金屬氧化物粒子係選自由氧化錫、氧化銦、五氧化銻、氧化鋅所成群組中之1種以上的金屬氧化物粒子。
[17]如[15]或[16]所述之導電性高分子溶液，其中，中和劑係選自由脂肪族胺、芳香族胺、4級胺、金屬烷氧化物所成群組中之1種以上的有機鹼。
[18]如[15]至[17]中任一項所述之導電性高分子溶液，其中，復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物中之一者或兩者。
[19]一種導電性塗膜，其係經由塗佈[15]至[18]項中任一項之導電性高分子溶液而形成者。
[20]一種輸入裝置，其係具備有由[19]所述之導電性塗膜所成的透明電極者。
依據本發明之導電性高分子溶液，可形成透明性優異且適合作為觸控式面板用電極薄片之透明電極的導電性塗膜。
本發明之導電性塗膜，除了透明性優異之外，還適合作為觸控式面板用電極薄片之透明電極。
本發明之輸入裝置，係設置於影像顯示裝置上時能使影像顯示裝置之影像的視認性優異，並防止運作不良。
 ＜導電性高分子溶液＞
本發明之導電性高分子溶液，係含有π共軛系導電性高分子；聚陰離子；溶劑；特定之金屬離子、鹵化銀、導電性碳黑、導電性金屬氧化物粒子之至少一種；與因應必要之還原劑及/或中和劑者。
(π共軛系導電性高分子)
作為π共軛系導電性高分子者，只要主鍵是以π共軛系所構成之有機高分子就可以而無特別限制，例如，聚吡咯類、聚噻吩類、聚乙炔類、聚苯撐類、聚苯撐乙烯類(poly phenylene-vinylene)、聚苯胺類、多並苯類(polyacene)、聚噻吩-乙烯類(Polythienylene-vinylene)、及此等之共聚合物等。從空氣中之安定性觀點而言，以聚吡咯類、聚噻吩、聚苯胺類為佳。
π共軛系導電性高分子即使在無取代之狀態下，也可以得到充分之導電性、與黏著劑樹脂的相溶性，但為了更提高導電性及相溶性，以在π共軛系導電性高分子中導入烷基、羧基、磺基、烷氧基、羥基等官能基為佳。
π共軛系導電性高分子之具體例，可列舉如：聚吡咯、聚(N-甲基吡咯)、聚(3-甲基吡咯)、聚(3-乙基吡咯)、聚(3-正丙基吡咯)、聚(3-丁基吡咯)、聚(3-辛基吡咯)、聚(3-癸基吡咯)、聚(3-十二烷基吡咯)、聚(3,4-二甲基吡咯)、聚(3,4-二丁基吡咯)、聚(3-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基乙基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基丁基吡咯)、聚(3-羥基吡咯)、聚(3-甲氧基吡咯)、聚(3-乙氧基吡咯)、聚(3-丁氧基吡咯)、聚(3-甲基-4-己氧基吡咯)、聚(噻吩)、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-乙基噻吩)、聚(3-丙基噻吩)、聚(3-丁基噻吩)、聚(3-己基噻吩)、聚(3-庚基噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(3-癸基噻吩)、聚(3-十二烷基噻吩)、聚(3-十八烷基噻吩)、聚(3-溴噻吩)、聚(3-氯噻吩)、聚(3-碘噻吩)、聚(3-氰基噻吩)、聚(3-苯基噻吩)、聚(3,4-二甲基噻吩)、聚(3,4-二丁基噻吩)、聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3-乙氧基噻吩)、聚(3-丁氧基噻吩)、聚(3-己氧基噻吩)、聚(3-庚氧基噻吩)、聚(3-辛氧基噻吩)、聚(3-癸氧基噻吩)、聚(3-十二烷氧基噻吩)、聚(3-十八烷氧基噻吩)、聚(3-甲基-4-甲氧基噻吩)、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)、聚(3-甲基-4-乙氧基噻吩)、聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基丁基噻吩)、聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)、聚(3-異丁基苯胺)、聚(2-苯胺磺酸)、聚(3-苯胺磺酸)等。其中，從導電性、耐熱性之觀點而言，以聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)為佳。
(聚陰離子類)
作為聚陰離子者例如可列舉：取代或未取代之聚烷撐、取代或未取代之聚烯撐、取代或未取代之聚醯亞胺、取代或未取代之聚醯胺、取代或未取代之聚酯、僅由具有陰離子基之構成單元所成的聚合物、由具有陰離子之基構成單元與不具陰離子之構成單元所成的聚合物。
聚烷撐係指主鍵為亞甲基反覆構成的聚合物。
聚烯撐係由主鍵上含有1個不飽和雙鍵(乙烯基)之構成單元所成的高分子。
聚醯亞胺係可例示：由均苯四甲酸二酐、聯苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’-[4,4-二(二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐等之酸酐，與羥基二胺、對苯二胺、間苯二胺、二苯甲酮二胺等二胺所成的聚醯亞胺。
聚醯胺係可例示如：聚醯胺6、聚醯胺6,6、聚醯胺6、10等。
聚酯係可例示如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等。
上述聚陰離子為有取代基之情形，此取代基可列舉如：烷基、羥基、胺基、羧基、氰基、苯基、酚基、酯基、烷氧基等。當考慮到對有機溶劑之溶解性、耐熱性及與樹脂之相溶性等時，以烷基、羥基、酚基、酯基為佳。
烷基可列舉如：甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二烷基等烷基，與環丙基、環戊基及環己基等環烷基。
羥基可列舉如：在聚陰離子之主鍵中以直接或隔著其他官能基鍵結之羥基，作為其他官能基者可列舉如：碳數1至7的烷基、碳數2至7的烯基、醯胺基、醯亞胺基等。羥基是在此等官能基之末端或是其中被取代。
胺基可列舉如：在聚陰離子之主鍵中以直接或隔著其他官能基鍵結之胺基，作為其他官能基者可列舉如：碳數1至7的烷基、碳數2至7的烯基、醯胺基、醯亞胺基等。胺基是在此等官能基之末端或是其中被取代。
酚基可列舉如：在聚陰離子之主鍵中以直接或隔著其他官能基鍵結之酚基，作為其他官能基者可列舉如：碳數1至7的烷基、碳數2至7的烯基、醯胺基、醯亞胺基等。酚基是在此等官能基之末端或是其中被取代。
具有取代基之聚烷撐之例子。可列示如：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚戊烯、聚己烯、聚乙烯醇、聚乙烯酚、聚(3,3,3-三氟丙烯)、聚丙烯腈、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯等。
聚烯撐之具體例子，可例示如含有選自下述構成單元之聚合物：丙烯撐、1-甲基丙烯撐、1-丁基丙烯撐、1-癸基丙烯撐、1-氰基丙烯撐、1-苯基丙烯撐、1-羥基丙烯撐、1-丁烯撐、1-甲基-1-丁烯撐、1-乙基-1-丁烯撐、1-辛基-1-丁烯撐、1-十五烷基-1-丁烯撐、2-甲基-1-丁烯撐、2-乙基-1-丁烯撐、2-丁基-1-丁烯撐、2-己基-1-丁烯撐、2-辛基-1-丁烯撐、2-癸基-1-丁烯撐、2-十二烷基-1-丁烯撐、2-苯基-1-丁烯撐、2-丁烯撐、1-甲基-2-丁烯撐、1-乙基-2-丁烯撐、1-辛基-2-丁烯撐、1-十五烷基-2-丁烯撐、2-甲基-2-丁烯撐、2-乙基-2-丁烯撐、2-丁基-2-丁烯撐、2-己基-2-丁烯撐、2-辛基-2-丁烯撐、2-癸基-2-丁烯撐、2-十二烷基-2-丁烯撐、2-苯基-2-丁烯撐、2-丙撐苯基-2-丁烯撐、3-甲基-2-丁烯撐、3-乙基-2-丁烯撐、3-丁基-2-丁烯撐、3-己基-2-丁烯撐、3-辛基-2-丁烯撐、3-癸基-2-丁烯撐、3-十二烷基-2-丁烯撐、3-苯基-2-丁烯撐、3-丙撐苯基-2-丁烯撐、2-戊烯撐、4-丙基-2-戊烯撐、4-丁基-2-戊烯撐、4-己基-2-戊烯撐、4-氰基-2-戊烯撐、3-甲基-2-戊烯撐、4-乙基-2-戊烯撐、3-苯基-2-戊烯撐、4-羥基-2-戊烯撐、己烯撐等中之一種以上者。
聚陰離子之陰離子基可列舉如：-O-SO3 - X+ 、-SO3 - X+ 、-COO- X+ (各式中X+ 表示氫離子、鹼金屬離子。)
即，聚陰離子係含有磺基及/或羧基之高分子酸。其中，從對π共軛系導電性高分子之摻配效果之觀點而言，以-SO3 - X+ 、-COO- X+ 為佳。
同時，此陰離子基，以鄰接或隔開一定間隔配置在聚陰離子的主鏈者為佳。
在上述聚陰離子中，從溶劑溶解性及導電性之觀點而言，以聚異戊二烯磺酸、含聚異戊二烯磺酸之共聚合物、聚磺乙基甲基丙烯酸酯、含聚磺乙基甲基丙烯酸酯之共聚合物、聚(4-磺基丁基甲基丙烯酸酯)、含聚(4-磺基丁基甲基丙烯酸酯)之共聚合物、聚甲基烯丙氧基苯磺酸、含聚甲基烯丙氧基苯磺酸之共聚合物、聚苯乙烯磺酸、含聚苯乙烯磺酸之共聚合物等為佳。
聚陰離子之聚合度，以單體單元為10至100,000個之範圍為佳，從溶劑溶解性及導電性之觀點而言，以50至10,000個範圍為佳。
聚陰離子之含有量，係相對於π共軛系導電性高分子1莫耳，以0.1至10莫耳之範圍為佳，以1至7莫耳之範圍更佳。聚陰離子之含有量比0.1莫耳少時，對π共軛系導電性高分子之摻配效果有變弱之傾向，會有導電性不足的情形。此外，對溶劑之分散性及溶解性會變低，很難得到均勻之分散液。同時，聚陰離子之含有量比10莫耳多時，π共軛系導電性高分子之含有量會變少，終究很難得到充分的導電性。
聚陰離子係配位在π共軛系導電性高分子中。因此，π共軛系導電性高分子與聚陰離子形成複合體。
在導電性高分子溶液中，π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和含量為0.05至5.0質量%，而以0.5至4.0質量%為佳。π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和含量不到0.05質量%時，會有得不到充分的導電性之情形，超過5.0質量%時，會有得不到均勻的導電性塗膜之情形。
(金屬離子)
在本發明中形成金屬離子之金屬，係選自由鎳、銅、銀、金、鉑、鈀所組成群組中之1種以上的金屬。
金屬離子，例如是將金屬鹽溶解到水中而形成。在此作為金屬鹽之例子可列舉如：碳酸銀、硝酸銀、硫酸銀、醋酸銀、亞硝酸銀、亞硫酸銀、氯酸銀、過.氯酸銀、對甲苯磺酸銀、2-甲基己酸銀、乳酸銀、甲烷磺酸銀、水楊酸銀、二十二烷酸銀、硬脂酸銀、油酸銀、月桂酸銀、己酸銀、肉豆蔻酸銀、棕櫚酸銀、馬來酸銀、富馬酸銀、酒石酸銀、戊酸銀、呋喃甲酸銀、亞麻酸銀、丁酸銀、樟腦酸銀、安息香酸銀、3,5-二氫安息香酸銀、鄰-甲基安息香酸銀、間-甲基安息香酸銀、對-甲基安息香酸銀、2,4-二氯安息香酸銀、乙醯胺基安息香酸銀、對苯基安息香酸銀、沒食子酸銀、丹寧酸銀、苯二甲酸銀、對苯二甲酸銀、苯基醋酸銀、均苯四甲酸銀、苦味酸銀、3-羧基甲基-4-甲基-4-噻唑啉-2-硫酮之銀鹽等、氯化金酸、氯化金鉀、氯化金鈉等、氯化鉑酸、氯化鉑、氯化鉑酸鉀等、硝酸鈀、醋酸鈀、氯化鈀、硫酸鈀等、氯化銅、醋酸銅、硫酸銅等、氯化鎳、硝酸鎳、過氯酸鎳、硫酸鎳、磷酸鎳、醋酸鎳、乳酸鎳、草酸鎳、酒石酸鎳、檸檬酸鎳等。此等之金屬鹽可以單獨使用，亦可以併用2種類以上。在前述金屬鹽之中，考慮到價格及反應性時，以硝酸銀、硫酸銀、醋酸銀、對-甲苯磺酸銀等為宜。
相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，金屬離子之含有量係0.001至50質量%，而以0.005至40質量%為佳，以0.01至30質量%為特佳。金屬離子之含有量不到0.001質量%時，異導體接觸中接觸電阻不會充分下降而會有引起運作不良的情形，超過50質量%時，由該導電性高分子溶液所形成之導電性塗膜會有透明性變差的情形。
(鹵化銀)
作為鹵化銀者可列舉如：溴化銀、氯化銀、碘化銀、氟化銀等。此等鹵化銀可以單獨使用1種，亦可以併用2種類以上。
鹵化銀之中，慮及到價格、反應性、在還原時所產生的鹵化物的氧化力時，以溴化銀、氯化銀、碘化銀為宜。
相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成鹵化銀之銀含量係0.001至50質量%，而以0.005至40質量%為佳，以0.01至30質量%為特佳。構成鹵化銀之銀含量不到0.001質量%時，異導體接觸中之接觸電阻不會充分下降而會有引起運作不良的情形，超過50質量%時，由該導電性高分子溶液所形成之導電性塗膜會有透明性變差的情形。
(導電性碳黑)
作為導電性碳黑者可列舉如：爐黑(Furnace Black)、乙炔黑(acetylene black)、槽黑(channel black)等，但從導電性之觀點而言，以爐黑為宜。
此外，因要提高導電性碳黑在水中之分散性，以表面存有羧基的親水化者為佳。
碳黑因有碳骨幹，所以在濕熱環境下之安定性優異。又，為了使紫外線吸收能優良，藉由使塗膜含有碳黑而可以防止紫外線劣化。
導電性碳黑之平均粒子徑是以0.01至0.5μm為佳。
導電性碳黑之平均粒子徑在0.01μm以上時，處理性優異，在0.5μm以下時，可容易提高導電性碳黑之分散性。
相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，導電性碳黑之含有量係0.01至10質量%，而以0.01至8.0質量%為佳，以0.01至5.0質量%為特佳。導電性碳黑之含量不到0.01質量%時，異導體接觸中之接觸電阻不會過於降低而會有引起運作不良的情形，超過10質量%時，由該導電性高分子溶液所形成之導電性塗膜會有透明性變差的情形。
為了提高導電性碳黑的分散性，導電性高分子溶液以含有界面活性劑者為佳。
作為界面活性劑者，例如，可以使用非離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑等。
作為非離子系界面活性劑者，例如可列舉如：高級醇環氧乙烷附加物、烷基酚環氧乙烷附加物、脂肪醯環氧乙烷附加物、高級醇脂肪酸酯環氧乙烷附加物、脂肪醯胺環氧乙烷附加物、油脂之環氧乙烷附加物、聚丙二醇環氧乙烷附加物等聚乙二醇型的非離子系界面活性劑、甘油之脂肪酸酯、季戊四醇之脂肪酸酯、山梨糖醇及山梨糖醇酐之脂肪酸酯、蔗糖之脂肪酸酯、多元醇之烷基醚、烷醇胺類之脂肪醯胺等多元醇型之非離子系界面活性劑等。
作為陰離子系界面活性劑者，例如可列舉如：硫酸酯鹽系、磺酸鹽系、磷酸酯系、皂系等。具體上可列舉如：十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉、烷基萘磺酸鈉、二烷基磺基琥珀酸鈉等。
作為陽離子系界面活性劑者，例如可列舉如：胺鹽型、4級銨鹽型等。具體上可列舉如：烷基苯二甲基氯化銨、烷基三甲基氯化銨、二硬脂基氯化銨等。
(導電性金屬氧化物)
作為導電性金屬氧化物粒子之成分，例如可列舉如：氧化錫；或在氧化錫中摻配選自由銻、鋅、氟所成群組中之1種以上的元素者；氧化銦；或在氧化銦中摻配選自由錫、鋅、碲、銀、鎵、鋯、鉿、鎂所成群組中之1種以上的元素者；五氧化銻；氧化鋅；或在氧化鋅中摻配選自由鋁、鎵、銦、硼、氟、錳所成群組中之1種以上的元素者。
此等導電性金屬氧化物粒子之中，為了可以容易提高導電性，以選自由氧化錫、氧化銦、五氧化銻、氧化鋅所成群組中之1種以上的金屬氧化物為佳。
導電性金屬氧化物粒子之平均粒子徑以在0.01至20μm為佳。金屬氧化物粒子之平均粒子徑只要在0.01μm以上，則處理性優異，在20μm以下時，可易於提高導電性金屬氧化物粒子之分散性。
相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，導電性金屬氧化物粒子之含量係0.01至50質量%，而以0.02至40質量%為佳，以0.05至30質量%為特佳。導電性金屬氧化物粒子之含有量未滿0.01質量%時，異導體接觸中之接觸電阻不會充分下降而引起運作不良的情形，超過50質量%時，則由該導電性高分子溶液所形成之導電性塗膜會有透明性變差的情形。
導電性高分子溶液含有界面活性劑時，為了提高界面活性劑之安定性，以含有中和聚陰離子之酸性的中和劑者為佳。
作為中和劑者，可列舉如：無機鹼或有機鹼。
作為無機鹼者，可列舉如：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氨等。
作為有機鹼者，可列舉如：脂肪族胺、芳香族胺、4級胺、金屬烷醇鹽等。
作為脂肪族胺者，可列舉如：乙胺、丙胺、丁胺、己胺、辛胺、硬脂胺、二乙胺、二丙胺、二丁胺、二辛胺、甲基乙基胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺等。
作為芳香族胺者，可列舉如：苯胺、苄胺、吡咯、吡啶及此之衍生物、咪唑及此之衍生物、嘧啶及此之衍生物、吡及此之衍生物、三及此之衍生物等。此等之中，吡啶及此之衍生物、咪唑及此之衍生物、嘧啶及此之衍生物、吡及此之衍生物、三及此之衍生物等也有作為導電性提高劑之機能。
作為4級胺者，可列舉如：氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四己基銨、氫氧化四辛基銨等。
作為胺以外之含氮化合物者，可列舉如：N-甲基-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、六亞甲基膦酸三胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲醯胺、N-乙烯基乙醯胺等。
作為金屬烷醇鹽者，可列舉如：甲醇鈉、乙醇鈉等烷醇鈉、烷醇鉀、烷醇鈣等。
中和劑中為了可以容易中和，以選自由脂肪族胺、芳香族胺、4級胺、金屬烷醇鹽所成組群中之1種以上之成分所成的有機鹼為佳。
藉由含有中和劑，以中和導電性高分子溶液。具體上，導電性高分子溶液之pH(在25℃測定)以在4至10為佳，以在5至9更佳。PH未滿4時酸性度過強，在導電性碳黑中，由於界面活性劑不安定化而會有無法提高導電性碳黑之分散性的情形，在導電性金屬氧化物粒子中，會有不能防止導電性金屬氧化物粒子溶解的情形。各個之pH超過10時，會有塗膜難以形成，或即使形成塗膜也可能會降低導電性的情形。
(還原劑)
還原劑係將前述金屬離子還原成金屬之藥劑，在以易於由鹵化銀形成銀粒子之目的下，宜在導電性高分子溶液中含有還原劑。
作為還原劑者並無特別限制，例如可使用：胺化合物(例如：二甲基胺乙醇、甲基二乙醇胺、三乙醇胺、1-苯基-3-吡唑烷酮(Phenidone)、肼等)、氫化物(例如，硼氫化鈉、硼氫化鋰、碘化氫、氫氣等)、氧化物(例如，一氧化碳、亞硫酸等)、低原子價金屬鹽(例如，硫酸亞鐵、氧化鐵、富馬酸鐵、乳酸鐵、草酸鐵、硫化鐵、醋酸鐵、氯化錫、二磷酸錫、草酸錫、氧化錫、硫酸錫等)、酚系化合物(例如，氫醌、焦棓酚(pyrogallol)、丹寧、丹寧酸等)、糖類(例如，D-葡萄糖等)、維他命類(例如，抗壞血酸等)、羥系化合物(例如，乙二醇等)、苯并三唑系化合物(例如，2-(2’-二羥基-4’-間-辛氧基苯基苯并三唑等)、二苯甲酮系化合物(例如，2,2’-二羥基二苯甲酮、2,4-二羥基二苯甲酮、2,4’-二羥基二苯甲酮、4,4’-二羥基二苯甲酮、2,4,4-三羥基二苯甲酮、3,4,5-三羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,3’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2-二羥基-4-甲氧基-二苯甲酮、2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮、2-羥基二苯甲酮、4-羥基二苯甲酮、2-羥基苯乙酮、4-羥基苯乙酮、3,4,5-三羥基苯乙酮、2-羥基苯甲醛、4-羥基苯甲醛、3,4,5-三羥基苯甲醛、2-羥基安息香酸、4-羥基安息香酸、3,4,5-三羥基安息香酸、2-羥基安息香酸甲酯、4-羥基安息香酸甲酯、3,4,5-羥基安息香酸甲酯、4-羥基安息香酸苯酯、2-羥基苯甲醯胺、3-乙醯胺酚、4-乙醯胺酚、N-苯基苯甲醯胺、羥基苯基甲基丙烯醯胺、羥基苯基二乙基醯胺、4-羥基苯甲醯胺、3,4,5-三羥基苯甲醯胺等)、水楊酸酯系化合物等(例如，對-第三-丁基苯基水楊酸酯、水楊酸等)、醯胺化合物(例如，甲醯胺(formamide)等)。此等還原劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。前述還原劑之中，為了提高在導電性高分子塗料中之溶解性、溶液安定性、還原性、進一步之π共軛系導電性高分子與聚陰離子之耐光性，以酚系化合物、糖類、維生素類、二苯甲酮系化合物、羥基系化合物、水楊酸酯系化合物為佳，以二苯甲酮系化合物更佳。
還原金屬離子之必要還原劑的含量，係以比還原金屬離子之必要量的0.1質量%以上者為佳。不足此量時，恐怕會有還原不足之慮。同時，還原劑的含有量，係以還原金屬離子之必要量的1000質量%以下者為佳。即使含有超過1000質量%，金屬離子之還原性並沒有變化，而無益處。
另一方面，還原鹵化銀之必要還原劑的含量，是以將構成鹵化銀之銀設為100質量%時的0.1質量%以上者為佳。還原劑的含量，在將構成鹵化銀之銀設為100質量%時未滿0.1質量%時，恐怕有還原不足之慮。同時，還原劑的含有量，在將構成鹵化銀之銀設為100質量%時，以10000質量%以下者為佳。即使含有超過1000質量%，鹵化銀之還原性亦沒有變化，而無益處。
(溶劑)
作為金屬離子、鹵化銀或導電性金屬氧化物粒子之溶劑者並無特別限制，例如可列舉如：水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯等碳酸酯化合物、甲酚、酚、二甲酚等酚類、丙酮、甲乙酮等酮類、己烷、苯、甲苯等烴類、二烷、2-甲基四氫呋喃、二乙醚等醚化合物、乙腈、戊二腈、甲氧基乙腈、丙腈、苯甲腈等腈化合物、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、六亞甲基膦酸三胺、1,3-二甲基-2-咪唑烷、二甲基咪唑啉、醋酸乙酯、二甲基亞碸、環丁碸、二苯基磺酸等。此等溶劑可以單獨使用，亦可使用2種以上之混合物，亦可以使用與其他之有機溶劑之混合物。
前述溶劑中，從處理性的觀點而言，以水、醇類為佳。
另一方面，作為導電性碳黑的溶劑者並無特別限制，但含有界面活性劑時，以水系溶劑為佳。
作為水系溶劑者，可列舉如水、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、甘油、丙二醇、聚甘油、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇等醇類等,此等溶劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
(丙烯酸化合物)
導電性高分子溶液為了提高成膜性，以含有丙烯酸化合物者為佳。在此，丙烯酸化合物係有下述(a)之化合物、(b)之化合物、以及多官能丙烯酸化合物。
(a)具有縮水甘油基之丙烯酸化合物(以下，稱為化合物(a))。
(b)選自烯丙基、乙烯醚基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯胺基、丙烯醯胺基中之1種，與具有羥基之丙烯酸化合物(以下，稱為化物(b))。
進一步，作為化合物(a)者，可列舉如下述(a-1)至(a-3)的丙烯酸化合物。
(a-1)：具有縮水甘油基，與選自烯丙基、乙烯醚基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯胺基、丙烯醯胺基中之1種之丙烯酸化合物(以下，稱為化合物(a-1))。
(a-2)：具有2個以上之縮水甘油基之丙烯酸化合物(以下，稱為化合物(a-2))。
(a-3)：具有1個縮水甘油基之丙烯酸化合物，係化合物(a-1)以外之化合物(以下，稱為化合物(a-3))。
在化合物(a-1)之中，具有縮水甘油基與丙烯醯(甲基丙烯醯)基之化合物可列舉如：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等。
具有縮水甘油基與烯丙基之化合物可列舉如：烯丙基縮水甘油醚、2-甲基烯丙基縮水甘油醚、烯丙基酚縮水甘油醚等。
具有縮水甘油基與羥基之化合物可列舉如：1,4-二羥基甲基苯二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚等。
具有縮水甘油基與羥基與烯丙基之化合物可列舉如：3-烯丙基-1,4-二羥基甲基苯二縮水甘油醚等。
同時，化合物(b)中亦包含：具有縮水甘油基與羥基之化合物、具有縮水甘油基與羥基與烯丙基之化合物。
化合物(a-2)可列舉如：乙二醇二縮水甘油醚、二乙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、雙酚A二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、二聚酸二縮水甘油酯、苯二甲酸二縮水甘油醚、三縮水甘油基異氰酸酯、四縮水甘油二胺基二苯基甲烷、二縮水甘油基對苯二甲酸酯等，其中可使用1種類或2種類以上之混合物。
化合物(a-3)之例可列舉如：烷基縮水甘油醚、乙二醇縮水甘油醚、甲基縮水甘油醚、苯基縮水甘油醚、丁苯基縮水甘油醚、甲苯基縮水甘油醚等。
化合物(b)中，例如，具有羥基與乙烯醚基之化合物可列舉如：2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等。
具有羥基與丙烯醯(甲基丙烯醯)基之化合物可列舉如：2-羥基乙基丙烯酸酯(甲基丙烯酸酯)、2-羥基丙基丙烯酸酯(甲基丙烯酸酯)、4-羥基丁基丙烯酸酯(甲基丙烯酸酯)、乙基-α-羥基甲基丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯等。
具有羥基與丙烯醯胺(甲基丙烯醯胺)基之化合物可列舉如：2-羥基乙基丙烯醯胺、2-羥基乙基甲基丙烯醯胺。
上述化合物(a)中，此之縮水甘油基與聚陰離子之殘存陰離子基(例如，磺基、羧基等)反應，而形成酯(例如，磺酸酯、羧酸酯等)。在此反應之際，可藉由鹼性觸媒、加壓、加熱來促進反應。形成酯之際，縮水甘油基開環後形成羥基。此羥基與不和導電性高分子形成鹽或酯之殘存陰離子基發生脫水反應，形成新的酯(例如，磺酸酯、羧酸酯等)。藉由如此之酯形成，聚陰離子摻和物與導電性高分子之複合體相互交聯。
進一步，在化合物(a-1)中，聚陰離子之殘存陰離子基、與化合物(a-1)之縮水甘油基結合後，化合物(a-1)之烯丙基、乙烯醚基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯胺基、丙烯醯胺基相互間聚合後，複合體相互間進一步進行交聯。
同時，在化合物(b)中，此之羥基與聚陰離子之殘存陰離子基進行脫水反應後，形成酯。在此之脫水反應之際，可藉由酸性觸媒來促進反應。此後，化合物(b)之烯丙基、乙烯醚基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯胺基、丙烯醯胺基相互間聚合。藉由此之聚合，聚陰離子與導電性高分子之複合體相互間進行交聯。
作為(甲基)丙烯醯胺化合物者可列舉如：2-羥基乙基丙烯醯胺、2-羥基乙基甲基丙烯醯胺等。(甲基)丙烯醯胺化合物之聚合體，除了π共軛系導電性高分子與聚陰離子之複合體的相溶性良好之外，亦可以更提高導電性。
多官能丙烯酸化合物，係具有2個以上不飽和雙鍵之丙烯酸化合物。只要含有多官能丙烯酸化合物，在形成塗膜時，π共軛系導電性高分子與聚陰離子之複合體容易進行交聯，而提高導電性與塗膜強度。
多官能丙烯酸化合物之具體例可列舉如：二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、改質雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(以下，以PEG表示)400二(甲基)丙烯酸酯、PEG300二(甲基)丙烯酸酯、PEG600二(甲基)丙烯酸酯、N,N’-亞甲基雙丙烯醯胺等之2官能丙烯酸單體、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、甘油丙氧基三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧化甘油三丙烯酸酯等3官能丙烯酸單體、季戊四醇乙氧基四(甲基)丙烯酸酯、雙(三羥甲基丙烷)四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(五)(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯等四官能以上之丙烯酸單體、山梨糖醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯等五官能以上之丙烯酸單體、二季戊四醇六丙烯酸酯、山梨糖醇六丙烯酸酯、環氧烷基改質六丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六丙烯酸酯等6官能以上之丙烯酸酯單體、2官能以上之丙烯酸胺基甲酸酯。
多官能丙烯酸化合物之中，多官能丙烯酸單體是以分子量在3000以下者為佳。分子量超過3000之多官能丙烯酸單體中之溶劑溶解性變低。同時，因為不飽和雙鍵結合當量變少，故複合體不易起交聯，導電性塗膜形成之後會有得不到充分強度的傾向。
同時，多官能丙烯酸化合物之中，多官能丙烯酸胺基甲酸酯，從溶劑溶解性、耐摩損性、低收縮之觀點而言，以分子量在1000以.下者為佳。分子量超過1000之多官能丙烯酸胺基甲酸酯中，藉由異氰酸酯基與多元醇(羥基)而形成之胺基甲酸酯基之導入率會減少，對於溶劑會有溶解性減少之傾向。
在更提高成膜性之觀點而言，以復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物之一方或兩方者為佳。(甲基)丙烯醯胺化合物之聚合體，除了π共軛系導電性高分子與聚陰離子之複合體的相溶性良好之外，亦可以更提高導電性。
丙烯酸化合物之含有量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，以0.05至50質量%為佳，以0.3至30質量%更佳。丙烯酸化合物之含有量不足0.05質量%時，導電性高分子溶液之成膜性會不足，比50質量%多時，導電性塗膜中之π共軛系導電性高分子的含有量會變少，而得不到充分之導電性。
丙烯酸化合物之聚合，可以應用自由基聚合法、熱聚合法、光自由基聚合法、電漿聚合法。
自由基聚合法中，作為聚合起始劑者，可使用如：偶氮二異丁腈等偶氮化合物、過氧化苯醯、二醯基過氧化物類、過氧化物酯類、氫過氧化物類等之過氧化物等進行聚合。
在光自由基聚合法中，作為聚合起始劑者可使用如：羰基化合物、硫化合物、有機過氧化物、偶氮化合物等進行聚合。具體上可列舉如：二苯甲酮、米蚩酮、呫噸酮、噻噸酮、2-乙基蒽醌、乙醯苯、三氯乙醯苯、2-羥基-2-甲基苯丙酮、1-羥基-環己基苯酮、苯偶因醚、2,2-二乙氧基乙醯苯、2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯苯、聯苯醯、甲基苯甲醯基甲酸酯、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(鄰-苯甲醯基)肟、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物、四甲基秋蘭姆、二硫胺基甲酸酯、過氧化苯甲醯、N-十二烷基吡啶鎓疊氮化物、聚甲基苯基矽烷等。
在電漿聚合中，是照射短時間之電漿，而接受藉由電漿之電子衝擊所造成之能量、經碎裂與重組後，藉由自由基之再結合而生成聚合體。
同時，化合物(a-1)及化合物(b)中乙烯醚基之聚合係採用陽離子聚合法。陽離子聚合法中，為了促進反應，亦可以使用鹵化金屬、有機金屬化合物等之路易斯酸、其他以鹵素、強酸鹽、碳鎓離子鹽等之光或熱生成陽離子的求電子試藥等。
(聚合起始劑)
在含有丙烯酸化合物時，因為可以促進該聚合反應，在導電性高分子溶液中，以含有光聚合起始劑或陽離子聚合起始劑等之聚合起始劑為佳。
光聚合起始劑可列舉如：乙醯苯類、二苯甲酮類、米蚩-苯甲醯苯甲酸酯、四甲基秋蘭姆單硫化物、噻噸酮類等。再者，光敏劑(photosensitizer)可以混合正-丁胺、三乙胺、三-正-丁基膦等。
同時，陽離子聚合起始劑可列舉如：芳基重氮鹽類、二芳基鹵鎓鹽類、三苯基鎏鹽類、矽烷醇/鋁螯合物、α-磺醯氧酮類等。
(具有2種以上之羥基的芳香族化合物)
同時，導電性高分子溶液因所得之導電性塗膜之導電性會變高，故以含有2個以上之羥基之芳香族化合物為佳。
具有2個以上之羥基之芳香族化合物可列舉如：1,4-二羥基苯、1,3-二羥基苯、2,3-二羥基-1-十五烷基苯、2,4-二羥基乙醯苯、2,5-二羥基乙醯苯、2,4-二羥基二苯甲酮、2,6-二羥基二苯甲酮、3,4-二羥基二苯甲酮、3,5-二羥基二苯甲酮、2,4’-二羥基二苯基碸、2,2’,5,5’-四羥基二苯基碸、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二羥基二苯基碸、羥基醌羧酸及其鹽類、2,3-二羥基安息香酸、2,4-二羥基安息香酸、2,5-二羥基安息香酸、2,6-二羥基安息香酸、3,5-二羥基安息香酸、1,4-羥基醌磺酸及其鹽類、4,5-羥基苯-1,3-二磺酸及其鹽類、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,5-二羥基萘-2,6二羧酸、1,6-二羥基萘-2,5二羧酸、1,5-二羥基萘甲酸、1,4-二羥基-2-萘甲酸苯酯、4,5-二羥基萘-2,7-二磺酸及其鹽類、1,8-二羥基-3,6-萘二磺酸及其鹽類、6,7-二羥基-2-萘磺酸及其鹽類、1,2,3-三羥基苯(焦棓酚)、1,2,4-三羥基苯、5-甲基-1,2,3-三羥基苯、5-乙基-1,2,3-三羥基苯、5-丙基-1,2,3-三羥基苯、三羥基安息香酸、三羥基乙醯苯、三羥基二苯甲酮、三羥基苯甲醛、三羥基蒽醌、2,4,6-三羥基苯、四羥基-對-苯醌、四羥基蒽醌、沒食子酸甲酯(methyl gallate)、沒食子酸乙酯等。
同時，此等芳香族化合物之一部分亦作為還原劑而發揮功能。因此，將金屬離子、鹵化銀中具有2個以上羥基的芳香族化合物兼作還原劑使用，可以更提高導電性。
具有2個以上羥基的芳香族化合物之含量，相對於聚陰離子的陰離子基單元1莫耳，以有0.05至50莫耳之範圍為佳，以有0.3至10莫耳之範圍更佳。具有2個以上羥基的芳香族化合物之含量，相對於聚陰離子的陰離子基單元1莫耳，不足0.05莫耳時，會有導電性無法提高之情形。同時，具有2個以上羥基的化合物含量，相對於聚陰離子的陰離子基單元1莫耳，超過50莫耳時，導電性塗膜中之π共軛系導電性高分子的含量會變少，終究得不到充分之導電性。
(添加劑)
導電性高分子溶液可因應需要而含有添加劑。
只要為可與π共軛系導電性高分子及聚陰離子混合之物就可以而無特別之限制，作為金屬離子、鹵化銀之添加劑者，例如可以使用：鹼性化合物、界面活性劑、消泡劑、偶合劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等。作為導電性碳黑之添加劑者，例如可以使用：消泡劑、偶合劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等。作為導電性金屬氧化物粒子之添加劑者，例如可以使用：界面活性劑、消泡劑、偶合劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑等。
作為鹼性化合物者，可以使用習知的無機鹼化合物或有機鹼化合物。作為無機鹼化合物者，例如可列舉如：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氨等。
作為有機鹼化合物者，例如可以列舉如：脂肪族胺、芳香族胺、4級胺、胺以外之含氮化合物、金屬烷醇鹽、二甲基亞碸等。其中，從使導電性更為提高之觀點來看，以選自由脂肪族胺、芳香族胺、4級胺所成群組中之1種或2種以上者為佳。
作為界面活性劑者，可以列舉如：羧酸鹽、磺酸鹽、硫酸酯鹽、磷酸酯鹽等陰離子界面活性劑；胺鹽、4級銨鹽等陽離子界面活性劑；羧基甜菜鹼、胺基羧酸鹽、咪唑鎓甜菜鹼等兩性界面活性劑；聚環氧乙烷烷基醚、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、乙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪醯胺等非離子界面活性劑等。
作為消泡劑者，可以列舉如：矽氧樹脂、聚二甲基矽氧烷、聚矽氧烷樹脂等。
作為偶合劑者，可以列舉如：具有乙烯基、胺基、環氧基等之矽烷偶合劑等。
作為抗氧化劑者，可以列舉如：酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫黃系抗氧化劑、糖類、維生素類等。
作為紫外線吸收劑者，可以列舉如：苯并三唑系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、水楊酸酯系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑、草醯二苯胺(oxanilide)系紫外線吸收劑、受阻胺系紫外線吸收劑、苯甲酸酯系紫外線吸收劑等。
以併用抗氧化劑與紫外線吸收劑為佳。
(導電性高分子溶液之製造方法)
作為導電性高分子溶液之製造方法，例如可列舉如：在聚陰離子之水溶液中將π共軛系導電性高分子之前驅體單體經化學氧化聚合而調製成導電性高分子水溶液，在此水溶液中，在金屬離子可以任意添加還原劑、在鹵化銀中可因應需要而任意添加還原劑等，在導電性碳黑中可因應需要而任意添加界面活性劑或中和劑等，在導電性金屬氧化物粒子中可因應需要而任意添加中和劑來調製。
在此，導電性碳黑為了提高分散性，界面活性劑以乳化狀態添加為宜。同時，中和劑之添加，就可在高精度下中和之觀點而言，以在構成導電性高分子溶液之中和劑以外之其他成分添加後進行者為佳。即，中和劑以在最後添加為宜。然而，在期望簡化添加作業之情形下，以同時添加中和劑與其他成分者為佳。
如依含有特定之金屬離子與還原劑的本發明導電性高分子溶液，係在導電性塗膜形成時，藉由還原劑還原金屬離子，而形成金屬粒子。為此，如依本發明導電性高分子溶液，可以形成導電性優異，且對ITO膜之接觸電阻小的導電性塗膜。
同時，導電性高分子溶液中之金屬離子含量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，因為少至50質量%以下，故不會因由金屬離子所形成之金屬粒子而損及透明性。於是，如依本發明之導電性高分子溶液，可以形成透明性優異之導電性塗膜。
又，將導電性高分子溶液作成水溶液時，可使金屬離子易於溶解，而可以提高溶液中之分散性，此之結果，導電性塗膜中之金屬粒子的分散性也可以提高。
如依含有導電性碳黑之本發明導電性高分子溶液，則含有導電性碳黑，而可以形成導電性高且對ITO膜之接觸電阻小的導電性塗膜。
並且，導電性碳黑之含量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，即使最大含量亦僅為10質量%，故所得導電性塗膜之透明性高。
如依含有鹵化銀之本發明導電性高分子溶液，藉由還原處理可以形成銀粒子。因此，藉由對經塗佈此導電性高分子溶液之塗膜施以還原處理，就可以形成導電性高，且對ITO膜之接觸電阻小的導電性塗膜。
同時，構成鹵化銀之銀含量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，即使最大含量亦僅為50質量%，故所得之導電性塗膜之透明性高。
通常，含有聚陰離子之水溶液係成為酸性，而導電性金屬氧化物是溶解到酸性水溶液中。因此，含有π共軛系導電性高分子與聚陰離子之水溶液只要添加導電性金屬氧化物粒子就會溶解，故在塗佈所得到之溶液而形成之塗膜中，將不會含有導電性金屬氧化物粒子。
然而，如依含有導電性金屬氧化物粒子之本發明導電性高分子溶液，本發明導電性高分子溶液因為被所含之中和劑中和，故導電性金屬氧化物粒子不會溶解而安定地存在著。因此，可以形成導電性優異且對ITO膜之接觸電阻小的導電性塗膜。
並且，導電性高分子溶液中之導電性金屬氧化物粒子之含量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，因為是少到50質量%以下，故不會因導電性金屬氧化物粒子而損及透明性。因此，如依本發明導電性高分子溶液，可以形成透明性優異之導電性塗膜。
＜導電性塗膜＞
本發明之導電性塗膜，係在透明基材上塗佈上述導電性高分子溶液而形成者。同時，關於鹵化銀係在透明基材上塗佈上述導電性高分子溶液，經還原處理而形成者。在此導電性塗膜中，係含有下列之必要成分：π共軛系導電性高分子；聚陰離子；由金屬離子形成之金屬粒子及還原劑之殘渣(還原劑之氧化物)、藉由鹵化銀之還原而形成之銀粒子、導電性碳黑、導電性金屬氧化物粒子之中和劑中之至少1種。
導電性高分子溶液之塗佈方法，例如適合使用：點狀式塗佈(Comma Coating)、逆向塗佈(Reverse Coating)、唇型塗佈(Lip Coating)、微凹版塗佈等。
作為塗佈導電性高分子溶液之透明基材者，可列舉如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、纖維素三醋酸酯、纖維素醋酸酯丙酸酯等之薄膜或薄片。同時，也可以使用玻璃基板、矽基板等。
宜為在塗佈導電性高分子溶液後，進行硬化處理。
硬化的方法，適於加熱或光照射。加熱方法，例如可以採用熱風加熱或紅外線加熱等通常方法。
鹵化銀之還原處理，係進行加熱處理及/或光照射處理，在還原鹵化銀形成銀粒子之同時使塗膜硬化。導電性高分子溶液含有還原劑時，藉由加熱處理、光照射處理可以使鹵化銀快速還原。
加熱溫度以在80℃至150℃為佳，加熱溫度在80℃以上即可以在短時間內還原鹵化銀，在150℃以下時，可以防止塗膜的熱劣化。同時，加熱時間從生產性的觀點而言，以在5分鐘以下為佳。
又，藉由光照射而硬化時，例如可以採用來自：超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、氙弧、鹵化甲烷燈等之光源照射紫外線之方法。紫外線照射之照度以100mW/cm2 為佳。還原劑因為會阻礙丙烯酸化合物之聚合，如照度不足100mW/cm2 時，即不能充分交聯，導電性塗膜之耐滑動性(耐久性)有變低之傾向。鹵化銀藉由光照射而硬化時，此時的累計光量以100至1000mJ/cm2 為佳。累計光量只要有100mJ/cm2 以上，鹵化銀就可以充分還原。但是，累計光量即使超過1000mJ/cm2 ，而鹵化銀還原程度尚無變化，因無益之故，所以以在1000mJ/cm2 以下者為佳。
同時，本發明中之照度是使用日本拓普康公司製UVR-TI(工業用紫外線電子表(industrial UV checker)，受光器：UD-T36、測定波長範圍：300至390nm、波峰感度波長：約355nm)之測定值。在此之硬化時，還原劑為還原金屬離子而形成金屬粒子，還原劑本身氧化。同時，硬化時之加熱、光照射是被認為藉由金屬離子之還原劑來促進還原。
本發明之導電性塗膜，係由上述導電性高分子溶液而形成者，除了π共軛系導電性高分子與聚陰離子之外，由於含有：經特定之金屬離子之還原而形成的金屬粒子、由鹵化銀之還原而形成的銀粒子、導電性碳黑、以及導電性金屬氧化物粒子中之至少1種，故導電性高，並且對ITO膜之接觸電阻小。
同時，在本發明之導電性塗膜中，從導電性高分子溶液中之金屬離子形成的金屬粒子、從鹵化銀而形成之銀粒子、導電性碳黑、導電性金屬氧化物粒子是以高分散性來分散，並且金屬粒子、銀粒子、導電性碳黑、導電性金屬氧化物粒子之含量，相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，即使最大含量亦僅為50質量%，故導電性塗膜之透明性高。
本發明之導電性塗膜，例如適合在後述之輸入裝置中使用，但也可以作為顯示裝置之透明電極使用。作為顯示裝置者，例如可列舉如：電子發光顯示器、液晶顯示器等。
＜輸入裝置＞
本發明之輸入裝置是具備有將上述導電性塗膜作為透明電極者。在輸入裝置中，因能特別發揮本發明之效果，故以電阻膜式觸控式面板為適合。以下，說明具備有將上述導電性塗膜作為透明電極之電阻膜式觸控式面板之例。
本例之電阻膜式觸控式面板，如第1圖所示，係為將在透明基材11表面上形成上述導電性塗膜12並設置在輸入者側之可動電極薄片10、以及在透明基材21表面上形成ITO膜22並配置在影像顯示裝置側之固定電極薄片20，以使導電性塗膜12與ITO膜22呈面對面之方式設置者。此外，可動電極薄片10與固定電極薄片20之間，係配置透明之點狀間隔件(Dot Spacer)24，而形成空隙。
作為可動電極薄片10或固定電極薄片20之透明基材11,21者，例如可列舉：單層或2層以上之塑膠薄膜、玻璃板、薄膜與玻璃板之積層體。但是，作為可動電極薄片10之透明基材11者，為了要有可撓性(柔軟性)，故以塑膠薄膜為佳，作為固定電極薄片20之透明基材21者，為了要容易固定，則以使用玻璃板為宜。
可動電極薄片10之透明基材11的厚度以100至250μm為佳，透明基材11的厚度若在100μm以上，就可以確保有充分之強度，若在250μm以下，就可以確保有充分之可撓性(即，柔軟性)。
可動電極薄片10之導電性塗膜12的厚度以50至700μm為佳，導電性塗膜12的厚度若在50μm以上，就可以確保充分之導電性，若在700μm以下，就可以確保充分之可撓性及透明性。
固定電極薄片20之透明基材21的厚度以0.8mm至2.5mm為佳，透明基材21的厚度若在0.8mm以上，就可以確保充分之強度，若在2.5mm以下，就可以使厚度變薄，可以實現省空間化。
固定電極薄片20之ITO膜22的厚度以0.01μm至1.0μm為佳，ITO膜22的厚度若在0.01μm以上，就可以確保充分之導電性，若在1.0μm以下，就可以使厚度變薄，可以實現省空間化。
可動電極薄片10與固定電極薄片20的非擠壓時之間隔以20至100μm為佳，可動電極薄片10與固定電極薄片20的非擠壓時之間隔若在20μm以上，就可以在非擠壓時使可動電極薄片10與固定電極薄片20不會真正的接觸，若在100μm以下，就可以在擠壓時使可動電極薄片10與固定電極薄片20真正地接觸。為了做成如前述之間隔，只要適當選擇點狀間隔件(Dot Spacer)24之大小就可以。
此電阻膜式觸控式面板，在藉由手指或觸筆按壓可動電極薄片10之際，會使可動電極薄片10之導電性塗膜12與固定電極薄片20的ITO膜22接觸而通過電流，取得此時之電壓，就可以檢測出位置。
如此之電阻膜式觸控式面板，因具備有將上述導電性塗膜12作成之透明電極，故對ITO膜22的接觸電阻小，而不易產生輸入感度下降或座標輸入時間延遲等運作不良現象，同時，因導電性塗膜12之透明性高，故影像顯示裝置的影像辨視性優異。
同時，輸入裝置亦可以是靜電容量式觸控式面板。使用上述導電性塗膜作為靜電容量式觸控式面板者，例如可列舉如：在透明基材之兩面設置由上述導電性塗膜所做成的一對透明電極、在透明電極全體形成低壓之電場、捕捉以手指觸碰所致之表面電荷之變化、檢測出位置者。
在此靜電容量式觸控式面板，含有金屬粒子、鹵化銀、導電性碳黑、導電性金屬氧化粒子中之至少一種，因使用導電性高之上述導電性塗膜作為透明電極，故可以確實捕捉電荷之變化，而不易產生不良運作。同時，因為導電性塗膜之透明性高，故影像顯示裝置的影像辨視性優異。
如此之輸入裝置，例如是裝設在電子手冊、携帶資訊終端機(PDA)、行動電話、PHS、現金自動預支機(ATM)、自動販賣機、銷售時資訊管理機(POS)使用的收銀機等之中。
(實施例)
以下，具體表示本發明之實施例，但本發明之範圍並不侷限於此等實施例。
(製造例1)聚苯乙烯磺酸之調製
在1000ml之離子交換水中，溶解206g之苯乙烯磺酸鈉，在80℃中一面攪拌，一面在20分鐘內滴入預先溶於10ml水中的1.14g之過硫酸銨氧化劑溶液，並將此溶液攪拌2小時。
在如此所得之含有苯乙烯磺酸鈉溶液中，添加10質量%經稀釋之硫酸1000ml與10000ml之離子交換水，使用超濾(Ultrafilter)法除去含有聚苯乙烯磺酸之溶液約10000 ml溶液，在殘液中加入10000ml之離子交換水，使用超濾法除去約10000ml之溶液。重複3次上述之超濾操作。
進一步，在所得濾液中添加約10000ml之離子交換水，使用超濾法除去約10000ml之溶液。重複3次此超濾操作。
超濾條件是如下述(其他之例也同樣)。
超濾膜之切割分子量：30000
水平層流式(Cross flow)
供給液流量：3000ml/分鐘
膜分壓：0.12Pa
將所得溶液中之水減壓除去，得到無色固形狀的聚苯乙烯磺酸。
(製造例2)聚苯乙烯磺酸摻配聚(3,4-伸乙二氧噻吩)水溶液之調製
在20℃中將14.2g之3，4-伸乙二氧噻吩，與36,7g之製造例1所得的聚苯乙烯磺酸溶解到2000ml離子交換水的溶液混合。
如此所得的混合溶液保持在20℃中，一面不停地攪拌混合，一面緩慢地添加在200ml離子交換水中溶解之29.64g過硫酸銨與8.0g之硫酸鐵的氧化觸媒溶液，攪拌反應3小時。
在所得之反應液中添加2000ml的離子交換水，使用超濾法除去約2000ml之溶液。重複3次此操作。
如是，在進行上述過濾處理之處理液中，加入200ml之10質量%經稀釋之硫酸和2000ml的離子交換水，使用超濾法除去約2000ml之處理液，在其中加入2000ml的離子交換水，使用超濾法除去約2000ml之液體，重複3次此操作。
進一步，在所得處理液中添加2000ml之離子交換水，使用超濾法除去約2000ml之處理液。重複5次此操作，可得約1.5質量%之青色聚苯乙烯磺酸摻配聚(3,4-伸乙二氧噻吩)(PEDOT-PSS)水溶液。
(金屬離子　實施例1)
在製造例2中所得PEDOT-PSS水溶液600g中，添加對-甲苯磺酸銀0.5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為2質量%)，攪拌後，調製含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合氫醌3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製觸媒)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液A1。
(鹵化銀　實施例1)
混合氯化銀0.5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成氯化銀之銀量為5.3質量%)、氫醌3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之混合溶液中，添加製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g，經NANOMIZER(奈米碰撞機；吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液A2。
(導電性碳黑　實施例1)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加爐黑的科琴超導電碳黑(Kitjen BlaCk)膏狀物(Lion公司製lion paste W-376R、含有非離子系界面活性劑，固形分濃度12.5質量%)1g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為1.7質量%)，攪拌調製成含有科琴超導電碳黑(Kitjen Black)之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有科琴超導電碳黑之PEDOT-PSS水溶液，經NANOMIZER(奈米碰撞機；吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液A3。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例1)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加咪唑20.1g(相對於聚陰離子為2莫耳當量)，攪拌調製成含有咪唑之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g、摻配錫之氧化銦(住友金屬礦山公司製；X500系列，平均粒子徑：100至140nm)0.3g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為4.1質量%)，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有咪唑的PEDOT-PSS水溶液，並經攪拌得到導電性高分子溶液A4。測定此導電性高分子溶液A在25℃中的pH，測定結果在表4中表示。
將各個實施例1所得之導電性高分子溶液A1至A4在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東洋紡製A4300、厚度：188μm)上，藉由反覆塗佈機塗佈，在100℃、由紅外線照射2分鐘乾燥後，照射紫外線(高壓水銀燈120W、360mJ/cm2 、178mW/cm2 )使硬化，各自形成導電性塗膜。導電性塗膜之表面電阻與光穿透率之接觸電阻係藉由以下之方法測定。此等之結果在表1、表2、表3、表4中表示。
[表面電阻值]
使用三菱化學公司製Loresta MCP-T600，根據JIS K 7194之基準來測定。
[光穿透率]
使用日本電色工業公司製霧度測定器(NDH 5000)，根據JIS K 7136之基準來測定光穿透率。
[接觸電阻]
在透明基材(聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，東洋紡製A4300、厚度：188μm)11上，塗佈導電性高分子溶液後形成導電性塗膜12，裁成40mm x50mm大小，在此被裁薄片之導電性塗膜12上的寬方向邊緣，將導電性糊膏(藤倉化成公司製FA-401CA)以網版印刷，乾燥後形成電極配線13a,13b，而得到輸入者側的可動電極薄片10(參照第2圖)。
同時，設置ITO膜22，準備裁成40mm x 50mm大小之玻璃板21(表面電阻：300Ω)。在此準備之玻璃板21的ITO膜22的長方向邊緣，將導電性糊膏(藤倉化成公司製XA436)以網版印刷，乾燥後形成電極配線23a,23b。其次，在ITO膜22上，將間隔點用糊膏(藤倉化成公司製SN-8400C)以網版印刷，乾燥後照射紫外線，形成點狀間隔件24。接著在電極配線23a,23b上，將光阻用糊膏(藤倉化成公司製SN-8800C)以網版印刷，乾燥後照射紫外線，形成絕緣層25。進一-步，在絕緣層25上，將接著劑(藤倉化成公司製XB-114)以網版印刷，使其乾燥，而形成為了貼合在可動電極薄片10上之接著劑層26。由此而得到影像顯示裝置用之固定電極薄片20(參照第3圖)。
其次，如第4圖所示，將可動電極薄片10與固定電極薄片20以令導電性塗膜12與ITO膜22呈面對面之方式予以配置，並藉由接著劑層26貼合而製作電阻膜式觸控式面板模組。同時，將固定電極薄片20之一方的電極配線23a與精密電源31隔著上拉電阻(82.3kΩ)32、及與上拉電阻32並聯連接之上拉電阻32的電壓測定用檢測器33予以電性連接。同時，將精密電源31與可動電極薄片10之一方的電極配線13a予以電性連接。又，可動電極薄片10之另一方的電極配線13b與固定電極薄片20之另一方的電極配線23b係隔著電阻膜式觸控式面板模組的電壓測定用檢測器34而電性連接。由此，可得接觸電阻測定用之電路。
接觸電阻是如下方式測定。以尖端為0.8R的聚縮醛製觸筆(stylus pen)35，以250g之負重按壓可動電極薄片10，測定由精密電源31外加5V電壓之際的上拉電阻之電壓與電阻膜式觸控式面板模組之電壓，由此等測定結果來測定接觸電阻。
具體而言，在上拉電阻32中流動之電流值係使用所測定之電壓值而從歐姆法則算出，將此算出之電流值及電阻膜式觸控式面板模組之電壓值代入下述式求出接觸電阻。
接觸電阻(Ω)=[(電阻膜式觸控式面板模組之電壓(V))/(上拉電阻之電壓(V))]x上拉電阻(Ω)
﹝滑動試驗﹞
為了測定導電性塗膜的塗膜強度，將經乙醇潤濕的擦拭紙(Kimwipes；日本製紙Crecia公司製)加上100gf/cm2 的負重往返擦拭30次，以目視檢查導電性塗膜的脫離。同時，測定滑動試驗後之接觸電阻。此之結果作為導電性塗膜的膜強度指標。
◎：沒有剝離；　○：稍微地剝離；
△：一部分剝離；　X：完全剝離
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
(金屬離子　實施例2)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加硝酸銀0.01g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%時，銀離子為0.08質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、雙(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌得到導電性高分子溶液B1。
於是，除了使用導電性高分子溶液B1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例2)
混合氯化銀2g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成氯化銀之銀量為20.1質量%)、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮3.6g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、三丙二醇二丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之混合溶液中，添加製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g，經奈米碰撞機分散處理，得到導電性高分子溶液B2。於是，除了使用導電性高分子溶液B2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例2)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加咪唑20.1g(相對於聚陰離子為2莫耳當量)及科琴超導電碳黑之糊膏(Lion公司製lion paste W-311N、含有非離子系界面活性劑，固形分濃度16.5質量%)4g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為9.2質量%)，攪拌調製成含有咪唑及科琴超導電碳黑之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合沒食子酸甲酯(methyl gallate)3.6g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、雙(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有咪唑及科琴超導電碳黑之PEDOT-PSS水溶液，經奈米碰撞機(吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液B3。於是，除了使用導電性高分子溶液B3取代導電性高分子溶液A3之外，與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例2)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加三乙基胺5.4g(相對於聚陰離子為1.1莫耳當量)，攪拌調製成含有三乙基胺之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合沒食子酸甲酯3.6g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、雙(三羥甲基丙烷)四丙烯酸酯7.2g、乙醇300g、摻配鎵之氧化鋅(Hakusuitech公司製；PAZET，平均粒子徑：20至40nm)3g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為27.8質量%)，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加含有前述之三乙基胺的PEDOT-PSS水溶液，攪拌得到導電性高分子溶液B4。於是，除了使用導電性高分子溶液B4取代導電性高分子溶液A4之外，與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例3)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加氯鉑酸1g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，鉑離子為8.3質量%)，攪拌調製成含有鉑離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合抗壞血酸3.6g、沒食子酸甲酯1.8g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有鉑離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液C1。於是，除了使用導電性高分子溶液C1取代導電性高分子溶液A1之外，與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例3)
混合溴化銀6g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成溴化銀之銀量為47.6質量%)、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、焦棓酚3.6g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇六丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之混合溶液中，添加製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g，經奈米碰撞機分散處理，得到導電性高分子溶液C2。於是，除了使用導電性高分子溶液C2取代導電性高分子溶液A2之外，與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例3)
在製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g中，添加乙烯基咪唑9.0g(相對於聚陰離子為2莫耳當量)及科琴超導電碳黑之糊膏(Lion公司製lionpaste W-356A、含有陽離子系界面活性劑，固形分濃度11.5質量%)0.4g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為0.64質量%)，攪拌調製成含有乙烯基咪唑及科琴超導電碳黑之PEDO實PSS水溶液。
另外，混合氫醌3.6g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、乙氧化縮水甘油三丙烯酸酯(新中村化學工業公司製，A-GLY-6E)7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有乙烯基咪唑及科琴超導電碳黑之PEDOT-PSS水溶液，經奈米碰撞機(吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液C3。於是，除了使用導電性高分子溶液C3取代導電性高分子溶液A3之外，與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例3)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加乙烯基咪唑9.0g(相對於聚陰離子為2莫耳當量)，攪拌調製成含有乙烯基咪唑之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合抗壞血酸3.6g、丹寧酸1.8g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g、摻配銻之氧化錫(石原產業公司製；SN-100P，平均粒子徑：10至30nm)3.5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為48.6質量%)，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加含有前述之乙烯基咪唑的PEDOT-PSS水溶液，攪拌得到導電性高分子溶液C4。於是，除了使用導電性高分子溶液C4取代導電性高分子溶液A4之外，與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例4)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加醋酸銀0.5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為4.4質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合焦棓酚3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌得到導電性高分子溶液D1。於是，除了使用導電性高分子溶液D1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例4)
混合溴化銀0.03g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成氯化銀之銀量為0.24質量%)、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基安息香酸3.6g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、雙(三羥基甲基丙烷)四丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之混合溶液中，添加製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g，經奈米碰撞機分散處理，得到導電性高分子溶液D2。於是，除了使用導電性高分子溶液D2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例4)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加氫氧化四乙基銨9.0g(相對於聚陰離子為1.1莫耳當量)攪拌調製成含有氫氧化四乙基銨之PEDOT-PSS水溶液。
同時，混合導電性科琴超導電碳黑粉末(Lion公司製Carbon ECP)200g、十二烷基苯磺酸鈉50g、二乙二醇200g、離子交換水1000g，以超音波振動機(亞歷克斯有限公司製造高能量超音波洗淨機)攪拌，得到第2調製液。
同時混合焦棓酚3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之，得到第3調製液。
在前述含有氫氧化四乙基銨的PEDOT-PSS水溶液，添加第2調製液0.125g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子，導電性碳黑為0.023質量%)，並攪拌之，進一步，添加第3調製液，經奈米碰撞機(吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液D3。於是，除了使用導電性高分子溶液D3取代導電性高分子溶液A3之外，與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例4)
在製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g中，添加氫氧化四乙基銨9.0g(相對於聚陰離子為1.1莫耳當量)，攪拌調製成含有氫氧化四乙基銨之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合焦棓酚3.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g、摻配錫之氧化銦(住友金屬礦山公司製；X500系列，平均粒子徑：100至140nm)0.001g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為0.014質量%)，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加含有前述之氫氧化四乙基銨的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液D4。於是，除了使用導電性高分子溶液D4取代導電性高分子溶液A4之外，與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例5)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加水楊酸銀3g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為28.9質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合丹寧酸8.6g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇六丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液E1。於是，除了使用導電性高分子溶液E1取代導電性高分子溶液A1之外，與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例5)
混合氯化銀0.0003g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成氯化銀之銀量為0.005質量%)、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、抗壞血酸1.4g、沒食子酸甲酯2.4g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、乙氧化甘油三丙烯酸酯(新中村化學公司製，A-GLY-6E)7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之混合溶液中，添加製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g，經奈米碰撞機分散處理，得到導電性高分子溶液E2。於是，除了使用導電性高分子溶液E2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例5)
混合導電性科琴超導電碳黑粉末(Lion公司製Carbon EC 300 J)200g、十二烷基苯磺酸鈉300g、離子交換水1000g，以超音波均勻器分散，調製第1調製液。
另外，混合丹寧酸7.2g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、三丙二醇二丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之，得到第2調製液。
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加前述第1調製液2.2g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子，導電性碳黑為0.42質量%)，並攪拌之，進一步，添加第2調製液，經奈米碰撞機(吉田機械興業公司製)進行分散處理，得到導電性高分子溶液E3。於是，除了使用導電性高分子溶液E3取代導電性高分子溶液A3之外，其餘與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例5)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加咪唑20.1g(相對於聚陰離子為2莫耳當量)，攪拌調製成含有咪唑之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合丹寧酸8.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇六丙烯酸酯7.2g、乙醇300g、摻配鎵之氧化鋅(Hakusuitech公司製；Pazet，平均粒子徑：20至40nm)0.03g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為0.42質量%)，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加含有前述咪唑的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液E4。於是，除了使用導電性高分子溶液E4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例6)
在製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g中，添加硫酸銀5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為49.5質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDO實PSS水溶液。
另外，混合3,4,5-羥基安息香酸甲酯12.6g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、乙氧化甘油三丙烯酸酯(新中村化學公司製，A-GLY-6E)7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液F1。於是，除了使用導電性高分子溶液F1取代導電性高分子溶液A1之外，與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例6)
在實施例1中除了氫醌之添加量改成0.036g之外，其餘與實施例1同樣處理，得到導電性高分子溶液F2。於是，使用導電性高分子溶液F2取代導電性高分子溶液A2，除了熱風乾燥條件變更成120℃，5分鐘之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例6)
在實施例1中除了不添加二季戊四醇六丙烯酸酯之外，其餘與實施例1同樣處理，得到導電性高分子溶液F3。於是，除了使用導電性高分子溶液F3取代導電性高分子溶液A3之外，其餘與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子 實施例6)
在實施例5中除了不添加二季戊四醇六丙烯酸酯之外，其餘與實施例5同樣處理，得到導電性高分子溶液F4。於是，除了使用導電性高分子溶液F4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，評估之，評估之結果在表3中表示。
(金屬離子　實施例7)
在實施例1中除了以二甲亞碸20g取代2-羥基乙基丙烯醯胺、且不添加季戊四醇三丙烯酸酯之外，其餘與實施例1同樣處理，得到導電性高分子溶液G1。於是，除了使用導電性高分子溶液G1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例7)
在鹵化銀實施例2中除了不添加2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮之外，其餘與鹵化銀實施例2同樣處理，得到導電性高分子溶液G2。於是，除了使用導電性高分子溶液G2取代導電性高分子溶液A2，照射紫外線(高壓水銀燈120W，780mJ/cm2 )之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑實施例7)
在導電性碳黑實施例2中，除了添加以二甲亞碸20g取代2-羥基乙基丙烯醯胺、且不添加三羥甲基丙烷四丙烯酸酯之外，其餘與導電性碳黑實施例2同樣處理，得到導電性高分子溶液G3。於是，除了使用導電性高分子溶液G3取代導電性高分子溶液A3之外，其餘與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例7)
在導電性金屬氧化物粒子實施例1中，除了添加二甲亞碸20g取代2-羥基乙基丙烯醯胺之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣處理，得到導電性高分子溶液G4。於是，除了使用導電性高分子溶液G4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例8)
在金屬離子實施例3中，除了不添加二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯之外，其餘與金屬離子實施例3同樣處理，得到導電性高分子溶液H1。於是，除了使用導電性高分子溶液H1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例8)
在鹵化銀實施例1中，除了添加二甲亞碸20g取代2-羥基乙基丙烯醯胺、且不添加二季戊四醇三丙烯酸酯之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣處理，得到導電性高分子溶液H2。於是，除了使用導電性高分子溶液H2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　實施例8)
在實施例1中，除了紫外線之照射條件變更成高壓水銀燈100W、360mJ/c m2 、89m W/cm2 之外，其餘與實施例1同樣處理，形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例8)
在導電性金屬氧化物粒子實施例2中，除了不添加雙(三羥基甲基丙烷)四丙烯酸酯之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例2同樣處理，得到導電性高分子溶液H4。於是，除了使用導電性高分子溶液H4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例9)
在金屬離子實施例5中，除了二季戊四醇六丙烯酸酯之添加量變更成0.72g之外，其餘與金屬離子實施例5同樣處理，得到導電性高分子溶液I1。於是，除了使用導電性高分子溶液I1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例9)
在鹵化銀實施例3中，除了不添加二季戊四醇六丙烯酸酯之外，其餘與鹵化銀實施例3同樣處理，得到導電性高分子溶液I2。於是，除了使用導電性高分子溶液I2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例9)
在導電性金屬氧化物粒子實施例3中，除了二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯之添加量變更成0.72g之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例3同樣處理，得到導電性高分子溶液I4。於是，除了使用導電性高分子溶液I4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例10)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加醋酸銀1.0g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為8.8質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮7.2g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液J1。於是，除了使用導電性高分子溶液J1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例10)
在鹵化銀實施例2中除了三丙二醇二丙烯酸酯之添加量改成0.72g之外，其餘與鹵化銀實施例2同樣處理，得到導電性高分子溶液J2。於是，使用導電性高分子溶液J2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　實施例10)
在導電性金屬氧化物粒子實施例1中，除了紫外線之照射條件，變更成高壓水銀燈100W、360mJ/cm2 、89mW/cm2 之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　實施例11)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加對-甲苯磺酸銀1.72g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為6.88質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮7.2g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液K1。於是，除了使用導電性高分子溶液K1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　實施例11)
在實施例1中，除了紫外線之照射條件，變更成高壓水銀燈100W、360mJ/cm2 、89mW/cm2 之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(金屬離子　實施例12)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加水楊酸銀1.5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為14.5質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮10.8g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後得到導電性高分子溶液L1。於是，除了使用導電性高分子溶液L1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例12)
在金屬離子實施例1中，除了紫外線之照射條件，變更成高壓水銀燈100W、360mJ/cm2 、89m W/cm2 之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例14)
在金屬離子實施例10中，除了以氯金酸3g取代醋酸銀(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，金離子為20質量%)之變更之外，其餘與金屬離子實施例10相同，得到導電性高分子溶液M1。於是，除了使用導電性高分子溶液M1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例15)
在金屬離子實施例11中，除了以5質量%硝酸鈀硝酸溶液2g取代對-甲苯磺酸銀(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，鈀離子為0.96質量%)之變更之外，其餘與金屬離子實施例11相同，得到導電性高分子溶液N1。於是，除了使用導電性高分子溶液N1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例16)
在製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g中，添加碳酸銀0.34g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為3.5質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDO實PSS水溶液。
另外，混合2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮1.8g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、季戊四醇三丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後，得到導電性高分子溶液O1。於是，除了使用導電性高分子溶液O1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例17)
在製造例2所得之PEDO實PSS水溶液600g中，添加碳酸銀0.68g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為7.0質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDO實PSS水溶液。
另外，混合焦棓酚1.8g、Irgacure127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、雙(三羥基甲基丙烷)四丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後，得到導電性高分子溶液P1。於是，除了使用導電性高分子溶液P1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　實施例18)
在製造例2所得之PEDOT-PSS水溶液600g中，添加碳酸銀0.08g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，銀離子為0.8質量%)，攪拌調製成含有銀離子之PEDOT-PSS水溶液。
另外，混合3,4,5-羥基安息香酸甲酯1.8g、Irgacure 127(汽巴特化公司製)0.9g、2-羥基乙基丙烯醯胺18g、二季戊四醇五丙烯酸酯7.2g、乙醇300g，並攪拌之。在如此所得之溶液中，添加前述含有銀離子的PEDOT-PSS水溶液，攪拌後，得到導電性高分子溶液Q1。於是，除了使用導電性高分子溶液Q1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　比較例1)
在金屬離子實施例1中，除了不添加對-甲苯磺酸銀之外，其餘與金屬離子實施例1相同，得到導電性高分子溶液R1。於是，除了使用導電性高分子溶液R1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　比較例1)
在鹵化銀實施例2中，除了變更氯化銀之添加量5g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成氯化銀之銀量為52.7質量%)之外，其餘與鹵化銀實施例2相同，得到導電性高分子溶液K2。於是，除了使用導電性高分子溶液K2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　比較例1)
在導電性碳黑實施例3中，除了變更科琴超導電碳黑糊膏之添加量0.004g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，導電性碳黑為0.0064質量%)之外，其餘與導電性碳黑實施例3相同處理，得到導電性高分子溶液H3。於是，除了使用導電性高分子溶液H3取代導電性高分子溶液A3之外，其餘與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　比較例1)
在導電性金屬氧化物粒子實施例1中，除了不添加咪唑之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1相同處理，得到導電性高分子溶液J4。於是，除了使用導電性高分子溶液J4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　比較例2)
在金屬離子實施例2中，除了不添加2,3,3’,4,4’,5’-六羥基二苯甲酮之外，其餘與金屬離子實施例2相同，得到導電性高分子溶液S1。於是，除了使用導電性高分子溶液S1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　比較例2)
在鹵化銀實施例3中，除了變更溴化銀之添加量為0.0001g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，構成溴化銀之銀量為0.0007質量%)之外，其餘與鹵化銀實施例3相同，得到導電性高分子溶液L2。於是，除了使用導電性高分子溶液L2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性碳黑　比較例2)
在導電性碳黑實施例4中，除了變更第2調整液之添加量4g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，導電性碳黑為11.1質量%)之外，其餘與導電性碳黑實施例4相同處理，得到導電性高分子溶液I3。於是，除了使用導電性高分子溶液I3取代導電性高分子溶液A3之外，其餘與導電性碳黑實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表3中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　比較例2)
在導電性金屬氧化物粒子實施例3中，除了變更摻配銻之氧化錫之添加量為0.0005g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為0.0069質量%)之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例3相同處理，得到導電性高分子溶液K4。於是，除了使用導電性高分子溶液K4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　比較例3)
在金屬離子實施例3中，除了氯鉑酸之添加量為0.0001g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為0.00083質量%)之外，其餘與金屬離子實施例3相同，得到導電性高分子溶液T1。於是，除了使用導電性高分子溶液T1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(鹵化銀　比較例3)
在鹵化銀實施例1中，除了不添加氯化銀之外，其餘與鹵化銀實施例1相同，得到導電性高分子溶液M2。於是，除了使用導電性高分子溶液M2取代導電性高分子溶液A2之外，其餘與鹵化銀實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表2中表示。
(導電性金屬氧化物粒子　比較例3)
在導電性金屬氧化物粒子實施例4中，除了變更摻配錫之氧化銦之添加量為4g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為55.6質量%)之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例4相同處理，得到導電性高分子溶液L4。於是，除了使用導電性高分子溶液L4取代導電性高分子溶液A4之外，其餘與導電性金屬氧化物粒子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表4中表示。
(金屬離子　比較例4)
在金屬離子實施例4中，除了變更醋酸銀之添加量為6g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為52.5質量%)之外，其餘與金屬離子實施例4相同，得到導電性高分子溶液Ul。於是，除了使用導電性高分子溶液Ul取代導電性高分子溶液Al之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　比較例5)
在金屬離子實施例10中，除了氯化鋁lg(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，鋁離子為2.8質量%)取代醋酸銀之外，其餘與金屬離子實施例10相同，得到導電性高分子溶液Vl。於是，除了使用導電性高分子溶液Vl取代導電性高分子溶液Al之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
(金屬離子　比較例6)
在金屬離子實施例11中，除了以氯化鈉1g(相對於π共軛系導電性高分子與聚陰離子之總和100質量%，為5.5質量%)取代水楊酸銀之外，其餘與金屬離子實施例11相同，得到導電性高分子溶液W1。於是，除了使用導電性高分子溶液W1取代導電性高分子溶液A1之外，其餘與金屬離子實施例1同樣形成導電性塗膜，並評估之，評估之結果在表1中表示。
如依含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、特定金屬離子與還原劑之金屬離子中的實施例1至18的導電性高分子溶液，含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與鹵化銀之鹵化銀中的實施例1至10的導電性高分子溶液，含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與導電性碳黑之導電性碳黑中的實施例1至7的導電性高分子溶液，含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性金屬氧化物粒子與中和劑之導電性金屬氧化物粒子中的實施例1至9的導電性高分子溶液，各者中的導電性及透明性都優異，並且可以形成對ITO膜的接觸電阻小的導電性塗膜。
再者，金屬離子中實施例1至6、9至12、14至18的導電性高分子溶液，因為含有多官能丙烯酸化合物，故由此所得到之導電性塗膜，其膜強度、對透明基材之導電性塗膜的密著性、金屬粒子之密著性也優異。
鹵化銀中的實施例1至6、9、10的導電性高分子溶液，因含有(甲基)丙烯醯胺化合物、具有2個以上羥基的芳香族化合物，故由此所得之導電性塗膜的導電性優異，接觸電阻更小。
導電性碳黑中的實施例1至5的導電性高分子溶液，因含有多官能丙烯酸化合物，故由此所得到之導電性塗膜，其膜強度、對透明基材之導電性塗膜的密著性、在導電性碳黑之密著性也都優異。
導電性金屬氧化物粒子中的實施例1至6、8、9的導電性高分子溶液，因含有(甲基)丙烯醯胺化合物，故由此所得之導電性塗膜的導電性更優異。
同時，金屬離子中的實施例13、鹵化銀中的實施例11、導電性碳黑中的實施例8、導電性金屬氧化物粒子中的實施例1至5的各個導電性高分子溶液，雖含有多官能丙烯酸化合物，但塗膜形成時的紫外線的照度不足100mW/cm2 ，故膜強度下降。
同時，金屬離子中的實施例1至6、8至18的導電性高分子溶液，因含有(甲基)丙烯醯胺化合物，故由此所得之導電性塗膜的導電性更優異。
再者，鹵化銀中的實施例1至7、10的導電性高分子溶液，因含有多官能丙烯酸化合物，故由此所得之導電性塗膜，其膜強度、對透明基材之導電性塗膜的密著性、在銀離子之密著性方面也都優異。
於是，導電性金屬氧化物粒子中的實施例1至5的導電性高分子溶液，因含有多官能丙烯酸化合物，故由此所得之導電性塗膜，其膜強度、對透明基材之導電性塗膜的密著性、在導電性金屬氧化物粒子之密著性方面也都優異。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與還原劑但不含有特定之金屬離子之金屬離子中的比較例1，雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與導電性碳黑但導電性碳黑之添加量不足0.01質量%之導電性碳黑中的比較例1之導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，對ITO膜的接觸電阻大，而不適合作為輸入裝置用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與鹵化銀但構成鹵化銀之銀量超過50質量%之鹵化銀中的比較例1之導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，得不到充分之透明性，而不適合作為輸入裝置用。
由不添加中和劑之導電性金屬氧化物粒子中之比較例1之導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，對ITO膜的接觸電阻大，而不適合作為輸入裝置用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與特定金屬離子但不含還原劑之金屬離子的比較例2，雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與鹵化銀但構成鹵化銀之銀量不足0.001質量%之鹵化銀中的比較例2，雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性金屬氧化物粒子、與中和劑但導電性金屬氧化物粒子之添加量不足0.01質量%之導電性金屬氧化物粒子中的比較例2之導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，對ITO膜的接觸電阻大，而不適合作為輸入裝置使用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與導電性碳黑但導電性碳黑之添加量超過10質量%之導電性碳黑中的比較例2導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，得不到充分之透明性，而不適合作為輸入裝置用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、特定金屬離子、與還原劑但金屬離子的含有量不足0.001質量%之金屬離子中比較例3，雖含有π共軛系導電性高分子、與聚陰離子但不含鹵化銀之鹵化銀中比較例3之導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，對ITO膜的接觸電阻大，而不適合作為輸入裝置使用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性金屬氧化物粒子與中和劑但導電性金屬氧化物粒子之添加量超過50質量%之導電性金屬氧化物粒子中比較例3的導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，因得不到充分之透明性，故不適合作為輸入裝置使用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、特定金屬離子、與還原劑但金屬離子的含有量超過50質量%之金屬離子中的比較例4的導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，因得不到充分之透明性，故不適合作為輸入裝置用。
藉由雖含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、與還原劑但含有特定金屬離子以外之金屬離子而不含特定金屬離子之金屬離子中的比較例5，6的導電性高分子溶液所形成的導電性塗膜，對ITO膜的接觸電阻大，而不適合作為輸入裝置使用。
 [產業上之可利用性]
如依本發明之導電性高分子溶液，除了透明性優異之外，尚適合作為觸控式面板用電極薄片之透明電極的導電性塗膜使用。同時，本發明之導電性塗膜除了透明性優之外，有可能作為觸控式面板用電極薄片之透明電極使用。
10．．．可動電極薄片
11．．．透明基材
12．．．導電性塗膜
13a、13b．．．電極配線
20．．．固定電極薄片
21．．．透明基材
22．．．ITO膜
23a、23b．．．電極配線
24．．．點狀間隔件(Dot Spacer)
第1圖係表示本發明之輸入裝置的一個例子之截面圖。
第2圖係表示在接觸電阻之測定方法中輸入者側之電極薄片的截面圖。
第3圖係表示在接觸電阻之測定方法中影像顯示裝置側之電極薄片的截面圖。
第4圖係表示在接觸電阻之測定方法中的電路模式圖。
10．．．可動電極薄片
11．．．透明基材
12．．．導電性塗膜
20．．．固定電極薄片
21．．．透明基材
22．．．ITO膜
24．．．點狀間隔件(Dot Spacer)

Claims (5)

  1. 一種導電性高分子溶液，係含有π共軛系導電性高分子、聚陰離子、導電性碳黑、與溶劑，其中，在將π共軛系導電性高分子與聚陰離子之合計設為100質量%時，導電性碳黑之含量係0.01至10質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之電性高分子溶液，復含有界面活性劑。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電性高分子溶液，復含有(甲基)丙烯醯胺化合物及多官能丙烯酸化合物中之一者或兩者。
  4. 一種導電性塗膜，其係由塗佈申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性高分子溶液而形成。
  5. 一種輸入裝置，其係具備有由申請專利範圍第4項之導電性塗膜所形成的透明電極。
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