TWI383449B - 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及基板處理方法
本發明，係為有關於用以在基板上形成薄膜之半導體裝置的製造方法以及基板處理裝置者。
DRAM之電容器，係為了伴隨細微化而確保積蓄電荷容量，因此對於容量絕緣膜之高介電率化、下部電極又或是上部電極之金屬化的研究係為活躍。
作為此些之材料，係以具備有高介電率的Al2 O3 、ZrO2 、HfO2 、Y2O3 、La2 O3 、STO(SrTiO3 )、Ta2 O5 、BST((ba、Sr)TiO3 )、PZT((Pb、Zr)TiO3 )等作為容量絕緣膜的候補，而以Ti、Hf、Zr、Al、Ru、Pt、Ir之金屬、SRO(SrRuO3 )、RuO2 等之氧化物，或是TiN、HfN、ZrN等之氮化物作為電極之候補。
電極形狀係以高縱橫比之圓筒型成為主流，依情況，有時有必要使身為阻障金屬層之包含有TiN、TaN等之上述所有的膜均具備有優良之階段差被覆性(step coverage)。
作為膜之形成方法，係從先前之濺鍍法，而逐漸移行至階段差被覆性優良之CVD法，並多利用有有機金屬液體原料與氧之反應。
在CVD法中，為了提昇階段差之被覆性，因此低溫化係為無法避免。
但由於低溫化，會使有機液體原料中之碳又或是氫成為不純物而殘留於膜中，並使電性特性劣化。
大多之Ru原料，由於係容易進行與氧之間的反應，因此做為反應氣體，係使用氧。
另一分面，在形成膜之後，為了膜之結晶化以及將膜中之不純物去除，因此進行高溫處理。此時，會有由於殘留在金屬膜中之氧原子的擴散，因此作為Ru膜之基底的金屬膜係被氧化，而形成絕緣膜，使電阻值變高的課題。
又，對於氧原子之外的包含於Ru原料中之不純物，亦會有由於進行高溫處理，而使不純物從膜中氣體脫離，並使膜收縮，而使表面之凹凸劣化，或是使膜剝離等的課題。
進而，對於數種之Ru原料，係有其培養(Incubation)時間增大的報告，而有生產性劣化的課題。
因此，本發明之課題，係為提供一種：良率以及生產性高，而階段差被覆性以及密著性係為優良之半導體裝置之製造方法、以及基板處理裝置。
用以解決前述課題之手段，係如下所述。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和初期成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給不包含有氧原子的第1反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給包含有氧原子的第2反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
若藉由本發明，則能解決基底金屬膜之氧化、膜收縮所致之表面的凹凸劣化、以及膜之剝離，並能提供一種：良率以及生產性高，而階段差被覆性以及密著性係為優良之半導體裝置之製造方法、以及基板處理裝置。
在本發明之理想實施型態中，係藉由Ru原料氣體以及含有氧之氣體以外的反應氣體來形成膜。但是，Ru原 料氣體，與含有氧之氣體以外的反應氣體，其反應性不佳，而不會形成膜。
於此，雖利用藉由電漿源所激發之反應氣體，但是若將Ru原料氣體與藉由電漿源所激發之反應氣體同時對基板作供給，則藉由氣相反應，階段差被覆性係會劣化，故係藉由ALD(Atomic Layer Deposition)法來形成膜。
在ALD法中，係重複以下之循環。
(1)藉由對基板僅供給Ru原料氣體而使Ru原料氣體以優良的階段差被覆性而被吸著在基板上。
(2)經由以Ar、He或N2 等的惰性氣體所致之洗淨，來將多餘的原料氣體作排氣。
(3)藉由對基板供給以電漿源所激發之含有氧之氣體以外的反應氣體，使被激發之反應氣體吸著於基板上並與前述Ru原料氣體反應，而形成膜。
藉由電漿源所激發之氣體種子，其反應性為高，因此藉由與Ru原料氣體中所包含之碳、氫結合而氣體化，降低膜中之不純物。
(4)經由以Ar、He或N2 等的惰性氣體所致之洗淨，來將多餘的反應氣體作排氣。
將以上之(1)~(4)作為1個循環，並藉由重複進行此循環，能得到所期望之膜厚。
另一方面，ALD法之成膜速度係為較慢，其生產性較差。
於此，若是在初期成膜步驟中，係以前述之ALD法 而在基板上進行核形成，之後在正式成膜步驟中，於反應氣體使用含有氧之氣體，並藉由習知之CVD法來進行成膜，則能提高生產性。
或者是，以含有氧之氣體作為反應氣體，而以前述之ALD法來進行，則能提高成膜速度，並提高生產性。
如此這般，在初期成膜過程中，藉由原料吸著步驟，以及使用被電漿激發之含有氧之氣體以外的反應氣體所致之ALD法，能提供一種良品率高，且階段差被覆性以及密著性優良的半導體裝置之製造方法。
進而，在正式成膜步驟中，藉由將含有氧之氣體做為反應氣體而使用，能提供一種生產性高的半導體裝置之製造方法。
以下，參考圖面並說明用以實施本發明之最佳的實施型態。
使用圖1，說明以本發明所實施之基板處理裝置的其中一例。
圖1係為展示本發明之第1實施型態的基板處理裝置之被組入有直接電漿單元的單片式處理裝置之處理爐的其中一例之概略剖面圖。
如圖1所示，在處理室1中係被設置有支持台20。支持台20，係支持作為被成膜對象之矽晶圓或是玻璃基板等之基板2。
在支持台20之上部，係被設置有作為支持板的承載器21。承載器21係構成支持台20之一部分，在承載器 21之上係被載置有基板。
在支持台20之內部，係被設置有作為加熱手段之加熱器22，加熱器22係成為加熱被載置於承載器21之基板2。
加熱器22，係以使基板2之溫度成為特定之溫度的方式，藉由溫度控制器23而被控制。
在處理室1之外部，係被設置有升降機構24，藉由升降機構24，支持台20係成為可在處理室1內升降。
在處理室1之支持台20的上部，蓮蓬頭12與對向電極5，係以和基板2相對向之方式而被配置。蓮蓬頭12，係具備有：在將原料氣體與反應氣體供給至基板2時，成為直接之供給口的複數之蓮蓬孔8。
對向電極單元5，係具備有施加用以產生電漿的高頻(RF)之至少一組以上的對向電極，此些係和被成膜基板2相對向，並被配置於較蓮蓬孔8更靠近基板2之位置。
此時，具有複數蓮蓬孔8之蓮蓬頭12與對向電極單元5，係以和被成膜基板2相對向之方式而被配置。
具體而言，蓮蓬頭12係以與對向電極單元5相對向的方式而被配置，而對向電極單元5係以與被成膜基板2相對向的方式而被配置。
如圖2所示，用以產生電漿之對向電極單元5，係作為將一組之電極6與電極7以相互對向之方式而配置所構成的單元。
亦即是，電極6與電極7係兩者均為以櫛齒型所構 成，並以使各別之櫛齒所相當之部分彼此交錯地鄰接(對向)的方式來配置。換言之，其中一方之電極的櫛齒與櫛齒之間，係被一根一根地插入有另外一方之電極的櫛齒。
另外，電極6與電極7係被配置在相同平面上。
在此，如圖2所示，對向電極單元5係具備有保持用之電極板14。電極板14，係在其上面之中央，被形成有一大的圓形窗孔14a，於其側面，係被形成有貫通孔15。在此貫通孔15之中，係被插入有以如石英之類的絕緣物所構成之電極管16，在此電極管16之中，係被埋入有以Al或Ni等之材質所構成的棒狀之電極6及電極7。
為了將處理室1保持為真空，對電極板14之貫通孔15的內壁，電極管16係使用O型環17來進行真空密封。
對向電極6及對向電極7，係分別被集束並連接，而與絕緣變壓器11相連接。藉由在絕緣變壓器11以高頻電源單元13來施加高頻電壓，而使電漿在對向電極單元5之表面產生。
亦即是，電漿係產生於：在蓮蓬頭12與對向電極單元5之間的空間中之對向電極單元5的上面附近，及在對向電極單元5與基板2之間的空間中之對向電極單元5的下面附近。
在蓮蓬頭12內，係從供給口4以及供給口3，分別供給有原料氣體以及反應氣體。蓮蓬頭12之蓮蓬孔8，係將原料氣體以及反應氣體，分別單獨或是同時地對基板2以 蓮蓬狀噴出。
在處理室1之外部，係被設置有供給液體原料28之原料供給單元25，原料供給單元25，係經由液體原料供給管26、和作為控制液體原料供給量之流量控制器的液體原料流量控制裝置29，而連接於將液體原料氣化之氣化器30。
在原料供給單元25係儲存有液體原料28，並藉由從壓送線路27所供給之He或是Ar等之惰性氣體的壓力，來將液體原料28供給至氣化器30。
在氣化器30，係被連接有原料氣體供給管31，原料氣體供給管31係經由閥32而與原料氣體供給口4連接。
做為液體原料，舉例而言，係使用在常溫下為液體之有機金屬材料，亦即是，使用有機金屬液體原料。
或是，就算在常溫下係為固態，但是只要加熱至數十度左右便會成為液體之原料，則藉由分別設置可將原料供給單元25、液體原料供給管26以及液體原料流量控制裝置29加熱至數十度左右之加熱器，便成為可以使用。
在處理室1之外部，被設置有惰性氣體供給單元33，在惰性氣體供給單元33中，係被連接有用以將作為非反應性氣體之惰性氣體作為載體氣體而供給至氣化器30的載體氣體供給管34。
載體氣體供給管34，係經由作為控制載體氣體之流量的流量控制器之氣體流量控制裝置35，而連接於氣化器30。
氣化器30，係藉由在內部將液體原料28與載體氣體一同噴出，而提高氣化效率。
作為惰性氣體，舉例而言，係可使用Ar、He、N2 等。
在惰性氣體供給單元33中，係連接有用以將作為非反應性氣體之惰性氣體，作為洗淨氣體而供給至原料氣體供給管31的洗淨氣體供給管36。洗淨氣體供給管36，係經由作為控制洗淨氣體之流量的流量控制器之氣體流量控制裝置37，以及閥38，而與原料氣體供給管31連接。
當不將以氣化器30所氣化之原料氣體從原料氣體供給管31供給至原料氣體供給口4時，係關閉閥32，並開啟閥39，而使原料氣體流動於作為排氣管線(vent line)之原料氣體旁路(bypass)管40。
此時，開啟閥38，藉由從洗淨氣體供給管36來供給惰性氣體，而可從原料氣體供給管31之閥32將吸著於原料氣體供給口4之配管、對向電極單元5以及處理室1之表面的原料氣體去除。
在處理室1之外部，係被設置有供給第1反應氣體的第1反應氣體供給單元41，第1反應氣體供給單元41，係將第1反應氣體供給至第1反應氣體供給管42。
第1反應氣體供給管42，係經由作為控制氣體供給量之流量控制器的氣體流量控制裝置43、閥44、反應氣體供給管68，而連接於反應氣體供給口3。作為第1反應氣體，係使用不包含有氧原子之氣體。在本實施型態中，作 為第1反應氣體，係使用H2 或NH3 等之含有氫的氣體。
在惰性氣體供給單元33中，係連接有用以將作為非反應性氣體之惰性氣體，經由反應氣體供需管68而作為洗淨氣體並供給的洗淨氣體供給管45。
洗淨氣體供給管45，係經由作為控制洗淨氣體之供給流量的流量控制器之氣體流量控制裝置46以及閥47，而連接於反應氣體供給管68。
在不將第1反應氣體從第1反應氣體供給管42供給至反應氣體供給口3的情況時，係關閉閥44，並開啟閥48，而在作為排氣管線之第1反應氣體旁路管49中流入第1反應氣體。
此時，開啟閥47，藉由從洗淨氣體供給管45來供給惰性氣體，而成為可從第1反應氣體供給管42之閥44將吸著於反應氣體供給口3之配管、對向電極單元5以及處理室1之表面的第1反應氣體去除。
在處理室1之外部，係被設置有供給第2反應氣體的第2反應氣體供給單元62，第2反應氣體供給單元62，係將第2反應氣體供給至第2反應氣體供給管63。第2反應氣體供給管63，係經由作為控制氣體供給量之流量控制器的氣體流量控制裝置64、閥65、反應氣體供給管68，而連接於反應氣體供給口3。作為第2反應氣體，係使用O2 或O3 或N2 O等之包含有氧原子之氣體。
在不將第2反應氣體從第2反應氣體供給管63供給至反應氣體供給口31的情況時，係關閉閥65，並開啟閥 66，而在作為排氣管線之第2反應氣體旁路管67中流入第2反應氣體。
此時，開啟閥47，藉由從洗淨氣體供給管45來供給惰性氣體，而成為可從第2反應氣體供給管63之閥65將吸著於反應氣體供給口3之配管、對向電極單元5以及處理室1之表面的第2反應氣體去除。
在處理室1之外部，係被設置有供給清潔氣體之清潔氣體供給單元50，清潔氣體供給單元50，係將清潔氣體供給至清潔氣體供給管51。
清潔氣體供給管51，係經由作為控制氣體供給量的流量控制器之氣體流量控制裝置52以及閥53，而連接於反應氣體供給口3。
在處理室1之側壁下部，係被設置有排氣口10，在排氣口10，係經由排氣管56，而連接真空幫浦54、原料回收收集器(trap)57以及除害裝置(未圖示)。又，在排氣管56，係被設置有調整處理室1之壓力的壓力控制器55。
在處理室1之與排氣口10相反側之側面，係被設置有基板搬入搬出口59。基板搬入搬出口59，係經由作為與真空基板移載室58間之分隔閥的閘閥60而開閉，並構成為可從基板搬入搬出口59將基板2搬入搬出於處理室1。
構成基板處理裝置之各部分的動作，係藉由主控制器61而被控制。
接下來，將本發明之半導體裝置的製造方法之第1實施型態，針對使用以上之構成中的單片式處理裝置，而作為半導體裝置之製造工程的其中一個工程並在基板堆積薄膜的情況作說明。
以下，針對：作為液體原料，使用Ru(C7 H11 C7 H9 )(2,4-dimethylpentadienyl ethylcyclolpentadienyl ruthenium，以下，略稱為DER)、作為第1反應氣體(初期成膜步驟)，使用H2 、作為第2反應氣體(正式成膜步驟)，使用O2 ，並藉由ALD(Atomic Layer Deposition)法及CVD(Chemical Vapro Deposition)法，特別是藉由MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法，而在基板上形成Ru膜之情況的本發明之半導體裝置之製造方法的第1實施型態(以下，稱為第1實施型態方法)，參考圖1乃至圖3而作說明。
另外，在以下之說明中，構成基板處理裝置之各部分的動作，係藉由主控制器61而被控制。
首先，在圖3所示之基板搬入步驟中，將基板2搬入處理室1。
亦即是，若是在支持台20下降至基板搬送位置為止之狀態，將閘閥60開啟，並使基板搬入搬出口59開放，則經由未圖示之基板移載機，將基板2搬入至處理室1內。此時，支持台20係藉由升降機構而到達移載位置。在移載位置，相較於支持台20之表面，基板突起推上銷69之前端係成為在較高的位置，而被搬入之基板2，係被 移載至基板突起推上銷69之上。
在基板2被搬入處理室1內之後，關閉閘閥60。支持台20，係從移載位置起，上升至上方之基板處理位置。在此之間，基板2係被移載至承載器21上(基板載置步驟)。
若是支持台20到達基板處理位置，則在加熱器22被供給電力，而基板2係以成為特定之溫度的方式而被均勻加熱(基板升溫步驟)。
同時，處理室1，係藉由真空幫浦54而被真空排氣，並以成為特定之壓力的方式而被控制(壓力調整步驟)。
另外，在基板2之搬送時或是基板加熱時以及壓力調整時，被分別設置於洗淨氣體供給管36以及洗淨氣體供給管45之閥38以及閥47，係成為開啟狀態，而藉由惰性氣體供給單元33，恆常對處理室1流入惰性氣體。
藉由此，能夠防止粒子或金屬污染物附著在基板2上。
接下來，針對圖3所示之初期成膜步驟作說明。
基板2之溫度以及處理室1內之壓力，若是分別到達特定之處理溫度以及特定之處理壓力並成為安定，則在原料氣體供給步驟中，對處理室1內供給原料氣體，亦即是DER氣體。
亦即是，從原料供給單元25所被供給之液體的DER，係經由液體原料流量控制裝置29而被作流量控制，並與從惰性氣體供給單元33所供給而經由氣體流量 控制裝置35被控制流量之載體氣體，共同被供給至氣化器30並被氣化。
此時，被氣化之DER氣體，係在關閉閥32，而開啟閥39的狀態下，流入至原料氣體旁路管40。若是DER之氣化量變為安定，則閥39係被關閉，閥32係被開啟，而被氣化之DER氣體係通過原料氣體供給管31，並被導入至處理室1內，而被導至蓮蓬頭12上，並分散至多數之蓮蓬孔8，而以均勻之濃度被供給至基板2上。
在進行了特定時間之DER氣體的供給後，於原料氣體洗淨步驟中，在將閥32關閉並停止對基板2的DER氣體之供應的同時，將閥38開啟，而將作為洗淨氣體之惰性氣體通過原料氣體供給管31，導入至處理室1內。
藉由此，原料氣體供給管31以及處理室1係藉由惰性氣體而被洗淨，並將殘留之氣體除去。
另外，此時，係以將設置在原料氣體旁路管40之閥39開啟，並將DER氣體以藉由原料氣體旁路管40而旁通(bypass)過處理室1的方式來排氣，而使從氣化器30而來之DER氣體不會停止的方式為理想。
由於從將DER氣化，直到將氣化之DER氣體安定地作供給為止，係需要耗費時間，因此若是不使從氣化器30而來之DER氣體之供給停止，而使其旁通(bypass)過處理室1，則在接下來的原料氣體供給步驟中，只要切換流路，即可立刻將DER氣體安定地供給至基板2。
但是，當直到下一個原料氣體供給步驟的時間係為較 長時，由於會成為將原料無謂的捨棄，因此，亦有期望細心地將氣化器之氣化動作停止，而防止液體原料之無謂的使用的情況。
此時，係將設置在原料氣體旁路管40之閥39開啟，並將DER氣體藉由原料氣體旁路管40而旁通(bypass)過處理室1的方式來排氣後，關閉氣化器30內之閥(未圖示)，而成為只流入載體氣體的狀態。此係為所謂的原料消耗節約型原料洗淨步驟。
在接下來的原料氣體供給步驟中，為了成為僅切換流路便可立即將DER氣體安定地供給至基板2，係在後述之反應氣體洗淨步驟中，以僅使載體氣體旁通過處理室1的狀態下，開啟氣化器30內之閥，而使氣化狀態成為安定化。
在進行特定時間之處理室1的洗淨後，在第1反應氣體供給步驟中，作為第1反應氣體，將H2 供給至處理室1內。
亦即是，從開啟閥48，並關閉閥44的狀態起(第1反應氣體係旁通過處理室1的狀態)，關閉閥48，並開啟閥44，而通過反應氣體供給管68，將H2 供給至處理室1內，並導至蓮蓬頭12上，分散至多數的蓮蓬孔8。
在H2 以均勻之濃度而被供給至對向電極單元5上之後，在對向電極6與對向電極7之間被施加高頻，而激發電漿。H2 在此階段，係做為原子狀之氫元素或氫離子等的活性種而被供給至基板2上。
又，所施加之高頻輸出，係藉由高頻電源單元13而被控制在最適當的輸出。
在進行了特定時間之做為反應氣體的H2 之供給後，於第1反應氣體洗淨步驟中，在將閥44關閉並停止對基板2的H2 之供應的同時，將閥47開啟，而將作為洗淨氣體之惰性氣體通過原料氣體供給管68，導入至處理室1內。
藉由此，反應氣體供給管68以及處理室1係藉由惰性氣體而被洗淨，並將殘留之氣體除去。
另外，此時，係以將設置在反應氣體旁路管49之閥48開啟，並將反應氣體以藉由氣體旁路管49而旁通(bypass)過處理室1的方式來排氣，而使從氣體流量控制裝置43而來之H2 的流量不會成為0的方式為理想。
由於使H2 之流量從0起直到安定化為特定流量為止，係需要耗費時間，因此若是不使從第1反應氣體供給單元41而來之H2 之供給停止，而使其旁通(bypass)過處理室1，則在接下來的反應氣體供給步驟中，只要切換流路，即可立刻將H2 安定地供給至基板2。
在第1反應氣體洗淨步驟中，由於係如前述所示，設定為在接下來的原料氣體供給步驟中，僅需切換流路，即可立即將原料氣體安定地供給到基板2，因此，在第1反應氣體洗淨步驟之結束時間前的數秒~十數秒前，在僅使從載體氣體供給管而來之載體氣體旁通過處理室1的狀態下，打開氣化器30內之閥，而在氣化器內流入DER，開 始氣化，並使氣化狀態安定。
此係因為，為了使氣化器30之氣化狀態安定化，乃需要數~數十秒之故。
在進行了特定時間之處理室1的洗淨以後，將閥39關閉，將閥32開啟，於是預先以被安定地氣化為特定流量之方式所準備的DER氣體，係通過原料氣體供給管31，而被導入至處理室1，進行原料氣體供給步驟。
如圖3所示一般，在初期成膜步驟中，如以上所述，藉由將原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟、第1反應氣體供給步驟、第1反應氣體洗淨步驟作為1個循環，並將此循環重複複數次而進行循環處理，可在基板2上形成特定膜厚之薄膜。
接下來，針對在初期成膜步驟中藉由ALD法所成膜之Ru膜上，藉由CVD來成膜Ru膜之正式成膜步驟作說明。
在正式成膜步驟中，係藉由CVD法來實施成膜。
從原料供給單元25所被供給之液體的DER，係經由液體原料流量控制裝置29而被作流量控制，並與從惰性氣體供給單元33所供給而經由氣體流量控制裝置35被控制流量之載體氣體，共同被供給至氣化器30並被氣化。
此時，被氣化之DER氣體，係在閥32關閉，而閥39開啟的狀態下，流動在原料氣體旁路管40之中，但若是氣化量成為安定，則閥39係被關閉，閥32係被開啟，而被氣化之DER氣體係通過原料氣體供給管31，被導入至 處理室1內，而被導至蓮蓬頭12上，並分散至多數之蓮蓬孔8，而被供給至基板2上。
同樣地，作為第2反應氣體之O2 ，係與DER氣體同時被作供給。
亦即是，從閥66被開啟，而閥65被關閉的狀態起，將閥66關閉，而將閥65開啟。通過反應氣體供給管68，O2 係被供給至處理室1，並被導至蓮蓬頭12上，分散於多述之蓮蓬孔8，而被供給至基板2上。
藉由被供給至基板2之DER氣體與O2 之反應，而形成Ru膜。
此時，在對向電極單元5係並不被施加有高頻。
藉由控制DER氣體以及O2 之供給時間，能在基板2上形成特定膜厚之薄膜。
在結束對基板2之薄膜成膜處理後，在圖3所示之基板搬出步驟中，結束處理之基板2係以與基板搬入步驟相反的操作順序，被搬出至處理室1外。
另外，在前述之第1實施形態方法中，雖係針對在正式成膜步驟中以CVD法來進行的情況作說明，但是正式成膜步驟，係亦可和初期成膜步驟相同地以ALD法來進行。
以下，參考圖4，針對本發明之半導體裝置之製造方法的第2實施形態(以下，稱為第2實施形態方法)作說明。此第2實施形態方法，其初期成膜步驟係為和前述之第1實施形態方法相同，藉由ALD法來實施，而在正式 成膜步驟中，係藉由ALD法來實施。
另外，由於初期成膜步驟係為和第1實施形態方法相同，故省略其說明。
又，正式成膜步驟，由於係相當於將在第1實施形態方法中之初期成膜步驟裡作為反應氣體而使用的H2 以O2 來代替的情況，因此在此省略除了反應氣體供給步驟以外之步驟的說明，而僅進行反應氣體供給步驟的說明。
如圖4所示一般，在初期成膜步驟結束後之正式成膜步驟中，在進行了原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟之後，在第2反應氣體供給步驟中，將O2 作為第2反應氣體而供給至處理室1內。
亦即是，從閥66被開啟，而閥65被關閉的狀態起，將閥66關閉，而將閥65開啟。通過反應氣體供給管68，O2 係被供給至處理室1，並被導至蓮蓬頭12上，分散於多述之蓮蓬孔8。
在O2 以均勻之濃度而被供給至對向電極單元5上之後，在對向電極6與對向電極7之間被施加高頻，而激發電漿。O2 在此階段，係做為原子狀之氧元素或氧離子等的活性種而被供給至基板2上。
另外，在對向電極6與對向電極7之間所施加之高頻輸出，係藉由高頻電源單元13而被控制為成為與初期成膜步驟相異之最適當的輸出。
被施加在對向電極6與對向電極7之間的高頻輸出，舉例而言。在初期成膜步驟中係為100W，在正式成膜步 驟中係為150W。
又，舉例而言，被施加在對向電極6與對向電極7之間的高頻輸出，亦可為在初期成膜步驟中係為150W，而在正式成膜步驟中係為100W。
總而言之，只要配合初期成膜步驟以及正式成膜步驟之各別的目的，而控制使其成為最適當的輸出即可。
在第2反應氣體供給步驟後，係進行第2反應氣體洗淨步驟。
如圖4所示一般，在第2實施形態方法之正式成膜步驟中，如以上所述，藉由將原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟、第2反應氣體供給步驟、第2反應氣體洗淨步驟作為1個循環，並將此循環重複複數次而進行循環處理，可在以初期成膜步驟而於基板2上所形成之Ru膜上，形成特定膜厚之Ru膜。
另外，在第1實施形態方法以及第2實施形態方法之中，作為藉由ALD法而進行初期成膜步驟時的處理條件，係例示有：處理溫度：200~350℃，處理壓力：10~400Pa，DER流量：0.01~0.2g/min，H2 流量：100~2000sccm，在對向電極間所施加之高頻輸出：10~500W，在1個循環內之各步驟的時間：1~10秒。
在第1實施形態方法之中，作為藉由CVD法而進行正式成膜步驟時的處理條件，係例示有：處理溫度：200~350℃，處理壓力：10~400Pa，DER流量：0.01~0.2g/min，O2 流量：100~2000sccm。
在第2實施形態方法之中，作為藉由ALD法而進行正式成膜步驟時的處理條件，係例示有：處理溫度：200~350℃，處理壓力：10~400Pa，DER流量：0.01~0.2g/min，O2 流量：100~2000sccm，在對向電極間所施加之高頻輸出：0~500W，在1個循環內之各步驟的時間：1~10秒。
在初期成膜步驟中所成膜之膜厚，係例示有：1~5nm，在正式成膜步驟中所成膜之膜厚，係例示有：5~50nm。
另外，初期成膜步驟以及正式成膜步驟，從生產性或成本的觀點來看，係以在相同之處理室內，以相同之溫度來連續地進行為理想。
在本發明中所使用之第1反應氣體，雖係因應於用途而可從各種之種類中作適當選擇，但是係例示有：H2 、N2 、NH3 、He、Ne、Ar、Kr、Xe。
在本發明中所形成之膜，雖可因應用途而從各種之種類中作適當選擇，但是係例示有Ru、Ir、Pt、Ti、Hf、Zr、Ta、W等的各種金屬。
圖5係為展示本發明之基板處理裝置的第2實施形態之單片式處理裝置的概略圖。
本第2實施形態之單片式處理裝置(圖5)與前述之第1實施形態的單片式處理裝置(圖1)之相異處，係為對向電極單元5被廢除，而取代此，在支持台20設置有RF電極70之點。亦即是，本第2實施形態之單片式處理 裝置，與前述第1實施形態之單片式處理裝置，其電漿產生機構之構成係為相異。
在第2實施形態之單片式處理裝置(以下，稱為第2實施形態裝置)中，在支持台20上，和加熱器22相同，係埋藏有RF電極70，在此RF電極70，係連接有RF匹配盒71、匹配控制器72、RF電源(RF產生器)73。在流入有第1反應氣體或第2反應氣體的狀態下，藉由在RF電極70施加RF電力，在晶圓上產生電漿。
就算是經由以上構成之第2實施形態裝置，亦可與第1實施形態方法以及第2實施形態方法實施相同的初期成膜步驟以及正式成膜步驟。
接下來，將本發明之半導體裝置的製造方法之第3實施型態(以下，稱為第3實施形態方法)，針對使用以上之構成中的第2實施形態裝置，而作為半導體裝置之製造工程的其中一個工程並在基板堆積薄膜的情況作說明。
第3實施形態方法與前述第2實施形態方法之相異點，係為將反應氣體供給步驟，分開為以反應氣體而使處理室1內氣體環境成為均一的步驟，和在以反應氣體而使處理室1內氣體環境成為均一的狀態下，對RF電極70施加RF電力，而使電漿產生的步驟的2階段。亦即是，第3實施形態方法，係在於施加RF而使電漿產生的步驟(事件)之前，設置有反應氣體預洗淨步驟(事件)之點，為和第2實施形態方法不同。
本發明者們，係發現了：產生電漿時之匹配條件，係 為隨處理室1內之氣體環境(溫度、壓力、導入氣體)而改變，亦即是，由於溫度、壓力、以及所導入之氣體種，會使得在電漿產生時之匹配條件產生變化，而會使期望外的電漿被供給至基板上，而會有造成膜厚之均勻性或膜之附著惡化的情況。
例如，當使用氨(NH3 )作為反應氣體而使用時，若是在供給氨的同時施加RF，則會有在產生電漿時之匹配條件成為不安定的情況。
相對於此，本發明者們，係發現了：在施加RF而使電漿產生的步驟(事件)之前，若是設置反應氣體預洗淨步驟(事件)，並在以反應氣體而使處理室1內成為均一之後，再施加RF，則成為可安定地供給電漿，並能緩和膜厚均勻性或膜之附著性的惡化。
第3實施形態方法，係基於本發明者們所發現的此知識者。
以下，針對將第3實施形態方法之成膜工程，使用圖5所示之第2實施形態裝置並依循圖6所示之流程圖而實施的情況作具體說明。
另外，在第3實施形態方法中，在初期成膜步驟中，作為第1反應氣體係使用NH3 氣體。
在圖6所示之流程圖的初期成膜步驟中，在進行了原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟之後，在第1反應氣體供給步驟中，將NH3 作為第1反應氣體而供給至處理室1內。
亦即是，於圖5所示之第2實施形態裝置中，從開啟閥48，並關閉閥44的狀態起(第1反應氣體係旁通過處理室1的狀態)，關閉閥48，並開啟閥44，而通過反應氣體供給管68，將NH3 供給至處理室1內，並導至蓮蓬頭12上，分散至多數的蓮蓬孔8。
藉由將NH3 之供給持續特定時間，處理室1內之氣體環境係以NH3 而成為均一，並成為均勻的濃度(第1反應氣體均一化步驟)。
在此狀態下，藉由對RF電極70施加高頻電力(RF電力)，NH3 係被電漿激發。NH3 在此階段，係做為原子狀之氫元素或氫離子等的活性種而被供給至基板2上。又，所施加之RF，係藉由高頻電源單元13而被控制在最適當的輸出(第1反應氣體均一下施加RF步驟)。
在第1反應氣體供給步驟後，係停止對RF電極70之高頻施加，而進行第1反應氣體洗淨步驟。
如以上所示，藉由將原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟、以第1反應氣體來使處理室1內氣體環境成為均一的步驟(第1反應氣體供給步驟之第1階段)、在將處理室1內以第1反應氣體而使其成為均一的狀態下，施加RF而使電漿產生的步驟(第1反應氣體供給步驟之第2階段)、以及第1反應氣體洗淨步驟作為1個循環，並將此循環重複複數次進行循環處理，而能在基板2上形成特定膜厚之Ru膜。
在第3實施形態方法中，在正式成膜步驟中之第2反 應氣體供給步驟，係亦和初期成膜步驟同樣地進行。
亦即是，在正式成膜步驟中，係在進行了原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟之後，在第2反應氣體供給步驟中，將O2 作為第2反應氣體而供給至處理室1內。
亦即是，從閥66被開啟，而閥65被關閉的狀態起，將閥66關閉，而將閥65開啟。通過反應氣體供給管68，O2 係被供給至處理室1，並被導至蓮蓬頭12上，分散於多述之蓮蓬孔8。
藉由將O2 之供給持續特定時間，處理室1內之氣體環境係以O2 而成為均一，並成為均勻的濃度(第2反應氣體均一化步驟)。
在此狀態下，藉由對RF電極70施加高頻電力(RF電力)，O2 係被電漿激發。O2 在此階段，係做為原子狀之氧元素或氧離子等的活性種而被供給至基板2上(第2反應氣體均一下施加RF步驟)。
在第2反應氣體供給步驟後，係停止對RF電極70之高頻施加，而進行第2反應氣體洗淨步驟。
如以上所示，藉由將原料氣體供給步驟、原料氣體洗淨步驟、以第2反應氣體來使處理室內氣體環境成為均一的步驟(第2反應氣體供給步驟之第1階段)、在將處理室內以第2反應氣體而使其成為均一的狀態下，施加RF而使電漿產生的步驟(第2反應氣體供給步驟之第2階段)、以及第2反應氣體洗淨步驟作為1個循環，並將此循環重複複數次進行循環處理，而能在基板2上形成特定 膜厚之Ru膜。
若藉由第3實施形態方法，則由於係將反應氣體供給步驟，分開為：以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一之步驟，和在其後，在以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一的狀態之下，施加RF而使電漿產生的步驟之兩個階段，故成為能將電漿作安定的供給，而能緩和膜厚均勻性或是膜附著性的惡化。
另外，在第3實施形態方法中，雖係針對在初期成膜步驟以及正式成膜步驟的兩個步驟中，將反應氣體供給步驟，分開為：以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一之步驟，和在其後，在以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一的狀態之下，施加RF而使電漿產生的步驟之兩個階段的例子作說明，但是亦可在初期成膜步驟以及正式成膜步驟之中，僅將任一方之步驟的反應氣體供給步驟設為2階段。
例如，亦可僅在將NH3 作為反應氣體而供給之初期成膜步驟，將反應氣體供給步驟分開為兩階段。
又，亦可將第3實施形態方法之手法適用於第1實施形態方法。亦即是，亦可將第1實施形態方法中之初期成膜步驟的反應氣體供給步驟，分開為：以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一之步驟，和在其後，在以反應氣體而使處理室內氣體環境成為均一的狀態之下，施加RF而使電漿產生的步驟之兩個階段。
但是，在初期成膜步驟中，作為反應氣體，若是使用 O2 等之含有氧原子(O)的氣體，則會有在形成薄膜時之基底被氧化的情況。
例如，當成膜之基底係為阻障金屬層等時，若是在初期成膜步驟中作為反應氣體而使用包含有O2 等之氧原子(O)的氣體，則基底之阻障金屬層膜(例如，TiN)被氧化，而形成絕緣膜(TiO2)並使接觸電阻變高，而產生裝置特性惡化的問題。
相對於此，若藉由本發明，則在初期成膜步驟中，作為反應氣體，由於係為使用H2 或NH3 等之不含有氧原子的氣體，因此不會有基底之阻障金屬層膜被氧化的情況。
又，正式成膜步驟，由於係在基底之阻障金屬層膜被初期成膜步驟中所形成的膜所覆蓋之狀態下進行，因此就算是使用O2 等之包含有氧原子的氣體，亦不會有基底之阻障金屬層膜被氧化的情況。
如此這般，若藉由本發明，則能不使基底氧化而成膜。
接下來，使用圖7，針對在半導體裝置之其中一例的DRAM之製造方法中，於形成電容器之工程，使用有本發明之實施形態，亦即是，在形成DRAM之電容器的下部電極膜以及上部電極膜的工程中，適用有本發明之實施形態作說明。
圖7係為展示包含有下部電極膜以及上部電極膜之DRAM電容器的一部份之剖面圖。
首先，在矽製之基板2上，形成由SiO2 等之絕緣體 所成的層間絕緣膜80。
而後，以貫通層間絕緣膜80的方式，開口接觸孔87。
接下來，在所開口之接觸孔87的內部，形成用以與矽基板2連接的接觸插塞81。作為接觸插塞81之材料，係例示有鎢(W)等。
接下來，以將接觸插塞81之上部空間埋起的方式，形成阻障金屬層膜82。作為阻障金屬層膜82之材料，係例示有TiN或TaN等。
另外，阻障金屬層膜82係為用以防止構成電極之材料又或是氧化劑擴散至接觸插塞81。
接下來，在層間絕緣膜80上以及阻障金屬層膜82上之全面，形成層間絕緣膜83。
而後，以貫通層間絕緣膜83的方式，開口接觸孔88。
接下來，藉由適用前述之第1實施形態方法、第2實施形態方法以及第3實施形態方法中之任一的成膜法，而在接觸孔88內與層間絕緣膜83之上的全面，形成由Ru膜等所成的下部電極膜84。
接下來，一面使接觸孔88內之下部電極膜84殘留，一面除去層間絕緣膜83上之下部電極膜84。
而後，將使其殘留之接觸孔88內的下部電極膜84之內部蝕刻，而將下部電極膜84之形狀作為圓筒狀。
接下來，在下部電極膜84上以及層間絕緣膜83上之 全面，形成電容絕緣膜85。作為電容絕緣膜85之材料，係例示有Ta2 O5 或Al2 O3 或ZrO2 等。
最後，藉由適用前述之第1實施形態方法、第2實施形態方法以及第3實施形態方法中之任一的成膜法，而在電容絕緣膜85之上的全面，形成由Ru膜等所成的上部電極膜86，而結束如圖7所示之DRAM電容器的製造。
另外，亦可將前述之第1實施形態方法、第2實施形態方法以及第3實施形態方法中之任一的成膜法，僅適用於形成DRAM電容器之下部電極膜84的情況，而在形成上部電極膜86時，則使用僅進行第1實施形態方法、第2實施形態方法以及第3實施形態方法中之任一中的正式成膜步驟之成膜法(省略初期成膜步驟之成膜法)，亦即是，利用使用包含有氧原子之反應氣體的成膜法。
舉例而言，針對上部電極膜86，係可使用將原料氣體與包含有氧原子之反應氣體同時作供給的熱CVD法，亦可使用將原料氣體與包含有氧原子之反應氣體交互作供給的ALD法。
此即是說，因為在形成DRAM電容器之上部電極膜86時的基底係為絕緣膜，因此就算是使用包含有氧原子之反應氣體，亦不會造成問題。
相對於此，當在形成下部電極膜84時之基底係為阻障金屬層膜82，而使用包含有氧原子之反應氣體的情況時，則作為基底之阻障金屬層膜82會被氧化，而使接觸電阻增大，而成為產生裝置特性惡化的問題。
因此，針對形成下部電極膜84時，如前所述之本發明的第1實施形態方法、第2實施形態方法以及第3實施形態方法之任一者的成膜法，係成為最適當之實施形態。
若是將用以解決前述課題之手段之中具代表性者作一整理並展示，則係如下所述。
(1)一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和初期成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給不包含有氧原子的第1反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給包含有氧原子的第2反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
(2)在前述(1)之半導體裝置之製造方法中，前述第1反應氣體，係為包含有氫原子之氣體。
(3)在前述(1)之半導體裝置之製造方法中，前述第1反應氣體，係為H2 又或是NH3 ，前述第2反應氣體，係為O2 。
(4)在前述(1)之半導體裝置之製造方法中，前述第1反應氣體以及前述第2反應氣體，係為在被供給至前述處理室內之後，先以電漿來活性化以後，再對基板作供給。
(5)在前述(1)之半導體裝置之製造方法中，前述第1反應氣體以及前述第2反應氣體，係在被供給至前述處理室內後，先以藉由對被設置在前述處理室內之RF電極施加RF電力所產生之電漿來活性化之後，再對基板作供給，而前述施加於RF電極之RF電力的值，在供給前述第1反應氣體時，以及供給前述第2反應氣體時，係分別為相異。
(6)在前述(1)之半導體裝置之製造方法中，供給前述第1反應氣體之步驟，係具備有：將前述第1反應氣體供給至前述處理室內，並將前述處理室內，以前述第1反應氣體來使其成為均一的步驟；和在將前述處理室內以前述第1反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之RF電極，施加RF電力而使其產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板做供給的步驟。
(7)在前述(6)之半導體裝置之製造方法中，供給前述第2反應氣體之步驟，係具備有：將前述第2反應氣體供給至前述處理室內，並將前述處理室內，以前述第2反應氣體來使其成為均一的步驟；和在將前述處理室內以前述第2反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於 前述處理室內之前述RF電極，施加RF電力而使其產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第2反應氣體對基板作供給的步驟。
(8)一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和初期成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體之步驟，以及於前述處理室內供給不包含有氧原子的第1反應氣體，並將前述處理室內，以前述第1反應氣體來使其成為均一之步驟，和在將前述處理室內以前述第1反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之RF電極，施加RF電力以產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板作供給之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體之步驟，以及於前述處理室內供給包含有氧原子的第2反應氣體，並將前述處理室內，以前述第2反應氣體來使其成為均一之步驟，和在將前述處理室內以前述第2反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之前述RF電極，施加RF電力以產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第2反應氣體對基板作供給之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在於前述初期成膜步驟中所形成於基板上的薄膜之上，形成所期望膜厚之薄膜；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
(9)一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和將：於前述處理室內供給原料氣體之步驟，以及於前述處理室內供給反應氣體，並將前述處理室內，以前述反應氣體來使其成為均一之步驟，和在將前述處理室內以前述反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之RF電極，施加RF電力以產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述反應氣體對基板作供給之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜的步驟；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
(10)一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理室，其係將基板作處理；和原料氣體供給線路，其係於前述處理室內供給原料氣體；和第1反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給不含有氧原子之第1反應氣體；和第2反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給包含有氧原子之第2反應氣體；和排氣線路，其係將前述處理室內作排氣；和控制器，其係以在將對前述處理室內之前述原料氣體的供給、及對前述處理室內之前述第1反應氣體的供給作為1個循環，並將此循環重複複數次以後，將對前述處理室內之前述原料氣體的供給、及對前述處理室內之前述第2反應氣體的供給作為1個循環，並將此循環重複複數次的方式來作控制。
(11)一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理 室，其係將基板作處理；和原料氣體供給線路，其係於前述處理室內供給原料氣體；和第1反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給不含有氧原子之第1反應氣體；和第2反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給包含有氧原子之第2反應氣體；和RF電極，其係被設置於前述處理室內，用以產生電漿者；和RF電源，其係對前述RF電極施加RF電力；和排氣線路，其係將前述處理室內作排氣；和控制器，其係以：對前述處理室內供給前述原料氣體、之後對前述處理室內供給前述第1反應氣體，而將前述處理室內以前述第1反應氣體使其成為均一，並在此狀態下，對前述RF電極施加RF電力來使電漿產生，而將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板作供給，而在將此些作為1個循環，並將此循環重複複數次以後，對前述處理室內供給前述原料氣體、之後對前述處理室內供給前述第2反應氣體，而將前述處理室內以前述第2反應氣體使其成為均一，並在此狀態下，對前述RF電極施加RF電力來使電漿產生，而將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板作供給，而將此些作為1個循環，並將此循環重複複數次的方式，來作控制。
(12)一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理室，其係將基板作處理；和原料氣體供給線路，其係於前述處理室內供給原料氣體；和反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給反應氣體；和RF電極，其係被設置於前述處理室內，用以產生電漿者；和RF電源，其係對前 述RF電極施加RF電力；和排氣線路，其係將前述處理室內作排氣；和控制器，其係以在將對前述處理室內供給前述原料氣體、而後對前述處理室內供給前述反應氣體並以前述反應氣體來使前述處理室內成為均一，並在此狀態下，對前述RF電極施加RF電力來使電漿產生，而將以此電漿所活性化之前述反應氣體對基板作供給，並將此些作為1個循環，而以將此循環重複複數次的方式來作控制。
1‧‧‧處理室
2‧‧‧基板
6‧‧‧電極
7‧‧‧電極
31‧‧‧原料氣體供給管
42‧‧‧第1反應氣體供給管
56‧‧‧排氣管
61‧‧‧主控制器
63‧‧‧第2反應氣體供給管
68‧‧‧反應氣體供給管
70‧‧‧RF電極
〔圖1〕展示本發明之基板處理裝置的第1實施型態之組裝有直接式電漿單元的單片式處理裝置的概略圖。
〔圖2〕展示此直接式電漿單元的平面圖。
〔圖3〕展示本發明之半導體裝置的製造方法之第1實施型態的IC之製造方法的成膜工程之流程圖。
〔圖4〕展示本發明之半導體裝置的製造方法之第2實施型態的IC之製造方法的成膜工程之流程圖。
〔圖5〕展示本發明之基板處理裝置的第2實施型態之RF電極組入式的單片式處理裝置的概略圖。
〔圖6〕展示本發明之半導體裝置的製造方法之第3實施型態的IC之製造方法的成膜工程之流程圖。
〔圖7〕展示包含有下部電極膜以及上部電極膜之DRAM電容器的一部份之剖面圖。

Claims (14)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和初期成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給不包含有氧原子的第1反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體並使其吸著於基板上之步驟，以及於前述處理室內供給包含有氧原子的第2反應氣體，並使其與吸著於基板上之前述原料氣體反應，而在基板上生成薄膜之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述第1反應氣體，係為包含有氫原子之氣體。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述第1反應氣體，係為H2 又或是NH3 ， 前述第2反應氣體，係為O2 。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述第1反應氣體以及前述第2反應氣體，係為在被供給至前述處理室內之後，先以電漿來活性化以後，再對基板作供給。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述第1反應氣體以及前述第2反應氣體，係在被供給至前述處理室內後，先以藉由對被設置在前述處理室內之RF電極施加RF電力所產生之電漿來活性化之後，再對基板作供給，而前述施加於RF電極之RF電力的值，在供給前述第1反應氣體時，以及供給前述第2反應氣體時，係分別為相異。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，供給前述第1反應氣體之步驟，係具備有：將前述第1反應氣體供給至前述處理室內，並將前述處理室內，以前述第1反應氣體來使其成為均一的步驟；和在將前述處理室內以前述第1反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之RF電極，施加RF電力而使其產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板做供給的步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，供給前述第2反應氣體之步驟，係具備有：將前述第2反應氣體供給至前述處理室內，並將前述 處理室內，以前述第2反應氣體來使其成為均一的步驟；和在將前述處理室內以前述第2反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之前述RF電極，施加RF電力而使其產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第2反應氣體對基板作供給的步驟。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入處理室內的步驟；和初期成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體之步驟，以及於前述處理室內供給不包含有氧原子的第1反應氣體，並將前述處理室內，以前述第1反應氣體來使其成為均一之步驟，和在將前述處理室內以前述第1反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之RF電極，施加RF電力以產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板作供給之步驟，作為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在基板上形成所期望膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將：於前述處理室內供給原料氣體之步驟，以及於前述處理室內供給包含有氧原子的第2反應氣體，並將前述處理室內，以前述第2反應氣體來使其成為均一之步驟，和在將前述處理室內以前述第2反應氣體來使其成為均一的狀態下，對被設置於前述處理室內之前述RF電極，施加RF電力以產生電漿，並將以此電漿所活性化之前述第2反應氣體對基板作供給之步驟，作 為1個循環，並將此循環重複進行複數次，以在於前述初期成膜步驟中所形成於基板上的薄膜之上，形成所期望膜厚之薄膜；和將形成有所期望膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內搬出的步驟。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理室，其係將基板作處理；和原料氣體供給線路，其係於前述處理室內供給原料氣體；和第1反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給不含有氧原子之第1反應氣體；和第2反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給包含有氧原子之第2反應氣體；和排氣線路，其係將前述處理室內作排氣；和控制器，其係以在將對前述處理室內之前述原料氣體的供給、及對前述處理室內之前述第1反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行後，將對前述處理室內之前述原料氣體的供給、及對前述處理室內之前述第2反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行，而在基板上形成所期望的膜厚之薄膜的方式，來作控制。
  10. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備有：處理室，其係將基板作處理；和原料氣體供給線路，其係於前述處理室內供給原料氣體；和 第1反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給不含有氧原子之第1反應氣體；和第2反應氣體供給線路，其係於前述處理室內供給包含有氧原子之第2反應氣體；和RF電極，其係被設置於前述處理室內，用以產生電漿者；和RF電源，其係對前述RF電極施加RF電力；和排氣線路，其係將前述處理室內作排氣；和控制器，其係以：對前述處理室內供給前述原料氣體、之後對前述處理室內供給前述第1反應氣體，而將前述處理室內以前述第1反應氣體使其成為均一，並在此狀態下，對前述RF電極施加RF電力來使電漿產生，而將以此電漿所活性化之前述第1反應氣體對基板作供給，而將此些步驟作為1個循環，並將此循環重複複數次以後，對前述處理室內供給前述原料氣體、之後對前述處理室內供給前述第2反應氣體，而將前述處理室內以前述第2反應氣體使其成為均一，並在此狀態下，對前述RF電極施加RF電力來使電漿產生，而將以此電漿所活性化之前述第2反應氣體對基板作供給，而將此些作為1個循環，並將此循環重複複數次的方式，來作控制。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入至處理室內之步驟：和以在將對前述處理室內之原料氣體的供給、及對前述 處理室內之不包含氧原子之第1反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行後，將對前述處理室內之原料氣體的供給、及對前述處理室內之包含氧原子之第2反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行，而在基板上形成所期望的膜厚之薄膜之步驟；和將被形成了所期望的膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內而搬出之步驟。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為，具備有：將基板搬入至處理室內之步驟：和初期成膜步驟，其係將對前述處理室內供給原料氣體之步驟、及對前述處理室內供給不包含氧原子之第1反應氣體之步驟，交互地作複數次反覆進行，而在基板上形成所期望的膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將對前述處理室內供給原料氣體之步驟、及對前述處理室內供給包含氧原子之第2反應氣體之步驟，交互地作複數次反覆進行，而在藉由前述初期成膜步驟所形成於基板上之薄膜上，形成所期望的膜厚之薄膜；和將被形成了所期望的膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內而搬出之步驟。
  13. 一種基板處理方法，其特徵為，具備有：將基板搬入至處理室內之步驟：和以在將對前述處理室內之原料氣體的供給、及對前述 處理室內之不包含氧原子之第1反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行後，將對前述處理室內之原料氣體的供給、及對前述處理室內之包含氧原子之第2反應氣體的供給，交互地作複數次反覆進行，而在基板上形成所期望的膜厚之薄膜之步驟；和將被形成了所期望的膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內而搬出之步驟。
  14. 一種基板處理方法，其特徵為，具備有：將基板搬入至處理室內之步驟：和初期成膜步驟，其係將對前述處理室內供給原料氣體之步驟、及對前述處理室內供給不包含氧原子之第1反應氣體之步驟，交互地作複數次反覆進行，而在基板上形成所期望的膜厚之薄膜；和正式成膜步驟，其係將對前述處理室內供給原料氣體之步驟、及對前述處理室內供給包含氧原子之第2反應氣體之步驟，交互地作複數次反覆進行，而在藉由前述初期成膜步驟所形成於基板上之薄膜上，形成所期望的膜厚之薄膜；和將被形成了所期望的膜厚之薄膜後的基板，從前述處理室內而搬出之步驟。
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Families Citing this family (335)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US8025922B2 (en) 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
JP5372353B2 (ja) * 2007-09-25 2013-12-18 株式会社フジキン 半導体製造装置用ガス供給装置
US7751362B2 (en) * 2007-10-19 2010-07-06 Rebelvox Llc Graceful degradation for voice communication services over wired and wireless networks
WO2010001849A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 シャープ株式会社 真空処理装置及びガス供給方法
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5549848B2 (ja) * 2008-12-25 2014-07-16 東ソー株式会社 ルテニウム化合物、その製法及びそれを用いた成膜法
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP2010267925A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5774822B2 (ja) * 2009-05-25 2015-09-09 株式会社日立国際電気 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5723678B2 (ja) * 2011-05-31 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス供給方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9428835B2 (en) 2011-10-07 2016-08-30 Gas-Phase Growth Ltd. Cobalt base film-forming method, cobalt base film-forming material, and novel compound
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
EP3062117B1 (en) * 2013-06-14 2018-03-28 Rasco GmbH Method of contacting integrated circuit components in a test system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
JP5764228B1 (ja) * 2014-03-18 2015-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6294151B2 (ja) 2014-05-12 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
KR20160012302A (ko) * 2014-07-23 2016-02-03 삼성전자주식회사 기판 제조 방법 및 그에 사용되는 기판 제조 장치
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102234630B1 (ko) * 2017-02-21 2021-04-01 가부시키가이샤 아루박 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
JP7094154B2 (ja) 2018-06-13 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20210016478A (ko) * 2018-06-29 2021-02-15 램 리써치 코포레이션 웨이퍼들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10725484B2 (en) * 2018-09-07 2020-07-28 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse gas delivery using an external pressure trigger
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
FI129501B (en) 2019-04-25 2022-03-31 Beneq Oy Gas distribution unit in connection with the ALD reactor
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
TWI837391B (zh) 2019-06-26 2024-04-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP6937806B2 (ja) * 2019-09-25 2021-09-22 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、及び半導体の製造方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP7436253B2 (ja) * 2020-03-23 2024-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050037154A1 (en) * 2001-11-08 2005-02-17 Koh Won Yong Method for forming thin film

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237756A (en) * 1990-08-28 1993-08-24 Materials Research Corporation Method and apparatus for reducing particulate contamination
KR100805843B1 (ko) * 2001-12-28 2008-02-21 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 구리 배선 형성방법, 그에 따라 제조된 반도체 소자 및구리 배선 형성 시스템
JP2003253444A (ja) * 2002-03-04 2003-09-10 Kojundo Chem Lab Co Ltd 化学気相成長法による銅配線薄膜の製造方法およびその原料溶液
US6863021B2 (en) * 2002-11-14 2005-03-08 Genus, Inc. Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (GMDS) with atomic layer deposition (ALD)
US20060177601A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Hyung-Sang Park Method of forming a ruthenium thin film using a plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and the method thereof
US8486845B2 (en) * 2005-03-21 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7314835B2 (en) * 2005-03-21 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US20060210723A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-21 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7435454B2 (en) * 2005-03-21 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050037154A1 (en) * 2001-11-08 2005-02-17 Koh Won Yong Method for forming thin film

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2007058120A1 (ja) 2009-04-30
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