TWI351730B - - Google Patents

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1351730 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體積體電路之製造技術，特別是 關於一種有效適用於於精細間距内配置有多個電極焊塾之 半導體積體電路之電性檢測的技術。 【先前技術】 例如，如日本專利特許公開2002_14137號公報所揭示， 有一種技術，其於具有突起電極之半導體裝置之通電試驗 中，使用含有向半導體裝置突出之複數個角錐狀接點的半 導體裝置檢測裝置，藉由使一個突起電極與一個以上接點 之棱線或斜面接觸，從而使半導體裝置與半導體裝置檢測 裝置電性接觸，藉此防止當突起電極與接點相接觸時所產 生之突起電極之損傷。 又，如日本專利特許公開2002_228682號公報所揭示之一 種技術’其於使探針接觸半導體晶圓之凸塊電極而檢測電 氣特性時使用之以保持體保持的探針中，含有用以對半導 體晶圓之凸塊電極施加電壓之第一接觸端子，包圍第一接 觸端子之第-絕緣構件，包圍第—絕緣構件且經由凸塊電 極用以檢測電壓之第二接觸端子，以及介存於第一以及第 二接觸端子間之第二絕緣構件；於m第二接觸端 子，分別設有第-以及第二端子部，以及介㈣pm 二端子部間之第一及第二線圈彈簧，藉此即使於凸塊電極 極小化之情形時，亦可防止探針自凸塊電極偏移。 又’如日本專利特許公開平㈣則號公報所揭示之一 100430.doc 1351730 種技術’其使於半導體晶圓内所形成之各積體電路裝置之 凸鬼電極接觸探針機構之針之接續端而將積體電路裝置電 !生連接於試驗測定裝置，藉由按壓體按壓晶圓内附近之積 體電路裝置之凸塊電極，使其前端部變形而使高度一致， 藉此將凸塊電極高度—致之積體電路裝置經由探針機構以 句之接觸電阻連接於試驗測定裝置，提昇試驗精度，並 且卩使於安裝積體電路裝置時，可減少與安裝側之間之接 續電阻的不均一。 又，如日本專利特許公開2001-108706號公報所揭示之一 種技術，其使形《於半導體晶圓之複數個焊錫ί求以及與其 對應之複數個探針分別才目互接冑，與測定器側t間傳輸信 號而檢測晶圓之電氣特性時所使用的接觸器中於球狀焊 錫球之中心之外側處1以電性自由導通之狀態接觸於探 針之圓筒部設為接觸端，藉此，即使使探針與焊錫球相接 觸’亦可防止焊錫球之中央部分之損傷，且可省略焊錫球 之軟熔步驟。 [專利文獻1]日本專利特開2002_14137號公報 [專利文獻2]日本專利特開2〇〇2_228682號公報 [專利文獻3]曰本專利特開平5_28349〇號公報 [專利文獻4]曰本專利特開2〇〇11〇87〇6號公報 [發明所欲解決之問題] 作為半導體積體電路裝置之檢測技術，可列舉例如探針 檢測。該探針檢測包括確認是否按照特定之功能而動作之 功能測試，或實行DC動作特性以及AC動作特性之測試而判 I00430.doc 1351730 斷良品/不良品之測試等。 為降低半導體積體電路裝置之製造成本，將半導體元件 以及配線微細化，縮小半導體晶片（亦可僅稱為"晶片之面 積，增加每一片晶圓之取得晶片數之方法正被推廣。因此， 不僅測試焊墊（凸塊電極）之數量增加，而且測試焊墊之配置 間距精細a ’測#焊塾之面㈣會縮小。#隨該測試焊塾 之間距精細化，於上述探針檢測中使用具有懸臂狀探針之 探針之情形時，會存在難以對準測試焊墊之配置位置而設 置探針的問題。 又，於使用具有懸臂狀探針之探針實行檢測之情形時， 為破壞形成於測試料之表面之自然氧化“使探針與測 試焊墊接觸，使探針於賴料之表面進行擦拭。藉由使 探針進行擦拭不僅會破壞測試焊墊表面之自然氧化膜，而 傲识所導致之壓痕。如 上所述測試焊墊之面積縮小，會導致於測試焊墊之表面玆

且於測試焊墊本身之表面會產 慶痕所占之區域變大。因此，會存在於之後步驟令，連： 於該測試焊墊之焊接線之黏著力會降低之問題。進而，因 測試焊塾之面積縮小，導致會存在因擦料起探針之前端 自測試焊墊偏移，產生使兩個測試焊墊間短路之問題。 又，藉由使探針於測試焊墊之表面進行擦栻，測試烊塾 之表面之-部分被削取，由此所產生之碎屬會附著於探針 ^前端。藉由反覆實行探測，該碎屑逐漸附著於探針之前 端，且最終會無法確保探針與測試焊墊之電性連接。故1 經過特定次數之探測後’需要以特 β /眾溥片擦拭探針 I00430.doc 1351730 之前端進行清潔。因必須實行該清潔步驟，故而存在探針 檢測步驟會延長之問題。因探針檢測步驟延長，導致半導 體積體電路裝置之工期亦隨之延長，從而存在半導體積體 電路裝置之製造成本增加之問題。 如上所述，測試焊墊數量增加，進而實行測試焊墊之間 距精細化，因此探針檢測之實施變得困難。於此，本發明 者使用如圖59所示之含有設置有懸臂狀探針1〇1之配線基 板102的探針，就使探針1〇1接觸晶片主面之凸塊電極而實 行檢測之情形加以研究。 圊60係表示將探針檢測步驟中之圖59中之區域a擴大的 主要部分平面圖，圖61係表示沿圖60中之c_c線之剖面的主 要部分之主要部分剖面圖。於區域八中，凸塊電極1〇3之延 伸方向與探針101之延伸方向基本相同。因此，探針與 凸塊電極103接觸之後，會於凸塊電極1〇3之延伸方向（如圖 60以及圖61中箭頭所示）進行擦栻（參照圖62以及圖63)。 又，圖64係表示擴大探針檢測步驟中之圖59中之區域6的主 要邛分平面圖，圖65表示沿圖64中之D-D線之剖面的主要部 分之主要部分剖面圖。於區域8中，凸塊電極1〇3之延伸方 向/、探針101之延伸方向變為相互交叉。故而，探針與 凸塊電極103接觸之後，會於與凸塊電極1〇3之延伸方向為 父又之方向（如圖6 4以及圖6 5中箭頭所示）進行擦拭（超速傳 動）（參照圖66以及圖67)。藉此，於探針1〇1之擦栻後，探針 101之前端自凸塊電極1〇3上偏移，存在探針1〇1使兩個凸塊 電極103間短路之問題。 100430.doc 1351730 又，業者正在研究採用DFT(Design For Testability，可測 性電路設計）技術或BIST(Built In Self Test，内建自我測試） 技術’實際降低使探針接觸之測試焊墊數量之方法。然而， 採用DFT(Design For Testability，可測性電路設計）技術或 BIST(Built In Self Test，内建自我測試）技術，需要設置新 的測試焊墊。另一方面’為防止因探針接觸於測試焊墊時 產生之衝擊所導致之元件或配線的破壞，需要將測試焊塾 配置於於下部未形成有元件或配線之輸出入區域。又，伴 半導體積體電路裝置之動作之高速化，出於降低雜訊（降 低電源阻抗）之目的，於該輸出入區域配置多個電源焊墊之 必要性亦逐步增加。於被限定尺寸之晶片内，該輸出入區 域之尺寸亦被限定，故而難以藉由電源焊墊之配置，確保 採用DFT技術或BIST技術配置上述測試焊墊的區域。 本發明之目的在於，提供一種可實現對含有間距精細化 之測試焊墊之半導體積體電路裝置實行電性檢測的技術。 藉由本發月說明之6己述以及附加圖示之說明，可對本發 明之上述目的以及其他目的與新穎之特徵有所瞭解。 【發明内容】 以下，就本專利申請所揭示 要簡單地加以說明。 之發明中之代表性内容的概 《η 步驟： 一種半導體積體電路裝 置之製造方法，其含有以下 (a)準備半導體晶圓之步驟， 個晶片區域’於上述複數個晶 該半導體晶圓被劃分為複數 片區域中分別形成半導體積 100430.doc 1351730 成有電性連接於上述半導體積體 體電路，並且於主面上形 電路之複數個電極； ()準備探針卡之步驟，該探針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 (C)二吏上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極’貫行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： ⑻）準備第-薄片之步驟，該第—薄片對向於形成有第一 配線之配線基板’含有心與上述複數個電極相接觸之複 數個接觸端子，電性連接於上述複數個接觸端子與上述第 、配線之第二配線’以及配置於複數個接觸端子之形成區 域之附近的上述第二配線之非形成區g，且未參與信㈣ 送之第一虛設配線；以及 ⑽上述步驟（bl)之後，以可自上述第—薄片之背面按壓 上述第-薄片之中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態，於上述配線基板上安裝上述第—薄片之步驟（亦可省略 該步驟）。 《2》於第1項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方法 中，上述複數個電極沿上述晶片區域之外周排列為複數 行，於第一行所包含之上述電極以及於第二行所包含之上 述電極，於沿上述晶片區域之外周之方向，以相互錯開之 方式配置。 《3》於第2項所揭示之半導體積體電路裝置.之製造方法 中，上述虛設配線含有自上述第一薄片之中心部向對應於 100430.doc

/JU 述電極排列部之部位呈放射狀地形成的配線。 ί Δ\ —種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下 步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 個曰曰片區域，於上述複數個晶片區域中分別形成有半導體 積體電路’並且於主面上形成有電性連接於上述半導體積 體電路之複數個電極； ()準備探針卡之步冑，該探針卡含有複數個彳與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 ()使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，實行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： ⑻)準備第—薄片之步驟，該第一薄片對向於形成有第一 配線之配線基板，含有肖以與上述複數個電極相接觸之複 數個接觸端子，電性連接於上述複數個接觸端子與上述第 一配線之第二配線，以及以沿上述第 響之信號線的方式形成之遮蔽用金屬 影 二配線中易受雜訊 配線；以及 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上述第—薄片之背面㈣ 上述第-薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態’於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟(亦可省略 該步驟）。 《5》於第4項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方法 中’上述遮蔽用金屬配線固定於接地位準。 《6》於第5項所揭示之半導體葙俨 守遐檟體電路裝置之製造方法 I00430.doc 1351730 中，上述第二配線中易受雜訊影響之信號線，以被與其為 同一配線層之複數個遮蔽用金屬配線夾住之方式而被遮 蔽。 《7》於第5項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方法 中，上述第二配線中易受雜訊影響之信號線，藉由於其上 層或下層所形成之上述遮蔽用金屬配線而被遮蔽。 《8》於第7項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方法 中，上述遮蔽用金屬配線，以寬於易受雜訊影響之信號線 的寬度之方式而形成。 《9》一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下 步驟： ⑷準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 B曰片區域，於上述複數個晶片區域中分別形成有半導體 積體電路，並且於主面上形成有電性連接於上述半導體積 體電路之複數個電極； (b) 準備探針卡之步驟，該探針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 (c) 使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，實行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)依據上述決定位置之標記定位第一薄片的步驟，該第 一薄片對向於形成有第一配線之配線基板，含有用以與上 述複數個電極相接觸之複數個接觸端子，電性連接於上述 複數個接觸端子與上述第一配線之第二配線，以及形成有 I00430.doc 13 1351730 可通過螺釘之螺孔 案；以及 且形成有用 以決疋位置之標記之圖 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上诚楚— 乐—涛片之背面按壓 上述第一薄片中形成有上述複數個接 按觸鳊子的區域之狀 態’於上述配線基板安裝上述第一蓮 溥片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《10》於第9項所揭示之半導體積體雷 檟體電路裝置之製造方法

中’上述第二配線自上述第一薄片之中央部向外周呈放射 狀地形成，且於其間隙形成有未參與信號傳送之第二虛設 配線。 |又 《11》一種半導體積體電路裝置 方法，其含有以 下步驟： ⑷準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 個晶片區域，於上述複數個晶片區域中分別形成有半導體 積體電路，並且於主面上形成有電性連接於 體電路之複數個電極； 牛導體積 (b)準備探針卡之步驟’該探針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 ⑷使上述複數個#觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，實行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： ^ (bl)於第一薄片中形成有上述複數個接觸端子之區域之 背面，黏貼藉由殷鋼所形成之第二薄片的步驟，該第一薄 片含有用以與上述複數個電極相接觸之複數個接觸端子， 100430.doc 1351730 以及電性連接於上述複數個接觸端子之第二配線； ⑽於與上述複數個接觸端子之形成位置相對應之位 置’以貫通上述第二薄片之方式’設置第一彈性體之步驟; (b3)當經由上述第—彈性體按壓上述複數個接觸端子 時’於上述第-彈性體之周圍形成可媒保上述複數個接觸 端子原本的平坦性之第二彈性體之步驟；以及 ⑽於步驟⑽之後，以可自上述第一薄片之背面按厘於

上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態，於上述配線基板安裝上述第一薄片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《12》於第11項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中，上述殷鋼含有42合金作為主要成分。 《13》於第11項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中，施加於上述第一薄片之張力藉由上述第二彈性體之 剖面面積而調整。

《14》於第11項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中’施加於上述第一薄片之張力藉由所形成之上述第二 彈性體之個數而調整。 《15》一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以 下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 個晶片區域，於上述複數個晶片區域中分別形成有半導體 積體電路’並且於主面上形成有電性連接於上述半導體積 體電路之複數個電極； 100430.doc 15 1351730 數準備料卡之㈣，㈣料♦有錢射與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 實行上述何體㈣電路之電性㈣之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (b】)準備第一薄片之步帮’該第一薄片對向於形成有第一 配線之配線基板，含有用以與上述複數個電極相接觸之複

數個㈣端子’電性連接於上述複數個接觸端子與上述第 一配線之第二配線，盥楚—卢4β β Μ 〃第一％相接觸之接觸部位，以及與 直丝i於上述帛第二環相接觸之接觸部位，並且於 與上述第-環相接觸之接觸部位之外侧、或與上述第二環 相接觸之接觸部位之内側，形成有用以結合不同配線層間 之配線的通孔；以及 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上述第一薄片之背面按壓 於上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態，於上述配線基板安裝上述第一薄片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《16》於第15項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中’於上述相異之配線層間之配線的結合處設置有複數 個通孔。 《17》一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以 下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 個晶片區域’於上述複數個晶片區域中分別形成有半導體 100430.doc *16- 電性連接於上述半導體積 積體電路，並且於主面上形成有 體電路之複數個電極； (b)準借探針卡之步驟，該 这保針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 (C)二吏上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極’貫打上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第—薄片之步驟，該第—薄片對向於形成有第- 配線之配隸板’含有心與上«數個電極相接觸之複 數個接觸端子’電性連接於上述複數個接觸端子與上述第 -配線之第二配線，以及於上述複數個接觸端子附近，藉 由連接於上述第二配線之受動元件所形成之電路丨以及 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上述第—薄片之背面按麼 上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態，於上述配線基板安裝上述第一薄片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《18》於第17項所揭示之半導體積體電路冑置之製造方 法中’上述受動、元件含有電阻、探測器以及電容器中之至 少一者。 《19》於第17項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中，於上述電路中，含有用以與信號傳送送系之阻抗匹 配之阻抗匹配電路。 《20》一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以 下步驟： I00430.doc •17· U51730 (曰a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複數 個晶片區域’於上述複數個晶片區域尹分別形成有半導體 積體電路並且於主面上形成有電性連接於上述半導體積 體電路之複數個電極； ()準備探針卡之步驟，該探針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，實行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第一薄片之步驟，該第一薄片對向於配線基板含 有用以與上述複數個電極相接觸之複數個接觸端子以及用 以使上述接觸端子電性連接於上述壓接焊盤之第二配線， 並且上述配線基板含有壓接焊盤，可用以於上述卜）處實現 與外部之間交換各種信號之彈簧座，以及用以規則地連接 上述壓接焊盤與上述彈簧座之第一配線；以及 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上述第一薄片之背面按塵 於上述第一薄月中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態，於上述配線基板安裝上述第一薄片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《21》於第20項所揭示之半導體積體電路裝置之製造方 法中，使於上述步驟（bl)之上述壓接焊盤與上述彈簧座之排 列’與於上述半導體晶圓中之上述複數個電極之排列相對 應。 《22》於第21項所揭示之半導體積體電路裝置之努造方 100430.doc -J8· 1351730 法中，上 《23》 下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟 個晶片區域，於上述複數心圓被劃分為複數 積體電路，並且於主面上形成有；性形成有半導體 體電路之複數個電極; 接於上述半導體積

數m針卡之步驟，該探針卡含有複數個可與上述複 數個電極接觸之接觸端子；以及 ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 玉’實打上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟·· ⑻）準備第—薄片之步驟，該第_薄片對向㈣成有第一 配線之配線基板，以與於上述所劃分之上述複數個晶片區 域相對應之方式’形成有複數個用以與上述複數個電極相 接觸之接觸端子，以及電性連接於上述複數個接觸端子與 上述第一配線之第二配線；以及 (b2)上述步驟（bl)之後，以可自上述第一薄片之背面按壓 於上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之狀 態’於上述配線基板安裝上述第一薄片之步驟（亦可省略該 步驟）。 《24》一種探針卡，其含有以下構件： (a)配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈簧座，以及用以使上述壓接焊盤與上 100430.doc 19 1351730 述彈簧座導通之第一配線； (b)第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，可電性連接上述複 數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線，以及配置於複 數個接觸端子之形成區域之附近的上述第二配線之非形成 區域’且未參與信號傳送之第一虛設配線； (C)第一環，其用以安裝上述第一薄片於上述配線基板； 以及

(d)按壓機構，其支持於上述配線基板且可自上述第一 薄片之背®，按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸 知子之區域。 《25》一種探針卡，其含有以下構件： (a)配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈箸座，以及用以使上述壓接焊盤與上 述彈簧座導通之第一配線；

，（b)第-薄片’其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，可電性連接上述複 數個接觸端子與上述壓接谭盤之第二配線，以及以沿上述 第二配線中易受雜訊影響之信號線之方式而形成的遮蔽用 金屬配線； (0第一環 以及 其用以安裝上述第一薄 片於上述配線基板 /α)歸機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 薄片之背面，按壓上述第__笼 上4弟4 >1中形&有上述複數個接觸 100430.doc -20- 1351730 端子之區域。 《26》一種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實仃信號交換之彈簧座，以及用以使上述壓接焊盤與上 述彈簧座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，可電性連接上述複 數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線，以及形成有可 通過螺釘之螺孔，且形成有用以決定位置之標記之圖案； (c) 第一 j衣，其用以於藉由上述定位用標記定位上述第一 薄片之狀態下，於上述配線基板上安裝上述第一薄片 :以及 (d) 按麗機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 薄片之背面，按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸 端子之區域。 《27》一種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈簧座，以及用以使上述壓接焊盤與上 述彈簧座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，可電性連接上述複 數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線； (c) 藉由殷鋼所形成之第二薄片’其黏貼於第一薄片中形 成有上述複數個接觸端子之區域之背面； 100430.doc 21 1351730 ⑷第-彈性體’其於與上述複數個接觸端子 相對應之位置，以貫通上述第二薄 万式而設置； ⑷第二彈性體，其形成於上述第_彈性體之周圍…里 由上述第-彈性體按壓上述複數個接觸端子時，可確保上 述複數個接觸端子原先之平坦性； (f)第一環，其用以將上述第—薄 板；以及 薄“裝於上述配線基

(g)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 觸 薄片之背面’㈣上述第-薄片中形成有上述複數個接 端子之區域。 《28》一種探針卡，其含有以下構件： 之 上 (a)配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置 間實行信號交換之彈簧座，以及用 ^ ^ ^ μ次用以使上述壓接焊盤與 述彈簧座導通之第一配線；

(b)第一薄片，其含有用以與形成於半導體晶圓之主面的 複數個電極相接觸之複數個接觸端子，電性連接於上述複 數個接觸端子錢接㈣之第二配線，與第—環相接觸之 接觸部位’以及與直徑小於上述第—環之第二環相接觸之 接觸邛位，並且於與上述第一環相接觸之接觸部位之外側 或與上述第二環相接觸之接觸部位之内側，形成有用以結 合相異配線層間之配線之通孔； (0第一竦，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 板；以及 (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 100430.doc •22· 拳 1351730 / 薄片之背面’按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸 端子之區域。 《29》一種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈簧座，以及用以使上述壓接焊盤與上 述彈簧座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，可電性連接上述複 數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線，以及形成於上 述複數個接觸端子之附近，藉由連接於上述第二配線之受 動元件所形成之電路； (C)第一環，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 板；以及 (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 薄片之背面’按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸 端子之區域。 《3 0》一種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈簧座’以及用以規則地結合上述壓接 焊盤與上述彈簧座之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成之 複數個電極相接觸的複數個接觸端子，以及可電性連接上 述複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線； (c) 第％，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 100430.doc -23· 1351730 板；以及 (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 薄片之背面，按壓上述第_後κ # 士、七L 1 乐/專片中形成有上述複數個接觸 端子之區域。 《31》一種探針卡，其含有以下構件： ⑷配線基板，其含有壓接焊盤，可用以於與外部裝置之 間實行信號交換之彈簧座，以及用以使上述壓接焊盤與上 述彈簧座導通之第一配線； '、 (b)第-薄片，其以與上述被劃分之上述複數個晶片區域 相對應之方式’形成有複數個接觸端子以及第二配線，該 複數個接觸端子可與㈣分為複數個晶片^域且於主面上 形成有複數個電極之半導體晶圓上的上述複數個電極相接 觸，該冑二配線可與上述複數個接觸$子以及上述屋接焊 盤電性連接； (0第一環，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 板；以及 (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第一 薄片之背面，按麼上述第一薄片中形成有上述複數個接觸 端子之區域。 [發明之效果] 以下就藉由於本申請案之發明中具代表性者所獲得之效 果’簡單地加以說明。 即，可對於具有窄間距化之測試焊墊之半導體積體電路 裝置實施電性檢測（探針檢測）。 i00430.doc •24- 1351730 【實施方式】 於詳細說明本發明之前，就本申請案之用語之含意說明 如下。 晶圓係指於積體電路之製造中所使用之單結晶矽基板 (一般為大致平面圓形狀）、S0I(S⑴con 0n InsuUt〇r，矽在 絶緣物上）基板、藍寶石基板、玻璃基板、其他絕緣、反絕 緣或半導體基板等以及該等之複合基板。又’於本申請案 中提及半導體積體電路裝置時，並非只是於矽晶圓或藍寶 石基板·#半導體或絕緣體基板上所製造者，特別是除明示 並非如此之情形以外，亦含有如TFT(Thin FUm TransistM， 薄膜電晶體）以及STN(super_Twisted_Nematic，超扭轉向列 型）液晶等於玻璃等其他絕緣基板上所製造者。 裝置面係指晶圓之主面’且於該面藉由微影㈣技術， 形成有對應於複數個晶片區域之裝置圖案之面。 铋針卡係指具有與成為檢測對象之晶圓接觸之接觸端子 以及多層配線基板等之構造體，半導體檢測裝置係指具有 載置探針卡以及成為檢測對象之晶圓之試料支持系統的檢 測裝置。 上述接觸端子與於半導體積體電路之製造中使时晶圓 之情形相同由晶圓製程’即組合微影蝕刻技術、 CVD(Chemlcal Vap0r Deposition ’ 化學氣相沉積）技術、濺 鍵技術以及㈣技術等之圖案化手法，形成於薄膜薄片。 _探針檢測係對於晶圓步驟結束後之晶圓使用探針卡所進 丁電性4驗#係指使上述接觸端子之前端接觸於形成 100430.doc •25· 1351730 於晶片區域之主面上的電極，進行半導體 只租電路之雷杜 檢測’係進行確認是否按照特定功能而動 作之功能測試或 DC動作特性以及AC動作特性之測試，從而判斷。 ^者。與分割為各個W後（或封裝結束後）所進行 最終測試相區別。於探針檢測之後，藉由切割被分離為晶 片’各個晶片藉由進行預燒試驗或各種動作測試行曰曰 品之篩選。 民 ，於以下實施形態中，雖然為了方便說明於必要時分割為 複數個部分或實施形態而加以說明，然而除有 情形以外，該等並非相互無關係者，而存在—方為他2 -部分或全部之變形例、詳細、補充說明等之關係。 又，於以下實施形態中’當言及要素之數量等(包含個 數、數值、量、範圍等）情形時，除有特別明示之情形以及 原理上被明確地限;t於特；t數量之情形等以外，並非被限 定於上述特定數量者，而可為特^數量以上或以、 /者，於以下實施形態中’其構成要素(亦包含要素步驟 等）’除有特別明示之情形以及被認為原理上明m 形等以外，並非為必須。 同樣地，於以下實施形態中，當言及構成要素等之形狀、 位置關係科，除㈣別日仏之情形収原理上明顯並非 b之清形等以外，亦包含實質地近似或類似該形狀等之 物質等。關於上述數值以及範圍亦與該情形相同。 又，於用以說明實施形態之全圖中，具有相同功能者標 注相同符號，省略其重複說明。 100430.doc -26- 1351730 又，於實施形態所使用之圖式巾，即使為平面圖 便於查看會有部分標注陰影之情形。 ’’’、 以下，依據圖式就本發明之實施形態詳細地加以說明。 (實施形態1) ^係實施形態k探針卡之底面的主要部分平面圖圖2 係沿圖1中之A.A線之剖面圖。又，圖3係上述探針卡之上面 之主要平面圖。 如圖1以及圖2所示，實施形態！之探針卡（第一卡）含有例 如多層配線基板（亦可僅稱為”1 線基板”口、薄媒薄片（薄膜 探針（第-薄片）)2以及活塞（按壓機構）3等。薄膜薄片藉由 固定環（第-環）4固定於多層配線基板i之底面，活塞^裝 於多層配線基板1之上面。於多層配線基板】之中央部設有 開口部5,於該開口部5内，薄膜薄片2與活塞3藉由黏接環 (第二環）6黏接。又，薄膜薄片2之邊緣部藉由直徑大於上述 固定環4之外周環4A，固定於多層配線基板j。 於薄膜薄片2之底面，形成有複數個例如四角錐形或四角 錐台形之探針（接觸端子）7。於薄膜薄片2内，形成有與各探 針7電性連接，且自各個探針7延伸至薄膜薄片2之端部之複 數個配線（第二配線）。該等複數個配線如圖4之23所示，自 薄膜薄片2之中央部之探針7形成區域，向薄膜薄片2之邊緣 部呈放射狀地形成。 於多層配線基板1之底面形成有複數個壓接焊盤。該等複 數個壓接焊盤’如例如圖55或圖57中543所示，以對應於多 層配線基板1之複數個配線之端部的方式而形成，當薄臈薄 100430.doc -27· 1351730 片2安裝於多層配線基板丨時，電性連接於相對應之配線之 端部。複數個壓接焊盤543，通過於多層配線基板丨内所形 成之配線（第一配線）’電性連接於於多層配線基板丨之上面 所設置之複數個彈簧（？0§0)座8。彈簧座8如圖3所示，於多 層配線基板1之上面形成有複數個，例如圖55或圖57所示， 當實行半導體積體電路之電性檢測時，具有承受可用以於 與測定器（未圖示）之間實現各種信號交換之彈蒉座接觸器 549的功能。彈簧座接觸器549藉由内藏之彈簧壓按前端之 接觸接腳，藉此可實現與彈簧座8之電性連接。於實施形態 1中，薄膜薄片2含有例如以聚醯亞胺作為主成分之薄膜。 δ亥種薄膜薄片2具有柔軟性，故而於實施形態丨中，為使所 有探針7接觸於晶片（半導體積體電路裝置）之焊墊，成為活 塞3自上面（背面）經由按壓具（押壓機構）9押壓形成有探針7 之區域之薄膜薄片2的構造。即，藉由於活塞3内所配置之 彈簧3Α之彈力，施加固定壓力至按壓具9者。於實施形態i 中’作為按壓具9之材料可列舉42合金。 再者，關於為使所有探針接觸於晶片之焊墊而發明之具 有活塞按壓探針的構造之探針卡’於例如日本專利特開 2001-159643號公報中亦有所揭示。 於實施形態1中，作為使用上述探針卡實行探針檢測（電 性檢測）之對象，可列舉形成有LCD(Uquid cw⑷ Display ’液晶顯示）驅動器之晶片。圖12係劃分有該等複數 個晶片（晶片區域）1〇之晶圓聰之平面圖。再者，使用實施 形態1之探針卡之探針檢測，係對於劃分有該等複數個晶片 100430.doc •28· 1351730 10之晶圓WH而實行者。又，圖13係表示該晶片10之平面以 及將其一部分擴大之圖式。該晶片10含有例如單結晶矽基 板’且於其主面形成有LCD驅動器電路。又，於晶片之 主面之周邊部’配置有電性連接於LCD驅動器電路之複數 個焊墊（第一電極）丨卜12,於圖13中沿晶片1〇之上側之長邊 以及兩側短邊而排列的焊墊u成為輸出端子，沿晶片1〇之 下側之長邊而排列的焊墊12成為輸入端子。因lcd驅動器 之輸出端子數多於輸入端子數，故而為盡可能擴大相鄰之 焊墊11之間隔，焊墊n沿晶片10之上側之長邊以及兩短邊 排>】為兩行’並且沿晶片10之上侧之長邊以及兩短邊的兩 行焊墊11以相互交錯之方式而排列。於實施形態】中，相鄰 之知塾11之配置間距LP為例如約4 5 μηι。又，於實施形態j 中，焊墊11為平面矩形，向與晶片1〇之外周交又（直交）之方 向延伸的長邊之長度LA為約80 μηι，沿晶片10之外周而延 伸之短邊長度LB為約30 Jim 〇 焊墊11、12為例如含有Au(金）之凸塊電極（突起電極），其 係於晶片10之輸出入端子（焊接墊）上，藉由電解電鍍非電 解電鍍、蒸鍍或濺鍍等方法而形成者。圖14為焊墊u之立 體圖。焊墊U之高度LC為約15μπι，焊墊12亦具有相同高度。 又，上述晶片10可藉由於晶圓之主面所劃分之多數個晶 片區域内，使用半導體製造技術形成]1(：]3驅動器電路（半導 體積體電路）或輸出入端子（焊接墊），繼而於輸出入端子上 藉由上述方法形成焊墊丨丨之後，切割晶圓使晶片區域單獨 化而製造。又，於實施形態丨中，上述探針檢測係於切割晶 100430.doc -29· 1351730 圓之前對各晶片區域加以實施者。再者’於之後就探針檢 測（焊墊11、12與探針7相接觸之步驟）加以說明時，於未有 特別明示之情形時，設定晶片10為表示於切割晶圓之前之 各晶片區域者。 圖15係表示與上述晶片10之液晶面板之連接方法的主要 部分剖面圖。如圖1 5所示，液晶面板含有例如於主面形成 有像素電極14、15之玻璃基板16、液晶層17、以及經由液 晶層17以對向於玻璃基板16之方式所配置之玻璃基板18 等。於實施形態1中，可列舉以分別連接焊墊丨丨、12於該種 液晶面板之玻璃基板16之像素電極14、15的方式面朝下焊 接晶片1 0 ’藉此將晶片1 〇與液晶面板相連接之情形。 圖5表示於圖1之上述薄膜薄片2之中央部（探針7附近）的 放大圖。又，圖9表示圖1中之上述探針7之放大圖。圖1〇為 圖9之B-B線之主要部分剖面圖’圖11為沿圖9之C-C線之 主要部分剖面圖。 於上述薄膜薄片2之中央部’設置有探針形成區域7〇〇， 於此呈矩形狀地配置有複數個探針7。配線23以自探針形成 區域700向薄膜薄片2之邊緣部呈放射狀之方式而形成。 又’於實施形態1之探針卡中’除以自探針形成區域7〇〇向 薄膜薄片2之邊緣部呈放射狀之方式形成的配線23以外，形 成有虛設配線23Α。虛設配線23Α與上述配線23相絕緣，不 參與信號傳送。圖6為省略於圖5中之虛設配線23Α者。由圖 5、圖6可知’虛設配線23Α形成於未存有上述配線23之處。 如圖6所示，因於未存有虛設配線23 Α之情形時，相對於形 I00430.doc •30-

丄/jU 成有配線23之處之簿腔_ μ。 、/專片2之剛性較大，形成有配線23之 處之薄膜薄片2之剛性變，丨 ^ J ’故而於探針形成區域7〇〇之内 側與外側’薄膜薄片2之剛性之平衡被破壞。其結果為，會 存在於探針形成區域7_形成之探針7與晶片之焊塾的接 觸狀態產生不良之愔开;ί β & 1 ㈣例如’於電極沿晶圓之晶片區域 外周排列為複數行之情形時，於探針形成區域所形成之 探十亦與此相對應’會變為於探針形成區域内形成複 數行（參照圖4)，然、而如圖6所示，於未存在虛設配線Μ之 情形時’會有於探針形成區域7⑽之内側與外側薄膜薄片2 之剛性平衡被破壞，特別是探針形成區域700之内側之探針 與晶片的焊塾之接觸狀態變為不完全之問題。相對於此， 如圖5所示’於未存有上述配線23之處設置有虛設配線23a 之情形時，因於探針形成區域7⑽之内側與外側薄膜薄片2 之剛性被均—化，故而可良好地保持探針7與晶片之焊墊之 接觸狀態。

上述探針7如圖9所示’係薄膜薄月2中被圖案化為平面六 角形狀之金屬膜21A、21k—部分，即金屬膜Μ、· 之中於薄膜薄片2底®突出為四角錐型或四角錐台型之部 分。探針7以對準於上述晶片1〇所形成之焊墊u、丨2之位置 之方式，配置於薄膜薄片2之主面，圖9表示與焊墊u相對 應之探針7之配置。該等探針7之中，探針7A與排列為兩行 之焊墊11之中距離晶片10的夕卜周相對較近之行(以後記為 第一行）之焊墊n相對應，探針7B與排列為兩行之焊墊^之 中距離晶片I 0的外周相對較遠之行（以後記為第二行）之焊 100430.doc -3]- 1351730 墊11相對應，又，位置最靠近之探針7 A與探針7B之間的距 離，藉由圖9所揭示的圖面左右方向之距離lX與上下方向 之距離LY而規定，距離LX為上述配置相鄰焊墊丨丨之間距lp 之一半約為22·5 μπι。又，於實施形態i中，距離約為i 〇〇 μηι 〇 金屬膜21A、21B係例如自下層铑膜以及鎳膜依次積層而 形成。於金屬膜21A、21B上成膜聚醯亞胺膜22，於聚酿亞 胺膜22上形成有與各金屬膜21電性連接之配線（第二配 ® 線）23。配線23於形成於聚醯亞胺膜22之通孔24之底部，與 金屬膜21A、21B相接觸。又，於聚醯亞胺膜22以及配線23 上，成膜有聚醯亞胺臈25。 如上所述，金屬膜21A、21B之一部分成為形成為四角錐 升> 或四角錐台形的探針7A、7B’於聚醯亞胺膜22形成有可 通至金屬膜21A、21B之通孔24。因此，倘若欲將形成有探 針7A之金屬膜21A以及通孔24之平面圖案，與形成有探針 7B之金屬膜21B以及通孔24之平面圖案以相同方向進行配 置’則相鄰之金屬膜21A與金屬膜21B會接觸，從而會有無 法自探針7A、7B獲得各自獨立之輸出入之問題。因此，於 實施形態1中，如圖9所示，形成有探針巧之金屬膜21B以 及通孔24之平面圖案，設定為將形成有探針7八之金屬膜 21A以及通孔24之平面圖案旋轉180度的圖案。藉此，成為 於平面配置有探針7A以及通孔24之金屬膜21A之寬度較寬 區域與於平面配置有探針7B以及通孔24之金屬膜2ib之寬 度較寬區域，未配置於圖面之左右方向之直線上，而金屬 100430.doc -32- 1351730 膜21A以及金屬膜21B之平面順錐形之區域配置於圖面的 左右方向之直線上之構造。其結果是，可防止相鄰之金屬 膜21A與金屬膜21B相接觸之不良情形。 上述虛设配線23A如圖π所示，使用與配線23相同之配線 層而形成。又，上述虛設配線23A亦可如圖7所示自薄膜 薄片2之中心部向探針形成區域7〇〇呈放射狀地形成，亦可 如圖8所示，僅形成於探針形成區域之附近區域，而於 薄膜薄片2之中心部省略上述虛設配線23A之形成。 於實施形態！中，就焊塾"排列為兩行之情形加以說明， 然而亦存在排列為一行之晶片。對於該種晶片，如圖工6所 示可藉由使用上述金屬膜21A之寬度較寬區域配置於圖面 左右方向之直線上的薄膜薄片2而對應。又，於焊墊Η之數 $進一步增多之情形時，亦有排列為三行以上之情形。圖 17為對應於排列為三行之焊墊u之薄膜薄片2的主要部分 平面圖，圖18為對應於排列為四行之焊墊丨丨之薄膜薄片2的 主要部分平面圖。倘若晶片1G之尺寸為相同，㈣隨著焊 墊11之排列數之增加，使用圖9所說明之距離Lx進一步縮 小，故而上述含有金屬膜21八、21B之金屬臈相互接觸之危 險進一步增加。因此，如圖17以及圖18所示，將金屬膜2ia、 213、21(：、210設定為例如圖9所示，使金屬膜21八之平面 圖案旋轉45度者，藉此可防止金屬膜21八、21B、^c、2m 相互接觸之不良情形。又，於此如圖9所*，關於使金屬膜 21A之平面圖案旋轉45度之例加以說明，然而並非限定於45 度者，只要可防止金屬膜21A、21B、21C、21D之相互接觸， 100430.doc -33 · 1351730

亦可為其他旋轉角度。再者，於金屬膜21 C形成有與探針7B 所對應之焊墊11相比配置於晶片10内之内側的對應於焊塾 11之探針7C，於金屬膜2 1D形成有與探針7C所對應之详墊 Π相比配置於偏晶片丨〇内之内側的對應於焊墊丨丨之探針 7D。 於此，圖19為沿圖18中之D-D線之主要部分剖面圖，圖2〇 為沿圖18中之E-E線之主要部分剖面圖。如圖19所示，於配 置有具有與四行焊墊11相對應之探針7A〜7D之金屬膜21A 〜2 1D的情形時，難以於同一配線層形成金屬膜21A〜2lD 之各自自上層電性連接之所有配線。其原因在於，上述距 離LX變窄，會導致金屬膜21 a〜21D各自之間產生接觸並 且電性連接於金屬膜21A〜21D之各個配線之間亦產生接 觸之問題。因此，於實施形態！中，如圖19以及圖2〇所示， 可列舉使該等配線含有兩層配線層（配線23、26)。於該情形 時，虛設配線23A可與配線23、26同樣地使用兩層配線層而 形成。 再者，於配線26以及聚醯亞胺膜25上，形成有聚醯亞胺 膜27。位於相對下層之配線23，於形成於聚醯亞胺膜22之 通孔24之底部，與金屬膜21八、21(：相接觸，位於相對上層 之配線26，於形成於聚醯亞胺膜22、25之通孔28之底部， 與金屬膜2 IB、2 1D相接觸。藉此，於同一配線層可確保相 鄰之配線23或配線26之間隔較大，故而可防止相鄰之配線 23或配線26相接觸之不良情形。χ，於焊㈣成為五行以 上，與此相對應之探針數增加從而上述距離LX變窄之情形 100430.doc -34· 咖730 時，藉由更多層地形成配線層，亦可擴大配線間隔。

繼而，藉由圓21至圖23就上述實施形態！之薄膜薄片2之 構造及其製造步驟加以說明。圖21至圖3〇係薄膜薄片2之製 造步驟中之主要部分剖面圖，該薄膜薄片2含有對應於藉由 圖9至圖11所說明之兩行之焊墊11(參照圖13)的探針、 7B。再者，關於薄膜薄片之構造以及薄膜薄片之製造步驟， 以及與上述探針7(探針7A〜7D)相同之探針之構造以及製 ^«•步驟於曰本專利特願平6-22885號、曰本專利特開平 7-283280號公報、日本專利特開平85〇146號公報、日本專 利特開平8德427號公報、日本專利特願平91191()7號、日 本專利特開平U-23615號公報、日本專利特開細2·139554

號公報、日本專利特開平1〇_3〇8423號公報、日本專利特願 平9-18966G號、日本專利特開平旧…隱純、日本專利 特開20GG 150594號公報、日本專利特願2GG2 289377號日 本專利特願2002-294376號、日本專利特願2〇〇3_189949號、 以及曰本專利特願2〇〇3_75429號中亦有所揭示。 首先，如圖21所示，準備厚度0.2 mm〜0_6 mm左右之含 有石夕之Ba圓（第-基板1 ’藉由熱氧化法於該晶圓3丨之兩面 成膜厚0.5 μιη左右之氧化石夕膜32。繼而，將光阻蚀劑膜 作為遮罩蝕刻晶圓3 !之主面側之氧化矽膜32 ’於晶圓”之 主面側之氧化；δ夕膜32形成通至晶圓3 i的開口部。繼而，將 殘留之氧化⑦膜32作為遮罩，使用強驗水溶液（例如氮氧化 針水溶液）非等向地姓刻晶圓31，於晶_之纟面形成被 ⑴”面包圍之四角錐型或四角錐台型之孔(第一孔部)33。 100430.doc -35· 1351730 如圖22所示，於上述孔33之形成時，藉由亂酸以 氣^之混合液㈣成之祕_，去㈣為遮罩而使 之化發膜32。接者，對晶圓31實施熱氧化處理，藉此 ;匕3孔33之内部之晶圓31的整面，形成膜厚μ叫左右 之氧化石夕膜34。繼而，於白人a 於包3孔33之内部之晶圓㈣“ 成膜導電性膜。該導雷,w瞪 生旗35可藉由將例如膜厚〇1叫左 ^絡膜以及膜厚1㈣左右之銅膜，依次藉由濺錢法或基 =法加以堆積而成膜。繼而，於導電性膜35上成膜光阻姓 劑膜，藉由光微影银刻技術於之後步驟中去除形成有金屬 膜21A、21B(參照圖9至圖u)之區域之光阻钮劑膜 成開口部。 〜 、繼而’藉由將導電性膜35作為電極之電解電鑛法，於上 述光阻鞋劑膜之開口部之底部所露出的導電性膜Μ上，依 次堆積硬度較高之導電性膜37、38。於實㈣^中，列舉 有將導電性膜37作為錢臈’將導電性㈣作為錦膜之情 形。藉由至以上為止之步驟，可由導電性㈣、％形成上 述金屬膜21A、21B。又，：?丨·^由+推而 又孔33内之導電性膜37、38成為上 述之探針7A、7B。再者’導電性㈣藉由後述之步驟而被 去除。 於金屬膜21A、21B中，當藉由後述之步驟形成上述探針 7A、7B時，含有铑膜之導電性膜37成為表面，且導電性膜 37變為直接接觸於谭墊u。故而，作為導電性膜^，較好 的是選擇硬度較高且耐磨性優良之材料。又’因導電性膜 37直接接觸於坪塾η ’故而倘若藉由探針7a、叫皮削取之 I00430.doc -36-

1JJ1 /JU 焊塾u之碎屑附著於導電性膜37 之清潔步騾，從而會有探晋貫灯去除該碎屑 ^ Ά U 檢測步驟延長之問題。因此， 作為導電性膜3 7，較好的0 .疼波 菩之㈣ 較好的疋選擇形成焊㈣之材料難以附 於此，於實施形態1中，作為導電性臈37,選擇 並=!件之錄膜。藉此，可省略上述清潔步驟(然而， 驟)。該種導電性膜37之膜厚越厚其強度以 倉=越強’_故而為延長探針7Α、7Β之壽命，較好的是 由可月b厚地實行成膜。然而’作為錄膜之導電性肪成膜 之電鑛應力較大’且臈厚越厚該電鑛應力越大。因該電 鐘應力作用於氧化石夕膜34與導電性膜％之界面，故而倘若 電制力增大’則會有氧化石夕膜34與導電性膜W生剝離 之問題。因此較好的是，於氧化石夕膜34與導電性膜35不產 生剝離之範圍内，盡可能厚地成膜導電性膜37。於實施形 態^’可列舉將該導電性膜37之膜厚設定為1μιη左右以上 且可錯由電解電鍍法形成之實用的最大膜厚(例如4 μηι左 右）’較好的是設定為2 _〜3.5㈣左右，更好的是設定為 2.5 μηι左右。根據本發明者所實行之試驗，當將該導電性 膜37之膜厚設定為大約2叫時，導電性膜37之耐磨性為， 於探針檢測中可耐大約1〇〇萬次探針7Α、7Β與焊墊12之接 觸者又，作為鎳膜之導電性膜38，亦會於成膜中產生程 度不及導電性膜37之電鍍應力。因此，關於導電性膜38， 較好的是以氧化矽膜34與導電性膜35未產生剝離之範圍内 之膜厚實行成臈。 繼而’去除於上述金屬膜21Α、21Β(導電性膜37、38)之 100430.doc •37· 1351730 成膜中所使用之光阻敍劑膜後，如圖23所示，以覆蓋金屬 膜21A、21B以及導電性膜35之方式，成膜聚酿亞胺膜（第一 聚醯亞胺膜）22(參照圖_及圖u卜接著，於該㈣亞胺 膜22形成通至金屬膜21八、21B之上述通孔（第一開口 部)24。該通孔24可藉由使用雷射之開孔加工或使用銘膜作 為遮罩之乾式蝕刻而形成。 繼而’如圖24所示’於包含通孔24之内部之聚酿亞胺膜 22上，成膜導電性膜（第二金屬膜）42。該導電性膜〇可藉由 將例如膜厚0.1 μιη左右之鉻膜以及膜厚i㈣左右之銅臈， 依次藉由濺鍍法或蒸鍍法加以堆積而成膜。繼而，於導電 性膜42上形成光阻蝕劑膜後，藉由光微影蝕刻技術將該光 阻蝕劑膜實行圖案化，於光阻蝕劑膜形成通至導電性膜Μ 之開口部。接著，藉由電鍍法，於該開口部内之導電性膜 42上成膜導電性膜（第二金屬膜）43。於實施形態！中，作為 導電性膜43,可列舉自下層依次堆積銅膜、或銅臈以及鎳 膜之積層膜。 ^ 繼而，於去除上述光阻蝕劑膜之後，將導電性膜43作為 遮罩蝕刻導電性膜42，藉此形成含有導電性膜42、43之配 線23。配線23可於通孔24之底部與金屬膜21八、21Β電性連 接。 再者’上述虛設配線23 Α亦與上述配線23同樣地形成。 繼而，如圖25所示，於晶圓31之主面成膜上述聚醯亞胺 膜（第二聚醯亞胺膜）25。該聚醯亞胺膜25於後述步驟中，作 為被固定於晶圓31之主面的金屬薄片之黏接層而發揮作 100430.doc -38· 1351730 用。 繼而，如圖26所示，固定金屬薄片（第二薄片）45於聚㈣ 胺膜25之上面。作為該金屬薄片45,係選擇線膨脹率較低 且接近含有％之晶圓31之線膨脹率之材料者，於實㈣Μ 中，可列舉例如42合金（為鎳'42%且鐵嫩之合金，線膨服 率4Ppm厂C)或殷鋼（lnvar;為鎳36%且鐵Μ%之合金，線膨 脹率1.5 ppm/。。”又’亦可形成與晶圓“為相同材質之矽 膜，或U具有與石夕為相同程度之線膨脹率之材肖，例如鐵 與鎳與鈷之合金，或陶瓷與樹脂之混合材料等，代替使用 金屬薄片45。為固定該種金屬薄片45,可藉由對準晶_ 之主面且與其重合’以Π)〜 kgfW左右之塵力實行加 壓，且以聚醯亞胺膜25之玻璃轉化點溫度以上之溫度實行 加熱’進行加熱加壓壓著而實現。 藉由使用聚醯亞胺膜25固定該金屬薄片45,可實現提昇 所形成之薄膜薄片2之強度。又，於未固定金屬薄片45之情 形時，由探針檢測時之溫度所引起之薄膜薄片2以及作為檢 測對象的晶圓之膨脹或收縮，會導致探針7A、”與與其相 子應之;^墊11之相對位置偏移，從而會存在探針7A、7B無 法與與其相對應之焊墊〗丨接觸之問題。另一方面，根據實 施形態卜藉由固定金屬薄月45,可使由探針檢測時之溫度 所引起的薄膜薄片2以及檢測對象之晶圓之膨脹量或收縮 量一致。藉此，可防止探針7A、7B與與其相對應之焊墊u 之相對位置偏移。即可使探針7A、7B與與其相對應之焊墊 11不受探針檢測時之溫度之影響地始終保持電性接觸。 J00430.doc •39- 確保於各種狀況下之薄媒薄片2與作為檢測對象 囫的相對位置制度。 =’藉由光微㈣刻技術將被圖案化之光阻飯劑膜作 形成門’餘刻金屬薄片45，於探針7A、7B上之金屬薄片45 二“部(第二開口部)46。於實施形態i中該蝕刻可設 疋為使用氯化亞鐵溶液之喷霧钱刻。 a繼而’於去除上述光阻姓劑膜後，如圖27所示，於開口 P 46内形成彈性體（彈性材料⑽。此時，彈性體⑼以特定量 。開口部46之上部冒出之方式而形成。於實施形 形成彈性體48之方法，可列舉於開口料内印刷或點^ 布彈性樹脂之方點膠塗 杳,叔乂 戈者5又置石夕薄片之方法。彈性體48、緩和 田夕個探針7A、7B之前端接觸於焊墊u時所產生之 擊’並且藉由局部變形吸收各個探針7A、7k前端之 變動，藉由與焊墊U之高度變動〜 m、7B與焊塾u之接觸。 之陷入而貫現探針 '而b圖28所不，藉由使用有例如說酸與亂化錢之昆 合液之韻刻’去除於晶圓31之背面之氧化石夕膜34。繼而Y 藉由使用有強驗水溶液（例如氣氧化卸水溶液）之餘刻，k 作為用以形成薄膜薄片2之型材之晶圓3卜繼而，藉由依: 钮刻去除氧切膜34以及導電性臈35。此時，氧化 使用說酸以及氟化銨之混合液進行蚀刻，導電性膜 包含之絡膜使用過猛酸卸水溶液進行餘刻，導電性膜斤 所包含之銅膜使用鹼性鋼蝕刻液進行蝕刻。藉由至以 止之步驟’作為形成探針7A、7B之導電性膜37(參照圖叫 100430.doc -40- 1351730 之铑膜，於探針7A、7B之表面露出。如上所述，作為探針 7A、7B所接觸之焊墊11之材料的Au等，難以附著於表面形 成有铑膜之探針7A、7B，可使硬度高於鎳且難以氧化之接 觸電阻穩定。 繼而’如圖29所示，將含有例如42合金之按壓具50黏著 於彈性體48上，製造實施形態1之薄膜薄片2。 藉由上述步驟所製造之實施形態1之薄膜薄片2，因黏接 有金屬薄片45，故而剛性提高。 (實施形態2) 繼而，就實施形態2加以說明。 於信號配線之中存在會受雜訊影響者β倘若放置該者， 則會自相鄰配線或電源線受雜訊之影響，從而變得於探針 檢測（電性檢測）中無法正確地檢測半導體積體電路本來之 功能。因此，於實施形態2之探針卡中，例如圖3〇所示，於 複數個配線23中，以夾住特別會受雜訊影響之信號配線之 方式，形成遮蔽用金屬線300。遮蔽用金屬線3〇〇與上述配 線23為同一配線層。該複數個遮蔽用金屬線3〇〇之一端，以 包圍配線23之端部之方式短路，並且於適宜處例#固定環4 或外周環4Α等處連接於地線（電源電壓為〇ν之線卜因被複 數個遮蔽用金屬線300夾住之信號配線，藉由上述遮蔽用金 屬線300而被遮蔽，故而可降低雜訊之影響。藉此，於探針 檢測（電性檢測）中可正杨檢測半導體積體電路本來 能。 又，如圖31所示，可使用於特別會受雜訊影響之信號配 100430.doc 1351730 線30之正下方的配線層’形成遮蔽用金屬線3〇〇。為使其充 为發揮遮蔽功能’較好的是以寬於信號配線3〇之寬度W2之 方式，形成遮蔽用金屬線3〇〇之寬度W1。又，雖然未有圖 示’然而較好的是’使用於信號配線3〇之正上方之配線層 形成遮蔽用金屬線300’藉由上下之遮蔽用金屬線3 〇〇夾住 信號配線3 0。 (實施形態3) 繼而，就實施形態3加以說明。 薄膜藉由曝光可圖案化，且可做入電阻、或電容器、探 測器。因此，於實施形態3之探針卡中，可例如圖32所示， 利用於上述薄膜薄片2之探針形成區域7〇〇之内側，形成阻 抗匹配電路321或電容器322。 上述電容器322，如圖33所示，形成於複數個配線23中所 包含之地線（GND線）231與電源線（Vdd線）232之間，可藉由 上述電容器322降低於地線231或電源線232中所包含之雜 訊。上述電容器331藉由對向地配置利用相互相異之配線層 所形成之電極332、333而製作。電極332導通於電源線232， 電極333導通於地線23卜電極332、333間之絕緣膜藉由聚 醯亞胺等而形成。倘若設定層間膜厚L=聚醯亞胺之介電常 數為3.4、介電常數ε=8.84χ1〇·!2，則電容器之靜電電容 C，根據Cy(S/L) ’藉由1〇 μηι見方之膜厚1〇 ，可作成 3.0 fF之電容。 上述阻抗匹配電路321 ’於信號傳送系中為抑制信號之反 射而被插入，上述常數藉由與信號源之關係而決定。上述 I00430.doc -42- 1351730 阻抗匹配電路321如圖34所示，成為與電阻341與探測器342 之並連電路。該並連電路配置於信號線233與探針7之間。 電阻34 1、探測器342利用配線層而形成。探測器342可藉由 1 mm見方之螺旋圖案獲得約35〇 nH之自我電感。阻抗匹配 電路321之阻抗可藉由電阻341與探測器342之值進行調 整。電阻341之值與形成電阻之信號配線之長度成比例，且 與信號配線之長度成比例。藉由設置阻抗匹配電路32丨，信 號傳送系之阻抗被匹配，藉此可抑制信號之反射，故而於 探針檢測（電性檢測）中可正確地檢測半導體積體電路本來 之機能。 (實施形態4) 繼而’就實施形態4加以說明。

於準備探針卡之步驟中，需要以正確之位置關係，將對 應於作為檢測對象之晶圓之薄膜薄片2安裝於配線基板1， 然而難以通過藉由目測確定於薄膜薄片2之中央部所形成 之探針7的微細排列與配線基板1之位置關係、，而決定相對 於配線基板1之薄膜薄片2之位置。 因此’於實施形態4中，為實現可容易地決定薄膜薄片2 於安裝時之位置’將利用薄膜薄片2之螺孔形成圖案。例如 圖35所示’於薄臈薄片2中，於與固^環4(參照⑴、圖2以 及圖3)相接觸之位置，形成有複數個螺孔形成圖案35-1〜 •35-12。於該等複數個螺孔形成圖 __ 一〜 35_1、35_12所表示者於圖36中被放大。由此可知，僅於螺 孔形成圖案35-丨2之—端形成有用以決定位置之角部(決定 100430.doc • 43· 1351730 位置之標記）3 50。藉由該角部350，薄臈薄片2之安裝方向 被確定。例如於配線基板丨之薄膜薄片2之安裝面預先形 成對應於上述用以定位之角部35〇之三角標記353，使上述 用以定位之角部350對準該三角標記353，藉此可容易地實 行決定相對於配線基板i之薄膜薄片2之位置。於該決定位 置之步驟之後’薄膜薄片2藉由固定環4固定，利用於上述 螺孔形成圖案35-1〜35-12中之螺孔，薄膜薄片2與固定環4 藉由螺釘安裝於配線基板。再者，上述用以定位之角部 3 50，設定其位於螺孔351之位置之偏薄膜薄片2之邊緣側 處。因於螺孔351之位置偏薄膜薄片2之邊緣側的剛性低於 薄膜薄片2之中心部側之剛性，故而，即使形成上述用以定 位之角部350，亦無須擔心會因此導致薄膜薄片2破損。 又，於薄膜薄片2中，於複數個配線23自薄膜薄片2之中 央部向外周呈放射狀地形成之情形時，容易出現未形成配 線2 3之區域（非配線區域）’由此會導致於薄膜薄片2之剛性 之平衡被破壞，有時會產生薄膜薄片2之破損。因此，較好 的是’於薄膜薄片2之非配線區域形成未參與信號傳送之虛 设配線2 3 A (如虚線所示）’藉此確保於薄膜薄片2之剛性平 衡。 (實施形態5) 繼而，就實施形態5加以說明。 如圖37所示，倘若僅於薄膜薄片2之背面黏貼彈性體48， 則難以使探針7A(7B)之高度統一，並且由於熱膨脹係數之 影響會導致探針7A(7B)之位置與焊墊位置相偏移。故而於 100430.doc • 44· 1351730 上述實施形態1中，黏貼以熱膨脹係數接近矽之42合金作為 材料之金屬薄片（殷鋼）45 ’藉由具有彈性之彈性體48按壓探 針7A(7B)(參照圖29)。然而，因例如圖38所示，自薄膜薄 片2之中心部向邊緣部之張力381施加於薄膜薄片2,故而因 施加壓縮位於最外緣探針7八正上方之彈性體48A之力，會 產生降低於上述外緣之探針7A之接觸器可靠性的現象。 因此’如圖39所示’於上述最外緣探針7A之外側附近， 形成虛设之彈性體480。該情形時，藉由上述施加至薄膜薄 片2之張力，虛設彈性體48〇向箭頭382方向被壓縮產生變 形’然而可避免上述彈性體48A被壓縮為非期望之狀態。藉 此可提昇探針之可靠性。倘若虛設彈性體48〇之寬度過於狹 乍，則會因彈性量不足而負於薄膜薄片2之張力。因此較好 的是’.確保虛設彈性體48〇之寬度為大約3〇〇 μηι以上。 又’如圖40所示’於並列設置探針7八（7]3)之情形時（參照 圖9)，亦可如圖4 1所示於兩側設置虛設彈性體。 進而，如圖42所示，倘若使彈性體48之高度與金屬薄片 (殷鋼）45之厚度相—致，且藉由按壓具5()按壓彈性⑽以及 金屬薄片（殷鋼）45雙方，則可防止如圖38所示之金屬薄片 (身又鋼）45之變形，避免上述彈性體48Α被壓縮為非期望之狀 L故而可提昇探針之可靠性。於此情形時，無須相當於 如圖39所示之虛設彈性體480之構件。 與探針7之位置相對應之彈性體稱為針元彈十生體。該針元 彈性體與虛設彈性體之關係如圖43至圖料所示，可對應於 & # 7之g& 1狀況等設定為各種態樣。於圖μ中，對應於探 100430.doc •45- 1351730

針形成區域700之探針配置，針元彈性體48a、48B、48C、 48D配置為矩形狀，且以包圍上述針元彈性體之方式，配置 虛叹彈性體480A、480B、480C、480D，藉此可防止針元彈 性體48A、48B、48C、48D之變形。又，於晶片尺寸較大之 情形時，較好的是，於探針形成區域7〇〇之拐角部形成圓形 之虛設彈性體481A、481B、481C、481D，藉此可防止針元 彈性體48八、488、480、480之變形。針元彈性體48心483、 48C、48D與其所對應之虛設彈性體480A、480B、480C、480D 之間隔雖無待別限定，但是較好的是設定為3〇〇 以上。 此時’圓形虛設彈性體481Α、481Β、481C、481D之直徑可 於50〜400 μηι之範圍内加以選擇。於晶片尺寸相對較小之 情形時，因圓形之虛設彈性體481Α、481Β、481(：、48id

無法獲得所期望之效果，故而無需圓形虛設彈性體4 81 a、 481B、481C、481D(參照圖44)。又，亦可藉由連接上述虛 設彈性體480八、48叩、480(：、4801)之端部，如圖45所示， 以矩形狀之方式形成虛設彈性體48〇β於探針形成區域^〇〇 之拐角部之探針間隔為2〇〇 μπι以下的情形時，較好的是如 圖46所示，針元彈性體48以及虚設彈性體48〇雙方皆形成為 於同時測定晶圓上之複數個晶片區域之情形時，對應於 成為同時測定之對象之晶片區域的數量，形成複數個^針 形成區域700。此時，虛設彈性體並非形成於各個探針形忐 ，域700,較好的是如圖47所示，以包圍對應於成為同時測 疋之對象之晶片區域的數量所形成之複數 休对形成區域 100430.doc • 46- 1351730 700之方式，形成虛設彈性體48〇。 又，如上所述可藉由虛設彈性體緩和探針之下沉，但是 根據所形成之虛設彈性體之尺寸不同，會有獲得相反效果 之情形。例如，如圖48所示，殷鋼45會藉由施加於薄膜薄 片2之張力產生變形’從而導致虛設彈性體彻自殷鋼^突 出：於該虛設彈性體彻之突出量較大之情形時，以推出薄 膜薄片2之方式產生作用。於此情形時，其附近之探針 會跳出，從而對接觸性產生不良影豳。 因此，如圖49所不，為適宜地保持設置有虛設彈性體之 殷鋼4S之形狀，避免對於薄臈薄片2施加超過需要之張力， 較好的是，縮小形成虛設彈性體48〇之孔，或者使虛設彈性 體480之内郅具有空洞，藉此調整與虛設彈性體之薄膜 溥片2的張力相對抗之力。例如，如圖5〇所示，探針形成區 域7〇〇之拐角部之圓形虛設彈性體481A〜481D等，除縮小 直徑以外，設置複數個較小之空洞5〇 i，或者設置自正面看 為橢圓形之空洞502，藉此可減弱與薄膜薄片2之張力相對 抗之力。 又’於同時測疋晶圓上之複數個晶片區域之情形時，因 薄膜薄片2之面積與作為同時測定對象之晶片區域的數量 成比例地擴大’故而需要將與測定對象為一個晶片區域之 情形相比為大之張力施加於薄膜薄片2。因此可知會變得難 以抑制因施加於薄膜薄片2之張力所引起之殷鋼變形。因施 加於薄膜薄片2之張力所引起之殷鋼變形，於探針形成區域 7 0 〇之拐角部尤為明顯，故而較好的是如圖5 1所示，以探針 100430.doc • 47- 1351730 /成區域700之拐角部為中心追加虛設彈性體。 (實施形態6) 繼而，就實施形態6加以說明。

倘若增加半導體積體電路之輸出人信號之數量’則於薄 膜薄片2之信號線數會隨之增加，故而於薄膜薄片2實行多 層配線。當實行多層配線時，設置有通孔作為用以電性導 通相互相異之配線層間之機構。然而，倘若於薄膜薄片淡 施加有較強張力之處設置上述通孔，則因通孔而產生斷線 之可能性會變大，會有多層配線之可靠性降低之問題。因 對於薄膜薄片2施加特別強之張力處為’於圖S2中與固定環 4(參照圖1、圖2)相接觸之區域40與與黏接環6(參照圖丨、圖 2)相接觸的區域60之間，故而較好的是，於該等以外之處 形成通孔。即較好的是，於薄膜薄片2,與固定環4相接觸 之區域40及其外側，以及與黏接環6相接觸之區域6〇及其内 側形成通孔。又’此時為提高連接之確實性，較好的是如 圖53所示，於第一配線層531與第二配線層532之連接，使 用複數個通孔533〜536。如此，藉由決定通孔之形成位置 或數量，可提昇於薄膜薄片2之多層配線之可靠性。 (實施形態7) 繼而，就實施形態7加以說明。 圖54係於成為實施形態7之比較對象之探針卡的配線基 板1之主要部分平面圖，圖5 5係沿圖54之F-F線之主要部分 剖面圖。 薄膜薄片2之配線23之端部544，接觸於於配線基板1所設 100430.doc -48 · 1351730 置之壓著焊盤543。該壓著焊盤543藉由通孔547、（跨接線） 跨接線541以及基板内配線548結合於彈簧座8。彈簧座8經 由彈簧座接觸器549結合於測定器（未圖示卜又，電源配線 經由跨接線545結合於配線基板丨上之電源焊盤M2。上述構 成中，因作為配線基板丨使用有泛用品，故而於配線基板i 上存在複數個跨接線541、545 »彈簧座與於半導體積體電 路之焊墊未必相適合，每次設計薄膜薄片2時，關於跨接線 5 4 1 ’ 5 4 5之纏繞問題必須再次研究。 圖56係於實施形態7之探針卡之配線基板i的主要部分平 面圖，圖57係沿圖56之G-G線之主要部分剖面圖。 規則地形成用以結合壓接焊盤與彈簧座8之基板内配線 548 ’特別是關於信號配線無需跨接線。於信號配線取消跨 接線，藉此難以產生於相互鄰接之跨接線之串擾，從而電 氣特性被改善。 (實施形態8) 繼而’就實施形態8加以說明。 於實施形態8中，為實現可同時對於如圖12所示之晶圓 WH之複數個半導體積體電路（晶片1〇之區域）實行檢測，於 薄膜薄片1中’分別形成有探針（接觸端子）之區域581〜 5 84，對應上述複數個晶片區域形成有複數個。藉此，可實 現對於四個晶片區域同時實行探針檢測。關於區域58〗〜 W4於實施形態丨〜7中已加以說明’故而省略其詳細說明。 以上’藉由實施形態就本發明者之發明加以具體說明， 但本發明並非限定於上述實施形態者，可於未脫離其要旨 100430.doc -49- 1351730 之圍内實行各種變更。 作為檢測對象之半導體晶圓之主面上之電極除凸塊電 極以外’亦可為焊接墊。 又’本發明並不妨礙DFT技術或BIST技術之使用。 本發明之半導體積體電路裝置之製造方法，可廣泛地使 用於例如半導體積體電路裝置之製造步驟之探針檢測步 驟。 【圖式簡單說明】 圖1係表示作為本發明之實施形態〗之探針卡的底面之主 要部分平面圖。 圖2係表示沿圖1中之A-A線之剖面圖。 圖3係表示上述探針卡之上面之主要部分平面圖。 圖4係表示用以說明於上述探針卡之配線的探針卡之底 面之主要部分平面圖。 圖5係表示於上述探針卡之薄膜薄片之中央部的配線說 明圖。 圖6係表不作為於圖5所示之配線的比較對象之配線說明 圖。 圖7係表示於上述探針卡之薄膜薄片之中央部的配線說 明圖。 圖8係表示於上述探針卡之薄膜薄片之中央部的配線說 明圖。 圖9係表示於上述探針卡之薄膜薄片之主要部分平面圖。 圖丨〇係表示沿圖9中之B_B線之剖面圖。 100430.doc 丄川730 圖11係表示沿圖9中之C_C線之剖面圖。 圖12係表示形成有使用作為本發明之實施形態丨之探針 卡實行探針檢測的對象之半導體晶片區域之半導體晶圓的 平面圖。 圖13係表示使用作為本發明之實施形態丨之探針卡實行 探針檢測的對象之半導體晶片之平面圖。 圖14係表示於圖13所示之半導體晶片所形成之焊墊的立 體圖。 圆15係表示與於圖14所示之半導體晶片之液晶面板的連 接方法之主要部分剖面圖。 圖丨6係表示形成作為本發明之實施形態1之探針卡的薄 膜薄片之主要部分平面圖。 圖1 7係表示形成作為本發明之實施形態1之探針卡的薄 膜薄片之主要部分平面圖。 圖1 8係表示形成作為本發明之實施形態丨之探針卡的薄 骐薄片之主要部分平面圖。 圖19係表示沿圖丨8中之d_d線之剖面圖。 圖20係表示沿圖丨8中之；E_E線之剖面圖。 圖21係表示說明形成作為本發明之實施形態1之探針卡 的4膜薄片之製造步驟之主要部分剖面圖。 圖22係表示接續圖21之薄膜薄片之製造步驟中的主要部 分剖面圖。 圖23係表示接續圖22之薄膜薄片之製造步驟中的主要部 分剖面圖。 100430.doc 51 分：:表不接續圖23之薄膜薄片之製造步鄉中的主要部 分:：示接續圈24之㈣片—要邹 分：:表示接續圖25之薄…之製—要部 圖27係表示接續 分剖面圖。’.圖6之薄膜薄片之製造步驟中的主要邹 圖2 8係表示接續圖）7 + # 薄膜薄片之製造步驟中的主要 分剖面圖。、之薄膜薄片之製造步驟中的主要部 圖29係表示接續圖28之 部 分剖面圖 圖3 0係表示於作為 膜 薄片之主\為本么明之實施形態2之探針卡的薄 溥片之主要部分平面圖。 圖31係表示於作為太 膜 啼 兩本發明之實施形態2之探針卡的薄 溥片之主要部分說明囷。 圖3 2係表示於作五士 μ 膜 F馬本發明之實施形態3之探針卡的薄 薄片之主要部分平面圖。 圖33係表示於作盔 马本發明之實施形態3之探針卡的薄腹 薄片所形叙主要電辱膜 文电路之說明圖。 圖3 4係表示於作為士& 局本發明之實施形態3之探針卡的薄腺 薄片所形成之主要電 文黾路之說明圖。 圖35係表示於作主士々 ^ 馬本發明之實施形態4之探針卡的薄膜 薄片之主要部分平面圖。 100430.doc •52· 1351730 圖36係表示圖35中之螺孔形成圖案之平面圖。 圖37係表不於作為本發明之實施形態$之探針卡的比較 對象之探針卡之薄膜薄片的主要部分剖面圖。 圖38係表示於作為本發明之實施形態$之探針卡的比較 對象之探針卡之薄膜薄片的主要部分剖面圖。 圖39係表示於本發明之實施形態$之探針卡的薄膜薄片 之主要部分剖面囷。 圖40係表示於本發明之實施形態$之探針卡的薄膜薄片 之主要部分剖面圖。 圖41係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分剖面圖。 圖42係表示於本發明之實施形態$之探針卡的薄膜薄片 之主要部分剖面圖。 圖43係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分平面圖。 圖44係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分平面圖。 圖45係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分平面圖。 圖46係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分平面圖。 圖47係表示於本發明之實施形態5之探針卡的薄膜薄片 之主要部分平面圖。 圖48係表示於作為本發明之實施形態5之探針卡的比較 100430*doc -53- 1351730 對象之探針卡之薄膜薄片的主要部分剖面圖。 的薄膜薄片 的薄膜薄片 圖49係表示於本發明之實施形態5之探針卡 之主要部分平面圖。 圖50係表示於本發明之實施形態5之探針卡 之主要部分平面圓。 薄臈薄片 圖51係表示於本發明之實施形態5之探針卡的 之主要部分平面圖。

圖52係表示於實施形態6之探針卡的 分平面圖。 薄膜薄片之主要部 圖53係表示圖52中之主要部分剖面圖。 圖54係表示於作為實施形態7之探針卡之比較對象的探 針卡之配線基板之主要部分平面圖。 圖55係表示沿圖54中之F_F線之剖面圖。 圖係表示於實施形態7之探針卡之配線基板的主要部 分平面圖。

圓57係表示沿圖56中之F_F線之剖面圖。 圖58係表示於實施形態8之探針卡之配線基板的主要部 分平面圖。 圖59係表示本發明者等所研究之探針之主要部分平面 圖。 圖6〇係將於探針檢測步驟中之圆79中之一區域擴大表示 的主要部分平面圖。 圖6 1係表不沿圖60Φ夕·ν 圆υ τ之c-c線之剖面的主要部分之主要 部分剖面圖。 100430.doc .54. 1351730 圖62係表示將接續圖61之探針檢測步驟中圖59中之一區 域擴大的主要部分平面圖。 圖63係表示沿圖62中之C-C線之剖面的主要部分之主要 部分剖面圖。 圖64係將探針檢測步驟中圖59中之一區域擴大表示之主 要部分平面圖。 圖65係表示沿圖64中之D-D線之剖面的主要部分之主要 部分剖面圖。 圖66係將接續圖64之探針檢測步驟中的圖79中之一區域 擴大表示之主要部分平面圖。 圖67係表示沿圖66中之D-D線之剖面的主要部分之主要 部分剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 多層配線基板 2 薄膜薄片 3 活塞 3A 彈簧 4 固定環 4A 外周環 5 開口部 .6 黏接壤 7，7A，7B，7C，7D 探針 8 彈簧座 9 按壓具 100430.doc -55- 1351730

10 晶片 14， 15 像素電極 16 玻璃基板 17 液晶層 21A ，21B ， 21C ， 21D 金屬膜 22 聚醯亞胺膜 23 配線 23A 虛設配線 24， 533〜536，542 通孔 25 聚醯亞胺膜 26 配線 27 聚醯亞胺膜 28 通孔 31 晶圓 32 氧化矽膜 33 子L 34 氧化矽膜 35-1 〜35-12 螺孔形成圖案 37 導電性膜 38 導電性膜 45 殷鋼 48A^ -48C 彈性體 101 探針 102 配線基板 100430.doc 56- 1351730 103 凸塊電極 321 阻抗匹配電路 322 電容器 341 電阻 350 用以決定位置之角部 700 探針形成區域 WH 晶圓

100430.doc -57-

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： I —種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複 個b曰片區域，於上述複數個晶片區域之各個形成有半 雷體電路’並且於主面上形成有與上述半導體積體 電性連接之複數個電極； ()準備探針卡之步驟，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，進行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： ()準備第一薄片之步驟，該第一薄片對於形成有第一 線之配線基板，含有用以與上述複數個電極接觸之複 數㈣觸端子；電性連接於上述複數個接觸端子與上述 第配線之第一配線；及配置於複數個接觸端子之形成 區域之附近且上述第二配線之非形成區$，不參與信號 傳送之第一虛設配線； ⑽上述步驟⑽之後，於可自上述第一薄片之背面按 壓上述第Ή中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態，於上述配線基板上安裝上述第—薄片之步驟。 2.如請求項丨之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 複數個電極沿上述晶片區域之外周以複數行排列，於第 「行所包含之上述電極以及第二行所包含之上述電極於 沿上述晶片區域之外周之方向交錯配置。 100430.doc 5. 6· 3. 如睛求項2之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 :配線3有自上述第—薄片之中心部向對應於上述電 列部之部位形成放射狀的配線。 4. -種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟: ⑷準備半導體晶圓之步驟’該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域，# μ冲 匕埤於上述複數個晶片區域之各個形成有丰 導體積體電路，光 並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； ㈨準備探針卡之㈣，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，進行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第一薄片之步驟’該第一薄片對於形成有第一 配線之配線基板，含有用以與上述複數個電極接觸之複 數個接觸端子；電性連接於上述複數個接觸端子與上述 第-配線之第二配線；及以沿上述第二配線中易受雜訊 影響之信號線的方式形成之遮蔽用金屬配線； (b2)上述步驟（bl)之後，於可自上述第一薄片之背面按 壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態，於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟。 如請求項4之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 遮®£用金屬配線被固定於接地位準。 如請求項5之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 100430.doc 1351730 8

   9

   第二配線中易受雜訊影響之信號線以被與其同一配線層 之複數個遮蔽用金屬配線夾住之方式所遮蔽。 如請求項5之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 第二配線中易受雜訊影響之信號線係由其上層或下層所 形成之上述遮蔽用金屬配線所遮蔽。 如請求項7之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上述 遮蔽用金屬配線被形成比易受雜訊影響之信號線的寬度 寬。 & 一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域，於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路’並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； ⑻準備探針卡之步驟，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，進行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： 對用標記定位第-薄片的步驟’該第-薄片 個雷 配線之配線基板，含有用以與上述複數 個電極接觸之複溆侗垃雜_ 7 觸…上述第 電性連接上述複數個接 ，、上这第一配線之 通之螺孔，且开… I線，及形成有螺釘可貫 成有上述定位用標記之圖案； ⑽上述步驟（bl)之後， J曰上述第一薄片之背面按 I00430.doc 壓上述第—薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態：於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟。 10·如晴求項9之半導體積體電路裝置之製造方法，上述第二 配線自上㈣—薄片之中央部向外周形成放射狀，且於 其間隙形成有不參與信號傳送之第二虛設配線。 u· 一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： ⑷準備半導體晶®之步驟，該半導體晶®被劃分為複 數個晶片區域’於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路’並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； ⑻準備探針卡之步驟，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； ⑷使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，進行上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)於第一薄月中形成有上述複數個接觸端子之區域 之背面黏貼由殷鋼所形成之第二薄月的步驟，該第一薄 片3有用以與上述複數個電極接觸之複數個接觸端子及 與上述複數個接觸端子電性連接之第二配線； (b2)於與上述複數個接觸端子之形成位置對應之位 置’以貫通上述第二薄片之方式設置第一彈性體之步驟； (b3)於上述第一彈性體之周圍形成當經由上述第一彈 性體按壓上述複數個接觸端子時，可確保上述複數個接 觸端子根本的平坦性之第二彈性體之步驟； 100430.doc (b4)步驟（b3)之後，於可自背面按壓上述第一薄片中形 成有上述複數個接觸端子的區域之狀態，於上述配線基 板上安裝上述第一薄片之步驟。 如請求項1丨之半導體積體電路裝置之製造方法其中上 述殷鋼含有42合金作為主要成分。 如請求項U之半導體積體電路裝置之製造方法，其中施 加於上述第一薄片之張力係由上述第二彈性體之剖面積 所調整。

   14.如請求項11之半導體積體電路裝置之製造方法，其中施 加於上述第一薄片之張力係由形成上述第二彈性體之個 數所調整。 15. 一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： (a)準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域’於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路，並且於^+ ‘ 形成有與上料導體積體

   電性連接之複數個電極； 電Γ接準Γ探針卡之步驟，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； 極（，1吏上Γ複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 、、述半導體積體電路之f性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第一 配線之配線基板 數個接觸端子； 薄片之步驟，該第一薄片對於形成有第一 ，含有用以與上述複數個電極接觸之複 電性連接於上述複數個接觸端子與上述 100430.doc 1351730 弟-配線之第二配線；與卜環之接觸部位；及與具有 小於上述第一環之直徑之第二環之接觸部位；並且於與 上述第一環之接觸部位之外側或與上述第二環之接觸部 位之内側，形成有用以結合不同配線層間之配線的通孔； ⑽上述步驟⑽之後，於可自上述第一薄片之背面按 廢f述第—薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態’於上述配線基板上安裝上述第__薄片之步驟。 1 6.如清求項15之半導體積體電路裝置之製造方法，其中於 上述不同配線層間之配線的結合處設置有複數個通孔。 17. 一種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： (a) 準備半導體晶圓之步驟’該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域’於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路’並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； (b) 準備探針卡之步驟’該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； (c) 使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極’進行上述半$體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： ()準備第薄片之步驟，該第一薄片對於形成有第一 复之配線基板’含有用以與上述複數個電極接觸之複 數個接觸端子；電性連接於上述複數個接觸端子與上述 配線之第—配線；及形成於上述複數個接觸端子附 近由連接於上述第二配線之被動元件所形成之電路； 100430.doc 1351730 (b2)上述步驟⑽之後’於可自上述第一薄片之背面按 壓^述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態，於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟。 18.如請求項17之半導體積幾電路裝置之製造方法，其中上 述被動元件含有電阻、電感器以及電容器令之至少一個。 19·如清求項17之半導體積體電路裝置之製造方法，其中於 上述電路中含有用以與信號傳送f'統之阻抗匹配之阻抗 匹配電路。 20· -種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： ⑷準備半導體晶圓之步驟，該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域’於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路，並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； ⑻準備探針卡之步驟’該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； (c)使上述複數個接觸端子之前端接觸於上述複數個電 極，進打上述半導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第-薄片之步驟，該第一薄片對於配線基板含 有用以與上述複數個電極接觸之複數個接觸端子以及用 以使上述接觸端子電性連接於壓接焊盤之第二配線；上 述配線基板含有上述壓接焊盤、於上述⑷可在與外部之 間交換各種信號用之彈簧座及用以規則地連接上述麼接 焊盤與上述彈簧座之第一配線； 100430.doc 1351730 (b2)上述步驟（bl)之後，於可自上述第一薄片之背面按 壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態’於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟。 21·如請求項20之半導體積體電路裝置之製造方法，其中使 於上述步驟（M)之上述壓接焊盤與上述彈簧座之排列對 應於上述半導體晶圓之上述複數個電極之排列。 22.如請求項21之半導體積體電路裝置之製造方法，其中上 述配線基板含有環氧玻璃作為主要成分。

   23. —種半導體積體電路裝置之製造方法，其含有以下步驟： (a) 準備半導體晶圓之步驟’該半導體晶圓被劃分為複 數個晶片區域，於上述複數個晶片區域之各個形成有半 導體積體電路，並且於主面上形成有與上述半導體積體 電路電性連接之複數個電極； (b) 準備探針卡之步驟，該探針卡含有可與上述複數個 電極接觸之複數個接觸端子； (c) 使上述複數個接觸$子之前端接觸於上述複數個電 極’進行上料導體積體電路之電性檢測之步驟； 上述步驟（b)含有以下步驟： (bl)準備第一薄片之步驟，該第一薄片對於形成有第一 配線之配線基板，對應於上述所劃分之上述複數個晶片 區域’形成有複數個用以與上述複數個電極接觸之複數 個接觸端子及電性連接於上述複數個接觸端子與上述第 一配線之第二配線； (b2)上述步驟（b〗）之後， 於可自上述第一薄片之背面按 100430.doc 1351730 壓上述第一薄月中形成有上述複數個接觸端子的區域之 狀態，於上述配線基板上安裝上述第一薄片之步驟。 24. —種探針卡’其含有以下構件： (a)配線基板，其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 交換信號用之彈簧座及用以使上述壓接焊盤與上述彈簧 座導通之第一配線； (b)第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子；可電性連接上述 複數個接觸端子與上述廢接焊盤之第二配線；及配置於 複數個接觸端子之形《區域之附近且上述第二配線之非 形成區域，不參與信號傳送之第一虛設配線； ⑷第以安裝上述第—薄片於上述配線基板； (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 -薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 25. 一種探針卡，其含有以下構件： 一⑷配線基板’其含㈣接焊盤、可在與外部裝置之間 交換信號用之彈簧座及用以使上述壓接焊盤與上述彈箸 座導通之第一配線； (b)第—薄片’其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子、可電性連接上述 複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線及以沿上述 第二配線中易受雜訊影響之信號線之方式所形成的遮蔽 用金屬配線； 100430.doc 1351730 (C)第一壞，其用以安裝上述第一薄片於上述配線基板； (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 —薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 26. 一種探針卡’其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 交換信號用之彈簧座及用以使上述壓接焊盤與上述彈簧 座導通之第一配線； ’ (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子、可電性連接上述 複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線及形成有螺 釘可貝通之螺孔且形成有定位用標記的圖案； (c) 第一環，其用以於藉由上述定位用標記定位上述第 一薄片之狀態下，於上述配線基板上螺釘固定上述第一 薄片； (d) 按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自背面按 壓上述第一薄片中形成有上述複數個接觸端子之區域。 27· —種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 父換信號用之彈簧座及用以使上述壓接焊盤與上述彈簧 座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子及可電性連接上述 複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線； 100430.doc 中形 (C)由殷鋼所形成之第二薄片，其黏貼於第—薄片 成有上述複數個接觸端子之區域之背面； 2)第-彈性體，其於與上述複數個接觸端子之形成位 置對應之位置，以貫通上述第二薄片之方式所設置. ⑷第二彈性體，其形成於上述第—彈性體/周圍’，當 經由上述第—彈性體㈣上述複數個接觸端子時，可: 保上述凌數個接觸端子根本之平坦性；

   ⑺第-環’其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 (g)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 -薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 28. 一種探針卡，其含有以下構件： ⑷配線基板’其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 交換信㈣之彈簧座及用錢上㈣接焊盤與上述彈菁 座導通之第一配線； (b)第—薄片，其含有可與形成於半導體晶圓之主面的 複數個電極接觸之複數個接觸端子、可電性連接上述複 數個接觸端子與壓接谭盤之第二配線、與第一環之接觸 部位及與具有小於上述第—環之直徑之第二環之接觸部 位’並且於與上述第一環之接觸部位之外側或與上述第 二環之接觸部位之内側’形成有用以連接不同配線層間 之配線之通孔； ⑷第-環’其用以將上述第―薄片安裝於上述配線基 I00430.doc -11 - 1351730 板； (d)按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 一薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 29. 一種探針卡’其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 父換信號用之彈簧座及用以使上述壓接焊盤與上述彈簧 座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子；可電性連接上述 複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線；及形成於 上述複數個接觸端子之附近，由連接於上述第二配線之 被動元件所形成之電路； (c) 第一環，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 板； (d) 按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 一薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 3 0. —種探針卡，其含有以下構件： (a) 配線基板，其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 交換信號用之彈簧座及用以規則地連接上述壓接焊盤與 上述彈簧座之第一配線； (b) 第一薄片，其含有可與於半導體晶圓之主面所形成 之複數個電極接觸的複數個接觸端子及可電性連接上述 100430.doc -12- 1351730 複數個接觸端子與上述壓接焊盤之第二配線； (C)第一環，其用以將上述第一薄片安裝於上述配線基 板； (d)按壓機構’其支持於上述配線基板，且可自上述第 一薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 31. —種探針卡’其含有以下構件： (a) 配線基板’其含有壓接焊盤、可在與外部裝置之間 父換k號用之彈簧座及用以使上述虔接焊盤與上述彈簧 座導通之第一配線； (b) 第一薄片，其與上述被劃分之上述複數個晶片區域 對應，形成有複數個可與被劃分為複數個晶片區域且於 主面上形成有複數個電極之半導體晶圓的上述複數個電 極接觸之複數個接觸端子及可電性連接上述複數個接觸 端子以及上述壓接焊盤之第二配線； (c) 第一環，其用以將上述第_薄片安裝於上述配線基 板； (d) 按壓機構，其支持於上述配線基板，且可自上述第 一薄片之背面按壓上述第一薄片中形成有上述複數個接 觸端子之區域。 100430.doc 13