JPH09172143A - 半導体集積回路装置及びそのテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路装置及びそのテスト方法

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JPH09172143A
JPH09172143A JP33010895A JP33010895A JPH09172143A JP H09172143 A JPH09172143 A JP H09172143A JP 33010895 A JP33010895 A JP 33010895A JP 33010895 A JP33010895 A JP 33010895A JP H09172143 A JPH09172143 A JP H09172143A
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pads
test
sides
pad
chip
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JP33010895A
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English (en)
Inventor
Kazuyoshi Fukuda
和良 福田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路装置ICに配置されるパッド
数をチップ面積を増加させることなく増やすために、I
Cの各辺に配置されるパッド間隔bをIC製造時のウエ
ハテストにおいて各バッドに接触するプローブ針6の間
隔aより狭くすることを可能としたIC及びそれのテス
ト方法を得る。 【解決手段】 各チップの下辺の出力パッド3の間隔b
を他の辺のプローブ針6の間隔と等しい間隔aより小さ
くし、最初はチップ12,13の、次にウエハを横(矢
印10)方向に約1チップ分移動させてチップ13,1
4のテストを行なう。この時上辺に配置された入力パッ
ド2等には毎回プローブ針6を接触させるが、左右両辺
の出力パッド3及び下辺の狭間隔の出力パッド3につい
ては、2回に分けて分割テストを行い、毎回のテスト結
果を記憶装置に蓄えておき、2回のテスト結果を総合し
て1チップのテスト結果を得るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
装置、特に画像表示装置等に使用される電極端子数の多
い半導体集積回路装置、及びそれの製造時におけるテス
ト方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体集積回路装置(以下ICと
いう)における電極端子(以下パッドという)の間隔
は、半導体基板(以下チップという)上に装着されるパ
ッドと、このチップを載置してモールドするためのフレ
ームとをワイヤーで接続するためのワイヤボンド装置の
位置合せ精度で決まり、IC製造時のウエハテスト時に
おいて、上記パッドに接触してテストを行なう検査針
(以下プローブ針という)の最小間隔より小さくするこ
とはできなかった。
【0003】図18は従来のICのパッド配置とウエハ
テスト用プローブ針の間隔の関係を示すパッド配置図
で、図において、1は従来のIC、2は信号を入力する
ための入力パッド、3は信号を出力するための出力パッ
ド、4は電源及び接地に接続される電源・接地パッド
(以下単に接地端子という)、5は信号を入出力するた
めの入出力パッド、6はテスト時にパッド2,3及び4
に接触されるプローブ針、aは隣接するプローブ針6間
の間隔、bは隣接するパッド2,3,4間の間隔であ
る。
【0005】図19は従来のウエハテストの方法を示す
ウエハテスト図、図20はこのテスト時のプローブ針6
とパッド2,3,4,5との接触状態を示す拡大図で、
図において、6はプローブ針、7は半導体ウエハ(以下
単にウエハという)、8はプローブ針6を支持固定する
プローブカード、9はウエハ7の中心、10はウエハテ
スト時のウエハの移動方向、11はウエハテスト時のウ
エハの移動距離、12,13,14はウエハ7に形成さ
れた同時にテストされる横配列のチップである。
【0006】図18に示すように周辺に入力パッド2、
出力パッド3、電源パッド4及び入出力パッド5が配置
されたIC1の製造時のウエハテストにおいては、図1
9に示すようにプローブカード8にパッド間隔bと同一
間隔aで配設固定されたプローブ針6を一チップ例えば
チップ13の全パッドに接触させてテストを行ない、次
にウエハ7を1チップ分の距離11だけ10方向に移動
させ、次はチップ14の全パッドにプローブ針6を接触
させてテストを行なっていた。
【0007】図21は従来の他のウエハテスト方法を示
すウエハテスト図、図22はこのテスト時のプローブ針
とパッドとの接触状態を示す拡大図で、図において、6
はプローブ針、7はウエハ、8はプローブカード、9は
ウエハ7の中心、10はウエハの移動方向、11はウエ
ハの移動距離、15,16,17,18はウエハ7に形
成された同時にテストされる斜めの対角線上に配列され
たチップである。
【0008】図21に示すように斜めの対角線上に配列
されたチップ15,16,17,18を同時に2個づ
つ、例えば最初にチップ15と16の全パッドに、2チ
ップのパッド数と同数のプローブ針6を接触させてテス
トを行ない、次にウエハ7を斜の対角線上10方向に2
チップ分の距離11だけ移動させ、次はチップ17,1
8の全パッドにプローブ針6を接触させてテストを行な
っていた。このように2チップ同時にテストを行なうこ
とによりウエハテスト時間の短縮を図っていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】一般にICでは多くの
信号を入出力するためになるべく多くのパッドを設ける
ことが望ましく、そのためにはパッド間隔をできるだけ
小さくする必要があり、そのパッド間隔bはチップを載
置してモールドするためのフレームにワイヤーで接続す
るためのワイヤボンド装置の位置合せ精度で決まる。し
かしながら、ウエハテストを行なうためのプローブ針の
間隔aもそれ程狭くすることもできず、このプローブ針
間隔aより狭いパッド間隔bのチップをテストする場
合、一回ですべてのパッドにプローブ針を接触させるこ
とができず、接触できるパッドについてのテストしか行
なえず完全なテストが行なえないという問題点があっ
た。また、全パッドについてのウエハテストを可能とす
るためにはパッド間隔bをプローブ針間隔aと等しくす
ればよいが、パッドの数が多くなるとそれだけチップ面
積が大きくなるという問題点が生じた。
【0010】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ウエハテスト時のプローブ針
の間隔より狭いパッド間隔で、しかも、全パッドについ
てウエハテストを行なうことができる半導体集積回路装
置(IC)及びそれのテスト方法を提供することを目的
とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の発明に
係わる半導体集積回路装置は、相対向する四辺を有する
チップの、これら四辺に沿って複数のパッドを直線状に
配置したものにおいて、上記四辺の内少なくとも一辺に
配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッド
の間隔より狭くしたものである。
【0012】この発明の第2の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複数
のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内少な
くとも一辺に配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置
されたパッドの間隔より狭くしたチップの上記パッドに
プローブ針を接触してテストを行なう時に、上記パッド
間隔を狭くした出力パッドの列を複数回に分けて上記プ
ローブ針を接触させて分割テストを行い、分割したテス
ト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複数回テストするよ
うにした。
【0013】この発明の第3の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複数
のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内少な
くとも一辺に配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置
されたパッドの間隔より狭くしたチップを複数個隣接し
て配置したウエハの、隣接した複数個のチップの各パッ
ドにプローブ針を接触させて、複数チップ同時にテスト
を行なう時に、テスト終了後上記ウエハとプローブ針と
の相対位置を隣接方向に約チップ分移動させて次のテス
トを行なうことによって、上記パッド間隔を狭くした出
力パッド列を複数回に分けて上記プローブ針を接触させ
て分割テストを行い、分割したテスト結果を記憶装置に
蓄え、1チップ複数回テストするようにした。
【0014】この発明の第4の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、第3の発明において、横又は
縦方向に隣接した2個のチップを同時にテストするとと
もに、ウエハとプローブ針との相対位置を横又は縦方向
に移動させるようにした。
【0015】この発明の第5の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、第3の発明において、対角線
方向に隣接した2個のチップを同時にテストするととも
に、ウエハとプローブ針との相対位置を対角線方向に移
動させるようにした。
【0016】この発明の第6の発明に係わる半導体集積
回路装置は、相対向する四辺に沿って複数のパッドを直
線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺に
配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッド
の間隔より狭くしたチップをウエハ内に複数個隣接して
配置したものにおいて、上記各チップの入力パッドの少
なくとも一部を隣接するチップの対応入力パッドに接続
する共通配線を備えたものである。
【0017】この発明の第7の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複数
のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内少な
くとも一辺に配置された入力パッドの間隔を、他の辺に
配置されたパッドの間隔より狭くしたチップを複数個隣
接して配置し、隣接するチップの上記狭間隔の入力パッ
ドを共通配線で接続してなるウエハの、隣接した複数個
のチップの各パッドにプローブ針を接触させて、複数チ
ップ同時にテストを行なう時、上記狭間隔の入力パッド
には隣接した複数個のチップに分けてプローブ針を接触
させるようにした。
【0018】この発明の第8の発明に係わる半導体集積
回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複数
のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内少な
くとも一辺に配置された出力パッドの間隔を、他の辺に
配置されたパッドの間隔より狭くしたチップを、上記狭
間隔出力パッド配列方向に複数個隣接して配置し、隣接
するチップの上記狭間隔出力パッド配置辺に直交する2
辺に配列された入力パッドを共通配線で接続してなるウ
エハの、隣接した複数個のチップの各パッドにプローブ
針を接触させて、複数チップ同時にテストを行なう時、
上記共通配線で接続された入力パッドには同時にテスト
されるチップの両端辺に配列された入力パッドに分けて
プローブ針を接触させるとともに、テスト終了後上記ウ
エハとプローブ針との相対位置を隣接方向に約チップ分
移動させて次のテストを行なうことによって、上記狭間
隔出力パッド列を複数回に分けて上記プローブ針を接触
させて分割テストを行い、分割したテスト結果を記憶装
置に蓄え、1チップ複数回テストするようにした。
【0019】この発明の第9の発明に係わる半導体集積
回路装置は、相対向する四辺を有するチップの、これら
四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置してなり、こ
れら四辺の内相対向する二辺に配置されたパッドの間隔
を、他の二辺に配置されたパッドの間隔より狭くしたも
のにおいて、上記他の二辺に配置されたパッドの形状を
上記狭間隔パッド配列方向にこれら狭間隔パッドより長
くしたものである。
【0020】この発明の第10の発明に係わる半導体集
積回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複
数のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内相
対向する二辺に配置された出力パッドの間隔を、他の二
辺に配置されたパッドの間隔より狭くし、これら他の二
辺に配置されたパッドの形状を上記狭間隔出力パッド配
列方向にこれら狭間隔パッドより長くしたチップの、上
記パッドにプローブ針を接触してテストを行なう時、テ
スト終了後上記チップとプローブ針との相対位置を上記
狭間隔出力パッド配列方向に移動させて次のテストを行
なうことによって、上記狭間隔出力パッドの列を複数回
に分けて上記プローブ針を接触させて分割テストを行
い、分割したテスト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複
数回テストするようにした。
【0021】この発明の第11の発明に係わる半導体集
積回路装置は、相対向する四辺を有するチップの、これ
ら四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置したものに
おいて、上記四辺の内相対向する二辺にそれぞれ配置さ
れた複数のパッドを斜方向にずらした2列の直線状配置
とするとともに、上記他の二辺に配置されたパッドの形
状を上記斜方向に上記狭間隔パッドより長くしたもので
ある。
【0022】この発明の第12の発明に係わる半導体集
積回路装置のテスト方法は、相対向する四辺に沿って複
数のパッドを直線状に配置してなり、これら四辺の内相
対向する二辺にそれぞれ配置された複数のパッドを斜方
向にずらした2列の直線状配置とし、上記他の二辺に配
置されたパッドの形状を上記斜方向に上記狭間隔パッド
より長くしたチップの、上記パッドにプローブ針を接触
してテストを行なう時、テスト終了後上記チップとプロ
ーブ針との相対位置を上記斜方向に移動させて次のテス
トを行なうことによって、上記狭間隔出力パッドの列を
複数回に分けて上記プローブ針を接触させて分割テスト
を行い、分割したテスト結果を記憶装置に蓄え、1チッ
プ複数回テストするようにした。
【0023】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.以下、この発明の実施の形態を説明す
る。図1、図2及び図3はこの発明の実施の形態1を示
し、図1はパッド配置とプローブ針の間隔の関係を示す
パッド配置図、図2はウエハテスト図、図3はこのテス
ト時のプローブ針とパッドとの接触状態を示す拡大図で
ある。
【0024】図において、1はIC、2は表示コントロ
ール信号等の信号を入力するための入力パッド、3は画
素駆動信号等の信号を出力するための出力パッド、4は
電源及び接地に接続される電源パッド、5は次段のIC
との間で入出力するカスケードデータ信号等の信号を入
出力するための入出力パッド、6はウエハテスト用プロ
ーブ針、aは隣接するプローブ針6間の間隔、bは第二
辺の隣接するパッド3間の間隔、7はウエハ、8はプロ
ーブカード、9はウエハ7の中心、10はウエハテスト
時のウエハの移動方向、11はウエハテスト時のウエハ
の移動距離、12,13,14はウエハ7に形成された
同時にテストされる横配列のチップ、19は1回目のウ
エハテスト時のプローブ針の位置、20は2回目のウエ
ハテスト時のプローブ針の位置である。
【0025】図1に示すIC1は、例えば画像表示装置
駆動用のICで、対向する四辺を有し、第一辺(左辺)
と第三辺(右辺)とにパッド間隔aで複数の出力パッド
3が直線状に配列され、第二辺(下辺)に他辺よりは狭
い間隔bで複数の出力パッド3が直線状に配列され、第
四辺(上辺)にパッド間隔aで複数の入力パッド2、電
源パッド4及び入出力パッド5が直線状に配列されてい
る。画像表示装置駆動用のICは画像表示駆動用信号の
出力パッドの数が多いため、第二辺の画素表示駆動用信
号の出力パッド3を他の二辺よりも狭い間隔bで配列す
ることで、チップサイズを大きくすることなく、出力パ
ッド数を増やすことができる。
【0026】次に図1に示す狭パッド間隔を持ったIC
1製造時のウエハテスト方法について、図2、図3によ
って説明する。図に示すように、第二辺にウエハテスト
時のプローブ針6の間隔aよりは狭い間隔bのパッド3
が配列されているため、1回のテストでは狭ピッチ配列
の出力パッド3全てにプローブ針6を接触させることは
できない。それで第1回目のテストにおいては、図2
(a)、図3(a)で示すように、チップ12では、第
一辺の全出力パッド、第四辺の全パッドと、第二辺の一
っおきの出力パッド3とにプローブ針を接触させ、チッ
プ13では、第三辺の全出力パッド、第四辺の全パッド
と、第二辺の、チップ12でプローブ針6が接触してい
ない一っおきの出力パッド3にプローブ針を接触させて
いる。このように、2っのチップ12,13を一部の出
力パッド3について同時にテストし、そして、その時の
テスト結果を記憶装置等に蓄えておく。
【0027】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を矢印10方向に略1チップ分移動させ、今度はチップ
13と14のテストを行なう。即ち、図2(b)、図3
(b)で示すように、チップ13ではプローブ針を、第
一辺の全出力パッド、第四辺の全パッドと、第二辺の前
回のテストで接触しなかった一つおきの出力パッド3と
に接触させ、チップ14では、第三辺の全出力パッド、
第四辺の全パッドと、第二辺の、チップ13でプローブ
針6が接触していない一つおきの出力パッド3にプロー
ブ針6を接触させてテストを行なう。その時のテスト結
果も記憶装置等に蓄えておく。
【0028】このように、チップ13については上記第
1回のテストと今回の第2回のテストに分割してテスト
が行われることになり、入力パッド2、電源パッド4及
び入出力パッド5には両テストともプローブ針6を接触
させ、出力パッド3についてのみ分割してテストが行な
われる。これら2回に分けて行なわれたテスト結果は記
憶装置から読み出されて、総合的なテスト結果が得られ
る。なお、チップ12については前々回と前回に、チッ
プ14については今回と次回に分割してテストが行なわ
れる。
【0029】実施の形態2.次にこの発明の他の実施の
形態2を説明する。図4及び図5はこの発明の実施の形
態2を示し、図4はウエハテスト図、図5はこのテスト
時のプローブ針とパッドとの接触状態を示す拡大図であ
る。なお、各チップのパッド配置は図1に示とたのと同
様である。
【0030】図において、2は入力パッド、3は出力パ
ッド、4は電源パッド、5は次段のICとの間で入出力
するカスケードデータ信号等の信号を入出力するための
入出力パッド、6はウエハテスト用プローブ針、aは隣
接するプローブ針6間の間隔、bは第二辺の隣接するパ
ッド3間の間隔、7はウエハ、8はプローブカード、9
はウエハ7の中心、10はウエハテスト時のウエハの移
動方向、11はウエハテスト時のウエハの移動距離、1
5,16,17はウエハ7に形成された同時にテストさ
れる、対角線上に斜に配列されたチップ、19は1回目
のウエハテスト時のプローブ針の位置、20は2回目の
ウエハテスト時のプローブ針の位置である。
【0031】次にこの実施の態様のウエハテスト方法に
ついて説明する。まず、第1回目のテストにおいては、
図4(a)、図5(a)で示すように、チップ15で
は、第一辺、第三辺の全出力パッド、第四辺の全パッド
と、第二辺の一つおきの出力パッド3とにプローブ針を
接触させ、チップ16では、第一辺、第三辺の全出力パ
ッド、第四辺の全パッドと、第二辺の、チップ15でプ
ローブ針6が接触していない一つおきの出力パッド3に
プローブ針を接触させている。このように、2つのチッ
プ15,16を一部の出力パッド3について同時にテス
トし、そして、その時のテスト結果を記憶装置等に蓄え
ておく。
【0032】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を対角線上の矢印10方向に略1チップ分左下方向に移
動させ、今度はチップ16と17のテストを行なう。即
ち、図4(b)、図5(b)で示すように、チップ16
ではプローブ針を、第一辺、第三辺の全出力パッド、第
四辺の全パッドと、第二辺の前回のテストで接触しなか
った一つおきの出力パッド3とに接触させ、チップ17
では、第一辺、第三辺の全出力パッド、第四辺の全パッ
ドと、第二辺の、チップ16でプローブ針6が接触して
いない一つおきの出力パッド3にプローブ針6を接触さ
せてテストを行なう。その時のテスト結果も記憶装置等
に蓄えておく。
【0033】このように、チップ16については上記第
1回のテストと今回の第2回のテストに分割してテスト
が行われることになり、第一辺、第三辺の出力パッド、
第四辺の入力パッド2、電源パッド4及び入出力パッド
5には両テストともプローブ針6を接触させ、第二辺の
出力パッド3についてのみ分割してテストが行なわれ
る。これら2回に分けて行なわれたテスト結果は記憶装
置から読み出されて、総合的なテスト結果が得られる。
なお、チップ15については前々回と前回に、チップ1
7については今回と次回に分割してテストが行なわれ
る。また、この実施の態様では図21、22で示す従来
のウエハテスト装置をプローブ針6の位置を多少ずらす
ことにより、そのまま用いることができる。
【0034】実施の形態3.次にこの発明の他の実施の
形態3を説明する。図6、図7及び図8はこの発明の実
施の形態3を示し、図6はパッド配置とプローブ針の間
隔の関係を示すパッド配置図、図7はウエハテスト図、
図8はこのテスト時のプローブ針とパッドとの接触状態
を示す拡大図である。
【0035】図において、1はIC、2は第四辺に狭間
隔で直線状に配列され、また第二辺に一部配置された入
力パッド、3は第一辺、第二辺及び第三辺に直線状に配
列された出力パッド、4は第二辺に配置された電源パッ
ド、5は第二辺に配置された入出力パッド、6はウエハ
テスト用プローブ針、aは隣接するプローブ針6間の間
隔、bは第四辺の隣接するパッド2間の間隔、7はウエ
ハ、8はプローブカード、9はウエハ7の中心、10は
ウエハテスト時のウエハの移動方向、11はウエハテス
ト時のウエハの移動距離、12,13,14はウエハ7
に形成された同時にテストされる横配列のチップ、19
は1回目のウエハテスト時のプローブ針の位置、20は
2回目のウエハテスト時のプローブ針の位置、21は隣
接するチップの他の第四辺の対応する入力パッド2との
間に、パッド2と同じ階層で構成したアルミ箔からなる
共通配線である。
【0036】次にこの実施の態様のウエハテスト方法に
ついて説明する。図に示すように、第四辺にプローブ針
6の間隔aよりは狭い間隔bの入力パッド2が配列され
ているため、1回のテストでは狭ピッチ配列の出力パッ
ド2全てにプローブ針6を接触させることはできない。
それで第1回目のテストにおいては、図7(a)、図8
(a)で示すように、チップ12では、第一辺及び第二
辺の全出力パッド3、第二辺の入力パッド2、電源パッ
ド4及び入出力パッド5と、第四辺の一つおきの入力パ
ッド2にプローブ針を接触させ、チップ13では、第二
辺及び第三辺の全出力パッド3、第二辺の入力パッド
2、電源パッド4及び入出力パッド5と、第四辺の、チ
ップ12でプローブ針6が接触していない一つおきの入
力パッド2にプローブ針を接触させている。
【0037】このように、両チップ12,13の第四辺
の入力パッド2に接触するプローブ針6から両チップ同
時に共通配線21を介して表示コントロール信号等の入
力信号を供給し、2つのチップ12,13を一部の出力
パッド3について同時にテストし、そして、その時のテ
スト結果を記憶装置等に蓄えておく。
【0038】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を矢印10方向に略1チップ分移動させ、今度はチップ
13と14のテストを行なう。即ち、図7(b)、図8
(b)で示すように、チップ13ではプローブ針を、第
一辺及び第二辺の全出力パッド3、第二辺の入力パッド
2、電源パッド4及び入出力パッド5と、第四辺の一つ
おきの入力パッド2にプローブ針を接触させ、チップ1
4では、第二辺及び第三辺の全出力パッド3、第二辺の
入力パッド2、電源パッド4及び入出力パッド5と、第
四辺の、チップ13でプローブ針6が接触していない一
つおきの入力パッド2にプローブ針を接触させ、両チッ
プ共通の入力信号を共通配線21を介して供給してテス
トを行なう。その時のテスト結果も記憶装置等に蓄えて
おく。
【0039】このように、チップ13については上記第
1回のテストと今回の第2回のテストに分割してテスト
が行われることになり、第二辺の出力パッド3、入力パ
ッド2、電源パッド4及び入出力パッド5には両テスト
ともプローブ針6を接触させ、第四辺の入力パッド2に
ついては両テストとも共通配線21を介して同じ信号が
入力され、第一辺及び第三辺の出力パッド3についての
み分割してテストが行なわれる。これら2回に分けて行
なわれたテスト結果は記憶装置から読み出されて、総合
的なテスト結果が得られる。なお、チップ12について
は前々回と前回に、チップ14については今回と次回に
分割してテストが行なわれる。
【0040】実施の形態4.次にこの発明の他の実施の
形態4を説明する。図9、図10及び図11はこの発明
の実施の形態4を示し、図9はパッド配置図、図10は
ウエハテスト図、図11はこのテスト時のプローブ針と
パッドとの接触状態を示す拡大図である。
【0041】図において、1はIC、2は第一辺及び第
三辺に直線状に配列された入力パッド、3は第二辺及び
第四辺に狭間隔で直線状に配列された出力パッド、4は
第一辺及び第三辺に配置された電源パッド、6はウエハ
テスト用プローブ針、aは隣接するプローブ針6間の間
隔、bは第二辺及び第四辺の隣接する出力パッド3間の
間隔、7はウエハ、8はプローブカード、9はウエハ7
の中心、10はウエハテスト時のウエハの移動方向、1
1はウエハテスト時のウエハの移動距離、12,13,
14はウエハ7に形成された同時にテストされる横配列
のチップ、19は1回目のウエハテスト時のプローブ針
の位置、20は2回目のウエハテスト時のプローブ針の
位置、22は隣接するチップの第一辺及び第三辺の対応
する入力パッド2及び電源パッド4との間に、パッドと
同じ階層で構成したアルミ箔からなる共通配線である。
【0041】次にこの実施の態様のウエハテスト方法に
ついて説明する。図に示すように、第二辺及び第四辺に
ウエハテスト時のプローブ針6の間隔aよりは狭い間隔
bのパッド3が配列されているため、1回のテストでは
狭ピッチ配列の出力パッド3全てにプローブ針6を接触
させることはできない。それで第1回目のテストにおい
ては、図10(a)、図11(a)で示すように、チッ
プ12では、第一辺の全入力パッド2及び電源パッド
4、第二辺及び第四辺の一つおきの出力パッド3にプロ
ーブ針を接触させ、チップ13では、第三辺の全入力パ
ッド2及び電源パッド4、第二辺及び第四辺の、チップ
12でプローブ針6が接触していない一つおきの出力パ
ッド3にプローブ針を接触させている。
【0042】このように、両チップ12,13の第一辺
及び第三辺の入力パッド2及び電源パッド4に接触する
プローブ針6から両チップ同時に共通配線22を介して
入力信号及び電源を供給し、2つのチップ12,13を
一部の出力パッド3について同時にテストし、そして、
その時のテスト結果を記憶装置等に蓄えておく。
【0043】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を矢印10方向に略1チップ分移動させ、今度はチップ
13と14のテストを行なう。即ち、図10(b)、図
11(b)で示すように、チップ13ではプローブ針
を、第一辺の全入力パッド2及び電源パッド4、第二辺
及び第四辺の一つおきの出力パッド3にプローブ針を接
触させ、チップ13では、第三辺の全入力パッド2及び
電源パッド4、第二辺及び第四辺の、チップ12でプロ
ーブ針6が接触していない一つおきの出力パッド3にプ
ローブ針を接触させ、両チップ共通の入力信号及び電源
を共通配線22を介して供給してテストを行なう。その
時のテスト結果も記憶装置等に蓄えておく。
【0044】このように、チップ13については上記第
1回のテストと今回の第2回のテストに分割してテスト
が行われることになり、第一辺及び第三辺の入力パッド
2及び電源パッド4については両テストとも共通配線2
2を介して同じ信号が入力され、第二辺及び第四辺の出
力パッド3についてのみ分割してテストが行なわれる。
これら2回に分けて行なわれたテスト結果は記憶装置か
ら読み出されて、総合的なテスト結果が得られる。な
お、チップ12については前々回と前回に、チップ14
については今回と次回に分割してテストが行なわれる。
【0045】実施の形態5.次にこの発明の他の実施の
形態5を説明する。図12、図13及び図14はこの発
明の実施の形態5を示し、図12はパッド配置図、図1
3はウエハテスト図、図14はこのテスト時のプローブ
針とパッドとの接触状態を示す拡大図である。
【0046】図において、1はIC、2は第二辺及び第
四辺に直線状に配列された入力パッド、3は第一辺及び
第三辺に狭間隔で直線状に配列された出力パッド、4は
第二辺に配置された電源パッド、5は第二辺に配置され
た入出力パッド、6はウエハテスト用プローブ針、aは
隣接するプローブ針6間の間隔、bは第一辺及び第三辺
の隣接する出力パッド3間の間隔、7はウエハ、8はプ
ローブカード、9はウエハ7の中心、10はウエハテス
ト時のウエハの移動方向、11はウエハテスト時のウエ
ハの移動距離、12はウエハ7に形成されたテストされ
るチップ、23は、第一辺及び第三辺の狭間隔の出力パ
ッド3の配列方向(上下)にこの出力パッド3よりは幅
広の入力パッド2、電源パッド4及び入出力パッド5か
らなる広形状パッドである。
【0047】次にこの実施の態様のウエハテスト方法に
ついて説明する。図に示すように、第一辺及び第三辺に
ウエハテスト時のプローブ針6の間隔aよりは狭い間隔
bのパッド3が配列されているため、1回のテストでは
狭ピッチ配列の出力パッド3全てにプローブ針6を接触
させることはできない。それで第1回目のテストにおい
ては、図13(a)、図14(a)で示すように、チッ
プ12の第二辺及び第四辺の全入力パッド2、電源パッ
ド4及び出入力パッド5と、第一辺及び第三辺の一つお
きの出力パッド3にプローブ針を接触させてテストを行
なう。その時のテスト結果を記憶装置等に蓄えておく。
【0048】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を矢印10方向に狭間隔出力パッド3間の間隔11だけ
移動させ、図13(b)、図14(b)で示すように、
第二辺及び第四辺の広形状の全入力パッド2、電源パッ
ド4及び入出力パッド5上のプローブ針6との接触位置
をずらせながら、第1回目のテストでプローブ針6が接
触していない一つおきの出力パッド3にプローブ針を接
触させてテストを行なう。その時のテスト結果も記憶装
置等に蓄えておく。
【0049】このように、チップ12について第1回と
第2回に分割してテストが行われることになり、第二辺
及び第四辺の入力パッド2、電源パッド4及び入出力パ
ッド5からなる広形状パッド23には両テスト時とも同
じ信号が入力され、第一辺及び第三辺の出力パッド3に
ついてのみ分割してテストが行なわれる。これら2回に
分けて行なわれたテスト結果は記憶装置から読み出され
て、総合的なテスト結果が得られる。
【0049】実施の形態6.次にこの発明の他の実施の
形態6を説明する。図15、図16及び図17はこの発
明の実施の形態6を示し、図15はパッド配置図、図1
6はウエハテスト図、図17はこのテスト時のプローブ
針とパッドとの接触状態を示す拡大図である。
【0050】図において、1はIC、2は第二辺及び第
四辺に直線状に配列された入力パッド、3は第一辺及び
第三辺に斜方向にずらした2列の直線状に配列された出
力パッド、4は第二辺に配置された電源パッド、5は第
二辺に配置された入出力パッド、6はウエハテスト用プ
ローブ針、aは出力パッド3に接触するプローブ針6間
の間隔、bは第一辺及び第三辺の隣接する出力パッド3
間の間隔、7はウエハ、8はプローブカード、9はウエ
ハ7の中心、10はウエハテスト時のウエハの移動方
向、11はウエハテスト時のウエハの移動距離、12は
ウエハ7に形成されたテストされるチップ、23は斜方
向に出力パッド3より長くした幅広の入力パッド2、電
源パッド4及び入出力パッド5からなる広形状、24は
第一辺及び第三辺に配置され、IC内部との結線が行な
われないダミーパッドである。
【0051】次にこの実施の態様のウエハテスト方法に
ついて説明する。図に示すように、第一辺及び第三辺に
ウエハテスト時のプローブ針6の間隔aよりは狭い間隔
bのパッド3が互違いにずれて配列されているため、1
回のテストでは狭ピッチ配列の出力パッド3全てにプロ
ーブ針6を接触させることはできない。それで第1回目
のテストにおいては、図16(a)、図17(a)で示
すように、チップ12の第二辺及び第四辺の全入力パッ
ド2、電源パッド4及び出入力パッド5と、第一辺及び
第三辺に2列に配列された左側の出力パッド3にプロー
ブ針を接触させてテストを行なう。その時のテスト結果
を記憶装置等に蓄えておく。
【0052】第1回目のテストが終了したら、ウエハ7
を矢印10で示す斜(左上)方向に狭間隔出力パッド3
間の間隔11だけ移動させ、図16(b)、図17
(b)で示すように、第二辺及び第四辺の広形状の全入
力パッド2、電源パッド4及び入出力パッド5上のプロ
ーブ針6との接触位置を斜方向にずらせながら、第1回
目のテストでプローブ針6が接触していない右側列の出
力パッド3にプローブ針を接触させてテストを行なう。
その時のテスト結果も記憶装置等に蓄えておく。
【0053】このように、チップ12について第1回と
第2回に分割してテストが行われることになり、第二辺
及び第四辺の入力パッド2、電源パッド4及び入出力パ
ッド5からなる広形状パッド23には両テスト時とも同
じ信号が入力され、第一辺及び第三辺の出力パッド3に
ついてのみ分割してテストが行なわれる。これら2回に
分けて行なわれたテスト結果は記憶装置から読み出され
て、総合的なテスト結果が得られる。
【0050】
【発明の効果】以上のように、この発明の第1の発明に
おける半導体集積回路装置は、少なくとも一辺に配置さ
れたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッドの間隔
より狭くしたので、一個のICに配置されるパッド数を
チップ面積を増加させることなく増やすことができると
ともに、ウエハテストを分割して行なうことにより、プ
ローブ針の間隔よりも狭い間隔のパッドを有するウエハ
でもウエハテストが可能であるという効果がある。
【0051】この発明の第2の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、少なくとも一辺に配置された
パッドの間隔を、他の辺に配置されたパッドの間隔より
狭くしたチップの上記パッドにプローブ針を接触してテ
ストを行なう時に、上記パッド間隔を狭くした出力パッ
ドの列を複数回に分けて上記プローブ針を接触させて分
割テストを行い、分割したテスト結果を記憶装置に蓄
え、1チップ複数回テストするようにしたので、プロー
ブ針の間隔よりも狭い間隔のパッドを有するチップに対
しても従来の装置でウエハテストが可能であるという効
果がある。
【0052】この発明の第3の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、少なくとも一辺に配置された
パッドの間隔を、他の辺に配置されたパッドの間隔より
狭くしたチップを複数個隣接して配置したウエハの、隣
接した複数個のチップの各パッドにプローブ針を接触さ
せて、複数チップ同時にテストを行なう時に、テスト終
了後上記ウエハとプローブ針との相対位置を隣接方向に
約1チップ分移動させて次のテストを行なうことによっ
て、上記パッド間隔を狭くした出力パッド列を複数回に
分けて上記プローブ針を接触させて分割テストを行い、
分割したテスト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複数回
テストするようにしたので、プローブ針の間隔よりも狭
い間隔のパッドを有するチップに対しても従来の装置で
ウエハテストが可能であるとともに、複数個のチップを
同時にテストすることにより、分割テストによるテスト
回数の増加を抑えることができるという効果がある。
【0053】この発明の第4の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、第3の発明において、横又は
縦方向に隣接した2個のチップを同時にテストするとと
もに、ウエハとプローブ針との相対位置を横又は縦方向
に移動させるようにしたので、上記第3の発明と同様の
効果を有するとともに、従来のウエハテスト装置よりプ
ローブ針の数をそれ程増加させる必要がないという効果
がある。
【0054】この発明の第5の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、第3の発明において、対角線
方向に隣接した2個のチップを同時にテストするととも
に、ウエハとプローブ針との相対位置を対角線方向に移
動させるようにしたので、上記第3の発明と同様の効果
を有するとともに、従来のウエハテスト装置のプローブ
針の位置を多少調整することによりそのまま利用できる
効果がある。
【0055】この発明の第6の発明における半導体集積
回路装置は、相対向する四辺に沿って複数のパッドを直
線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺に
配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッド
の間隔より狭くしたチップをウエハ内に複数個隣接して
配置したものにおいて、上記各チップの入力パッドの少
なくとも一部を隣接するチップの対応入力パッドに接続
する共通配線を備えたので、入力パッド、電源パッド及
び入出力パッドをも狭間隔に配列することが可能とな
り、これらのパッド数をチップ面積を増加させることな
く増やすことができる効果がある。
【0056】この発明の第7の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、少なくとも一辺に配置された
入力パッドの間隔を、他の辺に配置されたパッドの間隔
より狭くしたチップを複数個隣接して配置し、隣接する
チップの上記狭間隔の入力パッドを共通配線で接続して
なるウエハの、隣接した複数個のチップの各パッドにプ
ローブ針を接触させて、複数チップ同時にテストを行な
う時、上記狭間隔の入力パッドには隣接した複数個のチ
ップに分けてプローブ針を接触させるようにしたので、
入力パッドの間隔がプローブ針の間隔よりも狭い間隔の
チップに対しても従来の装置でウェハテストが可能であ
るとともに、複数個のチップを同時にテストすることに
より、分割テストによるテスト回数の増加を抑えること
ができるという効果がある。
【0057】この発明の第8の発明における半導体集積
回路装置のテスト方法は、少なくとも一辺に配置された
出力パッドの間隔を、他の辺に配置されたパッドの間隔
より狭くしたチップを、上記狭間隔出力パッド配列方向
に複数個隣接して配置し、隣接するチップの上記狭間隔
出力パッド配置辺に直交する2辺に配列された入力パッ
ドを共通配線で接続してなるウエハの、隣接した複数個
のチップの各パッドにプローブ針を接触させて、複数チ
ップ同時にテストを行なう時、上記共通配線で接続され
た入力パッドには同時にテストされるチップの両端辺に
配列された入力パッドに分けてプローブ針を接触させる
とともに、テスト終了後上記ウエハとプローブ針との相
対位置を隣接方向に略1チップ分移動させて次のテスト
を行なうことによって、上記狭間隔出力パッド列を複数
回に分けて上記プローブ針を接触させて分割テストを行
い、分割したテスト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複
数回テストするようにしたので、プローブ針の間隔より
も狭い間隔のより多くの出力パッドを有するチップに対
しても従来の装置でウエハテストが可能であるととも
に、複数個のチップを同時にテストすることにより、分
割テストによるテスト回数の増加を抑えることができる
という効果がある。
【0058】この発明の第9の発明における半導体集積
回路装置は、相対向する四辺を有するチップの、これら
四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置してなり、こ
れら四辺の内相対向する二辺に配置されたパッドの間隔
を、他の二辺に配置されたパッドの間隔より狭くしたも
のにおいて、上記他の二辺に配置されたパッドの形状を
上記狭間隔パッド配列方向にこれら狭間隔パッドより長
くしたので、従来の1チップづつウエハテストを行なう
装置を使用しても分割テストを行なうことができるとい
う効果がある。
【0059】この発明の第10の発明における半導体集
積回路装置のテスト方法は、相対向する二辺に配置され
た出力パッドの間隔を、他の二辺に配置されたパッドの
間隔より狭くし、これら他の二辺に配置されたパッドの
形状を上記狭間隔出力パッド配列方向にこれら狭間隔パ
ッドより長くしたチップの、上記パッドにプローブ針を
接触してテストを行なう時、テスト終了後上記チップと
プローブ針との相対位置を上記狭間隔出力パッド配列方
向に移動させて次のテストを行なうことによって、上記
狭間隔出力パッドの列を複数回に分けて上記プローブ針
を接触させて分割テストを行い、分割したテスト結果を
記憶装置に蓄え、1チップ複数回テストするようにした
ので、プローブ針の間隔よりも狭い間隔の出力パッドを
有するチップに対しても従来の1チップづつウエハテス
トを行なう装置を使用してウエハテストが可能であると
いう効果がある。
【0060】この発明の第11の発明における半導体集
積回路装置は、相対向する四辺を有するチップの、これ
ら四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置したものに
おいて、上記四辺の内相対向する二辺にそれぞれ配置さ
れた複数のパッドを斜方向にずらした2列の直線状配置
とするとともに、上記他の二辺に配置されたパッドの形
状を上記斜方向に上記狭間隔パッドより長くしたので、
従来の1チップづつウエハテストを行なう装置を使用し
ても分割テストを行なうことができるという効果があ
る。
【0061】この発明の第12の発明における半導体集
積回路装置のテスト方法は、相対向する二辺にそれぞれ
配置された複数のパッドを斜方向にずらした2列の直線
状配置とし、他の二辺に配置されたパッドの形状を上記
斜方向に上記狭間隔パッドより長くしたチップの、上記
パッドにプローブ針を接触してテストを行なう時、テス
ト終了後上記チップとプローブ針との相対位置を上記斜
方向に移動させて次のテストを行なうことによって、上
記狭間隔出力パッドの列を複数回に分けて上記プローブ
針を接触させて分割テストを行い、分割したテスト結果
を記憶装置に蓄え、1チップ複数回テストするようにし
たので、プローブ針の間隔よりも狭い間隔の出力パッド
を有するチップに対しても従来の1チップづつウエハテ
ストを行なう装置を使用してウエハテストが可能である
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1のパッド配置図。
【図2】 実施の形態1のウェハテスト図。
【図3】 実施の形態1のウェハテスト時のプローブ針
とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図4】 実施の形態2のウェハテスト図。
【図5】 実施の形態2のウェハテスト時のプローブ針
とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図6】 実施の形態3のパッド配置図。
【図7】 実施の形態3のウェハテスト図。
【図8】 実施の形態3のウェハテスト時のプローブ針
とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図9】 実施の形態4のパッド配置図。
【図10】 実施の形態4のウェハテスト図。
【図11】 実施の形態4のウェハテスト時のプローブ
針とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図12】 実施の形態5のパッド配置図。
【図13】 実施の形態5のウェハテスト図。
【図14】 実施の形態5のウェハテスト時のプローブ
針とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図15】 実施の形態6のパッド配置図。
【図16】 実施の形態6のウェハテスト図。
【図17】 実施の形態6のウェハテスト時のプローブ
針とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図18】 従来のICのパッド配置図。
【図19】 従来のICのウェハテスト図。
【図20】 従来のICのウェハテスト時のプローブ針
とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【図21】 従来のICの他の例のウェハテスト図。
【図22】 従来のICの他の例のウェハテスト時のプ
ローブ針とパッドとの接触状態を示す拡大図。
【符号の説明】
1 IC(半導体集積回路装置、2 入力パッド(信号
入力電極端子)、3出力パッド(信号出力電極端子)、
4 電源パッド(電源、接地電極端子)、5入出力パッ
ド(入出力電極端子)、6 プローブ針(テスト用検査
針)、7ウエハ、12,13,14,15,16,17
チップ、21,22 共通配線、23 広形状パッ
ド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 相対向する四辺を有する半導体基板(以
    下チップという)の、これら四辺に沿って複数の電極端
    子(以下パッドという)を直線状に配置してなる半導体
    集積回路装置において、上記四辺の内少なくとも一辺に
    配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッド
    の間隔より狭くしたことを特徴とする半導体集積回路装
    置。
  2. 【請求項2】 相対向する四辺に沿って複数のパッドを
    直線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺
    に配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッ
    ドの間隔より狭くしたチップの上記パッドに検査針(以
    下プローブ針という)を接触してテストを行なう半導体
    集積回路装置のテスト方法において、上記パッド間隔を
    狭くした信号を出力するパッド(以下出力パッドとい
    う)の列を複数回に分けて上記プローブ針を接触させて
    分割テストを行い、分割したテスト結果を記憶装置に蓄
    え、1チップ複数回テストすることを特徴とする半導体
    集積回路装置のテスト方法。
  3. 【請求項3】 相対向する四辺に沿って複数のパッドを
    直線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺
    に配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッ
    ドの間隔より狭くしたチップを複数個隣接して配置した
    ウエハの、隣接した複数個のチップの各パッドにプロー
    ブ針を接触させて、複数チップ同時にテストを行なう半
    導体集積回路装置のテスト方法において、テスト終了後
    上記ウエハとプローブ針との相対位置を隣接方向に約チ
    ップ分移動させて次のテストを行なうことによって、上
    記パッド間隔を狭くした出力パッド列を複数回に分けて
    上記プローブ針を接触させて分割テストを行い、分割し
    たテスト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複数回テスト
    することを特徴とする半導体集積回路装置のテスト方
    法。
  4. 【請求項4】 横又は縦方向に隣接した2個のチップを
    同時にテストするとともに、ウエハとプローブ針との相
    対位置を横又は縦方向に移動させることを特徴とする請
    求項3記載の半導体集積回路装置のテスト方法。
  5. 【請求項5】 対角線方向に隣接した2個のチップを同
    時にテストするとともに、ウエハとプローブ針との相対
    位置を対角線方向に移動させることを特徴とする請求項
    3記載の半導体集積回路装置のテスト方法。
  6. 【請求項6】 相対向する四辺に沿って複数のパッドを
    直線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺
    に配置されたパッドの間隔を、他の辺に配置されたパッ
    ドの間隔より狭くしたチップをウエハ内に複数個隣接し
    て配置してなる半導体集積回路装置において、上記各チ
    ップの信号を入力するパッド(以下入力パッドという)
    の少なくとも一部を隣接するチップの対応入力パッドに
    接続する共通配線を備えたことを特徴とする半導体集積
    回路装置。
  7. 【請求項7】 相対向する四辺に沿って複数のパッドを
    直線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺
    に配置された入力パッドの間隔を、他の辺に配置された
    パッドの間隔より狭くしたチップを複数個隣接して配置
    し、隣接するチップの上記狭間隔の入力パッドを共通配
    線で接続してなるウエハの、隣接した複数個のチップの
    各パッドにプローブ針を接触させて、複数チップ同時に
    テストを行なう半導体集積回路装置のテスト方法におい
    て、上記狭間隔の入力パッドには隣接した複数個のチッ
    プに分けてプローブ針を接触させることを特徴とする半
    導体集積回路装置のテスト方法。
  8. 【請求項8】 相対向する四辺に沿って複数のパッドを
    直線状に配置してなり、これら四辺の内少なくとも一辺
    に配置された出力パッドの間隔を、他の辺に配置された
    パッドの間隔より狭くしたチップを、上記狭間隔出力パ
    ッド配列方向に複数個隣接して配置し、隣接するチップ
    の上記狭間隔出力パッド配置辺に直交する2辺に配列さ
    れた入力パッドを共通配線で接続してなるウエハの、隣
    接した複数個のチップの各パッドにプローブ針を接触さ
    せて、複数チップ同時にテストを行なう半導体集積回路
    装置のテスト方法において、上記共通配線で接続された
    入力パッドには同時にテストされるチップの両端辺に配
    列された入力パッドに分けてプローブ針を接触させると
    ともに、テスト終了後上記ウエハとプローブ針との相対
    位置を隣接方向に約チップ分移動させて次のテストを行
    なうことによって、上記狭間隔出力パッド列を複数回に
    分けて上記プローブ針を接触させて分割テストを行い、
    分割したテスト結果を記憶装置に蓄え、1チップ複数回
    テストすることを特徴とする半導体集積回路装置のテス
    ト方法。
  9. 【請求項9】 相対向する四辺を有するチップの、これ
    ら四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置してなり、
    これら四辺の内相対向する二辺に配置されたパッドの間
    隔を、他の二辺に配置されたパッドの間隔より狭くした
    半導体集積回路装置において、上記他の二辺に配置され
    たパッドの形状を上記狭間隔パッド配列方向にこれら狭
    間隔パッドより長くしたことを特徴とする半導体集積回
    路装置。
  10. 【請求項10】 相対向する四辺に沿って複数のパッド
    を直線状に配置してなり、これら四辺の内相対向する二
    辺に配置された出力パッドの間隔を、他の二辺に配置さ
    れたパッドの間隔より狭くし、これら他の二辺に配置さ
    れたパッドの形状を上記狭間隔出力パッド配列方向にこ
    れら狭間隔パッドより長くしたチップの、上記パッドに
    プローブ針を接触してテストを行なう半導体集積回路装
    置のテスト方法において、テスト終了後上記チップとプ
    ローブ針との相対位置を上記狭間隔出力パッド配列方向
    に移動させて次のテストを行なうことによって、上記狭
    間隔出力パッドの列を複数回に分けて上記プローブ針を
    接触させて分割テストを行い、分割したテスト結果を記
    憶装置に蓄え、1チップ複数回テストすることを特徴と
    する半導体集積回路装置のテスト方法。
  11. 【請求項11】 相対向する四辺を有するチップの、こ
    れら四辺に沿って複数のパッドを直線状に配置してなる
    半導体集積回路装置において、上記四辺の内相対向する
    二辺にそれぞれ配置された複数のパッドを斜方向にずら
    した2列の直線状配置とするとともに、上記他の二辺に
    配置されたパッドの形状を上記斜方向に上記狭間隔パッ
    ドより長くしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
  12. 【請求項12】 相対向する四辺に沿って複数のパッド
    を直線状に配置してなり、これら四辺の内相対向する二
    辺にそれぞれ配置された複数のパッドを斜方向にずらし
    た2列の直線状配置とし、上記他の二辺に配置されたパ
    ッドの形状を上記斜方向に上記狭間隔パッドより長くし
    たチップの、上記パッドにプローブ針を接触してテスト
    を行なう半導体集積回路装置のテスト方法において、テ
    スト終了後上記チップとプローブ針との相対位置を上記
    斜方向に移動させて次のテストを行なうことによって、
    上記狭間隔出力パッドの列を複数回に分けて上記プロー
    ブ針を接触させて分割テストを行い、分割したテスト結
    果を記憶装置に蓄え、1チップ複数回テストすることを
    特徴とする半導体集積回路装置のテスト方法。
JP33010895A 1995-12-19 1995-12-19 半導体集積回路装置及びそのテスト方法 Pending JPH09172143A (ja)

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