JP2002228682A - プローブ - Google Patents

プローブ

Info

Publication number
JP2002228682A
JP2002228682A JP2001027238A JP2001027238A JP2002228682A JP 2002228682 A JP2002228682 A JP 2002228682A JP 2001027238 A JP2001027238 A JP 2001027238A JP 2001027238 A JP2001027238 A JP 2001027238A JP 2002228682 A JP2002228682 A JP 2002228682A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
contact
probe
insulating member
contact terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001027238A
Other languages
English (en)
Inventor
Chikahito Yamasaka
力仁 山坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001027238A priority Critical patent/JP2002228682A/ja
Priority to PCT/JP2002/000845 priority patent/WO2002063314A1/ja
Publication of JP2002228682A publication Critical patent/JP2002228682A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716Elastic
    • G01R1/06722Spring-loaded
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/22Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2421Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means using coil springs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/26Connections in which at least one of the connecting parts has projections which bite into or engage the other connecting part in order to improve the contact
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2201/00Connectors or connections adapted for particular applications
    • H01R2201/20Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特開平11−64385号公報において提案
された片持ちタイプのプローブの場合には、ケルビン接
続を行うことができるとしても、図4に示すように被検
査体を一点鎖線位置から実線位置までオーバードライブ
させると、針先がδだけ位置ずれするため、電極が極小
化するとオーバードライブによって針先が電極からはみ
出す。 【解決手段】 本発明のプローブ10は、半導体ウエハ
WのバンプBに電圧を印加するための第1接触端子11
と、第1接触端子11を囲む第1絶縁部材12と、第1
絶縁部材12を囲み且つバンプBを介して電圧を検出す
るための第2接触端子13と、第1、第2接触端子1
1、13間に介在する第2絶縁部材14とを備え、第
1、第2接触端子11、13は、それぞれ第1、第2端
子部11A、13A及び11B、13Bと、第1端子部
11A、13Aと第2端子部11B、13B間に介在す
る第1、第2コイルスプリング15、16とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや電
子部品等の被検査体の電気的検査に用いられるプローブ
に関し、更に詳しくは被検査体の検査用電極の微細化に
対応させると共に検査用電極においてケルビン接続を実
現することができるプローブに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の検査工程には半導体ウエハ
や電子部品等の被検査体の電気的特性検査を行う検査工
程がある。この検査工程ではプローブ装置が広く使用さ
れている。プローブ装置はプローブカードを備え、プロ
ーブカードのプローブと被処理体表面の電極部を接触さ
せて被検査体とテスタ間で検査信号の授受を行ってい
る。
【0003】従来のプローブカードは、例えば図4に示
すように、プローブ1が片持ち支持されたタイプのもの
が広く使用されている。この種のプローブを用いて検査
を行う場合には、例えば図1に示すようにプローブ1の
針先を被検査体Wの検査用電極Pに接触させ、更に被検
査体Wを一点鎖線位置から実線位置までオーバドライブ
させてプローブ1と電極Pとを電気的に接触させる。こ
のようにオーバードライブさせることによってプローブ
1の針先で電極表面の酸化膜を削り取り、プローブ1と
電極Pが確実に電気的接触し導通する。
【0004】また、被検査体の電気的検査を行う際には
ケルビン接続を行っている。例えば、特開平11−64
385号公報において提案された技術では、片持ちタイ
プの2本のプローブ、即ち、電圧を印加するフォース側
のプローブと電圧を検出するセンス側のプローブを同一
の検査用電極に電気的にさせてケルビン接続を実現して
いる。また、特開2000−105258号公報におい
て提案された技術では断面円形のプローブを半割にした
プローブを同一の挿入穴に2本挿入してケルビン接続を
実現している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11−64385号公報において提案された片持ちタイ
プのプローブの場合には、ケルビン接続を行うことがで
きるとしても、図4に示すように被検査体を一点鎖線位
置から実線位置までオーバードライブさせると、針先が
δだけ位置ずれするため、電極が極小化するとオーバー
ドライブによって針先が電極からはみ出す虞がある。特
に、最近の超高集積化により電極の極小化、狭ピッチ化
が飛躍的に進み、片持ちタイプのプローブでは対応しき
れなくなり、ケルビン接続の実現が難しくなる虞があ
る。
【0006】特開2000−105258号公報におい
て提案されたプローブの場合には、2本の独立したプロ
ーブを同一の挿入穴内に挿入しているため、挿入穴の縮
小に限界があり、電極の極小化、狭ピッチ化に対応しき
れない。
【0007】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、検査用電極が極小化してもその電極面にお
いて確実にケルビン接続を行うことができ、ひいては四
端子測定を高精度に行うことができるプローブを提供す
ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のプローブは、被検査体の電極に接触させて電気的特性
を検査する際に用いられる保持体で保持されたプローブ
において、電圧を印加するための第1接触端子と、この
第1接触端子を囲む第1絶縁部材と、この第1絶縁部材
を囲み且つ上記電極を介して上記電圧を検出するための
第2接触端子と、第1、第2接触端子間に介在する第2
絶縁部材とを備え、第1、第2接触端子は、それぞれ第
1、第2端子部と、第1、第2端子部間に介在する第
1、第2弾性部材とを有し、上記電極とそれぞれ弾力的
に接触することを特徴とするものである。
【0009】また、本発明の請求項2に記載のプローブ
は、請求項1に記載の発明において、第1接触端子と第
1絶縁部材の間に第1、第2接触端子それぞれの第1端
子部の上下方向の動きを制限する制限部材を設けたもの
である。
【0010】また、本発明の請求項3に記載のプローブ
は、請求項1または請求項2に記載の発明において、第
1接触端子の先端を第2接触端子の先端より上記保持体
から突出させたことを特徴とするものである。
【0011】また、本発明の請求項4に記載のプローブ
は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明に
おいて、第1接触端子の先端を尖らせたことを特徴とす
るものである。
【0012】
【発明に実施の形態】以下、図1、図2に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプローブ1
0は、例えば図1に示すように、セラミック等の絶縁材
によって形成された保持体20によって垂直に保持さ
れ、保持体20が接合されたボード30と電気的に導通
している。この保持体20には同図に示すようにプロー
ブ10を垂直に収納して保持する収納室21が形成され
ている。この収納室21は例えば水平断面が円形状に形
成され、その下面中央に貫通孔21Aが形成されてい
る。そして、この貫通孔21Aからプローブ10の先端
が突出している。従って、プローブ10、保持体20及
びボード30でプローブカード100が構成されてい
る。
【0013】而して、プローブ10は、図1に示すよう
に、収納室21内の軸芯に合わせて配置され且つ電圧を
印加するための第1接触端子11と、この第1接触端子
11を周囲から同心円状に囲み且つポリイミド系樹脂等
の耐熱性樹脂やガラス、石英、セラミック等の絶縁材料
によって形成された第1絶縁部材12と、この第1絶縁
部材12を周囲から同心円状に囲み且つ第1接触端子1
1から印加された電圧を検出するための第2接触端子1
3と、第1、第2接触端子11、13間に介在するポリ
イミド系樹脂等の耐熱性樹脂やガラス、石英、セラミッ
ク等の絶縁材料によって形成された第2絶縁部材14と
を備え、後述のように第1、第2接触端子11、13が
被検査体(例えば、半導体ウエハ)Wの電極(例えば、
バンプ)Bと弾力的に接触してバンプBに対してケルビ
ン接続するようになっている。また、第1、第2接触端
子11、13は共に保持体20の収納室21から貫通孔
21Aを貫通して下方へ突出している。しかも、第1接
触端子11の先端の方が第2接触端子13の先端よりも
大きく突出して下方に位置している。
【0014】第1接触端子11は、例えば図1に示すよ
うに、金合金、銅合金、銀合金等の導電性部材によって
上下に分割して同一外径に形成された第1、第2端子部
11A、11Bと、第1、第2接触部11A、11B間
に弾装され且つ金合金等の導電性部材によって形成され
た第1弾性部材(例えば、第1コイルスプリング)15
とを有している。第1端子部11Aは第1コイルスプリ
ング15を介して常に下方へ付勢され、第2端子部11
Bは第1コイルスプリング15を介して常に上方へ付勢
されてボード30の第1接続端子31に弾接して電気的
に導通している。下方の第1端子部11Aは例えば鋭い
円錐状で先端(下端)が尖って形成され、上方の第2端
子部11Bは例えば棒状で上端が丸みを持って形成され
ている。従って、半導体ウエハWが検査時のオーバード
ライブで上昇すると、後述の制限部材を介して第1端子
部11Aの下端がバンプBと弾力的に突き刺さってバン
プBと電気的に導通すると共に第1、第2端子部11
A、11Bが第1コイルスプリング15を介して電気的
に導通している。また、図示してないが第1、第2端子
部11A、11Bが直接接触して互いに電気的に導通す
るようにしても良い。
【0015】一方、第2接触端子13は、例えば図1に
示すように、上下に分割して形成された筒状の第1、第
2端子部13A、13Bと、第1、第2接触部13A、
13B間に弾装され且つ金合金、銅合金、銀合金等の導
電性部材によって形成された第2弾性部材(例えば、第
2コイルスプリング)16とを有している。下方の第1
端子部13Aは、収納室21の貫通孔21Aから突出す
る小径部13Cと、この小径筒状部13Cの上端で拡径
し且つ収納室21内に収納された大径筒状部13Dから
形成されている。大径筒状部13Dは第1絶縁部材12
及び後述の制限部材を収納するリテーナとして形成され
ている。また、第2端子部13Bは大径筒状部13Cと
同一内外径を持った筒状に形成されて収納室21内に収
納されている。この第2端子部13Bの上端にはテーパ
面が形成されて上端が尖っている。このような構成から
第2接触端子13は第2コイルスプリング16を介して
第1端子部13Aが拡径部で収納室21の底面と弾接す
ると共に第2端子部13Bがボード30の第2接続端子
部32と弾接している。従って、半導体ウエハWが検査
時のオーバードライブで上昇すると、後述の制限部材を
介して第1端子部13Aの下端が第1接触端子11の第
1端子部11Aの接触に続きその外側でバンプBと弾力
的に接触してバンプBと電気的に導通すると共に第1、
第2端子部13A、13Bが第2コイルスプリング16
を介して電気的に導通する。また、図示してないが第
1、第2端子部13A、13Bが直接接触して互いに電
気的に導通するようにしても良い。
【0016】また、第2絶縁部材14は、例えば図1に
示すように、円筒状に形成された本体14Aと、本体1
4Aの上端に形成されたフランジ14Bとからなってい
る。本体14Aは第2接触端子13の小径筒状部13C
内で摺動するように嵌入している。また、フランジ14
Bは第2接触端子13の大径筒状部13Dの下端で係合
している。また、本体14Aには第1接触端子11の第
1端子部11Aが摺動するように貫通している。
【0017】更に、第1接触端子11と第1絶縁部材1
2の間には第1、第2接触端子11、13それぞれの第
1端子部11A、13Aの上下方向の動きを制限する筒
状の制限部材17が介在している。この制限部材17内
面の上下には内方へ突出する第1、第2突起部17A、
17Bが形成されている。また、第1接触端子11の第
1端子部11Aには下方の第1突起部17Aと係合する
第1縊れ部11Cが形成され、第2端子部11Bには上
方の第2突起部17Bと係合する第2縊れ部11Dが形
成されている。従って、第1突起部17Aは、第1縊れ
部11Cにおいて第1端子部11Aが第1コイルスプリ
ング15による制限部材17からの飛び出しを防止する
と共に検査時に第1端子部11Aのみを収納室21内へ
後退させるようにしている。第2突起部17Bは検査時
に第2縊れ部11Dの範囲内で上方へ移動して第2接触
端子13の第1端子部13Aが必要以上に収納室21内
へ後退して入り込まないようにしている。
【0018】上記ボード30の上面には第1、第2接続
端子31、32に対応する第3、第4接続端子33、3
4が形成され、また、ボード30の内部には第1、第2
接続線35、36が形成されている。第1接続端子31
と第3接続端子33は第1接続線35を介して接続さ
れ、第2接続端子32と第4接続端子34は第2接続線
36を介して接続されている。そして、第3接続端子3
3には電圧を印加するための第1配線41が接続され、
第1配線41、第3接続端子33、第1接続線35、第
1接続端子31及びプローブ10の第1接触端子11を
介してバンプBへ検査用の電圧を印加するようになって
いる。第4接続端子34には第2配線42が接続され、
プローブ10の第2接触端子13、第2接続端子32、
第2接続線36、第4接続端子34及び第2配線42を
介して第1接触端子11からバンプBへ印加された検査
用の電圧を検出するようになっている。従って、プロー
ブ10は、第1接触端子11が電圧を印加するフォース
側の端子として構成されていると共に第2接触端子13
が第1接触端子11からバンプBに印加された電圧を検
出するセンス側の端子として構成され、前述したように
第1、第2接触端子11、13が一つのバンプBに対し
てケルビン接続するようになっている。
【0019】本実施形態のプローブ10を用いたプロー
ブカード100は、例えば図2に示すように構成されて
いる。即ち、プローブカード100は、図2に示すよう
に、テスタ(図示せず)側のポゴピンPが接触する接触
端子(図示せず)が上面の周囲にリング状に複数列に渡
って配列された第2ボード40と、この第2ボード40
の下面中央領域に配列された複数のプローブ10(図2
では2本のプローブのみを示してある)に対応する第
1、第2配線の端子41A、42Aと、これらの端子4
1A、42Aと電気的に接触するボード30と、ボード
30の下面中央領域に形成された第1、第2接続端子
(図示せず)を介して電気的に接続されたプローブ10
とを備え、半導体ウエハWに形成された複数のバンプB
とケルビン接続して電気的特性検査を行うようになって
いる。
【0020】次に、動作について説明する。例えば半導
体ウエハWの検査を行う際に半導体ウエハWを上昇させ
ると、半導体ウエハWのバンプBとプローブ10が以下
で説明するようにケルビン接続する。即ち、図3の
(a)に示す状態から半導体ウエハWが上昇すると、ま
ずプローブ10の第1接触端子11の第1端子部11A
の下端が図1に示すようにバンプBと接触する。更に、
半導体ウエハWが第1コイルスプリング15の弾力に抗
して上昇するに伴って第1端子部11Aが保持体20の
収納室21内で上昇してその第1縊れ部11Cの下部が
制限部材17の第1突起部17Aと当接する。この間に
第2接触端子13の第1端子部13Aの下端が図3の
(b)に示すように接触する。引き続き半導体ウエハW
が上昇すると、第1、第2接触端子11、13それぞれ
の第1端子部11A、13Aが第1、第2絶縁部材1
2、14及び制限部材17と一緒にコイルスプリング1
5、16の弾力に抗して上昇し、この間に制限部材17
の第2突起部17Bが第1接触端子11の第2縊れ部1
1Dの上部に当接し、第1、第2接触端子11、13そ
れぞれの第1端子部11A、13Aは収納室21内では
これ以上上昇できず、図3の(c)に示すように第1端
子部11A、13Aの下端がバンプB内に食い込み、そ
の結果としてプローブ10がバンプBとケルビン接続す
る。
【0021】次いで、第1配線41から検査用の電圧を
給電するとボード30の第3接続端子33、第1接続線
35、第1接続端子31及び第1接触端子11を介して
バンプBに対して検査用の電圧を印加すると、第2接触
端子13、第2接続端子32、第2接続線36、第4接
続端子34及び第2配線42を介してバンプBの印加電
圧を検出し、半導体ウエハWの電気的検査を行うことが
できる。
【0022】以上説明したように本実施形態によれば、
検査用の電圧を印加するための第1接触端子11と、こ
の第1接触端子11を囲む第1絶縁部材12と、この第
1絶縁部材12を囲み且つバンプBを介して電圧を検出
するための第2接触端子13と、第1、第2接触端子1
1、13間に介在する第2絶縁部材14とを備え、第
1、第2接触端子11、13は、それぞれ第1端子部1
1A、13A及び第2端子部11B、13Bと、第1端
子部11A、13Aと第2端子部11B、13B間に介
在する第1、第2コイルスプリング15、16とを有
し、半導体ウエハWのバンプBとそれぞれ弾力的に接触
するようにしたため、第1、第2接触端子11、13を
バンプBに対してケルビン接続させることができる。し
かも、プローブ10の第1、第2接触端子11、13を
同軸構成としたため、半導体ウエハWの超高集積化でバ
ンプBが極小化しても確実にケルビン接続を実現するこ
とができ、ひいては四端子測定を高精度で行うことがで
きる。
【0023】また、本実施形態によれば、第1接触端子
11と第1絶縁部材12の間には第1、第2接触端子1
1、13それぞれの第1端子部11A、13Aの動きを
制限する筒状の制限部材17が介在しているため、制限
部材17の働きで第1端子部11A、13Aが収納室2
1内での上昇が制限されて停止し、バンプB内に確実に
食い込んで第1、第2接触端子11、13とバンプB間
を確実に導通させることができる。
【0024】また、本実施形態によれば、第1接触端子
11の先端を第2接触端子13の先端より保持体20か
ら突出させたため、フォース側の第1接触端子11をバ
ンプBに接触させた後、センス側の第2接触端子13を
接触させてより確実にケルビン接続を行うことができ
る。
【0025】また、本実施形態によれば、第1接触端子
11の先端を尖らせたため、フォース側の端子である第
1接触端子11をバンプB内に確実に食い込ませ両者間
の電気的接続をより確実に行うことができる。
【0026】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではない。例えば、上記実施形態ではプローブ1
0を半導体ウエハWのバンプBに接続して半導体ウエハ
Wの電気的検査を行う場合について説明したが、バンプ
B以外の電極パッドや電子部品のリード端子は勿論のこ
と、CSP等の電子部品等についても本発明のプローブ
を使用することができる。
【0027】
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項4に記載の発
明によれば、検査用電極が極小化してもその電極面にお
いて確実にケルビン接続を行うことができ、ひいては四
端子測定を高精度に行うことができるプローブを提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプローブの一実施形態を模式的に示す
断面図である。
【図2】図1に示すプローブを用いたプローブカードに
一例を模式的に示す断面図である。
【図3】図1に示すプローブの動作説明図で、(a)は
プローブがバンプと接触する前の状態を示す断面図、
(b)は第1、第2接触端子とバンプが接触した状態を
示す断面図、(c)は第1、第2接触端子がバンプとケ
ルビン接続した状態を示す断面図である。
【図4】従来のプローブで半導体ウエハの検査を行う状
態を示す模式図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被検査体) 10 プローブ 11 第1接触端子 11A 第1端子部 11B 第2端子部 12 第1絶縁部材 13 第2接触端子 13A 第1端子部 13B 第2端子部 14 第2絶縁部材 15 第1コイルスプリング(第1弾性部材) 16 第2コイルスプリング(第2弾性部材) 17 制限部材 20 保持体

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査体の電極に接触させて電気的特性
    を検査する際に用いられる保持体で保持されたプローブ
    において、電圧を印加するための第1接触端子と、この
    第1接触端子を囲む第1絶縁部材と、この第1絶縁部材
    を囲み且つ上記電極を介して上記電圧を検出するための
    第2接触端子と、第1、第2接触端子間に介在する第2
    絶縁部材とを備え、第1、第2接触端子は、それぞれ第
    1、第2端子部と、第1、第2端子部間に介在する第
    1、第2弾性部材とを有し、上記電極とそれぞれ弾力的
    に接触することを特徴とするプローブ。
  2. 【請求項2】 第1接触端子と第1絶縁部材の間に第
    1、第2接触端子それぞれの第1端子部の上下方向の動
    きを制限する制限部材を設けたことを特徴とする請求項
    1に記載のプローブ。
  3. 【請求項3】 第1接触端子の先端を第2接触端子の先
    端より上記保持体から突出させたことを特徴とする請求
    項1または請求項2に記載のプローブ。
  4. 【請求項4】 第1接触端子の先端を尖らせたことを特
    徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のプ
    ローブ。
JP2001027238A 2001-02-02 2001-02-02 プローブ Pending JP2002228682A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001027238A JP2002228682A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 プローブ
PCT/JP2002/000845 WO2002063314A1 (fr) 2001-02-02 2002-02-01 Sonde

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001027238A JP2002228682A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 プローブ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002228682A true JP2002228682A (ja) 2002-08-14

Family

ID=18891933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001027238A Pending JP2002228682A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 プローブ

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2002228682A (ja)
WO (1) WO2002063314A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7271015B2 (en) 2004-04-09 2007-09-18 Renesas Technology Corp. Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and probe card
WO2007116963A1 (ja) * 2006-04-07 2007-10-18 Nidec-Read Corporation 基板検査用接触子及びその製造方法
US7420382B2 (en) 2004-12-08 2008-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for testing semiconductor chip
WO2008117343A1 (ja) * 2007-02-23 2008-10-02 Nidec-Read Corporation 基板検査用接触子
JP2009109438A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toyo Denshi Giken Kk 測定用プローブ
JP2010085107A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Nidec-Read Corp 検査治具、電極構造及び電極構造の製造方法
JP2010199384A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体チップの電気特性測定方法
US7901958B2 (en) 2003-10-31 2011-03-08 Renesas Electronics Corporation Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
WO2013032218A2 (ko) * 2011-08-30 2013-03-07 리노공업 주식회사 동축 프로브
JP2014521951A (ja) * 2011-08-30 2014-08-28 Leeno工業株式会社 同軸プローブ
CN104316864A (zh) * 2014-10-30 2015-01-28 南通富士通微电子股份有限公司 半导体测试治具
CN104330593A (zh) * 2014-10-30 2015-02-04 南通富士通微电子股份有限公司 测试针头和半导体测试治具
JP2015075370A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 日本電産リード株式会社 検査用治具、電極部、プローブ、及び検査用治具の製造方法
WO2023106762A1 (ko) * 2021-12-10 2023-06-15 (주)포인트엔지니어링 켈빈 검사용 접촉핀 어셈블리 및 이를 구비하는 켈빈 검사장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5095204B2 (ja) * 2006-12-28 2012-12-12 東洋電子技研株式会社 プローブ収納ボードと、コンタクト機
CN104319247B (zh) * 2014-10-30 2018-05-18 通富微电子股份有限公司 测试针头和半导体测试夹具
CN217507692U (zh) * 2019-10-18 2022-09-27 株式会社村田制作所 检查用连接器以及检查用单元

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207049A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Toyo Denshi Giken Kk 四探針測定用コンタクトピンと、コンタクト機器と、被測定物側装置と、測定回路側装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0346462Y2 (ja) * 1984-12-20 1991-10-01
JPS6358757U (ja) * 1986-10-03 1988-04-19
JPS63141462U (ja) * 1987-03-09 1988-09-19
JPH02168164A (ja) * 1988-12-22 1990-06-28 Nec Corp プローブ
JPH0299361U (ja) * 1989-01-27 1990-08-08
JPH0333375U (ja) * 1989-08-07 1991-04-02
JP3192270B2 (ja) * 1993-05-10 2001-07-23 株式会社日立製作所 電極の接続装置
JPH09152447A (ja) * 1995-12-01 1997-06-10 Yokowo Co Ltd 両端可動形同軸コンタクトプローブ
JP3327534B2 (ja) * 1999-11-24 2002-09-24 日本特殊陶業株式会社 基板検査装置、基板製造方法及びバンプ付き基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207049A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Toyo Denshi Giken Kk 四探針測定用コンタクトピンと、コンタクト機器と、被測定物側装置と、測定回路側装置

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7901958B2 (en) 2003-10-31 2011-03-08 Renesas Electronics Corporation Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US7517707B2 (en) 2004-04-09 2009-04-14 Renesas Technology Corp. Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and probe card
US7271015B2 (en) 2004-04-09 2007-09-18 Renesas Technology Corp. Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device and probe card
US7420382B2 (en) 2004-12-08 2008-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for testing semiconductor chip
WO2007116963A1 (ja) * 2006-04-07 2007-10-18 Nidec-Read Corporation 基板検査用接触子及びその製造方法
WO2008117343A1 (ja) * 2007-02-23 2008-10-02 Nidec-Read Corporation 基板検査用接触子
JP2009109438A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toyo Denshi Giken Kk 測定用プローブ
TWI422829B (zh) * 2008-09-29 2014-01-11 Nidec Read Corp 檢查治具、電極構造及電極構造之製造方法
JP2010085107A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Nidec-Read Corp 検査治具、電極構造及び電極構造の製造方法
KR101098320B1 (ko) 2008-09-29 2011-12-26 니혼덴산리드가부시키가이샤 검사치구, 전극구조 및 전극구조의 제조방법
JP2010199384A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体チップの電気特性測定方法
WO2013032218A2 (ko) * 2011-08-30 2013-03-07 리노공업 주식회사 동축 프로브
WO2013032218A3 (ko) * 2011-08-30 2013-04-25 리노공업 주식회사 동축 프로브
JP2014521951A (ja) * 2011-08-30 2014-08-28 Leeno工業株式会社 同軸プローブ
US9250264B2 (en) 2011-08-30 2016-02-02 Leeno Industrial Inc. Coaxial probe
JP2015075370A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 日本電産リード株式会社 検査用治具、電極部、プローブ、及び検査用治具の製造方法
CN104316864A (zh) * 2014-10-30 2015-01-28 南通富士通微电子股份有限公司 半导体测试治具
CN104330593A (zh) * 2014-10-30 2015-02-04 南通富士通微电子股份有限公司 测试针头和半导体测试治具
WO2023106762A1 (ko) * 2021-12-10 2023-06-15 (주)포인트엔지니어링 켈빈 검사용 접촉핀 어셈블리 및 이를 구비하는 켈빈 검사장치
KR20230087745A (ko) * 2021-12-10 2023-06-19 (주)포인트엔지니어링 켈빈 검사용 접촉핀 어셈블리 및 이를 구비하는 켈빈 검사장치
KR102708399B1 (ko) 2021-12-10 2024-09-23 (주)포인트엔지니어링 켈빈 검사용 접촉핀 어셈블리 및 이를 구비하는 켈빈 검사장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002063314A1 (fr) 2002-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002228682A (ja) プローブ
JPH06151532A (ja) プローブ装置
US20070257685A1 (en) Probe and probe card
US9329204B2 (en) Electrically conductive Kelvin contacts for microcircuit tester
US8988090B2 (en) Electrically conductive kelvin contacts for microcircuit tester
JP2008286788A (ja) 基板検査用治具
KR20100129218A (ko) 검사용 치구
KR20110002959A (ko) 검사용 탐침 장치
JP2003084047A (ja) 半導体装置の測定用治具
JP2006292456A (ja) 半導体装置の検査装置および検査方法
CN113544519A (zh) 电性连接装置
KR101903024B1 (ko) 실리콘 테스트 소켓 및 실리콘 테스트 소켓의 제조방법
JP2002022768A (ja) 集積回路パッケージ検査用ポゴピン
US20230266361A1 (en) Probe pin having improved gripping structure
JP2001337128A (ja) 半導体試験装置
JP4486880B2 (ja) コンタクトプローブ
JPH03209738A (ja) プローブカード
KR20010039971A (ko) 납땜 볼용 접촉기
TW202215056A (zh) 電性接觸子的電性接觸構造及電性連接裝置
JP2010032226A (ja) プローブカード
KR101398550B1 (ko) 컨택트 프로브 및 그 제조방법
JP6873780B2 (ja) 導電性接触子、導電性接触子ユニット、および導電性接触子ユニットを備える半導体検査装置
KR100480665B1 (ko) 수직식 프로브 장치
KR102171289B1 (ko) 컨택트 프로브 및 이를 포함하는 테스트 소켓
JP2004085260A (ja) プローブピン及びコンタクタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110315

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110726