TWI341961B - Method of forming patterns - Google Patents

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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US10761427B2 (en) 2013-08-22 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8530148B2 (en) * 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8637229B2 (en) * 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
KR100990106B1 (ko) * 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
US8034547B2 (en) * 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4558064B2 (ja) 2007-05-15 2010-10-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US8617794B2 (en) 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
WO2008153109A1 (ja) * 2007-06-12 2008-12-18 Fujifilm Corporation ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
KR20130114280A (ko) 2007-06-12 2013-10-16 후지필름 가부시키가이샤 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US8632942B2 (en) 2007-06-12 2014-01-21 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP5311331B2 (ja) * 2008-06-25 2013-10-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 液浸リソグラフィの現像処理方法および該現像処理方法を用いた電子デバイス
JP5639755B2 (ja) * 2008-11-27 2014-12-10 富士フイルム株式会社 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液
JP5557550B2 (ja) 2009-02-20 2014-07-23 富士フイルム株式会社 電子線又はeuv光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法
JP5601884B2 (ja) * 2009-06-04 2014-10-08 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン
CN101943860B (zh) * 2009-06-08 2013-12-11 罗门哈斯电子材料有限公司 平版印刷方法
KR20110058128A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 제일모직주식회사 레지스트 보호막용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 보호막 조성물
JP5593075B2 (ja) * 2010-01-13 2014-09-17 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、パターン、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
JP5440468B2 (ja) * 2010-01-20 2014-03-12 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5639795B2 (ja) * 2010-02-18 2014-12-10 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5795481B2 (ja) * 2010-03-05 2015-10-14 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC フォトリソグラフィパターンを形成する方法
WO2011118644A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 Jsr株式会社 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
JP5624906B2 (ja) * 2010-03-23 2014-11-12 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
JP5387601B2 (ja) 2010-03-24 2014-01-15 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5708082B2 (ja) 2010-03-24 2015-04-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物
JP5618625B2 (ja) * 2010-05-25 2014-11-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
IL213195A0 (en) * 2010-05-31 2011-07-31 Rohm & Haas Elect Mat Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns
JP5533797B2 (ja) 2010-07-08 2014-06-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8841058B2 (en) * 2010-08-03 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography material for immersion lithography processes
JP5062352B2 (ja) 2010-09-09 2012-10-31 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
JP5765298B2 (ja) * 2010-09-09 2015-08-19 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法
JP5720692B2 (ja) 2010-09-29 2015-05-20 Jsr株式会社 液浸上層膜形成用組成物及び重合体
JP5263453B2 (ja) * 2010-10-19 2013-08-14 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
JP6004179B2 (ja) * 2010-10-21 2016-10-05 日産化学工業株式会社 Euvリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物
JPWO2012053527A1 (ja) * 2010-10-22 2014-02-24 Jsr株式会社 パターン形成方法及び感放射線性組成物
TWI506370B (zh) 2011-01-14 2015-11-01 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物
JP5677127B2 (ja) 2011-02-18 2015-02-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JPWO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2014-07-07 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物
EP2492753A2 (en) 2011-02-28 2012-08-29 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Developer compositions and methods of forming photolithographic patterns
JP6118500B2 (ja) 2011-02-28 2017-04-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法
JP5846957B2 (ja) * 2011-02-28 2016-01-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
JP5482722B2 (ja) * 2011-04-22 2014-05-07 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5353943B2 (ja) 2011-04-28 2013-11-27 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5772717B2 (ja) 2011-05-30 2015-09-02 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5817650B2 (ja) * 2011-06-13 2015-11-18 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
TWI450038B (zh) 2011-06-22 2014-08-21 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及光阻組成物
JP5771570B2 (ja) * 2011-06-30 2015-09-02 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、積層レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法
WO2013002417A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Fujifilm Corporation Pattern forming method, multi-layered resist pattern, multi-layered film for organic solvent development, resist composition, method for manufacturing electronic device, and electronic device
JP5910361B2 (ja) 2011-07-14 2016-04-27 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
US8728721B2 (en) * 2011-08-08 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Methods of processing substrates
JP5835148B2 (ja) 2011-08-26 2015-12-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
JP2013061648A (ja) 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法
JP2013061647A (ja) * 2011-09-09 2013-04-04 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトリソグラフィ方法
JP5780222B2 (ja) 2011-09-16 2015-09-16 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5793389B2 (ja) * 2011-09-30 2015-10-14 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
JP5894762B2 (ja) * 2011-10-27 2016-03-30 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5807510B2 (ja) 2011-10-27 2015-11-10 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
JP6002378B2 (ja) 2011-11-24 2016-10-05 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
JP5692035B2 (ja) 2011-12-15 2015-04-01 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
JP2013152450A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
KR102047863B1 (ko) * 2011-12-28 2019-11-22 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법
JP6182864B2 (ja) * 2012-01-17 2017-08-23 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
GB2499663A (en) * 2012-02-27 2013-08-28 Conductive Inkjet Tech Ltd Protective coatings for photo-resists that are separately applied with different solvents but removed together using same solvent
JP6075124B2 (ja) 2012-03-15 2017-02-08 Jsr株式会社 現像液の精製方法
US8795948B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
US8795947B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
US8846295B2 (en) 2012-04-27 2014-09-30 International Business Machines Corporation Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof
JP6115322B2 (ja) 2012-06-19 2017-04-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5846061B2 (ja) 2012-07-09 2016-01-20 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
US8835103B2 (en) * 2012-07-13 2014-09-16 Macronix International Co., Ltd. Lithography process and structures
JP5737242B2 (ja) 2012-08-10 2015-06-17 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5780221B2 (ja) 2012-08-20 2015-09-16 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5962520B2 (ja) 2013-01-15 2016-08-03 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5817744B2 (ja) 2013-01-17 2015-11-18 信越化学工業株式会社 パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体
JP5828325B2 (ja) 2013-01-28 2015-12-02 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6007199B2 (ja) * 2013-01-31 2016-10-12 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法
US9057960B2 (en) 2013-02-04 2015-06-16 International Business Machines Corporation Resist performance for the negative tone develop organic development process
US8999625B2 (en) 2013-02-14 2015-04-07 International Business Machines Corporation Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes
JP5910536B2 (ja) 2013-02-22 2016-04-27 信越化学工業株式会社 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5803957B2 (ja) 2013-03-05 2015-11-04 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト組成物
US9354521B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9110376B2 (en) 2013-03-12 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
JP6065862B2 (ja) 2013-04-10 2017-01-25 信越化学工業株式会社 パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体
US9164384B2 (en) 2013-04-26 2015-10-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
JP6159701B2 (ja) * 2013-11-29 2017-07-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、パターン形成方法
US9703200B2 (en) 2013-12-31 2017-07-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photolithographic methods
JP6267533B2 (ja) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6131910B2 (ja) 2014-05-28 2017-05-24 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
US10503065B2 (en) * 2014-08-01 2019-12-10 Orthogonal, Inc. Photolithographic patterning of devices
KR101961639B1 (ko) * 2014-09-30 2019-03-25 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 및 전자 디바이스의 제조 방법
JPWO2016052384A1 (ja) * 2014-09-30 2017-05-25 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、上層膜形成用組成物、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法
KR101951669B1 (ko) * 2014-09-30 2019-02-25 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 및 전자 디바이스의 제조 방법
WO2016052341A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法
CN106605174B (zh) * 2014-09-30 2020-05-19 富士胶片株式会社 负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法
TWI582536B (zh) 2014-10-31 2017-05-11 羅門哈斯電子材料有限公司 圖案形成方法
JP6134367B2 (ja) 2014-10-31 2017-05-24 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC フォトレジスト保護膜組成物
EP3238234A4 (en) * 2014-12-24 2018-08-22 Intel Corporation Photodefinable alignment layer for chemical assisted patterning
KR20170108079A (ko) * 2015-02-26 2017-09-26 후지필름 가부시키가이샤 상층막 형성용 조성물과, 그것을 이용한 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
WO2016158208A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、上層膜形成用組成物
US10073344B2 (en) 2015-04-13 2018-09-11 Jsr Corporation Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation
JP6394481B2 (ja) 2015-04-28 2018-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2016194613A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び上層膜形成用組成物
KR102051340B1 (ko) 2015-09-30 2019-12-03 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 적층체
WO2017056805A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び積層体
KR102129277B1 (ko) * 2016-03-30 2020-07-02 후지필름 가부시키가이샤 보호막 형성용 조성물, 보호막 형성용 조성물의 제조 방법, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
JPWO2019022174A1 (ja) * 2017-07-26 2020-07-16 富士フイルム株式会社 ろ過装置、精製装置、薬液の製造装置、ろ過済み被精製物、薬液、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
WO2019180058A1 (en) * 2018-03-23 2019-09-26 Merck Patent Gmbh Negative-working ultra thick film photoresist
CN114690552A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 罗门哈斯电子材料有限责任公司 光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
KR102698642B1 (ko) * 2020-12-30 2024-08-26 듀폰 일렉트로닉 머티어리얼즈 인터내셔널, 엘엘씨 포토레지스트 탑코트 조성물 및 패턴 형성 방법

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099062A (en) 1976-12-27 1978-07-04 International Business Machines Corporation Electron beam lithography process
US4212935A (en) 1978-02-24 1980-07-15 International Business Machines Corporation Method of modifying the development profile of photoresists
JPS5820420B2 (ja) 1978-12-15 1983-04-22 富士通株式会社 パタ−ン形成方法
US4318976A (en) 1980-10-27 1982-03-09 Texas Instruments Incorporated High gel rigidity, negative electron beam resists
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58187926A (ja) 1982-04-28 1983-11-02 Toyo Soda Mfg Co Ltd 放射線ネガ型レジストの現像方法
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3684147D1 (de) 1986-01-29 1992-04-09 Hughes Aircraft Co Entwickelverfahren fuer polymethacryl-anhydrid-photolacke.
JP2881969B2 (ja) * 1990-06-05 1999-04-12 富士通株式会社 放射線感光レジストとパターン形成方法
ES2101710T3 (es) 1990-12-20 1997-07-16 Siemens Ag Procedimiento fotolitografico.
DE4120172A1 (de) 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt
US5268260A (en) * 1991-10-22 1993-12-07 International Business Machines Corporation Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use
US5470693A (en) * 1992-02-18 1995-11-28 International Business Machines Corporation Method of forming patterned polyimide films
JP3057879B2 (ja) 1992-02-28 2000-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH05265212A (ja) 1992-03-17 1993-10-15 Fujitsu Ltd レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法
JPH06138666A (ja) 1992-10-23 1994-05-20 Nikon Corp レジスト現像液
JPH06194847A (ja) 1992-12-22 1994-07-15 Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk ネガ型フォトレジスト用現像液
JP3009320B2 (ja) 1993-12-24 2000-02-14 三菱電機株式会社 分解性樹脂および感光性樹脂組成物
JP2715881B2 (ja) * 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
US5866304A (en) 1993-12-28 1999-02-02 Nec Corporation Photosensitive resin and method for patterning by use of the same
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH07261392A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Fujitsu Ltd 化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法
JPH0876382A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパターンの形成方法
JP3690847B2 (ja) 1995-09-20 2005-08-31 富士通株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP3691897B2 (ja) 1996-03-07 2005-09-07 富士通株式会社 レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
TW329539B (en) 1996-07-05 1998-04-11 Mitsubishi Electric Corp The semiconductor device and its manufacturing method
JP3071401B2 (ja) 1996-07-05 2000-07-31 三菱電機株式会社 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
TW372337B (en) 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
US5972570A (en) 1997-07-17 1999-10-26 International Business Machines Corporation Method of photolithographically defining three regions with one mask step and self aligned isolation structure formed thereby
EP1021750A1 (en) 1997-09-12 2000-07-26 The B.F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
JP3363079B2 (ja) 1997-11-07 2003-01-07 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
US6030541A (en) 1998-06-19 2000-02-29 International Business Machines Corporation Process for defining a pattern using an anti-reflective coating and structure therefor
US6849377B2 (en) 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
IL141803A0 (en) 1998-09-23 2002-03-10 Du Pont Photoresists, polymers and processes for microlithography
JP3943741B2 (ja) * 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2000321789A (ja) 1999-03-08 2000-11-24 Somar Corp レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法
US7129199B2 (en) * 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7521405B2 (en) * 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
JP3950584B2 (ja) 1999-06-29 2007-08-01 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物
JP2001056555A (ja) 1999-08-20 2001-02-27 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料
US6338934B1 (en) 1999-08-26 2002-01-15 International Business Machines Corporation Hybrid resist based on photo acid/photo base blending
JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 2003-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US6221568B1 (en) 1999-10-20 2001-04-24 International Business Machines Corporation Developers for polychloroacrylate and polychloromethacrylate based resists
JP3351424B2 (ja) 1999-12-28 2002-11-25 日本電気株式会社 スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法
JP2001215731A (ja) 2000-02-01 2001-08-10 Nippon Zeon Co Ltd レジスト現像液および現像方法
US6899995B2 (en) 2000-11-29 2005-05-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Protecting groups in polymers, photoresists and processes for microlithography
US6509134B2 (en) 2001-01-26 2003-01-21 International Business Machines Corporation Norbornene fluoroacrylate copolymers and process for the use thereof
JP3660258B2 (ja) 2001-03-05 2005-06-15 株式会社半導体先端テクノロジーズ 微細レジストパターンおよび微細パターンの形成方法並びに半導体装置の製造方法
US6660459B2 (en) 2001-03-14 2003-12-09 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse
JP4645789B2 (ja) 2001-06-18 2011-03-09 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
DE10142590A1 (de) 2001-08-31 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße
JP2003122024A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP3822101B2 (ja) 2001-12-26 2006-09-13 株式会社ルネサステクノロジ 感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
JP2003249437A (ja) 2002-02-26 2003-09-05 Sony Corp パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP3909829B2 (ja) 2002-03-18 2007-04-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
US6946410B2 (en) * 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
GB0216621D0 (en) 2002-07-17 2002-08-28 Imaging Res Solutions Ltd Imaging compounds
JP3850767B2 (ja) 2002-07-25 2006-11-29 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
KR20050030639A (ko) 2002-07-26 2005-03-30 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 플루오르화 중합체, 포토레지스트 및마이크로리소그래피법
JP2006156422A (ja) 2002-12-27 2006-06-15 Nikon Corp パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス
JP4434762B2 (ja) 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物
CA2511979A1 (en) * 2003-02-19 2004-09-02 Akira Matsumoto Halogenated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
TW200424767A (en) 2003-02-20 2004-11-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method
US7090964B2 (en) * 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7674847B2 (en) 2003-02-21 2010-03-09 Promerus Llc Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof
US20060154171A1 (en) 2003-02-25 2006-07-13 Taku Hirayama Photoresist composition and method of forming resist pattern
JP4360957B2 (ja) 2003-03-27 2009-11-11 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7016754B2 (en) 2003-05-08 2006-03-21 Onwafer Technologies, Inc. Methods of and apparatus for controlling process profiles
TWI284783B (en) 2003-05-08 2007-08-01 Du Pont Photoresist compositions and processes for preparing the same
KR101057570B1 (ko) 2003-06-26 2011-08-17 제이에스알 가부시끼가이샤 포토레지스트 중합체 조성물
JP4533639B2 (ja) 2003-07-22 2010-09-01 富士フイルム株式会社 感刺激性組成物、化合物及び該感刺激性組成物を用いたパターン形成方法
JP4265766B2 (ja) 2003-08-25 2009-05-20 東京応化工業株式会社 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法
TWI366067B (en) 2003-09-10 2012-06-11 Fujifilm Corp Photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP3993549B2 (ja) 2003-09-30 2007-10-17 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
US20050170277A1 (en) 2003-10-20 2005-08-04 Luke Zannoni Fluorinated photoresists prepared, deposited, developed and removed in carbon dioxide
US7449573B2 (en) 2004-02-16 2008-11-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition
US7119025B2 (en) 2004-04-08 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns
JP4355944B2 (ja) * 2004-04-16 2009-11-04 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料
JP4606136B2 (ja) 2004-06-09 2011-01-05 富士通株式会社 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
EP1612604A3 (en) * 2004-07-02 2006-04-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositions and processes for immersion lithography
EP1621927B1 (en) 2004-07-07 2018-05-23 FUJIFILM Corporation Positive type resist composition for use in liquid immersion exposure and a method of forming the pattern using the same
JP4697406B2 (ja) * 2004-08-05 2011-06-08 信越化学工業株式会社 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
US7129016B2 (en) 2004-11-12 2006-10-31 International Business Machines Corporation Positive resist containing naphthol functionality
US7897323B2 (en) 2004-11-25 2011-03-01 Nxp B.V. Lithographic method
JP2006227174A (ja) 2005-02-16 2006-08-31 Ricoh Co Ltd レジスト現像液及びパターン形成方法
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
US7981595B2 (en) 2005-03-23 2011-07-19 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
US7205093B2 (en) * 2005-06-03 2007-04-17 International Business Machines Corporation Topcoats for use in immersion lithography
JP4871549B2 (ja) 2005-08-29 2012-02-08 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR100688570B1 (ko) 2005-08-31 2007-03-02 삼성전자주식회사 식각 마스크 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP2007071978A (ja) 2005-09-05 2007-03-22 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
US7750101B2 (en) 2005-09-28 2010-07-06 Daicel Chemical Industries, Ltd. Polycyclic ester containing cyano group and lactone skeleton
TW200728330A (en) 2005-09-29 2007-08-01 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition for optical waveguides, optical waveguide and method for manufacturing optical waveguide
JP2007108581A (ja) 2005-10-17 2007-04-26 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7396482B2 (en) * 2005-10-28 2008-07-08 Infineon Technologies Ag Post exposure resist bake
JP4810401B2 (ja) 2005-11-08 2011-11-09 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法
TWI430030B (zh) 2005-11-08 2014-03-11 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用此正型光阻組成物之圖案形成方法
JP2007140188A (ja) 2005-11-18 2007-06-07 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5114021B2 (ja) * 2006-01-23 2013-01-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP5151038B2 (ja) * 2006-02-16 2013-02-27 富士通株式会社 レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
US7521172B2 (en) * 2006-04-28 2009-04-21 International Business Machines Corporation Topcoat material and use thereof in immersion lithography processes
JP4895030B2 (ja) * 2006-10-04 2012-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法
KR101242332B1 (ko) * 2006-10-17 2013-03-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
US8637229B2 (en) 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8530148B2 (en) 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
KR100990106B1 (ko) 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4558064B2 (ja) 2007-05-15 2010-10-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4590431B2 (ja) 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR20130114280A (ko) 2007-06-12 2013-10-16 후지필름 가부시키가이샤 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
WO2008153109A1 (ja) 2007-06-12 2008-12-18 Fujifilm Corporation ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US20080311530A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Allen Robert D Graded topcoat materials for immersion lithography
CA2712240C (en) 2008-01-17 2020-01-07 Tensegrity Technologies, Inc. Methods and systems for designing a foot orthotic
US8568964B2 (en) * 2009-04-27 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Flood exposure process for dual tone development in lithographic applications
US8574810B2 (en) * 2009-04-27 2013-11-05 Tokyo Electron Limited Dual tone development with a photo-activated acid enhancement component in lithographic applications

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9017934B2 (en) 2013-03-08 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9239520B2 (en) 2013-03-08 2016-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist defect reduction system and method
US9543147B2 (en) 2013-03-12 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of manufacture
US8932799B2 (en) 2013-03-12 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9175173B2 (en) 2013-03-12 2015-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Unlocking layer and method
US9245751B2 (en) 2013-03-12 2016-01-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9256128B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9989850B2 (en) 2013-03-12 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9436086B2 (en) 2013-03-12 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-reflective layer and method
US9460909B2 (en) 2013-03-12 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9502231B2 (en) 2013-03-12 2016-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist layer and method
US10269675B2 (en) 2013-03-15 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US10643916B2 (en) 2013-03-15 2020-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9117881B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9368402B2 (en) 2013-03-15 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US9842790B2 (en) 2013-03-15 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Conductive line system and process
US10761427B2 (en) 2013-08-22 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US12287575B2 (en) 2013-08-22 2025-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US11650500B2 (en) 2013-08-22 2023-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method of formation and use
US10036953B2 (en) 2013-11-08 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist system and method
US10095113B2 (en) 2013-12-06 2018-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method
US11073763B2 (en) 2013-12-06 2021-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10365561B2 (en) 2013-12-06 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10514603B2 (en) 2013-12-06 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10755927B2 (en) 2013-12-30 2020-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Anti-reflective gap filling materials and methods
US9761449B2 (en) 2013-12-30 2017-09-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gap filling materials and methods
US11094541B2 (en) 2013-12-30 2021-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Anti-reflective coating materials
US10163631B2 (en) 2013-12-30 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polymer resin comprising gap filling materials and methods
US9599896B2 (en) 2014-03-14 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US9581908B2 (en) 2014-05-16 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist and method
US10114286B2 (en) 2014-05-16 2018-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist and method

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