TWI307114B - Process chamber having component with yttrium-aluminum coating - Google Patents

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TWI307114B
TWI307114B TW091134971A TW91134971A TWI307114B TW I307114 B TWI307114 B TW I307114B TW 091134971 A TW091134971 A TW 091134971A TW 91134971 A TW91134971 A TW 91134971A TW I307114 B TWI307114 B TW I307114B
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aluminum
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Description

1307114 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一基材處理室和該處理室之製造方法。 【先前技術】 在基材之處理中，例如：基材蝕刻製程、基材沈積製程、 和基材及處理室清潔製程’使用齒素或氧等氣體。該氣體被 激發時（例如藉由射頻功率（RF power )或微波能源而激發 之）’特別可能腐蝕（corrode )或侵蝕（erode )(以上二詞 可交替使用）該室之組件，如：室壁。例如，由鋁製成之室 組件可能被鹵素氣體腐蝕以形成三氣化鋁（A1Ch )或三氟化 鋁（AIF3 )。該被腐蝕之組件必須被替換或清除，因此將造 成處理室之停工。且，當組件被腐蝕的部分剝落並污染該基 材時，會減少基材之產量。因此，期望減少該室組件之腐蝕。 亦可藉由於該組件上形成—陽極電鍍氧化鋁（aluminum oxide )塗層而改善該鋁室組件之抗腐蝕性或抗侵蝕性。例 士 鋁室壁可在一電鍍浴槽中陽極電鍍以形成一陽極電鍍 氧化鋁保護塗層。該陽極電鍍塗層增加該鋁室之抗蝕性， 但有時仍會因高度激發或侵#性氣體成分而退化，例如，藉 由至少包含一含氣氣體電漿之激發氣體，諸如四氧化碳 (CF4)’形成氣態副產物，諸如三氟化鋁（Mb)。 傳統之室组件自塊狀陶究材料（bulk ceramic material ) 或電聚嘴灑之陶:是塗層形成，其顯現較佳之抗蝕性，但可能 發生其他受損模式（failure mGde)。例如由—至少包含氧 5 曰修ί更)正脊换頁 ’ —」 ㈣_丨號案以年丄月修正 化釔（yttrium oxide )和氧化鋁之塊狀陶瓷材料所形成之室 組件易碎裂，且當以機械成形製成組件之型態時有斷裂之傾 向。塊狀陶瓷材料亦可能在操作該室時破裂β室組件亦曾以 電漿喷灑塗層製作。然而，在塗層和其下之組件材料間之熱 膨脹的不協調可能在加熱或冷卻時產生熱張力，造成該陶瓷 塗層自其下之組件破裂或剝落。因此，傳統陶究組件並不能 完全滿足抗#舆抗損之需求。 因此’需要-針對具侵蝕性之激發氣體具有改良之抗腐 蝕或抗侵蝕性之室組件。亦需能輕易製造此種組件成所需形 狀。進-步需要不易破裂’或在操作該室時不易斷裂之耐用 室組件β 發明内容】 一基材處理室組件，其自冬__ 卉岜3 含釔和鋁之積成層之一金 屬合金’並具有一電鍍之表面塗層。 之方法，該方法包含：形成 之室組件’並電鍍該金屬合
一種製造一基材處理室組件 一包含一含有纪和銘之金屬合金 金暴露於外之表面。 ’該方法包含：形成 在该金屬合金中離子 一種製造一基材處理室組件之方法 一含有一包含鋁之金屬合金之室組件， 植入釔，和電鍍該金屬合金之表面。 1，錄刀法：至少 形成-含有-包含魅之金屬合金之室組件，在 離子植入釔，和在該金屬合金中離子植入氧。 6 1307114 衾月π日修(更}正替換頁 一基材處理設備至少包含•·一處理室，該處理室於處理 區域附近具有壁；一可傳輪一基材至該處理室之基材傳輪 器；一可承接一基材之基材支撐器；一可引導一製程氣體至 該處理室之氣體供應器；一可在處理室將製程氣體激發之氣 體激發器；和一可將製程氣體排出處理室之排放器。其中室 壁、基材支撐器、基材傳輸器、氣體供應器、氣體激發器和 氣體排除器其中之一者或多者包含一含有釔和銘之金屬合 Φ 金’且具有一暴露至處理區域之陽極電艘表面塗層。 【實施方式】 如第1A和1C圖所示，一例示設備1〇2,其係適於處理 一基材104，該設備1〇2至少包含一可圍住—基材1〇4之處 理室106。例示的處理室為可自加州聖塔克拉拉應用材料公 司（Santa Clara Applied Material, Inc.)取得之 eMax ( TM) 和DPS II ( TM)室。在此所顯示之設備1〇2之特定具體實 施例適於處理諸如半導體晶圓之基材1〇4,且可為一般技藝 鲁 者將之用於處理諸如平面顯示器（Hat panel displays )、聚合 物面板（polymer panels)或其他電路接收結構之其他基材 104上。該設備1〇2對處理諸如基材丨〇4上之抗蝕層、含破 層、含金屬層、介電層、和/或導電層之「層」特別有用。 該設備102可連至一主機（未顯示於圖中），該主機包 含並提供對設備102之電力、配管（plumbing )和其他支援 功能，並可為多室（multichamber)系統（未顯示於圖中） 之部分。例示之主機亦可自加州聖塔克拉拉應用材料公司 7 1307114j . (Santa Clara 和 Producer ( 材1 04暴露於 遞基材1 0 4之 室能用於不同 室可沈積金屬 processing )， 室系統中不受 同部分於多個 一般而言 10 6 ’諸如圍潘 圍住一處理區 該壁1 0 7亦可 牆103在處理 II室中之襯墊 1 30引入處理 程氣體源1 3 8 含一個或多個 具有基材承接 個排氣口 142 氣體分配器（ 使用後之製種 1 0 6排除，其 理區域之使用
Applied Material, Inc.)取得之 Centura ( TM) TM)。該多室系統具有在不影響真空且不使基 系統外界之潮濕或污染的情況下，於各室間傳 能力。多室系統的優越性在於’系統中不同的 的目的。例如，一室可用於钱刻基材10 4，一 琪，一室可用於快速熱處理（rapid thermal 而另一室則可用於沈積抗反射層。製程可在多 干擾地進行，如此可避免基材104在製程之不 獨立室間傳遞所發生的污染。 ，該設備1〇2至少包含一具有壁107之處理室 ( enclosure wall) 103，該圍牆 103 可能包含 域1 0 8的一頂壁11 8、側壁114，和底璧11 6。 包含一室壁襯墊105，該襯墊105至少墊襯圍 區域1 08附近之部分。用於上述之eMax和DPS 即為示例。操作中，製程氣體經由氣體供應器 室106中，其中氣體供應器130至少包含一製 和一氣體分配器137。該氣體分配器13 7可包 具有一個或多個氣流閥134之導管136，且在 表面180之基材支撐器11〇周圍具有一個或多 。該氣體分配器137亦可選擇性地包含一噴頭 showerhead gas distributor)(未顯示於圖中）。 氣體及敍刻劑副產物經声氣體排除器丨4 4自室 中該氣體排除器144可能包含：一接收來自處 後製程氣體之泵通道1 7 0 ; —節流閥1 3 5以控
8 1307114 制室1 06中製程氣體之壓力，和一個或多個排放泵1 52。 該製程氣體可藉由氣體激發器1 5 4而被激發，該激發器 154將能量送至室106中位於處理區域1〇8之製程氣體上。 在第1A圖所示之版本中，該氣體激發器154至少包含製程 電極139、141，該製程電極139、ι41由電源供應器159供 應電源以將製程氣體激發。該製程電極丨3 9 '丨4 1可包含一 本身即為一壁’或為在壁上之電極141，諸如室1〇6中可電 容輕合至其他電極139 (諸如在基材丨04下方之支撐器π〇 中之電極）之側壁114或頂壁U8。如第iB圖所示，該氣體 激發器1 54可能交替性地或額外地包含一至少包含—個或多 個感應線圈1 7 8之天線1 7 5，該感應線圈1 7 8對室1 〇 6中心 可能為環狀對稱。如第1C圖所示，在另一實施例中，該氣 體激發器1 54可能包含一微波源和波導（waveguide )以藉由 該室106上游之遠端區域丨57之微波能量活化製程氣體。為 處理基材104,該處理室106係抽真空，並將該處理室1〇6 維持在預定之次大氣壓（sub —atm〇spheric pressure)下。接 著，以一基材傳輸器1 〇丨（例如一機械手臂和一升降銷系統 (lift pin system))將該基材1〇4置於支撐器11〇上。接著， 該氣體激發154藉由連接rF或微波能源至氣體而將氣體 激發，以在處理區域108中提供已激發氣體以處理該基材 104 ° 1 44其中之一
如第2圖中之概略描述，該室1〇6中最少有一組件1〇9 (例如為：室壁107、基材支撐器11〇、基材傳輸器1〇1、氣 體供應器1 3 0、氣體激發器1 5 4及氣體排除器 9
1307114 或多者）至少包含一含有釔-鋁成分之積成表面塗層117。如 第2圖中之虛線處所概略描述，組件1〇9之下層結構^和 該積成表面塗層117形成一均一且連續之結構，該結構中無 斷裂或尖銳之晶狀邊界》該積成表面塗層117使用至少一部 份之下層組件材料而於組件丨〇9表面原位（in_situ )形成。 使用製造組件109之結構材料來「生成」表面塗層117，該 表面塗層117將較傳統塗層更牢固地與下層組件材料結構連 結（所謂傳統塗層指諸如在塗層和下層結構間有斷裂和尖銳 邊界之電聚喷灑塗層）》該積成表面塗層117自結構丨丨丨形 成，舉例來說，其乃藉由陽極電鍍一含有所需金屬成分之組 件表面112 ’或藉由離子植入該組件109之表面112所形成。 該積成表面塗層117亦可能具有一在成分上連續或漸變之成 分梯度’該成分係在下層結構成分至表面成分間變化。因 此’該積成表面塗層117牢固地與下層材料連結，並減低該 塗層117之剝落’且亦使該塗層更能抵抗熱張力而不破裂。 舉例來說’該具有積成表面塗層117之組件1〇9可能為 室壁107’圍牆1〇3之部分或襯墊1〇5，基材支撐器11〇，氣 體供應器130，氣體激發器154，氣體排除器144，或基材傳 輸器101。可能受腐蝕或侵蝕之室組件1〇9部分，諸如暴露 於高溫、腐蚀性氣髅、和/或處理區域1〇8中侵蝕性濺鍍物質 之組件109表面115’亦可將之處理以形成該積成表面塗層 117。例如：該組件109可形成暴露至該室1〇6中電漿之室 壁107之部分，諸如該室壁表面115。 在一實施例中，該積成表面塗層〗丨7至少包含釔-鋁化 10 1307114 合物’該纪-銘化合物可能為釔銘合金，或一種或多種具有預 先定義之化學計量之化合物’諸如多種釔和鋁之氧化物。舉 例來說’該釔-鋁化合物可能為氧化雀“ Υ2〇3)和氧化鋁 (Ah〇3 )的混合物，例如釔鋁石榴石（ymium garnet ; YAG)。當該積成表面塗層117為釔鋁氧化物時，該 塗層117依組件1G9的厚度可能具有—氧化㈣分之濃度梯 度’愈接近組件109表φ 112通常氧化物成分的濃度愈高， 而愈靠近内部結構⑴而遠離表面"2之氧化物成分的濃度
則愈低。
舉例來說，當積成表面塗層117至少包含一釔鋁氧化 物，靠近表面112之區域傾向具有較高濃度的氧化釔和鋁物 質，而組件内部結構1U之部分則具有較低濃度的氧化物 質。該釔鋁氧化物之積成表面塗層117對已激發之鹵素氣體 (energized hal〇genated gases )及已激發之濺鍍氣體 (energetic sputtering gases )顯示出良好的抗蝕性。尤其， 該積成表面塗層Π7對已激發之含氣氣體具有良好之抗蝕 性。選擇該積成表面塗層117之組成與厚度以增加其對腐蝕 和^又钱或其他有害作用之抵抗力。舉例來說，較厚之積成表 面塗層117可為室組件1〇9之腐蝕或侵蝕提供較充足之障 蔽’而較薄的塗層117較適於抵抗熱衝擊。形成該積成表面 塗層117之氧化物質（即該塗層117的厚度），可能延伸遍 及該組件之深度’或僅及於其表面。該積成表面塗層117之 適當厚度，舉例來說’可能自約〇_5密爾（mUs )至約8密 爾’或甚至自約1密爾至約4密爾。 11 1307114 盡 6¾7日修(更}正替換頁 在一實施例中，該組件109至少包含一含有釔和鋁之金 屬合金’且該積成表面塗層117乃藉由在該金屬合金表面陽 極電鍵所形成。該具有陽極電鍍積成表面塗層117之金屬入 金可能構成該室組件109之部分或全部。該金屬合金至少包 含元素釔和元素鋁的成分，該釔和鋁被選用於提供所需之抗 蝕性或其他合金特性《例如，該成分可能被選用於提供—具 有良好炫點或延展性之合金，以助於製作和形塑該室組件 1〇9。該成分亦可被選用於提供有益於處理基材之特性，諸 如在已激發之製程氣體中之抗蝕性、對高溫之抵抗力、或對 熱衝擊之承受力。在一實施例中，一適當成分至少包含—實 質上含有釔和鋁之合金。 被陽極電鍍的金屬合金之成分係經選擇以提供上方鍵 層所需之抗腐蚀與侵蝕性質。該成分可選用於提供一合金， 其能夠於陽極電鍍後形成具有抵抗已激發之氣體腐蝕能力 之陽極電鍍積成表面塗層117。例如，當在一酸性溶液中陽 極電鍍時，該金屬合金組成’可選用在金屬合金表面113得 提供所需氧化銘和記塗層組成者》舉例來說，提供抗蝕之積 成表面塗層117之金屬合金適當成分為，所含釔的重量最少 約為金屬合金重量之5%，且最好低於金屬合金重量的8〇%， 例如’釔的重量約為金屬合金重量的67〇/〇。 該金屬合金與其上之積成塗層117具有一體或連續結構 疋有益的。該一體結構降低陽極電鍍表面塗層117和其下金 屬合金之熱膨脹不協調問題。取而代之的是，包含該陽極電 鍍積成表面塗層117之該陽極電鍍金屬合金在該金屬合金加 12 1307114
時維持實質均―的結構 面塗層117因此，該陽極電鍍積成表 頁！ W在基材處理時，顯 且與乓他之厶®人X 最低之破裂或剝落狀態， 興其他之金屬合金形成一耐用之抗钱結構。 在—製作該至少包含一金屬人 咕 鋁）且° (該金屬合金含有釔和 ;且具有陽極電鍍積成表面塗 法中，—力 罜層117之組件109之例示方 —釔和鋁之混合物加熱軟化或融化《形# ^思人 金而該金屬合金形塑成為一室組
Jr * _ 卞凊潔該室組件1 09 ，並繼續藉由將該室組件109胃 ^ r/ ^ ^ 姐仟1 09置於一氧化溶液中，
、乂電力將該室組_ 109偏壓而將之陽極電鍍。
第3A圈顯示一陽極電錄製作方法之具體實施例的流程 圖。至少包含纪和銘之金屬合金係形成且為所需之組" 例來說’-適當之組成可包含_纪和銘之莫耳比率約為Μ 之金屬合金。舉例來說’該金屬合金可能藉由加熱一含有所 需之釔和鋁量之混合物至該成分之熔化或軟化溫度以軟化 金屬並合併之成為單-合金而形成。在—實施例中，該金屬 合金可能實質上由釔和鋁所構成，而其他合金齊丨（aii” agent)，諸如其他金屬，亦可能舆該金屬纪和銘相溶以助於
形成金屬合金或增強該金屬合金之特質。例如，可能加入飾 (cerium)或其他稀土元素。 該金屬合金被形塑成為所需之室組件1〇9或是部分之組 件109。例如，藉由澆鑄或以機械成形將該金屬合金製成所 需之型態。該金屬合金藉由冷熔澆鑄，或將液化形式之該金 屬合金置於具有所需形狀或型態之澆鑄容器中洗鑄。該濟禱 谷器可能包含金屬纪和銘溶化形成該合金之相同容器，或為 13 1307114
及-'月，曰修(更；!正替換頁 一不同之洗鑄容器。冷卻該加熱之金屬合金使金屬合金固化 成形而符合澆鑄容器之形狀，因此提供了所需之金屬合金形 狀。 ―旦該具有所需形狀之金屬合金形成’可執行陽極電锻 製程以陽極電鍍金屬合金之表面，從而形成該陽極電鍍之氧 化物質積成表面塗層117。亦可在陽極電鍍前清潔該金屬合 金，以移除該金屬合金表面113之可能干擾該陽極電鍍表面 塗層之生成的污染物或微粒物質。例如，可藉由將該金屬合 金浸於酸性溶液中以將污染粒子餘去’或以超音波清潔該表 面 113。
在一實施例中，該金屬合金藉由在該金屬合金表面ιι3 以氧化劑進行電解反應而陽極電鑛。例如，該金屬合金可置 於氧化溶液中，諸如氧化之酸性溶液，光w恭 取並以電偏壓誘導陽極 電鍍表面塗層之生成。舉例來說，適當 遇曰之酸性溶液可能包含 鉻酸、草酸和硫酸其中之一者或多者。 有選擇該陽極電鍍製程 參數，諸如酸性溶液之組成、電偏壓 ^ „ 、， 堙之功率，以及該製程之 持續時間，以形成具有所需性質 之瞄招《啻雜接4、* 所需之厚度或抗蝕性） 之陽極電鍍積成表面塗層117。 mu人β 社 一含有陽極電鍍表面 罜赝之金屬〇金，可藉由在酸性 而帘占，盆合液中^極電鍵該金屬合金 而形成’纟中該酸性溶液由約0 忐’祐斟次搞山 Μ至約1.5Μ之硫酸所組 成’並對Α槽中之電極施 的q〇八德 * <偏屋功率’持續約30至 約90刀鐘、甚至120分鐘。
該金屬 (諸如空氣 合 )’ 金亦可能藉由將金屬 以陽極電鐘至少邹分 合金暴露至含氧氣體中 之金屬合金。空氣申之 14 1307114 iM±h
氧氣氧化該表面113,從而形成嗜 117 ^ ^ ,s φ ^ 形成該陽極電鍍積成表面堂層 117。該陽極電鍍製程之速率 ，…、… 藉由加熱該金屬合金和含氧 軋體，以及藉由使用純氧而增加。 形成該室組件1〇9之步驟，至少包含該具有陽極電鍵積 成表面塗層117之金屬合金在—最適於製作該室組件1〇9之
順序下執行，而此為習知技藝人W知。例如，如上所述， 該陽極電鐘製程可在金屬合金形成所需形狀後執行。或者例 如，該陽極電鍍製程亦可在金屬合金形成所需形狀前執行。 舉例來說，該金屬合金可在陽極電鍍製程前或後藉由焊接成 形。
該室組件109’諸如該室壁107、氣體供應器13〇、氣體 激發器154、氣體排除器144'基材傳輸器1〇1、或支撐器 110，以上組件至少部分自該含有釔和鋁且具有陽極電鍍積 成表面塗層117之合金所形成，此提供該室組件1〇9對已激 發之製程氣體和高處理溫度更佳之抗钮性。該具有陽極電鍍 積成表面塗層丨17之金屬合金之一體結構，進一步增加抗蝕 性，益降低陽極電鐘表面塗層之破裂或剝落。因此，該室組 件109易於腐蝕之區域，諸如暴露於處理區之室壁1〇7表面 115,需要含有陽極電鍍積成表面塗層117之室組件109,以 降低該些區域之腐蚀和侵触。 如笫4圖所示，於本發明之另一態樣下，一離子植入器 300藉由將該積成表面塗層117之組成材料離子植入該组件 109表面Η2以形成積成表面塗層〗17。舉例來說，在此方 法中，該離子植入器300自一種或多種金屬而製成該組件
15 1307114 衾.0^2?日修(更)正替換頁 ’並藉高能離子植入物質轟擊該表® 112 W植入其他金 屬或非金屬物質至該组件109中。在一具體實施例中，將高 能之紀離子植入該含銘之㈣1〇9表面112,而在另一具體 實施例中，將高能之氧離子植入釔_鋁合金之表面Η]。該離
子植入器3〇〇至少包含一包圍住真空環境之真空槽31〇，和 或多個真空录320以排空該真空槽31"之空氣以形成 真空環境。該離子植人製程能在室溫或稍高㈣度巾進行。 典型之製程步驟列於第3B圖中。
一離子植入器300對植入金屬合金表面112之材料提供 良好的均一性與表面分布。舉例來說，該離子植入器3〇〇能 控制植入組件1〇9之植入離子的植入密度和組件1〇9中植入 材料的滲入深度。㈣子植入器3〇〇亦可提供均一之表面覆 蓋與濃度標準。此外，該離子植入器3〇〇亦可僅於該組件1〇9 上之選定區域形成該積成表面塗層117，且可控制該植入物 質在該區域邊緣之分布。在典型之植入方法中，將植入一定 範圍之離子劑量，例如自約每平方公分1〇11個離子至約每平 方公分1017個離子。在一具體實施例中，該離子植入器3〇〇 可控制該劑量於此範圍中在1%的誤差内。 該離子植入器300 —般至少包含一離子源33〇於真空槽 31〇中，以提供並離子化將被植入之材料，以形成該積成表 面塗層117。在一實施例中，該離子源33〇容納固態之植入 材料，並有一汽化室（未顯示於圖中）用於汽化該固態植入 材料。在另一實施例中，該離子源330提供氣態之植入材料。 例如，氣態之植入物質可自一遠端區域供給至該離子源 16
1307114 33〇，從而可右 法、 不打開真空槽31〇或無其他干擾真空環境的 憬〉兄下，念 .. 、離子源33〇中之材料。舉例來說，該植入材
料可能至少句冬-土A 70素紀或氧，並將之植入鋁組件中以形成含 氧化物成分之組件，諸如YAG。可使用任何可離子化 之材料為來源’例如含釔之氣體、固態釔，或氧氣。 第5圖所顯不，在一具體實施例中，該離子源330至 少包含一' β职^、 '口 410，氣體植入物質經由該輸入口 410 而引入離子化系統42〇中之離子化區域以在該氣態植入 物質送至該組件表面112前’將之離子化。該氣態或被汽化 物質乃疋藉由使該氣體或蒸汽經過一熱陰極電子放 ^冷^電子放電或射頻放電diSeharge)而離子化。 實施例中，該離子化系統420至少包含一加熱之燈絲 425。該離子源330更至少白各―胳权 /匕含 陽極430和一没取出口 445 附近之汲取電極（extraction electr〇de) 44〇，其遞增電偏壓 而自該離子化氣體中汲取出正離子並形成離子束34〇。在一 具體實施例中，該陽極430在自約7〇伏特⑺至Η"(如： 1〇〇 v)下偏壓。該汲取電極 电® 44υ可在自約10仟電子伏特 (keV )至約25 keV下偽μ，社二a儿 壓諸如自約1 5 keV至約20 keV。 該没取出口 445可形塑以定蠢铉齙 又我这離子束340之樣態。例如， 該汲取出口 445可為一圓？|赤一七也仏办 圓孔次一方形挾縫。提供_螺線管45〇 以形成一迫使電子循螺旋軌道運叙 運連動之磁％，以增加該離子源 330之離子化效率。該離子走々 .. 卞果340之一例示之適當範圍電流 為自約0.1毫安培（mA)至約i〇0mA _ , 約100 mA，諸如自約1 mA至約 20 mA 〇 17
1307114
回到第4 W，該離子植入器300亦典型地至少包含一系 列之加速電極35G以加速該離子束340。該加迷電極35〇1 般沿離子束34G傳送方向維持電位遞增之增加程度，以逐漸 加速該離子束340。在-實施例中，該加速電350加速該 離子束340至能量在約5〇5&«ΛΛ1 Λ7 to里你、J π至約5〇〇 keV，更典型的情況是在 約100至約400 keV。該較高能量之離子束可用 較重之離子或期望將其植入組件1〇9之表面 以植入相對 較深處。 該離子植入器300至少包含一離子束聚焦器（beam f〇cuSer) 360以聚焦該離子束34〇。在一實施例中，該離子 束聚焦器360至少包含一磁場鏡（magnetic; field lens )(未 顯示於圖中）’以產生包圍該離子束34〇之磁場。舉例來說， 該磁場可能與該離子束3 40傳送方向大致平行。該離子束聚 焦器360可額外地，諸如藉由維持於一電位，而進一步加速 該離子束340。在另一實施例中，該離子束聚焦器360至少 包含一靜電場透鏡（electrostatic field lens )(未顯示於圖 中）’以產生包圍該離子束340之電場。舉例來說，部分之 電場可能與該離子束3 40傳送方向大致垂直。 在一實施例中’該離子植入器300更至少包含一質量分 析器370以分析或楝選該離子之質量。在一實施例中，該質 量分析器370至少包含一離子束340可經過之弧狀通道（圖 中未示）。該質量分析器370在通道中產生一磁場，以沿著 弧狀通道内部加速具有所選荷質比（ratio of mass to charge ) 之離子。具有與所選離子實質不同荷質比之離子與弧狀通道 壁相碰撞，因此無法繼續通過該通道。在一具體實施例中’
18 1307114
藉由選定一定磁場強度，該質量分析器3 7〇將可揀選特定荷 質比者。在另一具體實施例，該質量分析器37〇藉由測試磁 場強度之範圍，並偵測在該磁場強度下經過該弧狀通道之離 子數，而確定離子束340荷質比之分布。該質量分析器3 70 典型地至少包含複數之強磁物質所製之磁極部件。提供一個 或多個螺線管以在磁極部件附近產生磁場。 該離子植入器3 00至少包含一離子束偏轉器（beam
deflector) 380以使組件1〇9表面112之離子束34〇偏向，
而將離子分配植入該組件109。在一具體實施例中，該離子 束偏轉器3 80至少包含一產生電場以將該電子束3 4〇偏向之 靜電偏轉器。該電場具有一與該電子束340傳送方向垂直之 場組成，沿此該靜電偏轉器使該離子束340偏向。在另一具 體實施例中’該離子束偏轉器380至少包含一產生將離子束 偏向之磁場的磁偏轉器（magnetic deflector )。該磁場具有一 與離子束傳送方向垂直之場組成，且該磁場偏轉器將該離子 束3 40偏向，而同時垂直於該離子束340傳误士人
哥适方向和與該傳 送方向垂直之磁場組成方向。
該離子植入器300植入一定量之植入物曾 只主該組件1 09 之下層结構111 ’如此植入物質與其下層結槿 * 111物質之比 率於化學計量上得為所需之值。例如，當於叙 、構表面植入 釔離子時’可能希望鋁對釔之莫耳比率為4.2 • 至6:4，甚至 為5:3。當該結構111將繼續退火、陽極電缺 力取虱植入氧離子 時，此比率係經最佳化以提供YAG。 如第6圖所示，-退火器500亦可用於退火該組件⑽ 19
.牛> )¾曰修(更)正替換I 1307114 以修復該組件1 09晶狀結構之任何損傷。舉例來說，該退火 器5 00可修復該組件109於離子植入時為高能離子所損害之 Q域。該退火器500典型地至少包含一可加熱組件1〇9至_ 適於退火溫度之熱源510,諸如非連貫（incoherent )或連貫 (coherent)之電磁放射源。舉例來說，該退火器5〇〇可加 熱該組件109至至少约攝氏600度（勺）之溫度，例如至少 約900 C。在第6圖所示之具體實施例中，該退火器5〇〇為 鲁 一快速熱退火器（rapid thermal annealer ) 505，該退火器505 至少包含一含有鎢絲齒素燈515之熱源51〇以產生輻射，以 · 及一反射器520已將該輻射反射至該組件1〇9。一流體525， 諸如空氣或水，沿著該熱源5 1 0而流動以調節該熱源5 1 〇之 溫度。在一實施例中，於該熱源51〇與該組件1〇9間提供一 石英板530以將該流體525與該組件1〇9隔離。該快速熱退 火器505可能更至少包含一溫度監視器54〇以監視該組件 109之溫度。在一具體實施例中，該溫度監視器54〇至少包 含一分析該組件109所放射之輻射的光學高溫計 • (Pyrometer) 545，以確定該組件1〇9之溫度。 儘管顯示並描述了本發明之例示性具體實施例，習知技 φ 藝人士可併用本發明而衍生出其他為本發明範圍所涵蓋之 具體實施例。例如’該金屬合金可在不偏離本發明之範圍下 至少包含其他適當之組件’諸如其他金屬。且，該金屬合金 可形成至組件1G9其他未特別提及之部分，此對熟知技藝人 士亦為顯而易見的。此外，以下、以上、底部、上部、向上、 肖下、第-和第一等用詞以及其他相關或位置性之用詞僅為 20
1307114 例示性之具體實施例且是可互換的。因此，該所附之申請專 利範圍不應受限於該較佳版本之描述、材料、或為說明該發 明之空間配置之描述。 【圖式簡單說明】 在參考以下之描述、所附之申請專利範圍、和附隨的關 於本發明實施例之圖示後，將更易於瞭解此些和其他特徵、 觀點、或本發明之優勢，其中： 第1A圖為根據本發明之一處理室之具體實施例版本之概略 剖面側視圖； 第1 B圖為一另一版本之氣體激發器之剖面側視圖； 第1 C圖為一另一版本之處理室之概略剖面側視圖； 第2圖為一室組件之部分剖面概略側視圖，該室組件至少包 含一釔鋁成分之積成表面塗層； 第3A圖為一陽極電鍍金屬合金組件之表面以形成一積成表 面塗層製程之具體實施例之流程圖； 第3B圖為離子植入組件表面以形成一積成表面塗層製程之 具體實施例之流程圖； 第4圖為一離子植入器之概略上視圖； 第5圖為一第4圖之離子植入器中，離子源之概略剖面側視 圖；且 第6圖為一退火器之概略剖面側視圖。 【元件代表符號簡單說明】 101 基材傳輸器
21 設備 圍牆 基材 襯墊 處理室 室壁 處理區域 組件 支撐器 (下層）結構 表面 表面 侧壁 表面 底壁 (表面）塗層 頂壁 氣體供應器 氣流閥 節流閥 導管 氣體分配器 製程氣體源 製程電極 製程電極 排氣口 氣體排除器 排放泵 (氣體）激發器 遠端區域 電源供應器 泵通道 天線 感應線圈 基材承接表面 離子植入器 真空槽 真空泵 22 1307114 . 「———— — _月曰修(更) ϋ (‘
330 離 子 源 340 離 子 束 350 加 速 電 極 360 離 子 束 聚 焦 器 370 質 量 分析 器 380 離 子 束 偏 轉 器 410 (氣體）輸- 口 420 離 子 化 系 統 425 燈 絲 430 陽 極 440 汲 取 電 極 445 汲 取 出 口 450 螺 線 管 500 退 火 器 505 快 速 熱 退 火 器 510 熱 源 515 鎢 絲 鹵 素 燈 520 反 射 器 525 流 體 530 石 英 板 540 温 度 監 視 器 545 光 學 高 溫 計
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Claims (1)

1307114 申*月專牙！身色圍 一種基材處理室組件，該組件能夠暴露於一基材處理室 中的一射頻（RF)或微波激發氣體，該組件包含：一具 有一紀-銘化合物之一積成表面塗層（integral surface coating )的結構，該塗層包括一陽極電鍍塗層或一離子 植入塗層。
2· 根據申請專利範圍第1項所述之組件，其中上述之結構 包含一釔和鋁之金屬合金。 · 3· 根據申請專利範圍第2項所述之組件，其中上述之金屬 合金包含低於約50% (以重量計）之一釔成分。 4. 根據申請專利範圍第1項所述之組件，其中上述之釔-銘化合物包含紀銘氧化物（yttrium aluminum oxide )。
5. 根據申請專利範圍第4項所述之組件，其中上述之釔-紹化合物包含YAG ( yttrium aluminum garnet ;纪銘石 榴石）。 6· 根據申請專利範圍第1項所述之組件，其中上述之積成 表面塗層的厚度為約〇 5炱約8密爾（mils )。 7.根據申請專利範圍第1項所述之組件，其中上述之結構 24 1307114 為一圍牆（enclosure wall)。 8. 根據申請專利範圍第1項所述之組件，其中上述之 為一壁概墊（wall liner)。 9. 一種製造一基材處理室組件之方法，該組件能夠暴 一基材處理室中的一射頻或微波激發氣體，該方 含： (a) 形成一室組件，該室組件包含一結構，該結 含由釔和鋁組成之一金屬合金；和 (b) 陽極電鍍該金屬合金之該結構的一表面，以 一釔-鋁化合物之一陽極電鍵塗層。 10. 根據申請專利範圍第9項所述之方法’該方法包含 電鍍該金屬合金之該表面以形成釔鋁氧化物。 11. 根據申請專利範圍第9項所述之方法，其中上述之 (a)包含形成一金屬合金，該金屬合金包含低於約 (以重量計）之一釔成分。 12. 根據申請專利範圍第9項所述之方法，該方法包含 電鍍該金屬合金之該結搆的该表面’以形成一厚度 0.5密爾（mil)至約8密爾的陽極電鍍塗層》 結構 露於 法包 構包 形成 陽極 步驟 50% 陽極 為約 1307114 1 3 ·根據申請專利範圍第9項所述之方法，該方法包含在一 酸性溶液中陽極電鍍該金屬合金之該表面，其中該酸性 溶液包含鉻酸、草酸和硫酸其中之一者或多者。 14.根據申請專利範圍第13項所述之方法，該方法包含陽 極電鍍該金屬合金之該表面約30分鐘至約120分鐘。 1 5 ·根據申請專利範圍第9項所述之方法，該方法包含陽極 電鍍該金屬合金之該表面以形成一包含YAG之陽極電 鐘塗層。 1 6 · —種製造一基材處理室組件之方法，該組件能夠暴露於 一基材處理室中的一射頻或微波激發氣體，該方法包 含： (a) 形成一室組件，該室組件包含一結構，該結構 包含鋁；和
(b) 將釔離子植入至該鋁中。 1 7.根據申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中上述之步 驟（b)包含產生釔離子並將該離子激發至約50至約500 仟電子伏特（keV)之能量層級。 1 8.根據申請專利範圍第1 6項所述之方法，該方法更包含 將該結構退火。 26 1307114 1 9.根據申請專利範圍第1 6項所述之方法，該方法更包含 將氧離子植入該結構。 20. 根據申請專利範圍第16項所述之方法，該方法包含在 一酸性溶液中陽極電鍍該結構之一表面。 ，該方法包含處
21. 根據申請專利範圍第16項所述之方法 理該結構之一表面以形成釔鋁氧化物。 22. 根據申請專利範圍第16項所述之方法，該方法包含處 理該結構之一表面以形成YAG。 23. —種製造一基材處理室組件之方法，該組件能夠暴露於 一基材處理室中的一射頻或微波激發氣體，該方法包 含：
(a) 形塑一室組件，該室組件包含一結構，該結構包 含鋁； (b) 將釔離子植入該結構中；和 (c) 將氧離子植入該結構中。 24.根據申請專利範圍第23項所述之方法，其中上述之步 驟（b)包含產生釔離子並將該些離子激發至約 50至約 500 keV之能量層級。 27 1307114 25.根據申請專利範圍第23項所述之方法，該方法更包含 將該結構退火。 2 6.根據申請專利範圍第23項所述之方法，該方法包含植 入釔和氧，以提供一可形成YAG之釔對鋁對氧之莫耳 比率。
27. —種基材處理設備，該設備包含： 一處理室，在一處理區域周圍具有一壁； 一基材傳輸器，能傳輸一基材至該處理室； 一基材支撐器，能承接一基材； 一氣體供應器，能將一製程氣體引入該處理室； 一氣體激發器，能在該處理室中激發該製程氣體；以 及 一氣體排除器，能將該製程氣體自該處理室排出，
其中該處理室壁、該基材支撐器、該基材傳輸器、該氣 體供應器、該氣體激發器和該氣體排除器其中之一者或多者 包含一能夠暴露於一基材處理室中的一射頻或微波激發氣 體之一結構，該結構具有一釔-鋁化合物之一積成表面塗層， 該塗層包括一陽極電鍍塗層或一離子植入塗層〇 28.根據申請專利範圍第27項所述之設備，其中上述之結 28 1307114 * 構包含一釔和鋁之金屬合金。 29. 根據申請專利範圍第28項所述之設備，其中上述之金 屬合金包含低於约5 0 % (以重量計）之一釔成分。 30. 根據申請專利範圍第27項所述之設備，其中上述之釔-鋁化合物包含釔鋁氧化物。 3 1 ·根據申請專利範圍第27項所述之設備，其中上述之釔-銘化合物包含YAG。
29 1307114 第 ml號
1307114
106
111 112 117 113
第2圖 109 1307114
1307114 第3A圖
1307114 第3B圖
1307114
• · •330 1307114
|^5^〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇 510:么 525 流體
流體 530 石英板
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