KR20040081117A

KR20040081117A - 이트륨-알루미늄 코팅을 갖는 컴포넌트를 구비한 처리 챔버

Info

Publication number: KR20040081117A
Application number: KR10-2004-7010681A
Authority: KR
Inventors: 니안시 한; 리 수; 홍 시흐
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2002-01-08
Filing date: 2002-12-19
Publication date: 2004-09-20
Also published as: TW200301921A; TWI307114B; CN100439562C; US20030127049A1; US6942929B2; CN101302610A; CN1620522A; WO2003060187A1; CN101302610B; KR100864205B1

Abstract

기판 처리 챔버 컴포넌트는 이트륨-알루미늄 화합물을 포함하는 전체 표면 코팅을 갖는 구조물이다. 상기 컴포넌트는 이트륨 및 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 컴포넌트 형상으로 형성하고, 전체 양극산화처리된 표면 코팅을 형성하도록 그 표면을 양극산화처리함으로써 제조될 수 있다. 상기 챔버 컴포넌트는 또한 수행되는 금속 형상으로 이온 주입 물질에 의해 형성될 수 있다. 상기 컴포넌트는 챔버 벽, 기판 지지부, 기판 수송부, 가스 공급기, 가스 에너자이저, 및 가스 배기부 중 하나 이상일 수 있다.

Description

이트륨-알루미늄 코팅을 갖는 컴포넌트를 구비한 처리 챔버{PROCESS CHAMBER HAVING COMPONENT WITH YTTRIUM-ALUMINUM COATING}

예를 들어, 기판 에칭 처리, 기판 증착 처리, 및 기판과 챔버 세정 처리와 같은 기판의 처리에서, 할로겐 또는 산소와 같은 가스들이 사용된다. 가스들은 특히, 예를 들어 RF 파워 또는 마이크로파 에너지에 의해 에너지를 제공받을 경우, 챔버 벽과 같은 챔버의 컴포넌트를 부식 또는 침식(이 용어들은 본 명세서에서 서로 혼합되어 사용됨)시킬 수 있다. 예를 들어, 알루미늄으로 구성된 챔버 컴포넌트는 AlCl₃또는 AlF₃를 형성하기 위해 할로겐 가스에 의해 부식될 수 있다. 부식된 컴포넌트는 대체 또는 세정을 필요로하여 바람직하지 않은 챔버의 가동 휴지 시간을 초래한다. 또한, 컴포넌트의 부식된 부분이 벗겨져서 기판을 오염시킬 경우, 기판의 수율을 저하시킨다. 따라서, 챔버 컴포넌트의 부식을 감소시키는 것이 바람직하다.

알루미늄 챔버 컴포넌트의 내부식성 또는 내침식성은 컴포넌트상에 양극산화처리된(anodized) 알루미늄 산화 코팅을 형성함으로써 개선될 수도 있다. 예를 들어, 알루미늄 챔버 벽은 양극산화처리된 알루미늄 산화물의 보호 코팅을 형성하기 위해 전기 도금 용기에서 양극산화처리(anodizing)될 수 있다. 양극산화처리된 코팅은 알루미늄 챔버의 내부식성을 증가시키지만, 여전히 높은 에너지 공급 또는 부식성 가스 성분에 의해, 예를 들어, CF₄와 같은 불소 함유 가스의 플라즈마를 포함하는 에너지를 받은 가스에 의해 때때로 침식되어, AlF₃와 같은 가스 부산물을 형성한다.

벌크 세라믹 재료 또는 플라즈마 스프레잉된 세라믹 코팅으로 형성된 통상의 챔버 컴포넌트는 더 양호한 내부식성을 갖지만 다른 결함을 갖기 쉽다. 예를 들어, 이트륨 산화물 및 알루미늄 산화물의 혼합물을 포함하는 벌크 재료로 형성된 챔버 컴포넌트는 부서지기 쉬우며, 컴포넌트의 형상으로 절단될 경우 깨지는 경향이 있다. 벌크 세라믹 재료는 챔버의 동작 동안 금이 가기 쉽다. 챔버 컴포넌트는 또한 플라즈마 스프레잉된 코팅을 사용하여 제조될 수 있다. 그러나, 코팅과 하부의 컴포넌트 재료의 열적 팽창의 부정합은 가열 또는 냉각 동안 열적 변형(strain)을 초래하여 하부의 컴포넌트로부터 세라믹 코팅이 금이 가게 하거나 벗겨지게 한다. 따라서, 통상의 세라믹 컴포넌트는 바람직한 내부식성 및 내결함성을 언제나 제공하지는 않는다.

따라서, 에너지를 받은 부식성의 가스에 대한 개선된 내부식성 또는 내침식성을 갖는 챔버 컴포넌트가 필요하다. 또한 원하는 형상으로 이러한 컴포넌트를용이하게 제조할 필요성이 있다. 챔버의 동작 동안 금이 가거나 부서지지 않는 내구성이 있는 챔버 컴포넌트가 또한 필요하다.

본 발명은 기판 처리 챔버 및 기판 처리 챔버를 제조하는 방법에 관한 것이다.

도 1a는 본 발명에 따른 하나의 버젼의 처리 챔버 일실시예의 개략적인 측단면도.

도 1b는 가스 에너자이저의 다른 버젼의 개략적인 측단면도.

도 1c는 상기 처리 챔버의 다른 버젼의 개략적인 측단면도.

도 2는 이트륨 알루미늄 화합물의 전체 표면 코팅을 포함하는 챔버 컴포넌트의 부분적인 개략 측단면도.

도 3a는 금속 합금 컴포넌트의 표면을 양극산화처리하여 전체 표면 코팅을 형성하기 위한 일 실시예의 처리 흐름도.

도 3b는 하나의 컴포넌트의 표면을 이온 주입하여 전체 표면 코팅을 형성하기 위한 실시예의 처리 흐름도.

도 4는 이온 주입기의 개략적인 평면도.

도 5는 도 4의 이온 주입기의 이온 소스의 개략적인 측단면도.

도 6은 어닐링기(annealer)의 개략적인 측단면도.

기판 처리 챔버 컴포넌트는 이트륨 및 알루미늄으로 이루어진 전체 층을 구성하는 금속 합금을 포함하며, 양극산화처리된(anodized) 표면 코팅을 갖는다.

기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법은 이트륨 및 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 포함한 챔버 컴포넌트를 형성하는 단계 및 금속 합금의 노출된 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함한다.

기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법은 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 포함한 챔버 컴포넌트를 형성하는 단계, 금속 합금에 이트륨을 주입하는 단계 및 금속 합금의 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함한다.

기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법은 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 포함한 챔버 컴포넌트를 형성하는 단계, 금속 합금에 이트륨을 주입하는 단계 및 금속 합금에 산소를 이온 주입하는 단계를 포함한다.

기판 처리 장치는, 처리 영역 부근에 벽을 갖는 처리 챔버, 기판을 처리 챔버로 수송하는 기판 수송부, 기판을 수용하는 기판 지지부, 처리 가스를 처리 챔버로 도입하는 가스 공급부, 처리 챔버에서 처리 가스에 에너지를 공급하는 가스 에너자이저(gas energizer), 및 처리 가스를 처리 챔버로부터 배출시키는 배출부를 포함하며, 하나 이상의 챔버 벽, 기판 지지부, 기판 수송부, 가스 공급부, 가스 에너자이저 및 가스 배기부는 이트륨 및 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 포함하며처리 영역에 노출된 양극산화처리된 표면 코팅을 갖는다.

본 발명의 이들 및 다른 특징들, 측면들 및 장점들은 다음의 상세한 설명, 첨부된 청구항들, 본 발명의 실시예들을 도시하는 첨부 도면들과 관련하여 보다 잘 이해될 것이다.

기판(104)을 처리하기에 적당한 예시적인 장치(102)는 도 1a 및 1c에 도시된바와 같은 기판(104)을 밀봉할 수 있는 처리 챔버(106)를 포함한다. 예시적인 챔버들은 캘리포니아 산타 클라라 어플라이드 머티어리얼스로부터 상업적으로 판매되는 eMax(TM) 및 DSPⅡ(TM)이다. 여기에 도시된 장치(102)의 특정 실시예는 반도체 웨이퍼들 같은 기판(104)을 처리하기 위하여 적당하고, 편평한 패널 디스플레이들, 중합체 패널들, 또는 다른 전기 회로 수용 구조들 같은 다른 기판(104)을 처리하기 위하여 당업자에 의해 제공될 수 있다. 장치(102)는 기판(104)상에 에칭 레지스턴트, 실리콘 함유, 금속 함유, 유전체 및/또는 도전체 층들 같은 층들을 처리하는데 특히 유용하다.

장치(102)는 장치(102)에 대한 전기, 배관, 및 다른 지지 기능들을 포함 및 제공하는 메인프레임 유니트(도시되지 않음)에 부착될 수 있고 다중챔버 시스템(도시되지 않음)의 일부일 수 있다. 예시적인 메인프레임들은 캘리포니아 산타 클라라 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드의 Centura(TM) 및 Producer(TM)이다. 다중챔버 시스템은 진공을 파괴하지 않고 다중챔버 시스템 외부 습기 또는 다른 오염물들에 대해 기판(104)을 노출시키지 않고 챔버들 사이에서 기판(104)을 전달하는 능력을 가진다. 다중챔버 시스템의 장점은 다중챔버 시스템의 여러 챔버들이 이 여러 목적을 위해 사용될 수 있다는 것이다. 예를들어, 하나의 챔버는 기판(104)을 에칭하기 위해 사용될 수 있고, 다른 챔버는 금속 막의 증착에 사용될 수 있고, 또다른 챔버는 급속 열처리를 위해 사용될 수 있고, 또다른 챔버는 반사 방지 층 증착에 사용될 수 있다. 상기 처리들은 다중챔버 시스템내에서 방해받지 않고 진행될 수 있어서, 여러 처리 부분들을 위해 다양한 독립된 개별 챔버들 사이에서 기판(104)을 전달할 때 발생할 수 있는 기판들(104)의 오염을 방지한다.

일반적으로, 장치들(102)은 외장 벽(103) 같은 벽(107)을 가진 처리 챔버(106)를 포함하고, 상기 챔버는 처리 영역(108)을 밀봉하는 실링(118), 측벽들(114) 및 바닥 벽(116)을 포함할 수 있다. 벽(107)은 또한 처리 영역(108)에 대해 외장 벽(103)의 적어도 일부를 정렬하는 챔버 벽 라이너(105)를 포함할 수 있다. 예시적인 라이너들은 상기된 eMax 및 DPS Ⅱ 챔버들에 사용된다. 동작시, 처리 가스는 처리 가스 소스(138) 및 가스 분배기(137)를 포함하는 가스 공급부(130)를 통하여 챔버(106)내로 도입된다. 가스 분배기(137)는 하나 이상의 가스 흐름 밸브들(134)을 가진 하나 이상의 도관들(136), 및 기판 수용 표면(180)을 가진 기판 지지부(110)의 주변 둘레에 배치된 하나 이상의 가스 출구들(142)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 가스 분배기(130)는 샤워헤드 가스 분배기(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 소비된 처리 가스 및 에천트 부산물들은 처리 영역으로부터 소비된 처리 가스를 수용하는 펌핑 채널(170)을 포함할 수 있는 배출구(144), 챔버(106)의 처리 가스 압력을 제어하기 위한 드로틀 밸브(135), 및 하나 이상의 배기 펌프들(152)을 통하여 챔버(106)로부터 배기된다.

처리 가스는 챔버(106) 처리 영역(108)의 처리 가스에 에너지를 결합하는 가스 에너자이저(154)에 의해 에너지를 공급받을 수 있다. 도 1a에 도시된 버젼에서, 가스 에너자이저(154)는 처리 가스에 에너지를 공급하기 위하여 전력 공급부(159)에 의해 전력을 공급받는 처리 전극들(139, 141)을 포함한다. 처리 전극들(139, 141)은 측벽(114) 같은 벽 또는 상기 벽 내부에 있는 전극(141) 또는 기판(104) 아래 지지부(110)의 전극 같은 다른 전극(139)에 용량적으로 결합될 수 있는 챔버(106)의 실링(118)을 포함할 수 있다. 도 1b에 도시된 바와같이 선택적으로 또는 부가적으로, 가스 에너자이저(154)는 챔버(106)의 중심에 대해 원형 대칭을 가질수있는 하나 이상의 인덕터 코일들(178)을 포함하는 안테나(175)를 포함할 수 있다. 다른 버젼에서, 가스 에너자이저(154)는 도 1c에 도시된 바와같이 챔버(106) 상부 원격 영역(157)의 마이크로파 에너지에 의해 처리 가스를 활성화하기 위하여 마이크로파 소스 및 도파관을 포함할 수 있다. 기판(104)을 처리하기 위하여, 처리 챔버(106)는 진공되고 소정 서브 대기압으로 유지된다. 그 다음 기판(104)은 예를들어 로봇 암 및 리프트 핀 시스템 같은 기판 수송부(101)에 의해 지지부(110)상에 제공된다. 그 다음 가스 에너자이저(154)는 가스에 RF 또는 마이크로파 에너지를 결합시킴으로써 기판(104)을 처리하기 위한 처리 영역(108)에 에너지화된 가스를 제공하도록 가스를 에너지화한다.

도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 챔버(106)의 적어도 하나의 컴포넌트(114)는 이트륨-알루미늄 화합물을 포함하는 전체 표면 코팅(integral surface coating)(117)을 포함한다. 점선으로 도 2에 개략적으로 표시된 바와 같이, 컴포넌트(114)의 하부 구조물(underlying structure)(111) 및 전체 표면 코팅(117)은 그 사이에 불연속적인 날카로운 결정질 경계가 존재하지 않는 단일의 연속 구조물을 형성한다. 전체 표면 코팅은 하부 컴포넌트 재료의 적어도 일부를 사용하여 컴포넌트(114)의 상기 표면으로부터 인-시튜(in-situ) 형성된다. 컴포넌트(114)가 제조되는 구조물에서 표면 코팅(117)을 "성장"시킴으로써, 표면코팅(117)은 코팅과 하부 구조물 사이에 불연속적인 날카로운 경계를 갖는 플라즈마 스프레이 코팅들과 같은 종래의 코팅들보다 하부 컴포넌트 재료 구조물에 더 강하게 결합된다. 전체 표면 코팅(117)은 예를 들어, 바람직한 금속 조성을 포함하는 컴포넌트 표면(112)을 양극산화처리(anodizing)함으로써, 또는 컴포넌트(114)의 표면(112) 내로 이온 주입함으로써 상기 구조물(111)로부터 형성된다. 전체 표면 코팅(117)은 또한 하부 재료 조성으로부터 표면 조성으로 연속적으로 또는 점차적으로 조성이 변화하는 조성 그래디언트(compositional gradient)를 가질 수 있다. 결과적으로, 전체 표면 코팅(117)은 하부 재료에 강하게 결합되고, 이것은 코팅(117)의 박편(flaking-off)를 감소시키며, 또한 코팅이 크래킹(cracking) 없이 열적 응력(thermal stress)들을 더 잘 견디게 한다.

전체 표면 코팅(117)을 갖는 컴포넌트(114)는 예를 들어, 외장 벽(103)의 일부 또는 라이너(105)와 같은 챔버 벽(107), 기판 지지부(110), 가스 공급부(130), 가스 에너자이저(154), 가스 배기부(144), 또는 기판 수송부(101)일 수 있다. 부식 또는 침식에 취약한 챔버 컴포넌트(114)의 부분들, 예를 들어, 프로세스 존(108)에서 고온, 부식 가스들, 및/또는 침식 스퍼터링 종들에 노출되는 컴포넌트들(114)의 표면들(115) 또한 전체 표면 코팅(117)을 형성하기 위하여 처리될 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트(114)는 챔버 벽 표면(115)과 같은 챔버(106)에서 플라즈마에 노출되는 챔버 벽(107)의 일부를 형성할 수 있다.

하나의 버전으로, 전체 표면 코팅(117)은 이트륨과 알루미늄의 합금일 수 있는 이트륨-알루미늄 화합물, 또는 이트륨과 알루미늄의 다수의 산화물과 같은 미리정해진 화학양론(stoichiometry)을 갖는 하나 이상의 화합물들을 포함한다. 예를 들어, 이트륨-알루미늄 화합물은 예를 들어, 이트륨 알루미늄 가닛(YAG)과 같은, Y₂O₃및 Al₂O₃의 혼합물일 수 있다. 전체 표면 코팅(117)이 이트륨 알루미늄 산화물일 때, 코팅(117)은 컴포넌트(114)의 두께를 통해 산화물 화합물들의 농도 그래디언트를 가질 수 있는데, 산화물 화합물들의 더 높은 농도는 컴포넌트(114)의 표면에 더 근접하여 존재하고, 산화물 화합물들의 농도는 컴포넌트의 내부 구조물(111) 안으로의 거리가 증가함에 따라, 즉, 표면(112)로부터 이격된 거리가 증가함에 따라 감소한다.

예를 들어, 전체 표면 코팅(117)이 이트륨 알루미늄 산화물을 포함할 때, 표면(112) 근처의 영역들은 더 높은 농도의 산화된 이트륨 및 알루미늄 종들 갖는 경향이 있는 반면, 컴포넌트 내부 쪽의 영역들은 더 낮은 농도의 산화된 종들을 갖는다. 이트륨 알루미늄 산화물로 이루어진 전체 표면 코팅(117)은 활성 스퍼터링 가스들로부터의 양호한 침식 저항성 및 활성화된 할로겐화 가스들로부터의 양호한 침식 저항성을 나타낸다. 특히, 전체 표면 코팅(117)은 활성화된 염소 함유 가스들에 대해 양호한 저항성을 나타낸다. 전체 표면 코팅(117)의 조성 및 두께는 부식 및 침식에 대한 저항성, 또는 다른 유해한 영향들에 대한 저항성을 개선시키도록 선택된다. 예를 들어, 더 두꺼운 전체 표면 코팅(117)은 챔버 컴포넌트(114)의 부식 또는 침식에 대한 보다 견고한 장벽을 제공할 수 있는 반면, 더 얇은 코팅은 열적 충격 저항에 더 적당하다. 전체 표면 코팅(117)은 산화된 종들이 컴포넌트의깊이 내내 또는 단지 그 표면 상에서 연장되어, 코팅(117)의 두께가 컴포넌트의 깊이 내내 또는 단지 그 표면 상에서 연장되도록 형성될 수도 있다. 전체 표면 코팅(117)의 적당한 두께는 예를 들어, 약 0.5 mil 내지 약 8 mil, 또는 약 1 mil 내지 약 4 mil일 수 있다.

하나의 버전에서, 컴포넌트(114)는 이트륨과 알루미늄을 포함하는 금속 합금을 포함하고, 전체 표면 코팅(117)은 금속 합금의 표면을 양극산화처리함으로써 형성된다. 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 갖는 금속 합금은 챔버 컴포넌트(114)의 일부 또는 전부를 형성할 수 있다. 금속 합금은 바람직한 부식 저항성 또는 다른 합금 특성들을 제공하도록 선택된 원소 이트륨 및 알루미늄의 조성을 포함한다. 예를 들어, 상기 조성은 챔버 컴포넌트들(114)의 제조 및 성형을 촉진하도록 양호한 용융 온도 또는 가단성(malleablility)을 갖는 금속 합금을 제공하도록 선택될 수 있다. 조성은 또한 기판의 처리 동안 유리한 특성들, 예를 들어, 활성화된 프로세스 가스에서의 부식에 대한 저항성, 높은 온도들에 대한 저항성, 또는 열적 쇼크를 견디어내는 능력을 제공하도록 선택될 수 있다. 하나의 버전에서, 적절한 조성은 필수적으로 이트륨과 알루미늄으로 구성된 금속 합금을 포함한다.

양극산화처리될 금속 합금의 혼합물은 하부 코팅을 위한 목적하는 부식 또는 침식 저항성을 제공하도록 선택된다. 혼합물은 활성화된 가스에 의한 침식에 대해 저항성있는 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 형성하기 위하여 양극산화처리될 수 있는 금속 합금을 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 금속 합금 조성은 산성 용액에서 양극산화처리될 때 금속 합금의 표면(113) 상에 산화된 알루미늄의 목적하는 코팅 조성을 제공하도록 선택될 수 있다. 부식 저항성 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 제공하는 금속 합금의 적절한 혼합물은 예를 들어, 이트륨이 금속 합금의 중량 기준으로 적어도 약 5%, 바람직하게는 금속 합금의 중량 기준으로 약 80% 이하 포함된, 예를 들어, 금속 합금의 중량 기준으로 약 67% 포함된 금속 합금이다.

금속 합금은 하부의 전체 코팅(117)을 구비한 일체식 또는 연속적인 구조물인 것이 바람직하다. 전체 구조물은 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)과 하부 금속 합금 사이에 감소된 열적 팽창 불일치 문제를 제공한다. 대신에, 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 포함하는 양극산화처리된 금속 합금은 금속 합금의 가열 및 냉각 동안 실질적으로 단일 구조물로 남아 있다. 그리하여, 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)은 기판 처리 동안 최소 결함 또는 박편을 나타내고, 금속 합금의 나머지로 내구성있는 부식 저항 구조를 형성한다.

이트륨과 알루미늄으로 이루어지며 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 가진 금속 합금을 포함하는 컴포넌트(114)를 제조하는 바람직한 방법에서, 이트륨과 알루미늄의 혼합물은 열에 의해 연화되거나 용해되어 챔버 컴포넌트(113)를 형성하는 모양의 금속 합금을 형성한다. 챔버 컴포넌트(114)의 표면(113)은 세척된 다음 챔버 컴포넌트(114)를 산화 용액에 넣고 챔버 컴포넌트(114)을 전기적으로 바이어스시킴으로써 양극산화처리된다.

도 3a는 제품의 양극산화처리 방법의 실시예를 설명하는 흐름도를 나타낸다.이트륨과 알루미늄을 포함하는 금속 합금은 바람직한 조성으로 형성된다. 예를 들어, 적당한 조성은 이트륨과 알루미늄의 질량비가 약 5:3인 금속 합금을 포함할 수도 있다. 예를 들어 바람직한 양의 이트륨과 알루미늄으로 이루어진 혼합물을 조성물의 용해 또는 연화 온도까지 가열하여 금속을 용해시키고 이들을 단일 합금으로 결합시킴으로써 금속 합금이 형성될 수 있다. 어떤 형태에서 금속 합금은 본질적으로 이트륨과 알루미늄으로 구성될 수 있는 한편, 다른 금속 등의 다른 합금제가 금속 이트륨 및 알루미늄에 의해 용해되어 금속 합금의 형성을 촉진시키거나 금속 합금의 특성을 강화시킬 수도 있다. 예를 들어, 세륨 또는 그 밖의 희토류 원소들이 추가될 수도 있다.

금속 합금은 바람직한 챔버 컴포넌트(114) 또는 챔버 컴포넌트(114)의 일부를 형성하는 모양을 이룬다. 예를 들어, 금속 합금을 주조 또는 기계 가공함으로써 원하는 형상의 금속 합금이 얻어질 수 있다. 금속 합금은 용해되거나 다른 방법으로 액화된 형태의 금속 합금을 원하는 모양 또는 형태를 갖는 주조 용기에서 냉각시킴으로써 주조된다. 주조 용기는 금속 이트륨과 알루미늄이 용해되어 합금(112)을 형성하는 동일한 용기를 포함하거나 개별 주조 용기가 될 수도 있다. 가열된 금속 합금의 냉각에 의해 금속 합금이 주조 용기의 모양에 따르는 모양으로 응고되어 바람직한 금속 합금 형상을 제공한다.

바람직한 모양을 가진 금속 합금이 형성되면, 양극산화처리가 행해져 금속 합금 표면을 양극 산화함으로써 산화 종의 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 형성한다. 금속 합금은 또한 양극산화처리 전에 세척되어 양극산화처리된 표면 코팅의 성장을 방해할 수도 있는 금속 합금 표면(113)의 오염균이나 미립자들을 제거한다. 예를 들어, 표면(113)은 금속 합금을 산성 용액에 담그고 오염균 미립자들을 에칭시킴으로써 세척되거나 금속 합금이 초음파 세척될 수도 있다.

어떤 형태에서 금속 합금은 금속 합금 표면(113)을 산화제로 전해 반응시킴으로써 양극산화처리된다. 예를 들어, 금속 합금은 산화 산성 용액 등의 산화 용액에 놓여 전기적으로 바이어스 되어 양극산화처리된 표면 코팅의 형성을 유도한다. 적당한 산성 용액은 예를 들어 크롬산, 옥살산(oxalic acid), 황산 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수도 있다. 산성 용액 조성, 전기 바이어스 전력, 처리 지속 시간 등의 양극산화처리 파라미터는 예를 들어 바람직한 두께나 부식 저항성 등의 바람직한 특성을 갖는 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 형성하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 양극산화처리된 표면 코팅을 포함하는 금속 합금은 약 30분 내지 약 90분, 심지어는 120분의 지속 시간 동안 배스(bath)에서 전극에 적당한 바이어스 전압을 인가하여 약 0.5 M 내지 약 1.5 M의 황산을 포함하는 산성 용액에서 금속 합금을 양극산화처리함으로서 형성될 수도 있다.

또한 금속 합금을 공기 등의 산소 함유 가스에 노출시킴으로써 금속 합금이 적어도 부분적으로 양극산화처리될 수도 있다. 공기로부터의 산소는 표면(113)을 산화시킴으로써 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 형성한다. 양극산화처리의 속도는 금속 합금 및 산소 함유 가스를 가열시키고 순수한 산소 가스를 사용함으로써 증가될 수 있다.

당업자들에게 알려진 바와 같이, 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 갖는 금속 합금(114)을 포함하는 챔버 컴포넌트(114)의 형성 단계가 챔버 컴포넌트(114)의 제조에 가장 적합한 순서로 행해진다. 예를 들어, 상술한 바와 같이 바람직한 형상으로 금속 합금이 형성된 후 양극산화처리가 행해질 수도 있다. 다른 예로서, 금속 합금이 바람직한 형태로 형성되기 전에 양극산화처리가 행해질 수도 있다. 예를 들어, 금속 합금은 양극산화처리 전 또는 후에 용접에 의해 형성될 수도 있다.

챔버 벽(107), 가스 공급부, 가스 에너자이저, 가스 배기부, 기판 수송부 또는 지지부 등, 이트륨과 알루미늄을 포함하며 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 갖는 금속 합금으로부터 적어도 부분적으로 형성되는 챔버 컴포넌트(114)가 활성화된 처리 가스에 의해 높은 처리 온도로 상기 컴포넌트(114)의 부식에 대해 개선된 저항성을 제공한다. 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 갖는 금속 합금의 집적 구조는 부식 저항성을 더 향상시키고, 양극산화처리된 표면 코팅의 크래킹이나 박리를 감소시킨다. 따라서, 바람직하게 챔버 컴포넌트(114)는 처리 영역에 노출되는 챔버 벽(107) 표면(115)과 같이 부식되기 쉬운 컴포넌트(114)의 영역에 양극산화처리된 전체 표면 코팅(117)을 갖는 금속 합금을 포함하여 상기 영역의 부식 및 침식을 감소시킨다.

본 발명의 또다른 실시예에서, 도 4에서 도시된 바와 같은 이온 주입기(300)는 전체 표면 코팅(117)의 구성 재료를 컴포넌트(114)의 표면(112) 내부로 주입함으로써 전체 표면 코팅(117)을 형성시킨다. 이 방법에서, 이온 주입기(300)는, 예를 들어 1이상의 금속들로부터 컴포넌트(114)를 제조하며, 에너지화(energetic) 이온 주입 종으로 컴포넌트(114)의 표면(112)에 충격을 가함으로써 그 컴포넌트(114) 내부로 다른 금속 종 또는 비금속 종을 주입한다. 하나의 실시예에서, 에너지화 이트륨 이온들이 알루미늄을 포함하는 컴포넌트(114)의 표면(112)으로 주입되는 반면, 다른 실시예에서는 에너지화 산소 이온들이 이트륨-알루미늄 합금의 표면(112)으로 주입된다. 이온 주입기(300)는 진공 환경으로 밀폐시키는 진공 하우징(310)과, 그 진공 하우징(310)에서 진공 환경을 생성시키기 위하여 그 진공 하우징(310)을 진공상태로 만드는 하나 이상의 진공 펌프들(320)을 포함한다. 이온 주입 공정은 상온 또는 고온에서 수행될 수 있다. 통상적인 공정 단계의 목록은 도 3b에서 제공된다.

이온 주입기(300)는 금속 합금의 표면(112)으로 주입되는 재료의 일정성과 표면 분포에 대한 양호한 제어를 제공한다. 예를 들어, 이온 주입기(300)는 주입 가능한 이온들이 컴포넌트(114)내로 주입되는 주입 밀도와 컴포넌트(114)내에서 주입 재료의 침투 깊이(penetration depth)를 제어할 수 있다. 이온 주입기(300)는 또한 일정한 표면 커버리지(coverage)와 농도 수준을 제공할 수 있다. 또한, 이온 주입기(300)는 또한 컴포넌트(114)의 소정의 선택된 영역들 상에서만 전체 표면 코팅(117)을 형성시킬 수 있으며, 그 영역들의 에지에서 주입 재료의 분포가 제어될 수 있다. 통상적인 이온 주입 방법에서, 주입될 수 있는 이온량(ion dose)의 양호한 범위는, 예를 들어, 약 10¹¹에서 약 10¹⁷ions/㎠이다. 하나의 실시예에서, 이온 주입기(300)는 이온량을 상기 이온량 범위 내에서 ±1% 내로 제어할 수 있다.

통상적으로, 이온 주입기(300)는 전체 표면 코팅(117)을 형성시키기 위하여 주입될 재료를 제공하고 이온화하기 위해 진공 하우징(310)내에 이온 소스(330)를 포함한다. 하나의 버전에서, 이온 소스(330)는 주입 재료를 고체 형태로 포함하며 기화 챔버(미도시)가 그 고체 주입 재료를 기화시키는데 사용된다. 또다른 버전에서, 이온 소스(330)는 주입 재료를 기체 형태로 제공한다. 예를 들어, 기체 주입 재료가 먼 지점에서부터 이온 소스(330) 내부로 공급될 수 있음으로써, 진공 하우징(310)을 개방하거나 기타 진공 환경을 깨지 않으면서 그 재료가 이온 소스(330)에 채워지는 것이 가능하게 된다. 주입 재료는, 예를 들어, YAG와 같은 이트륨-알루미늄 산화물의 화합물을 포함하는 컴포넌트를 형성하기 위해 알루미늄 컴포넌트로 주입되어질 이트륨 원소 또는 산소 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이트륨을 포함하는 기체, 고체 이트륨, 또는 산소 기체와 같은, 이온화 가능한 재료의 임의의 소스가 사용될 수 있다.

도 5에서 도시된 하나의 실시예에서, 이온 소스(330)는 주입 재료를 컴포넌트 표면(112)으로 전달하기 전에 그 기체 주입 재료를 이온화하기 위한 이온화 시스템(420)의 이온화 영역으로 그 기체 주입재료를 유도하는 기체 입구(gas inlet)(410)를 포함한다. 기체 또는 기화된 주입 재료는 그 기체 또는 증기(vapor)를 열음극 전자 방전(hot cathode electronic discharge), 냉음극 전자 방전(cold cathode electronic discharge), 또는 RF 방전에 통과시킴으로써 이온화된다. 하나의 버전에서, 이온화 시스템(420)은 가열된 필라멘트(heated filament)(425)를 포함한다. 이온 소스(330)는 애노드(430) 및 추출출구(extraction outlet)(445) 부근에 있는 추출 전극(extraction electrode)(440)을 추가적으로 포함하는데, 이들은 이온화 기체로부터 양이온들을 추출하여 이온빔(340)을 형성하기 위하여 점증적으로 전기적으로 바이어스된다. 하나의 실시예에서, 애노드(430)는 약 100V 부근과 같이, 약 70V에서 약 130V까지에서 바이어스된다. 추출 전극(440)은 약 15KeV에서 약 20KeV까지와 같이, 약 10KeV에서 약 25KeV까지에서 바이어스될 수 있다. 추출 출구(445)는 이온빔(340)의 형태를 정하도록 그 형태가 갖추어질 수 있다. 예를 들어, 추출 출구(445)는 원형 구멍 또는 직사각형 슬릿일 수 있다. 솔레노이드(450)는, 이온 소스(330)의 이온화 효율을 향상시키기 위하여 전자들을 나선 궤적으로 이동시키는 자기장을 생성하기 위하여 제공된다. 이온빔(340) 전류의 예시적인 적절한 범위는, 약 1mA에서 약 20mA까지와 같이, 약 0.1mA에서 약 100mA까지이다.

도 4로 돌아가, 이온 주입기(300)는 또한 통상적으로 이온빔(340)을 가속시키기 위한 일련의 가속 전극들(350)을 포함한다. 일반적으로, 가속 전극들(350)은 이온빔(340)을 점차 가속시키기 위하여 그 이온빔(340)의 진행방향을 따라 점차적으로 증가하는 레벨의 전위로 유지된다. 하나의 버전에서, 가속 전극들(350)은, 약 50에서 약 500keV까지, 보다 통상적으로는 약 100에서 약 400keV까지의 에너지로 이온빔(340)을 가속한다. 보다 큰 에너지를 갖는 이온빔들은 상대적으로 무겁고 컴포넌트(114)의 표면(112) 내부로 깊이 주입되는 것이 바람직한 이온들을 주입하는데 사용될 수 있다.

이온 주입기(300)는 이온빔(340)을 포커싱하는 빔 초점기(beamfocuser)(360)를 포함한다. 하나의 버전에서, 빔 초점기(360)는 이온빔(340)을 수렴시키는 자기장을 생성시키는 자기장 렌즈(미도시)를 포함한다. 예를 들어, 자기장은 이온빔(340)의 진행방향에 근사적으로 평행할 수 있다. 또한, 빔 초점기(360)는, 예를 들어 전위로 유지됨으로써, 이온빔(340)을 추가적으로 가속시키는 기능을 할 수 있다. 다른 버전에서, 빔 초점기(360)는 이온빔(340)을 수렴시키는 전기장을 생성시키는 정전기장(electrostatic field) 렌즈(미도시)를 포함한다. 예를 들어, 전기장의 부분은 이온빔(340)의 진행방향에 근사적으로 수직일 수 있다.

일 실시예에서, 이온 주입기(300)는 이온들의 질량을 분석하고 선택하기 위한 질량 분석기(370)를 더 포함한다. 일 버전에서, 질량 분석기(370)는 곡선형태의 채널(도시되지 않음)을 포함하고, 상기 채널을 통해서 이온빔(340)이 통과할 수 있다. 질량 분석기(370)는 상기 채널 내에 자기장을 생성하여 곡선 형태의 채널의 내부를 따라 선택된 질량 대 전하비를 가지는 이온들을 가속화한다. 선택된 이온들과 실질적으로 서로 다른 질량 대 전하비를 가지는 이온들은 곡선 형태의 채널의 측면과 충돌하고, 따라서 곡선 형태의 채널을 계속해서 통과하지 못한다. 일 실시예에서, 특정 자기장의 세기를 선택함으로써, 질량 분석기(370)는 허용되는 특정 질량 대 전하비를 선택한다. 또 다른 실시예에서, 질량 분석기(370)은 자기장 세기의 범위를 테스트하고 각각의 자기장 세기에서의 곡선 형태의 채널을 통과하는 이온들의 수를 검출함으로써, 이온빔(340)의 질량 대 전하비 분배를 결정한다. 질량 분석기(370)는 일반적으로 강자기 물질로 만들어진 다수의 자기 폴조각들(magnet pole pieces)을 포함한다. 하나 이상의 솔레노이드들은 자기 폴 피스들의 근방에 자기장을 생성하도록 제공될 수 있다.

이온 주입기(300)는 이온들을 컴포넌트(114)로 분산시켜 주입하기 위해서 컴포넌트(114)의 표면(112)에 대해서 이온 빔(340)을 편향시키는 빔 편향기(beam deflector)를 포함한다. 일 실시예에서, 빔 편향기(380)는 이온 빔(340)을 편향시키기 위해서 전기장을 생성하는 정전기 편향기를 포함한다. 전기장은 이온 빔(340)의 진행 방향에 직교하는 필드 컴포넌트들 가지고, 그 방향을 따라 정전기 편향기는 이온 빔(340)을 편향시킨다. 또 다른 실시예에서, 빔 편향기(380)는 이온 빔을 편향시키기 위해서 자기장을 생성하는 자기 편향기를 포함한다. 자기장은 이온 빔(340)의 진행 방향에 직교한 필드 컴포넌트들 가지고, 자기 편향기는 이온 빔(340)의 진행 방향 및 직교 자기장 컴포넌트 둘 다에 직교한 방향으로 이온 빔(340)을 편향시킨다.

이온 주입기(300)는 아래 놓인 구조의 재료 대 주입된 재료의 비율이 바람직한 화학량을 제공하도록 컴포넌트(114)의 구조(111)로 주입 재료의 양을 주입시킨다. 예를 들면, 이트륨 이온들을 알루미늄 구조의 표면으로 주입시킬 때, 대략 4:2 내지 대략 6:4, 또는 대략 5:3의 알루미늄-대-이트륨 몰 비율을 가지는 것이 바람직하다. 상기 비율은 구조(111)가 실질적으로 어닐링, 양극산화처리(anodizing), 또는 산소 이온들이 주입될 때, YAG를 제공하는데 최적화된다.

도 6 에 도시된 것처럼, 어닐링기(500)는 컴포넌트(114)의 결정 구조에 대한손상을 복구하기 위해서 컴포넌트(114)를 어닐링하는데 또한 사용될 수 있다. 예를 들면, 어닐링기(500)는 이온 주입 동안에 활성 이온들에 의해서 손상된 컴포넌트(114)의 영역을 "치료한다". 일반적으로, 비일치성(incoherent) 또는 일치성(coherent) 전자기 방사 소스(510)와 같은 열 소스(510)를 포함하고, 이는 컴포넌트(114)를 어닐링을 위한 적당한 온도로 가열할 수 있다. 예를 들면, 어닐링기(500)는 컴포넌트(114)를 적어도 대략 600℃, 예를 들면 적어도 대략 900℃의 온도로 가열할 수 있다. 도 6 에 도시된 실시예에서, 어닐링기(500)는 발광을 만들기 위한 텅스텐 할로겐 램프(515)를 포함하는 열 소스(510) 및 방사를 컴포넌트(114)로 편향시키기 위한 반사기(520)를 포함하는 급속 열 어닐링기(rapid thermal annealer)(505)이다. 공기 또는 물과 같은 유체(525)는 열 소스(510)의 온도를 조절하기 위해서 열 소스(510)를 따라서 흐른다. 일 실시예에서, 석영판(530)은 컴포넌트(114)로부터 유체를 분리하기 위해서 열 소스(510) 및 컴포넌트(114) 사이에 제공된다. 급속 열 어닐링기(505)는 컴포넌트(114)의 온도를 모니터링하기 위한 온도 모니터(540)를 더 포함한다. 일 실시예에서, 온도 모니터(540)는 컴포넌트(114)의 온도를 결정하기 위해서 컴포넌트(114)에 의해서 방출된 방사를 분석하기 위한 광 고온계(545)를 포함한다.

본 발명의 예시적인 실시예가 도시되고 설명되었지만, 당업자들은 본 발명에 통합하여 다른 실시예들을 발명할 수 있고, 이는 본 발명의 범위 내에 있다. 예를 들면, 금속 합금은 특히 언급된 것보다 다른 적당한 컴포넌트들을 포함할 수 있고,이는 당업자에게 분명하다. 또한, 아래에, 위에, 하부, 상부, 위로, 아래로, 제 1및 제 2 및 다른 관련, 위치 용어들은 도면의 예시적인 실시예에 관하여 도시되고, 교환 가능하다. 따라서, 첨부된 청구항들은 본 발명을 설명하기 위해서 여기에 설명된 바람직한 버전들, 재료들, 또는 공간적인 배치들의 설명에 한정되지 않는다.

Claims

이트륨-알루미늄 화합물로 이루어진 전체 표면 코팅을 갖는 구조물을 포함하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 전체 표면 코팅은 양극산화처리된 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 2 항에 있어서, 상기 구조물은 이트륨 및 알루미늄으로 이루어진 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 3 항에 있어서, 상기 금속 합금은 약 50 중량% 미만의 이트륨 함량을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 전체 표면 코팅은 이온 주입된 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 이트륨-알루미늄 화합물은 이트륨 알루미늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 6 항에 있어서, 상기 이트륨-알루미늄 화합물은 YAG를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 전체 표면 코팅은 약 0.5mil 내지 약 8mil의 두께를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 하부 구조물물은 외장 벽인 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
제 1 항에 있어서, 상기 하부 구조물물은 벽 라이너인 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트.
기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법으로서,

(a) 이트륨 및 알루미늄으로 이루어진 금속 합금을 포함하는 구조물을 포함하는 챔버 컴포넌트를 형성하는 단계; 및

(b) 이트륨-알루미늄 화합물로 이루어진 양극산화처리된 코팅을 형성하기 위해 상기 금속 합금 구조물의 표면을 양극산화처리하는 단계

를 포함하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 상기 금속 합금의 표면을 양극산화처리하여 이트륨 알루미늄 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 11 항에 있어서, (a) 단계는 약 50 중량% 미만의 이트륨 함량을 포함하는 금속 합금을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 약 0.5mil 내지 약 8mil의 두께를 갖는 양극산화처리된 코팅을 형성하도록 상기 금속 합금 구조물의 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 옥살산, 크롬산, 및 황산 중 하나 이상을 포함하는 산성 용액으로 상기 금속 합금의 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 15 항에 있어서, 약 30분 내지 약 120분 동안 상기 금속 합금의 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 11 항에 있어서, YAG를 포함하는 양극산화처리된 코팅을 형성하도록 상기금속 합금의 표면을 양극산화처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법으로서,

(a) 알루미늄을 포함하는 구조물을 포함하는 챔버 컴포넌트를 형성하는 단계; 및

(b) 상기 알루미늄으로 이트륨을 이온 주입시키는 단계

를 포함하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 이트륨 이온들을 생성하고 상기 이온들을 약 50 내지 약 500keV의 에너지 레벨로 에너지화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 구조물을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 구조물로 산소를 이온 주입시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 구조물의 표면을 산성 용액으로 양극산화처리하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 구조물의 표면을 처리하여 이트륨 알루미늄 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 18 항에 있어서, 상기 구조물의 표면을 처리하여 YAG를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
기판 처리 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법으로서,

(a) 알루미늄을 포함하는 구조물을 포함하는 챔버 컴포넌트를 형상화하는 단계;

(b) 상기 구조물로 이트륨을 이온 주입시키는 단계; 및

(c) 상기 구조물로 산소를 이온 주입시키는 단계

를 포함하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 25 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 이트륨 이온들을 생성하고 상기 이온들을 약 50 내지 약 500keV의 에너지 레벨로 에너지화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 25 항에 있어서, 상기 구조물을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
제 25 항에 있어서, YAG를 형성하는 이트륨-대-알루미늄의 몰 비율을 산소에 제공하도록 이트륨 및 알루미늄을 주입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 챔버 컴포넌트 제조 방법.
처리 영역 근처에 벽을 갖는 처리 챔버;

상기 처리 챔버로 기판을 수송할 수 있는 기판 수송부;

기판을 수용할 수 있는 기판 지지부;

상기 처리 챔버로 처리 가스를 유입시킬 수 있는 가스 공급부;

상기 처리 챔버에서 상기 처리 가스를 에너지화할 수 있는 가스 에너자이저; 및

상기 처리 챔버로부터 상기 처리 가스를 배기시킬 수 있는 배기부

를 포함하며, 상기 처리 챔버 벽, 기판 지지부, 기판 수송부, 가스 공급부, 가스 에너자이저, 및 가스 배기부 중 하나 이상은 이트륨-알루미늄 화합물로 이루어진 전체 표면 코팅을 갖는 구조물을 포함하는 기판 처리 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 전체 표면 코팅은 양극산화처리된 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 구조물은 이트륨 및 알루미늄으로 이루어진 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 31 항에 있어서, 상기 금속 합금은 약 50 중량% 미만의 이트륨 함량을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 전체 표면 코팅은 이온 주입된 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 이트륨-알루미늄 화합물은 이트륨 알루미늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 29 항에 있어서, 상기 이트륨-알루미늄 화합물은 YAG를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.