CN105304519A - 内衬、内衬的制备方法及反应腔室 - Google Patents

内衬、内衬的制备方法及反应腔室 Download PDF

Info

Publication number
CN105304519A
CN105304519A CN201410331091.7A CN201410331091A CN105304519A CN 105304519 A CN105304519 A CN 105304519A CN 201410331091 A CN201410331091 A CN 201410331091A CN 105304519 A CN105304519 A CN 105304519A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liner
corrosion layer
thermal insulation
layer
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410331091.7A
Other languages
English (en)
Inventor
杨盟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing NMC Co Ltd
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201410331091.7A priority Critical patent/CN105304519A/zh
Publication of CN105304519A publication Critical patent/CN105304519A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

本发明涉及一种内衬、内衬的制备方法及反应腔室,上述内衬用于保护反应腔室的内壁不被等离子体腐蚀,其包括内衬本体,以及在所述内衬本体上依次设置的隔热层和耐腐蚀层,所述耐腐蚀层直接与等离子接触。本发明提供的上述内衬的耐腐蚀层中应力较低,微裂纹较少,使耐腐蚀层在使用过程中不易脱落,从而可以提高内衬的可靠性及使用寿命。

Description

内衬、内衬的制备方法及反应腔室
技术领域
本发明涉及半导体设备制造领域,具体地,涉及一种内衬、内衬的制备方法及反应腔室。
背景技术
等离子体加工设备广泛用于对被加工工件进行刻蚀、沉积等工艺。以刻蚀工艺为例,其过程是:多个材料层交替沉积在被加工工件表面上;在被加工工件上涂覆光刻胶,通过光刻技术将被加工工件表面上的光刻胶曝光,使其可溶或不可溶于显影液,并将可溶于显影液的光刻胶去除;在反应腔室内生成等离子体,通过等离子体与被加工工件上未覆盖光刻胶的区域发生一系列的物理或化学反应,将该区域刻蚀掉,从而在被加工工件上获得所需的图形。
图1为现有的用于刻蚀工艺的等离子体加工设备的示意图。如图1所示,等离子体加工设备包括腔室1、第一射频电源2、第二射频电源3、进气装置4和排气装置5。其中,腔室1内设有卡盘10,其用于承载被加工工件;腔室1的顶部设有介质窗11,介质窗11上方设有射频线圈12;进气装置4用于向腔室1内通入工艺气体;第一射频电源2与射频线圈12连接,用于向射频线圈12加载射频功率,穿过介质窗11在腔室1内产生电磁场,将通入腔室1内的工艺气体激发为等离子体;第二射频电源3与卡盘10连接,用于向卡盘10加载偏压功率,在卡盘10上产生偏压,吸引等离子体轰击被加工工件,与被加工工件发生物理或化学反应;排气装置5用于将腔室1内的工艺气体,以及等离子体与被加工工件之间反应产生的副产物抽出腔室1。
在上述等离子体加工设备中,腔室1内还设有内衬13,其可拆卸地固定于腔室1内,用以防止等离子体与被加工工件之间产生的副产物附着于腔室1的内壁上,难以去除,且对腔室1造成污染。具体地,内衬13的结构如图2或图3所示,其包括内衬本体131、抗氧化层132和防腐蚀层133;其中,内衬本体131一般为铝(Al);抗氧化层132一般为氧化铝(Al2O3),其用于保护内衬本体131,使其不被氧化;防腐蚀层133一般为氧化钇(Y2O3)陶瓷,其用于在工艺过程中防止等离子体对内衬13的腐蚀。在实际应用中,一般通过下述方法制备上述内衬13:首先,将铝(Al)加工成所需的形状和尺寸,获得内衬本体131;其次,对内衬本体131进行硬质阳极氧化处理,从而获得抗氧化层132;而后,利用等离子体喷涂技术向待喷涂区域喷涂氧化钇(Y2O3)陶瓷材料,从而获得防腐蚀层133。
在上述制备内衬13的过程中,向待喷涂区域喷涂氧化钇(Y2O3)陶瓷会导致内衬13温度的升高,而由于氧化钇(Y2O3)陶瓷和铝(Al)、氧化铝(Al2O3)的热膨胀系数差异较大,在喷涂氧化钇(Y2O3)陶瓷的过程结束后,内衬13冷却的过程中,防腐蚀层133内会形成应力,导致防腐蚀层133产生微裂纹;这些应力在后续使用过程中会逐步释放,而微裂纹会在后续使用过程中逐步扩大,从而导致防腐蚀层133从内衬13上脱落。尤其是在去除内衬13上的副产物时,需要将拆卸下来的内衬13浸泡在酸碱溶液内,并依次置于超声和高温烘烤等环境中,这样的环境会导致应力加速释放,从而使微裂纹迅速扩大,最终导致防腐蚀层133从内衬13上脱落。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种内衬、内衬的制备方法及反应腔室,上述内衬的耐腐蚀层中的微裂纹较少,应力较低,使内衬的耐腐蚀层在工艺过程中不易脱落,从而使其具有较长的使用寿命。
为实现本发明的目的而提供一种内衬,用于保护反应腔室的内壁不被等离子体腐蚀,所述内衬包括内衬本体,以及在所述内衬本体上依次设置的隔热层和耐腐蚀层,所述耐腐蚀层直接与等离子体相接触。
其中,所述内衬还包括抗氧化层,且所述内衬本体位于所述抗氧化层与所述隔热层之间。
其中,所述隔热层由氧化锆陶瓷构成。
其中,所述耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
其中,所述耐腐蚀层包括第一耐腐蚀层和第二耐腐蚀层,其中,所述第一耐腐蚀层由氧化铝陶瓷构成;所述第二耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
其中,所述隔热层的厚度为100~200μm。
其中,所述第一耐腐蚀层的厚度为10~50μm,所述第二耐腐蚀层的厚度为30~100μm。
其中,所述隔热层由氧化锆与氧化铝混合而成的陶瓷构成;所述耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
其中,在所述隔热层中,所述氧化锆和氧化铝的混合比例为1:1~20:1。
其中,所述隔热层由氧化锆陶瓷构成,所述耐腐蚀层由氧化铝和氧化钇混合而成的陶瓷构成。
其中,在所述耐腐蚀层中,所述氧化钇和氧化铝的混合比例为1:1~10:1。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种内衬的制备方法,用于制备本发明提供的上述内衬,包括下述步骤:
步骤S10,制备具有预设形状和尺寸的内衬本体;
步骤S20,向所述内衬本体上的待喷涂区域喷涂隔热材料,以获得隔热层;
步骤S30,待所述隔热层冷却后,向所述隔热层表面喷涂耐腐蚀材料,以获得耐腐蚀层。
其中,步骤S30包括下述步骤:
步骤S301,待隔热层冷却后,向隔热层表面喷涂氧化铝陶瓷,获得第一耐腐蚀层;
步骤S302,待第一耐腐蚀层冷却后,向第一耐腐蚀层表面喷涂氧化钇陶瓷,获得第二耐腐蚀层。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种反应腔室,包括设置在其内部的内衬,所述内衬采用本发明提供的上述内衬。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的内衬,其具有内衬本体、隔热层和耐腐蚀层,且隔热层位于内衬本体和耐腐蚀层之间,从而在内衬的制备过程中,隔热层可以将在喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层过程中产生的大量热量隔离,使其无法传导至内衬本体上,以及使内衬本体在该过程中保持其温度基本不变,并减少内衬本体的热形变,从而在耐腐蚀层冷却的过程中,可以减少耐腐蚀层中应力和微裂纹的生成,使耐腐蚀层在内衬的使用过程中不易脱落,进而提高内衬的可靠性及使用寿命。
本发明提供的内衬的制备方法,其首先向内衬本体的待喷涂区域喷涂隔热材料,获得隔热层,而后向隔热层表面喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层,从而,在喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层的过程中,隔热层可以将喷涂过程中产生的大量热量隔离,使其无法传导至内衬本体上,以及使内衬本体在该过程中保持其温度基本不变,并减少内衬本体的热形变,从而在耐腐蚀层冷却的过程中,可以减少耐腐蚀层中应力和微裂纹的生成,使耐腐蚀层在内衬的使用过程中不易脱落,进而提高内衬的可靠性及使用寿命。
本发明提供的反应腔室,其采用本发明提供的上述内衬,使内衬的耐腐蚀层中的应力较低,微裂纹较少,从而使耐腐蚀层在内衬使用过程中不易脱落,进而提高内衬的可靠性和使用寿命。
附图说明
图1为现有的用于刻蚀工艺的等离子体加工设备的示意图;
图2为图1所示等离子体加工设备的腔室中内衬的示意图;
图3为图2所示内衬的一种替代结构的示意图;
图4为本发明实施例提供的内衬的示意图;
图5为图4所示内衬的第一种替代实施方式的示意图;
图6为图4所示内衬的第二种替代实施方式的示意图;
图7为图4所示内衬的第三者替代实施方式的示意图
图8为本发明第一实施例提供的内衬的制备方法的流程示意图;
图9为本发明第一实施例中制备内衬本体的示意图;
图10为本发明第一实施例中制备隔热层的示意图;
图11为步骤S30的流程示意图;
图12为本发明第一实施例中制备第一耐腐蚀层的示意图;
图13为本发明第一实施例中制备第二耐腐蚀层的示意图;
图14为本发明第一实施例中制备抗氧化层的示意图;
图15为本发明第二实施例提供的内衬的制备方法中制备内衬本体的示意图;
图16为本发明第二实施例中制备抗氧化层的示意图;
图17为本发明第二实施例中制备隔热层的示意图;
图18为本发明第二实施例中制备耐腐蚀层的示意图;
图19为本发明第三实施例提供的内衬的制备方法中制备内衬本体的示意图;
图20为本发明第三实施例中制备抗氧化层的示意图;
图21为本发明第三实施例中制备隔热层的示意图;以及
图22为本发明第三实施例中制备耐腐蚀层的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的内衬、内衬的制备方法及反应腔室进行详细描述。
请参看图4,图4为本发明实施例提供的内衬的示意图。本发明实施例提供的内衬30可拆卸地固定于反应腔室内部,且其环绕反应腔室的内壁,用于保护反应腔室的内壁不被等离子体腐蚀,以及作为一个可拆卸的部件,便于在实际应用中进行拆卸,以便将工艺过程中累积至其上的副产物清洗掉。具体地,内衬30包括内衬本体301,以及在内衬本体301上依次设置的隔热层302和耐腐蚀层303,其中,耐腐蚀层303直接与等离子体相接触;优选地,内衬本体301为金属铝(Al),隔热层302由氧化锆(ZrO2)陶瓷构成,耐腐蚀层303由氧化钇(Y2O3)陶瓷构成。
进一步优选地,内衬30还包括抗氧化层304,内衬本体301位于抗氧化成304和隔热层302之间。优选地,抗氧化层为氧化铝(Al2O3),在实际应用中,通过对内衬本体301进行硬质阳极氧化处理获得抗氧化层304;并且在进行硬质阳极氧化的过程中,保护内衬本体301的外表面,使其不被氧化。
在本实施例中,可替代地,如图5所示,耐腐蚀层303可以包括第一耐腐蚀层303a和第二耐腐蚀层303b,第一耐腐蚀层303a由氧化铝(Al2O3)陶瓷构成,第二耐腐蚀层303b由氧化钇(Y2O3)陶瓷构成,并且,第一耐腐蚀层303a和第二耐腐蚀层303b自隔热层302由外向内依次设置。在实际应用中,根据与内衬本体301的结合强度,以及耐腐蚀能力确定较为合适的隔热层302的厚度和耐腐蚀层303的厚度,以保证隔热层302和耐腐蚀层303能够不从内衬本体301上脱落,并能防止等离子体的腐蚀。具体地,隔热层302由氧化锆(ZrO2)陶瓷构成,其厚度为100~200μm,第一耐腐蚀层303a的厚度为10~50μm,第二耐腐蚀层303b的厚度为30~100μm;优选地,隔热层302的厚度为120~160μm,第一耐腐蚀层303a的厚度为10~30μm,第二耐腐蚀层303b的厚度为30~60μm;进一步优选地,隔热层302的厚度为140μm,第一耐腐蚀层303a的厚度为20μm,第二耐腐蚀层303b的厚度为40μm。
在本实施例中,可替代地,如图6所示,隔热层302由氧化锆(ZrO2)与氧化铝(Al2O3)混合而成的陶瓷构成,氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~20:1,隔热层302的厚度为160μm;耐腐蚀层303由氧化钇(Y2O3)陶瓷构成,其厚度为40μm。优选地,隔热层302中氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为4:1~10:1;进一步优选地,隔热层302中氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为7:1。
在本实施例中,可替代地,如图7所示,耐腐蚀层303由氧化铝(Al2O3)和氧化钇(Y2O3)混合而成的陶瓷构成,氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~10:1,耐腐蚀层303的厚度为60μm;隔热层302由氧化锆(Zr2O3)陶瓷构成,其厚度为140μm。优选地,耐腐蚀层303中氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~5:1;进一步优选地,耐腐蚀层中氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为2:1。
本实施例提供的内衬30,其具有内衬本体301、隔热层302和耐腐蚀层303,且隔热层302位于内衬本体301和耐腐蚀层303之间,从而在内衬30的制备过程中,隔热层302可以将在喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层303过程中产生的大量热量隔离,使其无法传导至内衬本体301上,以及使内衬本体301在该过程中保持其温度基本不变,并减少内衬本体301的热形变,从而在耐腐蚀层303冷却的过程中,可以减少耐腐蚀层303中应力和微裂纹的生成,使耐腐蚀层303在内衬30的使用过程中不易脱落,进而提高内衬30的可靠性及使用寿命。
作为另一个技术方案,本发明第一实施例提供还提供一种内衬的制备方法,其用于制备本发明上述实施例提供的内衬,图8为本发明第一实施例提供的内衬的制备方法的流程示意图;如图8所示,其包括下述步骤:
步骤S10,制备具有预设形状和尺寸的内衬本体20,如图9所示;
步骤S20,向内衬本体20上的待喷涂区域喷涂隔热材料,获得隔热层21,如图10所示;其中,待喷涂区域是指内衬在工艺过程中受到等离子体腐蚀的区域对应的内衬本体20上的相应区域,其具体主要为内衬本体20的内表面;
步骤S30,待隔热层21冷却后,向隔热层21表面喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层22。
具体地,在本实施例中,制备内衬的材料为金属铝(Al);隔热材料由氧化锆(ZrO2)陶瓷构成;在步骤S20中,通过等离子体喷涂技术将氧化锆(ZrO2)陶瓷喷涂在内衬本体20的待喷涂区域上。
在本实施例中,耐腐蚀材料由氧化铝(Al2O3)和氧化钇(Y2O3)混合而成的陶瓷构成,通过等离子体喷涂技术将其依次喷涂,获得第一耐腐蚀层221和第二耐腐蚀层222。具体地,如图11所示,步骤S30包括下述步骤:步骤S301,待隔热层21冷却后,向隔热层21表面喷涂氧化铝(Al2O3)陶瓷,获得第一耐腐蚀层221,如图12所示;步骤S302,待第一耐腐蚀层221冷却后,向第一耐腐蚀层221表面喷涂氧化钇(Y2O3)陶瓷,获得第二耐腐蚀层222,如图13所示。
在实际应用中,通过等离子体喷涂技术进行喷涂会产生大量的热量。而在本实施例中,通过等离子体喷涂技术向隔热层21表面喷涂耐腐蚀材料,隔热层21会将产生的热量隔离,使其无法传导至内衬本体20上,这就使内衬本体20在该过程中的温度会保持基本不变,且不会产生较大的热形变;这样在喷涂耐腐蚀材料的过程结束后,耐腐蚀层22冷却的过程中,可以减少耐腐蚀层22中应力和微裂纹的生成,使耐腐蚀层22在后续使用过程中不易脱落。
在本实施例中,隔热层21的厚度为100~200μm,第一耐腐蚀层221的厚度为10~50μm,第二耐腐蚀层222的厚度为30~100μm。优选地,隔热层21的厚度为120~160μm,第一耐腐蚀层221的厚度为10~30μm,第二耐腐蚀层222的厚度为30~60μm。进一步优选地,隔热层21的厚度为140μm,第一耐腐蚀层221的厚度为20μm,第二耐腐蚀层222的厚度为40μm。
具体地,本实施例提供的内衬的制备方法还包括步骤S11,该步骤S11在步骤S10后,对内衬本体20的与反应腔室的内壁相对的外表面进行硬质阳极氧化处理,获得抗氧化层23,使内衬本体20位于抗氧化层23和隔热层21之间,如图14所示;在本实施例中,该抗氧化层23为氧化铝(Al2O3)。并且,在进行上述硬质阳极氧化的过程中,对内衬本体20的待喷涂区域进行保护,防止其被氧化。
本实施例提供的内衬的制备方法,其首先向内衬本体20的待喷涂区域喷涂隔热材料,获得隔热层21,而后向隔热层21表面喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层22,从而,在喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层22的过程中,隔热层21可以将喷涂过程中产生的大量热量隔离,使其无法传导至内衬本体20上,以及使内衬本体20在该过程中保持其温度基本不变,并减少内衬本体20的热形变,从而在耐腐蚀层22冷却的过程中,可以减少耐腐蚀层22中应力和微裂纹的生成,使耐腐蚀层22在内衬的使用过程中不易脱落,进而提高内衬的可靠性及使用寿命。
需要说明的是,在本实施例中,耐腐蚀材料包括氧化铝(Al2O3)陶瓷和氧化钇(Y2O3)陶瓷,耐腐蚀层22包括第一耐腐蚀层221和第二耐腐蚀层222,但本发明并不限于此,在实际应用中,耐腐蚀材料还可以仅包括氧化钇(Y2O3)陶瓷,在步骤S30中,通过等离子体喷涂技术直接将氧化钇(Y2O3)陶瓷喷涂在隔热层21表面上,从而获得耐腐蚀层。
请参看图15~图18,图15~图18为本发明第二实施例提供的内衬的制备方法的示意图。在本实施例中,内衬的制备方法同样包括:制备具有预设形状和尺寸的内衬本体20的步骤,如图15所示;对内衬本体20进行硬质阳极氧化处理,获得抗氧化层23的步骤,如图16所示;向内衬本体20上的待喷涂区域喷涂隔热材料,获得隔热层21的步骤,如图17所示;以及待隔热层21冷却后,向隔热层21表面喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层22的步骤,如图18所示。由于上述步骤在本发明第一实施例中已有了详细描述,在此不再赘述。
下面就本实施例提供的内衬的制备方法与上述第一实施例的不同之处进行详细描述。在本实施例中,向内衬本体20上的待喷涂区域喷涂的隔热材料中混合有耐腐蚀材料,具体地,隔热材料由氧化锆(ZrO2)与氧化铝(Al2O3)混合而成的陶瓷构成。其中,氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~20:1;优选地,氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为4:1~10:1;进一步优选地,氧化锆(ZrO2)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为7:1。在此情况下,隔热层21的厚度为160μm,耐腐蚀层22的厚度为40μm。
在本实施例中,隔热材料中混合有耐腐蚀材料,使隔热层21与耐腐蚀层22之间的差异减小,在制备内衬的过程中,可以进一步减小耐腐蚀层22中应力和微裂纹的生成,从而使进一步提高内衬的可靠性和使用寿命。
请参看图19~图22,图19~图22为本发明第三实施例提供的内衬的制备方法的示意图。在本实施例中,内衬的制备方法同样包括:制备具有预设形状和尺寸的内衬本体20的步骤,如图19所示;对内衬本体20进行硬质阳极氧化处理,获得抗氧化层23的步骤,如图20所示;向内衬本体20上的待喷涂区域喷涂隔热材料,获得隔热层21的步骤,如图21所示;以及待隔热层21冷却后,向隔热层21表面喷涂耐腐蚀材料,获得耐腐蚀层22的步骤,如图22所示。由于上述步骤在本发明第一实施例中已有了详细描述,在此不再赘述。
下面就本实施例提供的内衬的制备方法与上述第一、第二实施例的不同之处进行详细描述。在本实施例中,向隔热层21表面喷涂的耐腐蚀材料由氧化铝(Al2O3)和氧化钇(Y2O3)混合而成的陶瓷构成。具体地,上述混合陶瓷材料中,氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~10:1;优选地,氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为1:1~5:1;进一步优选地,氧化钇(Y2O3)和氧化铝(Al2O3)的混合比例为2:1。在此情况下,隔热层21的厚度为140μm,耐腐蚀层22的厚度为60μm。
在本实施例中,耐腐蚀材料由氧化铝(Al2O3)和氧化钇(Y2O3)混合而成的陶瓷构成,使隔热层21与耐腐蚀层22之间的差异减小,在制备内衬的过程中,可以进一步减小耐腐蚀层22中应力和微裂纹的生成,从而使进一步提高内衬的可靠性和使用寿命。
作为另一个技术方案,本发明实施例还提供一种反应腔室,包括内衬,具体地,该内衬采用本发明上述实施例提供的内衬。
本发明实施例提供的反应腔室,其采用本发明上述实施例提供的内衬,使内衬的耐腐蚀层中生成的应力和微裂纹较少,使耐腐蚀层在内衬使用过程中不易脱落,从而可以提高内衬的可靠性和使用寿命。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种内衬,用于保护反应腔室的内壁不被等离子体腐蚀,其特征在于,所述内衬包括内衬本体,以及在所述内衬本体上依次设置的隔热层和耐腐蚀层,所述耐腐蚀层直接与等离子体相接触。
2.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述内衬还包括抗氧化层,且所述内衬本体位于所述抗氧化层与所述隔热层之间。
3.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述隔热层由氧化锆陶瓷构成。
4.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
5.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述耐腐蚀层包括第一耐腐蚀层和第二耐腐蚀层,其中,所述第一耐腐蚀层由氧化铝陶瓷构成;所述第二耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
6.根据权利要求3所述的内衬,其特征在于,所述隔热层的厚度为100~200μm。
7.根据权利要求5所述的内衬,其特征在于,所述第一耐腐蚀层的厚度为10~50μm,所述第二耐腐蚀层的厚度为30~100μm。
8.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述隔热层由氧化锆与氧化铝混合而成的陶瓷构成;所述耐腐蚀层由氧化钇陶瓷构成。
9.根据权利要求8所述的内衬,其特征在于,在所述隔热层中,所述氧化锆和氧化铝的混合比例为1:1~20:1。
10.根据权利要求1所述的内衬,其特征在于,所述隔热层由氧化锆陶瓷构成,所述耐腐蚀层由氧化铝和氧化钇混合而成的陶瓷构成。
11.根据权利要求10所述的内衬,其特征在于,在所述耐腐蚀层中,所述氧化钇和氧化铝的混合比例为1:1~10:1。
12.一种内衬的制备方法,用于制备权利要求1-11任意一项所述的内衬,其特征在于,包括下述步骤:
步骤S10,制备具有预设形状和尺寸的内衬本体;
步骤S20,向所述内衬本体上的待喷涂区域喷涂隔热材料,以获得隔热层;
步骤S30,待所述隔热层冷却后,向所述隔热层表面喷涂耐腐蚀材料,以获得耐腐蚀层。
13.根据权利要求12所述的内衬的制备方法,其特征在于,步骤S30包括下述步骤:
步骤S301,待隔热层冷却后,向隔热层表面喷涂氧化铝陶瓷,获得第一耐腐蚀层;
步骤S302,待第一耐腐蚀层冷却后,向第一耐腐蚀层表面喷涂氧化钇陶瓷,获得第二耐腐蚀层。
14.一种反应腔室,包括设置在其内部的内衬,其特征在于,所述内衬采用权利要求1-11任意一项所述的内衬。
CN201410331091.7A 2014-07-11 2014-07-11 内衬、内衬的制备方法及反应腔室 Pending CN105304519A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410331091.7A CN105304519A (zh) 2014-07-11 2014-07-11 内衬、内衬的制备方法及反应腔室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410331091.7A CN105304519A (zh) 2014-07-11 2014-07-11 内衬、内衬的制备方法及反应腔室

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105304519A true CN105304519A (zh) 2016-02-03

Family

ID=55201601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410331091.7A Pending CN105304519A (zh) 2014-07-11 2014-07-11 内衬、内衬的制备方法及反应腔室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105304519A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109994359A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔室
TWI690973B (zh) * 2017-08-17 2020-04-11 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 內襯、反應腔室及半導體加工設備
CN114208396A (zh) * 2019-03-26 2022-03-18 6K有限公司 微波等离子体装置内的分段衬里和使用方法
CN117070920A (zh) * 2023-10-12 2023-11-17 江苏微导纳米科技股份有限公司 使用气体的处理设备及其制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1484712A (zh) * 2000-12-29 2004-03-24 ��ķ�о����޹�˾ 半导体工艺设备的氮化硼/氧化钇复合材料部件及其制造方法
CN1643178A (zh) * 2002-03-21 2005-07-20 兰姆研究公司 用于半导体工艺设备中的低污染部件及其制造方法
CN1906026A (zh) * 2003-12-18 2007-01-31 兰姆研究公司 半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件及该部件的制造方法
CN101302610A (zh) * 2002-01-08 2008-11-12 应用材料有限公司 具有覆盖钇铝层的部件的处理腔
CN101752214A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备
US20110232678A1 (en) * 2005-09-30 2011-09-29 Lam Research Corporation Extending storage time of removed plasma chamber components prior to cleaning thereof
CN103866286A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体基片反应室内部的部件及制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1484712A (zh) * 2000-12-29 2004-03-24 ��ķ�о����޹�˾ 半导体工艺设备的氮化硼/氧化钇复合材料部件及其制造方法
CN101302610A (zh) * 2002-01-08 2008-11-12 应用材料有限公司 具有覆盖钇铝层的部件的处理腔
CN1643178A (zh) * 2002-03-21 2005-07-20 兰姆研究公司 用于半导体工艺设备中的低污染部件及其制造方法
CN1906026A (zh) * 2003-12-18 2007-01-31 兰姆研究公司 半导体材料加工设备中的氧化钇涂覆的陶瓷部件及该部件的制造方法
US20110232678A1 (en) * 2005-09-30 2011-09-29 Lam Research Corporation Extending storage time of removed plasma chamber components prior to cleaning thereof
CN101752214A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备
CN103866286A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体基片反应室内部的部件及制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI690973B (zh) * 2017-08-17 2020-04-11 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 內襯、反應腔室及半導體加工設備
CN109994359A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔室
CN109994359B (zh) * 2017-12-29 2022-11-18 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔室
CN114208396A (zh) * 2019-03-26 2022-03-18 6K有限公司 微波等离子体装置内的分段衬里和使用方法
CN117070920A (zh) * 2023-10-12 2023-11-17 江苏微导纳米科技股份有限公司 使用气体的处理设备及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6526729B6 (ja) 希土類酸化物系モノリシックチャンバ材料
TWI664073B (zh) 稀土氧化物系抗電漿腐蝕薄膜塗層
JP5363992B2 (ja) プラズマチャンバ材料としてのイットリウム酸化物の寿命の延長
JP6378389B2 (ja) プラズマ処理装置用の部品の製造方法
CN105304519A (zh) 内衬、内衬的制备方法及反应腔室
US20120040132A1 (en) Protective film, method for forming the same, semiconductor manufacturing apparatus, and plasma treatment apparatus
CN104241069B (zh) 等离子体装置内具有氧化钇包覆层的部件及其制造方法
TWI541894B (zh) A plasma processing chamber, a gas sprinkler head and a method of manufacturing the same
TW200425318A (en) A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
TW201438136A (zh) 氮化鋁靜電夾盤之溫度管理
CN106057666A (zh) 蚀刻方法
TW201442991A (zh) 表面處理方法以及藉由該處理方法形成之陶瓷結構
JP2008004926A (ja) ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置
WO2007136023A1 (ja) ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置
JP2007305890A (ja) 半導体製造装置
JP3177210U (ja) プラズマ耐食性部材
CN101752214A (zh) 半导体加工腔室部件及其制造方法及半导体加工设备
US20230150889A1 (en) Air-permeable member, member for semiconductor manufacturing device, plug, and adsorption member
JP7129556B2 (ja) 耐食性セラミックス
CN104715994B (zh) 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
CN104276764B (zh) 玻璃衬底的工艺方法
TWI574294B (zh) A method of manufacturing a plasma processing chamber and an electrostatic chuck thereof
TWI823071B (zh) 零部件、等離子體反應裝置及零部件加工方法
JP2021515849A (ja) 反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室
JPH11214359A (ja) マイクロ波導入窓用部材

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 100176 No. 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone

Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Applicant before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160203