CN108779568B - 在半导体处理设备上以电化学方式形成氧化钇的方法 - Google Patents
在半导体处理设备上以电化学方式形成氧化钇的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108779568B CN108779568B CN201780016714.3A CN201780016714A CN108779568B CN 108779568 B CN108779568 B CN 108779568B CN 201780016714 A CN201780016714 A CN 201780016714A CN 108779568 B CN108779568 B CN 108779568B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- atomic percent
- coating
- range
- aluminum substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 49
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 46
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 42
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 229910009523 YCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910009253 Y(NO3)3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 2
- JUWHRRAPBUAYTA-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);triacetate Chemical compound [Y+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JUWHRRAPBUAYTA-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-phenylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=CC=C1 NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/12—Oxidising using elemental oxygen or ozone
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
- C25D11/08—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing inorganic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/34—Anodisation of metals or alloys not provided for in groups C25D11/04 - C25D11/32
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
- C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
- C25D9/12—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes on light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
Description
背景
技术领域
此公开内容的实施方式一般地涉及在机械部件(mechanical component)上形成保护层，且尤其是，涉及在半导体处理设备上以电化学方式形成诸如氧化钇(yttriumoxide)之类的涂层。
背景技术
半导体处理设备表面上通常包括某些涂层，以提供免遭腐蚀性处理环境影响的一定程度的保护，或者增进对设备的表面保护。用于涂覆保护层的几种常规方法包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体喷涂、气溶胶沉积和类似方法。然而，这些常规方法不能令人满意地涂覆半导体设备，特别是在具有小孔或气室(plenum)的区域中，例如喷淋头。
图3A及3B分别图示使用诸如热喷涂或电子束沉积的常规方法涂覆的喷淋头320及面板325的局部截面图。如图3A所示，喷淋头320由铝制成并包括形成于其中的多个气室321(图中绘示两个)。气室321可视情况地包括位在其一个端部处的倾斜边缘322。使用常规的涂覆技术，由于常规涂覆技术的限制，倾斜边缘322没有涂覆保护涂层323。举例而言，由于常规技术的定向沉积本质所致，常规技术不能适当涂覆靠近气室的基板。因此常规技术会使倾斜边缘322暴露，从而在等离子体存在的情况下经由未涂覆的表面与等离子体的反应而造成污染。暴露于等离子体的未受保护表面容易降解，从而将不期望的颗粒物质引入处理区域，因此而降低了装置质量。
图3B图示面板325，面板325包括气室326，气室326上沉积有保护涂层327。类似于上文所述的喷淋头320，常规技术不能适当涂覆面板325，特别是气室326。尽管面板325的上表面，其通常接近保护涂层327沉积期间的沉积源，可能受到涂覆，但气室326的内表面仍未被涂覆。未涂覆的表面有利于在处理腔室内因与处理等离子体的不期望相互作用而导致的污染。
因此，需要改进用于保护涂层的沉积方法。
发明内容
在一个实施方式中，一种在基板上沉积材料的方法包含：将铝基板安置于电镀浴中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物；将涂层沉积于铝基板上，所述涂层包含钇；从铝基板去除过量的镀覆溶液；和后处理其上具有所述涂层的铝基板。
在另一个实施方式中，一种在基板上沉积材料的方法包含：将铝基板安置于电镀浴中，所述铝基板具有一或多个气室(plenum)形成于该铝基板中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物，所述沉积前驱物包含YCl3或Y(NO3)3；将涂层沉积在铝基板上，所述涂层包含钇；从铝基板去除过量的镀覆溶液，其中去除的步骤包含清洗铝基板并以压缩干空气干燥铝基板；和后处理其上具有所述涂层的铝基板。
在另一个实施方式中，一种在基板上沉积材料的方法包含：将铝基板安置于电镀浴中，所述铝基板具有一或多个气室(plenum)形成于该铝基板中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物；将涂层沉积于铝基板上，所述涂层包含钇；从铝基板去除过量的镀覆溶液；和后处理其上具有所述涂层的铝基板。
附图说明
以上简要概述的本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式，以及本公开内容的更特定描述可以通过参照实施方式来获得，一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意，附图仅绘示示例性实施方式，因而不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等同有效的实施方式。
图1图解根据本公开内容的一个实施方式的用于在基板上电沉积钇的方法的流程图。
图2图示根据本公开内容的一个实施方式的电化学浴。
图3A及3B分别图示使用常规方法涂覆的喷淋头及面板的局部截面图。
图4A及4B分别图示使用本文所述的方法涂覆的喷淋头及面板的局部截面图。
为了有助于理解，已尽可能地使用相同的附图标号来标示附图中共通的相同元件。考虑到，一个实施方式的元件和特征在没有进一步描述下可以有益地并入到其他实施方式中。
具体实施方式
此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
图1图解根据本公开内容的一个实施方式的用于在基板上电沉积钇的方法100的流程图。图2图示根据本公开内容的一个实施方式的电化学浴。将结合解释图1及2，以有助于对本公开内容的各方面的说明。
方法100开始于操作101。在操作101中，制备电化学浴210。电化学浴210包括容器211，容器211具有设置于其中的溶液212。溶液212可包括一或多种溶剂、电解质或其它沉积前驱物，及镀覆添加剂。该溶液可具导电性以有助于电化学沉积。阳极213和充当阴极的基板214被安置在溶液212中，且可被分隔件215隔开，分隔件例如是多孔板件。多孔板件可以是其中具有多个开口的聚丙烯(polypropylene)或聚四氟乙烯。所述开口可具有约0.025英寸的直径，并且具有每平方厘米5个或更少的开口的密度。阳极213和基板214耦接至电源216，例如DC电源，以有助于将材料镀覆至基板214上。可在恒定电流或电压或脉冲式电流或电压下供应功率。在一个实例中，基板214为半导体处理设备。半导体处理设备的实例可包括由铝或铝合金制成的部件，例如喷淋头或气体分配器，或可具有多个气体通道形成于其中的其它设备。铝合金的实例包括Al6061和Al6063，还有其它合金。可以预期没有气体通道形成于其中的那些基板亦可以经受镀覆。在一个实例中，阳极213亦可由铝制成，例如由Al6061铝合金制成。
溶液212可包括一或多种水性溶剂，诸如水；或者非水性溶剂，诸如无水乙腈(dryacetonitrile)、乙醇、甲苯或异丙醇。可将诸如YCl3、Y(NO3)3、醋酸钇的一或多种镀覆前驱物、或诸如Y-(CxHy)x的有机金属前驱物溶解于溶液212中。所述一或多种镀覆前驱物可被溶解在溶液中达约0.001体积摩尔浓度(M)至约2M，例如约0.1M至约1M，例如约0.5M至约1M的浓度。一或多种添加剂，诸如，硝酸钾(KNO3)、氟化钠、醋酸钠及四丁胺六氟磷(tetrabutylammonium hexaflurophosphate)，可被加入溶液212中以改善镀覆材料的特性。举例而言，可选择添加剂来改善沉积涂层的平整度、调整沉积涂层的成分，或减少镀覆涂层的粗糙度或裂纹。亦可选择添加剂来改善溶液212的导电性，从而增加镀覆材料的沉积速率并提高沉积均匀性。一或多种添加剂可以0.001体积摩尔浓度(M)至约1M，如约0.1M至约0.5M，例如约0.1M至约0.3M的浓度存在于溶液212中。可在制备溶液212后将基板214安置于溶液212中。
在操作102中，可将诸如钇的材料电沉积于基板214上。可由电源216负偏压阳极213，同时由电源216正偏压基板214。阳极213及基板214的偏压有助于将诸如钇的期望材料从溶液212镀覆至基板214上。可以用在约1伏特至约300伏特的范围内的电压，例如在约1伏特至约50伏特、或约1伏特至约10伏特的范围内的电压，来偏压阳极213和基板214。可以用在约-0.1毫安培至约-2安培的范围内的电流，例如在约-0.1毫安培至约-50毫安培、或约-0.1毫安培至约-10毫安培的范围内的电流，来偏压阳极213和基板214。于操作102期间，可将溶液212维持在约0摄氏度至约100摄氏度的范围内的温度下。在一个实例中，可将溶液维持在约10摄氏度至约50摄氏度的温度下，例如是约25摄氏度。可施加操作102的偏电压达约3小时或更少的时间段，例如约5分钟至约60分钟，例如约10分钟至约30分钟。
额外地或可替代地，可考虑使用脉冲沉积技术，其中电位或电流在两个不同值之间迅速改变。此快速交替可产生由零电流分开的一连串具有相等振幅、持续时间和极性的脉冲。各脉冲由ON时间(TON)和OFF时间(TOFF)构成。在TOFF期间，离子迁移到浴中的耗尽区域(depleted area)。在TON期间，更均匀分布的离子能够被沉积至基板214上。在一个实例中，TON可为约0.001秒至60秒，且TOFF时间可为约0.001秒至60秒。
可考虑改变操作101及102的特性，以达成期望的镀覆材料厚度或成分。举例而言，为了增加镀覆材料的沉积速率或厚度，可考虑增加镀覆前驱物的浓度、偏电压的持续时间，或偏电压的大小。在一个实例中，可将诸如钇等镀覆材料沉积至约3纳米至约8微米的厚度，例如约10纳米至约500纳米，例如约200至约400纳米。在另一个实施方式中，可将镀覆材料沉积至约1微米至约50微米的厚度。在另一个实例中，可考虑在惰性环境中进行操作102，例如在氩或双原子氮的环境中。在另一个实施方式中，可考虑在操作102期间搅拌溶液212。
接着，在操作103中，可从溶液212移出基板214，并从基板214的表面去除过量的溶液212。可去除过量的溶液212，例如经由蒸发或干燥来去除。干燥器、热源(heat source)、光源或风扇中的一或多个装置可以有助于从基板214去除过量的溶液212。额外地或可替代地，在操作103期间，可用乙醇或异丙醇清洁基板214，并接着用压缩干空气清洁基板214。
在一个镀覆实例中，钇在基板214上的电化学沉积进行如下：
阴极：
Y3++2H++3e-＝Y+H2
阳极：
4OH-→2O-+2H2O+4e-
在操作104中，在过量的溶液212蒸发之后，可对基板214进行后处理工艺。在一个实例中，操作104的后处理工艺为退火工艺。在这样的实例中，可在约400摄氏度或更高的温度下退火基板214。可选择退火温度以有助于在后处理工艺期间，从基板214的表面移除羟基部分(hydroxyl moieties)。在另一个实施方式中，后处理工艺可为氧化工艺。在这样的实例中，可使基板214暴露于含氧环境，以有助于基板214上镀覆材料的氧化。举例而言，可使基板暴露于氧、臭氧或经离子化的氧或含氧气体。可通过使用等离子体或热处理来促进镀覆材料的氧化。操作104的退火工艺亦可增加镀覆材料对下方基板214的附着度。可考虑到，不同的氧化技术以及不同的氧化源可能影响膜的质量，包括密度、粗糙度及氧含量。
在另一个实例中，后处理工艺可为第二浴。在第二浴中，可使用约10伏特至约200伏特的中性电解质来阳极氧化基板214，以在镀覆涂层的外表面上形成氧化物层。在另一个实施方式中，后处理工艺可包括使基板暴露于硝酸以氧化已沉积涂层的上表面。硝酸浴可以包括约20％至约69％的硝酸，且可处在约0摄氏度至约25摄氏度的温度下。考虑到，与在室温或更高的温度下发生的类似硝酸阳极化工艺相比，低于室温的温度增加阳极化层的密度。在一个实例中，镀覆涂层的经氧化部分可具有约200纳米或更小的厚度，例如约100纳米或更小，例如约5纳米或更小。在一个实例中，可使约5百分比的镀覆铝层被阳极化。
在一个实例中，根据方法100将涂层沉积在铝基板上。在此实例中，将铝基板安置于电镀浴中，该电镀浴使用乙醇作为溶剂并具有沉积前驱物溶解于其中达0.1M的浓度。将所述浴维持在10摄氏度的温度下，并施加10伏特的偏压持续30分钟。接着使膜暴露于氧化工艺。所述氧化膜具有在约14原子百分比至约47原子百分比的范围内的钇的成分；在约2原子百分比至约3原子百分比的范围内的铝的成分；及在约50原子百分比至约83原子百分比的范围内的氧的浓度。
在另一个实例中，可将铝基板安置在电镀浴中，该电镀浴使用乙醇作为溶剂并具有沉积前驱物溶解于其中达0.1M的浓度。将所述浴维持在10摄氏度的温度下，并施加50伏特的偏压持续30分钟。接着使膜暴露于氧化工艺。所述氧化膜具有在约12原子百分比至约43原子百分比的范围内的钇的成分；在约9原子百分比至约10原子百分比的范围内的铝的成分；及在约35原子百分比至约55原子百分比的范围内的氧的浓度。
图4A及4B分别图示使用本文所述的方法涂布的喷淋头420及面板425的局部截面图。本文所述的电镀方法产生对机械部件的改良镀覆，特别是那些包括孔(orifice)、孔洞(hole)、气室和类似部件。参见图4A，喷淋头420包括与常规方式(如图3A所示)相比已改善的气室421的斜面422的涂层覆盖度(coverage)。类似地，与常规方式(如图3B所示)相比，面板425包括由涂层427改良的覆盖度，例如在靠近孔口和在孔口中。使用本文所述的方法，电镀可导致在浸没于镀覆浴中的所有表面上的完整且均匀地沉积相应涂层423、427。喷淋头420的浸没部分由线430标示。然而，应了解到，可将整个喷淋头420浸没在镀覆浴中。在这样的实施方式中，可遮蔽不希望被沉积的区域，以防止镀覆。
尽管本文所描述的实施方式涉及钇的沉积，亦可考虑镀覆其它材料。举例而言，可预期镀覆稀土金属盐、铯、镧，及其氧化物。可考虑镀覆一或多种材料的交替层，诸如钇及铯的交替层。
本公开内容的优点包括材料在部件上更完整的沉积，还有无裂纹、均匀而致密的氧化物涂层。与常规的沉积技术相反，本文公开的电镀方法导致在孔口、气室或基板的其它小特征附近改良的镀覆。更为完全的覆盖导致对部件的保护增加，特别是在半导体材料的处理中常用的等离子体环境中。
此外，在此形成的阳极氧化层比传统的阳极氧化层更致密(例如，更少孔洞)，因此提供较佳的耐腐蚀性，特别是对等离子体。在某些实例中，此公开内容的阳极化层在气泡试验(bubble test)中经受5％的HCl的浴。该阳极化层显示出对HCl气泡试验的抗性达约20至47小时。相比之下，传统的阳极化层显示出对HCl气泡试验的抗性达约5小时。
尽管前述针对本公开内容的实施方式，但是在不背离本公开内容的基本范畴的情况下可设计本公开内容的其它和进一步的实施方式，且本公开内容的范围由随附的权利要求书来确定。
Claims (20)
1.一种在基板上沉积材料的方法，包含以下步骤：
将铝基板安置于电镀浴中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物；
将涂层沉积于所述铝基板上，所述涂层包含钇；
从所述铝基板去除过量的镀覆溶液；和
后处理其上具有所述涂层的所述铝基板以阳极氧化所述涂层，其中所述后处理包含在0℃至25℃的温度下将所述铝基板暴露于具有20％至69％硝酸的硝酸浴。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述铝基板包含Al6061或Al6063合金。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积前驱物包含YCl3、Y(NO3)3、醋酸钇或Y(CxHy)z。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述沉积前驱物具有在0.001M至2M的范围内的浓度。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述沉积前驱物具有在0.1M至1M的范围内的浓度。
6.如权利要求3所述的方法，其中所述沉积前驱物具有在0.5M至1M的范围内的浓度。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述电镀浴包含添加剂，所述添加剂包含硝酸钾、氟化钠或醋酸钠中的至少一种。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述涂层具有3纳米至8微米的厚度。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述涂层具有200纳米至400纳米的厚度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述后处理进一步包含：将所述涂层暴露于氧化剂，以氧化所述涂层。
11.如权利要求1所述的方法，其中，在所述后处理之后，所述涂层包含在14原子百分比至47原子百分比范围内的钇的成分、在2原子百分比至3原子百分比范围内的铝的成分及在50原子百分比至83原子百分比范围内的氧的浓度。
12.如权利要求1所述的方法，其中，在所述后处理之后，所述涂层包含在12原子百分比至43原子百分比范围内的钇的成分、在9原子百分比至10原子百分比范围内的铝的成分及在35原子百分比至55原子百分比范围内的氧的浓度。
13.如权利要求1所述的方法，其中所述后处理进一步包含：热处理所述涂层。
14.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述涂层包含：施加1伏特至300伏特的范围内的偏电压。
15.一种在基板上沉积材料的方法，包含以下步骤：
将铝基板安置于电镀浴中，所述铝基板具有一或多个气室形成于所述铝基板中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物，所述沉积前驱物包含YCl3、Y(NO3)3、醋酸钇或Y(CxHy)z；
将涂层沉积于所述铝基板上，所述涂层包含钇；
从所述铝基板去除过量的镀覆溶液，其中所述去除包含：清洗所述铝基板并使用压缩干空气干燥所述铝基板；和
通过如下步骤后处理其上具有所述涂层的所述铝基板以阳极氧化所述涂层：在0℃至25℃的温度下将所述铝基板暴露于具有20％至69％硝酸的硝酸浴。
16.如权利要求15所述的方法，其中，在所述后处理之后，所述涂层包含在14原子百分比至47原子百分比范围内的钇的成分、在2原子百分比至3原子百分比范围内的铝的成分及在50原子百分比至83原子百分比范围内的氧的浓度，并且其中所述后处理包含：氧化所述涂层。
17.如权利要求15所述的方法，其中所述铝基板包含Al6061或Al6063合金。
18.如权利要求15所述的方法，其中沉积所述涂层包含：施加1伏特至300伏特的范围内的偏电压。
19.一种在基板上沉积材料的方法，包含以下步骤：
将铝基板安置于电镀浴中，所述铝基板具有一或多个气室形成于所述铝基板中，所述电镀浴包含非水性溶剂及沉积前驱物；
将涂层沉积于所述铝基板上，所述涂层包含钇；
通过施加多个脉冲而在所述涂层的沉积期间将脉冲式的偏电压施加至所述基板，所述多个脉冲中的每一脉冲由0.001秒至60秒的on时间和0.001秒至60秒的off时间组成；
从所述铝基板去除过量的镀覆溶液；和
后处理其上具有所述涂层的所述铝基板，以氧化所述涂层，其中在所述后处理之后，所述涂层具有改善的耐腐蚀性和以下一项：
(1)在14原子百分比至47原子百分比的范围内的钇的成分、在2原子百分比至3原子百分比范围内的铝的成分和在50原子百分比至83原子百分比的范围内的氧的浓度；或
(2)在12原子百分比至43原子百分比的范围内的钇的成分、在9原子百分比至10原子百分比范围内的铝的成分和在35原子百分比至55原子百分比的范围内的氧的浓度。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述沉积前驱物包含YCl3、Y(NO3)3、醋酸钇或Y(CxHy)z。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662307159P | 2016-03-11 | 2016-03-11 | |
| US62/307,159 | 2016-03-11 | ||
| US201662336073P | 2016-05-13 | 2016-05-13 | |
| US62/336,073 | 2016-05-13 | ||
| PCT/US2017/019477 WO2017155711A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-02-24 | Method for electrochemically grown yttria or yttrium oxide on semiconductor processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108779568A CN108779568A (zh) | 2018-11-09 |
| CN108779568B true CN108779568B (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=59788165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780016714.3A Active CN108779568B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-24 | 在半导体处理设备上以电化学方式形成氧化钇的方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10253406B2 (zh) |
| KR (1) | KR102210971B1 (zh) |
| CN (1) | CN108779568B (zh) |
| TW (1) | TWI669420B (zh) |
| WO (1) | WO2017155711A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11591689B2 (en) | 2019-02-25 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating chamber parts |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1912785A1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-04-23 | Midwest Research Institute | Electrodeposition of biaxially textured layers on a substrate |
| CN104152964A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-19 | 浙江大学 | 一种四氟钇钠氧化亚铜复合太阳能薄膜的制备方法 |
| CN104393099A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-03-04 | 浙江大学 | 一种四氟钇钠碘氧铋复合太阳能薄膜的制备方法 |
| CN104651668A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 北京有色金属研究总院 | 一种铌合金表面Ni-Cr抗氧化涂层及其制备方法 |
| EP2990982A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-02 | Accenture Global Services Limited | Unstructured security threat information analysis |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045677A (en) * | 1996-02-28 | 2000-04-04 | Nanosciences Corporation | Microporous microchannel plates and method of manufacturing same |
| US6010610A (en) * | 1996-04-09 | 2000-01-04 | Yih; Pay | Method for electroplating metal coating(s) particulates at high coating speed with high current density |
| US6613442B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-09-02 | Lam Research Corporation | Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6942929B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-09-13 | Nianci Han | Process chamber having component with yttrium-aluminum coating |
| US7371467B2 (en) * | 2002-01-08 | 2008-05-13 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having electroplated yttrium containing coating |
| US20080213496A1 (en) * | 2002-02-14 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings |
| RU2244766C2 (ru) | 2002-11-13 | 2005-01-20 | Иркутский государственный технический университет (ИрГТУ) | Способ электрохимической металлизации внутренней поверхности труб |
| CN1328800C (zh) * | 2002-12-20 | 2007-07-25 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备钇钡铜氧高温超导膜的方法 |
| TWI291713B (en) * | 2004-04-13 | 2007-12-21 | Applied Materials Inc | Process chamber component having electroplated yttrium containing coating |
| CA2665881A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-10-30 | C-3 International, Llc | Methods for providing prophylactic surface treatment for fluid processing systems and components thereof |
| US7767072B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-08-03 | Honeywell International Inc. | Method of forming yttrium-modified platinum aluminide diffusion coating |
| US8097105B2 (en) * | 2007-01-11 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material |
| US8128750B2 (en) * | 2007-03-29 | 2012-03-06 | Lam Research Corporation | Aluminum-plated components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
| CN101748460B (zh) * | 2008-12-03 | 2011-04-13 | 中国科学院金属研究所 | 电化学涂敷纳米稀土氧化物或其复合材料催化剂的方法 |
| US20100243464A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Honeywell International Inc. | Methods of forming coatings on substrates |
| JPWO2012043129A1 (ja) | 2010-09-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立製作所 | 電気アルミニウムめっき液 |
| US9771661B2 (en) * | 2012-02-06 | 2017-09-26 | Honeywell International Inc. | Methods for producing a high temperature oxidation resistant MCrAlX coating on superalloy substrates |
| CN104911663B (zh) * | 2012-05-10 | 2017-04-19 | 中国兵器工业第五九研究所 | 一种耐用的表面涂层的制备方法及系统 |
| CN102751044A (zh) * | 2012-07-03 | 2012-10-24 | 中国科学院电工研究所 | 一种ybco涂层导体的制备方法 |
| GB201212407D0 (en) * | 2012-07-12 | 2012-08-22 | Intrinsiq Materials Ltd | Composition for forming a seed layer |
| US10190227B2 (en) * | 2013-03-14 | 2019-01-29 | Xtalic Corporation | Articles comprising an electrodeposited aluminum alloys |
| JP6449224B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2019-01-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上の高純度アルミニウムトップコート |
| US9293230B2 (en) * | 2013-04-17 | 2016-03-22 | Universiti Brunei Darussalam | Method for synthesis of nano-crystalline metal oxide powders |
| CN103343379B (zh) * | 2013-07-12 | 2016-03-02 | 南昌航空大学 | 一种T91钢表面复合电镀Ni/CrAl/Y2O3梯度镀层的方法 |
| US9624593B2 (en) * | 2013-08-29 | 2017-04-18 | Applied Materials, Inc. | Anodization architecture for electro-plate adhesion |
| CN103617884A (zh) * | 2013-12-11 | 2014-03-05 | 北京科技大学 | 一种烧结NdFeB磁体的重稀土附着方法 |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US20160108534A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Ut-Battelle, Llc | Aluminum deposition devices and their use in spot electroplating of aluminum |
| CN104342730B (zh) * | 2014-10-23 | 2017-01-18 | 上海应用技术学院 | 一种镍钼铝镀层及其制备方法 |
| CN104342729B (zh) * | 2014-10-23 | 2017-01-18 | 上海应用技术学院 | 一种镍钼铝稀土镀层及其制备方法 |
| CN104562128B (zh) * | 2015-01-09 | 2017-10-03 | 西安工业大学 | 一种在金属或金属复合材料表面制备热防护陶瓷层的方法 |
| CN105018987A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-11-04 | 无锡桥阳机械制造有限公司 | 一种钇-镍-铁合金电镀液及其电镀方法 |
| CN105154934A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-16 | 无锡桥阳机械制造有限公司 | 一种钇-镍合金电镀液及其制备方法 |
| CN105332010B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-05-10 | 常州大学 | 一种脉冲电沉积Co/Y2O3纳米复合镀层的制备方法 |
-
2017
- 2017-02-24 KR KR1020187029268A patent/KR102210971B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-24 WO PCT/US2017/019477 patent/WO2017155711A1/en active Application Filing
- 2017-02-24 CN CN201780016714.3A patent/CN108779568B/zh active Active
- 2017-03-07 US US15/451,995 patent/US10253406B2/en active Active
- 2017-03-09 TW TW106107704A patent/TWI669420B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1912785A1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-04-23 | Midwest Research Institute | Electrodeposition of biaxially textured layers on a substrate |
| CN104651668A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 北京有色金属研究总院 | 一种铌合金表面Ni-Cr抗氧化涂层及其制备方法 |
| CN104152964A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-19 | 浙江大学 | 一种四氟钇钠氧化亚铜复合太阳能薄膜的制备方法 |
| EP2990982A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-02 | Accenture Global Services Limited | Unstructured security threat information analysis |
| CN104393099A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-03-04 | 浙江大学 | 一种四氟钇钠碘氧铋复合太阳能薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| "Al2O3-Y2O3 ceramic coatings produced by cathodic micro-arc electrodeposition and their high temperature oxidation resistance";Li, LJ 等;《HIGH TEMPERATURE MATERIALS AND PROCESSES》;20051231(第1期);第85-92页 * |
| "氧化钇掺杂对铝合金表面硅烷膜耐蚀性的影响";张圣麟 等;《腐蚀与防护》;20111215(第12期);第965-968页 * |
| "钇离子在氟化物体系中的电化学还原";赵立忠 等;《中国稀土学报》;19931001(第03期);第271-273页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201802300A (zh) | 2018-01-16 |
| US20170260618A1 (en) | 2017-09-14 |
| KR20180116447A (ko) | 2018-10-24 |
| CN108779568A (zh) | 2018-11-09 |
| TWI669420B (zh) | 2019-08-21 |
| WO2017155711A1 (en) | 2017-09-14 |
| KR102210971B1 (ko) | 2021-02-01 |
| US10253406B2 (en) | 2019-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10755900B2 (en) | Multi-layer plasma erosion protection for chamber components | |
| US9885117B2 (en) | Conditioned semiconductor system parts | |
| JP5738987B2 (ja) | プラズマ電解酸化コーティングにおける銅または微量金属汚染物質の低減 | |
| US10774436B2 (en) | High purity aluminum top coat on substrate | |
| US10233554B2 (en) | Aluminum electroplating and oxide formation as barrier layer for aluminum semiconductor process equipment | |
| CN107604342B (zh) | 金属构件其制造方法及具有金属构件的处理室 | |
| AU737350B2 (en) | Electro-plating process | |
| CN108779568B (zh) | 在半导体处理设备上以电化学方式形成氧化钇的方法 | |
| US10407789B2 (en) | Uniform crack-free aluminum deposition by two step aluminum electroplating process | |
| US20180374706A1 (en) | Corrosion resistant coating for semiconductor process equipment | |
| KR20230124520A (ko) | 금속부품 및 이를 구비한 공정챔버 | |
| KR102464817B1 (ko) | 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버 | |
| KR102019834B1 (ko) | 금속 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 구조체 | |
| KR20070054415A (ko) | 표면 처리를 개선한 챔버 리드를 구비한 반도체 웨이퍼식각 장치 | |
| KR20040077221A (ko) | 반도체 제조장치용 부품 표면에 보호막을 제조하는 방법및 표면 보호막이 형성된 반도체 제조장치용 부품 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |