KR20040077221A - 반도체 제조장치용 부품 표면에 보호막을 제조하는 방법및 표면 보호막이 형성된 반도체 제조장치용 부품 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 알칼리 전해질을 수용하는 반응 욕조를 준비하는 단계;상기 반응 욕조에 알루미늄 성분을 포함하는 반도체(또는 FPD) 제조장치용 부품을 침적시키는 단계; 및상기 부품에 소정 전원을 인가하여, 상기 부품 표면에 결정질 알루미나층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 부품에 소정의 전원을 인가하는 단계는, 상기 부품 표면에 미세 불꽃 방전을 발생시켜 기포가 발생되도록 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 표면 보호막 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 부품에 전원을 인가하는 단계는,상기 부품에 200 내지 500V의 전압, 5 내지 25A/dm2전류 및 10 내지 200Hz의 주파수를 인가하는 것을 특징으로 하는 표면 보호막 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전해질은 1000 내지 3500μS의 전도도를 가지며, PH 12±5를 갖는 것을 특징으로 하는 표면 보호막 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 전해질은 20 내지 30℃의 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 표면 보호막 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전해질 용액에 침적된 상기 부품에 전원을 인가하는 시간은 상기 결정질 알루미나층의 두께를 결정하고, 상기 부품에 전원을 인가하는 단계는, 상기 결정질 알루미나층이 약 10 내지 200㎛의 두께를 갖을때까지 진행하는 것을 특징으로 하는 표면 보호막 제조방법.
- 반도체 제조 공정중 이용되는 챔버의 부품으로서,그 표면에 결정질 알루미나층이 피복되어 있는 반도체 제조장치용 부품.
- 제 6 항에 있어서, 상기 결정질 알루미나층은 10 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 부품.
- 제 6 항에 있어서, 상기 결정질 알루미나층은 α-Al2O3, β-Al2O3, 및 γ-Al2O3상태를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 부품.
- 제 6 항에 있어서, 상기 결정질 알루미나층은 약 8 내지 10psi의 결합력을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 부품.
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